2016-012152

特願２０１４－５５９８７８「磁気トンネル接合（ＭＴＪ）に基づくメモリセルをパルス読出電流に基づき読み出す方法及びシステム」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１０月　３日国際公開、ＷＯ２０１３／１４７７２８、平成２７年　４月　２日国内公表、特表２０１５－５１０２１７、請求項の数（３１）〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、平成２４年３月２５日を国際出願日とする出願であって、平成２７年８月６日付けで拒絶理由が通知され、平成２７年１１月９日付けで意見書が提出されると共に手続補正がされ、平成２８年４月８日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成２８年８月１０日に拒絶査定不服審判が請求されると共に手続補正がされ、平成２８年９月８日付けで審査官により特許法第１６４条第３項に基づく前置報告がされたものである。 第２　平成２８年８月１０日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）の適否 １．補正の内容 本件補正は、平成２７年１１月９日付け手続補正で補正した特許請求の範囲（以下、「補正前の請求項」という。）の記載を次のとおり補正した。（下線は、補正に係り請求人が付与したものである。） 「【請求項１】 論理値を磁化配向として記憶する磁気トンネル接合と、 読出動作中に電気パルスの列を前記磁気トンネル接合へ適用するコントローラと を有し、 前記コントローラは、前記電気パルスの夫々の存続期間を、当該存続期間の間に起こる前記磁化配向の変化が、該磁化配向が切り替わる臨界レベルから所定のマージンだけ上回ったままであるように設定し、前記電気パルスどうしの間に設けられる時間を、前記電気パルスの夫々の存続期間の間に起こった前記磁化配向の変化が、該変化の前の状態へ緩和されるように設定する、 メモリ装置。 【請求項２】 前記読出動作中に前記磁気トンネル接合を通る電荷フローを積分する積分器と、 前記積分された電荷フローに基づき前記記憶された論理値を決定するよう実施されるセンサと を更に有する請求項１に記載のメモリ装置。 【請求項３】 前記積分器は、前記電気パルスの列に応答して前記磁気トンネル接合を通るパルス読出電流としてプレチャージ電圧の少なくとも一部を放電するプレチャージ容量構造を有し、 前記センサは、前記読出動作の終わりに残りのプレチャージ電圧に基づき前記記憶された論理値を決定する電圧センサを有する、 請求項２に記載のメモリ装置。 【請求項４】 前記容量構造は、集積回路トレースの固有キャパシタンスを含む、 請求項３に記載のメモリ装置。 【請求項５】 アクセスデバイスを更に有し、 前記磁気トンネル接合の第１ノードはビットラインへ結合され、 前記アクセスデバイスは、前記磁気トンネル接合の第２ノードをソースラインへ制御可能に結合するよう実施され、 前記コントローラは、プレチャージされたビットラインから前記磁気トンネル接合を通るパルス読出電流を供給するために、読出動作中に、前記ビットラインをプレチャージし、前記ソースラインを接地へ結合し、前記電気パルスの列により前記アクセスデバイスを制御するよう実施され、 前記センサは、前記読出動作の終わりに前記ビットラインの電圧を検知する電圧センサを有する、 請求項２に記載のメモリ装置。 【請求項６】 前記コントローラは、略同じ振幅及び存続期間を有する対称な電気パルスの列として前記電気パルスの列を生成するよう実施される、 請求項１乃至５のうちいずれか一項に記載のメモリ装置。 【請求項７】 前記コントローラは、振幅及び存続期間のうちの１以上が前記電気パルスの他の１つの振幅及び存続期間と異なる１以上のパルスを含むように前記電気パルスの列を生成するよう実施される、 請求項１乃至５のうちいずれか一項に記載のメモリ装置。 【請求項８】 前記コントローラは、前記磁気トンネル接合を通る逓減する電流を提供するように前記電気パルスの列を生成するよう実施される、 請求項１乃至５のうちいずれか一項に記載のメモリ装置。 【請求項９】 前記コントローラは、逓減する振幅を有する前記電気パルスの列を生成するよう実施される、 請求項８に記載のメモリ装置。 