2018-012714

特願２０１５－５５８６２２「窒化物半導体発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　７月３０日国際公開、ＷＯ２０１５／１１１１３４〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、平成２６年（２０１５年）１月２１日を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は次のとおりである。 平成２８年　７月２８日　　：手続補正書 平成２９年　１月２０日　　：手続補正書 平成２９年１１月１４日付け：拒絶理由通知書 平成３０年　１月２１日　　：意見書・手続補正書 平成３０年　６月１８日付け：拒絶査定 平成３０年　９月２５日　　：審判請求書・手続補正書 第２　原査定における拒絶の理由の概要 原査定は、次の拒絶の理由を含むものである。 本願の請求項１に係る発明は、引用文献１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 引用文献等一覧 １．特開２００８－５３２６３号公報（以下「引用文献１」という。） ２．国際公開第２０１１／００７８１６号（以下「周知例２」という。） ３．Daniel A. Steigerwald, et al.，“Illumination With Solid State Lighting Technology”，IEEE JOURNAL ON SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS，2002年4月，Vol.8, No.2，p.310-320（以下「周知例３」という。） ４．Max Shatalov, et al.，“Large Chip High Power Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes”，Applied Physics Express，2010年，No.062101，p.1-3（以下「周知例４」という。） ５．特開２００２－２８０６１０号公報（以下「周知例５」という。） ６．特開２００９－０５４７８０号公報（以下「周知例６」という。） 第３　平成３０年９月２５日に提出された手続補正書による補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 平成３０年９月２５日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 ［理由］ １　本件補正の内容 本件補正は、本件補正前の請求項１である、 「サファイア基板と、前記サファイア基板の表面上に形成された複数の窒化物半導体層を有する発光素子構造部を備えてなり、 前記サファイア基板を通して前記発光素子構造部からの発光を素子外部に出力する、平面視形状が正方形または長方形のチップに分割された裏面出射型の窒化物半導体発光素子であって、 前記発光素子構造部が、光を出射する活性層と、前記活性層よりも前記サファイア基板から離れた位置に形成されて前記活性層よりもバンドギャップが小さいコンタクト層とを備え、 前記チップの前記平面視形状の各辺の平均長が４００μｍ以上であり、 前記サファイア基板の前記表面に垂直な側面部分における垂直方向の長さであるＴ値が、前記平均長の０．４５倍以上１倍以下であることを特徴とする窒化物半導体発光素子。」 を、 本件補正後の請求項１である、 「サファイア基板と、前記サファイア基板の表面上に形成された複数の窒化物半導体層を有する発光素子構造部を備えてなり、 前記サファイア基板を通して前記発光素子構造部からの発光を素子外部に出力する、平面視形状が正方形または長方形のチップに分割された裏面出射型の窒化物半導体発光素子であって、 前記発光素子構造部が、光を出射する活性層と、前記活性層よりも前記サファイア基板から離れた位置に形成されて前記活性層よりもバンドギャップが小さいコンタクト層とを備え、前記活性層から前記コンタクト層に向けて出射された光が、前記コンタクト層で吸収され、前記サファイア基板を通して素子外部に出力されない構造であり、 前記チップの前記平面視形状の各辺の平均長が４００μｍ以上であり、 前記サファイア基板の前記表面に垂直な側面部分における垂直方向の長さであるＴ値が、前記平均長の０．４５倍以上１倍以下であることを特徴とする窒化物半導体発光素子。」 へと補正することを含むものである（下線は、補正箇所である。）。 ２　本件補正の目的 上記１で認定した補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「発光素子構造部」の構造について、「前記活性層から前記コンタクト層に向けて出射された光が、前記コンタクト層で吸収され、前記サファイア基板を通して素子外部に出力されない構造であ」るとの限定を付加するものであって、本件補正前の請求項１に記載された発明と本件補正後の請求項１に記載される発明の産業上の技術分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そこで、本件補正が、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（いわゆる独立特許要件を満たしているか）、すなわち、本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるかどうかについて、以下、項を改めて、検討する。 ３　独立特許要件の適否の判断 （１）本件補正発明の認定 本件補正発明は、上記１において、本件補正後の請求項１として記載されたとおりのものである。 （２）引用文献の記載事項の認定 ア　原査定における拒絶の理由で引用された、本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である引用文献１（特開２００８－５３２６３号公報）には、次の事項が記載されていると認められる（下線は、当審が付した。）。 「【発明を実施するための最良の形態】」、 「図１から図５は本発明の一実施形態を示すもので、図１はＬＥＤ素子の概略模式断面図である。」（【００１６】）、 「図１はＬＥＤ素子の模式断面図である。以下、ＬＥＤ素子１の構成について説明する。 図１に示すように、発光素子としてのＬＥＤ素子１は、サファイア基板１０と、サファイア基板１０上に積層されたIII族窒化物系化合物半導体層２０と、を備えている。本実施形態においては、ＬＥＤ素子１はフリップチップ型である。III族窒化物系化合物半導体層２０は、バッファ層２１、ｎ型層２２、発光層を含む層２３及びｐ型層２４がこの順でサファイア基板１０上に形成されている。そして、ＬＥＤ素子１は、ｐ電極２５がｐ型層２４上に形成され、ｎ電極２６がｎ型層２２上に形成されている。ＬＥＤ素子１は、ｐ電極２５及びｎ電極２６が電力が供給されると、発光層を含む層２３から青色領域にピーク波長を有する光を出射する。」（【００１７】）、 「ここで、III族窒化物系化合物半導体とは、一般式としてＡｌＸＧａＹＩｎ１－Ｘ－ＹＮ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｘ＋Ｙ≦１）で表され、ＡｌＮ、ＧａＮ及びＩｎＮのいわゆる２元系、ＡｌＸＧａ１－ＸＮ、ＡｌＸＩｎ１－ＸＮ及びＧａＸＩｎ１－ＸＮ（以上において０＜Ｘ＜１）のいわゆる３元系を包含する。すなわち、III族窒化物系化合物半導体として、窒化ガリウム系化合物半導体を例示することができる。ここで、III族元素の少なくとも一部をボロン（Ｂ）、タリウム（Ｔｌ）等で置換しても良く、また、窒素（Ｎ）の少なくとも一部もリン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等で置換できる。」（【００１８】）、 「本実施形態においては、バッファ層２１はＡｌＮからなり、ｎ型層２２はｎ型不純物としてＳｉをドープしたＧａＮからなり、ｐ型層２４はｐ型不純物としてＭｇをドープしたＧａＮからなる。バッファ層２１はこれに限定されることはなく、材料としてはＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＩｎＧａＮ等を用いてもよい。また、ｎ型層２２及びｐ型層２４をＧａＮで形成しているが、これらを形成するのにＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ又はＡｌＩｎＧａＮを用いてもよい。さらに、ｎ型不純物としてＧｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を用いてもよいし、ｐ型不純物としてＺｎ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等を用いてもよい。」（【００１９】）、 「また、発光層を含む層２３は、多重量子井戸構造をとっており、ＩｎＧａＮからなる複数の発光層と、これらの間に介在しＧａＮからなるバリア層とを有している。発光層とバリア層については、発光波長に応じてＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＩｎＧａＮが適宜選択される。」