2016-016084

特願２０１４－２０６２８９「窒化物半導体素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　７月２７日出願公開、特開２０１５－１３５９４６〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は，平成２６年（２０１４年）１０月７日（パリ条約に基づく優先権主張　外国庁受理　平成２０１４年１月１６日，大韓民国）の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。 平成２６年１０月　７日　審査請求 平成２７年１１月１０日　拒絶理由通知 平成２８年　１月２９日　意見書・手続補正 平成２８年　７日１５日　拒絶査定（以下、「原査定」という。） 平成２８年１０月２７日　審判請求・手続補正 第２　審判請求と同時にした手続補正の却下の決定 ［補正却下の決定の結論］ 平成２８年１０月２７日に審判請求と同時にされた手続補正（以下，「本件補正」という。）を却下する。 ［理由］ １　補正の内容 本件補正により，本件補正前の特許請求の範囲の請求項１は本件補正後の請求項１へ補正された。 （１）本件補正前の特許請求の範囲 本件補正前の，特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。 「【請求項１】 バッファ層と， 前記バッファ層上に形成されたＡｌＧａＮ多重層と， 前記ＡｌＧａＮ多重層上に形成され，２ＤＥＧを含むＧａＮチャネル層と， 前記ＧａＮチャネル層上に形成されたＡｌＧａＮ障壁層と， 前記ＡｌＧａＮ障壁層の一部の領域上に形成されたＳｉｘＮｙ（０≦ｘ，ｙ≦１）層とを含み， 前記ＡｌＧａＮ多重層のＡｌ組成は，前記ＡｌＧａＮ多重層の積層方向に従って変化し， 前記ＡｌＧａＮ障壁層の厚さは，５ｎｍ～５０ｎｍであり， 前記ＡｌＧａＮ障壁層のＡｌ組成は，１０％～３０％であり， 前記ＳｉｘＮｙ層は，前記ＡｌＧａＮ障壁層上にインサイチュ（Ｉｎ－Ｓｉｔｕ）で成長したものであり， 前記ＡｌＧａＮ多重層のＡｌ組成は，前記ＡｌＧａＮ多重層の積層方向に従って増加し，特定のＡｌ組成から前記ＡｌＧａＮ多重層の積層方向に従って減少し， 前記ＡｌＧａＮ障壁層には，ソース電極，ドレイン電極及びゲート電極が形成されることを特徴とする半導体素子。」 （２）本件補正後の特許請求の範囲 本件補正後の，特許請求の範囲の請求項１の記載は，次のとおりである。（当審注。補正個所に下線を付した。以下，同じ。） 「【請求項１】 バッファ層と， 前記バッファ層上に形成されたＡｌＧａＮ多重層と， 前記ＡｌＧａＮ多重層上に形成され，２ＤＥＧを含むＧａＮチャネル層と， 前記ＧａＮチャネル層上に形成されたＡｌＧａＮ障壁層と， 前記ＡｌＧａＮ多重層による前記２ＤＥＧの減少を防止するための前記ＡｌＧａＮ障壁層の一部の領域上に形成されたＳｉｘＮｙ（０≦ｘ，ｙ≦１）層とを含み， 前記ＡｌＧａＮ多重層のＡｌ組成は，前記ＡｌＧａＮ多重層の積層方向に従って変化し， 前記ＡｌＧａＮ障壁層の厚さは，５ｎｍ～５０ｎｍであり， 前記ＡｌＧａＮ障壁層のＡｌ組成は，１０％～３０％であり， 前記ＳｉｘＮｙ層は，前記ＡｌＧａＮ障壁層上にインサイチュ（Ｉｎ－Ｓｉｔｕ）で成長したものであり， 前記ＡｌＧａＮ多重層のＡｌ組成は，前記ＡｌＧａＮ多重層の積層方向に従って増加し，特定のＡｌ組成から前記ＡｌＧａＮ多重層の積層方向に従って減少し， 前記ＡｌＧａＮ障壁層には，ソース電極，ドレイン電極及びゲート電極が形成されることを特徴とする半導体素子。」 ２　補正の適否 本件補正は，補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「ＳｉｘＮｙ（０≦ｘ，ｙ≦１）層」について，当該ＳｉｘＮｙ層の機能として「ＡｌＧａＮ多重層による２ＤＥＧの減少を防止するため」という限定を付加するものであって，本願明細書【００７１】に記載された事項に基づいて技術的事項を追加したものであり，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであって，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。 