2023-701295

特許第７２８８３３９号発明「配線基板および配線基板の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７２８８３３９号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～６〕、〔７、８〕について訂正することを認める。 特許第７２８８３３９号の請求項１～８に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯及び証拠方法 １ 手続の経緯 特許第７２８８３３９号（以下「本件特許」という。）についての出願は、平成３１年４月２６日に出願され、令和５年５月３０日にその請求項１～８に係る発明について特許権の設定登録がされ、令和５年６月７日に特許掲載公報が発行された。その後の経緯は、次のとおりである。 令和５年１２月 ６日 ：特許異議申立人 赤松 智信（以下「申立人」という。）による請求項１～８に係る特許に対する特許異議申立書 令和６年 １月２４日付け：取消理由通知書 ３月２６日 ：特許権者による訂正請求書及び意見書 ５月 ７日 ：申立人による意見書 ６月１９日付け：取消理由通知書（決定の予告） ８月２０日 ：特許権者による意見書（２） 以下、令和６年３月２６日に提出された訂正請求書を「本件訂正請求書」といい、本件訂正請求書による訂正を「本件訂正」といい、令和６年６月１９日付け取消理由通知書（決定の予告）を「決定の予告」という。 ２ 証拠方法 申立人が特許異議申立書（以下「申立書」という。）に添付した証拠方法は、以下のとおりである。 甲第１号証：特開２０１６－８２１１５号公報 甲第２号証：特開２００３－２５８４３０号公報 甲第３号証：特開２００５－１４６３２８号公報 （以下、「甲第１号証」～「甲第３号証」を、「甲１」～「甲３」ということがある。） 第２ 訂正の適否についての判断 １ 本件訂正の内容は以下のとおりである。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に 「複数の接続パッドを含んでいる。」とあるのを、 「複数の接続パッドを含み、 前記第１面側導体層の導体層の厚みおよび前記第２面側導体層の導体層の厚みは略等しい。」（下線は訂正部分）に訂正する。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項７に 「を含む配線基板の製造方法であって、 前記第１ビルドアップ層および前記第２ビルドアップ層を設けることは、」とあるのを、 「を含む配線基板の製造方法であって、 前記コア基板を設けることは、前記第１面側導体層および前記第２面側導体層を、略同じ厚みを有するように形成することを含み、 前記第１ビルドアップ層および前記第２ビルドアップ層を設けることは、」（下線は訂正部分）に訂正する。 （３）一群の請求項について 本件訂正前の請求項１～６について、請求項２～６はそれぞれ請求項１を引用しているものであって、訂正事項１によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものであるから、本件訂正前の請求項１～６に対応する本件訂正後の請求項１～６は、特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 また、本件訂正前の請求項７及び８について、請求項８は請求項７を引用しているものであって、訂正事項２によって記載が訂正される請求項７に連動して訂正されるものであるから、本件訂正前の請求項７及び８に対応する本件訂正後の請求項７及び８は、特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 ２ 本件訂正の適否の判断 （１）訂正事項１ ア 訂正の目的について 訂正事項１は、訂正前の請求項１の「第１面側導体層」及び「第２面側導体層」について、「第１面側導体層の導体層の厚み」と「第２面側導体層の導体層の厚み」が「略等しい」という関係にあることを特定することにより、「第１面側導体層」及び「第２面側導体層」の構成を限定するものといえる。 したがって、訂正事項１は、特許請求の範囲の減縮（特許法１２０条の５第２項ただし書き１号）を目的とするものである。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 前記アで示したとおり、訂正事項１は「第１面側導体層」及び「第２面側導体層」の構成を限定するものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条６項に適合する。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「明細書等」ということがある。）に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項１により追加された「前記第１面側導体層の導体層の厚みおよび前記第２面側導体層の導体層の厚みは略等しい」との事項は、明細書等の【００１９】の「第１面側導体層３の導体厚さと第２面側導体層４の導体厚さとは略等しい」との記載に基づくものであると認められる。 したがって、訂正事項１は、明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であるから、特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条５項に適合する。 エ 独立特許要件 訂正事項１に係る請求項１～６は、いずれも、本件特許異議の申立てがされているので、特許法１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法１２６条７項の適用はない。 オ 小括 前記ア～エのとおりであるから、訂正事項１に係る訂正は、適法なものと認められる。 （２）訂正事項２ ア 訂正の目的について 訂正前の請求項７の「配線基板の製造方法」は、「コア絶縁層と第１面側導体層および第２面側導体層とを含むコア基板を設けること」という工程を含むところ、訂正事項２は、当該「コア基板を設けること」という工程について、「前記第１面側導体層および前記第２面側導体層を、略同じ厚みを有するように形成することを含」むことを特定することで、「コア基板を設けること」という工程の構成を限定するものといえる。 したがって、訂正事項２は、特許請求の範囲の減縮（特許法１２０条の５第２項ただし書き１号）を目的とするものである。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 前記アで示したとおり、訂正事項２は「コア基板を設けること」という工程の構成を限定するものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条６項に適合する。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項１と同様に、訂正事項２は、明細書等の【００１９】の「第１面側導体層３の導体厚さと第２面側導体層４の導体厚さとは略等しい」との記載に基づくものであると認められ、明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であるから、特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条５項に適合する。 エ 独立特許要件 訂正事項２に係る請求項７及び８は、いずれも、本件特許異議の申立てがされているので、特許法１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法１２６条７項の適用はない。 オ 小括 前記ア～エのとおりであるから、訂正事項２に係る訂正は、適法なものと認められる。 ３ 本件訂正についてのまとめ 以上のとおり、本件訂正は適法なものと認められる。 したがって、本件特許の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～６〕、〔７、８〕について訂正することを認める。 第３ 本件発明 前記第２、３のとおり、本件訂正は認められるから、本件訂正後の請求項１～８に係る発明は、本件訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲の請求項１～８に記載された事項により特定される次のとおりのものである（以下、本件訂正後の請求項１～８に係る発明を、それぞれ「本件発明１～８」といい、まとめて「本件発明」ということがある。） 「【請求項１】 第１面と前記第１面とは反対側の第２面とを有し、コア絶縁層と第１面側導体層および第２面側導体層とを含むコア基板と、 前記コア基板の第１面上に設けられて第１層間絶縁層と前記第１層間絶縁層上の第１導体層とが交互に積層されてなる第１ビルドアップ層と、 前記コア基板の第２面上に設けられて第２層間絶縁層と前記第２層間絶縁層上の第２導体層とが交互に積層されてなる第２ビルドアップ層と、 を備える配線基板であって、 前記第１導体層および前記第２導体層のうちの前記コア基板から同順位に位置する導体層において、前記第２ビルドアップ層内の導体層の面積が前記第１ビルドアップ層内の導体層の面積より大きく、かつ、前記第２ビルドアップ層内の導体層の厚みが前記第１ビルドアップ層内の導体層の厚みより大きく、 前記第１ビルドアップ層の最も外側の第１導体層は半導体素子を実装するための複数の接続パッドを含み、前記第２ビルドアップ層の最も外側の第２導体層はマザーボードと接続するための複数の接続パッドを含み、 前記第１面側導体層の導体層の厚みおよび前記第２面側導体層の導体層の厚みは略等しい。 【請求項２】 請求項１記載の配線基板であって、前記第２面側導体層および前記第２導体層の面積の総和は、前記第１面側導体層および前記第１導体層の面積の総和よりも大きい。 【請求項３】 請求項１記載の配線基板であって、前記第１導体層および前記第２導体層のうちの前記コア基板から同順位に位置する導体層において、前記第２ビルドアップ層内の導体層の前記厚みが、前記第１ビルドアップ層内の導体層の前記厚みの１．２５倍以上であって、２．０倍以下である。 【請求項４】 請求項１記載の配線基板であって、前記第１導体層および前記第２導体層のうちの前記コア基板から同順位に位置する全ての導体層において、前記第２ビルドアップ層内の導体層の面積が前記第１ビルドアップ層内の導体層の面積より大きく、かつ、前記第２ビルドアップ層内の導体層の厚みが前記第１ビルドアップ層内の導体層の厚みより大きい。 【請求項５】 請求項１記載の配線基板であって、 前記第１層間絶縁層を貫通し前記第１層間絶縁層の両面の導体層同士を接続する第１ビア導体と、 前記第２層間絶縁層を貫通し前記第２層間絶縁層の両面の導体層同士を接続する第２ビア導体とを有し、 前記第１導体層の前記コア基板と反対側を向く表面の前記第１ビア導体上は、前記コア基板と反対側に向かって前記第１導体層の前記表面から凸状に湾曲し、 前記第２導体層の前記コア基板と反対側を向く表面の前記第２ビア導体上は、前記コア基板と反対側に向かって前記第２導体層の前記表面から凸状に湾曲している。 【請求項６】 請求項５記載の配線基板であって、前記第２導体層の前記凸状の部分の、前記第２導体層の前記表面からの高さは、前記第１導体層の前記凸状の部分の、前記第１導体層の前記表面からの高さと等しいかまたは大きい。 