2017-700726

特許第６０６５１３５号発明「発光装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

【結　論】 特許第６０６５１３５号の請求項１～１０に係る特許を維持する。

【理　由】 第１　手続の経緯 特許第６０６５１３５号の請求項１～１４に係る特許についての出願は、平成２８年３月１１日（優先権主張平成２７年４月２日）に特許出願され、平成２９年１月６日にその特許権の設定登録がされ、その後、請求項１～１０に係る特許に対し、特許異議申立人西林博により特許異議の申立てがされたものである。 第２　本件発明 特許第６０６５１３５号の請求項１～１０の特許に係る発明は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１～１０に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 第１の面と、前記第１の面と対向する第２の面と、前記第１の面と前記第２の面との間に複数の側面とを有し、前記第２の面と前記複数の側面のうち２つとが接する角部を複数有し、前記第２の面側に一対の電極を有する発光素子と、 複数の前記角部の１つ以上を露出させるよう、少なくとも１つの前記側面の一部と、当該少なくとも１つの側面と前記第２の面とが接する辺の一部とを覆う透光性部材と、 前記一対の電極を露出させるよう、前記発光素子の露出した前記角部と前記透光性部材の外面を覆う被覆部材と、を含み、 前記被覆部材と前記発光素子との熱膨張率差が、前記透光性部材と前記発光素子との熱膨張率差よりも小さい、発光装置。 【請求項２】 第１の面と、前記第１の面と対向する第２の面と、前記第１の面と前記第２の面との間に複数の側面とを有し、前記第２の面と前記複数の側面のうち２つとが接する角部を複数有し、前記第２の面側に一対の電極を有する発光素子と、 複数の前記角部の１つ以上を露出させるよう、少なくとも１つの前記側面の一部と、当該少なくとも１つの側面と前記第２の面とが接する辺の一部とを覆う透光性部材と、 前記一対の電極を露出させるよう、前記発光素子の露出した前記角部と前記透光性部材の外面を覆う被覆部材と、を含み、 前記被覆部材の熱膨張率が、前記透光性部材の熱膨張率よりも低い、発光装置。 【請求項３】 前記透光性部材の前記外面は、前記発光素子の前記第２の面側から前記第１の面側に向かって外向きに傾斜する、請求項１又は２に記載の発光装置。 【請求項４】 前記発光素子が、前記角部を４つ有する略直方体形状であり、 前記４つの角部のうち、対角に位置する２つが前記被覆部材によって覆われている請求項１～３のいずれか１項に記載の発光装置。 【請求項５】 前記発光素子が、前記角部を４つ有する略直方体形状であり、 前記４つの角部のうちの隣接する２つの角部と、当該隣接する２つの角部の間の辺の一部とが前記被覆部材によって覆われている請求項１～３のいずれか１項に記載の発光装置。 【請求項６】 前記４つの角部の全てが前記被覆部材によって覆われている請求項４又は５に記載の発光装置。 【請求項７】 前記発光素子は、透光性基板と半導体積層体とを含み、 前記透光性基板は、前記発光素子の前記第１の面側に配置され、前記半導体積層体は、前記第２の面側に配置されている請求項１～６のいずれか１項に記載の発光装置。 【請求項８】 前記透光性部材は透光性樹脂からなり、前記被覆部材は光反射性樹脂からなることを特徴とする請求項１～７のいずれか１項に記載の発光装置。 【請求項９】 前記透光性部材は、前記発光素子の前記第１の面と面一の第１の面を有し、 前記発光素子の前記第１の面と前記透光性部材の前記第１の面とが、波長変換部材に覆われている請求項１～８のいずれか１項に記載の発光装置。 【請求項１０】 前記発光素子の前記第１の面は、前記透光性部材に覆われている請求項１～９のいずれか１項に記載の発光装置。」 第３　申立理由の概要 特許異議申立人西本博は、証拠として特開２０１２－４３０３号公報（以下「甲第１号証」という。）を提出し、請求項１～３、７、８、１０に係る特許は特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものであるから、請求項１～３、７、８、１０に係る特許を取り消すべきものである旨主張し、また、主たる証拠として甲第１号証または特開２０１０－２１９３２４号公報（以下「甲第２号証」という。）及び従たる証拠として特開２００１－２５０８４３号公報（以下「甲第３号証」という。）、特開平８－１２５２７５号公報（以下「甲第４号証」という。）、特開２００９－１６４２７５号公報（以下「甲第５号証」という。）、特開２０１２－４１４２８号公報（以下「甲第６号証」という。）を提出し、請求項１～１０に係る特許は同法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、請求項１～１０に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。 第４　甲各号証の記載 （１）甲第１号証 ア　甲第１号証には以下の事項が記載されている。なお、下線は、当審で付与したものである。以下同様。 「【００２２】 【図１】実施形態１の発光装置の断面図。 【図２】実施形態１の発光装置の反射材料層１５の傾斜面１３０が（ａ）直線状である場合、（ｂ）外側に凸の曲面である場合、（ｃ）内側に凸の曲面である場合、のそれぞれの断面図。 【図３】（ａ）～（ｅ）実施形態１の発光装置の製造工程を示す説明図。 ・・・（途中省略）・・・ 【００２４】 （実施形態１） 図１に、実施形態１の発光装置の断面図を示す。この発光装置は、発光素子側面に近い位置に、光取り出しのための反射面を備えている。 【００２５】 具体的には、上面に配線が形成されたサブマウント基板１０の上に、フリップチップタイプの発光素子１１が、複数のバンプ１２により接合されることにより実装されている。発光素子１１の上面には、発光素子１１の発する光に対して透明な透明材料層１３が搭載され、その上に板状の波長変換層１４が搭載されている。 【００２６】 発光素子１１の外側には、枠体１６が配置され、発光素子１１と枠体１６との間の空間は反射材料層１５により充填されている。