2016-010876

特願２０１２－　４５４９８「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　９月１２日出願公開、特開２０１３－１８３００１〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、平成２４年３月１日を出願日とする出願であって、平成２７年２月１０日付で審査請求がなされ、平成２８年１月２０日付で拒絶理由が通知され、同年３月７日付で意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされ、同年４月２６日付で拒絶査定がなされたものである。 これに対して、平成２８年７月１９日付で拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。 第２　平成２８年７月１９日付の手続補正についての却下の決定 ［補正却下の結論］ 平成２８年７月１９日付の手続補正を却下する。 ［理由］ １　補正の内容 （１）本件補正後の特許請求の範囲の記載 平成２８年７月１９日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）により補正された特許請求の範囲の記載は次のとおりである。（なお、下線は、補正の箇所を示すものとして審判請求人が付加したものである。） 「【請求項１】 ガラス基板と、 前記ガラス基板上に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極上に形成された金属酸化物からなる第１のゲート絶縁膜と、 前記第１のゲート絶縁膜上に形成された前記第１のゲート絶縁膜と組成が異なる第２のゲート絶縁膜と、 前記第２のゲート絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極と重畳する位置に設けられた酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、を有し、 前記第１のゲート絶縁膜の表面から３ｎｍ以下の領域において、前記ガラス基板中に含まれるナトリウムの濃度が、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、 前記金属酸化物は酸化アルミニウムであり、 前記酸化アルミニウムの密度は３．２ｇ／ｃｍ３以上であり、 前記酸化アルミニウムの水の放出量は１．０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、 前記酸化アルミニウムの水素の放出量は１．０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、 前記第２のゲート絶縁膜は前記酸化物半導体膜と接する部分において少なくとも化学量論的組成比を超える量の酸素が存在することを特徴とする半導体装置。 【請求項２】 請求項１において、 前記酸化物半導体膜はチャネル領域を有しており、 前記酸化物半導体膜上には、前記チャネル領域上に位置する酸化物絶縁膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。 【請求項３】 請求項１または２において、 前記酸化物半導体膜は、インジウム酸化物、亜鉛酸化物、ガリウム酸化物、及びスズ酸化物の群から選択された少なくとも一つの酸化物を含む膜であり、 前記第２のゲート絶縁膜は、ＳｉＯ２＋α（ただし、α＞０）である酸化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか一項において、 前記酸化物半導体膜は、結晶部を含み、 前記結晶部は、ｃ軸が前記酸化物半導体膜の被形成面の法線ベクトルに平行な方向に揃うことを特徴とする半導体装置。」 （２）補正前の特許請求の範囲の記載 本件補正前の特許請求の範囲の記載は次のとおりである。 「【請求項１】 ガラス基板と、 前記ガラス基板上に形成され、酸化物半導体膜を有するトランジスタと、 前記酸化物半導体膜と前記ガラス基板との間に形成された金属酸化物からなる絶縁膜と、を有し、 前記絶縁膜の表面から３ｎｍ以下の領域において、前記ガラス基板中に含まれるナトリウムの濃度が、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、 前記金属酸化物は酸化アルミニウムであり、 前記酸化アルミニウムの密度は３．２ｇ／ｃｍ３以上であり、 前記酸化アルミニウムの水の放出量は１．０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、 前記酸化アルミニウムの水素の放出量は１．０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。 