2014-800120

上記当事者間の特許第４１６４５６２号「ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ」の特許無効審判事件についてされた平成２７年　７月２８日付け審決に対し、知的財産高等裁判所において請求項１、２、４に係る発明に対する部分の審決取消しの判決（平成２７年（行ケ）第１０１７６号、平成２８年１０月１２日）があったので、審決が取り消された部分の請求項に係る発明についてさらに審理のうえ、次のとおり審決する。

【結　論】 特許第４１６４５６２号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－４〕について訂正することを認める。 本件審判の請求のうち、請求項１、２及び４に係る部分は、成り立たない。 審判費用は、請求人の負担とする。

【理　由】 第１　手続の経緯 特許第４１６４５６２号（以下，「本件特許」という。）についての手続の経緯の概要は，以下のとおりである。 平成１４年　９月１１日　特許出願（特願２００２－２６６０１２号）（以下，左の日を「本件出願日」という。） 平成２０年　８月　８日　特許権の設定登録 平成２６年　７月１４日　無効審判請求 平成２６年１０月　３日　被請求人答弁書 平成２６年１２月　８日　請求人口頭審理陳述要領書 平成２６年１２月　８日　被請求人口頭審理陳述要領書 平成２６年１２月２２日　被請求人口頭審理陳述要領書（２） 平成２６年１２月２２日　口頭審理 平成２６年１２月２４日　請求人上申書 平成２６年１２月２４日　被請求人上申書 平成２７年　１月１９日　請求人上申書（２） 平成２７年　１月２６日　被請求人上申書（２） 平成２７年　２月　４日　請求人上申書（３） 平成２７年　７月１３日　結審通知 平成２７年　７月２８日　審決（以下，「１次審決」という。） 平成２７年　９月　７日　審決取消訴訟提起（平成２７年（行ケ）第１０１７６号） 平成２８年１０月１２日　判決（以下，「本件判決」という。） 平成２８年１２月　８日　被請求人意見書・訂正請求書 平成２９年　１月２０日　請求人弁駁書 平成２９年　２月　１日　審尋 平成２９年　２月１７日　被請求人回答書・手続補正書・営業秘密に関する申出書 本件判決により，「本件審判の請求は，成り立たない。」とした１次審決のうち，請求項１，２及び４に係る部分は取り消されたが，請求項３に係る部分は確定した。 第２　訂正の適否について １　訂正内容 平成２８年１２月８日付け訂正請求による訂正（以下，「本件訂正」という。）の訂正事項は，以下のとおりである。なお，訂正箇所に下線を付した。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に， 「【請求項１】 ホモロガス化合物InMO3(ZnO)m(M=In, Fe, Ga ,又はAl, m=1以上50未満の整数)薄膜を活性層として用いることを特徴とする透明薄膜電界効果型トランジスタ。」 とあるのを， 「【請求項１】 ホモロガス化合物InMO3(ZnO)m(M=In, Fe, Ga ,又はAl, m=1以上50未満の整数)薄膜を活性層として用いることを特徴とする透明薄膜電界効果型トランジスタ（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合はm=1以上5未満の整数である）。」 と訂正し，その結果として請求項１を引用する請求項２及び４も訂正する。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項１を訂正事項１のとおりに訂正し，その結果として請求項１を引用する請求項３を， 「【請求項３】 ホモロガス化合物が耐熱性，透明酸化物単結晶基板上に形成された単結晶薄膜であることを特徴とする請求項１記載の透明薄膜電界効果型トランジスタ。」 と訂正する。 ２　訂正の適否についての判断 （１）訂正事項１について ア　訂正事項１は特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 イ　後記甲第３，４，６，７号証によれば，本件出願日当時，当業者は，ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍのｍが５以上のアモルファス薄膜の作成は極めて困難と認識していたものと認められる。すると，訂正事項１は，特許請求の範囲に実施可能なものでない薄膜が含まれることのないように，特許請求の範囲から一部の薄膜を除くものである。そして，上記のように一部の薄膜を除いたことにより，技術的意義を追加し又は変更するものではなく，また，新たな効果を奏するものでもないから，訂正事項１により，本件特許の明細書又は図面に記載した事項との関係において，新たな技術的事項が導入されるものでないと認められる。 よって，本件訂正事項１は，新規事項を追加するものではない。 ウ　訂正事項１は，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。 （２）訂正事項２について 訂正事項２についても，前記（１）のとおりである。 そして，訂正事項２により，請求項１に薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合の限定が付加されたが，請求項１を引用する請求項３における薄膜は単結晶薄膜でありアモルファスホモロガス化合物ではないから，請求項３は実質的には訂正されておらず，してみると，訂正前の請求項３に係る発明は，確定した１次審決のとおり，無効理由がないから，訂正後の請求項３に係る発明も独立特許要件を満たすものである。 （３）一群の請求項 訂正事項１及び２は，一群の請求項ごとにされたものである。 ３　まとめ 以上のとおり，本件訂正は，特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり，同条第９項において準用する同法第１２６条第４項ないし第７項の規定に適合するので，訂正後の請求項〔１－４〕について訂正することを認める。 第３　本件特許発明 本件特許の請求項１ないし４に係る発明（以下，それぞれ「本件特許発明１ないし４」という。）は，本件訂正による訂正後の特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された次のとおりのものと認める。 「【請求項１】 ホモロガス化合物InMO3(ZnO)m(M=In, Fe, Ga ,又はAl, m=1以上50未満の整数)薄膜を活性層として用いることを特徴とする透明薄膜電界効果型トランジスタ（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合はm=1以上5未満の整数である）。 【請求項２】 表面が原子レベルで平坦である単結晶又はアモルファスホモロガス化合物薄膜を用いることを特徴とする請求項１記載の透明薄膜電界効果型トランジスタ。 【請求項３】 ホモロガス化合物が耐熱性，透明酸化物単結晶基板上に形成された単結晶薄膜であることを特徴とする請求項１記載の透明薄膜電界効果型トランジスタ。 【請求項４】 ホモロガス化合物がガラス基板上に形成されたアモルファス薄膜であることを特徴とする請求項１記載の透明薄膜電界効果型トランジスタ。」 第４　請求人の主張 １　これに対して，請求人は，本件特許発明１，２及び４の特許を無効にする，審判費用は，被請求人の負担とする，との審決を求め，証拠方法として，審判請求書とともに甲第１号証ないし甲第３４号証を提出し，さらに弁駁書とともに甲第３５号証ないし甲第４０号証を提出している。なお，本件特許の請求項３に係る発明についての主張は，１次審決の同請求項に係る部分が確定していることに鑑み，省略する。 また，請求人は，口頭審理陳述要領書を参考資料１－１２とともに提出し，その後，上申書を提出し，上申書（２）を参考資料１３とともに提出し，上申書（３）を参考資料１４とともに提出している。 ・甲第１号証：特表平１１－５０５３７７号公報 ・甲第２号証：特開平５－２５１７０５号公報 ・甲第３号証：Ｍ．ＯＲＩＴＡ　ｅｔ．ａｌ．，”Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　ｏｘｉｄｅ　ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ≦４）：ａ　Ｚｎ４ｓ　ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ”，ＰＨＩＬＯＳＯＰＨＩＣＡＬ ＭＡＧＡＺＩＮＥ　Ｂ，２００１，ＶＯＬ．８１， Ｎｏ．５，ｐｐ．５０１－５１５ ・甲第４号証：特開２０００－４４２３６号公報 ・甲第５号証：透明導電膜の技術　日本学術振興会　透明酸化物光・電子材料第１６６委員会，平成１２年４月２５日第１版第２刷発行，ｐ．７８－８１，ｐ．１４８－１５５ ・甲第６号証：２０００年春季第４７回応用物理学関係連合講演会　講演予稿集，第２分冊，５７７頁，２８ａ－ＺＢ－１ ・甲第７号証：２００１年春季第４８回応用物理学関係連合講演会　講演予稿集，第２分冊，９４６頁，２９ｐ－ＺＬ－１０ ・甲第８号証：特開昭６３－２３９１１７号公報 ・甲第９号証：特開昭６３－２１００２２号公報 ・甲第１０号証：特開昭６３－２１００２３号公報 ・甲第１１号証：特開昭６３－２１００２４号公報 ・甲第１２号証：特開昭６３－２１５５１９号公報 ・甲第１３号証：特開昭６３－２６５８１８号公報 ・甲第１４号証：中村真佐樹・君塚　昇・毛利尚彦・磯部光正，「ホモロガス相，ＩｎＦｅＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ：自然数）とその同型化合物の合成および結晶構造」，固体物理，アグネ技術センター，１９９３年５月１５日発行，第２８巻，第５号，ｐ．３１７－３２７ ・甲第１５号証：特表２００７－５２９１１９号公報（特願２００７－５０２８４８号の公表特許公報） ・甲第１６号証：特願２００７－５０２８４８号，平成２２年６月２日付け拒絶理由通知書 ・甲第１７号証：特願２００７－５０２８４８号，平成２２年１２月８日付け手続補正書 ・甲第１８号証：特願２００７－５０２８４８号，平成２３年９月１２日付け拒絶査定 ・甲第１９号証：特願２００７－５０２８４８号，平成２４年１月２０日付け審判請求書 ・甲第２０号証：特願２００７－５０２８４８号，平成２４年１月２０日付け手続補正書 ・甲第２１号証：不服２０１２－１１２０号（特願２００７－５０２８４８号），平成２５年１月２８日付け拒絶理由通知書 ・甲第２２号証：不服２０１２－１１２０号（特願２００７－５０２８４８号），平成２５年７月２９日付け手続補正書 ・甲第２３号証：不服２０１２－１１２０号（特願２００７－５０２８４８号），平成２５年９月２０日付け審決 ・甲第２４号証：２００２年春季第４９回応用物理学関係連合講演会講演予稿集，第２分冊，６２８頁，３０ａ－ＹＡ－１　３０ａ－ＹＡ－２ ・甲第２５号証：特開昭６４－４５１１３号公報 ・甲第２６号証：特開平８－１０９０９９号公報 ・甲第２７号証：岩波　理化学辞典　第５版　ｐｐ．８４０－８４１ ・甲第２８号証：Ｎ．Ｋｉｍｉｚｕｋａ， Ｍ．Ｉｓｏｂｅ， Ｍ．Ｎａｋａｍｕｒａ， Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ　ａｎｄ　Ｓｉｎｇｌｅ－Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｄａｔｅ　ｏｆ　Ｈｏｍｏｌｏｇｏｕｓ　Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ，Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝３，４，ａｎｄ５），ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）３，ａｎｄ　Ｇａ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝７，８，９，ａｎｄ１６）　ｉｎ　ｔｈｅ　Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＧａ２Ｏ４－ＺｎＯ　Ｓｙｓｔｅｍ，　ＪＯＵＲＮＡＬ　ＯＦ　ＳＯＬＩＤ　ＳＴＡＴＥ　ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ　ｖｏｌ．１１６，ｐｐ．１７０－１７８（１９９５） ・甲第２９号証：特開平８－２４５２２０号公報 ・甲第３０号証：特開２０００－２８１４９５号公報 ・甲第３１号証：特願２００１－３４００６６号の特許願，明細書，図面 ・甲第３２号証：特開２００３－１３７６９２号公報 ・甲第３３号証：小長井誠著，「半導体超格子入門」，初版第５刷，培風館，１９９３年９月３０日，ｐ．５８－６１ ・甲第３４号証：江崎玲於奈監修，榊裕之編著，「超格子ヘテロ構造デバイス」，初版，工業調査会，１９８８年９月１０日，ｐ．２０８ ・甲第３５号証の１　「J-STORE」のトップページ ・甲第３５号証の２　「J-STORE」での本件特許の検索結果 ・甲第３６号証　被請求人のウェブサイト「「IGZO径酸化物半導体TFT」の研究・開発・事業化を検討されている企業の皆様，ならびに「IGZO商標」に関心のある皆様へ」 ・甲第３７号証　被請求人のウェブサイト「高性能の薄膜トランジスターに関する特許のライセンス契約をサムスン電子と締結」 ・甲第３８号証　被請求人のウェブサイト「JSTとシャープが酸化物半導体に関するライセンス契約を締結」 ・甲第３９号証　日経テクノロジーonline「キーワードで読み解く最新トピック　IGZO」 ・甲第４０号証　「LGの有機ELテレビの優位性」 なお，被請求人は，甲第１号証ないし甲第３４号証の成立を認めている。 ２　そして，請求人が，審判請求書，口頭審理及び弁駁書において主張したことを整理すると，無効理由１－６について，概ね次のように主張している。 （１）無効理由１：無効理由１（特許法第２９条第２項）の概要 下記（ア）～（ウ）のとおり，本件特許発明１，２及び４は，その出願前に日本国内又は外国において頒布された甲第１号証，甲第３号証～甲第１４号証，及び甲第２４号証～甲第２６号証，及び甲第２８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。よって，本件特許発明１，２及び４は，特許法第１２３条第１項第２号に該当し，無効とすべきものである。 （ア）本件特許発明１は，甲第１号証，甲第３号証～甲第１４号証，甲第２４号証，及び甲第２８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 （イ）本件特許発明２は，甲第１号証，甲第３号証～甲第１４号証，甲第２４号証～甲第２６号証，及び甲第２８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 （ウ）本件特許発明４は，甲第１号証，及び甲第３号証～甲第１４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 （２）無効理由２：無効理由２（特許法第２９条第２項）の概要 下記（ア）～（ウ）のとおり，本件特許発明１，２及び４は，その出願前に日本国内又は外国において頒布された甲第１号証，甲第３号証～甲第５号証，甲第８号証，甲第１４号証，及び甲第２４号証～甲第２６号証，及び甲２８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 よって，本件特許発明１，２及び４は，特許法第１２３条第１項第２号に該当し，無効とすべきものである。 （ア）本件特許発明１は，甲第１号証，甲第３号証～甲第５号証，甲第８号証，甲第１４号証，甲第２４号証，及び甲第２８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 （イ）本件特許発明２は，甲第１号証，甲第３号証～甲第８号証，甲第１４号証，甲第２４号証～甲第２６号証，及び甲第２８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 （ウ）本件特許発明４は，甲第１号証，甲第３号証～甲第８号証，及び甲第１４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 （３）無効理由３：無効理由３（特許法第２９条第２項）の概要 下記（ア）～（ウ）のとおり，本件特許発明１，２及び４は，その出願前に日本国内又は外国において頒布された甲第２号証～甲第７号証，甲第１４号証，甲第２４号証～甲第２６号証，甲第２８号証及び甲第２９号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 よって，本件特許発明１，２及び４は，特許法第１２３条第１項第２号に該当し，無効とすべきものである。 （ア）本件特許発明１は，甲第２号証～甲第５号証，甲第１４号証，甲第２８号証，及び甲第２９号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 （イ）本件特許発明２は，甲第２号証～甲第７号証，甲第１４号証，甲第２４号証～甲第２６号証，甲第２８号証，及び甲第２９号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 （ウ）本件発明発明４は，甲第２号証～甲第７号証，甲第１４号証，甲第２８号証，及び甲第２９号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 （４）無効理由４：無効理由４（特許法第２９条の２）の概要 下記（ア）及び（イ）のとおり，本件特許発明１及び２は，その出願日前の他の特許出願であって，本件特許の出願後に公開された甲第３１号証に記載の発明と同一であるから，特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。よって，本件特許発明１及び２は，特許法第１２３条第１項第２号に該当し，無効とすべきものである。 （ア）本件特許発明１は，甲第３１号証に記載の発明と同一である。 （イ）本件特許発明２は，甲第３１号証に記載の発明と同一である。 （５）無効理由５：無効理由５（特許法第３６条第４項第１号）の概要 本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載が本件特許の請求項１，２及び４に係る発明についての実施可能要件を満たしていないから，本件特許の請求項１，２及び４に係る発明についての特許は，特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり，特許法第１２３号第１項第４号の規定に該当し，無効とすべきものである。 （６）無効理由６：無効理由６（特許法第３６条第６項第１号）の概要 本件特許発明１，２及び４は，発明の詳細な説明に記載したものではないから，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 よって，本件特許発明１，２及び４は，特許法第１２３号第１項第４号の規定に該当し，無効とすべきものである。 また，本件訂正後の本件特許発明１，２及び４についても，無効理由５及び６により無効とすべきものである。 第５　被請求人の主張 被請求人は，平成２６年１０月３日付けの答弁書によれば，本件審判の請求は成り立たない，審判費用は請求人の負担とする，との審決を求め，無効理由１－６に理由はないと主張している。 また，被請求人は，口頭審理陳述要領書に添付して，以下の乙第１号証－乙第２号証を提出し，その後，口頭審理陳述要領書（２），上申書，上申書（２）を提出している。さらに，被請求人は，訂正請求書とともに意見書を提出し，訂正請求書を手続補正書により補正している。 ・乙第１号証：特許庁＞ホーム＞資料・統計＞刊行物・報告書＞標準技術集＞半導体製造装置関連真空・クリーン化技術＞１－４－４固相エピタキシャル成長装置（http://www.jpo.go.jp/shiryou/s_sonota/hyoujun_gijutsu/semicon_vacuum_tech/1_4_4.htm） ・乙第２号証：特許第４１３６５３１号公報 なお，請求人は，乙第１号証及び乙第２号証の成立を認めている。 第６　無効理由５について 事案に鑑み，まず，無効理由５について判断する。 １　審判請求書の４７ページ７行－４８ページ２０行及び弁駁書の８－１１ページの記載によれば，無効理由５の具体的理由は，略以下のとおりのものと認められる。 （１）アモルファスについて 本件特許の請求項１の活性層として用いることができるホモロガス化合物薄膜は，請求項１を引用する請求項２，請求項４の記載を鑑みれば，「アモルファス薄膜」の概念を含むものであり，また，請求項２，請求項４は，ホモロガス化合物が「アモルファス薄膜」であることを規定している。 （２）しかしながら，本件特許明細書の発明の詳細な説明は，活性層として用いることができるホモロガス化合物のアモルファス薄膜の作製法については実施例の記載はなく，具体的に説明されていない。 （３）本件特許明細書の【００１４】には「ＺｎＯを含むホモロガス化合物を反応性固相エピタキシヤル法により室温で成膜したアモルファス状態は１０００℃程度の高温まで安定であり」との記載があるが，成膜方法についての記載はない。また，【００２７】には「また，アモルファス薄膜の場合は，エピタキシャル成長させる必要はないので・・・」との記載はあるが，アモルファス薄膜の成膜方法についての記載はない。 さらに，実施例においては，【００２８】に「ＰＬＤ法により，厚み１５０ｎｍの多結晶ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５薄膜を堆積させた。」と記載されており，アモルファス薄膜の成膜方法についての記載はない。 そして，【００２５】には「また，反応性固相エピタキシャル成長法で得られたＺｎＯを含むホモロガス単結晶膜は，化学量論組成に近く，室温では，１０８Ｗ・ｃｍ以上の高い絶縁性を示し，ノーマリーオフ電界効果型トランジスタに適している。」と記載され，【００３１】には「３．ＭＩＳＦＥＴ素子の特性評価　図４に，室温下で測定したＭＩＳＦＥＴ素子の電流－電圧特性を示す。・・・これはゲートバイアスにより絶縁体のＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５単結晶薄膜内にキャリアを誘起できたことに対応する。」と記載されているが，アモルファス薄膜については，どのように製造され，どのような電気特性の膜が得られるのか，またＭＩＳＦＥＴ素子に適用した場合にどのような電気的特性が得られるのかについては全く記載されていない。 （４）本件特許明細書の他に，甲第３，４，６及び７号証の開示内容をも参酌したとしても，当業者はせいぜいのところ導電膜に用いる「アモルファスのInGaO3（ZnO)m（m=1～4)」を形成可能であったにとどまり，透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層に用いる「アモルファスのInGaO3（ZnO)m（m=1～4)」を形成し，本件発明を実施することが可能であったとはいえない。 （５）甲第２号証にはITO以外の酸化物の透明導電膜について，膜中の酸素量（酸素欠損）を制御することにより，薄膜トランジスタの動作に必要な1018cm-3以下のキャリア濃度を達成することが可能であるのかについては何ら記載されていないのであり，酸化物の透明導電膜一般に関する技術常識は存在しない以上，本件明細書の記載に基づいて，当業者が透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層として用いることができるアモルファスのInGaO3（ZnO)m（m=1～4)を形成できたとはいえず，訂正後の本件発明も実施可能要件を欠く。 （６）したがって，本件特許明細書の発明の詳細な説明は，当業者が本件特許発明１，２及び４を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものではない。 ２　当審の判断 （１）本件特許発明１について 本件特許発明１の活性層として用いることができるホモロガス化合物薄膜は，請求項１を引用する請求項２，請求項４の記載を鑑みれば，「アモルファス薄膜」の概念を含むものである。 そして，無効理由５は，ホモロガス化合物が「アモルファス薄膜」である場合に，本件特許明細書の発明の詳細な説明は，当業者が本件特許発明１，２，４を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものではない旨を主張するものである。 そこで，最初に，本件特許発明１において，ホモロガス化合物が，「アモルファス薄膜」である場合の，本件特許明細書の発明の詳細な説明が，当業者が本件特許発明１を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものであるかについて検討する。 （２）本件特許発明１は，「第３　本件特許発明」で認めたとおりであり，再掲すると，以下のとおりである。 「【請求項１】 ホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）薄膜を活性層として用いることを特徴とする透明薄膜電界効果型トランジスタ（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合はｍ＝１以上５未満の整数である）。」 （３）一方，本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載を参酌すると，単結晶のホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）を形成する方法としては，「YSZ(イットリア安定化ジルコニア)基板上に育成したZnO単結晶極薄膜上に，アモルファスのホモロガス薄膜を堆積し，得られた多層膜を高温で加熱拡散処理する「反応性固相エピタキシャル法」により，ホモロガス単結晶薄膜を育成する」（【０００７】），「上記のホモロガス単結晶薄膜の製造方法と同様に，ＺｎＯ薄膜上にエピタキシャル成長した複合酸化物薄膜を加熱拡散する手段を用いる」（【０００８】）と記載されている。また，ＺｎＯ薄膜上に形成するホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）薄膜全般については，「MBE法，パルスレーザー蒸着法（PLD法）等により・・・成長させる。」（【００１９】），「得られた薄膜は，単結晶膜である必要はなく，多結晶膜でも，アモルファス膜でも良い。」（【００２０】），「基板温度を室温まで冷却し，該ZnOエピタキシャル薄膜上にPLD法により，厚み150nmの多結晶InGaO3(ZnO)5薄膜を堆積させた。」（【００２８】）とあるように，多結晶やアモルファスの薄膜を，室温で，ＭＢＥ法，パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ法）等を用いて形成することが記載されている。さらに，アモルファスのホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）薄膜を形成する方法については，「ZnOを含むホモロガス化合物アモルファス薄膜を用いる場合には，基板は耐熱性を有する必要がなく，安価なガラス基板を用いることができる。」（【００１６】），「アモルファス薄膜の場合は，エピタキシャル成長させる必要はないので，ZnOエピタキシャル成長及び高温アニールプロセスを除くことができる。」（【００２７】）と記載されている。 これらの記載から，当業者であれば，アモルファスのホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）薄膜を形成するためには，上記単結晶の薄膜の形成方法から，ＺｎＯ単結晶薄膜の成長と高温アニールの工程を省略すればよいこと，すなわち，ガラス基板等を用いて，室温で，ＭＢＥ法，パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ法）等を用いて形成すればよいことを理解する。 （４）もっとも，本件出願日当時，当業者は，ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍのｍが５以上のアモルファス薄膜の作成は極めて困難と認識していたものと認められる（甲第３，４，６，７号証）が，本件特許発明１はｍが５以上のアモルファス薄膜を含んでいないので，上記（３）の認定は，本件特許発明１について妥当するものである。 （５）さらに，本件特許明細書の発明の詳細な説明を参酌すると，「得られたZnOを主たる構成成分として含有するホモロガス単結晶薄膜を活性層とした，トップゲート型MIS電界効果型トランジスタを作製することができる。図３に示すように，まず，基板１上にエピタキシャル成長したZnOを主たる構成成分として含有するホモロガス単結晶薄膜２上にゲート絶縁膜３及びゲート電極４用の金属膜を形成する。ゲート絶縁膜３には，Al2O3が最も適している。ゲート電極４用金属膜は，Au，Ag，Al，又はCu等を用いることができる。光リゾグラフィー法及びドライエッチング，又はリフトオフ法により，ゲート電極４を作製し，最後に，ソース電極５及びドレイン電極６を作成する。本発明の電界効果型トランジスタの形状は，トップゲート型MIS電界効果型トランジスタ（MIS-FET）に限られるものではなく，J-FET等も含まれる。」（【００２６】），「ZnOを主たる構成成分として含有するホモロガスアモルファス薄膜を用いても，同様に，トップゲート型MIS電界効果型トランジスタを作成することができる。また，アモルファス薄膜の場合は，・・・ゲート電極を基板と膜の間に作りつけることが可能で，ボトムゲート型MIS電界効果型トランジスタも作製することができる。」（【００２７】）と記載されている。 これらの記載から，当業者であれば，上記（３）の方法により形成されたアモルファスの薄膜を活性層として用い絶縁膜や電極を形成することにより，トップゲート型MIS電界効果型トランジスタやボトムゲート型MIS電界効果型トランジスタを作製することができると認められる。 （６）また，上記（５）のようにして作製されたMIS電界効果型トランジスタの使用については，発明の詳細な説明に明記がなくても，当業者であれば，トランジスタとして使用することはできると認められる。 （７）以上のとおり，本件特許明細書の発明の詳細な説明は，「ホモロガス化合物InMO3(ZnO)m(M=In, Fe, Ga ,又はAl, m=1以上50未満の整数)薄膜（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合はm=1以上5未満の整数である）」が，「アモルファス薄膜」である「透明薄膜電界効果型トランジスタ」を生産し使用することができる程度に，明確かつ十分な記載を有するものと認められる。 （８）なお，「実施をすることができる程度」の記載とは，物の発明については，その物の生産及び使用ができる程度の記載をいい（特許法２条３項１号参照），それ以上にその物の性能や特性を明らかにしなくてはならないというものではない。本件明細書の段落【００２８】ないし【００３１】記載された「実施例」は単結晶InGaO3(ZnO)5薄膜を用いたMISFETに関するものであり，アモルファス薄膜を用いたMISFETの場合に同じ特性が得られるかは，本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載からは不明というほかなく，例えば，「ノーマリーOFF特性」が得られるかは不明であるが，たとえ「ノーマリーOFF特性」が得られなくても「トランジスタ」には変わりなく，また「可視光に対して透明で大面積に適したアモルファストランジスタを作製すること」（後記第１１の３（１）ア）が本件特許発明１の課題の一つであるので，課題を解決できる技術的思想としての発明が「実施をすることができる程度」に記載されているという上記（７）の認定を左右するものではない。 （９）請求人の主張について検討する。 ア　請求人は，本件明細書の他に，甲３，４，６及び７号証の開示内容をも参酌したとしても，導電膜に用いる「アモルファスのInGaO3（ZnO)m（m=1～4)」を形成可能であったにとどまると主張するが，上記（１）ないし（８）のとおり，甲３，４，６及び７号証の開示内容を参酌するまでもなく，本件特許明細書の発明の詳細な説明には，アモルファスの薄膜を活性層に用いた透明薄膜電界効果型トランジスタを生産し使用することができる程度に記載されていると認められるから，請求人の主張は採用することができない。 イ　請求人は，甲第２号証にはITO以外の酸化物については記載されておらず，酸化物の透明導電膜一般に関する技術常識は存在しないと主張するが，上記（１）ないし（８）のとおり，上記技術常識の存否に関係なく，本件特許明細書の発明の詳細な説明には，アモルファスの薄膜を活性層に用いた透明薄膜電界効果型トランジスタを生産し使用することができる程度に記載されていると認められるから，請求人の主張は採用することができない。 （１０）よって，本件特許発明１について，無効理由５は，理由がない。 （１１）本件特許発明２及び４について 本件特許発明２及び４は，「第３　本件特許発明」で認めたとおりであり，再掲すると，以下のとおりである。 「【請求項２】 表面が原子レベルで平坦である単結晶又はアモルファスホモロガス化合物薄膜を用いることを特徴とする請求項１記載の透明薄膜電界効果型トランジスタ。」 「【請求項４】 ホモロガス化合物がガラス基板上に形成されたアモルファス薄膜であることを特徴とする請求項１記載の透明薄膜電界効果型トランジスタ。」 （１２）本件特許発明２及び４は，いずれも，請求項１を引用する発明であるところ，本件特許の明細書は，当業者が本件特許発明１を実施できる程度に，明確かつ十分に記載されたものといえることは，上記（１）ないし（１０）で検討したとおりである。 そして，本件特許発明２及び４において，本件特許発明１に対して附加的に限定した発明特定事項は，本件特許明細書の段落【００１０】，【００１６】，【００１９】，【００２０】の記載から当業者が読み取れるものであると認められる。 したがって，本件特許発明２及び４が，いずれも，請求項１を引用する発明であり，しかも，本件特許発明２及び４において，附加的に限定した発明特定事項は，いずれも本件特許明細書に記載されていると認められるから，本件特許発明１と同様の理由により，本件特許明細書の発明の詳細な説明は，当業者が本件特許発明２及び４を実施できる程度に，明確かつ十分に記載したものであると認められる。 よって，本件特許発明２及び４について，無効理由５は，理由がない。 ３　無効理由５のまとめ 本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は，本件特許の請求項１，２及び４に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものであるから，本件特許の請求項１，２及び４に係る発明についての特許が，特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものとは認められない。 したがって，本件特許発明１，２及び４について，無効理由５は，理由がない。 第７　無効理由１について １　最初に，本件特許発明１についての特許が，無効とすべきものであるかについて検討する。 ２　本件特許発明１について 本件特許発明１は，「第３　本件特許発明」で認めたとおりであり，再掲すると，以下のとおりである。 「【請求項１】 ホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）薄膜を活性層として用いることを特徴とする透明薄膜電界効果型トランジスタ（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合はｍ＝１以上５未満の整数である）。」 ３　甲第１号証に記載された発明 甲第１号証には，「半導体装置」（発明の名称）に関して，図１～１４とともに，以下の事項が記載されている。（下線は，当審で付与した。以下同じ。） （甲１ａ）「【特許請求の範囲】 １．透明材料の２つの接続電極と，透明絶縁層によりチャネル領域から分離された導電材料の透明ゲート電極が設けられた半導体材料の介在透明チャネル領域とを有する透明スイッチング素子が設けられた半導体装置において，前記半導体材料は，伝導帯と2.5 ｅＶ以上の電子の価電子帯との間にバンドギャップを有し，塩基性材料の価電子帯または伝導帯に，あるいはこれに隣接する固定不純物エネルギー準位を形成するドーパント原子が設けられた10ｃｍ2／Ｖｓ以上の電荷キャリアの移動度を有する塩基性材料が設けられた縮退半導体材料を具えることを特徴とする半導体装置。 ２．前記塩基性材料は非遷移金属の共有結合酸化物を具えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 ３．前記塩基性材料はＳｎ，ＺｎおよびＩｎより成る群から選択された共有結合酸化物を具えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 ４．前記接続電極，ゲート電極およびチャネル領域は同一の型のドーパント原子を設けた同一の塩基性材料を具え，前記半導体材料は導電材料のドーズ量よりも少量のドーパント原子を含むようにしたことを特徴とする請求項１～３の何れかの項に記載の半導体装置。 ５．導電材料は０．５％以上のドーパント原子を含み，半導体材料は０．３％以下のドーパント原子を含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。 ６．前記塩基性材料はＳｎＯ2を（審決注「ＳｎＯ2」の誤り。以下同じ。）含み，前記ドーパント原子はＳｂを含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。」（２ページ１－２１行） （甲１ｂ）「発明の技術分野 本発明は透明材料の２つの接続電極と，透明絶縁層によりチャネル領域から分離された導電材料の透明ゲート電極が設けられた半導体材料の介在透明チャネル領域とを有する透明スイッチング素子が設けられた半導体装置に関するものである。」（４ページ３－７行） （甲１ｃ）「発明の背景 特許願60-198861 には透明接続電極およびゲート電極を錫ドープ酸化インジウムで構成し，絶縁層を酸化シリコンで構成するようにした上述した種類の半導体装置が記載されている。チャネル領域の透明半導体材料としてはＷＯ3が用いられている。 既知の半導体装置はいわゆる“電子－クロミック装置”（ＥＣＤ）である。かかる装置の接続上には電解液が存在する。従ってこの電解液からＷＯ3内にＨ+イオンが拡散される。従って，ＷＯ3は可視光を吸収することができる。即ち，スイッチング素子はカラーと見なすことができる。このＨ+イオンの拡散は緩慢に進行する。スイッチング素子はＨ+イオンのこの緩慢な拡散のためにあるメモリ効果を有する。即ち，スイッチング素子はある時間に亘って所定の状態に保持される。この既知の半導体装置は極めて限定された度合で，即ち，ＷＯ3内にＨ+イオンが存在しない場合にのみ透明となる。それ自体絶縁体であるＷＯ3の導電度はＷＯ3内の酸素の量が減少することによって決まる（“酸素空乏ＷＯ3”）。 上述した既知の半導体装置では，これが比較的緩慢に状態切換を行うと云う実際的な欠点があることを確かめた。その理由はスイッチング素子のスイッチングが部分的にはＨ+イオンの固体拡散によっても決まるからである。また，既知の半導体材料においては，既に酸素が比較的僅かだけ除去されているため可視光の吸収が強く増大し，従って半導体材料の導電度がある所望の値となった場合には材料はもはや透明とはならない。これは，既知のスイッチング素子を全ての状況の下で透明となるスイッチング素子として用いることができないことを意味する。 本発明の目的は上述した欠点に対処し得るようにした半導体装置を提供せんとするにある。」（４ページ１０行－５ページ５行） （甲１ｄ）「発明の概要 この目的のため，本発明は透明材料の２つの接続電極と，透明絶縁層によりチャネル領域から分離された導電材料の透明ゲート電極が設けられた半導体材料の介在透明チャネル領域とを有する透明スイッチング素子が設けられた半導体装置において，前記半導体材料は，伝導帯と2.5 ｅＶ以上の電子の価電子帯との間にバンドギャップを有し，塩基性材料の価電子帯または伝導帯に，あるいはこれに隣接する固定不純物エネルギー準位を形成するドーパント原子が設けられた10ｃｍ2／Ｖｓ以上の電荷キャリアの移動度を有する塩基性材料が設けられた縮退半導体材料を具えることを特徴とする。 従って塩基性材料はそのバンドギャップを2.5 ｅＶ以上とし，移動度を10ｃｍ2／Ｖｓ以上とするように選択し，その後導電度をドーパント原子の性質および濃度を好適に選択することによって決定する。ドーパント原子の濃度は0.001 ％乃至0.3 ％の範囲に選択すると充分な導電度が得られるようになる。不純物エネルギー準位はこれがバンドギャップからほぼ0.1 ｅＶ以下の距離にある場合には，価電子帯または伝導帯に隣接する。電子は室温で不純物エネルギー準位から価電子帯または伝導帯に容易に変換され得るようになる。 可視光のエネルギーはほぼ2.5 ｅＶ以上のバンドギャップを有する半導体材料に電子－正孔対を形成するには不充分であるため，この可視光は半導体材料によっては吸収されない。本発明による縮退半導体材料は透明となる。その理由は可視光の吸収が大きなバンドギャップのために不可能であり，これと同時に不純物エネルギー準位のため可視光の吸収が生じないからである。加うるに，本発明半導体材料を設けたスイッチング素子は電荷キャリアの高移動度のため比較的迅速に作動する。 前記塩基性材料は非遷移金属の共有結合酸化物を具えるようにするのが好適である。かかる金属の酸化物およびかかる金属，例えば，Ｇａ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｓｂ，Ｐｂ，ＧｅおよびＩｎの酸化物の化合物は，その移動度が10ｃｍ2／Ｖｓ以上であり，バンドギャップが2.5 ｅＶ以上である（例えば，J．Phys．Chem．Ref．Data，Vol．2，No．1，1973，P.163 ff.参照）。非遷移金属の一層イオン的な酸化物は塩基性材料としては好適ではない。その理由は電荷キャリアと結晶格子のイオンとの間に強い相互作用が働くからである。 前記塩基性材料はＳｎ，ＺｎおよびＩｎより成る群から選択された共有酸化物を具えるようにするのが好適である。これら共有結合酸化物はその移動度が比較的高く，ドーパント原子を設けた場合でも30ｃｍ2／Ｖｓ以上である。ドーパント原子は使用する共有結合酸化物に対し減衰する。従って，Ｓｂ，ＦまたはＣｌのようなドーパント原子はＳｎＯ3が共有結合酸化物である際に用いることができ，Ｓｎドーパント原子はＩｎ2Ｏ3が共有結合酸化物である際に用いることができ，Ｇａドーパント原子はＺｎＯが共有結合酸化物である際に用いることができる。 好適な例では，前記接続電極，ゲート電極およびチャネル領域は同一の型のドーパント原子を設けた同一の塩基性材料を具え，前記半導体材料は導電材料のドーズ量よりも少量のドーパント原子を含むようにする。かかる半導体装置は比較的容易に製造することができる。その理由はドーパント原子の量がことなるだけで同一の材料を用いるからである。好適には，導電材料は０．５％以上のドーパント原子を含み，半導体材料は０．３％以下のドーパント原子を含むようにする。前記塩基性材料はＳｎＯ2を含み，前記ドーパント原子はＳｂを含むようにするのが有利である。」（５ページ６行－６ページ２３行） （甲１ｅ）「図１および２は透明材料の２つの接続電極２，３を有するスイッチング素子１と，半導体材料の介在透明チャネル領域４とを設けた透明半導体装置を示す。本例では，接続電極およびチャネル領域は同一半導体材料から造る。接続電極２，３の抵抗値はその幅のみにに起因して比較的低い。チャネル領域４には透明な導電性ゲート電極５を設け，これを透明絶縁層６によってチャネル領域４から分離する。本発明によればチャネル領域４の半導体材料は塩基性材料およびドーパント原子を有する縮退半導体材料を具える。図３は縮退半導体の電子のエネルギー準位13を示す。塩基性材料は2.5 ｅＶ以上の電子の伝導帯11および価電子帯12間のバンドギャップ10を有し，塩基性材料の電荷キャリアの移動度は10ｃｍ2/Ｖｓである。塩基性材料にはドーパント原子を設け，このドーパント原子は塩基性材料の，適用可能なように，価電子帯または伝導帯12,11 に，またはこれに隣接する固定不純物エネルギー準位13を形成する。この不純物エネルギー準位13は伝導帯または価電子帯の縁部からほぼ0.1 ｅＶ以下の距離14の箇所において価電子帯または伝導帯12,11 に隣接して位置する。不純物エネルギー準位13は全価電子帯または伝導帯12,11 内に存在する。導電度はドーパント原子を好適に選定することによって決めることができる。ドーパント原子濃度は0.001 ％乃至0.3 ％の範囲にすると充分に高い導電度を得ることができる。電子は室温で不純物エネルギー充分に13から価電子帯または伝導帯12,11 と容易に交換することができる。 図１および２の半導体装置は次のように製造することができる。厚さ50ｎｍの導電性ＳｒＲｕＯ3層５は絶縁単結晶ＳｒＴｉＯ3基板７上にエピタキシヤル堆積により設ける。ＳｒＲｕＯ3はそれ自体透明ではないが，ほぼ60ｎｍ以下のＳｒＲｕＯ3の極めて薄い層は透明である。このＳｒＲｕＯ3層５上に厚さ0.7 μｍのモリブデン層を蒸着する。このモリブデン層はフォトレジストおよびＣＦ4／Ｏ2によるＡｒ補助反応性エッチング（ＲＩＥ）によって既知のようにパターン化する。次いで，パターン化されたモリブデンはＣＨＦ3によるＲＩＥによってＳｒＲｕＯ3層をパターン化するためのマスクとして用いてゲート電極５を形成する。次いで残存するモリブデンはヘキサシアノ鉄酸カリウムによるいわゆる酸化還元エッチング処理によって除去する。次に，ゲート電極５上および基板７の表面上に透明絶縁層６および半導体材料４を設ける。本例では，ＢａＺｒＯ2の厚さ0.2 μｍの絶縁層６は650 ℃の温度で，且つ0.2mbar の酸素圧でパルスレーザ堆積によって設ける。次いで，0.03％のＳｎがドープされたＩｎ2Ｏ3の厚さ0.1 μｍの層４を，0.2mbar の酸素圧および505 ℃の温度でパルスレーザ堆積によって絶縁層６上および基板７の表面上に既知のように設ける。層４および６は，ゲート電極５に対する導電層の場合と同様に，フォトレジストおよびモリブデン層を用いて再びパターン化する。ゲート電極５に損傷を与えないように限定期間のみエッチングを行う。チャネル領域４および接続電極２は斯様にして形成する。 接続電極２に対するゲート電極５の－４Ｖ以下の電圧で，この第１例により製造されたスイッチング素子のチャネル領域は電荷キャリアを完全に空乏化する。従って接続電極２および３間には200 ｋΩ以上の抵抗が得られる。ゲート電極５における零Ｖ以上の電圧で，スイッチング素子が導通状態となり，接続電極２および３間の抵抗値はほぼ10ｋΩとなる。第１例によるスイッチング素子は種々に変更することができる。これがため，スイッチング素子の電気特性は例えばチャネル領域の寸法または絶縁層の厚さのような幾何学的形状を変更することによって変化させることができる。また，チャネル領域４の半導体材料に対し，ドーパント原子を設けた非遷移金属の他の共有結合酸化物を用いることもできる。これら金属の酸化物およびその混合物は10ｃｍ２／Ｖｓ以上の移動度および2.5 ｅＶ以上のバンドギャップを有する。例えば，Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いることができる。これら共有結合酸化物はレーザ堆積，ガス相からの分解後の堆積（ＣＶＤ）または蒸着によって得ることができる。ドーパント原子は蒸着源または使用ガスによって塩基性材料内に導入することができる。ドーパント原子の濃度は0.001 ％乃至0.3 ％の範囲とすることによってスイッチング素子の半導体材料として用いるに充分な高さの導電度を得ることができる。 好適には，半導体材料はＳｎ，Ｚｎ，Ｉｎより成る群から選択された金属の共有結合酸化物を具える。これら共有結合酸化物はドーパント原子を設けた場合でも30ｃｍ2／Ｖｓ以上の移動度を有する。従って，これらドーパント原子は使用する共有結合酸化物まで減衰する。これがため，ＳｎＯ2を共有結合酸化物とする場合にはＳｂ，ＦまたはＣｌのようなドーパント原子を用いることができ，Ｉｎ2Ｏ3を共有結合酸化物とする場合にはＳｎのようなドーパント原子を用いることができ，且つＺｎＯを共有結合酸化物とする場合にはＧａのようなドーパント原子を用いることができる。特にＡＴＯとしても既知のＳｂドープＳｎＯ2，またはＩＴＯとしても既知のＳｎドープＩｎ2Ｏ3は著しく好適な材料である。」（９ページ５行－１１ページ１１行） （甲１ｆ）「 図４は本発明スイッチング素子１の第２実施例を示す。ガラス基板７，本例では，0.2mbar のＯ2圧且つ505 ℃の温度でパルスレーザ堆積により既知のように堆積されたSb1.5 ％ドープの厚さ0.2 μｍのＳｎＯ2層上に透明導電材料を設ける。この透明導電材料の上に蒸着により厚さ0.7 μｍのモリブデン層を設ける。このモリブデン層はフォトレジストおよびＣＦ4/Ｏ2を用いるＲＩＥによって既知のようにパターン化する。次に，パターン化されたモリブデン層をマスクとして用いてＣＦＨ3によるＲＩＥによってドープされたＳｎＯ2層をパターン化してゲート電極５を形成する。次いで，モリブデン層をヘキサシアノ鉄酸カリウムによる酸化還元エッチング処理によって除去する。次に，強誘電材料の厚さ0.25μｍの透明絶縁層６をゲート電極５上および基板７の表面上に設ける。使用し得る強誘電材料は例えば，ニオブ酸リチウム(ＬｉＮｂＯ3)，タンタル酸リチウム(ＬｉＴａＯ3)またはチタン酸鉛－ジルコニウム(ＰｂＺｒxＴｉ1-xＯ3)がある。