2016-700941

特許第５８９８３４７号発明「発光素子の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

【結　論】 平成２９年２月７日付け訂正請求において、特許第５８９８３４７号の明細書及び特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項２について訂正することを認める。 特許第５８９８３４７号の請求項１に係る特許を維持する。

【理　由】 第１　手続の経緯 特許第５８９８３４７号の請求項１ないし３に係る特許についての出願は、平成２８年３月１１日付けでその特許権の設定登録がされ、その後、特許異議申立人尾田哲之より請求項１に対して特許異議の申立てがされ、同年１２月１２日付けで取消理由が通知され、平成２９年２月７日に意見書の提出及び訂正請求がされ、同年３月１０日に特許異議申立人尾田哲之から意見書が提出され、同年３月２７日に訂正拒絶理由が通知され、同年４月２５日に意見書が提出されたものである。 第２　訂正の適否 １　訂正の内容 平成２９年２月７日付けの訂正請求書による訂正（以下「本件訂正」という。）は、特許第５８９８３４７号（以下「本件特許」という。）の明細書及び特許請求の範囲を、訂正請求書に添付した訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり訂正することを求めるものであって、以下の訂正事項１ないし訂正事項４からなる。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に「前記ｎ型層形成工程においては、形成温度を１１５０℃以上１２００℃以下とし、かつ、形成圧力を１０Ｔｏｒｒ以上５０Ｔｏｒｒ以下とすることにより比抵抗が１．５Ωｃｍ以下の前記ｎ型層を形成する、」と記載されているものを、 「前記ｎ型層形成工程においては、形成温度を１１５０℃以上１２００℃以下とし、かつ、形成圧力を１０Ｔｏｒｒ以上５０Ｔｏｒｒ以下とすることにより、前記ｎ型層に存在するＳｉ原子の濃度に対するＯ原子とＣ原子の濃度の総和の比である総和不純物濃度比を０．８以下とすることによって、比抵抗が１．５Ωｃｍ以下の前記ｎ型層を形成する、」に訂正する。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２に「請求項１に記載の発光素子の製造方法であって、 前記基板が、 単結晶サファイアからなる基材と、 前記基材上にエピタキシャル形成されてなる、ＡｌｐＧａ１－ｐＮ（０．８≦ｐ≦１）からなる成長下地層と、 からなり、 前記ｎ型層形成工程においては、前記成長下地層の上に前記成長下地層よりＡｌモル濃度が低い前記ｎ型層を形成する、 ことを特徴とする発光素子の製造方法。」と記載されているものを、 「発光素子の製造方法であって、 所定の基板の上に第１のIII族窒化物からなるｎ型層をエピタキシャル形成するｎ型層形成工程と、 前記ｎ型層の上に、第２のIII族窒化物からなる発光層をエピタキシャル形成する発光層形成工程と、 前記発光層の上に、第３のIII族窒化物からなるｐ型層をエピタキシャル形成する形成するｐ型層形成工程と、 を備え、 前記基板が、 単結晶サファイアからなる基材と、 前記基材上にエピタキシャル形成されてなる、ＡｌｐＧａ１－ｐＮ（０．８≦ｐ≦１）からなる成長下地層と、 からなり、 前記第１のIII族窒化物が波長が３００ｎｍ以下の光に対する吸収能を有さない組成範囲のＡｌｘＧａ１－ｘＮ（０≦ｘ≦１）であり、 前記第２のIII族窒化物が紫外領域に発光波長を有する組成範囲のＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０≦ｙ≦１）であり、 前記ｎ型層形成工程においては、形成温度を１１５０℃以上１２００℃以下とし、かつ、形成圧力を１０Ｔｏｒｒ以上５０Ｔｏｒｒ以下とすることにより比抵抗が１．５Ωｃｍ以下であり、前記成長下地層の上に前記成長下地層よりＡｌモル濃度が低い前記ｎ型層を形成する、 ことを特徴とする発光素子の製造方法。」に訂正する。 （３）訂正事項３ 願書に添付した明細書の段落【０００８】に「前記ｎ型層形成工程においては、形成温度を１１５０℃以上１２００℃以下とし、かつ、形成圧力を１０Ｔｏｒｒ以上５０Ｔｏｒｒ以下とすることにより比抵抗が１．