2021-701179

第２ 訂正の適否についての判断

１ 訂正の内容

本件訂正請求による訂正の内容は、以下のとおりである。

（１）訂正事項１

特許請求の範囲の請求項１に「重量平均分子量が１５００～３００００であり、エチレンオキサイド基を有する高分子である振動抑制剤とを含み」とあるのを、「重量平均分子量が２０００～８０００であり、エチレンオキサイド基を有する高分子である振動抑制剤とを含み」と訂正する（請求項１の記載を引用する請求項２も同様に訂正する。）。

本件訂正請求は、一群の請求項〔１、２〕に対して請求されたものである。

２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否

（１）訂正事項１について

ア 訂正の目的の適否

上記訂正事項１は、請求項１の振動抑制剤の重量平均分子量を訂正前の「１５００～３００００」から「２０００～８０００」へと訂正するものであり、振動抑制剤の重量平均分子量を訂正前の範囲内において更に限定するものである。

よって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

イ 新規事項の有無

振動抑制剤の重量平均分子量の下限を２０００とする訂正は、本件特許明細書の段落【００２８】の記載に基づくものである。振動抑制剤の重量平均分子量の上限を８０００とする訂正は、表１（段落【００４０】）の実施例１～３の振動抑制剤の重量平均分子量に基づくものである。

よって、訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。

ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否

訂正事項１は、発明特定事項の一つである振動抑制剤の重量平均分子量を訂正前の範囲内において更に限定するものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。

３ 小括

上記のとおり、訂正事項１に係る訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第４項、第５項及び第６項の規定に適合する。

したがって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１、２〕について訂正することを認める。

第３ 本件訂正請求による訂正後の本件発明

本件訂正請求により訂正された訂正後の請求項１、２に係る発明（以下、順に「本件発明１」、「本件発明２」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１、２に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。

「【請求項１】

コロイダルシリカと、

水溶性高分子と、

塩基性化合物と、

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水と、

重量平均分子量が２０００～８０００であり、エチレンオキサイド基を有する高分子である振動抑制剤とを含み、

前記振動抑制剤のモル濃度が６．９×１０－１０ｍｏｌ／ｇ以上であり、

前記振動抑制剤１分子当たりの前記エチレンオキサイド基部分の重量平均分子量と前記振動抑制剤の質量濃度との積が８．０×１０－２以上であり、

前記振動抑制剤は、アルキレンオキサイド基に占めるエチレンオキサイド基の重量平均分子量の割合が８０％以上である、研磨用組成物。

【請求項２】

請求項１に記載の研磨用組成物であって、

前記水溶性高分子は、ヒドロキシエチルセルロースである、研磨用組成物。」

第４ 取消理由通知に記載した取消理由について

１ 取消理由の概要

本件訂正前の請求項１、２に係る特許に対して、当審が令和４年３月１６日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。

理由１ 本件特許は、特許請求の範囲の記載が不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。

理由２ 請求項１、２に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献１、４に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１、２に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである。

理由３ 本件特許の請求項１、２に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献１、２、４に記載された発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１、２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものである。

＜引用文献一覧＞

１．引用文献１：国際公開第２０１３／０７３０２５号（特許異議申立人神澤正広が提出した「甲第１号証」）

２．引用文献２：「ＰＥＧと木材のはなし」、木材保存、Ｖｏｌ．１９－５（１９９３）、２（２０４）～１６（２１８）ページ）（特許異議申立人神澤正広が提出した「甲第２号証」）

３．引用文献４：国際公開第２０１４／０３４４２５号（特許異議申立人神澤正広が提出した「甲第４号証」

２ 引用文献の記載と引用発明等

（１）引用文献１の記載と引用発明

ア 引用文献１の記載

取消理由通知において引用した引用文献１（甲第１号証：国際公開第２０１３／０７３０２５号）には、以下の事項が記載されている（下線は合議体が付加した。以下、同じ。）。

「技術分野

[0001] 本願発明は、半導体ウェーハ表面の鏡面研磨において、ＬＰＤの改善に好適な研磨液組成物に関する。

・・・

[0003] ・・・最終研磨後の半導体ウェーハの品質の評価基準としては、一般的にＬＰＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｐｏｉｎｔ Ｄｅｆｅｃｔ）及びヘイズレベル（表面曇りの程度）が用いられている。」

「[0020] 前記シリカ粒子はコロイダルシリカであり、ケイ酸アルカリ水溶液又はアルキルシリケートを原料として製造されるものが好適である。」

「[0035] ［ポリエチレングリコール］

前記ポリエチレングリコールは、数平均分子量が２００～１５，０００である。半導体ウェーハ表面のＬＰＤをより低減するには、数平均分子量は１０，０００以下であることが好ましく、５，０００以下であることがより好ましい。

[0036] 前記ポリエチレングリコールの添加量としては、研磨液組成物全量の質量に対して０．０１～０．５質量％である。ポリエチレングリコールの添加量が０．０１質量％未満では、ＬＰＤを改善することはできない。また０．５質量％を超えると濡れ性が高すぎるために滑りやすくなり、研磨パッドとウェーハ表面の抵抗が低くなるため、研磨速度が低下し、そのためＬＰＤが悪化する。半導体ウェーハ表面のＬＰＤをより低減するためには、ポリエチレングリコールの添加量は０．０２～０．４質量％であることが好ましく、０．０３～０．２質量％であることがより好ましい。

[0037] ［研磨液組成物］

本願発明の研磨液組成物は、高濃度の原液として調製して、貯蔵又は輸送を行い、研磨装置で使用する際に純水を加えて希釈して使用することもできる。希釈倍率は５～１００倍、好ましくは１０～５０倍である。」

「実施例

[0041] [分析方法及び試験方法]

［１］ＳＦ１の測定方法、［２］ＣＶ値の測定方法、［３］窒素吸着法から求められる一次粒子径、［４］水溶性高分子化合物の分子量測定については特に断りのない限り、それぞれ次の分析方法［１］～［４］に従って測定又は算定し、その結果を表１に示した。

［１］画像解析による形状係数ＳＦ１（粒子の真球度）の測定方法

続きを表示（全37行）

・・・

［４］水溶性高分子化合物の分子量測定

重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー法により下記の条件で測定した。

カラム：ＯＨｐａｋ ＳＢ－８０６Ｍ ＨＱ（８．０ｍｍＩＤ×３００ｍｍ）

カラム温度：４０℃

溶離液：０．１Ｍ 硝酸ナトリウム水溶液

試料濃度：０．１１質量％

流速：０．５ｍＬ／分

注入量：２００μＬ

検出器：ＲＩ（示差屈折計）

[0042] ［５］半導体ウェーハに対する研磨特性の評価方法

ＳＦ１、ＣＶ値の異なるシリカ粒子に、水、アンモニア、ヒドロキシエチルセルロース、ポリエチレングリコールを添加して研磨液組成物を調製し、絶対ろ過精度１．０μｍのフィルターで濾過処理した。その研磨液組成物を４０倍に希釈した研磨スラリーを用いて、同一条件で一次研磨されたシリコンウェーハを以下に示す条件で仕上げ研磨した。

研磨機：９００φ片面加工機

荷重：１２０ｇ／ｃｍ2

定盤回転数：４０ｒｐｍ

ヘッド回転数：４０ｒｐｍ

研磨組成物の希釈液：３５０ｍｌ／分

研磨時間：５分

ウェーハ：シリコンウェーハＰ-（１００）

仕上げ研磨後のシリコンウェーハに公知のＳＣ１洗浄（アンモニア：過酸化水素：水の混合比＝１：１～２：５～７の洗浄液（ＳＣ１液）に７５～８５℃、１０～２０分浸漬処理）及びＳＣ２洗浄（塩酸：過酸化水素：水＝１：１～２：５～７の洗浄液（ＳＣ２液）に７５～８５℃、１０～２０分浸漬処理）を施し、ウェーハ表面の不純物を除去した。仕上げ研磨後のシリコンウェーハ表面のＬＰＤは、ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｓｕｒｆ Ｓｃａｎ ＳＰ－２を用いて測定した。ＬＰＤは３７ｎｍ以上の個数で示した。表１において、（○）はウェーハ１枚あたりの３７ｎｍ以上のＬＰＤの個数が８０個未満、（△）は８０個以上２００個未満、（×）は２００個以上を示す。