本例では，チタン酸鉛－ジルコニウムＰｂＺｒ0.2Ｔｉ0.8Ｏ3を用いる。その理由はこの材料は他の使用材料との両立性を考慮する事なく比較的容易に提供できるからである。さらにこの材料はその偏光性が比較的高く（ほぼ60μＣ/ｃｍ2），且つスイッチング電界が低い（ほぼ50ｋＶ/ｃｍ）。チタン酸鉛－ジルコニウムは0.2mbar の酸素圧および587 ℃の温度でパルスレーザ堆積することによって既知のように得られる。 次いで，0.2mbar のＯ2圧且つ505 ℃の温度でパルスレーザ堆積により既知のように強誘電層６上および基板７の表面上に0.03％のＳｂがドープされたＳｎＯ2の厚さ0.1 μｍの層４を設ける。ゲート電極５に対する導電層の場合と同様に，これら層４および６はフォトレジストおよびモリブデン層を用いて再びパターン化する。ゲート電極５に損傷を与えないように限定された期間のみエッチングを行う。次いで，モリブデン損傷を再び除去する。斯くしてチャネル領域４を形成する。次に，その表面にＳｂが1.5 ％ドープされたＳｎＯ2の厚さ0.5 μｍの導電層を設ける。この層をフォトレジストおよびモリブデン層によりパターン化してゲート電極に対する導電層の場合と同様に導電性接続電極２および３を形成する。 本例では，接続電極２，３，ゲート電極５およびチャネル領域４は同一の方のドーパント原子を設けた同一の塩基性材料，接続電極２．３の半導体材料およびゲート電極５の導電材料よりも少量のドーパント原子を有するチャネル領域４の半導体材料を具える。かかる半導体装置は比較的簡単に製造することができる。その理由はこれら材料に１種類の製造処理のみが必要となるだけであるからである。」（１１ページ１２行－１２ページ１６行） （甲１ｇ）「第５実施例では，トランジスタを第２実施例にならって形成するが，チャネル領域には別の層４，即ち０．１％のＳｂ（「Ｓｂ」の誤り。）をドープした１０ｎｍの厚さのＳｎＯ2層を用いる。トランジスタには１０ｎｍの厚さのＢａＺｒＯ3製のキャッピング層をかぶせる。」（１６ページ２－５行） （甲１ｈ）「本発明は上述した実施例に限定されるものではない。従って，上記実施例では非遷移金属の所定の共有結合酸化物を透明半導体及び導電材料として選定したが，本発明による半導体装置は非遷移金属の別の共有結合酸化物でも極めて良好に製造することができる。接続電極間の抵抗値及びオン／オフ比，即ちスイッチング素子のスイッチング中又はそうでない期間中の接続電極間の抵抗値の差は，例えば半導体の種類や，絶縁材料や，強誘電材料を適合させるか，又はチャネル構造，即ちチャネル領域の幅，長さ及び厚さを適合させることにより特殊な諸要求に適合させることができる。従って，各用途に対し，チャネル抵抗や，オン／オフ比や，強誘電材料のスイッチングの面で，最適な材料及び最適な構造のものを選定することができる。強誘電材料として別のものを選定するか，又は強誘電材料層の厚さを異なる厚さとして，強誘電材料によりスイッチング素子のスイッチング電圧を相違させることもできる。さらに，半導体装置の材料は，撮像素子又は表示素子以外は透明とする必要はない。スイッチング素子は，これらのスイッチング素子１を撮像及び表示素子３０とオーバラップさせる場合にだけは透明とする必要がある。従って，例えばバスライン２２及び２５並びに接続電極２及びゲート電極５の部分には第３及び第４実施例における金属層，例えば導電性を促進するためにモリブデン又はアルミニウム層を設けるのが極めて好適である。 材料を堆積したり，パターン化する方法としてレーザ堆積法，ＣＶＤ法及びホトリソグラフィ法の如き所定の技法のみを提案したが，これは本発明をこのような技法でしか実施できないと云うことを意味するのではない。エピタキシャル成長（ＭＢＥ）や，印刷技法により材料をマスクしたりするような他の技法も極めて良好に用い得ることは明らかである。」（１６ページ１９行－１７ページ１２行） ４　当審の判断 （１）引用発明１ 上記摘記（甲１ａ）－（甲１ｈ）の記載を総合すると，甲第１号証には，甲第１号証の特許請求の範囲に記載された発明の実施例として開示された，次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。 「透明材料の２つの接続電極と，透明絶縁層によりチャネル領域から分離された導電材料の透明ゲート電極が設けられた半導体材料の介在透明チャネル領域とを有する透明スイッチング素子が設けられた半導体装置において，前記半導体材料が，伝導帯と2.5 ｅＶ以上の電子の価電子帯との間にバンドギャップを有し，塩基性材料の価電子帯または伝導帯に，あるいはこれに隣接する固定不純物エネルギー準位を形成するドーパント原子が設けられた10ｃｍ2／Ｖｓ以上の電荷キャリアの移動度を有する塩基性材料が設けられた縮退半導体材料を具えることを特徴とする半導体装置の一実施例として開示された， 導電性ＳｒＲｕＯ3層５を絶縁単結晶ＳｒＴｉＯ3基板７上にエピタキシヤル堆積により設け，このＳｒＲｕＯ3層５をパターン化してゲート電極５を形成し，次に，前記ゲート電極５上および前記基板７の表面上に透明絶縁層６であるＢａＺｒＯ2を設け，次いで，0.03％のＳｎがドープされた厚さ0.1 μｍのＩｎ2Ｏ3の層４を，0.2mbar の酸素圧および505 ℃の温度でパルスレーザ堆積によって前記透明絶縁層６上および前記基板７の表面上に既知のように設け，その後，前記層４および前記透明絶縁層６をパターン化し，チャネル領域４および接続電極２を形成することによって製造された，透明材料の２つの接続電極２，３と，半導体材料の介在透明チャネル領域４とを有する半導体装置において， 前記チャネル領域４の半導体材料である，0.03％のＳｎがドープされたＩｎ2Ｏ3に対し，ドーパント原子を設けた非遷移金属の他の共有結合酸化物である，10ｃｍ２／Ｖｓ以上の移動度および2.5 ｅＶ以上のバンドギャップを有する，例えば，Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いた半導体装置。」 （２）対比 ア　本件特許発明１と，引用発明１とを対比すると，引用発明１の「層４」と，本件特許発明１の「ホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）薄膜（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合はｍ＝１以上５未満の整数である）」とは，いずれも「活性層」として用いられる「薄膜」である点で一致する。 また，引用発明１の「半導体装置」は，「ゲート電極５」，「透明絶縁層６」，「半導体材料の介在透明チャネル領域４」及び「透明材料の２つの接続電極２，３」から構成されるから，本件特許発明１の「透明薄膜電界効果型トランジスタ」に相当する。 イ　そうすると，本件特許発明１と，引用発明１との一致点と相違点は次のとおりである。 ＜一致点＞ 薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ。 ＜相違点＞ ・相違点１：透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層として用いられる薄膜が，本件特許発明１では，「ホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）薄膜（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合はｍ＝１以上５未満の整数である）」であるのに対して，引用発明１では，「『伝導帯と2.5 ｅＶ以上の電子の価電子帯との間にバンドギャップを有し，塩基性材料の価電子帯または伝導帯に，あるいはこれに隣接する固定不純物エネルギー準位を形成するドーパント原子が設けられた10ｃｍ2／Ｖｓ以上の電荷キャリアの移動度を有する塩基性材料が設けられた縮退半導体材料』であり，かつ，『前記半導体材料である，0.03％のＳｎがドープされたＩｎ2Ｏ3に対し，ドーパント原子を設けた非遷移金属の他の共有結合酸化物である，10ｃｍ２／Ｖｓ以上の移動度および2.5 ｅＶ以上のバンドギャップを有する，例えば，Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いた』もの」である点。 ウ　なお，請求人は，審判請求書において，甲第１号証には，「厚さ１０ｎｍ又は０．１μｍの透明チャネル領域となる層４を備えたスイッチング素子であって，前記透明チャネル領域となる層４として，Ｇａ２Ｏ３，Ｂｉ２Ｏ３，ＳｎＯ２，ＺｎＯ，Ｓｂ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＧｅＯ２，またはＩｎ２Ｏ３，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ３，ＺｎＧａ２Ｏ４，またはＣｄＧａ２Ｏ４のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いた透明スイッチング素子。」という発明が記載されているものと認められると主張するが，以下の理由により，当該主張は採用することができない。 エ　すなわち，発明とは，「自然法則を利用した技術的思想の創作のうち高度のもの」（特許法第２条第１項）であるところ，請求人が主張する引用発明１を特定する事項の１つである「Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いた」という事項が記載されている，甲第１号証の上記摘記（甲１ｅ）の記載は，その前後の記載を併せて摘記すると，「また，チャネル領域４の半導体材料に対し，ドーパント原子を設けた非遷移金属の他の共有結合酸化物を用いることもできる。これら金属の酸化物およびその混合物は10ｃｍ２／Ｖｓ以上の移動度および2.5 ｅＶ以上のバンドギャップを有する。例えば，Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いることができる。これら共有結合酸化物はレーザ堆積，ガス相からの分解後の堆積（ＣＶＤ）または蒸着によって得ることができる。ドーパント原子は蒸着源または使用ガスによって塩基性材料内に導入することができる。ドーパント原子の濃度は0.001 ％乃至0.3 ％の範囲とすることによってスイッチング素子の半導体材料として用いるに充分な高さの導電度を得ることができる。 好適には，半導体材料はＳｎ，Ｚｎ，Ｉｎより成る群から選択された金属の共有結合酸化物を具える。これら共有結合酸化物はドーパント原子を設けた場合でも30ｃｍ2／Ｖｓ以上の移動度を有する。従って，これらドーパント原子は使用する共有結合酸化物まで減衰する。これがため，ＳｎＯ2を共有結合酸化物とする場合にはＳｂ，ＦまたはＣｌのようなドーパント原子を用いることができ，Ｉｎ2Ｏ3を共有結合酸化物とする場合にはＳｎのようなドーパント原子を用いることができ，且つＺｎＯを共有結合酸化物とする場合にはＧａのようなドーパント原子を用いることができる。特にＡＴＯとしても既知のＳｂドープＳｎＯ2，またはＩＴＯとしても既知のＳｎドープＩｎ2Ｏ3は著しく好適な材料である。」というものであり，甲第１号証の当該箇所には，ドーパント原子を設けた酸化物が記載されているだけであって，チャネル領域４の半導体材料に対し，ドーパント原子を設けることを前提としない発明は記載されていない。 したがって，ドーパント原子を設けないことを前提とする発明，すなわち，「パルスレーザ堆積により成膜され，厚さ１０ｎｍ又は０．１μｍの透明半導体を用いた層４であって，前記透明半導体として，Ｇａ２Ｏ３，Ｂｉ２Ｏ３，ＳｎＯ２，ＺｎＯ，Ｓｂ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＧｅＯ２またはＩｎ２Ｏ３，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ３，ＺｎＧａ２Ｏ４，またはＣｄＧａ２Ｏ４のようなこれら酸化物から形成された化合物を用い，移動度が１０ｃｍ２／Ｖｓ 以上であることを特徴とする透明半導体を用いた層４」という発明が，甲第１号証に記載されているとする請求人の主張は認められない。 さらに，甲第１号証の上記摘記（甲１ａ）の「【特許請求の範囲】」には，「・・・前記半導体材料は，伝導帯と2.5 ｅＶ以上の電子の価電子帯との間にバンドギャップを有し，塩基性材料の価電子帯または伝導帯に，あるいはこれに隣接する固定不純物エネルギー準位を形成するドーパント原子が設けられた10ｃｍ2／Ｖｓ以上の電荷キャリアの移動度を有する塩基性材料が設けられた縮退半導体材料を具えることを特徴とする半導体装置。」ことを発明特定事項として含む請求項１に係る発明と，前記請求項１に係る発明を引用する発明が記載されているだけであって，いずれも，ドーパント原子が設けられた発明が記載されているだけであり，さらに，上記摘記（甲１ｅ）の前記「ドーパント原子の濃度は0.001 ％乃至0.3 ％の範囲とすることによってスイッチング素子の半導体材料として用いるに充分な高さの導電度を得ることができる。」との記載から，ドーパント原子を設けることは，引用発明１の半導体材料が，「スイッチング素子」に用いられる充分な高さの導電度を得るために必要なことであると理解できるから，この観点からも，甲第１号証に，ドーパント原子を設けないことを前提とする発明が記載されているとする，請求人の主張は認められない。 請求人は，平成２６年１２月８日付けの口頭審理陳述要領書において，本件特許発明１が，ドーパント原子の有無を限定しておらず，この点が相違点となることはないのであるから，引用発明１を，ドーパント原子を設けた半導体装置として認定すべきではない旨の主張をするが，引用発明１の認定は，本件特許発明１の特定事項の如何によらず，甲第１号証に記載された事項に基づいて，技術的思想として特定すべきものであるから，甲第１号証に記載された発明特定事項の内の一部のみを，甲第１号証に開示された技術的思想から離れて切り出して，引用発明１として認定することは適切とは認められない。 したがって，請求人の前記主張は採用することはできない。 また，請求人は，前記口頭審理陳述要領書において，甲１号証の４ページ１１行－１４行には，チャネル領域にドーピング原子を設けない透明半導体材料を用いることも記載されている旨主張するが，前記甲１号証の４ページ１１行－１４行の記載は，チャネル領域の透明半導体材料が，「ＷＯ３」である従来技術について記載されているだけであって，引用発明１についての上記認定を左右するものではない。 オ　さらに，請求人は，審判請求書において，本件特許発明１と引用発明１とは，「Ｇａ２Ｏ３，ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３から形成された化合物を活性層として用いることを特徴とする透明薄膜電界効果型トランジスタ。」の点で一致すると主張するが，以下の理由により，当該主張は採用することができない。 カ　すなわち，甲第１号証の「Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いる」との記載事項には，「Ｇａ２Ｏ３，ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３から形成された化合物」は，その特定の組合せを有する化合物としては明記されていない。 なるほど，「Ｇａ２Ｏ３」，「ＺｎＯ」，及び「Ｉｎ２Ｏ３」は，いずれも，前記記載事項に「Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，」として列記された酸化物内に含まれてはいる。しかしながら，前記記載事項において，酸化物から形成された化合物として例示されているのは，二つの酸化物から形成された化合物である「ＧａＩｎＯ3」，「ＺｎＧａ２Ｏ4」及び「ＣｄＧａ2Ｏ4」だけである。 すなわち，「Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いる」との記載事項から，「Ｇａ２Ｏ３」，「ＺｎＯ」及び「Ｉｎ２Ｏ３」という特定の酸化物を３つ選択し，これら酸化物から形成された化合物を活性層として用いることは，想定し得る多数の組合せの中から，わずか一つの化合物を選択することであり，この選択そのものが技術的思想の創作，すなわち，いわゆる「選択発明」と成り得る場合もありえるものである。 したがって，「Ｇａ２Ｏ３，ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３から形成された化合物」が，組合せの上で，「Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物」に含まれるとしても，前記「Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物」との記載から，「Ｇａ２Ｏ３，ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３から形成された化合物」を選択することに技術的な思想を要する場合があり得るのであるから，甲第１号証に，「Ｇａ２Ｏ３，ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３から形成された化合物を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ。」という技術的思想が開示されていると認めることはできない。 そうすると，本件特許発明１と，引用発明１とが，「Ｇａ２Ｏ３，ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３から形成された化合物を活性層として用いることを特徴とする透明薄膜電界効果型トランジスタ」の点で一致すると認めることはできない。 キ　以上のとおりであるから，無効理由１における，請求人の主張する，一致点の認定，及び，相違点の認定は，採用することはできない。 （３）相違点についての判断 上記で検討したように，無効理由１における，審判請求人の主張する，一致点の認定，及び，相違点の認定は，採用することができないから，審判請求書に記載された，審判請求人の主張する，一致点の認定，及び，相違点の認定を前提とした理由によっては，無効理由１を，理由があるものとすることはできない。 しかしながら，引用発明１において，上記相違点１について，無効理由１において証拠として示された甲第３号証～甲第１４号証，甲第２４号証，及び甲第２８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得た場合には，本件特許発明１には，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものとなるから，一応，この点について以下で検討する。 ・相違点１について ア　請求人は，審判請求書の９ページにおいて，「引用発明１において，『Ｇａ２Ｏ３，ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３から形成された化合物』として，Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎの３つの金属を含む酸化物を用いることは，当業者であれば容易になし得るものであると認められる。なお，化合物の組成比を所望のものとすることは，Ｇａ２Ｏ３，ＺｎＯ，及びＩｎ２Ｏ３の混合比から適宜設定できる程度の事項である。 してみれば，引用発明１において，『Ｇａ２Ｏ３，ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３から形成された化合物』として，『ホモロガス化合物ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝１以上５０未満の整数）』を用いることは，当業者であれば容易に想到できたものであると認められる。」と主張する。 しかしながら，甲第１号証に記載された，「Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物」から，「Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ，の３つの金属を含む酸化物」を選択する動機を見いだすことはできないし，しかも，化合物の組成比を「ホモロガス化合物ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝１以上５０未満の整数）」とすることが，適宜設定できるとする理由を見いだすこともできない。 したがって，相違点１は，引用発明１に基づいて容易に想到できたものではない。 イ　すなわち，甲第１号証には，上記相違点１について，本件特許発明１の構成を採用することは開示されておらず，また，当該構成を採用することの動機付けを見いだすこともできない。 続いて，当業者が他の公知文献に基づいてこれを採用することが容易であるか否かを，以下で検討する。 ウ　甲第３号証には，次の記載がある。 （ア）記載事項 （甲３ａ）「要約 ＺｎＯ系のアモルファス透明導電体を作り出すことを目的として，さまざまなアモルファス膜ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ≦４）をパルスレーザー蒸着法を用いて作製した。・・・キャリア密度は１０１９～１０２０ｃｍ－３であった。・・・。本系はＺｎ４ｓ軌道が広がった伝導帯を形成する初めてのアモルファス酸化物半導体である。」（訳文の１頁１０行－２６行） （甲３ｂ）「ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ膜では，ｍが５未満のときにアモルファス相が得られた。これらの膜は良好な透明性および導電性を示した。」（訳文の３ページ２１－２２行） （甲３ｃ）「薄膜試料は，パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ法）により作製した。Ｉｎ２Ｏ３，Ｇａ２Ｏ３，およびＺｎＯの粉末を用いて，従来のセラミックプロセスとその後のダイヤモンド研磨機を用いた研磨により，化学量論的組成を有する，高密度に焼成したＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍの円板を，ターゲットとして用意した。」（訳文の４頁１０行－１３行） （甲３ｄ）「表１は室温におけるアモルファスＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ膜の電気輸送パラメータを示している。ドーピングは意図的に行わなかったが，移動度１２～２０ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１，キャリア密度１０１９～１０２０ｃｍ－３で１７０～４００Ｓｃｍ－１の伝導率が得られた。おそらくＯ欠損の影響であると考えられる。」（訳文の１０頁１０行－１３行） （イ）検討 上記（甲３ａ）－（甲３ｄ）の記載によれば，甲第３号証には，アモルファスＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ膜が記載されているとはいえるものの，前記アモルファスＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ膜を，透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層として用いることは，甲第３号証には記載も示唆もされていない。 エ　甲第４号証：特開２０００－４４２３６号公報には，次の記載がある。 （ア）記載事項 （甲４ａ）「本発明の製造方法においては，例えば，ターゲットとしてIn:Ga:Zn=1:1:1の焼結体を用いた場合，6.2×10-3[Ωcm]の薄膜を容易に得ることができる。この場合，高導電性の主因は非晶質物質にも関わらず移動度が10以上と高い値を示すことによる。また，ターゲットとしてZn成分を増加させたホモロガスIGZO InGaO3(ZnO)m(m:2以上の整数)の焼結体を用いた場合，4. 3×10-3[Ωcm]の抵抗率を有する薄膜を容易に得ることができる。この理由はキャリア濃度が指数関数的増大傾向を示すのに対し，移動度がほとんど変化しないことに起因する。」（【００３４】） （甲４ｂ）「ホモロガスＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍの場合は，Ｉｎ２Ｏ３，Ｇａ２Ｏ３，ＺｎＯの各粉末を，含有金属の比率が１：１：ｍ（ｍは２以上の整数）となるように秤量した。」（【００４１】） （甲４ｃ）「２．成膜 以下に実施例としてレーザーアブレーション法を用いる成膜法を示す。 実施例１ 上で作成した焼結体のうち，Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１の焼結体の表面を研磨し，金属Ｉｎでインコネル製のホルダーに固定した。・・・ターゲットから３０ｍｍ直上に１０ｍｍ角で厚さ０．