2022-007790

本願は、令和元年５月１７日を国際出願日とする外国語特許出願（パリ条約による優先権主張、２０１８年５月１７日、中国）であって、その手続の経緯の概略は、次のとおりである。なお、２０１８年５月１７日を以下「優先日」という。

（同年 ２月 ２日 ：原査定の謄本の送達）

同年 ５月２４日 ：審判請求書及び手続補正書の提出

(１) 引用文献１

ア 引用文献１の記載事項

原査定の拒絶の理由において引用する特開２０１３－２５７２２５号公報（前記引用文献１）には、次の事項が記載されている。（下線は当合議体が付した。以下同様である。）

(ア) 【０００１】～【００１２】、【図５】及び【図６】

「【０００１】

本発明は、圧力伝送器に関し、詳しくは、ダイアフラムにおける水素阻止効果の改善に関する。

【０００２】

圧力伝送器の一種に、ダイアフラムシール付差圧伝送器がある。ダイアフラムシール付差圧伝送器は、差圧伝送器の受圧部の高圧側および低圧側に、それぞれシール液が封入されたキャピラリを介して接液部が連結されたものであって、差圧伝送器の受圧部に被測定流体が直接導入されては困る場合に使用される。

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【０００３】

図５は、このようなダイアフラムシール付差圧伝送器を用いたタンク液位測定系の接続例図である。図５において、差圧伝送器１０の受圧部の高圧側１１にはシール液が封入されたキャピラリ２１を介して高圧側接液部３０が連結され、受圧部の低圧側１２にはシール液が封入されたキャピラリ２２を介して低圧側接液部４０が連結されている。

【０００４】 図６は、高圧側接液部３０の一例を示す構成説明図である。金属ブロック３１の一方の面には、ダイアフラム３２がたとえば電子ビーム溶接によりリング３３とともに気密に固定されている。

【０００５】 金属ブロック３１とダイアフラム３２との間に形成される空間部３４はキャピラリ２１に連通しており、ダイアフラム３２で受けた圧力を差圧伝送器１０の受圧部の高圧側１１に伝達するためにシール液が封入されている。

【０００６】

図６のように構成される高圧側接液部３０はタンク５０の下部に設置され、低圧側接液部４０はタンク５０の上部に設置される。

【０００７】

そして、差圧伝送器１０の差圧測定値に基づきタンク５０内部の液位が測定される。

【０００８】

ところで、図５において、タンク５０内に水素ガスが充満している場合、ダイアフラム３２はステンレス鋼やニッケル合金など耐食性に優れた厚さの薄い板で製作されていることから、水素は容易にダイアフラム３２を透過することになる。この水素透過率は、温度が高いほど大きくなる。

【０００９】

水素がダイアフラム３２を透過すると、シール液中に気泡が形成される。気泡が形成されるとシール液を介しての正確な圧力伝達が行われなくなり、差圧伝送器１０の出力誤差を引き起こすことになる。

【００１０】

そこで、このような差圧伝送器１０の出力誤差対策として、金やセラミックスなど水素透過率の低い材料を水素阻止膜としてダイアフラム３２にコーティングすることが行われている。

【００１１】

ここで、水素阻止膜のコーティングは、ダイアフラム３２のシール液側に施す。ダイアフラム３２のタンク液との接液側にコーティングすると、タンク液中に含まれる固形物によってコーティング膜が摩耗あるいは剥離するためである。

【００１２】

タンク５０内の水素はダイアフラム３２に侵入するが、水素阻止膜コーティングによって、シール液側には透過しない。ただし、金やセラミックスなどのコーティング膜は電子ビーム溶接を阻害するため、図７（当審注：図９の誤記である。）に示すように溶接径の内側にだけコーティングを施す。」

「【図５】

［図：0001398972000001.jpg］

」

「【図６】

［図：0001398972000002.jpg］

」

(イ) 【００１５】～【００１７】、【図７】～【図９】

「【００１５】

図７に示すコーティング済みのダイアフラム３２を、図８に示すようにリング３３とともにブロック３１に溶接すると、ダイアフラム３２の溶接径の外側には、図９の溶接部分の拡大構成説明図に示すように、コーティング領域の外側の非コーティング部分が残る。

