2021-700059

特許第６７２７３４８号発明「紫外線照射モジュール用セル及び紫外線照射モジュール」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第６７２７３４８号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－１０〕について訂正することを認める。 特許第６７２７３４８号の請求項１、３－５、８、１０に係る特許を維持する。 特許第６７２７３４８号の請求項２、６、７、９に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第６７２７３４８号の請求項１～１０に係る特許についての出願は、２０１８年１月３１日（優先権主張 平成２９年１月３１日 （ＪＰ）日本国）を国際出願日とするものであって、令和２年７月２日にその特許権の設定登録がされ、同年同月２２日に特許掲載公報が発行された。その後、その請求項１～１０に係る特許に対し、令和３年１月１９日に特許異議申立人三木郁子（以下、「特許異議申立人」という。）により特許異議の申立てがされ、当審は、令和３年３月３１日付けで取消理由を通知し、特許権者は、その指定期間内である同年６月４日に意見書の提出及び訂正の請求を行い、当審は、特許権者から訂正請求があったこと及び意見書が提出されたことを、同年同月１６日付けで特許異議申立人に通知し、それに対して、特許異議申立人は、何ら応答せず、当審は、同年９月８日付けで訂正拒絶理由を通知し、それに対して、特許権者は、何ら応答せず、当審は、同年１１月１７日付けで取消理由（決定の予告）を通知し、特許権者は、その指定期間内である令和４年１月２０日に意見書の提出及び訂正の請求（以下「本件訂正請求」といい、その内容を「本件訂正」という。）を行った。なお、本件訂正は、令和３年６月４日付けの訂正請求と請求項１～８については同じ訂正を行い、請求項９を削除し、請求項１０が引用する請求項からの請求項９の削除をするものであり、実質的に、令和３年６月４日付けの訂正請求において、請求項９を削除したものであるといえることから、特許法第１２０条の５第５項に定める「特許異議申立人に意見書を提出する機会を与える必要がないと認められる特別な事項があるとき」に該当し、特許異議申立人に対し、当該訂正についての意見を求めなかった。また、令和３年６月４日付けの訂正請求書は、特許法第１２０条の５第７項の規定により取り下げられたものとみなす。 第２ 本件訂正の適否についての判断 １ 本件訂正の内容 本件訂正は、以下の訂正事項１～１０からなる。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１の「（１１０）方向の結晶子サイズが６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であるポリテトラフルオロエチレンで内表面の少なくとも一部が形成され、被照射体を導入可能な内部空間を有する筐体を備える紫外線照射モジュール用セル」と記載されているのを、「（１１０）方向の結晶子サイズが６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であり、且つ平均結晶化度が０．５１以上０．６１以下であるポリテトラフルオロエチレンで内表面の少なくとも一部が形成され、被照射体を導入可能な内部空間を有する筐体を備える紫外線照射モジュール用セル」に訂正する（請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項３、４、５、８、１０も同様に訂正する）。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２は、削除する。 （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項３の「前記筐体の前記内表面の面積のうち、光源の中心位置から投影した場合の、相対立体角で３０％以上、９９％以下が、（１１０）方向の結晶子サイズが６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下という条件又は平均結晶化度が０．５１以上０．６１以下という条件のうちの少なくとも一方の条件を満たす前記ポリテトラフルオロエチレンで構成された請求項１又は請求項２に記載の紫外線照射モジュール用セル」と記載されているのを、「前記筐体の前記内表面の面積のうち、光源の中心位置から投影した場合の、相対立体角で３０％以上、９９％以下が、（１１０）方向の結晶子サイズが６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下という条件及び平均結晶化度が０．５１以上０．６１以下という条件を満たす前記ポリテトラフルオロエチレンで構成された請求項１に記載の紫外線照射モジュール用セル」に訂正する（請求項３の記載を直接的又は間接的に引用する請求項４、５、８、１０も同様に訂正する）。 （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項４の「前記筐体の前記内表面の面積のうち、前記内部空間の中心位置から投影した場合の、相対立体角で３０％以上、９９％以下が、（１１０）方向の結晶子サイズが６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下という条件又は平均結晶化度が０．５１以上０．６１以下という条件のうちの少なくとも一方の条件を満たす前記ポリテトラフルオロエチレンで構成された請求項１から請求項３の何れか一項に記載の紫外線照射モジュール用セル」と記載されているのを、「前記筐体の前記内表面の面積のうち、前記内部空間の中心位置から投影した場合の、相対立体角で３０％以上、９９％以下が、（１１０）方向の結晶子サイズが６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下という条件及び平均結晶化度が０．５１以上０．６１以下という条件を満たす前記ポリテトラフルオロエチレンで構成された請求項１又は請求項３に記載の紫外線照射モジュール用セル」に訂正する（請求項４の記載を直接的又は間接的に引用する請求項５、８、１０も同様に訂正する）。 （５）訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項５の「前記筐体の前記内表面の面積のうち、前記筐体の導入口 から導出口を結ぶ直線の中点から投影した場合の、相対立体角で３０％以上、９９％以下が、（１１０）方向の結晶子サイズが６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下という条件又は平均結晶化度が０．