2024-701090

特許第７４７９８４９号発明「高分散二酸化ケイ素を製造する方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７４７９８４９号の請求項１～４、６～１０、１３に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７４７９８４９号（以下、「本件特許」という。）の請求項１～１３に係る特許についての出願は、２０１７年（平成２９年）７月１３日を国際出願日として出願した特願２０１９－５７１７２３号であって、令和６年４月２６日にその特許権の設定登録がされ、同年５月９日に特許掲載公報が発行された。 その後、その請求項１～４、６～１０、１３に係る特許に対して、同年１１月８日に特許異議申立人金田綾香（以下、「申立人」という。）により、特許異議の申立てがされた。 第２ 本件発明 特許第７４７９８４９号の請求項１～１３の特許に係る発明（以下「本件発明１」～「本件発明１３」といい、それらをまとめて「本件発明」という。）は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１～１３に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 微粉化二酸化ケイ素の製造方法であって、 －炭素を含有する少なくとも１つのケイ素化合物と、炭素を含有しない少なくとも１つのケイ素化合物との少なくとも２つのケイ素化合物の混合物をＳｉ源として使用し、 －燃料ガスを供給し、 －酸素含有源を供給し、 －前記ケイ素化合物と、前記燃料ガスと、前記酸素含有源とを含有するこの混合物のＣ／Ｓｉモル比が、１０／ＢＥＴ～３５／ＢＥＴであり、および この混合物のモルＨ／Ｃｌ比が、０．４５＋（ＢＥＴ／６００）～０．９５＋（ＢＥＴ／６００）であり、 ＢＥＴは、ＢＥＴ法（ＤＩＮ ＩＳＯ９２７７ に準拠）によって測定した、製造される熱分解法二酸化ケイ素の比表面積であり、 －この混合物を主流として反応空間中へ導入し、強熱し、それを反応させ、ならびに －得られた固体を単離すること、 を含んでなる、方法。 【請求項２】 使用される前記炭素含有ケイ素化合物が、メチルトリクロロシラン（ＭＴＣＳ）、メチルジクロロシラン（ＭＤＣＳ）、またはＭＴＣＳとＭＤＣＳとの混合物を含んでなる、請求項１に記載の方法。 【請求項３】 使用される前記炭素非含有ケイ素化合物が、四塩化ケイ素（ＳＴＣ）、トリクロロシラン（ＴＣＳ）、ジクロロシラン（ＤＣＳ）、または前記化合物のうち少なくとも２つの混合物を含んでなる、請求項１または２に記載の方法。 【請求項４】 使用される前記Ｓｉ源が、少なくとも３種のケイ素化合物の混合物を含んでなる、請求項１～３のいずれか一項に記載の方法。 【請求項５】 利用した前記Ｓｉ源が、四塩化ケイ素、トリクロロシラン、ジクロロシラン、およびメチルトリクロロシランを含んでなる混合物を含んでなる、請求項１～４のいずれか一項に記載の方法。 【請求項６】 使用される前記燃料ガスが、水素を含んでなる、請求項１～５のいずれか一項に記載の方法。 【請求項７】 使用される前記酸素含有源が、空気を含んでなる、請求項１～６のいずれか一項に記載の方法。 【請求項８】 火炎が、二次ガスによって包囲されている、請求項１～７のいずれか一項に記載の方法。 【請求項９】 使用される前記二次ガスが、空気を含んでなる、請求項８に記載の方法。 【請求項１０】 前記主流に対する二次ガスの体積比が、０．０１～０．４である、請求項８または９に記載の方法。 【請求項１１】 前記二次ガスの流速と前記主流の流速との比率が、０．１～０．８である、請求項８～１０のいずれか一項に記載の方法。 【請求項１２】 前記反応空間への導入における前記二次ガスが、前記主流の温度まで加熱されている、請求項８～１１のいずれか一項に記載の方法。 【請求項１３】 得られる単離された固体が、高温ガスで処理される、請求項１～１２のいずれか一項以上に記載の方法。」 第３ 特許異議申立理由について １ 特許異議申立理由の概要 申立人が主張する特許異議申立理由は、概略、以下のとおりである。 ここで、申立人が提出した証拠方法は、次のものである。 甲第１号証：特開２００６－１９３４０３号公報 甲第２号証：特開２００６－１９３４０４号公報 甲第３号証：特表２０１２－５１１４１６号公報 甲第４号証：令和５年１月１６日付けの手続補正書（方式）（特願２０１ ９－５７１７２３号） 甲第５号証：令和３年１２月１３日付けの意見書（特願２０１９－５７１ ７２３号） （以下、各甲号証をそれぞれ「甲１」などという。） （１）申立理由１（甲１を主たる証拠とした新規性・進歩性欠如） 本件発明１～４、６～１０、１３は、甲１に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３項に該当するから、その特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 本件発明１０は、甲１に記載された発明及び甲３に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 （２）申立理由２（甲２を主たる証拠とした新規性・進歩性欠如） 本件発明１～４、６～１０、１３は、甲２に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３項に該当するから、その特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 本件発明１０は、甲２に記載された発明及び甲３に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 （３）申立理由３（甲３を主たる証拠とした新規性欠如） 本件発明１～４、６～９、１３は、甲３に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３項に該当するから、その特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 ２ 各甲号証の記載事項 （１）甲１の記載事項 甲１には、「熱分解法により製造された二酸化ケイ素粉末」（発明の名称）に関して、次の事項が記載されている（なお、下線は当審が付した。以下、同様。）。 ア「【請求項６】 請求項１から５までのいずれか１項記載の二酸化ケイ素粉末の製造方法であって、 － ケイ素化合物の混合物を、別個に又は一緒に蒸発させ、その蒸気をキャリヤガスにより混合室に移送し、その際、 － 第一成分としてのＳｉＣｌ４は混合物に対して６０～１００質量％の割合であり、 － Ｈ３ＳｉＣｌ、Ｈ２ＳｉＣｌ２、ＨＳｉＣｌ３、ＣＨ３ＳｉＣｌ３、（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ２、（ＣＨ３）３ＳｉＣｌ、（ｎ－Ｃ３Ｈ７）ＳｉＣｌ３を含む群から選択される第二成分は混合物に対して０～４０質量％であり、 － 前記のものとは別個に、燃焼ガス、場合により酸素富化されかつ／又は予熱されていてよい一次空気を混合室に移送し、 － ケイ素化合物の蒸気、燃焼ガス及び一次空気よりなる混合物を燃焼器中で着火させ、そしてその火炎を反応室で燃焼に用い、 － その火炎を取り囲む二次空気を反応室に取り込み、その際、二次空気／一次空気の比率は０．０５～４であり、 － 引き続き固体を気体状物質から分離し、そして次いでその固体を水蒸気で処理し、その際、 － 酸素全量は、燃焼ガス及びケイ素化合物の完全な燃焼のために少なくとも十分であり、かつ － ケイ素化合物、燃焼ガス、一次空気及び二次空気からなる出発物質の量は、１３９０～１４５０℃の断熱火炎温度Ｔａｄが得られるように選択され、その際、 Ｔａｄは、出発物質温度＋部分反応の反応エンタルピーの合計／反応室から排出される、二酸化ケイ素、水、塩化水素、二酸化炭素、酸素、窒素及び場合によりキャリヤガス（これが空気又は窒素でない場合）を含む物質の熱容量であり、その際、前記物質の１０００℃での比熱を基礎とする ことを特徴とする方法。」 イ「【実施例】 【００２８】 ＢＥＴ表面積はＤＩＮ６６１３１に従って測定される。 ・・・ 【００３１】 実施例１：二酸化ケイ素粉末の製造 １８０ｋｇ／時間の四塩化ケイ素を蒸発させ、そして窒素を用いて燃焼器の混合室に移送する。同時に５８Ｎｍ３／時間の水素及び１９０Ｎｍ３／時間の一次空気を混合室に添加する。該混合物は９０℃の温度を有する。該混合物を着火させ、そしてその火炎を反応室で燃焼に用いる。燃焼器からの排出速度は３０．３ｍ／秒である。更にその火炎を取り囲む６０Ｎｍ３／時間の二次空気を反応室に取り込む。二次空気と一次空気との比率は０．３２である。 【００３２】 反応ガス及び生じた二酸化ケイ素を、低圧の印加により冷却装置を通して吸引し、そしてその際には１００～１６０℃の値にまで冷却される。フィルタ又はサイクロン中で固体を排ガス流と分離し、そして引き続き５６０℃の温度で水蒸気により処理する。 【００３３】 実施例２～９は同様に実施する。 【００３４】 第２表は、実施例１～９の出発物質と量を示すものである。 ・・・ 【００３６】 実施例１～５は、本発明による粉末を生ずる。実施例６～９は比較例である。 ・・・ 【００４３】 第４表は、製造された二酸化ケイ素粉末の分析データ並びに商慣習で得られる熱分解法により製造された二酸化ケイ素粉末（実施例１０）の分析データを示すものである。」 ウ「【００５０】 【表２】 ［図：0001420366000001.jpg］ ・・・ 【００５２】 【表４】 ［図：0001420366000002.jpg］ 」 （２）甲２の記載事項 甲２には、「熱分解法により製造された二酸化ケイ素粉末及びこの粉末を含有するシリコーンシーラント」（発明の名称）に関して、次の事項が記載されている。 