【請求項２】 ガラス基板と、 前記ガラス基板上に形成された金属酸化物からなる下地絶縁膜と、 前記下地絶縁膜上に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極と重畳する位置に設けられた酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、を有し、 前記下地絶縁膜の表面から３ｎｍ以下の領域において、前記ガラス基板中に含まれるナトリウムの濃度が、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、 前記金属酸化物は酸化アルミニウムであり、 前記酸化アルミニウムの密度は３．２ｇ／ｃｍ３以上であり、 前記酸化アルミニウムの水の放出量は１．０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、 前記酸化アルミニウムの水素の放出量は１．０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。 【請求項３】 ガラス基板と、 前記ガラス基板上に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極上に形成された金属酸化物からなる第１のゲート絶縁膜と、 前記第１のゲート絶縁膜上に形成された前記第１のゲート絶縁膜と組成が異なる第２のゲート絶縁膜と、 前記第２のゲート絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極と重畳する位置に設けられた酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、を有し、 前記第１のゲート絶縁膜の表面から３ｎｍ以下の領域において、前記ガラス基板中に含まれるナトリウムの濃度が、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、 前記金属酸化物は酸化アルミニウムであり、 前記酸化アルミニウムの密度は３．２ｇ／ｃｍ３以上であり、 前記酸化アルミニウムの水の放出量は１．０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、 前記酸化アルミニウムの水素の放出量は１．０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。 【請求項４】 請求項２または３において、 前記酸化物半導体膜はチャネル領域を有しており、 前記酸化物半導体膜上には、前記チャネル領域上に位置する酸化物絶縁膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか一項において、 前記酸化物半導体膜は、インジウム酸化物、亜鉛酸化物、ガリウム酸化物、及びスズ酸化物の群から選択された少なくとも一つの酸化物を含む膜であることを特徴とする半導体装置。 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか一項において、 前記酸化物半導体膜は、結晶部を含み、 前記結晶部は、ｃ軸が前記酸化物半導体膜の被形成面の法線ベクトルに平行な方向に揃うことを特徴とする半導体装置。」 ２　補正の適否について （１）補正の目的について 補正後の請求項１ないし４に係る発明は、補正前の請求項３ないし６に係る発明に対応し、本件補正は、補正前の請求項に係る発明に次の補正がなされたものである。 ア　補正前の請求項１ないし２を削除し、補正前の請求項３ないし６を補正後の請求項１ないし４とし、それにともない、補正前の請求項４の「請求項２または３において、」、補正前の請求項５の「請求項１乃至４のいずれか一項において、」および、補正前の請求項６の「請求項１乃至５のいずれか一項において、」の記載を、それぞれ補正後の請求項２において「請求項１において、」、補正言お請求項３において「請求項１または２において、」および、補正後の請求項４において「請求項１乃至３のいずれか一項において、」とする補正。（以下、「補正事項ア」という。） 補正事項アについて検討すると、補正事項アは、補正前の請求項１ないし２を削除し、補正前の請求項３ないし６を補正後の請求項１ないし４とし、それにともない、補正後の請求項２ないし４が引用する請求項を補正するものであるから、請求項の削除を目的とするものに該当する。そうすると、補正事項アは、特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる、請求項の削除を目的とするものに該当する。そうすると、補正事項アは、特許法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかである。 そして、補正事項アは、当初明細書等に記載されているものと認められるから、補正事項アは当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって、補正事項アは、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。 イ　補正前の請求項３に、補正後の請求項１において「前記第２のゲート絶縁膜は前記酸化物半導体膜と接する部分において少なくとも化学量論的組成比を超える量の酸素が存在すること」を加える補正。