2016-019378

特願２０１４－５２０６９２「半導体チップ」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　２月　７日国際公開、ＷＯ２０１３／０１７５３０、平成２６年　８月２８日国内公表、特表２０１４－５２２１０２〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、２０１２年７月２６日（パリ条約に基づく優先権主張　２０１１年７月２９日　ドイツ（ＤＥ））を国際出願日として出願したものであって、平成２７年２月２４日付け拒絶理由通知に対して同年６月２日付けで手続補正がなされ、平成２８年１月１９日付け拒絶理由通知に対して同年７月２６日付けで手続補正がなされたが、同年８月１７日付けで拒絶査定がなされた。これに対し、同年１２月２６日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされると共に手続補正がなされ、平成２９年９月２５日付け当審の拒絶理由通知に対して同年１２月２７日付けで手続補正がなされたものである。 第２　本願発明 本願の請求項１ないし６に係る発明は、平成２９年１２月２７日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。 「【請求項１】 ハウジングを備える半導体チップであって、 前記ハウジング（１）は、収容空間（３）が設けられた射出成形体（４）、及び前記収容空間（３）に通ずる開口部（３１）を備え、 前記半導体チップ（２）は、前記収容空間（３）に収納されるとともに、圧力測定用に作製され、 前記開口部（３１）は、膜またはバルブにより封止され、 前記射出成形体（４）は、前記半導体チップ（２）と電気的に接続するための、少なくとも１つのメタライジング部（６，７，１１，１２，１４，１５，２４，２５）を備え、 前記少なくとも１つのメタライジング部は、前記収容空間（３）に配設された少なくとも１つのメタライジング部（６，７）、前記射出成形体（４）を貫通する少なくとも１つの貫通接続部として形成されたメタライジング部（１１，１２）、及び前記収容空間（３）の外側に配設された少なくとも１つのメタライジング部（１４，１５）を含み、 前記貫通接続部（１１，１２）は、前記収容空間（３）内の前記メタライジング部（６，７）から前記収容空間（３）の外側の前記メタライジング部（１４，１５）まで通じていることを特徴とする半導体チップ。」 なお、平成２９年１２月２７日付け手続補正による補正によって、発明（発明の名称、請求項の末尾）を「半導体チップ」としたが、これにより本願発明に矛盾が生じた。 即ち、本願発明の「ハウジングを備える半導体チップであって、」によれば、ハウジングは半導体チップの構成の一部であると解せる。一方、本願発明の「前記ハウジング（１）は、収容空間（３）が設けられた射出成形体（４）・・・を備え、前記半導体チップ（２）は、前記収容空間（３）に収納されるとともに、」によれば、「前記ハウジング」及び「前記半導体チップ（２）」との記載からして、先に記載された「ハウジング」及び「半導体チップ」と同一のものと認められるが、半導体チップ（２）がハウジング内に収納されることだから、ハウジングは半導体チップ（２）と別構成であると解せる。よって、前者の「半導体チップ」と後者の「半導体チップ（２）」は、同一用語であるにもかかわらず、別構成である。 したがって、本願発明の解釈として、「半導体チップ（２）」は、ハウジングの収容空間に収納された半導体チップそのものであり、本願発明の１行目及び末尾の「半導体チップ」は、「ハウジング、半導体チップ（２）」を備えた全体の構成物を示すものと認定し、以下、「半導体チップ（２）」と「半導体チップ」とを分けていくことにする。 第３　引用文献 平成２９年９月２５日付け当審の拒絶理由通知で引用された特開２００８－８９５５９号公報（以下、「引用文献１」という。）には、「圧力センサ」に関し、図面と共に、以下の事項が記載されている。なお、下線部は当審で付与した。 「【００２０】 本体部（基体部２および突起部３）は、立体回路部品（ＭＩＤ：Molded Interconnect Device）として構成される。本実施形態では、本体部は、基材としての絶縁性の樹脂材料（例えば、ポリアミドやポリフタルアミド等の各種エンジニアリングプラスチック材料）を例えば射出成形等によって所定形状に成形し、その表面に導体パターン６を形成して得ることができ、ＭＩＤの公知の各種手法（例えば、ＵＶ露光法（サブトラクティブ法、セミアディティブ法、アディティブ法等）、レーザーイメージング法、ＩＶＯＮＤ法等の１回成形法や、ＳＫＷ法等の２回成形法等）によって得ることが可能である。 