2024-700726

特許第７４３８５２９号発明「上部にテーパ形状を持つ、深堀構造を有するシリコン基板の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７４３８５２９号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～４〕、〔５、６〕について訂正することを認める。 特許第７４３８５２９号の請求項１～６に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７４３８５２９号（以下、「本件特許」という。）の請求項１～６に係る特許についての出願は、令和 ２年 ３月 ５日に出願され、令和 ６年 ２月１６日にその特許権の設定登録がされ、同年同月２７日に特許掲載公報が発行された。 本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和 ６年 ７月３１日 ：特許異議申立人川嶋健太（以下、「申立人」という。）による特許異議の申立て 令和 ６年１１月２９日付け ：取消理由通知書 令和 ７年 １月３０日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出 令和 ７年 ３月２６日 ：特許権者による手続補正書（方式）の提出 令和 ７年 ５月 ８日 ：申立人による意見書の提出 第２ 訂正の適否 令和７年１月３０日に提出され、同年３月２６日提出の手続補正書（方式）により補正された訂正請求書（以下、「本件訂正請求書」という。）による訂正（以下、「本件訂正」という。）について検討する。 １ 請求の趣旨 本件訂正の請求の趣旨は、特許第７４３８５２９号の特許請求の範囲を、本件訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲（以下、単に「訂正特許請求の範囲」という。）のとおり、訂正後の請求項１～６について訂正することを求める、というものである。 ２ 訂正の内容 本件訂正の内容は、訂正事項１～６よりなるものであって、以下のとおりである。（下線は本件訂正請求書のとおり。） （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に「前記テーパ形状の下に深堀構造を形成する」及び「上部にテーパ形状を持つ深堀構造を有するシリコン基板の製造方法」と記載されているのを、「前記テーパ形状の下に前記シリコン基板を貫通しない深堀構造を形成する」及び「上部にテーパ形状を持ち、貫通しない深堀構造を有するシリコン基板の製造方法」に訂正する。（請求項１の記載を引用する請求項２～４も同様に訂正する。） （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２に「上部にテーパ形状を持つ深堀構造を有するシリコン基板の製造方法」と記載されているのを、「上部にテーパ形状を持ち、貫通しない深堀構造を有するシリコン基板の製造方法」に訂正する。（請求項２の記載を引用する請求項３～４も同様に訂正する。） （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項３に「上部にテーパ形状を持つ深堀構造を有するシリコン基板の製造方法」と記載されているのを、「上部にテーパ形状を持ち、貫通しない深堀構造を有するシリコン基板の製造方法」に訂正する。（請求項３の記載を引用する請求項４も同様に訂正する。） （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項４に「上部にテーパ形状を持つ深堀構造を有するシリコン基板の製造方法」と記載されているのを、「上部にテーパ形状を持ち、貫通しない深堀構造を有するシリコン基板の製造方法」に訂正する。 （５）訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項５に「前記テーパ形状の下に深堀構造を形成する第２工程」及び「上部にテーパ形状を持つ深堀構造を有するシリコン基板を製造するためのプラズマ処理装置」と記載されているのを、「前記テーパ形状の下に前記シリコン基板を貫通しない深堀構造を形成する第２工程」及び「上部にテーパ形状を持ち、貫通しない深堀構造を有するシリコン基板を製造するためのプラズマ処理装置」に訂正する。（請求項５の記載を引用する請求項６も同様に訂正する。） （６）訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項６に「上部にテーパ形状を持つ深堀構造を有するシリコン基板を製造するためのプラズマ処理装置」と記載されているのを、「上部にテーパ形状を持ち、貫通しない深堀構造を有するシリコン基板を製造するためのプラズマ処理装置」に訂正する。 （７）一群の請求項について ア 請求項１～４について 訂正前の請求項１～４について、請求項２～４は請求項１を引用するものであって、訂正事項１によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものである。したがって、訂正前の請求項１～４に対応する訂正後の請求項１～４は特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 イ 請求項５、６について 訂正前の請求項５、６について、請求項６は請求項５を引用するものであって、訂正事項５によって記載が訂正される請求項５に連動して訂正されるものである。したがって、訂正前の請求項５、６に対応する訂正後の請求項５、６は特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 ３ 訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否、独立特許要件 （１）訂正事項１について ア 訂正の目的の適否 訂正事項１は、訂正前の請求項１に記載された「テーパ形状の下に」形成される「深堀構造」について、「前記シリコン基板を貫通しない」ことを限定すると共に、「上部にテーパ形状を持つ深堀構造」について「貫通しない」ことを限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。 イ 新規事項の追加の有無 本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「本件明細書等」という。）の段落０００２に記載された「深い溝（トレンチ）や穴（ホール）（以下、これらを総称して深堀構造と言う。）」、及び、段落００２８に記載された「深堀構造の断面写真を図４(a)に示す。」を踏まえると、図４(a)から、上部にテーパ形状を持ち、シリコン基板を貫通しない深い溝（トレンチ）又は穴（ホール）、すなわち深堀構造が見て取れる。そうすると、本件明細書等には、テーパ形状の下にシリコン基板を貫通しない深堀構造が記載されているといえるから、訂正事項１は、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。 よって、訂正事項１は、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものである。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項１は、上記アのとおり特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （２）訂正事項２について ア 訂正の目的の適否 訂正事項２は、訂正前の請求項２に記載された「上部にテーパ形状を持つ深堀構造」について「貫通しない」ことを限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。 イ 新規事項の追加の有無 訂正事項２は、上記（１）イにおける検討と同様の理由により、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。 よって、訂正事項２は、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものである。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項２は、上記アのとおり特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （３）訂正事項３、４及び６について 訂正事項３、４及び６は、上記（２）ア～ウにおける検討と同様の理由により、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであり、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、さらに、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （４）訂正事項５について 訂正事項５は、上記（１）ア～ウにおける検討と同様の理由により、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであり、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、さらに、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （５）独立特許要件について 本件においては、訂正前の請求項１～６について特許異議の申立てがされているので、訂正前の請求項１～６に係る訂正事項１～６に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 ４ 小括 したがって、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものに該当し、同法同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するので、訂正後の請求項〔１～４〕、〔５、６〕について訂正することを認める。 