[0043] 〔実施例１〕

平均一次粒子径が３７ｎｍであり、ＳＦ１が１．１１、ＣＶ値が７％のメチルシリケートを原料とするシリカ粒子を含有するシリカ濃度３０質量％の水性シリカゾル７９ｇに水１５６ｇ、２８質量％アンモニア水５ｇ、重量平均分子量６０万のヒドロキシエチルセルロース５９ｇ、数平均分子量１，０００のポリエチレングリコール１．５ｇを加えて、シリカ濃度が８質量％、アンモニアが０．４６質量％、重量平均分子量６０万のヒドロキシエチルセルロースが０．２２質量％、数平均分子量１，０００のポリエチレングリコールが０．１質量％の研磨液組成物（残りは水、以下同様）を調製した。得られた研磨液組成物のｐＨは１０．７、２５℃におけるオストワルド粘度は３．０ｍＰａ・ｓであった。

・・・

〔実施例７〕

平均一次粒子径が３１ｎｍであり、ＳＦ１が１．１７、ＣＶ値が７％のメチルシリケートを原料とするシリカ粒子を含有するシリカ濃度３０質量％の水性シリカゾル７９ｇに水１５６ｇ、２８質量％アンモニア水５ｇ、重量平均分子量６０万のヒドロキシエチルセルロース５９ｇ、数平均分子量２００のポリエチレングリコール１．５ｇを加えて、シリカ濃度が８質量％、アンモニアが０．４６質量％、重量平均分子量６０万のヒドロキシエチルセルロースが０．２２質量％、数平均分子量２００のポリエチレングリコールが０．１質量％の研磨液組成物を調製した。得られた研磨液組成物のｐＨは１０．７、２５℃におけるオストワルド粘度は３．１ｍＰａ・ｓであった。

〔実施例８〕

数平均分子量１０，０００のポリエチレングリコールを用いた以外は実施例７と同様に行って、シリカ濃度が８質量％、アンモニアが０．４６質量％、重量平均分子量６０万のヒドロキシエチルセルロースが０．２２質量％、数平均分子量１０，０００のポリエチレングリコールが０．１質量％の研磨液組成物を調製した。得られた研磨液組成物のｐＨは１０．７、２５℃におけるオストワルド粘度は３．１ｍＰａ・ｓであった。

〔実施例９〕

数平均分子量１５，０００のポリエチレングリコールを用いた以外は実施例７と同様に行って、シリカ濃度が８質量％、アンモニアが０．４６質量％、重量平均分子量６０万のヒドロキシエチルセルロースが０．２２質量％、数平均分子量１５，０００のポリエチレングリコールが０．１質量％の研磨液組成物を調製した。得られた研磨液組成物のｐＨは１０．７、２５℃におけるオストワルド粘度は３．１ｍＰａ・ｓであった。

・・・

[0044]

［図：0001390576000001.jpg］

」

「 請求の範囲

[請求項1] 水、シリカ粒子、アルカリ化合物、水溶性高分子化合物及びポリエチレングリコールを含み、下記（ａ）～（ｃ）の条件を満たす半導体ウェーハ用研磨液組成物。

（ａ）：前記シリカ粒子の、下記式（１）で表される形状係数ＳＦ１が１．００～１．２０であること

（１） ＳＦ１＝（ＤL2×π／４）／Ｓ

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（但し、ＤLは、透過型電子顕微鏡写真から求められるシリカ粒子の最大長（ｎｍ）であり、Ｓは、シリカ粒子の投影面積（ｎｍ2）である。）

（ｂ）：前記シリカ粒子の窒素吸着法により求められる平均一次粒子径が５～１００ｎｍであって、且つ透過型電子顕微鏡写真の画像解析から求められる粒子径変動係数ＣＶ値が０～１５％であること

（ｃ）：前記ポリエチレングリコールの数平均分子量が２００～１５，０００であること

・・・

[請求項5] 前記水溶性高分子化合物は、セルロース誘導体及びポリビニルアルコールからなる群から選ばれる化合物の少なくとも１種類である、請求項１に記載の半導体ウェーハ用研磨液組成物。

[請求項6] 前記セルロース誘導体は、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシエチルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、メチルセルロース、エチルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロース、及びカルボキシメチルエチルセルロースからなる群より選ばれる化合物の少なくとも１種類である、請求項５に記載の半導体ウェーハ用研磨液組成物。

・・・

[請求項11] 前記ポリエチレングリコールの含有量は、半導体ウェーハ用研磨液組成物の全質量を基準にして０．０１～０．５質量％である、請求項１～１０のいずれか一項に記載の半導体ウェーハ用研磨液組成物。」

イ 引用発明１

（ア）上記アの記載事項から、引用文献１には、次の技術的事項が記載されているものと認められる。

ａ 水、コロイダルシリカ粒子、アルカリ化合物、水溶性高分子化合物及びポリエチレングリコールを含む半導体ウェーハ用研磨液組成物であって、前記ポリエチレングリコールの数平均分子量が２００～１５，０００であり、前記ポリエチレングリコールの含有量は、半導体ウェーハ用研磨液組成物の全質量を基準にして０．０１～０．５質量％である半導体ウェーハ用研磨液組成物（［0020］、［請求項1］、［請求項11］）。

ｂ 実施例８として、シリカ粒子を含有する水性シリカゾル、水、アンモニア水、ヒドロキシエチルセルロース、数平均分子量１０，０００のポリエチレングリコールを含む研磨液組成物であって、数平均分子量１０，０００のポリエチレングリコールの添加量が０．１質量％の研磨液組成物（［0043］、［0044］の表１）。

ｃ 実施例９として、シリカ粒子を含有する水性シリカゾル、水、アンモニア水、ヒドロキシエチルセルロース、数平均分子量１５，０００のポリエチレングリコールを含む研磨液組成物であって、数平均分子量１５，０００のポリエチレングリコールの添加量が０．１質量％の研磨液組成物（［0043］、［0044］の表1）。

ｄ 研磨液組成物は、研磨装置で使用する際に純水を加えて、５～１００倍の希釈倍率で希釈して使用することもでき、実施例では、調製した研磨液組成物を４０倍に希釈した研磨スラリーを用いて、シリコンウェーハを研磨した（［0037］、［0042］）。

（イ）引用文献１の記載によれば、引用文献１には、以下の発明(以下「引用発明１」という。)が、記載されていると認められる。

「コロイダルシリカ粒子と、ヒドロキシエチルセルロースと、アンモニア水と、水と、数平均分子量が２００～１５，０００のポリエチレングリコールとを含み、４０倍に希釈して研磨に用いられる研磨液組成物であって、

実施例８の研磨液組成物は、数平均分子量１０，０００のポリエチレングリコールを含み、ポリエチレングリコールの添加量が０．１質量％であり、

実施例９の研磨液組成物は、数平均分子量１５，０００のポリエチレングリコールを含み、ポリエチレングリコールの添加量が０．１質量％である、研磨液組成物。」

（２）引用文献２の記載

取消理由通知において引用した引用文献２（甲第２号証：「ＰＥＧと木材のはなし」、木材保存、Ｖｏｌ．１９－５（１９９３）、２（２０４）～１６（２１８）ページ）には、以下の事項が記載されている。

「

［図：0001390576000002.jpg］

［図：0001390576000003.jpg］

」

（３）引用文献４の記載と引用発明２

ア 引用文献４の記載

取消理由通知において引用した引用文献４（甲第４号証：国際公開第２０１４／０３４４２５号）には、以下の事項が記載されている。

「技術分野

[0001] 本発明は、研磨用組成物及びそれを用いる基板の製造方法に関する。

背景技術

[0002] 水溶性高分子を含有する研磨用組成物は、例えばシリコン基板等の基板の研磨に用いられる。水溶性高分子は、基板の表面の濡れ性を高める働きをし、これによって、基板の表面における異物の残留が低減する。特許文献１には、研磨速度を高め、ヘイズレベルを低減する水溶性高分子等を含有する研磨用組成物が開示されている。」

「[0017] 水溶性高分子の分子量分布は、多分散度（Polydispersity Index，ＰＤＩ）とも呼ばれる。重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリエチレンオキサイド換算の重量平均分子量を示す。重量平均分子量及び数平均分子量、並びに分子量分布は、ゲル浸透クロマトグラフィー（Gel Permeation Chromatography，ＧＰＣ）によって測定される値を示す。