ア「【請求項６】 請求項１から５までのいずれか１項記載の二酸化ケイ素粉末の製造方法であって、 － ケイ素化合物の混合物を、別個に又は一緒に蒸発させ、その蒸気をキャリヤガスにより混合室に移送し、その際、 － 第一成分としてのＳｉＣｌ４は混合物に対して６０～９５質量％の割合であり、 － Ｈ３ＳｉＣｌ、Ｈ２ＳｉＣｌ２、ＨＳｉＣｌ３、ＣＨ３ＳｉＣｌ３、（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ２、（ＣＨ３）３ＳｉＣｌ、（ｎ－Ｃ３Ｈ７）ＳｉＣｌ３を含む群から選択される第二成分は混合物に対して５～４０質量％であり、 － 前記のものとは別個に、燃焼ガス、場合により酸素富化されかつ／又は予熱されていてよい一次空気を混合室に移送し、 － 塩化ケイ素の蒸気、燃焼ガス及び一次空気よりなる混合物を燃焼器中で着火させ、そしてその火炎を反応室で燃焼に用い、 － その火炎を取り囲む二次空気を反応室に取り込み、その際、二次空気／一次空気の比率は０．０５～３、有利には０．１５～２であり、 － 引き続き固体を気体状物質から分離し、そして次いでその固体を２５０℃～７５０℃で水蒸気により処理し、その際、 － 酸素全量は、燃焼ガス及びケイ素化合物の完全な燃焼のために少なくとも十分であり、かつ － ケイ素化合物、燃焼ガス、一次空気及び二次空気からなる出発物質の量は、１６７０～１７３０℃の断熱火炎温度Ｔａｄが得られるように選択され、その際、 Ｔａｄは、出発物質温度＋部分反応の反応エンタルピーの合計／反応室から排出される、二酸化ケイ素、水、塩化水素、二酸化炭素、酸素、窒素及び場合によりキャリヤガス（これが空気又は窒素でない場合）を含む物質の熱容量であり、その際、前記物質の１０００℃での比熱を基礎とする ことを特徴とする方法。」 イ「【実施例】 【００３０】 ＢＥＴ表面積はＤＩＮ６６１３１に従って測定される。 ・・・ 【００３２】 二酸化ケイ素粉末の製造 実施例１： １００ｋｇ／時間の四塩化ケイ素及び５ｋｇ／時間のトリクロロシラン及び３５ｋｇ／時間のメチルトリクロロシランを蒸発させ、そして窒素を用いて燃焼器の混合室に移送する。同時に３５Ｎｍ３／時間の水素及び１５５Ｎｍ３／時間の一次空気を混合室に添加する。該混合物は９０℃の温度を有する。該混合物を着火させ、そしてその火炎を反応室で燃焼に用いる。更にその火炎を取り囲む２５Ｎｍ３／時間の二次空気を反応室に取り込む。 【００３３】 反応ガス及び生じた二酸化ケイ素を、低圧の印加により冷却装置を通して吸引し、そしてその際には１００～１６０℃の値にまで冷却される。フィルタ又はサイクロン中で固体を排ガス流と分離し、そして引き続き５５０℃の温度で水蒸気により処理する。 【００３４】 実施例２～１１は同様に実施する。 【００３５】 第２表は、実施例１～１１の出発物質と量を示すものである。第３表は、反応エンタルピー、熱容量及び断熱火炎温度についての計算値を示すものである。 【００３６】 第４表は、製造される二酸化ケイ素粉末の分析データ並びに商慣習で得られる熱分解法により製造された２種の二酸化ケイ素粉末（実施例１２及び１３）の分析データを示すものである。 【００３７】 実施例１～５は、本発明による粉末を生ずる。実施例５～１０は比較例である。」 ウ「【００６０】 【表２】 ［図：0001420366000003.jpg］ ・・・ 【００６２】 【表４】 ［図：0001420366000004.jpg］ 」 （３）甲３の記載事項 甲３には、「小規模製造工場で製造される発熱性ケイ酸」（発明の名称）に関して、次の事項が記載されている。 ア「【請求項１２】 反応器内の炎中でケイ素含有反応ガスを反応させることによりヒュームドシリカを製造する方法であって、前記反応ガス中の有機非ケイ素化合物の含量が５モル％未満であることを特徴とする方法。」 イ「【実施例】 【０１４９】 （実施例１） ガス混合物は、ガス速度５８ｍ／秒のノズルから燃焼チャンバの上端のノズルを介してバーナーチャンバに入り、前記燃焼チャンバの長さは４，６５０ｍｍであり、断面積は０．７１ｍ２であり、圧力は外気圧と同程度であり、ガス混合物の温度は１００℃～２００℃のであり、反応領域の長さは３，８７５ｍｍであり、ガス混合物が燃焼チャンバに導入される速度は２，０８５ｍ３（ＳＴＰ）／時間であり、ガス混合物（メチルトリクロロシラン０．０４９モル％、水素０．０１９モル％、酸素０．１７モル％、及び窒素０．７０モル％を含む）は、１，０００℃～２，０００℃で前記燃焼チャンバの入り口にて反応する。生成物を前記燃焼チャンバから吸引し、２００℃未満に冷却し、形成されたヒュームドシリカからメッシュフィルタを通して形成された塩化水素ガスを除去し、多段階吸収及び脱離プロセスにおいて乾燥塩化水素ガスを回収し、過剰の塩素ガスを還元させ、オフガスをクリーニングし、４００℃～８００℃の熱ガスを用いて流動床において残留塩化水素及び他の揮発性化合物を除去した後、以下のヒュームドシリカが得られる：ＢＥＴ比表面積が１５０ｍ ／ｇであり、１０ｋｇの紙袋に袋詰めした後のタップ密度が４３ｇ／Ｌであり、４重量％の水分散液のｐＨが４．２であり、４０μｍ超のＭｏｃｋｅｒ法による篩残分が０．００３重量％であり、シリコーンオイル中の増粘作用η／η０が３．５であり、０．３重量％、温度２５℃、ｐＨ１０で超音波分散させた後、１７３°の後方散乱角でＭａｌｖｅｒｎ Ｚｅｔａｓｉｚｅｒ Ｎａｎｏ ＺＳ（登録商標）を用いて測定したときの平均流体力学的球相当径が２２０ｎｍである。 【０１５０】 （実施例２） 予め混合されているガス混合物は、ガス速度７３ｍ／秒のノズルから燃焼チャンバの上端のノズルを介してバーナーチャンバに入り、前記燃焼チャンバは、その時点の外気圧に対して５０ｍｂａｒ未満のゲージ圧を有し、温度が１００℃～２００℃である前記ガス混合物は、１，０００℃～２，０００℃で燃焼チャンバ内にて反応し、前記燃焼チャンバ内の反応物質は、９０体積％超がメチルトリクロロシランであるシラン６体積％と、環境由来の空気８８体積％と（空気の９４体積％程度はノズルから供給され、６体積％程度は、燃焼チャンバの上端においてノズルの外側に存在する更なる供給装置から供給される）、燃焼ガス５体積％（燃焼ガスは、９０体積％超の水素ガスを含有する）とを含む。生成物を前記燃焼チャンバから吸引し、２００℃未満に冷却し、形成されたヒュームドシリカからメッシュフィルタを通して形成された塩化水素ガスを除去し、多段階吸収及び脱離プロセスにおいて乾燥塩化水素ガスを回収し、過剰の塩素ガスを還元させ、オフガスをクリーニングし、４００℃～８００℃の熱ガスを用いて流動床においてヒュームドシリカを精製した後、以下のヒュームドシリカが得られる：ＢＥＴ比表面積が１５０ｍ２／ｇであり、１０ｋｇの紙袋に袋詰めした後のタップ密度が４０ｇ／Ｌであり、４重量％の水分散液のｐＨが４．１であり、４０μｍ超のＭｏｃｋｅｒ法による篩残分が０．００５重量％であり、シリコーンオイル中の増粘作用η／η０が４．０であり、０．３重量％、温度２５℃、ｐＨ１０で超音波分散させた後、１７３°の後方散乱角でＭａｌｖｅｒｎ Ｚｅｔａｓｉｚｅｒ Ｎａｎｏ ＺＳ（登録商標）を用いて測定したときの平均流体力学的球相当径が２２０ｎｍである。 【０１５１】 （実施例３） ガス混合物は、投入速度１，６３０ｍ３（ＳＴＰ）／時間で、ガス速度３４ｍ／秒のノズルから燃焼チャンバの上端のノズルを介してバーナーチャンバに入り、前記ガス混合物は、メチルトリクロロシラン４．９モル％、水素５．８モル％、二酸化炭素１．９モル％、酸素１７モル％、及び窒素７０モル％をガスとして含み、前記燃焼チャンバの体積は１．７ｍ３であり、高さに対する体積の比は０．３８ｍ２であり、断面積は０．３８ｍ２であり、前記ガス混合物は、１，０００℃～２，０００℃で燃焼チャンバ内にて反応する。生成物を前記燃焼チャンバから吸引し、２００℃未満に冷却し、形成されたヒュームドシリカからメッシュフィルタを用いて形成された塩化水素ガスを除去し、多段階吸収及び脱離プロセスにおいて乾燥塩化水素ガスを回収し、過剰の塩素ガスを還元させ、オフガスをクリーニングし、４００℃～８００℃の熱ガスを用いて流動床においてヒュームドシリカを精製した後、以下のヒュームドシリカが２１７ｋｇ／時間（年間製造力８，８６４時間で１年間当たり１，９２０トンに相当）得られる：ＢＥＴ比表面積が１５０ｍ２／ｇであり、１０ｋｇの紙袋に袋詰めした後のタップ密度が４０ｇ／Ｌであり、４重量％の水分散液のｐＨが４．１であり、４０μｍ超のＭｏｃｋｅｒ法による篩残分が０．００５重量％であり、シリコーンオイル中の増粘作用η／η０が６．５であり、未架橋不飽和ポリエステル樹脂中の増粘作用η／η０が４．５であり、０．３重量％、温度２５℃、ｐＨ１０で超音波分散させた後、１７３°の後方散乱角でＭａｌｖｅｒｎ Ｚｅｔａｓｉｚｅｒ Ｎａｎｏ ＺＳ（登録商標）を用いて測定したときの平均流体力学的球相当径が２２０ｎｍである。 【０１５２】 （実施例４） ガス混合物は、投入速度１，６３０ｍ３（ＳＴＰ）／時間で、ガス速度３４ｍ／秒のノズルから燃焼チャンバの上端のノズルを介してバーナーチャンバに入り、前記ガス混合物は、メチルトリクロロシラン４．９モル％、水素５．８モル％、酸素１７モル％、及び窒素７１．９モル％をガスとして含み、前記燃焼チャンバの体積は１．７ｍ３であり、高さに対する体積の比は０．３８ｍ２であり、断面積は０．３８ｍ２であり、前記ガス混合物は、１，０００℃～２，０００℃で燃焼チャンバ内にて反応する。生成物を前記燃焼チャンバから吸引し、２００℃未満に冷却し、形成されたヒュームドシリカからメッシュフィルタを用いて形成された塩化水素ガスを除去し、多段階吸収及び脱離プロセスにおいて乾燥塩化水素ガスを回収し、過剰の塩素ガスを還元させ、オフガスをクリーニングし、４００℃～８００℃の熱ガスを用いて流動床においてヒュームドシリカを精製した後、以下のヒュームドシリカが２１７ｋｇ／時間（年間製造力８，８６４時間で１年間当たり１，９２０トンに相当）得られる：ＢＥＴ比表面積が１５０ｍ２／ｇであり、１０ｋｇの紙袋に袋詰めした後のタップ密度が４０ｇ／Ｌであり、４重量％の水分散液のｐＨが４．