2023-700891

特許第７２３１５２７号発明「保護素子用ヒューズ素子およびそれを利用した保護素子」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 ７２３１５２７号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－４〕、〔５－１０〕について訂正することを認める。 特許第７２３１５２７号の請求項１～１０に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯の概略 特許第７２３１５２７号の請求項１～１０に係る特許（以下「本件特許」という。）についての出願は、令和元年１０月３１日（優先権主張 平成３０年１２月２８日）の出願であって、令和５年２月２０日に特許権の設定登録がされ、同年３月１日に特許掲載公報が発行された。 その後、本件特許について、特許異議申立人横沢聡（以下「異議申立人」という。）による特許異議の申立てがされた。 本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和５年 ８月３１日 ：特許異議の申立て 同年１０月２５日付け：取消理由通知書 同年１２月２５日 ：特許権者による意見書の提出 令和６年 １月３０日 ：異議申立人による上申書の提出 同年 ３月２９日付け：取消理由通知書＜決定の予告＞ 同年 ５月３１日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出 同年 ９月 ５日 ：異議申立人による意見書の提出 第２ 訂正の適否 １ 訂正の内容 特許権者は、令和６年５月３１日に訂正請求書を提出し、本件特許の特許請求の範囲を訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり訂正することを求めた（以下、「本件訂正」という。）。 本件訂正の内容は以下のとおりである。（下線は当審で付した。以下同様。） （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に「前記第２の可溶金属は、Ｓｎ－Ｂｉ合金であり、そのＢｉ含有量が４０質量％以上７０質量％以下で構成され」と記載されているのを、「前記第２の可溶金属は、Ｓｎ－Ｂｉ合金であり、そのＢｉ含有量が４０質量％以上、かつ共晶組成未満で構成され」に訂正する（請求項１を引用する請求項２～４も同様に訂正する）。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項４に「前記第２の可溶金属は、６０Ｓｎ－４０Ｂｉ合金または３０Ｓｎ－７０Ｂｉ合金である」と記載されているのを、「前記第２の可溶金属は、６０Ｓｎ－４０Ｂｉ合金である」に訂正する。 （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項５に「前記第２の可溶金属は、Ｓｎ－Ｂｉ合金であり、そのＢｉ含有量が４０質量％以上７０質量％以下で構成され」と記載されているのを、「前記第２の可溶金属は、Ｓｎ－Ｂｉ合金であり、そのＢｉ含有量が４０質量％以上、かつ共晶組成未満で構成され」に訂正する（請求項５を引用する請求項６～１０も同様に訂正する）。 （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項１０に「前記第２の可溶金属は、６０Ｓｎ－４０Ｂｉ合金または３０Ｓｎ－７０Ｂｉ合金である」と記載されているのを、「前記第２の可溶金属は、６０Ｓｎ－４０Ｂｉ合金である」に訂正する。 なお、訂正事項１及び２は、一群の請求項〔１－４〕に対して請求されたものであり、訂正事項３及び４は、一群の請求項〔５－１０〕に対して請求されたものである。 ２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１）訂正事項１、３について Ｓｎ－Ｂｉ合金の共晶組成のＢｉ含有量は４０質量％と７０質量％の間にあることは技術常識（必要であれば、次の二元状態図参照。共晶組成のＢｉ含有量は概略５７質量％）である。 ［図：0001420296000001.jpg］ （https://www.researchgate.net/publication/227013051より引用） このため、「Ｓｎ－Ｂｉ合金」の「Ｂｉ含有量」が、訂正前の「４０質量％以上７０質量％以下」から「４０質量％以上、かつ共晶組成未満」に変更する訂正事項１、３は、Ｂｉ含有量の範囲を限定する訂正であるから、訂正事項１、３は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 そして、明細書の段落【００１４】に「一方、第２の可溶金属２２では、第１の可溶金属２１の溶解および拡散によりＳｎが第１の可溶金属２１側に移動して平衡状態に近づくのでＳｎ成分が減少し、Ｂｉ濃度も拡散により第１の可溶金属２１に移行し減少する。その結果、第２の可溶金属２２においては、相対的にＢｉ濃度が増加し、液相線温度が固相線温度の１３９℃に向かって低下するようになる。」と記載されており、上記技術常識に照らせば、「Ｂｉ濃度が増加」するときに「液相線温度が固相線温度の１３９℃に向かって低下する」ことを期待できる範囲が「共晶組成未満」の範囲であることは、記載されているに等しいといえるから、訂正事項１、３は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「明細書等」という。）に記載した事項の範囲内の訂正である。 また、訂正事項１、３は、明細書等に記載した事項の範囲内で特許請求の範囲の減縮をするものであり、発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 なお、異議申立人は、令和６年９月５日付け意見書（以下、単に「意見書」という。）において、「仮に、本件発明１に係るメカニズムが訂正前と訂正後で変更されたのであれば、特許発明が実質的に変更されたものとなるため、訂正の要件を満たさない。」（第９頁１３～１５行参照。）旨主張しているが、訂正前後いずれであっても、本件特許の請求項１～１０に係る発明の、液相線温度が固相線温度に向かって低下するメカニズムは、明細書の段落【００１４】に記載されているものから変更されていないので、本件発明１に係るメカニズムが訂正前と訂正後で変更された旨の異議申立人の主張は根拠がなく、採用できない。 また、異議申立人は、意見書において、「上述したように、発明の詳細な説明には、上記課題を解決する手段として、第２の可溶金属であるＳｎ－Ｂｉ合金のＢｉ含有量が“４０質量％以上、かつ共晶組成未満”であり、かつ、第１の可溶金属であるＳｎ－Ａｇ合金の「Ａｇ含有量が２０質量％を超え３０質量％以下」とした実施例は記載されておらず、」とし「本件発明１に係る訂正は、願書に添付した明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であるとはいえない。」