2025-700018

特許第７５０９６９０号発明「結晶化インジウムスズ複合酸化物膜、透明導電性フィルムおよびその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７５０９６９０号の請求項１及び請求項２に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７５０９６９０号（以下、「本件特許」という。）の請求項１及び請求項２に係る特許についての出願は、２０２０年（令和２年）６月１２日（優先権主張 ２０１９年（令和１年）６月２７日）を国際出願日とする出願であって、令和６年６月２４日にその特許権の設定登録がされ、同年７月２日に特許掲載公報が発行された。その後、本件特許に対し、同年１２月２４日に特許異議申立人 平居博美（以下、「異議申立人」という。）は、特許異議の申立てを行った。 第２ 本件発明 本件特許の請求項１及び請求項２に係る発明（以下、「本件発明１」及び「本件発明２」といい、併せて「本件発明」という。）は、特許請求の範囲の請求項１及び請求項２に記載された事項により特定される次のとおりのものである。なお、請求項１及び２に記載された構成要件「Ａ」、「Ｂ」、・・・、「Ｋ」等の符号は、異議申立人が異議申立書で付与したものであり、本決定でも採用した。 「【請求項１】 Ａ 透明フィルム基材と、 Ｂ 前記透明フィルム基材の厚み方向一方面に配置された結晶化インジウムスズ複合酸化物スパッタ膜とを備え、 Ｃ 前記透明フィルム基材の前記厚み方向一方面は、１．０ｎｍ以下の算術平均粗さＲａを有し、 Ｄ 前記結晶化インジウムスズ複合酸化物スパッタ膜は、酸化スズの含有割合が９質量％以上である領域を含み、 Ｅ ３５ｎｍ以上の厚みを有し、 Ｆ 平均粒径が１１０ｎｍ以上である結晶粒を含有することを特徴とする、 Ｇ 透明導電性フィルム。 【請求項２】 Ｈ 請求項１に記載の透明導電性フィルムを製造する方法であり、 Ｉ 前記透明フィルム基材の前記厚み方向一方面にスパッタリングすることにより、非晶化インジウムスズ複合酸化物スパッタ膜を形成する第１工程と、 Ｊ 前記非晶化インジウムスズ複合酸化物スパッタ膜を加熱して、結晶化インジウムスズ複合酸化物スパッタ膜を形成する第２工程とを備え、 Ｋ 前記第１工程では、分圧０．４Ｐａ以上の不活性ガスの存在下で、スパッタリングを実施することを特徴とする、透明導電性フィルムの製造方法。」 第３ 申立理由の概要 １ 異議申立人の提出した証拠 異議申立人は、次の甲第１～１６号証（以下、それぞれ、「甲１」～「甲１６」という。）を証拠として提出している。 甲第１号証（甲１）：国際公開第２０１３／１７２０５５号 甲第２号証（甲２）：国際公開第２０１３／０８０９９５号 甲第３号証（甲３）：国際公開第２０１１／０３０７４１号 甲第４号証（甲４）：特開２０１０－ ８０２９０号公報 甲第５号証（甲５）：特開２０１１－ ２８９４５号公報 甲第６号証（甲６）：国際公開第２０１０／０３５５９８号 甲第７号証（甲７）：国際公開第２０１１／０４６０９４号 甲第８号証（甲８）：国際公開第２０１１／０４８９９６号 甲第９号証（甲９）：特開２０１６－ ６２７８３号公報 甲第１０号証（甲１０）：特開２０１５－１０４９０４号公報 甲第１１号証（甲１１）：国際公開第２０１３／１１１６８１号 甲第１２号証（甲１２）：特開２０１４－ １３５４０号公報 甲第１３号証（甲１３）：特開２０１５－１５９０９１号公報 甲第１４号証（甲１４）：特開２０１０－２８２７８５号公報 甲第１５号証（甲１５）：特開２０１８－１４５２１４号公報 甲第１６号証（甲１６）：特開２０１８－１７６５５３号公報 ２ 特許異議の申立理由 異議申立人の主張する特許異議の申立ての理由（進歩性）は、概略、本件発明は、甲１に記載された発明又は甲２に記載された発明に基いて容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである、というものであり、より具体的には以下のとおりである。 （申立理由１） 本件発明１は、甲１に記載された発明に基いて、又は、甲１に記載された発明及び甲３～９に記載された周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 （申立理由２） 本件発明２は、甲１に記載された発明、甲３～９に記載された周知の技術及び甲５、１０～１４に記載された周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 （申立理由３） 本件発明１は、甲２に記載された発明、甲１５、甲ｌ６に記載された事項及び甲３～９に記載された周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 （申立理由４） 本件発明２は、甲２に記載された発明、甲１５、甲ｌ６に記載された事項、甲３～９に記載された周知の技術及び甲５、１０～１４に記載された周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 第４ 異議申立人の提出した証拠の記載 １ 甲１について （１） 甲１の記載 甲１には、以下の記載がある（下線は当審において加筆した。