【請求項７】 第１面と前記第１面とは反対側の第２面とを有し、コア絶縁層と第１面側導体層および第２面側導体層とを含むコア基板を設けることと、 前記コア基板の第１面上および第２面上に、第１層間絶縁層と前記第１層間絶縁層上の第１導体層とが交互に積層されてなる第１ビルドアップ層、および、第２層間絶縁層と前記第２層間絶縁層上の第２導体層とが交互に積層されてなる第２ビルドアップ層をそれぞれ設けることと、 を含む配線基板の製造方法であって、 前記コア基板を設けることは、前記第１面側導体層および前記第２面側導体層を、略同じ厚みを有するように形成することを含み、 前記第１ビルドアップ層および前記第２ビルドアップ層を設けることは、 前記第２面側の導体層を、前記第１面側における前記コア基板から同順位の導体層よりも厚く、かつ、大きな面積を有するように形成することと、 前記第１ビルドアップ層の最も外側の第１導体層に半導体素子を実装するための複数の接続パッドを形成することと、 前記第２ビルドアップ層の最も外側の第２導体層にマザーボードと接続するための複数の接続パッドを形成することと、 を含んでいる。 【請求項８】 請求項７記載の配線基板の製造方法であって、前記第１ビルドアップ層および前記第２ビルドアップ層を設けることは、前記コア基板の前記第２面側の電流密度が前記第１面側の電流密度よりも高くなるように電圧を印加して電解めっきを行うことを含んでいる。」 第４ 決定の予告の概要 当審にて令和６年６月１９日付けで特許権者に通知した決定の予告における取消理由の概要は、次のとおりである。 取消理由１（進歩性） 本件訂正後の請求項１～４、７及び８に係る発明は、甲１に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものである。また、本件訂正後の請求項５及び６に係る発明は、甲１に記載された発明、並びに甲２及び甲３に示される周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。したがって、本件訂正後の請求項１～８に係る特許は、特許法２９条２項の規定に違反してされたものである。 第５ 決定の予告についての当審の判断 １ 甲１、甲２及び甲３の記載事項 （１）甲１の記載事項及び甲１発明 ア 甲１の記載事項 甲１には、次の事項が記載されている。なお、下線は強調のために当審で付した（以下同様）。 （ア）「【０００１】 本発明は、コア材とコア材の両面に形成されているビルドアップ層とを有するプリント配線板に関する。」 （イ）「【０００８】 [実施形態] 図１（Ａ）は実施形態のプリント配線板１０の断面図である。プリント配線板１０は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓとを有するコア材（絶縁基板）２０ｚとコア材２０ｚの両面に形成されているビルドアップ層５５Ｆ、５５Ｓを有する。ビルドアップ層５５Ｆは、上側のビルドアップ層であり、コア材の第１面上に形成されている。ビルドアップ層５５Ｓは下側のビルドアップ層であり、コア材の第２面下に形成されている。 【０００９】 図１（Ａ）に示されている上側のビルドアップ層５５Ｆは、コア材の第１面Ｆの直上に形成されている第１の上側の導体層５８Ｆとコア材の第１面Ｆと第１の上側の導体層５８Ｆ上に形成されている第１の上側の樹脂絶縁層５０Ｆと第１の上側の樹脂絶縁層５０Ｆの直上に形成されている第２の上側の導体層１５８Ｆと第２の上側の導体層１５８Ｆと第１の上側の樹脂絶縁層５０Ｆ上に形成されている第２の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆと第２の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆの直上に形成されている第３の上側の導体層２５８Ｆとで形成される。そして、上側の樹脂絶縁層の内、最上に位置する上側の樹脂絶縁層１５０Ｆは最上の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆである。上側の導体層の内、最上に位置する上側の導体層２５８Ｆは最上の上側の導体層２５８Ｆである。最上の上側の導体層２５８Ｆは、ＩＣチップ等の電子部品を搭載するための上側のパッド７３Ｆを有する。 図１に示されるように、第１の上側の導体層５８Ｆは厚みｆ１を有し、第２の上側の導体層１５８Ｆは厚みｆ２を有し、最上の上側の導体層２５８Ｆは厚みｆ３を有する。 【００１０】 図１に示されている下側のビルドアップ層５５Ｓは、コア材の第２面Ｓの直下に形成されている第１の下側の導体層５８Ｓとコア材の第２面Ｓと第１の下側の導体層５８Ｓ下に形成されている第１の下側の樹脂絶縁層５０Ｓと第１の下側の樹脂絶縁層５０Ｓの直下に形成されている第２の下側の導体層１５８Ｓと第２の下側の導体層１５８Ｓと第１の下側の樹脂絶縁層５０Ｓ下に形成されている第２の下側の樹脂絶縁層１５０Ｓと第２の下側の樹脂絶縁層１５０Ｓの直下に形成されている第３の下側の導体層２５８Ｓとで形成される。そして、下側の樹脂絶縁層の内、最下に位置する下側の樹脂絶縁層１５０Ｓは最下の下側の樹脂絶縁層１５０Ｓである。下側の導体層の内、最下に位置する下側の導体層２５８Ｓは最下の下側の導体層２５８Ｓである。最下の下側の導体層２５８Ｓは、マザーボード等の回路基板と接続するための下側のパッド７３Ｓを有する。 図１に示されるように、第１の下側の導体層５８Ｓは厚みｓ１を有し、第２の下側の導体層１５８Ｓは厚みｓ２を有し、最下の下側の導体層２５８Ｓは厚みｓ３を有する。 【００１１】 図１に直線ＳＬが描かれている。直線ＳＬは、コア材２０ｚの厚み方向の中心を通り、第１面Ｆに平行な直線である。直線ＳＬと第１面Ｆとの間の距離と直線ＳＬと第２面Ｓとの間の距離は等しい。そして、第１の上側の導体層５８Ｆと第１の下側の導体層５８Ｓは直線ＳＬに対し、略対称に形成されている。第２の上側の導体層１５８Ｆと第２の下側の導体層１５８Ｓは直線ＳＬに対し、略対称に形成されている。第３の上側の導体層２５８Ｆと第３の下側の導体層２５８Ｓは直線ＳＬに対し、略対称に形成されている。 【００１２】 第１の上側の導体層５８Ｆと第１の下側の導体層５８Ｓはコア材２０ｚを貫通する貫通孔２８に形成されているスルーホール導体３６で接続される。貫通孔２８は、第１面側に形成されている第１開口部２８Ｆと第２面側に形成されている第２開口部２８Ｓで形成されている。貫通孔の形状は、砂時計形状である。 【００１３】 第１の上側の導体層５８Ｆと第１の下側の導体層５８Ｓとスルーホール導体３６は、例えば、ＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で製造される。ＵＳ７７８６３９０の内容は本明細書に取り込まれる。」 （ウ）図１ ［図：0001417633000001.jpg］ 図１によれば、最上の上側の導体層２５８Ｆには、上側のパッド７３Ｆが複数設けられ、最下の下側の導体層２５８Ｓには、下側のパッド７３Ｓが複数設けられている。また、第１の上側の樹脂絶縁層５０Ｆにはビア導体６０Ｆ、第２の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆにはビア導体１６０Ｆ、第１の下側の樹脂絶縁層５０Ｓにはビア導体６０Ｓ、第２の下側の樹脂絶縁層１５０Ｓにはビア導体１６０Ｓが設けられ、各ビア導体は絶縁層を貫通して絶縁層の両面の導体層を接続している。 また、２０ｚは絶縁基材、３０はコア基板を示し（【００５４】）、５５Ｆ及び５５Ｓはビルドアップ層を示す（【０００８】）から、図１によれば、コア基板３０が絶縁基材２０ｚにより構成され、コア基板３０の一方の面の上にビルドアップ層５５Ｆが設けられ、他方の面の上にビルドアップ層５５Ｓが設けられていることが見て取れる。 （エ）「【００１８】 下側のビルドアップ層に属する下側の導体層の厚みの和ＳＡは上側のビルドアップ層に属する上側の導体層の厚みの和ＳＦより厚い。図１のプリント配線板では、和ＳＡは厚みｓ１と厚みｓ２と厚みｓ３の和ＳＡ３であり、和ＳＦは厚みｆ１と厚みｆ２と厚みｆ３の和ＳＦ３である。和ＳＡと和ＳＦの差は１μｍより大きい。実施形態のプリント配線板は、直線ＳＬに対し非対称な構造である。和ＳＡが和ＳＦより大きいので、プリント配線板の温度が上昇すると、下側のビルドアップ層に属する導体の伸びが上側のビルドアップ層に属する導体の伸びより大きい。そのため、図６（Ｂ２）に示されるように、リフロー温度でプリント配線板は凹の反りを有しやすい。プリント配線板が凹の反りを有すると、図６（Ｂ３）に示されるように、電子部品９０の外周の電極と半田バンプ間の接続面積やプリント配線板の上側のパッドと半田バンプ間の接続面積が大きくなる。外周の接続箇所は大きな応力を受ける。しかしながら、実施形態のプリント配線板では、接続面積が大きいので、プリント配線板と電子部品間の接続信頼性が高い。 和ＳＡと和ＳＦの差は３０μｍ以下である。差が大きいと、凹の反りの量が大きくなる。電子部品の中央の電極とプリント配線板の上側のパッドが繋がらない。電子部品の外周の電極とプリント配線板の外周の上側のパッド間の距離が短くなる。隣接する外周の上側のパッドが半田バンプを介し短絡する。 【００１９】 第１の上側の導体層５８Ｆの厚みｆ１は１５μｍである。第１の下側の導体層５８Ｓの厚みｓ１は２１μｍである。第１の下側の導体層５８Ｓの厚みｓ１が第１の上側の導体層５８Ｆの厚みｆ１より厚い。厚みｓ１と厚みｆ１の差は２～８μｍある。プリント配線板に電子部品９０が実装される時、プリント配線板は凹の反りを有する。厚みｓ１と厚みｆ１の差は、４～６μｍあることがより好ましい。電子部品がプリント配線板に実装される時、プリント配線板は凹の反りを有し、プリント配線板と電子部品間の距離が適切である。プリント配線板に電子部品を実装する歩留まりが高い。半田バンプを介する電子部品とプリント配線板間の接合強度が高いので、ヒートサイクルでプリント配線板と電子部品間の接続信頼性が高い。 【００２０】 第２の上側の導体層１５８Ｆの厚みｆ２は１４μｍである。第２の下側の導体層１５８Ｓの厚みｓ２は１８μｍである。第２の下側の導体層１５８Ｓの厚みｓ２が第２の上側の導体層１５８Ｆの厚みｆ２より厚い。厚みｓ２と厚みｆ２の差は２～８μｍある。厚みｓ２と厚みｆ２の差は、４～６μｍあることがより好ましい。電子部品がプリント配線板に実装される時、プリント配線板は凹の反りを有し、プリント配線板と電子部品間の距離が適切である。プリント配線板に電子部品を実装する歩留まりが高い。半田バンプを介する電子部品とプリント配線板間の接合強度が高いので、ヒートサイクルでプリント配線板と電子部品間の接続信頼性が高い。 【００２１】 最上の上側の導体層２５８Ｆの厚みｆ３は１６μｍである。最下の下側の導体層２５８Ｓの厚みｓ３は２１μｍである。最下の下側の導体層２５８Ｓの厚みｓ３が最上の導体層２５８Ｆの厚みｆ３より厚い。厚みｓ３と厚みｆ３の差は２～８μｍある。厚みｓ３と厚みｆ３の差は、４～６μｍあることがより好ましい。電子部品がプリント配線板に実装される時、プリント配線板は凹の反りを有し、プリント配線板と電子部品間の距離が適切である。プリント配線板に電子部品を実装する歩留まりが高い。