（第９頁１８～２４行参照。）旨主張しているが、明細書には、第１の可溶金属を「７０Ｓｎ－３０Ａｇ合金」、第２の可溶金属を「６０Ｓｎ－４０Ｂｉ合金」とした実施例１（段落【００１６】参照。）が記載されており、上記技術常識からみて、段落【００１４】に記載された液相線温度が固相線温度に向かって低下するというメカニズムは、実施例１の第２の可溶金属について、４０重量％から共晶組成未満のＢｉ含有量まで拡張できることは、当業者であれば理解できる。よって、異議申立人の主張は採用できない。 （２）訂正事項２、４について 訂正事項２、４は、訂正前の「６０Ｓｎ－４０Ｂｉ合金または３０Ｓｎ－７０Ｂｉ合金」という２つの選択肢のうちの一方である「６０Ｓｎ－４０Ｂｉ合金」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 ３ 小括 以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、本件特許の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－４〕、〔５－１０〕について訂正することを認める。 第３ 訂正後の本件発明 本件訂正後の請求項１～１０に係る発明（以下、それぞれを「本件発明１」～「本件発明１０」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１～１０に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 【請求項１】 接合作業温度で成分の一部が溶解する第１の可溶金属と、前記第１の可溶金属よりも低い溶融温度を有し前記接合作業温度で少なくとも成分の一部が溶融する第２の可溶金属とを積層した複合金属材からなり、 前記第１の可溶金属は、Ｓｎ－Ａｇ合金であり、そのＡｇ含有量が２０質量％を超え３０質量％以下で構成され、 前記第２の可溶金属は、Ｓｎ－Ｂｉ合金であり、そのＢｉ含有量が４０質量％以上、かつ共晶組成未満で構成され、 前記第１の可溶金属と前記第２の可溶金属の共通元素であるＳｎ成分の平衡移動と互いの側に異種元素であるＡｇとＢｉの相互拡散を利用して、互いの液相線温度と固相線温度の差を減少させて、ヒューズ動作温度範囲を自己調節するヒューズ素子。 【請求項２】 前記第２の可溶金属は、少なくとも第２の可溶金属の固相線温度を超え、かつ第１の可溶金属の液相線温度未満の所定接合作業温度で成分の一部または全部が溶融する錫または無鉛錫系はんだ材である請求項１に記載のヒューズ素子。 【請求項３】 前記第１の可溶金属は、７０Ｓｎ－３０Ａｇ合金であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のヒューズ素子。 【請求項４】 前記第２の可溶金属は、６０Ｓｎ－４０Ｂｉ合金であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のヒューズ素子。 【請求項５】 絶縁基板と、この絶縁基板に設けた複数の電極と、該電極のうち所定の電極に電気接続したヒューズ素子と、このヒューズ素子を加熱して溶断させるために絶縁基板に設けられた発熱素子とを備え、前記ヒューズ素子は、接合作業温度で成分の一部が溶解する第１の可溶金属と、前記第１の可溶金属よりも低い溶融温度を有し前記接合作業温度で少なくとも成分の一部が溶融する第２の可溶金属とを積層した複合金属材からなり、 前記第１の可溶金属は、Ｓｎ－Ａｇ合金であり、そのＡｇ含有量が２０質量％を超え３０質量％以下で構成され、 前記第２の可溶金属は、Ｓｎ－Ｂｉ合金であり、そのＢｉ含有量が４０質量％以上、かつ共晶組成未満で構成され、 前記第１の可溶金属と前記第２の可溶金属の共通元素であるＳｎ成分の平衡移動と互いの側に異種元素であるＡｇとＢｉの相互拡散を利用して、互いの液相線温度と固相線温度の差を減少させて、ヒューズ動作温度範囲を自己調節する保護素子。 【請求項６】 前記発熱素子は、前記ヒューズ素子が設けられた前記絶縁基板の基板面とは異なる基板面に設けたことを特徴とする請求項５に記載の保護素子。 【請求項７】 前記発熱素子は、前記ヒューズ素子が設けられた前記絶縁基板の基板面と同一の基板面に設けたことを特徴とする請求項５に記載の保護素子。 【請求項８】 前記第２の可溶金属は、少なくとも第２の可溶金属の固相線温度を超え、かつ第１の可溶金属の液相線温度未満の接合作業温度で成分の一部または全部が溶融する錫または無鉛錫系はんだ材である請求項５ないし請求項７の何れか１つに記載の保護素子。 【請求項９】 前記第１の可溶金属は、７０Ｓｎ－３０Ａｇ合金であることを特徴とする請求項５ないし請求項８の何れか１つに記載の保護素子。 【請求項１０】 前記第２の可溶金属は、６０Ｓｎ－４０Ｂｉ合金であることを特徴とする請求項５ないし請求項８の何れか１つに記載の保護素子。 第４ 取消理由の概要 当審が令和６年３月２９日付けで特許権者に通知した取消理由の概要は、次のとおりである。 （サポート要件について） 本件発明１～１０は、 「第１の可溶金属は、Ｓｎ－Ａｇ合金であり、そのＡｇ含有量が２０質量％を超え３０質量％以下で構成され、第２の可溶金属は、Ｓｎ－Ｂｉ合金であり、そのＢｉ含有量が４０質量％以上７０質量％以下で構成され」との数値範囲が規定され、さらに「前記第１の可溶金属と前記第２の可溶金属の共通元素であるＳｎ成分の平衡移動と互いの側に異種元素であるＡｇとＢｉの相互拡散を利用して、互いの液相線温度と固相線温度の差を減少させて、ヒューズ動作温度範囲を自己調節する」という事項が規定された発明である。 一方、一般的に知られているＳｎ－Ｂｉ合金の二元状態図（第２ ２（１）参照）から、第２の可溶金属が３０Ｓｎ－７０Ｂｉ合金であれば、液相線は１３９℃から約２７１℃に向かう右上がりの線の範囲が該当することとなるから、「相対的にＢｉ濃度が増加」して二元状態図の右側に移行すれば、右上がりの液相線温度に沿って固相線温度の１３９℃から離れて上昇することとなる。 そうすると、第２の可溶金属が３０Ｓｎ－７０Ｂｉ合金の場合には、明細書の段落【００１４】の「その結果、第２の可溶金属２２においては、相対的にＢｉ濃度が増加し、液相線温度が固相線温度の１３９℃に向かって低下するようになる。」との記載と矛盾することとなるから、第２の可溶金属が３０Ｓｎ－７０Ｂｉ合金である場合に、上記のヒューズ動作温度範囲の自己調節に係る発明特定事項が実現できるとは認められない。