第３ 本件発明 上記第２で検討したとおり、本件訂正は認められるから、本件特許の請求項１～６に係る発明（以下、「本件発明１～６」といい、まとめて「本件発明」ともいう。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１～６に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 「 【請求項１】 シリコン基板を、SF6ガスとCF系ガスの混合ガスを用いて等方性エッチングすることにより表面側が大口径であるテーパ形状を形成する第１工程と、 前記第１工程後にSF6ガスとO2ガスとSiF4ガスの混合ガスを用いて深さ方向に強いエッチングを行う異方性エッチングにより前記テーパ形状の下に前記シリコン基板を貫通しない深堀構造を形成する第２工程 を備えることを特徴とする、上部にテーパ形状を持ち、貫通しない深堀構造を有するシリコン基板の製造方法。 【請求項２】 前記CF系ガスがC4F8ガス又はCF4ガスである請求項１に記載の上部にテーパ形状を持ち、貫通しない深堀構造を有するシリコン基板の製造方法。 【請求項３】 前記上部のテーパ形状の斜面のテーパ角を85°以下とする請求項１又は２に記載の上部にテーパ形状を持ち、貫通しない深堀構造を有するシリコン基板の製造方法。 【請求項４】 前記深堀構造の前記シリコン基板表面からの深さが、前記テーパ形状の表面の開口部の径よりも大きくなるようにする請求項１～３のいずれかに記載の上部にテーパ形状を持ち、貫通しない深堀構造を有するシリコン基板の製造方法。 【請求項５】 被処理シリコン基板を保持する基板保持部を有するプラズマ処理室と、 前記プラズマ処理室にSF6ガス、CF系ガス、O2ガス及びSiF4ガスをそれぞれ制御された流量で導入するためのガス導入部と、 前記プラズマ処理室内のガスをプラズマ化するための高周波電力を投入する電力部と、 前記ガス導入部及び前記電力部を制御することにより、前記基板保持部に保持されたシリコン基板を、SF6ガスとCF系ガスの混合ガスを用いて等方性エッチングすることにより表面側が大口径であるテーパ形状を形成する第１工程と、前記第１工程後にSF6ガスとO2ガスとSiF4ガスの混合ガスを用いて深さ方向に強いエッチングを行う異方性エッチングにより前記テーパ形状の下に前記シリコン基板を貫通しない深堀構造を形成する第２工程を行う制御部と を備えることを特徴とする、上部にテーパ形状を持ち、貫通しない深堀構造を有するシリコン基板を製造するためのプラズマ処理装置。 【請求項６】 前記ガス導入部におけるCF系ガスがC4F8ガス又は CF4ガスである請求項５に記載の上部にテーパ形状を持ち、貫通しない深堀構造を有するシリコン基板を製造するためのプラズマ処理装置。」 第４ 特許異議の申立ての理由 申立人が主張する特許異議の申立ての理由（以下、「申立理由」という。）は、以下のとおりのものである。なお、申立人が提出した甲第１号証～甲第６号証を、以下、「甲１」～「甲６」という。 １ 申立理由１（進歩性） 請求項１～６に係る発明は、甲１に記載された発明と甲２～甲５に記載された周知技術とに基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ２ 申立理由２（進歩性） 請求項１～４に係る発明は、甲６に記載された発明と甲２～甲５に記載された周知技術とに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ＜申立人が提出した甲号証＞ 甲１：特開２０１８－１３７２６６号公報 甲２：特許第４７２２７２５号 甲３：特開２０１３－８４６９５号公報 甲４：特許第５７７４３５６号 甲５：特開２００７－１０３８７６号公報 甲６：特開２０１８－３２７５７号公報 第５ 取消理由の概要 当審が訂正前の請求項１～６に係る特許に対して、令和６年１１月２９日付けで通知した取消理由の概要は、以下のとおりである。 ・取消理由（進歩性） 請求項１～６に係る発明は、甲１に記載された発明と甲２及び甲４に記載された周知技術とに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 第６ 当審の判断 １ 甲１を主引用例とした進歩性について（申立理由１及び取消理由） （１）甲号証について ア 甲１の記載、甲１に記載された発明 （ア）甲１には、以下の記載がある。（下線は当審で付した。以下同じ。） 「【００１２】 本発明は以上の実情に鑑みなされたものであり、プラズマエッチング処理を利用することで、外周縁部が面取りされた形状の基板を切り出すことができ、外周縁部が面取りされた基板の製造コストを抑えることができるプラズマ加工方法及びこの方法を用いて製造された基板の提供を、その目的とする。」 「【００５２】 ［プラズマ加工装置］ まず、本発明の一実施形態に係るプラズマ加工方法の実施に用いるプラズマ加工装置１について説明する。図１に示すように、本例のプラズマ加工装置１は、内部空間の上方にプラズマ生成空間５が設定され、このプラズマ生成空間５よりも下方に処理空間６が設定される円筒状の処理チャンバ２と、前記プラズマ生成空間５に処理ガスを供給する処理ガス供給機構１０と、前記プラズマ生成空間５内に誘導電界を発生させるための環状のコイル１５と、このコイル１５に高周波電力を供給するコイル電力供給機構２０と、前記処理空間６内に配設され、基板Ｋを載置するための基台２５と、この基台２５に高周波電力を供給する基台電力供給機構３０と、処理チャンバ２内の気体を排気する排気装置３５とを備えている。 【００５３】 前記処理チャンバ２は、アルミ合金からなる上チャンバ３及び下チャンバ４から構成されている。また、上チャンバ３及び下チャンバ４は、相互に連通した内部空間をそれぞれ有しており、上チャンバ３の内部空間がプラズマ生成空間５であり、下チャンバ４の内部空間が処理空間６である。尚、上チャンバ３は下チャンバ４よりも小さく形成される。 【００５４】 前記処理ガス供給機構１０は、処理ガスが貯留された処理ガス供給源１１と、一方端が処理ガス供給源１１に接続し、他方端が前記上チャンバ３の天板に形成された吐出口に接続した供給管１２とからなる。この処理ガス供給機構１０によれば、処理ガス供給源１１から供給管１２を介し、前記吐出口から垂直下方に向けて処理ガスが吐出され、上チャンバ３の内部空間に処理ガスが供給される。尚、前記処理ガスは、エッチングされる基板の種類によって異なるものであり、基板がシリコン基板である場合には、ＳＦ６ガスやＩＦ５ガス、ＮＦ３ガス、Ｆ２ガスなどのエッチングガス、Ｃ４Ｆ８ガスやＯ２ガス、２，３，３，３－テトラフルオロプロペンガス（ＨＦＯ－１２３４ｙｆ）などの保護膜形成ガスを例示することができる。保護膜形成ガスとしては、温室効果ガス排出削減及びエッチングレート向上の観点から、２，３，３，３－テトラフルオロプロペンガスが好ましい。また、炭化珪素基板である場合には、エッチングガスとしてＳＦ６ガスやＳｉＦ４ガス、ＣＦ４ガス、ＣＨ３Ｆガス、保護膜形成ガスとしてＯ２ガスやＳｉＦ４ガス、ＳｉＣｌ４ガスなどを例示することができ、前記処理ガス供給源１１は、用いられる処理ガスの数に応じて１つ以上設けられる。 【００５５】 前記コイル１５は、前記上チャンバ３の外周に捲回されており、コイル電力供給機構２０によって高周波電力が供給されるようになっている。 【００５６】 また、前記コイル電力供給機構２０は、前記コイル１５に接続されたマッチングユニット２１や、このマッチングユニット２１に接続された高周波電源２２からなり、前記コイル１５に高周波電力を供給する機構である。このコイル電力供給機構２０によれば、コイル１５に高周波電力が供給されることで、プラズマ生成空間５内に誘導電界が発生し、当該プラズマ生成空間５内に供給された処理ガスがプラズマ化され、所謂誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）が生成される。 【００５７】 前記基台２５は、基板Ｋが載置される上部材２６と、昇降シリンダ２８が接続された下部材２７とから構成され、前記下チャンバ４の内部空間（処理空間６）に配置されている。 【００５８】 前記基台電力供給機構３０は、前記基台２５に接続されたマッチングユニット３１と、このマッチングユニット３１に接続された高周波電源３２とからなり、前記基台２５に高周波電力を供給する機構である。この基台電力供給機構３０によれば、基台２５に高周波電力が供給されることで、基台２５とプラズマとの間にバイアス電位が与えられる。 【００５９】 前記排気装置３５は、気体を排気する真空ポンプ３６と、一端が前記真空ポンプ３６に接続し、他端が下チャンバ４の側面に開口する排気口に接続した排気管３７とからなる。この排気装置３５によれば、真空ポンプ３６によって処理チャンバ２内の気体を排気し、処理チャンバ２の内部空間が所定圧力に維持される。 【００６０】 ［プラズマ加工方法］ 次に、以上の構成を備えたプラズマ加工装置１を用いて、基板Ｋをプラズマエッチングし、当該基板Ｋからより小さい基板Ｋ１を切り出す過程について、図２～図４を参照して説明する。尚、本例において、基板Ｋは半導体素子が形成される前のシリコン基板である。また、図２は基板Ｋの平面図であり、図３及び図４は基板Ｋ１を切り出す過程を模式的に示した図であり、図２～図４中の各符号は、Ｋが基板、Ｋ１が切り出される（切り出された）基板、Ｍｆが表面側マスク、Ｓがテープ、Ｄが加工領域、Ｔがトレンチ、Ｔ１，Ｔ２がトレンチＴの角部をそれぞれ示している。 【００６１】 まず、切り出される基板Ｋ１の厚みを所望の厚さにするために、基板Ｋをプラズマ加工装置１内に搬入して基台２５上に載置し、基板Ｋの表面全体をエッチングする（シンニング（薄化）工程）。