2021-700773

第２ 訂正請求について

１ 訂正請求の趣旨

令和 ４年 １月１９日になされた訂正請求（以下、「本件訂正請求」という。）の趣旨は、特許第６８２８８５６号の明細書、特許請求の範囲を、本件訂正請求書に添付した訂正明細書、訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項４～７について訂正することを求める、というものである。

２ 訂正事項

本件訂正請求に係る訂正（以下、「本件訂正」という。）の内容は、以下のとおりである。下線は訂正箇所示す。

（１）訂正事項１

特許請求の範囲の請求項４に、

「前記銅部材は、Ｃｕの純度が９９．９６ｍａｓｓ％以上で残部が不可避不純物とされるとともに、Ｐの含有量が２ｍａｓｓｐｐｍ以下、かつ、Ｐｂ、Ｓｅ及びＴｅの合計含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とされた組成とされ、」

と記載されているのを

「前記銅部材は、Ｃｕの純度が９９．９６ｍａｓｓ％以上で残部が不可避不純物とされるとともに、Ｐの含有量が２ｍａｓｓｐｐｍ以下、かつ、Ｐｂ、Ｓｅ及びＴｅの合計含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓの含有量が２ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙの合計含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とされた組成とされ、」

に訂正する。

請求項４の記載を引用する請求項５も同様に訂正する。

（２）訂正事項２

明細書の段落【００１８】に

「前記銅部材は、Ｃｕの純度が９９．９６ｍａｓｓ％以上で残部が不可避不純物とされるとともに、Ｐの含有量が２ｍａｓｓｐｐｍ以下、かつ、Ｐｂ、Ｓｅ及びＴｅの合計含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とされた組成とされ、」

と記載されているのを

「前記銅部材は、Ｃｕの純度が９９．９６ｍａｓｓ％以上で残部が不可避不純物とされるとともに、Ｐの含有量が２ｍａｓｓｐｐｍ以下、かつ、Ｐｂ、Ｓｅ及びＴｅの合計含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓの含有量が２ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙの合計含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とされた組成とされ、」

に訂正する。

（３）訂正事項３

特許請求の範囲の請求項６に、

「前記銅板は、Ｃｕの純度が９９．９６ｍａｓｓ％以上で残部が不可避不純物とされるとともに、Ｐの含有量が２ｍａｓｓｐｐｍ以下、かつ、Ｐｂ、Ｓｅ及びＴｅの合計含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とされた組成とされ、」

と記載されているのを

「前記銅板は、Ｃｕの純度が９９．９６ｍａｓｓ％以上で残部が不可避不純物とされるとともに、Ｐの含有量が２ｍａｓｓｐｐｍ以下、かつ、Ｐｂ、Ｓｅ及びＴｅの合計含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓの含有量が２ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙの合計含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とされた組成とされ、」

に訂正する。

請求項６の記載を引用する請求項７も同様に訂正する。

（４）訂正事項４

明細書の段落【００２２】に

「前記銅板は、Ｃｕの純度が９９．９６ｍａｓｓ％以上で残部が不可避不純物とされるとともに、Ｐの含有量が２ｍａｓｓｐｐｍ以下、かつ、Ｐｂ、Ｓｅ及びＴｅの合計含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とされた組成とされ、」

と記載されているのを

「前記銅板は、Ｃｕの純度が９９．９６ｍａｓｓ％以上で残部が不可避不純物とされるとともに、Ｐの含有量が２ｍａｓｓｐｐｍ以下、かつ、Ｐｂ、Ｓｅ及びＴｅの合計含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓの含有量が２ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙの合計含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とされた組成とされ、」

に訂正する。

３ 訂正の適否についての当審の判断

（１）訂正事項１に係る訂正について

ア 訂正の目的について

（ア）訂正後の請求項４に係る銅部材の化学組成には、銅以外の残部である不可避不純物にＳが含まれているため、本件特許の願書に添付した明細書（以下、「本件特許明細書」という。）において、Ｓが不可避不純物であるか否かについて検討する。