したがって、出願時の技術常識に照しても、上記具体例を、「第２の可溶金属」に「３０Ｓｎ－７０Ｂｉ合金」を含む請求項１～１０の数値範囲にまで拡張ないし一般化することはできないから、請求項１～１０に係る特許は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号の規定に違反してされたものである。 第５ 当審の判断 １ 取消理由について 本件発明の課題について、【０００６】には「保護素子の化学物質規制および抵抗低減と小型薄型化に対応したヒューズ素子およびそれを利用した電気・電子機器の保護素子を提供すること」と記載されている。 また、当該課題解決のメカニズムについて、【００１４】には、第１の可溶金属２１として８０Ｓｎ－２０Ａｇ合金、第２の可溶金属２２として６０Ｓｎ－４０Ｂｉ合金を例として、「第２の可溶金属２２においては、相対的にＢｉ濃度が増加し、液相線温度が固相線温度の１３９℃に向かって低下するようになる。つまり、ヒューズ素子を接合するともに、第１の可溶金属２１と第２の可溶金属２２の共通元素であるＳｎ成分の平衡移動と互いの側に異種元素であるＡｇとＢｉの相互拡散を利用して、互いの液相線温度と固相線温度の差を減少させて、ヒューズ動作温度範囲を自己調節させる。上記構成のヒューズ素子は、従来ヒューズ素子の固体純銀被覆をＳｎ系の無鉛はんだで溶食させるより速やかに溶断させることができ、また、銀被覆を使用しないため、硫化腐食や銀マイグレーション、銀被覆の残留による溶断不良の心配がない。」と記載されている。 一方、特許請求の範囲の記載は、本件訂正により、上記第３のとおり、請求項１～１０に係る発明の複合金属材について、「前記第１の可溶金属は、Ｓｎ－Ａｇ合金であり、そのＡｇ含有量が２０質量％を超え３０質量％以下で構成され、前記第２の可溶金属は、Ｓｎ－Ｂｉ合金であり、そのＢｉ含有量が４０質量％以上、かつ共晶組成未満で構成され」ることが特定された。そして、当該複合金属材であれば、上記「第２ ２（１）」で検討した通り当業者が出願時の技術常識に照らし、【００１４】に記載されている、第１の可溶金属２１として８０Ｓｎ－２０Ａｇ合金、第２の可溶金属２２として６０Ｓｎ－４０Ｂｉ合金とした場合と同様のメカニズムによって、本件発明の課題を解決できると認識できる。 よって、特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしている。 第６ 取消理由通知において採用しなかった異議申立人の主張について １ 特許法第２９条第２項（進歩性）について （１）異議申立人の主張 異議申立人は、請求項１～１０に係る発明は、以下の甲第１号証（主引用例）及び甲第２号証～甲第４号証（副引用例）に記載された発明、甲第５号証に記載された周知技術、並びに、甲第６号証及び甲第７号証に記載された自然法則そのもの又は技術常識に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～１０に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消すべきものである旨主張する。 （２）証拠方法 異議申立人の提出した証拠方法は以下のとおりである。 甲第１号証：特開２０１３－２３９４０５号公報 甲第２号証：特許第６３３６２４０号公報 甲第３号証：特開２００７－１６５０８７号公報 甲第４号証：特開２０１７－７３３７３号公報 甲第５号証：三光金属株式会社、同社ウェブサイト「材質紹介」「鉛フリーはんだの種類、等級及び記号」、［online］,令和５年８月２８日印刷、インターネット＜URL：https://www.sanko-metal-industries.com/material/＞ 甲第６号証：実願昭５３－１４２７２４号（実開昭５５－５９４５５号）のマイクロフィルム 甲第７号証：特開２０１６－６６５５５号公報 （以下、「甲第１号証」～「甲第７号証」を、それぞれ「甲１」～「甲７」という。） （３）甲１～７の記載事項等について ア 甲１の記載事項 甲１には、以下の事項が記載されている。 （ア）「【請求項１】 接合作業温度で溶融しない第１の融点温度を有する可融性金属からなる少なくとも単層の高融点ベース材と、接合作業温度で溶融可能な第２の融点温度を有する可融性金属からなる少なくとも単層の低融点被覆材とを積層した複合金属材を用いたことを特徴とする保護素子用ヒューズ素子。 【請求項２】 前記複合金属材は、１８３℃以上２８０℃未満の接合作業温度において溶融しない可融性金属からなる前記高融点ベース材の表面に、該接合作業温度において溶融可能な可融性金属からなる前記低融点被覆材を設けたことを特徴とする請求項１に記載の保護素子用ヒューズ素子。」 （イ）「【請求項４】 前記高融点ベース材は、２０Ｓｎ－８０Ａｕ合金、５５Ｓｎ－４５Ｓｂ合金、Ｐｂを８０質量％以上含有したＰｂ－Ｓｎ合金の群から選択された少なくとも１つの可融性金属を用いたことを特徴とする請求項１ないし請求項３の何れか１つに記載の保護素子用ヒューズ素子。 【請求項５】 前記低融点被覆材は、Ｓｎ－Ａｇ合金、Ｓｎ－Ｂｉ合金、Ｓｎ－Ｃｕ合金、Ｓｎ－Ｚｎ合金、Ｓｎ－Ｓｂ合金、Ｓｎ－Ａｇ－Ｂｉ合金、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ合金、Ｓｎ－Ａｇ－Ｉｎ合金、Ｓｎ－Ｚｎ－Ａｌ合金、Ｓｎ－Ｚｎ－Ｂｉ合金または前記Ｓｎ基合金にＡｕ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｇａをさらに添加した合金の群から選択された少なくとも１つの可融性金属を用いたことを特徴とする請求項１ないし請求項４の何れか１つに記載の保護素子用ヒューズ素子。」 （ウ）「【請求項７】 絶縁基板と、該絶縁基板の表面に設けた複数のパターン電極と、このパターン電極に電気接続したヒューズ素子と、このヒューズ素子の上部を覆ったキャップ状蓋体とを備え、前記ヒューズ素子は、１８３℃以上２８０℃未満の接合作業温度において溶融しない第１の融点温度を有する可融性金属からなる少なくとも１つの高融点ベース材と、該接合作業温度において溶融可能な第２の融点温度を有する可融性金属からなる少なくとも１つの低融点被覆材とを積層して成る複合金属材を用いたことを特徴とする回路保護素子。 【請求項８】 前記絶縁基板は、さらに抵抗発熱素子を設けたことを特徴とする請求項７に記載の回路保護素子。」 （エ）「【００１２】 本発明に係る保護素子用ヒューズ素子は、図１に示すように、接合作業温度で溶融しない第１の融点温度を有する可融性金属からなる少なくとも単層の高融点ベース材１１と、接合作業温度で溶融可能な第２の融点温度を有する可融性金属からなる少なくとも単層の低融点被覆材１２とを積層した複合金属材を用いたことを特徴としている。この保護素子用ヒューズ素子には、高融点ベース材１１として１８３℃以上２８０℃未満の接合作業温度において溶融しない可融性金属、例えば２０Ｓｎ－８０Ａｕ合金、５５Ｓｎ－４５Ｓｂ合金、Ｐｂを８０質量％以上含有したＰｂ－Ｓｎ合金などの合金材が好適に利用できる。 