2023-700238

特許第７１６１３７０号発明「保護膜形成用組成物」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７１６１３７０号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－１３〕について訂正することを認める。 特許第７１６１３７０号の請求項１－１３に係る特許を取り消す。

理 由 第１ 手続の経緯 本件特許に係る出願は、平成３０年１０月２３日の出願であって、令和４年１０月１８日に特許権の設定登録（請求項の数１３）がされ、同年同月２６日に特許掲載公報が発行され、その後、その請求項１～１３に係る特許に対し、令和５年３月１日に異議申立人 河井 清悦（以下、「特許異議申立人」という。）により特許異議の申立てがされたものであり、当審は、同年９月５日付けで取消理由を通知し、特許権者は、その指定期間内である同年１１月６日に意見書の提出及び訂正の請求を行い、特許権者から訂正請求があったことを、同年１２月１１日付けで異議申立人に通知し、特許異議申立人は、令和６年１月１１日に意見書を提出し、当審は、同年３月２６日付けで取消理由を通知し、特許権者は、その指定期間内である同年５月２７日に意見書の提出及び訂正の請求（以下「本件訂正請求」といい、その請求の内容を「本件訂正」という。）を行い、特許権者から訂正請求があったことを、同年６月４日付けで異議申立人に通知し、特許異議申立人は、同年６月２４日に意見書を提出したものである。 なお、本件訂正請求がされたことにより、令和５年１１月６日にされた訂正の請求は取り下げたものとみなされる。 第２ 本件訂正についての判断 １ 本件訂正の内容 本件訂正は、以下の訂正事項１～４からなる。訂正箇所に下線を付した。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に、 「水溶性高分子、レーザー光吸収剤及び溶媒を含み、溶媒が、水とプロピレングリコール誘導体を質量比９：１～０：１０で含み、ポリエチルオキサゾリン及びポリビニルピロリドンのいずれも含まない、保護膜形成用組成物。」と記載されているのを、 「水溶性高分子、レーザー光吸収剤及び溶媒を含み、溶媒が、水とプロピレングリコール誘導体を質量比９：１～０：１０で含み、ポリエチルオキサゾリン及びポリビニルピロリドンのいずれも含まない、保護膜形成用組成物であり、 水溶性高分子が、ポリビニルアルコール系樹脂を含む、組成物（ただし、溶媒が、水 と有機溶媒とからなり、有機溶媒に対する水の重量比（水／有機溶媒）が３～１７である溶媒である場合を除く）。」 に訂正する。（請求項１の記載を引用する請求項４～１３も同様に訂正する。） （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２に、 「水溶性高分子が、ポリビニルアルコール系樹脂及びポリビニルピロリドン系樹脂から選択される少なくとも１種を含む、請求項１に記載の組成物。」と記載されているのを、 「水溶性高分子、レーザー光吸収剤及び溶媒を含み、溶媒が、水とプロピレングリコール誘導体を質量比９：１～０：１０で含み、ポリエチルオキサゾリン及びポリビニルピロリドンのいずれも含まない、保護膜形成用組成物であり、 水溶性高分子が、ポリビニルアルコール系樹脂を含み、 保護膜の厚みが０．０１～１．５μｍである、組成物（ただし、溶媒が、水と有機溶媒とからなり、有機溶媒に対する水の重量比（水／有機溶媒）が３～１７である溶媒である場合を除く）。」 に訂正し、請求項２を独立形式に訂正する。（請求項２の記載を引用する請求項４～１３も同様に訂正する。） （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項３に、 「レーザー光吸収剤が、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤及びフェルラ酸から選択された少なくとも１種を含む請求項１又は２に記載の組成物。」と記載されているのを、 「水溶性高分子、レーザー光吸収剤及び溶媒を含み、溶媒が、水とプロピレングリコール誘導体を質量比９：１～０：１０で含み、ポリエチルオキサゾリン及びポリビニルピロリドンのいずれも含まない、保護膜形成用組成物であり、 水溶性高分子が、ポリビニルアルコール系樹脂を含み、 レーザー光吸収剤が、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤及びフェルラ酸から選択された少なくとも１種を含み、 保護膜の厚みが０．０１～１．５μｍである、組成物（ただし、溶媒が、水と有機溶媒とからなり、有機溶媒に対する水の重量比（水／有機溶媒）が３～１７である溶媒である場合を除く）。」 に訂正し、請求項３を独立形式に訂正する。（請求項３の記載を引用する請求項４～１３も同様に訂正する。） （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項４に、 「プロピレングリコール誘導体が、プロピレングリコールモノアルキルエーテルを含む請求項１～３のいずれかに記載の組成物。」と記載されているのを、 「溶媒が、水とプロピレングリコール誘導体を質量比６８：３２～０：１０で含み、 プロピレングリコール誘導体が、プロピレングリコールモノアルキルエーテルを含む請求項１～３のいずれかに記載の組成物。」に訂正する。 ２ 訂正要件についての判断 （１）訂正事項１ ア 訂正の目的について 訂正前の請求項１に係る発明では、「水溶性高分子が、ポリビニルアルコール系樹脂を含」むこと、「溶媒が、水と有機溶媒とからなり、有機溶媒に対する水の重量比（水／有機溶媒）が３～１７である溶媒である場合を除く」ことが規定されていない。 これに対して、訂正後の請求項１に係る発明は、これらで特定するものであるから、当該訂正事項は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるといえる。 イ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記アの理由から明らかなように、訂正事項１は、水溶性高分子及び保護膜形成用組成物を特定するものであり、何らカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものであるといえる。 ウ 新規事項の有無 訂正事項１は、訂正前の請求項２の記載「水溶性高分子が、ポリビニルアルコール系樹脂及びポリビニルピロリドン系樹脂から選択される少なくとも１種を含む」等に基づいて導き出される構成である。 また、訂正事項１は、令和６年３月２６日（起案日）付の取消理由通知において指摘された甲第１号証の請求項１に記載された発明（溶媒）を除外するものであり、何ら新たな技術的事項を導入しない。 したがって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものであるといえる。 （２）訂正事項２ ア 訂正の目的について 訂正前の請求項２に係る発明では、「水溶性高分子が、ポリビニルアルコール系樹脂を含む」こと、「保護膜の厚みが０．０１～１．５μｍである」こと、「溶媒が、水と有機溶媒とからなり、有機溶媒に対する水の重量比（水／有機溶媒）が３～１７である溶媒である場合を除く」ことが規定されていない。 なお、訂正前の請求項２は、訂正前の請求項１を引用するものであり、訂正前の請求項１で規定された「水溶性高分子、レーザー光吸収剤及び溶媒を含み、溶媒が、水とプロピレングリコール誘導体を質量比９：１～０：１０で含み、ポリエチルオキサゾリン及びポリビニルピロリドンのいずれも含まない、保護膜形成用組成物」であることの規定は、訂正前の請求項１に係る発明と同じである。 これに対して、訂正後の請求項２に係る発明は、これらで特定されたものであるから、当該訂正事項は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮及び第４号に規定する他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものであるといえる。 イ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記アの理由から明らかなように、訂正事項２は、水溶性高分子、保護膜及び保護膜形成用組成物を特定するものであり、何らカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものであるといえる。 