そして，本件補正事項は，補正前の請求項１に記載された発明と補正後に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であり，本件補正前の請求項１に記載された発明特定事項を限定的に減縮するものであるから，特許法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかであり，また，同法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そこで，補正後の請求項１に記載された発明（以下，「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項）につき，更に検討する。 （１）本願補正発明 本願補正発明は，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された，次のとおりのものと認める。（再掲） 「【請求項１】 バッファ層と， 前記バッファ層上に形成されたＡｌＧａＮ多重層と， 前記ＡｌＧａＮ多重層上に形成され，２ＤＥＧを含むＧａＮチャネル層と， 前記ＧａＮチャネル層上に形成されたＡｌＧａＮ障壁層と， 前記ＡｌＧａＮ多重層による前記２ＤＥＧの減少を防止するための前記ＡｌＧａＮ障壁層の一部の領域上に形成されたＳｉｘＮｙ（０≦ｘ，ｙ≦１）層とを含み， 前記ＡｌＧａＮ多重層のＡｌ組成は，前記ＡｌＧａＮ多重層の積層方向に従って変化し， 前記ＡｌＧａＮ障壁層の厚さは，５ｎｍ～５０ｎｍであり， 前記ＡｌＧａＮ障壁層のＡｌ組成は，１０％～３０％であり， 前記ＳｉｘＮｙ層は，前記ＡｌＧａＮ障壁層上にインサイチュ（Ｉｎ－Ｓｉｔｕ）で成長したものであり， 前記ＡｌＧａＮ多重層のＡｌ組成は，前記ＡｌＧａＮ多重層の積層方向に従って増加し，特定のＡｌ組成から前記ＡｌＧａＮ多重層の積層方向に従って減少し， 前記ＡｌＧａＮ障壁層には，ソース電極，ドレイン電極及びゲート電極が形成されることを特徴とする半導体素子。」 （２）引用文献および引用発明等 ア　引用文献１について （ア）引用文献１ 原査定の拒絶の理由で引用された特開２０１１－１８８４４号公報（以下，「引用文献１」という。）には，図面と共に，次の記載がある。（下線は，当審で付加した。以下同じ。） 「【技術分野】 【０００１】 本発明は，窒化物半導体のヘテロ接合上に能動領域を具備する半導体装置の構造に関する。　」 （中略） 「【００１７】 （第１の実施の形態） 図１に，第１の実施の形態に係るＨＥＭＴ素子の断面構造（左），その緩衝層における組成分布（右）を示す。このＨＥＭＴ素子１０においては，基板１１としてｎ－ＧａＮ（ｎ型のＧａＮウェハ）が用いられる。この上に，緩衝層１２として，組成ｐが一定でないノンドープのＡｌｐＧａ１－ｐＮ層が用いられる。緩衝層１２上には，半絶縁性ＧａＮからなる電子走行層１３，ｎ－ＡｌＧａＮからなる電子供給層１４が，ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｂｅａｍ　Ｅｐｉｔａｘｙ）法，ＭＯＶＰＥ（ＭｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃＶａｐｏｒ　Ｐｈａｓｅ　Ｅｐｉｔａｘｙ）法等によって順次形成される。電子走行層１３及び電子供給層１４は，共にＨＥＭＴ素子１０における能動層として機能する。ここで，電子供給層１４を構成するｎ－ＡｌＧａＮは，ｎ型のＡｌｘＧａ１－ｘＮ（ｘ＝０．２０程度）である。電子供給層１４上には，ソース電極１５，ドレイン電極１６が形成され，これらの間における電子走行層１３と電子供給層１４との界面の電子走行層１３側に２次元電子ガスが形成される。この２次元電子ガスからなるチャンネルのオン・オフが，空乏層を介してゲート電極１７に印加された電圧で制御される。ソース電極１５，ドレイン電極１６は，共に電子供給層１４（ｎ－ＡｌＧａＮ）とオーミック接触をする材料として，例えばＴｉ／Ａｕ等で構成される。ゲート電極１７は，ｎ－ＡｌＧａＮとショットキー接触をし，ｎ－ＡｌＧａＮ中に空乏層を形成する材料として，例えばＮｉ／Ａｕで構成される。 【００１８】 このＨＥＭＴ素子１０の特徴は，組成ｐが一定でないノンドープのＡｌｐＧａ１－ｐＮで緩衝層１２が構成されていることである。図１右のグラフにおいては，この緩衝層１２中における厚さ方向の位置を，基板１１側を下側，電子走行層１３側を上側として縦軸に示し，その位置における組成ｐの値を横軸にして示している。この組成においては，下端側（基板１１側）においてｐ＝０（ＧａＮ）となった領域（基板接続領域１２１）が，上端側（電子走行層１３側）においてもｐ＝０（ＧａＮ）となった領域（能動層接続領域１２２）が，それぞれ設けられている。