５Ωｃｍ以下の前記ｎ型層を形成する、」と記載されているものを、 「前記ｎ型層形成工程においては、形成温度を１１５０℃以上１２００℃以下とし、かつ、形成圧力を１０Ｔｏｒｒ以上５０Ｔｏｒｒ以下とすることにより、前記ｎ型層に存在するＳｉ原子の濃度に対するＯ原子とＣ原子の濃度の総和の比である総和不純物濃度比を０．８以下とすることによって、比抵抗が１．５Ωｃｍ以下の前記ｎ型層を形成する、」に訂正する。 （４）訂正事項４ 願書に添付した明細書の段落【００１０】に「請求項２の発明は、請求項１に記載の発光素子の製造方法であって、前記基板が、単結晶サファイアからなる基材と、前記基材上にエピタキシャル形成されてなる、ＡｌｐＧａ１－ｐＮ（０．８≦ｐ≦１）からなる成長下地層と、からなり、前記ｎ型層形成工程においては、前記成長下地層の上に前記成長下地層よりＡｌモル濃度が低い前記ｎ型層を形成する、ことを特徴とする。」と記載されているものを、 「請求項２の発明は、発光素子の製造方法であって、所定の基板の上に第１のIII族窒化物からなるｎ型層をエピタキシャル形成するｎ型層形成工程と、前記ｎ型層の上に、第２のIII族窒化物からなる発光層をエピタキシャル形成する発光層形成工程と、前記発光層の上に、第３のIII族窒化物からなるｐ型層をエピタキシャル形成する形成するｐ型層形成工程と、を備え、前記基板が、単結晶サファイアからなる基材と、前記基材上にエピタキシャル形成されてなる、ＡｌｐＧａ１－ｐＮ（０．８≦ｐ≦１）からなる成長下地層と、からなり、前記第１のIII族窒化物が波長が３００ｎｍ以下の光に対する吸収能を有さない組成範囲のＡｌｘＧａ１－ｘＮ（０≦ｘ≦１）であり、前記第２のIII族窒化物が紫外領域に発光波長を有する組成範囲のＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０≦ｙ≦１）であり、前記ｎ型層形成工程においては、形成温度を１１５０℃以上１２００℃以下とし、かつ、形成圧力を１０Ｔｏｒｒ以上５０Ｔｏｒｒ以下とすることにより比抵抗が１．５Ωｃｍ以下であり、前記成長下地層の上に前記成長下地層よりＡｌモル濃度が低い前記ｎ型層を形成する、ことを特徴とする。」に訂正する。 ２　訂正の目的の適否、一群の請求項、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１）訂正事項１について ア　訂正後の請求項１の発明特定事項である「前記ｎ型層に存在するＳｉ原子の濃度に対するＯ原子とＣ原子の濃度の総和の比である総和不純物濃度比を０．８以下とする」について、本件特許明細書の記載を参酌し、その技術的意味を検討する。 （ア）本件特許明細書の発明の詳細な説明には、以下の記載がある（下線は、当審が付加した。以下同様。）。 ａ　「【００２８】 ｎ型層２の比抵抗には、作製条件によって違いが生じる。本実施の形態においては、ＭＯＣＶＤ法を用いる場合に、成長温度を１１５０℃～１２００℃と設定し、成長圧力を１０Ｔｏｒｒ～５０Ｔｏｒｒとすることが、ｎ型層２の低抵抗化およびキャリア濃度の増加を実現するうえで好適であることが、本発明の発明者によって確認されている。その詳細については後述する。」 ｂ　「【００３３】 ＜ｎ型層の低抵抗化＞ 次に、上述したｎ型層２の低抵抗化を実現する好適な作製条件について説明する。図２、図３、図４、および図５はこれを説明するための図である。ここでは、基材１ａとしてサファイアを用い、成長下地層１ｂとしてＡｌＮを形成してなる基板１を用い、ＭＯＣＶＤ法によって、種々の条件でｎ型層２を形成した場合について示す。原料ガスとしては、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）、およびＮＨ３を用い、それぞれの毎分の供給流量比が１：１：４０００となるように供給している。また、Ｓｉドープのためのシランガスは、ｎ型層２中のＳｉ濃度が１×１０１９／ｃｍ２となるように供給している。」 ｃ　「【００３６】 図２および図３より、成長温度が１１５０℃～１２００℃の場合に、高いキャリア濃度が得られ、かつ、１．５Ωｃｍ以下という顕著な低抵抗が実現されてなることが確認される。また、図４および図５より、圧力が１０Ｔｏｒｒ～５０Ｔｏｒｒの範囲で、高いキャリア濃度が得られ、やはり１．０Ωｃｍ以下という低抵抗な状態が実現されてなる。これらより、成長温度を１１５０℃～１２００℃と設定し、成長圧力を１０Ｔｏｒｒ～５０Ｔｏｒｒとすることが、ｎ型層２の低抵抗化およびキャリア濃度の増加を実現するうえで好適であるといえる。なお、これらの低抵抗な状態のｎ型層２において、良好な結晶品質が実現されているのは、上述の通りである。」 