反射材料層１５は、非導電性で反射率の高い材料が用いられる。反射材料層１５は、発光素子１１、透明材料層１３および波長変換層１４の外周側面を覆っている。また、反射材料層１５は、バンプ１２の間を埋めるように、発光素子１１の底面と基板１０の上面との間の空間も充填している。 【００２７】 このように、発光素子１１の底面と基板１０の上面との間の空隙をバンプ１２を取り囲むように反射材料層１５で充填することにより、発光素子１１の下面側に出射される光を、反射材料層１５で反射して上方に向けて出射することができる。よって、発光素子１１の底面と基板１０の上面との間で光が繰り返し反射されて減衰するのを防止できるため、上方への光の取り出し効率を向上させることができる。 【００２８】 波長変換層１４の主平面方向の大きさは、発光素子１１よりも若干大きく、反射材料層１５と透明材料層１３との境界で形成される傾斜面１３０が、発光素子１１および波長変換層１４の側面方向への出射光を反射する反射面となる。反射材料層１５は、波長変換層１４の側面に接しているため、反射材料層１５の開口（発光面）は、波長変換層１４の面積と等しく、発光面積の小さい光源を提供できる。 【００２９】 反射材料層１５と透明材料層１３との境界の傾斜面１３０は、図２（ａ）のように、発光素子１１の底面と波長変換層１４の下面を直線的に結ぶ傾斜面、図２（ｂ）のように外側（枠体１６側）に凸の曲面、図２（ｃ）のように内側（発光素子１１の中心に向かう側）に凸の曲面に形成可能である。本実施形態では、上面への光の出射効率を向上させるために、図２（ａ）のように直線的な傾斜面である場合と、図２（ｂ）の内側に凸の曲面である場合が好ましい。特に好ましいのは、図２（ｂ）の内側に凸の曲面であって、その曲率が５以下の場合である。 【００３０】 また、傾斜面１３０の発光素子１１側の一端は、必ずしも図２（ａ）～（ｃ）のように底面と同じ高さにある必要はなく、少なくとも発光素子１１の側面にあればよい。傾斜面１３０の発光素子１１側の一端は、少なくとも発光素子１１の上面よりも基板１０側にあれば発光素子１１側面からの光を反射する傾斜面１３０となる。また、発光素子１１は、基板１０にフリップチップ実装されることが好ましい。フリップチップ実装の場合、発光面が発光素子の底面に近い位置にあるため、傾斜面１３０による反射を最も利用することができるためである。」 「【００４０】 つぎに、本実施形態の発光装置の製造方法について図３（ａ）～（ｅ）を用いて説明する。まず、図３（ａ）のように、サブマウント基板１０の上面の配線パターンに、フリップチップタイプの発光素子１１の素子電極をバンプ１２を用いて接合し、実装する。図３（ｂ）のように、シリコーン樹脂等の透明材料（未硬化）１３’を発光素子１１の上面に塗布（滴下）し、発光素子１１の上面より若干大きいプレート状の波長変換層１４を搭載する。これにより、図３（ｃ）のように未硬化の透明材料１３’が発光素子の側面の少なくとも一部を覆いつつ表面張力を保つことによって、発光素子１１の側面と波長変換層１４の下面を接続する傾斜面１３０が形成される。 【００４１】 このとき、透明材料１３’の量が少なければ、図２（ｃ）のように発光素子１１側に凸の曲面の傾斜面１３０が形成され、透明材料１３’の量を増やすと図２（ａ）、図３（ｃ）のように直線的な傾斜面１３０が形成され、さらに透明材料１３’の量を増やすと図２（ｂ）のように外側に凸の曲面の傾斜面１３０が形成される。 【００４２】 透明材料１３’を所定硬化処理により硬化させ、透明材料層１３を形成する。なお、この後の工程で透明材料層１３の形状が変わらないのであれば、完全に硬化させず、半硬化となる条件で硬化させても良い。」 「【００４６】 さらに、塗布する透明材料１３’の量を調整することにより、反射材料層１５の傾斜面１３０の形状を変えることができる。」 「【００４８】 つぎに、本実施形態の反射材料層１５の傾斜面１３０の曲率の好ましい範囲について説明する。傾斜面１３０は、発光素子１１側に凸であることが好ましいが、凸形状の曲率の好ましい範囲を求めるため、凸の形状を変化させ、発光素子１１から発せられた光が波長変換層１４に到達する光線数をシミュレーションにより求めた。シミュレーションにおいて、発光素子１１は、上面側に位置する素子基板が屈折率１．８で厚さ９０μｍのサファイア、その下の半導体層が屈折率２．５４で厚さ１０μｍの窒化ガリウム系、素子全体の厚さ０．１ｍｍとした。発光素子１１の吸収は、反射率は、０．７１として置き換えて考慮した。透明材料層１３は、屈折率１．５４で、発光素子１１の直上部の厚さ０．０１ｍｍとした。反射材料層１５の傾斜面１３０の反射率は０．９８とした。」 「【００６９】 ＜実施例１＞ 本発明の実施例として、図１の構造の発光装置を図３（ａ）～（ｅ）の製造方法により製造した。 【００７０】 ｌｍｍ角で厚さ１００μｍのフリップチップタイプの発光素子１１が実装されたサブマウント基板１０を用意し、発光素子１１上面に透明材料１３’としてシリコーン樹脂を２．３×１０－５ｍｌ塗布した。その上面から１．２ｍｍ角のＹＡＧプレートを波長変換層１４としてマウントした。シリコーン樹脂を硬化させるために１５０℃で４時間加熱した。その後、サブマウント基板１０上に枠体１６としてセラミックリングをシリコーン樹脂により接着して、１５０℃で４時間硬化させた。ＴｉＯ２フィラーを分散させたシリコーン樹脂を反射材料としてリング枠体１６内に充填し、１５０℃にて４時間加熱し硬化させ、反射材料層１５を形成した。これにより、図１の形状の発光装置を製造した。」 図２（ａ）は、以下のとおりのものであり、断面図において、傾斜面１３０の発光素子１１側の一端は、発光素子１１の底面と同じ高さにあることが見て取れる。 「【図２】（ａ） 」 図３は、以下のとおりのものである。 「【図３】 」 イ　甲１発明 以上の記載事項から甲第１号証には、以下の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されている。 