半田バンプを介する電子部品とプリント配線板間の接合強度が高いので、ヒートサイクルでプリント配線板と電子部品間の接続信頼性が高い。」 （オ）「【００２３】 第１の上側の導体層５８Ｆの面積の占有率ＯＦ１（第１の上側の導体層５８Ｆの面積／コア材２０ｚの第１面Ｆの面積×１００）は６７．５３％である。第１の下側の導体層５８Ｓの面積の占有率ＯＳ１（第１の下側の導体層５８Ｓの面積／コア材２０ｚの第２面Ｓの面積×１００）は８３．３０％である。占有率ＯＳ１は占有率ＯＦ１より大きい。第１面Ｆの面積と第２面Ｓの面積はほぼ等しいので、第１の下側の導体層５８Ｓの面積が、第１の上側の導体層５８Ｆの面積より大きい。 第２の上側の導体層１５８Ｆの面積の占有率ＯＦ２（第２の上側の導体層１５８Ｆの面積／第１の上側の樹脂絶縁層５０Ｆの面積×１００）は５２．５５％である。第２の下側の導体層１５８Ｓの面積の占有率ＯＳ２（第２の下側の導体層１５８Ｓの面積／第１の下側の樹脂絶縁層５０Ｓの面積×１００）は７９．４６％である。占有率ＯＳ２は占有率ＯＦ２より大きい。第１の上側の樹脂絶縁層の面積と第１の下側の樹脂絶縁層の面積はほぼ等しいので、第２の下側の導体層１５８Ｓの面積が、第２の上側の導体層１５８Ｆの面積より大きい。 最上の上側の導体層２５８Ｆの面積の占有率ＯＦ３（最上の上側の導体層２５８Ｆの面積／最上の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆの面積×１００）は６７．６６％である。最下の下側の導体層２５８Ｓの面積の占有率ＯＳ３（最下の下側の導体層２５８Ｓの面積／最下の下側の樹脂絶縁層２５０Ｓの面積×１００）は８０．５８％である。占有率ＯＳ３は占有率ＯＦ３より大きい。最上の上側の樹脂絶縁層の面積と最下の下側の樹脂絶縁層の面積はほぼ等しいので、最下の下側の導体層２５８Ｓの面積が、最上の上側の導体層２５８Ｆの面積より大きい。 プリント配線板１０では、直線ＳＬに対し対称な位置に形成されている導体層の占有率が制御されている。そして、下側のビルドアップ層に属する導体層の占有率が上側のビルドアップ層に属する導体層の占有率より大きい。そのため、電子部品が実装される時、プリント配線板１０は凹の反りを有しやすい。 占有率ＯＳ１と占有率ＯＦ１の差と占有率ＯＳ２と占有率ＯＦ２の差と占有率ＯＳ３と占有率ＯＦ３の差は１０％から３０％の間である。リフロー温度でのプリント配線板の反りの方向と反りの量を容易に制御することができる。従って、ヒートサイクルでプリント配線板と電子部品間の接続信頼性が高い。また、半導体装置の反りの方向や反りの量が制御される。 各上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆの面積と各下側の樹脂絶縁層５０Ｓ、１５０Ｓの面積と第１面Ｆの面積と第２面Ｓの面積はほぼ等しい。」 （カ）「【００２５】 図６は、プリント配線板の温度が変化する時、予想される実施形態のプリント配線板１０の反りと参考例のプリント配線板１１０の反りを示している。図６（Ａ）は参考例のプリント配線板１１０の反りを示し、図６（Ｂ）は実施形態のプリント配線板１０の反りを示す。図６に示される参考例と実施形態のプリント配線板１０，１１０は、コア材２０ｚと、上側のビルドアップ層５５Ｆと下側のビルドアップ層５５Ｓと上側のソルダーレジスト層７０Ｆと下側のソルダーレジスト層７０Ｓを有する。上側のビルドアップ層５５Ｆは、３つの導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆと２つの樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆを有し、下側のビルドアップ層５５Ｓは、３つの導体層５８Ｓ、１５８Ｓ、２５８Ｓと２つの樹脂絶縁層５０Ｓ、１５０Ｓを有する。 図６（Ａ）に示される参考例のプリント配線板１１０は、以下の関係１を満たす。 関係１：和ＳＡと和ＳＦが等しい。厚みｆ１と厚みｓ１は等しく、厚みｆ２と厚みｓ２は等しく、厚みｆ３と厚みｓ３は等しい。 図６（Ｂ）に示される実施形態のプリント配線板１０は、以下の関係２を満たす。 関係２：和ＳＡは和ＳＦより大きく、和ＳＡと和ＳＦの差は１５μｍである。厚みｓ１は厚みｆ１より厚く、厚みｓ１と厚みｆ１の差は５μｍである。厚みｓ２は厚みｆ２より厚く、厚みｓ２と厚みｆ２の差は５μｍである。厚みｓ３は厚みｆ３より厚く、厚みｓ３と厚みｆ３の差は５μｍである。プリント配線板１０では、各差は等しい。 和ＳＡ、ＳＦと厚みｆ１、ｆ２、ｆ３、ｓ１、ｓ２、ｓ３に関わる構成以外、実施形態のプリント配線板１０と参考例のプリント配線板１１０は同様である。 【００２６】 図６（Ａ１）は、常温での参考例のプリント配線板１１０の反りの状態を示す。続いて、プリント配線板１１０は電子部品を実装する温度（約２４０℃）下に置かれる。その時のプリント配線板１１０の反りの状態が図６（Ａ２）に示される。参考例は関係１を満足するので、直線ＳＬより上に位置する部分のプリント配線板（上側のプリント配線板）１０Ｕの伸びと直線ＳＬより下に位置する部分のプリント配線板（下側のプリント配線板）１０Ｂの伸びがほぼ等しい。そのため、図６（Ａ２）に示されるように、プリント配線板１１０は電子部品の実装温度でほぼ平坦である。尚、符号１０Ｕ、１０Ｂは図１に示されている。そして、図６（Ａ３）に示されるように、プリント配線板１１０に電子部品が実装される。電子部品９０とプリント配線板１１０とからなる参考例の半導体装置１１０Ｓが完成する。その後、半導体装置１１０Ｓは常温に戻る。その時の半導体装置１１０Ｓの反りの状態が図６（Ａ４）に示されている。電子部品９０の熱膨張係数はプリント配線板１１０の熱膨張係数より小さい。そのため、電子部品は半導体装置の伸縮に影響を与える。電子部品の近くに位置するプリント配線板の伸縮量は小さい。それに対し、電子部品から離れている部分では、プリント配線板の伸縮量は大きい。従って、半導体装置１１０Ｓが実装温度から常温に戻るとき、上側のプリント配線板１０Ｕの縮み量は小さく、下側のプリント配線板１０Ｕの縮み量は大きい。そのため、図６（Ａ４）に示されるように、半導体装置１１０Ｓは凸の反りを有する。反りの量ｔ１が図６（Ａ４）に示されている。 【００２７】 図６（Ｂ１）は、常温での実施形態のプリント配線板１０の反りの状態を示す。続いて、プリント配線板１０は電子部品を実装する温度（約２４０℃）下に置かれる。その時のプリント配線板１１０の反りの状態が図６（Ｂ２）に示される。実施形態は関係２を満足するので、下側のプリント配線板１０Ｂの伸びが上側のプリント配線板１０Ｕの伸びより大きい。そのため、図６（Ｂ２）に示されるように、プリント配線板１０は電子部品の実装温度で凹の反りを有する。尚、符号１０Ｕ、１０Ｂは図１に示されている。そして、図６（Ｂ３）に示されるように、プリント配線板１０に電子部品が実装される。電子部品９０とプリント配線板１０とからなる実施形態の半導体装置１０Ｓが完成する。その後、半導体装置１０Ｓは常温に戻る。その時の半導体装置１０Ｓの反りの状態が図６（Ｂ４）に示されている。電子部品９０の熱膨張係数はプリント配線板１０の熱膨張係数より小さい。実施形態では、半導体装置１０Ｓが実装温度から常温に戻るとき、上側のプリント配線板１０Ｕの縮み量は小さく、下側のプリント配線板１０Ｕの縮み量は大きい。そのため、図６（Ｂ４）に示されるように、半導体装置１１０Ｓは凸の反りを有する。反りの量ｔ３が図６（Ｂ４）に示されている。しかしながら、半導体装置１０Ｓ、１１０Ｓが実装温度から常温に戻るとき、参考例では、反りの方向が平坦から凸の反りに変化する。それに対し、実施形態では、反りの方向が凹の反りから凸の反りに変化する。そのため、参考例の反りの量ｔ１と実施形態の反りの量ｔ３が比較されると、反りの量ｔ３は反りの量ｔ１より小さい。」 （キ）図６ ［図：0001417633000002.jpg］ （ク）「【００３５】 ＣＯ２ガスレーザで第１の上側の樹脂絶縁層５０Ｆにビア導体用の開口５１Ｆが形成される。第１の下側の樹脂絶縁層５０Ｓにビア導体用の開口５１Ｓが形成される。開口５１Ｆは導体層５８Ｆに至り、開口５１Ｓは導体層５８Ｓに至る。上側の樹脂絶縁層５０Ｆ上と開口５１Ｆの内壁に無電解銅めっき膜５２Ｆが形成される。下側の樹脂絶縁層５０Ｓ上と開口５１Ｓの内壁に無電解銅めっき膜５２Ｓが形成される。無電解銅めっき膜５２Ｆ、５２Ｓ上にめっきレジストが形成される。電解めっき処理により、めっきレジストから露出する無電解銅めっき膜５２Ｆに電解銅めっき膜５６Ｆが形成される。めっきレジストから露出する無電解銅めっき膜５２Ｓ上に電解銅めっき膜５６Ｓが形成される。この際、電解銅めっき膜５６Ｓを形成するための電流密度は電解銅めっき膜５６Ｆを形成するための電流密度より大きい。そのため、電解銅めっき膜５６Ｓの厚みは電解銅めっき膜５６Ｆの厚みより厚い。 【００３６】 めっきレジストが除去される、電解銅めっき膜５６Ｆ、５６Ｓから露出する無電解銅めっき膜５２Ｆ、５２Ｓが除去される。第２の上側の導体層１５８Ｆと第２の下側の導体層１５８Ｓが形成される。同時に第１の上側のビア導体６０Ｆと第１の下側のビア導体６０Ｓが形成される（図３（Ｄ））。第２の上側の導体層１５８Ｆの厚みｆ２は１４μｍであって、第２の下側の導体層１５８Ｓの厚みｓ２は１８μｍである。厚みｓ２は厚みｆ２より大きい。厚みｓ２と厚みｆ２の差は４μｍである。第２の上側の導体層１５８Ｆの占有率ＯＦ２は５２．５５％である。第２の下側の導体層１５８Ｓの占有率ＯＳ２は７９．４６％である。占有率ＯＳ２は占有率ＯＦ２より大きい。占有率ＯＳ２と占有率ＯＦ２の差は２６．９１％である。 【００３７】 上側の樹脂絶縁層５０Ｆと上側の導体層１５８Ｆ上に第２の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆが形成され、下側の樹脂絶縁層５０Ｓと下側の導体層１５８Ｓ下に第２の下側の樹脂絶縁層１５０Ｓが形成される。第２の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆに第２の上側のビア導体用の開口１５１Ｆが形成され、第２の下側の樹脂絶縁層１５０Ｓに第２の下側のビア導体用の開口１５１Ｓが形成される。第２の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆ上に最上の上側の導体層２５８Ｆが形成され、第２の下側の樹脂絶縁層１５０Ｓ下に最下の下側の導体層２５８Ｓが形成される。最上の上側の導体層２５８Ｆの形成方法は、第２の上側の導体層１５８Ｆの形成方法と同様である。最下の下側の導体層２５８Ｓの形成方法は、第２の下側の導体層１５８Ｓの形成方法と同様である。第２の上側のビア導体用の開口１５１Ｆに第２の上側のビア導体１６０Ｆが形成され、第２の下側のビア導体用の開口１５１Ｓに第２の下側のビア導体１６０Ｓが形成される。ビア導体１６０Ｆ、１６０Ｓの形成方法は、ビア導体６０Ｆ、６０Ｓの形成方法と同様である（図４（Ａ））。最上の上側の導体層２５８Ｆの厚みｆ３は１６μｍであって、最下の下側の導体層１５８Ｓの厚みｓ３は２１μｍである。厚みｓ３は厚みｆ３より大きい。厚みｓ３と厚みｆ３の差は５μｍである。 最上の上側の導体層２５８Ｆの占有率ＯＦ３は６７．６６％である。最下の下側の導体層２５８Ｓの占有率ＯＳ３は８０．５８％である。占有率ＯＳ３は占有率ＯＦ３より大きい。占有率ＯＳ３と占有率ＯＦ３の差は１２．９２％である。」 （ケ）「【００４２】 [実施形態の第１改変例] 図５（Ａ）は実施形態の第１改変例に係るプリント配線板１０Ｍ１の断面図である。第１改変例では、図１に示されるプリント配線板１０の第３の上側の導体層２５８Ｆと第２の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆ上に第３の上側の樹脂絶縁層２５０Ｆが形成されている。さらに、第３の上側の樹脂絶縁層２５０Ｆ上に第４の上側の導体層３５８Ｆが形成されている。第３の上側の樹脂絶縁層２５０Ｆを貫通する第３の上側のビア導体２６０Ｆが形成されている。そして、第４の上側の導体層３５８Ｆと第３の上側の樹脂絶縁層２５０Ｆ上に上側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成されている。第３の上側の樹脂絶縁層２５０Ｆは第１改変例の最上の上側の樹脂絶縁層２５０Ｆであり、第４の上側の導体層３５８Ｆは第１改変例の最上の上側の導体層３５８Ｆである。最上の上側の導体層３５８Ｆは上側のソルダーレジスト層の開口７１Ｆにより露出される上側のパッド７３Ｆを有する。上側の導体層３５８Ｆは厚みｆ４を有する。 【００４３】 第１改変例では、図１に示されるプリント配線板１０の第３の下側の導体層２５８Ｓと第２の下側の樹脂絶縁層１５０Ｓ下に第３の下側の樹脂絶縁層２５０Ｓが形成されている。さらに、第３の下側の樹脂絶縁層２５０Ｓ下に第４の下側の導体層３５８Ｓが形成されている。第３の下側の樹脂絶縁層２５０Ｓを貫通する第３の下側のビア導体２６０Ｓが形成されている。そして、第４の下側の導体層３５８Ｓと第３の下側の樹脂絶縁層２５０Ｓ下に下側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成されている。第３の下側の樹脂絶縁層２５０Ｓは第１改変例の最下の下側の樹脂絶縁層２５０Ｓであり、第４の下側の導体層３５８Ｓは第１改変例の最下の下側の導体層３５８Ｓである。最下の下側の導体層３５８Ｓは下側のソルダーレジスト層の開口７１Ｓにより露出される下側のパッド７３Ｓを有する。下側の導体層３５８Ｓは厚みｓ４を有する。 【００４４】 厚みｆ４は１６μｍであって、厚みｓ４は２１μｍである。厚みｓ４は厚みｆ４より大きい。厚みｓ４と厚みｆ４の差は５μｍである。最上の上側の導体層の厚みと最下の下側の導体層の厚みとの差は２～８μｍある。厚みの差は４～６μｍあることがより好ましい。 【００４５】 下側のビルドアップ層５５Ｓに属する下側の導体層５８Ｓ、１５８Ｓ、２５８Ｓ、３５８Ｓの和ＳＡ（ＳＡ４）は、上側のビルドアップ層５５Ｆに属する上側の導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆ、３５８Ｆの和ＳＦ（ＳＦ４）より大きい。和ＳＡ４と和ＳＦ４の差は、図１のプリント配線板と同様に１μｍより大きい。和ＳＡ４と和ＳＦ４の差は、図１のプリント配線板と同様に３０μｍ以下である。 【００４６】 第１改変例の最上の上側の導体層３５８Ｓの占有率ＯＦ４は６７．６６％である。第１改変例の最下の下側の導体層３５８Ｓの占有率ＯＳ４は８０．５８％である。占有率ＯＳ４は占有率ＯＦ４より大きい。占有率ＯＳ４と占有率ＯＦ４の差は１０％から３０％の間である。 【００４７】 実施形態の第１改変例に係るプリント配線板１０Ｍ１は、図１に示される実施形態のプリント配線板１０と同様な効果を有する。 【００４８】 [実施形態の第２改変例] 図５（Ｂ）は実施形態の第２改変例に係るプリント配線板１０Ｍ２の断面図である。第２改変例のプリント配線板１０Ｍ２は、図１に示されるプリント配線板１０の第２の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆと第２の上側のビア導体１６０Ｆと第３の上側の導体層２５８Ｆと第２の下側の樹脂絶縁層１５０Ｓと第２の下側のビア導体１６０Ｓと第３の下側の導体層２５８Ｓを有していない。それ以外、第２の改変例のプリント配線板１０Ｍ２は実施形態のプリント配線板１０と同じである。第２の上側の導体層１５８Ｆが最上の上側の導体層であり、第１の上側の樹脂絶縁層５０Ｆが最上の上側の樹脂絶縁層である。また、第２の下側の導体層１５８Ｓが最下の下側の導体層であり、第１の下側の樹脂絶縁層５０Ｓが最下の下側の樹脂絶縁層である。 【００４９】 第１の上側の導体層５８Ｆの厚みｆ１は１５μｍであって、第１の下側の導体層５８Ｓの厚みｓ１は２１μｍである。厚みｓ１は厚みｆ１より厚い。厚みｓ１と厚みｆ１の差は６μｍである。厚みｓ１と厚みｆ１の差は２～８μｍある。厚みの差は４～６μｍあることがより好ましい。 【００５０】 最上の上側の導体層１５８Ｆの厚みｆ２は１４μｍであって、最下の下側の導体層１５８Ｓの厚みｓ２は１８μｍである。厚みｓ２は厚みｆ２より厚い。厚みｓ２と厚みｆ２の差は４μｍである。厚みｓ２と厚みｆ２の差は２～８μｍあるの。厚みの差は４～６μｍあることがより好ましい。 【００５１】 厚みｓ１と厚みｓ２の和ＳＡ（ＳＡ２）は厚みｆ１と厚みｆ２の和ＳＦ（ＳＦ２）より大きい。和ＳＡ２と和ＳＦ２の差は１μｍより大きい。和ＳＡ２と和ＳＦ２の差は３０μｍ以下である。 【００５２】 第１の上側の導体層５８Ｆの占有率ＯＦ１は６７．５３％である。第１の下側の導体層５８Ｓの占有率ＯＳ１は８３．３０％である。占有率ＯＳ１は占有率ＯＦ１より大きい。占有率ＯＳ１と占有率ＯＦ１の差は１０％から３０％であり、図５（Ｂ）のプリント配線板では、差は１５．７７％である。 最上の上側の導体層１５８Ｆの占有率ＯＦ２は５２．５５％である。最下の下側の導体層１５８Ｓの占有率ＯＳ２は７９．４６％である。占有率ＯＳ２は占有率ＯＦ２より大きい。占有率ＯＳ２と占有率ＯＦ２の差は１０％から３０％であり、図５（Ｂ）のプリント配線板では、差は２６．９１％である。 【００５３】 実施形態の第２改変例に係るプリント配線板１０Ｍ２は、図１に示される実施形態のプリント配線板１０と同様な効果を有する。 【符号の説明】 【００５４】 １０ プリント配線板 ２０ｚ 絶縁基板 ２８ 貫通孔 ３０ コア基板 ５８Ｆ 第１の上側の導体層 ５８Ｓ 第１の下側の導体層 ３６ スルーホール導体 ５０Ｆ 第１の上側の樹脂絶縁層 ５０Ｓ 第１の下側の樹脂絶縁層 １５８Ｆ 第２の上側の導体層 １５８Ｓ 第２の下側の導体層 ２５８Ｆ 最上の上側の導体層 ２５８Ｓ 最下の下側の導体層」 イ 甲１発明 前記アによれば、甲１には、次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。なお、後の参照の便宜のため、引用発明をａ～ｐに分説し、「分説ａ」などのようにして参照する。 ＜甲１発明＞ 「ａ プリント配線板であって、（【０００１】） ｂ 第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓとを有するコア材（絶縁基板）２０ｚとコア材２０ｚの両面に形成されているビルドアップ層５５Ｆ、５５Ｓを有し、（【０００８】） ｃ１ ビルドアップ層５５Ｆは、 ｃ１ａ コア材の第１面Ｆの直上に形成されている第１の上側の導体層５８Ｆと ｃ１ｂ コア材の第１面Ｆと第１の上側の導体層５８Ｆ上に形成されている第１の上側の樹脂絶縁層５０Ｆと ｃ１ｃ 第１の上側の樹脂絶縁層５０Ｆの直上に形成されている第２の上側の導体層１５８Ｆと ｃ１ｄ 第２の上側の導体層１５８Ｆと第１の上側の樹脂絶縁層５０Ｆ上に形成されている第２の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆと ｃ１ｅ 第２の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆの直上に形成されている第３の上側の導体層２５８Ｆと ｃ１ で形成され、（【０００９】） ｃ２ 最上の上側の導体層２５８Ｆは、ＩＣチップ等の電子部品を搭載するための上側のパッド７３Ｆを有し、（【０００９】） ｃ３ 第１の上側の導体層５８Ｆは厚みｆ１を有し、第２の上側の導体層１５８Ｆは厚みｆ２を有し、最上の上側の導体層２５８Ｆは厚みｆ３を有し、（【０００９】） ｄ１ ビルドアップ層５５Ｓは、 ｄ１ａ コア材の第２面Ｓの直下に形成されている第１の下側の導体層５８Ｓと ｄ１ｂ コア材の第２面Ｓと第１の下側の導体層５８Ｓ下に形成されている第１の下側の樹脂絶縁層５０Ｓと ｄ１ｃ 第１の下側の樹脂絶縁層５０Ｓの直下に形成されている第２の下側の導体層１５８Ｓと ｄ１ｄ 第２の下側の導体層１５８Ｓと第１の下側の樹脂絶縁層５０Ｓ下に形成されている第２の下側の樹脂絶縁層１５０Ｓと ｄ１ｅ 第２の下側の樹脂絶縁層１５０Ｓの直下に形成されている第３の下側の導体層２５８Ｓと ｄ１ で形成され、（【００１０】） ｄ２ 最下の下側の導体層２５８Ｓは、マザーボード等の回路基板と接続するための下側のパッド７３Ｓを有し、（【００１０】） ｄ３ 第１の下側の導体層５８Ｓは厚みｓ１を有し、第２の下側の導体層１５８Ｓは厚みｓ２を有し、最下の下側の導体層２５８Ｓは厚みｓ３を有し、（【００１０】） ｅ１ 最上の上側の導体層２５８Ｆには、上側のパッド７３Ｆが複数設けられ、最下の下側の導体層２５８Ｓには、下側のパッド７３Ｓが複数設けられ、（図１） ｅ２ 第１の上側の樹脂絶縁層５０Ｆにはビア導体６０Ｆ、第２の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆにはビア導体１６０Ｆ、第１の下側の樹脂絶縁層５０Ｓにはビア導体６０Ｓ、第２の下側の樹脂絶縁層１５０Ｓにはビア導体１６０Ｓが設けられ、各ビア導体は絶縁層を貫通して絶縁層の両面の導体層を接続し、（図１） ｅ３ コア基板３０が絶縁基材２０ｚにより構成され、コア基板３０の一方の面の上にビルドアップ層５５Ｆが設けられ、他方の面の上にビルドアップ層５５Ｓが設けられており、（図１） ｆ１ 下側のビルドアップ層に属する下側の導体層の厚みの和ＳＡは上側のビルドアップ層に属する上側の導体層の厚みの和ＳＦより厚く、和ＳＡは厚みｓ１と厚みｓ２と厚みｓ３の和ＳＡ３であり、和ＳＦは厚みｆ１と厚みｆ２と厚みｆ３の和ＳＦ３であり、和ＳＡと和ＳＦの差は１μｍより大きく、和ＳＡが和ＳＦより大きいので、プリント配線板の温度が上昇すると、下側のビルドアップ層に属する導体の伸びが上側のビルドアップ層に属する導体の伸びより大きく、そのため、リフロー温度でプリント配線板は凹の反りを有しやすく、（【００１８】） ｆ２ 和ＳＡと和ＳＦの差は３０μｍ以下であり、差が大きいと、凹の反りの量が大きくなり、電子部品の中央の電極とプリント配線板の上側のパッドが繋がらず、（【００１８】） ｇ 第１の上側の導体層５８Ｆの厚みｆ１は１５μｍであり、第１の下側の導体層５８Ｓの厚みｓ１は２１μｍであり、第１の下側の導体層５８Ｓの厚みｓ１が第１の上側の導体層５８Ｆの厚みｆ１より厚く、（【００１９】） ｈ 第２の上側の導体層１５８Ｆの厚みｆ２は１４μｍであり、第２の下側の導体層１５８Ｓの厚みｓ２は１８μｍであり、第２の下側の導体層１５８Ｓの厚みｓ２が第２の上側の導体層１５８Ｆの厚みｆ２より厚く、（【００２０】） ｉ 最上の上側の導体層２５８Ｆの厚みｆ３は１６μｍであり、最下の下側の導体層２５８Ｓの厚みｓ３は２１μｍであり、最下の下側の導体層２５８Ｓの厚みｓ３が最上の導体層２５８Ｆの厚みｆ３より厚く、（【００２１】） ｊ１ 第１の上側の導体層５８Ｆの面積の占有率ＯＦ１（第１の上側の導体層５８Ｆの面積／コア材２０ｚの第１面Ｆの面積×１００）は６７．