（以下、「補正事項イ」という。） 補正事項イにより加えられた部分は、当初明細書等に記載されているものと認められるから、補正事項イは当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって、補正事項イは、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。 また、補正事項イは、補正前の請求項３の「第２のゲート絶縁膜」について、補正後の請求項１において「前記第２のゲート絶縁膜は前記酸化物半導体膜と接する部分において少なくとも化学量論的組成比を超える量の酸素が存在すること」との限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。そうすると、補正事項イは、特許法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかである。 ウ　補正前の請求項５に、補正後の請求項３において「前記第２のゲート絶縁膜は、ＳｉＯ２＋α（ただし、α＞０）である酸化シリコン膜であること」を加える補正。（以下、「補正事項ウ」という。） 補正事項ウにより加えられた部分は、当初明細書等に記載されているものと認められるから、補正事項ウは当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって、補正事項ウは、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。 また、補正事項ウは、補正前の請求項５の「第２のゲート絶縁膜」について、補正後の請求項３において「前記第２のゲート絶縁膜は、ＳｉＯ２＋α（ただし、α＞０）である酸化シリコン膜であること」との限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。そうすると、補正事項イは、特許法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかである。 そこで、補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本件補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する （２）進歩性について ア　引用例１について （ア）引用例１の記載 原査定の拒絶の理由に引用された、特開２０１１－１０９０８０号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。（なお、下線は、当審において付与した。以下、同じ。） ａ　「【００２６】 なお本発明は、マイクロプロセッサ、画像処理回路などの集積回路や、ＲＦタグ、半導体表示装置等、ありとあらゆる半導体装置の作製に用いることができる。半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を意味し、半導体表示装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。半導体表示装置は、液晶表示装置、有機発光素子（ＯＬＥＤ）に代表される発光素子を各画素に備えた発光装置、電子ペーパー、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ　Ｄｅｖｉｃｅ）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ　Ｄｉｓｐｌａｙ　Ｐａｎｅｌ）、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ　Ｅｍｉｓｓｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ）等や、半導体膜を用いた回路素子を駆動回路に有しているその他の半導体表示装置がその範疇に含まれる。 【００２７】 （実施の形態１） チャネルエッチ構造のボトムゲート型の薄膜トランジスタを例に挙げ、半導体装置の作製方法について図１乃至図３を用いて説明する。 【００２８】 図１（Ａ）に示すように、基板１００上にゲート電極１０１を形成する。 ・・・　中　略　・・・ 【００３５】 次いで、ゲート電極１０１上に、ゲート絶縁膜１０２を形成する。ゲート絶縁膜１０２は、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用いて、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、酸化アルミニウムまたは酸化タンタルを単層で又は積層させて形成することができる。ゲート絶縁膜１０２は、水分や、水素などの不純物を極力含まないことが望ましい。バリア性の高い材料を用いた絶縁膜と、含まれる窒素の比率が低い酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜などの絶縁膜とを積層させた構造を有するゲート絶縁膜１０２を形成しても良い。