以下同じ。）。 「課題を解決するための手段 ・・・・ [0046] （透明電極層） 透明電極層４としては、インジウム・スズ複合酸化物（ＩＴＯ）を主成分とする導電性酸化物層が形成される。透明電極層４の膜厚ｄ４は、１５～１１０ｎｍが好ましい。透明電極付き基板１００が静電容量方式タッチパネルに用いられる場合、透明電極層４の膜厚ｄ４は、１５ｎｍ～４０ｎｍであることが好ましく、２１ｎｍ～３５ｎｍであることがより好ましく、２３ｎｍ～３０ｎｍであることがさらに好ましい。透明電極層の膜厚を前記範囲とすることで、低抵抗かつ高透過率の透明電極層が得られる。また、透明電極層のパターンの視認を効果的に抑止するためには、ｄ４は３２ｎｍ以下がさらに好ましく、２６ｎｍ以下が特に好ましい。」 「[0095] [実施例１] ウレタン系樹脂からなるハードコート層（屈折率１．５３）が両面に形成された厚み１８８μｍの二軸延伸ＰＥＴフィルムの一方の面上に、ロール・トゥ・ロール方式の巻取り式スパッタリング装置を用いて、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ層）からなる中屈折率透明誘電体層（第一誘電体層）、酸化ニオブからなる高屈折率透明誘電体層（第二誘電体層）、およびシリコン酸化物（ＳｉＯ２）からなる低屈折率誘電体層（第三誘電体層）が順次形成された。 ・・・・ [0098] この酸化ニオブ層上に、低屈折率透明誘電体層が形成された。Ｂ－Ｓｉをターゲットとして用い、酸素／アルゴン（１９０ｓｃｃｍ／４００ｓｃｃｍ）混合ガスを装置内に導入しながら、装置内圧力０．２Ｐａ、基板温度－２０℃、パワー密度１０．２Ｗ／ｃｍ２の条件でスパッタリングが行われた。得られたＳｉＯｘ層（ｘ＝２）は、膜厚が５０ｎｍ、屈折率が１．４７であり、表面の算術平均粗さＲａは、０．５ｎｍであった。 [0099] 上記透明フィルム基材の透明誘電体層上に、ＭＦ電源を備えるロール・トゥ・ロール方式の巻取り式スパッタリング装置を用いて、非晶質ＩＴＯ透明電極層が形成された。スパッタ製膜は、インジウム・スズ複合酸化物（酸化スズ含有量５重量％）をターゲットとして用い、酸素／アルゴン（２ｓｃｃｍ／１０００ｓｃｃｍ）混合ガスを装置内に導入しながら、装置内圧力０．４Ｐａ、基板温度－２０℃、パワー密度５．２Ｗ／ｃｍ２の条件で行われた。得られた透明電極層は、膜厚が２５ｎｍであった。スパッタ製膜前に、ターゲット表面に磁束密度計を接触させることにより、ターゲット表面の磁束密度を測定したところ、４６ｍＴであった。また、スパッタ製膜時のＭＦ電源の電圧は、３５７Ｖであった。 ・・・・ [0101] その後、１５０℃のオーブン内で６０分の熱処理が行われた。熱処理後のＩＴＯ層の屈折率は１．８５であった。また、電極層形成部の透過率は、８８．６％であった。 ・・・・ [0128] 上記参考例１～８の透明電極付き基板の各層の屈折率、膜厚および製膜条件、ならびに透明電極層の抵抗率、シート抵抗、結晶の平均粒径、および結晶粒径の変動係数を表２に示す。また、各透明電極付き基板のパターン皺の評価結果、ならびに電極層形成部（非エッチング部）の透過率およびｂ＊を表２に示す。表２では、実施例１，８および１５の透明電極付き基板の評価結果についても併せて示されている。また、参考例２および参考例３の透明電極層の顕微鏡観察写真を、それぞれ図２および図３に示す。 [0129] [表2] ［図：0001421405000001.jpg］ ・・・・ [0131] また、表２の結果から、製膜時の磁束密度を高めることにより、透明電極層が低抵抗化される傾向があり、３．７×１０－４Ω・ｃｍ以下の低抵抗率透明電極層が得られることがわかる。」 （２） 甲１発明及び甲１記載事項 ア 甲１発明 （ア） 上記（１）の[0099]に記載の「上記透明フィルム基材の透明誘電体層」は、[0095]に記載の「二軸延伸ＰＥＴフィルム」の上に順次形成された「シリコン酸化物（ＳｉＯｘ層）からなる中屈折率透明誘電体層（第一誘電体層）、酸化ニオブからなる高屈折率透明誘電体層（第二誘電体層）、およびシリコン酸化物（ＳｉＯ２）からなる低屈折率誘電体層（第三誘電体層）」のことであり、[0098]に記載の「膜厚が５０ｎｍ」であり、「表面の算術平均粗さＲａ」が「０．５ｎｍ」である「得られたＳｉＯｘ層（ｘ＝２）」は、[0095]に記載の「シリコン酸化物（ＳｉＯ２）からなる低屈折率誘電体層（第三誘電体層）」のことであるといえる。 したがって、上記（１）の[0099]に記載の「上記透明フィルム基材の透明誘電体層」の表面は、[0098]に記載の「得られたＳｉＯｘ層（ｘ＝２）」の表面であるから、その算術平均粗さＲａは「０．５ｎｍ」である。 （イ） 上記（１）の[0128]に記載の「実施例１の」「透明電極付き基板」は、[0095]～[0101]の記載により製造されたものであり、上記（１）の[0129][表2]に記載の「ＩＴＯ」は、[0101]に記載の「熱処理後のＩＴＯ層」のことであり、[0101]に記載の「熱処理後のＩＴＯ層」は、[0099]に記載の「非晶質ＩＴＯ透明電極層」を熱処理することにより形成されたものである。 