【請求項１０】 前記コントローラは、逓減するパルス存続期間を有する前記電気パルスの列を生成するよう実施される、 請求項８に記載のメモリ装置。 【請求項１１】 論理値を磁化配向として記憶する磁気トンネル接合を夫々有する不揮発メモリセルのアレイと、 読出動作中に前記アレイのワードラインへ電気読出パルスの列を適用し、該電気パルスの夫々の存続期間を、当該存続期間の間に起こる前記磁化配向の変化が、該磁化配向が切り替わる臨界レベルから所定のマージンだけ上回ったままであるように設定し、前記電気パルスどうしの間に設けられる時間を、前記電気パルスの夫々の存続期間の間に起こった前記磁化配向の変化が、該変化の前の状態へ緩和されるように設定するコントローラと、 前記ワードラインの磁気トンネル接合のうちの対応する１つの磁気トンネル接合において記憶されている論理値を、前記読出動作中に当該磁気トンネル接合を通る総電荷フローに基づき夫々決定するビットラインセンサと を有するメモリシステム。 【請求項１２】 前記読出動作中に前記ワードラインの磁気トンネル接合のうちの対応する１つの磁気トンネル接合を通る電荷フローを夫々積分する積分器を更に有し、 前記センサは、前記対応する積分された電荷フローに基づき前記記憶された論理値を決定するよう実施される、 請求項１１に記載のメモリシステム。 【請求項１３】 前記積分器は、プレチャージ容量構造を有し、該プレチャージ容量構造の夫々は、前記電気パルスの列に応答して前記ワードラインの磁気トンネル接合のうちの対応する１つの磁気トンネル接合を通るパルス読出電流としてプレチャージ電圧の少なくとも一部を放電し、 前記センサは、前記読出動作の終わりに残りのプレチャージ電圧に基づき前記記憶された論理値を決定する電圧センサを有する、 請求項１２に記載のメモリシステム。 【請求項１４】 前記容量構造は、集積回路トレースの固有キャパシタンスを含む、 請求項１３に記載のメモリシステム。 【請求項１５】 前記磁気トンネル接合は、対応するビットラインへ結合される第１ノードを有し、 前記メモリセルは夫々、前記ワードラインのうちの１つの制御下で対応する磁気トンネル接合の第２ノードを対応するソースラインへ制御可能に結合するアクセスデバイスを有し、 前記コントローラは、プレチャージされたビットラインから前記ワードラインの磁気トンネル接合を通るパルス読出電流を供給するために、読出動作中に、前記ビットラインをプレチャージし、前記ソースラインを接地へ結合し、前記電気パルスの列を前記ワードラインへ適用するよう実施され、 前記センサの夫々は、前記読出動作の終わりに対応するビットラインの残りの電圧を検知する電圧センサを有する、 請求項１１に記載のメモリシステム。 【請求項１６】 前記コントローラは、略同じ振幅及び存続期間を有する対称な電気パルスの列として前記電気パルスの列を生成するよう実施される、 請求項１１乃至１５のうちいずれか一項に記載のメモリシステム。 【請求項１７】 前記コントローラは、振幅及び存続期間のうちの１以上が前記電気パルスの他の１つの振幅及び存続期間と異なる１以上のパルスを含むように前記電気パルスの列を生成するよう実施される、 請求項１１乃至１５のうちいずれか一項に記載のメモリシステム。 【請求項１８】 前記コントローラは、前記磁気トンネル接合を通る逓減する電流を提供するように前記電気パルスの列を生成するよう実施される、 請求項１１乃至１５のうちいずれか一項に記載のメモリシステム。 【請求項１９】 前記コントローラは、逓減する振幅を有する前記電気パルスの列を生成するよう実施される、 請求項１８に記載のメモリシステム。 【請求項２０】 前記コントローラは、逓減するパルス存続期間を有する前記電気パルスの列を生成するよう実施される、 請求項１８に記載のメモリシステム。 【請求項２１】 通信ネットワークと通信する通信システムと、 前記通信システムとユーザインターフェースシステムとの間をインターフェース接続するプロセッサと、 前記プロセッサ、前記通信システム、及び前記ユーザインターフェースシステムのうちの１以上の制御下でデータを記憶するメモリシステムと、 筐体と を有し、 前記メモリシステムは、 論理値を磁化配向として記憶する磁気トンネル接合と、 読出動作中に電気パルスの列を前記磁気トンネル接合へ適用し、該電気パルスの夫々の存続期間を、当該存続期間の間に起こる前記磁化配向の変化が、該磁化配向が切り替わる臨界レベルから所定のマージンだけ上回ったままであるように設定し、前記電気パルスどうしの間に設けられる時間を、前記電気パルスの夫々の存続期間の間に起こった前記磁化配向の変化が、該変化の前の状態へ緩和されるように設定するコントローラと、 前記読出動作中に前記磁気トンネル接合を通る総電荷フローに基づき前記記憶された論理値を決定するセンサと を有し、 前記プロセッサ、前記通信システム、及び前記メモリシステムは、前記筐体内に位置付けられる、システム。 