「発光素子側面に近い位置に、光取り出しのための反射面を備えている発光装置であって、 上面に配線が形成されたサブマウント基板１０の上に、フリップチップタイプの発光素子１１が、複数のバンプ１２により接合されることにより実装されるものであり、 シリコーン樹脂等の透明材料（未硬化）１３’を発光素子１１の上面に塗布（滴下）することにより、透明材料１３’が発光素子の側面の少なくとも一部を覆いつつ表面張力を保つことによって、発光素子１１の側面と波長変換層１４の下面を接続する傾斜面１３０が形成され、透明材料１３’を所定硬化処理により硬化させ、透明材料層１３を形成し、 ＴｉＯ２フィラーを分散させたシリコーン樹脂を反射材料としてリング枠体１６内に充填し、加熱し硬化させ、反射材料層１５を形成し、 反射材料層１５は、発光素子１１、透明材料層１３および波長変換層１４の外周側面を覆っており、 反射材料層１５は、バンプ１２の間を埋めるように、発光素子１１の底面と基板１０の上面との間の空間も充填しており、 反射材料層１５と透明材料層１３との境界で形成される傾斜面１３０が反射面となり、 断面図において、傾斜面１３０の発光素子１１側の一端は、発光素子１１の底面と同じ高さにある、 発光装置。」 （２）甲第２号証 ア　甲第２号証には、以下の事項が記載されている。 「【００１４】 （実施の形態１） 図１，２は、本発明の実施の形態１に係る発光装置１００であり、図１（ａ）の断面は、概略上面の図１（ｂ）のＡ－Ａにおける概略断面図であり、図２はその光源部周辺の概略断面図である。図１に示す例の発光装置１００は、発光面９０を有する面発光型の発光装置である。この発光装置１００は、主として、成長基板１上に半導体素子構造１１を有する発光素子１０と、発光面９０となる表面２１が露出され、該表面２１と対向する受光面２２を有する板状の光透過部材２０と、発光素子１０の出射光を光透過部材２０に導光する導光部材３０と、光反射性材料４５を含有する被覆部材４０と、から構成される。発光素子１０は、その成長基板１の裏面である出射面を光透過部材の受光面２２に対向させて、基板５０の配線層５１上にフリップチップ実装されており、介在する導光部材３０により光透過部材２０と光結合されている。基板５０上には、発光素子１０および光透過部材２０を包囲する枠体５５が設けられており、その内側に被覆部材４０が充填されて、発光素子１０と光透過部材２０の一部は被覆部材４０により被覆されている。このような発光装置１００の発光領域つまり光放出の窓部は、実質的に光透過部材２０の表面２１にほぼ限定され、この表面２１を発光面９０とする面発光型の発光装置となる。また、発光装置１００は、光透過部材２０の表面２１の形状、大きさによって、この表面２１すなわち発光面９０から放出される光の輝度、並びに配光の分布を制御可能となっている。さらに、発光面内の輝度、色度が比較的均一な発光装置となる。ここで、光透過部材、発光素子の平面形状は図示するように矩形状であり、平面で発光素子が光透過部材に内包されている。 【００１５】 図２を用いて、その光源部を詳述すると、導光部材３０は、発光素子１０と光透過部材２０とを互いに対向させて接合する接合領域３１を有し、より詳細には、光透過部材の受光面２２において、発光素子１０の出射面と対向する領域に設けられる。具体例、例えば後述の実施例、において、この接合領域の厚さは、０．０１μｍ～１００μｍ程度である。導光部材３０が接合領域で介在することで、発光素子と光透過部材とが離間され、大気などの気体が介在する場合に比して、発光素子１０の出射面における屈折率差を緩和し、発光素子１０から光を効率良く取り出すことができる。したがって、発光素子１０の出射面からの光は、接合領域３１内に透過されて光透過部材の受光面２２に直接的に光結合する。 【００１６】 本実施の形態では光透過部材の受光面２２は、発光素子１０の出射面より大きく、それを内包して、受光面２２の一部が発光素子１０の出射面より外側に突出している。言い換えれば、光透過部材２０の側面は発光素子１０の側面より外側に位置し、その周縁全体に突出部が設けられている。このような発光装置１００は、発光装置の発光面９０を、素子の出射面より、比較的大きい光放出の窓部として、放出光の光束を高くできる。そして、導光部材３０は、上述の接合領域３１から延在して、光透過部材の突出表面と、発光素子１０の側面の一部に垂下した該側面とを被覆する第１の被覆領域３２を有し、具体的には、この領域は上記接合領域より外側に突出した領域に設けられている。ここで、発光素子１０から出射光は、通常、出射面だけでなく、側面や底面側（実装面側）からも放射されるため、その光の一部は主に発光素子の側面から第１の被覆領域３２に入射され、導光される。つまり、上述の接合領域の場合と同様に、第１の被覆領域３２においても、その発光素子の放射面の屈折率差を緩和し、光取り出し効率を高くできる。ここで、第１の被覆領域３２の被覆部材４０側に面する外表面、すなわち第１の被覆領域３２の発光素子１０の側面と対向する外表面は、発光素子１０の出射光を、光透過部材２０側に反射させる第１の反射面３３を有し、従ってその出射光の反射光は、第１の反射面３３により光透過部材２０の受光面２２側に反射されて導光されて、光透過部材２０に光結合される。このように、発光素子１０から側方への出射光を導光部材３０内に一度取り出してから第１の反射面３３により反射させることで、導光部材から露出され、発光素子１０を光反射性の被覆部材４０により直接被覆する形態に比して、発光素子１０内での吸収による光の損失を低減でき、一旦、導光部材内で光が伝搬して広がることから、光結合効率や発光特性を高めることができる。」 「【００１８】 また、発光装置１００において、第１の被覆領域３２の発光素子１０の側面と対向する面は、該側面から光透過部材の受光面２２側に傾斜した傾斜面であることが好ましい。これにより、発光素子１０から側方に出射される光を光透過部材の受光面２２側に良好に反射させることができ、また断面幅が突出表面に向かって広がる形態のため良好な光結合とできる。さらに、この傾斜面は平面であってもよいが、接合領域３１に向かって凸な凸曲面であることで、平面である場合に比して第１の反射面３３の表面積を増大でき、光の反射効率を高めることができるので好ましい。」 「【００２０】 なお、導光部材３０を構成する樹脂材料は、発光素子１０又は光透過部材２０の突出部から直接又は発光素子１０の側面を伝って滴り、実装基板５０上に達することがある。図３は、そのような導光部材３６に垂下部が設けられる形態を説明するための概略断面図である。