2017-003314

特願２０１２－　８２４８１「三次元集積回路積層体」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１１月　８日出願公開、特開２０１２－２１６８３８〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 １．手続の経緯 本願は、平成２４年３月３０日（優先権主張　平成２３年３月３１日）の出願であって、平成２７年６月１日付け拒絶理由通知に対する応答時、同年７月２３日付けで手続補正がなされ、平成２８年２月１５日付け拒絶理由通知に対する応答時、同年６月１７日付けで意見書が提出されたが、同年１１月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２９年３月６日付けで拒絶査定不服審判の請求及び手続補正がなされたものである。 ２．本願発明 本願の請求項１ないし９に係る発明は、平成２９年３月６日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。 「【請求項１】 半導体デバイス層が形成された半導体基板を少なくとも２層以上積層した半導体基板積層体を有し、該半導体基板間に、樹脂（Ａ）及び平均粒径０．１μｍ以上５μｍ以下、且つ、最大粒径１０μｍ以下であり、熱伝導率が２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の無機フィラー（Ｂ）を含有する熱伝導率が０．８Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の第１の層間充填材層を有し、かつ該第１の層間充填材層の中に電気信号接続用のはんだ接続端子を含み、 前記半導体基板積層体がさらに有機基板上に搭載されており、前記半導体基板積層体と前記有機基板との間に、樹脂（ａ）及び無機フィラー（ｂ）を含有する第２の層間充填材層を有することを特徴とする三次元集積回路積層体。」 なお、上記平成２９年３月６日付け手続補正による補正は、実質的に補正前の請求項７を独立形式として補正後の請求項１とし、補正前の請求項１を削除したものであるとみることができ、特許法第１７の２第５項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。 ３．引用例 （１）引用例１ 原査定の拒絶の理由に引用された特開２０１０－１０３６８号公報（以下、「引用例１」という。）には、「半導体装置」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した）。 ア．「【請求項１】 基板と、前記基板の少なくとも一方の面側に設けられた第１半導体素子と、厚さ方向に貫通する導体部を有する第２半導体素子と、を有する半導体装置であって、 前記第１半導体素子と前記第２半導体素子とが、突起電極を介して電気的に接続されており、 前記第１半導体素子と、前記第２半導体素子との間には、架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物の硬化物で構成される第１接着層が配置されてなることを特徴とする半導体装置。 【請求項２】 前記基板と前記第１半導体素子とが、突起電極を介して電気的に接続されており、かつ前記基板と前記第１半導体素子との間には、架橋反応可能な樹脂と、フラックス活性を有する化合物とを含む樹脂組成物の硬化物で構成される第２接着層が配置されているものである請求項１に記載の半導体装置。」 イ．「【００１１】 まず、半導体装置について、図１に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。 図１は、本発明の半導体装置の一例を示す断面図である。 図１に示すように、半導体装置１００は、基板１０と、基板１０の上側（図１中の上側）に搭載されている第１半導体素子１と、第１半導体素子の上側（図１中の上側）に搭載されている第２半導体素子２と、を有している。 基板１０の上側の面には、図示しない回路パターンが形成されており、電極パッドが配置されている。 第１半導体素子１と基板１０とは、半田バンプ１１を介して電気的に接続されている。第１半導体素子１と、基板１０との間には、半田バンプ１１の周囲を保護するように架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物の硬化物で構成される第２接着層１２が配置されている。 ・・・・・（中　略）・・・・・ 【００１３】 また、第１半導体素子１と第２半導体素子２とも、半田バンプ２１を介して電気的に接続されている。第１半導体素子１と第２半導体素子２との間には、半田バンプ２１の周囲を保護するように架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物の硬化物で構成される第１接着層２２が配置されている。」 ウ．「【００１５】 以下、各構成について説明する。 基板１０としては、例えばセラミック基板または有機基板等を用いることができる。