2016-002519

特願２０１４－２１３２９１「バックコンタクトソーラーセル」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　４月　２日出願公開、特開２０１５－　６２２３２〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 １　手続の経緯 本願は、２０１０年１２月２８日（パリ条約による優先権主張外国庁受理 ２０１０年３月４日 米国、２０１０年１２月１７日　米国）を国際出願日とする特願２０１２－５５６０５５号の一部を平成２６年１０月２０日に新たな特許出願としたものであって、平成２７年８月３日付けで拒絶の理由が通知され、これに対して、同年１０月７日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年１１月２日付けで拒絶査定がなされ、同査定の謄本は同月１０日に請求人に送達された。これに対して、平成２８年２月１９日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正がなされ、当審において、同年９月１６日付けで拒絶理由を通知し，応答期間内である平成２９年１月１６日に意見書及び手続補正書が提出されたところである。 ２　本願発明 この出願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２９年１月１６日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。 「【請求項１】 基板の上に配置された材料層と、 前記材料層内に配置されたトレンチと 前記材料層と前記基板との間に直に配置される誘電体膜と、 を備え、 前記トレンチは、前記材料層のＮ型領域およびＰ型領域を分離し、 前記Ｐ型領域は、前記トレンチに直に隣接する部分におけるドーパント濃度が前記Ｐ型領域の中心部におけるドーパント濃度と実質的に等しく、 前記トレンチは、前記材料層により被覆されていない前記基板の表面が前記材料層により被覆されている前記基板の表面より前記基板の内部に位置するように、前記材料層を貫通して前記基板の途中まで配置され、 前記材料層により被覆されていない前記基板の表面は、テクスチャ化表面を含み、 前記誘電体膜の前記トレンチに直に隣接する部分の全てが、前記Ｐ型領域または前記Ｎ型領域により被覆されている、バックコンタクトソーラーセル。」 ３　引用文献 （１）引用文献１の記載事項 当審において通知した拒絶の理由に引用された国際公開第２００９／１５１８０９号 （以下「引用文献１」という。）には、次の事項が図面とともに記載されている。なお、下線は当審で付与したものであり、原文の引用後に日本語訳（当審訳）を記載する。 ア　５頁１３行から６頁１９行まで 「FIG. 1 schematically shows a sectional view of a solar cell structure in accordance with an embodiment of the present invention. In the example of FIG. 1 , the solar cell is a backside contact solar cell in that its doped regions 101 and 102 are on the backside 106 opposite to the front side 105. The front side 105 faces the sun during normal operation. The doped regions 101 and 102 are formed on a thin dielectric layer 113. The dielectric layer 113 may be formed to a thickness of 5 Angstroms to 40 Angstroms. In one embodiment, the dielectric layer 113 comprises silicon dioxide thermally grown on the surface of the substrate 103 to a thickness of 20 Angstroms. The dielectric layer 113 may also comprise silicon nitride. The dielectric layer 113 advantageously allows for surface passivation. The polysilicon of the doped regions 101 and 102 applies an electric field across the dielectric layer 113, which repels minority carriers and accumulates majority carriers at the dielectric interface. In the example of FIG. 1 , the doped region 101 is a P-type doped region, while the doped region 102 is an N-type doped region. A substrate 103 comprises an N-type silicon wafer in this example. As can be appreciated, the substrate 103 may also comprise a P-type silicon or other wafer with appropriate changes to the rest of the structure. There are several P-type and N-type doped regions in any given solar cell but only one of each is shown in FIG. 1 for clarity of illustration. The doped regions 101 and 102 may comprise doped polysilicon formed to a thickness of about 2000 Angstroms by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD). The doped region 101 may comprise polysilicon doped with a P-type dopant (e.g., boron) and