５ｍｍの石英ガラス基板を設置し，膜厚が均等となるように自転させながら３０分プルーム中に曝すことにより，約３００ｎｍの薄膜を得た。組成比は蛍光Ｘ線法により得た。膜が均一な非晶質であることはＸＲＤより確認した（図１）。吸収端は試料の透過及び反射スペクトルから光学定数を計算することから求めた。電気特性はファンデアパウ法によるＨａｌｌ効果測定により求めた。」（【００４２】） （甲４ｄ）【００４３】の表１には， 流量：１５ＣＣＭ（全圧０．６Ｐａ）であるときに，抵抗率：６．５×１０－３Ω・ｃｍ，キャリア密度：８．３×１０１９／ｃｍ３， 流量：２０ＣＣＭ（全圧０．８Ｐａ）であるときに，抵抗率：６．２×１０－３Ω・ｃｍ，キャリア密度：８．５×１０１９／ｃｍ３， 流量：２５ＣＣＭ（全圧１．０Ｐａ）であるときに，抵抗率：８．８×１０－３Ω・ｃｍ，キャリア密度：４．８×１０１９／ｃｍ３， であることが示されている。 （甲４ｅ）「【図１】ＩｎＧａＺｎＯ４で表される酸化物が生成していることを確認するＸＲＤの結果。」（【図面の簡単な説明】） （イ）検討 上記（甲４ａ）－（甲４ｅ）の記載によれば，甲第４号証には，非晶質のＩｎＧａＺｎＯ４膜が記載されているとはいえるものの，薄膜を，透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層として用いることは，甲第４号証には記載も示唆もされていない。 オ　甲第５号証には，次の記載がある。 （ア）記載事項 （甲５ａ）「また，同様の観点から，ＹｂＦｅ２Ｏ４構造とそのホモロガス構造を持つ酸化物群が検討されている（表４・５）。ＹｂＦｅ２Ｏ４構造を持つＩｎＧａＺｎＯ４の場合には，Ｉｎを中心に持つ酸素八面体が互いに稜共有して平面上に広がったＩｎＯ２層が伝導路となると考えられる（図４・５５）・・・（中略）・・・ＩｎＧａＺｎＯ４２５９），Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは３以上の自然数）２６２）が良好な透明導電性を有することが確認されている。」（１４９ページ６行－１５０ページ６行） （イ）検討 上記（甲５ａ）の記載によれば，甲第５号証には，ホモロガス構造を持つＩｎＧａＺｎＯ４が記載されているとはいえるものの，前記ホモロガス構造を持つＩｎＧａＺｎＯ４を，透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層として用いることは，甲第５号証には記載も示唆もされていない。 カ　甲第６号証：第４７回応用物理学関係連合講演会講演予稿集，第２分冊，５５７ページ，２８ａ－ＺＢ－１に，「新しい型のアモルファス透明導電膜ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ」（表題）との記載が， 甲第７号証：第４８回応用物理学関連連合講演会講演予稿集，第２分冊，９４６ページ，２９ｐ－ＺＬ－１０に，「アモルファス透明導電性ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ：Ｚｎ４ｓ導電体」（表題）との記載があるが，いずれの膜も，導電膜であり，当該膜を，透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層として用いることは記載も示唆もされていない。 キ　甲第８号証には，次の記載がある。 （ア）記載事項 （甲８ａ）「産業上の利用分野 本発明は光機能材料，半導体材料および触媒材料などとして有用な新規化合物であるＩｎＧａＺｎ２Ｏ５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に関する。」（１ページ右下欄２行－６行） （甲８ｂ）「この化合物は光機能材料，半導体材料及び触媒材料などとして有用なものである。例えば，蛍光体，半導体用の素子，等としての利用が挙げられる。 この化合物は次の方法によって製造し得られる。 金属インジウムあるいは酸化インジウムもしくは加熱により酸化インジウムに分解される化合物と，金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウムに分解される化合物と，金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物とを，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎの割合が原子比で１対１対２の割合で混合し，該混合物を６００℃以上で，大気中，酸化性雰囲気中あるいはＩｎおよびＧａが各々３価状態，Ｚｎが２価状態より還元されない還元雰囲気中で加熱することによって製造することができる。・・・（中略）・・・得られたＩｎＧａＺｎＭｇＯ４化合物の粉末は無色で，Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分かった。・・・（中略）・・・得られた試料はＩｎＧａＺｎ２Ｏ５単一相であった。粉末Ｘ線回折法によって・・・測定した。」（３ページ左欄１行－４ページ左上欄１４行） （イ）検討 上記（甲８ａ）－（甲８ｂ）の記載によれば，甲第８号証には，ＩｎＧａＺｎ２Ｏ５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物の粉末が記載されているとはいえるものの，そもそも，前記化合物を薄膜として形成することは甲第８号証には記載されていない。 また，ホモロガス構造を持つＩｎＧａＺｎＯ４を，半導体用の素子に利用することは記載されているものの，これを特に透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層として用いることは，甲第８号証には記載も示唆もされていない。 ク　甲第９号証（特開昭６３－２１００２２号公報）， 甲第１０号証（特開昭６３－２１００２３号公報）， 甲第１１号証（特開昭６３－２１００２４号公報）， 甲第１２号証（特開昭６３－２１５５１９号公報），及び， 甲第１３号証（特開昭６３－２６５８１８号公報）においても，甲第８号証と同様に，六方晶系の層状構造を有する化合物の粉末が記載されているとはいえるものの，そもそも，前記化合物を薄膜として形成することはそれぞれの文献には記載されていない。 また，ホモロガス構造を持つＩｎＧａＺｎＯ４を，透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層として用いることは，甲第９－１３号証には記載も示唆もされていない。 ケ　甲第１４号証：「ホモロガス相，ＩｎＦｅＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ：自然数）とその同型化合物の合成及び結晶構造」，固体物理，第２８巻，第５号，ｐ．３１７－３２７には，「２－２　実験方法　試料は，出発物質Ｉｎ２Ｏ３，Ｍ２Ｏ３およびＺｎＯ粉末を所定の混合比で混合したのち白金管内に封入し所定時間加熱後，急冷して得た。」（３１７ページ右欄１１－１４行），及び，「ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ型のホモロガス相の固溶体が存在する」（３１９ページ左欄２２行－２３行）との記載があるが，甲第１４号証には，前記固溶体を，透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層として用いることは記載されておらず，そもそも，前記固溶体は粉体であるものが記載されているだけであって，前記固溶体を単結晶薄膜として作製する方法は記載されていない。 また，ホモロガス構造を持つＩｎＧａＺｎＯ４を，透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層として用いることは，甲第１４号証には記載も示唆もされていない。 コ　甲第２４号証：第４９回応用物理学関係連合講演会講演予稿集，第２分冊，６２８頁）には，「自然超格子ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｇａ，ｍ＝自然数）単結晶薄膜の作製（Ｉ）」（３０ａ－ＹＡ－１の表題），「超格子構造を有するＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｇａ，ｍ＝自然数）は，ＩＴＯに代わる透明電極材料として提案されている。自然超格子を利用した変調ドーピングにより，一種のＨＥＭＴ構造を作り込むことによって，電子移動度を低減することなく，電子濃度を増加させられれば，ＩＴＯを凌ぐ高い導電性が発現すると考えられてきた。」（１－６行）及び，「自然超格子ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｇａ，ｍ＝自然数）単結晶薄膜の作製（ＩＩ）」（３０ａ－ＹＡ－２の表題）の記載がある。 しかしながら，甲第２４号証には，自然超格子ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｇａ，ｍ＝自然数）単結晶薄膜が記載されているとはいえるものの，甲第２４号証では，前記自然超格子ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｇａ，ｍ＝自然数）単結晶薄膜は，ＩＴＯに代わる透明電極材料として，ＩＴＯを凌ぐ高い導電性が発現する材料として提案されており，前記自然超格子ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｇａ，ｍ＝自然数）単結晶薄膜を，透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層として用いることは，甲第２４号証には記載も示唆もされていない。 サ　甲第２８号証には，次の記載がある。 （ア）記載事項 （甲２８ａ）「Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＧａ２Ｏ４－ＺｎＯ系ホモロガス化合物，Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝３，４，５），ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）３，及びＧａ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝７，８，９，１６）の合成と単結晶のデータ」（訳文の表題） （甲２８ｂ）「Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＧａ２Ｏ４－ＺｎＯ系ホモロガス化合物，Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ≧３），（ＩｎＧａＯ３）２（ＺｎＯ），ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ≧１）及びＧａ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ≧７）の相（ｍ＝自然数）を，Ｉｎ２Ｏ３，Ｇａ２Ｏ３，及びＺｎＯの粉末から１１５０～１５５０℃で合成した。温度を上昇させるとｍの値がより小さいホモロガス化合物が合成される。Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝３，４，５），ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）３，及びＧａ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ≧７，８，９，１６）の単結晶は，粉末状出発材料の混合物中の固相反応によって成長した。出発材料の混合比はモル比でＩｎ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：ｍ（１５５０℃），Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：６（１５５０℃），及びＧａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：ｍ（１４５０～１５５０℃）とした。」（訳文の１ページ本文１行－８行） （甲２８ｃ）「序論 三酸化二インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）は，透明導電性電極の作製に有用な化合物であり，酸化亜鉛（ＺｎＯ）はバリスターに用いられる。」（訳文の２ページ７－９行） （イ）検討 上記（甲２８ａ）－（甲２８ｃ）の記載によれば，甲第２８号証には，粉末状出発材料の混合物中の固相反応によって成長した，ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）３の単結晶が記載されているとはいえるものの，前記単結晶を薄膜として形成することは甲第２８号証には記載されていない。 また，甲第２８号証には，透明導電性電極の作製に有用な化合物との記載はあるが，前記単結晶を，透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層として用いることは，甲第２８号証には記載も示唆もされていない。 シ　小括 （ア）以上ア－サから，「ホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）」が，本件出願日前に知られていたことは認められる。 （イ）一方，上記摘記（甲１ｄ）には，次の記載がある。 「可視光のエネルギーはほぼ2.5 ｅＶ以上のバンドギャップを有する半導体材料に電子－正孔対を形成するには不充分であるため，この可視光は半導体材料によっては吸収されない。本発明による縮退半導体材料は透明となる。その理由は可視光の吸収が大きなバンドギャップのために不可能であり，これと同時に不純物エネルギー準位のため可視光の吸収が生じないからである。加うるに，本発明半導体材料を設けたスイッチング素子は電荷キャリアの高移動度のため比較的迅速に作動する。 前記塩基性材料は非遷移金属の共有結合酸化物を具えるようにするのが好適である。かかる金属の酸化物およびかかる金属，例えば，Ｇａ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｓｂ，Ｐｂ，ＧｅおよびＩｎの酸化物の化合物は，その移動度が10ｃｍ2／Ｖｓ以上であり，バンドギャップが2.5 ｅＶ以上である（例えば，J．Phys．Chem．Ref．Data，Vol．2，No．1，1973，P.163 ff.参照）。非遷移金属の一層イオン的な酸化物は塩基性材料としては好適ではない。その理由は電荷キャリアと結晶格子のイオンとの間に強い相互作用が働くからである。」 （ウ）そうすると，上記記載から，引用発明１において，透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層として用いる薄膜を，「『伝導帯と2.5 ｅＶ以上の電子の価電子帯との間にバンドギャップを有し，塩基性材料の価電子帯または伝導帯に，あるいはこれに隣接する固定不純物エネルギー準位を形成するドーパント原子が設けられた10ｃｍ2／Ｖｓ以上の電荷キャリアの移動度を有する塩基性材料が設けられた縮退半導体材料』であり，かつ，『前記半導体材料である，0.03％のＳｎがドープされたＩｎ2Ｏ3に対し，ドーパント原子を設けた非遷移金属の他の共有結合酸化物である，10ｃｍ２／Ｖｓ以上の移動度および2.5 ｅＶ以上のバンドギャップを有する，例えば，Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いた』もの」としたことの技術的意義は，可視光のエネルギーがほぼ2.5 ｅＶ以上のバンドギャップを有する半導体材料に電子－正孔対を形成するには不充分であるため，この可視光は半導体材料によっては吸収されず，また，Ｇａ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｓｂ，Ｐｂ，ＧｅおよびＩｎの酸化物の化合物の移動度が10ｃｍ2／Ｖｓ以上であり，電荷キャリアの高移動度のため比較的迅速に作動することにあると理解できる。 （エ）してみれば，引用発明１において，例示されている「Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物」のなかから，「0.03％のＳｎがドープされたＩｎ2Ｏ3」の「Ｉｎ2Ｏ3」に替えて用いる化合物を選択する場合には，当該選択した化合物が，前記「可視光のエネルギーがほぼ2.5 ｅＶ以上のバンドギャップを有する半導体材料に電子－正孔対を形成するには不充分であるため，この可視光は半導体材料によっては吸収されず，また，Ｇａ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｓｂ，Ｐｂ，ＧｅおよびＩｎの酸化物の化合物の移動度が10ｃｍ2／Ｖｓ以上であり，電荷キャリアの高移動度のため比較的迅速に作動すること」という性質において，優れていることを要するものと解される。 （オ）また，前記「（１）引用発明１」で検討したように，引用発明１は，「塩基性材料の価電子帯または伝導帯に，あるいはこれに隣接する固定不純物エネルギー準位を形成するドーパント原子が設けられた」ことを，発明特定事項として含むから，前記「0.03％のＳｎがドープされたＩｎ2Ｏ3」の「Ｉｎ2Ｏ3」に替えて用いる化合物には，当該化合物にドープすることで，スイッチング素子の半導体材料として用いるに充分な高さの導電度を得ることができる「ドーパント原子」が知られていることを要するものと認められる。 （カ）そこで検討すると，「Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物」のなかから選択し得る，数多くの種類の化合物において，「ホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合はｍ＝１以上５未満の整数である）」が，「可視光のエネルギーがほぼ2.5 ｅＶ以上のバンドギャップを有する半導体材料に電子－正孔対を形成するには不充分であるため，この可視光は半導体材料によっては吸収されず，また，Ｇａ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｓｂ，Ｐｂ，ＧｅおよびＩｎの酸化物の化合物の移動度が10ｃｍ2／Ｖｓ以上であり，電荷キャリアの高移動度のため比較的迅速に作動すること」という性質において，特に優れているとは，上記各甲号証のいずれの記載からも理解することはできない。 また，上記ア－サで検討したように，「ホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合はｍ＝１以上５未満の整数である）」を，透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層として用いることは，上記各甲号証のいずれにも，記載も示唆もされていない。 さらに，「ホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合はｍ＝１以上５未満の整数である）」にドープすることで，スイッチング素子の半導体材料として用いるに充分な高さの導電度を得ることができる「ドーパント原子」が知られていたことも，上記各甲号証のいずれの記載からも理解することはできないし，技術常識であったとも認められない。 （キ）すなわち，引用発明１において，「Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物」から，「ホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合はｍ＝１以上５未満の整数である）」を，選択する動機を見いだすことはできないから，引用発明１の「0.03％のＳｎがドープされたＩｎ2Ｏ3」の「Ｉｎ2Ｏ3」に替える化合物として，「ホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合はｍ＝１以上５未満の整数である）」を選択することが当業者にとって容易に想到し得たことであったとは認められない。しかも，「ホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合はｍ＝１以上５未満の整数である）」にドープすることで，スイッチング素子の半導体材料として用いるに充分な高さの導電度を得ることができる「ドーパント原子」が知られていたとは認められないから，引用発明１の「0.03％のＳｎがドープされたＩｎ2Ｏ3」の「Ｉｎ2Ｏ3」に替える化合物として，「ホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合はｍ＝１以上５未満の整数である）」を選択することには阻害事由があるといえる。 （ク）また，甲第１号証には，スイッチング素子のチャネル領域が空乏化した際には接続電極間に200kΩ以上の抵抗が得られ，スイッチング素子が導通状態となると接続電極間の抵抗値はほぼ10kΩとなること（前記３（甲１ｅ）），「オン／オフ比，即ちスイッチング素子のスイッチング中又はそうでない期間中の接続電極間の抵抗値の差」は，例えば半導体の種類を適合させることにより特殊な諸要求に適合させるべきこと（前記３（甲１ｈ））が，記載されており，透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層がスイッチング機能を果たすために適合したオン／オフ比を実現する半導体を選択することが記載されている。 すると，透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層の半導体としては，単に導電性が高いだけでなく，適合したオン／オフ比を実現するものでなくてはならない一方で，「ホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合はｍ＝１以上５未満の整数である）」が適合したオン／オフ比を実現することを記載ないし示唆する証拠はない。 （ケ）したがって，上記（ア）で判断したように，「ホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合はｍ＝１以上５未満の整数である）」が，本件出願日前に知られていたことが認められるとしても，引用発明１において，「ホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合はｍ＝１以上５未満の整数である）」を用いる動機がなく，しかも，引用発明１において，「ホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合はｍ＝１以上５未満の整数である）」を用いることには阻害事由があると認められる。 そして，本件特許発明１は，透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層として用いる薄膜を，「ホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）薄膜（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合はｍ＝１以上５未満の整数である）」としたことにより，「波長400nm以上の可視光・赤外光に対して透明である」透明薄膜電界効果型トランジスタが得られるという効果を奏するといえる。 （コ）したがって，引用発明１において，本件特許発明１の相違点１に係る構成とすることは，当業者にとって容易に想到し得たものとはいえない。 ス　さらに，「ホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）薄膜（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合はｍ＝１以上５未満の整数である）」において，Ｍ＝Ｉｎの場合について検討する。 （ア）甲第５号証には，「第４章　透明導電膜の材料にはどんなものがあるか　４・１　透明導電膜材料の特質　透明導電膜とは，・・・（中略）・・・電気伝導度が高い（比抵抗が約１×１０－３Ω・ｃｍ以下）の二つの性質を併せ持つ薄膜のことである。・・・（中略）・・・ある程度十分な導電性を持つ代表的な電気伝導性酸化物薄膜としては・・・（中略）・・・Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ系１２）などが報告されている。」(７９頁１－２０行），「Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ系」（８０頁の表４・１），「Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）５（バルク）　３．７×１０－３Ω・ｃｍ」（１４９頁の表４・５），及び「焼結体試料を用いた実験により，Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ」のｍの値を大きくするにつれて，ギャップ幅が広がり，抵抗率が増大することが示された。