セラミック基板としては、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板等を用いることができる。有機基板としては、ポリイミドフィルムを基板として用いたポリイミドフィルム基板、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させたＦＲ－４基板、ビスマレイミド－トリアジン樹脂を含浸させたＢＴ基板等を用いることができる。」 エ．「【００１９】 また、半田バンプ１１の周囲を保護する第２接着層１２としては、いわゆるアンダーフィル材を用いることもできる。例えば、エポキシ系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、マレイミド系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂等を１種または複数種混合したものに、硬化剤や無機充填材、各種カップリング剤などを添加して液状のアンダーフィル材を得ることができる。 このアンダーフィル材を半導体素子の一辺または複数面に塗布し、毛細管現象を利用して樹脂組成物を回路基板と半導体素子の間隙に流れ込ませ硬化し、樹脂硬化物を形成し電極を保護する。 【００２０】 なお、第２接着層１２として、いわゆるアンダーフィル材を用いた場合について説明したが、これに限定されず、後述するような架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物の硬化物で構成されるようなものを用いても良い。」 オ．「【００２３】 また、半田バンプ２１の周囲を保護する架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物の硬化物で構成される第１接着層２２の樹脂組成物としては、例えば下記のものが挙げられる。 前記架橋反応可能な樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂等のいわゆる熱硬化性樹脂に分類されるものに加え、カルボキシル基、エポキシ基等の官能基を有する熱可塑性樹脂等も本発明の架橋反応可能な樹脂として挙げることができる。これらの中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れるエポキシ樹脂が好適に用いられる。」 ・・・・・（中　略）・・・・・ 【００５９】 また、耐熱性や、寸法安定性、耐湿性等の特性が特に要求される場合には、さらに無機充填剤を含有することが好ましい。このような無機充填剤としては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、溶融シリカ（溶融球状シリカ、溶融破砕シリカ）、結晶シリカ等の粉末等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素等の窒化物等を挙げることができる。これらの無機充填剤は単独でも混合して使用しても良い。これらの中でも溶融シリカ、結晶シリカ等のシリカ粉末が好ましく、特に球状溶融シリカが好ましい。 【００６０】 無機充填剤を樹脂組成物に含めることにより、樹脂組成物を硬化させた後の耐熱性、耐湿性、強度等を向上させることができ、また第１接着層２２の保護フィルムに対する剥離性を向上させることができる。なお、無機充填剤の形状は、特に限定されないが、真球状であることが好ましく、これにより、特に異方性のない第１接着層２２として好適な樹脂組成物を提供することができる。」 ・上記引用例１に記載の「半導体装置」は、上記「ア．」、「イ．」の記載事項、及び図１によれば、基板１０と、基板１０の上側に搭載されている第１半導体素子１と、第１半導体素子１の上側に搭載されている第２半導体素子２と、を有し、第１半導体素子１と第２半導体素子２とが、半田バンプ２１（突起電極）を介して電気的に接続されており、第１半導体素子１と第２半導体素子２との間には、半田バンプ２１を保護するように樹脂組成物の硬化物で構成される第１接着層２２が配置されてなり、基板１０と第１半導体素子１とが、半田バンプ１１（突起電極）を介して電気的に接続されており、かつ基板１０と第１半導体素子１との間には、半田バンプ１１の周囲を保護するように樹脂組成物の硬化物で構成される第２接着層１２が配置されている、半導体装置である。 ・上記「ウ．」の記載事項によれば、基板１０は、例えば有機基板が用いられてなるものである。 ・上記「オ．」の記載事項によれば、第１接着層２２には、無機充填剤が含有されてなるものである。 ・上記「エ．」の記載事項によれば、第２接着層１２としては、樹脂に硬化剤や無機充填剤などを添加してなるアンダーフィル材、あるいは第１接着剤２２と同様のものが用いられる。 