【００１６】

この結果、図５に示すタンク３０内に存在する水素ガスは、ダイアフラム３２の表面に吸着した後に溶解し、拡散現象により薄いダイアフラム３２内に広がる。そして、ダイアフラム３２の非コーティング部分に達すると、図９に破線Ａで示すように、ダイアフラム３２を透過してシール液中に気泡を形成することになる。

【００１７】

本発明は、このような従来の問題点に着目したものであり、その目的は、水素阻止膜のコーティングを施したダイアフラムの固定構造を工夫することで水素阻止効果をより高め、水素透過の影響を低減した圧力伝送器を提供することにある。」

「【図７】

［図：0001398972000003.jpg］

」

「【図８】

［図：0001398972000004.jpg］

」

「【図９】

［図：0001398972000005.jpg］

」

(ウ) 【００２４】～【００３１】、【図１】～【図３】

「【００２４】

以下、本発明について、図面を用いて説明する。図１は本発明の一実施例を示す構成説明図であり、図６と共通する部分には同一の符号を付けている。図１と図６の相違点は、以下の通りである。

【００２５】

１）ダイアフラム３２の外周平坦部分の幅が図６に比べて狭い

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２）リング３３のダイアフラム３２との対向面にダイアフラム３２を溶接固着するためのダイアフラム３２の板厚と等しい段差部を設ける

３）リング３３の段差部にダイアフラム３２を溶接固着する

４）ダイアフラム３２が溶接固着されたリング３３の所定範囲に水素阻止膜コーティングを設ける

５）水素阻止膜コーティングを施したリング３３を金属ブロック３１に溶接する

【００２６】

図１において、金属ブロック３１の寸法形状は図６と同一である。ダイアフラム３２とリング３３については、図２と図３を用いて説明する。

【００２７】

図２は、図１で用いるダイアフラム３２とリング３３の個別構成説明図である。

ダイアフラム３２の材質および湾曲形状などは図６と同様であるが、外周平坦部分の幅が図６ではリング３３の幅と等しく形成されていたのに対して、リング３３に新たに設けられた段差部３３ａに嵌め合うように狭く形成されている。

【００２８】

リング３３に新たに設けられた段差部３３ａの寸法は、ダイアフラム３２を隙間なく装着できる内径と、ダイアフラム３２の板厚と等しい深さになるように設計されている。

【００２９】

図３は、図１におけるダイアフラム３２とリング３３の組立構成説明図である。ダイアフラム３２をリング３３の段差部３３ａに嵌め合わせ、シール液側から電子ビーム溶接またはレーザー溶接で気密に固着する。これを第１の溶接とする。

【００３０】

その後、溶接固着されたダイアフラム３２とリング３３のシール液側に、第１の溶接の直径よりも広く金属ブロック３１との溶接固着に干渉しない範囲で、水素阻止膜をコーティングする。

【００３１】

溶接固着され水素阻止膜がコーティングされたダイアフラム３２とリング３３を、コーティングした面が金属ブロック３１と対向するように反転させて金属ブロック３１に組み付け、コーティング範囲にかからない直径でリング３３を電子ビーム溶接またはレーザー溶接で気密に固定する。これを第２の溶接とする。」

「【図１】

［図：0001398972000006.jpg］

」

「【図２】

［図：0001398972000007.jpg］

」

「【図３】

［図：0001398972000008.jpg］

」

イ 図１から認定できる事項

段落【００２９】～【００３１】の記載を踏まえて図１を見れば、「第２の溶接」の溶接領域の半径方向内側に「第１の溶接」による溶接領域が形成されていることが読み取れる。

ウ 段落【０００２】～【０００７】の記載事項について

引用文献１の段落【０００５】に記載された「金属ブロック３１とダイアフラム３２との間に」「空間部３４」が形成されて「シール液が封入され[る]」という構成の説明は、従来の技術を示す図６に関するものであるが、同段落【００２４】において「図１は本発明の一実施例を示す構成説明図であり、図６と共通する部分には同一の符号を付けている。」と記載されていることからみて、図１に記載された符号３１、３２、３４の示す構成は前記段落【０００５】に記載された構成と同様のものであると認められる。