これらの領域間には，ｐ＝１（ＡｌＮ）となっている領域（高Ａｌ組成領域１２３）が設けられている。高Ａｌ組成領域１２３の抵抗率は，この緩衝層１２中で最も高くなっている。 【００１９】 また，高Ａｌ組成領域１２３と基板接続領域１２１との間には，組成ｐが徐々に変動する傾斜組成をもった領域（基板側傾斜組成領域１２４）が設けられている。この領域においては，その組成ｐは，高Ａｌ組成領域１２３側でｐ＝１（高Ａｌ組成領域１２３と同一の組成）となり，基板接続領域１２１側でｐ＝０（基板接続領域１２１と同一の組成）となるように変化する。同様に，高Ａｌ組成領域１２３と能動層接続領域１２２との間には，組成ｐが徐々に変動する傾斜組成をもった領域（能動層側傾斜組成領域１２５）が設けられている。この領域においては，その組成ｐは，高Ａｌ組成領域１２３側でｐ＝１（高Ａｌ組成領域１２３と同一の組成）となり，能動層接続領域１２２側でｐ＝０（能動層接続領域１２２と同一の組成）となるように変化する。 （中略） 【００２６】 また，上記の例では，電子走行層１３を半絶縁性ＧａＮ層としたが，例えばこれを半絶縁性（ノンドープ）のＡｌｘＧａ１－ｘＮ（０＜ｘ＜１）層とすることもできる。この場合には，図３に示されるように，能動層接続領域１２２の組成を，この電子走行層の組成に適合させればよい。この場合には，電子走行層を半絶縁性のＡｌ０．６Ｇａ０．４Ｎ層としている。」 （イ）引用発明１ 以上の記載から，引用文献１には，次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。 「ＧａＮからなる基板接続領域１２１と， 前記基板接続領域１２１上に形成された基板側傾斜組成領域１２４と高Ａｌ組成領域１２３と能動層側傾斜組成領域１２５を含むＡｌＧａＮからなる緩衝層と， 前記緩衝層上に形成されたＧａＮからなる電子走行層１３と， 前記ＧａＮからなる電子走行層１３上に形成されたＡｌｘＧａ１－ｘＮ（ｘ＝０．２程度）電子供給層１４と 前記緩衝層のＡｌ組成は，緩衝層の積層方向に従って変化し， 前記緩衝層のＡｌ組成は，前記緩衝層の積層方向に従って増加し，高Ａｌ組成領域１２３のＡｌ組成から前記緩衝層の積層方向に従って減少し， ＡｌｘＧａ１－ｘＮ（ｘ＝０．２程度）電子供給層１４上には，ソース電極１５，ドレイン電極１６及びゲート電極１７が形成されることを特徴とするＨＥＭＴ。」 イ　引用文献２について （ア）引用文献２ 原査定の拒絶の理由で引用された特開２０１３－１２３０４７号公報（以下，「引用文献２」という。）には，図面と共に，次の記載がある。 「【技術分野】 【０００１】 本発明は，エンハンスメントモードＩＩＩ－窒化物デバイスおよびその製造方法について記載する。 （中略） 【００３９】 ＨＥＭＴ成長は，一般には，高品質デバイスを得るために，バッファ層（２０１）から開始する。基板材料が活性材料と異なる場合，このバッファ層は，また，格子定数の違いにも適用する。 【００４０】 本発明の関連では，バッファ層（２０１）の厚さは例えば２００ｎｍと１０μｍの間であり，好適には１μｍと３μｍの間である。任意的に，追加のバッファ層（２０１’），例えば核生成層および／または例えばＡｌＧａＮ，ＡｌＮ，またはＧａＮ中間層のような中間層が，基板と活性層との間の熱膨張および格子不整合を克服するために形成されても良い。 【００４１】 次に，チャネル層（２０２）は，ＧａＮ，ＧａＡｓ，またはＩｎＧａＡｓを含んでも良い。チャネル層の厚さは，例えば５ｎｍと２００ｎｍとの間，好適には５０ｎｍと２００ｎｍとの間でも良い。次に，バリア層（２０３）は，例えばＡｌＧａＮ，ＡｌＧａＡｓ，またはＩｎＡｌＡｓを含んでも良い。バリア層の厚さは，例えば１ｎｍと５０ｎｍとの間，好適には５ｎｍと３０ｎｍとの間でも良い。代わりに，明確なチャネル層無しに，ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓトランジスタが作製されても良い。加えて，ＩＩＩ－窒化物材料を含むキャップ層（２０４，図示せず）が，バリア層（２０３）上のエピタキシャル成長により形成しても良い。そのような追加のキャップ層はＧａＮを含み，１ｎｍと１０ｎｍとの間に厚さを有する。 【００４２】 次の工程では，シリコン窒化物を含むパッシベーション層（３０１）が，その場（in-situ）で（即ち，制御された雰囲気の下，ＩＩＩ－窒化物層の形成工程とパッシベーション層の形成工程との間に「真空ブレイク」を行わずに）成長され，層のスタックの上層を覆い，これと接続する。