2024-700230

特許第７３６６５３８号発明「中空パッケージおよびその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７３６６５３８号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許７３６６５３８号の請求項１～５に係る特許（以下「本件特許」という。）についての出願は、平成３０年１２月２７日に出願され、令和５年１０月１３日にその特許権の設定登録がされ、令和５年１０月２３日に特許公報が発行された。その後、本件特許の請求項１～５に係る特許に対し、令和６年３月１１日に特許異議申立人 東レ株式会社（以下「異議申立人」という。）は、特許異議の申立てを行った。その後、令和６年３月２９日付けでこの特許異議申立手続についての手続補正指令書（方式）が異議申立人に送付され、令和６年４月１０日に手続補正書（方式）が提出された。 第２ 本件発明 特許７３６６５３８号の請求項１～５の特許に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」～「本件発明５」といい、まとめて「本件発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１～５に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 基板上に、少なくとも１種の有機材料により構成された隔壁と天板とを形成することで、一つ以上の閉じられた中空部を設ける工程により得られた基板を、封止用樹脂組成物を０．１ＭＰａ以上、５．０ＭＰａ未満の圧力で圧縮成形し、前記基板、前記隔壁および前記天板を樹脂封止する工程 を含む、中空パッケージの製造方法であって、 半導体素子、ＭＥＭＳおよび電子部品からなる群から選択される１種以上の素子が前記中空部内に配置されるように前記素子が前記基板上に搭載されており、 前記封止用樹脂組成物が、 （Ａ）分子内にエポキシ基を２つ含むエポキシ樹脂および分子内にエポキシ基を３つ以上含むエポキシ樹脂からなる群から選択される１種または２種以上を含むエポキシ樹脂、および （Ｂ）無機充填材 を含み、 前記成分（Ａ）が、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂およびビスフェノール型エポキシ樹脂からなる群から選択される１種または２種以上を含み、 前記封止用樹脂組成物中の成分（Ａ）の含有量が、前記封止用樹脂組成物全体に対して２質量％以上４０質量％以下であり、 前記封止用樹脂組成物中の成分（Ｂ）の含有量が、前記封止用樹脂組成物全体に対して５０質量％以上９５質量％以下であり、 前記成分（Ｂ）を目開き２０μｍの篩を通したときの篩下画分の含有量が、前記成分（Ｂ）全体に対して８０質量％以上１００質量％以下であり、 前記有機材料が、光酸発生剤とエポキシ樹脂とを含有するネガ型感光性ドライフィルムレジストである、中空パッケージの製造方法。 【請求項２】 前記成分（Ｂ）がシリカを含む、請求項１に記載の中空パッケージの製造方法。 【請求項３】 前記封止用樹脂組成物が、フェノール樹脂硬化剤をさらに含む、請求項１または２に記載の中空パッケージの製造方法。 【請求項４】 前記封止用樹脂組成物が、硬化促進剤をさらに含む、請求項１乃至３いずれか１項に記載の中空パッケージの製造方法。 【請求項５】 前記天板の厚さが１０μｍ以上５０μｍ以下であり、 前記隔壁の厚さが５μｍ以上３０μｍ以下であり、前記隔壁の幅が５μｍ以上２００μｍ以下であり、 前記基板の素子搭載面に垂直な断面における前記中空部の最長幅が６０μｍ以上１０００μｍ以下である、請求項１乃至４いずれか１項に記載の中空パッケージの製造方法。」 第３ 申立理由の概要 異議申立人は、証拠方法として以下の甲第１号証～甲第４号証を提出し、令和６年４月１０日提出の手続補正書（方式）により補正された特許異議申立書（以下「特許異議申立書」という。）に記載された以下の申立理由により、請求項１～５に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。 １ 申立理由 本件発明１～５は、甲第１号証～甲第４号証に記載された発明に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ２ 証拠方法 甲第１号証：国際公開第２０１５／１５１５１４号 甲第２号証：特開２０１６－７４９２０号公報 甲第３号証：国際公開第２０１８／１９４１５４号 甲第４号証：特開２０１４－１０６３２６号公報 以下、甲第１号証～甲第４号証を、それぞれ「甲１」～「甲４」という。 第４ 甲各号証 １ 甲１の記載と甲１に記載された発明 （１）甲１の記載 甲１には以下の記載がある。（下線は当審において付した。以下、同じ。） 「[0001] 本発明は、回路部材および実装構造体に関し、内部に中空部（空間）を有する回路部材および実装構造体に関する。」 「発明が解決しようとする課題 [0005] 特許文献１および２の方法では、蓋部と、圧電体上の電極との間に、電極を取り囲むようにリブパターンを設けて、回路部材が製造される。図７に示すように、この回路部材２００は、複数のバンプ２３０を介して配線基板２２０に実装される。リブ２１３内には、導体２１５が貫通しており、この導体２１５とバンプ２３０とにより、回路部材２００の電極２１２と配線基板２２０とが導通される。 [0006] 配線基板２２０に実装された回路部材２００は、樹脂封止材２４０で封止される。例えば、トランスファー成型では、液状化または軟化した熱硬化性樹脂を含むモールド材が金型に圧入される。 [0007] バンプ２３０の高さは、通常、５０～６０μｍである。液状化または軟化したモールド材は、バンプ２３０の間を通り抜けて、電子部品２００の蓋部２１４と配線基板２２０との間にも充填される。このとき、モールド材は、蓋部２１４を強く押し上げる。その結果、蓋部２１４は変形し、図７に示すように、電極２１２と蓋部２１４との間の空間２１６が狭くなる。