ウ 新規事項の有無 訂正事項２は、訂正前の請求項２の記載「水溶性高分子が、ポリビニルアルコール系樹脂及びポリビニルピロリドン系樹脂から選択される少なくとも１種を含む」（願書に添付した明細書の【００７５】及び【００８４】）等に基づいて導き出される構成である。 また、訂正事項２は、令和６年３月２６日（起案日）付の取消理由通知において指摘された甲第１号証の請求項１に記載された発明（溶媒）を除外するものであり、何ら新たな技術的事項を導入しない。 したがって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものであるといえる。 （３）訂正事項３ ア 訂正の目的について 訂正前の請求項３に係る発明では、「水溶性高分子が、ポリビニルアルコール系樹脂を含」むこと、「保護膜の厚みが０．０１～１．５μｍである」こと、「溶媒が、水と有機溶媒とからなり、有機溶媒に対する水の重量比（水／有機溶媒）が３～１７である溶媒である場合を除く」ことが規定されていない。 なお、訂正前の請求項３は、訂正前の請求項１を引用するものであり、訂正前の請求項 １で規定された「水溶性高分子、レーザー光吸収剤及び溶媒を含み、溶媒が、水とプロピレングリコール誘導体を質量比９：１～０：１０で含み、ポリエチルオキサゾリン及びポリビニルピロリドンのいずれも含まない、保護膜形成用組成物」であることの規定は、訂正前の請求項１に係る発明と同じである。 これに対して、訂正後の請求項３に係る発明は、これらで特定するものであるから、当該訂正事項は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮及び第４号に規定する他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものであるといえる。 イ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記アの理由から明らかなように、訂正事項３は、水溶性高分子、保護膜及び保護膜形成用組成物を特定するものであり、何らカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものであるといえる。 ウ 新規事項の有無 訂正事項３は、請求項２、願書に添付した明細書の【００７５】及び【００８４】等に基づいて導き出される構成である。 また、訂正事項３は、令和６年３月２６日（起案日）付の取消理由通知において指摘された甲第１号証の請求項１に記載された発明（溶媒）を除外するものであり、何ら新たな技術的事項を導入しない。 したがって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものであるといえる。 （４）訂正事項４ ア 訂正の目的について 訂正前の請求項４に係る発明では、「溶媒が、水とプロピレングリコール誘導体を質量比 ６８：３２～０：１０で含」むことが規定されていない。 これに対して、訂正後の請求項４に係る発明は、これで特定するものであるから、当該訂正事項は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるといえる。 イ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記アの理由から明らかなように、訂正事項４は、溶媒を特定するものであり、何らカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものであるといえる。 ウ 新規事項の有無 訂正事項４は、請求項１、願書に添付した明細書の【００６１】及び表１の記載事項（実施例３における質量比「６８：３２」）等に基づいて導き出される構成である。 したがって、訂正事項４は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものであるといえる。 （５）独立特許要件 本件においては、訂正前のすべての請求項について特許異議の申立てがされているので、特許法１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （６）一群の請求項について 訂正事項１に係る訂正前の請求項１、４、５、８～１３について、請求項４は請求項１～３を、請求項５は請求項４を、請求項８～１２は請求項１～その前に記載されたいずれかの請求項を、請求項１３は請求項１～１１を、それぞれ、引用しているものであって、訂正事項１によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものである。 したがって、訂正前の請求項１、４、５、８～１３に対応する訂正後の請求項１、４、５、８～１３は、特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 また、訂正事項２に係る訂正前の請求項２、４～１３について、請求項４は請求項１～３を、請求項５は請求項４を、請求項６は請求項２～５を、請求項７は請求項２～６を、請求項８～１２は請求項１～その前に記載されたいずれかの請求項を、請求項１３は請求項１～１１を、それぞれ、引用しているものであって、訂正事項２によって記載が訂正される請求項２に連動して訂正されるものである。 したがって、訂正前の請求項２、４～１３に対応する訂正後の請求項２、４～１３は、特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 さらに、訂正事項３に係る訂正前の請求項３～１３について、請求項４は請求項１～３を、請求項５は請求項４を、請求項６は請求項２～５を、請求項７は請求項２～６を、請求項８～１２は請求項１～その前に記載されたいずれかの請求項を、請求項１３は請求項１～１１を、それぞれ、引用しているものであって、訂正事項３によって記載が訂正される請求項３に連動して訂正されるものである。 そして、上記複数の一群の請求項は、特許法施行規則４５条の４に規則される関係を有するものであるから、組み合わされて一群の請求項を構成するものである。 したがって、訂正前の請求項３～１３に対応する訂正後の請求項３～１３は、特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 以上から、訂正前の請求項１～１３に対応する訂正後の請求項１～１３は、特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項であり、本件訂正は、一群の請求項である訂正前の請求項１～１３についてされたものであるから、特許法１２０条の５第４項の規定に適合する。 ３ 小括 以上のとおり、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するから、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－１３〕について訂正することを認める。 第３ 本件特許発明 上記第２で述べたとおり、本件訂正は認められるので、本件特許の請求項１～１３に係る発明は、令和５年１１月６日付けの訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲の請求項１～１３に記載された事項により特定される次のとおりのもの（以下「本件特許発明１」～「本件特許発明１３」、まとめて「本件特許発明」ともいう。）である。 「【請求項１】 水溶性高分子、レーザー光吸収剤及び溶媒を含み、溶媒が、水とプロピレングリコール誘導体を質量比９：１～０：１０で含み、ポリエチルオキサゾリン及びポリビニルピロリドンのいずれも含まない、保護膜形成用組成物であり、 水溶性高分子が、ポリビニルアルコール系樹脂を含む、組成物（ただし、溶媒が、水 と有機溶媒とからなり、有機溶媒に対する水の重量比（水／有機溶媒）が３～１７である溶媒である場合を除く）。 【請求項２】 水溶性高分子、レーザー光吸収剤及び溶媒を含み、溶媒が、水とプロピレングリコール誘導体を質量比９：１～０：１０で含み、ポリエチルオキサゾリン及びポリビニルピロリドンのいずれも含まない、保護膜形成用組成物であり、 水溶性高分子が、ポリビニルアルコール系樹脂を含み、 保護膜の厚みが０．０１～１．５μｍである、組成物（ただし、溶媒が、水と有機溶媒とからなり、有機溶媒に対する水の重量比（水／有機溶媒）が３～１７である溶媒である場合を除く）。 【請求項３】 水溶性高分子、レーザー光吸収剤及び溶媒を含み、溶媒が、水とプロピレングリコール誘導体を質量比９：１～０：１０で含み、ポリエチルオキサゾリン及びポリビニルピロリドンのいずれも含まない、保護膜形成用組成物であり、 水溶性高分子が、ポリビニルアルコール系樹脂を含み、 レーザー光吸収剤が、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤及びフェルラ酸から選択された少なくとも１種を含み、 保護膜の厚みが０．