上層は，バリア層（２０３）または追加のキャップ層（２０４）またはＨＥＭＴを形成するために使用されるＩＩＩ－窒化物層のスタックの他のＩＩＩ－窒化物層部分でも良い。パッシベーション層（３０１）は，層のスタックと共にその場で堆積され，即ち，ＭＯＣＶＤまたはＭＢＥまたは均等の技術により同じプロセス工程で堆積される。特別な具体例では，パッシベーション層（３０１）は，９００℃と１２５０℃との間，より好適には１１００℃の温度でＭＯＣＶＤにより，層のスタックと共にその場で堆積される。」 また，図１には，以下のものが記載されているものと認められる。 「バッファ層（２０１），ＧａＮを選択し得るチャネル層（２０２），ＡｌＧａＮを選択し得るバリア層（２０３），バリア層上に形成するシリコン窒化物を含むパッシベーション層（３０１）を備えたＨＥＭＴ。」 （イ）引用発明２に記載された技術的事項 以上の記載から，引用文献２には，次の技術的事項が記載されているものと認められる。 （技術的事項２－１） 「バッファ層（２０１），ＧａＮを選択し得るチャネル層（２０２），ＡｌＧａＮを選択し得るバリア層（２０３）を備えたＨＥＭＴにおいて，バリア層の層厚として，例えば１ｎｍと５０ｎｍとの間，好適には５ｎｍと３０ｎｍの間とすること。」 （技術的事項２－２） 「バッファ層（２０１），ＧａＮを選択し得るチャネル層（２０２），ＡｌＧａＮを選択し得るバリア層（２０３）を備えたＨＥＭＴにおいて，バリア層上にインサイチュ（Ｉｎ－ｓｉｔｕ）でシリコン窒化物を含むパッシベーション層（３０１）を形成すること。」 ウ　引用文献３について （ア）引用文献３ 原査定の拒絶の理由で引用された特開２０１３－２０６９７６号公報（以下，「引用文献３」という。）には，図面と共に，次の記載がある。 「【技術分野】 【０００１】 本発明は，化合物半導体装置及びその製造方法に関する。 【背景技術】 【０００２】 近年，基板上方にＧａＮ層及びＡｌＧａＮ層を順次形成し，ＧａＮ層を電子走行層として用いる電子デバイス（化合物半導体装置）の開発が活発である。このような化合物半導体装置の一つとして，ＧａＮ系の高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ：high　electron　mobility　transistor）が挙げられる。 （中略） 【００２５】 電子走行層１５の形成の際には，ＴＭＧガス及びＮＨ3ガスの混合ガスを用いてＧａＮ層を形成する。 （中略） 【００２７】 電子供給層１６の形成の際には，ＴＭＡガス，ＴＭＧガス及びＮＨ3ガスの混合ガスを用いてＡｌＧａＮ層を形成する。例えば，ノンドープのｉ－ＡｌＧａＮ層を形成し，その上にｎ型のｎ－ＡｌＧａＮ層を形成する。ｉ－ＡｌＧａＮ層の厚さは１ｎｍ～３０ｎｍ程度（例えば５ｎｍ）とし，ｎ－ＡｌＧａＮ層の厚さは３ｎｍ～３０ｎｍ程度（例えば１５ｎｍ）程度とする。ｉ－ＡｌＧａＮ層及びｎ－ＡｌＧａＮ層のＡｌ組成は０．３以下とすることが好ましい。 （中略） 【００２９】 このようにして，初期層１２，バッファ層１３，電子走行層１５，電子供給層１６及びキャップ層２１を含む化合物半導体積層構造１０が得られる。また，化合物半導体積層構造１０においては，Ｆｅドープ領域１４ａがバッファ層１３の低Ａｌ層１３ｃの一部から電子走行層１５の一部にかけて形成されている。」 （イ）引用文献３に記載された技術的事項 以上の記載から，引用文献３には，以下の技術的事項（以下、「技術的事項３」という。）が記載されているものと認められる。 （技術的事項３） 「バッファ層１３，ＧａＮ電子走行層１５，ノンドープのｉ－ＡｌＧａＮ層とその上にｎ型のｎ－ＡｌＧａＮ層から構成されるＡｌＧａＮ層電子供給層１６を含むＨＥＭＴにおいて，ｉ－ＡｌＧａＮ層（５ｎｍ）とその上にｎ型のｎ－ＡｌＧａＮ層（１５ｎｍ）から構成されるＡｌＧａＮ層電子供給層１６として，両者を合わせて２０ｎｍ程度の層厚とすること。」 エ　引用文献４について （ア）引用文献４ 本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００２－３５９２５６号公報には，図面とともに次の記載がある。 