2016-700423

特許第５８１５２１５号発明「拡散剤組成物、および不純物拡散層の形成方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

【結　論】 特許第５８１５２１５号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－８〕について訂正することを認める。 特許第５８１５２１５号の請求項１ないし４、６ないし８に係る特許を維持する。

【理　由】 第１　手続の経緯 特許第５８１５２１５号の請求項１ないし８に係る特許についての出願は、平成２２年８月４日（優先権主張平成２１年８月２７日）に特許出願され、平成２７年１０月２日にその特許権の設定登録がされ、その後、その請求項１ないし４及び請求項６ないし８に係る特許について、特許異議申立人　特許業務法人朝日奈特許事務所 により特許異議の申立てがされ、平成２８年７月１５日付けで取消理由が通知され、その指定期間内である平成２８年９月１３日に意見書の提出及び訂正の請求があり、その訂正の請求に対して特許異議申立人　特許業務法人朝日奈特許事務所 から平成２８年１１月２９日に意見書が提出されたものである。 第２　訂正の適否についての判断 １　訂正の内容 平成２８年９月１４日に提出された訂正請求書による訂正（以下「本件訂正」という。）は特許請求の範囲及び明細書を訂正することを求めるものであって、その内容は以下のとおりである。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１の、訂正前の 「半導体基板への不純物拡散成分の印刷に用いられる拡散剤組成物であって、 不純物拡散成分（Ａ）と、 前記不純物拡散成分（Ａ）が熱拡散を開始する温度未満の温度で熱分解して消失するバインダー樹脂（Ｂ）と、 ＳｉＯ２微粒子（Ｃ）と、 沸点が１００℃以上の有機溶剤（Ｄ１）を含む有機溶剤（Ｄ）と、 を含有し、 前記バインダー樹脂（Ｂ）は、その熱分解温度が４００℃未満であり、 前記バインダー樹脂（Ｂ）の含有量は、前記不純物拡散成分（Ａ）、前記バインダー樹脂（Ｂ）、および前記ＳｉＯ２微粒子（Ｃ）の固形成分の全質量に対して５質量％以上６０質量％以下であることを特徴とする拡散剤組成物。」 との記載を、 訂正後の 「半導体基板への不純物拡散成分の印刷に用いられる拡散剤組成物であって、 不純物拡散成分（Ａ）と、 前記不純物拡散成分（Ａ）が熱拡散を開始する温度未満の温度で熱分解して消失するバインダー樹脂（Ｂ）であって、メチルメタクリレート、メタクリル酸、イソブチルメタクリレート、ターシャリーブチルメタクリレート、アクリル酸、エチルアクリレート、メチルアクリレート、ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルメタクリレート、およびブチルメタクリレートからなる群から選択される重合性モノマーの少なくとも１つで構成されるアクリル系樹脂を含むバインダー樹脂（Ｂ）と、 ＳｉＯ２微粒子（Ｃ）と、 沸点が１００℃以上の有機溶剤（Ｄ１）を含む有機溶剤（Ｄ）と、 を含有し、 水を含まず、 前記バインダー樹脂（Ｂ）は、その熱分解温度が４００℃未満であり、 前記バインダー樹脂（Ｂ）の含有量は、前記不純物拡散成分（Ａ）、前記バインダー樹脂（Ｂ）、および前記ＳｉＯ２微粒子（Ｃ）の固形成分の全質量に対して５質量％以上６０質量％以下であることを特徴とする拡散剤組成物。」 と訂正し、また、請求項１を引用する請求項２～８も同様に訂正する。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項７の、訂正前の 「半導体基板に、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の拡散剤組成物を印刷して塗膜を形成する塗膜形成工程と、 前記拡散剤組成物の不純物拡散成分（Ａ）を前記半導体基板に拡散させる拡散工程と、 を含むことを特徴とする不純物拡散層の形成方法。」 との記載を、 訂正後の 「半導体基板に、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の拡散剤組成物を印刷して単層の塗膜を形成する塗膜形成工程と、 前記拡散剤組成物の不純物拡散成分（Ａ）を前記半導体基板に拡散させる拡散工程と、 を含むことを特徴とする不純物拡散層の形成方法。」 と訂正し、また、請求項７を引用する請求項８も同様に訂正する。 （３）訂正事項３ 明細書の段落【００１０】及び【００１２】の記載を、訂正前の 「【００１０】 上記課題を解決するために、本発明のある態様は拡散剤組成物であり、この拡散剤組成物は、半導体基板への不純物拡散成分の印刷に用いられる拡散剤組成物であって、不純物拡散成分（Ａ）と、不純物拡散成分（Ａ）が熱拡散を開始する温度未満の温度で熱分解して消失するバインダー樹脂（Ｂ）と、ＳｉＯ２微粒子（Ｃ）と、沸点が１００℃以上の有機溶剤（Ｄ１）を含む有機溶剤（Ｄ）と、を含有することを特徴とする。」 及び 「【００１２】 本発明の他の態様は不純物拡散層の形成方法であり、この不純物拡散層の形成方法は、上記態様の拡散剤組成物を印刷して塗膜を形成する塗膜形成工程と、拡散剤組成物の不純物拡散成分（Ａ）を半導体基板に拡散させる拡散工程と、を含むことを特徴とする。」 との記載を、 訂正後の 「【００１０】 上記課題を解決するために、本発明のある態様は拡散剤組成物であり、この拡散剤組成物は、半導体基板への不純物拡散成分の印刷に用いられる拡散剤組成物であって、不純物拡散成分（Ａ）と、不純物拡散成分（Ａ）が熱拡散を開始する温度未満の温度で熱分解して消失するバインダー樹脂（Ｂ）であって、メチルメタクリレート、メタクリル酸、イソブチルメタクリレート、ターシャリーブチルメタクリレート、アクリル酸、エチルアクリレート、メチルアクリレート、ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルメタクリレート、およびブチルメタクリレートからなる群から選択される重合性モノマーの少なくとも１つで構成されるアクリル系樹脂を含むバインダー樹脂（Ｂ）と、ＳｉＯ２微粒子（Ｃ）と、沸点が１００℃以上の有機溶剤（Ｄ１）を含む有機溶剤（Ｄ）と、を含有し、水を含まず、前記バインダー樹脂（Ｂ）は、その熱分解温度が４００℃未満であり、前記バインダー樹脂（Ｂ）の含有量は、前記不純物拡散成分（Ａ）、前記バインダー樹脂（Ｂ）、および前記ＳｉＯ２微粒子（Ｃ）の固形成分の全質量に対して５質量％以上６０質量％以下であることを特徴とする」及び 「【００１２】 本発明の他の態様は不純物拡散層の形成方法であり、この不純物拡散層の形成方法は、上記態様の拡散剤組成物を印刷して単層の塗膜を形成する塗膜形成工程と、拡散剤組成物の不純物拡散成分（Ａ）を半導体基板に拡散させる拡散工程と、を含むことを特徴とする。」 と訂正する。 ２　訂正の目的の適否、一群の請求項、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更、及び、独立特許要件違反の存否 （１）訂正事項１について ア　訂正の目的の適否 （ア）訂正事項１は、請求項１を、訂正前の「前記不純物拡散成分（Ａ）が熱拡散を開始する温度未満の温度で熱分解して消失するバインダー樹脂（Ｂ）」が、訂正後はさらに「メチルメタクリレート、メタクリル酸、イソブチルメタクリレート、ターシャリーブチルメタクリレート、アクリル酸、エチルアクリレート、メチルアクリレート、ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルメタクリレート、およびブチルメタクリレートからなる群から選択される重合性モノマーの少なくとも１つで構成されるアクリル系樹脂を含む」ものであること、及び、訂正前の「拡散剤組成物」が、訂正後は「水を含ま」ないものであることを、それぞれ限定するように訂正するものである。 （イ）そして、請求項１を直接又は間接に引用する請求項２～８についても、同様の限定をするように訂正するものである。 （ウ）したがって、訂正事項１に係る訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。 イ　新規事項の有無 （ア）訂正事項１のうち、「バインダー樹脂（Ｂ）」に関する訂正は、明細書の段落【００２６】の記載に基づくものと認められる。 （イ）また、訂正事項１のうち、「拡散剤組成物」が「水を含ま」ないという訂正は、明細書の段落【００４９】～【００５１】に記載された表１～３の実施例１～１７のすべてにおいて、不純物拡散成分（Ａ）、バインダー樹脂（Ｂ）、ＳｉＯ２微粒子（Ｃ）、及び有機溶剤（Ｄ）の質量％の総和が１００％であることに基づくものと認められる。 （ウ）したがって、訂正事項１に係る訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でなされたものであるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項の規定に適合する。 ウ　特許請求の範囲の拡張・変更 訂正事項１は、上記アで述べたとおり特許請求の範囲の減縮を目的とし、また、発明の課題や目的を変更する訂正でもないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでない。 