[0018] 水溶性高分子としては、分子中に、カチオン基、アニオン基及びノニオン基から選ばれる少なくとも一種の官能基を有するものを使用することができる。水溶性高分子は、例えば、分子中に水酸基、カルボキシル基、アシルオキシ基、スルホ基、アミド構造、第四級窒素構造、複素環構造、ビニル構造、ポリオキシアルキレン構造等を有する。

[0019] 水溶性高分子としては、例えば、ヒドロキシエチルセルロース等のセルロース誘導体、プルランまたはシクロデキストリン等のデンプン誘導体、ポリ（Ｎ－アシルアルキレンイミン）等のイミン誘導体、ポリビニルアルコール、ポリビニルアルコールを構造の一部に含む共重合体、ポリビニルピロリドン、ポリビニルピロリドンを構造の一部に含む共重合体、ポリビニルカプロラクタム、ポリビニルカプロラクタムを構造の一部に含む共重合体、ポリアルキルアクリルアミド、ポリアクリロイルモルホリン、ポリアクリロイルモルホリンを構造の一部に含む共重合体、ポリオキシエチレン、ポリオキシアルキレン構造を有する重合体、これらのジブロック型やトリブロック型、ランダム型、交互型等の複数種の構造を有する重合体等が挙げられる。」

「[0023] 水溶性高分子は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。

[0024] 水溶性高分子としてセルロース誘導体及びデンプン誘導体から選ばれる少なくとも一種の水溶性高分子（以降“水溶性高分子Ａ”という）を用いる場合、水溶性高分子Ａの分子量分布は、好ましくは４．７以下であり、より好ましくは４．５以下である。水溶性高分子Ａの分子量分布は、濡れ性向上の観点より、好ましくは２．０以上であり、より好ましくは３．０以上であり、更に好ましくは４．０以上である。

[0025] 水溶性高分子としてポリオキシアルキレン構造を有する重合体（以降“水溶性高分子Ｂ”という）を用いる場合、水溶性高分子Ｂの分子量分布は、好ましくは２．０以下であり、より好ましくは１．５以下である。水溶性高分子Ｂの分子量分布は、好ましくは１．０５以上である。

[0026] 水溶性高分子としてポリビニルアルコール及びポリビニルアルコール構造を有する重合体から選ばれる少なくとも一種の水溶性高分子（以降“水溶性高分子Ｃ”という）を用いる場合、水溶性高分子Ｃの分子量分布は、好ましくは３．０以下であり、より好ましくは２．５以下であり、更に好ましくは２．３以下である。水溶性高分子Ｃの分子量分布は、好ましくは１．０５以上であり、濡れ性向上や合成容易性の観点より１．３以上が好ましい。

続きを表示（全16行）

[0027] 水溶性高分子として主鎖又は側鎖官能基（ペンダント基）に窒素原子を有する重合体（以降“水溶性高分子Ｄ”という）を用いる場合、水溶性高分子Ｄの分子量分布は、好ましくは４．０以下であり、より好ましくは３．５以下であり、更に好ましくは３．０以下である。水溶性高分子Ｄの分子量分布は、好ましくは１．０５以上であり、濡れ性向上や合成容易性の観点より１．３以上が好ましい。

[0028] 水溶性高分子の重量平均分子量は１００００００以下であるため、ＬＰＤがより低減され易くなる。水溶性高分子の重量平均分子量が小さくなるにつれて、研磨用組成物の安定性はより向上する。一方、研磨面の濡れ性は、水溶性高分子の重量平均分子量が大きくなるにつれて高まる。

[0029] 水溶性高分子Ａの重量平均分子量は、好ましくは７５００００以下であり、より好ましくは７０００００以下であり、更に好ましくは５０００００以下であり、最も好ましくは３０００００以下である。水溶性高分子Ａの重量平均分子量は、好ましくは５００００以上であり、より好ましくは８００００以上であり、更に好ましくは１０００００以上である。

[0030] 水溶性高分子Ｂの重量平均分子量は、好ましくは５０００００以下であり、より好ましくは３０００００以下であり、更に好ましくは２５００００以下（例えば、１０００００以下）である。水溶性高分子Ｂの重量平均分子量は、好ましくは１０００以上であり、より好ましくは２０００以上であり、更に好ましくは５０００以上（例えば１００００以上）である。

[0031] 水溶性高分子Ｃの重量平均分子量は、好ましくは３０００００以下であり、より好ましくは２５００００以下であり、更に好ましくは２０００００以下であり、最も好ましくは１０００００以下（例えば、５００００以下、更には２００００以下）である。水溶性高分子Ｃの重量平均分子量は、好ましくは１０００以上であり、より好ましくは２０００以上であり、更に好ましくは５０００以上（例えば７０００以上）である。

[0032] 水溶性高分子Ｄの重量平均分子量は、好ましくは３０００００以下であり、より好ましくは２５００００以下であり、更に好ましくは２０００００以下（例えば、１０００００以下、更には７００００以下）である。水溶性高分子Ｄの重量平均分子量は、好ましくは１０００以上であり、より好ましくは３０００以上であり、更に好ましくは５０００以上であり、最も好ましくは１００００以上（例えば、２００００以上、更には３００００以上）である。

[0033] 研磨用組成物は、ＬＰＤの低減の観点から、水溶性高分子Ａ及びＣから選ばれる少なくとも一種を含有することが好ましく、水溶性高分子Ａ及びＣから選ばれる少なくとも一種と、水溶性高分子Ｂ及びＤから選ばれる少なくとも一種とを含有することがより好ましい。

[0034] 水溶性高分子Ａとしては、例えば、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシエチルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、メチルセルロース、エチルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース等のセルロース誘導体、及びプルランまたはシクロデキストリン等のデンプン誘導体が挙げられる。セルロース誘導体及びデンプン誘導体の中では、研磨面に濡れ性を与える能力が高く、かつ研磨後の洗浄工程で除去されやすい（すなわち良好な洗浄性を有する）という観点から、ヒドロキシエチルセルロースが特に好ましい。

[0035] 水溶性高分子Ｂは、好ましくはオキシエチレンブロックとオキシプロピレンブロックとを含むブロック構造を有する重合体であり、より好ましくはオキシエチレンブロックとオキシプロピレンブロックとオキシエチレンブロックとを含むトリブロック構造を有する重合体であり、更に好ましくは下記一般式（１）で表される重合体である。

[0036] ＨＯ－（ＥＯ）ａ－（ＰＯ）ｂ－（ＥＯ）ｃ－Ｈ ・・・（１）

一般式（１）中、ＥＯはオキシエチレン基を示すとともにＰＯはオキシプロピレン基を示し、ａ、ｂ及びｃはそれぞれ１以上の整数を示す。

[0037] 一般式（１）において、ａ及びｃはＥＯの重合度を示し、ａとｃとの合計は２～１０００の範囲であることが好ましく、より好ましくは５～５００の範囲であり、更に好ましくは１０～２００の範囲である。一般式（１）において、ｂはＰＯの重合度を示し、ｂは２～２００の範囲であることが好ましく、より好ましくは５～１００の範囲であり、更に好ましくは１０～５０の範囲である。」

「[0052] ＜砥粒＞

研磨用組成物は、砥粒を含有することができる。砥粒は、研磨面を物理的に研磨する働きをする。

[0053] 砥粒としては、例えば、無機粒子、有機粒子、及び有機無機複合粒子が挙げられる。無機粒子としては、例えば、シリカ、アルミナ、セリア、チタニア等の金属酸化物からなる粒子、並びに窒化ケイ素粒子、炭化ケイ素粒子及び窒化ホウ素粒子が挙げられる。有機粒子としては、例えば、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）粒子が挙げられる。」

「[0061] 砥粒としてのシリカは、例えばシリコン基板の研磨に好適に用いられる。シリカの具体例としては、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、及びゾルゲル法シリカが挙げられる。これらシリカの中でも、研磨面に生じるスクラッチを減少させるという観点において、コロイダルシリカ及びフュームドシリカが好ましく、特にコロイダルシリカが好ましい。これらのシリカは一種を単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。」

「[0063] ＜塩基性化合物＞

研磨用組成物は塩基性化合物を含有することができる。塩基性化合物は、研磨面を化学的に研磨する働きをする（ケミカルエッチング）。これにより、研磨速度を向上させることが容易となる。」