５３％であり、第１の下側の導体層５８Ｓの面積の占有率ＯＳ１（第１の下側の導体層５８Ｓの面積／コア材２０ｚの第２面Ｓの面積×１００）は８３．３０％であり、第１の下側の導体層５８Ｓの面積が、第１の上側の導体層５８Ｆの面積より大きく、（【００２３】） ｊ２ 第２の上側の導体層１５８Ｆの面積の占有率ＯＦ２（第２の上側の導体層１５８Ｆの面積／第１の上側の樹脂絶縁層５０Ｆの面積×１００）は５２．５５％であり、第２の下側の導体層１５８Ｓの面積の占有率ＯＳ２（第２の下側の導体層１５８Ｓの面積／第１の下側の樹脂絶縁層５０Ｓの面積×１００）は７９．４６％であり、第２の下側の導体層１５８Ｓの面積が、第２の上側の導体層１５８Ｆの面積より大きく、（【００２３】） ｊ３ 最上の上側の導体層２５８Ｆの面積の占有率ＯＦ３（最上の上側の導体層２５８Ｆの面積／最上の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆの面積×１００）は６７．６６％であり、最下の下側の導体層２５８Ｓの面積の占有率ＯＳ３（最下の下側の導体層２５８Ｓの面積／最下の下側の樹脂絶縁層２５０Ｓの面積×１００）は８０．５８％であり、最下の下側の導体層２５８Ｓの面積が、最上の上側の導体層２５８Ｆの面積より大きく、（【００２３】） ｋ プリント配線板１０は電子部品の実装温度で凹の反りを有し、プリント配線板１０に電子部品が実装され、電子部品９０とプリント配線板１０とからなる半導体装置１０Ｓが完成し、半導体装置１０Ｓが実装温度から常温に戻るとき、上側のプリント配線板１０Ｕの縮み量は小さく、下側のプリント配線板１０Ｕの縮み量は大きく、半導体装置１０Ｓが実装温度から常温に戻るとき、反りの方向が凹の反りから凸の反りに変化し、反りの量ｔ３は参考例の反りの量ｔ１より小さく、（【００２７】） ｌ 上側の樹脂絶縁層５０Ｆ上と開口５１Ｆの内壁に無電解銅めっき膜５２Ｆが形成され、下側の樹脂絶縁層５０Ｓ上と開口５１Ｓの内壁に無電解銅めっき膜５２Ｓが形成され、電解めっき処理により、めっきレジストから露出する無電解銅めっき膜５２Ｆに電解銅めっき膜５６Ｆが形成され、めっきレジストから露出する無電解銅めっき膜５２Ｓ上に電解銅めっき膜５６Ｓが形成され、この際、電解銅めっき膜５６Ｓを形成するための電流密度は電解銅めっき膜５６Ｆを形成するための電流密度より大きく、そのため、電解銅めっき膜５６Ｓの厚みは電解銅めっき膜５６Ｆの厚みより厚く、（【００３５】） ｍ 電解銅めっき膜５６Ｆ、５６Ｓから露出する無電解銅めっき膜５２Ｆ、５２Ｓが除去され、第２の上側の導体層１５８Ｆと第２の下側の導体層１５８Ｓが形成され、同時に第１の上側のビア導体６０Ｆと第１の下側のビア導体６０Ｓが形成され、（【００３６】） ｎ 最上の上側の導体層２５８Ｆの形成方法は、第２の上側の導体層１５８Ｆの形成方法と同様であり、ビア導体１６０Ｆ、１６０Ｓの形成方法は、ビア導体６０Ｆ、６０Ｓの形成方法と同様であり、（【００３７】） ｏ 第１の上側の導体層５８Ｆと第１の下側の導体層５８Ｓはコア材２０ｚを貫通する貫通孔２８に形成されているスルーホール導体３６で接続される、（【００１２】） ｐ プリント配線板。」 （２）甲２の記載事項 ア 甲２の記載 甲２には、次の事項が記載されている。 （ア）「【００２２】この配線基板１０１は、図１中に破線で示すＩＣチップＩＣが搭載される基板主面１０２と、図示しないマザーボードに接続される基板裏面１０３とを有する略矩形の略板形状である。配線基板１０１は、その中心にガラス－エポキシ樹脂からなる厚さ約８００μｍのコア基板１１１を備える。このコア基板１１１のコア主面１１２上には、エポキシ樹脂等からなる厚さ約３５μｍの主面側第１絶縁層１２１が積層され、その上には、同じくエポキシ樹脂等からなる厚さ約３５μｍの主面側第２絶縁層１２４が積層され、さらにその上には、同じくエポキシ樹脂等からなる厚さ約２５μｍの主面側第３絶縁層（主面側ソルダーレジスト層）１２７が積層されている。また同様に、コア基板１１１のコア裏面１１３上には、エポキシ樹脂等からなる厚さ約３５μｍの裏面側第１絶縁層１４１が積層され、その上には、同じくエポキシ樹脂等からなる厚さ約３５μｍの裏面側第２絶縁層１４４が積層され、さらにその上には、同じくエポキシ樹脂等からなる厚さ約２５μｍの裏面側第３絶縁層（裏面側ソルダーレジスト層）１４７が積層されている。」 （イ）「【００２５】主面側第１絶縁層１２１には、図１及び図２に示すように、これを貫通する開口径約６５μｍの多数のビアホール１２２が所定の位置に形成され、その内部及びその上には、Ｃｕからなるフィルドビア導体１２３がそれぞれ形成されている。具体的には、各々のフィルドビア導体１２３は、ビアホール１２２内に形成された略円錐台状の円錐台部１２３Ｐと、その上に形成された直径約１２５μｍ、厚さ約１４．５μｍの円盤状の円盤部１２３Ｑとを有する。さらに、円盤部１２３Ｑの中央上には、凸状に膨らみ、底面の直径が約５５μｍ、高さが約５μｍの膨出部１２３Ｒを有する。つまり、このフィルドビア導体１２３は、表面が凸状に膨らんだ膨出部１２３Ｒを有する形状とされている。また、フィルドビア導体１２３の表面全面は、主面側第２絶縁層１２４との密着性を向上させるため、表面粗さＲａ＝約０．５μｍの粗化面とされている。これらのフィルドビア導体１２３には、その表面全体が主面側第２絶縁層１２４で覆われたもの（図２参照）と、その表面に後述するフィルドビア導体１２６が接続されたものとがある。表面全体が主面側第２絶縁層１２４で覆われたフィルドビア導体１２３について見ると、その膨出部１２３Ｒ上に積層された主面側第２絶縁層１２４の厚さは、約１５．５μｍと十分に厚くなっている。」 （ウ）「【００３３】このような配線基板１０１は、その製造にあたり、主面側第１絶縁層１２１のフィルドビア導体１２３上に主面側第２絶縁層１２４を形成するときに、フィルドビア導体１２３の表面が凸状に膨らんでいるため、フィルドビア導体１２３上にボイドが生じにくい。従って、フィルドビア導体１２３と主面側第２絶縁層１２４との密着強度を高くすることができ、配線基板１０１の信頼性を向上させることができる。また、主面側第２絶縁層１２４のフィルドビア導体１２６上に主面側第３絶縁層１２７を形成するときに、フィルドビア導体１２６の表面が凸状に膨らんでいるため、フィルドビア導体１２６上にボイドが生じにくい。従って、フィルドビア導体１２６と主面側第３絶縁層１２７との密着強度を高くすることができ、配線基板１０１の信頼性を向上させることができる。」 （エ）「【００４４】次に、第１フィルドビア形成工程において、図５に示すように、Ｃｕメッキにより、主面側第１絶縁層１２１のビアホール１２２にフィルドビア導体１２３を形成すると共に、裏面側第１絶縁層１４１のビアホール１４２にフィルドビア導体１４３を形成する。また、主面側第１絶縁層１２１上に主面側第２導体層１６３を形成し、裏面側第１絶縁層１４１上に裏面側第２導体層１７３を形成する。具体的には、Ｃｕ無電解メッキを施し、主面側第１絶縁層１２１上及びそのビアホール１２２内、裏面側第１絶縁層１４１上及びそのビアホール１４２内に、無電解メッキ層を形成する。その後、主面側第１絶縁層１２１上の無電解メッキ層上と裏面側第１絶縁層１４１上の無電解メッキ層上に、公知のフォトリソグラフィ法により所定パターンのメッキレジスト層を形成する。次に、Ｃｕ電解メッキを施し、各々のメッキレジスト層から露出する無電解メッキ層上に、フィルドビア導体１２３，１４３を含む所定パターンの電解メッキを形成する。その際、フィルドビア導体１２３，１４３の表面が膨らみ、高さ約５μｍの膨出部１２３Ｒ等がそれぞれできるまでＣｕ電解メッキを施す。その後、メッキレジスト層をそれぞれ剥離して、露出した無電解メッキ層をエッチングにより除去し、所定パターンの主面側第２導体層１６３と裏面側第２導体層１７３を形成する。なお、Ｃｕ電解メッキの際は、フィルドビア導体形成用のメッキ液を使用する。」 イ 甲２記載事項の認定 前記アの記載によれば、甲２には、次の甲２記載事項が記載されていると認められる。 ＜甲２記載事項＞ 「配線基板１０１は、コア基板１１１を備え、コア基板１１１のコア主面１１２上には、主面側第１絶縁層１２１が積層され、（【００２２】） 主面側第１絶縁層１２１には、多数のビアホール１２２が所定の位置に形成され、その内部及びその上には、フィルドビア導体１２３がそれぞれ形成されており、フィルドビア導体１２３は、表面が凸状に膨らんだ膨出部１２３Ｒを有する形状とされており、（【００２５】） 製造にあたり、主面側第１絶縁層１２１のフィルドビア導体１２３上に主面側第２絶縁層１２４を形成するときに、フィルドビア導体１２３の表面が凸状に膨らんでいるため、フィルドビア導体１２３上にボイドが生じにくく、従って、フィルドビア導体１２３と主面側第２絶縁層１２４との密着強度を高くすることができ、配線基板１０１の信頼性を向上させることができ、（【００３３】） 第１フィルドビア形成工程において、Ｃｕ電解メッキを施し、フィルドビア導体１２３、１４３を含む所定パターンの電解メッキを形成し、その際、フィルドビア導体１２３、１４３の表面が膨らみ、高さ約５μｍの膨出部１２３Ｒ等がそれぞれできるまでＣｕ電解メッキを施すこと。（【００４４】）」 （３）甲３の記載事項 ア 甲３の記載 甲３には、次の事項が記載されている。 「【０００２】 近年は、電子部品等の配線の形成方法として、ビルドアップ工法が採用されることが多い。ビルドアップ工法は、複数の配線回路板をスルーホールやビアホールを用いて導通させるものであり、その作製手法としては、サブトラクティブ法とセミアデティブ法が知られている。 【０００３】 従来、サブトラクティブ法が採用されることが多かったが、最近では、高精細パターンが形成できることから、セミアデティブ法が注目されている。 【０００４】 このセミアデティブ法には幾つかのバリエーションが存在する。一般的に、両面銅張り基板や多層板を用い、まず所定の位置に貫通スルーホールを開ける。次に、その基板表面及びスルーホール内壁に導電化処理を行った後にスルーホールめっきを行う。その後、所望の配線回路パターンが残るよう、エッチングレジストを用いて銅エッチングを行い、エッチングレジストを除去したものをコア基板とする。 【０００５】 次いで、このコア基板に対し、樹脂を塗布して絶縁樹脂層を形成後、コア基板の銅回路部分にまで届くブラインドビアを開け、絶縁樹脂層全面に導電化処理を行った後、その上にめっきレジストを塗布し、配線回路の形状に露光した後、めっきレジストを部分的に除去し、その部分に酸性銅めっきを行い、配線回路を形成するというものである。 【０００６】 そして、絶縁樹脂の塗布から、酸性銅めっきによる配線回路の形成までの工程を繰り返すことにより、何重にも重なった回路基板が得られるのである。 【０００７】 ところで、セミアデティブ法に用いられる酸性銅ビアフィリングめっきプロセスの多くは、直流電源を用いるものであり、ブラインドビアホールや、めっきレジストにより形成された溝を充填でき、ビアランドパッドや配線回路が形成できる反面、得られたビアランドパットや銅回路の上部稜線部が丸まる傾向を有するという問題点があった。 【０００８】 このような、銅回路等が丸まる傾向の主原因は、めっき液の添加剤に起因しているものとされている。