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は電界効果型化合物半導体装置に関するものであり，特に，キャリア走行層としてナイトライド系III-Ｖ族化合物半導体を用いたＨＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）タイプの化合物半導体装置における特性安定化のための保護膜構造に特徴のある電界効果型化合物半導体装置に関するものである。 （中略） 【００１７】 【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構成の説明図であり，この図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。 図１参照 上述の目的を達成するために，本発明においては，ＡｌｘＧａ１－ｘＮ（０＜ｘ≦１）をキャリア供給層３とし，ＧａＮをキャリア走行層２とした電界効果型化合物半導体装置において，キャリア供給層３の上部に走行キャリアと同導電のＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０≦ｙ≦１，且つ，ｙ＜ｘ）からなるＧａＮ系保護層４を設け，前記ＧａＮ系保護層４上にゲート電極６及びソース・ドレイン電極７を形成するとともに，前記各電極間をＳｉＮ膜５で被覆したことを特徴とする。 【００１８】この様に，キャリア供給層３上にＧａＮ系保護層４を配置することによって，ピエゾ電荷によってバンドを持ち上げてトンネル電流を低減しショットキー特性を向上することができ，且つ，ＧａＮ系保護層４を走行キャリアと同導電にすることによって，ピエゾ電荷によって持ち上げられすぎた界面ポテンシャルを持ち下げて導通性能を改善するともに，界面近傍に誘起されるホールを相殺してスクリーニングすることができ，さらに，Ａｌに起因する表面トラップの影響を排除することができ，それによって，安定なＩ－Ｖ特性を得ることができる。なお，この場合のスクリーニングの定義とはＧａＮ系保護層４を使わない場合のＡｌＧａＮ/ＧａＮ－ＦＥＴ構造の場合の最大電流密度を１００とした場合に，ＧａＮ系保護層４を使用しても８０以上の最大電流密度を出せるようにする意味である。 【００１９】特に，ＳｉＮ膜５を設けることによって，界面近傍に誘起されるホールをさらに内部に追いやることができ，それによって，ヒステリシス特性が発生することを防止することができるとともに，ピエゾ電荷によって持ち上げられた界面ポテンシャルを持ち下げることができ，それによって，フェルミ準位を相対的に挙げるので，電流密度を大きくすることができる。また，ＧａＮ系保護層４を走行キャリアと同導電型とすることによって，ソース・ドレイン電極７のオーミック性を高めることができる。 【００２０】なお、この場合のＧａＮ系保護層４は、Ａｌy Ｇａ1-y Ｎ（０≦ｙ≦１、且つ、ｙ＜ｘ）であるが、より好適には、ｙ≦０．１が望ましい。また、この場合の基板１としては、サファイア基板、ＧａＮ基板、或いは、ＳｉＣ基板のいずれでも良い。」 （イ）引用文献４に開示された技術的事項について 前記（ア）の記載内容から，引用文献４には，以下の技術的事項（以下，「技術的事項４」という。）が開示されている。 （技術的事項４） 「ＧａＮキャリア走行層２，ＡｌＧａＮで構成されるキャリア供給層３及びＧａＮ系保護層４，ＳｉＮ層５の積層構造を有するＨＥＭＴにおいて，ＳｉＮ層５には，界面近傍に誘起されるホールをさらに内部に追いやることができ，それによって，ヒステリシス特性が発生することを防止することができるとともに，ピエゾ電荷によって持ち上げられた界面ポテンシャルを持ち下げることができ，それによって，フェルミ準位を相対的に挙げるので，電流密度を大きくすることができる，換言すれば当該積層構造において，ＳｉＮ層５と下部のＡｌＧａＮ層のバンドエネルギー差を利用して，ＨＥＭＴの２ＤＥＧの減少を防止する技術であること。」 オ　引用文献５について （ア）引用文献５ 本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である，特表２０１０－５１０６８０号公報には，図面とともに次の記載がある。 「【技術分野】 【０００１】 好適な具体例は，トランジスタのような（例えば，ＧａＮ／ＡｌＧａＮ層を含む）ＩＩＩ族窒化物電界効果デバイスおよびそのようでデバイスの製造方法に関する。 （中略） 【００２７】 本発明は，改良された特性を有するＩＩＩ族窒化物電界効果デバイスを作製する方法を提案する。高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）はＩＩＩ族窒化物電界効果デバイスの最も知られた例である。