2016-012769

特願２０１４－５２００２８「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１２月１２日国際公開、ＷＯ２０１３／１８３６７１〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 １．手続の経緯 本願は、平成２５年６月５日（優先権主張　２０１２年６月８日）を国際出願日とするものであって、手続の概要は以下のとおりである。 拒絶理由通知　　　　　　　：平成２８年　１月２８日（起案日） 意見書　　　　　　　　　　：平成２８年　４月　７日 手続補正　　　　　　　　　：平成２８年　４月　７日 拒絶査定　　　　　　　　　：平成２８年　５月１６日（起案日） 拒絶査定不服審判請求　　　：平成２８年　８月２４日 ２．本願発明 本願の請求項１ないし３に係る発明は、平成２８年４月７日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。 「　【請求項１】 上金型及び下金型を有するコンプレッションモールドを用いたコンプレッション成型方式により半導体装置を製造する製造方法であって、 半導体素子を封止する封止材を付与し、前記半導体素子と対向する金型にリリースフィルムを設けて前記上金型と前記下金型とにより前記封止材を硬化させる工程を含み、 前記リリースフィルムにおける前記封止材との接触側に、電磁波を遮蔽するための遮蔽材料が予め設けられた前記リリースフィルムを前記上金型に設け、 前記封止材を硬化させる工程において前記封止材に前記遮蔽材料を転写することを特徴とする半導体装置の製造方法。」 ３．引用例 原査定の拒絶の理由に引用された特開２００７－２８７９３７号公報（平成１９年１１月１日公開、以下「引用例」という。）には、図面と共に、以下の記載がある。（なお、下線は当審で付与した。） （１）「【０００１】 本発明は、通信機器周辺での使用に耐え得る樹脂封止型半導体装置及びその製造方法に関し、特に、半導体封止用樹脂の外周部の少なくとも一部に電磁波シールド樹脂部を有する樹脂封止型半導体装置及びその製造方法に関する。」 （２）「【００１５】 （第１の実施形態） 図１は、本発明の樹脂封止型半導体装置を製造する場合の樹脂封止の操作を時系列に示したものである。ここでは、片面封止法によるＢＧＡの製造を例とし、移送成形（トランスファー成形）による封止について示し、図１において、（ａ）は樹脂封止前、（ｂ）は樹脂封止中、（ｃ）は樹脂封止後の半導体装置の断面と周辺部材の断面図を示したものである。なお、上下の金型と担体フィルムとは便宜上、空間を空けて示し、これは以下の実施形態の説明においても同様である。 【００１６】 配線基板１に搭載された半導体素子２に、信号接続のためにボンディングワイヤー３が配線基板１から伸びて接続されている。この配線基板１の下には、移送成形用の下金型４があり、上方には移送成形用の上金型５があり、また、上金型５と配線基板１との間には、所定の部分に、硬化前（Ｂ－ステージ）の電磁波シールド用樹脂６を塗布した担体フィルム７がある。 【００１７】 樹脂封止前の状況では、金型４，５は、硬化に必要な温度まで加熱されており、担体フィルム７は、減圧口により上金型５に固定されている（図１（ａ））。上下の金型を締めて固定し、次に、ゲート口８から予備加熱された半導体封止用樹脂９を半導体素子部に注入し（図１（ｂ））、エアベント部１０にまで到達したら、半導体封止用樹脂９を加熱硬化して成形すると同時に、担体フィルム表面に形成されたＢ－ステージ状態の電磁波シールド用樹脂６を半導体封止用樹脂の外周部に転写し、かつ硬化させる。金型４，５を外し、配線基板１の裏側に金属ボールを接続し、個々のパッケージを図に示した切断線１１でカットして電磁波シールド樹脂部を有するＢＧＡパッケージを製造することができる（図１（ｃ））。」 （３）「【００２２】 このようなベース樹脂、例えばＫＥ－シリーズ等の半導体封止用樹脂を、アセトン等の溶媒に溶かして、金属材料、カーボン材料、フェライト材料等からなる電磁波シールド用添加剤を練り込み、適当な粘度になるまで溶媒を気散させてペーストとし、担体フィルムに塗布して、さらに溶媒を気散させて乾かし、Ｂ－ステージ状態の樹脂とすることができる。」 （４）「【００３０】 （第３の実施形態） 図３は、本発明の樹脂封止型半導体装置を製造する場合の樹脂封止の操作を時系列に示したものである。ここでは、片面封止によるＢＧＡの製造を例とし、第１の実施形態とは異なり、圧縮成形による封止について示した。図３において、（ａ）は樹脂封止前、（ｂ）は樹脂封止中、（ｃ）は樹脂封止後の半導体装置の断面と周辺部材の断面図を示したものである。なお、この実施形態で使用する材料等は、第１の実施形態と同じである。 【００３１】 配線基板４１に搭載された半導体素子４２に、信号接続のためにボンディングワイヤー４３が配線基板４１から伸びて接続されている。この配線基板４１の下には、圧縮成形用の下金型４４があり、上方には圧縮成形用の上金型４５があり、また、上金型４５と配線基板４１との間には、所定の部分に、硬化前（Ｂ－ステージ状態）の電磁波シールド樹脂部４６が形成された半導体封止用樹脂シート４７とフィルム４８がある。 【００３２】 樹脂封止前の状況では、上下金型４４，４５は、硬化に必要な温度まで加熱されており、半導体封止用樹脂シート４７は、配線基板４１及び半導体素子４２の上に積層された状態で成形前に予備加熱されている（図３（ａ））。半導体封止用樹脂シート４７が、十分に加熱され溶融したら、上金型４５が下降させて金型を締め、半導体素子４２を、半導体封止用樹脂を加熱硬化させると同時に電磁波シールド樹脂部４６も加熱硬化させることで樹脂封止する（図３（ｂ））。金型４４，４５を外し、配線基板４１に金属ボールを接続し、個々のパッケージを図に示した切断線４９でカットしてＢＧＡパッケージを製造することができる（図３（ｃ））。 【００３３】 なお、半導体封止用樹脂シート４７は、図示したように、電磁波シールド用樹脂部を半導体封止用樹脂の外周部の一部に形成されるようにしたものであればよく、これを全面に形成してもよい。また、この他に、半導体封止用樹脂からなるシートと電磁波シールド樹脂からなるシートを複数枚組み合わせて積層した多層樹脂シートとして形成することができ、電磁波シールド層と半導体封止用樹脂層をそれぞれ含んでいれば何層でも構わない。多層樹脂シートとして構成されるシートの究極は、片表面が電磁波シールド機能を持ち、もう一方の面が絶縁機能を持つ傾斜機能材料である。また、フィルム４８は、第１の実施形態の担体フィルムと同じものである。」 上記摘示事項及び図面の記載から以下のことがいえる。 （ａ）引用例には、「半導体封止用樹脂の外周部の少なくとも一部に電磁波シールド樹脂部を有する樹脂封止型半導体装置の製造方法」が記載されている（摘示事項（１））。 （ｂ）第１の実施形態は、移送成形（トランスファー成形）による封止である。半導体素子２が搭載された配線基板１の下には、移送成形用の下金型４があり、上方には移送成形用の上金型５があり、また、上金型５と配線基板１との間には、所定の部分に、硬化前（Ｂ－ステージ）の電磁波シールド用樹脂６を塗布した担体フィルム７がある。樹脂封止前の状況では、担体フィルム７は、減圧口により上金型５に固定されている。上下の金型を締めて固定し、ゲート口８から予備加熱された半導体封止用樹脂９を半導体素子部に注入し、半導体封止用樹脂９を加熱硬化して成形すると同時に、担体フィルム表面に形成されたＢ－ステージ状態の電磁波シールド用樹脂６を半導体封止用樹脂の外周部に転写し、かつ硬化させる（摘示事項（２））。 （ｃ）ベース樹脂を、アセトン等の溶媒に溶かして、金属材料、カーボン材料、フェライト材料等からなる電磁波シールド用添加剤を練り込み、適当な粘度になるまで溶媒を気散させてペーストとし、担体フィルムに塗布して、さらに溶媒を気散させて乾かし、Ｂ－ステージ状態の樹脂とすることができる。（摘示事項（３）） （ｄ）担体フィルム７における半導体封止用樹脂９との接触側に、Ｂ－ステージ状態の電磁波シールド用樹脂６が形成される（図１（ａ））。 （ｅ）第３の実施形態は、圧縮成形による封止である。半導体素子４２が搭載された配線基板４１の下には、圧縮成形用の下金型４４があり、上方には圧縮成形用の上金型４５があり、また、上金型４５と配線基板４１との間には、所定の部分に、硬化前（Ｂ－ステージ状態）の電磁波シールド樹脂部４６が形成された半導体封止用樹脂シート４７とフィルム４８がある。