2016-015172

特願２０１２－　３６９８２「薄膜太陽電池及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　９月１０日出願公開、特開２０１２－１７５１１２〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 第１　手続の経緯・本願発明 １　本願は、平成２４年２月２３日の出願（パリ条約による優先権主張　平成２３年２月２３日及び平成２３年１２月１６日　韓国）であって、平成２７年９月２４日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月１７日に手続補正がされ、平成２８年５月３０日付け（送達日平成２８年６月７日）で拒絶査定がされ、これに対して、同年１０月７日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正（以下「本件補正」という。）がされたものである。 ２　補正の内容 （１）本件補正は、特許請求の範囲についてするもので、その特許請求の範囲については、本件補正前に、 「　【請求項１】 基板と、 前記基板の上に配置された、第１のｎ形不純物半導体膜と第１のｐ形不純物半導体膜と、前記第１のｎ形不純物半導体膜と前記第１のｐ形不純物半導体膜との間に連続的に変わる水素含有量を有する真性半導体を含む第１の非晶質膜と、が挿入された第１のセルと、 前記第１のｎ形不純物半導体膜に隣接する金属電極と、 前記第１のｐ形不純物半導体膜に隣接する透明電極と、を含み、 前記第１の非晶質膜の前記水素含有量を、光が入射される方に配置される前記第１のｐ形不純物半導体膜との第１の界面から前記光が入射される方と反対になる方に配置される前記第１のｎ形不純物半導体膜との第２の界面に行くほど、連続的に小さくすることにより、光電エネルギー変換効率を向上させる薄膜太陽電池。 【請求項２】 前記基板は透明基板を含み、 前記透明基板の上に前記透明電極、前記第１のｐ形半導体膜、前記第１の非晶質膜、前記第１のｎ形半導体膜及び前記金属電極が順に積層され、 前記透明基板へ光が入射される請求項１に記載の薄膜太陽電池。 【請求項３】 前記第１のセルと前記金属電極との間に、 第２のｐ形半導体膜と、連続的に変わる水素含有量を有する第２の真性半導体膜と、第２のｎ形半導体膜とが前記第１のｎ形半導体膜の上で順に積層された第２のセルを少なくとも１つさらに含み、 前記第２の真性半導体膜は真性シリコンを含む非晶質膜及び結晶質膜の中で少なくともいずれか１つを含み、 前記第２の真性半導体膜の前記水素含有量を、光が入射される方に配置される前記第２のｐ形半導体膜との第３の界面から前記光が入射される方と反対になる方に配置される前記第２のｎ形半導体膜との第４の界面に行くほど、連続的に小さくすることにより、光電エネルギー変換効率を向上させる請求項２に記載の薄膜太陽電池。 【請求項４】 前記基板は不透明基板を含み、 前記不透明基板の上に前記金属電極、前記第１のｎ形半導体膜、前記第１の非晶質膜、前記第１のｐ形半導体膜、及び前記透明電極が順に積層され、 前記透明電極へ光が入射される請求項１に記載の薄膜太陽電池。 【請求項５】 前記第１のセルと前記金属電極との間に、 第２のｎ形半導体膜と、連続的に変わる水素含有量を有する第２の真性半導体膜と、第２のｐ形半導体膜とが前記金属電極の上に順に積層された第２のセルを少なくとも１つさらに含み、 前記第２の真性半導体膜は真性非晶質膜、真性微晶質シリコン膜、及び真性結晶質膜の中で少なくともいずれか１つを含み、 前記第２の真性半導体膜の前記水素含有量を、光が入射される方に配置される前記第２のｐ形半導体膜との第３の界面から前記光が入射される方と反対になる方に配置される前記第２のｎ形半導体膜との第４の界面に行くほど、連続的に小さくすることにより、光電エネルギー変換効率を向上させる請求項４に記載の薄膜太陽電池。 【請求項６】 前記第１の非晶質膜は、 前記シリコンで構成されるか、又は ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＯ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＮ、ＳｉＧｅＯ、ＳｉＧｅＮ、ＳｉＧｅＣ、又はこれらの組合を含む請求項１に記載の薄膜太陽電池。 