ａ 本件特許明細書には、従来技術である、「Ｓを０．０００６～０．００１５ｗｔ％含有することにより、再結晶温度以上で熱処理しても、一定の大きさの結晶粒に調整可能である」技術に沿って、「単にＳの含有量を規定しても、十分な結晶粒粗大化抑制効果を得ることができない」ことがあり、また、「結晶粒の粗大化を抑制するために、Ｓの含有量を増加させた場合には、接合後に局所的に結晶粒が粗大化し、結晶組織が不均一となって粒径のばらつきが大きくなることがあった」ことが記載されている（段落【０００７】、【０００９】）。

ｂ また、「本発明者らが鋭意検討した結果、純銅材に微量に含有された不純物元素には、結晶粒界に存在することで結晶粒の粗大化を抑制する結晶粒成長抑制効果を有するものが存在する。そこで、この結晶粒成長抑制効果を有する元素（以下、結晶粒成長抑制元素、と称する）を活用することで、加熱後においても結晶粒の粗大化や不均一化を抑制可能であるとの知見を得た。」とも記載されている（段落【００１１】）。

ｃ ここで、「純銅材に微量に含有された不純物元素」、すなわち、銅以外の元素について本件特許明細書の記載をみると、以下の記載がある。

（ａ）（Ｐの含有量：２ｍａｓｓｐｐｍ以下）

不可避不純物として含まれるＰは、銅中の酸素を無害化する元素として広く用いられている（段落【００４０】）。

（ｂ）（Ｐｂ、Ｓｅ及びＴｅの合計含有量：１０ｍａｓｓｐｐｍ以下）

Ｐｂ、Ｓｅ及びＴｅは、Ｃｕ中の固溶限が低く、粒界に偏析することによって、結晶粒の粗大化を抑制する作用を有するが、局所的な粒成長を促進してしまう元素である。

このため、本実施形態においては、熱間加工性を確保するために、回路層１２及び金属層１３を構成する純銅材におけるＰｂ、Ｓｅ及びＴｅの合計含有量を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限している（段落【００４１】）。

（ｃ）（Ｓの含有量：２ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下）

Ｓは、結晶粒界移動を抑制することによって、結晶粒の粗大化を抑制する作用を有するとともに、熱間加工性を低下させる元素である。

このため、本実施形態において、回路層１２及び金属層１３を構成する純銅材におけるＳの含有量を２ｍａｓｓｐｐｍ以上とした場合には、Ｓによる結晶粒粗大化抑制効果を十分に奏功せしめることができ、加熱後においても結晶粒の粗大化を確実に抑制することが可能となる。一方、Ｓの含有量を２０ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限することにより、局所的な結晶粒成長を制御することが可能となる（段落【００４２】）。

（ｄ）（Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙの合計含有量：１０ｍａｓｓｐｐｍ以下）

不可避不純物として含まれるＭｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙは、結晶粒界に偏析して結晶粒の粗大化を抑制する結晶粒粗大化抑制元素（Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ等）と化合物を生成し、結晶粒粗大化抑制元素の作用を阻害するおそれがある（段落【００４３】）。

ｄ 上記（ａ）、（ｄ）から、Ｐ並びにＭｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ及びＹは、本件特許明細書において不可避不純物である。また、上記（ｂ）には、Ｐｂ、Ｓｅ及びＴｅが不可避不純物であると明記されていないが、局所的な粒成長を防止するために合計含有量を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限していることからみて、Ｐｂ、Ｓｅ及びＴｅも不可避不純物である。

ｅ これらに対して、Ｓが不可避不純物である旨の記載は、上記（ｃ）を含め、本件特許明細書にないことから、本件特許明細書において、Ｓは純銅材に微量に含有された不純物元素ではあるものの不可避不純物であるとは直ちにはいえない。また、「Ｓの含有量を２ｍａｓｓｐｐｍ以上とした場合には、Ｓによる結晶粒粗大化抑制効果を十分に奏功せしめることができ、加熱後においても結晶粒の粗大化を確実に抑制することが可能となる」（段落【００４２】）との記載や、実施例において、Ｓが最大１９．９ｍａｓｓｐｐｍ含まれている点からみても、Ｓが不可避不純物であるとは直ちにはいえない。