「[0114] （実施例１～１０及び比較例１～６）

砥粒としてのコロイダルシリカ、１種または２種の水溶性高分子、及び塩基性化合物をイオン交換水に混合することで研磨用組成物の原液を調製した。その後、原液に含まれる粗大異物を取り除くために原液をろ過した。砥粒としては平均一次粒子径３５ｎｍのコロイダルシリカ、塩基性化合物としてはアンモニアを用いた。次に、原液を純水で２０倍に希釈し、表１に示す水溶性高分子を含有する研磨用組成物を得た。希釈工程では、ホモジナイザーを用いて撹拌及び分散を行った後に、研磨用組成物中に含まれる粗大異物を取り除くために、研磨用組成物をろ過した。

[0115] 各実施例及び比較例の研磨用組成物中の砥粒の含有量は０．５質量％であり、塩基性化合物の含有量は０．０１質量％であった。

[0116] 表１中の“水溶性高分子”欄において、“Ｍｗ”は重量平均分子量、“Ｍｎ”は数平均分子量、“Ｍｗ／Ｍｎ”は分子量分布を示し、分子量分布を測定するゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）の条件は以下のとおりである。

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[0117] ＜ＧＰＣの条件＞

カラム：東ソー株式会社製の商品名ＴＳＫｇｅｌ ＧＭＰＷＸＬ×２＋Ｇ２５００ＰＷＸＬ（φ７．８ｍｍ×３００ｍｍ×３本）

カラム温度：４０℃

溶離液：２００ｍＭ 硝酸ナトリウム水溶液

試料濃度：０．０５質量％

流速：１．０ｍＬ／ｍｉｎ

注入量：２００μＬ

検出器：ＲＩ（示差屈折計）

標準物質：ポリエチレンオキサイド

表１中の“水溶性高分子”欄において“種類”欄に記載された“ＨＥＣ”はヒドロキシエチルセルロースを示し、“ＰＶＰ”はポリビニルピロリドンを示し、“ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ”はポリエチレンオキサイド－ポリプロピレンオキサイド－ポリエチレンオキサイドトリブロック共重合体を示す。なお、“ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ”は、一般式（１）で表されるものであり、一般式（１）中のａとｃとの合計が１６４であり、ｂが３１のものである。また“ＰＶＡ１”はけん化度８０ｍｏｌ％のポリビニルアルコールを示し、“ＰＶＡ２”はけん化度９８ｍｏｌ％以上のポリビニルアルコールを示す。」

「[0122][表1]

［図：0001390576000004.jpg］

」

「 請求の範囲

[請求項1] 重量平均分子量が１００００００以下であり、かつ重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布が５．０未満である水溶性高分子を含有することを特徴とする研磨用組成物。

[請求項2] 前記水溶性高分子は、セルロース誘導体、デンプン誘導体、ポリビニルアルコール、ポリビニルアルコール構造を有する重合体、ポリオキシアルキレン構造を有する重合体、及び主鎖又は側鎖官能基に窒素原子を有する重合体から選ばれる少なくとも一種を含む、請求項１に記載の研磨用組成物。

[請求項3] 前記水溶性高分子は、セルロース誘導体及びデンプン誘導体から選ばれる少なくとも一種を含む、請求項２に記載の研磨用組成物。

・・・

[請求項5] 前記水溶性高分子は、ポリオキシアルキレン構造を有する重合体から選ばれる少なくとも一種を含む、請求項２に記載の研磨用組成物。

・・・

[請求項7] 前記水溶性高分子は、セルロース誘導体、デンプン誘導体、ポリビニルアルコール及びポリビニルアルコール構造を有する重合体から選ばれる少なくとも一種と、ポリオキシアルキレン構造を有する重合体及び主鎖又は側鎖官能基に窒素原子を有する重合体から選ばれる少なくとも一種とを含む、請求項２に記載の研磨用組成物。」

イ 引用発明２

（ア）上記箇所の記載から、引用文献４には、次の技術的事項が記載されているものと認められる。

ａ 重量平均分子量が１００００００以下であり、かつ重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布が５．０未満である水溶性高分子を含有する研磨用組成物であって、前記水溶性高分子は、ヒドロキシエチルセルロース等のセルロース誘導体及びデンプン誘導体から選ばれる少なくとも一種の水溶性高分子（以下「水溶性高分子Ａ」という。）、並びに、ポリビニルアルコール及びポリビニルアルコール構造を有する重合体から選ばれる少なくとも一種の水溶性高分子（以下「水溶性高分子Ｃ」という。）から選ばれる少なくとも一種と、ポリオキシアルキレン構造を有する重合体（以下「水溶性高分子Ｂ」という。）、並びに、主鎖又は側鎖官能基に窒素原子を有する重合体（以下「水溶性高分子Ｄ」という。）から選ばれる少なくとも一種とを含む、研磨用組成物（［0019］、［0023］～［0027］、［0033］、[請求項1]、[請求項7]）。

ｂ 実施例１～１０における研磨用組成物は、コロイダルシリカ、１種類または２種類の水溶性高分子、及び塩基性化合物を含む研磨用組成物の原液を純水で２０倍に希釈して得られた研磨用組成物である（［0114］）。

ｃ 実施例５の水溶性高分子を含有する研磨用組成物は、水溶性高分子として、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）を０．０１質量％で、重量平均分子量Ｍｗが１００００のポリエチレンオキサイド－ポリプロピレンオキサイド－ポリエチレンオキサイド（ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ）を０．００３質量％で含有すること（［0117］、［0122］）。

（イ）引用文献４の記載によれば、引用文献４には、以下の発明(以下「引用発明２」という。)が、記載されていると認められる。

「重量平均分子量が１００００００以下であり、かつ重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布が５．０未満である水溶性高分子を含有する研磨用組成物であって、

前記水溶性高分子は、ヒドロキシエチルセルロース等のセルロース誘導体及びデンプン誘導体から選ばれる少なくとも一種の水溶性高分子（以下「水溶性高分子Ａ」という。）、並びに、ポリビニルアルコール及びポリビニルアルコール構造を有する重合体から選ばれる少なくとも一種の水溶性高分子（以下「水溶性高分子Ｃ」という。）から選ばれる少なくとも一種と、ポリオキシアルキレン構造を有する重合体（以下「水溶性高分子Ｂ」という。）、並びに、主鎖又は側鎖官能基に窒素原子を有する重合体（以下「水溶性高分子Ｄ」という。）から選ばれる少なくとも一種とを含み、

コロイダルシリカ、水溶性高分子、及び塩基性化合物を含む研磨用組成物の原液を純水で２０倍に希釈して得られた研磨用組成物であり、

実施例５の研磨用組成物は、水溶性高分子として、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）を０．０１質量％で、重量平均分子量Ｍｗが１００００のポリエチレンオキサイド－ポリプロピレンオキサイド－ポリエチレンオキサイド（ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ）を０．００３質量％で含有する、研磨用組成物。」

３ 当審の判断

（１）理由１（特許法第３６条第６項第２号）について

理由１は、具体的には、訂正前の「請求項１に記載された「重量平均分子量が１５００～３００００であり、エチレンオキサイド基を有する高分子である振動抑制剤」における「エチレンオキサイド基を有する高分子」とは、上記エチレンオキサイドで表される構造を有する高分子を意味するのか、あるいは、エチレンオキサイドの開環重合によって得られた、（ＰＥＧ）ｘで表される構造を有する高分子（引用文献２（甲第２号証）も参照。）を意味するのか明確でない。」というものである。

まず、上記の「エチレンオキサイド基を有する高分子」において、「エチレンオキサイド基」は、「・・・基を有する高分子」と記載されているから、分子としてのエチレンオキサイドを意味するものではないことは明確である。

また、本件特許明細書の段落【００４０】の表１の実施例１～実施例４では、「ＰＥＧ Ａ」、「ＰＥＧ Ｂ」が用いられており、ＰＥＧ（ポリエチレングリコール）は、一般的には、ＨＯ－（ＣＨ２―ＣＨ２―Ｏ）ｎ―Ｈで表される構造を有し（上記２（２）に摘記した引用文献２の記載を参照。）、オキシエチレン基（－ＣＨ２―ＣＨ２―Ｏ－）を有するものである。

さらに、当該分野において、「エチレンオキサイド基」と「オキシエチレン基」は同じ基を意味することは、例えば、下記の周知例１（特開２０１２－８７１０８号公報）、周知例２（特開２０１４－１４０９７９号公報）、周知例３（特開平７ー７０５９１号公報）に記載のように周知である。