したがって、上記記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 「有機基板と、前記有機基板の上側に搭載されている第１半導体素子と、前記第１半導体素子の上側に搭載されている第２半導体素子と、を有し、 前記第１半導体素子と前記第２半導体素子とが、半田バンプ２１を介して電気的に接続されており、前記第１半導体素子と前記第２半導体素子との間には、前記半田バンプ２１を保護するように樹脂組成物の硬化物で構成され、無機充填剤が含有されてなる第１接着層が配置されてなり、 前記有機基板と前記第１半導体素子とが、半田バンプ１１を介して電気的に接続されており、かつ前記有機基板と前記第１半導体素子との間には、前記半田バンプ１１の周囲を保護するように樹脂組成物の硬化物で構成され、無機充填剤が含有されてなる第２接着層が配置されている、半導体装置。」 （２）引用例２ 同じく原査定の拒絶の理由に引用された特開２０１１－２３６０７号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した）。 ア．「【請求項１】 半導体素子を被着体上に接着して固定させる放熱性ダイボンドフィルムであって、 熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、及び熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導性フィラーを少なくとも含み、前記熱伝導性フィラーの含有量は有機樹脂成分と熱伝導性フィラーの合計に対し５０重量％～１２０重量％の範囲内である放熱性ダイボンドフィルム。 【請求項２】 前記熱伝導性フィラーの平均粒径は０．０１～１０μｍの範囲内である請求項１に記載の放熱性ダイボンドフィルム。 ・・・・・（中　略）・・・・・ 【請求項４】 前記熱伝導性フィラーは酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、水酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、及び炭化珪素からなる群より選択される少なくとも何れか１種である請求項１～３の何れか１項に記載の放熱性ダイボンドフィルム。」 イ．「【０００４】 一方、近年、半導体素子が高集積化、多段化、高機能化し、その寸法も大型化するに伴い、半導体素子の作動時に発生する熱が増加傾向にある。このため、当該熱が半導体装置内部で蓄熱され、半導体素子のジャンクション温度を超えると、機能不良に陥る問題がある。このため、放熱性の向上が課題となっている。 ・・・・・（中　略）・・・・・ 【０００７】 本発明は、従来の前記課題に鑑みなされたものであり、高い熱伝導性と放熱性に優れたダイボンドフィルム及び当該ダイボンドフィルムを備えたダイシング・ダイボンドフィルムを提供することを目的とする。 【課題を解決するための手段】 【０００８】 本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、放熱性ダイボンドフィルム及び当該放熱性ダイボンドフィルムを備えたダイシング・ダイボンドフィルムについて検討した。その結果、接着剤層中に熱伝導性フィラーを含有させることにより放熱性に優れたダイボンドフィルムが得られることを見出して、本発明を完成させるに至った。 ・・・・・（中　略）・・・・・ 【００１０】 本発明の放熱性ダイボンドフィルム（以下、「ダイボンドフィルム」という場合がある。）は熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導性フィラーを有機樹脂成分と熱伝導性フィラーの合計に対し５０重量％以上含有するので、熱を蓄積することなく放熱させることができる。これにより、例えば半導体素子がその作動時において熱を発生した場合、当該熱は本発明のダイボンドフィルムに伝導するが、当該フィルム中に蓄積されることなく被着体側に放熱させることが可能になる。その結果、半導体素子が熱により劣化するのを防止することができる。尚、熱伝導フィラーの含有量を有機樹脂成分と熱伝導性フィラーの合計に対し１２０重量％以下にするのは、半導体素子や被着体に対するダイボンドフィルムの濡れ性及び接着性が低下するのを防止する為である。また、熱伝導性フィラーの熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ未満であると、ダイボンドフィルムの熱伝導性が低下し、熱の蓄積が発生する場合がある。 【００１１】 ここで、前記「被着体」とは、ＢＧＡ（Ball Grid Array）基板やＢＴ（ビスマレイミド・トリアジン）基板等の各種基板、リードフレーム、他の半導体素子、スペーサ等を含む。・・・（以下、略）」 ウ．「００１２】 前記の構成に於いて、前記熱伝導性フィラーの平均粒径は０．０１～１０μｍの範囲内であることが好ましい。平均粒径を０．０１μｍ以上にすることにより、ダイボンドフィルムの熱伝導性及び耐熱性の向上が図れる。その一方、平均粒径を１０μｍ以下にすることにより、ダイボンドフィルムの熱伝導性が低下し過ぎるのを防止すると共に、被着体や半導体素子に対する濡れ性を良好なものにし、接着性の低下を抑制することができる。