2022-700474

特許第６９７４７９９号発明「膜密度が向上したレジスト下層膜を形成するための組成物」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第６９７４７９９号の明細書及び特許請求の範囲を、訂正請求書に添付した訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～９］について訂正することを認める。 特許第６９７４７９９号の請求項１、４～９に係る特許を維持する。 特許第６９７４７９９号の請求項２～３に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第６９７４７９９号（請求項の数９。以下「本件特許」という。）についての出願（特願２０１８－５１４６２９号）は、２０１７年（平成２９年）４月２５日（先の出願に基づく優先権主張 ２０１６年４月２８日）を国際出願日とする出願であって、令和３年１１月９日にその特許権の設定登録がされ、令和３年１２月１日に特許掲載公報が発行された。 本件特許について、特許掲載公報の発行の日から６月以内である令和４年６月１日に、特許異議申立人 村野 親（以下「特許異議申立人」という。）から、本件特許の全請求項に係る特許に対して、特許異議の申立てがされた（異議２０２２－７００４７４号、以下「本件事件」という。）。 本件事件についての、その後の手続等の経緯は、以下のとおりである。 令和４年 ９月２２日付け： 取消理由通知書 令和４年１１月２５日 ： 訂正請求書の提出 令和４年１１月２５日 ： 意見書（特許権者）の提出 令和４年１２月１９日付け： 手続補正指令書（方式） 令和５年 １月１７日 ： 手続補正書（特許権者）の提出 令和５年 ２月２２日 ： 意見書（特許異議申立人）の提出 第２ 本件訂正請求について 令和４年１１月２５日に提出された訂正請求書であって、令和５年１月１７日に提出された手続補正書で補正された当該訂正請求書でなされた訂正の請求を、以下「本件訂正請求」という。 １ 訂正の趣旨 本件訂正請求の趣旨は、「特許第６９７４７９９号の明細書、特許請求の範囲を本訂正請求書に添付した訂正明細書、特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１乃至請求項９について訂正することを求める。」というものである。 ２ 訂正の内容 本件訂正請求による訂正の内容は、以下のとおりである。 なお、本件訂正は、一群の請求項である、請求項１～９についてなされたものである。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１について、 「下記式（１）： 【化１】 ［図：0001400444000001.jpg］ （式（１）において、基Ａ及び基Ｂはそれぞれ独立して、芳香族環、縮合芳香族環、又は縮合芳香族ヘテロ環を有する有機基であって、メチル基、スルフィド基、又はその組み合わせである化学基（ａ）、アミノ基、カルボキシル基、カルボン酸アルキルエステル基、ニトロ基、ヒドロキシ基、エーテル基、又はその組み合わせである化学基（ｂ）、及びフルオロアルキル基である化学基（ｃ）からなる群より選ばれた同種又は異種の２つ以上の１価又は２価の化学基が、該基Ａもしくは基Ｂ又はその両方の基中の、芳香族環、縮合芳香族環、又は縮合芳香族ヘテロ環上の炭素原子に結合する水素原子と、それぞれ置換した構造を有する有機基であり、前記化学基が２価の場合、前記環同士は該化学基を介して結合もしくは該化学基とともに縮合していてもよい。）で表される繰り返し単位構造を有するノボラック樹脂を含み、 前記２つ以上の１価又は２価の化学基のうち、少なくとも１つが化学基（ｂ）から選ばれ、 ４００℃で焼成したレジスト下層膜はｗｉｇｇｌｉｎｇが発生する最小パターンが４３．９ｎｍ以下である、 レジスト下層膜形成組成物 （ただし、上記ノボラック樹脂は下記の式で表される繰り返し単位構造を有するノボラック樹脂を除く。）。 【化２】 ［図：0001400444000002.jpg］ 」と記載されているのを、 「下記式（１）： 【化１】 ［図：0001400444000003.jpg］ （式（１）において、基Ａは、カルバゾール、又はジフェニルアミンを有する有機基であり、基Ｂは、ベンゼン、又はナフタレンを有する有機基であって、メチル基、スルフィド基、又はその組み合わせである化学基（ａ）、アミノ基、カルボキシル基、カルボン酸アルキルエステル基、ニトロ基、ヒドロキシ基、エーテル基、又はその組み合わせである化学基（ｂ）、及びフルオロアルキル基である化学基（ｃ）からなる群より選ばれた同種又は異種の２つ以上の１価又は２価の化学基が、該基Ａもしくは基Ｂ又はその両方の基中の、芳香族環、縮合芳香族環、又は縮合芳香族ヘテロ環上の炭素原子に結合する水素原子と、それぞれ置換した構造を有する有機基であり、前記化学基が２価の場合、前記環同士は該化学基を介して結合もしくは該化学基とともに縮合していてもよい。）で表される繰り返し単位構造を有するノボラック樹脂であって、 前記ノボラック樹脂が、化学基（ｂ）、化学基（ａ）と化学基（ｂ）の組み合わせ、化学基（ｂ）と化学基（ｃ）の組み合わせ、化学基（ａ）と化学基（ｂ）と化学基（ｃ）の組み合わせ、から選ばれた２種類以上の化学基で芳香族環、縮合芳香族環、又は縮合芳香族ヘテロ環の水素原子をそれぞれ置換した構造を有するノボラック樹脂を含み、 前記２つ以上の１価又は２価の化学基のうち、少なくとも１つが化学基（ｂ）から選ばれ、 ４００℃で焼成した、半導体基板上のレジスト下層膜はｗｉｇｇｌｉｎｇが発生する最小パターンが４３．５ｎｍ以上４３．