具体的には、処理ガス供給機構１０によって処理チャンバ２内にＳＦ６ガスを所定の流量で供給し、コイル電力供給機構２０及び基台電力供給機構３０によってコイル１５及び基台２５に高周波電力を印加する。尚、処理チャンバ２内の圧力は、前記排気装置３５によって所定の圧力まで減圧されている。 【００６２】 これにより、処理チャンバ２内に供給したＳＦ６ガスがプラズマ化され、当該プラズマに含まれるエッチング種とシリコン原子との化学反応によって基板Ｋの表面全面がエッチングされる。 【００６３】 次に、基板Ｋを処理チャンバ２から搬出し、表面側マスク形成工程を実施する。この表面側マスク形成工程では、例えば、蒸着法（化学気相蒸着法（ＣＶＤ）や物理気相蒸着法（ＰＶＤ））、フォトレジストの塗布などによって、加工領域Ｄに対応する部分にのみ開口部Ｍｆ１が形成された所定パターンの表面側マスクＭｆを形成させる（図２参照）。尚、図２では、加工領域Ｄを網掛けで示した。また、表面側マスクＭｆとしては、レジストマスクや酸化膜、メタルマスク、積層膜などを例示することができる。 ・・・（中略）・・・ 【００６５】 次に、表面側マスクＭｆを形成させた基板Ｋを処理チャンバ２内の基台２５上に載置して、当該基板Ｋに対して表面側エッチング工程を実施する。尚、本例においては、基板Ｋの裏面に絶縁性を有するテープＳを貼付するようにし（図３（ａ）参照）、切り出した際に基板Ｋ１が四散しないようにしている。 【００６６】 表面側エッチング工程においては、処理ガス供給機構１０によって、処理チャンバ２内にＳＦ６ガス、Ｃ４Ｆ８ガス及びＯ２ガスを所定の流量で供給し、コイル電力供給機構２０及び基台電力供給機構３０によってコイル１５及び基台２５に高周波電力を印加し、また、処理チャンバ２内の圧力が所定の圧力となるように、排気装置３５によって処理チャンバ２内の気体を排気する。 【００６７】 これにより、処理チャンバ２内に供給したＳＦ６ガス、Ｃ４Ｆ８ガス及びＯ２ガスがプラズマ化され、表面側マスクＭｆの開口部を通して、基板Ｋへの保護膜の形成及び除去が並行して行われつつ、ＳＦ６ガスのプラズマ化により生成したエッチング種（例えばフッ素ラジカル）がシリコン原子と化学反応することによって基板Ｋが等方的にエッチングされる。この表面側エッチング工程を所定時間実施することで、図３（ｂ）に示すように、加工領域Ｄがエッチングされるとともに、表面側マスクＭｆの直下部もエッチングされ、基板Ｋにテーパ形状のトレンチＴが形成される。尚、表面側エッチング工程でエッチングされたマスク直下部の形状は処理条件によって変化するため、当該表面側エッチング工程の処理条件を調整して表面外周縁部を所望の形状にすることができる。 【００６８】 ついで、貫通工程を実施する。具体的に、この貫通工程では、前記表面側エッチング工程で形成されたトレンチＴに保護膜を形成する処理（保護膜形成処理）と、前記トレンチＴの底部から保護膜を除去するとともに、前記加工領域Ｄをエッチングする（エッチング処理）とを繰り返すサイクルを複数回行う。 【００６９】 まず、保護膜形成処理では、処理チャンバ２内にＣ４Ｆ８ガスを所定の流量で供給し、コイル電力供給機構２０によってコイル１５に高周波電力を印加し、また、処理チャンバ２内の圧力が所定の圧力となるように、排気装置３５によって処理チャンバ２内の気体を排気する。これにより、前記表面側エッチング工程で形成されたトレンチＴの内壁に保護膜が形成される。 【００７０】 ついで、エッチング処理を行う。このエッチング処理では、処理チャンバ２内にＳＦ６ガスを所定流量で供給し、コイル電力供給機構２０及び基台電力供給機構３０によってコイル１５及び基台２５に高周波電力を供給し、また、処理チャンバ２内の圧力が所定の圧力となるように、排気装置３５によって処理チャンバ２内の気体を排気する。 【００７１】 これにより、処理チャンバ２内に供給したＳＦ６ガスがプラズマ化され、当該ＳＦ６ガスのプラズマ化により生成したフッ素イオンが基板Ｋに入射することで、トレンチＴ底部の保護膜が除去される。また、生成したフッ素イオンが基板Ｋに入射する、又はＳＦ６ガスのプラズマ化により生成したエッチング種がシリコン原子と化学反応することによって、基板Ｋがエッチングされる（図３（ｃ）参照）。 【００７２】 以降、加工領域Ｄがエッチングによって除去され、基板Ｋに表裏面に貫通するトレンチＴが形成されるまで、保護膜形成処理及びエッチング処理を一定回数繰り返し実施する。 ・・・（中略）・・・ 【００７５】 その後、表面側マスクＭｆを除去し、仕上げ工程を行う（図４（ｂ）参照）。この仕上げ工程では、処理チャンバ２内にＳＦ６ガス、Ｃ４Ｆ８ガス及びＯ２ガスを所定流量で供給し、コイル電力供給機構２０及び基台電力供給機構３０によってコイル１５及び基台２５に高周波電力を供給し、また、処理チャンバ２内の圧力が所定の圧力となるように、排気装置３５によって処理チャンバ２内の気体を排気する。 【００７６】 これにより、表面側エッチング工程でエッチングされた部分と、貫通工程でエッチングされた部分との間の角部Ｔ１や、基板Ｋ表面と表面側エッチング工程でエッチングされた部分との間の角部Ｔ２が等方的なエッチングによって丸められ、切り出された基板Ｋ１の表面外周縁部が丸面取りされた状態となる。尚、この仕上げ工程の処理条件を適宜調整することによって、基板Ｋ１の表面粗さを低減することもできる。 【００７７】 斯くして、図４（ｃ）に示すように、基板Ｋから、表裏面の外周縁部が丸面取りされた基板Ｋ１が切り出される。そして、このプラズマ加工方法においては、貫通工程において、保護膜形成処理及びエッチング処理を交互に行ってトレンチＴを形成するようにしているため、切り出された基板Ｋ１の外周面（トレンチＴの側壁に相当）は、図５に示すように、所謂スキャロップ形状を有したものとなる。」 「【００８２】 以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の採り得る態様は何らこれに限定されるものではない。 ・・・（中略）・・・ 【００８６】 また、上例の貫通工程においては、保護膜形成処理とエッチング処理と繰り返すことによって、基板Ｋを異方的にエッチングするようにしているが、貫通工程において異方的なエッチングを行う他の態様としては、保護膜の形成と基板Ｋのエッチングとを同時に行うようにし、基台２５に印加する電圧を徐々に大きくする方法などを例示することができ、貫通工程における基板を異方的にエッチングする手法や処理条件は、基板の材質等に合わせて適宜選択し得る。 ・・・（中略）・・・ 【００９６】 また、上例のプラズマ加工方法においては、表面側エッチング工程と貫通工程とを実施することで、基板Ｋ１を切り出すようにしているが、これに限られるものではなく、表面側エッチング工程を実施した後、深掘り工程、裏面側エッチング工程及び貫通工程を行うようにしても良い。これについて、図１０及び図１１を参照して以下説明する。 【００９７】 上例における表面側エッチング工程を実施した後、表面側マスクＭｆの開口部Ｍｆ１を通して基板Ｋを異方的にエッチングする深掘り工程を実施し、図１０（ａ）に示すように、基板ＫにトレンチＴを形成する。尚、この深掘り工程において、基板Ｋを異方的にエッチングする手法としては、前記貫通工程と同様に、保護膜形成処理及びエッチング処理を繰り返す手法などを例示することができ、当該深掘り工程において、基板Ｋを異方的にエッチングする手法及びその処理条件は、適宜選択することができる。 【００９８】 ついで、基板Ｋの表面からマスクＭｆを除去した後、基板Ｋの表面にテープＳを貼付して、基板Ｋを表裏反転させて裏面側マスク形成工程を実施する（図１０（ｂ）参照）。この裏面側マスク形成工程では、表面側マスク形成工程と同様、所定の方法によって加工領域Ｄに対応する部分に開口部Ｍｂ１が形成された裏面側マスクＭｂを形成させる（図１０（ｃ）参照）。この裏面側マスクＭｂは、上記と同様、レジストマスクや酸化膜、メタルマスク、積層膜などである。 【００９９】 次に、裏面側マスクＭｂを形成させた基板Ｋを基台２５上に載置し、この基板Ｋを等方的にエッチングする裏面側エッチング工程を実施して、裏面側マスクＭｂの開口部Ｍｂ１を通して基板Ｋの裏面側マスクＭｂ直下部をエッチングする。これにより、図１１（ａ）に示すように、基板Ｋの裏面側にテーパ形状のトレンチＴが形成される。尚、この裏面側エッチング工程においても、基板Ｋを等方的にエッチングする手法及びその処理条件は、適宜選択すれば良い。 【０１００】 その後、貫通工程を実施する。この貫通工程では、前記深掘り工程で形成されたトレンチＴの底部に貫通するまで、裏面側マスクＭｂの開口部Ｍｂ１を通して基板Ｋを異方的にエッチングする。これにより、基板Ｋには、表裏面に貫通し、上部及び下部がテーパ形状となったトレンチＴが形成され、表裏面外周縁部が面取りされた基板Ｋ１が切り出される（図１１（ｂ）参照）。」 「【図３】 ［図：0001427952000001.jpg］ 【図４】 ［図：0001427952000002.jpg］ 」 「【図１０】 ［図：0001427952000003.jpg］ 【図１１】 ［図：0001427952000004.jpg］ 」 （イ）上記（ア）から、以下のことがいえる。 ａ 段落００６０には、「基板Ｋは半導体素子が形成される前のシリコン基板である。」と記載されている。 よって、基板Ｋはシリコン基板である。 ｂ 段落００５２には、「本例のプラズマ加工処理装置は」「処理チャンバ２」「を備えている。」と記載され、段落００６１には、「切り出される基板Ｋ１の厚みを所望の厚さにするために、基板Ｋをプラズマ加工装置１内に搬入して基台２５上に載置し、基板Ｋの表面全体をエッチングする（シンニング（薄化）工程）。」と記載され、段落００６３には、「次に、基板Ｋを処理チャンバ２から搬出し、表面側マスク形成工程を実施する。