この状態でモールド材が硬化して、樹脂封止材２４０が形成されると、回路部材の作用が妨げられる。液状化または軟化したモールド材による圧力が大きい場合には、蓋部２１４が破損することも懸念される。蓋部２１４が破損すると、空間２１６内に液状化または軟化したモールド材が侵入し、空間２１６を十分に確保することが難しくなる。 [0008] 携帯電話やデジタルカメラをはじめとする各種電子機器の小型化により、回路部材２００自体の薄型化も求められている。そのため、蓋部２１４の厚みはもとより、空間２１６の高さも小さくする必要がある。この場合、蓋部２１４の変形が回路部材の性能に与える影響は、さらに大きくなる。 課題を解決するための手段 [0009] 本発明は、蓋部と機能領域との間に十分な空間を確保することのできる回路部材および実装構造体を提供することを目的とする。 [0010] すなわち、本発明の一局面は、機能領域を備える素子と、前記機能領域に対向するように配置された平板状の蓋部と、前記機能領域と前記蓋部との間に空間を形成するために、前記機能領域を取り囲むように形成されたリブと、を備え、前記蓋部は、厚さが１００μｍ以下であるシートＳを含み、前記シートＳの１７５℃における引張り弾性率Ｅｓが１０ＧＰａ以上である、回路部材に関する。」 「発明の効果 [0014] 本発明によれば、回路部材を樹脂封止した場合であっても、蓋部と機能領域との間に十分な空間を確保することができる。」 「[0016]［回路部材］ 本発明に係る回路部材は、機能領域を備える素子と、機能領域に対向するように配置された平板状の蓋部と、機能領域と蓋部との間に空間を形成するために、機能領域を取り囲むように形成されたリブと、を備える。回路部材は、素子と導通する導体を備えていてもよい。蓋部は、厚さが１００μｍ以下であるシートＳを含む。シートＳの１７５℃における引張り弾性率Ｅｓは、１０ＧＰａ以上である。 [0017] 回路部材は、例えば、内部に空間を有する電子部品である。回路部材としては、例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）チップ、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）チップ、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）、ＣＭＯＳセンサーやＣＣＤセンサーなどに代表されるイメージセンサー等が挙げられる。 [0018] 以下、回路部材について、ＳＡＷチップを例に挙げ、図１Ａおよび１Ｂを参照しながら具体的に説明する。図１Ｂは、図１Ａの変形例であり、接着層２の有無、素子１に対する蓋部４の大きさ、および、素子１とリブ３との位置関係が異なること以外、図１Ａと同様である。 [0019] 回路部材（ＳＡＷチップ）１０は、機能領域ＦＡ（圧電体１ａ上に形成された、少なくとも一対の櫛形電極１ｂを備える領域）を備える素子（ＳＡＷフィルタ）１と、機能領域ＦＡに対向するように配置された平板状の蓋部４と、機能領域ＦＡと蓋部４との間に空間６を形成するために、機能領域ＦＡを取り囲むように形成されたリブ３を備える。回路部材は、さらに、素子１（ここでは、素子１を構成する櫛形電極１ｂ）と導通する導体５（５ａおよび５ｂ）を備えている。 [0020] 回路部材がＢＡＷチップである場合、素子１は、薄膜状の圧電体（圧電薄膜）の上下面を２つの電極で挟み込んだ構造のＢＡＷフィルタであり、機能領域ＦＡは、一方の面のうち電極を備えた領域である。回路部材がＭＥＭＳである場合、その機能領域ＦＡは、カンチレバー（ハンマー）を備えた領域や可動電極を備えた領域などであり得る。」 「[0089] 実装構造体の一実施形態を図４Ａおよび４Ｂに示す。図４Ａでは、第二回路部材（回路部材１０）は、蓋部４と第一回路部材２０とが、リブ３を貫通する導体５ｂと導通するバンプ３０を介して接合することにより、第一回路部材２０に実装されている。図４Ｂは、図４Ａの変形例であり、接着層２の有無、素子１に対する蓋部４の大きさ、および、素子１とリブ３との位置関係が異なること以外、図４Ａと同様である。 [0090] 実装構造体１００は、回路部材１０を封止するとともに、蓋部４と第一回路部材２０との間に充填される樹脂封止材８Ｂを有していてもよい。樹脂封止材８Ｂとしては、樹脂封止材８Ａと同様のものが例示される。樹脂封止材８Ａにより封止された回路部材１０を第一回路部材２０に実装した後、さらに樹脂封止材８Ｂにより、回路部材１０を封止しても良い。」 「[0100]［実装構造体の製造方法］ 実装構造体の製造方法について、図６を参照しながら説明する。図６は、図４Ａに示す実装構造体を製造する方法を示している。実装構造体の構成および製造方法はこれに限定されない。 [0101] まず、第二回路部材を準備する（図６（ａ））。第二回路部材は、例えば、回路部材１０である。回路部材１０が、樹脂封止材８Ａにより封止されている場合（図２Ｃおよび２Ｄ参照）、圧電体１ａの主面上および／または蓋部４の主面上に存在する樹脂封止材８Ａを、各主面に沿って削りとり、圧電体１ａおよび／または蓋部４を露出させておいても良い。 [0102] 次に、蓋部４の導体５と導通する位置に、バンプ３０を設置するための導通パッド（図示せず）、および、バンプ３０を形成する（図６（ｂ））。バンプ３０は、インクジェット法やスクリーン印刷、転写法、メッキ法などにより、蓋部４または第一回路部材２０の所定の位置に形成することができる。 [0103] 次いで、第一回路部材２０に、第二回路部材１０をバンプ３０を介して搭載し、加熱工程および冷却工程を経て、第二回路部材１０を第一回路部材２０に実装する。回路部材１０が、図２Ａ～２Ｄに示すように、テープ材７に保持されている場合、テープ材７を回路部材１０から剥離した後、回路部材１０を第一回路部材２０に実装する。テープ材７の剥離は、バンプ３０を形成する前であっても良いし、バンプ３０を形成した後、第一回路部材２０に搭載する前であっても良いし、第一回路部材２０に搭載した後であっても良い。 [0104] 第一回路部材２０に第二回路部材１０が複数実装されている場合、第二回路部材１０同士の間、および、蓋部４と第一回路部材２０との間に、モールド材（未硬化または半硬化状態の樹脂封止材８Ｂ）を充填した後、硬化させて、第二回路部材１０を封止しても良い（図６（ｃ））。 [0105] 封止方法は特に限定されず、上記の方法が例示できる。なかでも、寸法精度の点で、トランスファー成型法を用いることが好ましい。トランスファー成型法では、モールド材が金型に圧入される際、蓋部４にモールド材による圧力がかかり、空間６が変形し易い。蓋部４は、高い引張り弾性率をもつシートＳを含むため、高い圧力（例えば、０．１ＭＰａ以上、生産性等の観点からは１ＭＰａ以上、さらには５ＭＰａ以上である。上限は、例えば、２０ＭＰａ以下、さらには１５ＭＰａ以下であって良い。）がかかる場合であっても、蓋部４の変形が小さくなる。 [0106] モールド材の硬化は、好ましくは５０～２００℃、より好ましくは１００～１７５℃で、１～１５分間行う。必要に応じて、１００～２００℃、３０分～２４時間のポストキュアを行っても良い。」 「[0108]［実施例］ 次に、実施例に基づいて、本発明をより具体的に説明する。ただし、以下の実施例は、本発明を限定するものではない。 [0109]＜実施例１＞ ＳＡＷフィルタ（厚み２００μｍ、大きさ１．４×１．１ｍｍ）と、リブ（Ｒｈ：１０μｍ、Ｒｗ：１０μｍ）と、ＳＡＷフィルタ上の櫛形電極と導通する導体と、を備えたＳＡＷチップを準備した。なお、リブの材質は感光性ポリイミド樹脂であり、リブで囲まれた部分の面積Ｓは、１ｍｍ２であった。 [0110] ついで、蓋部の材料（シート材料）として、ＧＦＲＰ基板１（シートＳＰ）およびＧＦＲＰ基板２（シートＳＰ）の積層体を準備した。ＧＦＲＰ基板１およびＧＦＲＰ基板２に含まれる樹脂は半硬化状態であった。ＧＦＲＰ基板１がリブと接するよう、積層体をリブの端部に載置した。次いで、７０℃に加熱しながら加圧して、ＧＦＲＰ基板１およびＧＦＲＰ基板２の積層体とリブの端部とを接着した。その後、１８０℃に加熱してＧＦＲＰ基板１およびＧＦＲＰ基板２に含まれる樹脂を硬化させ、蓋部（厚み４５μｍ、大きさ１．０×１．０ｍｍ）を形成した。 [0111] ＧＦＲＰ基板１は、ガラス繊維で強化されたエポキシ樹脂シートであり、厚み２０μｍ、硬化後の引張り弾性率Ｅｓは２１ＧＰａ、使用されたエポキシ樹脂組成物の硬化後のガラス転移点Ｔｇｓは１８８℃であった。 [0112] ＧＦＲＰ基板２は、ガラス繊維で強化されたエポキシ樹脂シートであり、厚み２５μｍ、硬化後の引張り弾性率Ｅｓは２１ＧＰａ、使用されたエポキシ樹脂組成物の硬化後のガラス転移点Ｔｇｓは１８８℃であった。 [0113] ＧＦＲＰ基板１およびＧＦＲＰ基板２で使用されたエポキシ樹脂組成物の組成は、いずれもビスフェノールＡ型エポキシ樹脂６０質量部、ノボラック型エポキシ樹脂４０質量部、溶融シリカ２８質量部、ジシアンジアミド系硬化剤８質量部であった。 [0114] ＳＡＷチップの蓋部の外周近傍の導体と導通する位置に、６点の半田ボール（バンプ）を、スクリーン印刷により均等に配置した。各バンプが配置されたＳＡＷチップを、直径５インチ、厚み６５０μｍのシリコンウエハ上に複数搭載し、加熱および冷却し、実装構造体を得た。 [0115] 得られた実装構造体を金型にセットした後、モールド材（エポキシ樹脂組成物）を、温度１７５℃、圧力２ＭＰａの条件で同金型に圧入し、トランスファー成型による封止を行った。封止された実装構造体を、ＳＡＷチップの断面がわかる位置で切断し、蓋部の変位量を電子顕微鏡（１０００倍）により観察した。 [0116] 変位量の観察では、ＳＡＷチップ内部の空間が確保されているかどうかを、次の三段階で評価した。 ◎：蓋部の変位がないか、変位があっても小さく、中空部は確保されている。 ○：蓋部の変位が多少みられるが、中空部は確保されている。 ×：蓋部の変位が大きく、中空部は確保されていない。 [0117] なお、モールド材（エポキシ樹脂組成物）としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂８０質量部、ノボラック型エポキシ樹脂２０質量部、酸無水物４６質量部、溶融シリカ５０質量部、硬化促進剤１質量部を用いた。」 「[0130]＜比較例１＞ 蓋部の材料（シート材料）として、ポリイミドシート１（厚み２５μｍ、硬化後の引張り弾性率Ｅｓ：３．９ＧＰａ、硬化後のガラス転移点：Ｔｇｓ：２７０℃、半硬化状態）と、ポリイミドシート２（厚み２０μｍ、硬化後の引張り弾性率Ｅｓ：３．９ＧＰａ、硬化後のガラス転移点Ｔｇｓ：２７０℃）との積層体を用い、ポリイミドシート１がリブと接するように積層体をリブの端部に配置したこと以外は、実施例１と同様にして実装構造体を作製し、評価した。結果を表１に示す。 [0131][表１] ［図：0001411370000001.jpg］ [0132] 表１によれば、蓋部が、１７５℃における引張り弾性率Ｅｓが１０ＧＰａ以上であるシートＳを含む場合、回路部材内部の空間を確保することができることがわかる。」 「［図１Ａ］ ［図：0001411370000002.jpg］ 」 「［図４Ａ］ ［図：0001411370000003.jpg］ 」 （２）甲１に記載された発明 上記（１）の記載から、甲１には、実施例１（段落０１０９～０１１７）に関して、次の事項が記載されているといえる。 ア 段落００１９に「回路部材（ＳＡＷチップ）１０は、機能領域ＦＡ（圧電体１ａ上に形成された、少なくとも一対の櫛形電極１ｂを備える領域）を備える素子（ＳＡＷフィルタ）１と、機能領域ＦＡに対向するように配置された平板状の蓋部４と、機能領域ＦＡと蓋部４との間に空間６を形成するために、機能領域ＦＡを取り囲むように形成されたリブ３を備える。」