【請求項２２】 前記通信システムは、無線通信システムを有し、 前記筐体は、持ち運び可能な筐体を有し、 前記ユーザインターフェースシステムの少なくとも一部、前記メモリシステム、前記プロセッサ、及び前記通信システムは、前記筐体内に位置付けられる、 請求項２１に記載のシステム。 【請求項２３】 前記読出動作中に前記磁気トンネル接合を通る電荷フローを積分する積分器を更に有し、 前記センサは、前記積分された電荷フローに基づき前記記憶された論理値を決定するよう実施される、 請求項２１に記載のシステム。 【請求項２４】 前記積分器は、前記電気パルスの列に応答して前記磁気トンネル接合を通るパルス読出電流としてプレチャージ電圧の少なくとも一部を放電するプレチャージ容量構造を有し、 前記センサは、前記読出動作の終わりに残りのプレチャージ電圧に基づき前記記憶された論理値を決定する電圧センサを有する、 請求項２３に記載のシステム。 【請求項２５】 前記容量構造は、集積回路トレースの固有キャパシタンスを含む、 請求項２４に記載のシステム。 【請求項２６】 アクセスデバイスを更に有し、 前記磁気トンネル接合の第１ノードはビットラインへ結合され、 前記アクセスデバイスは、前記磁気トンネル接合の第２ノードをソースラインへ制御可能に結合するよう実施され、 前記コントローラは、プレチャージされたビットラインから前記磁気トンネル接合を通るパルス読出電流を供給するために、読出動作中に、前記ビットラインをプレチャージし、前記ソースラインを接地へ結合し、前記電気パルスの列により前記アクセスデバイスを制御するよう実施され、 前記センサは、前記読出動作の終わりに前記ビットラインの電圧を検知する電圧センサを有する、 請求項２１に記載のシステム。 【請求項２７】 前記コントローラは、略同じ振幅及び存続期間を有する対称な電気パルスの列として前記電気パルスの列を生成するよう実施される、 請求項２１乃至２６のうちいずれか一項に記載のシステム。 【請求項２８】 前記コントローラは、振幅及び存続期間のうちの１以上が前記電気パルスの他の１つの振幅及び存続期間と異なる１以上のパルスを含むように前記電気パルスの列を生成するよう実施される、 請求項２１乃至２６のうちいずれか一項に記載のシステム。 【請求項２９】 前記コントローラは、前記磁気トンネル接合を通る逓減する電流を提供するように前記電気パルスの列を生成するよう実施される、 請求項２１乃至２６のうちいずれか一項に記載のシステム。 【請求項３０】 前記コントローラは、逓減する振幅を有する前記電気パルスの列を生成するよう実施される、 請求項２９に記載のシステム。 【請求項３１】 前記コントローラは、逓減するパルス存続期間を有する前記電気パルスの列を生成するよう実施される、 請求項２９に記載のシステム。」（以下、「補正後の請求項」という。） （１）補正事項１ 請求項１について（請求項１１、２１は請求項１と同様の補正事項を有するので、請求項１を代表させる。） 本件補正により、補正前の請求項１における「前記コントローラは、前記電気パルスどうしの間に設けられる時間を、該時間の間に起こる前記磁化配向の緩和が該磁化配向を変化させる臨界レベルを超えないように設定する」は、 「前記コントローラは、前記電気パルスの夫々の存続期間を、当該存続期間の間に起こる前記磁化配向の変化が、該磁化配向が切り替わる臨界レベルから所定のマージンだけ上回ったままであるように設定し、前記電気パルスどうしの間に設けられる時間を、前記電気パルスの夫々の存続期間の間に起こった前記磁化配向の変化が、該変化の前の状態へ緩和されるように設定する」に補正された。 ２．補正の適否 （１）特許法第１７条の２第３項について 補正事項１について 補正事項１は、当初明細書の段落【００３８】の「 図７の例では、磁化配向７０６は状態＋１で始まる。