2016-017514

特願２０１５－５６０２２４「ウェーハレベルパッケージング（ＷＬＰ）で実施される高Ｑ値インダクタ」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　９月　４日国際公開、ＷＯ２０１４／１３３８８３、平成２８年　４月　４日国内公表、特表２０１６－５１０１７２〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 １．手続の経緯 本願は、２０１４年２月２１日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２０１３年３月１日　米国（ＵＳ）　２０１３年３月６日　米国（ＵＳ））を国際出願日とする出願であって、手続の概要は以下のとおりである。 拒絶理由通知　　　　　　　：平成２８年　１月２８日（起案日） 意見書　　　　　　　　　　：平成２８年　５月　２日 手続補正　　　　　　　　　：平成２８年　５月　２日 拒絶査定　　　　　　　　　：平成２８年　７月１２日（起案日） 拒絶査定不服審判請求　　　：平成２８年１１月２４日 手続補正　　　　　　　　　：平成２８年１１月２４日 理由補充　　　　　　　　　：平成２９年　１月　５日 前置報告書　　　　　　　　：平成２９年　３月１０日（起案日） 上申書　　　　　　　　　　：平成２９年　６月２６日 ２．本願発明 本願の請求項１ないし５４に係る発明は、平成２８年１１月２４日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５４に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１９に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。 「　【請求項１９】 第１の金属層を備えた第１のダイと、 前記第１のダイに結合された一組のはんだボールと、 前記一組のはんだボールを介して前記第１のダイに結合された、第２の金属層を備えた第２のダイと を備えるデバイスであって、 前記第１のダイの前記第１の金属層、前記一組のはんだボール、前記第２のダイの前記第２の金属層が、前記デバイス内のインダクタとして動作するように構成されるデバイス。」 なお、請求項１９は、平成２８年１１月２４日付け手続補正により補正されていない。 ３．引用例 原査定の拒絶の理由に引用された特開２００８－７２１２１号公報（平成２０年３月２７日公開、以下「引用例」という。）には、図面と共に、以下の記載がある。（なお、下線は当審で付与した。） （１）「【０００１】 本発明は集積受動デバイス（ＩＰＤ）に関し、より具体的には、改良された集積インダクタに関する。」 （２）「【００１７】 図３を参照すると、嵌め合わせ基板１１、２１は、基板表面上に酸化物を成長させ、または全体的に付着させることにより、例えば二酸化ケイ素などの絶縁層３１、３２で被覆される。典型的には、同一の酸化物が両方の基板上に使用されるものである。しかし、基板が異なった材料からなる場合には、それぞれの基板上には異なった絶縁材料が有益である場合がある。」 （３）「【００１８】 図４では、金属４１、４２からなるパターン層が基板上に形成される。材料およびパターン設計については上に論じている。金属層は、任意の適切なプロセスによって付着可能である。好ましい方法は、金属層を全体的に付着させ、次に、その層を例えばフォトリソグラフィのマスクなどの所望のパターンのマスクでマスキングし、露光された部分をエッチングで取り除くことである。これにより、ベース基板上にインダクタ本体４１の一部分、およびカバー基板上にインダクタ本体４２の一部分が残存する。インダクタのこの部分は、カバー基板を反転させてベース基板を覆うことによって（または、逆も同様に）接合される嵌め合わせ部分の半分として意図される。したがって、インダクタ本体部分４１およびインダクタ本体部分４２は、相互の鏡像である。」 （４）「【００２１】 図５は、例えば二酸化ケイ素層などの誘電体層５１および５５が金属インダクタ本体４１および４２の上に形成され、電気的接点として金属層４１および４２を露出して、電極窓５３および５７が層５１および５５の中を通って形成される。