そして平板状または棒状の前記高融点ベース材１１の表面に、該接合作業温度において溶融可能な可融性金属、例えばＳｎ－Ａｇ合金、Ｓｎ－Ｂｉ合金、Ｓｎ－Ｃｕ合金、Ｓｎ－Ｚｎ合金、Ｓｎ－Ｓｂ合金、Ｓｎ－Ａｇ－Ｂｉ合金、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ合金、Ｓｎ－Ａｇ－Ｉｎ合金、Ｓｎ－Ｚｎ－Ａｌ合金、Ｓｎ－Ｚｎ－Ｂｉ合金または前記Ｓｎ基合金にＡｕ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｇａをさらに添加した合金材などの低融点被覆材１２を固着した複合金属材によって本発明に係る保護素子用ヒューズ素子を構成する。高融点ベース材１１が平板状の場合は、該ベース材板面の少なくとも片側に低融点被覆材１２を層状に設け、高融点ベース材１１が棒状の場合は、該ベース材の外周面に低融点被覆材１２を設ける。なお、上述の高融点ベース材１１の表面に低融点被覆材１２を設ける手段は、特に限定されず高融点ベース材１１に低融点被覆材１２を固着できればよい。例えば、低融点被覆材１２はクラッド、めっき、溶融コート、圧着、ロジンなどの可融性樹脂による接着などの手段で高融点ベース材１１の表面に固着できる。また、本発明に係る保護素子用ヒューズ素子は、積層面に予め接合フラックスを内蔵させた複合金属材としてもよい。」 （オ）「【００１４】 本発明に係る回路保護素子は、接合作業温度で溶融しない第１の融点温度を有する可融性金属からなる少なくとも１つの高融点ベース材と接合作業温度で溶融可能な第２の融点温度を有する可融性金属からなる少なくとも１つの低融点被覆材とを積層して成る複合金属材を用いたヒューズ素子およびパターン電極を有する絶縁基板を準備する準備工程、絶縁基板に接合フラックスを塗布する接合フラックス塗布工程、接合フラックスを塗布した絶縁基板のパターン電極とヒューズ素子の低融点被覆材とを互いに接触させて絶縁基板に載置するマウント工程、ヒューズ素子を載置した絶縁基板を１８３℃以上２８０℃未満の接合作業温度で低融点被覆材を溶融させてパターン電極に一括接合させる接合工程、接合したヒューズ素子に動作用の溶断フラックスを塗布する溶断フラックス塗布工程、溶断フラックスを塗布した絶縁基板上のヒューズ素子をキャップ状蓋体で覆ってパッケージングするパッケージング工程により組み立てられる。例えば、該ヒューズ素子２５は、予め接合フラックスを塗布した絶縁基板のパターン電極２４とヒューズ素子２５の低融点被覆材２２とを互いに接触させて絶縁基板２３に載置され、１８３℃以上２８０℃未満の温度プロファイルに設定されたリフロー炉に通し低融点被覆材２２を溶融させることによりパターン電極２４に一括接合される。溶融した低融点被覆材２２は、高融点ベース材２１およびパターン電極２４に相互拡散され高融点ベース材２１とパターン電極２４とを接合させる。高融点ベース材２１は、リフロー温度で溶融しないので形状を保ったままパターン電極２４に接合される。その後、接合したヒューズ素子２５に動作用の溶断フラックスを塗布し、絶縁基板上のヒューズ素子２５をキャップ状蓋体２６で覆ってパッケージングし回路保護素子とする。」 （カ）「【００２１】 本発明に係る実施例４の回路保護素子は、前記実施例１ないし実施例３の何れかの保護素子用ヒューズ素子を利用した回路保護素子であり、図３に示すように、アルミナ・セラミックスの絶縁基板３３と、この絶縁基板３３の上下面に設けた複数のＡｇ合金製パターン電極３４と、該パターン電極３４と電気接続され該絶縁基板３３の下面に設けた抵抗発熱素子３８と、該絶縁基板３３の上面のパターン電極３４に電気接続したヒューズ素子３５と、このヒューズ素子３５の上部を覆って該絶縁基板に固着した液晶ポリマー製のキャップ状蓋体３６とを備え、ヒューズ素子３５は、１８３℃以上ピーク温度２８０℃未満のリフロー温度において溶融しない第１の融点温度を有する可融性金属からなる少なくとも１つの高融点ベース材３１と、該リフロー温度において溶融可能な第２の融点温度を有する可融性金属からなる少なくとも１つの低融点被覆材３２とを積層した複合金属材からなり、パターン電極３４は、基板上下面のパターン電極３４を電気接続するＡｇ合金のハーフ・スルーホール３７を有する。特に図示しないが、実施例４の抵抗発熱素子の表面はガラス材のオーバーグレーズを施している。」 （キ）「【図１】 ［図：0001420296000002.jpg］ 」 （ク）「【図３】 ［図：0001420296000003.jpg］ 」 イ 甲１発明等 上記アから、甲１には次の発明（以下、「甲１発明」及び「甲１発明の２」という。）が記載されていると認められる、 ［甲１発明］ 「接合作業温度で溶融しない第１の融点温度を有する可融性金属からなる高融点ベース材１１と、接合作業温度で溶融可能な第２の融点温度を有する可融性金属からなる低融点被覆材１２とを積層した複合金属材からなり、 高融点ベース材１１は、２０Ｓｎ－８０Ａｕ合金、５５Ｓｎ－４５Ｓｂ合金、Ｐｂを８０質量％以上含有したＰｂ－Ｓｎ合金のいずれかであり、 低融点被覆材１２は、Ｓｎ－Ａｇ合金、Ｓｎ－Ｂｉ合金、Ｓｎ－Ｃｕ合金、Ｓｎ－Ｚｎ合金、Ｓｎ－Ｓｂ合金、Ｓｎ－Ａｇ－Ｂｉ合金、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ合金、Ｓｎ－Ａｇ－Ｉｎ合金、Ｓｎ－Ｚｎ－Ａｌ合金、Ｓｎ－Ｚｎ－Ｂｉ合金または前記Ｓｎ基合金にＡｕ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｇａをさらに添加した合金のいずれかであり、 接合作業温度で溶融した前記低融点被覆材１２は、前記高融点ベース材１１と相互拡散する、 保護素子用ヒューズ素子。」 ［甲１発明の２］ 「絶縁基板３３と、この絶縁基板３３に設けた複数のパターン電極３４と、該パターン電極３４のうち所定のパターン電極３４に電気接続した保護素子用ユーズ素子と、この保護素子用ユーズ素子を溶断するために発熱する絶縁基板３３に設けられた抵抗発熱素子３８とを備え、前記保護素子用ヒューズ素子は甲１発明に係る保護素子用ヒューズ素子である、回路保護素子。」 ウ 甲２の記載事項 甲２には、以下の事項が記載されている。 （ア）「【０００７】 本発明は、少なくとも１つの高融点金属により形成される高融点金属層および少なくとも１つの低融点金属により形成される低融点金属層を有して成るヒューズエレメントを有するヒューズ素子であって、前記ヒューズエレメントの各金属層が積層され、各金属層の電流の流れ方向に沿った長さが実質的に等しいことを特徴とする、ヒューズ素子を提供する。 