１であり、４０μｍ超のＭｏｃｋｅｒ法による篩残分が０．００５重量％であり、シリコーンオイル中の増粘作用η／η０が６．５であり、未架橋不飽和ポリエステル樹脂中の増粘作用η／η０が４．５であり、０．３重量％、温度２５℃、ｐＨ１０で超音波分散させた後、１７３°の後方散乱角でＭａｌｖｅｒｎ Ｚｅｔａｓｉｚｅｒ Ｎａｎｏ ＺＳ（登録商標）を用いて測定したときの平均流体力学的球相当径が２２０ｎｍである。 【０１５３】 （実施例５） ガス混合物は、投入速度１，４０５ｍ３（ＳＴＰ）／時間で、ガス速度３４ｍ／秒のノズルから燃焼チャンバの上端のノズルを介してバーナーチャンバに入り、前記ガス混合物は、四塩化ケイ素４．３モル％、水素１２モル％、二酸化炭素４モル％、酸素１６モル％、及び窒素６４モル％をガスとして含み、前記燃焼チャンバの体積は１．７ｍ３、高さに対する体積の比は０．３８ｍ２、断面積は０．３８ｍ２であり、１，０００℃～２，０００℃で燃焼チャンバ内にて反応する。生成物を前記燃焼チャンバから吸引し、２００℃未満に冷却し、形成されたヒュームドシリカからメッシュフィルタを用いて形成された塩化水素ガスを除去し、多段階吸収及び脱離プロセスにおいて乾燥塩化水素ガスを回収し、過剰の塩素ガスを還元させ、オフガスをクリーニングし、４００℃～８００℃の熱ガスを用いて流動床においてヒュームドシリカを精製した後、以下のヒュームドシリカが１６１ｋｇ／時間（年間製造力８，８６４時間で１年間当たり１，４２０トンに相当）得られる：ＢＥＴ比表面積が１５０ｍ２／ｇであり、１０ｋｇの紙袋に袋詰めした後のタップ密度が４０ｇ／Ｌであり、４重量％の水分散液のｐＨが４．１であり、４０μｍ超のＭｏｃｋｅｒ法による篩残分が０．００５重量％であり、シリコーンオイル中の増粘作用η／η０が６．５であり、未架橋不飽和ポリエステル樹脂中の増粘作用η／η０が４．５であり、０．３重量％、温度２５℃、ｐＨ１０で超音波分散させた後、１７３°の後方散乱角でＭａｌｖｅｒｎ Ｚｅｔａｓｉｚｅｒ Ｎａｎｏ ＺＳ（登録商標）を用いて測定したときの平均流体力学的球相当径が２２０ｎｍである。 【０１５４】 （実施例６） ガス混合物は、投入速度１，４０５ｍ３（ＳＴＰ）／時間で、ガス速度３４ｍ／秒のノズルから燃焼チャンバの上端のノズルを介してバーナーチャンバに入り、前記ガス混合物は、四塩化ケイ素４．３モル％、水素１２モル％、酸素１６モル％、及び窒素６８モル％をガスとして含み、前記燃焼チャンバの体積は１．７ｍ３であり、高さに対する体積の比は０．３８ｍ２であり、断面積は０．３８ｍ２であり、前記ガス混合物は、１，０００℃～２，０００℃で燃焼チャンバ内にて反応する。生成物を前記燃焼チャンバから吸引し、２００℃未満に冷却し、形成されたヒュームドシリカからメッシュフィルタを用いて形成された塩化水素ガスを除去し、多段階吸収及び脱離プロセスにおいて乾燥塩化水素ガスを回収し、過剰の塩素ガスを還元させ、オフガスをクリーニングし、４００℃～８００℃の熱ガスを用いて流動床においてヒュームドシリカを精製した後、以下のヒュームドシリカが１６１ｋｇ／時間（年間製造力８，８６４時間で１年間当たり１，４２０トンに相当）得られる：ＢＥＴ比表面積が１５０ｍ２／ｇであり、１０ｋｇの紙袋に袋詰めした後のタップ密度が４０ｇ／Ｌであり、４重量％の水分散液のｐＨが４．１であり、４０μｍ超のＭｏｃｋｅｒ法による篩残分が０．００５重量％であり、シリコーンオイル中の増粘作用η／η０が６．５であり、未架橋不飽和ポリエステル樹脂中の増粘作用η／η０が４．５であり、０．３重量％、温度２５℃、ｐＨ１０で超音波分散させた後、１７３°の後方散乱角でＭａｌｖｅｒｎ Ｚｅｔａｓｉｚｅｒ Ｎａｎｏ ＺＳ（登録商標）を用いて測定したときの平均流体力学的球相当径が２２０ｎｍである。 【０１５５】 （実施例７） ガス混合物は、投入速度２，６００ｍ３（ＳＴＰ）／時間で、ガス速度５４ｍ／秒のノズルから燃焼チャンバの上端のノズルを介してバーナーチャンバに入り、前記ガス混合物は、メチルトリクロロシラン４．６モル％、水素７．６モル％、二酸化炭素２．５モル％、酸素１７モル％、及び窒素６８モル％をガスとして含み、前記燃焼チャンバの体積は３．３ｍ３であり、高さに対する体積の比は０．７１ｍ２であり、断面積は０．７１ｍ２であり、前記ガス混合物は、１，０００℃～２，０００℃で燃焼チャンバ内にて反応する。生成物を前記燃焼チャンバから吸引し、２００℃未満に冷却し、形成されたヒュームドシリカからメッシュフィルタを用いて形成された塩化水素ガスを除去し、多段階吸収及び脱離プロセスにおいて乾燥塩化水素ガスを回収し、過剰の塩素ガスを還元させ、オフガスをクリーニングし、４００℃～８００℃の熱ガスを用いて流動床においてヒュームドシリカを精製した後、以下のヒュームドシリカが３２１ｋｇ／時間（年間製造力８，８６４時間で１年間当たり２，８５０トンに相当）得られる：ＢＥＴ比表面積が２００ｍ２／ｇであり、１０ｋｇの紙袋に袋詰めした後のタップ密度が４０ｇ／Ｌであり、４重量％の水分散液のｐＨが４．０であり、４０μｍ超のＭｏｃｋｅｒ法による篩残分が０．００５重量％であり、シリコーンオイル中の増粘作用η／η０が７．５であり、未架橋不飽和ポリエステル樹脂中の増粘作用η／η０が６．７であり、０．３重量％、温度２５℃、ｐＨ１０で超音波分散させた後、１７３°の後方散乱角でＭａｌｖｅｒｎ Ｚｅｔａｓｉｚｅｒ Ｎａｎｏ ＺＳ（登録商標）を用いて測定したときの平均流体力学的球相当径が２００ｎｍである。 【０１５６】 （実施例８） ガス混合物は、投入速度２，６００ｍ３（ＳＴＰ）／時間で、ガス速度５４ｍ／秒のノズルから燃焼チャンバの上端のノズルを介してバーナーチャンバに入り、前記ガス混合物は、メチルトリクロロシラン４．６モル％、水素７．６モル％、酸素１７モル％、及び窒素７０．５モル％をガスとして含み、前記燃焼チャンバの体積は３．３ｍ３であり、高さに対する体積の比は０．７１ｍ２であり、断面積は０．７１ｍ２であり、前記ガス混合物は、１，０００℃～２，０００℃で燃焼チャンバ内にて反応する。生成物を前記燃焼チャンバから吸引し、２００℃未満に冷却し、形成されたヒュームドシリカからメッシュフィルタを用いて形成された塩化水素ガスを除去し、多段階吸収及び脱離プロセスにおいて乾燥塩化水素ガスを回収し、過剰の塩素ガスを還元させ、オフガスをクリーニングし、４００℃～８００℃の熱ガスを用いて流動床においてヒュームドシリカを精製した後、以下のヒュームドシリカが３２１ｋｇ／時間（年間製造力８，８６４時間で１年間当たり２，８５０トンに相当）得られる：ＢＥＴ比表面積が２００ｍ２／ｇであり、１０ｋｇの紙袋に袋詰めした後のタップ密度が４０ｇ／Ｌであり、４重量％の水分散液のｐＨが４．０であり、４０μｍ超のＭｏｃｋｅｒ法による篩残分が０．００５重量％であり、シリコーンオイル中の増粘作用η／η０が７．５であり、未架橋不飽和ポリエステル樹脂中の増粘作用η／η０が６．７であり、０．３重量％、温度２５℃、ｐＨ１０で超音波分散させた後、１７３°の後方散乱角でＭａｌｖｅｒｎ Ｚｅｔａｓｉｚｅｒ Ｎａｎｏ ＺＳ（登録商標）を用いて測定したときの平均流体力学的球相当径が２００ｎｍである。 【０１５７】 （実施例９） ガス混合物は、投入速度３，３００ｍ３（ＳＴＰ）／時間で、ガス速度６３ｍ／秒のノズルから燃焼チャンバの上端のノズルを介してバーナーチャンバに入り、前記ガス混合物は、四塩化ケイ素１４モル％、メチルトリクロロシラン０．１モル％、水素６．４モル％、二酸化炭素２．１モル％、酸素１７モル％、窒素６９モル％、及びハイドロジェンメチルジクロロシラン７．２モル％、三塩化シラン１．３モル％、テトラメチルシラン２モル％、トリメチルクロロシラン１．４モル％、及びアルカン（プロパンとブタンとペンタン、プロペンとブテンとペンテン、及びクロロプロパンとクロロブタンとクロロペンタンとの混合物）１．１モル％をガスとして含み、前記燃焼チャンバの体積は３．３ｍ３であり、高さに対する体積の比は０．７１ｍ２であり、断面積は０．７１ｍ２であり、前記ガス混合物は、１，０００℃～２，０００℃で燃焼チャンバ内にて反応する。生成物を前記燃焼チャンバから吸引し、２００℃未満に冷却し、形成されたヒュームドシリカからメッシュフィルタを用いて形成された塩化水素ガスを除去し、多段階吸収及び脱離プロセスにおいて乾燥塩化水素ガスを回収し、過剰の塩素ガスを還元させ、オフガスをクリーニングし、４００℃～８００℃の熱ガスを用いて流動床においてヒュームドシリカを精製した後、以下のヒュームドシリカが３２３ｋｇ／時間（年間製造力８，８６４時間で１年間当たり２，８６０トンに相当）得られる：ＢＥＴ比表面積が２００ｍ２／ｇであり、１０ｋｇの紙袋に袋詰めした後のタップ密度が４０ｇ／Ｌであり、４重量％の水分散液のｐＨが４．０であり、４０μｍ超のＭｏｃｋｅｒ法による篩残分が０．００５重量％であり、シリコーンオイル中の増粘作用η／η０が７．５であり、未架橋不飽和ポリエステル樹脂中の増粘作用η／η０が６．７であり、０．３重量％、温度２５℃、ｐＨ１０で超音波分散させた後、１７３°の後方散乱角でＭａｌｖｅｒｎ Ｚｅｔａｓｉｚｅｒ Ｎａｎｏ ＺＳ（登録商標）を用いて測定したときの平均流体力学的球相当径が２００ｎｍである。 【０１５８】 （実施例１０） ガス混合物は、投入速度２，４５０ｍ３（ＳＴＰ）／時間で、ガス速度５１ｍ／秒のノズルから燃焼チャンバの上端のノズルを介してバーナーチャンバに入り、前記ガス混合物は、四塩化ケイ素０モル％、メチルトリクロロシラン５．２モル％、水素６．２モル％、二酸化炭素２．１モル％、酸素１７モル％、窒素６９モル％、ハイドロジェンメチルジクロロシラン０モル％、三塩化シラン０モル％、テトラメチルシラン０モル％、トリメチルクロロシラン０モル％、及びアルカン（プロパンとブタンとペンタン、プロペンとブテンとペンテン、及びクロロプロパンとクロロブタンとクロロペンタンとの混合物）０モル％をガスとして含み、前記燃焼チャンバの体積は３．