（【００２０】）、 「また、ｐ電極２５は、金を含む材料で構成されており、ｐ型層２５の上に蒸着により形成される。ｎ電極２６は、ＡｌとＶの２層で構成され、ｐ型層２４を形成した後、ｐ型層２４、発光層を含む層２３及びｎ型層２２の一部をエッチングにより除去し、蒸着によりｎ型層２３上に形成される。ここで、ｐ電極２５及びｎ電極２６の材質もまた適宜に変更が可能である。」（【００２１】）、 「図２は、ＬＥＤ素子の模式外観斜視図である。 図２に示すように、サファイア基板１０は、平面視にて正方形を呈する直方体状に形成される。ここで、サファイア基板１０の厚さｄは、サファイア基板１０の研磨状態を調整することにより任意に設定することができる。また、サファイア基板１０の側面１０ａはレーザ加工により形成されており、平面視における一辺の長さａもまた任意に設定することができる。」（【００２２】）、 「以上のように構成されたＬＥＤ素子１において、サファイア基板１０の厚さｄと一辺の長さａを変化させて取得したデータを図３及び図４に示す。図３の横軸は一辺の長さａに対する厚さｄの割合であり、縦軸はＬＥＤ素子１から出射される光の配光角度の相対値である。また、図４の横軸は一辺の長さａに対する厚さｄの割合であり、縦軸はＬＥＤ素子１から出射される光の全体光量の相対値である。」（【００２３】）、 「ここで、図３及び図４のデータを取得する手順を説明する。まず、一辺の長さａに対する厚さｄが異なるサファイア基板１０のＬＥＤ素子１を複数作成し、作成されたＬＥＤ素子１ごとにから出射された光の強度を光度測定積分球にて測定する。図５に示すように、ＬＥＤ素子１の発光部分からサファイア基板１０に対して垂直な方向を０°とし、この垂直方向を基準としＬＥＤ素子１の発光部分を中心にして－９０°から＋９０°までの範囲の光の強度を取得する。ここで、図５はデータ取得の実験状態を示す説明図である。このとき取得された光の強度のうち、最大値に対する所定割合の強度が得られている角度を求めてこれを配光角度とする。本実施形態においては、光の強度の最大値を１としたときに、相対的に０．８の強度が得られている角度を配光角度としている。そして、横軸における所定値を基準とし、配光の相対角度を縦軸としたものが図３である。また、横軸における所定値を基準とし、全光量の相対値を縦軸としたものが図４である。」（【００２４】）、 「ここで、図３及び図４には、上述のようにして取得された実験値とともに本願発明者による解析値を示している。解析値については、光線追跡方法を用い、模擬的にＬＥＤ素子１における光学系を設定することにより取得した。図３に示すように、厚さｄの寸法ａに対する割合が０．３～０．６の範囲で上方に凸となる曲線が得られ、この範囲で配光角度が良好となっている。」（【００２５】）、 「このように、本実施形態のＬＥＤ素子１によれば、厚さｄの寸法ａに対する割合を０．３～０．６とすることにより、出射光の配光範囲を広くすることができる。」（【００２６】）、 「ここで、図６はＬＥＤ素子を実装基板にフリップチップ実装した光源装置の模式図である。また、図８は従来のＬＥＤ素子を実装基板にフリップチップ実装した光源装置の模式図であって、（ａ）は光がサファイア基板内と半導体層内へ繰り返し進入して減衰する状態を示し、（ｂ）は光がサファイア基板内から半導体層内へ進入した光が半導体層内に閉じ込められて減衰する状態を示している。」（【００２７】）、 「図６に示すように従来のＬＥＤ素子３０２に比して厚さｄの割合が一辺の長さａに対して大きく形成されていることから、図６中の矢印に示すように、III族窒化物系化合物半導体層２０から出射した光がサファイア基板１０の底面１０ｂに到達する前に側面１０ａに到達する確率が高く、サファイア基板１０の底面１０ｂにて全反射する光量を減じられ、従来に比して光取り出し効率が向上している。」（【００２８】）、 「ここで、図８の光源装置３００は、サファイア基板３０３及びIII族窒化物系化合物半導体層３０４を有する従来のＬＥＤ素子３０２が実装基板３０１に搭載されている。ここで、図８の（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、半導体層３０４から出射してサファイア基板３０３内を進む光が、サファイア基板３０３の半導体層３０４と反対側の表面へ入射角θ１をもって進入し、この光が反射して半導体層３０４へ入射する状態を示している。ここで、サファイア基板３０３の屈折率をｎ３とし、サファイア基板３０３と隣接する部材（例えば、空気、封止部材等）の屈折率をｎ１とすると、サファイア基板３０３における半導体層３０４と反対側の表面で反射する条件は、θ１＞ｓｉｎ－１（ｎ３／ｎ１）である。 