ｆ 一方、特許権者が令和 ４年 ７月 ８日に提出した意見書に添付された乙第１号証～乙第３号証には、以下の事項が記載されている。

（ａ）乙第１号証（青山正義、外３名、「銅線の軟化特性に及ぼす熱間圧延銅線製造方法と不純物の影響」、日本金属学会誌、１９８７年、第５１巻、第９号、社団法人日本金属学会、ｐ．８５８－８６３）

「Ｉ．緒言

一般に金属材料の諸性能が，最終の熱処理工程だけでなく中間の加工および熱処理によって変化することはよく知られている．電線の素材である銅線についても製何時の鋳造条件および熱間圧延銅線の熱間加工条件によってその性能が異なる（１）．そこで，熱間圧延銅線製造条件と伸線後の銅線の軟化挙動との関連性についていくつかの検討が行われている（２）（３）．また，銅線の軟化特性に及ぼす微量元素の影響について古くから多くの研究がある（４）－（１０）．しかし，鋳造および熱間圧延等の製造履歴に基づく不純物と軟化挙動の関係については不明な点が多い．また，銅線の軟化特性は，連続焼なまし工程の高速化並びに銅線のコイル巻き性能の向上の観点から工業上重要な特性である．そこで本研究では，ベルト－ホイル式連続鋳造圧延材であるSCR材（Southwire Continuous Rod Process），OFC材（Oxigen Free Copper）および棹銅圧延によるTPC材（Tough Pitch Copper）の諸性質を比較し，製造履歴の異なる熱間圧延銅線の特性と冷間伸線後の軟化特性との関係を明らかにすることを目的とした．

II．試料および実験方法

１．試料

供試材として不純物含有量および製造履歴の異なる５種類の熱間圧延銅線（以下WRと記す．）を用いた．Table 1にWRの不純物分析結果を示す．Pb，Sn，Sbのやや多い

［図：0001395179000001.jpg］

TPC3以外は，純度が高い．SCRは連続鋳造した約600mm2のキャストバーを約φ8mmに873-1073Kで連続的に熱間圧延，水冷したWRである．OFCはCOガス中で電気銅を溶解鋳造後圧延したいわゆる無酸素銅である．TPCは断面積約17000mm2の棹銅を約φ8mmに973-1173Kで熱間圧延したWRである．TPC1とTPC3は熱間圧延後水冷して得たWRであり，TPC2は熱間圧延後空冷して得たWRである．これ等のWRの直径は8.2±0.2mmとし，WRを冷間伸線したφ2.6mm銅線の加工度は90±0.4％にした．」（第８５８ページ左欄～第８５９ページ左欄）

（ｂ）乙第２号証（西山進一、「最近の無酸素銅をべースとした希薄合金」、日本金属学会会報、１９８９年、第２８巻、第２号、社団法人日本金属学会、ｐ．１３７－１４５）

「２．無酸素銅の特長と改良

（１）無酸素銅の特長

無酸素銅の金属材料としての特長は,高純度の均一相であると言える（１）．表１は,代表的な純銅種の組成と純度を示したものである．すなわち，工業的に使用されている銅種は，９９．９％以上であり，アルミニウムや鉄鋼にくらべると極めて純度は高いと言える．とりわけ無酸素銅は，酸素と不純物がさらに少なく，９９．９９５％以上が保たれている．従って，個々の不純物のもつ意味は極めて大きいと言える．図１は，PawlekおよびReichel（２）によるもので，電気抵抗におよぼす添加元素の影響について示している．図２は，堀ら（３）の研究結果の引用で，銅の再結晶温度に及ぼす溶質原子の影響について示したものである．これらのベース材は溶製方法は異なるがいずれも無酸素銅と考えてよい．これでわかるように，微量の不純物の物性に与える影響が極めて敏感であることがわかる．