すなわち、ビアフィリングを行うためには、電流の高い部分の析出を抑え、電流の低い部分の析出を優先させる必要があるが、そうすると、高電流部となるビアランドパッドや回路配線の上部稜線部の析出も同時に抑制され、低電流部である配線中央部に金属が優先的に析出される結果、丸みを帯びた形状となってしまうことになる。 【０００９】 一方、丸み傾向を有しない銅回路を形成する添加剤を使用した場合では、ビアフィリングができなかったり（コンフォーマル析出）、ビアフィリングできても丸み傾向とは反対に、すり鉢状に反りあがってしまうなどの不都合が生じやすかった。」 イ 甲３記載事項の認定 前記アの記載によれば、甲３には、次の甲３記載事項が記載されていると認められる。 ＜甲３記載事項＞ 「電子部品等の配線の形成方法として、ビルドアップ工法が採用されることが多く、ビルドアップ工法は、複数の配線回路板をスルーホールやビアホールを用いて導通させるものであり、その作製手法としては、サブトラクティブ法とセミアデティブ法が知られており、（【０００２】） セミアデティブ法に用いられる酸性銅ビアフィリングめっきプロセスの多くは、直流電源を用いるものであり、ブラインドビアホールや、めっきレジストにより形成された溝を充填でき、ビアランドパッドや配線回路が形成できる反面、得られたビアランドパットや銅回路の上部稜線部が丸まる傾向を有し、（【０００７】） このような、銅回路等が丸まる傾向の主原因は、めっき液の添加剤に起因しているものとされていること。（【０００８】）」 （４）周知技術の認定 前記（２）イ及び（３）イにおいて認定した事項から、次の技術事項は当業者にとって周知技術であったと認められる。 ［周知技術］ 「配線基板において用いられるビア導体について、表面が凸状に膨らんだ形状のものが用いられること。」 ２ 対比・判断 （１）本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲１発明とを対比すると、以下のとおりとなる。 （ア）「第１面と前記第１面とは反対側の第２面とを有し、コア絶縁層と第１面側導体層および第２面側導体層とを含むコア基板と、」について ａ 甲１発明の「コア基板３０」（分説ｅ３）は、本件発明１の「コア基板」に相当する。 また、甲１発明の「コア基板３０」が有する「一方の面」、「他方の面」（分説ｅ３）は、本件発明１の「コア基板」が有する「第１面」、「前記第１面とは反対側の第２面」にそれぞれ相当する。 ｂ 甲１発明の「コア材（絶縁基板）２０ｚ」（分説ｂ）は、絶縁性の基板であり、プリント配線板において１つの層をなしていると認められるから、本件発明１の「コア絶縁層」に相当する。 また、甲１発明では、「コア基板３０が絶縁基材２０ｚにより構成され」る（分説ｅ３）から、「コア基板３０」は、「絶縁基材２０ｚ」（「コア材（絶縁基板）２０ｚ」と同じものを指すと認める。）を含んでいると認められる。 ｃ 甲１発明では、「第１の上側の導体層５８Ｆ」が「コア材の第１面Ｆの直上に形成され」（分説ｃ１ａ）、「第１の下側の導体層５８Ｓ」が「コア材の第２面Ｓの直下に形成されている」（分説ｄ１ａ）。 しかしながら、甲１発明では、「第１の上側の導体層５８Ｆ」は、「ビルドアップ層５５Ｆ」に含まれ（分説ｃ１及びｃ１ａ）、「第１の下側の導体層５８Ｓ」は、「ビルドアップ層５５Ｓ」に含まれる（分説ｄ１及びｄ１ａ）ものであり、「第１の上側の導体層５８Ｆ」、「第１の下側の導体層５８Ｓ」のいずれについても、「コア基板３０」に含まれるものではない。 ｄ 前記ａ～ｃによれば、本件発明１と甲１発明とは、「第１面と前記第１面とは反対側の第２面とを有し」、「コア絶縁層」「を含むコア基板」を備える点で共通する。 他方、本件発明１では、「コア基板」が、「コア絶縁層」に加えて、「第１面側導体層および第２面側導体層」を含むのに対して、甲１発明では、「コア材２０ｚ」の両面に「第１の上側の導体層５８Ｆ」及び「第１の下側の導体層５８Ｓ」が形成されるが、「第１の上側の導体層５８Ｆ」は「ビルドアップ層５５Ｆ」に、「第１の下側の導体層５８Ｓ」は「ビルドアップ層５５Ｓ」にそれぞれ含まれるものであり、いずれについても、「コア基板３０」に含まれるものではない。 （イ）「前記コア基板の第１面上に設けられて第１層間絶縁層と前記第１層間絶縁層上の第１導体層とが交互に積層されてなる第１ビルドアップ層と、」について ａ 甲１発明は、「ビルドアップ層５５Ｆ」を有しており（分説ｂ）、これを第１ビルドアップ層と称することは任意であるから、甲１発明の「ビルドアップ層５５Ｆ」は、本件発明１の「第１ビルドアップ層」に相当する。 また、甲１発明では、「ビルドアップ層５５Ｆ」は、「コア基板３０の一方の面の上に」「設けられ」ている（分説ｅ３）。 ｂ 甲１発明では、「ビルドアップ層５５Ｆ」（分説ｃ１）は、「第１の上側の樹脂絶縁層５０Ｆ」（分説ｃ１ｂ）、その上に形成される「第２の上側の導体層１５８Ｆ」（分説ｃ１ｃ）、その上に形成される「第２の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆ」（分説ｃ１ｄ）、及び、その上に形成される「第３の上側の導体層２５８Ｆ」（分説ｃ１ｅ）を含むから、「ビルドアップ層５５Ｆ」では、「第１の上側の樹脂絶縁層５０Ｆ」、「第２の上側の導体層１５８Ｆ」、「第２の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆ」及び「第３の上側の導体層２５８Ｆ」がこの順に積層されていると認められる。 したがって、甲１発明の「第１の上側の樹脂絶縁層５０Ｆ」及び「第２の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆ」は、本件発明１の「第１層間絶縁層」に相当し、甲１発明の「第２の上側の導体層１５８Ｆ」及び「第３の上側の導体層２５８Ｆ」は、本件発明１の「第１層間絶縁層上の第１導体層」に相当し、甲１発明の「ビルドアップ層５５Ｆ」では、第１層間絶縁層と第１導体層とが交互に積層されているといえる。 ｃ 前記ａ及びｂによれば、本件発明１と甲１発明とは、「前記コア基板の第１面上に設けられて第１層間絶縁層と前記第１層間絶縁層上の第１導体層とが交互に積層されてなる第１ビルドアップ層」を備える点で一致する。 （ウ）「前記コア基板の第２面上に設けられて第２層間絶縁層と前記第２層間絶縁層上の第２導体層とが交互に積層されてなる第２ビルドアップ層と、」について ａ 甲１発明は、「ビルドアップ層５５Ｓ」を有しており（分説ｂ）、これを第２ビルドアップ層と称することは任意であるから、甲１発明の「ビルドアップ層５５Ｓ」は、本件発明１の「第２ビルドアップ層」に相当する。 また、甲１発明では、「ビルドアップ層５５Ｓ」は、「コア基板３０の」「他方の面の上に」「設けられ」ている（分説ｅ３）。 ｂ 甲１発明では、「ビルドアップ層５５Ｓ」（分説ｄ１）は、「第１の下側の樹脂絶縁層５０Ｓ」（分説ｄ１ｂ）、その下に形成される「第２の下側の導体層１５８Ｓ」（分説ｄ１ｃ）、その下に形成される「第２の下側の樹脂絶縁層１５０Ｓ」（分説ｄ１ｄ）、及び、その下に形成される「第３の下側の導体層２５８Ｓ」（分説ｄ１ｅ）を含むから、「ビルドアップ層５５Ｓ」では、「第１の下側の樹脂絶縁層５０Ｓ」、「第２の下側の導体層１５８Ｓ」、「第２の下側の樹脂絶縁層１５０Ｓ」及び「第３の下側の導体層２５８Ｓ」がこの順に積層されていると認められる。 したがって、甲１発明の「第１の下側の樹脂絶縁層５０Ｓ」及び「第２の下側の樹脂絶縁層１５０Ｓ」は、本件発明１の「第２層間絶縁層」に相当し、甲１発明の「第２の下側の導体層１５８Ｓ」及び「第３の下側の導体層２５８Ｓ」は、本件発明１の「第２層間絶縁層上の第２導体層」に相当し、甲１発明の「ビルドアップ層５５Ｓ」では、第２層間絶縁層と第２導体層とが交互に積層されているといえる。 ｃ 前記ａ及びｂによれば、本件発明１と甲１発明とは、「前記コア基板の第２面上に設けられて第２層間絶縁層と前記第２層間絶縁層上の第２導体層とが交互に積層されてなる第２ビルドアップ層」を備える点で一致する。 （エ）「を備える配線基板であって、」について 甲１発明は、「プリント配線板」である（分説ａ）。 また、甲１発明が、「コア基板３０」、「ビルドアップ層５５Ｆ」及び「ビルドアップ層５５Ｓ」を備えることは、前記（ア）～（ウ）のとおりである。 したがって、本件発明１と甲１発明とは、コア基板、第１ビルドアップ層及び第２ビルドアップ層「を備える配線基板」である点で一致する。 （オ）「前記第１導体層および前記第２導体層のうちの前記コア基板から同順位に位置する導体層において、前記第２ビルドアップ層内の導体層の面積が前記第１ビルドアップ層内の導体層の面積より大きく、かつ、前記第２ビルドアップ層内の導体層の厚みが前記第１ビルドアップ層内の導体層の厚みより大きく、」について ａ 甲１発明の「ビルドアップ層５５Ｆ」（分説ｃ１）は、「コア材」の「直上」の「第１の上側の導体層５８Ｆ」（分説ｃ１ａ）、その上に形成される「第１の上側の樹脂絶縁層５０Ｆ」（分説ｃ１ｂ）、その上に形成される「第２の上側の導体層１５８Ｆ」（分説ｃ１ｃ）、その上に形成される「第２の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆ」（分説ｃ１ｄ）、及び、その上に形成される「第３の上側の導体層２５８Ｆ」（分説ｃ１ｅ）からなるから、「ビルドアップ層５５Ｆ」内の導体層に「コア基板」から外側（上側）に向かって順序を付けた場合に、「第２の上側の導体層１５８Ｆ」は２番目の導体層であり、「第３の上側の導体層２５８Ｆ」は３番目の導体層であるといえる。 ｂ 甲１発明の「ビルドアップ層５５Ｓ」についても同様に、「コア基板」から外側（下側）に向かって順序を付けた場合に、「第２の下側の導体層１５８Ｓ」は２番目の導体層であり、「第３の下側の導体層２５８Ｓ」は３番目の導体層であるといえる。 ｃ 前記ａ及びｂより、「第２の上側の導体層１５８Ｆ」と「第２の下側の導体層１５８Ｓ」はコア基板から同順位（２番目）に位置する導体層であり、また、「第３の上側の導体層２５８Ｆ」と「第３の下側の導体層２５８Ｓ」も、コア基板から同順位（３番目）に位置する導体層である。 したがって、甲１発明の、「第２の上側の導体層１５８Ｆ及び第２の下側の導体層１５８Ｓ」と、「第３の上側の導体層２５８Ｆ及び第３の下側の導体層２５８Ｓ」とは、本件発明１の「前記第１導体層および前記第２導体層のうちの前記コア基板から同順位に位置する導体層」に相当する。 ｄ 甲１発明では、「第２の下側の導体層１５８Ｓの面積が、第２の上側の導体層１５８Ｆの面積より大き」い（分説ｊ２）、から、「第２の上側の導体層１５８Ｆ」及び「第２の下側の導体層１５８Ｓ」について、「ビルドアップ層５５Ｓ」内の導体層の面積が「ビルドアップ層５５Ｆ」内の導体層の面積より大きくなっていると認められる。 ｅ 甲１発明では、「最下の下側の導体層２５８Ｓの面積が、最上の上側の導体層２５８Ｆの面積より大き」い（分説ｊ３）から、「第３の上側の導体層２５８Ｆ」及び「第３の下側の導体層２５８Ｓ」について、「ビルドアップ層５５Ｓ」内の導体層の面積が「ビルドアップ層５５Ｆ」内の導体層の面積より大きくなっていると認められる。 ｆ 前記ｄ及びｅのとおり、甲１発明では、「第２の上側の導体層１５８Ｆ」及び「第２の下側の導体層１５８Ｓ」と、「第３の上側の導体層２５８Ｆ」及び「第３の下側の導体層２５８Ｓ」とのいずれについても、「ビルドアップ層５５Ｓ」内の導体層の面積が「ビルドアップ層５５Ｆ」内の導体層の面積より大きくなっている。 