【請求項７】 基板を提供し、 前記基板の上に、ｐ形半導体膜と、ｎ形半導体膜と、前記ｐ形半導体膜と前記ｎ形半導体膜との間に配置された連続的に変わる水素含有量を有する真性半導体を含む非晶質膜とを含むセルを形成し、 前記ｐ形半導体膜に隣接する透明電極を形成し、 前記ｎ形半導体膜に隣接する金属電極を形成することを含み、 前記非晶質膜の前記水素含有量を、光が入射される方に配置される前記ｐ形半導体膜との第１の界面から前記光が入射される方と反対になる方に配置される前記ｎ形半導体膜との第２の界面に行くほど、連続的に小さくすることにより、光電エネルギー変換効率を向上させる薄膜太陽電池の製造方法。 【請求項８】 前記基板は前記入射面に隣接配置される透明基板を含み、 前記セルを形成することは、 前記透明基板の上に前記ｐ形半導体膜を形成し、 前記ｐ形半導体膜の上に半導体ソースガスを水素で希釈させた反応ガスを提供し、前記水素の希釈比を漸進的に増やしながら前記非晶質膜を形成し、 前記非晶質膜の上に前記ｎ形半導体膜を形成することを含む請求項７に記載の薄膜太陽電池の製造方法。 【請求項９】 前記基板は前記反対面に隣接配置される不透明基板を含み、 前記セルを形成することは、 前記不透明基板の上に前記ｎ形半導体膜を形成し、 前記ｎ形半導体膜の上に半導体ソースガスを水素で希釈させた反応ガスを提供し、前記水素の希釈比を漸進的に減りながら前記非晶質膜を形成し、 前記非晶質膜の上に前記ｐ形半導体膜を形成することを含む請求項７に記載の薄膜太陽電池の製造方法。」 とあったものを、 「　【請求項１】 基板と、 前記基板の上に配置された、第１のｎ形不純物半導体膜と第１のｐ形不純物半導体膜と、前記第１のｎ形不純物半導体膜と前記第１のｐ形不純物半導体膜との間に連続的に変わる水素含有量を有する真性半導体を含む第１の非晶質膜と、が挿入された第１のセルと、 前記第１のｎ形不純物半導体膜に隣接する金属電極と、 前記第１のｐ形不純物半導体膜に隣接する透明電極と、を含み、 前記第１の非晶質膜の前記水素含有量は光が入射される方に配置される前記第１のｐ形不純物半導体膜との第１の界面から前記光が入射される方と反対になる方に配置される前記第１のｎ形不純物半導体膜との第２の界面に行くほど、連続的に小さくなり、 前記基板は不透明基板を含み、 前記不透明基板の上に前記金属電極、前記第１のｎ形半導体膜、前記第１の非晶質膜、前記第１のｐ形半導体膜、及び前記透明電極が順に積層され、 前記透明電極へ光が入射される薄膜太陽電池。 【請求項２】 前記第１のセルと前記金属電極との間に、 第２のｎ形半導体膜と、連続的に変わる水素含有量を有する第２の真性半導体膜と、第２のｐ形半導体膜とが前記金属電極の上に順に積層された第２のセルを少なくとも１つさらに含み、 前記第２の真性半導体膜は真性非晶質膜、真性微晶質シリコン膜、及び真性結晶質膜の中で少なくともいずれか１つを含み、 前記第２の真性半導体膜の前記水素含有量は前記不透明基板との距離が小さくなるほど、連続的に小さくなる請求項１に記載の薄膜太陽電池。 【請求項３】 前記第１の非晶質膜は、 前記シリコンで構成されるか、又は ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＯ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＮ、ＳｉＧｅＯ、ＳｉＧｅＮ、ＳｉＧｅＣ、又はこれらの組合を含む請求項１に記載の薄膜太陽電池。 【請求項４】 基板を提供し、 前記基板の上に、ｐ形半導体膜と、ｎ形半導体膜と、前記ｐ形半導体膜と前記ｎ形半導体膜との間に配置された連続的に変わる水素含有量を有する真性半導体を含む非晶質膜とを含むセルを形成し、 前記ｐ形半導体膜に隣接する透明電極を形成し、 前記ｎ形半導体膜に隣接する金属電極を形成することを含み、 前記非晶質膜は光が入射される入射面とその反対面を含み、前記水素含有量は前記入射面から前記反対面に行くほど、連続的に小さくなり、 前記基板は前記反対面に隣接配置される不透明基板を含み、 前記セルを形成することは、 前記不透明基板の上に前記ｎ形半導体膜を形成し、 前記ｎ形半導体膜の上に半導体ソースガスを水素で希釈させた反応ガスを提供し、前記水素の希釈比を漸進的に減りながら前記非晶質膜を形成し、 前記非晶質膜の上に前記ｐ形半導体膜を形成することを含む薄膜太陽電池の製造方法。」 