特許拒絶査定不服審判
2021-012758
ＤＲＡＭデバイス、ＤＲＡＭデバイスを形成する方法及びゲート酸化物層を形成する方法
- 審判番号
- 2021-012758
- 法域
- 特許
- 審判種別
- 拒絶査定不服審判（拒絶査定不服の審決）
- 出願番号
- 特願2018-531245
- 請求日
- 2021年09月22日
- 審決日
- 2022年10月05日
- 公報発行日
- 2022年10月28日
- 結論
- 原査定取消（特許/登録すべき）
- 当事者
- 【請求人】ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド
- 【請求人代理人】杉村 憲司
- 【請求人代理人】石川 雅章
- 審判長／審判官
- 審判長 河本 充雄
- 審判官 鈴木 聡一郎
- 審判官 棚田 一也
- 分類
- P18 .113-WYF(H01L) / P18 .121-WYF(H01L) / P18 .536-WYF(H01L) / P18 .537-WYF(H01L)
- データ出所
- 審決公報（XML）
事件の表示
特願２０１８－５３１２４５「ＤＲＡＭデバイス、ＤＲＡＭデバイスを形成する方法及びゲート酸化物層を形成する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年 ６月２９日国際公開、ＷＯ２０１７／１１２２７６、平成３１年 ２月１４日国内公表、特表２０１９－５０４４８９、請求項の数（４）〕について、次のとおり審決する。
結論
結 論
原査定を取り消す。
本願の発明は、特許すべきものとする。
理由
理 由
本願は、２０１６年（平成２８年）１１月２３日（パリ条約による優先権主張 外国庁受理 ２０１５年１２月２２日 （ＵＳ）アメリカ合衆国）の出願であって、その請求項１～４に係る発明は、令和４年８月２９日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１～４に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。
そして、本願については、原査定の拒絶理由及び当審で通知した拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
よって、結論のとおり審決する。
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