この場合、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜などの絶縁膜は、バリア性を有する絶縁膜と酸化物半導体膜の間に形成する。バリア性の高い絶縁膜として、例えば窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、窒化アルミニウム膜、または窒化酸化アルミニウム膜などが挙げられる。バリア性を有する絶縁膜を用いることで、水分または水素などの雰囲気中不純物、或いは基板内に含まれるアルカリ金属、重金属などの不純物が、酸化物半導体膜内、ゲート絶縁膜１０２内、或いは、酸化物半導体膜と他の絶縁膜の界面とその近傍に入り込むのを防ぐことができる。また、酸化物半導体膜に接するように窒素の比率が低い酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜などの絶縁膜を形成することで、バリア性の高い材料を用いた絶縁膜が直接酸化物半導体膜に接するのを防ぐことができる。 【００３６】 本実施の形態では、スパッタ法で形成された膜厚５０ｎｍの窒化珪素膜上に、スパッタ法で形成された膜厚１００ｎｍの酸化珪素膜を積層させた構造を有する、ゲート絶縁膜１０２を形成する。 【００３７】 次いで、ゲート絶縁膜１０２上に酸化物半導体膜を形成する。酸化物半導体膜は、酸化物半導体をターゲットとして用い、スパッタ法により成膜する。また、酸化物半導体膜は、希ガス（例えばアルゴン）雰囲気下、酸素雰囲気下、又は希ガス（例えばアルゴン）及び酸素雰囲気下においてスパッタ法により形成することができる。 ・・・　中　略　・・・ 【００４２】 次いで、図１（Ａ）に示すように、酸化物半導体膜をエッチングなどにより所望の形状に加工（パターニング）し、ゲート電極１０１と重なる位置において、ゲート絶縁膜１０２上に島状の酸化物半導体膜１０３を形成する。 ・・・　中　略　・・・ 【００４６】 次いで、図１（Ｃ）に示すように、島状の酸化物半導体膜１０４上に、ソース電極ドレイン電極用の導電膜を形成する。本実施の形態では、酸化物半導体膜１０４との接触抵抗が低いチタン、タングステンまたはモリブデンなどの金属材料を用いた導電膜１０５ａ上に、電気陰性度が低い金属、金属化合物または合金を用いた導電膜１０５ｂを形成する。」 （イ）引用例１発明について 上記（ア）の記載から、引用例１には、実質的に次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されているものと認められる。 「基板１００と、 基板上に形成されたゲート電極１０１と、 ゲート電極上に形成された、ゲート絶縁膜１０２の一部を構成する窒化珪素膜と、 窒化珪素膜上に形成された、ゲート絶縁膜１０２の一部を構成する酸化珪素膜と、 ゲート絶縁膜１０２上に形成された、島状の酸化物半導体膜１０４と、 島状の酸化物半導体膜１０４上に形成されたソース電極１０６およびドレイン電極１０７とを有し、 バリア性の高い絶縁膜である、窒化珪素膜は、水分または水素などの雰囲気中不純物、或いは基板内に含まれるアルカリ金属、重金属などの不純物が、酸化物半導体膜内、ゲート絶縁膜１０２内、或いは、酸化物半導体膜と他の絶縁膜の界面とその近傍に入り込むのを防ぎ、 ゲート絶縁膜１０２は、水分や、水素などの不純物を極力含まないことを特徴とするボトムゲート型の薄膜トランジスタ。」 イ　引用例２について （ア）引用例２の記載 原査定の拒絶の理由に引用された、特開２０１０－１１４４１３号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。 ａ「【００７６】 パッシベーション膜２６Ｂは、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）およびタンタル（Ｔａ）のうち少なくとも１種を含む酸化物、窒化物あるいは酸窒化物により構成されている。これにより、このＴＦＴ２０Ｂでは、大気中の水素による酸化物半導体中の酸素の還元を抑えると共に、酸化物半導体層から酸素などの脱離を抑えることが可能となっている。 【００７７】 パッシベーション膜２６Ｂは、中でも、アルミニウムの酸窒化物あるいは窒化物により構成されていることが好ましい。より高い効果を得ることが可能となるからである。 【００７８】 パッシベーション膜２６Ｂの密度は、例えば、３．０ｇ／ｃｍ3以上４．０ｇ／ｃｍ3以下であることが好ましい。製造工程中あるいは大気中の水素による酸化物半導体の還元、熱処理による酸化物半導体中の酸素の脱離を防ぐバリア機能を高めることが可能となるからである。一般的にパッシベーション膜は、密度が高いほうが酸素や水素の透過性を軽減できるので保護膜として優れたものとなる。因みに、理想的な酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）バルクの密度が４．０ｇ／ｃｍ3である。」 （イ）引用例２記載事項について 上記（ア）の記載から、引用例２には、実質的に次の事項（以下、「引用例２記載事項」という。）