【０００８】 本発明のヒューズ素子は、少なくとも１つの高融点金属により形成される高融点金属層および少なくとも１つの低融点金属により形成される低融点金属層が積層され、各金属層の電流の流れ方向に沿った長さが実質的に等しいヒューズエレメントを有する。本発明のヒューズ素子は、このようなヒューズエレメントを有していればその形態は特に限定されず、例えば管ヒューズ、平型ヒューズ、薄膜ヒューズ等の形態であってもよい。」 （イ）「【００１０】 このうち、上記高融点金属としては、特に限定するものではないが、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ－Ａｕ合金、Ｎｉ－Ｐ合金およびＮｉ－Ｂ合金が挙げられ、特にＮｉが好ましい。 【００１１】 また、上記の高融点金属を用いる場合、上記低融点金属としては、特に限定するものではないが、例えば、Ｓｎ、Ｓｎ－Ａｇ合金、Ｓｎ－Ｃｕ合金、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ合金、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｂｉ合金、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｂｉ－Ｉｎ合金、Ｓｎ－Ａｇ－Ｂｉ－Ｉｎ合金、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｓｂ合金、Ｓｎ－Ｓｂ合金、Ｓｎ－Ｃｕ－Ｎｉ－Ｐ－Ｇｅ合金、Ｓｎ－Ｃｕ－Ｎｉ合金、Ｓｎ－Ａｇ－Ｎｉ－Ｃｏ合金、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｃｏ－Ｎｉ合金、Ｓｕ－Ｂｉ－Ａｇ合金、Ｓｎ－Ｚｎ合金およびＳｎ－Ｂｉ合金が挙げられ、特にＳｎ、Ｓｎ－Ｃｕ合金またはＳｎ－Ｂｉ合金が好ましい。 【００１２】 なお、「高融点金属」における「高融点」および「低融点金属」における「低融点」とは、相対的なものであることに注意されたい。すなわち、本発明のヒューズ素子のヒューズエレメントの各層を形成する金属のうち、最も融点の高い金属が「高融点金属」に該当し、最も融点の低い金属が「低融点金属」に該当する。」 エ 甲３の記載事項 甲３には、以下の事項が記載されている。 「【００２２】 可溶体３の形状が維持される理由は必ずしも明確ではないが、焼成温度で溶融する金属粉と焼成温度で溶融しない金属粉との組合せとしてＳｎ粉とＡｇ粉とを用いた場合を例に挙げると、焼成工程においては、先ず、融点の低いＳｎ粉（融点２３０℃）が溶融するが、溶融したＳｎにＡｇ（融点９６１℃）が拡散することにより、Ｓｎ－Ａｇ合金が形成される。得られるＳｎ－Ａｇ合金の融点は、４５０℃程度になる。このような現象が個々のＳｎ粉において生じているため、全体としてみると可溶体３の形状は維持されるのである。これは、Ｓｎ粉とＡｇ粉との組合せ以外も同様である。 【００２３】 焼成温度で溶融する金属粉と焼成温度で溶融しない金属粉との比率は、焼成温度で溶融する金属粉及び前記焼成温度で溶融しない金属粉の合計に対する焼成温度で溶融する金属粉の比率を、１０質量％以上、８０質量％未満とすることが好ましい。Ｓｎ粉の含有比率が８０質量％以上となる場合、チップ型ヒューズ素子１を実装するため等の熱処理により、可溶体３が断線するおそれがある。また、Ｓｎ粉の含有比率が１０質量％未満である場合、溶断特性が低下するおそれがある。」 オ 甲４の記載事項 甲４には、以下の事項が記載されている。 （ア）「【００７４】 低融点金属層２ａは、好ましくは、Ｓｎを主成分とする金属であり、「Ｐｂフリーハンダ」と一般的に呼ばれる材料である。低融点金属層２ａの融点は、必ずしもリフロー温度よりも高い必要はなく、２００℃程度で溶融してもよい。高融点金属層２ｂは、低融点金属層２ａの表面に積層された金属層であり、例えば、Ａｇ若しくはＣｕ又はこれらのうちのいずれかを主成分とする金属からなり、ヒューズ素子１，２０，３０，４０，５０をリフロー炉によって外部回路基板上に実装する場合においても溶融しない高い融点を有する。」 （イ）「【００７６】 また、ヒューズエレメント２は、所定の定格電流が流れている間は、自己発熱によっても溶断することがない。そして、定格よりも高い値の電流が流れると、自己発熱によって低融点金属層２ａの融点から溶融を開始し、速やかに端子部５ａ，５ｂ間の電流経路を遮断することができる。例えば、低融点金属層２ａをＳｎ‐Ｂｉ系合金やＩｎ‐Ｓｎ系合金などで構成した場合、ヒューズエレメント２は、１４０℃や１２０℃前後という低温から溶融を開始する。このとき、ヒューズエレメント２は、例えば低融点金属としてＳｎを４０％以上含ませる合金を用いることで、溶融した低融点金属層２ａが高融点金属層２ｂを溶食することにより、高融点金属層２ｂが溶融温度よりも低い温度で溶融する。したがって、ヒューズエレメント２は、低融点金属層２ａによる高融点金属層２ｂの溶食作用を利用して短時間で溶断することができる。」 カ 甲５の記載事項 甲５の鉛フリーはんだの種類、等級及び記号の表には、 （ア）「高温系」の「Ｓｎ－Ａｇ」の欄の種類に「Ｓｎ９５Ａｇ５」との記載がある。 （イ）「低温系」の「Ｓｎ－Ｂｉ」の欄の種類に「Ｂｉ５８Ｓｎ４２」との記載がある。 キ 甲６の記載事項 甲６には、以下の事項が記載されている。 （ア）「ところで、銅，銀等の可溶導体は、一般に、その一部に低融点金属を付けると、それ自体の融点以下の温度で冶金学的理論に基づく反応（主として相互拡散）が起り、これに対応してその境界付近における融点が低下し、また同時に生ずる破断区域の抵抗値の増大により、可溶導体は加速度的に溶断されることが知られている。 本考案は、このような原理に着目してなされたものである。」（第５頁６～１４行） （イ）「素線４は、一般の銅，銀等の高融点の金属或はそれらの合金が使用され、またメッキ層５を形成する低融点金属としては、スズ，カドミウム，鉛，ビスマス，インジウム及びこれらの合金が好適である。」（第７頁２～６行） ク 甲７の記載事項 甲７には、以下の事項が記載されている。 「本発明では、融解状態の低融点金属が高融点金属に拡散し、固体状態の高融点金属が融解状態の低融点金属に溶け出す「溶食」という現象を利用することで、低融点金属の融点付近の温度において高融点金属も含め導電材自体が溶断することで電流通電を遮断するものである。」（明細書段落【００１２】） （４）本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲１発明とを対比する。 後者は「接合作業温度で溶融した低融点被覆材１２は、高融点ベース材１１と相互拡散」する構成を有し、接合作業温度では高融点ベース材１１成分の一部が相互拡散するために溶解すると認められる。 