この表面側マスク形成工程では」、「加工領域Ｄに対応する部分にのみ開口部Ｍｆ１が形成された所定パターンの表面側マスクＭｆを形成させる（図２参照）。」と記載されている。 よって、上記ａを踏まえると、甲１には、切り出されるシリコン基板の厚みを所望の厚さにするために、シリコン基板をプラズマ加工装置１内に搬入して基台２５上に載置し、シリコン基板の表面全体をエッチングする薄化工程を実施し、次に、シリコン基板をプラズマ加工処理装置の処理チャンバ２から搬出し、加工領域Ｄに対応する部分にのみ開口部Ｍｆ１が形成された所定パターンの表面側マスクＭｆを形成させる、表面側マスク形成工程を実施することが記載されている。 ｃ 段落００６５には、「次に、表面側マスクＭｆを形成させた基板Ｋを処理チャンバ２内の基台２５上に載置して、当該基板Ｋに対して表面側エッチング工程を実施する。」と記載され、段落００６６には、「表面側エッチング工程においては、処理ガス供給機構１０によって、処理チャンバ２内にＳＦ６ガス、Ｃ４Ｆ８ガス及びＯ２ガスを所定の流量で供給し、コイル電力供給機構２０及び基台電力供給機構３０によってコイル１５及び基台２５に高周波電力を印加し、また、処理チャンバ２内の圧力が所定の圧力となるように、排気装置３５によって処理チャンバ２内の気体を排気する。」と記載され、段落００６７には、「これにより、処理チャンバ２内に供給したＳＦ６ガス、Ｃ４Ｆ８ガス及びＯ２ガスがプラズマ化され、表面側マスクＭｆの開口部を通して、基板Ｋへの保護膜の形成及び除去が並行して行われつつ、ＳＦ６ガスのプラズマ化により生成したエッチング種（例えばフッ素ラジカル）がシリコン原子と化学反応することによって基板Ｋが等方的にエッチングされる。この表面側エッチング工程を所定時間実施することで、図３（ｂ）に示すように」「基板Ｋにテーパ形状のトレンチＴが形成される。」と記載され、図３（ｂ）から、基板Ｋに表面側が大口径であるテーパ形状のトレンチが形成されることが見て取れる。 よって、上記ａ及びｂを踏まえると、甲１には、表面側マスク形成工程の次に、表面側マスクＭｆを形成させたシリコン基板を処理チャンバ２内の基台２５上に載置して、シリコン基板に対して表面側エッチング工程を実施し、表面側エッチング工程においては、処理ガス供給機構１０によって、処理チャンバ２内にＳＦ６ガス、Ｃ４Ｆ８ガス及びＯ２ガスを所定の流量で供給し、コイル電力供給機構２０及び基台電力供給機構３０によってコイル１５及び基台２５に高周波電力を印加し、また、処理チャンバ２内の圧力が所定の圧力となるように、排気装置３５によって処理チャンバ２内の気体を排気し、これにより、処理チャンバ２内に供給したＳＦ６ガス、Ｃ４Ｆ８ガス及びＯ２ガスがプラズマ化され、表面側マスクＭｆの開口部Ｍｆ１を通して、シリコン基板への保護膜の形成及び除去が並行して行われつつ、ＳＦ６ガスのプラズマ化により生成したエッチング種（例えばフッ素ラジカル）がシリコン原子と化学反応することによってシリコン基板が等方的にエッチングされ、シリコン基板に表面側が大口径であるテーパ形状のトレンチが形成されることが記載されている。 ｄ （ａ）段落００８６には、「上例の貫通工程においては、保護膜形成処理とエッチング処理と繰り返すことによって、基板Ｋを異方的にエッチングするようにしているが、貫通工程において異方的なエッチングを行う他の態様としては、保護膜の形成と基板Ｋのエッチングとを同時に行うようにし、基台２５に印加する電圧を徐々に大きくする方法などを例示することができ、貫通工程における基板を異方的にエッチングする手法や処理条件は、基板の材質等に合わせて適宜選択し得る。」と記載され、「貫通工程における基板を異方的にエッチングする手法」として、「保護膜形成処理とエッチング処理と繰り返すことによって、基板Ｋを異方的にエッチングする」手法、又は、「保護膜の形成と基板Ｋのエッチングとを同時に行うようにし、基台２５に印加する電圧を徐々に大きくする」手法から適宜選択し得ることが記載されている。 （ｂ）段落００９７には、「上例における表面側エッチング工程を実施した後、表面側マスクＭｆの開口部Ｍｆ１を通して基板Ｋを異方的にエッチングする深掘り工程を実施し、図１０（ａ）に示すように、基板ＫにトレンチＴを形成する。尚、この深掘り工程において、基板Ｋを異方的にエッチングする手法としては、前記貫通工程と同様に、保護膜形成処理及びエッチング処理を繰り返す手法などを例示することができ、当該深掘り工程において、基板Ｋを異方的にエッチングする手法及びその処理条件は、適宜選択することができる。」と記載され、上記（ａ）を踏まえると、表面側エッチング工程を実施した後、保護膜形成処理及びエッチング処理を繰り返す手法、又は、保護膜の形成と基板Ｋのエッチングとを同時に行うようにし、基台２５に印加する電圧を徐々に大きくする手法のいずれかを用いて、表面側マスクＭｆの開口部Ｍｆ１を通して基板Ｋを異方的にエッチングする深掘り工程を実施し、基板Ｋに、トレンチを形成することが記載されている。 （ｃ）さらに、図１０（ａ）から、基板Ｋのテーパ形状のトレンチの下に、テーパ形状のトレンチよりも深いトレンチが形成されることが見て取れる。 （ｄ）上記ａと、上記（ｂ）及び（ｃ）によれば、甲１には、表面側エッチング工程を実施した後、保護膜の形成とシリコン基板のエッチングとを同時に行うようにし、基台２５に印加する電圧を徐々に大きくする手法を用いて、表面側マスクＭｆの開口部Ｍｆ１を通してシリコン基板を異方的にエッチングする深掘り工程を実施し、シリコン基板のテーパ形状のトレンチの下に、テーパ形状のトレンチよりも深いトレンチを形成することが記載されている。 ｅ 上記（ア）並びに上記ａ～ｄによれば、甲１には、以下の発明（以下、「甲１製法発明」及び「甲１装置発明」という。）が記載されている。 ＜甲１製法発明＞ 「 切り出されるシリコン基板の厚みを所望の厚さにするために、シリコン基板をプラズマ加工装置１内に搬入して基台２５上に載置し、シリコン基板の表面全体をエッチングする薄化工程を実施し、（上記ｂ） 次に、シリコン基板をプラズマ加工処理装置１の処理チャンバ２から搬出し、加工領域Ｄに対応する部分にのみ開口部Ｍｆ１が形成された所定パターンの表面側マスクＭｆを形成させる、表面側マスク形成工程を実施し、（上記ｂ） 次に、表面側マスクＭｆを形成させたシリコン基板を処理チャンバ２内の基台２５上に載置して、シリコン基板に対して表面側エッチング工程を実施し、表面側エッチング工程においては、処理ガス供給機構１０によって、処理チャンバ２内にＳＦ６ガス、Ｃ４Ｆ８ガス及びＯ２ガスを所定の流量で供給し、コイル電力供給機構２０及び基台電力供給機構３０によってコイル１５及び基台２５に高周波電力を印加し、また、処理チャンバ２内の圧力が所定の圧力となるように、排気装置３５によって処理チャンバ２内の気体を排気し、これにより、処理チャンバ２内に供給したＳＦ６ガス、Ｃ４Ｆ８ガス及びＯ２ガスがプラズマ化され、表面側マスクＭｆの開口部Ｍｆ１を通して、シリコン基板への保護膜の形成及び除去が並行して行われつつ、ＳＦ６ガスのプラズマ化により生成したエッチング種（例えばフッ素ラジカル）がシリコン原子と化学反応することによってシリコン基板が等方的にエッチングされ、シリコン基板に表面側が大口径であるテーパ形状のトレンチが形成され、（上記ｃ） 表面側エッチング工程を実施した後、保護膜の形成とシリコン基板のエッチングとを同時に行うようにし、基台２５に印加する電圧を徐々に大きくする手法を用いて、表面側マスクＭｆの開口部Ｍｆ１を通してシリコン基板を異方的にエッチングする深掘り工程を実施し、シリコン基板のテーパ形状のトレンチの下に、テーパ形状のトレンチよりも深いトレンチを形成し、（上記ｄ） シリコン基板の表面からマスクＭｆを除去した後、シリコン基板の表面にテープＳを貼付して、シリコン基板を表裏反転させて裏面側マスク形成工程を実施し、（段落００９８） このシリコン基板を等方的にエッチングする裏面側エッチング工程を実施して、裏面側マスクＭｂの開口部Ｍｂ１を通してシリコン基板の裏面側マスクＭｂ直下部をエッチングし、（段落００９９） 前記深掘り工程で形成されたトレンチの底部に貫通するまで、裏面側マスクＭｂの開口部Ｍｂ１を通してシリコン基板を異方的にエッチングし、 これにより、シリコン基板には、表裏面に貫通し、上部及び下部がテーパ形状となったトレンチが形成され、表裏面外周縁部が面取りされたシリコン基板が切り出される、（段落０１００） プラズマ加工方法。