【００２１】 図３に示すように、突起部３の中心部には当該突起部３の軸方向に貫通する貫通孔５が形成されるとともに、その外周部には取付用の雄ねじ３ａが形成されている。 【００２２】 一方、図３および図４に示すように、基体部２の突起部３が設けられる側の反対側となる部分には、平面視で略矩形状の凹部２ａが形成されている。また、突起部３に形成した貫通孔５が、この凹部２ａの底面２ｂのほぼ中央部に開口している。 【００２３】 そして、図３～図５に示すように、貫通孔５の底面２ｂでの開口端（貫通孔５の延伸方向の一端）を閉蓋する状態で圧力検出素子４が実装されている。この圧力検出素子４は、単結晶シリコン基板の片面に受圧面を形成したもので、ダイヤフラムや、歪みゲージ、電極等（いずれも図示せず）を備え、ピエゾ抵抗効果によって圧力を電気抵抗に変換するものである。貫通孔５は、圧力導入孔に相当する。 【００２４】 本実施形態では、この圧力検出素子４は、図４に示すように、底面２ｂ上に形成された導体パターン６に対してフリップチップ実装されている。なお、図中、８は導電性接着剤、９はアンダーフィル（樹脂製の絶縁性接着剤）、１０は圧力検出素子４の各電極のバンプである。 【００２５】 このとき、アンダーフィル９は、図５中のＡに示すように、圧力検出素子４の外縁に沿って略矩形環状に配置されており、このアンダーフィル９と圧力検出素子４とによって、貫通孔５から凹部２ａ内への検出対象流体（液体または気体）の進入（漏出）が抑制されている。すなわち、アンダーフィル９は、シール部材としても機能している。また、アンダーフィル９として放熱性の高い材料（例えばシリコン系の樹脂材料）を用いることで、圧力センサ１の耐熱性を高めるとともに、圧力検出素子４の温度による検出誤差を抑制することができる。 【００２６】 導体パターン６は、物理蒸着や、レーザ等の電磁波の照射による不要部の除去、電解メッキ処理による圧膜化等、各種の処理を用いて適宜に形成することができる。 【００２７】 ここで、導体パターン６は、図２～図５に示すように、凹部２ａの開口縁部２ｃを跨いで凹部２ａの内面と本体部（基体部２）の側壁面２ｄとを接続するように形成されている。したがって、圧力検出素子４の検出結果を、側壁面２ｄ上に露出した導体パターン６との導通を確立することで容易に取得することができる。」 上記段落から引用文献１の「圧力センサ」には以下の事項が記載されている。 段落【００２０】ないし【００２２】によれば、射出成形によって成形された本体部は、基体部２、及び突起部３に形成された貫通孔５を備えたものである。 段落【００２３】によれば、貫通孔５の底面２ｂでの開口端を閉蓋する状態で圧力検出素子４が実装されているものである。 段落【００２４】、【００２７】によれば、導体パターン６は、底面２ｂでフリップチップ実装された圧力検出素子４と接続され、凹部２ａの開口縁部２ｃを跨いで凹部２ａの内面と基体部２の側壁面２ｄとを接続するように形成されているものである。 よって、引用文献１には下記の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 「射出成形によって成形された本体部は、基体部２、及び突起部３に形成された貫通孔５を備え、 貫通孔５の底面２ｂで圧力検出素子４が実装され、 導体パターン６は、底面２ｂでフリップチップ実装された圧力検出素子４と接続され、凹部２ａの開口縁部２ｃを跨いで凹部２ａの内面と基体部２の側壁面２ｄとを接続するように形成されている 圧力センサ」 第４　対比・判断 本願発明と引用発明とを対比する。 ア．本願発明の「半導体チップ（２）」は、上記「第２　本願発明」で指摘したようにチップ（素子）そのものの構成を示すものであり、圧力測定用のものである。そうすると、引用発明の「圧力検出素子」は、半導体である直接の記載がないが、本願発明の「チップ（２）」に相当するものといえる。 また、本願発明の（１行目及び末尾の）「半導体チップ」は、上記「第２　本願発明」で指摘したように「ハウジング、半導体チップ（２）」を備えた全体の構成物を示すものである。そうすると、引用発明の「圧力センサ」は、「本体部、圧力検出素子」を備えているから、圧力検出素子が半導体である直接の記載がないものの、本願発明でいう「チップ」に相当するものといえる。 イ．