・・・（中略）・・・スパッタ膜で１．３×１０－３Ω・ｃｍ・・・（中略）・・・という値が得られている。」（１５０頁６行－１５１頁４行）と記載されている。 （イ）甲第１４号証には，「Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）３，・・・（中略）・・・（格子定数は，粉末Ｘ線回折法により決定された値である。）」（３２１頁の第１表）と記載されている。 （ウ）甲第２８号証には，「Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）３」（表題の一部）と記載されている。 （エ）上記（ア）－（ウ）から，甲第５号証，甲第１４号証及び甲第２８号証には，Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍが記載されているとはいえる。 しかしながら，上記「シ　小括」で検討した理由は，「ホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）薄膜（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合はｍ＝１以上５未満の整数である）」において，Ｍ＝Ｉｎの場合においても妥当するから，引用発明１において，本件特許発明１の相違点１に係る構成とすることは，当業者にとって容易に想到し得たものとはいえない。 （オ）したがって，甲第５号証，甲第１４号証及び甲第２８号証に記載によっても，引用発明１において，本件特許発明１の相違点１に係る構成とすることは，当業者にとって容易に想到し得たものとはいえない。 セ　また，審判請求人は，特願２００７－５０２８４８号の審査経過を，甲第１５号証－甲第２３号証として示し，本件特許発明１等には，甲第１５号証－甲第２３号証に記載された上記出願の判断が同様に適用されるべきものである旨を主張するが，当該特願２００７－５０２８４８号と，本件とは，発明を異にする別の出願であり，当合議体が，特願２００７－５０２８４８号の審査経過における判断に拘束される理由はないから，本件特許発明１等には，甲第１５号証－甲第２３号証に記載された上記出願の判断が同様に適用されるべきものであるとする請求人の主張は採用し得ない。 ５　本件特許発明２及び４について （ア）本件特許発明２及び４は，「第３　本件特許発明」で認めたとおりであり，再掲すると，以下のとおりである。 「【請求項２】 表面が原子レベルで平坦である単結晶又はアモルファスホモロガス化合物薄膜を用いることを特徴とする請求項１記載の透明薄膜電界効果型トランジスタ。」 「【請求項４】 ホモロガス化合物がガラス基板上に形成されたアモルファス薄膜であることを特徴とする請求項１記載の透明薄膜電界効果型トランジスタ。」 （イ）当審の判断 本件特許発明２及び４は，いずれも本件特許発明１に発明特定事項を追加して，より限定した発明である。 そして，上記「４　当審の判断」で検討したように，引用発明１において，本件特許発明１の相違点１に係る構成とすることは，当業者にとって容易に想到し得たものとはいえない。 そうすると，本件特許発明１に発明特定事項を追加して，より限定した発明である本件特許発明２及び４もまた同様に，当業者にとって容易に想到し得たものとはいえないものといえる。 ６ 無効理由１のまとめ 以上のとおりであるから，本件特許発明１，２及び４が，引用発明１に公知技術を適用して当業者が容易に想到することができたとはいえない。 よって，本件特許発明１，２及び４について，無効理由１は，理由がない。 第８　無効理由２について １　最初に，本件特許発明１についての特許が，無効とすべきものであるかについて検討する。 ２　本件特許発明１について 本件特許発明１は，上記「第３　本件特許発明」で認めたとおりである。 ３　甲第１号証に記載された発明 甲第１号証に記載された発明は，上記「第７　無効理由１について　３　甲第１号証に記載された発明」で認めたとおりである。 ４　当審の判断 （１）引用発明１ 引用発明１は，上記「第７　無効理由１について　４　当審の判断　（１）引用発明１」で認めたとおりである。 （２）対比 本件特許発明１と，引用発明１との一致点，及び，相違点は，上記「第７　無効理由１について　４　当審の判断　（２）対比」で認めたとおりであり，再掲すると次のとおりである。 ＜一致点＞ 薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ。 ＜相違点＞ ・相違点１：透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層として用いられる薄膜が，本件特許発明１では，「ホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）薄膜（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合はｍ＝１以上５未満の整数である）」であるのに対して，引用発明１では，「『伝導帯と2.5 ｅＶ以上の電子の価電子帯との間にバンドギャップを有し，塩基性材料の価電子帯または伝導帯に，あるいはこれに隣接する固定不純物エネルギー準位を形成するドーパント原子が設けられた10ｃｍ2／Ｖｓ以上の電荷キャリアの移動度を有する塩基性材料が設けられた縮退半導体材料』であり，かつ，『前記半導体材料である，0.03％のＳｎがドープされたＩｎ2Ｏ3に対し，ドーパント原子を設けた非遷移金属の他の共有結合酸化物である，10ｃｍ２／Ｖｓ以上の移動度および2.5 ｅＶ以上のバンドギャップを有する，例えば，Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いた』もの」である点。 （３）相違点についての判断 上記「第７　無効理由１について　４　当審の判断　（２）対比」での検討と同様の理由により，無効理由２における，請求人の主張する，一致点の認定，及び，相違点の認定は，適切なものとは認められないが，引用発明１において，上記相違点１について，無効理由２において証拠として示された甲第３号証－甲第５号証，甲第８号証，甲第１４号証，甲第２４号証，及び甲第２８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得た場合には，本件特許発明１には，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものとなる。 そして，「第７　無効理由１について　４　当審の判断　（３）相違点についての判断」での検討と同様の理由により，上記相違点１に係る構成とすることは，甲第３号証－甲第５号証，甲第１４号証，甲第２４号証，及び甲第２８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものとはいえない。 そこで，相違点１に係る構成とすることが，甲第８号証に基づいて当業者が容易に想到し得たものであるかについて，以下，検討する。 ・相違点１について ア　甲第８号証には，上記「第７　無効理由１について　４　当審の判断　（３）相違点についての判断　相違点１について　キ　（ア）」に摘記した事項が記載されており，再掲すると次のとおりである。 （ア）記載事項 （再掲）（甲８ａ）「産業上の利用分野 本発明は光機能材料，半導体材料および触媒材料などとして有用な新規化合物であるＩｎＧａＺｎ２Ｏ５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に関する」（１ページ右下２行－６行） （再掲）（甲８ｂ）「この化合物は光機能材料，半導体材料及び触媒材料などとして有用なものである。例えば，蛍光体，半導体用の素子，等としての利用が挙げられる。 この化合物は次の方法によって製造し得られる。金属インジウムあるいは酸化インジウムもしくは加熱により酸化インジウムに分解される化合物と，金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウムに分解される化合物と，金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物とを，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎの割合が原子比で１対１対２の割合で混合し，該混合物を６００℃以上で，大気中，酸化性雰囲気中あるいはＩｎおよびＧａが各々３価状態，Ｚｎが２価伏態より還元されない還元雰囲気中で加熱することによって製造することができる。・・・（中略）・・・得られたＩｎＧａＺｎＭｇＯ４化合物の粉末は無色で，Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分かった。・・・（中略）・・・得られた試料はＩｎＧａＺｎ２Ｏ５単一相であった。粉末Ｘ線回折法によって・・・測定した。」（３ページ左欄１行－４ページ左上欄１４行） （イ）検討 上記「第７　無効理由１について」において摘記した，甲第４号証，甲第５号証，甲第１４号証及び甲第２８号証の記載事項から，上記甲第８号証の「ＩｎＧａＺｎ２Ｏ５」が，ホモロガス化合物であると解され，また，上記（甲８ａ）－（甲８ｂ）の記載によれば，甲第８号証には，酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）及び酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）から形成された化合物ＩｎＧａＺｎ２Ｏ５が記載され，加えて，当該化合物が半導体材料として有用であること，及び半導体用の素子として利用することが記載されているとはいえるものの，そもそも，甲第８号証においては，当該ＩｎＧａＺｎ２Ｏ５化合物は粉末として得られているだけであって，前記化合物を単結晶薄膜として形成することは甲第８号証には記載されていない。 したがって，引用発明１において，「『伝導帯と2.5 ｅＶ以上の電子の価電子帯との間にバンドギャップを有し，塩基性材料の価電子帯または伝導帯に，あるいはこれに隣接する固定不純物エネルギー準位を形成するドーパント原子が設けられた10ｃｍ2／Ｖｓ以上の電荷キャリアの移動度を有する塩基性材料が設けられた縮退半導体材料』であり，かつ，『前記半導体材料である，0.03％のＳｎがドープされたＩｎ2Ｏ3に対し，ドーパント原子を設けた非遷移金属の他の共有結合酸化物である，10ｃｍ２／Ｖｓ以上の移動度および2.5 ｅＶ以上のバンドギャップを有する，例えば，Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いた』もの」に替えて，甲第８号証に記載された「ＩｎＧａＺｎ２Ｏ５」とすることは，当業者が容易に想到し得たことであるとは認められない。 請求人は，審判請求書２７ページ１０－２０行において，「なお，本件特許発明１は物の発明ではあるが，作製方法に関する検討についても以下に補足する。甲第１号証には，化合物材料をレーザ堆積法又はＭＢＥ法などにより「チャネル領域となる層４」として堆積させることが記載されている（１０頁２３行－２７行，１７頁８行－１２行）。また，ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ膜を，本件特許明細書中に記載されたパルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ法）などで堆積させることは，甲第３号証（訳文の４頁２行－５行）又は甲第２４号証（３０ａ－ＹＡ－１，３０ａ－ＹＡ－２）に記載のように，周知技術である。したがって，作製方法を鑑みても，本件特許発明１は当業者が容易に想到できたものと認められる。」と主張する。 しかしながら，甲第３号証，及び，甲第２４号証において作製されているＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ膜は，いずれも，透明電極材料として用いることが想定されているものといえる。 そうすると，仮に，甲第８号証に記載されたＩｎＧａＺｎ２Ｏ５化合物を，粉末でなく薄膜とすることができたとしても，前記薄膜を，半導体用の素子として利用する場合には，せいぜい，半導体用の素子の透明電極材料として用いることが想定されるだけであって，前記薄膜を，透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層として用いることにまで思い至るとはいうことはできない。 しかも，甲第８号証に記載された，「金属インジウムあるいは酸化インジウムもしくは加熱により酸化インジウムに分解される化合物と，金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウムに分解される化合物と，金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物とを，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎの割合が原子比で１対１対２の割合で混合し，該混合物を６００℃以上で，大気中，酸化性雰囲気中あるいはＩｎおよびＧａが各々３価状態，Ｚｎが２価状態より還元されない還元雰囲気中で加熱することによって製造」した化合物を，仮に薄膜とすることができたとしても，当該化合物の電気的な特性は，甲第８号証の記載からは明らかではないから，当該化合物を，引用発明１の，「『伝導帯と2.5 ｅＶ以上の電子の価電子帯との間にバンドギャップを有し，塩基性材料の価電子帯または伝導帯に，あるいはこれに隣接する固定不純物エネルギー準位を形成するドーパント原子が設けられた10ｃｍ2／Ｖｓ以上の電荷キャリアの移動度を有する塩基性材料が設けられた縮退半導体材料』であり，かつ，『前記半導体材料である，0.03％のＳｎがドープされたＩｎ2Ｏ3に対し，ドーパント原子を設けた非遷移金属の他の共有結合酸化物である，10ｃｍ２／Ｖｓ以上の移動度および2.5 ｅＶ以上のバンドギャップを有する，例えば，Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いた』もの」として用いて，電荷キャリアの高移動度のため比較的迅速に作動する透明薄膜電界効果型トランジスタとなすことには，動機付けを見いだすことができない。 さらに，上記「無効理由１について」で検討したように，引用発明１において，透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層として用いる薄膜を，「『伝導帯と2.5 ｅＶ以上の電子の価電子帯との間にバンドギャップを有し，塩基性材料の価電子帯または伝導帯に，あるいはこれに隣接する固定不純物エネルギー準位を形成するドーパント原子が設けられた10ｃｍ2／Ｖｓ以上の電荷キャリアの移動度を有する塩基性材料が設けられた縮退半導体材料』であり，かつ，『前記半導体材料である，0.03％のＳｎがドープされたＩｎ2Ｏ3に対し，ドーパント原子を設けた非遷移金属の他の共有結合酸化物である，10ｃｍ２／Ｖｓ以上の移動度および2.5 ｅＶ以上のバンドギャップを有する，例えば，Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いた』もの」としたことの技術的意義は，可視光のエネルギーがほぼ2.5 ｅＶ以上のバンドギャップを有する半導体材料に電子－正孔対を形成するには不充分であるため，この可視光は半導体材料によっては吸収されず，また，Ｇａ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｓｂ，Ｐｂ，ＧｅおよびＩｎの酸化物の化合物の移動度が10ｃｍ2／Ｖｓ以上であり，電荷キャリアの高移動度のため比較的迅速に作動することにあると理解できるから，引用発明１において，例示されている「Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物」のなかから，「0.03％のＳｎがドープされたＩｎ2Ｏ3」の「Ｉｎ2Ｏ3」に替えて用いる化合物を選択する場合には，当該選択した化合物が，前記「可視光のエネルギーがほぼ2.5 ｅＶ以上のバンドギャップを有する半導体材料に電子－正孔対を形成するには不充分であるため，この可視光は半導体材料によっては吸収されず，また，Ｇａ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｓｂ，Ｐｂ，ＧｅおよびＩｎの酸化物の化合物の移動度が10ｃｍ2／Ｖｓ以上であり，電荷キャリアの高移動度のため比較的迅速に作動すること」という性質において，優れていることを要するとともに，さらに適合するオン／オフ比を実現するものであり，かつ，前記「0.03％のＳｎがドープされたＩｎ2Ｏ3」の「Ｉｎ2Ｏ3」に替えて用いる化合物にドープすることで，スイッチング素子の半導体材料として用いるに充分な高さの導電度を得ることができる「ドーパント原子」が知られていることを要するものと認められる。 しかし，引用発明１において，「Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物」から，甲第８号証の「ＩｎＧａＺｎ２Ｏ５」を，特に選択する動機を見いだすことはできず，さらに，前記「ＩｎＧａＺｎ２Ｏ５」にドープすることで，スイッチング素子の半導体材料として用いるに充分な高さの導電度を得ることができる「ドーパント原子」が知られていたとは認められないから，「0.03％のＳｎがドープされたＩｎ2Ｏ3」の「Ｉｎ2Ｏ3」に替える化合物として，甲第８号証の「ＩｎＧａＺｎ２Ｏ５」を選択することは，容易に想到し得たことではなく，しかも，阻害事由があるといえる。 そして，本件特許発明１は，透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層として用いる薄膜を，「ホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）薄膜」としたことにより，「波長400nm以上の可視光・赤外光に対して透明である」透明薄膜電界効果型トランジスタが得られるという効果を奏するといえる。 したがって，引用発明１において，本件特許発明１の相違点１に係る構成とすることは，当業者にとって容易に想到し得たものとはいえない。 ５　本件特許発明２及び４について （ア）本件特許発明２及び４は，上記「第３　本件特許発明」で認めたとおりである。 （イ）当審の判断 本件特許発明２及び４は，いずれも本件特許発明１に発明特定事項を追加して，より限定した発明である。 そして，上記「４　当審の判断」で検討したように，引用発明１において，本件特許発明１の相違点１に係る構成とすることは，当業者にとって容易に想到し得たものとはいえない。 そうすると，本件特許発明１に発明特定事項を追加して，より限定した発明である本件特許発明２及び４もまた同様に，当業者にとって容易に想到し得たものとはいえないものといえる。 ６　無効理由２についてのまとめ 以上のとおりであるから，本件特許発明１，２及び４が，引用発明１に公知技術を適用して当業者が容易に想到することができたとはいえない。 よって，本件特許発明１，２及び４について，無効理由２は，理由がない。 第９　無効理由３について １　最初に，本件特許発明１についての特許が，無効とすべきものであるかについて検討する。 ２　本件特許発明１ 本件特許発明１は，上記「第３　本件特許発明」で認めたとおりである。 ３　甲第２号証に記載された発明 甲第２号証には，「薄膜トランジスタ」（発明の名称）に関して，図１－６とともに，以下の事項が記載されている。 （甲２ａ）「【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上記従来の薄膜トランジスタにおいては，半導体活性層にアモルファスシリコンを用いていることから，半導体活性層に光が当たると導電性を持ってスイッチング素子の特性が劣化するという問題点があった。」（【０００４】） （甲２ｂ）「本発明は上記実情に鑑みて為されたもので，半導体層としてアモルファスシリコンよりバンドギャップの大きい透明材質の半導体を使うことで光に影響されず，更に開口率を増大させることができる薄膜トランジスタを提供することを目的とする。」（【０００７】） （甲２ｃ）「【課題を解決するための手段】上記従来例の問題点を解決するための請求項１記載の発明は，ゲート電極とゲート絶縁膜とソース電極とドレイン電極と半導体層とを有する薄膜トランジスタにおいて，前記半導体層の伝導帯と価電子帯とのエネルギバンドギャップが３ｅＶ以上で，前記半導体層を透光性膜としたことを特徴としている。」（【０００８】） （甲２ｄ）「【作用】請求項１記載の発明によれば，半導体層の伝導帯と価電子帯とのエネルギバンドギャップが３ｅＶ以上で，半導体層を透光性膜とした薄膜トランジスタとしているので，光が透過した場合でも導電性が変化しにくくなる。」（【００１０】） （甲２ｅ）「（中略）膜中の酸素濃度を調整し，半導体活性層８となるＩＴＯ膜をスパッタリングにより５００オングストローム程度着膜する。具体的には，着膜時の酸素ガス濃度を１％以上にしてスパッタリングを行うことで実現することができる。このとき，ＩＴＯ膜のキャリア濃度が１０18個・ｃｍ-3以下となれば，縮退が解け半導体としてのＩＴＯ膜（半導体活性層８）が実現される。」（【００１５】及び【００１６】） （甲２ｆ）「一般にＩＴＯなどの酸化物の透明導電膜は，膜中の酸素量を変化させることにより膜の導電率を変化させることができるものである。これは，化学量論的組成からのずれ（酸素欠損）によりキャリアが発生していることによる。」（【００１９】） （甲２ｇ）「ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）膜の電気抵抗率のスパッタ時での酸素濃度依存性は，図２に示すような特性をもっているので，Ａｒガスと酸素ガスとを用いた反応性スパッタリングにおいて，酸素ガスの割合（Ｏ２／Ａｒ＋Ｏ２）を１％以上にすれば，ＩＴＯ膜における電気抵抗率（ρ［Ω・ｃｍ］）を増加させることができ，ＩＴＯ膜の導電性を低下するように制御できるものである。」（【００２０】） （甲２ｈ）「実施例１の薄膜トランジスタによれば，従来透明電極として用いられていたＩＴＯ膜の膜中の酸素量を増加させることにより，膜中のキャリア濃度を１０１８個・ｃｍ－３以下に制御して導電性を低下させ，半導体活性層８にＩＴＯ膜を使用することで，光に影響されず，素子特性を向上できる効果がある。」（【００２２】） ４　当審の判断 （１）引用発明２ 上記摘記（甲２ａ）－（甲２ｈ）の記載を総合すると，甲第２号証には，次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。 「ゲ－ト電極とゲート絶縁膜とソ－ス電極とドレイン電極と半導体層とを有する薄膜トランジスタにおいて，前記半導体層のキャリア濃度が１０18個・ｃｍ-3以下で，かつ前記半導体層を透光性膜としたことを特徴とする薄膜トランジスタにおいて， Ａｒガスと酸素ガスとを用いた反応性スパッタリングにおいて，着膜時の酸素ガスの割合（Ｏ２／Ａｒ＋Ｏ２）を１％以上として，従来透明電極として用いられていた，酸化物の透明導電膜である，ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）膜の膜中の酸素量を増加させることで，着膜した前記ＩＴＯ膜の化学量論的組成からのずれ（酸素欠損）により発生しているキャリアを減らして，前記ＩＴＯ膜のキャリア濃度を１０１８個・ｃｍ－３以下に制御し，縮退を解いて導電性を低下させ，半導体としてのＩＴＯ膜（半導体活性層）を実現した薄膜トランジスタ。」 なお，甲第２号証において，キャリア濃度を１０１８個・ｃｍ－３以下に制御し，縮退を解いて導電性を低下させ，半導体としての透光性膜が実現できたことを確認したのは，ＩＴＯ膜に限られており，同号証に記載されていると認められる引用発明２はＩＴＯ膜を用いたものに限られる。 （２）対比 本件特許発明１と引用発明２とを対比する。 ア　引用発明２における「ＩＴＯ膜」が，「薄膜」であることは当業者にとって明らかである。 イ　また，引用発明２における「薄膜トランジスタ」は，上記摘記（甲２ｃ）を勘案すると，「電界効果型トランジスタ」であることは当業者にとって明らかである。さらに，引用発明２における「薄膜トランジスタ」は，上記摘記（甲２ｃ），（甲２ｆ），及び，（甲２ｈ）を勘案すると，「ＩＴＯ膜」を半導体活性層８に使用した薄膜トランジスタであるから，「透明薄膜トランジスタ」であることは当業者にとって明らかである。 すなわち，引用発明２における「薄膜トランジスタ」は，本件特許発明１における「透明薄膜電界効果型トランジスタ」に相当する。 したがって，上記ア，イを考慮すると，本件特許発明１と引用発明２との一致点及び相違点は次のとおりである。 ＜一致点＞ 「酸化物の透明薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ。」 ＜相違点＞ ・相違点２：透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層として用いられる薄膜が，本件特許発明１では，「ホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）薄膜（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合はｍ＝１以上５未満の整数である）」であるのに対して，引用発明２では，「「Ａｒガスと酸素ガスとを用いた反応性スパッタリングにおいて，着膜時の酸素ガスの割合（Ｏ２／Ａｒ＋Ｏ２）を１％以上として，従来透明電極として用いられていた，酸化物の透明導電膜である，ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）膜の膜中の酸素量を増加させることで，着膜した前記ＩＴＯ膜の化学量論的組成からのずれ（酸素欠損）により発生しているキャリアを減らして，前記ＩＴＯ膜のキャリア濃度を１０１８個・ｃｍ－３以下に制御し，縮退を解いて導電性を低下させ」た半導体としてのＩＴＯ膜（半導体活性層）」である点。 （３）相違点についての判断 ・相違点２について ア　記載事項 （ア）甲第３号証には，以下の事項が記載されている。 （甲３ｅ）「アモルファス透明導電性酸化物 ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ≦４）：Ｚｎ４ｓ導電体」（甲第３号証の訳文の表題） （再掲）（甲３ｄ）「表１は室温におけるアモルファスＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ膜の電気輸送パラメータを示している。ドーピングは意図的に行わなかったが，移動度１２～２０ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１，キャリア密度１０１９～１０２０ｃｍ－３で１７０～４００Ｓｃｍ－１の伝導率が得られた。おそらくＯ欠損の影響であると考えられる。」（訳文の１０頁１０行－１３行） （甲３ｆ）「表１　アモルファスＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ膜の光学的および電気的特性」（訳文の１１頁の表１の表題） （甲３ｇ）訳文の１１ページの表１から，組成が，ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）であるアモルファス薄膜の電気的特性が，バンドギャップ：３．００ｅＶ，キャリア密度：０．７７×１０２０ｃｍ－３，導電率：２６０Ｓｃｍ－１であることを読み取ることができる。 （イ）甲第５号証には，以下の事項が記載されている。 （再掲）（甲５ａ）「また，同様の観点から，ＹｂＦｅ２Ｏ４構造とそのホモロガス構造を持つ酸化物群が検討されている（表４・５）。ＹｂＦｅ２Ｏ４構造を持つＩｎＧａＺｎＯ４の場合には，Ｉｎを中心に持つ酸素八面体が互いに稜共有して平面上に広がったＩｎＯ２層が伝導路となると考えられる（図４・５５）・・・（中略）・・・ＩｎＧａＺｎＯ４２５９），Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは３以上の自然数）２６２）が良好な透明導電性を有することが確認されている。」（１４９ページ６行－１５０ページ６行） （甲５ｂ）「ある程度十分な導電性を持つ代表的な電気伝導性酸化物薄膜としてはＩｎ２Ｏ３１），２），ＳｎＯ２３），４），ＺｎＯ５），６），ＣｄＯ７），８），ＣｄＩｎ２Ｏ４９），Ｃｄ２ＳｎＯ４１０），１１），Ｚｎ２ＳｎＯ４，Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ系１２）などが報告されている。これらの酸化物半導体は，３ｅＶ以上のバンドギャップを持つため，電子のバンド間遷移による光吸収は３５０～４００ｎｍ以上のエネルギーである紫外領域で生じ可視光領域では生じない。可視域の光のエネルギーでは，価電子帯の電子をバンドギャップを超えて伝導帯まで励起するのに不十分だからである。そのため可視域で透明となる。」（７９ページ下６行－８０ページ１行） （甲５ｃ）１４９ページの表４・５は，「透明導電性金属酸化物の結晶構造と電気的・光学的性質」を表題とする表であって，同表には，透明導電性金属酸化物の結晶構造と物質名について，結晶構造が「スピネル」の物質名として「ＣｄＩｎ２Ｏ４，ＭｇＩｎ２Ｏ４(バルク)，ＭｇＩｎ２Ｏ４，ＭｇＩｎ２Ｏ４：Ｈ，ＭｇＩｎ２Ｏ４：Ｌｉ，ＺｎＧａ２Ｏ４(バルク)，ＣｄＧａ２Ｏ４(バルク)，Ｚｎ２ＳｎＯ４」が，結晶構造が「ＹｂＦｅ２Ｏ４」の物質名として「ＩｎＧａＭｇＯ４(バルク)，ＩｎＧａＺｎＯ４(バルク)，ＩｎＧａＺｎＯ４，Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）３(バルク)，Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）５」が，結晶構造が「β-Ｇａ２Ｏ３」の物質名として「Ｇａ２Ｏ３(単結晶)，ＧａＩｎＯ３：Ｓｎ」が，結晶構造が「パイロクロア」の物質名として「ＡｇＳｂＯ３，Ｃｄ２(１－ｘ)Ｙ２ｘＳｂ２Ｏ７」が，結晶構造が「オリヴィン」の物質名として「Ｃｄ２ＧｅＯ４，Ｃｄ２ＧｅＯ４：Ｉｎ」が，結晶構造が「デラフォサイト」の物質名として「ＡｇＩｎＯ２」が，結晶構造が「Ｓｒ２ＰｂＯ４」の物質名として「Ｃｄ２ＳｎＯ４」が，結晶構造が「イルメナイト」の物質名として「ＣｄＳｎＯ３」が，結晶構造が「Ｎａ２ＳｉＦ６」の物質名として「Ｉｎ２ＴｅＯ６」が，結晶構造が「ペロブスカイト」の物質名として「ＺｎＳｎＯ３」が，結晶構造が「その他」の物質名として「Ｚｎ２Ｉｎ２Ｏ５，Ｚｎ０．６６Ｉｎ２Ｏ３．６６，Ｚｎ１．２Ｉｎ１．９Ｓｎ０．１Ｏ４．２５」が，それぞれ開示されるとともに，ＩｎＧａＺｎＯ４（バルク）の電気的特性が，バンドギャップ：３．５ｅＶ，キャリヤ濃度：５．２×１０１９ｃｍ－３，抵抗率：７．３×１０－３Ω・ｍであること，ＩｎＧａＺｎＯ４の電気的特性が，バンドギャップ：３．５ｅＶ，キャリア密度：１．２×１０２０ｃｍ－３，抵抗率：２×１０－３Ω・ｍであること，及び，Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）５の電気的特性が，バンドギャップ：３．１ｅＶ，キャリア密度：１．９×１０２０ｃｍ－３，抵抗率：１．３×１０－３Ω・ｍであることを読み取ることができる。 （ウ）甲第４号証には，以下の事項が記載されている。 （再掲）（甲４ａ）「本発明の製造方法においては，例えば，ターゲットとしてIn:Ga:Zn=1:1:1の焼結体を用いた場合，6.2×10-3[Ωcm]の薄膜を容易に得ることができる。この場合，高導電性の主因は非晶質物質にも関わらず移動度が10以上と高い値を示すことによる。また，ターゲットとしてZn成分を増加させたホモロガスIGZO InGaO3(ZnO)m(m:2以上の整数)の焼結体を用いた場合，4. 3×10-3[Ωcm]の抵抗率を有する薄膜を容易に得ることができる。この理由はキャリア濃度が指数関数的増大傾向を示すのに対し，移動度がほとんど変化しないことに起因する。」（【００３４】） （再掲）（甲４ｂ）「ホモロガスＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍの場合は，Ｉｎ２Ｏ３，Ｇａ２Ｏ３，ＺｎＯの各粉末を，含有金属の比率が１：１：ｍ（ｍは２以上の整数）となるように秤量した。」（【００４１】） （再掲）（甲４ｃ）「２．成膜 以下に実施例としてレーザーアブレーション法を用いる成膜法を示す。 実施例１ 上で作成した焼結体のうち，Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１の焼結体の表面を研磨し，金属Ｉｎでインコネル製のホルダーに固定した。・・・ターゲットから３０ｍｍ直上に１０ｍｍ角で厚さ０．５ｍｍの石英ガラス基板を設置し，膜厚が均等となるように自転させながら３０分プルーム中に曝すことにより，約３００ｎｍの薄膜を得た。組成比は蛍光Ｘ線法により得た。膜が均一な非晶質であることはＸＲＤより確認した（図１）。吸収端は試料の透過及び反射スペクトルから光学定数を計算することから求めた。電気特性はファンデアパウ法によるＨａｌｌ効果測定により求めた。」（【００４２】） （再掲）（甲４ｄ）【００４３】の表１には， 流量：１５ＣＣＭ（全圧０．６Ｐａ）であるときに，抵抗率：６．５×１０－３Ω・ｃｍ，キャリア密度：８．３×１０１９／ｃｍ３， 流量：２０ＣＣＭ（全圧０．８Ｐａ）であるときに，抵抗率：６．２×１０－３Ω・ｃｍ，キャリア密度：８．５×１０１９／ｃｍ３， 流量：２５ＣＣＭ（全圧１．０Ｐａ）であるときに，抵抗率：８．８×１０－３Ω・ｃｍ，キャリア密度：４．８×１０１９／ｃｍ３， であることが示されている。 （再掲）（甲４ｅ）「【図１】ＩｎＧａＺｎＯ４で表される酸化物が生成していることを確認するＸＲＤの結果。」（【図面の簡単な説明】） （エ）甲第１４号証には，以下の事項が記載されている。 （甲１４ａ）「ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ型のホモロガス相の固溶体が存在する。」（３１９ページ左欄２２行－２３行） （オ）甲第２８号証には，以下の事項が記載されている。 （再掲）（甲２８ａ）「Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＧａ２Ｏ４－ＺｎＯ系ホモロガス化合物，Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝３，４，５），ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）３，及びＧａ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝７，８，９，１６）の合成と単結晶のデータ」（訳文の表題） （再掲）（甲２８ｂ）「Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＧａ２Ｏ４－ＺｎＯ系ホモロガス化合物，Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ≧３），（ＩｎＧａＯ３）２（ＺｎＯ），ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ≧１）及びＧａ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ≧７）の相（ｍ＝自然数）を，Ｉｎ２Ｏ３，Ｇａ２Ｏ３，及びＺｎＯの粉末から１１５０～１５５０℃で合成した。温度を上昇させるとｍの値がより小さいホモロガス化合物が合成される。Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝３，４，５），ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）３，及びＧａ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ≧７，８，９，１６）の単結晶は，粉末状出発材料の混合物中の固相反応によって成長した。出発材料の混合比はモル比でＩｎ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：ｍ（１５５０℃），Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：６（１５５０℃），及びＧａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：ｍ（１４５０～１５５０℃）とした。」（訳文の１ページ本文１行－８行） （カ）さらに，ＩＴＯ膜以外の酸化物薄膜においても，酸素欠損量が導電率に寄与することは，以下に記載されている。 ・甲第２号証の（甲２ｆ）（再掲）「一般にＩＴＯなどの酸化物の透明導電膜は，膜中の酸素量を変化させることにより膜の導電率を変化させることができるものである。これは，化学量論的組成からのずれ（酸素欠損）によりキャリアが発生していることによる。」（【００１９】）， ・甲第３号証の上記摘記（甲３ｃ）（再掲）「表１は室温におけるアモルファスＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ膜の電気輸送パラメータを示している。ドーピングは意図的に行わなかったが，移動度１２～２０ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１，キャリア密度１０１９～１０２０ｃｍ－３で１７０～４００Ｓｃｍ－１の伝導率が得られた。おそらくＯ欠損の影響であると考えられる。」（訳文の１０頁２行－５行）， ・甲第２９号証の「第１の態様の酸化物の具体例として，一般式Ｉｎ2 Ｇａ2 ＺｎＯ7-d で表され，かつ酸素欠損量ｄが２．１×１０-4～０．７の範囲である導電性酸化物を挙げることができる。酸素欠損量ｄが１×１０-4未満では電気伝導率が低くなり過ぎて，実用的な導電性を得ることはできない。一方，酸素欠損量ｄが１を超えると可視光を吸収するようになることから，好ましくない。酸素欠損量ｄの範囲は，好ましくは７×１０-3～０．７の範囲であり，より好ましくは７×１０-2～０．７の範囲である。」（【００１９】）， 「一般式Ｍ（１）Ｍ（２）ＩｎＯ4 で表わされる本発明の導電性酸化物は，一般式Ｍｇa Ｚｎ1-a Ａ１b Ｇａ1-b ＩｎＯ4 で表すこともでき，式中ａは０～１の範囲であり，ｂは０～１の範囲である。 Ｍｇa Ｚｎ1-a Ａ１b Ｇａ1-b ＩｎＯ4 で表わされる本発明の導電性酸化物の具体例としては，例えばＭｇＡ１ＩｎＯ4 ，ＺｎＡ１ＩｎＯ4 ，ＭｇＧａＩｎＯ4 ，ＺｎＧａＩｎＯ4 ，Ｍｇa Ｚｎ1-a Ａ１ＩｎＯ4 ，Ｍｇa Ｚｎ1-a ＧａＩｎＯ4 ，ＭｇＡ１b Ｇａ1-b ＩｎＯ4 ，ＺｎＡ１b Ｇａ1-b ＩｎＯ4 を挙げることができる。式中のａ及びｂは，導電性酸化物に要求される光学的特性及び導電性を考慮して，組成により適宜決定することができる。 上記の導電性酸化物は，酸素欠損量ｄが１．２×１０-4～０．４の範囲である。この範囲の酸素欠損量であることで，電極等として良好に用いることができる材料を提供することができる。酸素欠損量ｄは，電気伝導性と透明性のバランスという観点からは，好ましくは４×１０-3～０．４の範囲であり，より好ましくは４×１０-2～０．４の範囲である。」（【００２８】，【００２９】）， 「本発明の第２の態様の導電性酸化物 本発明の第２の態様の導電性酸化物において，一般式Ｍ（１）x Ｍ（２）y Ｉｎz Ｏ(x+3y/2+3z/2)-d の式中，Ｍ（１），Ｍ（２），比率（ｘ：ｙ）及び比率（ｚ：ｙ）については，前記本発明の第１の態様の導電性酸化物と同様である。さらに，本発明の第２の態様の導電性酸化物においては，Ｍ（１），Ｍ（２）及びＩｎのうちの少なくとも１種の元素の一部が，他の元素で置換されており，Ｍ（１）と置換される元素は原子価が２価以上であり，Ｍ（２）及びＩｎと置換される元素は原子価が３価以上である。Ｍ（１），Ｍ（２）及びＩｎの少なくとも一つの元素の一部を他の元素と置換することにより，酸化物に電子を注入することができる。本発明の第２の態様の導電性酸化物では，酸素欠損を導入すること以外に，金属イオンの一部を別の金属イオンで置換することによりキャリア電子が伝導帯に注入されて，導電性を発現させることができる。 Ｍ（１）で表されるＭｇ及びＺｎは，２価の元素であり，これらと置換可能な元素は，原子価が２価以上の元素である。原子価が高い元素程少量の置換で，より大きいキャリア注入量を与えることが可能である。置換可能な元素の原子価は通常２価，３価，４価，５価又は６価である。原子価が２価以上の元素としては，例えば，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｃｄ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｐｏを挙げることができる。 Ｍ（２）で表されるＡ１，Ｇａ及びＩｎは３価の元素であり，これらと置換可能な元素は，原子価が３価以上の元素である。原子価が高い元素程少量の置換で，より大きいキャリア注入量を与えることが可能である。置換可能な元素はの原子価は通常３価，４価，５価又は６価である。原子価が３価以上の元素としては，例えば，Ａｌ，Ｓｉ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｐｏを挙げることができる。」（【００３０】－【００３２】） イ　検討 上記相違点２について検討する。 （ア）上記各甲号証の記載から，「ホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）」が，本件出願日前において，知られていたこと，及び，ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍが高いキャリア密度を有することが認められる。 （イ）審判請求人は，審判請求書の３６ページにおいて，「してみると，ＩＴＯ膜と同様に，本件特許の出願時に酸化物の透明導電膜として知られていたホモロガス化合物ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ≦４），ホモロガス化合物ＩｎＧａＺｎＯ４やホモロガス化合物Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）５においても，ＩＴＯ膜と同様に，膜中の酸素量を増加させることにより膜中のキャリア濃度を１０１８個・ｃｍ－３以下に制御して導電性を低下させ，活性層に使用することは，当業者であれば容易に想到し得たものである。」と主張する。 （ウ）そこで，検討すると，上記摘記（甲５ｂ）の「ある程度十分な導電性を持つ代表的な電気伝導性酸化物薄膜としてはＩｎ２Ｏ３１），２），ＳｎＯ２３），４），ＺｎＯ５），６），ＣｄＯ７），８），ＣｄＩｎ２Ｏ４９），Ｃｄ２ＳｎＯ４１０），１１），Ｚｎ２ＳｎＯ４，Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ系１２）などが報告されている。」との記載，及び，上記摘記（甲５ｃ）の「透明導電性金属酸化物の結晶構造と電気的・光学的性質」を表題とする表に，結晶構造が「スピネル」の物質名として「ＣｄＩｎ２Ｏ４，ＭｇＩｎ２Ｏ４(バルク)，ＭｇＩｎ２Ｏ４，ＭｇＩｎ２Ｏ４：Ｈ，ＭｇＩｎ２Ｏ４：Ｌｉ，ＺｎＧａ２Ｏ４(バルク)，ＣｄＧａ２Ｏ４(バルク)，Ｚｎ２ＳｎＯ４」が，結晶構造が「ＹｂＦｅ２Ｏ４」の物質名として「ＩｎＧａＭｇＯ４(バルク)，ＩｎＧａＺｎＯ４(バルク)，ＩｎＧａＺｎＯ４，Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）３(バルク)，Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）５」が，結晶構造が「β-Ｇａ２Ｏ３」の物質名として「Ｇａ２Ｏ３(単結晶)，ＧａＩｎＯ３：Ｓｎ」が，結晶構造が「パイロクロア」の物質名として「ＡｇＳｂＯ３，Ｃｄ２(１－ｘ)Ｙ２ｘＳｂ２Ｏ７」が，結晶構造が「オリヴィン」の物質名として「Ｃｄ２ＧｅＯ４，Ｃｄ２ＧｅＯ４：Ｉｎ」が，結晶構造が「デラフォサイト」の物質名として「ＡｇＩｎＯ２」が，結晶構造が「Ｓｒ２ＰｂＯ４」の物質名として「Ｃｄ２ＳｎＯ４」が，結晶構造が「イルメナイト」の物質名として「ＣｄＳｎＯ３」が，結晶構造が「Ｎａ２ＳｉＦ６」の物質名として「Ｉｎ２ＴｅＯ６」が，結晶構造が「ペロブスカイト」の物質名として「ＺｎＳｎＯ３」が，結晶構造が「その他」の物質名として「Ｚｎ２Ｉｎ２Ｏ５，Ｚｎ０．６６Ｉｎ２Ｏ３．６６，Ｚｎ１．２Ｉｎ１．９Ｓｎ０．１Ｏ４．２５」が記載されていることからも明らかなように，本件出願日前において，透明導電性金属酸化物として，数多くの材料が知られていたといえる。 （エ）そうすると，ＩＴＯ膜において，膜中の酸素量を増加させることで，化学量論的組成からのずれ（酸素欠損）により発生しているキャリアを減らして，キャリア濃度を１０１８個・ｃｍ－３以下に制御し，縮退を解いて導電性を低下させ，半導体を実現するという技術的思想が示されている引用発明２において，引用発明２で用いられている「ＩＴＯ膜」に替えて使用しうる酸化物の透明導電膜としては，少なくとも，上記（ウ）に示された数多くの材料が選択肢として考えられる。すると，上記数多くの材料の中から，「ホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）薄膜（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合はｍ＝１以上５未満の整数である）」を選択することは，前記ホモロガス化合物について，酸素量を相当程度増加させられること，そのことによりキャリア濃度を１０１８個・ｃｍ－３以下に制御できること及びそのキャリア濃度で縮退が解けることが当業者に明らかでないから，容易であるとはいえない。 したがって，引用発明２の「ＩＴＯ膜」に替える材料として，「ホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）薄膜（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合はｍ＝１以上５未満の整数である）」を用いることが容易であったとは認めることはできない。 （オ）したがって，引用発明２において，相違点２について，本件特許発明１の特定事項とすることは，当業者が容易になし得たこととはいえない。 ５　本件特許発明２及び４について （ア）本件特許発明２及び４は，上記「第３　本件特許発明」で認めたとおりである。 （イ）当審の判断 本件特許発明２及び４は，いずれも本件特許発明１に発明特定事項を追加して，より限定した発明である。 そして，上記「４　当審の判断」で検討したように，引用発明２において，本件特許発明１の相違点２に係る構成とすることは，当業者にとって容易に想到し得たものとはいえない。 そうすると，本件特許発明１に発明特定事項を追加して，より限定した発明である本件特許発明２及び４もまた同様に，当業者にとって容易に想到し得たものとはいえないものといえる。 ６　無効理由３のまとめ 以上のとおりであるから，本件特許発明１，２及び４が，引用発明２に公知技術を適用して当業者が容易に想到することができたとはいえない。 よって，本件特許発明１，２及び４について，無効理由３は，理由がない。 第１０　無効理由４について １　最初に，本件特許発明１についての特許が，無効とすべきものであるかについて検討する。 ２　本件特許発明１について 本件特許発明１は，上記「第３　本件特許発明」で認めたとおりである。 ３　甲第３１号証に記載された発明 甲第３１号証には，「自然超格子ホモロガス単結晶薄膜とその製造方法」（発明の名称）に関して，図１～４とともに，以下の事項が記載されている。 （甲３１ａ）「【請求項１】　ZnOエピタキシャル薄膜上にエピタキシャル成長した式M1M2O3(ZnO)m（ただし，Ｍ1は，Ga，Fe，Sc，In，Lu，Yb，Tm，Er，Ho及びYのうち少なくとも1種類，Ｍ2は，Mn，Fe，Ga，In，Alのうち少なくとも１種類とし，ｍは，１を含む１以上の自然数）で表される複合酸化物からなることを特徴とする自然超格子ホモロガス単結晶薄膜。」（【特許請求の範囲】） （甲３１ｂ）「【請求項１０】　請求項1ないし６のいずれかに記載のZnO複合酸化物単結晶薄膜を用いた光デバイス，Ｘ線光学デバイス，または電子デバイス。」【特許請求の範囲】 （甲３１ｃ）「【発明の属する技術分野】本発明は，自然超格子構造を有するZnO複合酸化物エピタキシャル単結晶薄膜，その製法および該単結晶薄膜を用いた光デバイス（発光ダイオード，レーザーダイオード），電子デバイス（共鳴トンネル効果による微分負性抵抗を利用した単安定－双安定転移論理素子デバイス，HEMT,FET），Ｘ線光学デバイス（軟Ｘ線反射ミラー）に関する。」（【０００１】） （甲３１ｄ）「【発明が解決しようとする課題】上述のように，通信用および光デスク用半導体レーザー，HEMTなど高速電子デバイスには，化合物半導体超格子構造が用いられてバイスの波長は短波長化しており，GaN/InGaN/GaNの超格子やZnMgO/ZnO/ZnMgO超格子が提案され，一部実用化に至っている。」（【００１４】） （甲３１ｅ）「従来，ホモロガス相M1M2O3(ZnO)m薄膜は，スパッタリングやPLD法により，高温に加熱した基板上に堆積させて製造されていた（H.Hiramatsu,W-S.Seo,and K.Koumoto,“Electrical and Optical Properties of Radio-Frequency-Sputtered Thin Films of (ZnO)5In2O3”,Chem.Mater.10,3033-3039 (1998).）