図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、半導体層３０４へ入射した光は、サファイア基板３０３と半導体層３０４の界面で屈折した後、半導体層３０４内を進んで実装基板３０１にて全反射し、サファイア基板３０３へ入射角θ２をもって進入する。このときに光がサファイア基板３０３へ進入する条件は、半導体層３０４の屈折率をｎ２とすると、θ２＜ｓｉｎ－１（ｎ１／ｎ２）である。この場合、図８（ａ）に示すように、光はサファイア基板３０３内と半導体層３０４内へ繰り返し進入して減衰する。また、θ２＞ｓｉｎ－１（ｎ１／ｎ２）である場合、図８（ｂ）に示すように、光は半導体層内に閉じ込められて減衰する。このように、従来のフリップチップ型のＬＥＤ素子３０２では、III族窒化物系化合物半導体層３０４から出射された光は、ＬＥＤ素子３０２内で全反射及び屈折を繰り返し、減衰した状態で外部へ放射されるため、光取り出し効率が悪い。」（【００２９】）、 「また、図６に示すように、この光源装置１０１によれば、ＬＥＤ素子１がフリップチップ実装されることから、III族窒化物系化合物半導体層２０側が実装基板１０１側となるので、発光層を含む層２３にて生じた熱を実装基板１０１へ放散することができる。 また、光の主取出面がサファイア基板１０側となりサファイア基板１０を通じて発光層を含む層２３からの光を取り出す必要があるところ、サファイア基板１０が前述の寸法に形成されていることから、ＬＥＤ素子１をフリップチップ実装した従来のものに比して、光量が格段に向上する。」（【００３０】）、 「また、前記実施形態においては、ＬＥＤ素子１のサファイア基板１０が平面視にて正方形状に形成されたものを示したが、平面視にて長方形状に形成されるものであってもよい。この場合、平面視における短辺の寸法に対して厚さが０．３～０．６であれば、出射光の配光範囲を広くすることができる。また、青色光を発するＬＥＤ素子１に本発明を適用したものを示したが、例えば緑色光を発するＬＥＤ素子であってもよいし、その他、具体的な細部構造等についても適宜に変更可能であることは勿論である。」（【００３５】） イ　上記アによれば、図１及び図２に記載されたＬＥＤ素子について、次の事実が認められる。 （ア）発光素子としてのＬＥＤ素子１は、サファイア基板１０と、サファイア基板１０上に積層されたIII族窒化物系化合物半導体層２０と、を備えている（【００１７】）。 （イ）ＬＥＤ素子１はフリップチップ型である（【００１７】）。 （ウ）サファイア基板１０は、平面視にて正方形を呈する直方体状に形成されている（【００２２】）。 （エ）サファイア基板１０の厚さｄは、任意に設定することができ、平面視における一辺の長さａもまた任意に設定することができる（【００２２】）。 （オ）厚さｄの寸法ａに対する割合を０．３～０．６とすることにより、出射光の配光範囲を広くすることができる（【００２６】）。 （カ）従来のＬＥＤ素子３０２に比して厚さｄの割合が一辺の長さａに対して大きく形成されていることから、III族窒化物系化合物半導体層２０から出射した光がサファイア基板１０の底面１０ｂに到達する前に側面１０ａに到達する確率が高く、サファイア基板１０の底面１０ｂにて全反射する光量を減じられ、従来に比して光取り出し効率が向上している（【００２８】）。 ウ　上記イで認定した事実によれば、引用文献１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 「ＬＥＤ素子１であって、 サファイア基板１０と、サファイア基板１０上に積層されたIII族窒化物系化合物半導体層２０と、を備えており、 ＬＥＤ素子１はフリップチップ型であり、 サファイア基板１０は、平面視にて正方形を呈する直方体状に形成されており、 サファイア基板１０の厚さｄは、任意に設定することができ、平面視における一辺の長さａもまた任意に設定することができ、 厚さｄの寸法ａに対する割合を０．３～０．６とすることにより、出射光の配光範囲を広くすることができ、 従来のＬＥＤ素子３０２に比して厚さｄの割合が一辺の長さａに対して大きく形成されていることから、III族窒化物系化合物半導体層２０から出射した光がサファイア基板１０の底面１０ｂに到達する前に側面１０ａに到達する確率が高く、サファイア基板１０の底面１０ｂにて全反射する光量を減じられ、従来に比して光取り出し効率が向上している、 ＬＥＤ素子１。」 （３）対比 本件補正発明と引用発明とを対比する。 