と記載され、また、図１Ａから、素子（ＳＡＷフィルタ）１は、圧電体１ａと、圧電体１ａ上に形成された櫛形電極１ｂを含むことが看取できることから、段落０１０９に記載されたＳＡＷチップ１０は、圧電体１ａと圧電体１ａ上に形成された櫛形電極１ｂを備え、機能領域ＦＡ（圧電体１ａ上に形成された、少なくとも一対の櫛形電極１ｂを備える領域）を備えるＳＡＷフィルタ１と、機能領域ＦＡに対向するように配置された平板状の蓋部４と、機能領域ＦＡと蓋部４との間に空間６を形成するために、機能領域ＦＡを取り囲むように形成されたリブ３を備えるものといえる。 イ また、［図１Ａ］及び［図４Ａ］によれば、段落０１１５のモールド材（エポキシ樹脂組成物）を圧入して行うトランスファー成型は、モールド材により圧電体１ａ、リブ３及び蓋部４を封止することといえる。 ウ 実施例１は、段落０１００及び［図４Ａ］の実装構造体１００の製造方法の実施例であるといえる。 エ 以上によれば、甲１には、次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。 ［甲１発明］ 「ＳＡＷフィルタ１と、リブ３と、ＳＡＷフィルタ１上の櫛形電極１ｂと導通する導体５と、を備えたＳＡＷチップ１０を準備し、（段落０１０９） 蓋部４の材料（シート材料）として、ＧＦＲＰ基板１（シートＳＰ）およびＧＦＲＰ基板２（シートＳＰ）の積層体を準備し、ＧＦＲＰ基板１がリブ３と接するよう、積層体をリブの端部に載置し、次いで、７０℃に加熱しながら加圧して、ＧＦＲＰ基板１およびＧＦＲＰ基板２の積層体とリブ３の端部とを接着し、その後、１８０℃に加熱してＧＦＲＰ基板１およびＧＦＲＰ基板２に含まれる樹脂を硬化させ、蓋部４を形成し、（段落０１１０） ＳＡＷチップ１０の蓋部４の外周近傍の導体５と導通する位置に、６点の半田ボール（バンプ）を、スクリーン印刷により均等に配置し、各バンプが配置されたＳＡＷチップ１０を、直径５インチ、厚み６５０μｍのシリコンウエハ上に複数搭載し、加熱および冷却して得た実装構造体１００（段落０１１４）を、金型にセットした後、モールド材（エポキシ樹脂組成物）を、温度１７５℃、圧力２ＭＰａの条件で同金型に圧入し、トランスファー成型による封止を行ない（段落０１１５）、モールド材により圧電体１ａ、リブ３及び蓋部４を封止する、（上記イ） 実装構造体１００の製造方法であって、（上記ウ） リブ３の材質は感光性ポリイミド樹脂であり、（段落０１０９） ＧＦＲＰ基板１は、ガラス繊維で強化されたエポキシ樹脂シートであり、硬化後の引張り弾性率Ｅｓは２１ＧＰａであり、（段落０１１１） ＧＦＲＰ基板２は、ガラス繊維で強化されたエポキシ樹脂シートであり、硬化後の引張り弾性率Ｅｓは２１ＧＰａであり、（段落０１１２） ＳＡＷチップ１０は、圧電体１ａと圧電体１ａ上に形成された櫛形電極１ｂを備え、機能領域ＦＡ（圧電体１ａ上に形成された、少なくとも一対の櫛形電極１ｂを備える領域）を備えるＳＡＷフィルタ１と、機能領域ＦＡに対向するように配置された平板状の蓋部４と、機能領域ＦＡと蓋部４との間に空間６を形成するために、機能領域ＦＡを取り囲むように形成されたリブ３を備え、（上記ア） モールド材（エポキシ樹脂組成物）としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂８０質量部、ノボラック型エポキシ樹脂２０質量部、酸無水物４６質量部、溶融シリカ５０質量部、硬化促進剤１質量部を用い、（段落０１１７） 蓋部４が、１７５℃における引張り弾性率Ｅｓが１０ＧＰａ以上であるシートＳを含む場合、回路部材内部の空間を確保することができる、（段落０１３２） 実装構造体１００の製造方法。」 ２ 甲２の記載 甲２には以下の記載がある。 「【請求項２】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）無機充填剤を少なくとも含み、 前記（Ａ）エポキシ樹脂は、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、及び硫黄原子含有エポキシ樹脂の少なくとも１種を含み、前記（Ａ）エポキシ樹脂の全量に対するビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、及び硫黄原子含有エポキシ樹脂の合計量の割合が５０質量％以上であり、 前記（Ｃ）無機充填剤は、質量平均粒子径が１０μｍ以下で且つ比表面積が３．０ｍ２／ｇ以上である、封止用エポキシ樹脂成形材料。」 「【請求項８】 前記（Ｂ）硬化剤が、ビフェニル型フェノール樹脂及びアラルキル型フェノール樹脂の少なくとも１種を含有する、請求項１～請求項７のいずれか１項に記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。」 「【０００１】 本発明は、封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置に関する。さらに詳しくは、フリップチップ実装用のアンダーフィル材として好適な充填性に優れる封止用エポキシ樹脂成形材料、及びこれにより封止された、ボイド等の成形不良が抑制されたフリップチップ実装型の半導体装置に関する。」 「【００１０】 本発明によれば、充填性に優れボイド発生を抑制することのできる封止用エポキシ樹脂成形材料、及びそれを用いた半導体装置を提供することができる。」 「【０１００】 ＜半導体装置＞ 続いて本発明の半導体装置について説明する。また、かかる半導体装置の説明を介して本発明のエポキシ樹脂成形材料の好適な用途及び使用方法について説明する。 本発明の半導体装置は、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料により封止された素子を備える半導体装置である。本発明によれば、ファインピッチなバンプを有し、入出力数（バンプ数）の多いフリップチップ実装型半導体装置を提供することができる。 