３ｍ３であり、高さに対する体積の比は０．７１ｍ２であり、断面積は０．７１ｍ２であり、前記ガス混合物は、１，０００℃～２，０００℃で燃焼チャンバ内にて反応する。生成物を前記燃焼チャンバから吸引し、２００℃未満に冷却し、形成されたヒュームドシリカからメッシュフィルタを用いて形成された塩化水素ガスを除去し、多段階吸収及び脱離プロセスにおいて乾燥塩化水素ガスを回収し、過剰の塩素ガスを還元させ、オフガスをクリーニングし、４００℃～８００℃の熱ガスを用いて流動床においてヒュームドシリカを精製した後、以下のヒュームドシリカが３４１ｋｇ／時間（年間製造力８，８６４時間で１年間当たり３，０２０トンに相当）得られる：ＢＥＴ比表面積が１５０ｍ２／ｇであり、１０ｋｇの紙袋に袋詰めした後のタップ密度が４０ｇ／Ｌであり、４重量％の水分散液のｐＨが４．１であり、４０μｍ超のＭｏｃｋｅｒ法による篩残分が０．００５重量％であり、シリコーンオイル中の増粘作用η／η０が５．５であり、未架橋不飽和ポリエステル樹脂中の増粘作用η／η０が４．５であり、０．３重量％、温度２５℃、ｐＨ１０で超音波分散させた後、１７３°の後方散乱角でＭａｌｖｅｒｎ Ｚｅｔａｓｉｚｅｒ Ｎａｎｏ ＺＳ（登録商標）を用いて測定したときの平均流体力学的球相当径が２２０ｎｍである。 【０１５９】 （実施例１１） ガス混合物は、投入速度２，６９０ｍ３（ＳＴＰ）／時間で、ガス速度５６ｍ／秒のノズルから燃焼チャンバの上端のノズルを介してバーナーチャンバに入り、前記ガス混合物は、四塩化ケイ素１．６モル％、メチルトリクロロシラン０．１モル％、水素５．７モル％、二酸化炭素１．９モル％、酸素１７モル％、窒素６９モル％、ハイドロジェンメチルジクロロシラン０．８モル％、三塩化シラン０．１５モル％、テトラメチルシラン０．２４モル％、トリメチルクロロシラン１．６モル％、及びアルカン（プロパンとブタンとペンタン、プロペンとブテンとペンテン、及びクロロプロパンとクロロブタンとクロロペンタンとの混合物）１．３モル％をガスとして含み、前記燃焼チャンバの体積は３．３ｍ３であり、高さに対する体積の比は０．７１ｍ２であり、断面積は０．７１ｍ２であり、前記ガス混合物は、１，０００℃～２，０００℃で燃焼チャンバ内にて反応する。生成物を前記燃焼チャンバから吸引し、２００℃未満に冷却し、形成されたヒュームドシリカからメッシュフィルタを用いて形成された塩化水素ガスを除去し、多段階吸収及び脱離プロセスにおいて乾燥塩化水素ガスを回収し、過剰の塩素ガスを還元させ、オフガスをクリーニングし、４００℃～８００℃の熱ガスを用いて流動床においてヒュームドシリカを精製した後、以下のヒュームドシリカが３４３ｋｇ／時間（年間製造力８，８６４時間で１年間当たり３，０４０トンに相当）得られる：ＢＥＴ比表面積が１５０ｍ２／ｇであり、１０ｋｇの紙袋に袋詰めした後のタップ密度が４０ｇ／Ｌであり、４重量％の水分散液のｐＨが４．１であり、４０μｍ超のＭｏｃｋｅｒ法による篩残分が０．００５重量％であり、シリコーンオイル中の増粘作用η／η０が５．５であり、未架橋不飽和ポリエステル樹脂中の増粘作用η／η０が４．５であり、０．３重量％、温度２５℃、ｐＨ１０で超音波分散させた後、１７３°の後方散乱角でＭａｌｖｅｒｎ Ｚｅｔａｓｉｚｅｒ Ｎａｎｏ ＺＳ（登録商標）を用いて測定したときの平均流体力学的球相当径が２２０ｎｍである。 ・・・ 【０１６５】 試験方法： ＢＥＴ比表面積：ＤＩＮ ９２７７／６６１３２ ・・・」 （４）甲４の記載事項 甲４には、次の事項が記載されている。 「 （１０）既存の製造プロセスが最適化された本願発明の利点を実証することは極めて容易です。 ・ＵＳ２００６／１５５０４２ＡＡ［２］の実施例１では、１５２ｍ２／ｇの表面積を有するシリカが、ＳＴＣ（ＳｉＣｌ４）１００ｋｇ／ｈ、ＴＣＳ（ＳｉＨＣｌ３）５ｋｇ／ｈおよびＭＴＣＳ（ＳｉＣＨ３Ｃｌ３）３５ｋｇ／ｈ）から得られます。所定のシラン混合物のＣ／Ｓｉ比は０．２７２であり、これはＢＥＴが１５２ｍ２／ｇのシリカについて本願で規定する範囲から外れるものです（Ｃ／Ｓｉ比は０．０６６～０．２３０でなければなりません）。この比を本願の請求項の範囲内にするには、ＭＴＣＳ（炭素質シラン）の量を減らさなければなりません。請求項の範囲の中央にある最適なＣ／Ｓｉ値（０．１４８）は、ＭＴＣＳ量を３５から１６．３ｋｇ／ｈに減らすことによって達成されます。調整されたシラン混合物（ＳＴＣ１００ｋｇ／ｈ；ＴＣＳ５ｋｇ／ｈ；ＭＴＣＳ１６．３ｋｇ／ｈ）および３５Ｎｍ３／ｈの指定された燃料ガス（Ｈ２）のＨ／Ｃｌ比は１．２５０であり、これもＢＥＴが１５２ｍ２／ｇのシリカについて本願で指定する範囲から外れるものです（Ｈ／Ｃｌ比は０．７０３～１．２０３でなければなりません）。請求項の範囲の中央にある最適なＨ／Ｃｌ値（０．９５３）は、Ｈ２の体積を３５から２５．７Ｎｍ３／ｈに減らすことで達成されます。調整されたシランと水素の混合物は、与えられた量の一次空気（ＰＬ＝１５５Ｎｍ３／ｇ）と二次空気（ＳＬ＝２５Ｎｍ３／ｈ）を用いると、３９８℃の低い断熱火炎温度を示します。［２］の計算に従ってＢＥＴが１５２ｍ２／ｇのシリカを得るのに必要な１７０６℃まで火炎温度を上げるには（同時に、前調整においてＣ／Ｓｉ比およびＨ／Ｃｌ比を変動させない）、空気量を約６６Ｎｍ３／ｈ減らす必要があります。［２］に示されるＳＬ／ＰＬ比（０．１６）を維持するということは、ＰＬを１５５から９８．２Ｎｍ３／ｈに、ＳＬを２５から１５．８Ｎｍ３／ｈに減らす必要があることを意味します。 以下の表は、ＵＳ２００６／１５５０４２ＡＡ［２］の実施例１に記載されたプロセスと、本発明によるその最適化されたバージョンを示します。 【表３】 ［図：0001420366000005.jpg］ 」 （第７頁第１６行～第８頁） （５）甲５の記載事項 甲５には、次の事項が記載されている。 「 文献または経験に基づいて、燃焼プロセスにおける、目的とする比表面積を有するヒュームドシリカをもたらす断熱火炎温度が決定され、 Ｃ／ＳｉおよびＨ／Ｃｌ比が請求項の目的とする比表面積の範囲となるように、原料（Ｓｉ含有ガスおよび場合によっては燃焼ガス）が選択され、 選択された原料の量／比が、断熱火炎温度を算出するためのソフトウェアに入力され、 さらに、すべてのＳｉ含有ガスおよび燃焼ガスを燃焼させるために必要な酸素含有ガス（主に空気）の量がソフトウェアに入力され、 設定された混合物について上記で決定された断熱火炎温度をソフトウェアが算出するまで、酸素含有ガス（主に空気）の量を変化させ（通常、増加させ）、 その混合物は、目的とする比表面積を有するヒュームドシリカの製造に用いられ得る。」（第３頁第１０～１９行） ３ 当審の判断 （１）申立理由１（甲１を主たる証拠とした新規性欠如）について ア 甲１に記載された発明（甲１発明） 甲１には、上記２（１）アによれば、「二酸化ケイ素粉末の製造方法」に関して、同イの実施例１として、「１８０ｋｇ／時間の四塩化ケイ素を蒸発させ」、「燃焼器の混合室に移送する」と「同時に５８Ｎｍ３／時間の水素及び１９０Ｎｍ３／時間の一次空気を混合室に添加」し、「該混合物を着火させ、そしてその火炎を反応室で燃焼に用い」、「生じた二酸化ケイ素を」「排ガス流と分離」することが記載されている。 また、甲１には、上記２（１）イの【００２８】、及び同ウの表４によれば、実施例１で得られた二酸化ケイ素粉末の「ＢＥＴ表面積」が「２９８ｍ２／ｇ」であり、「ＤＩＮ６６１３１に従って測定され」たことが記載されている。 以上の記載事項を、実施例１に注目して整理すると、甲１には、次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。 「１８０ｋｇ／時間の四塩化ケイ素を蒸発させ、燃焼器の混合室に移送すると同時に、５８Ｎｍ３／時間の水素及び１９０Ｎｍ３／時間の一次空気を混合室に添加し、該混合物を着火させ、そしてその火炎を反応室で燃焼に用い、生じた二酸化ケイ素を排ガス流と分離する、ＤＩＮ６６１３１に従って測定されたＢＥＴ表面積が２９８ｍ２／ｇである、二酸化ケイ素粉末の製造方法。」 イ 本件発明１について （ア）本件発明１と甲１発明との対比 ａ 甲１発明の「二酸化ケイ素粉末の製造方法」は、その「粉末」が上記２（１）ウの表４より「微粉」であるから、の本件発明１の「微粉化二酸化ケイ素の製造方法」に相当する。 ｂ 甲１発明の「四塩化ケイ素」は、本件発明１の「炭素を含有しない少なくとも１つのケイ素化合物」「をＳｉ源として使用」することに相当する。 ｃ 甲１発明の「水素」、「一次空気」は、それぞれ本件発明１の「燃料ガス」、「酸素含有源」に相当する。 ｄ 上記ａ～ｃの対応関係を踏まえると、甲１発明の「１８０ｋｇ／時間の四塩化ケイ素を蒸発させ、燃焼器の混合室に移送すると同時に、５８Ｎｍ３／時間の水素及び１９０Ｎｍ３／時間の一次空気を混合室に添加し、該混合物を着火させ、そしてその火炎を反応室で燃焼に用い、生じた二酸化ケイ素を排ガス流と分離する」ことは、本件発明１の「燃料ガスを供給し、－酸素含有源を供給し、－前記ケイ素化合物と、前記燃料ガスと、前記酸素含有源とを含有するこの混合物」「を主流として反応空間中へ導入し、強熱し、それを反応させ、ならびに－得られた固体を単離すること」に相当する。 ｅ したがって、本件発明１と甲１発明とは、 「 微粉化二酸化ケイ素の製造方法であって、 －炭素を含有しない少なくとも１つのケイ素化合物をＳｉ源として使用し、 －燃料ガスを供給し、 －酸素含有源を供給し、 －前記ケイ素化合物と、前記燃料ガスと、前記酸素含有源とを含有するこの混合物を主流として反応空間中へ導入し、強熱し、それを反応させ、ならびに －得られた固体を単離すること、 を含んでなる、方法。」の点で一致し、以下の点で相違している。 ＜相違点１－１＞ Ｓｉ源が、本件発明１では、「炭素を含有する少なくとも１つのケイ素化合物と、炭素を含有しない少なくとも１つのケイ素化合物との少なくとも２つのケイ素化合物の混合物」であるのに対して、甲１発明では、「四塩化ケイ素」（炭素を含有しない少なくとも１つのケイ素化合物）のみである点。 ＜相違点１－２＞ 「前記ケイ素化合物と、前記燃料ガスと、前記酸素含有源とを含有するこの混合物」について、本件発明１では、「Ｃ／Ｓｉモル比が、１０／ＢＥＴ～３５／ＢＥＴであり、および」「モルＨ／Ｃｌ比が、０．４５＋（ＢＥＴ／６００）～０．９５＋（ＢＥＴ／６００）であり」、「ＢＥＴは、ＢＥＴ法（ＤＩＮ ＩＳＯ９２７７ に準拠）によって測定した」ものであるのに対して、甲１発明では、そのような特定がない点。 （イ）相違点の検討 ａ 甲１発明は、Ｓｉ源が「四塩化ケイ素」のみであり、「炭素を含有する少なくとも１つのケイ素化合物」を含まないから、相違点１－１は実質的なものである。 そして、甲１発明は、「炭素を含有する少なくとも１つのケイ素化合物」を含まないから、甲１発明におけるＣ／Ｓｉモル比は０であり、「１０／ＢＥＴ～３５／ＢＥＴ」を満たさないことが明らかであるため、Ｈ／Ｃｌ比について検討するまでもなく、相違点１－２も実質的なものである。 ｂ ここで、甲１の上記２（１）イの【００３３】には、実施例２～９を実施例１と同様に実施することが記載されているので、実施例１以外の実施例を基に甲１発明を認定する場合について、念のため検討する。 （ａ）上記２（１）ウの表２、４によれば、実施例２には、１６０ｋｇ／時間の四塩化ケイ素、２０ｋｇ／時間のメチルトリクロロシラン、５３Ｎｍ３／時間の水素、及び２１５Ｎｍ３／時間の一次空気を用いて、ＢＥＴ表面積が２９８ｍ２／ｇの二酸化ケイ素粉末を製造したことが記載されているので、この記載に基づき、上記甲１発明の「１８０ｋｇ／時間の四塩化ケイ素」を、「１６０ｋｇ／時間の四塩化ケイ素、及び２０ｋｇ／時間のメチルトリクロロシラン」とし、「水素」、「一次空気」の流量及び「ＢＥＴ表面積」の値を、上記実施例２の値とした発明を認定することができる。 （ｂ）そうすると、実施例２の四塩化ケイ素及びメチルトリクロロシランの流量の値から、それぞれの分子量（四塩化ケイ素：１６９．９ｇ／ｍｏｌ、メチルトリクロロシラン：１４９．５ｇ／ｍｏｌ）を用いて、Ｃ／Ｓｉモル比＝０．１２４（計算式：２０／１４９．５／（２０／１４９．５＋１６０／１６９．９））と算出され、実施例２のＢＥＴ比表面積の値（３０２ｍ２／ｇ）から、１０／ＢＥＴ＝０．０３３、３５／ＢＥＴ＝０．１１６と算出されるが、当該Ｃ／Ｓｉモル比＝０．１２４は、０．０３３～０．１１６の範囲外であるから、１０／ＢＥＴ～３５／ＢＥＴを満たさない。なお、甲１のＢＥＴは、ＤＩＮ６６１３１によって測定されたものであるが、本件発明１のＤＩＮ ＩＳＯ９２７７によって測定した値と著しい差異はないとの申立人の前提を採用している。 よって、実施例２を基に甲１発明を認定したとしても、Ｈ／Ｃｌ比について検討するまでもなく、上記相違点１－２で少なくとも相違し、この相違点は実質的なものである。 （ｃ）そして、上記（ａ）と同様に、実施例３～５を基に甲１発明を認定することもでき、上記（ｂ）と同様にＣ／Ｓｉモル比、１０／ＢＥＴ及び３５／ＢＥＴを算出すると、以下のとおりであり、いずれのＣ／Ｓｉモル比も、１０／ＢＥＴ～３５／ＢＥＴを満たさない。 実施例３：Ｃ／Ｓｉモル比＝０．２８２、１０／ＢＥＴ＝０．０３２、３５／ＢＥＴ＝０．１１３ 実施例４：Ｃ／Ｓｉモル比＝０．３９１、１０／ＢＥＴ＝０．０３３、３５／ＢＥＴ＝０．１１４ 実施例５：Ｃ／Ｓｉモル比＝０、１０／ＢＥＴ＝０．０３４、３５／ＢＥＴ＝０．１１９ よって、実施例３～５のいずれを基に甲１発明を認定したとしても、Ｈ／Ｃｌ比について検討するまでもなく、上記相違点１－２で少なくとも相違し、この相違点１－２は実質的なものである。 （ｄ）また、上記２（１）イの【００３６】及び同ウの表２、４によれば、実施例６～９は比較例に相当するものであるが、実施例６～９のＢＥＴ表面積は記載されておらず、１０／ＢＥＴ及び３５／ＢＥＴを算出不可能であるため、実施例６～９を基に甲１発明を認定して検討するに及ばない。 ｃ 次に、申立理由ではないが、甲１発明において、相違点１－１、及び相違点１－２に係る本件発明１の特定事項とすることの容易想到性について念のため検討する。 本件発明は、本件特許明細書の【００３０】に「本発明の方法は、特許請求の範囲に記載のＣ／ＳｉおよびＨ／Ｃｌ比によって特徴付けられるケイ素化合物の特定の組成物が本方法で使用される場合、本方法は、破壊およびフラッシュバックなしで実行されるだけでなく、低グリット画分（ｌｏｗ ｇｒｉｔ ｆｒａｃｔｉｏｎ）または粗材料画分を有する微粉化二酸化ケイ素を生成するため、したがって高品質であるという利点に注目する。同時に、この方法は優れた時空収率を示すことで、本方法が経済的に適切であることを意味する。」と記載され、それらが実施例（【表２】参照）と比較例（【表１】参照）を対照することで裏付けられているように、Ｃ／Ｓｉモル比を１０／ＢＥＴ～３５／ＢＥＴ、及び、モルＨ／Ｃｌ比を０．４５＋（ＢＥＴ／６００）～０．９５＋（ＢＥＴ／６００）とすることに格別な技術的意義のあるものである。 それに対し、上記甲１～３には、このような技術的思想については開示されておらず、そして、甲１には、「１０／ＢＥＴ～３５／ＢＥＴ」を満たすように、「Ｃ／Ｓｉモル比」を変化させることは記載も示唆もされていないし、また、甲３の記載を見ても、記載も示唆もされていない。 したがって、甲１発明に基いて、あるいは、甲１発明及び甲３に記載された事項に基いて、相違点１－１、及び相違点１－２に係る本件発明１の特定事項を満たすようにすることは、当業者にとって容易に想到し得たことといえない。 （ウ）申立人の主張について ａ 申立人の主張の概要 申立人は、特許異議申立書において、概略、以下のとおり主張している。 （ａ）甲１の実施例１において、第二成分としてのＣＨ３ＳｉＣｌ３を、混合物に対して５質量％とする条件に修正する場合を考える。この条件は、甲１の【００１８】に記載の有利な条件である。 このとき、第一成分としてのＳｉＣｌ４は９５質量％となり、前記実施例１で用いる１８０ｋｇ／ｈのＳｉＣｌ４は、１８０ｋｇ／ｈ×９５％／１００％＝１７１ｋｇ／ｈとなる。また、第二成分としてのＣＨ３ＳｉＣｌ３は、混合物に対して５質量％であるため、１８０ｋｇ／ｈ×５％／１００％＝９ｋｇ／ｈとなる。これらの値から、それぞれの分子量を用いて、Ｃ／Ｓｉモル比を求めると、０．０５９となる。 そして、実施例１の二酸化ケイ素粉末のＢＥＴ比表面積が２９８ｍ２／ｇであるから、１０／ＢＥＴ＝０．０３、及び３５／ＢＥＴ＝０．１２となり、上記Ｃ／Ｓｉモル比である０．０５９は、１０／ＢＥＴ～３５／ＢＥＴであるという本件発明１の要件を充足する（特許異議申立書第１５頁第１１行～第１６頁第１１行）。 （ｂ）混合物である原料シランにおいて、成分の混合比率を変化させた場合、所望の比表面積を得るためには、他の製造条件を変化させることが必要となる。 しかし、甲５にも記載されている通り、文献または経験に基づいて、燃焼プロセスにおける目的とする比表面積を有するヒュームドシリカをもたらす断熱火炎温度が決定され、任意の混合比率に対しＣ／Ｓｉ及びＨ／Ｃｌ比を変えることなく、本件発明１の目的とする比表面積の範囲となるように、原料（Ｓｉ含有ガス及び燃焼ガス）の量／比が、断熱火炎温度を算出するためのソフトウェアに入力され、さらに、すべてのＳｉ含有ガス及び燃焼ガスを燃焼されるために必要な酸素含有ガス（主に空気）の量がソフトウェアに入力され、設定された混合物について上記で決定された断熱火炎温度をソフトウェアが算出するまで、酸素含有ガス（主に空気）の量を変化させることで、その混合物の混合比率で目的とする比表面積を有するヒュームドシリカの製造を行うことができる。かかる製造は、当業者であれば容易に行うことができる（特許異議申立書第１６頁第１２行～第１７頁第７行）。 （ｃ）甲３の【００８２】には、「４０μｍ超のＭｏｃｋｅｒ法による篩残分が０重量％～０．０１重量％であ」ることが記載されている。 本件特許明細書の【００３０】には、「本方法は、破壊およびフラッシュバックなしで実行されるだけでなく、低グリット画分（ｌｏｗ ｇｒｉｔ ｆｒａｃｔｉｏｎ）または粗材料画分を有する微粉化二酸化ケイ素を生成する」こと、同【００３７】には、「粗粒子含有量（グリットまたは粗分画とも呼ばれる）は、粗粒子の画分を分離および測定するために、メッシュサイズ４０μｍのふるいを用いて、ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ７８７－１８法に従って測定した」こと、同【００５７】には、「単離および脱酸の後、１５０ｍ２／ｇのＢＥＴ表面積を有する生成物を得た。比較例Ｖ１とは対照的に、燃焼は乱されず、低粗粒子画分を有する微粉末（グリット含量０．００８％）が生成された」ことが記載されている。 このように、甲３の【００８２】に記載の篩残分の重量％は、本件発明１によって得られる微粉化二酸化ケイ素のグリット含有量（篩残分）と同様の数値となっている。 そのため、甲１に甲３を組み合わせることによって、本件特許明細書の【００３０】に記載の「本方法は、破壊およびフラッシュバックなしで実行されるだけでなく、低グリット画分（ｌｏｗ ｇｒｉｔ ｆｒａｃｔｉｏｎ）または粗材料画分を有する微粉化二酸化ケイ素を生成するため、したがって高品質であるという利点に注目する。同時に、この方法は優れた時空収率を示すことで、本方法が経済的に適切であることを意味する」との効果が奏されることを、当業者であれば予測することができる（特許異議申立書第４２頁第２７行～第４３頁第２９行）。 