ｄ　「【００４０】 これらを鑑みると、ｎ型層２における比抵抗の大小と、不純物であるＯ原子とＣ原子についての総和不純物濃度比との間には、相関があるものと判断される。その一方で、成長条件の変化に対する不純物濃度比の変化の挙動はＯ原子とＣ原子とで異なることから、これらを個別に制御するよりもむしろ、総和不純物濃度比を制御することが、ｎ型層２の低抵抗化には有効であるといえる。例えば、総和不純物濃度比が概ね０．８以下であれば、１．５Ωｃｍ以下という、比抵抗が充分に小さいｎ型層２の形成が実現されることになる。具体的には、上述したように、成長温度が１１５０℃～１２００℃であり、成長圧力が１０Ｔｏｒｒ～５０Ｔｏｒｒである場合に、係る低比抵抗のｎ型層２の形成が実現される。」 以上の記載によれば、 「前記ｎ型層に存在するＳｉ原子の濃度に対するＯ原子とＣ原子の濃度の総和の比である総和不純物濃度比を０．８以下とする」は、訂正前の「ｎ型層形成工程」に、別途、何らかの「総和不純物濃度比制御工程」を追加することを意味するのではなく、少なくとも、本件特許明細書の【００３３】に記載された特定の条件において、「形成温度を１１５０℃以上１２００℃以下とし、かつ、形成圧力を１０Ｔｏｒｒ以上５０Ｔｏｒｒ以下とすることにより」、自ずと、達成されることであると解される。 以下、この解釈を踏まえて検討する。 （イ）特許請求の範囲の減縮 訂正前の請求項１の「ｎ型層形成工程」は、「形成温度を１１５０℃以上１２００℃以下とし、かつ、形成圧力を１０Ｔｏｒｒ以上５０Ｔｏｒｒ以下とすることにより比抵抗が１．５Ωｃｍ以下の前記ｎ型層を形成する」ものであるから、総和不純物濃度比を０．８以下とするものである。 そうすると、本件訂正により「前記ｎ型層形成工程においては、形成温度を１１５０℃以上１２００℃以下とし、かつ、形成圧力を１０Ｔｏｒｒ以上５０Ｔｏｒｒ以下とすることにより、前記ｎ型層に存在するＳｉ原子の濃度に対するＯ原子とＣ原子の濃度の総和の比である総和不純物濃度比を０．８以下とすることによって、比抵抗が１．５Ωｃｍ以下の前記ｎ型層を形成する、」に訂正することは、特許請求の範囲を実質的に減縮するものではない。 よって、訂正事項１は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものではない。 （ウ）誤記又は誤訳の訂正 「誤記の訂正」とは、本来その意であることが、明細書、特許請求の範囲又は図面の記載などから明らかな内容の字句、語句に正すことをいい、訂正前の記載が当然に訂正後の記載と同一の意味を表示するものと客観的に認められるものを言い、誤記の存在が必要である。 そこで検討すると、訂正前の「前記ｎ型層形成工程においては、形成温度を１１５０℃以上１２００℃以下とし、かつ、形成圧力を１０Ｔｏｒｒ以上５０Ｔｏｒｒ以下とすることにより比抵抗が１．５Ωｃｍ以下の前記ｎ型層を形成する、」との記載は、本件特許明細書との関係で、誤りであるとはいえない。 よって、訂正前の前記記載に誤記が存在するとはいえないから、訂正事項１は、誤記の訂正を目的とするものではない。 （エ）明瞭でない記載の釈明 「明瞭でない記載の釈明」とは、特許明細書、特許請求の範囲又は図面中のそれ自体意味の不明瞭な記載、又は、特許明細書、特許請求の範囲又は図面中の他の記載との関係で不合理を生じているために不明瞭となっている記載等、明細書、特許請求の範囲又は図面に生じている記載上の不備を正し、その記載本来の意味内容を明らかにすることをいう。 そこで検討すると、訂正前の「前記ｎ型層形成工程においては、形成温度を１１５０℃以上１２００℃以下とし、かつ、形成圧力を１０Ｔｏｒｒ以上５０Ｔｏｒｒ以下とすることにより比抵抗が１．５Ωｃｍ以下の前記ｎ型層を形成する、」との記載は、明瞭であるから、訂正事項１は、特許請求の範囲に生じている記載上の不備を正して、その記載本来の意味内容を明らかにするものではない。 よって、訂正事項１は、明瞭でない記載の釈明を目的とするものではない。 （オ）請求項間の引用関係の解消 訂正事項１は、請求項間の引用関係の解消を目的とするものではない。 イ　よって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号ないし第４号に規定する何れの事項を目的とする訂正ではないことから、訂正事項１についての訂正は認められない。 （２）訂正事項２について ア　訂正事項２は、訂正前の請求項２の記載が訂正前の請求項１の記載を引用する記載であったものを、請求項間の引用関係を解消し、請求項１の記載を引用しない、独立形式に改める訂正であって、特許法第１２０条の５第２項ただし書第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものであり、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。 イ　よって、訂正後の請求項２について訂正を認める。 （３）訂正事項３について ア　訂正事項３は、上記訂正事項１に係る訂正にともない特許請求の範囲の記載と明細書の記載との整合を図るための訂正であるところ、上記「（１）訂正事項１について」で検討したように、訂正事項１についての訂正は認められない。 そうすると、訂正事項３は、上記整合を図るためのものではなく、単に記載を改めるものにすぎない。そして、訂正前の記載に「誤記又は誤訳」があるとも認められない。 イ　よって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号ないし第４号に規定する何れの事項を目的とする訂正ではないことから、訂正事項３についての訂正は認められない。 （４）訂正事項４について ア　訂正事項４は、上記訂正事項２に係る訂正にともない特許請求の範囲の記載と明細書の記載との整合を図るための訂正であり、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に規定する「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものであり、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。 イ　よって、訂正後の明細書の段落【００１０】について訂正を認める。 ３　小括 以上のとおりであるから、訂正事項１及び訂正事項３についての訂正は認められず、訂正事項２及び訂正事項４についての訂正を認める。 第３　取消理由 当審において、請求項１に係る特許（以下「本件発明１」という。）に対して通知した取消理由の概要は、次のとおりである。 【理由１】 本件発明１は、当業者が下記の甲第１号証に記載された甲１発明及び甲第２号証ないし甲第４号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消すべきものである。 甲１発明は、以下のものである。 「発光素子の製造方法であって、 サファイア基板の上にＳｉドープのｎ－Ａｌ０．６９Ｇａ０．３１Ｎからなるｎ型層をエピタキシャル成長させる工程と、 ｎ型層の上に、Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ｎからなる単一量子井戸層をエピタキシャル成長させる工程と、 単一量子井戸層の上に、Ｍｇドープのｐ－Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ｎからなるｐ型層をエピタキシャル成長させる工程を備え、 ｎ型層がＡｌ０．６９Ｇａ０．３１Ｎであり、 単一量子井戸層が紫外線領域である２９２ｎｍの発光波長を有するＡｌ０．４Ｇａ０．６Ｎであり、 ｎ型層の形成工程においては、温度を約１１００℃（１０５０℃ないし１１７５℃）とし、形成圧力を７６Ｔｏｒｒとする、発光素子の製造方法。」（なお、下線は、当審で付した。以下同様。） 【理由２】 本件発明１は、当業者が下記の甲第１号証に記載された引用発明及び甲第３号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消すべきものである。 引用発明は、以下のものである。 「発光素子の製造方法であって、 サファイア基板の上にＳｉドープのｎ－Ａｌ０．６９Ｇａ０．３１Ｎからなるｎ型層をエピタキシャル成長させる工程と、 ｎ型層の上に、Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ｎからなる単一量子井戸層をエピタキシャル成長させる工程と、 単一量子井戸層の上に、Ｍｇドープのｐ－Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ｎからなるｐ型層をエピタキシャル成長させる工程を備え、 ｎ型層がＡｌ０．６９Ｇａ０．３１Ｎであり、 単一量子井戸層が紫外線領域である２９２ｎｍの発光波長を有するＡｌ０．４Ｇａ０．６Ｎであり、 ｎ型層の形成工程においては、温度を約１１００℃とし、形成圧力を７６Ｔｏｒｒとする、発光素子の製造方法。」 