「【００１５】

分岐アルキル基を有するポリオキシエチレンアルキルエーテルのオキシエチレン基（エチレンオキサイド基）の付加モル数は、清涼感の持続性を高める観点から、好ましくは１０～３０、より好ましくは１０～２５である。」（下線は合議体が付加した。以下同じ。）

「【００３６】

（ポリオキシエチレンアルキルエーテル化合物）

本発明において、ポリオキシエチレンアルキルエーテル化合物は、Ｒ-Ｏ-（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎＨ（Ｒはアルキル基、ｎは整数である）の構造を有する界面活性剤の一種である。本発明において、ポリオキシエチレンアルキルエーテル化合物は、界面活性能を有するような範囲且つドット拡散不良を抑制する点からその疎水基である上記式中のＲ（アルキル基）の炭素数が８以上２２以下の範囲が好ましい。・・・また、界面活性能を有するような範囲且つドット拡散不良を抑制する点からポリオキシエチレンアルキルエーテルの親水基であるオキシエチレン基に関する上記式中のｎ、すなわちエチレンオキサイド基の数が、１０以上５０以下の範囲が好ましい。」

「【００５８】エチレンオキサイド基の付加数（ｎ）の分布

上記製造例１～２の化合物、および比較製造例１～３において得られた反応生成物中のオキシエチレン基数（ｎ）の異なる化合物の分布を表１に示す。

【００５９】

【表１】

［図：0001390576000005.jpg］

」

以上のことから、上記の「エチレンオキサイド基を有する高分子」における「エチレンオキサイド基」が、オキシエチレン基を意味するものであることは、明確であるといえる。

したがって、請求項１に記載された「重量平均分子量が２０００～８０００であり、エチレンオキサイド基を有する高分子である振動抑制剤」における「エチレンオキサイド基を有する高分子」とは、オキシエチレン基としてのエチレンオキサイド基を有する高分子を意味するのものであることは明確である。

よって、本件特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものではない。

（２）理由２（特許法第２９条第１項３号）、理由３（特許法第２９条第２項）について

ア 理由２ー１、理由３－１（主引例は引用文献１）

（ア）本件発明１について

ａ 引用発明１との対比

本件発明１と引用発明１とを対比する。

（ａ）引用発明１の「コロイダルシリカ粒子」、「ヒドロキシエチルセルロース」、「（アンモニア水に含まれる）アンモニア」、「水」は、それぞれ、本件発明１の「コロイダルシリカ」、「水溶性高分子」、「塩基性化合物」、「水」に相当する。また、引用発明１の「研磨液組成物」は「４０倍に希釈して研磨に用いられる研磨液組成物」であるから、希釈された当該研磨液組成物は、本件発明１の「研磨用組成物」に相当する。

（ｂ）上記（１）で検討したとおり、本件発明１の「エチレンオキサイド基を有する高分子である振動抑制剤」における「エチレンオキサイド基」は、オキシエチレン基を意味する。

一方、引用発明１における「ポリエチレングリコール」は、一般的には、ＨＯ－（ＣＨ２―ＣＨ２―Ｏ）ｎ―Ｈで表される構造を有し、オキシエチレン基（－ＣＨ２―ＣＨ２―Ｏ－）を有するものである。

したがって、引用発明１の「ポリエチレングリコール」は、本件発明１の「振動抑制剤」に対応し、両者は「エチレンオキサイド基を有する高分子である化合物」である点で共通する。

（ｃ）そうすると、本件発明１と引用発明１との間には、次の一致点、相違点があるといえる。

＜一致点＞

「コロイダルシリカと、

水溶性高分子と、

塩基性化合物と、

水と、

エチレンオキサイド基を有する高分子である化合物とを含む、研磨用組成物。」

＜相違点＞

＜相違点１＞

エチレンオキサイド基を有する高分子について、本件発明１は、「重量平均分子量が２０００～８０００であり、エチレンオキサイド基を有する高分子である振動抑制剤」であって、「前記振動抑制剤のモル濃度が６．９×１０－１０ｍｏｌ／ｇ以上であり、前記振動抑制剤１分子当たりの前記エチレンオキサイド基部分の重量平均分子量と前記振動抑制剤の質量濃度との積が８．０×１０－２以上であり、前記振動抑制剤は、アルキレンオキサイド基に占めるエチレンオキサイド基の重量平均分子量の割合が８０％以上である」のに対し、引用発明１では、「数平均分子量が２００～１５，０００のポリエチレングリコール」であって、「実施例８の研磨液組成物」では、「数平均分子量１０，０００のポリエチレングリコール」であり、「ポリエチレングリコールの添加量が０．１質量％であり」、「実施例９の研磨液組成物」では、「数平均分子量１５，０００のポリエチレングリコール」であり、「ポリエチレングリコールの添加量が０．１質量％であ」り、本件発明１の上記のような特定はなされていない点。

ｂ 判断

以下、相違点１について検討する。

（ａ）上記相違点１のうち、まず、「重量平均分子量が２０００～８０００であり、エチレンオキサイド基を有する高分子である振動抑制剤」について検討する。

（ｂ）引用発明１の研磨用組成物において、「実施例８の研磨用組成物」が含むポリエチレングリコールは、「数平均分子量１０，０００」であり、「実施例９の研磨用組成物」が含むポリエチレングリコールは、「数平均分子量１５，０００」であるところ、上記２（３）に摘記した引用文献３の記載から、一般に市販で入手可能な分子量１０００を超えるポリエチレングリコールには分子量分布があり、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．０２～２程度の分子量バラツキがあると考えられる。

そうすると、ポリエチレングリコールの重量平均分子量（Ｍｗ）は、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）と数平均分子量（Ｍｎ）の積により算出されるため、実施例８では、Ｍｗが（１．０２～２）×１００００＝１０２００～２００００の範囲内、実施例９では、Ｍｗが（１．０２～２）×１５０００＝１５３００～３００００の範囲内程度である蓋然性が高い。

したがって、引用発明１における「ポリエチレングリコール」の重量平均分子量の数値範囲は、本件発明１の「振動抑制剤」の重量平均分子量の数値範囲「２０００～８０００」と相違する。

よって、本件発明１は、引用文献１（甲第１号証）に記載された発明であるとはいえない。

（ｃ）次に、上記相違点１のうち、引用発明１における「ポリエチレングリコール」を、「重量平均分子量が２０００～８０００」である「振動抑制剤」とすることの容易想到性について検討する。

（ｄ）まず、引用発明１の「ポリエチレングリコール」を、「重量平均分子量」の数値範囲の下限値が「２０００」の「振動抑制剤」とすることについて検討する。

本件特許明細書の段落【００１０】には、【発明の効果】として、「本発明によれば、装置の振動を低減できる研磨用組成物が得られる。」、段落【００２８】には、「振動抑制剤は、キャリアやパッド表面へ吸着して層を形成することで、これらの接触状態を変えて振動を抑制する。重量平均分子量が１５００未満では、吸着層の厚みが小さく、振動抑制剤としての効果が得られない。振動抑制剤として用いる高分子の重量平均分子量の下限は、好ましくは２０００であり、さらに好ましくは３０００である。」と記載されている。

また、上記に摘記の本件特許明細書の段落【００２８】に記載に照らすと、本件発明１は、「高分子である振動抑制剤」の重量平均分子量の下限値を「２０００」とすることにより、「振動抑制剤」としての効果を奏するものである。

一方、上記２（１）アに摘記のとおり、引用文献１の[0001]には、「本願発明は、半導体ウェーハ表面の鏡面研磨において、ＬＰＤの改善に好適な研磨液組成物に関する。」と記載されており、その他の箇所を参照しても、引用文献１には、装置に発生する振動について記載も示唆もされていない。

したがって、引用発明１において、「ポリエチレングリコール」を、「重量平均分子量」の数値範囲の下限値が「２０００」の「振動抑制剤」とすることは、当業者が容易になし得たとはいえない。

（ｅ）次に、引用発明１の「ポリエチレングリコール」を、「重量平均分子量」の数値範囲の上限値が「８０００」の「振動抑制剤」とすることについて検討する。

引用文献１には、[0035]に、ポリエチレングリコールの「半導体ウェーハ表面のＬＰＤをより低減する」のにより好ましい「数平均分子量」の数値範囲として「５０００以下」が記載されているものの、上記（ｄ）で検討したとおり、装置に発生する振動について記載も示唆もされていないから、引用発明１において、実施例８や実施例９の研磨組成物それぞれが含む、数平均分子量１００００ポリエチレングリコール、数平均分子量１５０００のポリエチレングリコールを、「重量平均分子量」の数値範囲の上限値が「８０００」の「振動抑制剤」とする動機付けは当業者にはない。