ＩＩＩ族窒化物電界効果デバイスの動作は，２つの活性層の間の界面またはその近傍での２次元電子ガス（２ＤＥＧ）の形成に基づく。ＩＩＩ族窒化物電界効果デバイスの活性層は，２ＤＥＧの形成に貢献する層である。これは，例えば，その層が，自然にまたはピエゾ電気的に分極し，または代わりに層全体または層の一部が高ドープされて自由電子は２ＤＥＧ層に拡散するためである。２ＤＥＧ層，即ちトランジスタのチャネルは，活性層中または２つの活性層の間の界面に配置される。活性層はトランジスタ効果に対して本質的である。活性層は，以下において第１活性層（２）および第２活性層（３）と呼ばれる（図１，２参照）。 【００２８】 一般に，第２活性層（３）は，第１活性層と比較して，より大きなバンドギャップを有する。膜厚，組成，および第２活性層（３）の表面への負荷効果に応じて，２次元電子ガス（２ＤＥＧ）は２つの活性層の間の界面またはその近傍に現れる。膜厚，組成，および 第２活性層（３）の表面への負荷効果は，本質的に，２次元電子ガス（２ＤＥＧ）が２つの活性層の間の界面またはその近傍に現れるように選択される。活性層の一例は，ＧａＮ／ＡｌＧａＮの組み合わせである。 【００２９】 活性層の上に，例えばＳｉＮまたはＳｉＯ（非化学量論的組成ＳｉｘＮｙまたはＳｉｘＯｙ，または化学量論的組成Ｓｉ３Ｎ４またはＳｉＯ２，またはそれらの層の組み合わせ）のような１のパッシベーション層（４）またはそれ以上パッシベーション層（４，５）が堆積されても良い。シリコンＣＭＯＳプロセスでは，パッシベーション層がＶｔのシフトを避けるために使用され，より良い信頼性が得られる。ＩＩＩ族窒化物電界効果デバイスの場合，パッシベーション層は，表面状態に電荷がトラップやデトラップされるのを避けるために使用され，即ち，２ＤＥＧ密度の変化を避けるように使用される。それで，パッシベーション層は，トランジスタを外部の変形から守り，トランジスタ特性が，表面における電荷の変形のような外部パラメータにより可能な限り影響されないようにする。パッシベーション層は，下方の（活性）層の表面に存在する状態を固定または凍結する。この結果，下方の（活性）層の表面は，環境の変化に対してより敏感でなくなり，下層の特性に対する下方の（活性）層の表面状態の影響が，環境の変化に対して敏感でなくなる。）」 （イ）引用文献５に開示された技術的事項 前記（ア）の記載内容から，引用文献５には，以下の技術的事項（以下，「技術的事項５」という。）が開示されている。 （技術的事項５） 「第１活性層ＧａＮ層，第２活性層ＡｌＧａＮ層上を備えたＨＥＭＴにおいて，第２活性層上に形成されたＳｉＮから構成されるパッシベーション層は，表面状態に電荷がトラップやデトラップされるのを避けるために使用され，即ち，２ＤＥＧ密度の変化を避けるために使用される技術であること」 （３）本願補正発明と引用発明１の対比 ア　引用発明１の「ＧａＮからなる基板接続領域１２１」は，緩衝層としての機能を有するから，本願補正発明の「バッファ層」に相当する。 イ　引用発明１の「ＡｌＧａＮからなる緩衝層」は，本願補正発明の「ＡｌＧａＮ多重層」に相当し，「ＡｌＧａＮ多重層」を構成する「基板側傾斜組成領域１２４」と「高Ａｌ組成領域１２３」と「能動層側傾斜組成領域１２５」のＡｌ組成の積層小方向への変化を考慮すると、「Ａｌ組成は，ＡｌＧａＮ多重層の積層方向に従って変化し，前記ＡｌＧａＮ多重層のＡｌ組成は，前記ＡｌＧａＮ多重層の積層方向に従って増加し，高Ａｌ組成領域のＡｌ組成から前記ＡｌＧａＮ多重層の積層方向に従って減少」を満たす。 ウ　引用発明１の「ＧａＮからなる電子走行層１３」は，ＡｌＧａＮからなる緩衝層上に形成され，２次元電子ガスのチャネルとして機能することは当業者に明らかであるから，本願補正発明の「２ＤＥＧを含むＧａＮチャネル層」に相当する。 エ　引用発明１の「ＡｌｘＧａ１－ｘＮ（ｘ＝０．２程度）電子供給層１４」は，ＧａＮからなる電子走行層１３上に形成され，ＡｌｘＧａ１－ｘＮ（ｘ＝０．２程度）であるから、下記相違点（１）の点を除いて，本願補正発明の「Ａｌ組成は，１０％～３０％」である「ＡｌＧａＮ障壁層」の範囲であることを満たす。 オ　引用発明１の「ソース電極１５」，「ドレイン電極１６」及び「ゲート電極１７」は，いずれもＡｌｘＧａ１－ｘＮ（ｘ＝０．２程度）電子供給層１４上に形成されるから，各々，本願補正発明の「ソース電極」，「ドレイン電極」及び「ゲート電極」に相当する。 