［図：0001395179000002.jpg］

」（第１３７ページ右欄）

（ｃ）乙第３号証（Ｅ－Ｍｅｔａｌｓ（イーメタルズ）、『高純度銅－Ｃｕ≧９９．９９９９％板材』、金属材料通販【Ｅ-Ｍetals.net】、［online］、［検索日２０２２年７月６日］、インターネット、＜URL：https://www.e-metals.net/product/201347＞）

「提供可能な純度と密度

Cu ≧ 99.9999％ 密度：8.9g/cm⊃3;

Molding process：Melting-Rolling

Grain Size： ＜50um

※ 面取り、表面粗度などについては、見積依頼される際に

備考欄にご要望事項を書いて送信ボタンを教えてください。

ご要望内容に合わせて見積回答をさせて頂きます。

Cu ≧ 99.9999％

単位：ppm

Li＜0.001、Be＜0.001、B＜0.001、F＜0.001、Na＜0.005、Mg＜0.001、Al＜0.005、Si 0.02、P＜0.001、S 1.9、Cl 0.02、K＜0.01、Ca＜0.005、Sc＜0.001、Ti 0.002、V＜0.001、Cr 0.02、Mn＜0.001、Fe 0.08、Co 0.002、Ni 0.08、Zn 0.02、Ga ＜0.01、Ge＜0.005、As 0.05、Se 0.04、Br ＜0.05、Rb＜0.001、Sr＜0.001、Y＜0.001、Zr＜0.001、Nb＜0.005、Mo＜0.005、Ru＜0.005 Rh＜0.1、Pd＜0.005、Ag 8.9、Cd＜0.01、In＜0.005、Sn＜0.005、Sb 0.1、Te＜0.05、I＜0.005、Cs＜0.005、Ba 0.003、La＜0.001、Ce＜0.001、Pr＜0.001、Nd＜0.001、Sm＜0.001、Eu＜0.001、Gd＜0.001、Tb＜0.001、Dy＜0.001、Ho＜0.001、Er＜0.001、Tm＜0.001、Yb＜0.001、Lu＜0.001、Hf＜0.001、Ta＜0.1、W 0.003ｍ、Re＜0.001、Os＜0.001、Ir＜0.001、It＜0.01、Au＜0.01、Hg＜0.01 Tl＜0.001、Pb 0.02、Bi 0.02、Th＜0.0001、U＜0.0001」

ｇ 上記のように、乙第１号証には、Ｐ、Ｐｂ、Ｓｅ、Ｔｅといった元素が十分に低減された純銅材（ＳＣＲ、ＯＦＣ、ＴＰＣ１、ＴＰＣ２）においても、Ｓが９ｍａｓｓｐｐｍ以上含有されていることが記載されている（Ｔａｂｌｅ１）。また、乙第２号証には、Ｐ，Ｐｂといった元素が十分に低減された純銅材（無酸素銅、タフピッチ銅（１））においても、Ｓが５質量ｐｐｍ以上含有されていることが記載されている（表１）。さらに、乙第３号証には、市販の純度９９．９９９９％以上の高純度銅の板材において、Ｐ、Ｐｂ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙといった元素が十分に低減された純銅材においても、Ｓが２ｐｐｍ程度含有されていることが記載されている。

これら、乙第１号証～乙第３号証に示すように、純銅材において、Ｓ以外の元素を低減して純度を向上させた場合でも、Ｓが一定量含まれることは技術常識であり、Ｓの含有量を上記純銅材に含まれる程度とするために、超高純度銅に対してＳを添加元素として添加することは、工業上実施されることはないといえる。

ｈ 上記ｇの技術常識を踏まえると、本件特許明細書において、Ｓは不可避不純物であると解される。

（イ）そうすると、訂正事項１に係る訂正は、不可避不純物に含まれるＳの含有量及びＭｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙの合計含有量を限定して特定する訂正であることから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。