本発明と比較されるこの形態は、図３に示すように、導光部材３６の接着樹脂が発光素子１０の側面を伝って実装基板５０上にまで連続的に垂れると、その垂下部で光経路が形成される。このため、発光素子１０から側方又は下方に出射された光が、この垂下部により実装基板５０側に導光されて、実装基板５０の表面や配線５１に到達して、吸収による光損失を生じる。また、垂下部の形成によって、発光素子１０と基板５０との間の領域へのアンダーフィル７０等の形成、被覆部材４０の浸入が遮断される場合があり、その空洞化で光の漏れる場合に光損失が起きる。特に、樹脂材料の塗布量が多過ぎると光透過部材２０の突出部から基板５０上に導光部材３６が直接垂下したり、上記接合領域から分離して発光素子１０と基板５０と架橋したり、しても上記同様に光経路が形成され、光損失を招く虞がある。また、後述の実施の形態３では、本実施の形態のように光透過部材が突出する場合に比して、形成され難い構造であるものの同様に側面を被覆して実装基板に到達する垂下部が設けられ得る。そのため、樹脂材料の塗布量が過剰とならないように適宜調節し、また後述のように突出表面の面積、突出部の位置で調節する。 【００２１】 したがって、第１の被覆領域３２の外表面は、発光素子１０の底面、実装面より前記光透過部材２０側に位置していることが好ましく、第１の被覆領域３２が被覆する範囲は、発光素子１０の側面の途中までであることが好ましい。つまり、図１，２に示すように、発光素子１０の側面において、導光部材に対して、出射面（上方）側に被覆された領域（第１の被覆領域３２）と、底面、実装面（下方）側に露出された領域と、が設けられていることが望ましい。さらには、この露出領域は、被覆部材４０で被覆されていることが好ましい。より具体的には、発光素子１０が素子構造である半導体層１１と該半導体層より出射面側の基板１とを有する場合、導光部材３０が該基板の側面まで延在して被覆し、該半導体層１１の側面を露出させていることが好ましい。これにより、発光層を含む半導体層１１側の光反射性を高める一方、基板側の光透過性を高めることができる。また、第１の被覆領域３２は、接合領域３１から発光素子１０の側面に一様に延在して形成されてもよいが、離散的、部分的に接合領域３１から発光素子１０の側面に垂下して形成されてもよい。」 「【００２７】 （窒化物半導体発光素子） 発光素子１０の一例として、図４の窒化物半導体の発光素子１０では、成長基板１であるＣ面サファイア基板の上に、第１の窒化物半導体層２であるｎ型半導体層、活性層３である発光層、第２の窒化物半導体層４であるｐ型半導体層が順にエピタキシャル成長されている。そして、ｎ型層２の一部が露出されて第１の電極７であるｎ型パッド電極を形成し、ｐ型層４のほぼ全面にＩＴＯ等の透光性導電層５、第２の電極６であるｐ型パッド電極が形成されている。さらに、保護膜８をｎ型、ｐ型パッド電極６，７の表面を露出し、半導体層を被覆して設けられる。なお、ｎ型パッド電極７は、ｐ型同様に透光性導電層を介して形成してもよい。成長基板１は、Ｃ面サファイアの他、Ｒ面、及びＡ面、スピネル（ＭｇＡｌ2Ｏ4）のような絶縁性基板、また炭化珪素（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃ）、Ｓｉ、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、ＧａＮやＡｌＮ等の半導体の導電性基板がある。窒化物半導体の例としては、一般式がＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）の他、ＢやＰ、Ａｓを混晶してもよい。また、ｎ型、ｐ型半導体層２，４は、単層、多層を特に限定されず、活性層３は単一（ＳＱＷ）又は多重量子井戸構造（ＭＱＷ）が好ましい。青色発光の素子構造１１の例としては、サファイア基板上に、バッファ層などの窒化物半導体の下地層、例えば低温成長薄膜ＧａＮとＧａＮ層、を介して、ｎ型半導体層として、例えばＳｉドープＧａＮのｎ型コンタクト層とＧａＮ／ＩｎＧａＮのｎ型多層膜層が積層され、続いてＩｎＧａＮ／ＧａＮのＭＱＷの活性層、更にｐ型半導体層として、例えばＭｇドープのＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮのｐ型多層膜層とＭｇドープＧａＮのｐ型コンタクト層が積層された構造がある。」 「【００３８】 （導光部材） 導光部材３０は、発光素子１０と光透過部材２０との間に介在して双方の部材を固着する接着剤に用いられる。この導光部材は、透光性を有して、発光素子１０の出射光を光透過部材側へ導光でき、双方の部材を光学的に結合できる材質が好ましい。その材料としては上記各部材に用いられる樹脂材料が挙げられ、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂など透光性の熱硬化性樹脂がよく、シリコーン樹脂は耐熱性、耐光性に優れるため好ましい。また、シリコーン樹脂を使用すれば、上記フッ素系離型剤の効果が高いため好ましい。さらに、ジメチル系シリコーン樹脂であれば高温耐性など信頼性において優れ、フェニル系シリコーン樹脂であれば屈折率を高くして発光素子１０からの光の取り出し効率を高めることができる。」 「【００４１】 （発光装置の製造方法） 図１に示される例の発光装置１００の製造方法の一例として以下に説明する。まず、実装基板５０上または発光素子１０にバンプ６０を形成しフリップチップ実装する。この例では個片化前の基板５０上で、１つの発光装置に対応する領域に１個のＬＥＤチップを並べて実装する。次に、発光素子１０の出射面側（サファイア基板裏面あるいはＬＬＯで基板除去した場合であれば窒化物半導体露出面）に、導光部材３０を塗布して、光透過部材２０を積層し、その樹脂３０を熱硬化して接合する。次に、発光素子１０の周囲に立設された枠体５５内に、光透過部材２０の側面を被覆するように、ディスペンサ（液体定量吐出装置）等により、被覆部材４０を構成する樹脂をポッティングする。滴下された樹脂４０は、表面張力によって発光素子１０、光透過部材２０の側面を這い上がり被覆し、表面２１より枠体５５に向かって低くなる傾斜表面が形成される。また、樹脂４０の表出面を表面２１と略同一面となるよう平坦化してもよい。