９ｎｍ以下である、 レジスト下層膜形成組成物 （ただし、上記ノボラック樹脂は下記の式で表される繰り返し単位構造を有するノボラック樹脂を除く。）。 【化２】 ［図：0001400444000004.jpg］ 」と訂正する（請求項１の記載を引用する請求項４乃至請求項９も同様に訂正する）。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２を削除する。 （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項３を削除する。 （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項４に記載された「請求項３」を、「請求項１」と訂正する。 （５）訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項５に記載された「請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載」を、「請求項１又は請求項４に記載」と訂正する。 （６）訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項６に記載された「請求項１乃至請求項５」を、「請求項１、請求項４及び請求項５」と訂正する。 （７）訂正事項７ 特許請求の範囲の請求項７に記載された「請求項１乃至請求項６」を、「請求項１、請求項４乃至請求項６」と訂正する。 （８）訂正事項８ 特許請求の範囲の請求項８に記載された「請求項１乃至請求項６」を、「請求項１、請求項４乃至請求項６」と訂正する。 （９）訂正事項９ 特許請求の範囲の請求項９に記載された「請求項１乃至請求項６」を、「請求項１、請求項４乃至請求項６」と訂正する。 （１０）訂正事項１０ 明細書の段落【００３４】に記載された 「【化３】 ［図：0001400444000005.jpg］ 」を、 「【化３】 ［図：0001400444000006.jpg］ 」と訂正する。 （１１）訂正事項１１ 明細書の段落【００８１】を削除する。 （１２）訂正事項１２ 明細書の段落【０１０２】に記載された「実施例４乃至２１」を、「実施例４乃至７、実施例９乃至２１」と訂正する。 （１３）訂正事項１３ 明細書の段落【０１０４】に記載された 「【表１】 ［図：0001400444000007.jpg］ 」を、 「【表１】 ［図：0001400444000008.jpg］ 」と訂正する。 （１４）訂正事項１４ 明細書の段落【０１０７】に記載された「実施例４乃至２１」を、「実施例４乃至７、実施例９乃至２１」と訂正する。 （１５）訂正事項１５ 明細書の段落【０１０８】に記載された 「【表４】 ［図：0001400444000009.jpg］ 」を、 「【表４】 ［図：0001400444000010.jpg］ 」と訂正する。 （１６）訂正事項１６ 明細書の段落【０１１０】に記載された「実施例４乃至２１」を、「実施例４乃至７、実施例９乃至２１」と訂正する。 （１７）訂正事項１７ 明細書の段落【０１１１】に記載された 「【表６】 ［図：0001400444000011.jpg］ 」を、 「【表６】 ［図：0001400444000012.jpg］ 」と訂正する。 ３ 訂正の適否 （１）訂正事項１について ア 訂正の目的 （ア）基Ａ及び基Ｂ 訂正事項１は、訂正前の請求項１の「基Ａ及び基Ｂはそれぞれ独立して、芳香族環、縮合芳香族環、又は縮合芳香族ヘテロ環を有する有機基」という発明特定事項について、基Ａを「カルバゾール、又はジフェニルアミンを有する有機基」に減縮し、基Ｂを「ベンゼン、又はナフタレンを有する有機基」に減縮するものである。 よって、訂正事項１による上記訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 （イ）化学基（ａ）、（ｂ）及び（ｃ） 訂正事項１は、訂正前の請求項１の「下記式（１）：・・・中略・・・で表される繰り返し単位構造を有するノボラック樹脂」という発明特定事項について、「下記式（１）：・・・中略・・・で表される繰り返し単位構造を有するノボラック樹脂であって、前記ノボラック樹脂が、化学基（ｂ）、化学基（ａ）と化学基（ｂ）の組み合わせ、化学基（ｂ）と化学基（ｃ）の組み合わせ、化学基（ａ）と化学基（ｂ）と化学基（ｃ）の組み合わせ、から選ばれた２種類以上の化学基で芳香族環、縮合芳香族環、又は縮合芳香族ヘテロ環の水素原子をそれぞれ置換した構造を有するノボラック樹脂」に減縮するものである。 よって、訂正事項１による上記訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。 （ウ）パターンの対象 訂正事項１は、訂正前の請求項１の「４００℃で焼成したレジスト下層膜はｗｉｇｇｌｉｎｇが発生する最小パターン」という発明特定事項について、「４００℃で焼成した、半導体基板上のレジスト下層膜はｗｉｇｇｌｉｎｇが発生する最小パターン」に訂正するものである。 すなわち、訂正事項１は、取消理由通知書において、「パターンの対象が不明である」とされたことに対し、「ｗｉｇｇｌｉｎｇが発生する最小パターン」の対象が「半導体基板上のレジスト下層膜」であることを明確にするものである。 よって、訂正事項１による上記訂正は、明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。 （エ）最小パターンの下限値 訂正事項１は、訂正前の請求項１の「ｗｉｇｇｌｉｎｇが発生する最小パターンが４３．９ｎｍ以下」という発明特定事項について、「ｗｉｇｇｌｉｎｇが発生する最小パターン」の下限値を「４３．