に補正するものである。 （２）上記（１）の特許請求の範囲についての補正は、本件補正後の請求項１～４は、本件補正前の請求項４～６、９に、それぞれ対応し、本件補正前の請求項１～３、７、８を削除する請求項の削除の補正を行っている。 また、本件補正前の請求項４、６が引用する請求項１、本件補正前の請求項５及び本件補正前の請求項９が引用する請求項７の「光電エネルギー変換効率を向上させる」との作用効果を削除し、本件補正前の請求項５の「第２の真性半導体膜の前記水素含有量を、光が入射される方に配置される前記第２のｐ形半導体膜との第３の界面から前記光が入射される方と反対になる方に配置される前記第２のｎ形半導体膜との第４の界面に行くほど、連続的に小さくする」を本件補正後の請求項２の「第２の真性半導体膜の前記水素含有量は前記不透明基板との距離が小さくなるほど、連続的に小さくなる」とし、本件補正前の請求項９が引用する請求項７の「非晶質膜の前記水素含有量を、光が入射される方に配置される前記ｐ形半導体膜との第１の界面から前記光が入射される方と反対になる方に配置される前記ｎ形半導体膜との第２の界面に行くほど、連続的に小さくする」を本件補正後の請求項４の「非晶質膜は光が入射される入射面とその反対面を含み、前記水素含有量は前記入射面から前記反対面に行くほど、連続的に小さくなり」として、拒絶査定に記載された拒絶の理由に示す事項を考慮して明りょうでない記載の釈明の補正を行っている。 （３）したがって、本件補正後の特許請求の範囲に係る補正は、特許法第１７条の２第５項第１号の請求項の削除又は同法第１７条の２第５項第４号の明りょうでない記載の釈明を目的とする適法な補正と認める。 ３　本願の請求項１に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものと認める。 「　【請求項１】 基板と、 前記基板の上に配置された、第１のｎ形不純物半導体膜と第１のｐ形不純物半導体膜と、前記第１のｎ形不純物半導体膜と前記第１のｐ形不純物半導体膜との間に連続的に変わる水素含有量を有する真性半導体を含む第１の非晶質膜と、が挿入された第１のセルと、 前記第１のｎ形不純物半導体膜に隣接する金属電極と、 前記第１のｐ形不純物半導体膜に隣接する透明電極と、を含み、 前記第１の非晶質膜の前記水素含有量は光が入射される方に配置される前記第１のｐ形不純物半導体膜との第１の界面から前記光が入射される方と反対になる方に配置される前記第１のｎ形不純物半導体膜との第２の界面に行くほど、連続的に小さくなり、 前記基板は不透明基板を含み、 前記不透明基板の上に前記金属電極、前記第１のｎ形半導体膜、前記第１の非晶質膜、前記第１のｐ形半導体膜、及び前記透明電極が順に積層され、 前記透明電極へ光が入射される薄膜太陽電池。」（以下「本願発明」という。） 第２　引用刊行物の記載事項 １　原査定の拒絶の理由に引用された最先の優先日前の刊行物である特開２００２－７６４０９号公報（以下「引用文献１」という。）には、次の事項が図とともに記載されている（下線は審決で付した。以下同じ。）。 （１）「【０００２】 【従来の技術】近年、光起電力装置として薄膜半導体を用いたものが盛んに開発されている。薄膜半導体を発電層とするものは、大面積化が容易であり、太陽電池のような光起電力装置に求められる基本的要件を十分に満たすものである。」 （２）「【０００８】本発明において、真性非晶質半導体膜の光学的バンドギャップは、非晶質半導体膜側に向かうにつれて広くなっていればよく、連続的に光学的バンドギャップが広くなるように形成されてもいてもよいし、段階的に広くなるように、複数の層を積層して構成されていてもよい。」 （３）「【００３７】（第３の実施例）図４は、本発明に従う第３の実施例の光起電力装置を示す模式的断面図である。