the doped region 102 may comprise polysilicon doped with an N-type dopant (e.g., phosphorus). The polysiiicon may be deposited over the thin dielectric layer 113 and then doped by diffusion. The polysilicon may also be pre-doped prior to deposition on the dielectric layer 113. Polysilicon is the preferred material for the doped regions 101 and 102 for its compatibility with high temperature processing, allowing for increased thermal budget.」 （図１は、本発明の実施形態に係る太陽電池構造を示す概略断面図である。図１に示す太陽電池の例は、裏面コンタクト型太陽電池であり、ドーピング領域１０１および１０２は、正面１０５とは反対側の裏面１０６に設けられている。正面１０５は、通常動作時は、太陽に向いている面である。ドーピング領域１０１および１０２は、薄い誘電体層１１３の上に形成されている。誘電体層１１３は、５オングストロームから４０オングストロームの厚みに形成されるとしてよい。一実施形態によると、誘電体層１１３は、基板１０３の表面の上に厚み２０オングストロームまで熱的に成長した二酸化シリコンを含む。誘電体層１１３はまた、窒化シリコンを含むとしてもよい。誘電体層１１３は、表面を保護するという利点を持つ。ドーピング領域１０１および１０２を形成するポリシリコンが誘電体層１１３に電界を印加すると、少数キャリアが反発し、誘電体界面には多数キャリアが蓄積される。 図１に示した例によると、ドーピング領域１０１はＰ型ドーピング領域で、ドーピング領域１０２はＮ型ドーピング領域である。本例では、基板１０３はＮ型シリコンウェハを含む。また、想到の範囲内ではあるが、基板１０３は、Ｐ型シリコンウェハまたはその他のウェハを含むとしてもよい。この場合、太陽電池構造の残りの構成要素も適切に変更されるとしてよい。任意の所与の太陽電池にはＰ型およびＮ型のドーピング領域が複数設け られているが、図示の便宜上、図１では各領域を１つのみ示している。 ドーピング領域１０１および１０２は、減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）法で約２０００オングストロームの厚みに形成されたドーピングポリシリコンから成ってもよい。ドーピング領域１０１は、Ｐ型ドーパント（例えば、ホウ素）でドーピングされたポリシリコンを含み、ドーピング領域１０２は、Ｎ型ドーパント（例えば、リン）でドーピングされたポリシリコンを含むとしてよい。ポリシリコンを薄い誘電体層１１３の上方に成膜して、その後に拡散によりドーピングを実行するとしてよい。また、誘電体層１１３の上に成膜する前に、ポリシリコンに事前にドーピングを施しておくとしてもよい。ポリシリコンがドーピング領域１０１および１０２の形成材料として好まれるのは、高温処理が実行可能で、サーマルバジェットを大きくできるためである。） イ　６頁２０行から７頁１２行まで 「As shown in FIG. 1 , the doped regions 101 and 102 are separated by a trench 104, which serves as a gap between the doped regions 10t and 102.」 The trench 104 may be formed by laser trenching or conventional etching, for example. In one embodiment, the trench 104 is about 100 microns wide. The trench 104 may be formed before or after a diffusion step that dopes the polysilicon doped regions 101 and 102. If the trench 104 is formed before the diffusion step, the passivation region 112 may comprise an N-type passivation region formed during the diffusion step.」 In one embodiment, the trench 104 is formed using a process that not only forms the trench 104 but also forms a randomly textured surface 114 on the surface of the trench 104. The randomly textured surface 114 improves solar radiation collection of light incident on the back of the solar cell, i.e. a bifacial configuration. A wet etch process comprising potassium hydroxide and isopropyl alcohol may be used to form the trench 104 and to texture the surface 114 with random pyramids. The trench 104 may be formed to dig 1 to 10 microns (e.g., 3 microns) into the substrate 103.」 （図１に示すように、ドーピング領域１０１および１０２は、トレンチ１０４によって分離されている。トレンチ１０４は、ドーピング領域１０１とドーピング領域１０２との間の間隙として機能する。 トレンチ１０４は、例えば、レーザトレンチ形成法または従来のエッチングを用いて形成されるとしてよい。一実施形態によると、トレンチ１０４は、幅が約１００ミクロンである。トレンチ１０４は、ポリシリコンドーピング領域１０１および１０２にドーピングを実行するための拡散工程の前後に形成されるとしてよい。拡散工程の前にトレンチ１０４を形成する場合、パッシベーション領域１１２は、拡散工程で形成されるＮ型のパッシベーション領域を含むとしてよい。 