夫々のパルス７０２の間、読出電流はトルクをＭＴＪの自由層に加えて、磁化配向をわずかに状態＋１から離して状態－１へと引き寄せる。パルス７０２どうしの間、磁化配向は、時間７０６及び７０８の間に表されているように、元の状態＋１へ緩和する。パルス７０２どうしの間の緩和は、臨界レベル６０８に対してマージン７０４を与える。マージン７０４は、ＭＴＪの自由層のモーメントの強さを低減及び／又は削除することができ、その間に、擾乱の可能性を低減することができる。」との記載、当該「磁化配向をわずかに状態＋１から離して状態－１へと引き寄せる」ことは図７の記載をあわせれば「磁化配向の変化」とみることができるものである。 してみれば、補正事項１は、出願当初の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「当初明細書等」と呼ぶ。）に記載した事項の範囲内においてしたものである。 したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。 （２）補正の目的について 補正事項１について 補正事項１は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「コントローラ」が「電気パルスどうしの間に設けられる時間」を「設定する」ことについて、即ち、「前記コントローラは、前記電気パルスどうしの間に設けられる時間を、該時間の間に起こる前記磁化配向の緩和が該磁化配向を変化させる臨界レベルを超えないように設定する」事項について、前記コントローラは、「前記電気パルスの夫々の存続期間を、当該存続期間の間に起こる前記磁化配向の変化が、該磁化配向が切り替わる臨界レベルから所定のマージンだけ上回ったままであるように設定し、」前記電気パルスどうしの間に設けられる時間を、「前記電気パルスの夫々の存続期間」の間に「起こった」前記磁化配向の「変化」が、該変化の前の状態へ緩和されるように設定する、なる限定を加えるものであって、補正前の請求項に記載された発明と補正後の請求項に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 また、特許法第１７条の２第４項に違反するところはない。 そこで、補正後の前記請求項１～３１に記載された発明（以下、請求項１を代表させて「補正発明１」という。）が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について以下に検討する。 （３）刊行物の記載事項 （３．１）引用文献１の記載 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開２００８－４７２５７号公報には、次の事項が記載されている。 ア．「【請求項４】 磁化の向きが固着された磁化固着層と、磁化の向きが可変の磁気記憶層と、前記磁化固着層と前記磁気記憶層との間に設けられた非磁性層と、を備え、前記磁気記憶層に電流パルスを流すことにより前記磁気記憶層の磁化の向きが反転可能である磁気記憶素子を有するメモリセルと、 前記磁気記憶層から情報を読み出すための読み出し電流パルスを発生する読み出し回路と、 前記読み出し電流パルスのパルス幅よりも大きなパルス幅を有する、前記磁気記憶層に情報を書き込むための書き込み電流パルスを発生する書き込み回路と、 前記磁気記憶素子の一方の端子が接続され書き込み時は前記書き込み電流パルスが流れ、読み出し時は前記読み出し電流が流れる第１配線と、 前記磁気記憶素子の他方の端子が接続され書き込み時は前記書き込み電流パルスが流れ、読み出し時に前記読み出し電流が流れる第２配線と、 を備えていることを特徴とする磁気メモリ。 【請求項５】 前記書き込み電流パルスおよび前記読み出し電流パルスの印加を複数回行う場合、前記書き込み電流パルスの１つのパルスの幅が前記読み出し電流パルスの１つのパルスの幅より大きいことを特徴とする請求項４記載の磁気メモリ。」 イ．「【００１９】 図４に示すように、書き込み電流Ｉ２と読み出し電流Ｉ３は、ばらついて分布し、読み出し電流値Ｉ３の最大値Ｉ３ｍａｘと、書き込み電流Ｉ２の最小値Ｉ２ｍｉｎとの比Ｉ３ｍａｘ／Ｉ２ｍｉｎが１に近づくと、読み出し時に磁気記憶層２に誤書き込みが生じる。」 ウ．