カ　引用発明１の「ＨＥＭＴ」は，本願補正発明１の「半導体素子」に相当する。 してみると，本願補正発明と引用発明１とは，下記キの点で一致するが，下記クの点で相違すると認められる。 キ　一致点 「バッファ層と， 前記バッファ層上に形成されたＡｌＧａＮ多重層と， 前記ＡｌＧａＮ多重層上に形成され，２ＤＥＧを含むＧａＮチャネル層と， 前記ＧａＮチャネル層上に形成されたＡｌＧａＮ障壁層と， 前記ＡｌＧａＮ多重層のＡｌ組成は，前記ＡｌＧａＮ多重層の積層方向に従って変化し， 前記ＡｌＧａＮ障壁層のＡｌ組成は，１０％～３０％であり， 前記ＡｌＧａＮ多重層のＡｌ組成は，前記ＡｌＧａＮ多重層の積層方向に従って増加し，特定のＡｌ組成から前記ＡｌＧａＮ多重層の積層方向に従って減少し， 前記ＡｌＧａＮ障壁層には，ソース電極，ドレイン電極及びゲート電極が形成されることを特徴とする半導体素子。」 ク　相違点 相違点（１） 本願補正発明では　ＡｌＧａＮ障壁層の厚さは，５ｎｍ～５０ｎｍであるのに対して，引用発明では，膜厚の範囲が記載されていない点。 相違点（２） 本願補正発明では，ＡｌＧａＮ多重層による２ＤＥＧの減少を防止するためのＡｌＧａＮ障壁層の一部の領域上に形成されたＳｉｘＮｙ（０≦ｘ，ｙ≦１）層を有し，当該ＳｉｘＮｙ層は，前記ＡｌＧａＮ障壁層上にインサイチュ（Ｉｎ－Ｓｉｔｕ）で成長したものであるのに対して，引用発明１には，ＳｉＮ層を有しない点。 （４）相違点についての判断 相違点（１）について 引用文献２には，本願補正発明のＧａＮ電子走行層，ＡｌＧａＮ障壁層の積層構造と同様な積層構造を有するＨＥＭＴにおいて，「バッファ層（２０１），ＧａＮを選択し得るチャネル層（２０２），ＡｌＧａＮを選択し得るバリア層（２０３）（本願補正発明の「ＡｌＧａＮ障壁層」に相当。）を備えたＨＥＭＴにおいて，バリア層の層厚として，例えば１ｎｍと５０ｎｍとの間，好適には５ｎｍと３０ｎｍの間とすること。」（技術的事項２－１）と記載されており，本願補正発明のＡｌＧａＮ障壁層の膜厚範囲５ｎｍ～５０ｎｍに含まれる膜厚が開示されている。 また，同様に，引用文献３には，本願補正発明と同様な前記積層構造を有するＨＥＭＴにおいて，「バッファ層１３，ＧａＮ電子走行層１５，ノンドープのｉ－ＡｌＧａＮ層とその上にｎ型のｎ－ＡｌＧａＮ層から構成されるＡｌＧａＮ層電子供給層１６（本願補正発明の「ＡｌＧａＮ障壁層」に相当。）を含むＨＥＭＴにおいて，ｉ－ＡｌＧａＮ層（５ｎｍ）とその上にｎ型のｎ－ＡｌＧａＮ層（１５ｎｍ）から構成される，両者を合わせて２０ｎｍ程度の膜厚とするＡｌＧａＮ層電子供給層１６。」（技術的事項３）が開示されており，本願補正発明のＡｌＧａＮ障壁層の膜厚範囲５ｎｍ～５０ｎｍに含まれる膜厚が開示されている。 したがって，ＧａＮ電子走行層，ＡｌＧａＮ障壁層の積層構造を備えたＨＥＭＴにおいて，ＡｌＧａＮ障壁層として膜厚を５ｎｍ～５０ｎｍとすることは，技術的事項２－１及び技術的事項３に開示されているように一般的に採用される膜厚の範囲であり，当該数値限定に臨界的意義は見いだせず，当業者が容易に想到し得た技術的事項である。 相違点（２）について 引用文献４には，公知技術として当該積層構造を備えたＨＥＭＴでは，ＳｉＮ層と下部のＡｌＧａＮ層のバンドエネルギー差を利用して，ＨＥＭＴの２ＤＥＧの減少を防止する効果が期待できる旨（技術的事項４）が記載されており，さらに，引用文献５には，公知技術として当該積層構造を備えたＨＥＭＴでは，ＳｉＮから構成されるパッシベーション層は，表面状態に電荷がトラップやデトラップされるのを避けるために使用され，即ち，２ＤＥＧ密度の変化を避ける効果が期待される旨（技術的事項５）が記載されている。 したがって，引用発明１において，ＨＥＭＴの電気的特性を基礎づける２ＤＥＧ密度について、その減少を防止するというＨＥＭＴの一般的な技術的課題に対して、公知技術である技術的事項４及び技術的事項５に配慮して，ＡｌＧａＮ多重層による２ＤＥＧの減少を防止するためにＡｌＧａＮ障壁層の一部の領域にＳｉｘＮｙ（０≦ｘ，ｙ≦１）層を設ける事は，当業者が容易に想到し得た事項である。 よって，本願補正発明は，引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものと認められ、特許出願の際独立して特許を受けることができるものとは認められない。 （５）本件補正についてのむすび 以上の検討から，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反してなされたものであるから，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 第３　本願発明について １　本願発明 平成２８年１０月２７日付けでされた手続補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明は，平成２８年１月２９日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める（以下，「本願発明」という。）。（再掲） 「【請求項１】 バッファ層と， 前記バッファ層上に形成されたＡｌＧａＮ多重層と， 前記ＡｌＧａＮ多重層上に形成され，２ＤＥＧを含むＧａＮチャネル層と， 前記ＧａＮチャネル層上に形成されたＡｌＧａＮ障壁層と， 前記ＡｌＧａＮ障壁層の一部の領域上に形成されたＳｉｘＮｙ（０≦ｘ，ｙ≦１）層とを含み， 前記ＡｌＧａＮ多重層のＡｌ組成は，前記ＡｌＧａＮ多重層の積層方向に従って変化し， 前記ＡｌＧａＮ障壁層の厚さは，５ｎｍ～５０ｎｍであり， 前記ＡｌＧａＮ障壁層のＡｌ組成は，１０％～３０％であり， 前記ＳｉｘＮｙ層は，前記ＡｌＧａＮ障壁層上にインサイチュ（Ｉｎ－Ｓｉｔｕ）で成長したものであり， 前記ＡｌＧａＮ多重層のＡｌ組成は，前記ＡｌＧａＮ多重層の積層方向に従って増加し，特定のＡｌ組成から前記ＡｌＧａＮ多重層の積層方向に従って減少し， 前記ＡｌＧａＮ障壁層には，ソース電極，ドレイン電極及びゲート電極が形成されることを特徴とする半導体素子。」 ２　引用文献の記載 引用文献１ないし引用文献３の記載事項は，前記第２の［理由］の２（２）アないしウに記載したとおりである。 ３．対比・判断 前記第２の［理由］２（３）アないしカの記載を参酌すると，本願発明と引用発明１とを比較すると以下のアの点で一致し，イの点で相違する。 ア　一致点 「バッファ層と， 前記バッファ層上に形成されたＡｌＧａＮ多重層と， 前記ＡｌＧａＮ多重層上に形成され，２ＤＥＧを含むＧａＮチャネル層と， 前記ＧａＮチャネル層上に形成されたＡｌＧａＮ障壁層と，， 前記ＡｌＧａＮ多重層のＡｌ組成は，前記ＡｌＧａＮ多重層の積層方向に従って変化し， 前記ＡｌＧａＮ障壁層のＡｌ組成は，１０％～３０％であり， 前記ＡｌＧａＮ多重層のＡｌ組成は，前記ＡｌＧａＮ多重層の積層方向に従って増加し，特定のＡｌ組成から前記ＡｌＧａＮ多重層の積層方向に従って減少し， 前記ＡｌＧａＮ障壁層には，ソース電極，ドレイン電極及びゲート電極が形成されることを特徴とする半導体素子。」 イ　相違点 相違点（１） 本願発明では　ＡｌＧａＮ障壁層の厚さは，５ｎｍ～５０ｎｍであるのに対して，引用発明では，膜厚の範囲が記載されていない点。 相違点（２） 本願発明では，ＡｌＧａＮ障壁層の一部の領域上に形成されたＳｉｘＮｙ（０≦ｘ，ｙ≦１）層を有し，当該ＳｉｘＮｙ層は，前記ＡｌＧａＮ障壁層上にインサイチュ（Ｉｎ－Ｓｉｔｕ）で成長したものであるのに対して，引用発明１には，ＳｉＮ層を有しない点。 以下，各相違点について検討する。 相違点（１）について 前記第２の［理由］２（４）の相違点（１）に対する判断と同様の理由により，当業者が容易に想到し得た技術的事項である。 相違点（２）について 相違点（２）については，前記第２の２（４）の相違点（２）で検討した本件補正発明からＳｉｘＮｙ（０≦ｘ，ｙ≦１）層について「ＡｌＧａＮ多重層による２ＤＥＧの減少を防止するため」という限定事項を削除したものである。 そうすると，ＡｌＧａＮ多重層上にＳｉｘＮｙ（０≦ｘ，ｙ≦１）層を形成するための動機付けについて，「ＡｌＧａＮ多重層による２ＤＥＧの減少を防止するため」という目的に限定されず，デバイスの保護を目的とした動機付けによりＳｉｘＮｙ（０≦ｘ，ｙ≦１）層を設ける場合も含み得る。 したがって，引用発明１において，ＨＥＭＴデバイスの保護という一般的な技術的課題に配慮して、引用文献２に記載された技術的事項２－２を採用する事は，当業者が容易に想到し得た事項である。 よって，本願発明は，引用文献１ないし引用文献３に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。 ４　結言 以上のとおり，本願発明は，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないから，その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。 よって，結論のとおり審決する。