また、上記（１）の[0101]に記載の「熱処理後のＩＴＯ層」は、[0131]の記載から、「低抵抗率」と評価されている。 （ウ） 上記（ア）及び（イ）を踏まえると、上記（１）の[0095]～[0101]、[0128]、[0129][表2]及び[0131]によれば、甲１には次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されている。 「 透明フィルム基材の透明誘電体層上に、インジウム・スズ複合酸化物（酸化スズ含有量５重量％）をターゲットとして用いて膜厚が２５ｎｍである非晶質ＩＴＯ透明電極層をスパッタ製膜し、その後、１５０℃のオーブン内で６０分の熱処理を行うことにより製造され、 透明フィルム基材の透明誘電体層の表面の算術平均粗さＲａは、０．５ｎｍであり、 熱処理後のＩＴＯ透明電極層の平均粒径は２１０ｎｍであり、 熱処理後のＩＴＯ透明電極層は、低抵抗率透明電極層である、 透明電極付き基板。」 イ 甲１記載事項 上記（１）の[0046]によれば、甲１には、以下の技術事項（以下、「甲１記載事項」という。）が記載されている。 「透明電極層４の膜厚ｄ４は、１５～１１０ｎｍが好ましく、透明電極付き基板１００が静電容量方式タッチパネルに用いられる場合、透明電極層４の膜厚ｄ４は、１５ｎｍ～４０ｎｍであることが好ましく、２１ｎｍ～３５ｎｍであることがより好ましく、２３ｎｍ～３０ｎｍであることがさらに好ましく、透明電極層の膜厚を前記範囲とすることで、低抵抗かつ高透過率の透明電極層が得られ、透明電極層のパターンの視認を効果的に抑止するためには、ｄ４は３２ｎｍ以下がさらに好ましく、２６ｎｍ以下が特に好ましいこと。」 ２ 甲２について （１） 甲２の記載 甲２には、以下の記載がある。 「課題を解決するための手段 [0006] 非晶質部分を含むインジウムスズ酸化物を堆積させる工程で水平方向磁場を大きくすると、該非晶質部分を含むインジウムスズ酸化物を結晶化させる工程後の結晶質の結晶粒径が大きくなることが見出された。そのため、光透過性に優れ、且つ比抵抗が小さい（電気伝導性に優れる）透明導電性フィルムを得ることができる本発明に到った。 ・・・・ [0009] 前記フィルム基材が、ポリエチレンテレフタレート、ポリシクロオレフィン又はポリカーボネートのいずれかによって構成されることが好ましい。前記フィルム基材が、前記インジウムスズ酸化物の堆積側の表面に易接着層を備えることが好ましい。また、前記フィルム基材が、前記インジウムスズ酸化物の堆積側の表面に屈折率調整層を備えることが好ましい。さらに、前記フィルム基材が、前記インジウムスズ酸化物の堆積側の表面にハードコート層を備えることも好ましい。また、前記結晶化したインジウムスズ酸化物層は、厚みが２０ｎｍから５０ｎｍであることが好ましい。前記フィルム基材の厚みが１５μｍから５０μｍであることも好ましい。」 「発明を実施するための形態 ・・・・ [0026] なお、フィルム基材の材料には、透明性と耐熱性に優れる点から、好ましくはポリエチレンテレフタレート、ポリシクロオレフィン又はポリカーボネートが用いられる。フィルム基材は、その表面に易接着層や、反射率を調整するための屈折率調整層（Index matching layer）、耐擦傷性を付与するためのハードコート層を備えていてもよい。 ・・・・ [0028] 上記結晶化したインジウムスズ酸化物層の厚みは、好ましくは２０ｎｍから５０ｎｍであり、比抵抗は、好ましくは３．３×１０-4以下Ω・ｃｍであり、さらに好ましくは２．５×１０-4Ω・ｃｍから３．２×１０-4Ω・ｃｍである。上記結晶化したインジウムスズ酸化物の結晶の平均の結晶粒径は、好ましくは１５０ｎｍ以上であり、さらに好ましくは１７５ｎｍから２５０ｎｍである。 [0029] [実施例１] 酸化スズを１０重量％、酸化インジウムを９０重量％として混合し、焼結して作られたターゲット材を配置したスパッタ装置に、厚み２３μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなるフィルム基材を入れた。次いで、スパッタ装置のチャンバ内に、アルゴンガス９９体積％と酸素ガス１体積％の混合ガスを封入し、チャンバ内を０．４Ｐａの低圧環境に調整した。焼結して作られたターゲット材上の水平方向磁場を５０ｍＴとして、マグネトロンスパッタリング法により、フィルム基材上に、厚み３２ｎｍの非晶質を含むインジウムスズ酸化物を堆積させた。水平方向の磁場は、テスラメータ（カネテック製 ＴＭ―７０１）を用いて、ＪＩＳ Ｃ２５０１に準じて測定した。 [0030] その後、フィルム基材に堆積した非晶質部分を含むインジウムスズ酸化物を、１４０℃の加熱室内で、常圧環境下で９０分間加熱処理した。フィルム基材上に形成された非晶質部分を含むインジウムスズ酸化物は、加熱処理することにより結晶化したことを確認した。 ・・・・ [0032] 結晶粒径は、結晶化したインジウムスズ酸化物を超ミクロトームで切削し、直接倍率６０００倍で、透過型電子顕微鏡（日立製作所製 Ｈ－７６５０）を用いて撮影された写真から算出した。撮影された写真を画像解析処理して、結晶粒界の形状において最も長い径を、各粒子の径（ｎｍ）とし、２５ｎｍ刻みのヒストグラムにして、ヒストグラムの平均値を得られた結晶の平均の結晶粒径とした。