そして、樹脂４０を硬化させた後、所定の位置でダイシングを行い、所望の大きさに切り出して発光装置１００を得る。」 「【００６９】 （実施例１） 実施例１の発光装置の光源部は、図５に示すように、ＡｌＮのセラミックス基板５０の配線５１上に、発光素子１０として約１ｍｍ×１ｍｍの略正方形のＬＥＤチップ（サファイア基板１０上に窒化物半導体１１が積層された構造で発光波長４５５ｎｍ）２個をフリップチップ実装し、その上に板状の光変換部材である光透過部材２０としてＹＡＧとアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）との焼結体、この表面２１及び受光面２２の外形は約１．１ｍｍ×２．２ｍｍの略矩形状であり、厚みは約１５０μｍ、を１枚載置し、導光部材３０により互いに接合する。このとき、導光部材３０となるシリコーン樹脂は、各ＬＥＤの出射面（基板１の裏面）上に適量をピンセットで塗布し、その上に光透過部材２０をピンセットで載置し、発光素子１０の側面の一部に垂下させ、１５０℃のオーブン内で６０分間樹脂を熱硬化し、図示するように２つのＬＥＤが光透過部材の受光面に内包されるように接着する。このようにして、導光部材３０に、ＬＥＤと光透過部材間の接合領域３１と、ＬＥＤの光源の外側の側面を被覆する第１の被覆領域３２と、ＬＥＤ間の内側の側面を被覆する第２の被覆領域３４が形成され、この時、ＬＥＤ側面は、基板と、半導体層１１の一部又は略全部に導光部材が形成される。そして、図１に示すように、基板５０の配線５１上にＬＥＤを実装し、発光素子１０及び光透過部材２０を包囲する枠体の内側の凹所に被覆部材４０を充填し、光透過部材２０の表面２１が発光面として露出される状態、発光素子１０および光透過部材２０が被覆部材４０により被包し、図８に示すように枠体を除去して発光装置を得る。ここで、被覆部材４０は、粒径約２７０ｎｍのＴｉＯ2の微粒子である光反射性材料４５を約２３重量パーセント濃度で含有するシリコーン樹脂である。この実施例１の発光装置は、電流３５０ｍＡで駆動させると、光束約１６７［ｌｍ］（色度ｙ値約０．３３９）、最大輝度６０８６[ｃｄ／ｃｍ2]、平均輝度３５２４[ｃｄ／ｃｍ2]で発光する、高光束かつ高輝度のものが得られる。」 図１は、以下のとおりのものである。 「【図１】 」 図２は、以下のとおりのものである。 「【図２】 」 イ　甲２発明 上記図２の記載から、導光部材３０の第１の被覆領域３２及び発光素子１０の側面において、導光部材に対して、底面、実装面（下方）側に露出された領域は、被覆部材４０で被覆されており、発光素子１０のバンプ６０と実装基板５０の配線５１とが接続され、被覆部材４０はバンプ６０どうしの間に介在していることが見て取れる。してみると、以上の記載事項から甲第２号証には、以下の発明（以下「甲２発明」という。）が記載されている。 「発光装置１００は、成長基板１上に半導体素子構造１１を有する発光素子１０と、発光面９０となる表面２１が露出され、該表面２１と対向する受光面２２を有する板状の光透過部材２０と、発光素子１０の出射光を光透過部材２０に導光する導光部材３０と、光反射性材料４５を含有する被覆部材４０と、から構成され、 導光部材３０は、光透過部材の突出表面と、発光素子１０の側面の一部に垂下した該側面とを被覆する第１の被覆領域３２を有し、 第１の被覆領域３２の発光素子１０の側面と対向する面は、該側面から光透過部材の受光面２２側に傾斜した傾斜面であり、 第１の被覆領域３２が被覆する範囲は、発光素子１０の側面の途中までであり、つまり、発光素子１０の側面において、導光部材に対して、出射面（上方）側に被覆された領域（第１の被覆領域３２）と、底面、実装面（下方）側に露出された領域と、が設けられ、この露出領域及び導光部材３０の第１の被覆領域３２は、被覆部材４０で被覆されており、 発光素子１０は、第１の電極７であるｎ型パッド電極、第２の電極６であるｐ型パッド電極、及びバンプ６０が形成され、フリップチップ実装されるものであり、 発光素子１０のバンプ６０と実装基板５０の配線５１とが接続され、被覆部材４０はバンプ６０どうしの間に介在し、 導光部材３０はシリコーン樹脂であり、 被覆部材４０は、ＴｉＯ2の微粒子である光反射性材料４５を含有するシリコーン樹脂である、 発光装置１００。」 （３）甲第３号証 ア　甲第３号証には、以下の事項が記載されている。 「【０００４】図１０は、従来のベアチップを回路基板上に実装させた例を示す図である。ベアチップ２の回路形成面（ここでは図の下側の面）に、アルミ電極２ａが所定のパターンで形成してあり、このアルミ電極２ａが、この電極２ａの所定箇所に取付けられた突起電極（バンプ）３を介して、回路基板４の回路パターン４ａと接続させてある。突起電極３は、例えば金などの導電性の良い部材が使用される。図１０では接合時の圧力により突起電極３が変形した状態で示してある。 【０００５】このようにして回路基板４にベアチップ２を取付ける際には、熱硬化樹脂５を使用して、基板上に固定させるようにしてある。即ち、ベアチップの実装作業時には、例えば基板４のベアチップ取付け部に熱硬化樹脂５を塗布した後、図１１に示すように、その熱硬化樹脂５を塗布した箇所にベアチップ２を配置する。そして、上からボンディングヘッド６で圧力を加えなから加熱し、熱硬化樹脂５を硬化させることで、回路基板４上に固定される。図１２は、その回路基板４上にベアチップ２が実装された状態を、斜め上から見た図であり、図１３はベアチップ２の真上から見た図である。」 「【図１０】 」 「【図１２】 」 「【図１３】 」 イ　段落０００４、０００５、図１０、１２、１３の記載から、甲第３号証には、以下の技術事項が記載されている。 「直方体状のベアチップを熱硬化樹脂で固定する際、ベアチップの側面と、上側の面とが接する辺の一部は熱硬化樹脂で覆われ、ベアチップの上側の角部は熱硬化樹脂から露出した状態となること。」 （３）甲第４号証 ア　甲第４号証には、以下の事項が記載されている。 「【００２０】 【表１】 」 イ　以上の記載事項から甲第４号証には以下の技術事項が記載されている。 表１の記載から、基板や半導体材料の線熱膨張係数は、およそ１０－６Ｋ－１のオーダーであることが読み取れる。 （３）甲第５号証 ア　甲第５号証には、以下の事項が記載されている。 