本発明の半導体装置としては、配線済みのテープキャリア、配線板、ガラス等の支持部材や実装基板に、半導体チップ、トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子、コンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子等の素子を搭載し、封止用エポキシ樹脂成形材料で封止したフリップチップ実装型の半導体装置などが挙げられる。（以下省略）」 「【０１０９】 ＜封止用エポキシ樹脂成形材料の作製＞ （Ａ）エポキシ樹脂 エポキシ樹脂として、以下を使用した。 ・エポキシ樹脂１：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、東都化成株式会社製ＹＳＬＶ－８０ＸＹ、エポキシ当量１９２、融点６７℃ ・エポキシ樹脂２：ビフェニル型エポキシ樹脂、ジャパンエポキシレジン株式会社製エピコートＹＨ－４０００Ｈ、エポキシ当量１９６、融点１０６℃ （中略） 【０１１０】 （Ｂ）硬化剤 硬化剤として、以下を使用した。 ・硬化剤１：フェノール系重縮合物、エア・ウォーター株式会社製ＨＥ２００Ｃ－１０、水酸基当量１９９ｍｇＫＯＨ／ｇ、軟化点８０℃ （中略） 【０１１１】 （Ｃ）無機充填剤 下記の無機充填剤１～４を用意し、下記の表１に記載の混合比率で混合して、充填剤Ａ～Ｄを調製した。 ・無機充填剤１：溶融シリカ、電気化学工業社製ＦＢ－５ＳＤＣ、平均粒子径６μｍ ・無機充填剤２：溶融シリカ、マイクロン社製ＳＰ－３０、平均粒子径２μｍ ・無機充填剤３：溶融シリカ、アドマテックス社製ＳＯ－２５Ｒ、平均粒子径０．６μｍ （中略） 【０１１２】 【表１】 ［図：0001411370000004.jpg］ 【０１１３】 （Ｄ）カップリング剤 （中略） 【０１１４】 その他の添加物として、硬化促進剤（トリフェニルホスフィンと１，４－ベンゾキノンの付加物）（硬化促進剤１）、ヘキストワックス（クラリアント社製ＨＷ－Ｅ）及びカーボンブラック（三菱化学株式会社製ＭＡ－６００ＭＪ－Ｓ）を使用した。」 「【０１１８】 【表２】 ［図：0001411370000005.jpg］ 」 ３ 甲３の記載と甲３に記載された発明 （１）甲３の記載 甲３には以下の記載がある。 「[0001] 本発明は、ＭＥＭＳ（微小電子機械システム）部品、マイクロマシン部品、マイクロ流体部品、μ－ＴＡＳ（微小全分析システム）部品、インクジェットプリンター部品、マイクロ反応器部品、導電性層、ＬＩＧＡ部品、微小射出成形及び熱エンボス向け型及びスタンプ、微細印刷用途向けスクリーン又はステンシル、ＭＥＭＳパッケージ部品、半導体パッケージ部品、ＢｉｏＭＥＭＳ及びバイオフォトニックデバイス、並びにプリント配線板の製作において有用な解像度に優れたネガ型感光性樹脂組成物に関する。本発明は更に、高温での弾性率が高く、かつ各種基板への密着性に優れた該ネガ型感光性樹脂組成物の硬化物に関する。」 「[0011] 本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、解像度に優れると共に現像後残渣の発生を制御する効果も高く、その硬化物は高温時にも高い弾性率を維持すると共に、シリコンウエハ以外の各種の基板への密着性に優れる。そのため、このネガ型感光性樹脂組成物は、ＭＥＭＳ部品、マイクロマシン部品及び半導体パッケージ部品等に好適に用いられる。」 「[0051] 本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、ベースフィルム上にロールコーター、ダイコーター、ナイフコーター、バーコーター、グラビアコーター等を用いて該組成物を塗布した後、４５乃至１００℃に設定した乾燥炉で乾燥し、所定量の溶剤を除去することにより、また、必要に応じてカバーフィルム等を積層することによりドライフィルムレジストとすることができる。この際、ベースフィルム上のレジストの厚みは、２乃至１００μｍに調整することができる。ベースフィルム及びカバーフィルムとしては、例えばポリエステル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ＴＡＣ、ポリイミド等のフィルムが使用される。これらフィルムは必要に応じてシリコーン系離型処理剤や非シリコーン系離型処理剤等により離型処理されたフィルムを用いてもよい。このドライフィルムレジストを使用するには、例えばカバーフィルムをはがして、ハンドロール又はラミネーター等により、温度４０乃至１００℃、圧力０．０５乃至２ＭＰａで基板に転写し、前記溶剤に溶解したネガ型感光性樹脂組成物と同様に露光、露光後ベーク、現像、加熱処理をすればよい。」 「[0053] ＭＥＭＳパッケージ及び半導体パッケージとして用いる場合は、本発明のネガ型感光性樹脂組成物でＭＥＭＳ又は半導体デバイスを被覆、又はＭＥＭＳ又は半導体デバイスに対して中空構造を作製することにより使用できる。ＭＥＭＳ及び半導体パッケージの基板としては種々の形状のシリコンウエハ上に、スパッタリング又は蒸着によりアルミニウム、金、銅、クロム、チタン等の金属薄膜を１０乃至５０００Åの膜厚で成膜し、エッチング法等によりその金属を微細加工した基板等が用いられる。場合によっては、さらに無機の保護膜としてシリコンオキサイドやシリコンナイトライドが１０乃至１００００Åの膜厚で成膜されることもある。次いで基板上に、ＭＥＭＳ又は半導体デバイスを作製又は設置し、このデバイスを外気から遮断するために、被覆又は中空構造を作製する必要がある。本発明のネガ型感光性樹脂組成物で被覆する場合は、前記の方法で行なうことができる。また、中空構造を作製する場合は、基板上へ前記の方法で隔壁を形成させ、その上にさらに、前記の方法でドライフィルムをラミネート及び隔壁上の蓋となるようにパターニングを行なうことで、中空パッケージ構造を作製することができる。また、作製後、必要に応じて１３０乃至２００℃で１０乃至１２０分間、加熱処理をすることで諸特性を満足するＭＥＭＳパッケージ部品及び半導体パッケージ部品が得られる。」 「[0058]実施例１乃至４、比較例１及び比較例２（感光性樹脂組成物の調製） 表１に記載の配合量（単位は質量部）に従い、（Ａ）トリアジン環を有する化合物、（Ｂ）エポキシ樹脂、（Ｃ）光カチオン重合開始剤および他の成分を、攪拌機付きフラスコで６０℃、２時間攪拌混合して本発明及び比較用のネガ型感光性樹脂組成物を得た。」 