結晶粒径の値を表１に示す。 ・・・・ [0039] [表1] ［図：0001421405000002.jpg］ [0040] 表１に示すように、ターゲット材上の水平方向磁場が、５０ｍＴから１８５ｍＴである場合には、３０ｍＴの場合よりも光透過性に優れ、且つ比抵抗が小さい（電気伝導性に優れる）透明導電性フィルムが得られた。」 （２） 甲２発明及び甲２記載事項 ア 甲２発明 （ア） 上記（１）の[0026]のフィルム基材の材料として、透明性に優れる点から、ポリエチレンテレフタレートが用いられる旨の記載、及び、上記（１）の[0040]の「透明導電性フィルムが得られた」との記載から、上記（１）の[0029]に記載の「厚み２３μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなるフィルム基材」は、透明であるといえる。 （イ） 上記（１）の[0032]の記載から、上記（１）の[0039] [表1]に記載の「結晶粒径」は、「平均の結晶粒径」のことであるといえる。 （ウ） 上記（ア）、（イ）及び、上記（１）の[0029]、[0030]、[0032]、[0039][表1]及び[0040]によれば、甲２には次の発明（以下、「甲２発明」という。）が記載されている。 「マグネトロンスパッタリング法により、酸化スズを１０重量％、酸化インジウムを９０重量％として混合し、焼結して作られたターゲット材を用いて、厚み２３μｍの透明であるポリエチレンテレフタレートフィルムからなるフィルム基材上に、厚み３２ｎｍの非晶質を含むインジウムスズ酸化物層を堆積させ、 その後、フィルム基材に堆積した非晶質部分を含むインジウムスズ酸化物層を、加熱処理して結晶化することにより得た、 結晶化したインジウムスズ酸化物層の平均の結晶粒径は１５４ｎｍである、 比抵抗が小さく、電気伝導性に優れる透明導電性フィルム。」 イ 甲２記載事項 上記（１）の[0009] 及び[0028]によれば、甲２には、以下の技術事項（以下、「甲２記載事項」という。）が記載されている。 「結晶化したインジウムスズ酸化物層の厚みは、好ましくは２０ｎｍから５０ｎｍである。」 ３ 甲３について 甲３には、以下の記載がある。 「[0105] （実施例１） 真性シリコン基板上に炭素系薄膜を１０ｎｍ製膜した。製膜条件は、基板温度を室温とし、ターゲットとしてカーボンを、キャリアガスとしてアルゴンと二酸化炭素をそれぞれ８０ｓｃｃｍ、２０ｓｃｃｍ使用して、８．０Ｐａの圧力で０．５Ｗ／ｃｍ2のパワー密度をかけて製膜した。この炭素系薄膜の表面をＡＦＭで観察したところ、粒子状のものの集合のように観測された（図５）。この上に透明導電性酸化物層としてインジウム－亜鉛複合酸化物（ＩＺＯ：酸化亜鉛１０重量％含有）を５０ｎｍ製膜した。製膜条件は、基板温度を室温とし、ターゲットとしてインジウム－亜鉛複合酸化物（ＩＺＯ：酸化亜鉛１０重量％含有）を、キャリアガスとしてアルゴンを１００ｓｃｃｍ使用して、０．２Ｐａの圧力で０．５Ｗ／ｃｍ2のパワー密度をかけて製膜した。 ・・・・ [0111] （実施例４） 実施例１のＩＺＯをインジウム－錫複合酸化物（ＩＴＯ：酸化錫１０重量％含有）に変更した以外は、同様にして透明電極を作製した。」 ４ 甲４について 甲４には、以下の記載がある。 「【００５２】 （実施例１～１４） 透明導電性フィルムを得る手法は上記の〔１〕の方法を採用している。 これらの実施例は表１に示した条件のもと、以下の通り実施した。 真空槽にフィルムを投入し、真空引きをした。真空引き時間が長いほどスパッタリング時の成膜中の水分圧が減少するので、スパッタリング時の成膜雰囲気の不活性ガスに対する水分圧の比は真空引き時間を変えることで制御した。 酸素導入後に不活性ガスとしてアルゴンを導入し全圧を０．５Ｐａにした。 酸化スズを含む酸化インジウム焼結ターゲット、あるいは酸化スズを含まない酸化インジウム焼結ターゲットに１Ｗ／ｃｍ２の電力密度で電力を投入し、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、透明導電膜を成膜した。膜厚についてはフィルムがターゲット上を通過するときの速度を変えて制御した。また、スパッタリング時の成膜雰囲気の不活性ガスに対する水分圧の比については、ガス分析装置（インフィコン社製、トランスペクターＸＰＲ３）を用いて測定した。 透明導電膜を成膜したフィルムは、熱処理した後、表１に記載の測定を実施した（ただし、熱処理しないで測定したものもある）。 測定結果を表１に示した。 ・・・・ 【００５７】 【表１】 ［図：0001421405000003.jpg］ 」 ５ 甲５について 甲５には、以下の記載がある。 「【００６０】 〔実施例１～１３〕 透明プラスチックフィルム基材は、両面に易接着層を有する二軸配向透明ＰＥＴフィルム（東洋紡績社製、Ａ４３４０、厚み１８８μｍ）を用いた。硬化型樹脂硬化層として、光重合開始剤含有アクリル系樹脂（大日精化工業社製、セイカビームＥＸＦ－０１Ｊ）１００質量部に、共重合ポリエステル樹脂（東洋紡績社製、バイロン２００、重量平均分子量１８，０００）を３質量部配合し、溶剤としてトルエン／ＭＥＫ（８／２：質量比）の混合溶媒を、固形分濃度が５０質量％になるように加え、撹拌して均一に溶解し塗布液を調製した。