ｇ 前記ｃ及びｆによれば、本件発明１と甲１発明とは、「前記第１導体層および前記第２導体層のうちの前記コア基板から同順位に位置する導体層において、前記第２ビルドアップ層内の導体層の面積が前記第１ビルドアップ層内の導体層の面積より大きく」なっている点で一致する。 ｈ 甲１発明では、「第２の上側の導体層１５８Ｆの厚みｆ２は１４μｍであり、第２の下側の導体層１５８Ｓの厚みｓ２は１８μｍであり、第２の下側の導体層１５８Ｓの厚みｓ２が第２の上側の導体層１５８Ｆの厚みｆ２より厚」い（分説ｈ）から、「第２の上側の導体層１５８Ｆ」及び「第２の下側の導体層１５８Ｓ」について、「ビルドアップ層５５Ｓ」内の導体層の厚みが「ビルドアップ層５５Ｆ」内の導体層の厚みより大きくなっていると認められる。 ｉ 甲１発明では、「最上の上側の導体層２５８Ｆの厚みｆ３は１６μｍであり、最下の下側の導体層２５８Ｓの厚みｓ３は２１μｍであり、最下の下側の導体層２５８Ｓの厚みｓ３が最上の導体層２５８Ｆの厚みｆ３より厚」い（分説ｉ）から、「第３の上側の導体層２５８Ｆ」及び「第３の下側の導体層２５８Ｓ」について、「ビルドアップ層５５Ｓ」内の導体層の厚みが「ビルドアップ層５５Ｆ」内の導体層の厚みより大きくなっていると認められる。 ｊ 前記ｈ及びｉのとおり、甲１発明では、「第２の上側の導体層１５８Ｆ」及び「第２の下側の導体層１５８Ｓ」と、「第３の上側の導体層２５８Ｆ」及び「第３の下側の導体層２５８Ｓ」とのいずれについても、「ビルドアップ層５５Ｓ内」の導体層の厚みが「ビルドアップ層５５Ｆ」内の導体層の厚みより大きくなっている。 ｋ 前記ｃ及びｊによれば、本件発明１と甲１発明とは、「前記第１導体層および前記第２導体層のうちの前記コア基板から同順位に位置する導体層において」、「前記第２ビルドアップ層内の導体層の厚みが前記第１ビルドアップ層内の導体層の厚みより大きく」なっている点で一致する。 ｌ 前記ｇ及びｋによれば、本件発明１と甲１発明とは、「前記第１導体層および前記第２導体層のうちの前記コア基板から同順位に位置する導体層において、前記第２ビルドアップ層内の導体層の面積が前記第１ビルドアップ層内の導体層の面積より大きく、かつ、前記第２ビルドアップ層内の導体層の厚みが前記第１ビルドアップ層内の導体層の厚みより大き」い点で一致する。 （カ）「前記第１ビルドアップ層の最も外側の第１導体層は半導体素子を実装するための複数の接続パッドを含み、前記第２ビルドアップ層の最も外側の第２導体層はマザーボードと接続するための複数の接続パッドを含み、」について ａ 甲１発明の「ビルドアップ層５５Ｆ」に含まれる「最上の上側の導体層２５８Ｆ」（分説ｃ２）は、本件発明１の「第１ビルドアップ層の最も外側の第１導体層」に相当する。 ｂ 甲１発明では、「最上の上側の導体層２５８Ｆは、ＩＣチップ等の電子部品を搭載するための上側のパッド７３Ｆを有し」ており（分説ｃ２）、「上側のパッド７３Ｆが複数設けられ」る（分説ｅ１）から、甲１発明の「最上の上側の導電層２５８Ｆ」は、複数の「上側のパッド７３Ｆ」を有している。 ＩＣチップは、当然、半導体素子により構成されると認められるから、甲２発明の「上側のパッド７３Ｆ」は、「最上の上側の導体層２５８Ｆ」に半導体素子を実装するための接続パッドであるといえる。 ｃ 前記ａ及びｂによれば、本件発明１と甲１発明とは、「前記第１ビルドアップ層の最も外側の第１導体層は半導体素子を実装するための複数の接続パッドを含」んでいる点で一致する。 ｄ 甲１発明の「ビルドアップ層５５Ｓ」に含まれる「最下の下側の導体層２５８Ｓ」（分説ｄ２）は、本件発明１の「第２ビルドアップ層の最も外側の第２導体層」に相当する。 ｅ 甲１発明では、「最下の下側の導体層２５８Ｓは、マザーボード等の回路基板と接続するための下側のパッド７３Ｓを有し」ており（分説ｄ２）、「下側のパッド７３Ｓが複数設けられ」る（分説ｅ１）から、甲１発明の「最下の下側の導体層２５８Ｓ」は、複数の「マザーボード等の回路基板と接続するための下側のパッド７３Ｓ」を含んでいる。 ｆ 前記ｄ及びｅによれば、本件発明１と甲１発明とは、「前記第２ビルドアップ層の最も外側の第２導体層はマザーボードと接続するための複数の接続パッドを含」む点で一致する。 ｇ 前記ｃ及びｆによれば、本件発明１と甲１発明とは、「前記第１ビルドアップ層の最も外側の第１導体層は半導体素子を実装するための複数の接続パッドを含み、前記第２ビルドアップ層の最も外側の第２導体層はマザーボードと接続するための複数の接続パッドを含」む点で一致する。 （キ）「前記第１面側導体層の導体層の厚みおよび前記第２面側導体層の導体層の厚みは略等しい。」について 前記（ア）ｄのとおり、甲１発明では、「第１の上側の導体層５８Ｆ」及び「第１の下側の導体層５８Ｓ」は、「コア基板３０」に含まれるものではない。 さらに、甲１発明では、「第１の上側の導体層５８Ｆの厚みｆ１は１５μｍであり、第１の下側の導体層５８Ｓの厚みｓ１は２１μｍであり、第１の下側の導体層５８Ｓの厚みｓ１が第１の上側の導体層５８Ｆの厚みｆ１より厚」い（分説ｇ）から、「第１の下側の導体層５８Ｓ」の厚みが、「第１の上側の導体層５８Ｆ」の厚みより大きくなっており、「第１の上側の導体層５８Ｆ」の厚み及び「第１の下側の導体層５８Ｓ」の厚みが略等しいものとはなっていない。 （ク）一致点及び相違点 以上のことから、本件発明１と甲１発明とは、以下の点で一致及び相違する。 ＜一致点＞ 「第１面と前記第１面とは反対側の第２面とを有し、コア絶縁層を含むコア基板と、 前記コア基板の第１面上に設けられて第１層間絶縁層と前記第１層間絶縁層上の第１導体層とが交互に積層されてなる第１ビルドアップ層と、 前記コア基板の第２面上に設けられて第２層間絶縁層と前記第２層間絶縁層上の第２導体層とが交互に積層されてなる第２ビルドアップ層と、 を備える配線基板であって、 前記第１導体層および前記第２導体層のうちの前記コア基板から同順位に位置する導体層において、前記第２ビルドアップ層内の導体層の面積が前記第１ビルドアップ層内の導体層の面積より大きく、かつ、前記第２ビルドアップ層内の導体層の厚みが前記第１ビルドアップ層内の導体層の厚みより大きく、 前記第１ビルドアップ層の最も外側の第１導体層は半導体素子を実装するための複数の接続パッドを含み、前記第２ビルドアップ層の最も外側の第２導体層はマザーボードと接続するための複数の接続パッドを含」む点。 ＜相違点１＞ 本件発明１では、「コア基板」が、「コア絶縁層」に加えて、「第１面側導体層および第２面側導体層」を含むのに対して、甲１発明では、「コア材２０ｚ」の両面に「第１の上側の導体層５８Ｆ」及び「第１の下側の導体層５８Ｓ」が形成されるが、「第１の上側の導体層５８Ｆ」は「ビルドアップ層５５Ｆ」に、「第１の下側の導体層５８Ｓ」は「ビルドアップ層５５Ｓ」にそれぞれ含まれ、いずれについても「コア基板３０」に含まれるものではない点。 ＜相違点２＞ 本件発明１では、「前記第１面側導体層の導体層の厚みおよび前記第２面側導体層の導体層の厚みは略等しい」のに対して、甲１発明では、「第１の下側の導体層５８Ｓ」の厚みは、「第１の上側の導体層５８Ｆ」の厚みより大きくなっており、「第１の上側の導体層５８Ｆ」の厚み及び「第１の下側の導体層５８Ｓ」の厚みが略等しいものとはなっていない点。 イ 相違点についての判断 事案に鑑み、相違点２について検討する。 （ア）甲１発明は、「下側のビルドアップ層に属する下側の導体層の厚みの和ＳＡは上側のビルドアップ層に属する上側の導体層の厚みの和ＳＦより厚く」し、「リフロー温度でプリント配線板は凹の反りを有しやすく」したものであり（分説ｆ１）、「プリント配線板」が「電子部品の実装温度で凹の反りを有」することにより、「プリント配線板」に「電子部品が実装」された「半導体装置」が「実装温度から常温に戻るとき、反りの方向が凹の反りから凸の反りに変化し」、「反りの量」が「参考例」と比べて「小さく」なる（分説ｋ）ものである。 すなわち、甲１発明は、電子部品の実装温度でプリント配線板が凹の反りを有することで、プリント配線板に電子部品を実装した半導体装置が常温に戻るときに、最終的な反りの量が小さくなるという好適な効果を奏するものであり、当該効果は、下側の導体層の厚みの和ＳＡを上側の導体層の厚みの和ＳＦより大きくすることにより、もたらされるものと認められる。 （イ）甲１に記載された実施形態や改変例はいずれも、同順位の層の全てについて、下側の導体層を、対応する上側の導体層よりも厚みを大きくしたものとなっており（【００１９】～【００２１】、【００２５】、【００４４】、【００４９】及び【００５０】を参照。）、下側の導体層の厚みの和ＳＡを上側の導体層の厚みの和ＳＦより大きくするにあたり、ある順位の層のみにおいては上側と下側の導体層に厚みの差を設けないことについて、甲１には記載も示唆もない。 さらに、甲１の「例えば、厚みｓ１と厚みｆ１の差と厚みｓ２と厚みｆ２の差と厚みｓ３と厚みｆ３の差がほぼ等しい。そのため、プリント配線板１０によれば、リフロー温度でのプリント配線板の反りの方向と反りの量を容易に制御することができる」（【００２２】）との記載によれば、全ての順位の層について、上側と下側の導体層の厚みの差を等しくすることが望ましいことが示唆されているから、ある順位の層における上側と下側の導体層の厚みの差を、他の順位の層における上側と下側の導体層の厚みの差と異ならせることは望ましくないと解される。よって、甲１発明においては、ある順位の層のみについて上側と下側の導体層に厚みの差を設けないことは、望ましいこととは解されない。 したがって、甲１発明において、ある順位の層（例えば、「第１の上側の導体層５８Ｆ」及び「第１の下側の導体層５８Ｓ」）については上側と下側の導体層に厚みの差を設けず、他の順位については下側の導体層の厚みを上側の導体層の厚みよりも大きくする動機付けは存在しない。 （ウ）また、仮に、ある順位の層のみについて上側と下側の導体層に厚みの差を設けないことを当業者が想到し得たとしても、その際に、「第１の上側の導体層５８Ｆ」と「第１の下側の導体層５８Ｓ」をその対象とすべき特段の理由を見出すことができず、「第１の上側の導体層５８Ｆ」と「第１の下側の導体層５８Ｓ」については厚みの差を設けず、他の順位については下側の導体層の厚みを上側の導体層の厚みよりも大きくする構成に想到し得たとはいえない。 （エ）甲２及び甲３に示される周知技術は、導体層の厚みに関するものではないから、以上の点は、甲２及び甲３に示される周知技術を参照しても左右されない。 （オ）したがって、相違点２に係る構成は、当業者が容易に想到し得たものではない。 よって、本件発明１は、甲１発明、並びに甲２及び甲３に示される周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ウ 申立人の主張について （ア）申立人は、令和６年５月７日に提出された意見書（以下「申立人意見書」という。）において、以下のａ及びｂを主張している。 ａ 「甲１に記載の上記「参考例のプリント配線板１１０」は、互いに対応する上側と下側の導体層の各厚みが「等しい」という「和ＳＡ、ＳＦと厚みｆ１、ｆ２、ｆ３、ｓ１、ｓ２、ｓ３に関わる構成以外、実施形態のプリント配線板１０と参考例のプリント配線板１１０は同様である」。