０１～１．５μｍである、組成物（ただし、溶媒が、水と有機溶媒とからなり、有機溶媒に対する水の重量比（水／有機溶媒）が３～１７である溶媒である場合を除く）。 【請求項４】 溶媒が、水とプロピレングリコール誘導体を質量比６８：３２～０：１０で含み、プロピレングリコール誘導体が、プロピレングリコールモノアルキルエーテルを含む 請求項１～３のいずれかに記載の組成物。 【請求項５】 プロピレングリコールモノアルキルエーテルが、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル及びプロピレングリコールモノブチルエーテルから選択される少なくとも １種を含む請求項４に記載の組成物。 【請求項６】 ポリビニルアルコール系樹脂のケン化度が６０モル％以上９６モル％未満である請求項２～５のいずれかに記載の組成物。 【請求項７】 ポリビニルアルコール系樹脂の平均重合度が１００～４０００である請求項２～６のいずれかに記載の組成物。 【請求項８】 水溶性高分子におけるナトリウムの含有量が３００ｐｐｍ以下である請求項１～７のいずれかに記載の組成物。 【請求項９】 水溶性高分子におけるナトリウムの含有量が１ｐｐｍ以下である請求項１～８のいずれかに記載の組成物。 【請求項１０】 半導体加工用である請求項１～９のいずれかに記載の組成物。 【請求項１１】 半導体レーザー加工用である請求項１～１０のいずれかに記載の組成物。 【請求項１２】 請求項１～１１のいずれかに記載の組成物の製造方法であって、各成分の混合液をイオン交換処理する工程を含む製造方法。 【請求項１３】 請求項１～１１のいずれかに記載の組成物の製造方法であって、各成分の混合液を孔径１μｍ以下のフィルターで濾過する工程を含む製造方法。」 第４ 取消理由通知に記載した取消理由について 令和５年９月５日付けで通知した取消理由及び令和６年３月２６日付けで通知した取消理由の概要は、次の理由である。 理由（進歩性）本件特許の請求項１～１３に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。 記 甲第１号証：中国特許出願公開第１０４７４４９８７号明細書 甲第２号証：特開２００６－１４０３１１号公報 甲第４号証の１：特開２０１７－９８２９９号公報 甲第４号証の２：特開２０１７－９８２９８号公報 第５ 前記第４における理由（進歩性）について １ 甲号証について 前記第４ 理由の甲第１号証、甲第２号証、甲第４号証の１及び甲第４号証の２ ２ 甲号証の記載について （１）甲第１号証（以下、「甲１」という。） 摘記事項の後に当審による仮訳を示す。 １ａ「 ［図：0001418191000001.jpg］ 」 １．保護層形成用溶液であって、 水溶性樹脂と、 水溶性レーザー吸収剤と、 溶剤とを含み、 溶剤が水と有機溶剤とからなり、有機溶剤に対する水の重量比が３～１７であることを特徴とする溶液。 ２．水と有機溶媒の重量比が３～１０である、請求項１に記載の溶液。 ３．有機溶媒が、イソプロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロパンジオールモノメチルエーテル、ブチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、プロピレントリオールカーボネートおよびビニルカーボネートから選ばれる少なくとも１つを含む請求項１記載の溶液。 ４．水溶性樹脂が、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、５個以上のオキシエチレン繰り返し単位を有するポリエチレングリコール、ポリオキシエチレン、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ポリアクリル酸、ポリビニルアルコール－ポリアクリル酸ブロックポリマー、ポリビニルアルコール－ポリアクリル酸エステルブロックポリマーまたはポリグリセロールからなる請求項１記載の溶液。 １ｂ「 ［図：0001418191000002.jpg］ ・・・ ［図：0001418191000003.jpg］ ［図：0001418191000004.jpg］ ［図：0001418191000005.jpg］ 」 ［０００３］しかし、ダイシングチャンネルに沿ってレーザー光を照射すると、レーザー光が例えばシリコン基板に吸収され、基板が溶融または熱分解してシリコン蒸気が発生し、凝縮して半導体チップ表面に堆積しやすくなり、品質が低下することがある。 発明の内容 ［０００４］本発明の目的は、レーザーによって加工されるウエハ上に保護層を形成し、レーザー光が保護層を通してウエハの表面に導かれるようにし、レーザー加工によって派生する凝縮したシリコン蒸気や他の破片が半導体チップの表面に堆積して品質劣化をもたらすのを効果的に防止する解決策を提供することである。 ［０００５］上記目的のために、本発明は、保護層を形成するための解決策を提案する。この溶液は、水溶性樹脂、水溶性レーザー吸収剤、および溶剤から構成されています。溶 媒は、水と有機溶媒からなり、水と有機溶媒の重量比は３～１７である。 ・・・ ［００３３］ 一実施形態において、水溶性樹脂、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、５個以上のオキシエチレン繰り返し単位を有するポリエチレングリコール、ポリオキシエチレン、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ポリアクリル酸、ポリビニルアルコール－ポリアクリル酸ブロックポリマー、ポリビニルアルコール－ポリアクリル酸エステルブロックポリマーまたはポリグリセロールであってよい水溶性樹脂は、上述したように、単一の材料からなるものであってもよいし、２種以上の組み合わせであってもよい。ただし、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば水などの溶媒に溶解し、塗布、乾燥して保護層を形成できる材料であればよい。 ［００３４］ 一実施形態では、半導体ウエハ表面１００ａ上に形成された保護層１４は、レーザー加工後に水で洗浄することができる。保護層１４の水に対する洗浄性を考慮すると、水溶性樹脂としては、極性基としてエーテル結合または水酸基を１つだけ有する樹脂、例えば前述したポリビニルアルコールやポリエチレングリコール水溶性樹脂を挙げることができる。極性基、例えばカルボキシル基や３級アミンを有する水溶性樹脂は、半導体ウエハ表面１００ａに強固に固定される傾向があり、水洗後も半導体ウエハ表面１００ａに残存する場合がある。一方、極性基としてエーテル結合や水酸基を１つだけ持つ樹脂は、比較的接着力が弱く、水洗後に半導体ウエハ表面に残留するのを効果的に回避することができる。一実施形態において、水溶性樹脂の重合度又は分子量は、低いことが好ましい。ただし、重合度や分子量の高い水溶性樹脂は、水によって半導体ウエハ表面から洗い流されにくいが、可塑剤を使用することでこれを回避することができる。可塑剤については後述する。 １ｃ「 ［図：0001418191000006.jpg］ 」 ［００３８］一実施形態において、水溶性紫外線吸収剤は、例えば、４、４’－ジカルボキシベンゾフェノン、ベンゾフェノン－４－カルボン酸、２－カルボキシアントラキノン、１，２－ナフタレンジカルボン酸、１，８－ナフタレンジカルボン酸、２，３－ナフタレンジカルボン酸、２，６－ナフタレンジカルボン酸、２，７－ナフタレンジカルボン酸、それらのナトリウム、カリウム、アンモニウム及び４級アンモニウム塩、２，６－アントラキノンジスルホン酸ナトリウム塩、２，７－アントラキノンジスルホン酸ナトリウム塩及びフェルラ酸などである。 １ｄ「 ［図：0001418191000007.jpg］ ・・・ ［図：0001418191000008.jpg］ 」 ［００４１］保護層１４用の溶液の調製に用いる溶媒は、水と有機溶媒の混合物の形態であってもよい。 ［００４２］有機溶媒の例としては、エタノール、エステル、アルキレングリコール、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテートなどが挙げられる。さらに、有機溶媒の例としては、イソプロピルアルコール、エタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、アルキルカーボネートが挙げられる。