「【００３４】 以上説明したように、本実施形態によれば、図９に示すように、磁気記憶層から情報（データ）を読み出すための読み出しパルスの幅（通電時間）を、書き込むための書き込みパルスの幅より小さくすることにより、読み出し時の誤書き込みを防ぐことができる。図９においては、パルスの幅を比較するため、読み出しパルスと書き込みパルスの立ち上がりを揃えて表示している。なお、読み出しパルスの幅とは１回のパルスで生じる読み出し時間の長さを示し、書き込みパルスの幅とは１回のパルスで生じる書き込み時間の長さを示す。 【００３５】 読み出しパルスの幅が短くなると、読み出し電流値が小さくなるため“１”と“０”の情報を取得するために必要な出力が十分に得られなくなる。このため、図９に示すように、パルス幅の短いパルスの読み出し電流を複数回に分け、積算した読み出し電流値によって情報を取得すれば、十分な出力を得ることができる。」 エ． （３．２）引用文献１に記載された発明 前記ア．ないしウ．の下線部の記載及び図４の「読み出しディスターブ」を読み出し電流Ｉ３と書き込み電流Ｉ２の間に設けるとの記載から次の発明（以下、「引用発明」という。）をよみとることができる。 「磁化の向きが固着された磁化固着層と、磁化の向きが可変の磁気記憶層と、前記磁化固着層と前記磁気記憶層との間に設けられた非磁性層と、を備え、前記磁気記憶層に電流パルスを流すことにより前記磁気記憶層の磁化の向きが反転可能である磁気記憶素子を有するメモリセルと、 前記磁気記憶層から情報を読み出すための読み出し電流パルスを発生する読み出し回路と、 前記読み出し電流パルスのパルス幅よりも大きなパルス幅を有する、前記磁気記憶層に情報を書き込むための書き込み電流パルスを発生する書き込み回路と、 前記磁気記憶素子の一方の端子が接続され書き込み時は前記書き込み電流パルスが流れ、読み出し時は前記読み出し電流が流れる第１配線と、 前記磁気記憶素子の他方の端子が接続され書き込み時は前記書き込み電流パルスが流れ、読み出し時に前記読み出し電流が流れる第２配線と、 を備え、 前記書き込み電流パルスおよび前記読み出し電流パルスの印加を複数回行う場合、前記書き込み電流パルスの１つのパルスの幅が前記読み出し電流パルスの１つのパルスの幅より大きくすることにより読み出し時の誤書き込みを防ぐことと、 読み出し電流値Ｉ３の最大値Ｉ３ｍａｘと、書き込み電流Ｉ２の最小値Ｉ２ｍｉｎとの比Ｉ３ｍａｘ／Ｉ２ｍｉｎが１に近づくと、読み出し時に磁気記憶層２に誤書き込みが生じるので、読み出しディスターブを設けることとを特徴とする磁気メモリ。」 （３．３）引用文献２の記載 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特開２００２－１４０８８８号公報には、次の事項が記載されている。 オ． （３．４）引用文献２に記載された技術 引用文献２（前記オ参照）には、プリチャージ後に（プル・アップ・トランジスタにパルスを生じさせ選択されたビット線及び直接注入電荷増幅器の入力をアレイ電圧まで引き上げる）放電される電流量を積算して（センス電流で積分コンデンサを放電させる、コンデンサ電圧が基準電圧に達する時間を測定する）論理値を導出する（測定時間と基準しきい値を比較する）ことに相当する技術が示されている。 （４）対比 補正発明１と引用発明とを対比する。 Ａ．引用発明の「磁化の向きが固着された磁化固着層と、磁化の向きが可変の磁気記憶層と、前記磁化固着層と前記磁気記憶層との間に設けられた非磁性層と、を備え、前記磁気記憶層に電流パルスを流すことにより前記磁気記憶層の磁化の向きが反転可能である磁気記憶素子を有するメモリセル」は、当該補正発明１の「磁気記憶層の磁化の向きが反転」により高抵抗、低抵抗に対応する論理値が得られることは自明である点を加味すると、補正発明１の「論理値を磁化配向として記憶する磁気トンネル接合」に相当する。 Ｂ．引用発明の「磁気記憶層から情報を読み出すための読み出し電流パルスを発生する読み出し回路」は「読み出し電流パルスの印加を複数回行う場合」があることから、補正発明１の「読出動作中に電気パルスの列を前記磁気トンネル接合へ適用するコントローラ」に相当する。 Ｃ．