「【００７０】 試験１と同様にして、フィラーであるアルミナＡ－４２－６（昭和電工株式会社製；製品名）を８０質量部に、ビニルメトキシシランであるシランカップリング剤ＳＺ６３００（東レ・ダウコーニング株式会社製；商品名）を、乾式法によりシランカップリング処理し、シランカップリング剤で処理したアルミナのフィラー（添加配合数０、１５０、３００ｐｈｒ：ｐｈｒはパーツハンドレッドラバー：parts　hundred　rubber）を夫々調製した。それを、バインダーであるシリコーン樹脂ＫＪＲ６３２（信越化学工業株式会社製；商品名）に充填し、コンプレッション成形により、成形して、シリコーン樹脂基材（試験基材No.4-1～4-3）を得た。この基材について、ＪＩＳ　Ｋ７１９７のプラスチックの熱機械分析による線膨率試験方法を行い、線膨張係数の物性を測定した。その結果を表２、及び図４に示す。 【００７１】 【表２】 」 イ　段落００７０及び表２の記載から、甲第５号証には以下の技術事項が記載されている。 「試験基材Ｎｏ．４－１であるシリコーン樹脂（フィラーなし）の線膨張係数（×１０－５／℃）が１９．００である。」 （３）甲第６号証 ア　甲第６号証には、以下の事項が記載されている。 「【００４０】 （Ｃ）顔料 （Ｃ）顔料は硬化物の着色や強度の向上及び線膨張係数を低減させるために添加する。本発明のシリコーン樹脂組成物をリフレクター用途として使用する場合には、反射を目的とするため、白色顔料（白色着色剤）が好ましい。該白色顔料としては、二酸化チタン、アルミナ、酸化ジルコン、硫化亜鉛、酸化亜鉛、酸化マグネシウム等を単独で又は二酸化チタンと併用して使用することもできる。これらのうち、二酸化チタン、酸化マグネシウウム、硫酸バリウム及びアルミナが好ましく、特に二酸化チタンが好ましい。二酸化チタンの結晶形はルチル型、アナタース型、ブルカイト型のどれでも構わないが、ルチル型が好ましく使用される。」 イ　段落００４０には、顔料は線膨張係数を低減させるために添加するものであり、シリコーン樹脂組成物をリフレクター用途として使用する場合には、反射を目的とするため、白色顔料を使用することが記載されてることから、甲第６号証には以下の技術事項が記載されている。 「白色顔料を添加したシリコーン樹脂組成物は、添加しない場合よりも線膨張係数が低減する。」 第５　判断 １　請求項１に係る発明について （１）甲１発明との対比、判断 ア　対比 甲１発明の「発光素子１１」の「底面」は、請求項１に係る発明の「発光素子」の「第２の面」に相当する。また、甲１発明の「発光素子１１」の「底面」と対向する面は、請求項１に係る発明の「第１の面と対向する第２の面」の「第１の面」に相当する。 甲１発明の「発光素子１１」は、「フリップチップタイプ」であり、「複数のバンプ１２により接合されることにより実装されるもの」であるから、請求項１に係る発明の「第２の面側に一対の電極を有する」構成を備えている。 そして、甲１発明の「発光素子１１」が、請求項１に係る発明の「第２の面と複数の側面のうち２つとが接する角部を複数有」する構成を備えていることは、甲第１号証の図面の記載から明らかである。 甲１発明の「透明材料１３’が発光素子の側面の少なくとも一部を覆いつつ表面張力を保つことによって、発光素子１１の側面と波長変換層１４の下面を接続する傾斜面１３０が形成され、透明材料１３’を所定硬化処理により硬化させ、透明材料層１３を形成し、」「反射材料層１５と透明材料層１３との境界で形成される傾斜面１３０が反射面となり、断面図において、傾斜面１３０の発光素子１１側の一端は、発光素子１１の底面と同じ高さにあ」るから、甲１発明の「透明材料層１３」と、請求項１に係る発明の「複数の前記角部の１つ以上を露出させるよう、少なくとも１つの前記側面の一部と、当該少なくとも１つの側面と第２の面とが接する辺の一部とを覆う透光性部材」は、共に「少なくとも１つの側面の一部と、当該少なくとも１つの側面と前記第２の面とが接する辺の一部とを覆う透光性部材」である点で共通する。 甲１発明の「反射材料層１５は、発光素子１１、透明材料層１３および波長変換層１４の外周側面を覆っており、」「バンプ１２の間を埋めるように、発光素子１１の底面と基板１０の上面との間の空間も充填して」いるから、甲１発明の「反射材料層１５」と、請求項１に係る発明の「一対の電極を露出させるよう、発光素子の露出した角部と透光性部材の外面を覆う被覆部材」は、共に「一対の電極を露出させるよう、透光性部材の外面を覆う被覆部材」である点で共通する。 シリコーン樹脂（フィラーなし）の線膨張係数（×１０－５／℃）は１９．００であり（甲第５号証等参照。）、「白色顔料を添加したシリコーン樹脂組成物は、添加しない場合よりも線膨張係数が低減する」（甲第６号証等参照。）ものであり、発光素子を形成する基板や半導体材料の線膨張係数は、およそ１０－６Ｋ－１のオーダーである（甲第４号証等参照。）ことに鑑みるに、甲１発明の「シリコーン樹脂」の「透明材料１３’を所定硬化処理により硬化させ、透明材料層１３を形成し」た「透明材料層１３」は、「シリコーン樹脂（フィラーなし）」から形成されたものであり、「ＴｉＯ２フィラーを分散させたシリコーン樹脂を反射材料として」「加熱し硬化させ、反射材料層１５を形成し」た「反射材料層１５」は、「白色顔料を添加したシリコーン樹脂組成物」であるから、甲１発明の「透明材料層１３」と「反射材料層１５」及び「発光素子１１」の線膨張係数は、この順で減小するものである。 してみると、「反射材料層１５」と「発光素子１１」の線膨張率差は、「透明材料層１３」と「発光素子１１」の線膨張率差よりも小さいものである。 ここで、「熱膨張率」は、１度の温度変化の際の体積や長さの寸法変化を表すパラメータであり、「長さ」の場合には、「線膨張係数」というものであるから、甲１発明における「反射材料層１５」と「発光素子１１」の線膨張率差と、「透明材料層１３」と「発光素子１１」の線膨張率差の関係は、請求項１に係る発明の「前記被覆部材と前記発光素子との熱膨張率差が、前記透光性部材と前記発光素子との熱膨張率差よりも小さい」という関係を有しているといえる。 