尚、フィラーの平均粒径は、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ－９１０）により求めた値である。」 エ．「【００２１】 前記ダイボンドフィルム３は、半導体素子を被着体上に接着して固定させる際に用いる接着フィルムであって、少なくとも熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及び熱伝導性フィラーを含む。当該固定には、ダイボンドフィルム３を完全に硬化させない状態で接着させる場合を含む意味である。 【００２２】 前記熱伝導性フィラーは、その熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、好ましくは１５～７０Ｗ／ｍ・Ｋ、より好ましくは２５～７０Ｗ／ｍ・Ｋである。前記熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上であると、ダイボンドフィルム３に対し、少なくとも１．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導性を付与することが可能になる。但し、熱伝導性フィラーの熱伝導率が７０Ｗ／ｍ・Ｋを超えると、コスト高を招来する場合がある。 【００２３】 前記熱伝導性フィラーとしては特に限定されず、例えば、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、水酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、炭化珪素等の電気絶縁性のものが挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。なかでも、酸化アルミニウムは高伝導率であり、ダイボンドフィルム３中における分散性に優れ、入手の容易さの点から好ましい。」 オ．「【００４３】 ダイボンドフィルム３の熱伝導率は１．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましく、２Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることがより好ましい。ダイボンドフィルム３自体の熱伝導率を２Ｗ／ｍ・Ｋ以上にすることにより、例えば、半導体素子の作動時に発生する熱を効果的に被着体側に放熱させることができ、半導体装置内の熱の蓄積を低減することができる。尚、ダイボンドフィルム３の自己支持性の観点から、ダイボンドフィルム３の熱伝導率は５Ｗ／ｍ・Ｋ以下であることが好ましい。」 カ．「【００８７】 また、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、図４に示すように、複数の半導体チップを積層して３次元実装をする場合にも好適に用いることができる。図４は、ダイボンドフィルムを介して半導体チップを３次元実装した例を示す断面模式図である。図４に示す３次元実装の場合、先ず半導体チップと同サイズとなる様に切り出した少なくとも１つのダイボンドフィルム３ａを被着体６上に貼り付けた後、ダイボンドフィルム３ａを介して半導体チップ５を、そのワイヤーボンド面が上側となる様にしてダイボンドする。次に、ダイボンドフィルム１３を半導体チップ５の電極パッド部分を避けて貼り付ける。更に、他の半導体チップ１５をダイボンドフィルム１３上に、そのワイヤーボンド面が上側となる様にしてダイボンドする。その後、ダイボンドフィルム３ａ、１３を加熱することにより熱硬化させて接着固定し、耐熱強度を向上させる。加熱条件としては、前述と同様、温度８０～２００℃の範囲内であり、かつ、加熱時間０．１～２４時間の範囲内であることが好ましい。」 キ．「【００９９】 （実施例１） アクリル酸エチル－メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（根上工業（株）製、パラクロンＷ－１９７ＣＭ）１００部に対して、エポキシ樹脂Ａ（ＪＥＲ（株）製、エピコート１００４）２２８部、エポキシ樹脂Ｂ（ＪＥＲ（株）製、エピコート８２７）２０６部、フェノール樹脂（三井化学（株）製、ミレックスＸＬＣ－４Ｌ）４４６部、熱伝導性フィラーとしての球状アルミナ（（株）電気化学工業製、ＤＡＭ－０、平均粒径３μｍ、熱伝導率４０Ｗ／ｍ・Ｋ）１５００部、硬化触媒（四国化成（株）製、Ｃ１１－Ｚ）３部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物を調製した。」 したがって、上記記載事項及び図面（特に図４）を総合勘案すると、引用例２には、次の技術事項が記載されている。 「半導体素子の多段化等に伴い、半導体素子の作動時に発生する熱が増加して当該熱が半導体装置内部で蓄熱され、半導体素子が機能不良に陥ることを防ぐための放熱性の向上という課題に鑑み、 半導体素子を被着体（例えば他の半導体素子）に接着して固定させる接着フィルム（ダイボンドフィルム）において、 熱硬化性樹脂等から構成される接着剤層中に、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等の熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上、平均粒径が０．