窓５３は窓５７と位置を合わせられ、それにより、金属パターン４１および電極窓５３は、金属パターン４２および電極窓５７の鏡像を形成する。広く知られている技術が窓を形成するために使用可能である。また、任意の種々の適切な材料が誘電体層に選択されてもよい。インダクタ設計または他のＩＰＤの適合工程が薄い誘電体層を必要とする場合には、例えば、この層がキャパシタの誘電体としてＩＰＤ上の他の場所でも使用される場合には、この層は、０．１ミクロン未満、または０．５ミクロン未満の厚みを有する二酸化ケイ素であってよい。例えば０．５～５ミクロンのより厚い二酸化ケイ素の層が使用されてもよい。例えばポリイミドの有機誘電体が使用される場合には、層の厚みは、通常、より厚く、例えば１～１０ミクロンである。」 （５）「【００２２】 図６に示すように、電気的接点６１および６２が電極窓内および電極窓上に形成される。これらははんだバンプの接点を含み、バンプ下地金属（ＵＢＭ）を含む場合がある。接点の種類は、インダクタ本体の材料によって決まる。インダクタ本体が銅であり、接点６１および６２が銅である場合には、はんだバンプは銅の接点に直接に接合することができる。しかし、接点がアルミニウムの場合には、特殊なＵＢＭが典型的に使用される。当業界における通常の実施法は、ＵＢＭの被覆剤をアルミニウムの接点パッドに適用し、はんだバンプまたはパッドをその被覆剤に適用することである。ＵＢＭ技術で使用される金属または複数の金属は、アルミニウムと十分に接着すること、典型的なスズはんだ形成により濡れ性があること、および非常に導電性があることが必要である。これらの要求に合う構成物が、クロムと銅との合成物である。まず、クロムがアルミニウムに接着するように付着され、銅がはんだ濡れ性のある表面を形成するようにクロムの上に適用される。ＵＢＭ層は従来の方法でスパッタリングされる。」 （６）「【００２３】 図７は、カバー基板２１上のＵＢＭ６２に適用されるはんだバンプ７２を示している。代替としては、はんだバンプは、ベース基板上のＵＢＭ６１に、または、ある場合には、両方の基板上のＵＢＭに適用可能である。はんだバンプは、典型的に、はんだペーストのプロセスを使用して適用される。 （７）「【００２４】 ベース基板およびカバー基板の両方が本質的に完成すると、図８に示すように、２つの基板は、一方の基板を他方の基板の表面に反転して接合すること、はんだバンプ７２をベース基板１１上のＵＢＭに正確に合わせること、および２つの基板を一緒に接着するためはんだバンプをリフローすることにより、一緒に組み立てられる。その結果、２層のフリップ接合２重基板インダクタになる。この複層のインダクタは、いずれの複層基板も使用せずに形成されるということが理解されよう。」 （８）「【００３３】 本明細書において、はんだバンプと称することは、はんだバンプ、はんだボール、はんだマイクロバンプ、はんだペースト法、ＢＧＡ法などを含む様々なはんだ接着およびはんだ接着技術と関連することを意図する。」 上記摘示事項及び図面の記載から以下のことがいえる。 （ａ）引用例には、「集積受動デバイス（ＩＰＤ）」、より具体的には、「集積インダクタ」が記載されている（摘示事項（１））。 （ｂ）嵌め合わせ基板１１、２１は、絶縁層３１、３２で被覆される（摘示事項（２））。嵌め合わせ基板１１は、ベース基板であり、嵌め合わせ基板２１は、カバー基板である（図３）。 （ｃ）金属４１、４２からなるパターン層、すなわち、金属層が基板上に形成される。金属層は、ベース基板上にインダクタ本体４１の一部分、およびカバー基板上にインダクタ本体４２の一部分として形成される（摘示事項（３））。 （ｄ）誘電体層５１および５５が金属インダクタ本体４１および４２の上に形成され、電気的接点として金属層４１および４２を露出して、電極窓５３および５７が層５１および５５の中を通って形成される（摘示事項（４））。 （ｅ）電気的接点６１および６２が電極窓内および電極窓上に形成される。電気的接点６１および６２はバンプ下地金属（ＵＢＭ）を含む（摘示事項（５））。 （ｆ）はんだバンプ７２がカバー基板２１上のＵＢＭ６２に適用される（摘示事項（６））。