５１以上０．６１以下という条件のうちの少なくとも一方の条件を満たす前記ポリテトラフルオロエチレンで構成された請求項１から請求項４の何れか一項に記載の紫外線照射モジュール用セル」と記載されているのを、「前記筐体の前記内表面の面積のうち、前記筐体の導入口から導出口を結ぶ直線の中点から投影した場合の、相対立体角で３０％以上、９９％以下が、（１１０）方向の結晶子サイズが６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下という条件及び平均結晶化度が０．５１以上０．６１以下という条住を満たす前記ポリテトラフルオロエチレンで構成された請求項１、請求項３、請求項４の何れか一項に記載の紫外線照射モジュール用セル」に訂正する（請求項５の記載を直接的に引用する請求項８、１０も同様に 訂正する）。 （６）訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項６は削除する。 （７）訂正事項７ 特許請求の範囲の請求項７は削除する。 （８）訂正事項８ 特許請求の範囲の請求項８の「請求項１から請求項７の何れか一項に記載の紫外線照射モジュール用セルと、」と記載されているのを、「請求項１、請求項３から請求項５の何れか一項に記載の紫外線照射モジュール用セルと、」に訂正する（請求項８の記載を直接的に引用する請求項１０も同様に訂正する）。 （９）訂正事項９ 特許請求の範囲の請求項９は削除する。 （１０）訂正事項１０ 特許請求の範囲の請求項１０の「前記被照射体は、流動性を有しており、液体状または粉体である請求項８又は請求項９に記載の紫外線照射モジュール」と記載されているのを、「前記被照射体は、流動性を有しており、液体状または粉体である請求項８に記載の紫外線照射モジュール」に訂正する。 ２ 一群の請求項について 訂正前の請求項１～１０について、請求項２は請求項１を引用し、請求項３は請求項１又は２を引用し、請求項４は請求項１～３を引用し、請求項５は請求項１～４を引用し、請求項６は請求項１～５を引用し、請求項７は請求項１～６を引用し、請求項８は請求項１～７を引用し、請求項９は請求項８を引用し、請求項１０は請求項８又は９を引用しているものである。 よって、請求項１～１０は、本訂正事項によって記載が訂正される請求項１～１０に連動して訂正されるものである。したがって、訂正前の請求項１～１０に対応する訂正後の請求項１～１０は、特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 ３ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１）訂正事項１ ア 訂正の目的について 訂正前の請求項１に係る特許発明では、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）の平均結晶化度について特定されていなかった。 これに対して、訂正後の請求項１は、「（１１０）方向の結晶子サイズが６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であり、且つ平均結晶化度が０．５１以上０．６１以下であるポリテトラフルオロエチレン」との記載により、訂正後の請求項１に係る発明におけるポリテトラフルオロエチレンの平均結晶化度を具体的に特定し、限定するものである。 よって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるといえる。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 上記「ア 訂正の目的について」の記載から明らかなように、訂正事項１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものであるといえる。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること ［００１８］には、「筐体は、内部空間に被照射体を導入可能である。また、筐体の少なくとも一部は、平均結晶化度が０．５１以上０．６１以下であり、（１１０）方向の結晶子サイズが６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であるＰＴＦＥで形成されている。」と記載されている。 よって、訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項に適合するものであるといえる。 また、訂正事項１は、訂正前の誚求項１の記載を引用する訂正前の請求項３～５、８、１０の記載についても実質的に訂正するものであるが、当該請求項についても、同様に、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものであるといえる。 （２）訂正事項２ ア 訂正の目的について 訂正事項２は、請求項２を削除するというものであるから、当該訂正事項は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるといえる。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項２は、請求項２を削除するというものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものであるといえる。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項２は、請求項２を削除するというものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特 許法第１２６条第５項に適合するものであるといえる。 （３）訂正事項３ ア 訂正の目的について 訂正前の請求項３に係る特許発明では、筐体を形成するポリテトラフルオロエチレンについて「結晶子サイズが６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下という条件又は平均結晶化度が０．５１以上０．６１以下という条件のうちの少なくとも一方の条件を満たす」ことを特定していたが、結晶子サイズに係る条件及び平均結晶化度に係る条件を同時に充足する構成について特定されていなかった。これに対して、訂正後の請求項３に係る発明では、「（１１０）方向の結晶子サイズが６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下という条件及び平均結晶化度が０．５１以上０．６１以下という条件を満たす」ことを特定した。すなわち、結晶子サイズに係る条件及び平均結晶化度に係る条件を同時に充足することを特定した。