したがって、訂正事項１に係る訂正は、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項の規定に適合する。 エ　独立特許要件 （ア）訂正前の請求項５に対しては特許異議の申立てはなされていないので、訂正前の請求項１を引用する請求項５に係る訂正事項１については、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の規定により、訂正後の請求項１を引用する請求項５に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものでなければならない。 （イ）訂正後の請求項５に係る発明は、訂正後の請求項１を引用する「前記バインダー樹脂（Ｂ）は、アクリル系樹脂を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の拡散剤組成物。」という請求項４をさらに引用する、「前記アクリル系樹脂は、ブチラール基を有することを特徴とする請求項４に記載の拡散剤組成物。」というものである。 すなわち、訂正後の請求項５に係る発明は、訂正後の請求項１を引用して、「前記バインダー樹脂（Ｂ）」がブチラール基を有するアクリル系樹脂を含むことを発明特定事項とするものである。 そして、訂正後の請求項５に係る発明における上記の発明特定事項は、異議申立人が提出した甲第１ないし４号証のいずれにも記載も示唆もされていないから、訂正後の請求項５に係る発明は、甲第１ないし４号証のいずれかに記載された発明であるということはできないし、また、甲第１ないし４号証にそれぞれ記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到し得たものであるということもできない。 さらに、他に、訂正後の請求項５に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由があるとは認められない。 （ウ）したがって、訂正後の請求項５に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由を見出すことができない。 （２）訂正事項２について ア　訂正の目的の適否 訂正事項２は、請求項７及び請求項７を引用する請求項８を、訂正前の「拡散剤組成物を印刷」して「形成」する「塗膜」が、訂正後は「単層の塗膜」であることを限定するように訂正するものである。 したがって、訂正事項２に係る訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。 イ　新規事項の有無 訂正事項２は、明細書の段落【００３５】及び【００３６】の記載、図１（Ｃ）において、１層の拡散剤組成物２が図示されていることに基づくものと認められる。 したがって、訂正事項２に係る訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でなされたものであるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項の規定に適合する。 ウ　特許請求の範囲の拡張・変更 訂正事項２は、上記アで述べたとおり特許請求の範囲の減縮を目的とし、また、発明の課題や目的を変更する訂正でもないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでない。 したがって、訂正事項２に係る訂正は、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項の規定に適合する。 （３）訂正事項３について ア　訂正の目的の適否 訂正事項３は、明細書の記載を、訂正事項１及び訂正事項２の訂正により訂正される特許請求の範囲の記載に整合させることを目的としていると認められる。 したがって、訂正事項３に係る訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものと認められる。 イ　新規事項の有無 訂正事項３に係る訂正は、訂正事項１及び訂正事項２で指摘したと同じ理由により、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項の規定に適合する。 ウ　特許請求の範囲の拡張・変更 訂正事項３に係る訂正は、訂正事項１及び訂正事項２で指摘したと同じ理由により、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項の規定に適合する。 （４）一群の請求項について 訂正事項１、２に係る各訂正は、一群の請求項ごとに請求されたものである。 したがって、訂正事項１、２に係る各訂正は、特許法第１２０条の５第４項の規定に適合する。 ３　小括 以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項、同条第９項において準用する同法第１２６条第４項から第６項までの規定、及び、同条第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するので、訂正後の請求項〔１－８〕について訂正を認める。 第３　特許異議の申立てについて １　本件発明 本件訂正請求により訂正された訂正請求項１ないし８に係る発明（以下「本件発明１」ないし「本件発明８」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 「【請求項１】 半導体基板への不純物拡散成分の印刷に用いられる拡散剤組成物であって、 不純物拡散成分（Ａ）と、 前記不純物拡散成分（Ａ）が熱拡散を開始する温度未満の温度で熱分解して消失するバインダー樹脂（Ｂ）であって、メチルメタクリレート、メタクリル酸、イソブチルメタクリレート、ターシャリーブチルメタクリレート、アクリル酸、エチルアクリレート、メチルアクリレート、ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルメタクリレート、およびブチルメタクリレートからなる群から選択される重合性モノマーの少なくとも１つで構成されるアクリル系樹脂を含むバインダー樹脂（Ｂ）と、 ＳｉＯ２微粒子（Ｃ）と、 沸点が１００℃以上の有機溶剤（Ｄ１）を含む有機溶剤（Ｄ）と、 を含有し、 水を含まず、 前記バインダー樹脂（Ｂ）は、その熱分解温度が４００℃未満であり、 前記バインダー樹脂（Ｂ）の含有量は、前記不純物拡散成分（Ａ）、前記バインダー樹脂（Ｂ）、および前記ＳｉＯ２微粒子（Ｃ）の固形成分の全質量に対して５質量％以上６０質量％以下であることを特徴とする拡散剤組成物。」 「【請求項２】 前記バインダー樹脂（Ｂ）は、その熱分解温度が、前記不純物拡散成分（Ａ）が熱拡散を開始する温度よりも２００℃低い温度未満であることを特徴とする請求項１に記載の拡散剤組成物。」 「【請求項３】 前記バインダー樹脂（Ｂ）は、非シリコン系樹脂であることを特徴とする請求項１または２に記載の拡散剤組成物。」 「【請求項４】 前記バインダー樹脂（Ｂ）は、アクリル系樹脂を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の拡散剤組成物。」 「【請求項５】 前記アクリル系樹脂は、ブチラール基を有することを特徴とする請求項４に記載の拡散剤組成物。」 「【請求項６】 前記有機溶剤（Ｄ）は、前記有機溶剤（Ｄ１）を、有機溶剤（Ｄ）の全質量に対して１０質量％以上となるように含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の拡散剤組成物。」 「【請求項７】 半導体基板に、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の拡散剤組成物を印刷して単層の塗膜を形成する塗膜形成工程と、 前記拡散剤組成物の不純物拡散成分（Ａ）を前記半導体基板に拡散させる拡散工程と、 を含むことを特徴とする不純物拡散層の形成方法。」 「【請求項８】 前記塗膜形成工程において、ロールコート印刷法またはスクリーン印刷法により、半導体基板に拡散剤組成物を印刷することを特徴とする請求項７に記載の不純物拡散層の形成方法。」 ２　取消理由の概要 訂正前の請求項１ないし４及び請求項６ないし８に係る特許に対して平成２８年７月１５日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。 １　本件出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。 ２　本件出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 記 甲第１号証：特開２００７－５３３５３号公報 甲第２号証：鶴田四郎、外２名、（261～262）熱天秤による高分子物質の研究（第1～2報）、工業化学雑誌、昭和２６年８月、第５４巻、第８冊、第５２４～５２７頁 甲第３号証：特開２００６－３１０３７３号公報 甲第４号証：特開平９－１８１００９号公報 Ａ　甲１に基づく取消理由 本件発明１ないし４、及び、本件発明６ないし８は、甲１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。 仮にそうでないとしても、本件発明１ないし４、及び、本件発明６ないし８は、甲２の記載を参酌すれば、引用発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。 