ア　本件補正発明の「サファイア基板と、前記サファイア基板の表面上に形成された複数の窒化物半導体層を有する発光素子構造部を備えてなり、 前記サファイア基板を通して前記発光素子構造部からの発光を素子外部に出力する、平面視形状が正方形または長方形のチップに分割された裏面出射型の窒化物半導体発光素子であって、」との特定事項について （ア）引用発明の「サファイア基板１０」は、本件補正発明の「サファイア基板」に相当する。 （イ）引用発明の「サファイア基板１０上に積層されたIII族窒化物系化合物半導体層２０」は、層の個数が「複数」であることが明らかであるから、本件補正発明の「前記サファイア基板の表面上に形成された複数の窒化物半導体層を有する発光素子構造部」に相当するといえる。 （ウ）引用発明は、「フリップチップ型」であるから、本件補正発明でいう「前記サファイア基板を通して前記発光素子構造部からの発光を素子外部に出力する」ものということになるとともに、「裏面出射型」ということになる。 （エ）引用発明は、「サファイア基板１０は、平面視にて正方形を呈する直方体状に形成されて」いるから、本件補正発明でいう「平面視形状が正方形または長方形のチップに分割された」ものといえる。 （オ）引用発明の「III族窒化物系化合物半導体層２０と、を備えて」いる「ＬＥＤ素子１」は、本件補正発明の「窒化物半導体発光素子」に相当する。 （カ）よって、引用発明は、本件補正発明の上記特定事項を備える。 イ　本件補正発明の「前記発光素子構造部が、光を出射する活性層と、前記活性層よりも前記サファイア基板から離れた位置に形成されて前記活性層よりもバンドギャップが小さいコンタクト層とを備え、前記活性層から前記コンタクト層に向けて出射された光が、前記コンタクト層で吸収され、前記サファイア基板を通して素子外部に出力されない構造であり、」との特定事項について （ア）引用発明の「III族窒化物系化合物半導体層２０」（本件補正発明の「発光素子構造部」に相当。）が、本件補正発明でいう「光を出射する活性層」を備えることは、明らかである。 （イ）しかしながら、引用発明の「III族窒化物系化合物半導体層２０」は、「前記活性層よりも前記サファイア基板から離れた位置に形成されて前記活性層よりもバンドギャップが小さいコンタクト層とを備え、前記活性層から前記コンタクト層に向けて出射された光が、前記コンタクト層で吸収され、前記サファイア基板を通して素子外部に出力されない構造」とはいえない。 ウ　本件補正発明の「前記チップの前記平面視形状の各辺の平均長が４００μｍ以上であり、」との特定事項について （ア）引用発明は、「平面視にて正方形を呈する」ものであるから、その「一辺の長さａ」は、本件補正発明の「平面視形状の各辺の平均長」に相当する。 （イ）そうすると、引用発明は、「前記チップの前記平面視形状の各辺の平均長が」所定の長さ「であ」るけれども、その所定の長さが、４００μｍ以上であるのかは、不明である。 エ　本件補正発明の「前記サファイア基板の前記表面に垂直な側面部分における垂直方向の長さであるＴ値が、前記平均長の０．４５倍以上１倍以下である」との特定事項について （ア）引用発明の「サファイア基板１０の厚さｄ」は、本件補正発明の「前記サファイア基板の前記表面に垂直な側面部分における垂直方向の長さであるＴ値」に相当する。 （イ）引用発明は、「厚さｄの寸法ａに対する割合」が「０．３～０．６」であるから、本件補正発明の用語を用いると、Ｔ値が、平均長の０．３倍以上０．６倍以下ということになる。 （ウ）そうすると、引用発明は、「前記サファイア基板の前記表面に垂直な側面部分における垂直方向の長さであるＴ値が、前記平均長」に対して所定範囲の倍率となるものであるけれども、その所定範囲は、重複部分（０．４５～０．６）があるものの、完全には一致しない。 オ　本件補正発明の「窒化物半導体発光素子」との特定事項について 上記ア（オ）のとおり、引用発明は、本件補正発明の上記特定事項を備える。 （４）一致点及び相違点の認定 上記（３）でした認定によれば、本件補正発明と引用発明とは、 「サファイア基板と、前記サファイア基板の表面上に形成された複数の窒化物半導体層を有する発光素子構造部を備えてなり、 前記サファイア基板を通して前記発光素子構造部からの発光を素子外部に出力する、平面視形状が正方形または長方形のチップに分割された裏面出射型の窒化物半導体発光素子であって、 前記発光素子構造部が、光を出射する活性層を備える構造であり、 前記チップの前記平面視形状の各辺の平均長が所定の長さであり、 前記サファイア基板の前記表面に垂直な側面部分における垂直方向の長さであるＴ値が、前記平均長に対して所定範囲の倍率となるものである窒化物半導体発光素子。」