０１～１０μｍの範囲内である熱伝導性フィラー（例えば実施例１では、熱伝導率４０Ｗ／ｍ・Ｋ、平均粒径３μｍの球状アルミナ）を含有させ、接着フィルム（ダイボンドフィルム）の熱伝導率を１．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上（より好ましくは２Ｗ／ｍ・Ｋ以上）としたこと。」 ４．対比 そこで、本願発明と引用発明とを対比すると、 （１）引用発明における「有機基板と、前記有機基板の上側に搭載されている第１半導体素子と、前記第１半導体素子の上側に搭載されている第２半導体素子と、を有し」によれば、 (a)引用発明における「第１半導体素子」及び「第２半導体素子」は、本願発明でいう「半導体デバイス層が形成された半導体基板」に相当するといえ、 引用発明においても、「第１半導体素子」の上側に「第２半導体素子」が積層されており、本願発明でいう「半導体基板積層体」を構成している。 (b)また、引用発明における「有機基板」は、本願発明でいう「有機基板」に相当し、 引用発明においても、「第１半導体素子」及び「第２半導体素子」で構成される積層体が「有機基板」の上側に搭載されてなるものである。 したがって、本願発明と引用発明とは、「半導体デバイス層が形成された半導体基板を少なくとも２層以上積層した半導体基板積層体」を有するものである点、及び「前記半導体基板積層体がさらに有機基板上に搭載され」ている点で一致する。 （２）引用発明における「前記第１半導体素子と前記第２半導体素子とが、半田バンプ２１を介して電気的に接続されており、前記第１半導体素子と前記第２半導体素子との間には、前記半田バンプ２１を保護するように樹脂組成物の硬化物で構成され、無機充填剤が含有されてなる第１接着層が配置されてなり」によれば、 (a)引用発明における、第１半導体素子と第２半導体素子との間に配置されてなる「第１接着層」は、本願発明でいう「第１の層間充填材層」に相当し、 引用発明の「第１接着層」を構成する樹脂組成物に含まれる「樹脂」、当該樹脂組成物に含有されてなる「無機充填剤」が、それぞれ本願発明でいう「第１の層間充填材層」が含有する「樹脂（Ａ）」、「無機フィラー（Ｂ）」に相当するといえる。 (b)そして、引用発明における、第１半導体素子と第２半導体素子とを電気的に接続するための「半田バンプ２１」は、本願発明でいう「はんだ接続端子」に相当し、 引用発明における「半田バンプ２１」にあっても、第１接着層の中に含まれてなるものである。 したがって、本願発明と引用発明とは、「該半導体基板間に、樹脂（Ａ）及び無機フィラー（Ｂ）を含有する第１の層間充填材層を有し、かつ該第１の層間充填材層の中に電気信号接続用のはんだ接続端子を含」むものである点で共通するといえる。 ただし、第１の層間充填材層について、本願発明では、無機フィラー（Ｂ）として「平均粒径０．１μｍ以上５μｍ以下、且つ、最大粒径１０μｍ以下であり、熱伝導率が２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上」のものを含有し、「熱伝導率が０．８Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上」である旨特定するのに対し、引用発明では、そのような特定を有していない点で相違している。 （３）引用発明における「前記有機基板と前記第１半導体素子とが、半田バンプ１１を介して電気的に接続されており、かつ前記有機基板と前記第１半導体素子との間には、前記半田バンプ１１の周囲を保護するように樹脂組成物の硬化物で構成され、無機充填剤が含有されてなる第２接着層が配置されている・・」によれば、 引用発明における、有機基板と第１半導体素子との間に配置されてなる「第２接着層」は、本願発明でいう「第２の層間充填材層」に相当し、 引用発明の「第２接着層」を構成する樹脂組成物に含まれる「樹脂」、当該樹脂組成物に含有されてなる「無機充填剤」が、それぞれ本願発明でいう「第１の層間充填材層」が含有する「樹脂（ａ）」、「無機フィラー（ｂ）」に相当する。 したがって、本願発明と引用発明とは、「前記半導体基板積層体と前記有機基板との間に、樹脂（ａ）及び無機フィラー（ｂ）を含有する第２の層間充填材層を有する」ものである点で一致する。 （４）そして、引用発明における「半導体装置」は、２つの半導体素子が積層された積層体を有するものであることから、本願発明でいう「三次元集積回路積層体」に相当するといえるものである。 よって、本願発明と引用発明とは、 「半導体デバイス層が形成された半導体基板を少なくとも２層以上積層した半導体基板積層体を有し、該半導体基板間に、樹脂（Ａ）及び無機フィラー（Ｂ）を含有する第１の層間充填材層を有し、かつ該第１の層間充填材層の中に電気信号接続用のはんだ接続端子を含み、 前記半導体基板積層体がさらに有機基板上に搭載されており、前記半導体基板積層体と前記有機基板との間に、樹脂（ａ）及び無機フィラー（ｂ）を含有する第２の層間充填材層を有することを特徴とする三次元集積回路積層体。」 