。 しかし，こうした薄膜成長法でホモロガス相M1M2O3(ZnO)mを成長させると，蒸気圧の高いZnOの蒸発が顕著に起こり，組成が制御できないことに加え，均質な超格子が形成できない。配向膜の作製は可能であるが，超格子構造が乱れてしまうため，超格子構造から期待される量子サイズ効果は発現しないという問題があった。 【課題を解決するための手段】本発明では，こうした問題を解決するために，基体材料となるZnO単結晶あるいはZnOのエピタキシャル薄膜にLuやGaなどの元素を拡散させてホモロガスM1M2O3(ZnO)m薄膜相を作製し，更に，該薄膜相から単結晶膜を育成することを特徴とする。 すなわち，本発明は，ZnOエピタキシャル薄膜上にエピタキシャル成長した式M１M２O３(ZnO)ｍ（ただし，M１は，Ga,Fe,Sc,In,Lu,Yb,Tm,Er,Ho及びYのうち少なくとも１種類，M２は，Mn,Fe,Ga,In,Alのうち少なくとも１種類とし，ｍは，１を含む１以上の自然数）で表される複合酸化物からなることを特徴とする自然超格子ホモロガス単結晶薄膜である。」（【００２３】－【００２６】） （甲３１ｆ）「また，本発明は，ｍの値の膜厚方向でのばらつきが，ｍ±１以内である事を特徴とする上記のホモロガス単結晶薄膜である。また，本発明は，ｍの値が，膜厚方向に連続的に変化する事を特徴とする上記のホモロガス単結晶薄膜である。また，本発明は，原子レベルの表面平坦性を有し，該平坦面領域が，0.5μｍ×0.5μｍ以上であることを特徴とする上記のホモロガス単結晶薄膜である。」（【００２９】） （甲３１ｇ）「得られたホモロガス相単結晶薄膜の表面は，多段テラス状のモルフォルジーを有している。その段差は，超格子の一層厚に対応している。また，テラスの表面は，一原子レベルの平坦性，いわゆる原子平坦面を有している。ホモロガス化合物では層厚が厚いので，テラスの幅を，基板結晶のテラス幅より大きくする事ができ，0.5ミクロンメートルより長くする事ができる。ｍの値が大きいホモロガス化合物薄膜では，原子平坦面の面積を更に大きくする事ができる。大面積の原子平坦面は，例えば，トンネル電子顕微鏡ないし光近接場顕微鏡で，DNAなどのバイオ化合物を観測する際の試料台として使用することができる。特に，ホモロガス化合物は，電気抵抗が小さいので，この目的に適している。」（【００３５】） （甲３１ｈ）「【発明の実施の形態】原子平坦面を持つYSZ,Al２O３等の単結晶基板上に，MBE法，パルスレーザー蒸着法（PLD法）などにより，原子平坦面を有するZnO単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる。 ZnO単結晶を用いる場合には該操作は必要ではない。次に，該ZnO薄膜またはZnO単結晶上に，M１M２O３(ZnO)ｎと記述される薄膜を，MBE法，パルスレーザー蒸着法（PLD法）などにより成長させる。」（【００３６】） （甲３１ｉ）「得られた単結晶薄膜は，M２O１．５・ZnO層をM１O１．５層で挟んだ自然超格子構造とみなす事ができるので，M２O１．５・ZnO層に存在する電子に，量子サイズ効果が生じる。このため，得られた単結晶薄膜は，人工超格子構造と同様に，発光ダイオード，半導体レーザーなど光デバイス用材料，MOBILE,HEMT,FETなどの電子デバイス材料として使用する事ができる。また，得られたM１M２O３(ZnO)ｎでのM２O１．５・ZnO層の厚さは，0.5ｎｍ以上であれば0.27ｎｍ毎に制御できるので，Ｘ線を反射するミラー材料として使用する事ができる。」（【００４３】） （甲３１ｊ）「【実施例】 以下に実施例を挙げて本発明を詳細に説明する。 実施例１ 1. ZnO薄膜の作製 YSZ (111)単結晶基板（10mm□×0.5 mmt）上に，基板温度800℃でZnO薄膜を成長させた。PLD法により，酸素圧力3×10-3Paに設定した真空チャンバー中で，ZnO焼結体ターゲットにKrF(248nm)エキシマレーザーを照射してZnOを蒸発させ，800℃に加熱したYSZ (111)単結晶基板上に堆積速度2nm/minの条件で1時間薄膜成長を行った。X線反射率測定から求めたZnO薄膜の厚みは120nmであった。作製したZnO薄膜の結晶性をHRXRDにより評価したところ，YSZ(111)基板上にZnOは(0001)配向しており，そのチルト角は0.02～0.1度であった。In-plane測定によりエピタキシャル成長であることを確認した。エピタキシャル関係はZnO(11-20) // YSZ (1-10)であった。 2. LuGaO3(ZnO)9/ZnO積層薄膜の作製 作製したYSZ (111)上のZnO薄膜を基板として，基板温度600℃でLuGaO3(ZnO)9を成長させた。PLD法により，酸素圧力3×10-3Paに設定した真空チャンバー中で，LuGaO3(ZnO)9焼結体ターゲットにKrF(248nm)エキシマレーザーを照射してLuGaO3(ZnO)9を蒸発させ，600℃に加熱したYSZ (111)単結晶基板上に堆積速度2nm/minの条件で30分薄膜成長を行った。X線反射率測定からLuGaO3(ZnO)9薄膜の膜厚は60nmであることが分かった。作製したLuGaO3(ZnO)9薄膜はナノサイズの微結晶から成っており，XRD測定では結晶性を評価することができなかった。 3. LuGaO3(ZnO)17単結晶薄膜の作製 上記2で作製したLuGaO3(ZnO)9 / ZnO / YSZ積層薄膜上に，YSZ単結晶（10mm× 10mm×0.5mmt）を積層薄膜全体をカバーできるように被せた。さらに，蒸気圧の高いZnOの蒸発を抑制するため，カバーしたYSZ基板上にZnO粉末（平均粒径1mm）約2gをコーティングした。これをアルミナ製るつぼ（SSA-S）に入れて，ふたをして，大気中，1450℃で30分間加熱拡散処理を施した。加熱拡散処理終了後は室温まで炉内で冷却した。 4. LuGaO3(ZnO)17単結晶薄膜の結晶性 作製した単結晶薄膜の結晶性は高分解能X線回折（HRXRD，Rigaku製ATX-G，CuKa1）を用いて調べた。図１に，Out-of-plane XRDパターンを示す。LuGaO3(ZnO)17の(000l)面の強い回折ピークがYSZ(111)ピークとともに観測された。LuGaO3(ZnO)17 (0001) が YSZ (111)上に強く配向していることを示し，ロッキングカーブ測定からLuGaO3(ZnO)17 (0001)面のチルト角は0.1度であった。In-plane測定から作製したLuGaO3(ZnO)17薄膜はエピタキシャル成長していることが明らかになった。エピタキシャル関係は次の通りである。 LuGaO3(ZnO)17 (0001) // YSZ (111) LuGaO3(ZnO)17 (11-20) // YSZ (1-10)」（【００４４】－【００４７】） （甲３１ｋ）「【図３】図３は，実施例１で製造したホモロガス単結晶薄膜の１０Ｋおよび３００Ｋにおける光吸収スペクトルを示すグラフである。」（【図面の簡単な説明】）。 ４　当審の判断 （１）先願発明 以上から，甲第３１号証には，次の発明（以下「先願発明」という。）が記載されていると認められる。 「ＺｎＯエピタキシャル薄膜上にエピタキシャル成長した式Ｍ１Ｍ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ただし，Ｍ１は，Ｇａ，Ｆｅ，Ｓｃ，Ｉｎ，Ｌｕ，Ｙｂ，Ｔｍ，Ｅｒ，Ｈｏ及びＹのうち少なくとも１種類，Ｍ２は，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌのうち少なくとも１種類とし，ｍは，１を含む１以上の自然数）で表される複合酸化物からなることを特徴とする自然超格子ホモロガス単結晶薄膜を用いたＨＥＭＴ，ＦＥＴなどの電子デバイス。」 （２）対比 本件特許発明１と先願発明とを対比する。 ア　先願発明の「ＺｎＯエピタキシャル薄膜上にエピタキシャル成長した式Ｍ１Ｍ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ただし，Ｍ１は，Ｇａ，Ｆｅ，Ｓｃ，Ｉｎ，Ｌｕ，Ｙｂ，Ｔｍ，Ｅｒ，Ｈｏ及びＹのうち少なくとも１種類，Ｍ２は，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌのうち少なくとも１種類とし，ｍは，１を含む１以上の自然数）で表される複合酸化物からなることを特徴とする自然超格子ホモロガス単結晶薄膜」と，本件特許発明１の「ホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）薄膜（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合はｍ＝１以上５未満の整数である）」とは，「ホモロガス化合物薄膜」である点で一致する。 イ　「ＨＥＭＴ」とは，「高電子移動度トランジスタ」の英字略語であり，「高電子移動度トランジスタ」とは，「化合物半導体ヘテロ接合で形成される２次元電子ガス層を電流チャネルして用いた高速電界効果トランジスタ。」（半導体用語大辞典，日刊工業新聞社）のことである。また，ＦＥＴとは，「電界効果トランジスタ」英字略語である。 そうすると，先願発明の「ＨＥＭＴ，ＦＥＴなどの電子デバイス」と，本件特許発明３の「透明薄膜電界効果型トランジスタ」とは，「電界効果型トランジスタ」である点で一致する したがって，上記ア－イを考慮すると，本件特許発明１と先願発明との一致点，及び，相違点は次のとおりである。 ＜一致点＞ ホモロガス化合物薄膜を用いた電界効果型トランジスタ。 ＜相違点＞ ・相違点３：本件特許発明１が，ホモロガス化合物薄膜を「活性層」として用いた電界効果型トランジスタであるのに対して，先願発明のＨＥＭＴ，ＦＥＴなどの電子デバイスは，ホモロガス化合物薄膜を，当該電子デバイスの，どの部材に用いているのか，明らかでない点。 ・相違点４：本件特許発明１が，「ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）薄膜（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合はｍ＝１以上５未満の整数である）」を用いた「薄膜」電界効果型トランジスタであるのに対して，先願発明は，「ＺｎＯエピタキシャル薄膜上にエピタキシャル成長した式Ｍ１Ｍ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ただし，Ｍ１は，Ｇａ，Ｆｅ，Ｓｃ，Ｉｎ，Ｌｕ，Ｙｂ，Ｔｍ，Ｅｒ，Ｈｏ及びＹのうち少なくとも１種類，Ｍ２は，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌのうち少なくとも１種類とし，ｍは，１を含む１以上の自然数）で表される複合酸化物」を用いたＨＥＭＴ，ＦＥＴなどの電子デバイスである点。 ・相違点５：本件特許発明１が，「透明」薄膜電界効果型トランジスタであるのに対して，先願発明の，ＨＥＭＴ，ＦＥＴなどの電子デバイスが，「透明」であるか明らかでない点。 （３）検討 ・相違点３について ア　ホモロガス化合物薄膜を活性層として用いたＨＥＭＴ，あるいは，ホモロガス化合物薄膜を活性層として用いたＦＥＴが，甲第３１号証に記載されている，若しくは，甲第３１号証に記載されているに等しい事項である，とは認めることができない。その理由は，以下のとおりである。 イ　すなわち，特許法２９条の２は，「当該特許出願の日の他の特許出願・・・の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲・・・又は図面に記載された発明」と同一であるときは，特許を受けることができないと規定するものであるところ，上記「明細書，特許請求の範囲・・・又は図面」（以下「先願明細書等」という）に「物の発明」が記載されているというためには，同先願明細書等に当該物の発明の構成が開示されていることを要することはいうまでもなく，さらに，発明が技術的思想の創作であること（同法２条１項参照）にかんがみれば，当該「物の発明」の構成が開示されていることに止まらず，当該先願明細書等に接した当業者が，特別の思考を経ることなく，容易にその技術的思想を実施し得る程度に，当該発明の技術的思想が開示されていることを要するものというべきである。 そして，その技術的思想を容易に実施し得る程度に開示されているというためには，当該「物の発明」の「実施」にあたる，その物の「生産」，「使用」をする行為を容易になし得る程度の記載が，先願明細書等にあることを要するものと解される。 ウ　一方，甲第３１号証には，上記摘記（甲３１ｂ）に「請求項1ないし６のいずれかに記載のZnO複合酸化物単結晶薄膜を用いた光デバイス，Ｘ線光学デバイス，または電子デバイス。」，上記摘記（甲３１ｃ）に「本発明は，自然超格子構造を有するZnO複合酸化物エピタキシャル単結晶薄膜，その製法および該単結晶薄膜を用いた光デバイス（発光ダイオード，レーザーダイオード），電子デバイス（共鳴トンネル効果による微分負性抵抗を利用した単安定－双安定転移論理素子デバイス，HEMT,FET），Ｘ線光学デバイス（軟Ｘ線反射ミラー）に関する。」，及び，上記摘記（甲３１ｉ）に「得られた単結晶薄膜は，M２O１．５・ZnO層をM１O１．５層で挟んだ自然超格子構造とみなす事ができるので，M２O１．５・ZnO層に存在する電子に，量子サイズ効果が生じる。このため，得られた単結晶薄膜は，人工超格子構造と同様に，発光ダイオード，半導体レーザーなど光デバイス用材料，MOBILE,HEMT,FETなどの電子デバイス材料として使用する事ができる。」ことが記載されている。 エ　しかしながら，甲第３１号証には，「ＺｎＯエピタキシャル薄膜上にエピタキシャル成長した式Ｍ１Ｍ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ただし，Ｍ１は，Ｇａ，Ｆｅ，Ｓｃ，Ｉｎ，Ｌｕ，Ｙｂ，Ｔｍ，Ｅｒ，Ｈｏ及びＹのうち少なくとも１種類，Ｍ２は，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌのうち少なくとも１種類とし，ｍは，１を含む１以上の自然数）で表される複合酸化物からなることを特徴とする自然超格子ホモロガス単結晶薄膜」を，電子デバイスであるＨＥＭＴ，あるいは，ＦＥＴの，どの箇所に，どのようにして用いるかについての，何らの具体的な記載を見いだすことはできない。 すなわち，甲第３１号証には，ホモロガス化合物薄膜を活性層として用いた電界効果型トランジスタは，記載されていない。 オ　続いて，甲第３１号証に，ホモロガス化合物薄膜を活性層として用いた電界効果型トランジスタが，記載されているに等しい事項であるといえるかについて検討する。 請求人が提出した，甲第３３号証（半導体超格子入門）には，以下の事項が記載されている。 （甲３３ａ）「まずＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓで代表されるタイプＩの超格子では，電子および正孔ともにバンドギャップの小さい半導体内に閉じ込められる構造となっている。・・・図３．２（ｂ）では，ｎ型不純物が一様にドーピングされている。・・・一方，ＧａＡｓにはドーピングせずに，ＧａＡｌＡｓのみにドーピングを施した場合のポテンシャル分布を図３．２（ｃ）に示す。この場合にはＧａＡｌＡｓにドープされた不純物より励起された電子がＧａＡｓに閉じ込められ空間電荷を形成する。このように，超格子系ではＧａＡｌＡｓのみにドーピングを行っても，ＧａＡｓ層に伝導電子を発生させることが可能で有る。特に空間電荷のためにＧａＡｓ内の電子は接合面付近に強く引き付けられており，接合に垂直な方向に量子化されている。このような電子を２次元電子ガス（２ＤＥＧ）とよぶ。また，この場合，イオン化した不純物と電子が分離されるため，電子移動度に及ぼす不純物散乱の影響が小さくなる。特にＧａＡｓ層が厚くなったものは，ＨＥＭＴ（High　Electron　Mobility　Transistor）などに用いられている。」（５９ページ１８行－６１ページ７行） そうすると，上記摘記（甲３３ａ）から，ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓの超格子では，ＧａＡｌＡｓのみにドーピングを行うと，ＧａＡｓ層に２次元電子ガスとよばれる伝導電子を発生させることが可能で有り，この場合，イオン化した不純物と電子が分離されるため，電子移動度に及ぼす不純物散乱の影響が小さくなるので，特にＧａＡｓ層が厚くなったものは，ＨＥＭＴなどに用いられていることが，本件特許の出願時に周知の事項であったと解する余地はあるといえる。 しかしながら，先願発明の「ＺｎＯエピタキシャル薄膜上にエピタキシャル成長した式Ｍ１Ｍ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ただし，Ｍ１は，Ｇａ，Ｆｅ，Ｓｃ，Ｉｎ，Ｌｕ，Ｙｂ，Ｔｍ，Ｅｒ，Ｈｏ及びＹのうち少なくとも１種類，Ｍ２は，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌのうち少なくとも１種類とし，ｍは，１を含む１以上の自然数）で表される複合酸化物からなることを特徴とする自然超格子ホモロガス単結晶薄膜」について，前記自然超格子のいずれかの層にドーピングをして，他の層に２次元電子ガスとよばれる伝導電子を発生させることが可能である不純物は，先願明細書等には開示されておらず，また，本件特許の出願時において，周知で有ったとも認められない。 そうすると，仮に，甲３３号証から，ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓの超格子では，ＧａＡｌＡｓのみにドーピングを行うと，ＧａＡｓ層に２次元電子ガスとよばれる伝導電子を発生させることが可能で有り，この場合，イオン化した不純物と電子が分離されるため，電子移動度に及ぼす不純物散乱の影響が小さくなるので，特にＧａＡｓ層が厚くなったものは，ＨＥＭＴなどに用いられていることが，本件特許の出願時に周知の事項であったと解することができたとしても，「ＺｎＯエピタキシャル薄膜上にエピタキシャル成長した式Ｍ１Ｍ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ただし，Ｍ１は，Ｇａ，Ｆｅ，Ｓｃ，Ｉｎ，Ｌｕ，Ｙｂ，Ｔｍ，Ｅｒ，Ｈｏ及びＹのうち少なくとも１種類，Ｍ２は，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌのうち少なくとも１種類とし，ｍは，１を含む１以上の自然数）で表される複合酸化物からなることを特徴とする自然超格子ホモロガス単結晶薄膜」にドープすることで，２次元電子ガスとよばれる伝導電子を発生させて，イオン化した不純物と電子を分離し，電子移動度に及ぼす不純物散乱の影響を小さくすることができる不純物が明らかでないのであるから，甲第３１号証に接した当業者が，特別の思考を経ることなく，容易に，「ＺｎＯエピタキシャル薄膜上にエピタキシャル成長した式Ｍ１Ｍ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ただし，Ｍ１は，Ｇａ，Ｆｅ，Ｓｃ，Ｉｎ，Ｌｕ，Ｙｂ，Ｔｍ，Ｅｒ，Ｈｏ及びＹのうち少なくとも１種類，Ｍ２は，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌのうち少なくとも１種類とし，ｍは，１を含む１以上の自然数）で表される複合酸化物からなることを特徴とする自然超格子ホモロガス単結晶薄膜」を活性層として用いたＨＥＭＴを生産し，使用することができるとは認めることはできない。 カ　また，請求人が提出した，甲第３４号証（超格子ヘテロ構造デバイス）には，以下の事項が記載されている。 （甲３４ａ）「残留不純物の低減は，・・・変調ドーピングによる高移動度化の実現（１９７８年）１３）を可能にし，さらにこの概念はｎ－ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ単一ヘテロ構造へ拡張され１４），高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）１５）の実現に応用されている。」（２０８頁１１行－１４行） しかしながら，前記（甲３４ａ）に記載されているのは，「ｎ－ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ単一ヘテロ構造」であり，先願発明の「ＺｎＯエピタキシャル薄膜上にエピタキシャル成長した式Ｍ１Ｍ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ただし，Ｍ１は，Ｇａ，Ｆｅ，Ｓｃ，Ｉｎ，Ｌｕ，Ｙｂ，Ｔｍ，Ｅｒ，Ｈｏ及びＹのうち少なくとも１種類，Ｍ２は，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌのうち少なくとも１種類とし，ｍは，１を含む１以上の自然数）で表される複合酸化物からなることを特徴とする自然超格子」とは，構造も組成も異なり，さらに，（甲３４ａ）の記載は，「残留不純物の低減」が，「高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）１５）の実現」の前提となっているところ，先願発明において，当該必要とされている「残留不純物の低減」がなされていることが明らかであるということもできない。 そうすると，甲第３４号証の記載に照らしても，甲第３１号証に接した当業者が，特別の思考を経ることなく，容易に，「ＺｎＯエピタキシャル薄膜上にエピタキシャル成長した式Ｍ１Ｍ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ただし，Ｍ１は，Ｇａ，Ｆｅ，Ｓｃ，Ｉｎ，Ｌｕ，Ｙｂ，Ｔｍ，Ｅｒ，Ｈｏ及びＹのうち少なくとも１種類，Ｍ２は，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌのうち少なくとも１種類とし，ｍは，１を含む１以上の自然数）で表される複合酸化物からなることを特徴とする自然超格子ホモロガス単結晶薄膜」を活性層として用いたＨＥＭＴを生産し，使用することができるとは認めることはできない。 キ　さらに，審判請求人は，審判請求書において，甲第３１号証に，「ＺｎＯエピタキシャル薄膜上にエピタキシャル成長した式Ｍ１Ｍ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ただし，Ｍ１は，Ｇａ，Ｆｅ，Ｓｃ，Ｉｎ，Ｌｕ，Ｙｂ，Ｔｍ，Ｅｒ，Ｈｏ及びＹのうち少なくとも１種類，Ｍ２は，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌのうち少なくとも１種類とし，ｍは，１を含む１以上の自然数）で表される複合酸化物からなることを特徴とする自然超格子ホモロガス単結晶薄膜を用いたＦＥＴ」という発明が記載されていることについては，具体的な主張をしていない。 そして，ＦＥＴに，「ＺｎＯエピタキシャル薄膜上にエピタキシャル成長した式Ｍ１Ｍ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ただし，Ｍ１は，Ｇａ，Ｆｅ，Ｓｃ，Ｉｎ，Ｌｕ，Ｙｂ，Ｔｍ，Ｅｒ，Ｈｏ及びＹのうち少なくとも１種類，Ｍ２は，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌのうち少なくとも１種類とし，ｍは，１を含む１以上の自然数）で表される複合酸化物からなることを特徴とする自然超格子ホモロガス単結晶薄膜」を用いることが，本件特許の出願時において周知であったとは認められない。 しかも，ＦＥＴとは，「電界効果トランジスタ」の英字略語（半導体用語大辞典，日刊工業新聞社）であるところ，当該「電界効果トランジスタ」は，「薄膜電界効果型トランジスタ」を含む上位概念であり，薄膜を活性層として用いる「薄膜電界効果型トランジスタ」以外のトランジスタを含む概念であるから，「ＺｎＯエピタキシャル薄膜上にエピタキシャル成長した式Ｍ１Ｍ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ただし，Ｍ１は，Ｇａ，Ｆｅ，Ｓｃ，Ｉｎ，Ｌｕ，Ｙｂ，Ｔｍ，Ｅｒ，Ｈｏ及びＹのうち少なくとも１種類，Ｍ２は，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌのうち少なくとも１種類とし，ｍは，１を含む１以上の自然数）で表される複合酸化物からなることを特徴とする自然超格子ホモロガス単結晶薄膜を用いたＦＥＴ」の発明が周知なものであることが，直ちに，「ＺｎＯエピタキシャル薄膜上にエピタキシャル成長した式Ｍ１Ｍ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ただし，Ｍ１は，Ｇａ，Ｆｅ，Ｓｃ，Ｉｎ，Ｌｕ，Ｙｂ，Ｔｍ，Ｅｒ，Ｈｏ及びＹのうち少なくとも１種類，Ｍ２は，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌのうち少なくとも１種類とし，ｍは，１を含む１以上の自然数）で表される複合酸化物からなることを特徴とする自然超格子ホモロガス単結晶薄膜を，活性層として用いる薄膜電界効果型トランジスタ」が周知であることを意味するものでないことは明らかである。 