したがって、後者の「接合作業温度で溶融しない第１の融点温度を有する可融性金属からなる高融点ベース材１１」は、前者の「接合作業温度で成分の一部が溶解する第１の可溶金属」に相当する。 後者において「接合作業温度で溶融しない第１の融点温度を有する可融性金属からなる高融点ベース材１１」と、「接合作業温度で溶融可能な第２の融点温度を有する可融性金属からなる低融点被覆材１２」とでは、明らかに、接合作業温度で溶融可能な「低融点被覆材１２」の方が、溶融しない「高融点ベース材１１」より溶融温度が低いと認められる。 したがって、後者の「接合作業温度で溶融可能な第２の融点温度を有する可融性金属からなる低融点被覆材１２」は、前者の「前記第１の可溶金属よりも低い溶融温度を有し前記接合作業温度で少なくとも成分の一部が溶融する第２の可溶金属」に相当する。 後者の「保護素子用ヒューズ素子」は、前者の「ヒューズ素子」に相当する。 したがって、両者は、次の一致点１で一致し、相違点１及び２で相違する。 ［一致点１］ 「接合作業温度で成分の一部が溶解する第１の可溶金属と、前記第１の可溶金属よりも低い溶融温度を有し前記接合作業温度で少なくとも成分の一部が溶融する第２の可溶金属とを積層した複合金属材からなるヒューズ素子。」 ［相違点１］ 本件発明１は、「第１の可溶金属は、Ｓｎ－Ａｇ合金であり、そのＡｇ含有量が２０質量％を超え３０質量％以下で構成され、第２の可溶金属は、Ｓｎ－Ｂｉ合金であり、そのＢｉ含有量が４０質量％以上、かつ共晶組成未満で構成され」るのに対し、 甲１発明は、「高融点ベース材１１は、２０Ｓｎ－８０Ａｕ合金、５５Ｓｎ－４５Ｓｂ合金、Ｐｂを８０質量％以上含有したＰｂ－Ｓｎ合金のいずれかであり、低融点被覆材１２は、Ｓｎ－Ａｇ合金、Ｓｎ－Ｂｉ合金、Ｓｎ－Ｃｕ合金、Ｓｎ－Ｚｎ合金、Ｓｎ－Ｓｂ合金、Ｓｎ－Ａｇ－Ｂｉ合金、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ合金、Ｓｎ－Ａｇ－Ｉｎ合金、Ｓｎ－Ｚｎ－Ａｌ合金、Ｓｎ－Ｚｎ－Ｂｉ合金または前記Ｓｎ基合金にＡｕ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｇａをさらに添加した合金のいずれかであ」る点。 ［相違点２］ 本件発明１は、「前記第１の可溶金属と前記第２の可溶金属の共通元素であるＳｎ成分の平衡移動と互いの側に異種元素であるＡｇとＢｉの相互拡散を利用して、互いの液相線温度と固相線温度の差を減少させて、ヒューズ動作温度範囲を自己調節する」のに対し、 甲１発明は、「接合作業温度で溶融した低融点被覆材１２は、高融点ベース材１１と相互拡散する」ものの、互いの液相線温度と固相線温度の差を減少させて、ヒューズ動作温度範囲を自己調節することについては特定されていない点。 イ 検討 相違点１について検討する。 甲１には、高融点ベース材１１として複数の合金が例示されており、低融点被覆材１２については１０種以上の合金が例示されているため、高融点ベース材１１と低融点被覆材１２との組合せは更に多くなるが、それら多くの組合せの中から、高融点ベース材１１としてＳｎ－Ａｇ合金、低融点被覆材１２としてＳｎ－Ｂｉ合金の組合せを採用することは記載も示唆もされていない。そもそも、甲１においては、「Ｓｎ－Ａｇ合金」は「低融点被覆材１２」の１種として例示されているものの、「高融点ベース材１１」としての例示はないことにかんがみれば、「高融点ベース材１１」として「Ｓｎ－Ａｇ合金」を採用することを想起すること困難である。仮に、甲１発明から、「高融点ベース材１１」を「Ｓｎ－Ａｇ合金」とし、「低融点被覆材１２」を「Ｓｎ－Ｂｉ合金」としたヒューズ素子に想到し得たとしても、そこからさらに「Ｓｎ－Ａｇ合金」と「Ｓｎ－Ｂｉ合金」における各金属の含有量を本件発明１のような含有量に調整することは、当業者が容易になし得たものではない。 甲２～７にも、「Ｓｎ－Ａｇ合金」と「Ｓｎ－Ｂｉ合金」を組み合わせたヒューズ素子は記載ないし示唆されていない。 さらに、「Ｓｎ－Ａｇ合金」と「Ｓｎ－Ｂｉ合金」を組み合わせることが、ヒューズ素子の技術常識であったとも認められない。 また、「Ａｇ含有量が２０質量％を超え３０質量％以下で構成され」る「Ｓｎ－Ａｇ合金」と、「Ｂｉ含有量が４０質量％以上、かつ共晶組成未満で構成され」る「Ｓｎ－Ｂｉ合金」とを組み合わせることの従来技術に関する客観的な証拠はない。 そして、当該相違点１に係る本件発明１の構成によって、「隣接する２種類の金属層の相互拡散を利用して、互いの液相線温度と固相線温度の差を減少させて、ヒューズ動作温度範囲を自己調節する」という作用効果を奏すると認められる。 そうであれば、相違点２について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明、甲１～甲７に記載された事項及び技術常識に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （５）本件発明２～４について 本件発明２～４は、本件発明１の構成を全て含み、さらに限定した発明であるから、上記（４）に示した理由と同様の理由により、甲１発明、甲１～甲７に記載された事項及び技術常識に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （６）本件発明５について ア 対比 本件発明５と甲１発明の２とを対比する。 後者の「絶縁基板３３」は前者の「絶縁基板」に相当し、以下同様に、 「パターン電極３４」は「電極」に、 「甲１発明」は「ヒューズ素子」に、 「溶断するために発熱する」ことは「加熱して溶断させる」ことに 「抵抗発熱素子３８」は「発熱素子」に、 「回路保護素子」は「保護素子」に、それぞれ相当する。 後者の甲１発明の「接合作業温度で溶融しない第１の融点温度を有する可融性金属からなる高融点ベース材１１」は、前者の「接合作業温度で成分の一部が溶解する第１の可溶金属」に相当する。 後者の甲１発明の「接合作業温度で溶融可能な第２の融点温度を有する可融性金属からなる低融点被覆材１２」は、前者の「接合作業温度で成分の一部が溶解する第１の可溶金属と、前記第１の可溶金属よりも低い溶融温度を有し前記接合作業温度で少なくとも成分の一部が溶融する第２の可溶金属」に相当する。 後者の甲１発明の「積層した複合金属材」は、前者の「積層した複合金属材」に相当する。 したがって、両者は、次の一致点２で一致し、相違点３及び４で相違する。 ［一致点２］ 「絶縁基板と、この絶縁基板に設けた複数の電極と、該電極のうち所定の電極に電気接続したヒューズ素子と、このヒューズ素子を加熱して溶断させるために絶縁基板に設けられた発熱素子とを備え、前記ヒューズ素子は、接合作業温度で成分の一部が溶解する第１の可溶金属と、前記第１の可溶金属よりも低い溶融温度を有し前記接合作業温度で少なくとも成分の一部が溶融する第２の可溶金属とを積層した複合金属材からなる保護素子。」 ［相違点３］ 本件発明５は「第１の可溶金属は、Ｓｎ－Ａｇ合金であり、そのＡｇ含有量が２０質量％を超え３０質量％以下で構成され、第２の可溶金属は、Ｓｎ－Ｂｉ合金であり、そのＢｉ含有量が４０質量％以上、かつ共晶組成未満で構成され」るのに対し、 甲１発明の２は、甲１発明の「高融点ベース材１１は、２０Ｓｎ－８０Ａｕ合金、５５Ｓｎ－４５Ｓｂ合金、Ｐｂを８０質量％以上含有したＰｂ－Ｓｎ合金のいずれかであり、低融点被覆材１２は、Ｓｎ－Ａｇ合金、Ｓｎ－Ｂｉ合金、Ｓｎ－Ｃｕ合金、Ｓｎ－Ｚｎ合金、Ｓｎ－Ｓｂ合金、Ｓｎ－Ａｇ－Ｂｉ合金、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ合金、Ｓｎ－Ａｇ－Ｉｎ合金、Ｓｎ－Ｚｎ－Ａｌ合金、Ｓｎ－Ｚｎ－Ｂｉ合金または前記Ｓｎ基合金にＡｕ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｇａをさらに添加した合金のいずれかであ」る点。 ［相違点４］ 本件発明５は「前記第１の可溶金属と前記第２の可溶金属の共通元素であるＳｎ成分の平衡移動と互いの側に異種元素であるＡｇとＢｉの相互拡散を利用して、互いの液相線温度と固相線温度の差を減少させて、ヒューズ動作温度範囲を自己調節する」のに対し、 甲１発明の２は、「接合作業温度で溶融した低融点被覆材１２は、高融点ベース材１１と相互拡散する」ものの、互いの液相線温度と固相線温度の差を減少させて、ヒューズ動作温度範囲を自己調節することについては特定されていない点。 イ 検討 相違点３は、上記（４）アの相違点１と同じ内容であるから、上記（４）イで検討したことと同様の理由により、相違点４について検討するまでもなく、本件発明５は、甲１発明、甲１発明の２、甲１～甲７に記載された事項及び技術常識に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （７）本件発明６～１０について 本件発明６～１０は、本件発明５の構成を全て含み、さらに限定した発明であるから、上記（６）に示した理由と同様の理由により、甲１発明、甲１発明の２、甲１～甲７に記載された事項及び技術常識に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （８）小括 上記（４）～（７）のとおり、請求項１～１０に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反しないから、異議申立人の上記（１）の主張は採用しない。 ２ 特許法第３６条第４項第１号（実施可能要件・委任省令要件）について （１）特許異議申立書における主張について 異議申立人は、特許異議申立書の「（４－５）実施可能要件違反の理由」（第３４ページ上から８行目～下から４行目）において、 「（ア）特許発明１は、第１の可溶合金であるＳｎ－Ａｇ合金のＡｇ含有量および第２の可溶合金であるＳｎ－Ｂｉ合金のＢｉ含有量について特定の数値限定を伴うものであり、このような限定を付した構成を採用することにより、本件発明１の課題を解決するものと解される。 （イ）しかし、発明の課題解決との関係が明らかであるというためには、数値限定を付した場合の効果（実施例）と、このような数値限定を満足しない場合の効果（比較例）とを十分に記載しておく、あるいは実施例及び比較例の記載に替わって課題との関係で数値限定を付したことの技術的意義が理解できるような記載を設けるなどにより、技術上の意義を明確にしておくこと等が必要と考えられるところ、本件明細書の発明の詳細な説明をみても、このような記載は見当たらない。 （ウ）したがって、このような数値限定を伴う本件発明１において、かかる数値範囲を特定する技術的意義が十分に記載されているとはいえないことから、特許法３６条第４項第１号の規定に適合するものとはいえない。特許発明１を引用する特許発明２～４、同様の構成を規定する特許発明５および特許発明５を引用する特許発明６～１０についても同様である。」と主張する。 （２）実施可能要件につての当審の判断 本件発明１～１０が実施可能であるというためには、当業者が、明細書の発明の詳細な説明の記載及び本件出願当時の技術常識に基づいて、過度の試行錯誤を要することなく、本件発明１～１０に係る発明を実施することができることが要求されるところ、 明細書の記載から、「厚さ８０μｍの７０Ｓｎ－３０Ａｇ合金（液相線温度４１５℃、固相線温度２２１℃）の合金板からなる第１の可溶金属１１と、厚さ１０μｍの６０Ｓｎ－４０Ｂｉ合金（液相線温度１７５℃、固相線温度１３９℃）の合金板からなる第２の可溶金属１２とをクラッドにより積層した複合金属材１０」（段落【００１６】参照）を用意し、 該ヒューズ素子を、「予め接合フラックスを塗布した絶縁基板の電極２４ａとヒューズ素子２５の第２の可溶金属２２とを互いに接触させて載置し、温度プロファイルが余熱温度１１０～１３０℃で滞留時間７０秒、１５０℃以上の滞留時間が３０秒、ピーク温度が１７０℃となるようにリフロー炉に通して、第１の可溶金属２１の一部を溶解させ、第２の可溶金属２２の一部または全部を溶融させて互いの共通元素のＳｎ相を相互拡散させ平衡状態に漸近させるとともに、溶融した第２の可溶金属２２によりヒューズ素子２５を電極２４ａに接合させる」（段落【００１８】）ことで、当業者であれば温度ヒューズ素子ないし保護素子を作ることが十分に可能であると認められる。 そうであれば、発明の詳細な説明は、請求項１～１０に係る発明をその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、過度の試行錯誤を要することなく、その実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるといえる。 （３）委任省令要件についての当審の判断 明細書には、発明が解決しようとする課題として「本発明は、保護素子の化学物質規制および抵抗低減と小型薄型化に対応したヒューズ素子およびそれを利用した電気・電子機器の保護素子を提供することを目的とする。」（【０００６】参照）との記載がある。 そして、明細書には、当該課題の解決手段に関連して「第１の可溶金属２１におけるＡｇ濃度は相対的に低下し、液相線温度が当初の３７０℃より固相線温度の２２１℃に向かって低下して行く。」（段落【００１４】）との記載があり、本件発明１～１０の第１の可溶金属（Ｓｎ－Ａｇ合金）のＡｇ含有量であれば、Ａｇ濃度が低下した際、液相線温度が固相線温度に向かって低下するメカニズムが働くことは、当業者であれば理解できる。 また、「第２の可溶金属２２においては、相対的にＢｉ濃度が増加し、液相線温度が固相線温度の１３９℃に向かって低下するようになる。」