（ｆ）したがって、引用発明１において、「数平均分子量が２００～１５，０００のポリエチレングリコール」であって、「実施例８の研磨液組成物」では、「数平均分子量１０，０００のポリエチレングリコール」であり、「ポリエチレングリコールの添加量が０．１質量％であり」、「実施例９の研磨液組成物」では、「数平均分子量１５，０００のポリエチレングリコール」であり、「ポリエチレングリコールの添加量が０．１質量％である」、ポリエチレングリコールを、本件発明１のように、「重量平均分子量が２０００～８０００であり、エチレンオキサイド基を有する高分子である振動抑制剤」とすることは、当業者が容易になし得たことではない。

（ｇ）よって、上記相違点１のその他の構成について判断するまでもなく、引用発明１において、引用文献１の[0035]の記載を参照した当業者であっても、相違点１に係る本件発明１の構成とすることは容易になし得たことではない。

以上のとおりであるから、本件発明１は、引用発明１及び引用文献１に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。

（ｈ）また、引用文献２、３には、「重量平均分子量が２０００～８０００」である、「振動抑制剤」について、記載も示唆もされていない。

したがって、本件発明１は、引用発明１並びに引用文献１に記載された技術的事項及び引用文献２、３に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。

（イ）本件発明２について

本件発明２は、本件発明１に対して、更に「前記水溶性高分子は、ヒドロキシエチルセルロースである、」という技術的事項を追加したものである。

よって、上記（ア）に示した理由と同様の理由により、本件発明２は、引用発明１並びに引用文献１に記載された技術的事項及び引用文献２、３に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。

（ウ）以上のとおり、本件発明１、２は、引用発明１並びに引用文献１に記載された技術的事項及び引用文献２、３に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。

ア 理由２ー２、理由３－２（主引例は引用文献４）

（ア）本件発明１について

ａ 引用発明２との対比

本件発明１と引用発明２とを対比する。

（ａ）引用発明２の「コロイダルシリカ」、「塩基性化合物」、「純水」は、それぞれ、本件発明１の「コロイダルシリカ」、「塩基性化合物」、「水」に相当する。

（ｂ）引用発明２の研磨用組成物における水溶性高分子が含む「水溶性高分子Ａ」であって、「実施例５の研磨用組成物」が含有する水溶性高分子としての「ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）」は、本件発明１の「水溶性高分子」に相当する。

また、引用発明２の研磨用組成物における水溶性高分子が含む「水溶性高分子Ｂ」であって、「実施例５の研磨用組成物」が含有する水溶性高分子としての「ポリエチレンオキサイド－ポリプロピレンオキサイド－ポリエチレンオキサイド（ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ）」は、引用文献４の［0035］～［0037］の記載に照らすと、オキシエチレンブロックとオキシプロピレンブロックとを含むブロック構造を有する重合体であり、オキシエチレン基（ＥＯ）を含む重合体であるから、本件発明１の「エチレンオキサイド基を有する高分子である振動抑制剤」に対応する。

したがって、本件発明１の「エチレンオキサイド基を有する高分子である振動抑制剤」と引用発明２の「ポリエチレンオキサイド－ポリプロピレンオキサイド－ポリエチレンオキサイド（ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ）」とは、「エチレンオキサイド基を有する高分子である化合物」である点で共通する。

（ｃ）そうすると、本件発明１と引用発明２との間には、次の一致点、相違点があるといえる。

＜一致点＞

「コロイダルシリカと、

水溶性高分子と、

塩基性化合物と、

水と、

エチレンオキサイド基を有する高分子である化合物とを含む、研磨用組成物。」

＜相違点＞

＜相違点２＞

エチレンオキサイド基を有する高分子について、本件発明１は、「重量平均分子量が２０００～８０００であり、エチレンオキサイド基を有する高分子である振動抑制剤」であって、「前記振動抑制剤のモル濃度が６．９×１０－１０ｍｏｌ／ｇ以上であり、前記振動抑制剤１分子当たりの前記エチレンオキサイド基部分の重量平均分子量と前記振動抑制剤の質量濃度との積が８．０×１０－２以上であり、前記振動抑制剤は、アルキレンオキサイド基に占めるエチレンオキサイド基の重量平均分子量の割合が８０％以上である」のに対し、引用発明２では、「重量平均分子量が１００００００以下」である「水溶性高分子」であって、「前記水溶性高分子」は、「ポリオキシアルキレン構造を有する重合体（水溶性高分子Ｂ）」、並びに、「水溶性高分子Ｄ」「から選ばれる少なくとも一種」を含み、「実施例５の研磨用組成物」は、「水溶性高分子」として、「重量平均分子量Ｍｗが１００００のポリエチレンオキサイド－ポリプロピレンオキサイド－ポリエチレンオキサイド（ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ）を０．００３質量％で含有する」ものであり、本件発明１の上記のような特定はなされていない点。

ｂ 判断

以下、相違点２について検討する。

（ａ）上記相違点２のうち、まず、「重量平均分子量が２０００～８０００であり、エチレンオキサイド基を有する高分子である振動抑制剤」について検討する。

引用発明２において、「実施例５の研磨用組成物」が含有する「ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ」は、「重量平均分子量Ｍｗが１００００」であり、また、上記ａ（ｂ）のとおり、引用発明２の「ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ」は、本件発明１の「エチレンオキサイド基を有する高分子」に対応する。

したがって、引用発明２における「ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ」の重量平均分子量Ｍｗの数値範囲は、本件発明１の「振動抑制剤」の重量平均分子量の数値範囲「２０００～８０００」と相違する。

よって、本件発明１は、引用文献４（甲第４号証）に記載された発明であるとはいえない。

（ｂ）次に、上記相違点２のうち、引用発明２における「『実施例５の研磨用組成物』が含有する水溶性高分子としての『ポリエチレンオキサイド－ポリプロピレンオキサイド－ポリエチレンオキサイド（ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ）』」を、「重量平均分子量が２０００～８０００」である「振動抑制剤」とすることの容易想到性について検討する。

（ｃ）引用発明２において、「実施例５の研磨用組成物」の「水溶性高分子」が含有する「ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）は「水溶性高分子Ａ」として含まれ、「重量平均分子量Ｍｗが１００００のポリエチレンオキサイド－ポリプロピレンオキサイド－ポリエチレンオキサイド（ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ）」は「水溶性高分子Ｂ」として含まれることは明らかである。

一方、上記２（４）アに摘記のとおり、引用文献４の[0030]には、「水溶性高分子Ｂの重量平均分子量は、好ましくは５０００００以下であり、より好ましくは３０００００以下であり、更に好ましくは２５００００以下（例えば、１０００００以下）である。水溶性高分子Ｂの重量平均分子量は、好ましくは１０００以上であり、より好ましくは２０００以上であり、更に好ましくは５０００以上（例えば１００００以上）である。」と記載されている。

しかしながら、引用発明２において、「実施例５の研磨用組成物」が含有する水溶性高分子であって、水溶性高分子Ａとしての「ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）」と、水溶性高分子Ｂとしての「ポリエチレンオキサイド－ポリプロピレンオキサイドーポリエチレンオキサイド（ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ）」との組合せからなるもののうち、水溶性高分子Ｂのみを、ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯから、「重量平均分子量が２０００～８０００」の水溶性高分子に換える動機付けは当業者にはない。

（ｃ）したがって、引用発明２において、「重量平均分子量が１００００００以下」である「水溶性高分子」であって、「前記水溶性高分子」は、「ポリオキシアルキレン構造を有する重合体（水溶性高分子Ｂ）」、並びに、「水溶性高分子Ｄ」「から選ばれる少なくとも一種」を含み、「実施例５の研磨用組成物」は、「水溶性高分子」として、「重量平均分子量Ｍｗが１００００のポリエチレンオキサイド－ポリプロピレンオキサイド－ポリエチレンオキサイド（ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ）を０．００３質量％で含有する」ものを、本件発明１のように、「重量平均分子量が２０００～８０００であり、エチレンオキサイド基を有する高分子である振動抑制剤」とすることは、当業者が容易になし得たことではない。

よって、引用発明２において、引用文献４の[0030]の記載を参照した当業者であっても、相違点２に係る本件発明１の構成とすることは容易になし得たことではない。

以上のとおりであるから、本件発明１は、引用発明２及び引用文献４に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。