二軸配向透明ＰＥＴフィルムの両面に塗膜の厚みが５μｍになるように、調製した塗布液をマイヤーバーを用いて塗布した。７０℃で１分間乾燥を行った後、紫外線照射装置（アイグラフィックス社製、ＵＢ０４２－５ＡＭ－Ｗ型）を用いて紫外線を照射（光量：３００ｍＪ／ｃｍ２）し、塗膜を硬化させた。 【００６１】 透明導電性フィルムを得る手法は上記の〔１〕～〔３〕の方法を採用している。 これらの実施例における透明導電膜作製条件は表１に記載した。また、各実施例において共通の作製条件は以下の通り。 真空槽にフィルムを投入し、２．０×１０－４Ｐａまで真空引きをした。次に、酸素分圧が１．５×１０－２Ｐａになるように酸素を導入し、その後不活性ガスとしてアルゴンを導入し全圧を０．５Ｐａにした。実施例７のボンバード工程における導入ガスも、前記と同じである。 酸化スズを含む酸化インジウム焼結ターゲット、あるいは酸化スズを含まない酸化インジウム焼結ターゲットに１Ｗ／ｃｍ２の電力密度で電力を投入し、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、透明導電膜を成膜した。膜厚についてはフィルムがターゲット上を通過するときの速度を変えて制御した。また、スパッタリング時の成膜雰囲気の不活性ガスに対する質量数２８のガス分圧の比については、ガス分析装置（インフィコン社製、トランスペクターＸＰＲ３）を用いて測定した。 ・・・・ 【００６９】 【表２】 ［図：0001421405000004.jpg］ ・・・・ 【００７１】 表２、３に記載のとおり、実施例１～１６記載の透明導電性フィルムは、ペン摺動耐久試験後も摺動部が透明で、ＯＮ抵抗も１０ｋΩ以下であり、かつ非常に優れたペン摺動耐久性が得られた。さらにタッチパネルの平面性も良好であった。比較例１、２、４、６、９はペン摺動耐久試験後に摺動部が白化し、ＯＮ抵抗も１０ｋΩ以上であり、ペン摺動耐久性が十分でなかった。比較例３、５、７、８、１０はペン摺動耐久試験は優れているが、他の特性が劣っている。比較例３は全光線透過率が実用的な水準よりも低いために使用に適さない。比較例５は表面抵抗が実用的な水準よりも高いため使用に適さない。比較例７、８、１０はタッチパネルの平面性が十分でない。」 ６ 甲６について 甲６には、以下の記載がある。 「[0080] [表3] ［図：0001421405000005.jpg］ ・・・・ [0082] 表３に記載のとおり、実施例１３～２６、及び実施例２７、２８記載の透明導電性フィルムは、ペン摺動耐久試験後も摺動部が透明で、ＯＮ抵抗も１０ｋΩ以下であり、かつ非常に優れたペン摺動耐久性が得られた。表４の結果にある比較例１０、１３、１５、１７、１８、１９はペン摺動耐久試験は優れているが、他の特性が劣っている。比較例１０、１３、１８、１９は表面抵抗値が実用的な水準よりも高いために使用に適さない。比較例９は全光線透過率が実用的な水準よりも低いため使用に適さない。実施例１３～２６、比較例７～１６、比較例１８～２２においては真空引き時間は２～７時間であったが、比較例１７では２４時間かかった。比較例１７は真空引き時間が極端に長いために産業上の利用に適さない。」 ７ 甲７について 甲７には、以下の記載がある。 「[0050]（実施例１～７） 透明導電性積層フィルムを得る手法は上記の〔１〕の方法を採用している。 これらの実施例は表１に示した条件のもと、以下の通り実施した。なお、表１に記載のITO膜は透明導電性薄膜層、ＳｉＯ２膜は誘電体層にそれぞれ対応している。 真空槽にフィルムを投入し、真空引きをした。真空引き時間が長いほどスパッタリング時の成膜中の水分圧が減少するので、スパッタリング時の成膜雰囲気の不活性ガスに対する水分圧の比は真空引き時間を変えることで制御した。 酸素導入後に不活性ガスとしてアルゴンを導入し全圧を０．５Ｐａにした。 ＳｉＯ２薄膜を形成するため、シリコンをターゲットに用いて、直流マグネトロンスパッタリング法で行った。また、成膜中の電圧値を常時観測しながら、電圧値が一定となるように酸素ガスの流量計にフィートバックした。 続いて前記ＳｉＯ２薄膜上に酸化スズを含む酸化インジウム焼結ターゲット、あるいは酸化スズを含まない酸化インジウム焼結ターゲットに１Ｗ／ｃｍ２の電力密度で電力を投入し、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、透明導電性薄膜層を成膜した。膜厚についてはフィルムがターゲット上を通過するときの速度を変えて制御した。また、スパッタリング時の成膜雰囲気の不活性ガスに対する水分圧の比については、ガス分析装置（インフィコン社製、トランスペクターＸＰＲ３）を用いて測定した。 透明導電性薄膜層を成膜したフィルムは、熱処理した後、表１に記載の測定を実施した（ただし、熱処理しないで測定したものもある）。測定結果を表１に示した。 ・・・・ [0052] [表1] ［図：0001421405000006.jpg］ 」 ８ 甲８について 甲８には、以下の記載がある。 