（段落【００１４】）とも記載されており、本件発明１～１０の第２の可溶金属（Ｓｎ－Ｂｉ合金）のＢｉ含有量であれば、Ｂｉ濃度が増加した際、液相線温度が固相線温度に向かって低下するメカニズムが働くことも、当業者であれば理解できる。 そして、第１可溶金属、第２可溶金属の双方で液相温度が低下するメカニズムが働くことにより、「ヒューズ動作温度範囲を自己調節させる。上記構成のヒューズ素子は、従来ヒューズ素子の固体純銀被覆をＳｎ系の無鉛はんだで溶食させるより速やかに溶断させることができ、また、銀被覆を使用しないため、硫化腐食や銀マイグレーション、銀被覆の残留による溶断不良の心配がない。」（段落【００１４】）との作用・効果が得られると認められる。 そうすると、本件明細書には、発明が解決しようとする課題及びその解決手段その他のその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が発明の技術上の意義を理解するために必要な事項が記載されているといえるから、委任省令要件を満たしている。 （４）小括 上記（２）及び（３）のとおり、明細書の発明の詳細な説明には、請求項１～１０に係る発明が解決しようとする課題及びその解決手段その他のその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が発明の技術上の意義を理解するために必要な事項が記載されていると認められるから、異議申立人の上記（１）の主張は採用しない。 ３ 特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について （１）特許異議申立書における主張 異議申立人は、特許異議申立書の「（４－６）サポート要件違反の理由」（第３４ページ下から３行目～第３５ページ下から５行目）において、 「（ア）特許発明１にかかるヒューズ素子は、第１の可溶合金であるＳｎ－Ａｇ合金のＡｇ含有量を２０質量％を超え３０質量％以下とし、第２の可溶合金であるＳｎ－Ｂｉ合金のＢｉ含有量を６０質量％以上７０質量％以下とした。 （イ）一方、本件明細書の発明の詳細な説明には、ヒューズ素子について以下の実施例が記載されている。 実施例１（段落［００１６］） ７０Ｓｎ－３０Ａｇ合金／６０Ｓｎ－４０Ｂｉ合金 ６７Ｓｎ－３３Ａｇ合金／３０Ｓｎ－７０Ｂｉ合金 実施例２（段落［００１７］） ８０Ｓｎ－２０Ａｇ合金／６０Ｓｎ－４０Ｂｉ合金 実施例３ 記載なし 実施例４（段落［００１９］） ７０Ｓｎ－３０Ａｇ合金／６０Ｓｎ－４０Ｂｉ合金 実施例５（段落［００２０］） ８０Ｓｎ－２０Ａｇ合金／６０Ｓｎ－４０Ｂｉ合金 （ウ）上記実施例１～５のなかで、特許発明１に対応するヒューズ素子の実施例は実施例１、４に記載の「７０Ｓｎ－３０Ａｇ合金／６０Ｓｎ－４０Ｂｉ合金」のみである。このような記載だけでは、本件出願時の技術常識を参酌して、当該数値範囲内であれば、所望の効果（性能）が得られると当業者において認識できる程度に、具体例を開示して記載しているとはいえず、本件明細書の特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第１号に規定する明細書のサポート要件に適合するということはできない。また、特許発明１を引用する特許発明２～４、同様の構成を規定する特許発明５および特許発明５を引用する特許発明６～１０についても同様である。」 と主張する。 （２）サポート要件についての当審の判断 上記第５で検討したとおりであるから、上記（１）の異議申立人の主張は採用しない。 （３）意見書の主張と当審の判断 異議申立人は、意見書の３（２）（エ）において、第２の可溶金属として「３０Ｓｎ－７０Ｂｉ合金」を例示し、「本件発明１は、Ｓｎ－Ｂｉ二元状態図におけるＢｉ含有量と液相線の関係では説明できない現象を利用している。」（第３頁６～９行）と主張している。 しかしながら、本件訂正により、第２の可溶金属の組成は「Ｂｉ含有量が４０質量％以上、かつ共晶組成未満」とされ、Ｂｉ含有量が共晶組成以上の「３０Ｓｎ－７０Ｂｉ合金」は含まれないこととなったため、本件発明は、発明の詳細な説明の【００１４】に記載されている、液相線温度と固相線温度の差が減少するメカニズムによって説明される発明となった。 そうであれば、異議申立人の上記の主張は本件発明１～１０に基づかないものであるから、採用しない。 また、異議申立人は、意見書の３（２）（オ）において、「「共晶組成未満」には、共晶組成に限りなく近く共晶組成とほぼ同じ組成（例えばＳｎ－５６．９９Ｂｉ）も含まれるが、このような組成においてはそもそも液相線温度と固相線温度の差が無く自己調節機能が働く余地がない。」（第４頁３－６行）と主張しているものの、Ｂｉ含有量が４０質量％以上、かつ共晶組成未満の範囲であれば、程度の差こそあれ、液相線温度と固相線温度の差が残存し、自己調節機能が働く余地はあると認められるので、この異議申立人の主張は採用できない。 さらにまた、異議申立人は、意見書の３（２）（カ）において、 「【００１４】には「第２の可溶金属２２では、第１の可溶金属２１の溶解および拡散によりＳｎが第１の可溶金属２１側に移動して平衡状態に近づくのでＳｎ成分が減少し、Ｂｉ濃度も拡散により第１の可溶金属２１に移行し減少する。」とあるが、第１の可溶金属と第２の可溶金属の組成範囲全てにおいて「Ｓｎが第１の可溶金属２１側に移動して平衡状態に近づくので」第２の可溶金属の「Ｓｎ成分が減少」する点が証明されてしかるべきだが、明細書に記載されておらず、またこのことが技術常識であるとも言えない。」（第４頁１３－２０行）、「溶融した第２の可溶金属に拡散混合される第１の可溶金属の成分は、固相を維持している第１の可溶金属へ拡散される第２の可溶金属の成分よりも多いと考えるのが自然である。すなわち、「平衡状態に近づく（【００１４】【００１５】）過程においては、主に第１の可溶金属のＳｎ成分が全部が溶融された液相の第２の可溶金属へ移動していくと考えられるところ、訂正後の本件発明１に示す組成範囲において「Ｓｎが第１の可溶金属２１側に移動して平衡状態に近づくので」第２の可溶金属の「Ｓｎ成分が減少」することはないと思われる。」（第６頁１－９行）と主張しているが、異議申立人は、本件発明１～１０の数値範囲において、平行状態に近づく過程で、何故、第２の可溶金属から第１の可溶金属に移行するＳｎ成分よりも、第１の可溶金属から成分が第２の可溶金属に移行するＳｎ成分が多くなるのかについて、客観的な証拠を示してはいないので、この異議申立人の主張は採用できない。 第７ むすび したがって、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、請求項１～１０に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に請求項１～１０に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。