が記載されているものと認められる。 「製造工程中あるいは大気中の水素による酸化物半導体の還元、熱処理による酸化物半導体中の酸素の脱離を防ぐために、密度が高い方が酸素や水素の透過を軽減できる保護膜として優れているため、密度３．０ｇ／ｃｍ3以上４．０ｇ／ｃｍ3以下であるアルミニウムの酸窒化物をパッシベーション膜として用い、理想的な酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）は密度が４．０ｇ／ｃｍ3であること。」 ウ　引用例３について （ア）本願の出願日前に公開された特開２０１２－２３３５９号公報（以下、「引用例３」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。 ａ　「【００２８】 酸化物半導体膜４０３と接する第１の絶縁膜４０４及び第２の絶縁膜４０７には、酸素を含む絶縁膜を用いるのが望ましく、化学量論的組成比より酸素が多い領域（酸素過剰領域とも表記する）が含まれる膜であるのがより望ましい。酸化物半導体膜４０３と接する第１の絶縁膜４０４及び第２の絶縁膜４０７が酸素過剰領域を有することにより、酸化物半導体膜４０３から第１の絶縁膜４０４または第２の絶縁膜４０７への酸素の移動を防ぐことができる。また、第１の絶縁膜４０４または第２の絶縁膜４０７から酸化物半導体膜４０３への酸素の供給を行うこともできる。よって、第１の絶縁膜４０４および第２の絶縁膜４０７に挟持された酸化物半導体膜４０３を、十分な量の酸素を含有する膜とすることができる。 【００２９】 なお、第１の絶縁膜４０４および第２の絶縁膜４０７としては、例えば酸化シリコン膜を用いることができる。酸化シリコンは、ＳｉＯｘとも表記され、酸素が化学量論的組成比よりも過剰となるようｘの値を設定するのが好ましい。例えば、ｘの値を２．０より大きくするのが好ましい。」 （イ）引用例３記載事項について 上記（ア）の記載から、引用例３には、実質的に次の事項（以下、「引用例３記載事項」という。）が記載されているものと認められる。 「酸化物半導体膜４０３を十分な量の酸素を含有する膜とするために、 酸化物半導体膜４０３と接する絶縁膜が酸素過剰領域を有し、酸化物半導体膜４０３から絶縁膜への酸素の移動を防ぐことができ、また、絶縁膜から酸化物半導体膜４０３への酸素の供給を行うこともできるように、 酸化物半導体膜４０３と接する絶縁膜である酸化シリコン膜を、酸素が化学量論的組成比よりも過剰となるようにすること。」 エ　対比・判断 （ア）本件補正発明と引用例１発明とを対比する。 ａ　引用例１発明の「ゲート電極１０１」、「ソース電極１０６」、「ドレイン電極１０７」、および、「ボトムゲート型の薄膜トランジスタ」は、それぞれ本件補正発明の「ゲート電極」、「ソース電極」、「ドレイン電極」、および、「半導体装置」に相当する。 ｂ　引用例１発明の「基板１００」は、液晶表示装置に用いられるものであるから（前記ア（ア）ａ【００２７】）、その「基板１００」はガラス基板を含むものであり、すると引用例１発明の「基板１００」は、本件補正発明の「ガラス基板」に相当する。 ｃ　引用例１発明の「ゲート絶縁膜１０２の一部を構成する窒化珪素膜」は「ゲート電極１０１上に」形成されているから、本件補正発明の「前記ゲート電極上に形成された金属酸化物からなる第１のゲート絶縁膜」と、「前記ゲート電極上に形成された」「第１のゲート絶縁膜」である点で共通する。 ｄ　引用例１発明の「ゲート絶縁膜１０２の一部を構成する酸化珪素膜」は「窒化珪素膜上に」形成されており、また、「酸化珪素膜」は「窒化珪素膜」と組成の異なる膜であるから、「酸化珪素膜」は、本件補正発明の「前記第１のゲート絶縁膜上に形成された前記第１のゲート絶縁膜と組成が異なる第２のゲート絶縁膜」に相当する。 ｅ　引用例１の「島状の酸化物半導体膜１０４」は、「ゲート電極上に形成された、ゲート絶縁膜１０２の一部を構成する窒化珪素膜」「上に形成された、ゲート絶縁膜１０２の一部を構成する酸化珪素膜」「上に形成された、島状の酸化物半導体膜１０４」であるから、「ゲート電極」と重畳する位置に設けられていると言える。 そうすると、引用例１発明の「島状の酸化物半導体膜１０４」は、本願発明の「前記第２のゲート絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極と重畳する位置に設けられた酸化物半導体膜」に相当する。 ｆ　引用例１発明の「ソース電極１０６」および「ドレイン電極１０７」は、「島状の酸化物半導体膜１０４上に」形成されており、また、「ボトムゲート型の薄膜トランジスタ」は「ボトムゲート型の薄膜トランジスタ」が導通した際に、「ソース電極１０６」と「ドレイン電極１０７」は「島状の酸化物半導体膜１０４」を介して電気が流れるから、引用例１発明の「ソース電極１０６」、「ドレイン電極１０７」および「島状の酸化物半導体膜１０４」は、本件補正発明の「前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極」と同様の構成を有していると認められる。 