Ｂ　甲３に基づく取消理由 本件発明１ないし４、及び、本件発明６ないし８は、甲３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。 ３　甲第１号証に基づく取消理由について （１）甲号証の記載 ア　甲第１号証の記載事項 甲第１号証（特開２００７－５３３５３号公報）には、「リン拡散用塗布液」（発明の名称）について、以下の事項が記載されている（下線は参考のため当審において付したもの。以下同様。）。 （ア）課題と課題解決手段 ・「【０００３】 拡散用塗布液としては、基本的にリン化合物などのドーパント発生源、水溶性高分子および水を含有する拡散用塗布液が知られている（たとえば、特許文献１～５参照）。ところが、この従来の拡散用塗布液をそのままスクリーン印刷法に適用しても、粘度が著しく低いため印刷面が安定せず、かつ速乾性が高く連続印刷が不可能であり、均一な拡散膜を形成させることが困難であるという問題を有している。 ……（中略）…… 【課題を解決するための手段】 【０００６】 本発明者は、上記実情に鑑み、検討した結果、塗布液の粘度を特定範囲に調節することにより、本発明の目的が達成されることを見出し、本発明を完成した。 【０００７】 すなわち、本発明の要旨は、（Ａ）リン化合物、（Ｂ）水溶性高分子化合物、および（Ｃ）水を含み、２０℃での粘度が５００～１０００００ｍＰａ・ｓであることを特徴とするリン拡散用塗布液に存する。」 （イ）リン拡散用塗布液について ・「【特許請求の範囲】 【請求項１】 （Ａ）リン化合物、（Ｂ）水溶性高分子化合物、（Ｃ）水を含み、２０℃での粘度が５００～１０００００ｍＰａ・ｓであることを特徴とするリン拡散用塗布液。」 ・「【技術分野】 【０００１】 本発明は、新規なリン拡散用塗布液、さらに詳しくはシリコン半導体の表面にリンを拡散するための新規なリン拡散用塗布液に関する。」 ・「【００５２】 工程１におけるリン拡散用塗布液の塗布法としては、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、凸版印刷法、平版印刷法、スピンコータ－法、コンマコーター法、ダイへッドコーター法、ダイリップコーター法およびグラビア印刷法のいずれを適用してもよいが、本発明の塗布液はスクリーン印刷に適用するのが好ましい。その結果、４インチ以上、とくに４～６インチ以上のウェーハを対象とし、各種膜厚の塗膜を均一に印刷することができる。」 ・「【００９６】 ＜シリコン半導体ウェーハへの塗布、拡散＞ １３インチサイズのガラス上に仮止めした１０～２０Ω・ｃｍの比抵抗値を有するＮ型シリコンウェーハ（厚み：２００μｍ、大きさ：４インチ）上にスクリーン印刷機およびポリエステル製＃３８０メッシュを使用して実施例１～５のリン拡散用塗布液を用い、塗膜厚さが３．０～３．５μｍになるようにスクリーン印刷を行った。」 （ウ）リン化合物について ・「【０００９】 本発明のリン拡散用塗布液は、（Ａ）リン化合物、（Ｂ）水溶性高分子化合物、および（Ｃ）水を含有し、２０℃での粘度が５００～１０００００ｍＰａ・ｓである。」 ・段落【００６５】、【００６９】、【００７３】、【００７７】及び【００８１】には、「実施例２」ないし「実施例６」において、前記「リン拡散用塗布液」が含む「リン化合物」がリン酸（Ｈ３ＰＯ４）であることが記載されている。 ・「【００５５】 工程３の拡散工程は工程２後のウェーハを枚葉、または複数枚を重ね合わせた状態にて電気炉等において高温（８００～１４００℃）で所望の時間維持することによりリンをウェーハの所望の面に拡散させることをいう。」 ・「【００９６】 ＜シリコン半導体ウェーハへの塗布、拡散＞ １３インチサイズのガラス上に仮止めした１０～２０Ω・ｃｍの比抵抗値を有するＮ型シリコンウェーハ（厚み：２００μｍ、大きさ：４インチ）上にスクリーン印刷機およびポリエステル製＃３８０メッシュを使用して実施例１～５のリン拡散用塗布液を用い、塗膜厚さが３．０～３．５μｍになるようにスクリーン印刷を行った。 【００９７】 次いで、ウェーハを１００℃設定の乾燥機中で３０分間乾燥した後、最高温度が５８０℃で３８０～４００℃にて脱灰工程を経る温度プロファイルとなる連続焼成炉にて焼成した。その後、電気炉に入れ、室温から１２００℃まで昇温させ、１２００℃で１２時間維持した後、室温まで温度を下げてリンを拡散した。」 （エ）水溶性高分子化合物について ・「【請求項３】 水溶性高分子化合物（Ｂ）が、ポリビニルアルコールであることを特徴とする請求項１または２記載のリン拡散用塗布液。」 ・「【００２１】 リン拡散用塗布液中の水溶性高分子化合物（Ｂ）の含有量は、塗布液中、３～２５重量％が好ましく、５～２０重量％がより好ましい。水溶性高分子化合物（Ｂ）の含有量が３重量％未満では、塗布液の粘度が低くなり、よってリンの供給量不足となる傾向がある。また、水溶性高分子化合物（Ｂ）の含有量が２５重量％をこえると、粘度が高くなりすぎ塗布時に気泡が発生したり、レベリング不足に伴う半導体デバイスの抵抗値のバラツキの原因となり好ましくない傾向がある。」 ・段落【００６６】、【００７０】、【００７４】、【００７８】及び【００８２】には、「実施例２」ないし「実施例６」において、前記「リン拡散用塗布液」が含む「水溶性高分子化合物」が「ＰＶＡ」（ポリビニルアルコール）であることが記載されている。 （オ）シリカについて ・「【００４４】 本発明のリン拡散用塗布液は、さらに、シリカ（Ｆ）を含有することができる。本発明に用いられるシリカ（Ｆ）としては、コロイダルシリカ、非晶質シリカ、フュームドシリカ等を挙げることができ、好適にはコロイダルシリカが用いられる。シリカ（Ｆ）を配合することにより、リン拡散用塗布液中のリンの拡散濃度を向上させることができる。かかるシリカ（Ｆ）の形状としては、球状、粒状、パウダー状、数珠状等が挙げられる。 【００４５】 また、シリカ（Ｆ）の平均粒子径は、０．００１～５０μｍが好ましく、０．００５～３０μｍがより好ましく、０．００５～２０μｍがさらに好ましい。かかる粒子径が０．００１μｍ未満では、塗工液の流動性が低下することがあり、また、逆に５０μｍをこえると、塗布液の安定性が低下する傾向がある。」 （カ）水混和性有機溶剤について ・「【請求項４】 さらに、沸点が１００℃以上の水混和性有機溶剤（Ｄ）を含有することを特徴とする請求項１、２または３記載のリン拡散用塗布液。 【請求項５】 水混和性有機溶剤（Ｄ）が、ジエチレングリコール誘導体であることを特徴とする請求項４記載のリン拡散用塗布液。」 ・段落【００６４】、【００６８】、【００７２】、【００７６】及び【００８０】には、「実施例２」ないし「実施例６」において、前記「リン拡散用塗布液」が含む「水混和性有機溶剤」が、所定重量の「ジエチレングリコールモノメチルエーテル（沸点：１９２℃）」に所定重量の「２，４，７，９－テトラメチル－５－デシン－４，７－ジオールのエトキシル化体（一般式（１）中、ｍ＋ｎ≒１．３）」を添加したものであることが記載されている。 （キ）リン拡散塗布液の成分割合について ・「【００６３】 実施例２ ……（中略）…… 【００６６】 作製したリン拡散塗布液中のリン酸（Ｈ３ＰＯ４）の含有量は３０．７重量％、ＰＶＡの含有量は７．２重量％、ジエチレングリコールモノメチルエーテルの含有量は１０．８重量％、水の含有量は４１．６重量％、シリカの含有量は７．２重量％および２，４，７，９－テトラメチル－５－デシン－４，７－ジオールのエトキシル化体の含有量は２．５重量％であった。」 ・「【００６７】 実施例３ ……（中略）…… 【００７０】 作製したリン拡散塗布液中のリン酸（Ｈ３ＰＯ４）の含有量は２３．８重量％、ＰＶＡの含有量は１４．０重量％、ジエチレングリコールモノメチルエーテルの含有量は８．４重量％、水の含有量は４６．２重量％、シリカの含有量は５．６重量％、および２，４，７，９－テトラメチル－５－デシン－４，７－ジオールのエトキシル化体の含有量は２．０重量％であった。」 ・【００７１】 実施例４ ……（中略）…… 【００７４】 作製したリン拡散塗布液中のリン酸（Ｈ３ＰＯ４）の含有量は３４．０重量％、ＰＶＡの含有量は５．０重量％、ジエチレングリコールモノメチルエーテルの含有量は５．０重量％、水の含有量は５１．０重量％、シリカの含有量は３．３重量％、および２，４，７，９－テトラメチル－５－デシン－４，７－ジオールのエトキシル化体の含有量は１．７重量％であった。」 ・「【００７５】 実施例５ ……（中略）…… 【００７８】 作製したリン拡散塗布液中のリン酸（Ｈ３ＰＯ４）の含有量は１８．８重量％、ＰＶＡの含有量は８．８重量％、ジエチレングリコールモノメチルエーテルの含有量は２２．１重量％、水の含有量は３８．８重量％、シリカの含有量は８．８重量％、および２，４，７，９－テトラメチル－５－デシン－４，７－ジオールのエトキシル化体の含有量は２．７重量％であった。」 ・「【００７９】 実施例６ ……（中略）…… 【００８２】 作製したリン拡散塗布液中のリン酸（Ｈ３ＰＯ４）の含有量は２９．３重量％、ＰＶＡの含有量は６．９重量％、ジエチレングリコールモノメチルエーテルの含有量は１０．３重量％、水の含有量は３９．７重量％、シリカの含有量は６．９重量％および２，４，７，９－テトラメチル－５－デシン－４，７－ジオールのエトキシル化体の含有量は６．９重量％であった。」 