５ｎｍ以上」に減縮するものである。 よって、訂正事項１による上記訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。 （オ）小括 したがって、訂正事項１による訂正は、特許請求の範囲の減縮及び明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。 イ 新規事項 （ア）基Ａ及び基Ｂ 基Ａ及び基Ｂに関する訂正事項１による訂正は、本件特許の願書に添付した明細書の【００２０】の記載に基づくものである。 （イ）化学基（ａ）、（ｂ）及び（ｃ） 化学基（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）に関する訂正事項１による訂正は、本件特許の願書に添付した明細書の【００１０】の記載に基づくものである。 （ウ）パターンの対象 「ｗｉｇｇｌｉｎｇが発生する最小パターン」の対象が「半導体基板上のレジスト下層膜」であることに関する訂正事項１による訂正は、本件特許の願書に添付した明細書の【００１７】及び【０１１３】の記載に基づくものである。 （エ）最小パターンの下限値 「ｗｉｇｇｌｉｎｇが発生する最小パターン」の下限値を「４３．５ｎｍ以上」とすることに関する訂正事項１による訂正は、本件特許の願書に添付した明細書の【０１１４】の【表８】（特に、実施例４）記載に基づくものである。 （オ）小括 したがって、訂正事項１による訂正は、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲及び図面の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものではない。 ウ 拡張又は変更 上記アに照らせば、訂正事項１による訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでない。 （２）訂正事項２～３について 訂正事項２～３による訂正は、請求項２～３を削除する訂正であるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。 また、これらの訂正が、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でしたものであること、及び実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しないことは明らかである。 （３）訂正事項４～９について 訂正事項４～９による訂正は、請求項の削除に伴い、引用する請求項から削除された請求項を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。 また、これらの訂正が、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でしたものであること、及び実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しないことは明らかである。 （４）訂正事項１０について ア 訂正の目的 訂正事項１０は、明細書の段落【００３４】中の式（１－８）で表される単位構造を削除するものである。 すなわち、訂正事項１０は、取消理由通知書において、上記式（１－８）が「－Ｏ－ＣＨ２ＣＨ２－ＯＨ」を有することを根拠に、「本件請求項１の「エーテル基」が、「－Ｏ－」と理解するのか、それとも、「－Ｏ－ＣＨ２ＣＨ２－」（アルキレンオキシ基と呼ぶのが技術常識である。）や「－Ｏ－ＣＨ２ＣＨ３」（アルコキシ甚と呼ぶのが技術常識である。）等を含むと理解するのか不明である」とされたことに対し、上記式（１－８）を削除することで、請求項１の「エーテル基」は「－Ｏ－」であることを明確にするものである。 したがって、訂正事項１０による訂正は、明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。 イ 新規事項 訂正事項１０は、式（１－８）で表される単位構造を削除するものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でしたものであることは明らかである。 ウ 拡張又は変更 上記アに照らせば、訂正事項１０による訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでない。 （５）訂正事項１１～１７について 訂正事項１１～１７による訂正は、上記訂正事項１０による式（１－８）で表される構造単位の削除に伴い、当該式（１－８）のポリマーを合成した合成例８及び当該合成例８を用いた実施例８に関する記載を削除するものであるから、上記訂正事項１０と同様に、明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。 また、これらの訂正が、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でしたものであること、及び実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しないことは明らかである。 （６）小括 訂正事項１～１７による訂正は、特許法１２０条の５第２項ただし書１号に掲げる特許請求の範囲の減縮及び同３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正に該当し、かつ、同法同条９項で準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合する。 