また、同段落【０００２】、【０００７】に記載された「差圧伝送器の受圧部の高圧側および低圧側に、それぞれシール液が封入されたキャピラリを介して接液部が連結され」、「差圧伝送器の差圧測定値に基づき液位が測定される」「ダイアフラムシール付差圧伝送器」という技術事項は差圧伝送器の用途、使用形態に関するものであって、同段落【００２４】～【００３１】及び図１～図３に記載された発明においても共通するものであると認められる。

エ 引用発明１の認定

前記アの引用文献１の記載事項及び前記イ、ウの認定事項を総合すると、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。

［引用発明１］

「金属ブロック３１と（【００２６】、【図１】）、

金属ブロック３１との間に空間部３４が形成され、シール液が封入されるダイアフラム３２であって（前記ウの認定事項）、ダイアフラム３２は第１の溶接でリング３３に気密に固着されるとともに（【００２９】）、第２の溶接でリング３３が金属ブロック３１に気密に固定され（【００３１】）、前記第２の溶接の溶接領域の半径方向内側に前記第１の溶接による溶接領域が形成される（前記イの認定事項）、ダイアフラム３２と、

ダイアフラム３２とリング３３のシール液側に、第１の溶接の直径よりも広くコーティングされる水素阻止膜と（【００３０】）、

を有する、差圧伝送器の受圧部の高圧側および低圧側に、それぞれシール液が封入されたキャピラリを介して接液部が連結され、差圧伝送器の差圧測定値に基づき液位が測定されるダイアフラムシール付差圧伝送器（前記ウの認定事項）。」

(２) 引用文献２

ア 引用文献２の記載事項

原査定の拒絶の理由において引用する米国特許第６１２００３３号明細書（前記引用文献２）には、次の事項が記載されている。（括弧内の日本語翻訳文は当合議体による。）

(ア) ２欄３４行～４０行

「FIG. 1 shows an embodiment of process diaphragm seal 100 of the present invention having body 108 and coupled to transmitter assembly 10 for sensing pressures of process fluid 12, which can be a liquid, gas, or slurry, in process container 20. Cavity 116 defined by diaphragm 102 includes a fill fluid and couples to capillary tube 26 which fluidically couples to transmitter diaphragm 30.」

（日本語訳：図1は、本体108を有し、プロセス容器20内の液体、気体又はスラリーであり得るプロセス流体12の圧力を感知するためのトランスミッターアセンブリ10に結合された、本発明のプロセスダイヤフラムシール100の実施形態を示す。ダイヤフラム102によって画定される空洞116は、充填流体を含み、トランスミッターダイヤフラム30に流体的に結合する毛細管26に結合する。）

(イ) [Fig.1]

「

［図：0001398972000009.jpg］

」

(ウ) ２欄５８行～３欄１８行

「FIGS. 2, 3 and 8 are a perspective view of a partially cut-away section, a cross-section view, and an exploded view, respectively, of a process diaphragm seal 100 of the present invention. Process diaphragm seal 100 includes diaphragm seal body 108 having a seal body ring portion 114 surrounding cavity 116. Seal body ring portion 114 includes seal body ring inner portion 115 near cavity 116 and seal body ring outer portion 117 farther away from cavity 116.

Process diaphragm seal 100 also includes diaphragm 102, which has an active area 106 that operates over cavity 116 and that is surrounded by a diaphragm ring portion 104, sized to correspond to seal body ring portion 114. Diaphragm ring portion 104 includes diaphragm ring inner portion 105 that corresponds to seal body ring inner portion 115, and diaphragm ring outer portion 107 that corresponds to seal body ring outer portion 117. Diaphragm ring portion 104 also includes diaphragm ring back surface 109 for contacting seal body ring portion 114.