である点で一致し、次の点で相違する。 ［相違点１］「光を出射する活性層を備え」た「前記発光素子構造部」について、本件補正発明は、さらに、「前記活性層よりも前記サファイア基板から離れた位置に形成されて前記活性層よりもバンドギャップが小さいコンタクト層とを備え、前記活性層から前記コンタクト層に向けて出射された光が、前記コンタクト層で吸収され、前記サファイア基板を通して素子外部に出力されない」構造であるのに対し、引用発明は、そうではない点。 ［相違点２］「前記チップの前記平面視形状の各辺の平均長」である所定の長さについて、本件補正発明は、「４００μｍ以上」であるのに対し、引用発明は、そうであるのか不明である点。 ［相違点３］「Ｔ値」の「前記平均長」に対する倍率に係る所定範囲について、本件補正発明は、０．４５倍以上１倍以下であるのに対し、引用発明は、０．３倍以上０．６倍以下である点。 （５）相違点１及び３の判断 ア　事案にかんがみ、相違点１及び３をまとめて判断する。 イ　まず、引用発明における「III族窒化物系化合物半導体層２０」には、任意の構造のものを採用できるといえる。この点は、引用文献１の【００３５】に、「青色光を発するＬＥＤ素子１に本発明を適用したものを示したが、例えば緑色光を発するＬＥＤ素子であってもよいし、その他、具体的な細部構造等についても適宜に変更可能である」と記載されていることからみても、明らかである。 次に、深紫外光を発するＬＥＤ素子において、活性層よりもサファイア基板から離れた位置に、ｐ型ＧａＮ層からなるコンタクト層を設けることは周知技術（必要ならば、例えば、周知例６（【００３８】及び図１２の「Ｍｇドープのｐ型ＧａＮ層６５」）や平山秀樹、「ＡｌＧａＮ系深紫外ＬＥＤ」、光学、２０１１年、４０巻９号、４８５～４６４頁（図１３）を参照。）である。加えて、そのようなｐ型ＧａＮコンタクト層が、活性層よりもバンドギャップが小さいものであることは自明であるし、また、当該ｐ型ＧａＮコンタクト層が、活性層からｐ型ＧａＮコンタクト層に向けて出射された光を吸収して、サファイア基板を通して素子外部に出射されないようにするものであることも周知である（例えば、上記各周知例のうち、後者のものを参照。）。 そうすると、引用発明における「III族窒化物系化合物半導体層」構造として、深紫外光を発する「III族窒化物系化合物半導体層」構造を採用するようにして、相違点１に係る構成を得ることは、当業者が適宜なし得たことである。 ウ（ア）ところで、引用発明におけるａ（本件補正発明の「平均長」に相当。）とｄ（本件補正発明の「Ｔ値」に相当。）との関係は、引用文献１の【００２４】及び【００２５】にあるように、ａに対するｄが異なるサファイア基板１０を備えたＬＥＤ素子１を複数作成して光の強度を実測したり、光線追跡方法を用いたりすることを通じて、得られたものである。 そうすると、当業者は、引用発明において深紫外光を発する「III族窒化物系化合物半導体層」構造を採用した場合（上記イ）においても、光の強度を実測したり、光線追跡法（この場合、ｐ型ＧａＮコンタクト層が活性層からｐ型ＧａＮコンタクト層に向けて出射された光を吸収するのであるから、これを考慮することは当然である。）を用いたりすることを通じて、ａとｄとの関係を得ることができるのである。 そして、その結果、当業者は、当該場合におけるｄ／ａと全光量の相対値との関係を得ることができる。 （イ）しかるに、光取り出し効率を向上させること自体は、ごくありふれた課題である。そうすると、当業者は、引用発明において深紫外光を発する「III族窒化物系化合物半導体層」構造を採用した場合においても、光取り出し効率を向上させる観点から、ｄ／ａの適切な値を適宜選択することができるというべきである。 そして、そのようにして選択された値は、相違点３で特定された数値範囲に属するということができる。なぜならば、引用発明は、その特定事項からみて、サファイア基板の厚さを大きくすることでサファイア基板の側面から出射する光を増加させることを通じて、光取り出し効率を向上するという技術思想を含むといえるところ、かかる技術思想は、本件補正発明の技術思想（本願明細書の【００２０】等）と共通するからである。 （ウ）このようにして、当業者は、引用発明において深紫外光を発する「III族窒化物系化合物半導体層」構造を採用した場合において、相違点３で特定された数値範囲に属するところの、「平均長」に対する「Ｔ値」の倍率の値に至ることができる。 エ　したがって、当業者は、引用発明、引用文献１に記載された技術的事項及び上記周知技術に基づいて相違点１及び３の構成に容易に想到し得る。 （６）相違点２の判断 引用発明は、「サファイア基板１０」の「平面視における一辺の長さａもまた任意に設定することができ」るものである。 他方で、平面視における一辺の長さａが４００μｍ以上であるＬＥＤ素子は周知である（例えば、周知例３（３１５頁のＦｉｇ．１１）や周知例４（０６２１０１－１頁の左欄下から５行～右欄３行・Ｆｉｇ．１）を参照。）。 そうすると、引用発明において、「サファイア基板１０」の「平面視における一辺の長さａ」を４００μｍ以上とすることは、当業者が適宜設計し得たことにすぎない。 （７）請求人の主張について ア　請求人は、審判請求書において、相違点３に係る構成は、相違点１に係る構成を前提としたものであるから、相違点１と相違点３とは密接不可分である旨主張する。 しかるところ、相違点１と相違点３との関連性を踏まえて検討したとしても、相違点１及び３が格別ではないことは、上記（５）で説示したとおりである。 イ　請求人は、引用文献１には、図４の全光量の相対値のデータに基づいて寸法ａに対する厚さｄの数値範囲を限定することについて、一切の開示も示唆もされていない旨主張する。 しかしながら、上記（５）ウ（イ）で説示したとおりである。 ウ　請求人は、本件補正発明が、相違点３に係る構成を得ることで、「チップの平面視形状が正方形か長方形かに関係なく、また、チップサイズに関係なく、チップ内部から出射された光の内、最大限取り出し得る光の約９５％以上を、高効率にチップ外に取り出すことが可能となる」という顕著な効果を奏する旨主張する。 しかしながら、上記効果と関連する技術思想は、引用発明にも備わっている。すなわち、上記（５）ウ（イ）で認定したとおり、本件補正発明と引用発明は、サファイア基板の厚さを大きくすることでサファイア基板の側面から出射する光を増加させることを通じて、光取り出し効率を向上するものであるという意味で、技術思想が共通するものである。そして、請求人が主張する上記効果は、かかる技術思想と関連すると解される。よって、上記技術思想と関連する上記効果は、引用発明にも備わっているといえる。 したがって、上記効果が格別であるとは言い難い。 エ　以上のとおりであるから、請求人の主張を採用することはできない。 （８）独立特許要件の適否の小括 したがって、本件補正発明は、引用発明、引用文献１に記載された技術的事項及び上記各周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合しない。 ４　補正の却下の決定についてのむすび 以上の次第で、本件補正は、特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきである。 よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第４　本願発明について １　本願発明の認定 本件補正は、上記第３のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２９年１月２１日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１～１３に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第３の［理由１］１で本件補正前の請求項１として記載したとおりのものである。 ２　原査定における拒絶の理由の概要 原査定における拒絶の理由の概要は、上記第２のとおりである。 ３　引用文献の記載事項等の認定 原査定における拒絶の理由で引用された引用文献１及びその記載事項は、上記第３の［理由］３（２）で認定したとおりである。 ４　対比・判断 本願発明は、上記第３の［理由］３で検討した本件補正発明から、「前記活性層から前記コンタクト層に向けて出射された光が、前記コンタクト層で吸収され、前記サファイア基板を通して素子外部に出力されない構造であ」るとの限定事項を削除したものである。 そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、上記第３の［理由］３で判断したとおり、引用発明、引用文献１に記載された技術的事項及び上記各周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由で、当業者が容易に発明をすることができたものである。 第５　むすび 以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができない。したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。