「[0058]（実施例１～６） 透明導電性フィルムを得る手法は上記の〔１〕と〔２〕の方法を採用している。 実施例１、２、４～６で採用している透明導電性フィルムを得る手法〔１〕において記載する。まず、透明導電膜を５ｎｍ成膜するまで、酸素ガス分圧に対する質量数２８のガス分圧の比をガス分析装置で観測する。次に、透明導電膜を５～１０ｎｍ成膜する間に、設定の酸素ガス分圧に対する質量数２８のガス分圧の比になるように酸素流量をコントロールする。１０ｎｍ以上の膜厚では設定の酸素ガス分圧に対する質量数２８のガス分圧の比から５％ズレたら、設定値に近づけるように酸素流量をコントロールする。 ・・・・ [0060] これらの実施例における透明導電膜作製条件は表１に記載した。また、各実施例において共通の作製条件は以下の通りである。 真空槽に透明プラスチックフィルム、ただし、実施例３においてはＳｉＯｘ付きフィルムを投入し、２．０×１０－４Ｐａまで真空引きをした。次に酸素分圧が１．５×１０－２にＰａなるように酸素を導入し、その後不活性ガスとしてアルゴンを導入し全圧を０．５Ｐａにした。 酸化スズを含む酸化インジウム焼結ターゲット、あるいは酸化スズを含まない酸化インジウム焼結ターゲットに１Ｗ／ｃｍ２の電力密度で電力を投入し、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、透明プラスチック基材の硬化型樹脂層を塗布した面、ただし、実施例３においてはＳｉＯｘ面に透明導電膜を成膜した。膜厚についてはフィルムがターゲット上を通過するときの速度を変えて制御した。また、スパッタリング時の成膜雰囲気の酸素ガスに対する質量数２８のガス分圧の比については、ガス分析装置（インフィコン社製、トランスペクターＸＰＲ３）を用いて測定した。 透明導電膜を成膜したフィルムは、１５０℃１時間熱処理した後、表２に記載の測定を実施した。測定結果を表２に示した。 ・・・・ [0062] [表1] ［図：0001421405000007.jpg］ [0063] [表2] ［図：0001421405000008.jpg］ 」 ９ 甲９について 甲９には、以下の記載がある。 「【００５３】 ［実施例１］ （下地層２００の製膜） 酸化インジウム・錫（酸化錫含量１０重量％）をターゲットとして用い、酸素とアルゴンの混合ガスを装置内に導入しながら、酸素分圧５．０×１０－２Ｐａ、製膜室内圧力０．２Ｐａ、基板温度０℃パワー密度２ｋＷの条件で行った。 【００５４】 （透明電極薄膜層３００の製膜） 連続して、酸化インジウム・錫（酸化錫含量１０重量％）をターゲットとして用い、酸素とアルゴンの混合ガスを装置内に導入しながら、酸素分圧３．３×１０－２Ｐａ、製膜室内圧力０．２Ｐａ、基板温度０℃、パワー密度１２ｋＷの条件で行った。 ・・・・ 【００５６】 （結晶化（熱処理）） この透明導電フィルムを、１５０℃で１時間熱処理を行った。顕微鏡観察によってほぼ完全に結晶化されていることが確認された（結晶化度１００％）。 ・・・・ 【００５８】 各層の構成、結果、各水準の特性を表１に示す。ここで、ターゲット材料は下記のものを用いた。ｎＩＴＯ（ｎ＝３，５，７，１０）は、酸化錫をｎ重量％含有する酸化インジウムを用いた。 【００５９】 【表１】 ［図：0001421405000009.jpg］ 」 １０ 甲１５について 甲１５には、以下の記載がある。 「【００５５】 ［図：0001421405000010.jpg］ 【産業上の利用可能性】 【００５６】 本発明の熱可塑性樹脂フィルムは良好な易滑性と平滑性により工程でのスリキズ等の欠点や、加工工程での欠点が抑制できるため、片面に感光樹脂組成物を体積して使用されるドライフィルムレジスト支持体用ポリエステルフィルムや光学デバイス基材用フィルム、セラミックコンデンサー用離型フィルム、磁気記録媒体用フィルムとして好適に用いることができる。」 １１ 甲１６について 甲１６には、以下の記載がある。 「【０１７８】 【表２】 ［図：0001421405000011.jpg］ 【０１７９】 【表３】 ［図：0001421405000012.jpg］ 【０１８０】 【表４】 ［図：0001421405000013.jpg］ 」 「【産業上の利用可能性】 【０１８２】 本発明が提案する積層ポリエステルフィルムは、耐応力変形性、厚み均一性、フィルム巻き取り性及び検査容易性の点で良好であり、例えば、厚みが１００μｍ以下の光学部材、具体的には例えば偏光板などの光学部材を貼り合わせるための基材乃至工程紙として好適に利用することができる。」 第５ 当審の判断 １ 申立理由１（甲１を主引例とする本件発明１の進歩性）について （１） 本件発明１と甲１発明との対比 ア 構成要件Ａについて 甲１発明の「透明フィルム基材」は、本件発明１の「透明フィルム基材」に相当する。 イ 構成要件Ｂについて 甲１発明の「熱処理後のＩＴＯ透明電極層」は、「透明フィルム基材の透明誘電体層上に、インジウム・スズ複合酸化物（酸化スズ含有量５重量％）をターゲットとして用いて膜厚が２５ｎｍである非晶質ＩＴＯ透明電極層をスパッタ製膜し、その後、１５０℃のオーブン内で６０分の熱処理を行うことにより製造され」たものであるから、本件発明１の「透明フィルム基材の厚み方向一方面に配置された結晶化インジウムスズ複合酸化物スパッタ膜」に相当する。 