一実施形態によると、トレンチ１０４を形成する処理は、トレンチ１０４を形成するだけでなく、トレンチ１０４の表面に不規則に粗面化した表面１１４を形成する。不規則に粗面化した表面１１４を設けることによって、太陽電池の裏面に入射した太陽光の集光率が改善される。つまり、両面構成が実現される。水酸化カリウムおよびイソプロピルアルコールを利用するウェットエッチングプロセスを用いて、トレンチ１０４を形成すると共に角錐を不規則に設けて表面１１４を粗面化するとしてよい。トレンチ１０４は、基板１０３を１～１０ミクロン（例えば、３ミクロン）の深さまで削って形成されるとしてよい。） ウ　ＦＩＧ．１ 「 」 （２）引用発明 図１には、誘電体層１１３は、トレンチ１０４の形成により生じた間隙に接する誘電体層１１３の端部までドーピング領域１０１又は１０２により被覆されていることが見て取れるから、引用文献１には、図１に関する以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 「ドーピング領域１０１および１０２は、正面１０５とは反対側の裏面１０６に設けられ、正面１０５は、通常動作時は、太陽に向いている面であり、 ドーピング領域１０１および１０２は、薄い誘電体層１１３の上に形成され、 誘電体層１１３は、基板１０３の表面の上に厚み２０オングストロームまで熱的に成長した二酸化シリコンを含み、 ドーピング領域１０１はＰ型ドーピング領域で、ドーピング領域１０２はＮ型ドーピング領域であり、基板１０３はＮ型シリコンウェハを含み、ドーピング領域１０１および１０２は、減圧化学気相成長法で約２０００オングストロームの厚みに形成されたドーピングポリシリコンから成り、 トレンチ１０４は、ドーピング領域１０１とドーピング領域１０２との間の間隙として機能し、 トレンチ１０４を形成する処理は、トレンチ１０４を形成するだけでなく、トレンチ１０４の表面に不規則に粗面化した表面１１４を形成し、トレンチ１０４は、基板１０３を１～１０ミクロン（例えば、３ミクロン）の深さまで削って形成され、 誘電体層１１３は、トレンチ１０４の形成により生じた間隙に接する誘電体層１１３の端部までドーピング領域１０１又は１０２により被覆されている、 裏面コンタクト型太陽電池。」 ４　対比、判断 （１）本願発明１と引用発明とを対比する。 ア　引用発明において、「Ｐ型」「ドーピング領域１０１」及び「Ｎ型」「ドーピング領域１０２」は、「ドーピングポリシリコン」から成るから、引用発明の「減圧化学気相成長法で約２０００オングストロームの厚みに形成されたドーピングポリシリコン」は、本願発明１の「材料層」に相当し、引用発明１の「Ｐ型」「ドーピング領域１０１」及び「Ｎ型」「ドーピング領域１０２」は、それぞれ本願発明１の「材料層のＮ型領域およびＰ型領域」に相当する。 イ　引用発明において、「誘電体層１１３は、基板１０３の表面の上に」形成され、「ドーピング領域１０１および１０２は、薄い誘電体層１１３の上に形成され、」ているから、「基板１０３」の上に「誘電体層１１３」、さらにその上に「ドーピングポリシリコン」から成る「Ｐ型」「ドーピング領域１０１」及び「Ｎ型」「ドーピング領域１０２」が形成されているものである。してみると、引用発明の「誘電体層１１３」は、本願発明１の「前記材料層と前記基板との間に直に配置される誘電体膜」に相当する。また、引用発明の「基板１０３」の上の「誘電体層１１３」の上に形成される「減圧化学気相成長法で約２０００オングストロームの厚みに形成されたドーピングポリシリコン」は、本願発明１の「基板の上に配置された材料層」に相当する。 ウ　引用発明の「減圧化学気相成長法」により成膜された膜のドーパント濃度は均一であることが技術常識であることから、引用発明の「Ｐ型ドーピング領域１０１」は、本願発明１の「前記トレンチに直に隣接する部分におけるドーパント濃度が前記Ｐ型領域の中心部におけるドーパント濃度と実質的に等し」いことに相当する構成を有するといえる。 エ　引用発明の「トレンチ１０４は、ドーピング領域１０１とドーピング領域１０２との間の間隙として機能し」ていることは、本願発明１の「前記トレンチは、前記材料層のＮ型領域およびＰ型領域を分離し」ていることに相当する。 オ　引用発明の「トレンチ１０４を形成する処理は、トレンチ１０４を形成するだけでなく、トレンチ１０４の表面に不規則に粗面化した表面１１４を形成」することは、本願発明１の「前記材料層により被覆されていない前記基板の表面は、テクスチャ化表面を含」むことに相当する。 カ　引用発明の「トレンチ１０４は、基板１０３を１～１０ミクロン（例えば、３ミクロン）の深さまで削って形成され」ていることは、本願発明１の「前記トレンチは、前記材料層により被覆されていない前記基板の表面が前記材料層により被覆されている前記基板の表面より前記基板の内部に位置するように、前記材料層を貫通して前記基板の途中まで配置され」ていることに相当する。 キ　引用発明の「誘電体層１１３は、トレンチ１０４の形成により生じた間隙に接する誘電体層１１３の端部までドーピング領域１０１又は１０２により被覆されている」ことは、本願発明１の「前記誘電体膜の前記トレンチに直に隣接する部分の全てが、前記Ｐ型領域または前記Ｎ型領域により被覆されている」ことに相当する。 （２）判断 上記（１）の対比の結果、本願発明１は、引用発明と差異のないものであるから、本願発明１は引用発明である。 （３）平成２９年１月１６日付け意見書の主張について 審判請求人は、平成２９年１月１６日付け意見書にて、以下の主張をしている。 「一方、引用文献１には、本願の段落００３３に示すような課題は開示も示唆もされていない。引用文献１の図７Ａおよび図７Ｂに示される太陽電池の製造方法は、本願の図２Ａ－２Ｅで示す太陽電池の製造方法と同一である。よって、この製造方法では、実際には、ドーパント源にテーパ状側壁が生じ、本願発明のように、誘電体膜のトレンチに直に隣接する部分の全てが、Ｐ型領域またはＮ型領域により被覆されている構成を実現することはできない。よって、本願の段落００３３に示すようなＰ型ドーピング濃度の不均一性により、ソーラーセルの性能に望ましくない影響が及ぼされる可能性がある。」 しかしながら、引用文献１から認定された引用発明は、上記３（２）に記載のとおり、引用文献１の図１に関する発明であり、審判請求人が主張する「図７Ａおよび図７Ｂに示される太陽電池」に関するものではない。 よって、審判請求人の前記主張は、引用発明に対するものではなく、採用することはできない。 ５　むすび 以上のとおり、本願発明は、引用発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができない。 したがって、その余の請求項に係る発明において検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。