これらの有機溶媒は、ブチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、グリセリンカーボネート、ビニルカーボネートなどのアルキルカーボネートを単独または併用して使用することができる。これらの有機溶媒は単独で、または２種以上を組み合わせて使用することができる。本実施形態において、アルキレングリコールモノアルキルエーテルは、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルである。 ［００４３］一実施形態において、保護層１４用の溶液の調製に使用される溶媒は、水と有機溶媒の重量比（水／有機溶媒）が３～１７である溶媒である。水分量が多すぎると（例：水／有機溶剤＞１７）、保存性が悪くなり、均一にコーティングできなくなる。水分量が少なすぎる場合（つまり水／有機溶媒＜３）、製造工程にコストがかかりすぎて経済的に成り立たなくなる。別の実施形態では、保護層１４の調製用溶液に用いられる溶媒は、水と有機溶媒の重量比が３～１０である溶媒であってもよい。さらなる実施形態において、保護層１４の調製のための溶液に用いられる溶媒は、水と有機溶媒との重量比が３～７である溶媒であってよい。 ［００４４］本発明の実施形態において、保護層１４の調製用溶液に用いられる溶媒は、水とプロピレングリコールモノメチルエーテルとの重量比（Ｈ２Ｏ／ＰＧＭＥ）が３～１７である溶媒である。水分量が多すぎると（例：Ｈ２Ｏ／ＰＧＭＥ＞１７）、塗料の保持力が弱くなり、均一に塗布できなくなる。水分量が低すぎると（つまりＨ２Ｏ／ＰＧＭＥ＜３）、製造工程にコストがかかりすぎて不経済になる。本発明の別の実施形態では、保護層１４の調製に用いられる溶媒は、水とプロピレングリコールモノメチルエーテルとの重量比（Ｈ２Ｏ／ＰＧＭＥ）が３～１０である溶媒である。本発明のさらなる実施形態では、保護層１４の溶液の調製に用いられる溶媒は、水とプロピレングリコールモノメチルエーテルとの重量比（Ｈ２Ｏ／ＰＧＭＥ）が３～７である溶媒である。 ・・・ ［００５０］加工する半導体ウエハ表面１００ａに前記溶液を塗布した後、塗布した溶液を乾燥させて保護層１４を形成する。半導体ウエハ１００は、格子状のカットチャンネル１３で分割された複数の半導体チップ１２を含み、保護層１４を介してレーザー光を照射して溝を形成している。保護層１４の厚さは、例えば、０．１～５μｍである。加工対象の半導体ウエハの表面１００ａには、通常、多数の凹凸があり、カットチャンネル１３はこれらの凹凸に形成されている。このように、保護層１４の厚さが小さいと、これらの突起上の保護層１４の厚さが非常に小さくなり、保護層１４にゴミが入り込んで半導体チップ１２の表面に堆積する可能性が高くなる。一方、保護層１４の厚みが大きいと、特にメリットはなく、レーザー加工後に保設層１４を水洗する手間がかかる。 １ｅ「 ［図：0001418191000009.jpg］ ［図：0001418191000010.jpg］ ・・・ ［図：0001418191000011.jpg］ ［図：0001418191000012.jpg］ ［図：0001418191000013.jpg］ ［図：0001418191000014.jpg］ 」 ［００７６］ ＜実施例＞ ［００７７］ 本実施例１では、水溶性樹脂がポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、水溶性レーザー吸収剤がトランスフェルラ酸、溶媒が水およびプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）であることを示す。 ［００７８］ まず、下記の表一に従って、成分の所望の重量比を選択する。ウエハダイシング用保護層１４形成用溶液は、上記成分を混合し、攪拌機を備えたミキサーに加え、室温、５００ｒｐｍで１時間攪拌することにより調製される。 ［００７９］ 実施例１において、成分の重量％は表一に示す通りである。 ［００８０］ ［図：0001418191000015.jpg］ ［００８１］ 表一 ［００８２］ 残りの実施形態は上記と同様であり、以下の表二に示すように、水とプロピレングリコールモノメチルエーテルの重量比が異なるだけである。 ・・・ ［００８５］ また、半導体ウエハ表面１００ａに溶液を塗布し、乾燥させた後に、保護層１の厚みを測定する。保護層２の厚みは、この溶液を１ヶ月間放置した後、半導体ウエハ表面１００ａに塗布し、乾燥させた後に測定する。保護層２の厚みに値がない場合は、保護層１の厚みとほぼ同じ値であることを意味する。 ［００８６］ ［図：0001418191000016.jpg］ ［００８８］ 保護層厚み１の結果を参照すると、水とプロピレングリコールモノメチルエーテルの重量比が高すぎる（すなわち、Ｈ２Ｏ／ＰＧＭＥ＞１７）場合に形成される保護層１４は、厚みが不一となる問題があることがわかる。保護層２の厚みの結果を参照すると、水とプロピレングリコールモノメチルエーテルとの重量比が高すぎる場合（すなわち、Ｈ２Ｏ／ＰＧＭＥ＞１７）にも、保護層１４の厚みが大きく変化することがわかる。また、水とプロピレングリコールモノメチルエーテルの重量比が９１（すなわちＨ２Ｏ／ＰＧＭＥ＝９１）の場合、溶液を置いた翌日に固形物が析出し、溶液の成分が均ーに混合されていないことがわかった。この場合、水とプロピレングリコールモノメチルエーテルの重量比は１７．４（すなわちＨ２Ｏ／ＰＧＭＥ＝１７．４）であり，溶液調製後の測定では均質（２．０４１）だったが、１ヵ月後に再塗布すると視覚的に不均ーとなった。 ［００８９］ 一方、水とプロピレングリコールモノメチルエーテルの重量比（Ｈ２Ｏ／ＰＧＭＥ）が３～１７の溶媒（すなわち、本発明の実施例で定義した範囲）で形成した保護層１４は、厚み分布が均一であるばかりか、１ヶ月後に塗布して形成した保護層１４の厚みが、その１ヶ月前に塗布した保護層１４の厚みと大きく異なっていないことが確認された。 ［００９０］ 本発明のこの実施形態では、保護層１４の調製用溶液に用いられる溶媒は、水とプロピレングリコールモノメチルエーテルとの重量比（Ｈ２Ｏ／ＰＧＭＥ）が３～１７である溶媒である。水分量が多すぎると（つまりＨ２Ｏ／ＰＧＭＥ＞１７）、保存が容易でなく、コーティングが均ーにならない。水分量が少なすぎると（つまりＨ２Ｏ／ＰＧＭＥ＜３）、製造工程にコストがかかりすぎて経済的に成り立たなくなる。 ［００９１］ 次に、水とプロピレングリコールモノメチルエーテルとの重量比（Ｈ２Ｏ／ＰＧＭＥ）が３～１７の範囲にある表二の溶液により保護層１４を形成した半導体ウエハ１００を、上記のレーザー加工の仕様を満たすレーザー加工機に取り付けた。その後、保護層１４を純水で洗浄除去し、レーザースキャンの周囲を観察したところ、ゴミの付着がないことが確認された。 ［００９２］ 以上のように、本発明の解決手段は、レーザー加工されるウエハ上に保護層を形成し、レーザー光が保護層を介してウエハの表面に照射されるようにし、レーザー加工で発生する凝縮したシリコン蒸気やその他のゴミが半導体チップの表面に堆積して品質が低下するのを効果的に防止するものである。同時に、本発明の溶液をより長期間保存することができる。」 （２）甲第２号証（以下、「甲２」という。） ２ａ「【請求項１】 水溶性樹脂と、水溶性染料、水溶性色素及び水溶性紫外線吸収剤からなる群より選択された少なくとも１種の水溶性のレーザー光吸収剤とが溶解した溶液からなることを特徴とするレーザーダイシング用保護膜剤。」 ２ｂ「【０００１】 本発明は、半導体ウエーハ等のウエーハの所定の領域にレーザー光線を照射して所定の加工を施すレーザーダイシングに用いる保護膜剤及び該保護膜剤を用いてのレーザーダイシングによる加工方法に関する。」 ２ｃ「【００１８】 前記水溶性樹脂は、保護膜の基材となるものであり、水等の溶剤に溶解させて塗布・乾燥して膜を形成し得るものであれば、特に制限されず、例えばポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、エチレンオキシ繰り返し単位が５以上のポリエチレングリコール、ポリエチレンオキサイド、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ポリアクリル酸、ポリビニルアルコールポリアクリル酸ブロック共重合体、ポリビニルアルコールポリアクリル酸エステルブロック共重合体、ポリグリセリン等を例示することができ、これらは、１種単独で使用することもできるし、２種以上を組み合わせて使用することもできる。」 ２ｄ「【００２３】 また、水溶性紫外線吸収剤としては、例えば４，４’－ジカルボキシベンゾフェノン、ベンゾフェノン－４－カルボン酸、２－カルボキシアントラキノン、１，２－ナフタリンジカルボン酸、１，８－ナフタリンジカルボン酸、２，３－ナフタリンジカルボン酸、２，６－ナフタリンジカルボン酸、２，７－ナフタリンジカルボン酸等及びこれらのソーダ塩、カリウム塩、アンモニウム塩、第４級アンモニウム塩等、２，６－アントラキノンジスルホン酸ソーダ、２，７－アントラキノンジスルホン酸ソーダ、フェルラ酸などを挙げることができ、中でもフェルラ酸が好適である。」 ２ｅ「【００３１】 また、本発明の保護膜剤である溶液の調製に用いる溶剤としては、上記水溶性樹脂及び水溶性のレーザー光吸収剤が溶解する溶剤であればよく、例えば、水、アルコール、エステル、アルキレングリコール、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテートなどを用いることができる。中でも、水、アルキレングリコールモノアルキルエーテルなどが好ましく、アルキレングリコールモノアルキルエーテルとしては、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい。尚、作業環境上、最も好ましいものは、水もしくは水を含有する混合溶剤である。 【００３２】 上述した本発明の保護膜剤は、ウエーハ加工面、例えば格子状のストリートにより区画された複数の半導体チップが形成されているウエーハの加工面に塗布され、乾燥することにより保護膜を形成するものであり、この保護膜を介してストリートにレーザー光を照射しての溝の形成（レーザーダイシング）に適用される。このような保護膜の厚み（保護膜剤の乾燥厚み）は、通常、ストリート上で０．１乃至５μｍ程度とするのがよい。即ち、このようなウエーハの加工面は、多数の凹凸を有しており、この凹部にストリートが形成されている。従って、上記厚みがあまり薄いと、凸部の保護膜厚みがかなり薄くなってしまい、保護膜中にデブリが侵入してチップ表面に付着してしまうおそれがあり、必要以上に厚く形成しても、加工後の水洗に時間がかかるなどの不都合を生じるのみで、格別の利点がないからである。」 ２ｆ「【００６４】 （実施例１） 下記組成の保護膜剤を調製した。 水溶性樹脂； ２０ｇ ケン化度８８％、重合度３００のポリビニルアルコール 水溶性レーザー光吸収剤； ０．２ｇ フェルラ酸 水； ８０ｇ 固形分のｇ吸光係数ｋ＝１．５６×１０－１ 【００６５】 上記の保護膜剤をスピンナーにてシリコンウエーハに塗布し、乾燥して、ストリート上での厚みが０．５～１．５μｍの保護膜を形成した。次いで、この保護膜が形成されたシリコンウエーハを、上記仕様のレーザー加工機に装着して、レーザー加工を行った後、純水にて保護膜を洗い流して、レーザースキャニング周辺を観察したところ、エッジ部の盛り上がりは観察されたものの、周辺へのデブリの付着はなく使用出来るレベルであった。また、加工巾は、塗布膜厚みの影響を受けることなく、レーザースポット径と同等であった。」 （３）甲第４号証の１（以下、「甲４の１」という。） ４１ａ「【請求項１】 紫外線吸収基を有するポリビニルアルコール系樹脂（Ａ）で構成された、半導体レーザーダイシング用保護剤。 ・・・ 【請求項９】 請求項１～８のいずれかに記載の半導体レーザーダイシング用保護剤を含む組成物。 ・・・ 【請求項１７】 請求項９～１６のいずれかに記載の組成物をイオン交換処理により脱イオン処理する工程を含む、半導体の製造方法。 【請求項１８】 請求項９～１６のいずれかに記載の組成物を孔径１μｍ以下のフィルターで濾過する工程を含む、半導体の製造方法。」 ４１ｂ「【００２０】 ＰＶＡ系樹脂（Ａ）の平均重合度は、特に限定されないが、スピンコート法などに適した粘度に調整できる等の観点から、好ましくは１００～４０００、より好ましくは２００～２０００、さらに好ましくは３００～１０００である。尚、本発明において、ＰＶＡ系樹脂の平均重合度は、ＪＩＳ Ｋ ６７２６で規定されているＰＶＡの平均重合度測定方法により求めることができる。 また、ＰＶＡ系樹脂（Ａ）としては、ＰＶＡ系樹脂（Ａ）の範疇に属する異なる２種以上のＰＶＡ系樹脂（Ａ）を使用してもよく、ＰＶＡ系樹脂（Ａ１）及びＰＶＡ系樹脂（Ａ２）を含む場合、ＰＶＡ系樹脂（Ａ１）の平均重合度とＰＶＡ系樹脂（Ａ２）の平均重合度は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。特に、半導体へのスピンコートに適した粘度に調整しやすくなる等の観点から、ＰＶＡ系樹脂（Ａ１）の平均重合度は、ＰＶＡ系樹脂（Ａ２）の平均重合度と１００以上（例えば、１００～１０００）異なることが好ましい。例えば、低平均重合度（例えば、平均重合度が１００～５００）のＰＶＡ系樹脂（Ａ１）［例えば、Ｒ１が１，３－アルカジエニル基である上記式（１）の単位を有するＰＶＡ系樹脂（Ａ１）、Ｒ１が１，３，６－アルカトリエニル基である上記式（１）の単位を有するＰＶＡ系樹脂（Ａ１）等］を使用する場合、ＰＶＡ系樹脂（Ａ２）の平均重合度が、ＰＶＡ系樹脂（Ａ１）の平均重合度と比較して１００以上（例えば、１００～１０００）大きいことが好ましい。 【００２１】 ＰＶＡ系樹脂（Ａ）のケン化度は、特に限定されないが、水洗によって保護膜を除去しやすくなる等の観点から、好ましくは６０モル％以上（例えば、６０～１００モル％）、より好ましくは６５～９５モル％、さらに好ましくは７０～９０モル％である。尚、本発明において、ＰＶＡ系樹脂のケン化度は、ＪＩＳ Ｋ ６７２６で規定されているＰＶＡのケン化度測定方法により求めることができる。 また、ＰＶＡ系樹脂（Ａ）が、ＰＶＡ系樹脂（Ａ１）及びＰＶＡ系樹脂（Ａ２）を含む場合、ＰＶＡ系樹脂（Ａ１）のケン化度とＰＶＡ系樹脂（Ａ２）のケン化度は、同じであってもよいし、異なっていてもよいが、ＰＶＡ系樹脂（Ａ１）及びＰＶＡ系樹脂（Ａ２）間の相溶性等の観点から、両者のケン化度の差ができるだけ小さい方がよく、ＰＶＡ系樹脂（Ａ１）のケン化度が、ＰＶＡ系樹脂（Ａ２）のケン化度の±３モル％以内（例えば±０．１～３モル％以内）であることが好ましい。」 ４１ｃ「【００４１】 本発明の組成物において、金属不純物（例えば、Ｎａ、Ｋ、Ｆｅ、Ｃｕ等）の含有量は、好ましくは５０ｐｐｂ以下、より好ましくは３０ｐｐｂ以下である。金属不純物量は、例えば、ＩＣＰ－ＭＳ（誘導結合プラズマ質量分析法）等を用いた公知の方法により測定することができる。」 ４１ｄ「【００４５】 本発明の保護剤又は組成物は、その製造工程において、もしくは該保護剤又は組成物を半導体ウェーハ上に塗布する前に、イオン交換処理を行ってもよい。イオン交換処理方法は、特に限定されないが、例えば、本発明の保護剤又は組成物を、イオン交換樹脂等を充填したカラムに通液することにより行うことができる。半導体ウェーハ上に塗布する前にイオン交換処理を行うことにより、保護剤又は組成物中の金属不純物を除去することができ、組成物中の金属不純物含有量を前記の範囲内にすることができる。 【００４６】 また、本発明の保護剤又は組成物は、その製造工程において、もしくは該保護剤又は組成物を半導体ウェーハ上に塗布する前に、濾過してもよい。濾過方法は、特に限定されず、フィルター等を用いて濾過することができる。フィルターとしては、例えば、孔径１μｍ以下のもの等を使用することができる。」 （４）甲第４号証の２（以下、「甲４の２」という。） ４２ａ「【請求項１】 炭素－炭素２重結合を、ポリビニルアルコール系樹脂１分子あたりに少なくとも２つ以上有するポリビニルアルコール系樹脂（Ａ）で構成された、半導体レーザーダイシング用保護剤。 ・・・ 【請求項５】 請求項１～４のいずれかに記載の半導体レーザーダイシング用保護剤を含む組成物。 ・・・ 【請求項１３】 請求項５～１２のいずれかに記載の組成物をイオン交換処理により脱イオン処理する工程を含む、半導体の製造方法。 【請求項１４】 請求項５～１２のいずれかに記載の組成物を孔径１μｍ以下のフィルターで濾過する工程を含む、半導体の製造方法。」 ４２ｂ「【００１４】 ＰＶＡ系樹脂（Ａ）の平均重合度は、特に限定されないが、スピンコート法などに適した粘度に調整できる等の観点から、好ましくは１００～４０００、より好ましくは２００～２０００、さらに好ましくは３００～１０００である。尚、本発明において、ＰＶＡ系樹脂の平均重合度は、ＪＩＳ Ｋ ６７２６で規定されているＰＶＡの平均重合度測定方法により求めることができる。 また、ＰＶＡ系樹脂（Ａ）としては、ＰＶＡ系樹脂（Ａ）の範疇に属する異なる２種以上のＰＶＡ系樹脂（Ａ）を使用してもよく、ＰＶＡ系樹脂（Ａ１）及びＰＶＡ系樹脂（Ａ２）を含む場合、ＰＶＡ系樹脂（Ａ１）の平均重合度とＰＶＡ系樹脂（Ａ２）の平均重合度は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。