ｂ 申立人の主張の検討 （ａ）上記ａ（ａ）、（ｂ）の主張について 申立人は、甲１の実施例１において、第二成分としてＣＨ３ＳｉＣｌ３を、混合物に対して５質量％とする条件に修正した場合、１０／ＢＥＴ～３５／ＢＥＴを満たすＣ／Ｓｉモル比となる旨主張しているが、このような修正は、事後分析的に本件発明１を見た上で、本件発明１のＣ／Ｓｉモル比となるように、甲１の実施例１のＳｉ源の種類と比率を恣意的に修正したものであり、いわゆる後知恵であるから、上記ａ（ａ）の主張は採用できない。 そして、上記ａ（ｂ）の主張は、上記ａ（ａ）の主張を前提としたものであるから、上記ａ（ａ）の主張が採用できない以上、上記ａ（ｂ）の主張も採用できない。 （ｂ）上記ａ（ｃ）の主張について 上記（イ）ｃで検討したとおり、甲１発明に、甲３に記載された事項を組み合わせたとしても、相違点１－１、１－２に係る本件発明１の特定事項を満たさない。そして、申立人の上記主張は、甲１発明に、甲３に記載された事項を組み合わせたときの効果に関する言及のみであり、前記特定事項を満たすことの根拠とはならないから、採用できない。 （エ）小括 以上のとおりであるから、その余の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明であるといえないし、甲１発明に基いて、あるいは、甲１発明及び甲３に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。 ウ 本件発明２～４、６～１０、１３について 本件発明２～４、６～１０、１３は、本件発明１の特定事項を全て含むものであるから、上記イで検討したのと同様の理由により、本件発明２～４、６～１０、１３は、甲１発明であるといえないし、甲１発明に基いて、あるいは、甲１発明及び甲３に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。 エ 申立理由１についての結論 以上の検討のとおり、申立理由１に理由はない。 （２）申立理由２（甲２を主たる証拠とした新規性欠如） ア 甲２に記載された発明（甲２発明） 甲２には、上記２（２）アによれば、「二酸化ケイ素粉末の製造方法」に関して、上記同イの実施例１として、「１００ｋｇ／時間の四塩化ケイ素及び５ｋｇ／時間のトリクロロシラン及び３５ｋｇ／時間のメチルトリクロロシランを蒸発させ」、「燃焼器の混合室に移送する」と「同時に３５Ｎｍ３／時間の水素及び１５５Ｎｍ３／時間の一次空気を混合室に添加」し、「該混合物を着火させ、そしてその火炎を反応室で燃焼に用い」、「生じた二酸化ケイ素を」「排ガス流と分離」することが記載されている。 また、甲２には、上記２（２）イの【００３０】及び同ウの表４によれば、実施例１で得られた二酸化ケイ素粉末の「ＢＥＴ表面積」が「１５２ｍ２／ｇ」であり、「ＤＩＮ６６１３１に従って測定され」たことが記載されている。 以上の記載事項を、実施例１に注目して整理すると、甲２には、次の発明（以下、「甲２発明」という。）が記載されていると認められる。 「１００ｋｇ／時間の四塩化ケイ素及び５ｋｇ／時間のトリクロロシラン及び３５ｋｇ／時間のメチルトリクロロシランを蒸発させ、燃焼器の混合室に移送すると同時に、３５Ｎｍ３／時間の水素及び１５５Ｎｍ３／時間の一次空気を混合室に添加し、該混合物を着火させ、そしてその火炎を反応室で燃焼に用い、生じた二酸化ケイ素を排ガス流と分離する、ＤＩＮ６６１３１に従って測定されたＢＥＴ表面積が１５２ｍ２／ｇである、二酸化ケイ素粉末の製造方法。」 イ 本件発明１について （ア）本件発明１と甲２発明との対比 ａ 甲２発明の「二酸化ケイ素粉末の製造方法」は、その「粉末」が上記２（２）ウの表４より「微粉」であるから、本件発明１の「微粉化二酸化ケイ素の製造方法」に相当する。 ｂ 甲２発明の「四塩化ケイ素」、及び「トリクロロシラン」は、本件発明１の「炭素を含有しない少なくとも１つのケイ素化合物」に相当し、甲２発明の「メチルトリクロロシラン」は、本件発明１の「炭素を含有する少なくとも１つのケイ素化合物」に相当するので、これらを使用することは、本件発明１の「少なくとも２つのケイ素化合物の混合物をＳｉ源として使用」することに相当する。 ｃ 甲２発明の「水素」、「一次空気」は、それぞれ本件発明１の「燃料ガス」、「酸素含有源」に相当する。 ｄ 上記ａ～ｃの対応関係を踏まえると、甲１発明の「１００ｋｇ／時間の四塩化ケイ素及び５ｋｇ／時間のトリクロロシラン及び３５ｋｇ／時間のメチルトリクロロシランを蒸発させ、燃焼器の混合室に移送すると同時に、３５Ｎｍ３／時間の水素及び１５５Ｎｍ３／時間の一次空気を混合室に添加し、該混合物を着火させ、そしてその火炎を反応室で燃焼に用い、生じた二酸化ケイ素を排ガス流と分離する」ことは、本件発明１の「燃料ガスを供給し、－酸素含有源を供給し、－前記ケイ素化合物と、前記燃料ガスと、前記酸素含有源とを含有するこの混合物」「を主流として反応空間中へ導入し、強熱し、それを反応させ、ならびに－得られた固体を単離すること」に相当する。 ｅ したがって、本件発明１と甲２発明とは、 「 微粉化二酸化ケイ素の製造方法であって、 －炭素を含有する少なくとも１つのケイ素化合物と、炭素を含有しない少なくとも１つのケイ素化合物との少なくとも２つのケイ素化合物の混合物をＳｉ源として使用し、 －燃料ガスを供給し、 －酸素含有源を供給し、 －前記ケイ素化合物と、前記燃料ガスと、前記酸素含有源とを含有するこの混合物を主流として反応空間中へ導入し、強熱し、それを反応させ、ならびに －得られた固体を単離すること、 を含んでなる、方法。」の点で一致し、以下の点で相違している。 ＜相違点２－１＞ 「前記ケイ素化合物と、前記燃料ガスと、前記酸素含有源とを含有するこの混合物」について、本件発明１では、「Ｃ／Ｓｉモル比が、１０／ＢＥＴ～３５／ＢＥＴであり、および」「モルＨ／Ｃｌ比が、０．４５＋（ＢＥＴ／６００）～０．９５＋（ＢＥＴ／６００）であり」、「ＢＥＴは、ＢＥＴ法（ＤＩＮ ＩＳＯ９２７７ に準拠）によって測定した」ものであるのに対して、甲２発明では、そのような特定がない点。 （イ）相違点の検討 ａ 甲２発明の四塩化ケイ素、トリクロロシラン、及びメチルトリクロロシランの流量の値から、それぞれの分子量（四塩化ケイ素：１６９．９ｇ／ｍｏｌ、トリクロロシラン：１３５．５ｇ／ｍｏｌ、メチルトリクロロシラン：１４９．５ｇ／ｍｏｌ）を用いて、Ｃ／Ｓｉモル比＝０．２７２（計算式：３５／１４９．５／（３５／１４９．５＋１００／１６９．９＋５／１３５．５））と算出され、甲２発明のＢＥＴ比表面積の値（１５２ｍ２／ｇ）から、１０／ＢＥＴ＝０．０６６、及び３５／ＢＥＴ＝０．２３０と算出される。なお、甲２発明のＢＥＴは、ＤＩＮ６６１３１によって測定されたものであるが、本件発明１のＤＩＮ ＩＳＯ９２７７によって測定した値と著しい差異はないとの申立人の前提を採用していることは、上記（１）イ（イ）ｂ（ｂ）で述べたとおりである。 よって、甲２発明のＣ／Ｓｉモル比＝０．２７２は、０．０６６～０．２３０の範囲外であるから、「１０／ＢＥＴ～３５／ＢＥＴ」を満たさないため、Ｈ／Ｃｌ比について検討するまでもなく、相違点２－１は実質的なものである。 ｂ ここで、甲２の上記２（２）イの【００３４】には、実施例２～１１を実施例１と同様に実施することが記載されているので、実施例１以外の実施例を基に甲２発明を認定する場合について、念のため検討する。 （ａ）上記２（２）ウの表２、４によれば、実施例２において、１００ｋｇ／時間の四塩化ケイ素、５０ｋｇ／時間のメチルトリクロロシラン、４０Ｎｍ３／時間の水素、及び１８５Ｎｍ３／時間の一次空気を用いて、ＢＥＴ表面積が１６２ｍ２／ｇである二酸化ケイ素粉末が得られたことが記載されているので、この記載に基づき、上記アに記載した甲２発明の「１００ｋｇ／時間の四塩化ケイ素及び５ｋｇ／時間のトリクロロシラン及び３５ｋｇ／時間のメチルトリクロロシラン」を、「１００ｋｇ／時間の四塩化ケイ素、及び５０ｋｇ／時間のメチルトリクロロシラン」とし、「水素」、「一次空気」の流量及び「ＢＥＴ表面積」の値を、上記実施例２の値とした発明を認定することができる。 （ｂ）そうすると、実施例２の四塩化ケイ素とメチルトリクロロシランの流量及び分子量、及びＢＥＴ比表面積の値を用いて、上記ａと同様に計算すると、Ｃ／Ｓｉモル比＝０．３６２、１０／ＢＥＴ＝０．０６２、３５／ＢＥＴ＝０．２１６となるが、当該Ｃ／Ｓｉモル比＝０．３６２は、０．０６２～０．２１６の範囲外であるから、１０／ＢＥＴ～３５／ＢＥＴを満たさない。 よって、実施例２を基に甲２発明を認定したとしても、Ｈ／Ｃｌ比について検討するまでもなく、上記相違点２－１で少なくとも相違し、この相違点２－１は実質的なものである。 （ｃ）そして、上記（ａ）と同様に、実施例３～１１を基に甲２発明を認定することもでき、上記（ｂ）と同様にＣ／Ｓｉモル比、１０／ＢＥＴ及び３５／ＢＥＴを算出すると、以下のとおりであり、いずれのＣ／Ｓｉモル比も、１０／ＢＥＴ～３５／ＢＥＴを満たさない。なお、上記２（２）イの【００３７】、同ウの表２、４によれば、実施例６～１１は、比較例に相当するものである。 実施例３：Ｃ／Ｓｉモル比＝０、１０／ＢＥＴ＝０．０６８、３５／ＢＥＴ＝０．２３６ 実施例４：Ｃ／Ｓｉモル比＝０．４１０、１０／ＢＥＴ＝０．０６３、３５／ＢＥＴ＝０．２２０ 実施例５：Ｃ／Ｓｉモル比＝０．２８８、１０／ＢＥＴ＝０．０６５、３５／ＢＥＴ＝０．２２９ 実施例６：Ｃ／Ｓｉモル比＝０．３６２、１０／ＢＥＴ＝０．０５３、３５／ＢＥＴ＝０．１８７ 実施例７：Ｃ／Ｓｉモル比＝０．３６２、１０／ＢＥＴ＝０．０９３、３５／ＢＥＴ＝０．３２４ 実施例８：Ｃ／Ｓｉモル比＝０、１０／ＢＥＴ＝０．０６５、３５／ＢＥＴ＝０．２２７ 実施例９：Ｃ／Ｓｉモル比＝２．７１６、１０／ＢＥＴ＝０．０６８、３５／ＢＥＴ＝０．２４０ 実施例１０：Ｃ／Ｓｉモル比＝０．３７４、１０／ＢＥＴ＝０．０６２、３５／ＢＥＴ＝０．２１６ 実施例１１：Ｃ／Ｓｉモル比＝０．２８８、１０／ＢＥＴ＝０．０６５、３５／ＢＥＴ＝０．