イ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるかについて

訂正事項１に係る訂正は、段落【００４２】、【００４３】の記載に基づくものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。

ウ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正であるかについて

上記ア（イ）のとおり、訂正事項１に係る訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものとはいえない。

（２）訂正事項２に係る訂正について

ア 訂正の目的について

訂正事項２に係る訂正は、訂正事項１に係る訂正が認められることを前提として、訂正後の請求項４の記載と段落【００１８】の記載とを整合させようとするものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。

イ 明細書の訂正と関係する請求項について

上記アのとおり、訂正事項２に係る訂正は、訂正後の請求項４の記載と段落【００１８】の記載とを整合させようとするものであるところ、後記（６）アのとおり、訂正前の請求項４、５は一群の請求項であるから、訂正事項２に係る訂正は、一群の請求項である請求項４、５について行うものである。

ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるかについて

訂正事項２に係る訂正は、段落【００４２】、【００４３】の記載に基づくものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。

エ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正であるかについて

訂正事項２に係る訂正は、請求項に記載された事項により特定される事項の解釈に影響を与えるものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものとはいえない。

（３）訂正事項３に係る訂正について

ア 訂正の目的について

上記（１）アと同様の理由により、訂正事項３に係る訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。

イ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるかについて

上記（１）イと同様の理由により、訂正事項３に係る訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。

ウ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正であるかについて

上記（１）ウと同様の理由により、訂正事項３に係る訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものとはいえない。

（４）訂正事項４に係る訂正について

ア 訂正の目的について

上記（２）アと同様の理由により、訂正事項４に係る訂正は、明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。

イ 明細書の訂正と関係する請求項について

訂正事項４に係る訂正は、訂正後の請求項６の記載と段落【００２２】の記載とを整合させようとするものであるところ、後記（６）イのとおり、訂正前の請求項６、７は一群の請求項であるから、訂正事項４に係る訂正は、一群の請求項である請求項６、７について行うものである。

ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるかについて

上記（２）ウと同様の理由により、訂正事項４に係る訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。

エ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正であるかについて

上記（２）エと同様の理由により、訂正事項４に係る訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものとはいえない。

（５）独立特許要件について

本件特許についてはすべての請求項が特許異議の申立ての対象とされているので、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。

（６）一群の請求項について

ア 訂正前の請求項４、５について、請求項５は請求項４を引用しているものであって、訂正事項１によって訂正される請求項４に連動して訂正されるものである。

よって、訂正前の請求項４、５は一群の請求項である。

イ 訂正前の請求項６、７について、請求項７は請求項６を引用しているものであって、訂正事項３によって訂正される請求項６に連動して訂正されるものである。

よって、訂正前の請求項６、７は一群の請求項である。

４ 訂正請求についてのまとめ

以上のとおり、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号又は第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。

したがって、明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔４、５〕、〔６、７〕について訂正することを認める。

第３ 本件発明

上記第２のとおり、本件訂正請求は認められるので、本件特許の請求項１～７に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」～「本件発明７」という。また、これらを総称して「本件発明」という。）は、本件訂正後の特許請求の範囲の請求項１～７に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。

「【請求項１】

銅部材とセラミックス部材とが接合されてなる銅／セラミックス接合体の製造方法であって、

前記銅部材は、Ｃｕの純度が９９．９６ｍａｓｓ％以上で残部が不可避不純物とされるとともに、Ｐの含有量が２ｍａｓｓｐｐｍ以下、かつ、Ｐｂ、Ｓｅ及びＴｅの合計含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓの含有量が２ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙの合計含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とされた組成とし、