特に、半導体へのスピンコートに適した粘度に調整しやすくなる等の観点から、ＰＶＡ系樹脂（Ａ１）の平均重合度は、ＰＶＡ系樹脂（Ａ２）の平均重合度と１００以上（例えば、１００～１０００）異なることが好ましい。例えば、低平均重合度（例えば、平均重合度が１００～５００）のＰＶＡ系樹脂（Ａ１）［例えば、カルボニル基に対してα，β位及びγ，δ位の位置に炭素－炭素２重結合を有するＰＶＡ系樹脂（Ａ１）、カルボニル基に対してα，β位、γ，δ位及びε，ζ位の位置に炭素－炭素２重結合を有するＰＶＡ系樹脂（Ａ１）等］を使用する場合、ＰＶＡ系樹脂（Ａ２）の平均重合度が、ＰＶＡ系樹脂（Ａ１）の平均重合度と比較して１００以上（例えば、１００～１０００）大きいことが好ましい。 【００１５】 ＰＶＡ系樹脂（Ａ）の（平均）ケン化度は、特に限定されないが、水洗によって保護膜を除去しやすくなる等の観点から、好ましくは６０モル％以上（例えば、６０～１００モル％）、より好ましくは６５～９５モル％、さらに好ましくは７０～９０モル％である。尚、本発明において、ＰＶＡ系樹脂のケン化度は、ＪＩＳ Ｋ ６７２６で規定されているＰＶＡのケン化度測定方法により求めることができる。 また、ＰＶＡ系樹脂（Ａ）が、ＰＶＡ系樹脂（Ａ１）及びＰＶＡ系樹脂（Ａ２）を含む場合、ＰＶＡ系樹脂（Ａ１）のケン化度とＰＶＡ系樹脂（Ａ２）のケン化度は、同じであってもよいし、異なっていてもよいが、ＰＶＡ系樹脂（Ａ１）及びＰＶＡ系樹脂（Ａ２）間の相溶性等の観点から、両者のケン化度の差ができるだけ小さい方がよく、ＰＶＡ系樹脂（Ａ１）のケン化度が、ＰＶＡ系樹脂（Ａ２）のケン化度の±３モル％以内（例えば±０．１～３モル％以内）であることが好ましい。」 ４２ｃ「【００３８】 本発明の組成物において、金属不純物（例えば、Ｎａ、Ｋ、Ｆｅ、Ｃｕ等）の含有量は、好ましくは５０ｐｐｂ以下、より好ましくは３０ｐｐｂ以下である。金属不純物量は、例えば、ＩＣＰ－ＭＳ（誘導結合プラズマ質量分析法）等を用いた公知の方法により測定することができる。」 ４２ｄ「【００４２】 本発明の保護剤又は組成物は、その製造工程において、もしくは該保護剤又は組成物を半導体ウェーハ上に塗布する前に、イオン交換処理を行ってもよい。イオン交換処理方法は、特に限定されないが、例えば、本発明の保護剤又は組成物を、イオン交換樹脂等を充填したカラムに通液することにより行うことができる。 【００４３】 また、本発明の保護剤又は組成物は、その製造工程において、もしくは該保護剤又は組成物を半導体ウェーハ上に塗布する前に、濾過してもよい。濾過方法は、特に限定されず、フィルター等を用いて濾過することができる。フィルターとしては、例えば、孔径１μｍ以下のもの等を使用することができる。」 ３ 甲１号証に記載された発明 （１）甲１発明１ 甲１には実施例１の保護層形成用溶液として「水溶性レーザー吸収剤としてトランスフェルラ酸０．３重量％、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテル１４．１重量％及び水７８．４重量％、水溶性樹脂としてポリビニルピロリドン７．２重量％からなり、水／プロピレングリコールモノメチルエーテルの重量比５．５７であり、厚みが２．０３μｍの保護層を形成するウエハダイシング用保護層１４形成用溶液。」の発明が記載されているといえる（摘記１ｅ参照）。 （２）甲１発明２ 甲１には実施例１の保護層形成用溶液の調製方法として「水溶性レーザー吸収剤としてトランスフェルラ酸０．３重量％、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテル１４．１重量％及び水７８．４重量％、水溶性樹脂としてポリビニルピロリドン７．２重量％を混合し、攪拌機を備えたミキサーに加え、室温、５００ｒｐｍで１時間攪拌する、水溶性レーザー吸収剤としてトランスフェルラ酸０．３重量％、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテル１４．１重量％及び水７８．４重量％、水溶性樹脂としてポリビニルピロリドン７．２重量％からなり、水／プロピレングリコールモノメチルエーテルの重量比５．５７であり、厚みが２．０３μｍの保護層を形成するウエハダイシング用保護層１４形成用溶液の調製方法。」の発明が記載されているといえる（摘記１ｅ参照）。 ４ 対比・判断 （１）本件特許発明１ ア 甲１発明１との対比 甲１発明１の「水溶性レーザー吸収剤としてトランスフェルラ酸」は本件特許発明１の「レーザー光吸収剤」に相当する。また、甲１発明１の「水溶性樹脂としてポリビニルピロリドン」が水溶性高分子である点は技術常識である。 甲１発明１の「プロピレングリコールモノメチルエーテル」は本件特許発明１の「プロピレングリコール誘導体」に相当するから、甲１発明１の「溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテル１４．１重量％及び水７８．４重量％」は、水とプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量比は１．４１：７．８４であり、本件特許発明１の「溶媒が、水とプロピレングリコール誘導体を質量比９：１～０：１０で含み」に相当する。 甲１発明１の「ウエハダイシング用保護層１４形成用溶液」は、ポリエチルオキサゾリンを含まないから、本件特許発明１の「ポリエチルオキサゾリン」及び「含まない、保護膜形成用組成物」に相当する。 そうすると、本件特許発明１と甲１発明１は、「水溶性高分子、レーザー光吸収剤及び溶媒を含み、溶媒が、水とプロピレングリコール誘導体を質量比９：１～０：１０で含み、ポリエチルオキサゾリンを含まない、保護膜形成用組成物。」である点で一致し、以下の点で相違する。 ＜相違点１－１＞ 保護膜形成用組成物が、本件特許発明１はポリビニルピロリドンを含まないのに対し、甲１発明１はポリビニルピロリドンを含む点。 ＜相違点１－２＞ 水溶性高分子が、本件特許発明１はポリビニルアルコール系樹脂を含むのに対し、甲１発明１はポリビニルアルコール系樹脂を含まない点。 ＜相違点１－３＞ 保護膜形成用組成物が、本件特許発明１は、「溶媒が、水と有機溶媒とからなり、有機溶媒に対する水の重量比（水／有機溶媒）が３～１７である溶媒である場合を除く」と特定されているのに対し、甲１発明１はそのような特定がない点。 イ 相違点についての検討 ＜相違点１－１＞及び＜相違点１－２＞について 甲１にはウエハダイシング用保護層１４形成用溶液の水溶性樹脂としてポリビニルピロリドンと並んで、ポリビニルアルコール等の化合物が記載されており、さらに、保護層１４の水に対する洗浄性を考慮すると、水溶性樹脂としては、極性基としてエーテル結合または水酸基を１つだけ有する樹脂、例えば前述したポリビニルアルコールやポリエチレングリコール水溶性樹脂が挙げられることが記載されているから（摘記１ａ、１ｂ参照）、甲１発明１のウエハダイシング用保護層１４形成用溶液の水溶性樹脂として、ポリビニルピロリドンに代えて、ポリビニルアルコール等を採用し、ポリビニルピロリドンを含まないものとすることは、当業者が容易に想到し得ることである。 ＜相違点１－３＞について 甲１には、甲１発明１のウエハダイシング用保護層１４形成用溶液において、水分量が少なすぎる場合（つまり水／有機溶媒＜３)、製造工程にコストがかかりすぎて経済的に成り立たなくなると記載されているにすぎず（摘記１ｄ、１ｅ参照）、水分量を少なくすることに技術的な阻害要因があるとはいえないから、溶媒が、水と有機溶媒とからなり、有機溶媒に対する水の重量比（水／有機溶媒）が３未満とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。 ウ 本件特許発明１の効果について 甲１には、保護層１４の溶液の調製に使用される溶媒について、水分量が多すぎると保存性が悪くなり、均一にコーティングできなくなり（［００４３］）、厚みが不均一となる問題があること（［００８８］）が記載されると共に、保護層１４に対する洗浄性を考慮すると、水溶性樹脂としてはポリビニルアルコールやポリエチレングリコール水溶性樹脂が挙げられることが記載されている（［００３４］）が記載されている。 したがって、塗布性や加工性に優れ、水洗により保護膜とデブリを除去できるとの本件特許明細書の特定の組成物についての実施例の記載をもって、本件特許発明１の効果の程度が、本件特許発明１の構成から当業者が予測することができた範囲の効果を超える顕著なものとはいえない。 