２２９ よって、実施例３～１１のいずれを基に甲２発明を認定したとしても、Ｈ／Ｃｌ比について検討するまでもなく、上記相違点２－１で少なくとも相違し、この相違点は実質的なものである。 ｃ 次に、申立理由ではないが、甲２発明において、相違点２－１に係る本件発明１の特定事項とすることの容易想到性について念のため検討する。 上記（１）イ（イ）ｃで述べたように、本件発明は、Ｃ／Ｓｉモル比を１０／ＢＥＴ～３５／ＢＥＴ、及び、モルＨ／Ｃｌ比を０．４５＋（ＢＥＴ／６００）～０．９５＋（ＢＥＴ／６００）とすることに格別な技術的意義のあるものであり、上記甲１～３には、このような技術的思想については開示されておらず、そして、甲２には、「１０／ＢＥＴ～３５／ＢＥＴ」を満たすように、「Ｃ／Ｓｉモル比」を変化させることは記載も示唆もされていないし、また、甲３の記載を見ても、記載も示唆もされていない。 したがって、甲２発明に基いて、あるいは、甲２発明及び甲３に記載された事項に基いて、相違点２－１に係る本件発明１の特定事項を満たすようにすることは、当業者にとって容易に想到し得たことといえない。 （ウ）申立人の主張について ａ 申立人の主張の概要 申立人は、特許異議申立書において、概略、以下のとおり主張している。 （ａ）甲４の表３には、甲２に対応するＵＳ２００６／１５５０４２Ａ１の実施例１によるプロセスを、本件発明により最適化したバージョンが示されている。つまり、甲４に記載されている前記バージョンの発明は、本件発明１である。 このとき、上記バージョンのＳｉＣｌ４は１００ｋｇ／ｈ、ＳｉＨＣｌ３は５ｋｇ／ｈ、ＳｉＣＨ３Ｃｌ３は１６．３ｋｇ／ｈであり、これらの値から、それぞれの分子量を用いて、Ｃ／Ｓｉモル比を求めると、０．１５となる。そして、甲４の表３に記載のＢＥＴ比表面積は１５２ｍ２／ｇであるから、前記Ｃ／Ｓｉモル比は、１０／１５２～３５／１５２、すなわち１０／ＢＥＴ～３５／ＢＥＴの範囲内となり、本件発明１の要件を充足する（特許異議申立書第１７頁第８行～第１９頁第２行）。 （ｂ）混合物である原料シランにおいて、成分の混合比率を変化させた場合、所望の比表面積を得るためには、他の製造条件を変化させることが必要となる。 しかし、甲５にも記載されている通り、文献または経験に基づいて、燃焼プロセスにおける目的とする比表面積を有するヒュームドシリカをもたらす断熱火炎温度が決定され、任意の混合比率に対しＣ／Ｓｉ及びＨ／Ｃｌ比を変えることなく、本件発明１の目的とする比表面積の範囲となるように、原料（Ｓｉ含有ガス及び燃焼ガス）の量／比が、断熱火炎温度を算出するためのソフトウェアに入力され、さらに、すべてのＳｉ含有ガス及び燃焼ガスを燃焼されるために必要な酸素含有ガス（主に空気）の量がソフトウェアに入力され、設定された混合物について上記で決定された断熱火炎温度をソフトウェアが算出するまで、酸素含有ガス（主に空気）の量を変化させることで、その混合物の混合比率で目的とする比表面積を有するヒュームドシリカの製造を行うことができる。かかる製造は、当業者であれば容易に行うことができる（特許異議申立書第１９頁第３行～第１９頁第１６行）。 （ｃ）甲３の【００８２】には、「４０μｍ超のＭｏｃｋｅｒ法による篩残分が０重量％～０．０１重量％であ」ることが記載されている。 本件特許明細書の【００３０】には、「本方法は、破壊およびフラッシュバックなしで実行されるだけでなく、低グリット画分（ｌｏｗ ｇｒｉｔ ｆｒａｃｔｉｏｎ）または粗材料画分を有する微粉化二酸化ケイ素を生成する」こと、同【００３７】には、「粗粒子含有量（グリットまたは粗分画とも呼ばれる）は、粗粒子の画分を分離および測定するために、メッシュサイズ４０μｍのふるいを用いて、ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ７８７－１８法に従って測定した」こと、同【００５７】には、「単離および脱酸の後、１５０ｍ２／ｇのＢＥＴ表面積を有する生成物を得た。比較例Ｖ１とは対照的に、燃焼は乱されず、低粗粒子画分を有する微粉末（グリット含量０．００８％）が生成された」ことが記載されている。 このように、甲３の【００８２】に記載の篩残分の重量％は、本件発明１によって得られる微粉化二酸化ケイ素のグリット含有量（篩残分）と同様の数値となっている。 そのため、甲２に甲３を組み合わせることによって、本件特許明細書の【００３０】に記載の「本方法は、破壊およびフラッシュバックなしで実行されるだけでなく、低グリット画分（ｌｏｗ ｇｒｉｔ ｆｒａｃｔｉｏｎ）または粗材料画分を有する微粉化二酸化ケイ素を生成するため、したがって高品質であるという利点に注目する。同時に、この方法は優れた時空収率を示すことで、本方法が経済的に適切であることを意味する」との効果が奏されることを、当業者であれば予測することができる（特許異議申立書第４２頁第２７行～第４３頁第２９行）。 ｂ 申立人の主張の検討 （ａ）上記ａ（ａ）、（ｂ）の主張について 上記２（４）によれば、甲４には、甲２に対応するＵＳ２００６／１５５０４２Ａ１の実施例１におけるＣ／Ｓｉモル比が０．２７２であり、これは本件発明１で規定する範囲から外れるものであること、及び、このＣ／Ｓｉモル比を本件発明１で規定の範囲内にするには、ＭＴＣＳ（炭素質シラン）の量を３５から１６．３ｋｇ／ｈに減らさなければならないことが記載されている。 すなわち、申立人の主張する「最適化したバージョン」は、事後分析的なものであり、Ｃ／Ｓｉモル比を、本件発明１で規定の範囲内にするために、ＭＴＣＳ（炭素質シラン）の量を恣意的に変化させたものであり、いわゆる後知恵に基づくものであるから、上記ａ（ａ）の主張は採用できない。 そして、上記ａ（ｂ）の主張は、上記ａ（ａ）の主張を前提としたものであるから、上記ａ（ａ）の主張が採用できない以上、上記ａ（ｂ）の主張も採用できない。 （ｂ）上記ａ（ｃ）の主張について 上記（イ）ｃで検討したとおり、甲２発明に、甲３に記載された事項を組み合わせたとしても、相違点１－１、１－２に係る本件発明１の特定事項を満たさない。そして、申立人の上記主張は、甲２発明に、甲３に記載された事項を組み合わせたときの効果に関する言及のみであり、前記特定事項を満たすことの根拠とはならないから、採用できない。 （エ）小括 以上のとおりであるから、その余の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、甲２発明であるといえないし、甲２発明に基いて、あるいは、甲２発明及び甲３に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。 ウ 本件発明２～４、６～１０、１３について 本件発明２～４、６～１０、１３は、本件発明１の特定事項を全て含むものであるから、上記イで検討したのと同様の理由により、本件発明２～４、６～１０、１３は、甲２発明であるといえないし、甲２発明に基いて、あるいは、甲２発明及び甲３に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。 エ 申立理由２についての結論 以上の検討のとおり、申立理由２に理由はない。 （３）申立理由３（甲３を主たる証拠とした新規性欠如） ア 甲３に記載された発明（甲３発明） 甲３には、上記２（３）アによれば、「ヒュームドシリカを製造する方法」に関して、同イの【０１５４】の実施例６として、「四塩化ケイ素４．３モル％、水素１２モル％、酸素１６モル％」「をガスとして含」む「ガス混合物」を、「燃焼チャンバの上端のノズルを介してバーナーチャンバに入」れ、「前記ガス混合物」を、「１，０００℃～２，０００℃で燃焼チャンバ内にて反応」させ、「生成物を前記燃焼チャンバから吸引し」、「ヒュームドシリカを精製し」、「ＢＥＴ比表面積が１５０ｍ２／ｇであ」る「ヒュームドシリカが」「得られる」ことが記載されている。 また、甲３には、「試験方法」として、「ＢＥＴ比表面積：ＤＩＮ ９２７７／６６１３２」が記載されている。 以上の記載事項を、実施例６に注目して整理すると、甲３には、次の発明（以下、「甲３発明」という。）が記載されていると認められる。 「四塩化ケイ素４．３モル％、水素１２モル％、酸素１６モル％をガスとして含むガス混合物を、燃焼チャンバの上端のノズルを介してバーナーチャンバに入れ、前記ガス混合物を、１，０００℃～２，０００℃で燃焼チャンバ内にて反応させ、生成物を前記燃焼チャンバから吸引し、ヒュームドシリカを精製し、ＤＩＮ ９２７７／６６１３２によって測定されたＢＥＴ比表面積が１５０ｍ２／ｇであるヒュームドシリカが得られる、ヒュームドシリカを製造する方法。」 イ 本件発明１について （ア）本件発明１と甲３発明との対比 ａ 甲３発明の「ヒュームドシリカを製造する方法」は、「ヒュームドシリカ」が微粉であるから、本件発明１の「微粉化二酸化ケイ素の製造方法」に相当する。 ｂ 甲３発明の「四塩化ケイ素」は、本件発明１の「炭素を含有しない少なくとも１つのケイ素化合物」「をＳｉ源として使用」することに相当する。 ｃ 甲３発明の「水素」、「酸素」は、それぞれ本件発明１の「燃料ガス」、「酸素含有源」に相当する。 ｄ 上記ａ～ｃの対応関係を踏まえると、甲３発明の「四塩化ケイ素４．３モル％、水素１２モル％、酸素１６モル％をガスとして含むガス混合物を、燃焼チャンバの上端のノズルを介してバーナーチャンバに入れ、前記ガス混合物を、１，０００℃～２，０００℃で燃焼チャンバ内にて反応させ、生成物を前記燃焼チャンバから吸引し、ヒュームドシリカを精製」することは、本件発明１の「燃料ガスを供給し、－酸素含有源を供給し、－前記ケイ素化合物と、前記燃料ガスと、前記酸素含有源とを含有するこの混合物」「を主流として反応空間中へ導入し、強熱し、それを反応させ、ならびに－得られた固体を単離すること」に相当する。 ｅ 甲３発明の「ＤＩＮ ９２７７／６６１３２によって測定されたＢＥＴ比表面積が１５０ｍ２／ｇであるヒュームドシリカ」は、本件発明１の「ＢＥＴ法（ＤＩＮ ＩＳＯ９２７７ に準拠）によって」、「製造される熱分解法二酸化ケイ素の比表面積」を「測定」することに相当する。 