A first weld 110 of diaphragm ring outer portion 107 to seal body ring outer portion 117 forms a closed path around seal body ring portion 114. A second weld 112 of diaphragm ring inner portion 105 to seal body ring inner portion 115 forms a closed path around the cavity. The diaphragm ring back surface 109 between first weld 110 and second weld 112 is in substantially continuous contact with seal body ring portion 114. One example of substantially continuous contact is when the diaphragm ring back surface directly interfaces with the seal body ring.」

（日本語訳：図2、図3及び図8は、それぞれ、本発明のプロセスダイヤフラムシール100の部分的に切り取られた断面の斜視図、断面図及び分解図である。プロセスダイヤフラムシール100は、空洞116を取り囲むシール本体リング部分114を有するダイヤフラムシール本体108を含む。シール本体リング部分114は、空洞116の近くのシール本体リング内側部分115と、空洞116から、より離れたシール本体リング外側部分117とを含む。

プロセスダイヤフラムシール100は、また、ダイヤフラム102を含み、これは空洞116の上で動作し、シール本体リング部分114に対応するようにサイズ決めされたダイヤフラムリング部分104によって囲まれたアクティブ領域106を有する。ダイヤフラムリング部分104は、シール本体リング内側部分115に対応するダイヤフラムリング内側部分105と、シール本体リング外側部分117に対応するダイヤフラムリング外側部分107を含む。ダイヤフラムリング部分104は、また、シール本体リング部分114に接触するためのダイヤフラムリング背面109を含む。

ダイヤフラムリング外側部分107のシール本体リング外側部分117への第１の溶接部110は、シール本体リング部分114の周りに閉路を形成する。シール本体リング内側部分115へのダイヤフラムリング内側部分105の第２の溶接部112は、空洞の周りに閉路を形成する。第１の溶接部110と第２の溶接部112の間のダイヤフラムリング背面109は、シール本体リング部分114と実質的に連続的に接触している。実質的に連続的な接触の一例は、ダイヤフラムリングの背面がシール本体リングと直接接合する場合である。）

(エ) [Fig.2]

「

［図：0001398972000010.jpg］

」

(オ) ３欄２６行～３０行

「In two embodiments of the present invention, shown in cross-section in FIGS. 3 and 4, seal body ring portions 114 and 154 are parts of the same single material unit as the remainder of their respective diaphragm seal bodies 108 and 152.」

（日本語訳：図3及び図4に断面で示す本発明の二つの実施形態においては、シール本体リング部分114及び154は、それぞれのダイヤフラムシール本体108及び152の残りの部分と同じ単一材料ユニットの一部である。）

(カ) ４欄６０行～５欄５行

「In the embodiments of FIGS. 3, 4 and 5, first welds 110, 164, and 202 of diaphragm ring outer portions 107, 169, and 212, to seal body ring outer portions 117, 171, and 213, respectively, form closed paths around seal body ring portions 114, 154, and 186. Second welds 112, 166, and 196 of, respectively, diaphragm ring inner portions 105, 165, and 210 to seal body ring inner portions 115, 167, and 211 form closed paths around cavities 116, 156, and 200, respectively. First welds 110, 164, and 202, are preferably Tungsten Insert Gas (TIG) welds, laser welds or direct resistance seam welds. Second welds 112, 166, and 196 are preferably direct resistance or laser seam welds formed by passing a current or light energy through a weld area.」

（日本語訳：図3、図4及び図5の実施形態においては、シール本体リング外側部分117、171及び213へのダイヤフラムリング外側部分107、169、及び212の第１の溶接部110、164及び202は、それぞれシール本体リング部分114、154及び186の周囲に閉鎖経路を形成する。シール本体リング内側部分115、167及び211へのダイヤフラムリング内側部分105、165及び210それぞれの第２の溶接部112、166及び196は、空洞116、156及び200の周りに閉路を形成する。第１の溶接部110、164及び202は、好ましくは、タングステン・インサート・ガス(TIG)溶接部、レーザー溶接部又は直接抵抗シーム溶接部である。第２の溶接部112、166及び196は、好ましくは、溶接領域に電流又は光エネルギーを通すことによって形成される直接抵抗又はレーザーのシーム溶接である。）

(キ) [Fig.3]

「

［図：0001398972000011.jpg］

」

イ 引用発明２の認定

前記アの引用文献２の記載事項を総合すると、引用文献２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。

［引用発明２］

「空洞116を取り囲むシール本体リング部分114を有するダイヤフラムシール本体108であって、シール本体リング部分114はダイヤフラムシール本体108の残りの部分と同じ単一材料ユニットの一部であり、空洞116の近くのシール本体リング内側部分115と、空洞116から、より離れたシール本体リング外側部分117とを含む、ダイヤフラムシール本体108と（前記アの(ウ)(オ)）、