図４を参照して、ｎ型単結晶シリコン基板３１の光入射側には、真性の非晶質シリコン層３２が形成され、その上に真性の非晶質シリコン層３３が形成されている。真性の非晶質シリコン層３３は、真性の非晶質シリコン層３２に比べ、相対的に水素含有量が高くなるように形成されている。すなわち、水素含有量が高くなることにより、光学的バンドギャップが広くなるように形成されている。真性の非晶質シリコン層３２と真性の非晶質シリコン層３３から、本発明の真性非晶質半導体膜が構成されている。 【００３８】真性の非晶質シリコン層３３の上には、ｐ型の非晶質シリコン層３４が形成されている。ｐ型の非晶質シリコン層３４の上には、透明電極３５及び集電極３６が形成されている。 【００３９】ｎ型単結晶シリコン基板３１の裏面側には、真性の非晶質シリコン層３７が形成されており、この上にｎ型の非晶質シリコン膜３８が形成されている。ｎ型の非晶質シリコン層３８の上には、裏面電極３９及び集電極３６が形成されている。」 （４）上記（１）ないし（３）から、引用文献１には、 「ｎ型単結晶シリコン基板３１の光入射側には、真性の非晶質シリコン層３２が形成され、その上に真性の非晶質シリコン層３３が形成され、真性の非晶質シリコン層３３は、真性の非晶質シリコン層３２に比べ、相対的に水素含有量が高くなるように形成され、すなわち、水素含有量が高くなることにより、光学的バンドギャップが広くなるように形成され、真性の非晶質シリコン層３３の上には、ｐ型の非晶質シリコン層３４が形成され、ｐ型の非晶質シリコン層３４の上には、透明電極３５が形成され、ｎ型単結晶シリコン基板３１の裏面側には、真性の非晶質シリコン層３７が形成されており、この上にｎ型の非晶質シリコン膜３８が形成され、ｎ型の非晶質シリコン膜３８の上には、裏面電極３９が形成され、真性非晶質半導体膜の光学的バンドギャップは、連続的に光学的バンドギャップが広くなるように形成されていてもよい太陽電池のような光起電力装置。」の発明（以下「引用発明１」という。）が、記載されているものと認められる。 ２　原査定の拒絶の理由に引用された最先の優先日前の刊行物である特開２００２－２４６３１７号公報（以下「引用文献２」という。）には、次の事項が図とともに記載されている。 （１）「【００１５】 【発明の実施の形態】（実施例１）本発明の薄膜形成方法に従いｉ層を形成して、ｐｉｎ型非晶質光起電力素子を作製した。図１は、このｐｉｎ型非晶質光起電力素子の構造を示す概略断面図である。ガラス基板１の上には、凹凸の表面形状を有するＳｎＯ2からなる透明電極２が形成されている。この透明電極２の上には、ｐ型非晶質ＳｉＣ層３、ｉ型非晶質Ｓｉ層４、及びｎ型非晶質Ｓｉ層５が、平行平板型プラズマＣＶＤ法によって形成されている。ｎ型非晶質Ｓｉ層５の上には、ＺｎＯ層６がスパッタ法により形成されており、その上にはＡｇからなる電極層７がスパッタ法により形成されている。」 （２）「【００１８】表２には、ｉ型非晶質Ｓｉ層４の薄膜形成条件を示す。表２に示すように、ｉ型非晶質Ｓｉ層４は、工程１、工程２、及び工程３の順で条件を設定することにより形成した。」 （３）「【００２１】工程２では、水素ガスを導入しながら、同時にシランガスを徐々に加えていき、一定の流量（表２では５０ｓｃｃｍ）になるまでシランガスの流量を徐々に増加させる。この際、水素ガスとシランガスのプラズマからの発光スペクトルの各ピーク強度及びそれらの強度比が、シランガスの流量の増加に比例して変化するように、シランガスを徐々に反応室内に導入する。」 （４）上記（１）ないし（３）から、引用文献２には、 「水素ガスを導入しながら、同時にシランガスを徐々に加えていき、一定の流量になるまでシランガスの流量を徐々に増加させるｉ型非晶質Ｓｉ層の薄膜形成条件を設定することにより形成したｐｉｎ型非晶質光起電力素子」の発明（以下「引用発明２」という。）が、記載されているものと認められる。 第３　対比 本願発明と引用発明１とを対比する。 １　引用発明１の「ｎ型単結晶シリコン基板３１」は、本願発明の「第１のｎ形不純物半導体膜」に、引用発明１の「ｐ型の非晶質シリコン層３４」は、本願発明の「第１のｐ形不純物半導体膜」に、引用発明１の「『真性の非晶質シリコン層３２』、『真性の非晶質シリコン層３２』」は、本願発明の「真性半導体を含む第１の非晶質膜」に、引用発明１の「『ｎ型単結晶シリコン基板３１』、『ｐ型の非晶質シリコン層３４』、『真性の非晶質シリコン層３２』、『真性の非晶質シリコン層３２』」は、本願発明の「第１のセル」に、引用発明１の「『ｐ型の非晶質シリコン層３４の上に』『形成され』た『透明電極３５』」は、本願発明の「第１のｐ形不純物半導体膜に隣接する透明電極」に、引用発明１の「太陽電池のような光起電力装置」は、本願発明の「薄膜太陽電池」に、それぞれ相当する。 ２　引用発明１の「真性の非晶質シリコン層３３は、真性の非晶質シリコン層３２に比べ、相対的に水素含有量が高くなるように形成され」ていることから、真性の非晶質シリコン層３２は、真性の非晶質シリコン層３３よりも水素含有量は低くなっている。 よって、引用発明１の「『ｎ型単結晶シリコン基板３１の光入射側には、真性の非晶質シリコン層３２が形成され、その上に真性の非晶質シリコン層３３が形成され、真性の非晶質シリコン層３３は、真性の非晶質シリコン層３２に比べ、相対的に水素含有量が高くなるように形成され、』『真性の非晶質シリコン層３３の上には、ｐ型の非晶質シリコン層３４が形成され』」は、本願発明の「前記第１のｎ形不純物半導体膜と前記第１のｐ形不純物半導体膜との間に連続的に変わる水素含有量を有する真性半導体を含む第１の非晶質膜と、が挿入され」、「前記第１の非晶質膜の前記水素含有量は光が入射される方に配置される前記第１のｐ形不純物半導体膜との第１の界面から前記光が入射される方と反対になる方に配置される前記第１のｎ形不純物半導体膜との第２の界面に行くほど、連続的に小さくなり」と、「前記第１のｎ形不純物半導体膜と前記第１のｐ形不純物半導体膜との間に変わる水素含有量を有する真性半導体を含む第１の非晶質膜と、が挿入され」、「前記第１の非晶質膜の前記水素含有量は光が入射される方に配置される前記第１のｐ形不純物半導体膜との第１の界面から前記光が入射される方と反対になる方に配置される前記第１のｎ形不純物半導体膜との第２の界面に行くほど、小さくなり」との点で一致する。 ３　本願発明の「第１のｎ形不純物半導体膜に隣接する金属電極」との記載は、本願請求項１を引用する本願請求項２には「『前記第１のセルと前記金属電極との間に、』『第２のセルを少なくとも１つさらに含み、』」と記載されていること、本願明細書【００６６】には「後面反射膜２６０は金属電極２７０とセル２３０との間に配置され得る。」と記載されていることから、第１のｎ形不純物半導体膜と金属電極との間に、層があるものも含んでいると解される。 そうすると、引用発明１の「ｎ型単結晶シリコン基板３１の裏面側には、真性の非晶質シリコン層３７が形成されており、この上にｎ型の非晶質シリコン膜３８が形成され、ｎ型の非晶質シリコン膜３８の上には、裏面電極３９」は、本願発明の「第１のｎ形不純物半導体膜に隣接する金属電極」と、「第１のｎ形不純物半導体膜に隣接する電極」の点で一致する。 ４　引用発明１の「『ｎ型単結晶シリコン基板３１の光入射側には、真性の非晶質シリコン層３２が形成され、その上に真性の非晶質シリコン層３３が形成され、』『真性の非晶質シリコン層３３の上には、ｐ型の非晶質シリコン層３４が形成され、ｐ型の非晶質シリコン層３４の上には、透明電極３５が形成され、ｎ型単結晶シリコン基板３１の裏面側には、真性の非晶質シリコン層３７が形成されており、この上にｎ型の非晶質シリコン膜３８が形成され、ｎ型の非晶質シリコン膜３８の上には、裏面電極３９が形成され、』」は、本願発明の「前記金属電極、前記第１のｎ形半導体膜、前記第１の非晶質膜、前記第１のｐ形半導体膜、及び前記透明電極が順に積層され、」と、「前記電極、前記第１のｎ形不純物半導体膜、前記第１の非晶質膜、前記第１のｐ形不純物半導体膜、及び前記透明電極が順に積層され、」の点で一致する（審決注：本願発明「前記第１のｎ形半導体膜」、「前記第１のｐ形半導体膜」より前には「第１のｎ形不純物半導体膜」、「第１のｐ形不純物半導体膜」との記載しかないので、「前記第１のｎ形不純物半導体膜」、「前記第１のｐ形不純物半導体膜」で一致するとした。）