したがって、請求項１に係る発明と甲１発明とは、 「第１の面と、前記第１の面と対向する第２の面と、前記第１の面と前記第２の面との間に複数の側面とを有し、前記第２の面と前記複数の側面のうち２つとが接する角部を複数有し、前記第２の面側に一対の電極を有する発光素子と、 少なくとも１つの前記側面の一部と、当該少なくとも１つの側面と前記第２の面とが接する辺の一部とを覆う透光性部材と、 前記一対の電極を露出させるよう、前記透光性部材の外面を覆う被覆部材と、を含み、 前記被覆部材と前記発光素子との熱膨張率差が、前記透光性部材と前記発光素子との熱膨張率差よりも小さい、発光装置。」である点で一致する。 一方、請求項１に係る発明は、「透光性部材」が、「複数の前記角部の１つ以上を露出させるよう」、「少なくとも１つの側面と前記第２の面とが接する辺の一部とを覆」い、「被覆部材」が、その「露出した前記角部」を覆うという被覆関係になっているのに対し、甲１発明は、透明材料層１３と反射材料層１５がそのような被覆関係になっているのか不明である点で相違する（以下「相違点１」という。）。 イ　判断 上記相違点１について検討する。 甲１発明の発光装置において、「側面よりも発光素子の中央から遠い位置にある角部には、透明材料１３’が側面に比べ到達しにくいという現象」（異議申立書第３１頁第９行ないし第２５行参照。）が、その製造過程では生じうるとしても、甲１発明は製造された後の「物」の発明であり、甲１発明の発光装置において、「断面図において、傾斜面１３０の発光素子１１側の一端は、発光素子１１の底面と同じ高さにあり」、透明材料層１３が発光素子１１の底面の高さに達しているものであるから、透明材料層１３は、発光素子１１の側面と底面の接する辺だけでなく角部の全てを被覆していると解するのが自然である。 したがって、請求項１に係る発明は、甲１発明であるとはいえない。 また、甲第１号証の他の記載及び甲第２号証ないし甲第６号証の記載を見ても、請求項１に係る発明の「透光性部材」が、「複数の前記角部の１つ以上を露出させ」、「少なくとも１つの側面と前記第２の面とが接する辺の一部とを覆」い、「被覆部材」が、その「露出した前記角部」を覆うという被覆関係についての記載や示唆はない。 そして、請求項１に係る発明は、相違点１に係る構成を有することにより、「透光性部材が発光素子から剥離するのを抑制でき、発光装置の信頼性を向上することができる。」（本件明細書段落【０００６】参照。）という効果を奏するものである。 したがって、請求項１に係る発明は、甲１発明及び甲第１号証ないし甲第６号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。 （２）甲２発明との対比、判断 ア　対比 甲２発明の「発光素子１０」の「底面」は、請求項１に係る発明の「発光素子」の「第２の面」に相当する。また、甲２発明の「発光素子１０」の「底面」と対向する面は、請求項１に係る発明の「前記第１の面と対向する第２の面」の「第１の面」に相当する。 甲２発明の「発光素子１０は、第１の電極７であるｎ型パッド電極、第２の電極６であるｐ型パッド電極、及びバンプ６０が形成され、フリップチップ実装されるものであ」るから、請求項１に係る発明の「前記第２の面側に一対の電極を有する」構成を備えている。 そして、甲２発明の「発光素子１０」が、請求項１に係る発明の「前記第２の面と前記複数の側面のうち２つとが接する角部を複数有」する構成を備えていることは、甲第２号証の図面の記載から明らかである。 甲２発明において、「導光部材３０は、光透過部材の突出表面と、発光素子１０の側面の一部に垂下した該側面とを被覆する第１の被覆領域３２を有し、第１の被覆領域３２の発光素子１０の側面と対向する面は、該側面から光透過部材の受光面２２側に傾斜した傾斜面であり、第１の被覆領域３２が被覆する範囲は、発光素子１０の側面の途中までであり、発光素子１０の側面において、導光部材に対して、出射面（上方）側に被覆された領域（第１の被覆領域３２）と、底面、実装面（下方）側に露出された領域と、が設けられ」るから、甲２発明の「導光部材３０」と、請求項１に係る発明の「複数の前記角部の１つ以上を露出させるよう、少なくとも１つの前記側面の一部と、当該少なくとも１つの側面と前記第２の面とが接する辺の一部とを覆う透光性部材」は、共に「複数の角部の１つ以上を露出させるよう、少なくとも１つの側面の一部を覆う透光性部材」である点で共通する。 甲２発明において、「導光部材３０の第１の被覆領域３２は、被覆部材４０によって被覆されており、発光素子１０の側面において、導光部材に対して底面、実装面（下方）側に露出された領域は、被覆部材４０によって被覆されており、発光素子１０のバンプ６０と実装基板５０の配線５１とが接続され、被覆部材４０はバンプ６０どうしの間に介在し」ているから、甲２発明の「被覆部材４０」は、請求項１に係る発明の「一対の電極を露出させるよう、発光素子の露出した角部と透光性部材の外面を覆う被覆部材」に相当する。 シリコーン樹脂（フィラーなし）の線膨張係数（×１０－５／℃）は１９．００であり（甲第５号証等参照。）、「白色顔料を添加したシリコーン樹脂組成物は、添加しない場合よりも線膨張係数が低減する」（甲第６号証等参照。）ものであり、発光素子を形成する基板や半導体材料の線膨張係数は、およそ１０－６Ｋ－１のオーダーである（甲第４号証等参照。）ことに鑑みるに、甲２発明の「導光部材３０はシリコーン樹脂であり、被覆部材４０は、ＴｉＯ2の微粒子である光反射性材料４５を含有するシリコーン樹脂である」ことは、「シリコーン樹脂（フィラーなし）」の「導光部材３０」と、「白色顔料を添加したシリコーン樹脂組成物」の「被覆部材４０」であるから、甲２発明の「導光部材３０」と「被覆部材４０」及び「発光素子１０」の線膨張係数は、この順で減小するものである。 ここで、「熱膨張率」は、１度の温度変化の際の体積や長さの寸法変化を表すパラメータであり、「長さ」の場合には、「線膨張係数」というものであるから、甲２発明における「被覆部材４０」と「発光素子１０」の線膨張率差と、「導光部材３０」と「発光素子１０」の線膨張率差の関係は、請求項１に係る発明の「前記被覆部材と前記発光素子との熱膨張率差が、前記透光性部材と前記発光素子との熱膨張率差よりも小さい」という関係を有しているといえる。 