そうすると、本件補正発明と引用例１発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。 ［一致点］ 「ガラス基板と、 前記ガラス基板上に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極上に形成された第１のゲート絶縁膜と、 前記第１のゲート絶縁膜上に形成された前記第１のゲート絶縁膜と組成が異なる第２のゲート絶縁膜と、 前記第２のゲート絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極と重畳する位置に設けられた酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、を有する半導体装置。」 ［相違点１］ 本件補正発明の「第１のゲート絶縁膜」は、「表面から３ｎｍ以下の領域において、前記ガラス基板中に含まれるナトリウムの濃度が、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であ」り、また、「金属酸化物」である「酸化アルミニウム」からなっており、さらに、「前記酸化アルミニウムの密度は３．２ｇ／ｃｍ３以上であり、前記酸化アルミニウムの水の放出量は１．０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、前記酸化アルミニウムの水素の放出量は１．０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であ」るのに対して、引用例１発明の「窒化珪素膜」はナトリウムの濃度について具体的な記載が無く、また、酸化アルミニウムからなっていない点。 ［相違点２］ 本件補正発明の「第２のゲート絶縁膜」は、「前記酸化物半導体膜と接する部分において少なくとも化学量論的組成比を超える量の酸素が存在する」のに対して、引用例１発明の「酸化珪素膜」はそのようになっていない点。 （イ）以下、上記相違点について検討する。 ［相違点１］について 引用例２に記載されているように、製造工程中あるいは大気中の水素による酸化物半導体の還元、熱処理による酸化物半導体中の酸素の脱離を防ぐために、密度が高い方が酸素や水素の透過を軽減できる保護膜として優れているため、密度の高い酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）をパッシベーション膜としてもちいることは、公知の技術である。 そして、引用例１には、「ゲート絶縁膜１０２は、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用いて、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、酸化アルミニウムまたは酸化タンタルを単層で又は積層させて形成することができる。」（【００３５】）と記載されており、引用例１発明の「バリア性の高い絶縁膜である、窒化珪素膜」に換えて、同じくバリア性の高い絶縁膜である「酸化アルミニウム膜」とすることは、当業者が適宜為し得る事項である。 その際に、引用例２に記載されているように、酸素や水素の透過を軽減できる保護膜として、より密度の高い膜とすることが望ましいことは明らかであるから、本件補正発明と同様の、「前記酸化アルミニウムの密度は３．２ｇ／ｃｍ３以上」とすることは、容易に想起する事項である。 さらに、引用例１発明の「ゲート絶縁膜１０２」は、「水分や、水素などの不純物を極力含まないこと」としているから、引用例１発明の「窒化珪素膜」を「酸化アルミニウム膜」としたときに、「酸化アルミニウム膜」を「水分や、水素などの不純物を極力含まない」ようにすることは当然行われることであり、その際「水分や、水素などの不純物を極力含まない」「酸化アルミニウム膜」からの「水の放出量」を１．０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とし、「水素の放出量」を１．０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることは、当業者が容易に為し得る事項である。 加えて、引用例１発明の「窒化珪素膜」は、「基板内に含まれるアルカリ金属」（本件補正発明の「ナトリウム」に相当する。）が、「酸化物半導体膜内、ゲート絶縁膜１０２内、或いは、酸化物半導体膜と他の絶縁膜の界面とその近傍に入り込むのを防」いでいるから、引用例１発明の「窒化珪素膜」を「酸化アルミニウム膜」としたときに、「酸化アルミニウム膜」も「基板内に含まれるアルカリ金属」が、「酸化物半導体膜内、ゲート絶縁膜１０２内、或いは、酸化物半導体膜と他の絶縁膜の界面とその近傍に入り込むのを防」ぐように構成されると認められるから、その結果、本件補正発明と同様に「酸化アルミニウム」の「表面から３ｎｍ以下の領域において、前記ガラス基板中に含まれるナトリウムの濃度が、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下」とすることは、当業者が容易に為し得る事項である。 ［相違点２］について 引用例３に記載されているように、酸化物半導体膜を十分な量の酸素を含有する膜とするために、酸化物半導体膜と接する絶縁膜が酸素過剰領域を有し、酸化物半導体膜から絶縁膜への酸素の移動を防ぐことができ、また、絶縁膜から酸化物半導体膜への酸素の供給を行うこともできるように、酸化物半導体膜と接する絶縁膜である酸化シリコン膜を、酸素が化学量論的組成比よりも過剰となるようにすることは公知の技術である。 引用例１発明おいても、「島状の酸化物半導体膜１０４」を十分な量の酸素を含有する膜とすることが望ましいことは明らかであるから、そのために、「島状の酸化物半導体膜１０４」と接する「酸化珪素膜」を本件補正の「第２のゲート絶縁膜」と同様に、「前記酸化物半導体膜と接する部分において少なくとも化学量論的組成比を超える量の酸素が存在する」ようにすることは、当業者が容易に想起する事項である。 そして、上記相違点を総合的に勘案しても、本件補正発明の奏する作用効果は、引用例１発明及び引用例２ないし３に記載された技術の構成に基づいて当業者が予測できる程度のもので、格別顕著なものということはできない。 （ウ）進歩性についての結論 したがって、本件補正発明は、引用例１発明及び引用例２ないし３に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 （３）むすび 「（２）進歩性について」で検討したとおり、本件補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではない。 したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 第３　補正却下の決定を踏まえた検討 １　本願発明 平成２８年７月１９日付の手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項３に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２８年３月７日付の手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項３に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「ガラス基板と、 前記ガラス基板上に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極上に形成された金属酸化物からなる第１のゲート絶縁膜と、 前記第１のゲート絶縁膜上に形成された前記第１のゲート絶縁膜と組成が異なる第２のゲート絶縁膜と、 前記第２のゲート絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極と重畳する位置に設けられた酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、を有し、 前記第１のゲート絶縁膜の表面から３ｎｍ以下の領域において、前記ガラス基板中に含まれるナトリウムの濃度が、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、 前記金属酸化物は酸化アルミニウムであり、 前記酸化アルミニウムの密度は３．２ｇ／ｃｍ３以上であり、 前記酸化アルミニウムの水の放出量は１．０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、 前記酸化アルミニウムの水素の放出量は１．０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。」 ２　引用例 原査定の拒絶の理由に引用された引用例１および２には、上記「第２　［理由］２（２）」「ア」および「イ」に記載したとおりの事項が記載されている。 ３　対比・判断 本願発明は、上記「第２　［理由］」で検討した本件補正発明から、上記「第２　［理由］２（１）」に記載した補正事項イに係る限定を省いたものである。 そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、更に他の要件を付加したものに相当する本件補正発明が、前記「第２　［理由］２（２）」に記載したとおり、引用例１発明及び引用例２ないし３記載の公知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１発明および引用例２記載の公知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 ４　むすび 以上のとおり、本願発明は、引用例１発明および引用例２記載の公知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 したがって、本願は他の請求項について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。