半導体封止用樹脂シート４７が、十分に加熱され溶融したら、上金型４５を下降させて金型を締め、半導体素子４２を、半導体封止用樹脂を加熱硬化させると同時に電磁波シールド樹脂部４６も加熱硬化させることで樹脂封止する。フィルム４８は、第１の実施形態の担体フィルムと同じものである（摘示事項（４））。 （ｆ）樹脂封止前の状況では、フィルム４８は、第１の実施形態の担体フィルムと同様に、減圧口により上金型４５に固定されている（図３（ａ））。 第３の実施形態に着目して、以上を総合勘案すると、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認める。 「圧縮成形用の下金型４４及び圧縮成形用の上金型４５を用いた圧縮成形による樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、 半導体素子４２が搭載された配線基板４１の下には、圧縮成形用の下金型４４があり、上方には圧縮成形用の上金型４５があり、 上金型４５と配線基板４１との間には、所定の部分に、硬化前（Ｂ－ステージ状態）の電磁波シールド樹脂部４６が形成された半導体封止用樹脂シート４７とフィルム４８があり、 樹脂封止前の状況では、フィルム４８は、減圧口により上金型４５に固定されており、 半導体封止用樹脂シート４７が、十分に加熱され溶融したら、上金型４５を下降させて金型を締め、半導体素子４２を、半導体封止用樹脂を加熱硬化させると同時に電磁波シールド樹脂部４６も加熱硬化させることで樹脂封止する樹脂封止型半導体装置の製造方法。」 また、第１の実施形態に着目して、引用例には、次の技術事項（以下「技術事項」という。）が記載されているものと認める。 「移送成形用の下金型４及び移送成形用の上金型５を用いた移送成形（トランスファー成形）により樹脂封止型半導体装置を製造することであって、 半導体素子２が搭載された配線基板１の下には、移送成形用の下金型４があり、上方には移送成形用の上金型５があり、 上金型５と配線基板１との間には、半導体封止用樹脂９との接触側の所定の部分に、硬化前（Ｂ－ステージ）の電磁波シールド用樹脂６を塗布した担体フィルム７があり、 樹脂封止前の状況では、担体フィルム７は、減圧口により上金型５に固定されており、 上下の金型を締めて固定し、ゲート口８から予備加熱された半導体封止用樹脂９を半導体素子部に注入し、半導体封止用樹脂９を加熱硬化して成形すると同時に、担体フィルム表面に形成されたＢ－ステージ状態の電磁波シールド用樹脂６を半導体封止用樹脂の外周部に転写し、かつ硬化させて樹脂封止型半導体装置を製造すること。」 ４．対比 そこで、本願発明と引用発明とを対比する。 （１）半導体装置を製造する製造方法 引用発明は、「樹脂封止型半導体装置の製造方法」であるから、本願発明と引用発明とは、「半導体装置を製造する製造方法」である点で一致する。 （２）コンプレッション成型方式 引用発明は、「圧縮成形用の下金型４４及び圧縮成形用の上金型４５を用いた圧縮成形」によるものであり、本願発明の「コンプレッションモールド」は、封止材を圧縮、加熱して硬化させる金型であり、上金型と、下金型とから構成されている（【００１８】）。 したがって、本願発明と引用発明とは、「上金型及び下金型を有するコンプレッションモールドを用いたコンプレッション成型方式」によるものである点で一致する。 （３）封止材を硬化させる工程 引用発明は、「半導体素子４２が搭載された配線基板４１の下には、圧縮成形用の下金型４４があり、上方には圧縮成形用の上金型４５があり、上金型４５と配線基板４１との間には、半導体封止用樹脂シート４７とフィルム４８があり、樹脂封止前の状況では、フィルム４８は、減圧口により上金型４５に固定されており、半導体封止用樹脂シート４７が、十分に加熱され溶融したら、上金型４５を下降させて金型を締め、半導体素子４２を、半導体封止用樹脂を加熱硬化させる」ものである。そして、「上金型４５と配線基板４１との間には、半導体封止用樹脂シート４７があ」ることは、「半導体素子を封止する封止材を付与」することともいえ、「フィルム４８」が「リリースフィルム」として用いられることは明らかである。 