（段落００６０）」 ＜甲１装置発明＞ 「 内部空間の上方にプラズマ生成空間５が設定され、このプラズマ生成空間５よりも下方に処理空間６が設定される円筒状の処理チャンバ２と、前記プラズマ生成空間５に処理ガスを供給する処理ガス供給機構１０と、前記プラズマ生成空間５内に誘導電界を発生させるための環状のコイル１５と、このコイル１５に高周波電力を供給するコイル電力供給機構２０と、前記処理空間６内に配設され、シリコン基板を載置するための基台２５と、この基台２５に高周波電力を供給する基台電力供給機構３０と、処理チャンバ２内の気体を排気する排気装置３５とを備えているプラズマ加工装置１であって、（段落００５２） コイル電力供給機構２０によれば、コイル１５に高周波電力が供給されることで、プラズマ生成空間５内に誘導電界が発生し、当該プラズマ生成空間５内に供給された処理ガスがプラズマ化され、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）が生成され、（段落００５６） プラズマ加工装置１を用いて、表面側マスクＭｆを形成させたシリコン基板を処理チャンバ２内の基台２５上に載置して、シリコン基板に対して表面側エッチング工程を実施し、表面側エッチング工程においては、処理ガス供給機構１０によって、処理チャンバ２内にＳＦ６ガス、Ｃ４Ｆ８ガス及びＯ２ガスを所定の流量で供給し、コイル電力供給機構２０及び基台電力供給機構３０によってコイル１５及び基台２５に高周波電力を印加し、また、処理チャンバ２内の圧力が所定の圧力となるように、排気装置３５によって処理チャンバ２内の気体を排気し、これにより、処理チャンバ２内に供給したＳＦ６ガス、Ｃ４Ｆ８ガス及びＯ２ガスがプラズマ化され、表面側マスクＭｆの開口部Ｍｆ１を通して、シリコン基板への保護膜の形成及び除去が並行して行われつつ、ＳＦ６ガスのプラズマ化により生成したエッチング種（例えばフッ素ラジカル）がシリコン原子と化学反応することによってシリコン基板が等方的にエッチングされ、シリコン基板に表面側が大口径であるテーパ形状のトレンチが形成され、（上記ｃ） 表面側エッチング工程を実施した後、保護膜の形成とシリコン基板のエッチングとを同時に行うようにし、基台２５に印加する電圧を徐々に大きくする手法を用いて、表面側マスクＭｆの開口部Ｍｆ１を通してシリコン基板を異方的にエッチングする深掘り工程を実施し、シリコン基板のテーパ形状のトレンチの下に、テーパ形状のトレンチよりも深いトレンチを形成し、（上記ｄ） シリコン基板の表面からマスクＭｆを除去した後、シリコン基板の表面にテープＳを貼付して、シリコン基板を表裏反転させて裏面側マスク形成工程を実施し、（段落００９８） このシリコン基板を等方的にエッチングする裏面側エッチング工程を実施して、裏面側マスクＭｂの開口部Ｍｂ１を通してシリコン基板の裏面側マスクＭｂ直下部をエッチングし、（段落００９９） 前記深掘り工程で形成されたトレンチの底部に貫通するまで、裏面側マスクＭｂの開口部Ｍｂ１を通してシリコン基板を異方的にエッチングし、 これにより、シリコン基板には、表裏面に貫通し、上部及び下部がテーパ形状となったトレンチが形成され、表裏面外周縁部が面取りされたシリコン基板が切り出される、（段落０１００） プラズマ加工装置１。（段落００５２）」 イ 甲２の記載 甲２には、以下の記載がある。 「【００４８】 エッチングガスとしては、ＳＦ６とＯ２とＳｉＦ４を含むガスを用いることが好ましい。ＳＦ６ガスは、プラズマ中で生成されるＦ原子の密度が他のフッ素系ガスよりも数倍大きいことや、ＳＦ６に含まれるＳ原子がＳｉ表面の酸化を防止してＳｉエッチングを促進する働きがあることから、シリコンエッチングに好適に用いることができる。また、Ｏ２ガスは、シリコン基板１０１中のシリコンと反応して側壁にシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）を形成し、垂直方向への異方性エッチングを促進する働きがある。さらに、ＳｉＦ４は、プラズマ中で解離して気相状態のＳｉを生成させるので、このＳｉがＯ２分子や酸素ラジカルと反応することにより、マスク（ＳｉＯ２層１０２）上にシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）を堆積するとともに側壁保護膜（ＳｉＯｘ）を増強させ、マスク選択比を改善し、サイドエッチングの進行を抑制する作用がある。」 ウ 甲３の記載 甲３には、以下の記載がある。 「【００５１】 プロセスコントローラ６１は、処理ガス供給源１５およびガス調整部１５ｂを制御して、ＳＦ６、Ｏ２、ＳｉＦ４およびＨＢｒのガスを、例えば図３の「Ｎｏｎ－ＤＹＰ」に示す流量で処理チャンバー１に所定時間供給し、シリコン層をエッチングする（ステップＳ８１。以下「Ｓ８１」のように称する。）。なお、ステップ８１は、Ｎｏｎ－ＤＹＰ工程に相当する。具体的には、排気装置７３により処理チャンバー１内を排気した状態で、処理ガス供給源１５およびガス調整部１５ｂにより処理ガス（混合ガス）を所定の流量で処理空間１ｂに導入し、処理チャンバー１内の圧力を設定値にする。また、直流電源１２によりウエハＷを載置台２に静電引力により固定することによって支持した状態で、第１の高周波電源１０ａにより第１の高周波電力を載置台２に供給する。すると、シャワーヘッド１６より吐出されたエッチングガスはマグネトロン放電によりプラズマ化され、プラズマ化したプラズマはウエハＷに照射される。 ・・・（中略）・・・ 【００５５】 図１２Ｂに示すように、保護膜１５５は、マスク膜１５４の上面、マスク膜１５４の開口部１５４ａの側壁、第２のハードマスク膜１５３の開口部１５３ａの側壁、第１のハードマスク膜１５２の開口部１５２ａの側壁、及びシリコン層１５１の穴部１５１ａの側壁１５１ｂ（図１２Ｃ参照。）に堆積する。一方、シリコン層１５１の穴部１５１ａの底面１５１ｃは、ウエハＷ表面から最も遠いため、マスク膜１５４の上面からシリコン層１５１の穴部１５１ａの側壁１５１ｂにかけての部分と比較して、保護膜１５５の堆積速度が小さい。従って、穴部１５１ａを深さ方向にエッチングするエッチング速度が穴部１５１ａを横方向にエッチングするエッチング速度に対して大きくなる異方性エッチングを行うことができ、穴部１５１ａの側壁１５１ｂをウエハＷ表面に対して垂直にすることができる。」 エ 甲４の記載 甲４には、以下の記載がある。 「【００１８】 次に、本実施例１における溝からなる深いシリコントレンチエッチング方法の具体的な例を説明する。ここでは、前述のプラズマエッチング装置を使用し、ＳＦ６，Ｏ２，ＳｉＦ４の混合ガスプラズマを主体としたプロセスにおける一例を示す。 ・・・（中略）・・・ 【００２１】 上記のエッチング過程において、エッチング処理室１０１に導入されたＳＦ６とＯ２、ＳｉＦ４ガスが、それぞれＳｉ、Ｓ、Ｆ、Ｏのイオン及びラジカルに解離し、被処理基板２０２の表面との反応とともにＳｉＦやＳｉＯを生成する。 【００２２】 一方、トレンチ開口部２０３内のエッチングの進行と同時に、適度なＳｉＯが側壁保護膜として形成され、Ｆラジカルによる等方的エッチングを抑制し、異方性・高速エッチングが可能となっている。また、上述の説明では混合ガスとしてＳｉＦ４の含有を必須としたが、側壁保護膜として適度なＳｉＯが形成されればＳＦ６とＯ２ガスでも本発明は達成される。」 オ 甲５の記載 甲５には、以下の記載がある。 「【０００７】 また、上記特許文献２の従来技術では、アスペクト比率が高い低開口（３μｍ未満）および深穴（２０μｍ以上）に対するエッチング方法については記載されておらず、アスペクト比が高い構造のトレンチに対してのエッチング方法が確立されていない為、深さ方向のエッチングが進行する過程において、エッチングが完了した上層部のトレンチ側壁面での側壁保護が不十分となり、エッチング終了過程において側壁荒れが生じるという課題が挙げられる。 ・・・（中略）・・・ 【課題を解決するための手段】 【０００９】 上記の目的を達成するため、本発明は、シリコン基板、または、シリコン酸化物誘電体層を含むシリコン基板に対して、ＳＦ６とＯ２からなる混合ガス、または、ＳＦ６、Ｏ２とＳｉＦ４からなる混合ガスに、その混合された総ガス流量の５％～１６％の範囲で水素を含有するガスを添加した混合ガスプラズマでシリコントレンチを形成して溝または穴を形成するプラズマエッチングを行うことを特徴とする。 【発明の効果】 【００１０】 本発明によれば、高速エッチングレートを維持したまま、すなわち、スループットを維持したままで、トレンチ形状、特に側面荒れの無い形状を提供する事ができる。また、トレンチ側壁面の保護には微量のＨ（水素）を含むガスを添加することにより達成される為、チャンバー内壁などに付着する反応副生成物の急激な増加は無視する事ができるため、チャンバー内はクリーンな状態を維持することができる。」 「【００１７】 次に、本発明のＳｉエッチング方法の具体的な実施例を以下、説明する。 ここでは、前述のプラズマエッチング装置を使用し、ＳＦ６，Ｏ２，ＳｉＦ４の混合ガスプラズマを主体としたプロセスにおける一例を示す。被処理基板１０２の詳細構造とエッチング後の状態を図２に示す。 【００１８】 図２（ａ）に示す通り、被処理基板２０２は、ＳｉＯ２などからなるマスク材２０１でパターニングされたＳｉ基板において、図２（ｂ）に示すようにトレンチ開口部２０３のエッチングが進行する。このエッチングはエッチング処理室１０１に導入されたＳＦ６とＯ２ガスが、それぞれＳｉ、Ｓ、Ｆ、Ｏのイオン及びラジカルに解離し、被処理基板２０２表面との反応とともにＳｉＦやＳｉＯを生成する。この反応過程で発生したＳｉＦ、およびＳｉＦ４ガスの解離で発生したＳｉＦが、トレンチ開口部２０３内のエッチングを牽引する。 【００１９】 一方、トレンチ開口部２０３内のエッチングの進行と同時に、適度なＳｉＯが側壁保護膜として形成され、Ｆラジカルによる等方的エッチングを抑制し、異方性・高速エッチングが可能となっている。また、ＳＦ６とＯ２ガスの混合ガスプラズマで基板のシリコンとの反応によって生成したＳｉＯが、比較的薄くチャンバー内壁に形成される為、付着物の剥離による異物発生が少なく、ウエット周期を長くできる利点もある。 また、上述の説明では混合ガスとしてＳｉＦ４の含有を必須としたが、側壁保護膜として適度なＳｉＯが形成されればＳＦ６とＯ２ガスでも本発明は達成される。」 「【００２５】 図４は、前述のエッチング形状を示す一例である。アスペクト比が比較的小さい構造（被処理基板２０２に形成されるトレンチ開口部２０３の径に対する深さの比であるアスペクト比が５程度）では、図４（ａ）に示す通り、トレンチ側壁に面荒れの無いエッチング形状を得る事が出来た。また、図４（ｂ）に示す通り、アスペクト比が大きい構造（被処理基板２０２に形成されるトレンチ開口部２０３の径に対する深さの比であるアスペクト比が７程度）においても、エッチングストップなどの弊害が発生せず、トレンチ側壁に面荒れが無いエッチング形状を得る事が出来た。」 「【図４】 ［図：0001427952000005.jpg］ 」 （２） 本件発明１について ア 対比 本件発明１と、甲１製法発明とを対比する。 （ア）甲１製法発明において、「Ｃ４Ｆ８ガス」がＣＦ系ガスであることを踏まえると、甲１製法発明の「ＳＦ６ガス、Ｃ４Ｆ８ガス及びＯ２ガス」は、ＳＦ６ガス及びＣＦ系ガスを含む混合ガスであるから、本件発明１の「ＳＦ６ガスとＣＦ系ガスの混合ガス」に相当する。 