したがって、明細書及び特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～９〕について訂正することを認める。 第３ 本件特許発明 上記第２のとおり、本件訂正請求による訂正は認められることとなったことから、本件特許の請求項１及び４～９に係る発明（以下、それぞれ「本件特許発明１」及び「本件特許発明４」～「本件特許発明９」という。また、請求項１及び４～９に係る発明を、「本件特許発明」と総称する。）は、訂正後の特許請求の範囲の請求項１及び４～９に記載された事項によって特定されるとおりの、以下のものである。 「【請求項１】 下記式（１）： 【化１】 ［図：0001400444000013.jpg］ （式（１）において、基Ａは、カルバゾール、又はジフェニルアミンを有する有機基であり、基Ｂは、ベンゼン、又はナフタレンを有する有機基であって、メチル基、スルフィド基、又はその組み合わせである化学基（ａ）、アミノ基、カルボキシル基、カルボン酸アルキルエステル基、ニトロ基、ヒドロキシ基、エーテル基、又はその組み合わせである化学基（ｂ）、及びフルオロアルキル基である化学基（ｃ）からなる群より選ばれた同種又は異種の２つ以上の１価又は２価の化学基が、該基Ａもしくは基Ｂ又はその両方の基中の、芳香族環、縮合芳香族環、又は縮合芳香族ヘテロ環上の炭素原子に結合する水素原子と、それぞれ置換した構造を有する有機基であり、前記化学基が２価の場合、前記環同士は該化学基を介して結合もしくは該化学基とともに縮合していてもよい。）で表される繰り返し単位構造を有するノボラック樹脂であって、 前記ノボラック樹脂が、化学基（ｂ）、化学基（ａ）と化学基（ｂ）の組み合わせ、化学基（ｂ）と化学基（ｃ）の組み合わせ、化学基（ａ）と化学基（ｂ）と化学基（ｃ）の組み合わせ、から選ばれた２種類以上の化学基で芳香族環、縮合芳香族環、又は縮合芳香族ヘテロ環の水素原子をそれぞれ置換した構造を有するノボラック樹脂を含み、 前記２つ以上の１価又は２価の化学基のうち、少なくとも１つが化学基（ｂ）から選ばれ、 ４００℃で焼成した、半導体基板上のレジスト下層膜はｗｉｇｇｌｉｎｇが発生する最小パターンが４３．５ｎｍ以上４３．９ｎｍ以下である、 レジスト下層膜形成組成物 （ただし、上記ノボラック樹脂は下記の式で表される繰り返し単位構造を有するノボラック樹脂を除く。）。 【化２】 ［図：0001400444000014.jpg］ 」 「【請求項４】 式（１）で表されるノボラック樹脂は、化学基（ｂ）から選ばれた同種又は異種の２つの化学基、又は化学基（ａ）と化学基（ｂ）からそれぞれ選ばれた２種類の化学基が、基Ａ及び基Ｂの両方の基中の芳香族環、縮合芳香族環、又は縮合芳香族ヘテロ環上の炭素原子に結合する水素原子とそれぞれ置換して、単位構造中に２種類の化学基が導入された構造を有するものである請求項１に記載のレジスト下層膜形成組成物。 【請求項５】 更に架橋剤を含む請求項１又は請求項４に記載のレジスト下層膜形成組成物。 【請求項６】 更に酸及び／又は酸発生剤を含む請求項１、請求項４及び請求項５のいずれか１項に記載のレジスト下層膜形成組成物。 【請求項７】 請求項１、請求項４乃至請求項６のいずれか１項に記載のレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成することによって得られるレジスト下層膜の製造方法。 【請求項８】 半導体基板上に請求項１、請求項４乃至請求項６のいずれか１項に記載のレジスト下層膜形成組成物からレジスト下層膜を形成する工程、その上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、形成されたレジストパターンにより該下層膜をエッチングする工程、及びパターン化された下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。 【請求項９】 半導体基板上に請求項１、請求項４乃至請求項６のいずれか１項に記載のレジスト下層膜形成組成物からレジスト下層膜を形成する工程、その上にハードマスクを形成する工程、更にその上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、形成されたレジストパターンによりハードマスクをエッチングする工程、パターン化されたハードマスクにより該下層膜をエッチングする工程、及びパターン化されたレジスト下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。」 第４ 取消しの理由及び証拠 １ 取消しの理由 特許権者に対して、当合議体が令和４年９月２２日付け取消理由通知書により通知した取消しの理由の概要は、下記のとおりである。 理由１：（明確性要件、サポート要件、実施可能要件） 本件特許は、特許を受けようとする発明が、明確であるということができないから、特許法３６条６項２号に規定する要件を満たしていない出願に対してされたものである。 また、本件特許は、特許を受けようとする発明が、発明の詳細な説明に記載したものであるということができないから、特許法３６条６項１号に規定する要件を満たしていない出願に対してされたものである。 加えて、本件特許の発明の詳細な説明の記載は、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるということができないから、本件特許は、特許法３６条４項１号に規定する要件を満たしていない出願に対してされたものである。 したがって、本件特許は、特許法１１３条４号に該当し、取り消されるべきものである。 理由２：（新規性）本件特許の請求項１～７に係る発明は、その優先権主張の基礎とされた先の出願前（以下「先の出願前」という。）