甲第１号証：Amy HANLON et al.、292nm AlGaN Single-Quantum Well Light Emitting Diodes Grown on Transparent AlN Base、Jpn.J.Appl.Phys.、日本、2003.発行、Vol.42、pp.L628-L630 甲第２号証：特開２００２－３５９３９０号公報 甲第３号証：K.B.Nam, J.Li, M.L.Nakarmi, J.Y.Lin, and H.X.Jiang、Achieving highly conductive AlGaN alloys with high Al contents、APPLIED PHYSICS LETTERS、その他、2002.08.05発行、VOLUME 81, NUMBER 6、pp 1038-1040 甲第４号証：M.L.Nakarmi et al.、Transport properties of highly conductive n-type Al-rich AlxGa1-xN(x＞0.7)、APPLIED PHYSICS LETTERS、その他、2004.発行、VOLUME85,NUMBER17、p.3769-3771 第４　甲各号証の記載 （１）甲第１号証については、下記「第５　当審の判断」を参照。 （２）甲第２号証には、「ｎ－Ａｌ０．６Ｇａ０．４Ｎ層を圧力１５Ｔｏｒｒ、基板温度１１５０℃で形成する」という技術的事項が記載されている。 （３）甲第３号証には、「ｎ－ＡｌＧａＮを圧力５０Ｔｏｒｒ、基板温度１０５０℃で形成し、比抵抗０．４５ΩｃｍのＡｌ０．７Ｇａ０．３Ｎを得る」という技術的事項が記載されている。 （４）甲第４号証には、「０．００７５Ωｃｍのｎ－Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ｎ」が記載されている。 第５　当審の判断 １　取消理由【理由１】について （１）甲第１号証には、以下の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されている。 「発光素子の製造方法であって、 サファイア基板の上にＳｉドープのｎ－Ａｌ０．６９Ｇａ０．３１Ｎからなるｎ型層をエピタキシャル成長させる工程と、 ｎ型層の上に、Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ｎからなる単一量子井戸層をエピタキシャル成長させる工程と、 単一量子井戸層の上に、Ｍｇドープのｐ－Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ｎからなるｐ型層をエピタキシャル成長させる工程を備え、 ｎ型層がＡｌ０．６９Ｇａ０．３１Ｎであり、 単一量子井戸層が紫外線領域である２９２ｎｍの発光波長を有するＡｌ０．４Ｇａ０．６Ｎであり、 ｎ型層の形成工程においては、温度を約１１００℃（１０５０℃ないし１１７５℃）とし、形成圧力を７６Ｔｏｒｒとする、発光素子の製造方法。」 （２）対比 本件発明１と甲１発明とを対比すると、以下の点で相違する。 ＜相違点＞ ｎ型層形成工程に関して、 本件発明１は、「形成温度を１１５０℃以上１２００℃以下とし、かつ 、形成圧力を１０Ｔｏｒｒ以上５０Ｔｏｒｒ以下とすることにより比抵抗が１．５Ωｃｍ以下の前記ｎ型層を形成する」のに対して、 甲１発明は、温度を約１１００℃（１０５０℃ないし１１７５℃）とし、形成圧力を７６Ｔｏｒｒとするものであって、比抵抗が不明である点。 （３）判断 ア　そもそも、甲１発明の「ｎ型層の形成工程」における温度及び形成圧力を、他の条件に変更しなければならないという課題はないことから、甲１発明の「ｎ型層の形成工程」における温度及び形成圧力を変更する動機付けがない。 イ　確かに、甲第２号証には、「ｎ－Ａｌ０．６Ｇａ０．４Ｎ層を圧力１５Ｔｏｒｒ、基板温度１１５０℃で形成する」という技術的事項が記載されているものの、甲第２号証は、「転位密度を低減することにより暗電流を抑制して光検出感度を向上させた半導体受光素子」に関するものであり、圧力１５Ｔｏｒｒ及び基板温度１１５０℃は、低転位密度の窒化物半導体層を形成するための、一つの例示にすぎず、その条件で形成された「ｎ－Ａｌ０．６Ｇａ０．４Ｎ層」の比抵抗が小さくなることは記載されていないことから、甲１発明の「ｎ型層の形成工程」における温度及び形成圧力の条件として採用する動機付けがない。 