そして、甲１製法発明の「表面側エッチング工程を実施し、表面側エッチング工程においては」「処理チャンバ２内に供給したＳＦ６ガス、Ｃ４Ｆ８ガス及びＯ２ガスがプラズマ化され」、「ＳＦ６ガスのプラズマ化により生成したエッチング種（例えばフッ素ラジカル）がシリコン原子と化学反応することによってシリコン基板が等方的にエッチングされ、シリコン基板に表面側が大口径であるテーパ形状のトレンチが形成され」ることは、本件発明１の「シリコン基板を、ＳＦ６ガスとＣＦ系ガスの混合ガスを用いて等方性エッチングすることにより表面側が大口径であるテーパ形状を形成する第１工程」に相当する。 （イ）ａ 甲１製法発明において、「シリコン基板を異方的にエッチングする深掘り工程」は、エッチングにより「深いトレンチを形成する」ものであるから、深さ方向に強いエッチングを行う異方性エッチングによりトレンチを形成するものである。 ｂ 本件明細書の段落０００２には、「深い溝（トレンチ）や穴（ホール）（以下、これらを総称して深堀構造と言う。）」と記載されており、深い溝（トレンチ）は「深堀構造」であるといえる。また、トレンチが底部を有することは明らかであるから、甲１製法発明の「トレンチ」は「シリコン基板」を貫通しないものであるといえる。よって、甲１製法発明の「深いトレンチ」は、本件発明１の「シリコン基板を貫通しない深堀構造」に相当する。 ｃ 上記ａ及びｂによれば、甲１製法発明において、「表面側エッチング工程を実施した後」、「シリコン基板を異方的にエッチングする深掘り工程を実施し、シリコン基板のテーパ形状のトレンチの下に、テーパ形状のトレンチよりも深いトレンチを形成すること」は、「前記第１工程後に」「深さ方向に強いエッチングを行う異方性エッチングにより前記テーパ形状の下に前記シリコン基板を貫通しない深堀構造を形成する」点で、本件発明１の「第２工程」と共通する。 （ウ） 甲１製法発明の「表裏面外周縁部が面取りされたシリコン基板が切り出される、プラズマ加工方法」は、「表裏面外周縁部が面取りされたシリコン基板」の製造方法であるといえる。よって、上記（ア）及び（イ）を踏まえると、本件発明１と甲１製法発明とは、「第１工程」及び「第２工程」を備える「製造方法」である点で、一致する。 （エ）上記（ア）～（ウ）によれば、本件発明１と甲１製法発明とは、以下の点で一致し、相違する。 ＜一致点＞ 「 シリコン基板を、ＳＦ６ガスとＣＦ系ガスの混合ガスを用いて等方性エッチングすることにより表面側が大口径であるテーパ形状を形成する第１工程と、 前記第１工程後に深さ方向に強いエッチングを行う異方性エッチングにより前記テーパ形状の下に前記シリコン基板を貫通しない深堀構造を形成する第２工程 を備える、 製造方法。」 ＜相違点１＞ 本件発明１は、「第２工程」の「異方性エッチング」において「ＳＦ６ガスとＯ２ガスとＳｉＦ４ガスの混合ガスを用い」るのに対し、甲１製法発明は、「異方的にエッチングする深掘り工程」において「保護膜の形成とシリコン基板のエッチングとを同時に行うように」するものであるが、その際に用いるガスが特定されていない点。 ＜相違点２＞ 本件発明１は、「上部にテーパ形状を持ち、貫通しない深堀構造を有するシリコン基板の製造方法」であるのに対し、甲１製法発明は、「シリコン基板には、表裏面に貫通し、上部及び下部がテーパ形状となったトレンチが形成され、表裏面外周縁部が面取りされたシリコン基板が切り出される、プラズマ加工方法」である点。 イ 相違点についての判断 事案に鑑み、相違点２から検討する。 （ア）甲１の段落００１２には、「外周縁部が面取りされた形状の基板を切り出すことができ、外周縁部が面取りされた基板の製造コストを抑えることができるプラズマ加工方法」「の提供を、その目的とする。」と記載されている。したがって、甲１製法発明は、外周縁部が面取りされた形状の基板を切り出すことを目的とするものであるといえる。 （イ）そうすると、甲１製法発明において、「深掘り工程」を実施した後、「トレンチの底部に貫通するまで」「エッチング」することなく、貫通しない深堀構造を有するシリコン基板の製造方法とした場合、甲１製法発明の目的を達成することはできない。 よって、甲１製法発明において、相違点２に係る本件発明１の構成とすることには阻害要因がある。 （ウ）そして、甲２～甲５の記載は、上記（イ）の判断を変えるものではない。したがって、甲２～甲５の記載を参照しても、甲１製法発明を、相違点２に係る本件発明１の構成を備えたものとすることは、当業者といえども容易になし得たことではない。 ウ 申立人の主張について （ア）申立人は、令和７年５月８日提出の意見書の第１頁下から１５行～６行、第２頁第７行～第１１行、及び、第４頁第１６行～第１８行において、甲１の段落００９６～段落００９８及び図１０には、基板Ｋ１に対して表面側エッチングを実施して、上部にテーパ形状を形成し、その後、異方性エッチングを実施して、貫通しない深堀り構造を形成する記載があり、テーパ形状と深堀構造とが形成及び維持されたシリコン基板は明確に開示されているから、本件発明１の「上部にテーパ形状を持ち、貫通しない深堀構造を有するシリコン基板の製造方法」は、甲１に記載されている旨主張している。 （イ）ａ 上記主張について検討する。一般に、「製造」は、「原料に人工を加えて製品とすること。」（広辞苑第四版）を意味するから、本件発明１の「貫通しない深堀構造を有するシリコン基板の製造方法」は、原料を加工して製品としての「貫通しない深堀構造を有するシリコン基板」にする方法であるといえる。 ｂ 一方、申立人が主張する、甲１の段落００９６～段落００９８及び図１０に示された「テーパ形状と深堀構造とが形成されたシリコン基板」は、甲１の段落００９９、段落０１００及び図１１によれば、「次に」「基板Ｋを等方的にエッチングする裏面側エッチング工程を実施し」、「その後」「貫通工程を実施」し、「これにより、基板Ｋには、表裏面に貫通し、上部及び下部がテーパ形状となったトレンチＴが形成され、表裏面外周縁部が面取りされた基板Ｋ１が切り出される」ものであり、「表裏面外周縁部が面取りされた基板Ｋ１」を切り出す製造過程の途中の状態であるから、甲１において製造される製品ではない。 ｃ したがって、甲１に、「上部にテーパ形状を持ち、貫通しない深堀構造を有するシリコン基板の製造方法」が記載されているとはいえず、上記申立人の主張を採用することはできない。 エ 小括 以上のとおりであるから、相違点１について検討するまでもなく、本件発明１は、甲２～甲５の記載を参照しても、甲１製法発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）本件発明２～４について 請求項２～４の記載は、直接又は間接的に請求項１の記載を引用するものであるところ、本件発明２～４は、本件発明１の構成を全て備えるものであるから、相違点２に係る本件発明１の構成も備えるものである。 そうすると、上記（２）イにおける検討と同様の理由により、本件発明２～４は、甲２～甲５の記載を参照しても、甲１製法発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （４）本件発明５について ア 対比 本件発明５と甲１装置発明とを対比する。 （ア）甲１装置発明の「シリコン基板を載置するための基台２５」は、本件発明５の「被処理シリコン基板を保持する基板保持部」に相当する。そして、甲１装置発明の「処理チャンバ２」は、「処理空間６が設定され」、「前記処理空間６内に」「基台２５」が配設されるものであるから、本件発明５の「被処理シリコン基板を保持する基板保持部を有するプラズマ処理室」に相当する。 （イ）甲１装置発明の「処理ガス供給機構１０」は、「プラズマ生成空間５に処理ガスを供給する」ものであり、また、「ＳＦ６ガス、Ｃ４Ｆ８ガス及びＯ２ガスを所定の流量で供給」するから、「前記プラズマ処理室にＳＦ６ガス、ＣＦ系ガス、Ｏ２ガス」「をそれぞれ制御された流量で導入する」点で、本件発明５の「ガス導入部」と共通する。 （ウ）甲１装置発明において、「コイル電力供給機構２０によれば」「当該プラズマ生成空間５内に供給された処理ガスがプラズマ化され」るから、甲１装置発明の「コイル電力供給機構２０」は、本件発明５の「前記プラズマ処理室内のガスをプラズマ化するための高周波電力を投入する電力部」に相当する。 （エ）甲１装置発明の「プラズマ加工装置」は、「処理チャンバ２」、「処理ガス供給機構１０」及び「コイル電力供給機構２０」を有するから、「プラズマ処理室」、「ガス導入部」及び「電力部」を備える点で、本願発明５の「プラズマ処理装置」と一致する。 （オ）甲１装置発明において、「処理ガス供給機構１０によって」「ガスを所定の流量で供給し」、「コイル電力供給機構２０」「によってコイル１５」「に高周波電力を印加し」、「ガスがプラズマ化され」るために、「処理ガス供給機構１０」及び「コイル電力供給機構２０」が制御されることは明らかである。 （カ）上記（２）ア（ア）及び上記（オ）を踏まえると、甲１装置発明の「表面側エッチング工程」は、「表面側マスクＭｆを形成させたシリコン基板を処理チャンバ２内の基台２５上に載置して、シリコン基板に対して」実施され、「処理チャンバ２内に供給したＳＦ６ガス、Ｃ４Ｆ８ガス及びＯ２ガスがプラズマ化され、表面側マスクＭｆの開口部Ｍｆ１を通して、シリコン基板への保護膜の形成及び除去が並行して行われつつ、ＳＦ６ガスのプラズマ化により生成したエッチング種（例えばフッ素ラジカル）がシリコン原子と化学反応することによってシリコン基板が等方的にエッチングされ、シリコン基板に表面側が大口径であるテーパ形状のトレンチが形成され」るものであるから、本件発明５の「前記ガス導入部及び前記電力部を制御することにより、基板保持部に保持されたシリコン基板を、ＳＦ６ガスとＣＦ系ガスの混合ガスを用いて等方性エッチングすることにより表面側が大口径であるテーパ形状を形成する第１工程」に相当する。 （キ）上記（２）ア（イ）ａ及びｂ並びに上記（カ）を踏まえると、甲１装置発明の「表面側エッチング工程を実施した後、保護膜の形成とシリコン基板のエッチングとを同時に行うようにし、基台２５に印加する電圧を徐々に大きくする手法を用いて、表面側マスクＭｆの開口部Ｍｆ１を通してシリコン基板を異方的にエッチングする深掘り工程を実施し、シリコン基板のテーパ形状のトレンチの下に、テーパ形状のトレンチよりも深いトレンチを形成する」ことは、本件発明１の「第２工程」と、「前記第１工程後に」「深さ方向に強いエッチングを行う異方性エッチングにより前記テーパ形状の下にシリコン基板を貫通しない深堀構造を形成する第２工程を行う」点で共通する。 （ク）上記（ア）～（キ）によれば、本件発明５と甲１装置発明とは、以下の点で一致し、相違する。 ＜一致点＞ 「 被処理シリコン基板を保持する基板保持部を有するプラズマ処理室と、 前記プラズマ処理室にＳＦ６ガス、ＣＦ系ガス、Ｏ２ガスをそれぞれ制御された流量で導入するためのガス導入部と、 前記プラズマ処理室内のガスをプラズマ化するための高周波電力を投入する電力部と、 を備え、 前記ガス導入部及び前記電力部を制御することにより、基板保持部に保持されたシリコン基板を、ＳＦ６ガスとＣＦ系ガスの混合ガスを用いて等方性エッチングすることにより表面側が大口径であるテーパ形状を形成する第１工程と、前記第１工程後に深さ方向に強いエッチングを行う異方性エッチングにより前記テーパ形状の下にシリコン基板を貫通しない深堀構造を形成する第２工程を行う、 プラズマ処理装置。」 ＜相違点３＞ 本件発明５は、「ガス導入部」が「ＳＦ６ガス、ＣＦ系ガス、Ｏ２ガス及びＳｉＦ４ガスを」「導入する」ものであるのに対し、甲１装置発明は、「処理ガス供給機構１０」が「ＳＦ６ガス、Ｃ４Ｆ８ガス及びＯ２ガスを」導入するものの「ＳｉＦ４ガス」を導入するものではない点。 ＜相違点４＞ 本件発明５は、「前記テーパ形状の下に深堀構造を形成する第２工程」において、「ＳＦ６ガスとＯ２ガスとＳｉＦ４ガスの混合ガスを用い」るのに対し、甲１装置発明は、「シリコン基板を異方的にエッチングする深掘り工程」において「保護膜の形成とシリコン基板のエッチングとを同時に行うように」するものであるが、その際に用いるガスが特定されていない点。 ＜相違点５＞ 本件発明５は、「第１工程」と「第２工程」を行う「制御部」を備えるのに対し、甲１装置発明は、そのような構成を備えない点。 ＜相違点６＞ 本件発明５の「プラズマ処理装置」は、「上部にテーパ形状を持ち、貫通しない深堀構造を有するシリコン基板を製造するための」ものであるのに対し、甲１装置発明の「プラズマ加工装置１」は、「シリコン基板には、表裏面に貫通し、上部及び下部がテーパ形状となったトレンチが形成され、表裏面外周縁部が面取りされたシリコン基板が切り出される」ものである点。 イ 相違点についての判断 事案に鑑み、相違点６から検討する。 （ア）上記（２）イにおける検討と同様の理由により、甲１装置発明において、「深掘り工程」を実施した後、「トレンチの底部に貫通するまで」「エッチング」することなく、貫通しない深堀構造を有するシリコン基板の製造装置とした場合、甲１装置発明の目的を達成することはできない。 よって、甲１装置発明において、相違点６に係る本件発明５の構成とすることには阻害要因がある。 （イ）そして、甲２～甲５の記載は、上記（ア）の判断を変えるものではない。したがって、甲２～甲５の記載を参照しても、甲１装置発明を、相違点６に係る本件発明５の構成を備えたものとすることは、当業者といえども容易になし得たことではない。 ウ 小括 以上のとおりであるから、相違点３～相違点５について検討するまでもなく、本件発明５は、甲２～甲５の記載を参照しても、甲１装置発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （５）本件発明６について 請求項６の記載は、請求項５の記載を引用するものであるところ、本件発明６は、本件発明５の構成を全て備えるものであるから、相違点６に係る本件発明５の構成も備えるものである。 そうすると、上記（４）イにおける検討と同様の理由により、本件発明６は、甲２～甲５の記載を参照しても、甲１装置発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ２ 甲６を主引用例とした進歩性について（申立理由２） （１）甲号証について ア 甲６の記載、甲６に記載された発明 （ア）甲６には、以下の記載がある。 「【００１６】 半導体基板１０は、例えばシリコン基板である。半導体素子１２は、半導体装置の所定の機能を実現するための素子であり、ＭＯＳトランジスタ等を含む。」 「【００３５】 次いで、マスク膜５８をマスクとして半導体基板１０及び層間絶縁層２０をうら面側からエッチングすることにより、開口部５６から連通し、パッド電極３０に達する開口部６０を形成する。これにより、開口部５６，６０からなり、うら面側から半導体基板１０及び層間絶縁層２０を貫きパッド電極３０に達するビアホール６４を形成する（図４（ｂ））。 【００３６】 開口部６０は、半導体基板１０の深部に向かう方向（法線方向）に沿って開口幅がほぼ一定な垂直形状になるように、異方性エッチングにより形成する。膜厚が１００μｍを越えるような厚い半導体基板１０は、例えば、いわゆるボッシュプロセスを用いてエッチングすることができる。層間絶縁層２０は、例えば、ＣＦ４／Ｃ４Ｆ８／Ｏ２／Ａｒ混合ガスをエッチングガスに用いた容量結合型ＲＩＥによりエッチングすることができる。 【００３７】 ボッシュプロセスとは、（１）等方的なエッチングステップ、（２）保護膜成膜ステップ、（３）ビア底面の保護膜除去ステップ、の３ステップを１サイクルとして、各ステップを短時間ずつ高速に切り替え、このサイクルを繰り返す手法である。等方的なエッチングステップでは、ＳＦ６等のガスを用い、主にラジカルを反応種としてエッチングを進行する。このステップを長時間行うとサイドエッチングが大きくなってしまうため、短時間（数秒程度）で保護膜成膜ステップに切り替える。保護膜成膜ステップでは、プラズマ中でＣ４Ｆ８等のガスを分解することでＣＦ重合膜を堆積する。このステップも数秒程度の短時間で次のステップに切り替える。ビア底面の保護膜除去ステップでは、ＳＦ６等のガスを用い、半導体基板１０が設置されているステージ側に比較的高いバイアスパワーを印加することで、異方性をもったイオンを半導体基板１０に入射し、底面の保護膜を除去する。このとき、側面部にはイオンがほとんど入射しないため、側面の保護膜は除去されない。次のサイクルの等方的なエッチングステップにおいて、側面部は保護膜によってエッチングから保護され、開口部６０の底面のみエッチングが進行する。このサイクルを繰り返すことで、半導体基板１０の深さ方向に少しずつ垂直にエッチングを進めることができる。」 「【００４７】 次いで、ビアホール６４内に銅やアルミニウム等の金属材料を埋め込み、貫通電極７０を形成する（図５（ｂ））。・・・（中略）・・・ 【００４９】 次いで、半導体基板１０のうら面側にソルダーレジスト７２を塗布し、パターニングにより貫通電極７０を露出する開口部を形成後、露出した貫通電極７０上にはんだボール７４を設置する（図５（ｃ））。この後、ダイシング等の工程を経て、本実施形態による半導体装置が完成する。」 「【００６１】 本実施形態では、図１に示す第１実施形態による半導体装置の他の製造方法を示す。 まず、図２（ａ）乃至図３（ａ）に示す第１実施形態による半導体装置の製造方法と同様にして、半導体素子１２、パッド電極３０等を形成した半導体基板１０をバックグラインド処理し、半導体基板を例えば２００μｍ厚まで薄化する。 【００６２】 次いで、半導体基板１０のうら面側に、フォトリソグラフィにより、開口部６８を有するマスク膜６６を形成する。・・・（中略）・・・ 【００６３】 次いで、マスク膜６６をマスクとして、開口部６８内の半導体基板１０をエッチングし、半導体基板１０に開口部５６を形成する（図６（ａ））。開口部５６は、開口幅が底面に向けて狭くなるテーパー形状になるように形成する。例えば、ＳＦ６／Ｃ４Ｆ８／Ｏ２混合ガスをエッチングガスに用いた誘導結合型ＲＩＥにより、テーパー形状の開口部５６を形成することができる。・・・（中略）・・・ 【００６４】 本実施形態では、第１実施形態とは異なり、水平方向にもエッチングが進行する等方的なエッチング条件を用いて半導体基板１０をエッチングすることにより、側面がテーパー形状である開口部５６を形成する。・・・（中略）・・・ 【００６５】 次いで、例えばアッシングにより、マスク膜６６を除去する。・・・（中略）・・・ 【００６６】 次いで、図３（ｃ）に示す第１実施形態による半導体装置の製造方法と同様にして、開口部５６の側面及び底面を含む半導体基板１０のうら面側に、酸化シリコン膜よりなるマスク膜５８を形成する（図６（ｂ））。なお、マスク膜５８は、第２実施形態に示したように、半導体基板１０及び層間絶縁層２０とはエッチング特性の異なる絶縁材料により形成してもよい。 【００６７】 次いで、図４（ａ）に示す第１実施形態による半導体装置の製造方法と同様にして、マスク膜５８をエッチバックし、開口部５６の底面のマスク膜５８を選択的に除去する（図６（ｃ））。 【００６８】 次いで、図４（ｂ）に示す第１実施形態による半導体装置の製造方法と同様にして、マスク膜５８をマスクとして半導体基板１０及び層間絶縁層２０をエッチングし、パッド電極３０に達する開口部６０を形成する（図７（ａ））。 【００６９】 次いで、図４（ｃ）乃至図５（ａ）に示す第１実施形態による半導体装置の製造方法と同様にして、このようにして形成したビアホール６４の側面をマスク膜５８及び絶縁膜６２により被覆する（図７（ｂ））。 【００７０】 次いで、図５（ｂ）乃至図５（ｃ）に示す第１実施形態による半導体装置の製造方法と同様にして、貫通電極７０、ソルダーレジスト７２、はんだボール７４等を形成する（図７（ｃ））。 