積層した前記銅部材と前記セラミックス部材とを積層方向に加圧して加熱することにより、積層した前記銅部材と前記セラミックス部材とを接合する接合工程と、を有し、

続きを表示（全28行）

接合前の前記銅部材の平均結晶粒径を１０μｍ以上、圧延面における結晶粒の長径／短径の比を意味するアスペクト比を２以下とし、

前記接合工程では、積層方向への加圧荷重を０．０５ＭＰａ以上１．５ＭＰａ以下の範囲内、加熱温度を８００℃以上８５０℃以下の範囲内、加熱温度での保持時間を１０分以上９０分以下の範囲内とすることを特徴とする銅／セラミックス接合体の製造方法。

【請求項２】

接合前の前記銅部材の圧延面における結晶粒のアスペクト比Ｒ０と、接合後の前記銅部材の圧延面における結晶粒のアスペクト比Ｒ１と、接合後の前記銅部材の圧延面における平均結晶粒径Ｄ１とが、以下の関係式ＲＤを満足することを特徴とする請求項１に記載の銅／セラミックス接合体の製造方法。

関係式ＲＤ＝Ｄ１×（Ｒ１／Ｒ０）≦５００

【請求項３】

セラミックス基板の表面に銅板が接合されてなる絶縁回路基板の製造方法であって、

請求項１または請求項２に記載の銅／セラミックス接合体の製造方法により、前記セラミックス部材としてのセラミックス基板と、前記銅部材としての銅板とを接合することを特徴とする絶縁回路基板の製造方法。

【請求項４】

銅部材とセラミックス部材とが接合されてなる銅／セラミックス接合体であって、

前記銅部材は、Ｃｕの純度が９９．９６ｍａｓｓ％以上で残部が不可避不純物とされるとともに、Ｐの含有量が２ｍａｓｓｐｐｍ以下、かつ、Ｐｂ、Ｓｅ及びＴｅの合計含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓの含有量が２ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙの合計含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とされた組成とされ、

前記銅部材の断面において、ＥＢＳＤによる銅の結晶方位マップを（００１）面、（１１１）の面、（１０１）面に３等分したときの最大の面積率が４５％以下とされており、

前記銅部材の断面において１ｍｍ２の視野内における粒界長が１０ｍｍ以上３０ｍｍ未満とされ、

前記銅部材の断面を電子後方散乱回折法で観察した結果、全粒界長に対する３Σに該当する粒界長の割合が５０％以下であることを特徴とする銅／セラミックス接合体。

【請求項５】

－４５℃×３０分保持及び２５０℃×３０分保持の温度サイクル試験を１０００回実施後の前記銅部材の表面の算術平均粗さをＲａ１とし、温度サイクル試験を実施前の前記銅部材の表面の算術平均粗さをＲａ０としたとき、Ｒａ１／Ｒａ０が１．０以上１．８以下の範囲内であることを特徴とする請求項４に記載の銅／セラミックス接合体。

【請求項６】

セラミックス基板の表面に銅板が接合されてなる絶縁回路基板であって、

前記銅板は、Ｃｕの純度が９９．９６ｍａｓｓ％以上で残部が不可避不純物とされるとともに、Ｐの含有量が２ｍａｓｓｐｐｍ以下、かつ、Ｐｂ、Ｓｅ及びＴｅの合計含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓの含有量が２ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙの合計含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とされた組成とされ、

前記銅板の断面において、ＥＢＳＤによる銅の結晶方位マップを（００１）面、（１１１）の面、（１０１）面に３等分したときの最大の面積率が４５％以下とされており、

前記銅板の断面において１ｍｍ２の視野内における粒界長が１０ｍｍ以上３０ｍｍ未満とされ、

前記銅板の断面を電子後方散乱回折法で観察した結果、全粒界長に対する３Σに該当する粒界長の割合が５０％以下であることを特徴とする絶縁回路基板。

【請求項７】

－４５℃×３０分保持及び２５０℃×３０分保持の温度サイクル試験を１０００回実施後の前記銅板の表面の算術平均粗さをＲａ１とし、温度サイクル試験を実施前の前記銅板の表面の算術平均粗さをＲａ０としたとき、Ｒａ１／Ｒａ０が１．０以上１．８以下の範囲内であることを特徴とする請求項６に記載の絶縁回路基板。」