ｆ したがって、本件発明１と甲３発明とは、 「微粉化二酸化ケイ素の製造方法であって、 －炭素を含有しない少なくとも１つのケイ素化合物をＳｉ源として使用し、 －燃料ガスを供給し、 －酸素含有源を供給し、 －前記ケイ素化合物と、前記燃料ガスと、前記酸素含有源とを含有するこの混合物を主流として反応空間中へ導入し、強熱し、それを反応させ、ならびに －得られた固体を単離すること、 を含んでなり、 ＢＥＴ法（ＤＩＮ ＩＳＯ９２７７ に準拠）によって、製造される熱分解法二酸化ケイ素の比表面積を測定する、 方法。」の点で一致し、以下の点で相違している。 ＜相違点３－１＞ Ｓｉ源が、本件発明１では、「炭素を含有する少なくとも１つのケイ素化合物と、炭素を含有しない少なくとも１つのケイ素化合物との少なくとも２つのケイ素化合物の混合物」であるのに対して、甲３発明では、「四塩化ケイ素」（炭素を含有しない少なくとも１つのケイ素化合物）のみである点。 ＜相違点３－２＞ 「前記ケイ素化合物と、前記燃料ガスと、前記酸素含有源とを含有するこの混合物」について、本件発明１では、「Ｃ／Ｓｉモル比が、１０／ＢＥＴ～３５／ＢＥＴであり、および」「モルＨ／Ｃｌ比が、０．４５＋（ＢＥＴ／６００）～０．９５＋（ＢＥＴ／６００）であり」、「ＢＥＴは、ＢＥＴ法（ＤＩＮ ＩＳＯ９２７７ に準拠）によって測定した」ものであるのに対して、甲３発明では、そのような特定がない点。 （イ）相違点の検討 ａ 甲３発明は、Ｓｉ源が「四塩化ケイ素」のみであり、「炭素を含有する少なくとも１つのケイ素化合物」を含まないから、相違点３－１は実質的なものである。 そして、甲３発明は、「炭素を含有する少なくとも１つのケイ素化合物」を含まないから、甲３発明におけるＣ／Ｓｉモル比は０であり、「１０／ＢＥＴ～３５／ＢＥＴ」を満たさないことが明らかであるため、Ｈ／Ｃｌ比について検討するまでもなく、相違点３－２も実質的なものである。 ｂ ここで、甲３の上記２（３）イの【０１４９】～【０１５９】には、実施例１～５、７～１１を実施例６と同様に実施することが記載されているので、実施例６以外の実施例を基に甲１発明を認定する場合について、念のため検討する。 （ａ）上記２（３）イの【０１４９】によれば、実施例１には、メチルトリクロロシラン０．０４９モル％、水素０．０１９モル％、酸素０．１７モル％を含むガス混合物を用いて、ＢＥＴ比表面積が１５０ｍ２／ｇであるヒュームドシリカが得られたことが記載されているので、この記載に基づき、上記アに記載した甲３発明の「四塩化ケイ素４．３モル％」を、「メチルトリクロロシラン０．０４９モル％」とし、「水素」、「酸素」の流量及び「ＢＥＴ比表面積」の値を、上記実施例１の値とした発明を認定することができる。 （ｂ）ここで、Ｓｉ源が、本件発明１では、「炭素を含有する少なくとも１つのケイ素化合物と、炭素を含有しない少なくとも１つのケイ素化合物との少なくとも２つのケイ素化合物の混合物」であるのに対して、上記（ａ）で認定した発明では、「メチルトリクロロシラン」のみである点、及び、上記実施例１のＣ／Ｓｉモル比＝１、１０／ＢＥＴ＝０．０６７、３５／ＢＥＴ＝０．２３３と算出されるから、本件発明１の１０／ＢＥＴ～３５／ＢＥＴを満たさない点で相違する。 よって、実施例１を基に甲３発明を認定したとしても、Ｈ／Ｃｌ比について検討するまでもなく、上記相違点で少なくとも相違し、この相違点は実質的なものである。 （ｃ）また、上記（ａ）と同様に、実施例２～４、７、８を基に甲３発明を認定することもできるが、これらの実施例においてもＳｉ源が「メチルトリクロロシラン」のみであり、Ｃ／Ｓｉモル比は１０／ＢＥＴ～３５／ＢＥＴを満たさないから、上記（ｂ）と同様の相違点で少なくとも相違しており、この相違点は実質的なものである。 （ｄ）そして、上記（ａ）と同様に、実施例５を基に甲３発明を認定することもできるが、実施例５のＳｉ源は、「四塩化ケイ素」のみであるから、上記（ア）ｆに示した点で相違し、上記ａで検討したとおり、相違点３－１、及び相違点３－２は実質的なものである。 （ｅ）さらに、実施例９～１１については、上記２（３）の【０１５７】～【０１５９】によれば、反応ガスに「アルカン（プロパンとブタンとペンタン、プロペンとブテンとペンテン、及びクロロプロパンとクロロブタンとクロロペンタンとの混合物）」を含むことが記載されており、これらの成分の混合比が不明であるため、Ｃ／Ｓｉモル比を算出不可能であるから、実施例９～１１を基に甲１発明を認定して検討するに及ばない。 ｃ 次に、申立理由ではないが、甲３発明において、相違点３－１、相違点３－２に係る本件発明１の特定事項とすることの容易想到性について念のため検討する。 上記（１）イ（イ）ｃで述べたように、本件発明は、Ｃ／Ｓｉモル比を１０／ＢＥＴ～３５／ＢＥＴ、及び、モルＨ／Ｃｌ比を０．４５＋（ＢＥＴ／６００）～０．９５＋（ＢＥＴ／６００）とすることに格別な技術的意義のあるものであり、甲３には、このような技術的思想については開示されておらず、そして、甲３には、「１０／ＢＥＴ～３５／ＢＥＴ」を満たすように、「Ｃ／Ｓｉモル比」を変化させることは記載も示唆もされていない。 したがって、甲３発明に基いて、相違点３－１、相違点３－２に係る本件発明１の特定事項を満たすようにすることは、当業者にとって容易に想到し得たことといえない。 （ウ）申立人の主張について ａ 申立人の主張の概要 申立人は、特許異議申立書において、概略、以下のとおり主張している。 （ａ）甲３の請求項１９には、「前記ガス混合物が、四塩化ケイ素０．１モル％～１００モル％、メチルトリクロロシラン０モル％～１００モル％、水素１モル％～２０モル％、二酸化炭素０．００１モル％～１５モル％、酸素１０モル％～３０モル％、窒素５０モル％～１００モル％、ハイドロジェンメチルジクロロシラン０モル％～５０モル％、三塩化シラン０．００１モル％～１００モル％、テトラメチルシラン０モル％～５０モル％、トリメチルクロロシラン０モル％～５０モル％、及びアルカン、アルケン、又はハロアルキルの混合物０モル％～２０モル％を含」むこと、請求項１７には、「１０モル％超の四塩化ケイ素を含有する混合物が用いられる」こと、及び、同【００５９】には、「濃度１０モル％超のメチルシリコントリクロリドが特に好ましい」ことが記載されている。 上記記載事項を参照して、甲３の実施例６を、四塩化ケイ素：１０．６８モル％、メチルトリクロロシラン：１．３２モル％に修正して、ＢＥＴ比表面積が１５０ｍ２／ｇのヒュームドシリカを得る場合を考えると、Ｃ／Ｓｉモル比＝０．１１となる。このとき、１０／ＢＥＴ＝０．０７、３５／ＢＥＴ＝０．２３となるため、前記Ｃ／Ｓｉモル比は、１０／ＢＥＴ～３５／ＢＥＴであるという本件発明１の要件を充足する（特許異議申立書第１９頁第１７行～第２０頁第１９行）。 （ｂ）混合物である原料シランにおいて、成分の混合比率を変化させた場合、所望の比表面積を得るためには、他の製造条件を変化させることが必要となる。 しかし、甲５にも記載されている通り、文献または経験に基づいて、燃焼プロセスにおける目的とする比表面積を有するヒュームドシリカをもたらす断熱火炎温度が決定され、任意の混合比率に対しＣ／Ｓｉ及びＨ／Ｃｌ比を変えることなく、本件発明１の目的とする比表面積の範囲となるように、原料（Ｓｉ含有ガス及び燃焼ガス）の量／比が、断熱火炎温度を算出するためのソフトウェアに入力され、さらに、すべてのＳｉ含有ガス及び燃焼ガスを燃焼されるために必要な酸素含有ガス（主に空気）の量がソフトウェアに入力され、設定された混合物について上記で決定された断熱火炎温度をソフトウェアが算出するまで、酸素含有ガス（主に空気）の量を変化させることで、その混合物の混合比率で目的とする比表面積を有するヒュームドシリカの製造を行うことができる。かかる製造は、当業者であれば容易に行うことができる（特許異議申立書第２０頁第２０行～第２１頁第５行）。 ｂ 申立人の主張の検討 申立人は、甲３の実施例６において、四塩化ケイ素：１０．６８モル％、メチルトリクロロシラン：１．３２モル％に修正した場合、１０／ＢＥＴ～３５／ＢＥＴを満たすＣ／Ｓｉモル比となる旨主張しているが、このような修正は、事後分析的に本件発明１を見た上で、本件発明１のＣ／Ｓｉモル比となるように、甲３の実施例６のＳｉ源の種類と比率を恣意的に修正したものであり、いわゆる後知恵であるから、上記ａ（ａ）の主張は採用できない。 そして、上記ａ（ｂ）の主張は、上記ａ（ａ）の主張を前提としたものであるから、上記ａ（ａ）の主張が採用できない以上、上記ａ（ｂ）の主張も採用できない。 (エ) 小括 以上のとおりであるから、その余の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、甲３発明であるといえないし、甲３発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。 ウ 本件発明２～４、６～１０、１３について 本件発明２～４、６～１０、１３は、本件発明１の特定事項を全て含むものであるから、上記イで検討したのと同様の理由により、本件発明２～４、６～１０、１３は、甲３発明であるといえないし、甲３発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。 エ 申立理由３についての結論 以上の検討のとおり、申立理由３に理由はない。 第４ むすび 以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件特許の請求項１～４、６～１０、１３に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件特許の請求項１～４、６～１０、１３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。