【００７１】 このように、本実施形態によれば、貫通電極と半導体基板との間の絶縁性能の低下を抑制することができ、歩留まり及び長期的な信頼性の高い半導体装置を実現することができる。」 「【図６】 ［図：0001427952000006.jpg］ 【図７】 ［図：0001427952000007.jpg］ （イ）上記（ア）によれば、以下のことがいえる。 ａ 段落００１６には「半導体基板１０は、例えばシリコン基板である。」と記載されている。 よって、「半導体基板」は「シリコン基板」のことである。 ｂ 図７（ａ）から、開口部６０は、半導体基板１０を貫通してパッド電極３０に達し、ビアホール６４は、開口部５６及び開口部６０からなることが見て取れる。 ｃ 上記ア並びに上記ａ及びｂによれば、甲６には、以下の発明（以下、「甲６発明」という。）が記載されている。 ＜甲６発明＞ 「半導体素子１２、パッド電極３０等を形成したシリコン基板をバックグラインド処理し、半導体基板を例えば２００μｍ厚まで薄化し、（段落００１６、段落００６１） シリコン基板のうら面側に、フォトリソグラフィにより、開口部６８を有するマスク膜６６を形成し、（段落００６２） マスク膜６６をマスクとして、ＳＦ６／Ｃ４Ｆ８／Ｏ２混合ガスをエッチングガスに用いた誘導結合型ＲＩＥにより、開口部６８内のシリコン基板をエッチングして、開口部５６を形成し、開口部５６は、開口幅が底面に向けて狭くなるテーパー形状になるように形成し、（段落００６３） 開口部５６は、水平方向にもエッチングが進行する等方的なエッチング条件を用いて半導体基板１０をエッチングすることにより形成され、（段落００６４） アッシングにより、マスク膜６６を除去し、（段落００６５） 開口部５６の側面及び底面を含むシリコン基板のうら面側に、酸化シリコン膜よりなるマスク膜５８を形成し、（段落００６６） マスク膜５８をエッチバックし、開口部５６の底面のマスク膜５８を選択的に除去し、（段落００６７） マスク膜５８をマスクとしてシリコン基板及び層間絶縁層２０をエッチングし、シリコン基板を貫通してパッド電極３０に達する開口部６０を形成し、開口部６０は、シリコン基板の深部に向かう方向に沿って開口幅がほぼ一定な垂直形状になるように、異方性エッチングにより形成され、（上記ａ、段落００３６、段落００６８） 異方性エッチングは、ＳＦ６等のガスを用いる等方的なエッチングステップ、Ｃ４Ｆ８等のガスを分解することでＣＦ重合膜を堆積する保護膜成膜ステップ、ＳＦ６等のガスを用いるビア底面の保護膜除去ステップ、の３ステップを１サイクルとして、各ステップを短時間ずつ高速に切り替え、このサイクルを繰り返すボッシュプロセスであり、（段落００３７） 開口部５６及び開口部６０からなるビアホール６４の側面をマスク膜５８及び絶縁膜６２により被覆し、（上記ａ、段落００６９） ビアホール６４内に金属材料を埋め込み、貫通電極７０を形成し、半導体基板１０のうら面側にソルダーレジスト７２を塗布し、パターニングにより貫通電極７０を露出する開口部を形成後、露出した貫通電極７０上にはんだボール７４を設置する（段落００４７、段落００４９、段落００７０） 半導体装置の製造方法。（段落００６１）」 （２）本件発明１について ア 対比 本件発明１と、甲６発明とを対比する。 （ア）甲６発明において、「Ｃ４Ｆ８ガス」がＣＦ系ガスであることを踏まえると、甲６発明の「ＳＦ６／Ｃ４Ｆ８／Ｏ２混合ガス」は、ＳＦ６ガス及びＣＦ系ガスを含む混合ガスであるから、本件発明１の「ＳＦ６ガスとＣＦ系ガスの混合ガス」に相当する。 また、甲６発明の「開口幅が底面に向けて狭くなるテーパー形状」は、表面側が大口径であるテーパ形状であるといえる。 そうすると、甲６発明の「ＳＦ６／Ｃ４Ｆ８／Ｏ２混合ガスをエッチングガスに用いた誘導結合型ＲＩＥにより」、「シリコン基板を等方的なエッチング条件を用いてエッチングして、開口部５６を形成し、開口部５６は、開口幅が底面に向けて狭くなるテーパー形状になるように形成」することは、本件発明１の「シリコン基板を、SF6ガスとCF系ガスの混合ガスを用いて等方性エッチングすることにより表面側が大口径であるテーパ形状を形成する第１工程」に相当する。 （イ）ａ 甲６発明は、「マスク膜６６をマスクとして」「開口部５６を形成し」た後、「マスク膜６６を除去し」、「マスク膜５８を形成し」、「マスク膜５８を選択的に除去し」、「マスク膜５８をマスクとして」「開口部６０を形成」するものであるから、「開口部６０」を形成する工程は、「開口部５６」を形成する工程の後に実施されるものである。 ｂ 甲６発明において、「開口部５６は、開口幅が底面に向けて狭くなるテーパー形状」であることを踏まえると、「開口部５６の底面のマスク膜５８を選択的に除去し」「マスク膜５８をマスクとして」「開口部６０を形成」することは、テーパー形状の「開口部５６」の下に「開口部６０」を形成することである。 ｃ 上記ｂを踏まえると、甲６発明の「開口部６０」は、「開口部５６」の下に形成される「シリコン基板の深部に向かう方向に沿って開口幅がほぼ一定な垂直形状」であるから、深く堀られた構造である点で、本件発明１の「深堀構造」と共通する。 ｄ ａ～ｃを踏まえると、甲６発明の「マスク膜５８をマスクとしてシリコン基板」「をエッチングし」て、「開口部６０を形成し、開口部６０は」「異方性エッチングにより形成され」ることは、「前記第１工程後に」「深さ方向に強いエッチングを行う異方性エッチングにより前記テーパ形状の下に」深く掘られた構造を形成する点で、本件発明１の「第２工程」と共通する。 （ウ） 上記（イ）ｂ及びｃを踏まえると、甲６発明は、「シリコン基板をエッチングして、開口部５６を形成し」、「シリコン基板」「をエッチングし」て「開口部６０を形成」するものであるから、テーパ形状の「開口部５６」の下に深く掘られた「開口部６０」を有するシリコン基板を製造するものであるといえ、「上部にテーパ形状を持ち」、深く掘られた構造を有する「シリコン基板の製造方法」である点で、本件発明１と共通する。 （エ）上記（ア）～（ウ）によれば、本件発明１と甲６発明は、以下の点で一致し、相違する。 ＜一致点＞ 「 シリコン基板を、ＳＦ６ガスとＣＦ系ガスの混合ガスを用いて等方性エッチングすることにより表面側が大口径であるテーパ形状を形成する第１工程と、 前記第１工程後に深さ方向に強いエッチングを行う異方性エッチングにより前記テーパ形状の下に深く掘られた構造を形成する第２工程 を備える、 上部にテーパ形状を持ち、深く掘られた構造を有するシリコン基板の製造方法。」 ＜相違点７＞ 本件発明１は、「第２工程」の「異方性エッチング」において「ＳＦ６ガスとＯ２ガスとＳｉＦ４ガスの混合ガスを用い」るのに対し、甲６発明は、「開口部６０は」「異方性エッチングにより形成され」る際に、「ＳＦ６等のガス」及び「Ｃ４Ｆ８等のガス」を用いる点。 ＜相違点８＞ 本件発明１は、「第２工程」において、「シリコン基板を貫通しない深堀構造を形成する」のに対し、甲６発明は、「シリコン基板を貫通」する「開口部６０を形成」する点。 ＜相違点９＞ 本件発明１は、「上部にテーパ形状を持ち、貫通しない深堀構造を有するシリコン基板の製造方法」であるのに対し、甲６発明は、「シリコン基板を貫通」する「開口部６０」が形成される「半導体装置の製造方法」である点。 イ 相違点についての判断 事案に鑑み、相違点８及び９から検討する。 また、相違点８及び９は関連するものであるから、まとめて検討する。 （ア）甲６の段落００７１には、「本実施形態によれば、貫通電極と半導体基板との間の絶縁性能の低下を抑制することができ、歩留まり及び長期的な信頼性の高い半導体装置を実現することができる。」と記載されており、甲６発明は、貫通電極と半導体基板との間の絶縁性能の低下を抑制することを課題とする発明であるといえる。 （イ）そうすると、甲６発明は、「開口部５６及び開口部６０からなる」「ビアホール６４内に金属材料を埋め込み、貫通電極７０を形成」するものであるから、「開口部６０」を「シリコン基板を貫通」しないものとした場合、貫通電極を形成することができず、上記課題を解決できないことは明らかである。したがって、甲６発明において、「開口部６０」を「シリコン基板を貫通」しないものとすることには阻害要因がある。 （ウ）そして、甲２～甲５の記載は、上記（イ）の判断を変えるものではない。よって、甲２～甲５の記載を参照しても、甲６発明を、相違点８及び９に係る本件発明１の構成を備えたものとすることは、当業者といえども容易になし得たことではない。 ウ 小括 上記イのとおりであるから、相違点７について検討するまでもなく、本件発明１は、甲２～甲５の記載を参照しても、甲６発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）本件発明２～４について 請求項２～４の記載は、直接又は間接的に請求項１の記載を引用するものであるところ、本件発明２～４は、本件発明１の構成を全て備えるものであるから、相違点８及び９に係る本件発明１の構成も備えるものである。 そうすると、上記（２）イにおける検討と同様の理由により、本件発明２～４は、甲２～甲５の記載を参照しても、甲６発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものではない。 第７ むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知書に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した申立理由によっては、請求項１～６に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件請求項１～６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。