引用発明の「（本体部の）基体部２」は、射出成形によって成形されたものであり、引用文献１の図３を参照すると、基体部２内において圧力検出素子４と貫通孔５の底面２ｂとの間に空間を形成しているものだから、本願発明の「収容空間が設けられた射出成形体」に相当する。 また、引用発明の「突起部３に形成された貫通孔５」は、底面２ｂから圧力検出素子４までの空間に通じるから、本願発明の「前記収納空間に通じる開口部」に相当する。なお、本願発明の「開口部」は、どこに形成されているか具体的な特定がないので、引用発明との比較において単に開口部（貫通孔）があれば足りるものである。 そして、引用発明の「本体部」は、上記の基体部２（本願発明の「射出成形体」に相当。）と貫通孔５（本願発明の「開口部」に相当。）を備えたものであるから、本願発明の「ハウジング」に相当する。 よって、引用発明の「射出成形によって成形された本体部は、基体部２、及び突起部３に形成された貫通孔５を備え」ることは、本願発明の「ハウジングを備えるチップであって、前記ハウジングは、収容空間が設けられた射出成形体、及び前記収容空間に通ずる開口部を備え」ることに相当する。 ウ．引用発明の「圧力検出用素子４」は、基体部２内の（圧力検出素子４と底面２ｂとの間の）空間に備わるものであり、当然に圧力測定用に作製されたものである。なお、本願発明の「半導体チップ（２）」は、収納空間内のどこに形成されているか具体的な特定がないので、半導体という点を除けば、引用発明との比較において、単に圧力測定用のチップ（素子）があれば足りるものである。 よって、引用発明の「貫通孔５の底面２ｂで圧力検出素子４が実装され」ることは、本願発明の「前記チップ（２）は、前記収容空間に収納されるとともに、圧力測定用に作製され」ることに相当する。 エ．開口部について、本願発明は「膜またはバルブにより封止され」ているのに対し、引用発明はその旨の特定がない。 オ．引用発明の「導体パターン６」は、圧力検出素子４と接続するために形成された部分は基体２内の空間にあり、基体部の側壁面２ｄに形成された部分は基体２外にあるから、本願発明の「前記収容空間に配設された少なくとも１つのメタライジング部、及び前記収容空間の外側に配設された少なくとも１つのメタライジング部」に相当する構成を備えているものである。 そして、引用発明の「導体パターン６」は、基体部２内と基体部２外の導体パターンを接続しているから、本願発明の「接続部として形成したメタライジング部」に相当する構成は備えているものの、「射出成形体を貫通する少なくとも１つの貫通接続部」とはいえない。 よって、引用発明の「導体パターン６は、底面２ｂでフリップチップ実装された圧力検出素子４と接続され、凹部２ａの開口縁部２ｃを跨いで凹部２ａの内面と基体部２の側壁面２ｄとを接続するように形成されている」ことは、本願発明の「前記少なくとも１つのメタライジング部は、前記収容空間に配設された少なくとも１つのメタライジング部、接続部として形成されたメタライジング部、及び前記収容空間の外側に配設された少なくとも１つのメタライジング部を含み、前記接続部は、前記収容空間内の前記メタライジング部から前記収容空間の外側の前記メタライジング部まで通じている」ことに相当する。 但し、接続部として形成されたメタライジング部について、本願発明は「前記射出成形体を貫通する貫通接続部」であるのに対し、引用発明はその旨の特定がない。 よって、本願発明と引用発明とは以下の点で一致ないし相違する。 ＜一致点＞ 「ハウジングを備えるチップであって、 前記ハウジングは、収容空間が設けられた射出成形体、及び前記収容空間に通ずる開口部を備え、 前記チップ（２）は、前記収容空間に収納されるとともに、圧力測定用に作製され、 前記射出成形体は、前記チップ（２）と電気的に接続するための、少なくとも１つのメタライジング部を備え、 前記少なくとも１つのメタライジング部は、前記収容空間に配設された少なくとも１つのメタライジング部、及び前記収容空間の外側に配設された少なくとも１つのメタライジング部を含む、 チップ。」 ＜相違点１＞ 本願発明は「半導体チップ」及び「半導体チップ（２）」であるのに対し、引用発明の「チップ」及び「チップ（２）」は半導体と直接明記されていない。 ＜相違点２＞ 開口部について、本願発明は「膜またはバルブにより封止され」ているのに対し、引用発明はその旨の特定がない。 ＜相違点３＞ 接続部として形成されたメタライジング部について、本願発明は「前記射出成形体を貫通する貫通接続部」であるのに対し、引用発明はその旨の特定がない。 そこで、＜相違点１＞ないし＜相違点３＞について検討する。 ・＜相違点１＞について 引用発明の「圧力検出素子」は、引用文献１の段落【００２３】によれば、「単結晶シリコン基板の片面に受圧面を形成したもので、ダイヤフラムや、歪みゲージ、電極等（いずれも図示せず）を備え、ピエゾ抵抗効果によって圧力を電気抵抗に変換するものである」から、半導体圧力検出素子といえる。なお、本願発明の「半導体チップ（２）」は、圧力を測定用とだけ記載されており、具体的な構成や材料は本願明細書を参照しても記載がない。 よって、本願発明の「半導体チップ（２）」と引用発明の「チップ（２）」（圧力検出素子）との実質的な差異は認められない。また、本願発明の「半導体チップ」と引用発明の「チップ」についても、共にハウジング、半導体チップ２を備えているから、実質的な差異は認められない。 したがって、相違点１は実質的な相違ではない。 仮に、引用発明の「チップ（２）」（圧力検出素子）が厳密にいうと「半導体」ではないとしても、本願発明の「半導体チップ（２）」は、圧力測定用であることを除いて、具体的な構成や圧力検出の原理等が一切開示されていないから格別なものとは認められず、また、一般に圧力測定用として半導体チップを用いることは普通に行われていることであることから、引用例の「チップ（２）」（圧力検出素子）を半導体で形成して相違点１の構成にすることは、当業者であれば容易になし得たことである。 ・＜相違点２＞について 開口部に「膜」を設けることは、平成２９年９月２５日付け当審の拒絶理由通知で引用した特開２００４－２７９０９１号公報（【従来の技術】として説明された段落【０００４】を参照。）に記載されているように、圧力センサにおいてごく一般的に採用される技術事項である。 よって、引用発明の貫通孔に一般的な技術事項を採用して相違点２の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。 ・＜相違点３＞について ハウジング内とハウジング外に形成したメタライジング部を接続するためには、ハウジングと他の構造物との間（隙間）に接続部を形成するか、ハウジングそのものに孔を設けて接続部を形成するかのどちらかを選択するところ、ハウジングに貫通孔を設けてそこにメタライジング部を形成して接続することは、平成２９年９月２５日付け当審の拒絶理由通知で引用した特開２０１１－４４５３３号公報（段落【００３３】～【００４１】、図３を参照。以下、「引用文献２」という。）及び特開２００５－８６０３２号公報（段落【００１５】～【００２３】、図１を参照。以下、「引用文献３」という。）に記載されているように従来周知の技術事項である。 よって、引用発明１の基体部２内と基体部２外に形成された導体パターンを接続する手段として、周知の技術事項を採用して相違点３の構成とすること（引用発明において、基体部２の内部から側壁にかけて貫通孔を設け、該貫通孔に導体パターンを形成すること）は、当業者であれば容易になし得たことである。 この点について、出願人は、審判請求書において「引用文献２は、ＬＥＤの放熱性の向上という点及び開口部を設けることができない点を鑑みると、本願発明及び引用文献１とは課題及び作用効果が異なるばかりか、技術分野の共通性も低いものと思料致します。すなわち、引用文献２は、本願発明を拒絶するための引用文献としての適格性に欠け、更には引用文献２の開示内容を引用文献１に組み合わせる動機づけもないものと思料致します。」、「引用文献３は、圧電デバイスであること及び開口部を設けることができない点を鑑みると、本願発明及び引用文献１とは課題及び作用効果が異なるばかりか、技術分野の共通性も低いものと思料致します。すなわち、引用文献３は、本願発明を拒絶するための引用文献としての適格性に欠け、更には引用文献３の開示内容を引用文献１に組み合わせる動機づけもないものと思料致します。」と主張している。しかしながら、周知の技術事項としたのは、ハウジング内のメタライズ部とハウジング外のメタライジング部とを接続するために、ハウジングに貫通孔を設けメタライジング部を形成したことであり、この技術事項は「ハウジング内にチップ（素子）があって、ハウジング外に外部接続用端子（電極）を設けた」チップ部品で共通していれば適用可能なものであり、放熱性や開口部の有無は直接関係ないのことである。よって、出願人の主張は、採用することができない。 したがって、本願発明は、引用発明により当業者が容易になし得たものである。 第５　むすび 以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。