「[0063]（ネガ型感光性樹脂組成物の耐熱性評価） 前記のネガ型感光性樹脂組成物の感度評価で得られた最適露光量でネガ型感光性樹脂組成物の硬化物を作製し、ＤＭＡ測定装置（ＴＡインスツルメント社製 ＲＳＡ－Ｇ２）を用いて、引張モード、１Ｈｚ、Ｒａｍｐ ｒａｔｅ ３℃／ｓｅｃの条件で、１７５℃での弾性率を測定した。結果を下記表１に示した。 [0064][表１] ［図：0001411370000006.jpg］ [0065] 尚、表１における（Ａ－１）乃至（Ｇ）はそれぞれ以下のとおりである。 （中略） （Ｂ－１）：商品名 ＫＭ－Ｎ－ＬＣＬ 日本化薬株式会社製、エポキシ当量２１０ｇ／ｅｑ．、軟化点８５℃、重量平均分子量８０００、平均繰り返し数ｋ＝４（式（２）で表わされるエポキシ樹脂） （Ｂ－２）：商品名 ＮＣ－３０００Ｈ、日本化薬社株式会製、エポキシ当量２８５ｇ／ｅｑ．、軟化点６５℃、重量平均分子量７００、平均繰り返し数ｐ＝２（式（３）で表わされるエポキシ樹脂） （Ｂ－３）：商品名 ＮＥＲ－７６０４、日本化薬株式会社製、エポキシ当量３４７ｇ／ｅｑ．、軟化点７１℃、重量平均分子量９０００、平均繰り返し数ｎ＝４、ｍ≦１（式（４）で表わされるエポキシ樹脂） （Ｂ－４）：商品名 ｊＥＲ－１００７ 三菱化学株式会社製、エポキシ当量２０００ｇ／ｅｑ．、重量平均分子量２９００ （Ｃ－１）：光酸発生剤（トリス［４－（４－アセチルフェニル)スルホニルフェニル]スルホニウムテトラキス（２，３，４，５，６－ペンタフルオロフェニル)ボレート、商品名 ＰＡＧ２９０、ＢＡＳＦ社製） （以下省略） [0066] 表１の結果から、本発明のネガ型感光性樹脂組成物（実施例１乃至４）は比較例１及び２のネガ型感光性樹脂組成物に比べて１７５℃での弾性率が高く、かつＳｉ及びＳｉＮへの密着性も高い（少なくとも匹敵する）ことは明らかである。」 「[0074] 本発明にかかる感光性樹脂組成物は、様々な基板に対して密着性の高いパターン形成が可能であり、かつ現像後残渣の発生を制御する効果も高いことから、ＭＥＭＳパッケージ部品や半導体パッケージ等の分野に適している。特にＳＡＷ／ＢＡＷフィルタなどのポリマーキャッピングにおいて、本発明の感光性樹脂組成物は、高温での弾性率と様々な材質への密着性を併有することから、モールディング時におけるキャビティ形成に有利であり、最終的な製品をより薄くすることが可能であり、デザインの自由度を広げることが期待できる。」 （２）甲３に記載された発明 ア 上記（１）の段落００５３によれば、甲３には、ネガ型感光性樹脂組成物で、基板上に隔壁と蓋を形成する中空パッケージ構造の製造方法が記載されている。 イ 同段落００５８の記載、同段落００６４の表１によれば、ネガ型感光性樹脂組成物は、エポキシ樹脂と光カチオン重合開始剤を含むといえ、光カチオン重合開始剤は、同段落００６５によれば、光酸発生剤であるといえる。 ウ 前記表１に示された実施例１～４の弾性率は、同段落００６３によれば、ネガ型感光性樹脂組成物の硬化物の１７５℃における引張モードの弾性率であるといえる。そして、該表１によれば、実施例１～４の弾性率は、１．３～１．５Ｇｐａであるといえる。 エ 以上によれば、甲３には、次の発明（以下「甲３発明」という。）が記載されているといえる。 ［甲３発明］ ネガ型感光性樹脂組成物で、基板上に隔壁と蓋を形成する中空パッケージ構造の製造方法であって、ネガ型感光性樹脂組成物は、エポキシ樹脂と光酸発生剤を含み、その硬化物の１７５℃における引張モードの弾性率は、１．３～１．５Ｇｐａである中空パッケージ構造の製造方法。 ４ 甲４の記載 甲４には以下の記載がある。 「【０００１】 本発明は、感光性樹脂シートおよびそれを用いた中空構造体の製造方法ならびに得られた中空構造体を有する電子部品に関する。」 「【０００７】 本発明によれば、感光性樹脂組成物を用いた中空構造を形成する工程において、屋根落ちが無く、安定した中空構造を得ることができる。」 「【０００９】 本発明の感光性樹脂シートは、中空構造形成に適した感光性樹脂シートに関するものであり、具体的には少なくとも１層の基材フィルム上に感光性樹脂層を設けてある感光性樹脂シートであって、露光後における基材フィルムと感光性樹脂層の剥離力が、５ｍＮ／ｃｍ以上、１００ｍＮ／ｃｍ以下であることを特徴とする感光性樹脂シートである。 【００１０】 本発明の感光性樹脂シートの感光性樹脂層は、その組成に特に制限はないが、熱可塑性樹脂や光重合性化合物、熱架橋剤などが含まれるのが好ましい。また必要に応じて、他の成分が含まれていても良く、光重合開始剤、重合禁止剤、熱硬化性樹脂、接着改良剤、無機フィラー、界面活性剤などが挙げられる。」 「【００５４】 ＜中空構造形成性＞ まず、得られた感光性樹脂シートの保護フィルムを剥離し、感光性樹脂層をシリコンウェハへラミネートした。ロール式真空ラミネート装置を用い、ステージ温度８０℃、ロール温度８０℃、貼り付け速度５ｍｍ／秒、貼り付け圧力０．２ＭＰａ、到達真空度１５０Ｐａにて実施し、シリコンウェハ上に感光性樹脂シートを積層した。次に基材フィルムを剥離し、超高圧水銀灯を用いて４００ｍＪ／ｃｍ２（ｉ線測定）の露光量で、図２に示す通り、開口部５００μm角、壁厚み８０μmの壁材形状を形成できるフォトマスクで露光し、引き続き１２０℃３分間ホットプレートで加熱処理をした。続いて、２．３８％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で現像し、更に窒素雰囲気で２００℃１時間熱硬化させ、壁材形成が完了した。」 第５ 当審の判断 １ 本件発明１について （１）対比 本件発明１と甲１発明を対比する。 ア 本件発明１の「基板」は、「半導体素子、ＭＥＭＳおよび電子部品からなる群から選択される１種以上の素子が前記中空部内に配置されるように前記素子が前記基板上に搭載され」るものであるところ、本件特許についての出願の願書に添付された明細書（以下「本件明細書」という。）