に、日本国内又は外国において、頒布された下記刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法２９条１項３号に該当し、また、（進歩性）本件特許の請求項１～９に係る発明は、先の出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基づいて、先の出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであって、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件特許は、特許法２９条の規定に違反してされたものである。 したがって、本件特許は、特許法１１３条２号に該当し、取り消されるべきものである。 ２ 証拠 甲１：国際公開第２０１４／０３０５７９号 甲３：特開２０１２－１４５８９７号公報 甲６：J. Kim, et al., "Sub-0.1 μm nitride hard mask open process without precuring the ArF photoresist", Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena, 2003, Vol. 21, No. 2, p.790-794, 2003.3.12. 甲８：G. Wakamatsu, et al., "Investigation of pattern wiggling for spin-on organic hardmask materials", Proceedings of SPIE, Advances in Resist Materials and Processing Technology XXIX, 2012, Vol. 8325, p. 83250T-1-83250T-9, 2012.3.20. （当合議体注：甲１は主引用例であるとともに、周知技術を示す文献でもある。甲３は、主引用例である。甲６は、副引用例であるとともに、技術常識を示す文献でもある。甲８は、技術常識を示す文献である。） なお、特許権者は、令和４年１１月２５日提出の意見書に添付して、以下の証拠書証の申出をしている。 乙１：特開２００８－２０３６２５号公報 乙２：特表２０１４－５３０３８６号公報 第５ 取消しの理由についての当合議体の判断（明確性、実施可能要件、サポート要件） １ （明確性）ｗｉｇｇｌｉｎｇ 本件訂正請求により、「ｗｉｇｇｌｉｎｇ」に関して、本件請求項１の記載は、「４００℃で焼成した、半導体基板上のレジスト下層膜はｗｉｇｇｌｉｎｇが発生する最小パターンが４３．５ｎｍ以上４３．９ｎｍ以下である」と訂正された。 （１）対象 本件訂正請求により、本件請求項１の「ｗｉｇｇｌｉｎｇが発生する最小パターン」の対象が「半導体基板上のレジスト下層膜」のパターン幅であることが明確になった。 したがって、本件特許発明１は明確である。 本件特許発明４～９も同様である。 （２）形成条件 特許を受けようとする発明が明確であるか否かは、特許請求の範囲の記載だけではなく、願書に添付した明細書及び図面を考慮し、また、当業者の出願当時における技術常識を基礎として、特許請求の範囲の記載が、第三者の利益が不当に害されるほどに不明確であるか否かという観点から判断するのが相当である。 これを、本件請求項１の「ｗｉｇｇｌｉｎｇが発生する最小パターン」の形成条件において検討するに、当該「ｗｉｇｇｌｉｎｇが発生する最小パターン」は、エッチングガスの種類、エッチングガスのエネルギー、エッチング時間、エッチング温度、圧カ、隣接する層に用いられる材料、等によっても大きく変化するものであることが技術上の常識である（例えば、甲６のI. INTRODUCTIONの第１段落と第２段落、C. Methodologies for preventing striation and wigglingの第１段落、第２段落、第４段落と、甲８の第２頁第１２行～第３頁第３行などを参照。）。 一方、「ｗｉｇｇｌｉｎｇが発生する最小パターン」を測定する際に、測定条件の設定の仕方が適切でない場合に、同じ「レジスト下層膜形成用組成物」を用いて測定した「ｗｉｇｇｌｉｎｇが発生する最小パターン」が変動することがあり得るとすれば、同じ「レジスト下層膜形成用組成物」を測定しても、測定結果である「ｗｉｇｇｌｉｎｇが発生する最小パターン」が「４３．５ｎｍ以上４３．９ｎｍ以下」の範囲に入ったり入らなかったりすることがあり得ることとなる。しかし、本件訂正請求が認められた結果、本件特許発明１では式（１）において、基Ａはカルバゾール、又はジフェニルアミンを有する有機基であり、基Ｂはベンゼン、又はナフタレンを有する有機基であって、また、ノボラック樹脂は、化学基（ｂ）、化学基（ａ）と化学基（ｂ）の組み合わせ、化学基（ｂ）と化学基（ｃ）の組み合わせ、化学基（ａ）と化学基（ｂ）と化学基（ｃ）の組み合わせ、から選ばれた２種類以上の化学基で芳香族環、縮合芳香族環、又は縮合芳香族ヘテロ環の水素原子をそれぞれ置換した構造を有するノボラック樹脂であることが特定され、本件特許発明１に係るレジスト下層膜形成組成物は相当程度特定された化学構造を有するものである。とすると、当業者であれば、「ｗｉｇｇｌｉｎｇが発生する最小パターン」の測定に係るパターンの形成方法として当該相当程度特定された化学構造を有する組成物に適切な測定条件を自ずと選択するものであって、「ｗｉｇｇｌｉｎｇが発生する最小パターン」の測定結果に著しい変動が生じないような測定条件を設定することになると解されるので、本件特許発明１が、第三者の利益が不当に害されるほどに不明確であるということはできない。 