である点で一致し、次の点で相違する。 ［相違点］ 第１の層間充填材層について、本願発明では、無機フィラー（Ｂ）として「平均粒径０．１μｍ以上５μｍ以下、且つ、最大粒径１０μｍ以下であり、熱伝導率が２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上」のものを含有し、「熱伝導率が０．８Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上」である旨特定するのに対し、引用発明では、そのような特定を有していない点。 ５．判断 上記[相違点]について検討すると、 引用例２には、「半導体素子の多段化等に伴い、半導体素子の作動時に発生する熱が増加して当該熱が半導体装置内部で蓄熱され、半導体素子が機能不良に陥ることを防ぐための放熱性の向上という課題に鑑み、半導体素子を被着体（例えば他の半導体素子）に接着して固定させる接着フィルム（ダイボンドフィルム）において、熱硬化性樹脂等から構成される接着剤層中に、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等の熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上、平均粒径が０．０１～１０μｍの範囲内である熱伝導性フィラー（例えば実施例１では、熱伝導率４０Ｗ／ｍ・Ｋ、平均粒径３μｍの球状アルミナ）を含有させ、接着フィルム（ダイボンドフィルム）の熱伝導率を１．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上（より好ましくは２Ｗ／ｍ・Ｋ以上）」としてなる技術事項が記載（上記「３．（２）」を参照）され、半導体素子間に配置される接着フィルムに含有されるフィラーとして、平均粒径が所定の範囲内であり、熱伝導率が所定の値以上のものを用いることによって、接着フィルム自体の熱伝導率も所定の値以上の高いものとすることが記載されているところ、 上記引用例２に記載のような、半導体素子の多段化等によって発生する熱の増加に伴う放熱性の向上という課題は当業者にとって考慮すべき一般的な課題にすぎず、引用例１においても、第１接着層に含有される無機充填剤として、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素といった熱伝導率が高いものも例示されている（上記「３．（１）オ．」を参照）ことから、放熱性の向上を考慮して上記引用例２に記載の技術事項を採用し、第１接着層に含有される無機充填剤として「平均粒径０．１μｍ以上５μｍ以下であり、熱伝導率が２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上」の条件を満たし、第１接着層が「熱伝導率が０．８Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上」の条件を満たすものとすることも当業者であれば容易になし得ることである。 そして、無機充填剤の最大粒径については、例えば原査定において提示した特開２００１－２９８１４６号公報（特に【請求項１０】、段落【０００１】、【００２０】、【００３３】、図１を参照）には、２枚の半導体チップ９，１０を積層して相互にバンプ１１，１２を介して接続し、半導体チップ間に介在する樹脂組成物層１３により固着してなるものにおいて、樹脂組成物層１３に含まれる充填剤（アルミナ、窒化ケイ素など）として「半導体チップ９，１０間の間隔が狭いため、最大粒径が１０μｍ以下で平均粒径が１μｍ以下が望ましい。」と記載され、また、本願明細書においても「・・配合されるフィラーの最大粒径は、半導体基板の確実な接合を実現するためにも層間充填材層の厚みの１／３以下程度にすることが求められている。」と記載（段落【０００８】）されているように、第１接着層の厚み、すなわち第１半導体素子と第２半導体素子との間隔に応じて定められるべきものであることは当業者において周知といえる技術事項であり、引用発明においても、第１半導体素子と第２半導体素子との接続は半田バンプを介して行われ、第１半導体素子と第２半導体素子との間隔は狭いといえることから、上記特開２００１－２９８１４６号公報に記載のものと同様に「最大粒径１０μｍ以下」とすることも当業者であれば適宜なし得ることである。 そして、本願発明が奏する効果についてみても、引用発明、引用例２に記載の技術事項及び周知の技術事項から当業者が予測できたものであって、格別顕著なものがあるとはいえない。 ６．むすび 以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用発明、引用例２に記載の技術事項及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。