第６ 当審の判断

以下に述べるように、本件特許異議の申立ての理由及び当審から通知した取消理由によっては、本件特許の請求項１～７に係る特許を取り消すことはできない。

１ 申立理由２－３、取消理由１Ａ、取消理由１Ｂ（実施可能要件）

これらの理由は、本件訂正前の請求項４～７に係る発明が、「Ｓの含有量が２ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙの合計含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下」との発明特定事項を有しないことを前提とした理由であるが、本件訂正により、本件発明４～７は、「Ｓの含有量が２ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙの合計含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下」との発明特定事項を有するものとなったため、これらの理由は前提を欠くものとなった。

したがって、申立理由２－３、取消理由１Ａ、取消理由１Ｂ（実施可能要件）によっては、本件特許の請求項４～７に係る特許を取り消すことはできない。

２ 申立理由１（サポート要件）

申立理由１は、本件訂正前の請求項４～７に係る発明が、「Ｓの含有量が２ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙの合計含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下」との発明特定事項を有しないことを前提とした理由であるが、本件訂正により、本件発明４～７は、「Ｓの含有量が２ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙの合計含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下」との発明特定事項を有するものとなったため、この理由は前提を欠くものとなった。

したがって、申立理由１（サポート要件）によっては、本件特許の請求項４～７に係る特許を取り消すことはできない。

３ 申立理由２－１（実施可能要件）

上記第２の３（１）ア（ア）ｆに摘記したとおり、高純度銅は周知であるから、例えば市販される乙第３号証の高純度銅を入手し、必要に応じて成分調整を行い本件発明１に記載の化学組成を有する銅部材と得ることは当業者であれば困難なことではない。

また、当審が職権により発見した文献であり、本件特許の優先日前に公開された参考文献１（小藤甫、外２名、「無酸素銅に関する研究（第３報）無酸素銅の再結晶図と粒成長について」、日本金属学会誌、１９５８年、第２２巻、第１０号、社団法人日本金属学会、ｐ．４９３－４９７）には、以下の事項が記載されている。

「（２）結晶粒度と加熱温度，加工率

結晶粒は加熱温度が高くなる程大きく，恒温であれば加工度の大きいほど微細であるということは衆知のことである．無酸素銅のこれらの関係はＦｉｇ．６，Ｆｉｇ．７に示した．３５０°における５％，１０％，加工の場合が３００°の場合より細粒であるのは再結晶温度の影響によるものである．これらは加熱時間が一定であるため，温度と時間の関係が判然としないがこれについては後節で詳述する．Ｆｉｇ．７において５０～８０％の加工を施した試料は６３０°近傍から著しい成長を示し，かつ加工度の大きいほど粗大化の開始が低温側にずれるようである．また４００°程度までの加熱温度範囲では寧ろ焼鈍温度の高いほど結晶粒は細かくなる結果を示している．

［図：0001395179000009.jpg］

」

参考文献１の上記記載から、加工度と再結晶温度を調整すれば所望の結晶粒度を有する無酸素銅を得ることができるし、再結晶粒が等軸な結晶粒であることも周知であるから、銅部材の平均結晶粒径が１０μｍ以上とされるとともに、圧延面における結晶粒のアスペクト比（長径／短径）が２以下とすることは、当業者が過度の試行錯誤を要することなく実施することができるといえる。

したがって、申立理由２－１（実施可能要件）によっては、本件特許の請求項１～３に係る特許を取り消すことはできない。

４ 申立理由２－２（実施可能要件）

上記３と同様の理由により、申立理由２－２（実施可能要件）によっては、本件特許の請求項４～７に係る特許を取り消すことはできない。

第７ まとめ

以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び当審から通知した取消理由によっては、本件特許の請求項１～７に係る特許を取り消すことはできない。

また、他に本件請求項１～７に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。

よって、結論のとおり決定する。