シール本体リング部分114に対応するようにサイズ決めされたダイヤフラムリング部分104によって囲まれたアクティブ領域106を有するダイヤフラム102であって、ダイヤフラムリング部分104は、シール本体リング内側部分115に対応するダイヤフラムリング内側部分105と、シール本体リング外側部分117に対応するダイヤフラムリング外側部分107を含み、ダイヤフラムリング外側部分107のシール本体リング外側部分117への第１の溶接部110は、タングステンインサートガス(TIG)溶接部であり、シール本体リング内側部分115へのダイヤフラムリング内側部分105の第２の溶接部112は、直接抵抗シーム溶接部である、ダイヤフラム102と（前記アの(ウ)(カ)）、を有する

プロセス流体12の圧力を感知するためのトランスミッタアセンブリ10に結合されたプロセスダイヤフラムシール100（前記アの(ア)）。」

請求人は、審判請求書（「(４)本願発明と各引用発明との対比」の部分参照）において、次の主張をしている。

［請求人の主張］

本願発明と引用発明（引用文献１及び引用文献２に記載された構成）は、「ダイヤフラム側と基板側とを２か所の溶接領域にシールする」構成で一致するものの、「ダイヤフラムと基板に対して直接ＴＩＧ溶接及び抵抗シーム溶接を行った２か所の溶接領域によりシールする」構成で相違している。

すなわち、「基板とダイヤフラムとをＴＩＧ溶接及び抵抗シーム溶接で連結した連結領域の構成」は本願発明の独自の構成であり、ダイヤフラムに対して直接ＴＩＧ溶接及び抵抗シーム溶接を行って連結するという考え方が存在しない引用文献１及び引用文献２を組み合わせて構成できるものではない。

引用文献１及び引用文献２においては、ダイヤフラムのシール構造について、二つの部材（例えば、ダイヤフラム及びリング）を使用しているので、それぞれ溶接で固定する必要が生じるのに対して、本願発明のようなシール構造では２ヵ所の溶接が必然的な構成ではない。

すなわち、そもそも引用文献１及び引用文献２において、ダイヤフラムと基板とのシール構造を得るに際して、両者同士を直接２か所の領域で溶接するという思想は存在しないものである。

したがって、引用文献１及び引用文献２から、ダイヤフラムに対して２か所の位置で直接ＴＩＧ溶接及び抵抗シーム溶接を行って両者を連結する構成を導き出せるものではない。

「基板とダイヤフラムとをＴＩＧ溶接及び抵抗シーム溶接で連結した構成」は本願発明の独自の構成であり、「ダイヤフラムと基板の間に安定した固定接続が提供され、水素透過経路の可能性を確実に排除する」という効果を発揮するものであるので、ダイヤフラムに対して直接ＴＩＧ溶接及び抵抗シーム溶接の双方を行うことの記載及び示唆がない引用文献１及び引用文献２から容易に想到できたものではない。

請求人の主張は要するに、ダイヤフラムに対してＴＩＧ溶接及び抵抗シーム溶接をそれぞれ用いて、基体の２か所と連結するという考え方は、引用文献１及び引用文献２には示されていない本願発明の独自のものであって、引用文献１及び引用文献２から導き出せるものではない、というものである。 しかしながら、引用文献２のＦＩＧ．６には「シール本体リング部分114」が「ダイヤフラムシール本体108」とは別体の「溶接リング182」を備え、これに「ダイヤフラム102」が溶接される構成が記載されてはいるものの、前記１(２)イにおいて認定した引用発明２は、前記構成のものとは別の実施形態（ＦＩＧ．３）に関する「ダイヤフラムシール本体108の残りの部分と同じ単一材料ユニットの一部であ[る]」「シール本体リング部分114」に「ダイヤフラム102」を直接溶接固定する「第１の溶接部110」及び「第２の溶接部112」を備えたものである。

したがって、請求人の主張は採用することができない。