には、「素子１１１は、半導体素子、ＭＥＭＳおよび電子部品からなる群から選択される１種以上であればよく、具体的には中空構造が設けられたパッケージに適用される素子である。かかる素子１１１の具体例として、ＢＡＷフィルタ、表面弾性波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）フィルタ等の高周波フィルタが挙げられる。」（段落００１３）、及び「素子１１１が高周波フィルタであるとき、基板１０９の材料として、好ましくはタンタル酸リチウム（ＬＴ）、ニオブ酸リチウム（ＬＮ）等の圧電体が挙げられる。」（段落００１４）と記載されている。そして、ＳＡＷフィルタは、圧電体である基板上に電極が形成された素子であることは技術常識である。 そうすると、甲１発明の「ＳＡＷチップ１０は、圧電体１ａと圧電体１ａ上に形成された櫛形電極１ｂを備え、機能領域ＦＡ（圧電体１ａ上に形成された、少なくとも一対の櫛形電極１ｂを備える領域）を備えるＳＡＷフィルタ１と、機能領域ＦＡに対向するように配置された平板状の蓋部４と、機能領域ＦＡと蓋部４との間に空間６を形成するために、機能領域ＦＡを取り囲むように形成されたリブ３を備え」るところ、ＳＡＷフィルタ１が備える「圧電体１ａ」は、本件発明１の「基板」に相当し、甲１発明の圧電体１ａに形成された「櫛形電極１ｂ」は、圧電体１ａとともにＳＡＷフィルタ１を構成するから、本件発明１の「半導体素子、ＭＥＭＳおよび電子部品からなる群から選択される１種以上の素子」に相当するといえる。 さらに、甲１発明の機能領域ＦＡ（圧電体１ａ上に形成された、少なくとも一対の櫛形電極１ｂを備える領域）と蓋部４との間に形成された「空間６」は、本件発明１の「一つ以上の閉じられた中空部」に相当するから、両者は、「中空部内に配置されるように前記素子が前記基板上に搭載されて」いる点で共通する。 イ 甲１発明のＳＡＷチップ１０が備える「リブ３」と「蓋部４」は、それぞれ本件発明１の「隔壁」及び「天板」に相当する。 また、甲１発明の「ＳＡＷフィルタ１と、リブ３と、ＳＡＷフィルタ１上の櫛形電極１ｂと導通する導体５と、を備えたＳＡＷチップ１０を準備」することは、圧電体１ａ上にリブ３を形成することを含むことは明らかである。 さらに、甲１発明の「蓋部の材料（シート材料）として、ＧＦＲＰ基板１（シートＳＰ）およびＧＦＲＰ基板２（シートＳＰ）の積層体を準備し、ＧＦＲＰ基板１がリブと接するよう、積層体をリブ３の端部に載置し、次いで、７０℃に加熱しながら加圧して、ＧＦＲＰ基板１およびＧＦＲＰ基板２の積層体とリブ３の端部とを接着し、その後、１８０℃に加熱してＧＦＲＰ基板１およびＧＦＲＰ基板２に含まれる樹脂を硬化させ、蓋部４を形成」することは、圧電体１ａ上に蓋部４を形成することで上記アの「空間６」を形成するものであることは明らかである。 以上によれば、甲１発明の上記「圧電体１ａ」と本件発明１の「基板上に、少なくとも１種の有機材料により構成された隔壁と天板とを形成することで、一つ以上の閉じられた中空部を設ける工程により得られた基板」とは、「基板上に、」「隔壁と天板とを形成することで、一つ以上の閉じられた中空部を設ける工程により得られた基板」である点で共通する。 ウ 甲１発明の「モールド材（エポキシ樹脂組成物）」は、下記相違点２を除き本件発明１の「封止用樹脂組成物」に相当する。 そうすると、甲１発明の「モールド材（エポキシ樹脂組成物）を、温度１７５℃、圧力２ＭＰａの条件で同金型に圧入し、トランスファー成型による封止を行な」うことは、本件発明１の「封止用樹脂組成物を０．１ＭＰａ以上、５．０ＭＰａ未満の圧力で圧縮成形」することに相当する。 さらに、甲１発明の「モールド材により圧電体１ａ、リブ３及び蓋部４を封止する」ことは、本件発明１の「前記基板、前記隔壁および前記天板を樹脂封止する工程」に相当する。 エ 甲１発明の「実装構造体１００」は、「ＳＡＷチップ１０」に上記アの「空間６」が形成されているから、この点で本件発明１の「中空パッケージ」に相当する。 そうすると、甲１発明の「実装構造体１００の製造方法」は、以下の相違点を除き、本件発明１の「中空パッケージ」に相当する。 オ 甲１発明の「モールド材（エポキシ樹脂組成物）」として「ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂８０質量部、ノボラック型エポキシ樹脂２０質量部、酸無水物４６質量部、溶融シリカ５０質量部、硬化促進剤１質量部を用い」るところ、「ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂」及び「ノボラック型エポキシ樹脂」は、本件発明１の「（Ａ）分子内にエポキシ基を２つ含むエポキシ樹脂および分子内にエポキシ基を３つ以上含むエポキシ樹脂からなる群から選択される１種または２種以上を含むエポキシ樹脂」に相当する。 さらに、甲１発明の「ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂」は、本件発明１の「前記成分（Ａ）が、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂およびビスフェノール型エポキシ樹脂からなる群から選択される１種または２種以上を含み」と択一的に記載されているうちの「ビスフェノール型エポキシ樹脂」に相当する。 また、甲１発明の「溶融シリカ」は、無機材料であることが明らかであり、モールド材（エポキシ樹脂組成物）に充填されたものといえるから、本件発明１の「（Ｂ）無機充填材」に相当する。 ここで、甲１発明のモールド材（エポキシ樹脂組成物）は、上述のとおり「ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂８０質量部、ノボラック型エポキシ樹脂２０質量部、酸無水物４６質量部、溶融シリカ５０質量部、硬化促進剤１質量部」からなるところ、モールド材全体の１９７質量部に対して、エポキシ樹脂を１００質量部（５０．