エ 特許権者の主張及び当審の判断について 特許権者は、令和６年５月２７日提出の意見書において、甲１の課題解決には、「水／有機溶媒が３～１７」であることが前提になるものと認識できるにとどまらず、水／有機溶媒が３未満や１７超の場合には、さらに、不利な点が生じると認識できるから、甲１において「水／有機溶媒が３～１７」とならない範囲で溶媒を使用することは、より一層、阻害・敬遠されるべき事情があると言え、さらには甲２のような技術常識に触れた当業者であれば、水溶性高分子（水溶性樹脂）の中でも、ポリビニルアルコールとポリビニルピロリドンとでは必ずしも同様の傾向を示すものであるとは直ちに認識できないはずで、より一層、甲１発明（特に、有機溶媒の中でもプロピレングリコール誘導体を選択し、水と当該プロピレングリコール誘導体を特定の割合で使用した甲１発明）において、ポリビニルピロリドンに代えて、ポリビニルアルコールを使用することは、決して容易に想到しえたものではなく、本件特許発明１は、発明の効果に鑑みても、甲１発明（さらには甲２等のその他の証拠）に基づいて容易に想到しえないと主張する。 しかし、甲２の記載からは、水溶性高分子（水溶性樹脂）の中でも、ポリビニルアルコールとポリビニルピロリドンとでは必ずしも同様の傾向を示すものであるとは直ちに認識できないとしても、前記イ＜相違点１－１＞及び＜相違点１－２＞で検討したとおり、甲１においては水溶性樹脂としてポリビニルアルコールはポリビニルピロリドンと同様に使用するものとして記載されているといえるから、本件特許発明１は甲１発明１から当業者が容易に想到し得るものであるといえ、効果についても前記ウで検討したとおりであるから、特許権者の前記主張は採用できない。 オ 小括 したがって、本件特許発明１は、甲１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。 （２）本件特許発明２ ア 甲１発明１との対比 甲１発明１の「水溶性レーザー吸収剤としてトランスフェルラ酸」及び「水溶性樹脂としてポリビニルピロリドン」は、それぞれ、本件特許発明２の「レーザー光吸収剤」及び「水溶性高分子」に相当する。 甲１発明１の「プロピレングリコールモノメチルエーテル」は本件特許発明２の「プロピレングリコール誘導体」に相当するから、甲１発明１の「溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテル１４．１重量％及び水７８．４重量％」は、水とプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量比は１．４１：７．８４であり、本件特許発明２の「溶媒が、水とプロピレングリコール誘導体を質量比９：１～０：１０で含み」に相当する。 甲１発明１の「ウエハダイシング用保護層１４形成用溶液」は、ポリエチルオキサゾリンを含まないから、本件特許発明２の「ポリエチルオキサゾリン」及び「も含まない、保護膜形成用組成物」に相当する。 そうすると、本件特許発明２と甲１発明１は、「水溶性高分子、レーザー光吸収剤及び溶媒を含み、溶媒が、水とプロピレングリコール誘導体を質量比９：１～０：１０で含み、ポリエチルオキサゾリンを含まない、保護膜形成用組成物。」である点で一致し、以下の点で相違する。 ＜相違点１－４＞ 保護膜形成用組成物が、本件特許発明２はポリビニルピロリドンを含まないのに対し、甲１発明１は水溶性樹脂としてポリビニルピロリドンを含む点。 ＜相違点１－５＞ 水溶性高分子が、本件特許発明２はポリビニルアルコール系樹脂を含むのに対し、甲１発明１はポリビニルアルコール系樹脂を含まない点。 ＜相違点１－６＞ 本件特許発明３は保護膜の厚みが０．０１～１．５μｍであるのに対し、甲１発明１は保護膜の厚みが２．０３μｍである点。 ＜相違点１－７＞ 保護膜形成用組成物が、本件特許発明２は、溶媒が、水と有機溶媒とからなり、有機溶媒に対する水の重量比（水／有機溶媒）が３～１７である溶媒である場合を除くと特定されているのに対し、甲１発明１はそのような特定がない点。 イ 相違点についての検討 ＜相違点１－４＞及び＜相違点１－５＞について ＜相違点１－４＞及び＜相違点１－５＞は、前記（１）アの＜相違点１－１＞及び＜相違点１－２＞と同じであり、前記（１）イの＜相違点１－１＞及び＜相違点１－２＞についてで検討したとおり、甲１発明１のウエハダイシング用保護層１４形成用溶液において、水溶性樹脂として、ポリビニルピロリドンに代えて、ポリビニルアルコール等を採用し、ポリビニルピロリドンを含まないものとすることは、当業者が容易に想到し得ることである。 ＜相違点１－６＞について 甲１には、甲１発明１のウエハダイシング用保護層１４形成用溶液が形成する保護層の厚さは０．１～５μｍであること、厚みが大きいと、特にメリットはなく、レーザー加工後に保護層を水洗する手間がかかることが、記載されているから（摘記１ｄ参照）、甲１発明１のウエハダイシング用保護層１４形成用溶液において、形成する保護層の厚さを０．１～５μｍの範囲で小さくし、０．１～１．５μｍを選択し、０．０１～１．５μｍを充足するよう構成することは、当業者が容易に想到し得ることである。 ＜相違点１－７＞について ＜相違点１－７＞は、前記（１）アの＜相違点１－３＞と同じであり、前記（１）イの＜相違点１－３＞についてで検討したとおり、甲１発明１のウエハダイシング用保護層１４形成用溶液において、溶媒が、水と有機溶媒とからなり、有機溶媒に対する水の重量比（水／有機溶媒）が３未満として、有機溶媒に対する水の重量比（水／有機溶媒）が３～１７である溶媒である場合を除くものとすることは、当業者が容易に想到し得ることである。 ウ 本件特許発明２の効果について 前記（１）ウで検討したことに加え、保護膜の厚みが０．０１～１．５μｍである本件特許発明２のものが、保護膜の厚みが０．０１～１．５μｍでないものと比較して優れた効果を奏することは示されておらず、本件特許発明２が予測し得ない顕著な効果を奏するとはいえない。 エ 特許権者の主張及び当審の判断について 特許権者は、令和６年５月２７日提出の意見書において、甲１の［００５０］の「保護層１４の厚さが小さいと、これらの突起上の保護層１４の厚さが非常に小さくなり、保護層１４にゴミが入り込んで半導体チップ１２の表面に堆積する可能性が高くなる。」との記載に基づいて、厚みを「０．０１～１．５μｍ」となるまで小さく（厚みを概ね０．７５倍以下にする）する動機は非常に乏しいと言え、本件特許発明２もまた（より一層）、発明の効果に鑑みても、甲１発明（さらには甲２等のその他の証拠）に基づいて容易に想到しえず、進歩性を有すると主張する。 しかし、前記イで検討したとおり、保護膜の厚みを０．０１～１．５μｍを充足するよう構成することは、当業者が容易に想到し得ることであるし、効果についても前記ウで検討したとおりであるから、特許権者の前記主張は採用できない。 オ 小括 したがって、本件特許発明２は、甲１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。 （３）本件特許発明３ ア 甲１発明１との対比 甲１発明１の「水溶性レーザー吸収剤としてトランスフェルラ酸」は、本件特許発明３の「レーザー光吸収剤」及び「レーザー光吸収剤が、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤及びフェルラ酸から選択された少なくとも１種を含み」に相当する。 甲１発明１の「水溶性樹脂としてポリビニルピロリドン」は本件特許発明３の「水溶性高分子」に相当する。 甲１発明１の「プロピレングリコールモノメチルエーテル」は本件特許発明３の「プロピレングリコール誘導体」に相当するから、甲１発明１の「溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテル１４．１重量％及び水７８．４重量％」は、水とプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量比は１．４１：７．８４であり、本件特許発明３の「溶媒が、水とプロピレングリコール誘導体を質量比９：１～０：１０で含み」に相当する。 甲１発明１の「ウエハダイシング用保護層１４形成用溶液」は、ポリエチルオキサゾリンを含まないから、本件特許発明３の「ポリエチルオキサゾリン」を「含まない、保護膜形成用組成物」に相当する。 そうすると、本件特許発明３と甲１発明１は、「水溶性高分子、レーザー光吸収剤及び溶媒を含み、溶媒が、水とプロピレングリコール誘導体を質量比９：１～０：１０で含み、ポリエチルオキサゾリンを含まない、保護膜形成用組成物であり、 レーザー光吸収剤が、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤及びフェルラ酸から選択された少なくとも１種を含む、組成物。」