したがって、本願発明と引用発明とは、「半導体素子を封止する封止材を付与し、前記半導体素子と対向する金型にリリースフィルムを設けて前記上金型と前記下金型とにより前記封止材を硬化させる工程」を含む点で一致する。 （４）金型内への遮蔽材料の配置 金型内への遮蔽材料の配置について、本願発明は、「前記リリースフィルムにおける前記封止材との接触側に、電磁波を遮蔽するための遮蔽材料が予め設けられた前記リリースフィルムを前記上金型に設け」るのに対し、引用発明は、「上金型４５と配線基板４１との間には、所定の部分に、硬化前（Ｂ－ステージ状態）の電磁波シールド樹脂部４６が形成された半導体封止用樹脂シート４７があ」る点で相違する。 （５）封止材への遮蔽材料の形成 封止材への遮蔽材料の形成について、本願発明は、「前記封止材を硬化させる工程において前記封止材に前記遮蔽材料を転写する」のに対し、引用発明は、「半導体封止用樹脂を加熱硬化させると同時に電磁波シールド樹脂部４６も加熱硬化させる」点で相違する。 そうすると、本願発明と引用発明とは、次の点で一致する。 ＜一致点＞ 「上金型及び下金型を有するコンプレッションモールドを用いたコンプレッション成型方式により半導体装置を製造する製造方法であって、 半導体素子を封止する封止材を付与し、前記半導体素子と対向する金型にリリースフィルムを設けて前記上金型と前記下金型とにより前記封止材を硬化させる工程を含む半導体装置の製造方法。」の点。 そして、次の点で相違する。 ＜相違点＞ （１）金型内への遮蔽材料の配置について、本願発明は、「前記リリースフィルムにおける前記封止材との接触側に、電磁波を遮蔽するための遮蔽材料が予め設けられた前記リリースフィルムを前記上金型に設け」るのに対し、引用発明は、「上金型４５と配線基板４１との間には、所定の部分に、硬化前（Ｂ－ステージ状態）の電磁波シールド樹脂部４６が形成された半導体封止用樹脂シート４７があ」る点。 （２）封止材への遮蔽材料の形成について、本願発明は、「前記封止材を硬化させる工程において前記封止材に前記遮蔽材料を転写する」のに対し、引用発明は、「半導体封止用樹脂を加熱硬化させると同時に電磁波シールド樹脂部４６も加熱硬化させる」点。 ５．判断 そこで、上記相違点について検討する。 相違点（１）、（２）について 「引用発明」と「技術事項」とは、同じ文献に記載された、同じ課題を解決するものであるとともに、「圧縮成形」と「担体フィルム表面に形成されたＢ－ステージ状態の電磁波シールド用樹脂６を半導体封止用樹脂の外周部に転写」することとの組み合わせに不都合はない。 したがって、金型内への遮蔽材料の配置について、引用発明における「上金型４５と配線基板４１との間には、所定の部分に、硬化前（Ｂ－ステージ状態）の電磁波シールド樹脂部４６が形成された半導体封止用樹脂シート４７があ」る構成に代えて、「技術事項」の「上金型５と配線基板１との間には、半導体封止用樹脂９との接触側の所定の部分に、硬化前（Ｂ－ステージ）の電磁波シールド用樹脂６を塗布した担体フィルム７があり、樹脂封止前の状況では、担体フィルム７は、減圧口により上金型５に固定されて」いる構成を採用して、本願発明のように、「前記リリースフィルムにおける前記封止材との接触側に、電磁波を遮蔽するための遮蔽材料が予め設けられた前記リリースフィルムを前記上金型に設け」るようにするとともに、封止材への遮蔽材料の形成について、引用発明における「半導体封止用樹脂を加熱硬化させると同時に電磁波シールド樹脂部４６も加熱硬化させる」構成に代えて、「技術事項」の「半導体封止用樹脂９を加熱硬化して成形すると同時に、担体フィルム表面に形成されたＢ－ステージ状態の電磁波シールド用樹脂６を半導体封止用樹脂の外周部に転写し、かつ硬化させる」構成を採用して、本願発明のように、「前記封止材を硬化させる工程において前記封止材に前記遮蔽材料を転写する」ようにすることは、当業者が適宜なし得る。 また、明細書に記載された本願発明が奏する効果についてみても、本願発明の構成のものとして当業者であれば予測し得る程度のものに過ぎず、格別顕著なものがあるとは認められない。 ６．むすび 以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例に記載された発明及び技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。