イ　甲第１号証に記載された発明 上記（キ）から、甲第１号証の実施例２～実施例６における「リン拡散用塗布液」中の固形成分である「リン酸（Ｈ３ＰＯ４）」、「ＰＶＡ」及び「シリカ」の全質量に占める前記「ＰＶＡ」の含有量は、実施例２が７．２／（３０．７＋７．２＋７．２）＝１６．０％、同様に、実施例３が３２．３％、実施例４が１１．８％、実施例５が２４．２％、実施例６が１６．０％である。 そうすると、以上の（ア）～（キ）を総合すると、甲第１号証には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。 「シリコン半導体の表面へリンを拡散させるためのリン拡散用塗布液の印刷に用いられ、２０℃での粘度が５００～１０００００ｍＰａ・ｓであるリン拡散用塗布液であって、 ドーパントとしての前記リンの発生源であるリン酸と、 前記塗布液の粘度を調整するための水溶性高分子化合物であるポリビニルアルコールと、 平均粒径が０．００１～５０μｍのシリカの粒子と、 沸点が１９２℃のジエチレングリコールモノメチルエーテルに、所定重量の２，４，７，９－テトラメチル－５－デシン－４，７－ジオールのエトキシル化体を添加した水混和性有機溶剤と、 水と、 を含有し、 前記リン拡散用塗布液の固形成分である前記リン酸、前記ポリビニルアルコール及び前記シリカの粒子の全質量に占める前記ポリビニルアルコールの含有量は、１１．８質量％以上３２．３質量％以下であるリン拡散用塗布液。」 ウ　甲第２号証の記載事項 甲第２号証（鶴田四郎、外２名、（261～262）熱天秤による高分子物質の研究（第1～2報）、工業化学雑誌、昭和２６年８月、第５４巻、第８冊、第５２４～５２７頁）には、以下の事項が記載されている。 （ア）「ポリ塩化ビニル（Ｐ．Ｖ．Ｃ”．）とポリ醋酸ビニル（Ｐ．Ｖ．Ａｃ．） Ｐ．Ｖ．Ｃ．の熱分解曲線を第１図に，Ｐ．Ｖ．Ａｃ．のそれを第２図に示す。試料は何れも市販品をそのまゝ使用した（文献（２）の）Ｐ．Ｖ．Ｃ．として示した図はスチロール83％，メタクリルメチル17％共重合体の図につき訂正する）。Ｐ．Ｖ．Ｃ．は比較的多くの市販品に就て実験したが変曲点Ｍに於ける減量率は大体等しく58～60％となった。Ｐ．Ｖ．Ａｃ．では69～70％となり…（中略）…分解反応が完了する場合の理論減量率58.4％(Ｐ．Ｖ．Ｃ．)，69.8％(Ｐ．Ｖ．Ａｃ．)とよく一致する。」（第５２４頁左欄第１０～２１行） （イ）横軸が「加熱温度（℃）」であり、縦軸が「減量率（％）」である第２図（第５２４頁右欄）に記載された、ポリ醋酸ビニルの熱分解曲線から、同図には、ポリ醋酸ビニルは、加熱温度が約５０℃で減量を開始すること、その後減量率が比較的緩やかに増加した後、加熱温度が約２２０℃を超えると減量率が急激に立ち上がること、加熱温度が約２８０℃で上記の変曲点Ｍに達すること、が記載されている。 （ウ）「第３図にポリメタクリルメチル（実線）とポリスチロール（点線）の結果をしめす。これらは熱分解により単量体を殆んど定量的に與える重合体であって熱分解曲線もその事実を裏書きしている。以下Ｐ．Ｖ．Ｃ．又はＰ．Ｖ．Ａｃ．のような熱分解曲線を分解型，第３図のような曲線を解重合型の曲線と呼ぶことゝする。」（第５２４頁左欄第２３行～右欄第４行） （エ）横軸が「加熱温度（℃）」であり、縦軸が「減量率（％）」である第３図（第５２４頁右欄）に記載された、ポリメタクリルメチルの熱分解曲線を示す実線の曲線から、同図には、ポリメタクリルメチルは、加熱温度が約１４０℃で減量を開始すること、その後減量率が急激に立ち上がること、約２５０℃を超えると約９５％を超える範囲で減量率は緩やかにが増加すること、が記載されている。 （オ）「ポリビニルアルコール（Ｐ．Ｖ．Ａ．）とポリビニルホルマール（Ｐ．Ｆ．Ａ．） 第５図はＰ．Ｖ．Ａ．（実線）とＰ．Ｆ．Ａ．（点線）の熱分解曲線であるが，何れも解重合型となっている。Ｐ．Ｖ．Ａ．の熱分解に関しては野間氏3)の研究があり，100ｇのＰ．Ｖ．Ａ．から26ｇのＨ２Ｏ，26ｇのクロトンアルデヒド，24ｇのアセタルデヒドが採れた。同氏は，はじめに脱水が起りその際主鎖中に出来る二重結合のため主鎖が切断されてクロトンアルデヒドを生じ，また新たに生じた主鎖端のカルボニルのため主鎖が切断されてアセタルデヒドが出来るという分解機構が提案された。第５図の熱分解曲線によれば野間氏によって提案されたような複雑な分解が極めて急激に進行し，あたかもＰ．Ｖ．Ａ．→ビニルアルコールという完全解重合が起っているような印象を与える。擬解重合曲線とでも呼ぶべき場合であろう。」（第５２５頁左欄第１７～３０行） （カ）横軸が「加熱温度（℃）」であり、縦軸が「減量率（％）」である第５図（第５２５頁右欄）に記載された、ポリビニルアルコールの熱分解曲線を示す実線の曲線から、同図には、ポリビニルアルコールは、加熱温度が約８０℃で減量を開始すること、その後約２００℃までは減量率が緩やかに増加すること、約２００℃では減量率が約５％程度であること、約２００℃を超えると減量率が急激に立ち上がること、約２５０℃を超えると減量率は約９５％以上となること、が記載されている。 （２）本件発明１についての対比・判断 ア　対比 本件発明１と引用発明１とを対比する。 （ア）引用発明１の「シリコン半導体の表面へリンを拡散させるためのリン拡散用塗布液の印刷に用いられ、２０℃での粘度が５００～１０００００ｍＰａ・ｓであるリン拡散用塗布液」は、本件発明１の「半導体基板への不純物拡散成分の印刷に用いられる拡散剤組成物」に相当する。 （イ）引用発明１の「ドーパントとしての前記リンの発生源であるリン酸」は、本件発明１の「不純物拡散成分（Ａ）」に相当する。 （ウ）引用発明１の「前記塗布液の粘度を調整するための水溶性高分子化合物であるポリビニルアルコール」は、引用発明１の「リン拡散用塗布液」において、「前記塗布液」に所要の粘性を与えるためのバインダー樹脂として機能していると認められる。 さて、甲第１号証における、段落【００５５】の「工程３の拡散工程は工程２後のウェーハを枚葉、または複数枚を重ね合わせた状態にて電気炉等において高温（８００～１４００℃）で所望の時間維持することによりリンをウェーハの所望の面に拡散させる」、段落【００９７】の「１２００℃で１２時間維持した後、室温まで温度を下げてリンを拡散した。」という記載から、引用発明１の「リン酸」を「発生源」とする「リン」は、少なくとも８００℃で「シリコン半導体の表面」への「拡散」を開始すると認められる。 そして、上記ウ（オ）～（カ）の甲第２号証の記載から、引用発明１の前記「ポリビニルアルコール」は、上記の、「リン」が「拡散」を開始する温度である少なくとも８００℃未満の温度で熱分解して消失することは、甲第１号証に記載されているに等しい事項であるといい得るほど、当業者には周知慣用の事項であると認められる。 そうすると、引用発明１の「前記塗布液の粘度を調整するための水溶性高分子化合物であるポリビニルアルコール」と、本件発明１の「前記不純物拡散成分（Ａ）が熱拡散を開始する温度未満の温度で熱分解して消失するバインダー樹脂（Ｂ）であって、メチルメタクリレート、メタクリル酸、イソブチルメタクリレート、ターシャリーブチルメタクリレート、アクリル酸、エチルアクリレート、メチルアクリレート、ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルメタクリレート、およびブチルメタクリレートからなる群から選択される重合性モノマーの少なくとも１つで構成されるアクリル系樹脂を含むバインダー樹脂（Ｂ）」とは、「前記不純物拡散成分（Ａ）が熱拡散を開始する温度未満の温度で熱分解して消失するバインダー樹脂（Ｂ）」である点で共通する。 （エ）引用発明１の「平均粒径が０．００１～５０μｍのシリカの粒子」は、本件発明１の「ＳｉＯ２微粒子（Ｃ）」に相当する。 （オ）引用発明１の「沸点が１９２℃のジエチレングリコールモノメチルエーテル」に「所定重量の２，４，７，９－テトラメチル－５－デシン－４，７－ジオールのエトキシル化体を添加した水混和性有機溶剤」は、本件発明１の「沸点が１００℃以上の有機溶剤（Ｄ１）を含む有機溶剤（Ｄ）」に相当する。 （カ）上記ウの甲第２号証の記載から、引用発明１の前記「ポリビニルアルコール」は、４００℃未満の温度で熱分解して消失することは、甲第１号証に記載されているに等しい事項であるといい得るほど、当業者には周知慣用の事項であると認められる。 （キ）引用発明１において「前記リン拡散用塗布液の固形成分である前記リン酸、前記ポリビニルアルコール及び前記シリカの粒子の全質量に占める前記ポリビニルアルコールの含有量は、１１．８質量％以上３２．３質量％以下である」ことは、本件発明１において「前記バインダー樹脂（Ｂ）の含有量は、前記不純物拡散成分（Ａ）、前記バインダー樹脂（Ｂ）、および前記ＳｉＯ２微粒子（Ｃ）の固形成分の全質量に対して５質量％以上６０質量％以下である」ことに包含される。 イ　一致点及び相違点 以上から、本件発明１と引用発明１とは、以下の点で一致するとともに、以下の点で相違する。 ＜一致点＞ 「半導体基板への不純物拡散成分の印刷に用いられる拡散剤組成物であって、 不純物拡散成分（Ａ）と、 前記不純物拡散成分（Ａ）が熱拡散を開始する温度未満の温度で熱分解して消失するバインダー樹脂（Ｂ）と、 ＳｉＯ２微粒子（Ｃ）と、 沸点が１００℃以上の有機溶剤（Ｄ１）を含む有機溶剤（Ｄ）と、 を含有し、 前記バインダー樹脂（Ｂ）は、その熱分解温度が４００℃未満であり、 前記バインダー樹脂（Ｂ）の含有量は、前記不純物拡散成分（Ａ）、前記バインダー樹脂（Ｂ）、および前記ＳｉＯ２微粒子（Ｃ）の固形成分の全質量に対して５質量％以上６０質量％以下であることを特徴とする拡散剤組成物。」 ＜相違点＞ ＜相違点１＞ 本件発明１の「バインダー樹脂（Ｂ）」は「メチルメタクリレート、メタクリル酸、イソブチルメタクリレート、ターシャリーブチルメタクリレート、アクリル酸、エチルアクリレート、メチルアクリレート、ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルメタクリレート、およびブチルメタクリレートからなる群から選択される重合性モノマーの少なくとも１つで構成されるアクリル系樹脂を含む」のに対して、引用発明１の「水溶性高分子化合物」は「ポリビニルアルコール」である点。 ＜相違点２＞ 本件発明１の「拡散剤組成物」は「水を含ま」ないのに対して、引用発明１の「リン拡散用塗布液」は「水」を「含有」する点。 ウ　判断 ウ－１　特許法第２９条第１項第３号について 本件発明１と引用発明１とは、上記の相違点１及び相違点２の点で実質的に相違しており、同一の発明ではなくなった。 したがって、本件発明１が甲第１号証に記載された発明であるとすることはできない。 ウ－２　特許法第２９条第２項について （ア）相違点２について検討する。 （イ）第３の３（１）ア（ア）で摘記したように、甲第１号証には、「基本的にリン化合物などのドーパント発生源、水溶性高分子および水を含有」する「従来の拡散用塗布液」が「粘度が著しく低いため印刷面が安定せず、かつ速乾性が高く連続印刷が不可能であり、均一な拡散膜を形成させることが困難であるという問題」を解決すべき課題としていること、「リン拡散用塗布液」が「（Ａ）リン化合物、（Ｂ）水溶性高分子化合物、および（Ｃ）水を含み、２０℃での粘度が５００～１０００００ｍＰａ・ｓである」ことが、前記課題を解決するための「発明の要旨」であること、が記載されている。 そして、引用発明１は、「前記塗布液の粘度を調整するための水溶性高分子化合物であるポリビニルアルコール」を「含有」している。 （ウ）したがって、引用発明１において、前記「粘度を調整するための水溶性高分子化合物」の溶媒となる「水」を「含有」することは、発明の課題を解決するための前提として必要な必須の構成である。 そうすると、引用発明１の「リン拡散用塗布液」に「水」を含ませないことは、前記課題解決手段の前提を欠くこととなるので、当業者が想起したとは認められない。 （エ）よって、相違点１について検討するまでもなく、本件発明１は、甲第２号証の記載を参酌したとしても、引用発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。 （２）本件発明２ないし４及び本件発明６ないし８についての判断 ア　特許法第２９条第１項第３号について 本件発明２ないし４及び本件発明６ないし８は、訂正後の請求項１を直接又は間接に引用する発明であるから、本件発明１をさらに限定した発明である。 したがって、本件発明１と同様に、本件発明２ないし４及び本件発明６ないし８は、いずれも、引用発明１と同一の発明ではないから、甲第１号証に記載された発明であるとすることはできない。 イ　特許法第２９条第２項について 本件発明２ないし４及び本件発明６ないし８は、いずれも、本件発明１をさらに限定した発明であるから、本件発明１と同様に、甲第２号証の記載を参酌したとしても、引用発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。 （４）甲第１号証に基づく取消理由のまとめ 以上のとおりであるから、甲第１号証に基づく取消理由によっては、もはや、本件発明１ないし４及び本件発明６ないし８を取り消すことはできない。 ４　甲第３号証に基づく取消理由について （１）甲号証の記載 ア　甲第２号証の記載事項 甲第２号証の記載事項については、第３の３（１）ウ（ア）ないし（カ）で摘記したとおりである。 イ　甲第３号証の記載事項 甲第３号証（特開２００６－３１０３７３号公報）には、「太陽電池の製造方法及び太陽電池並びに半導体装置の製造方法」（発明の名称）について、以下の事項が記載されている （ア）課題と課題解決手段 ・「【発明が解決しようとする課題】 【００１１】 本発明は上記課題を鑑みなされたものであり、オーミックコンタクトを得ながら、受光面の電極以外の部分での表面再結合およびエミッタ内の再結合を抑制することにより、光電変換効率を向上させた太陽電池を、簡便かつ容易な方法により安価に製造することができる太陽電池の製造方法及び太陽電池、並びに半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 【課題を解決するための手段】 【００１２】 上記目的達成のため、本発明は、第１導電型の半導体基板にｐｎ接合を形成して太陽電池を製造する方法であって、少なくとも、前記第１導電型の半導体基板上にドーパントとドーパント飛散防止剤とを含む第１塗布剤と少なくとも第１塗布剤に接するようにドーパントを含む第２塗布剤とを塗布した後、拡散熱処理により、第１塗布剤の塗布により形成される第１拡散層と、第２塗布剤の塗布により形成され、第１拡散層より導電率が低い第２拡散層とを同時に形成することを特徴とする太陽電池の製造方法を提供する（請求項１）。」 （イ）第１塗布剤としての拡散ペーストについて ・「【請求項１】 第１導電型の半導体基板にｐｎ接合を形成して太陽電池を製造する方法であって、少なくとも、前記第１導電型の半導体基板上にドーパントとドーパント飛散防止剤とを含む第１塗布剤と少なくとも第１塗布剤に接するようにドーパントを含む第２塗布剤とを塗布した後、拡散熱処理により、第１塗布剤の塗布により形成される第１拡散層と、第２塗布剤の塗布により形成され、第１拡散層より導電率が低い第２拡散層とを同時に形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。」 ・「【００４７】 引き続き、基板を洗浄した後、基板の受光面１ａに第１塗布剤としてリン酸等のドーパント及びこのドーパントの飛散防止剤を含有した拡散ペースト８をスクリーン印刷装置によって印刷し、塗布する。このとき拡散ペースト８がスクリーン印刷用であれば、スクリーン印刷装置で容易に塗布できる。またこのようにドーパントとドーパント飛散防止剤とを含む拡散ペーストであれば、これを半導体基板に塗布してドーパントの熱拡散を行う際に、ドーパントのアウトディフュージョンを防止できるものとなる。このときの印刷はストライプ状のラインパターンやドットパターンとすることができ、例えばラインパターンの場合の印刷パターンは２ｍｍピッチ、１５０μｍ幅ラインとできる。ドーパント飛散防止剤は、珪素化合物を含むものとすることができ、特に好ましくは珪素化合物をＳｉＯ２とし、例えばシリカゲルとして配合すれば、拡散ペーストの粘度を高濃度拡散層の形成のために効果的に制御できる。すなわち、高粘度であるため、ドーパントを高濃度に保持でき、アウトディフュージョンを確実に防止できる。 【００４８】 そして、このように拡散ペースト８を印刷した基板を７００℃で３０分間ベークし、その後、第２塗布剤として五酸化二リン等のドーパントおよびオートドープ防止剤として好ましくはアルコキシシラン等の珪素化合物前駆体をはじめとする珪素化合物を含有した塗布剤９を、拡散ペースト８と接するように同一面上に塗布する。このような塗布は、例えば３０００ｒｐｍ、１５秒の条件でスピン塗布することで行うことができるが、スクリーン印刷により行なってもよい。その後、このように作製したサンプル基板を熱処理炉に入れ、８８０℃で３０分間保持して拡散熱処理を行ない、取り出す。これにより第１拡散層２（高濃度拡散層又は高濃度エミッタ層ともいう）と、第１拡散層より導電率が低い第２拡散層３（低濃度拡散層又は低濃度エミッタ層ともいう）とを同時に形成することができ、ｐｎ接合が形成される。低濃度エミッタ層である拡散ペースト印刷部以外の箇所、すなわち塗布剤９のみが塗布された箇所のシート抵抗は、８０から１１０Ω／□とできる。また、拡散ペーストを印刷した部分のドーパントの表面濃度は２×１０２０ｃｍ－２程度とできる。 【００４９】 上記においては、第１塗布剤はスクリーン印刷により塗布される高粘度のペーストであり、高濃度のドーパントを含むことができるし、塗布厚を厚くできるので、高濃度拡散層を形成できる。しかも、このときドーパント飛散防止剤が配合されているので、より高粘度とできるし、アウトディフュージョンも防止される。一方、第２塗布剤は、スピンコートで塗布される低粘度のものであり、塗布厚は薄くなる。従って、低濃度拡散層を形成できる。このとき、オートドープ防止剤が配合されていれば、表面に膜が形成され、オートドープが防止される。」 ・「【００６８】 これまで同種類のドーパントを用い濃度差を発現させる方法を述べてきたが、他の方法としては拡散係数の異なる元素をドーパントとして利用すれば、同一温度の熱処理でも確実に濃度差を生み出すことが可能である。例えば、９００℃近傍のリンの拡散係数はアンチモンの拡散係数から２桁高い。どちらもｎ型ドーパントであり、ｐ型基板に対しドナーとなるため、ドーパントがリンである塗布剤とアンチモンである塗布剤を用意することで二段エミッタを容易に作製することが可能である。 なお、上記において、シリカゲル等の珪素化合物を含む第３塗布剤を、第１塗布剤及び／又は第２塗布剤の上部を覆うように塗布し、その後前記拡散熱処理を行えば、さらにアウトディフュージョンやオートドープを防止でき、これによって二段エミッタにおける高濃度拡散層と低濃度拡散層との表面濃度差を極めて確実に形成できる。」 ・「【００９５】 引き続き、基板を洗浄した後、基板の受光面にリン酸およびシリカゲルを含有した拡散ペーストをスクリーン印刷機によって印刷し、塗布した。このときの印刷パターンは２ｍｍピッチ、１５０μｍ幅ラインのラインパターンとした。印刷した基板を７００℃で３０分間ベークし、その後、五酸化二リンおよびアルコキシシランを含有した塗布剤を、拡散ペーストと接するように同一面上に塗布した。この塗布は、３０００ｒｐｍ、１５秒の条件でスピン塗布することで行った。その後、このように作製したサンプル基板を熱処理炉に入れ、８８０℃で３０分間保持して拡散熱処理を行ない、取り出した。塗布剤のみが塗布された箇所のシート抵抗を測定したところ、８０から１１０Ω／□であった。また、スプレディングレジスタンス（ＳＲ）法で拡散プロファイルを確認したところ、ストライプ状に拡散ペーストを印刷した部分では、ドーパントの表面濃度として２×１０２０ｃｍ－２を得た。」 （ウ）第１塗布剤及び第２塗布剤の粘度調整について ・「【００６１】 次に本発明の製造方法における高濃度拡散層と低濃度拡散層を形成させる方法の詳細についてさらに説明する。すなわち、塗布拡散法で同一面内に二種類の濃度の拡散層を形成するために、第１塗布剤及び第２塗布剤として少なくともドーパントの含有率、粘度、ドーパント飛散防止剤及びオートドープ防止剤の含有量、ドーパントの種類のいずれか１つ以上が異なるものを用いる、及び／又は第１塗布剤と第２塗布剤との塗布の際に塗布膜厚を異なるものとする方法である。さらには、半導体基板上に溝を形成し、ドーパントとドーパント飛散防止剤とを含む第１塗布剤を全面に塗布した後、拡散熱処理により、前記半導体基板上の溝下部に形成される第１拡散層と、前記溝下部以外の部分に形成され、第１拡散層より導電率が低い第２拡散層とを同時に形成する方法もある。このように、濃度や粘度が異なる塗布剤を用いる方法及び塗布剤の塗布膜厚を変えたり溝を形成する方法により、拡散濃度を変更できる。以下、具体的に説明する。 ……（中略）…… 【００６４】 粘度の高い塗布剤を使用するのであれば、スクリーン製版のメッシュ粗さを変えれば、塗布膜厚を変化させることが可能である。この場合、粘度を調整するには、例えば塗布剤のメチルセルソルブの含有量を変化させればよい。一方、溝を形成する方法は構造的に膜厚を変化させることになる。 【００６５】 塗布膜厚を大きく変化させる方法として、塗布剤の粘度を変える方法があるが、塗布剤の粘度を大きく変化させる方法として、塗布剤の含有物を変更する方法がある。例えば、メチルセルソルブに塗布剤のバインダとして増粘剤を添加すると粘度が高まるので好ましい。この増粘剤としては、例えばポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル及びこれらの共重合体、もしくはセルロース誘導体、もしくはポリアクリレートが好ましいが、特に限定されない。この場合、塗布剤の粘度を制御し、かつドーパントのアウトディフュージョンを制御するためにＳｉＯ２の粒、例えばシリカゲルを添加することが特に好ましい。このようにすれば塗布膜厚を厚くでき、高濃度拡散層を形成する塗布剤として適するものとなる。なお、拡散熱処理時はこのバインダは不必要なため、４００℃以上でベークし、大気中に飛ばす必要がある。 【００６６】 一方、極端に粘度を下げ、ドーパントのオートドープをコントロールするためにはアルコキシド類にドーパントを混入させるのが好ましく、ライフタイムキラーの混入を避けるためには珪素酸化物前駆体である珪素を含むアルコキシド類にドーパントを混入させるのが好ましい。このようにすれば低濃度拡散層を形成する塗布剤として適するものとなる。この場合、１５０℃程度の熱を加えると、アルコキシドが加水分解し、部分縮合するのでＳｉＯ２すなわちガラスが生成し、ドーパントのオートドープを阻止する役割を果たす。このような塗布剤は、厚く形成することができず、またにじみ易いので、第１塗布剤としては適当でない。」 （エ）飛散防止剤について ・「【００４７】 引き続き、基板を洗浄した後、基板の受光面１ａに第１塗布剤としてリン酸等のドーパント及びこのドーパントの飛散防止剤を含有した拡散ペースト８をスクリーン印刷装置によって印刷し、塗布する。このとき拡散ペースト８がスクリーン印刷用であれば、スクリーン印刷装置で容易に塗布できる。またこのようにドーパントとドーパント飛散防止剤とを含む拡散ペーストであれば、これを半導体基板に塗布してドーパントの熱拡散を行う際に、ドーパントのアウトディフュージョンを防止できるものとなる。このときの印刷はストライプ状のラインパターンやドットパターンとすることができ、例えばラインパターンの場合の印刷パターンは２ｍｍピッチ、１５０μｍ幅ラインとできる。ドーパント飛散防止剤は、珪素化合物を含むものとすることができ、特に好ましくは珪素化合物をＳｉＯ２とし、例えばシリカゲルとして配合すれば、拡散ペーストの粘度を高濃度拡散層の形成のために効果的に制御できる。すなわち、高粘度であるため、ドーパントを高濃度に保持でき、アウトディフュージョンを確実に防止できる。」 （オ）実施例 ・「【００９４】 以下に本発明の実施例および比較例をあげてさらに具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 （実施例１、比較例１） ……（中略）…… 【００９５】 引き続き、基板を洗浄した後、基板の受光面にリン酸およびシリカゲルを含有した拡散ペーストをスクリーン印刷機によって印刷し、塗布した。このときの印刷パターンは２ｍｍピッチ、１５０μｍ幅ラインのラインパターンとした。印刷した基板を７００℃で３０分間ベークし、その後、五酸化二リンおよびアルコキシシランを含有した塗布剤を、拡散ペーストと接するように同一面上に塗布した。この塗布は、３０００ｒｐｍ、１５秒の条件でスピン塗布することで行った。その後、このように作製したサンプル基板を熱処理炉に入れ、８８０℃で３０分間保持して拡散熱処理を行ない、取り出した。塗布剤のみが塗布された箇所のシート抵抗を測定したところ、８０から１１０Ω／□であった。また、スプレディングレジスタンス（ＳＲ）法で拡散プロファイルを確認したところ、ストライプ状に拡散ペーストを印刷した部分では、ドーパントの表面濃度として２×１０２０ｃｍ－２を得た。」 ・「【０１０２】 （実施例２） 実施例２として、本発明の種々の二段エミッタ作製方法によって太陽電池を作製した。このとき形成された高濃度層、低濃度層のシート抵抗を表２に示す。併せてそれらの太陽電池特性を表３に示す。 本実施例では、表２に示すように、塗布拡散法で同一面内に二種類の濃度の拡散層を形成するために塗布剤に含まれるドーパント含有量、塗布膜厚、ガラス含有量（珪素化合物含有量）、元素等の変更を利用した。特に、塗布膜厚の変更に関しては粘度の変更を利用するか、もしくは溝を利用した。 以下に簡単に二段エミッタの製法を説明する。なお、テクスチャ形成や拡散後から電極形成までの一連のプロセスについては実施例１と同様である。 【０１０３】 まず、サンプルＡ、Ｃ、Ｄ、Ｅに対しては、表２に示した項目を変更することにより、高濃度層と低濃度層を形成した。例えばサンプルＡではドーパント含有量を変化させた２種類の塗布剤を用意し、例えば高濃度層を形成する際には、リン酸を１００ｍｌ中１０ｇ含んだ拡散ペーストを用いた。またサンプルＣでは、塗布剤中のメチルセルソルブの含有量を変化させて粘度を変更し、サンプルＤでは、含有する珪素化合物をシリカゲルとアルコキシシランとし、サンプルＥでは、ガラスの含有量を変化させた。また本プロセスでは、高濃度層は２００μｍ幅、２．０ｍｍピッチのラインとし、スクリーン印刷により塗布剤を印刷し、一方で低濃度層はスピンで塗布剤を塗布することにより形成した。また、サンプルＢ、Ｆに対しては高濃度層および低濃度層ともにスクリーン印刷を利用し、塗布剤を印刷した。また、サンプルＢでは高濃度層を形成する塗布剤にポリビニルアルコールを添加し、サンプルＦでは各塗布剤に含有するドーパントを拡散係数の異なるリンとアンチモンとした。このとき、高濃度層は２００μｍ幅、２．０ｍｍピッチのラインとした。一方、サンプルＧに対しては実施例１で用いた一種類の塗布剤のみをスピン塗布した。これらＡ～Ｇにわたるサンプルのうち半数は８８０℃で３０分間熱処理を施し、拡散を済ませた。残りの半数は熱処理をする前にシリカゲルを含有させた塗布剤を同一面上に３０００ｒｐｍ、１５秒の条件で塗布し、上記と同様の条件で拡散熱処理を済ませた。表２内、「カバー」はこの膜のことを示す。なお、シート抵抗の測定はガラスエッチング後に四探針法によって実施した。なお、表３に示した太陽電池の諸特性は、この「カバー」を形成したものである。」 ウ　甲第３号証に記載された発明 以上の（ア）～（オ）を総合すると、甲第３号証には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。 