である点で一致し、以下の点で相違する。 ＜相違点１－８＞ 保護膜形成用組成物が、本件特許発明３はポリビニルピロリドンを含まないのに対し、甲１発明１は水溶性樹脂としてポリビニルピロリドンを含む点。 ＜相違点１－９＞ 水溶性高分子が、本件特許発明３はポリビニルアルコール系樹脂を含むのに対し、甲１発明１はポリビニルアルコール系樹脂を含まない点。 ＜相違点１－１０＞ 本件特許発明３は保護膜の厚みが０．０１～１．５μｍであるのに対し、甲１発明１は保護膜の厚みが２．０３μｍである点。 ＜相違点１－１１＞ 保護膜形成用組成物が、本件特許発明３は、ただし、溶媒が、水と有機溶媒とからなり、有機溶媒に対する水の重量比（水／有機溶媒）が３～１７である溶媒である場合を除くと特定されているのに対し、甲１発明１はそのような特定がない点。 イ 相違点についての検討 ＜相違点１－８＞及び＜相違点１－９＞について ＜相違点１－８＞及び＜相違点１－９＞は、前記（１）ア＜相違点１－１＞及び＜相違点１－２＞と同じであり、前記（１）イ＜相違点１－１＞及び＜相違点１－２＞についてで検討したとおり、当業者が容易に想到し得ることである。 ＜相違点１－１０＞について ＜相違点１－１０＞は、前記（２）ア＜相違点１－６＞と同じであり、前記（２）イ＜相違点１－６＞についてで検討したとおり、当業者が容易に想到し得ることである。 ＜相違点１－１１＞について ＜相違点１－１１＞は、前記（１）ア＜相違点１－３＞と同じであり、前記（１）イ＜相違点１－３＞についてで検討したとおり、当業者が容易に想到し得ることである。 ウ 本件特許発明３の効果について 前記（１）ウ及び（２）ウで検討したのと同じ理由により、本件特許発明３は甲１発明１と比較して顕著な効果を奏するとはいえない。 エ 特許権者の主張及び当審の判断について 特許権者は前記（２）エと同様の主張をするが、前記（２）エのとおり、その主張は採用できない。 オ 小括 したがって、本件特許発明３は、甲１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。 （４）本件特許発明４、５ 本件特許発明４は、本件特許発明１～３において「溶媒が、水とプロピレングリコール誘導体を質量比６８：３２～０：１０で含み」と特定するものであり、本件特許発明５は、本件特許発明４において「プロピレングリコールモノアルキルエーテルが、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル及びプロピレングリコールモノブチルエーテルから選択される少なくとも１種を含む」と特定するものであるが、甲１発明１のウエハダイシング用保護層１４形成用溶液は溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテル及び水を含むものであり、前記（１）イで検討したとおり、有機溶媒に対する水の重量比（水／有機溶媒）が３未満となるように水とプロピレングリコールモノメチルエーテルを一例として質量比６８：３２とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。 したがって、本件特許発明４、５は、甲１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。 （５）本件特許発明６、７ 本件特許発明６は、本件特許発明２～５において「ポリビニルアルコール系樹脂のケン化度が６０モル％以上９６モル％未満である」と特定し、本件特許発明７は、本件特許発明２～６において「ポリビニルアルコール系樹脂の平均重合度が１００～４０００である」と特定するものであるが、甲２にはレーザーダイシング保護膜において水溶性樹脂としてケン化度８８％及び重合度３００のポリビニルアルコールが使用されており（摘記２ａ、２ｆ参照）、甲４の１及び甲４の２には、半導体レーザーダイシング用保護剤においてＰＶＡ系樹脂の平均重合度は１００～４０００、ケン化度は６０～１００モル％であることが、好ましいことが、記載されているから（摘記４１ａ、４１ｂ、４２ａ、４２ｃ参照）、甲１発明１のウエハダイシング用保護層１４形成用溶液において、水溶性樹脂として、ポリビニルピロリドンに代えて、甲２に記載のケン化度８８％及び重合度３００のポリビニルアルコールや甲４の１及び甲４の２に記載の平均重合度は１００～４０００、ケン化度は６０～１００モル％のポリビニルアルコールを採用し、ポリビニルアルコール系樹脂のケン化度が６０モル％以上９６モル％未満であるものとすること、ポリビニルアルコール系樹脂の平均重合度が１００～４０００であるものとすることは、当業者が容易に想到し得ることである。 したがって、本件特許発明６、７は、甲１に記載された発明、並びに、甲２、甲４の１及び甲４の２に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。 （６）本件特許発明８、９ 本件特許発明８は、本件特許発明１～７において「水溶性高分子におけるナトリウムの含有量が３００ｐｐｍ以下である」と特定し、本件特許発明９は本件特許発明１～８において「水溶性高分子におけるナトリウムの含有量が１ｐｐｍ以下である」と特定するものであるが、甲４の１及び甲４の２には、半導体レーザーダイシング用保護剤においてナトリウム等の金属不純物の含有量は５０ｐｐｂ以下、すなわち、０．０５ｐｐｍ以下であることが好ましいことが、記載されているから（摘記４１ａ、４１ｃ、４２ａ、４２ｃ参照）、甲１発明１のウエハダイシング用保護層１４形成用溶液において、含まれるナトリウムの含有量を少なくするために、水溶性樹脂のナトリウム含有量を、例えば、１ｐｐｍ以下とし、水溶性高分子におけるナトリウムの含有量が１ｐｐｍ以下であるものとすることは、当業者が容易に想到し得ることである。 したがって、本件特許発明８、９は、甲１に記載された発明、並びに、甲２、甲４の１及び甲４の２に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。 （７）本件特許発明１０、１１ 本件特許発明１０は、本件特許発明１～９において「半導体加工用である」と特定し、本件特許発明１１は、本件特許発明１～１０において「半導体レーザー加工用である」と特定するものであるが、甲１発明１のウエハダイシング用保護層１４形成用溶液はレーザー吸収剤を含んでいるから、半導体レーザー加工用であり、この点は、甲１発明１との対比において、新たな相違点とはならない。 したがって、本件特許発明１０、１１は、甲１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。 （８）本件特許発明１２、１３ 甲１発明２との対比 本件特許発明１２は、本件特許発明１～１１の組成物の製造方法であって、各成分の混合液をイオン交換処理する工程を含む製造方法であり、本件特許発明１３は、本件特許発明１～１１の組成物の製造方法であって、各成分の混合液を孔径１μｍ以下のフィルターで濾過する工程を含む製造方法であり、前記（１）～（７）で検討したとおり、本件特許発明１～１１は当業者が容易に想到し得るものであるところ、甲１には甲１発明２のようなウエハダイシング用保護層１４形成用溶液の調製方法が記載されており、甲４の１及び甲４の２は半導体レーザーダイシング用保護剤を含む組成物をイオン交換処理により脱イオン処理することが記載されており（摘記４１ａ、４１ｄ、４２ａ、４２ｄ）、甲４の１及び甲４の２は半導体レーザーダイシング用保護剤を含む組成物を孔径１μｍ以下のフィルターで濾過する工程を含む製造方法ことが記載されているから（摘記４１ａ、４１ｄ、４２ａ、４２ｄ）、本件特許発明１～１１の組成物を製造するにあたり、甲１発明２のウエハダイシング用保護層１４形成用溶液の調製方法を採用し、甲４の１及び甲４の２に記載されるように、各成分の混合液をイオン交換処理する工程を含むものとすること、各成分の混合液を孔径１μｍ以下のフィルターで濾過する工程を含むとすることは、当業者が容易に想到し得ることである。 第６ むすび 以上のとおりであるから、本件特許発明１～１３は、甲第１号証に記載された発明、並びに、甲第２号証、甲第４号証の１及び甲第４号証の２に記載された事項に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであって、本件特許発明１～１３に係る特許は、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。 よって、結論のとおり決定する。