ウ　一方、甲第３号証及び甲第４号証には、比抵抗の小さな「Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ｎ」について記載され、さらに、甲第３号証には、「圧力５０Ｔｏｒｒ、基板温度１０５０℃」で形成することも記載されていることから、甲１発明の「ｎ型層（Ａｌ０．６９Ｇａ０．３１Ｎ）」を形成するために、「ｎ型層の形成工程」における温度及び形成圧力を「圧力５０Ｔｏｒｒ、基板温度１０５０℃」に変更することは、当業者が容易に着想し得ることであるといえる。 しかしながら、当該「ｎ型層（Ａｌ０．６９Ｇａ０．３１Ｎ）」を、５０Ｔｏｒｒの圧力を維持したまま、基板温度だけを「１１５０℃以上１２００℃以下」に高めた際に、同様に、比抵抗の小さな「ｎ型層（Ａｌ０．６９Ｇａ０．３１Ｎ）」を形成できることを示唆する記載はなく、その動機付けがあるとまではいえない。 エ　そして、甲第２号証ないし甲第４号証の記載を総合しても、比抵抗を小さくするために、本件発明１と同様の条件を導き出せるものではない。 オ　したがって、本件発明１は、当業者が甲第１号証に記載された甲１発明及び甲第２号証ないし甲第４号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。 カ　まとめ 本件発明１に係る特許は、取消理由通知に記載した【理由１】、すなわち、特許異議申立書に記載された特許異議申立理由によっては、取り消すことができない。 ２　取消理由【理由２】について （１）甲第１号証には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。 「発光素子の製造方法であって、 サファイア基板の上にＳｉドープのｎ－Ａｌ０．６９Ｇａ０．３１Ｎからなるｎ型層をエピタキシャル成長させる工程と、 ｎ型層の上に、Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ｎからなる単一量子井戸層をエピタキシャル成長させる工程と、 単一量子井戸層の上に、Ｍｇドープのｐ－Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ｎからなるｐ型層をエピタキシャル成長させる工程を備え、 ｎ型層がＡｌ０．６９Ｇａ０．３１Ｎであり、 単一量子井戸層が紫外線領域である２９２ｎｍの発光波長を有するＡｌ０．４Ｇａ０．６Ｎであり、 ｎ型層の形成工程においては、温度を約１１００℃とし、形成圧力を７６Ｔｏｒｒとする、発光素子の製造方法。」 （２）対比 本件発明１と引用発明とを対比すると、以下の点で相違する。 ＜相違点＞ ｎ型層形成工程に関して、 本件発明１は、「形成温度を１１５０℃以上１２００℃以下とし、かつ 、形成圧力を１０Ｔｏｒｒ以上５０Ｔｏｒｒ以下とすることにより比抵抗が１．５Ωｃｍ以下の前記ｎ型層を形成する」のに対して、 引用発明は、温度を約１１００℃とし、形成圧力を７６Ｔｏｒｒとするものであって、比抵抗が不明である点。 （３）判断 ア　甲第３号証には、「ｎ－ＡｌＧａＮを圧力５０Ｔｏｒｒ、基板温度１０５０℃で形成し、比抵抗０．４５ΩｃｍのＡｌ０．７Ｇａ０．３Ｎを得る」という技術的事項が記載されていることから、引用発明の「ｎ型層（Ａｌ０．６９Ｇａ０．３１Ｎ）」を形成するために、「ｎ型層の形成工程」における温度及び形成圧力を「圧力５０Ｔｏｒｒ、基板温度１０５０℃」に変更することは、当業者が容易に着想し得ることであるといえる。 しかしながら、当該「ｎ型層（Ａｌ０．６９Ｇａ０．３１Ｎ）」を、５０Ｔｏｒｒの圧力を維持したまま、基板温度だけを「１１５０℃以上１２００℃以下」に高めた際に、同様に、比抵抗の小さな「ｎ型層（Ａｌ０．６９Ｇａ０．３１Ｎ）」を形成できることを示唆する記載はなく、その動機付けがあるとまではいえない。 イ　したがって、本件発明１は、当業者が甲第１号証に記載された引用発明及び甲第３号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。 ウ　まとめ 本件発明１に係る特許は、取消理由通知に記載した【理由２】によっては、取り消すことができない。 第６　むすび 請求項１に係る特許は、特許異議申立書に記載された特許異議申立理由（【理由１】）及び取消理由通知に記載した取消理由（【理由２】）によっては、取り消すことができない。 また、他に請求項１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。