「基板の受光面へリンを熱拡散させるために第１塗布剤としてスクリーン印刷され、少なくともリン酸等のドーパント及びこのドーパントの飛散防止剤を含有し、スクリーン印刷用の拡散ペーストであって、 その含有量により前記第１塗布剤としての拡散ペーストの粘度を調整するメチルセルソルブと、 前記リン酸と、 前記メチルセルソルブにバインダとして添加され、好ましくは、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル及びこれらの共重合体、もしくはセルロース誘導体、もしくはポリアクリレートからなる増粘剤と、 前記ドーパントの飛散防止剤であり、好ましくは、シリカゲルとして前記拡散ペーストの粘度を制御できるＳｉＯ２の粒と、 を含有する拡散ペースト。」 エ　甲第４号証の記載事項 甲第４号証（特開平９－１８１００９号公報）には、「ホウ素拡散用塗布液」（発明の名称）について、以下の事項が記載されている。 ・「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、新規なホウ素拡散用塗布液、さらに詳しくはシリコン半導体の表面にホウ素を拡散するための新規なホウ素拡散用塗布液に関する。」 ・「【０００５】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発明は、（ａ）ホウ素化合物、（ｂ）アルコール性水酸基含有高分子化合物、（ｃ）多価アルコール、及び（ｄ）フッ素系界面活性剤を又は、（ａ）ホウ素化合物と（ｂ）アルコール性水酸基含有高分子化合物及び（ｃ）多価アルコールとの反応生成物、並びに（ｄ）フッ素系界面活性剤を含有することを特徴とするホウ素拡散用塗布液に係る。 【０００６】上記（ａ）成分としては、ホウ酸、無水ホウ酸、アルキル基がメチル、エチル、プロピル、ブチル等であるアルキルホウ酸エステル及び塩化ホウ素が挙げられ、それらの単独又は２種以上の混合物が使用できる。（ａ）成分の配合割合は、本発明の塗布液の固形分中２０～５０重量％、好ましくは、３０～４０重量％となるように配合すればよい。 【０００７】（ｂ）成分としては、ポリエチレンオキシド、ポリヒドロキシメチルアクリレート、ポリヒドロキシエチルアクリレート、ポリヒドロキシプロピルアクリレート又はこれに相当するメタクリレートなどのポリヒドロキシアルキルアクリレート又はメタクリレート類、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール等を挙げることができ、それらの単独又は２種以上の混合物が使用できる。中でもホウ素化合物との錯体の形成性及び形成した錯体の安定性からポリビニルアルコールが好ましい。（ｂ）成分の配合割合は、本発明の塗布液の固形分中５～７０重量％、好ましくは、５～６０重量％となるように配合すればよい。」 ・「【００２１】 【実施例】 実施例１ ポリビニルアルコール（重合度３００）　　　　　　　６１ｇ マンニトール　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３８ｇ 三酸化二ホウ素（Ｂ２Ｏ３）　　　　　　　　　　　　３１ｇ フッ素系界面活性剤（ＥＦ－１２２Ａ）　　　　　０．０５ｇ 水　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２５２ｇ エチレングリコールモノメチルエーテル　　　　　　５８７ｇ を９０℃で５時間攪拌しホウ素拡散用塗布液を調製した。」 （２）本件発明１についての対比・判断 ア　対比 本件発明１と引用発明２とを対比する。 （ア）引用発明２の「基板の受光面へリンを熱拡散させるために第１塗布剤としてスクリーン印刷され、少なくともリン酸等のドーパント及びこのドーパントの飛散防止剤を含有し、スクリーン印刷用の拡散ペースト」は、本件発明１の「半導体基板への不純物拡散成分の印刷に用いられる拡散剤組成物」に相当する。 （イ）引用発明２の「リンを熱拡散させるため」の「ドーパント」である「リン酸」は、本件発明１の「不純物拡散成分（Ａ）」に相当する。 （ウ）引用発明２の「好ましくは、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル及びこれらの共重合体、もしくはセルロース誘導体、もしくはポリアクリレートからなる増粘剤」は、「バインダ」樹脂である。 ここで、甲第３号証における、段落【００４８】の「このように作製したサンプル基板を熱処理炉に入れ、８８０℃で３０分間保持して拡散熱処理を行ない」、段落【００９５】の「その後、このように作製したサンプル基板を熱処理炉に入れ、８８０℃で３０分間保持して拡散熱処理を行ない」という記載から、「リン酸」を「ドーパント」とする「リン」は「８８０℃」の温度で熱拡散するから、甲第３号証において、「８８０℃」は、「リン」が拡散を開始するとともに終了する温度であると認められる。 さて、第３の３（１）ウ（ア）～（イ）、（オ）～（カ）で摘記した甲第２号証の記載から、引用発明２の「増粘剤」のうち、「ポリビニルアルコール」又は「ポリ酢酸ビニル」からなる樹脂は、上記の「リン」が「拡散」を開始し終了する温度である８８０℃より低い温度で熱分解して消失することは、甲第３号証に記載されているに等しい事項であるといい得るほど、当業者には周知慣用の事項であると認められる。 一方、第３の３（１）ウ（ウ）～（エ）で摘記した甲第２号証の記載から、ポリメタクリルメチルが前記８８０℃より低い温度で熱分解して消失することは当業者には周知慣用の事項であると認められるが、前記ポリメタクリルメチルは引用発明２の「ポリアクリレート」の一種にすぎない。また、引用発明２の「ポリビニルピロリドン、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルブチラール」が、前記８８０℃より低い温度で熱分解して消失するかどうかは、甲第２号証の記載を参照しても不明である。 そうすると、引用発明２の「前記メチルセルソルブにバインダとして添加され、好ましくは、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル及びこれらの共重合体、もしくはセルロース誘導体、もしくはポリアクリレートからなる増粘剤」のうち少なくとも「ポリビニルアルコール」又は「ポリ酢酸ビニル」と、本件発明１の「前記不純物拡散成分（Ａ）が熱拡散を開始する温度未満の温度で熱分解して消失するバインダー樹脂（Ｂ）であって、メチルメタクリレート、メタクリル酸、イソブチルメタクリレート、ターシャリーブチルメタクリレート、アクリル酸、エチルアクリレート、メチルアクリレート、ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルメタクリレート、およびブチルメタクリレートからなる群から選択される重合性モノマーの少なくとも１つで構成されるアクリル系樹脂を含むバインダー樹脂（Ｂ）」とは、「前記不純物拡散成分（Ａ）が熱拡散を開始する温度未満の温度で熱分解して消失するバインダー樹脂（Ｂ）」である点で共通する。 （エ）引用発明２の「前記ドーパントの飛散防止剤であり、好ましくは、シリカゲルとして前記拡散ペーストの粘度を制御できるＳｉＯ２の粒」は、本件発明１の「ＳｉＯ２微粒子（Ｃ）」に相当する。 （オ）引用発明２の「その含有量により前記第１塗布剤としての拡散ペーストの粘度を調整するメチルセルソルブ」は、「拡散ペースト」において有機溶剤であることは、明らかである。 ここで、「メチルセルソルブ」の沸点は約１２４℃であることは、当業者の技術常識である。 したがって、引用発明２の「その含有量により前記第１塗布剤としての拡散ペーストの粘度を調整するメチルセルソルブ」は、本件発明１の「沸点が１００℃以上の有機溶剤（Ｄ１）を含む有機溶剤（Ｄ）」に相当する。 （カ）第３の３（１）ウ（ア）～（カ）で摘記した甲第２号証の記載から、引用発明２の前記「バインダ」樹脂のうち少なくとも「ポリビニルアルコール」又は「ポリ酢酸ビニル」が、４００℃未満の温度で熱分解して消失することは、甲第３号証に記載されているに等しい事項であるといい得るほど、当業者には周知慣用の事項であると認められる。 したがって、引用発明２の「バインダとして添加され、好ましくは、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル及びこれらの共重合体、もしくはセルロース誘導体、もしくはポリアクリレートからなる増粘剤」と、本件発明１の「前記バインダー樹脂（Ｂ）は、その熱分解温度が４００℃未満」であることとは、「前記バインダー樹脂（Ｂ）は、その熱分解温度が４００℃未満」ものを含む点で共通する。 イ　一致点及び相違点 以上から、本件発明１と引用発明２とは、以下の点で一致するとともに、以下の点で相違する。 ＜一致点＞ 「半導体基板への不純物拡散成分の印刷に用いられる拡散剤組成物であって、 不純物拡散成分（Ａ）と、 前記不純物拡散成分（Ａ）が熱拡散を開始する温度未満の温度で熱分解して消失するバインダー樹脂（Ｂ）と、 ＳｉＯ２微粒子（Ｃ）と、 沸点が１００℃以上の有機溶剤（Ｄ１）を含む有機溶剤（Ｄ）と、 を含有し、 前記バインダー樹脂（Ｂ）は、その熱分解温度が４００℃未満であるものを含む、 ことを特徴とする拡散剤組成物。」 ＜相違点＞ ＜相違点１＞ 本件発明１の「前記不純物拡散成分（Ａ）が熱拡散を開始する温度未満の温度で熱分解して消失する」とともに「その熱分解温度が４００℃未満」である「バインダー樹脂（Ｂ）」は「メチルメタクリレート、メタクリル酸、イソブチルメタクリレート、ターシャリーブチルメタクリレート、アクリル酸、エチルアクリレート、メチルアクリレート、ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルメタクリレート、およびブチルメタクリレートからなる群から選択される重合性モノマーの少なくとも１つで構成されるアクリル系樹脂を含む」のに対して、引用発明２の「リン」が熱拡散を開始する温度未満の温度で熱分解して消失するとともに熱分解温度が４００℃未満である「バインダ」樹脂は、少なくとも「ポリビニルアルコール」又は「ポリ酢酸ビニル」である点。 ＜相違点２＞ 本件発明１の「拡散剤組成物」は「水を含ま」ないのに対して、引用発明２の「拡散ペースト」が「水」を含むかどうか特定されていない点。 ＜相違点３＞ 本件発明１の「前記バインダー樹脂（Ｂ）の含有量は、前記不純物拡散成分（Ａ）、前記バインダー樹脂（Ｂ）、および前記ＳｉＯ２微粒子（Ｃ）の固形成分の全質量に対して５質量％以上６０質量％以下である」のに対して、引用発明２において、固形成分である「リン酸」、「バインダとして添加」された「増粘剤」及び「ＳｉＯ２の粒」の全質量に対する「バインダとして添加」された「増粘剤」の割合が不明である点。 ウ　判断 （ア）相違点２について検討する。 （イ）第３の４（１）イで摘記したように、甲第３号証には、引用発明２の「第１塗布剤」としての「拡散ペースト」の成分である「メチルセルソルブ」、「リン酸」、「増粘剤」及び「シリカゲルとして前記拡散ペーストの粘度を制御できるＳｉＯ２の粒」の具体的な質量割合に関する記載はなく、前記「拡散ペースト」が、「メチルセルソルブ」、「リン酸」、「増粘剤」及び「シリカゲルとして前記拡散ペーストの粘度を制御できるＳｉＯ２の粒」の他に、水を含まないことを裏付ける記載はない。 そして、甲第３号証には、引用発明２の「第１塗布剤」としての「拡散ペースト」に、「メチルセルソルブ」、「リン酸」、「増粘剤」及び「シリカゲルとして前記拡散ペーストの粘度を制御できるＳｉＯ２の粒」の他に水を含ませないことについての、動機付けとなる記載も見受けられない。 すなわち、甲第３号証の記載からは、引用発明２の前記「拡散ペースト」が、「メチルセルソルブ」、「リン酸」、「増粘剤」及び「シリカゲルとして前記拡散ペーストの粘度を制御できるＳｉＯ２の粒」の他には、水を含まないとすることはできない。 ただし、前記「ＳｉＯ２の粒」は「シリカゲル」であるところ、当該「シリカゲル」の成分は「ＳｉＯ２・ｎＨ２Ｏ」で表されることは当業者の技術常識であるから、引用発明２の「第１塗布剤」としての「拡散ペースト」は、前記「ＳｉＯ２の粒」に取り込まれた形で水を含んでいると認められる。 （ウ）一方、第３の４（１）エで摘記したように、甲第４号証には、「ホウ素拡散用塗布液」に水を含ませることが段落【００２１】に記載されている。 そして、甲第２号証は、第３の３（１）ウで摘記したように、「高分子物質」の熱分解特性について記載したものにすぎない。 （エ）したがって、平成２８年７月１５日付けで特許権者に通知した取消理由で示した各甲号証の記載からでは、引用発明２の「第１塗布剤」としての「拡散ペースト」に水を含ませないことを、当業者が容易に想到できたとすることはできない。 よって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、引用発明２と甲第２号証及び甲第４号証の記載とに基づいて当業者が容易に発明をすることができたとすることはできない。 （３）本件発明２ないし４及び本件発明６ないし８についての判断 本件発明２ないし４及び本件発明６ないし８は、いずれも、本件発明１をさらに限定した発明であるから、本件発明１と同様に、引用発明２と甲第２号証及び甲第４号証の記載とに基づいて当業者が容易に発明をすることができたとすることはできない。 （４）甲第３号証に基づく取消理由のまとめ 以上のとおりであるから、甲第３号証に基づく取消理由によっては、もはや、本件発明１ないし４及び本件発明６ないし８を取り消すことはできない。 ５　特許異議申立人の意見について ア　特許異議申立人の意見 特許異議申立人　特許業務法人朝比奈特許事務所　は、平成２８年１１月２９日に提出した意見書で、以下のように主張している。 （ア）本件発明１は、特許を受けようとする発明が明確でない。 本件発明１は「バインダー樹脂（Ｂ）」が「メチルメタクリレート、メタクリル酸、イソブチルメタクリレート、ターシャリーブチルメタクリレート、アクリル酸、エチルアクリレート、メチルアクリレート、ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルメタクリレート、およびブチルメタクリレートからなる群から選択される重合性モノマーの少なくとも１つで構成されるアクリル系樹脂を含む」という特徴を備えるところ、前記「アクリル酸」は水に混和性を示すし、前記「メタクリル酸」は温水に可溶である。 したがって、本件発明１の「バインダー樹脂（Ｂ）」は、「疎水性アクリル樹脂」だけでなく、「水溶性アクリル樹脂」も含むから、本件発明１には、特許権者がいう「疎水性アクリル樹脂」であるための必須の発明特定事項が規定されておらず、発明の外延が不明確である。 （イ）本件発明１の進歩性について 甲第３号証には、メチルセルソルブを用いた例が開示されているところ、取消理由通知書の「Ｃ　甲３に基づく取消理由」の「（５）本件特許発明６について」で認定したとおり、メチルセルソルブが水を含んでいないことは自明である。 したがって、甲第３号証には、引用発明２として水を含ませないことが開示されているのであり、本件発明１は、このような引用発明２に基づいて当業者が容易に発明できたものである。 （ウ）本件発明７の進歩性について 拡散剤組成物を用いて単層の塗膜を形成することは、甲第５号証ないし甲第７号証にみられるように周知技術であり、かつ、当業者の設計的事項に他ならない。 そうすると、本件発明７は、引用発明２において、適宜周知技術を適用することにより容易想到である。 イ　（ア）の主張について 訂正後の特許請求の範囲の請求項１には、「バインダー樹脂（Ｂ）」が含む「アクリル系樹脂」の具体例が列記されているが、前記「バインダー樹脂（Ｂ）」が、「疎水性アクリル樹脂」を含むことも、「水溶性アクリル樹脂」を含むことも記載されていない。 したがって、前記列記された「アクリル系樹脂」が「水溶性アクリル樹脂」を含むとしても、「疎水性アクリル樹脂」であるための必須の発明特定事項が規定されておらず発明の外延が不明確であるという、特許異議申立人の主張は、訂正後の特許請求の範囲の記載に基づくものではない。 そして、訂正後の特許請求の範囲の請求項１の「前記不純物拡散成分（Ａ）が熱拡散を開始する温度未満の温度で熱分解して消失するバインダー樹脂（Ｂ）であって、メチルメタクリレート、メタクリル酸、イソブチルメタクリレート、ターシャリーブチルメタクリレート、アクリル酸、エチルアクリレート、メチルアクリレート、ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルメタクリレート、およびブチルメタクリレートからなる群から選択される重合性モノマーの少なくとも１つで構成されるアクリル系樹脂を含むバインダー樹脂（Ｂ）」という発明特定事項は明確であり、当該発明特定事項を有する本件発明１の外延は明確である。 したがって、特許異議申立人の前記（ア）の主張は、採用することはできない。 ウ　（イ）の主張について 取消理由通知書の「Ｃ　甲３に基づく取消理由」の「（５）本件特許発明６について」で認定したのは、「引用発明２の「溶剤」中の「沸点が約１２４℃であるメチルセルソルブ」の質量割合は１００％である。」ということである。すなわち、引用発明２は、「拡散ペースト」の「溶剤」として「メチルセルソルブ」のみを有するということを指摘したに止まるものであって、前記「拡散ペースト」が水を含まないことを指摘したものではない。 そして、「拡散ペースト」の「溶剤」である「メチルセルソルブ」が水を含まないことが、直ちに、「拡散ペースト」が水を含まないことを意味するものでないことは、明らかである。 したがって、特許異議申立人の前記（イ）の主張は、採用することはできない。 エ　（ウ）の主張について 特許異議申立人は、拡散剤組成物を用いて単層の塗膜を形成することが周知技術であったと主張している。 しかし、本件発明７及び本件発明８は、いずれも、本件発明１をさらに限定した発明である。 したがって、第３の４（２）ウ（エ）で指摘したように、本件発明１が引用発明２と甲第２号証及び甲第４号証の記載とに基づいて当業者が容易に発明をすることができたとすることはできない以上、仮に引用発明２に前記周知技術を適用できたとしても、第３の４（３）で指摘したように、本件発明７及び本件発明８が引用発明２から容易想到であるとはいえない。 したがって、特許異議申立人の前記（ウ）の主張は、採用することはできない。 オ　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について なお、平成２８年７月１５日付けの取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由はない。 第４　むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１ないし４及び本件請求項６ないし８に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件請求項１ないし４及び本件請求項６ないし８に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。