８質量％）、溶融シリカを５０質量部（２５．４質量％）含むものといえる。 カ 以上によれば、本件発明１と甲１発明とは、以下の一致点及び相違点を有する。 ［一致点］ 基板上に、隔壁と天板とを形成することで、一つ以上の閉じられた中空部を設ける工程により得られた基板を、封止用樹脂組成物を０．１ＭＰａ以上、５．０ＭＰａ未満の圧力で圧縮成形し、前記基板、前記隔壁および前記天板を樹脂封止する工程 を含む、中空パッケージの製造方法であって、 半導体素子、ＭＥＭＳおよび電子部品からなる群から選択される１種以上の素子が前記中空部内に配置されるように前記素子が前記基板上に搭載されており、 前記封止用樹脂組成物が、 （Ａ）分子内にエポキシ基を２つ含むエポキシ樹脂および分子内にエポキシ基を３つ以上含むエポキシ樹脂からなる群から選択される１種または２種以上を含むエポキシ樹脂、および （Ｂ）無機充填材 を含み、 前記成分（Ａ）が、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂およびビスフェノール型エポキシ樹脂からなる群から選択される１種または２種以上を含む、 中空パッケージの製造方法。 ［相違点］ 相違点１：本件発明１では、隔壁と天板は、「少なくとも１種の有機材料により構成され」、「前記有機材料が、光酸発生剤とエポキシ樹脂とを含有するネガ型感光性ドライフィルムレジストである」のに対し、甲１発明では、リブ３の材質は感光性ポリイミド樹脂であり、蓋部４は、ガラス繊維で強化されたエポキシ樹脂シートであり、硬化後の引張り弾性率Ｅｓは２１ＧＰａであるＧＦＲＰ基板１と、ガラス繊維で強化されたエポキシ樹脂シートであり、硬化後の引張り弾性率Ｅｓは２１ＧＰａであるＧＦＲＰ基板２の積層体である点。 相違点２：封止用樹脂組成物について、本件発明１では、「前記封止用樹脂組成物中の成分（Ａ）のエポキシ樹脂の含有量が、前記封止用樹脂組成物全体に対して２質量％以上４０質量％以下であり、前記封止用樹脂組成物中の成分（Ｂ）の含有量が、前記封止用樹脂組成物全体に対して５０質量％以上９５質量％以下であり、前記成分（Ｂ）を目開き２０μｍの篩を通したときの篩下画分の含有量が、前記成分（Ｂ）全体に対して８０質量％以上１００質量％以下」であると特定されているのに対し、甲１発明では、モールド材全体の１９７質量部に対して、エポキシ樹脂を１００質量部（５０．８質量％）、溶融シリカを５０質量部（２５．４質量％）含むものであり、溶融シリカの目開き２０μｍの篩を通したときの篩下画分の含有量については特定されていない点。 （２）判断 ア 甲１発明は、甲１（上記第４の１（１）の段落０００６及び０００７）に記載された、配線基板２２０に実装された回路部材２００は、樹脂封止材２４０で封止され、例えば、トランスファー成型では、液状化または軟化した熱硬化性樹脂を含むモールド材が金型に圧入されるが、電子部品２００の蓋部２１４と配線基板２２０との間にも充填されたモールド材は、蓋部２１４を強く押し上げ、その結果、蓋部２１４は変形し、電極２１２と蓋部２１４との間の空間２１６が狭くなり、液状化または軟化したモールド材による圧力が大きい場合には、蓋部２１４が破損することも懸念され、蓋部２１４が破損すると、空間２１６内に液状化または軟化したモールド材が侵入し、空間２１６を十分に確保することが難しくなるという課題を解決するために、「蓋部４が、１７５℃における引張り弾性率Ｅｓが１０ＧＰａ以上であるシートＳを含む」（同段落０１３２）という構成を備えることで、同段落００１４に記載された、「回路部材を樹脂封止した場合であっても、蓋部と機能領域との間に十分な空間を確保することができる」という効果を奏するものである。 イ 一方、甲３には、上記第４の３（２）エのとおりの甲３発明、すなわち、「ネガ型感光性樹脂組成物で、基板上に隔壁と蓋を形成する中空パッケージ構造の製造方法であって、ネガ型感光性樹脂組成物は、エポキシ樹脂と光酸発生剤を含み、その硬化物の１７５℃における引張モードの弾性率は、１．３～１．５Ｇｐａである中空パッケージ構造の製造方法。」について記載されている。 ウ そうすると、甲３発明のネガ型感光性樹脂組成物は、その硬化物の１７５℃における引張モードの弾性率が１．３～１．５Ｇｐａであるから、甲１発明の「蓋部４が、１７５℃における引張り弾性率Ｅｓが１０ＧＰａ以上であるシートＳを含む」と特定される蓋部の材料として必要な１７５℃における引張り弾性率Ｅｓが１０ＧＰａ以上であるという条件を満たしていない。 したがって、甲１発明のリブ３及び蓋部４の材料として、甲３発明のネガ型感光性樹脂組成物を採用することには阻害要件があるから、当業者であっても、甲１発明と甲３発明から、相違点１に係る本件発明１の構成を想到し得るということはできない。 また、甲２及び甲４には、当該構成についての記載はない。 （３）小括 よって、相違点２について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明、甲３発明並びに甲２及び甲４の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ２ 本件発明２～５について 本件発明２～５は、本件発明１を減縮した発明であって、上記１で検討した相違点１に係る本件発明１の構成を備える発明であるから、上記１（２）と同様の理由により、甲１発明、甲３発明並びに甲２及び甲４の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 第６ むすび 以上のとおり、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、特許７３６６５３８号の請求項１～５に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に特許７３６６５３８号の請求項１～５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。