はんだバンプ７２は複数である（図７）。 （ｇ）ベース基板およびカバー基板は、一方の基板を他方の基板の表面に反転して接合すること、および２つの基板を一緒に接着するためはんだバンプをリフローすることにより、一緒に組み立てられる（摘示事項（７））。 （ｈ）はんだバンプは、はんだボールを含む（摘示事項（８））。 以上を総合勘案すると、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認める。 「集積受動デバイス（ＩＰＤ）であって、 ベース基板１１、カバー基板２１は、絶縁層３１、３２で被覆され、 金属層４１、４２がそれぞれの基板上に形成され、金属層は、ベース基板上にインダクタ本体４１の一部分、およびカバー基板上にインダクタ本体４２の一部分として形成され、 誘電体層５１および５５が金属層からなるインダクタ本体４１および４２の上に形成され、電気的接点として金属層４１および４２を露出して、電極窓５３および５７が層５１および５５の中を通って形成され、 電気的接点６１および６２が電極窓内および電極窓上に形成され、電気的接点６１および６２はバンプ下地金属（ＵＢＭ）を含み、 複数のはんだボール７２がカバー基板２１上のＵＢＭ６２に適用され、 ベース基板およびカバー基板は、一方の基板を他方の基板の表面に反転して接合すること、および２つの基板を一緒に接着するためはんだボールをリフローすることにより、一緒に組み立てられた集積受動デバイス（ＩＰＤ）。」 ４．対比・判断 そこで、本願発明と引用発明とを対比する。 （１）デバイス 引用発明の「集積受動デバイス（ＩＰＤ）」は、「デバイス」に含まれる。 したがって、本願発明と引用発明とは、「デバイス」である点で一致する。 （２）第１のダイと一組のはんだボール 引用例【００１５】の基板の材料がシリコンまたはガリウム砒素である旨の記載より、引用発明のベース基板およびカバー基板は、ウェハから切り出したダイであることは、明らかである。そして、カバー基板２１には、金属層４２が形成され、複数のはんだボール７２が適用されるから、「カバー基板２１」は「第１のダイ」といえ、「金属層４２」は「第１の金属層」といえ、「複数のはんだボール７２」は「一組のはんだボール」といえる。 したがって、本願発明と引用発明とは、「第１の金属層を備えた第１のダイと、前記第１のダイに結合された一組のはんだボールと、」を備える点で一致する。 （３）第２のダイ ベース基板１１には、金属層４１が形成され、複数のはんだボール７２をリフローすることによりカバー基板２１と接着されるから、「ベース基板１１」は「第２のダイ」といえ、「金属層４１」は「第２の金属層」といえる。 したがって、本願発明と引用発明とは、「前記一組のはんだボールを介して前記第１のダイに結合された、第２の金属層を備えた第２のダイ」を備える点で一致する。 （４）インダクタ 金属層は、ベース基板上にインダクタ本体４１の一部分、およびカバー基板上にインダクタ本体４２の一部分として形成され、複数のはんだボール７２は、電気的接点６１および６２を介して金属層４１と金属層４２とを導通させるから、金属層とともにインダクタを構成することは明らかである。 したがって、本願発明と引用発明とは、「前記第１のダイの前記第１の金属層、前記一組のはんだボール、前記第２のダイの前記第２の金属層が、前記デバイス内のインダクタとして動作するように構成される」点で一致する。 そうすると、本願発明と引用発明とは、すべての点で一致し、相違点を有しない。 なお、仮に、引用例にはベース基板１１とカバー基板２１とがダイである旨の明記がないことをもって、本願発明と引用発明とが相違点を有すると認定したとしても、引用例【００１５】の基板の材料がシリコンまたはガリウム砒素である旨の記載より、引用発明のベース基板およびカバー基板を、ウェハから切り出したダイとすることは、当業者が容易に想到し得る。 ５．むすび 以上のとおり、本願の請求項１９に係る発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。もしくは、本願の請求項１９に係る発明は、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。