ウ 構成要件Ｃについて 甲１発明は、「透明フィルム基材の透明誘電体層の表面の算術平均粗さＲａは、０．５ｎｍであ」るとの構成を有するものである。 そうすると、甲１発明の「透明フィルム基材」は、本件発明１の「前記透明フィルム基材の前記厚み方向一方面は、１．０ｎｍ以下の算術平均粗さＲａを有」することに相当する構成を備えている。 エ 構成要件Ｆについて 甲１発明は、「熱処理後のＩＴＯ透明電極層の平均粒径は２１０ｎｍであ」るとの構成を有するものである。 そうすると、甲１発明の「熱処理後のＩＴＯ透明電極層」は、本件発明１の「平均粒径が１１０ｎｍ以上である結晶粒を含有する」に相当する構成を備えている。 オ 構成要件Ｇについて 甲１発明の「透明電極付き基板」は、「透明フィルム基材の透明誘電体層上に、インジウム・スズ複合酸化物（酸化スズ含有量５重量％）をターゲットとして用いて膜厚が２５ｎｍである非晶質ＩＴＯ透明電極層をスパッタ製膜し、その後、１５０℃のオーブン内で６０分の熱処理を行うことにより製造され」たものであるから、本件発明１の「透明導電性フィルム」に相当する。 以上によれば、本件発明と甲１発明は、以下の一致点、相違点を有する。 ［一致点］ Ａ 透明フィルム基材と、 Ｂ 前記透明フィルム基材の厚み方向一方面に配置された結晶化インジウムスズ複合酸化物スパッタ膜とを備え、 Ｃ 前記透明フィルム基材の前記厚み方向一方面は、１．０ｎｍ以下の算術平均粗さＲａを有し、 Ｆ 平均粒径が１１０ｎｍ以上である結晶粒を含有する、 Ｇ 透明導電性フィルム。 ［相違点］ ［相違点１］ 本件発明１は、「前記結晶化インジウムスズ複合酸化物スパッタ膜は、酸化スズの含有割合が９質量％以上である領域を含み」との構成（構成要件Ｄ）を有しているのに対し、甲１発明は、構成要件Ｄを有していない点。 ［相違点２］ 構成要件Ｂの「結晶化インジウムスズ複合酸化物スパッタ膜」の厚みについて、本件発明１は、「３５ｎｍ以上」（構成要件Ｅ）であるのに対し、甲１発明は、「２５ｎｍ」である点。 （２） 判断 事案に鑑み、相違点２について検討する。 上記第４の１（２）イの甲１記載事項によれば、甲１には、「透明電極層４の膜厚ｄ４」を「３５ｎｍ以上」とすることは記載されておらず、むしろ「２３ｎｍ～３０ｎｍであることがさらに好ましく、透明電極層の膜厚を前記範囲とすることで、低抵抗かつ高透過率の透明電極層が得られ、透明電極層のパターンの視認を効果的に抑止するためには、ｄ４は３２ｎｍ以下がさらに好まし」いことが記載されているから、甲１発明において、「透明電極層４の膜厚ｄ４」を「３５ｎｍ以上」とする動機付けはない。 また、上記第４の１（２）ア（ウ）のとおり、甲１発明は、「膜厚が２５ｎｍである非晶質ＩＴＯ透明電極層をスパッタ製膜し、その後、１５０℃のオーブン内で６０分の熱処理を行うことにより製造され」たものであって、「熱処理後のＩＴＯ透明電極層は、低抵抗率透明電極層である」と評価されているものであるから、甲１発明において、「透明電極層４の膜厚ｄ４」を、「３５ｎｍ以上」として低抵抗化するという動機付けはない。 したがって、甲１発明において、相違点２の構成とすることは、当業者であっても容易に想到し得るものではない。 加えて、甲３～９には、上記第４の３～９のとおりの記載があるものの、相違点２の構成である「結晶化インジウムスズ複合酸化物スパッタ膜」の「厚み」を「３５ｎｍ以上」として表面抵抗を低くするという技術思想は記載されていない。 したがって、甲３～９を考慮しても、甲１発明において、相違点２の構成とすることは、当業者であっても容易に想到し得るものではない。 よって、相違点１について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないし、甲３～甲９に記載された事項を含めて検討しても、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ２ 申立理由２（甲１を主引例とする本件発明２の進歩性）について 上記第２のとおり、本件発明２は、本件発明１の「透明導電性フィルム」を「製造する方法」 に関するものであるから、本件発明２は、本件発明１の相違点に係る構成と同じ構成を有する。 そうすると、当該相違点に係る構成についての判断は、上記１（２）のとおりであり、本件発明２は、甲１に記載された発明、甲３～９に記載された周知の技術及び甲５、１０～１４に記載された周知の技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ３ 申立理由３（甲２を主引例とする本件発明１の進歩性）について （１） 本件発明１と甲２発明との対比 ア 構成要件Ａについて 甲２発明の「厚み２３μｍの透明であるポリエチレンテレフタレートフィルムからなるフィルム基材」は、本件発明１の「透明フィルム基材」に相当する。 イ 構成要件Ｂについて 甲２発明の「結晶化したインジウムスズ酸化物層」は、マグネトロンスパッタリング法によりフィルム基材上に、厚み３２ｎｍで形成され、その後、結晶化されたものであるから、本件発明１の「透明フィルム基材の厚み方向一方面に配置された結晶化インジウムスズ複合酸化物スパッタ膜」に相当する。 