（ｄ）また、引用文献２には、「重量平均分子量が２０００～８０００」である「振動抑制剤」について、記載も示唆もされていない。

したがって、本件発明１は、引用発明２並びに引用文献１に記載された技術的事項及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。

（イ）本件発明２について

本件発明２は、本件発明１に対して、更に「前記水溶性高分子は、ヒドロキシエチルセルロースである、」という技術的事項を追加したものである。

よって、上記（ア）に示した理由と同様の理由により、本件発明２は、引用発明２並びに引用文献４に記載された技術的事項及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。

（ウ）以上のとおり、本件発明１、２は、引用発明２並びに引用文献４に記載された技術的事項及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。

（３）特許異議申立人の主張について

ア 特許異議申立人神澤正広は、令和４年６月２０日に提出した意見書１～３ページの、「（１）理由２（新規性）及び理由３（進歩性）について」「ア 引用発明１との対比」において、「引用発明１におけるＰＥＧのＭｗの範囲は、・・・２０４～３００００の範囲である蓋然性が高い。また、引用発明１において、・・・このとき、前記Ｍｗは、・・・５１００～１００００以下の範囲内である蓋然性が高い。・・・依然として新規性を有しない。・・・前記の通り。引用文献１の［００３５］には、・・・。従って、本件訂正発明は、依然として新規性及び進歩性を欠如している。」と主張する。

しかしながら、上記（２）アｂ（ｂ）で判断したとおり、実施例８では、Ｍｗが１０２００～２００００の範囲内、実施例９では、Ｍｗが１５３００～３００００の範囲内程度である蓋然性が高いから、引用発明１におけるＰＥＧのＭｗが５１００～１００００以下の範囲内である蓋然性が高いということはできない。

また、上記（２）アｂ（ｄ）、（ｆ）で判断したとおり、引用発明１において、実施例８や実施例９の研磨組成物それぞれが含む、数平均分子量１００００のポリエチレングリコール、数平均分子量１５０００のポリエチレングリコールを、「重量平均分子量」が２０００以上のポリエチレングリコールとする動機付けは当業者にはなく、引用発明２において、引用文献１の[0035]の記載を参照した当業者であっても、相違点１に係る本件発明１の構成とすることは容易になし得たことではない。

したがって、特許異議申立人神澤正広の上記主張には理由がない。

イ 特許異議申立人神澤正広は、令和４年６月２０日に提出した意見書３～４ページの、「（１）理由２（新規性）及び理由３（進歩性）について」「イ 引用発明２との対比」において、「引用文献４の特許請求の範囲には、・・・引用発明２のＭｗの範囲は、本件発明１のＭｗの範囲２０００～８０００と明らかに且つ大きく重複している旨を主張している。・・・前述の通り、引用文献４の【００３０】には、ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯを指す水溶性高分子ＢのＭｗはより好ましくは２０００以上、更に好ましくは５０００以上であると記載されている（【００３０】）。引用文献４に基づいて・・・従って、本件訂正発明は、依然として新規性及び進歩性を欠如している。」と主張する。

しかしながら、上記２（４）アに摘記のとおり、引用文献４の[0030]には、「水溶性高分子Ｂの重量平均分子量は、好ましくは１０００以上であり、より好ましくは２０００以上であり、更に好ましくは５０００以上（例えば１００００以上）である。」と記載されており、「水溶性高分子Ｂ」が「ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯを指す」ことは記載されていない。

一方、引用文献４の[0025]には、「ポリオキシアルキレン構造を有する重合体（以降“水溶性高分子Ｂ”という）」と記載されている。また、[0035]には、「水溶性高分子Ｂは、・・・更に好ましくは下記一般式（１）で表される重合体である」と記載されており、[0036]に一般式（１）が記載されている。[0117]には、「なお、“ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ”は、一般式（１）で表されるものであり」と記載されている。

そうすると、引用文献４には、水溶性高分子Ｂとして、更に好ましくはＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯであることが記載されてものの、引用文献４のその他の箇所を参照しても、「ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯを指す水溶性高分子ＢのＭｗはより好ましくは２０００以上、更に好ましくは５０００以上である」ことが記載されているとはいえない。

したがって、特許異議申立人神澤正広の上記主張は前提において誤っているから理由がない。

ウ 特許異議申立人神澤正広は、令和４年６月２０日に提出した意見書４～５ページの、「（１）理由１（明確性）について」において、「「エチレンオキサイド基」は、オキシエチレン基（ＣＨ２－ＣＨ２ーＯ）とは異なる化学構造を有する。」、「特許請求の範囲の記載に基づけば、「エチレンオキサイド基を有する高分子」は、一義的に、前記エチレンオキサイドで表される構造を有する高分子を意味すると解釈され、オキシエチレン基を有する高分子を意味すると解釈することはできない。」と主張する。

しかしながら、上記（１）で判断したとおりであるから、特許異議申立人神澤正広の上記主張には理由がない。

第５ 取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について

１ 「（Ｂ）サポート要件について」について

（１）（Ｂ－１）について

特許異議申立人神澤正広は、特許異議申立書１７～１８ページにおいて、訂正前の特許請求の範囲に関し、本件特許明細書の【００２７】に振動抑制剤として例示されているものは化学構造が大きく異なるから、本件特許発明１～２において、課題を解決できると認識できるものは、実施例で用いられたＰＥＧ、グリセリン誘導体、ポロキサミンのみである旨、及び、本件特許発明１～２に係る振動抑制剤には、１分子当たりのエチレンオキサイド基の比率が低いと思われるものが包含されており、この振動抑制剤を使用する場合には、多量の振動抑制剤を用いて、本件特許発明１の「前記振動抑制剤１分子当たりの前記エチレンオキサイド基部分の重量平均分子量と前記振動抑制剤の質量濃度との積が８．０×１０－２以上」を充足させる必要があるが、その場合、前記課題を解決できるとは到底認められない旨を主張する。

本件特許明細書の【０００８】には、「本発明の目的は、装置の振動を低減できる研磨用組成物を提供することである。」と記載されているから、本件発明１及び２の課題は、「装置の振動を低減できる研磨用組成物を提供すること」にあると理解される。

一方、本件発明１及び２は、「重量平均分子量が２０００～８０００」であり、「前記振動抑制剤１分子当たりの前記エチレンオキサイド基部分の重量平均分子量と前記振動抑制剤の質量濃度との積が８．０×１０－２以上」であるとの構成が特定されているところ、本件特許明細書の【００２８】には、「振動抑制剤は、キャリアやパッド表面へ吸着して層を形成することで、これらの接触状態を変えて振動を抑制する。重量平均分子量が１５００未満では、吸着層の厚みが小さく、振動抑制剤としての効果が得られない。振動抑制剤として用いる高分子の重量平均分子量の下限は、好ましくは２０００であり、さらに好ましくは３０００である。一方、重量平均分子量が３００００よりも高くなると、分子数が少なくなり、吸着層に粗密が発生して、振動抑制剤としての効果が得られない。」（下線は合議体が付加した。以下、同じ。）と、【００３１】には、「本実施形態による研磨用組成物は、振動抑制剤１分子当たりのエチレンオキサイド基部分の重量平均分子量と、研磨用組成物中の振動抑制剤の質量濃度との積（以下「ＷＥＯ・濃度」と表記する。）が８．０×１０－２以上である。ここで、振動抑制剤の質量濃度は、研磨用組成物中の振動抑制剤の質量を研磨用組成物（希釈後）全体の質量で除した値である。」と、【００３２】には、「ＷＥＯ・濃度が８．０×１０－２未満であると、振動抑制剤のモル濃度が６．９×１０－１０ｍｏｌ／ｇ以上であっても、振動抑制効果が得られない。ＷＥＯ・濃度の下限は、好ましくは１．０×１０－１であり、さらに好ましくは２．０×１０－１である。一方、ＷＥＯ・濃度が大きすぎると、砥粒の凝集が生じやすくなるなど、研磨用組成物としての調整が困難になる。ＷＥＯ・濃度の上限は、好ましくは２．０であり、さらに好ましくは１．５である。」と記載されている。

したがって、本件発明１及び２は、本件発明１及び２の上記の課題を解決できるものである。

しかも、実施例１～５には、本件発明１及び２に含まれる研磨用組成物が裏付けられている。

そして、上記主張において、【００２７】に例示されているものが課題を解決できないとの具体的理由は説明されておらず、また、上記のとおりであるから、特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定された要件を満たしている。