。 ５　引用発明１の「『ｎ型単結晶シリコン基板３１の光入射側に』『透明電極３５が形成され』は、本願発明の「透明電極へ光が入射される」に相当する。 ６　上記１ないし５からみて、本願発明と引用発明１とは、 「第１のｎ形不純物半導体膜と第１のｐ形不純物半導体膜と、前記第１のｎ形不純物半導体膜と前記第１のｐ形不純物半導体膜との間に変わる水素含有量を有する真性半導体を含む第１の非晶質膜と、が挿入された第１のセルと、 前記第１のｎ形不純物半導体膜に隣接する電極と、 前記第１のｐ形不純物半導体膜に隣接する透明電極と、を含み、 前記第１の非晶質膜の前記水素含有量は光が入射される方に配置される前記第１のｐ形不純物半導体膜との第１の界面から前記光が入射される方と反対になる方に配置される前記第１のｎ形不純物半導体膜との第２の界面に行くほど、小さくなり、 前記電極、前記第１のｎ形不純物半導体膜、前記第１の非晶質膜、前記第１のｐ形不純物半導体膜、及び前記透明電極が順に積層され、 前記透明電極へ光が入射される薄膜太陽電池。」である点で一致し、次の相違点１ないし３で相違する。 相違点１： 真性半導体の水素含有量について、本願発明においては、連続的に変わるのに対して、引用発明１においては、その特定がない点。 相違点２： その上に「前記電極、前記第１のｎ形半導体膜、前記第１の非晶質膜、前記第１のｐ形半導体膜、及び前記透明電極が順に積層され」る基板が、本願発明においては、「不透明基板」であるのに対して、引用発明１においては、その特定がない点。 相違点３： 「第１のｎ形不純物半導体膜に隣接する電極」が、本願発明においては、「金属電極」であるのに対して、引用発明１においては、その特定がない点。 第４　判断 上記相違点１ないし３について検討する。 １　相違点１について 引用発明１において、「真性非晶質半導体膜の光学的バンドギャップは、連続的に光学的バンドギャップが広くなるように形成されていてもよい」ことが示唆されていること、及び、引用発明２における「ｐｉｎ型非晶質光起電力素子」の「水素ガスを導入しながら、同時にシランガスを徐々に加えていき、一定の流量になるまでシランガスの流量を徐々に増加させるｉ型非晶質Ｓｉ層の薄膜形成条件」を考慮すれば、引用発明１において、真性の非晶質シリコン層の水素含有量を連続的に変えるようになすことは、当業者が容易になし得る事項にすぎない。 ２　相違点２及び相違点３について 太陽電池に関する技術において、不透明基板の上にセルを積層することは、本願の最先の優先日前に周知である（例．特開２００３－１９７９３６号公報（【００４２】参照。）、特開２００２－３２９８７８号公報（【００２２】参照。）、特開２００５－１０１３８４号公報（【００１５】参照。）、以下「周知技術１」という。） また、太陽電池に関する技術において、裏面電極を金属電極とすることも、本願の最先の優先日前に周知である（例．特開２００３－１９７９３６号公報（【００４２】参照。）、特開２００５－１０１３８４号公報（【００１５】参照。）、引用文献２（【００１５】参照。）、以下「周知技術２」という。） そして、引用発明１において、周知技術１及び周知技術２を採用し、不透明基板の上にセルを積層すること、及び、裏面電極、すなわち、「第１のｎ形不純物半導体膜に隣接する電極」に金属電極を採用することは、当業者が適宜なし得たことである。 よって、引用発明１において、上記相違点２及び相違点３に係る本願発明の構成となすことは、当業者が周知技術１及び周知技術２に基づいて適宜なし得たことである。 ３　効果について 本願発明の奏する効果は、引用発明１、引用発明２、周知技術１及び周知技術２から当業者が予測することができた程度のものである。 ４　まとめ したがって、本願発明は、当業者が引用発明１、引用発明２、周知技術１及び周知技術２に基づいて容易に発明をすることができたものである。 第５　むすび 以上のとおり、本願発明は、当業者が引用発明１、引用発明２、周知技術１及び周知技術２に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。