審決検索MVP
← 検索一覧に戻る
特許訂正審判

2018-390113

温度プローブ、基板温度測定用アセンブリ及び基板支持用プラテン

審判番号
2018-390113
法域
特許
審判種別
訂正審判(訂正の審決)
出願番号
特願2016-540454
登録番号
特許第6359669号(P6359669)
請求日
2018年08月08日
審決日
2018年09月18日
公報発行日
2018年12月28日
結論
訂正認容
当事者
  • 【請求人】ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド
  • 【請求人代理人】杉村 憲司
  • 【請求人代理人】塚中 哲雄
  • 【請求人代理人】石川 雅章
審判長/審判官
  • 審判長 加藤 浩一
  • 審判官 小田 浩
  • 審判官 恩田 春香
分類
P141 .852-Y (H01L)
根拠条文(結論部分から自動抽出・参考)
特許法126条1項特許法126条3項特許法126条5項特許法184条の19
条文(本文から自動抽出・参考)
特許法第126条第1項、特許法第126条第3項、特許法第184条の19、特許法第126条第6項、特許法第126条第7項
データ出所
審決公報(SGML)

事件の表示

特許第6359669号に関する訂正審判事件について,次のとおり審決する。

結論

【結 論】 特許第6359669号の特許請求の範囲を本件審判請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり,訂正後の請求項〔12-15〕について訂正することを認める。

理由

【理 由】 第1 手続の経緯 本件訂正審判の請求に係る特許第6359669号(以下,「本件特許」という。)は,平成26年(2014年)9月8日(パリ条約による優先権主張 外国庁受理 2013年9月10日,米国)を国際出願日とする外国語特許出願(PCT/US2014/054487(以下,「国際出願」という。) 特願2016-540454号)であって,その請求項1ないし15に係る発明について,平成30年6月29日に特許権の設定登録がなされ,同年8月8日に本件訂正審判の請求がなされたものである。 第2 請求の趣旨及び訂正事項 1 請求の趣旨 本件訂正審判の請求の趣旨は「特許第6359669号の特許請求の範囲を本件審判請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項12~15について訂正することを認める、との審決を求める。」というものである。 2 訂正事項 特許請求の範囲の請求項12に「前記ガス室内に配置されたスプリングであって、前記温度センサを前記基板に接触配置させるように押圧する当該スプリングと」と記載されているのを,「前記ガス室内に配置されたスプリングであって、前記温度センサ接点を前記基板に接触配置させるように押圧する当該スプリングと」に訂正する(請求項12の記載を引用する請求項13~15も同様に訂正する)。 第3 当審の判断 1 訂正の目的について(下線は,当審で付与した。以下,同じ。) 本件における国際出願の明細書,請求の範囲又は図面(以下,「本件国際出願時明細書等」という。)の特許請求の範囲の請求項12(以下,「英文特許請求の範囲」という。)には, 「12. A temperature probe for measuring the temperature of a substrate during a semiconductor manufacturing processing comprising: a gas chamber having an opening disposed within a dielectric plate of a platen, the platen configured to support a substrate; a temperature sensor for measuring the temperature of the substrate; a temperature sensor contact in thermal contact with the temperature sensor; a gas chamber having an opening, the gas chamber disposed around the temperature sensor; a seal disposed around the opening in the gas chamber, the seal configured to seal the opening in the gas chamber against the substrate; and a spring disposed within the gas chamber, the spring biased place the temperature sensor contact in contact with the substrate. 」 と記載されているが,本件特許の特許請求の範囲の請求項12には 「【請求項12】 半導体製造処理に際して基板の温度を測定する温度プローブにおいて、該温度プローブが、 基板を支持するように構成されたプラテンの誘電体プレート内に配置され、温度センサを囲むように配置され、開口を有しているガス室と、 前記基板の温度を測定する前記温度センサと、 該温度センサと熱接触している温度センサ接点と、 前記ガス室における前記開口を囲むように配置されたシール部材であって、前記ガス室における前記開口を前記基板に対し封止するように構成された当該シール部材と、 前記ガス室内に配置されたスプリングであって、前記温度センサを前記基板に接触配置させるように押圧する当該スプリングと を具えている温度プローブ。」 と記載されている。 ここで,英文特許請求の範囲の「a spring disposed within the gas chamber, the spring biased place the temperature sensor contact in contact with the substrate.」の正しい翻訳は「前記ガス室内に配置されたスプリングであって、前記温度センサ接点を前記基板に接触配置させるように押圧する当該スプリングと」と認められるから,本件特許の特許請求の範囲の請求項12の「前記ガス室内に配置されたスプリングであって、前記温度センサを前記基板に接触配置させるように押圧する当該スプリングと」との翻訳は,「前記ガス室内に配置されたスプリングであって、前記温度センサ接点を前記基板に接触配置させるように押圧する当該スプリングと」の誤訳であることは明白である。 そうすると,訂正事項に係る訂正は,本件特許の特許請求の範囲の明白な誤訳を本来の翻訳に正す訂正である。 同様に,訂正後の請求項13ないし15は,訂正後の請求項12に記載された「前記温度センサ接点を」との記載を引用することにより,訂正後の請求項13ないし15に係る発明の誤訳訂正をするものである。 したがって,訂正事項は,特許法第126条第1項ただし書き第2号の「誤記又は誤訳の訂正」を目的としたものに該当する。 2 一群の請求項について 訂正前の請求項13ないし15は,いずれも,訂正前の請求項12を引用するものであるから,訂正前の請求項12ないし15は,一群の請求項を構成する。 そして,訂正事項は,当該一群の請求項ごとに訂正を請求するものであるから,特許法第126条第3項の規定に適合する。 3 新規事項の有無 訂正事項に係る訂正後の,「前記ガス室内に配置されたスプリングであって、前記温度センサ接点を前記基板に接触配置させるように押圧する当該スプリングと」との記載に関し,上記「1」における検討により,訂正事項に係る訂正は,本件国際出願時明細書等に記載した事項の範囲内のものといえる。 したがって,訂正事項に係る訂正は,特許法第184条の19の規定による同法第126条第5項の規定に適合する。 4 特許請求の範囲の拡張・変更の有無 訂正事項に係る訂正は,特許請求の範囲の明白な誤訳を本来の翻訳に正す訂正であるから,訂正の前後で特許請求の範囲に記載された発明の拡張又は変更はなく,実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。 したがって,訂正事項に係る訂正は,特許法第126条第6項の規定に適合する。 5 独立特許要件 訂正事項に係る訂正は,特許請求の範囲の明白な誤訳を本来の翻訳に正す訂正であり,訂正事項による訂正後の特許請求の範囲の請求項12ないし15に係る発明は,拒絶すべき理由を有しないとして特許された訂正前の特許発明と同一であるから,特許出願の際独立して特許を受けることができない発明ではないことは明らかである。 したがって,訂正事項に係る訂正は,特許法第126条第7項の規定に適合する。 第4 むすび 以上のとおりであるから,本件訂正審判に係る訂正は,特許法第126条第1項ただし書き第2号に掲げる事項を目的とし,同法第184条の19の規定による同法第126条第5項並びに同法第126条第3項及び第6,7項の規定に適合する。 よって,結論のとおり審決する。