出願人は前述のように、「甲第１号証には、直線ＳＬに対し対称な位置に形成されている導体層同士を同じ厚みにするなどという技術的思想は存在しません」と述べるが（「直線ＳＬ」につき、甲１の図１参照）、上記「参考例のプリント配線板１１０」が記載されているのであるから、事実に反する。 そして本願の「発明が解決しようとする課題」では、「プリント配線板の中心線よりＩＣチップに近い側に形成されている導体層の厚みの和が、遠い側に形成されている導体層の厚みの和よりも大きい」（本願【０００４】）こと（甲１でいえば、「厚みｆ１と厚みｆ２と厚みｆ３の和」である「ＳＦ」が、「厚みｓ１と厚みｓ２と厚みｓ３の和」である「ＳＡ」よりも大きいこと）が課題を生じさせていることが知られていた旨述べられている。 よって、甲１に接した当業者は、当該課題を解決するように各側の「導体層の厚みの和」を設定すればよい（「ＳＡ」を「ＳＦ」よりも大きくすればよい）ことになる。その際、各側にある、個々の「導体層」の「厚み」を、甲１に接した当業者がどのように設定するかは、適宜設計可能な事項である。 したがって、例えば、「厚みｓ１」と「厚みｆ１」は、「参考例のプリント配線板１１０」同様、「等しい」厚みとし、一方、「実施形態のプリント配線板１０」同様「厚みｓ２」は「厚みｆ２」よりも大きくし、かつ、「厚みｓ３」は「厚みｆ３」よりも大きくすることにより、本件訂正発明１の「前記第１導体層および前記第２導体層のうちの前記コア基板から同順位に位置する導体層において、・・・前記第２ビルドアップ層内の導体層の厚みが前記第１ビルドアップ層内の導体層の厚みより大きく」（構成要件Ｂの一部）、「前記第１面側導体層の導体層の厚みおよび前記第２面側導体層の導体層の厚みは略等しい」（構成要件Ｄ）構成とすることも、適宜設計可能な事項である。 以上より、構成要件Ｄの構成は甲１に基づき適宜設計可能な事項である。」（申立人意見書５頁） ｂ 「本願明細書には、「第１面側導体層および前記第２面側導体層」（構成要件Ｄ）に関して、以下の記載がある。」 「【００１９】 コア基板１０の第１面側導体層３および第２面側導体層４それぞれの厚さは、たとえば、５μｍ以上であって、３０μｍ以下である。図１の例では、第１面側導体層３の導体厚さと第２面側導体層４の導体厚さとは略等しい。しかしながら、第１面側導体層３と第２面側導体層４との導体厚さは、異なる厚さで形成されてもよい。この場合も、好ましくは、配線基板１におけるコア絶縁層５の第２面１０Ｂ側の導体層の面積の和、すなわち第２面側導体層４の面積および第２導体層４１の面積の総和（第２面１０Ｂ側の残銅率）は、コア絶縁層５の第１面１０Ｆ側の導体層の面積の和、すなわち第１面側導体層３の面積および第１導体層３１の面積の総和（第１面１０Ｆ側の残銅率）よりも大きい。例えば、第２面１０Ｂ側の残銅率は、第１面１０Ｆ側の残銅率の１．１～１．３倍程度である。第２面１０Ｂ側での電源強化が良好に図られると考えられる。」 「当該記載によれば、出願人が主張する、「配線基板の電源強化が図れる」との効果は、「第１面側導体層３の導体厚さと第２面側導体層４の導体厚さ」が、「略等しい」厚さで形成されるか（構成要件Ｄに相当）、「異なる厚さ」で形成されるかとは関係なく、「第２面１０Ｂ側の残銅率」が「第１面１０Ｆ側の残銅率」「よりも大きい」構成によってもたらされるのである。 以上より、構成要件Ｄの構成は、そもそも引用発明と比較した有利な効果を有していない。構成要件Ｄ’の構成についても同様である。」（申立人意見書６～７頁） （イ）前記（ア）ａの主張についての検討 ａ 申立人は、本件特許の明細書等の「発明が解決しようとする課題」では、「プリント配線板の中心線よりＩＣチップに近い側に形成されている導体層の厚みの和が、遠い側に形成されている導体層の厚みの和よりも大きい」（【０００４】）ことが課題を生じさせていることが知られていた旨述べられていると主張している。 しかしながら、本件特許の明細書等の【０００４】には、「特許文献１のプリント配線基板では、プリント配線板の中心線よりＩＣチップに近い側に形成されている導体層の厚みの和が、遠い側に形成されている導体層の厚みの和よりも大きい。ＩＣチップに近い側の導体層をファインピッチで形成することが困難となるおそれがある。また、電力供給が十分でないおそれがある。」との記載があるものの、ここでの「ＩＣチップに近い側の導体層をファインピッチで形成することが困難となるおそれがある。また、電力供給が十分でないおそれがある。」との記載は、本件特許において解決しようとする課題として見出した事項を記載したものと認められ、特許文献１のプリント配線基板の構成が、そのような課題を生じさせていることが、従前から当業者に「知られていた」ことを意味するものとは認められない。 ｂ そして、申立人は、当該課題が知られていたことを前提として、甲１に接した当業者は、当該課題を解決するように各側の「導体層の厚みの和」を設定すればよいと主張しているが、前記ａのとおり、本件特許の明細書等には、当該課題が従前から当業者に知られていたことが述べられているとは認められないから、申立人の主張はその前提に誤りがあり、採用できない。 ｃ 甲１発明は、下側の導体層の厚みの和ＳＡを上側の導体層の厚みの和ＳＦより大きくすることにより好適な効果を奏するものであり（前記イ（ア））、下側の導体層の厚みの和ＳＡを上側の導体層の厚みの和ＳＦより大きくするという条件は、全ての順位の層について下側の導体層の厚みを上側の導体層の厚みよりも大きくする場合だけでなく、ある順位の層については上側と下側の導体層に厚みの差を設けず、他の順位の層については下側の導体層の厚みを上側の導体層の厚みよりも大きくする場合にも満たされ得ると解される。 しかしながら、下側の導体層の厚みの和ＳＡを上側の導体層の厚みの和ＳＦより大きくするにあたり、ある順位の層のみは上側と下側の導体層に厚みの差を設けないことについて、甲１には記載も示唆もない（前記イ（イ））。 加えて、上側と下側の導体層の厚みが等しいものとしての参考例が甲１に示されているが、該参考例は、全ての順位の層について、上側と下側の導体層の厚みが等しいため、実施形態のような好適な効果が得られるものではない（【００２５】及び【００２６】を参照。）。 また、甲１発明では、「和ＳＡと和ＳＦの差は１μｍより大きく」（分説ｆ１）、「３０μｍ以下」（分説ｆ２）であるから、例えば、和ＳＡと和ＳＦの差を数μｍ程度とする場合も想定されるが、そのような場合にも、各順位の層について均等に差を割り振れば、全ての順の層について上側と下側の導体層の厚みの差を等しくしつつ、和ＳＡと和ＳＦの差を所望の値とすることは可能であり、甲１には、全ての順位についての上側と下側の導体層の厚みの差を等しくすることが望ましいことが示唆されているのは、前記イ（イ）のとおりである。 したがって、甲１発明において、ある順位の層については上側と下側の導体層に厚みの差を設けず、他の順位の層については下側の導体層の厚みを上側の導体層の厚みよりも大きくする動機付けが存在しない。 加えて、前記イ（ウ）のとおり、仮に、ある順位の層のみは上側と下側の導体層に厚みの差を設けないことを当業者が想到し得たとしても、その際に、「第１の上側の導体層５８Ｆ」と「第１の下側の導体層５８Ｓ」をその対象とすべき特段の理由を見出すことができない。 ｄ したがって、申立人の主張は採用できない。 （ウ）前記（ア）ｂの主張についての検討 前記イ（イ）のとおり、前記相違点２に係る構成は、当業者が容易に想到し得たものではない。そして、この点は、当該構成の効果の有無により左右されるものではない。 したがって、申立人の前記（ア）ｂの主張を考慮しても、本件発明１と甲１発明との間に存在する前記相違点２に係る構成が甲１発明から容易に想到し得るとは認められないから、申立人の主張は結論を左右しない。 （２）本件発明２～６について 本件発明２～６は、本件発明１の発明特定事項を全て含み、さらに別の発明特定事項を付加したものである（前記第３）。 したがって、本件発明２～６と甲１発明とは、少なくとも、前記（１）アに示した相違点２において相違する。 そして、前記（１）イに示したとおり、前記相違点２に係る構成は、当業者が容易に想到し得たものではない。 よって、本件発明２～６は、甲１発明、並びに甲２及び甲３に示される周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）本件発明７及び８について 本件発明７は、配線基板の発明である本件発明１を、配線基板の製造方法のカテゴリーで表現したものであるから、本件発明１と同様に、甲１発明、並びに甲２及び甲３に示される周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 本件発明７の発明特定事項を全て含み、さらに別の発明特定事項を付加したものである本件発明８についても同様であり、本件発明８は、甲１発明、並びに甲２及び甲３に示される周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ３ 小括 前記２（１）～（３）のとおり、本件発明１～８は、甲１発明、並びに甲２及び甲３に示される周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 よって、決定の予告に記載した取消理由により、請求項１～８に係る特許を取り消すことはできない。 第６ 決定の予告で採用しなかった特許異議申立理由について １ 決定の予告で採用しなかった特許異議申立理由の概要 申立理由１（新規性） 本件訂正前の請求項１～４、７及び８に係る特許発明は、甲１に記載された発明と同一であって、特許法２９条１項３号に該当するから、当該請求項に係る特許は、特許法２９条１項の規定に違反してされたものであり、特許法１１３条２号に該当し取り消すべきものである。 ２ 決定の予告で採用しなかった特許異議申立理由についての当審の判断 （１）本件訂正前の請求項１～４、７及び８は、本件訂正により、本件訂正後の請求項１～４、７及び８とされた。 （２）そして、本件発明１と甲１発明とは前記第５、２（１）アに示した相違点１及び２において相違するから、本件発明１は甲１発明と同一ではない。 （３）本件発明２～４は、本件発明１の発明特定事項を全て含み、さらに別の発明特定事項を付加したものであるから、本件発明２～４と甲１発明とは、少なくとも、前記第５、２（１）アに示した相違点１及び２において相違し、本件発明２～４は甲１発明と同一ではない。 （４）本件発明７は、本件発明１を異なるカテゴリーで表現したものであるから、本件発明１と同様に、甲１発明と同一ではない。本件発明７の発明特定事項を全て含み、さらに別の発明特定事項を付加したものである本件発明８についても同様であり、本件発明８は、甲１発明と同一ではない。 （５）以上のとおり、本件発明１～４、７及び８は、甲１発明と同一ではない。 したがって、申立理由１により、請求項１～４、７及び８に係る特許を取り消すことはできない。 第７ むすび 以上のとおりであるから、決定の予告に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、請求項１～８に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に請求項１～８に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。