また、後者の主張についても、本件特許明細書の【００３１】には、「本実施形態による研磨用組成物は、振動抑制剤１分子当たりのエチレンオキサイド基部分の重量平均分子量と、研磨用組成物中の振動抑制剤の質量濃度との積（以下「ＷＥＯ・濃度」と表記する。）が８．０×１０-２以上である。ここで、振動抑制剤の質量濃度は、研磨用組成物中の振動抑制剤の質量を研磨用組成物（希釈後）全体の質量で除した値である。」と、【００３２】には、「ＷＥＯ・濃度が８．０×１０-２未満であると、振動抑制剤のモル濃度が６．９×１０-１０ｍｏｌ／ｇ以上であっても、振動抑制効果が得られない。ＷＥＯ・濃度の下限は、好ましくは１．０×１０-１であり、さらに好ましくは２．０×１０-１である。一方、ＷＥＯ・濃度が大きすぎると、砥粒の凝集が生じやすくなるなど、研磨用組成物としての調整が困難になる。ＷＥＯ・濃度の上限は、好ましくは２．０であり、さらに好ましくは１．５である。」と記載されているところ、本件訂正請求後の特許請求の範囲の請求項１に記載された「重量平均分子量が２０００～８０００であり、エチレンオキサイド基を有する高分子である振動抑制」を含み、「前記振動抑制剤１分子当たりの前記エチレンオキサイド基部分の重量平均分子量と前記振動抑制剤の質量濃度との積が８．０×１０－２以上であ」る、研磨用組成物は課題を解決できることが記載されているといえるから、特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定された要件を満たしている。

（２）（Ｂ－２）について

特許異議申立人神澤正広は、特許異議申立書１８ページにおいて、訂正前の特許請求の範囲に関し、振動抑制剤のモル濃度の上限値、 及び、 振動抑制剤1分子当たりのエチレンオキサイド基部分の重量平均分子量と振動抑制剤の質量濃度との積の上限値が特定されていないため、本件特許発明１の研磨用組成物が、課題を解決できるとは到底認められない旨を主張する。

しかしながら、本件特許明細書の【００２９】には、「本実施形態による研磨用組成物は、振動抑制剤のモル濃度（使用時）が６．９×１０-１０ｍｏｌ／ｇ以上である。振動抑制剤のモル濃度が６．９×１０-１０ｍｏｌ／ｇ未満であると、研磨抑制剤としての効果が得られない。」と記載されており、【００３１】、【００３２】には、上記（１）の事項が記載されているところ、本件訂正請求後の特許請求の範囲の請求項１に記載された「前記振動抑制剤のモル濃度が６．９×１０-１０ｍｏｌ／ｇ以上であり」、「前記振動抑制剤１分子当たりの前記エチレンオキサイド基部分の重量平均分子量と前記振動抑制剤の質量濃度との積が８．０×１０－２以上であ」る研磨用組成物は、課題を解決できることが記載されているといえるから、特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定された要件を満たしている。

（３）（Ｂ－３）について

特許異議申立人神澤正広は、特許異議申立書１９ページにおいて、訂正前の特許請求の範囲に関し、水溶性高分子として、実施例で用いられたＭｗが５０万のＨＥＣとＭｗが６３４の多価アルコール（具体的にはポリオキシエチレンメチルグルコシド）との組合せ以外の使用により、課題が発生するのか不明であり、課題を解決できるとも認められない旨を主張する。

しかしながら、本件特許明細書には、水溶性高分子として、重量平均分子量が５０万のＨＥＣと重量平均分子量が６３４の多価アルコールとの組合せを使用した実施例の試験結果は、課題を解決するものであったことが記載されているから、特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定された要件を満たしている。

（４）（Ｂ－４）について

特許異議申立人神澤正広は、特許異議申立書１９～２０ページにおいて、訂正前の特許請求の範囲に関し、本件特許発明１～２において、シリコーンウェーハの一次研磨の両面研磨に用いられることは特定されておらず、前記両面研磨において用いられる研磨パッドやキャリアの種類も特定されていないが、実施例に記載の特定の研磨パッドやキャリアを用いないで、シリコーンウェーハの研磨を実施する場合に、課題を解決できるとは認識できない旨主張する。

しかしながら、本件特許明細書には、水溶性高分子として、重量平均分子量が５０万のＨＥＣと重量平均分子量が６３４の多価アルコールとの組合せを使用した実施例の試験結果は、課題を解決するものであったことが記載されているから、特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定された要件を満たしている。

（５）（Ｂ－５）について

特許異議申立人神澤正広は、特許異議申立書２０～２１ページにおいて、訂正前の特許請求の範囲に関し、少なくとも、重量平均分子量が１５００～２０００である特定高分子を振動抑制剤として含む研磨用組成物は、課題を解決できると認識することができない旨を主張する。

しかしながら、本件訂正訂正請求による訂正後の本件発明１において、重量平均分子量は「２０００～８０００」と特定されており、また、上記（１）のとおり、本件訂正請求後の特許請求の範囲の請求項１に記載された「重量平均分子量が２０００～８０００であり、エチレンオキサイド基を有する高分子である振動抑制」を含み、「前記振動抑制剤１分子当たりの前記エチレンオキサイド基部分の重量平均分子量と前記振動抑制剤の質量濃度との積が８．０×１０－２以上であ」る、研磨用組成物が課題を解決できることが記載されているといえるから、本件の特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定された要件を満たしている。

（６）（Ｂ－６）について

特許異議申立人神澤正広は、特許異議申立書２１ページにおいて、訂正前の特許請求の範囲に関し、実施例では、振動抑制剤として、ＰＥＧ、グリセリン誘導体、ポロキサミンが用いられており、実施例で使用したＰＥＧ、グリセリン誘導体、ポロキサミンが、エチレンオキサイド基を有するものであるか否か不明であるから、サポート要件を充足しない旨を主張する。

しかしながら、上記第４の３（１）に記載のとおり、「ＰＥＧ（ポリエチレングリコール）は、一般的には、ＨＯ－（ＣＨ２―ＣＨ２―Ｏ）ｎ―Ｈで表される構造を有し、オキシエチレン基（－ＣＨ２―ＣＨ２―Ｏ－）を有するものである」から、エチレンオキサイド基を有するものである。したがって、本件の特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定された要件を満たしている。

２ 「（Ｃ）明確性要件について」について

特許異議申立人神澤正広は、特許異議申立書２１～２２ページにおいて、訂正前の特許請求の範囲に関し、振動抑制剤のモル濃度の上限値、 及び、 振動抑制剤1分子当たりのエチレンオキサイド基部分の重量平均分子量と振動抑制剤の質量濃度との積の上限値が特定されていないから、本件特許発明１、２の範囲は不明確である旨を主張する。

しかしながら、本件訂正訂正請求による訂正後の請求項１には、「前記振動抑制剤のモル濃度が６．９×１０-１０ｍｏｌ／ｇ以上であり」と記載されており、振動抑制剤のモル濃度の数値範囲は明確であるから、特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第２号に規定された要件を満たしている。

３ 「（Ｄ）実施可能要件について」について

特許異議申立人神澤正広は、特許異議申立書２２ページにおいて、本件特許明細書の実施例には、振動抑制剤として、グリセリン誘導体及びポロキサミンを使用したことが記載されているが、その具体的な化学構造は不明であり、製品名称及び製造会社は不明であるから、当業者は、振動抑制剤としてグリセリン誘導体及びポロキサミンを使用して本件特許発明１～２を実施することができないし、少なくとも、過度の試行錯誤を要することが明らかであるため、実施可能要件を充足しない旨を主張する。

しかしながら、本件特許明細書には、振動抑制剤として、重量平均分子量（Ｍｗ）８０００のＰＥＧと重量平均分子量（Ｍｗ）６０００のＰＥＧを使用して、研磨用組成物を作成した実施例が記載されており、当業者であれば、Ｍｗが８０００や６０００のＰＥＧの市販品を入手することができる。

したがって、発明の詳細な説明の記載は、当業者が請求項１及び２に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものであり、特許法第３６条第４項第１号に規定された要件を満たす。

４ したがって、特許異議申立人神澤正広の上記主張は、採用することができない。

第６ むすび

以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１及び２に係る特許を取り消すことはできない。

また、他に本件請求項１及び２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。

よって、結論のとおり決定する