引用発明の「前記書き込み電流パルスおよび前記読み出し電流パルスの印加を複数回行う場合、前記書き込み電流パルスの１つのパルスの幅が前記読み出し電流パルスの１つのパルスの幅より大きくすることにより読み出し時の誤書き込みを防ぐこと」に関し、「読み出し電流値Ｉ３の最大値Ｉ３ｍａｘと、書き込み電流Ｉ２の最小値Ｉ２ｍｉｎとの比Ｉ３ｍａｘ／Ｉ２ｍｉｎが１に近づくと、読み出し時に磁気記憶層２に誤書き込みが生じるので、図４に記載されたように読出しディスターブを設ける」ことは、磁化配向が切り替わる臨界レベルから所定のマージンだけ上回ったままである、と換言できる。この点を加味すれば、引用発明の前記事項と補正発明１とは「前記コントローラは、前記電気パルスの夫々の存続期間を、当該存続期間の間に起こる前記磁化配向の変化が、該磁化配向が切り替わる臨界レベルから所定のマージンだけ上回ったままであるように設定し」の点で共通する。 前記Ａ．ないしＣ．の対比によれば、補正発明１と引用発明とは次の点で一致し、そして相違する。 ［一致点］ 論理値を磁化配向として記憶する磁気トンネル接合と、 読出動作中に電気パルスの列を前記磁気トンネル接合へ適用するコントローラと を有し、 前記コントローラは、前記電気パルスの夫々の存続期間を、当該存続期間の間に起こる前記磁化配向の変化が、該磁化配向が切り替わる臨界レベルから所定のマージンだけ上回ったままであるように設定する、 メモリ装置。 〈相違点〉 コントローラが設定することに関し、補正発明１は「電気パルスどうしの間に設けられる時間を、前記電気パルスの夫々の存続期間の間に起こった前記磁化配向の変化が、該変化の前の状態へ緩和されるように設定する」のに対し、引用発明はそのような特定がされていない点。 （５）判断 引用文献１ないし２には、補正発明１の「電気パルスどうしの間に設けられる時間を、前記電気パルスの夫々の存続期間の間に起こった前記磁化配向の変化が、該変化の前の状態へ緩和されるように設定する」（以下、「特徴的事項」という。）ことについては記載も示唆もない。特徴的事項に関連し、引用文献１には、前記ウ．と図８、９に「読み出しパルスの幅が短くなると、読み出し電流値が小さくなるため“１”と“０”の情報を取得するために必要な出力が十分に得られなくなる。このため、図９に示すように、パルス幅の短いパルスの読み出し電流を複数回に分け、積算した読み出し電流値によって情報を取得すれば、十分な出力を得ることができる」ことが記載されているものの、この記載は読み出し電流を生成する複数回に分けるパルス幅（パルス存続期間）について記載するものであり、電気パルスどうしの間の時間（パルス存続期間の間の期間）の設定を説明するものではなく、電気パルスどうしの間の時間の設定について「前記電気パルスの夫々の存続期間の間に起こった前記磁化配向の変化が、該変化の前の状態へ緩和されるように設定する」という技術的な設定に係る事項についての記載もない。そして、このような設定が周知技術であるとも認められない。 してみれば、引用文献１ないし２にはいずれにも「特徴的事項」は示されていないので、補正発明１は、引用文献１ないし２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。 また、補正後の請求項１を直接的、間接的に引用する請求項２～請求項１０に係る発明、請求項１とはカテゴリが異なるが、実質的に特徴的事項を備える請求項１１、２１に係る発明、請求項１１、２１を直接的、間接的に引用する請求項１２～請求項２０に係る発明、請求項２２～請求項３１に係る発明についても同様のことがいえる。 よって、補正後の請求項１～３１の発明は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。 ３．むすび 本件補正は、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合する。 第３　本願発明 本件補正は前記のとおり、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合するから、本願の請求項１～３１に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１～３１に記載された事項により特定されるとおりのものである。 そして、本願請求項１～３１に係る発明は、前記第２の２．のとおり、当業者が引用文献に記載された発明に基いて容易に発明をすることができたものではない。 したがって、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。