したがって、本件特許発明１は明確である。 本件特許発明４～９も同様である。 ２ （明確性）エーテル基 本件請求項１の「エーテル基」は、エーテル構造である「－Ｏ－」と解することが、技術常識に基づく解釈である（例えば、大辞泉 増補・新装版、第６０９頁「官能基」、１９９８年１２月１日第１版＜増補・新装版＞第２刷発行、を参照。）。 そして、本件訂正請求により、本件明細書の発明の詳細な説明の【００３３】～【００３４】から、「式（１）の単位構造」の例示として、「基Ｂ」の「芳香族環」の置換基が「－Ｏ－ＣＨ２ＣＨ２－ＯＨ」である「式（１－８）」が削除された。そうすると、本件明細書の発明の詳細な説明には、「－Ｏ－ＣＨ２ＣＨ２－」が「エーテル基」に該当すると解釈され得るといった、上記技術常識と矛盾した記載はもはや存在しない。 そうしてみると、本件請求項１に係る認定の際に、本件請求項１の「エーテル基」が「－Ｏ－」であると理解することが明確である。 したがって、本件特許発明１は明確である。 本件特許発明４～９も同様である。 ３ （実施可能要件）ｗｉｇｇｌｉｎｇ 本件特許発明１は、「ｗｉｇｇｌｉｎｇが発生する最小パターン」の上限値が「４３．９ｎｍ以下」と規定されているとともに、本件訂正請求において、その下限値が「４３．５ｎｍ以上」と規定された。 そして、本件明細書の発明の詳細な説明において、当該最小パターンは、実施例４として「４３．５ｎｍ」、実施例９として「４３．９ｎｍ」を実施できることが具体的に記載されている。 よって、本件明細書の発明の詳細な説明は、本件特許発明１を当業者が実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものであるということができる。 本件特許発明４～９についても同様である。 ４ （サポート要件）ｗｉｇｇｌｉｎｇ 本件特許発明１は、「ｗｉｇｇｌｉｎｇが発生する最小パターン」の上限値が「４３．９ｎｍ以下」と規定されているとともに、本件訂正請求において、その下限値が「４３．５ｎｍ以上」と規定された。 そして、本件明細書の発明の詳細な説明において、当該最小パターンは、実施例４として「４３．５ｎｍ」、実施例９として「４３．９ｎｍ」を実施できることが具体的に記載されている。 このため、出願時の技術常識に照らし、本件特許発明１の範囲まで発明の詳細な説明において開示された内容を拡張ないし一般化することができる。 よって、本件特許発明１は、発明の詳細な説明に記載したものである。 本件特許発明４～９についても同様である。 ５ （サポート要件）同種の２つ以上の化学基 本件請求項１には、「式（１）において、・・・中略・・・メチル基、スルフィド基、又はその組み合わせである化学基（ａ）、アミノ基、カルボキシル基、カルボン酸アルキルエステル基、ニトロ基、ヒドロキシ基、エーテル基、又はその組み合わせである化学基（ｂ）、及びフルオロアルキル基である化学基（ｃ）からなる群より選ばれた同種又は異種の２つ以上の１価又は２価の化学基が、該基Ａもしくは基Ｂ又はその両方の基中の、芳香族環、縮合芳香族環、又は縮合芳香族ヘテロ環上の炭素原子に結合する水素原子と、それぞれ置換した構造を有する有機基であり」と記載されている。 また、本件訂正請求により、本件請求項１に、「化学基（ｂ）、化学基（ａ）と化学基（ｂ）の組み合わせ、化学基（ｂ）と化学基（ｃ）の組み合わせ、化学基（ａ）と化学基（ｂ）と化学基（ｃ）の組み合わせ、から選ばれた２種類以上の化学基で芳香族環、縮合芳香族環、又は縮合芳香族ヘテロ環の水素原子をそれぞれ置換した構造」との発明特定事項が追加された。 ここで、発明の詳細な説明の【００１９】には、「式（１）において、・・・中略・・・酸化により質量増を生じる化学基（ａ）、加熱により架橋形成を生じる化学基（ｂ）、及び硬化中に相分離を誘発する化学基（ｃ）からなる群より選ばれた２種類以上の１価又は２価の化学基が、・・・中略・・・それぞれ置換した構造を有する有機基である。」と記載されており、当該「化学基」としては、「２種類以上」と記載されている。 そして、発明の詳細な説明の【００３３】～【００３７】には、「式（１）の単位構造」である、式（１－１）、式（１－４）～式（１－７）及び式（１－９）～式（１－２１）が例示されているが、ここに記載されているのは、すべて、当該「化学基」が「２種類以上」のものである。加えて、発明の詳細な説明の実施例には、当該式（１－１）～式（１－４）、式（１－７）及び式（１－９）～式（１－２１）に相当するポリマーを用いた実施例１、４～７及び９～２１が記載されている。 一方、発明の詳細な説明の実施例には、当該「化学基」が３つの「ヒドロキシ基」のみであるポリマーを用いた比較例３と６も記載されている。 そうしてみると、本件明細書の【００１９】、【００３３】～【００３７】、実施例１、４～７及び９～２１、比較例３と６とに照らし、式（１）において、当該「化学基」が「２種類以上」である場合が、発明の課題を解決する手段といえる。 よって、本件特許発明１は、発明の詳細な説明に記載された、発明の課題を解決する手段が反映されたものであるので、発明の詳細な説明に記載したものである。 本件特許発明４～９も同様である。 第６ 取消しの理由についての当合議体の判断（新規性・進歩性） １ 引用発明について （１）甲１の実施例４に基づく発明 甲１の実施例４に記載された「レジスト下層膜形成組成物」であって、同［００６１］から、「４００℃２分間焼成」した「レジスト下層膜」の「パターンの曲がり（ｗｉｇｇｌｉｎｇ）が発生し始める限界加工線幅」が「４３．７８ｎｍ」であると理解される「レジスト下層膜形成組成物」を、「甲１実施例４発明」という。 （２）甲１の［００２７］等に基づく発明 甲１の請求項２及び６を直列的に引用する請求項７に記載された、「フェノールノボラック樹脂」を含む「レジスト下層膜形成組成物」であって、当該「フェノールノボラック樹脂」が、同［００２７］の「式（８－１）」～「（８－１９）」で表される単位構造を有する「レジスト下層膜形成組成物」を、それぞれ、「甲１式８－１発明」～「甲１式８－１９発明」という。 （３）甲３に基づく発明 甲３の実施例に記載された、「ＳＯＬ－１」～「ＳＯＬ－１２」から理解される「レジスト下層膜形成用溶液」を、それぞれ、「甲３ＳＯＬ１発明」～「甲３ＳＯＬ１２発明」という。 ２ 甲１の実施例４に基づく発明を主引用発明とした場合 （１）対比 本件特許発明１と甲１実施例４発明を対比する。 ア ノボラック樹脂 甲１実施例４発明に含まれる「式（８－５）のポリマー」は、ヒドロキシ基を４つ含むため、本件特許発明１の「式（１）」において、「ヒドロキシ基」「である化学基（ｂ）」「より選ばれた同種」「の２つ以上の１価」「の化学基が、該基Ａ」「の基中の、芳香族環」「の炭素原子に結合する水素原子と、それぞれ置換した構造を有する有機基」である、「繰り返し単位構造を有するノボラック樹脂」に相当する。 一方、当該「式（８－５）のポリマー」の「基Ａ」は、芳香族環を有するものの、窒素原子を有しないため、本件特許発明１の「カルバゾール、又はジフェニルアミンを有する有機基」という構成要件を満足しない。 また、当該「式（８－５）のポリマー」の「基Ｂ」は、ピレンを有する有機基であるものの、本件特許発明１の「ベンゼン、又はナフタレンを有する有機基」という構成要件も満足しない。 イ ２種類以上の化学基 甲１実施例４発明に含まれる「式（８－５）のポリマー」は、ヒドロキシ基を４つ含むものの、２種以上の化学基で置換された構造を有しない。 よって、甲１実施例４発明に含まれる「式（８－５）のポリマー」は、本件特許発明１の「化学基（ｂ）、化学基（ａ）と化学基（ｂ）の組み合わせ、化学基（ｂ）と化学基（ｃ）の組み合わせ、化学基（ａ）と化学基（ｂ）と化学基（ｃ）の組み合わせ、から選ばれた２種類以上の化学基で芳香族環、縮合芳香族環、又は縮合芳香族ヘテロ環の水素原子をそれぞれ置換した構造を有する」という構成要件を満足しない。 ウ 少なくとも１つが化学基（ｂ） 甲１実施例４発明に含まれる「式（８－５）のポリマー」は、「ヒドロキシ基」「である化学基（ｂ）」を含むため、本件特許発明１の「前記２つ以上の１価又は２価の化学基のうち、少なくとも１つが化学基（ｂ）から選ばれ、」という構成要件を満たす。 エ ｗｉｇｇｌｉｎｇ 甲１実施例４発明は、本件特許発明１の「４００℃で焼成した、半導体基板上のレジスト下層膜はｗｉｇｇｌｉｎｇが発生する最小パターンが４３．５ｎｍ以上４３．９ｎｍ以下である、」という構成要件を満たす。 オ レジスト下層膜形成組成物 甲１実施例４発明の「レジスト下層膜形成組成物」は、本件特許発明１の「レジスト下層膜形成組成物」に相当する。 カ 除かれた樹脂 甲１実施例４発明に含まれる「式（８－５）のポリマー」は、本件特許発明１で除かれた「ノボラック樹脂」ではない。 （２）一致点及び相違点 ア 一致点 本件特許発明１と甲１実施例４発明は、次の構成で一致する。 「下記式（１）： 【化１】 ［図：0001400444000015.jpg］ （式（１）において、メチル基、スルフィド基、又はその組み合わせである化学基（ａ）、アミノ基、カルボキシル基、カルボン酸アルキルエステル基、ニトロ基、ヒドロキシ基、エーテル基、又はその組み合わせである化学基（ｂ）、及びフルオロアルキル基である化学基（ｃ）からなる群より選ばれた同種又は異種の２つ以上の１価又は２価の化学基が、該基Ａもしくは基Ｂ又はその両方の基中の、芳香族環、縮合芳香族環、又は縮合芳香族ヘテロ環上の炭素原子に結合する水素原子と、それぞれ置換した構造を有する有機基であり、前記化学基が２価の場合、前記環同士は該化学基を介して結合もしくは該化学基とともに縮合していてもよい。）で表される繰り返し単位構造を有するノボラック樹脂であって、 前記２つ以上の１価又は２価の化学基のうち、少なくとも１つが化学基（ｂ）から選ばれ、 ４００℃で焼成した、半導体基板上のレジスト下層膜はｗｉｇｇｌｉｎｇが発生する最小パターンが４３．５ｎｍ以上４３．９ｎｍ以下である、 レジスト下層膜形成組成物 （ただし、上記ノボラック樹脂は下記の式で表される繰り返し単位構造を有するノボラック樹脂を除く。）。 【化２】 ［図：0001400444000016.jpg］ 」 イ 相違点 本件特許発明１と甲１実施例４発明は、次の構成で相違する。 （相違点１） 本件特許発明１の「基Ａ」は、「カルバゾール、又はジフェニルアミンを有する有機基」であるのに対し、甲１実施例４発明の「基Ａ」は、芳香族環を有するものの、窒素原子を有しないため、「カルバゾール、又はジフェニルアミンを有する有機基」ではない点。 （相違点２） 本件特許発明１の「基Ｂ」は、「ベンゼン、又はナフタレンを有する有機基」であるのに対し、甲１実施例４発明の「基Ｂ」は、ピレンを有する有機基であるものの、「ベンゼン、又はナフタレンを有する有機基」ではない点。 （相違点３） 本件特許発明１の「ノボラック樹脂」は、「化学基（ｂ）、化学基（ａ）と化学基（ｂ）の組み合わせ、化学基（ｂ）と化学基（ｃ）の組み合わせ、化学基（ａ）と化学基（ｂ）と化学基（ｃ）の組み合わせ、から選ばれた２種類以上の化学基で芳香族環、縮合芳香族環、又は縮合芳香族ヘテロ環の水素原子をそれぞれ置換した構造を有する」のに対し、甲１実施例４発明の「ノボラック樹脂」は、ヒドロキシ基を４つ含むものの、２種以上の化学基で置換された構造を有しないので、「化学基（ｂ）、化学基（ａ）と化学基（ｂ）の組み合わせ、化学基（ｂ）と化学基（ｃ）の組み合わせ、化学基（ａ）と化学基（ｂ）と化学基（ｃ）の組み合わせ、から選ばれた２種類以上の化学基で芳香族環、縮合芳香族環、又は縮合芳香族ヘテロ環の水素原子をそれぞれ置換した構造を有する」という要件を満足しない点。 （３）判断（新規性及び進歩性） 事案に鑑み、相違点１を検討する。 甲１には、本件特許発明１の「式（１）」の「基Ａ」に相当する有機基について、「カルバゾール、又はジフェニルアミンを有する有機基」とすることは、記載も示唆もされていない。 したがって、相違点２及び３について検討するまでもなく、本件特許発明１は、甲１に記載された発明ではないし、甲１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。 （４）本件特許発明４～９について 本件特許の特許請求の範囲の請求項４～９は、いずれも、請求項１を直接又は間接的に引用するものであって、本件特許発明４～９は、本件特許発明１の構成を全て具備するものである。 したがって、上記（３）と同様に、本件特許発明４～９は、甲１に記載された発明ではないし、甲１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。 ３ 甲１の［００２７］等に基づく発明を主引用発明とした場合 本件特許発明と甲１式８－１発明～甲１式８－１９発明のいずれかを対比すると、両者は、少なくとも上記相違点１と同様の点で相違し、その判断も上記２（３）で説示したとおりである。 したがって、本件特許発明は、甲１に記載された発明ではないし、甲１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。 ４ 甲３に基づく発明を主引用発明とした場合 本件特許発明と甲３ＳＯＬ１発明～甲３ＳＯＬ１２発明のいずれかを対比すると、両者は、少なくとも上記相違点１と同様の点で相違し、その判断も上記２（３）で説示したとおりである。 したがって、本件特許発明は、甲３に記載された発明ではないし、甲３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。 第７ 特許異議申立人の意見について １ 明確性について 特許異議申立人は、令和５年２月２２日提出の意見書の１～４頁において、「乙第１号証及び乙第２号証に記載された各々の実験条件は、互いに一致するものではなく、数値や記載の仕方もそれぞれ大きく異なるものである。 したがって、乙第１号証及び乙第２号証の上記記載に基づいたとしても、パターン形成における具体的な実験条件を一義的に導き出すことはできず、いずれの実験条件を採用するかについては判断することはできない。 以上より、本件特許発明に触れた当業者は、本件特許明細書を参酌しても、いかなる実験条件で「Ｗｉｇｇｌｉｎｇが発生する最小パターンが４３．５ｎｍ以上４３．９ｎｍ以下」となるかを明確に理解することができない。それにより、第三者は、本件特許発明に関連する発明を実施するにあたり、本件特許発明の外延が不明確であることにより不測の不利益を受けることになる。」と述べた上で、明確性要件を充足しないと主張する。 しかしながら、上記第５の１（２）で説示したとおりであるので、特許異議申立人の上記主張は採用できない。 ２ 実施可能要件について 特許異議申立人は、令和５年２月２２日提出の意見書の４頁において、「本件特許は、本件特許明細書の記載及び出願時の技術常識を参酌したとしても、本件特許の請求項１で特定された数値範囲を得るためのパターン形成の具体的な実験条件が不明であることから、「Ｗｉｇｇｌｉｎｇが発生する最小パターンが４３．５ｎｍ以上４３．９ｎｍ以下」とすることを、どのようにすれば実施できるかを見出すために、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤、複雑高度な実験等をする必要があるといえる。」と主張する。 しかしながら、特許異議申立人の上記主張は、訂正の請求の内容に付随して生じる理由に係るものではなく、適切な取消理由を構成することが一見して明らかな場合に係るものともいえず、かつ、実質的に新たな取消し理由を追加主張するものといえるため、採用しない。 第８ 取消理由通知において採用しなかったその他の特許異議申立理由について 特許異議申立人は、特許異議申立書の７６～８２、９５～１０９頁において、甲２、甲４、甲５を主引用文献とした進歩性欠如の理由を主張する。 しかしながら、甲２、甲４、甲５には、ｗｉｇｇｌｉｎｇについて記載も示唆もされていない。また、本件特許発明１の「式（１）」の「基Ａ」に相当する有機基を「カルバゾール、又はジフェニルアミンを有する有機基」とすることについても記載も示唆もされていない。 よって、特許異議申立人の上記主張は採用できない。 第９ むすび 請求項１及び４～９に係る特許は、いずれも、令和４年９月２２日付け取消理由通知書に記載した取消しの理由、及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては取り消すことはできない。 また、他に請求項１及び４～９に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 本件特許の請求項２～３は、本件訂正請求による訂正で削除された。これにより、特許異議申立人による特許異議の申立てのうち、本件特許の請求項２～３に係る申立ては、申立ての対象が存在しないものとなったため、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。