審決本文(J-PlatPat)

J-PlatPatの審決検索トップを開きます。番号入力で「審判番号」を選び、下の番号を貼り付けて検索してください。

J-PlatPat 審決検索を開く
2018-390113

番号・当事者・条文・審決分類・商標の称呼が一致(または近い)審決を機械的に集めた候補です。判断内容は各審決の本文でご確認ください。

同じ当事者の審決13件(ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド)
  • 2017-390002訂正審判 / 2017-02-28 / 訂正認容交差指型背面接触太陽電池およびそれを形成するための基板の処理方法
    同じ当事者: ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド
  • 2022-005425拒絶査定不服審判 / 2023-07-20 / 原査定取消(特許/登録すべき)ビーム電流動作の広い範囲におけるイオンビームの制御
    同じ当事者: ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド
  • 2022-006880拒絶査定不服審判 / 2023-03-13 / 原査定取消(特許/登録すべき)イオン注入のための装置、システムおよび方法
    同じ当事者: ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド
  • 2021-017136拒絶査定不服審判 / 2022-11-24 / 原査定取消(特許/登録すべき)スキャン後の湾曲電極
    同じ当事者: ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド
  • 2021-012758拒絶査定不服審判 / 2022-10-05 / 原査定取消(特許/登録すべき)DRAMデバイス、DRAMデバイスを形成する方法及びゲート酸化物層を形成する方法
    同じ当事者: ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド
検索でもっと見る →
同じ論点・分野の審決(審決分類)9件(852・H01L)
  • 2022-390132訂正審判 / 2022-12-26 / 訂正認容チャックプレート及びアニール装置
    共通の審決分類: 852・H01L
  • 2018-390111訂正審判 / 2019-01-22 / 訂正認容ボールボンディング用被覆銅ワイヤ
    共通の審決分類: 852・H01L
  • 2018-390110訂正審判 / 2018-10-12 / 訂正認容パワー半導体デバイス
    共通の審決分類: 852・H01L
  • 2018-390015訂正審判 / 2018-04-03 / 訂正認容撮像装置
    共通の審決分類: 852・H01L
  • 2018-390018訂正審判 / 2018-03-16 / 訂正認容半導体装置
    共通の審決分類: 852・H01L

メモ・タグ(非公開)

あなただけに表示されます。審決本文の公開範囲は変わりません。

メモとタグは Pro の機能です。ログイン/Proでメモを保存