むしろ，甲第２４号証の「超格子構造を有するＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｇａ，ｍ＝自然数）は，ＩＴＯに代わる透明電極材料として提案されている。自然超格子を利用した変調ドーピングにより，一種のＨＥＭＴ構造を作り込むことによって，電子移動度を低減することなく，電子濃度を増加させられれば，ＩＴＯを凌ぐ高い導電性が発現すると考えられてきた。」（１－６行）等の記載から認めることができる，本件の出願前における周知事項を前提として判断をすると，甲第３１号証の上記摘記（甲３１ｇ）の「特に，ホモロガス化合物は，電気抵抗が小さいので，この目的に適している。」との記載を有する先願明細書等に記載された，甲第３１号証の上記摘記（甲３１ｉ）の「ＦＥＴなどの電子デバイス材料として使用する事ができる。」との記載は，前記「ＺｎＯエピタキシャル薄膜上にエピタキシャル成長した式Ｍ１Ｍ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ただし，Ｍ１は，Ｇａ，Ｆｅ，Ｓｃ，Ｉｎ，Ｌｕ，Ｙｂ，Ｔｍ，Ｅｒ，Ｈｏ及びＹのうち少なくとも１種類，Ｍ２は，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌのうち少なくとも１種類とし，ｍは，１を含む１以上の自然数）で表される複合酸化物からなることを特徴とする自然超格子ホモロガス単結晶薄膜」を，ＩＴＯを凌ぐ高い導電性が発現する透明電極材料として，ＦＥＴなどの電子デバイス材料として使用することができることを開示しているものと理解することが自然であるとも解されるものである。 ク　以上，ウ－キのとおりであるから，ホモロガス化合物薄膜を活性層として用いたＨＥＭＴ，あるいは，ホモロガス化合物薄膜を活性層として用いたＦＥＴが，甲第３１号証に記載されている，あるいは，記載されているに等しい事項であるとはいえない。 すなわち，ホモロガス単結晶薄膜を活性層として用いた電界効果型トランジスタは，甲第３１号証に記載，若しくは，記載されているに等しい事項であるとは認めることができない。 したがって，相違点３は，実質的なものである。 ・相違点４について ア　特許法２９条の２における，他の出願の当初明細書等に記載された発明とは，他の出願の当初明細書等に記載されている事項，及び，他の出願の当初明細書等に記載されているに等しい事項から当業者が把握できる発明をいうところ，他の出願の当初明細書等にマーカッシュ形式で記載された選択肢の一部のみを発明特定事項として有する発明が，他の出願の当初明細書等に記載された発明であるといえるためには，当該マーカッシュ形式で記載された選択肢の一部のみを発明特定事項として有する発明が，他の出願の当初明細書等に記載されている事項，及び，他の出願の当初明細書等に記載されているに等しい事項から当業者が把握できることを要するものというべきである。 イ　そして，本件特許発明１において，電界効果型トランジスタの活性層として，ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）薄膜（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合はｍ＝１以上５未満の整数である）を用いたことの技術的意義が，「波長400nm以上の可視光・赤外光に対して透明である」透明薄膜電界効果型トランジスタが得られるということにあることは，前記「第７　無効理由１について　４　当審の判断　（３）相違点についての判断・相違点１について　シ（ク）」において検討したとおりである。 ウ　一方，甲第３１号証には，上記摘記（甲３１ｇ）に「特に，ホモロガス化合物は，電気抵抗が小さいので，この目的に適している。」と記載されているだけであって，「波長400nm以上の可視光・赤外光に対して透明である」ことは，記載も示唆もされていない。 エ　すなわち，ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合はｍ＝１以上５未満の整数である）は，式Ｍ１Ｍ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ただし，Ｍ１は，Ｇａ，Ｆｅ，Ｓｃ，Ｉｎ，Ｌｕ，Ｙｂ，Ｔｍ，Ｅｒ，Ｈｏ及びＹのうち少なくとも１種類，Ｍ２は，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌのうち少なくとも１種類とし，ｍは，１を含む１以上の自然数）で表される複合酸化物の一部であると認められるものの，当該選択肢の一部である，ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合はｍ＝１以上５未満の整数である）を発明特定事項とする発明を，甲第３１号証の記載から把握することはできない。 したがって，上記相違点４は，実質的なものである。 ・相違点５について 甲第３１号証に，「透明」薄膜電界効果型トランジスタに係る発明が記載されているとは認められない。 すなわち，「ＺｎＯエピタキシャル薄膜上にエピタキシャル成長した式Ｍ１Ｍ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ただし，Ｍ１は，Ｇａ，Ｆｅ，Ｓｃ，Ｉｎ，Ｌｕ，Ｙｂ，Ｔｍ，Ｅｒ，Ｈｏ及びＹのうち少なくとも１種類，Ｍ２は，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌのうち少なくとも１種類とし，ｍは，１を含む１以上の自然数）で表される複合酸化物」に含まれる一部の複合酸化物が「透明」であるとしても，当該複合酸化物に含まれる全ての組合せにおいて「透明」であることは示されていない。 したがって，甲第３１号証の記載から，「透明」薄膜電界効果型トランジスタという発明を把握することもできない。 さらに，先願発明のＨＥＭＴ，あるいは，ＦＥＴが，「透明」薄膜電界効果型トランジスタであるとする特段の事情を認めることもできないから，甲第３１号証に，「透明」薄膜電界効果型トランジスタが記載，若しくは，記載されているに等しい事項であるとは認めることはできない。 したがって，相違点５は，実質的なものである。 （４）むすび そうすると，上記相違点３－５は，いずれも実質的なものであるから，本件特許発明１が，甲第３１号証に記載されているとは認めることはできない。 ５　本件特許発明２について （ア）本件特許発明２は，上記「第３　本件特許発明」で認めたとおりである。 （イ）当審の判断 本件特許発明２は，いずれも本件特許発明１に発明特定事項を追加して，より限定した発明である。 そして，上記「４　当審の判断」で検討したように，本件特許発明１が，甲第３１号証に記載されているとは認めることはできない。 そうすると，本件特許発明１に発明特定事項を追加して，より限定した発明である本件特許発明２もまた同様に，甲第３１号証に記載されているとは認めることはできない。 ６　無効理由４のまとめ 本件特許発明１及び２は，甲第３１号証に記載の発明と同一であるとはいえない。 よって，本件特許発明１及び２について，無効理由４は，理由がない。 第１１　無効理由６について １　最初に，本件特許の請求項１に係る発明についての特許が，無効とすべきものであるかについて検討する。 ２　審判請求書及び弁駁書の記載によれば，無効理由６のうち，本件特許発明１についての具体的理由は，略以下のとおりのものと認められる。 （１）本件特許明細書の【０００２】，【０００３】の記載をみると，現在実用化されているシリコンを用いた電界効果型トランジスタでは，可視光に対して透明回路を構成することができないという問題があった。 本件特許明細書の【０００４】をみると，当該問題は，シリコンよりもエネルギーバンド幅の大きな半導体材料を用いることで，原理的に解決することができることがわかっていた。そして透明酸化物半導体であるＺｎＯを用いて，電界効果型トランジスタを作製する試みがなされていた。 しかしＺｎＯは，電気伝導度を小さくすることが難しく，ノーマリーオフの電界効果型トランジスタを構成できないという課題があった。またＺｎＯはアモルファス状態を作り難く，大面積に適した実用的なアモルファストランジスタを作製することができないという課題があった。 以上の記載より，本件発明の課題は， 課題１　ＺｎＯに代わる透明酸化物半導体を用いて，ノーマリーオフの電界効果型トランジスタを提供すること， 課題２　ＺｎＯに代わる透明酸化物半導体を用いて，大面積に適した実用的なアモルファストランジスタを提供すること， であるといえる。 （２）そして，上記課題１について，発明の詳細な説明の記載をみると，ＹＳＺなどの酸化物単結晶基板上のＺｎＯエピタキシャル薄膜上に，高温である８００℃以上，１６００℃以下で反応性固相エピタキシャル成長させて形成したホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）単結晶薄膜を，活性層に用いると，ノーマリーオフの透明薄膜電界効果型トランジスタを得ることができると認識できる（以下，ＹＳＺなどの酸化物単結晶基板上のＺｎＯエピタキシャル薄膜上に，高温である８００℃以上，１６００℃以下で反応性固相工ピタキシャル成長させることを，「高温で反応性固相エピタキシャル成長させる」という）。 しかし発明の詳細な説明には，高温で反応性固相エピタキシャル成長させていないホモロガス化合物単結晶薄膜を，活性層に用いた場合，ノーマリーオフになるという記載はない。 してみると，当業者が課題１を解決できると認識できる範囲は，高温で反応性固相エピタキシャル成長させたホモロガス化合物単結晶薄膜を，活性層に用いた場合のみである。 （３）すなわち，本件特許明細書の発明の詳細な説明及び図面の記載に接した当業者は，高温で反応性固相エピタキシャル成長させて形成したホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝ｌ以上５０未満の整数）単結晶薄膜を，活性層に用いると，ノーマリーオフの透明薄膜電界効果型トランジスタを得ることができると認識する。 一方，本件特許発明１には，高温で反応性固相エピタキシャル成長させて形成したホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝ｌ以上５０未満の整数）単結晶薄膜，すなわち「ＹＳＺなどの酸化物単結晶基板上のＺｎＯエピタキシャル薄膜上に，高温である８００℃以上，１６００℃以下で反応性固相エピタキシャル成長させて形成したホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝ｌ以上５０未満の整数）単結晶薄膜」について規定されていない。 そうすると，本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載に接した当業者は，本件特許発明１がノーマリーオフになると認識できないというべきである。 （４）さらに，上記課題２について，本件特許明細書の【００１４】，【００２７】には，「ＺｎＯを含むホモロガス化合物を反応性固相エピタキシャル法により室温で成膜したアモルファス状態」を「活性層として用いた電界効果型トランジスタ」，及び「ＺｎＯを主たる構成成分として含有するホモロガスアモルファス薄膜」を用いた「電界効果型トランジスタ」が文言上記載されている。 しかし活性層として用いることができるホモロガス化合物のアモルファス薄膜の作製法については実施例の記載はなく，具体的に説明されていない。また当該アモルファス薄膜がどのような電気特性を有するのか，当該アモルファス薄膜をＭＩＳＦＥＴ素子に適用した場合にどのような電気特性が得られるのかについても何ら記載がない。 してみると当業者は，発明の詳細な説明をみても課題２を解決できないと認識する。 （５）すなわち，本件特許明細書の発明の詳細な説明及び図面の記載に接した当業者は，「ＺｎＯを含むホモロガス化合物を反応性固相エピタキシャル法により室温で成膜したアモルファス状態」を「活性層として用いた電界効果型トランジスタ」，及び「ＺｎＯを主たる構成成分として含有するホモロガスアモルファス薄膜」を用いた「電界効果型トランジスタ」が文言上記載されていると認識する。 しかしながら，活性層として用いることができるホモロガス化合物のアモルファス薄膜の作製法については実施例の記載はなく，具体的に説明されていない。また当該アモルファス薄膜がどのような電気特性を有するのか，当該アモルファス薄膜をＭＩＳＦＥＴ素子に適用した場合にどのような電気特性が得られるのかについても何ら記載がない。したがって当業者は，発明の詳細な説明をみても課題２を解決できないと認識する。 そうすると，本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載に接した当業者は，本件特許発明１が大面積に適した実用的なアモルファストランジスタを提供することが認識できないというべきである。 （６）甲第２号証には，１次審決が認定したような技術常識は記載されておらず，実施可能要件と同様，本件特許発明はもはやサポート要件も満たすとはいえない。 ３　当審の判断 （１）発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲について ア　課題 本件特許の明細書には課題に関して次の記載がある。 「【０００２】 【従来の技術及びその課題】 電界効果型トランジスタは，半導体メモリ集積回路の単位電子素子，高周波信号増幅素子，液晶駆動用素子等として用いられており，現在，最も多く実用化されている電子デバイスである。材料としては，シリコン半導体化合物が最も広く使われている。高速動作が必要な高周波増幅素子，集積回路用素子等には，シリコン単結晶が用いられ，また，低速動作で充分な液晶駆動用には，大面積化の要求から，アモルファスシリコンが使われている。 【０００３】 シリコンを用いた電界効果型トランジスタは，多くの用途に対して，充分な性能を有している。しかし，該トランジスタは，シリコンの光学的特性に基づいて，可視光に対して不透明で，透明回路を構成することができない。また，可視光照射により，伝導キャリアを生じるために，高光照射下ではトランジスタ特性が劣化してしまう。例えば，該トランジスタを液晶ディスプレイの液晶駆動用スイッチング素子として応用した場合，該デバイスは，可視光に対して不透明なため，ディスプレイ画素の開口比が小さくなる。また，バックライト照射により光誘起電流が発生し，スイッチング特性が劣化してしまう。こうした劣化を防ぐため，バックライト光をカットするための遮光膜を設ける必要がある。 【０００４】 シリコン電界効果型トランジスタのこうした問題点は，シリコンに替わって，エネルギーバンド幅の大きな半導体材料を用いることにより，原理的に，解決することができる。実際に，透明酸化物半導体であるZnOを用いて，電界効果型トランジスタを作製する試みがなされている（例えば，非特許文献１）。しかし，ZnOは，電気伝導度を小さくすることが難しく，ノーマリーオフの電界効果型トランジスタを構成できない等の欠点がある。また，アモルファス状態を作り難いので，大面積に適したアモルファストランジスタを作製することができない。」 してみると，発明の詳細な説明には下記の課題が記載されていると認められる。 （ア）課題１ 可視光に対して透明でノーマリーオフの電界効果型トランジスタを提供すること。（以下，「課題１」という。） （イ）課題２ 可視光に対して透明で大面積に適したアモルファストランジスタを作製すること。（以下，「課題２」という。） イ　課題解決手段について 本件特許の明細書には，課題解決手段に関して，次の記載がある。 「【０００６】 【課題を解決するための手段】 本発明者らは，先に，パルスレーザー薄膜堆積法を用い，室温での成膜により，アモルファス状態で，n-型電気伝導を示す，ZnOを主たる構成成分として含有するInGaO3(ZnO)m(mは自然数) 等のホモロガス化合物透明薄膜を育成した（特開2000-44236号公報，細野他 Philosophical Magazine B．81.501-515(2001)）。 【０００７】 さらに，本発明者らは，YSZ(イットリア安定化ジルコニア)基板上に育成したZnO単結晶極薄膜上に，アモルファスのホモロガス薄膜を堆積し，得られた多層膜を高温で加熱拡散処理する「反応性固相エピタキシャル法」により，ホモロガス単結晶薄膜を育成する方法を開発し，「自然超格子ホモロガス単結晶薄膜とその製造方法」と名付け，特許出願した（特願2001-340066）。 【０００８】 本発明者は，上記のホモロガス単結晶薄膜の製造方法と同様に，ＺｎＯ薄膜上にエピタキシャル成長した複合酸化物薄膜を加熱拡散する手段を用いることにより従来のシリコンを用いた電界効果型トランジスタに代わる新たな優れた電界効果型トランジスタを提供できることを見出した。 【０００９】 本発明は，反応性固相エピタキシャル法により育成した，ZnOを主たる構成成分として含有するホモロガス化合物単結晶薄膜又はZnOを主たる構成成分として含有するホモロガスアモルファス薄膜を活性層とした電界効果型トランジスタを提供する。 【００１０】 すなわち，本発明は，（１）ホモロガス化合物InMO3(ZnO)m(M=In, Fe, Ga ,又はAl, m=1以上50未満の整数)薄膜を活性層として用いることを特徴とする透明薄膜電界効果型トランジスタである。また，（２）表面が原子レベルで平坦である単結晶又はアモルファスホモロガス化合物薄膜を用いることを特徴とする上記（１）の透明薄膜電界効果型トランジスタである。また，（３）ホモロガス化合物が耐熱性，透明酸化物単結晶基板上に形成された単結晶薄膜であることを特徴とする上記（１）の透明薄膜電界効果型トランジスタである。また，（４）ホモロガス化合物がガラス基板上に形成されたアモルファス薄膜であることを特徴とする上記（１）の透明薄膜電界効果型トランジスタである。 【００１１】 1. 反応性固相エピタキシャル法により製造したホモロガス化合物単結晶InMO3(ZnO)m(M=In, Fe, Ga, Al, m=1以上50未満の整数)薄膜は，InO1.5層が原子レベルで平坦な薄膜表面を形成することから，ゲートと活性層の界面に欠陥が介在しにくく，ゲートリーク電流の少ない薄膜電界効果型トランジスタを作製できる。InMO3(ZnO)mのmの値は1以上50未満の整数が好ましい。原理的には，mの値は，無限大まで可能であるが，実用上，mの値が大きくなりすぎると，膜内でのmのばらつきが大きくなることと，酸素欠陥が生じやすくなり，その結果，膜の電気伝導度が大きくなり，ノーマリオフ型のFETが作り難くなる。 【００１２】 2. ZnOを主たる構成成分として含有するホモロガス化合物InMO3(ZnO)m(M=In, Fe, Ga,又はAl，m=1以上50未満の整数)のバンドギャップエネルギーは，3.3eVより大きので，波長が400nm以上の可視光に対して透明である。したがって，ホモロガス化合物単結晶InMO3(ZnO)m(M=In, Fe, Ga, 又はAl, m=1以上50未満の整数)薄膜を活性層として用いることにより，可視光透過率が高く，可視光による光誘起電流の発生がない，薄膜電界効果型トランジスタを作製できる。 【００１３】 3. さらに，反応性固相エピタキシャル法により製造したホモロガス化合物InMO3(ZnO)m(M=In, Fe, Ga, 又はAl, m=1以上50未満の整数)単結晶薄膜は化学量論組成からのずれが極めて小さく，室温付近では良質な絶縁体であることから，ホモロガス化合物単結晶InMO3(ZnO)m(M=In, Fe, Ga, 又はAl, m=1以上50未満の整数)薄膜を活性層として用いることにより，ノーマリーオフ作動で，スイッチング特性の良い透明薄膜電界効果型トランジスタを作製できる。 【００１４】 ZnOを含むホモロガス化合物を反応性固相エピタキシャル法により室温で成膜したアモルファス状態は，1000℃程度の高温まで安定であり，その状態での電子キャリア移動度は，アモルファスシリコンに比較して，10倍以上大きい。したがって，ホモロガスアモルファス薄膜を活性層として用いた電界効果型トランジスタは，シリコンアモルファス電界効果型トランジスタに比較して，可視光透過率が高く，光照射に対して安定に動作し，さらに，高速動作することが期待できる。」 そうすると，上記各記載によれば，本件特許明細書の発明の詳細な説明には，ホモロガス化合物単結晶InMO3(ZnO)m(M=In, Fe, Ga, 又はAl, m=1以上50未満の整数)薄膜又はホモロガスアモルファスInMO3(ZnO)m(M=In, Fe, Ga,又はAl，m=1以上50未満の整数)薄膜を電界効果型トランジスタの活性層として用いることにより，課題１又は課題２の少なくとも一つを解決することができることが記載されていると認められる。よって，これが発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を画するものである。 （２）発明の詳細な説明に記載された発明と特許請求の範囲に記載された発明との対比 特許請求の範囲の請求項１に記載された発明は，上記（１）の発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲内のものである。 なお，特許請求の範囲には複数の発明を記載することが許容されている（特許法３７条参照）から，請求項に係る発明が別々の課題を解決するものを含んでいても差し支えないし，請求項に係る発明が少なくとも一つの課題を解決できることを認識できる範囲内のものであれば，公開されていない発明について権利が発生することを防止するという特許法３６条６項１号の趣旨から見て，同号に規定する要件を満たすというべきである。 そうすると，本件特許の請求項１に係る発明は，本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載されたものと認められる。 （３）請求人の主張について 請求人の上記２（１）～（５）の主張は，上記（１）及び（２）の理由により，採用できない。また，請求人の上記２（６）の主張は，実施可能要件とサポート要件を混同するもので採用できない。 なお，本件特許発明１，２及び４が実施可能要件を満たすことは，上記第６の３のとおりである。 ４　本件特許発明２及び４について （１）本件特許発明２及び４は，上記「第３　本件特許発明」で認めたとおりである。 （２）当審の判断 本件特許発明２及び４は，いずれも本件特許発明１に発明特定事項を追加して，より限定した発明である。 そして，上記「本件特許発明１について」で検討したように，特許請求の範囲の請求項１に記載された発明は，発明の詳細な説明に記載された発明で，発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであると認められる。 そうすると，本件特許発明１に発明特定事項を追加して，より限定した発明である本件特許発明２－４もまた同様に，発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲内のものであると認められる。 ５　無効理由６のまとめ 以上のとおり，本件特許の請求項１，２及び４に係る発明は，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしている。 よって，本件特許発明１，２及び４について，無効理由６は，理由がない。 第１２　むすび 以上のとおりであるから，特許４１６４５６２号の請求項１，２及び４に係る発明についての特許は，特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではないから，特許法第１２３条第１項第２号に該当しない。 本件特許の請求項１及び２に係る発明についての特許は，特許法第２９条の２の規定に違反してされたものではないから，特許法第１２３条第１項第２号に該当しない。 本件特許の請求項１，２及び４に係る発明についての特許は，特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものではないから，同法第１２３条第１項第４号に該当しない。 本件の請求項１，２及び４に係る発明についての特許は，特許法第３６条第６項第１号の規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものではないから，特許法第１２３条第１項第４号に該当しない。 したがって，本件の請求項１，２及び４に係る発明についての審判請求は，成り立たない。 審判に関する費用については，特許法第１６９条第２項で準用する民事訴訟法第６１条の規定により，請求人の負担とする。 よって，結論のとおり審決する。