したがって、請求項１に係る発明と甲２発明とは、 「第１の面と、前記第１の面と対向する第２の面と、前記第１の面と前記第２の面との間に複数の側面とを有し、前記第２の面と前記複数の側面のうち２つとが接する角部を複数有し、前記第２の面側に一対の電極を有する発光素子と、 複数の前記角部の１つ以上を露出させるよう、少なくとも１つの前記側面の一部を覆う透光性部材と、 前記一対の電極を露出させるよう、前記発光素子の露出した前記角部と前記透光性部材の外面を覆う被覆部材と、を含み、 前記被覆部材と前記発光素子との熱膨張率差が、前記透光性部材と前記発光素子との熱膨張率差よりも小さい、発光装置。 」である点で一致する。 そして、請求項１に係る発明は、「透光性部材」が、「少なくとも１つの側面と前記第２の面とが接する辺の一部とを覆」っているのに対し、甲２発明は、「発光素子１０の側面において、導光部材に対して底面、実装面（下方）側に露出された領域」は、「被覆部材４０で被覆されて」いる点で相違する（以下、「相違点２」という。）。 イ　判断 上記相違点２について検討する。 甲２発明では、「発光素子１０の側面において、導光部材に対して底面、実装面（下方）側に露出された領域」は、「被覆部材４０で被覆されて」おり、発光素子１０の側面と底面の接する辺及び角部の全てが被覆部材４０で被覆されているものである。 また、甲第２号証には、段落【００２１】に「また、第１の被覆領域３２は、接合領域３１から発光素子１０の側面に一様に延在して形成されてもよいが、離散的、部分的に接合領域３１から発光素子１０の側面に垂下して形成されてもよい。」との記載があるが、甲２発明において、発光素子１０の側面と底面の接する辺及び角部を区別し、発光素子１０の側面と底面の接する辺は、導光部材によって被覆し、発光素子１０の側面と底面の接する角部を被覆部材４０によって被覆することまで、示唆するものではない。 そして、甲第２号証の他の記載及び甲第１号証、甲第３号証ないし甲第６号証の記載を見ても、請求項１に係る発明の相違点２に係る構成とする記載や示唆はない。 さらに、請求項１に係る発明は、相違点２に係る構成を有することにより、「透光性部材が発光素子から剥離するのを抑制でき、発光装置の信頼性を向上することができる。」（本件明細書段落【０００６】参照。）という効果を奏するものである。 したがって、請求項１に係る発明は、甲２発明及び甲第１号証ないし甲第６号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。 ２　請求項２に係る発明について （１）甲１発明との対比、判断 ア　対比 上記１（１）「ア　対比」での相当関係を踏まえると、請求項２に係る発明と甲１発明は、 「第１の面と、前記第１の面と対向する第２の面と、前記第１の面と前記第２の面との間に複数の側面とを有し、前記第２の面と前記複数の側面のうち２つとが接する角部を複数有し、前記第２の面側に一対の電極を有する発光素子と、 少なくとも１つの前記側面の一部と、当該少なくとも１つの側面と前記第２の面とが接する辺の一部とを覆う透光性部材と、 前記一対の電極を露出させるよう、前記透光性部材の外面を覆う被覆部材と、を含み、 前記被覆部材の熱膨張率が、前記透光性部材の熱膨張率よりも低い、発光装置。」である点で一致し、上記相違点１と同じ相違点を有する。 イ　判断 相違点１に対する判断は、上記１（１）「イ　判断」で説示したとおりである。 したがって、請求項２に係る発明は、甲１発明であるとはいえない。 また、請求項２に係る発明は、甲１発明及び甲第１号証ないし甲第６号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。 （２）甲２発明との対比、判断 ア　対比 上記１（２）「ア　対比」での相当関係を踏まえると、請求項２に係る発明と甲２発明は、 「第１の面と、前記第１の面と対向する第２の面と、前記第１の面と前記第２の面との間に複数の側面とを有し、前記第２の面と前記複数の側面のうち２つとが接する角部を複数有し、前記第２の面側に一対の電極を有する発光素子と、 複数の前記角部の１つ以上を露出させるよう、少なくとも１つの前記側面の一部を覆う透光性部材と、 前記一対の電極を露出させるよう、前記発光素子の露出した前記角部と前記透光性部材の外面を覆う被覆部材と、を含み、 前記被覆部材の熱膨張率が、前記透光性部材の熱膨張率よりも低い、発光装置。」である点で一致し、上記相違点２と同じ相違点を有する。 イ　判断 相違点２に対する判断は、上記１（２）「イ　判断」で説示したとおりである。 したがって、請求項２に係る発明は、甲２発明及び甲第１号証ないし甲第６号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。 ３　請求項３～１０に係る発明について 請求項３、７、８、１０に係る発明は、請求項１又は２に係る発明を更に減縮したものであるから、上記請求項１又は２に係る発明についての判断と同様の理由により、甲１発明であるとはいえない。 請求項３～１０に係る発明は、請求項１又は２に係る発明を更に減縮したものであるから、上記請求項１又は２に係る発明についての判断と同様の理由により、甲１発明又は甲２発明並びに甲第１号証～甲第６号証に記載された技術事項から当業者が容易になし得るものではない。 （４）小括 以上のとおり、請求項１～３、７、８、１０に係る発明は、甲１発明であるとはいえないから、請求項１～３、７、８、１０に係る特許は特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものであるとはいえない。 また、請求項１～１０に係る発明は、甲１発明又は甲２発明並びに甲第１号証～甲第６号証に記載された技術事項から当業者が容易に発明をすることができたものではないから、請求項１～１０に係る特許は同法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるとはいえない。 第６　むすび したがって、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１～１０に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に請求項１～１０に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。