ウ 構成要件Ｄについて 甲２発明の「結晶化したインジウムスズ酸化物層」は、マグネトロンスパッタリング法により、酸化スズを１０重量％、酸化インジウムを９０重量％として混合し、焼結して作られたターゲット材を用いて形成されたものである。 そうすると、甲２発明の「結晶化したインジウムスズ酸化物層」は、本件発明１の「酸化スズの含有割合が９質量％以上である領域を含み」に相当する構成を備えている。 エ 構成要件Ｆについて 甲２発明は、「結晶化したインジウムスズ酸化物層の平均の結晶粒径は１５４ｎｍである」ものである。 そうすると、甲２発明の「結晶化したインジウムスズ酸化物層」は、本件発明１の「平均粒径が１１０ｎｍ以上である結晶粒を含有する」に相当する構成を備えている。 オ 構成要件Ｇについて 甲２発明の「透明導電性フィルム」は、本件発明１の「透明導電性フィルム」に相当する。 以上によれば、本件発明１と甲２発明は、以下の一致点、相違点を有する。 ［一致点］ Ａ 透明フィルム基材と、 Ｂ 前記透明フィルム基材の厚み方向一方面に配置された結晶化インジウムスズ複合酸化物スパッタ膜とを備え、 Ｄ 前記結晶化インジウムスズ複合酸化物スパッタ膜は、酸化スズの含有割合が９質量％以上である領域を含み、 Ｆ 平均粒径が１１０ｎｍ以上である結晶粒を含有する、 Ｇ 透明導電性フィルム。 ［相違点］ ［相違点３］ 本件発明１は、「前記透明フィルム基材の前記厚み方向一方面は、１．０ｎｍ以下の算術平均粗さＲａを有し」（構成要件Ｃ）との構成を有しているのに対し、甲２発明は、構成要件Ｃを有しているのか不明な点。 ［相違点４］ 構成要件Ｂの「結晶化インジウムスズ複合酸化物スパッタ膜」の厚みについて、本件発明１は、「３５ｎｍ以上」（構成要件Ｅ）であるのに対し、甲２発明は、「３２ｎｍ」である点。 （２） 判断 事案に鑑み、相違点４について検討する。 本件明細書の【００２４】に「結晶化インジウムスズ複合酸化物膜の厚みは、３５ｎｍ以上である。結晶化インジウムスズ複合酸化物膜の厚みが上記下限を下回れば、結晶化インジウムスズ複合酸化物膜の表面抵抗を低くすることができない。」と記載されているように、本件発明１は、結晶化インジウムスズ複合酸化物膜の表面抵抗を低くするとの課題を解決するために、結晶化インジウムスズ複合酸化物膜の厚みを３５ｎｍ以上としているものである。 他方、上記第４の２（２）ア（ウ）のとおり、甲２発明は、「厚み３２ｎｍの非晶質を含むインジウムスズ酸化物層を堆積させ」、「加熱処理して結晶化することにより得た」、「比抵抗が小さく、電気伝導性に優れる透明導電性フィルム」であり、３２ｎｍとの厚みで、「比抵抗が小さく、電気伝導性に優れる」と評価されているものである。 そうすると、たとえ甲２に甲２記載事項（第４の２（２）イ）のとおり、「結晶化したインジウムスズ酸化物層の厚みは、好ましくは２０ｎｍから５０ｎｍである。」と記載されていたとしても、甲２発明において、「厚み３２ｎｍの非晶質を含むインジウムスズ酸化物層」の厚みを「３５ｎｍ以上」として比抵抗を小さくするという動機付けはない。 したがって、甲２発明において、相違点４の構成とすることは、当業者であっても容易に想到し得るものではない。 加えて、甲３～９には、上記第４の３～９のとおりの記載があるものの、相違点４の構成である「結晶化インジウムスズ複合酸化物スパッタ膜」の「厚み」を「３５ｎｍ以上」として表面抵抗を低くするという技術思想は記載されていない。 したがって、甲３～９を考慮しても、甲２発明において、相違点４の構成とすることは、当業者であっても容易に想到し得るものではない。 よって、相違点３について検討するまでもなく、本件発明１は、甲２発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないし、甲３～甲９に記載された事項を含めて検討しても、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ４ 申立理由４（甲２を主引例とする本件発明２の進歩性）について 上記第２のとおり、本件発明２は、本件発明１の「透明導電性フィルム」を「製造する方法」に関するものであるから、本件発明２は、本件発明１の相違点に係る構成と同じ構成を有する。 そうすると、当該相違点に係る構成についての判断は、上記３（２）のとおりであり、本件発明２は、甲２に記載された発明、甲１５、甲ｌ６に記載された事項、甲３～９に記載された周知の技術及び甲５、１０～１４に記載された周知の技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ５ 小括 したがって、異議申立人の主張する特許異議の申立ての理由（進歩性）は理由がない。 第６ むすび 以上の次第であるから、特許異議の申立ての理由及び異議申立人の提出した証拠によっては、本件特許の請求項１及び請求項２に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件特許の請求項１及び請求項２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。