よって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるといえる。 また、訂正事項３では、請求項２の削除に伴い引用対象が変わることに伴って「請求項１又は請求項２に記載の」を「請求項１に記載の」としている。当該訂正事項は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるといえる。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 上記「ア 訂正の目的について」の記載から明らかなように、訂正事項３は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものであるといえる。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項３は、明細書の段落［００３９］及び明細書の段落［００４１］［００４６］～［００４９］に基づくものである。 明細書の段落［００３９］には、「筐体２０の少なくとも一部は、平均結晶化度が０．５１以上０．６１以下であり、（１１０）方向の結晶子サイズが６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であるＰＴＦＥで形成されている。」と記載されている。また、明細書の段落［００４１］［００４６］～［００４９］には、実施例１～５におけるポリテトラフルオロエチレンの結晶子サイズ及び平均結晶化度の値が記載されている。具体的には、明細書の段落［００４１］には実施例１について「平均結晶化度：０．５４、（１１０）方向の結晶子サイズ：１１０ｎｍ」が記載され、明細書段落［００４６］には実施例２について「平均結晶化度：０．６１、（１１０）方向の結晶子サイズ：１１０ｎｍ」が記載され、明細書段落［００４７］には実施例３について「平均結晶化度：０．６１、（１１０）方向の結晶子サイズ：２５０ｎｍ」が記載され、明細書段落［００４８］には実施例４について「平均結晶化度：０．５４、（１１０）方向の結晶子サイズ：６０ｎｍ」が記載され、明細書段落［００４９］には実施例５について「平均結晶化度：０．５１、（１１０）方向の結晶子サイズ：２５０ｎｍ」が記載されている。 すなわち、実施例１～５による紫外線照射モジュール１の筐体２０を形成するＰＴＦＥは、「（１１０）方向の結晶子サイズが６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下という条件」及び「平均結晶化度が０．５１以上０．６１以下という条件」を満たしている。 よって、訂正事項３は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項に適合するものであるといえる。 また、訂正事項３は、訂正前の誚求項３の記載を引用する訂正前の請求項４、５、８、１０の記載についても実質的に訂正するものであるが、当該請求項についても、同様に、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものであるといえる。 （４）訂正事項４ ア 訂正の目的について 訂正前の請求項４に係る特許発明では、結晶子サイズに係る条件及び平均結晶化度に係る条件を同時に充足する構成について特定されていなかった。これに対して、訂正後の請求項４に係る発明では、「（１１０）方向の結晶子サイズが６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下という条件及び平均結晶化度が０．５１以上０．６１以下という条件を満たす」ことを特定した。すなわち、結晶子サイズに係る条件及び平均結晶化度に係る条件を同時に充足することを特定した。よって、訂正事項４は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるといえる。 また、訂正事項４では、請求項２の削除に伴い引用対象が変わることに伴って「請求項１から請求項３の何れか一項に記載の」を「請求項１又は請求項３に記載の」としている。当該訂正事項は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるといえる。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 上記「ア 訂正の目的について」の記載から明らかなように、訂正事項４は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものであるといえる。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項４は、上記訂正事項３と同様に、明細書の段落［００３９］及び明細書段落［００４１］［００４６］～［００４９］に基づくものである。 よって、訂正事項４は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項に適合するものであるといえる。 また、訂正事項４は、訂正前の誚求項４の記載を引用する訂正前の請求項５、８、１０の記載についても実質的に訂正するものであるが、当該請求項についても、同様に、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものであるといえる。 （５）訂正事項５ ア 訂正の目的について 訂正前の請求項５に係る特許発明では、結晶子サイズに係る条件及び平均結晶化度に係る条件を同時に充足する構成について特定されていなかった。これに対して、訂正後の請求項５に係る発明では、「（１１０）方向の結晶子サイズが６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下という条件及び平均結晶化度が０．５１以上０．６１以下という条件を満たす」ことを特定した。すなわち、結晶子サイズに係る条件及び平均結晶化度に係る条件を同時に充足することを特定した。よって、訂正事項５は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるといえる。 また、訂正事項５では、請求項２削除に伴い引用対象が変わることに伴って「請求項１から請求項４の何れか一項に記載の」を「請求項１、請求項３、請求項４の何れか一項に記載の」としている。当該訂正事項は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるといえる。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 上記「ア 訂正の目的について」の記載から明らかなように、訂正事項５は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものであるといえる。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項５は、上記訂正事項３と同様に、明細書の段落［００３９］及び明細書の段落［００４１］［００４６］～［００４９］に基づくものである。 よって、訂正事項５は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項に適合するものであるといえる。 また、訂正事項５は、訂正前の誚求項５の記載を引用する訂正前の請求項８、１０の記載についても実質的に訂正するものであるが、当該請求項についても、同様に、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものであるといえる。 （６）訂正事項６ ア 訂正の目的について 訂正事項６は、請求項６を削除するというものであるから、当該訂正事項は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるといえる。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項６は、請求項６を削除するというものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものであるといえる。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項６は、請求項６を削除するというものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものであるといえる。 （７）訂正事項７ ア 訂正の目的について 訂正事項７は、請求項７を削除するというものであるから、当該訂正事項は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるといえる。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項７は、請求項７を削除するというものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものであるといえる。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項７は、請求項７を削除するというものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものであるといえる。 （８）訂正事項８ ア 訂正の目的について 訂正事項８は、請求項２、６及び７の削除に伴い引用対象が請求項１、３～５に変わることに伴って行ったものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるといえる。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項８は、上記アの記載から明らかなように、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものであるといえる。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項８は、上記アの記載から明らかなように、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものであるといえる。 また、訂正事項８は、訂正前の誚求項８の記載を引用する訂正前の請求項１０の記載についても実質的に訂正するものであるが、当該請求項についても、同様に、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものであるといえる。 （９）訂正事項９ ア 訂正の目的について 訂正事項９は、請求項９を削除するというものであるから、当該訂正事項は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるといえる。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項９は、請求項９を削除するというものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものであるといえる。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項９は、請求項９を削除するというものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものであるといえる。 （１０）訂正事項１０ ア 訂正の目的について 訂正事項１０は、請求項９の削除に伴い引用対象が請求項８に変わることに伴って行ったものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるといえる。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項１０は、上記アの記載から明らかなように、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものであるといえる。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項１０は、上記アの記載から明らかなように、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものであるといえる。 （１１）小括 以上のとおりであるから、本件訂正は特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、特許第６７２７３４８号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－１０〕について訂正することを認める。 第３ 本件特許発明 上記第２で述べたとおり、本件訂正後の請求項〔１－１０〕について訂正することを認めるので、本件特許の請求項１～１０に係る発明は、令和３年６月４日付けの訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲の請求項１、３～５、８及び１０に記載された事項により特定される次のとおりのもの（以下「本件特許発明１」～「本件特許発明１０」、まとめて「本件特許発明」ともいう。）である。 「【請求項１】 （１１０）方向の結晶子サイズが６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であり、且つ平均結晶化度が０．５１以上０．６１以下であるポリテトラフルオロエチレンで内表面の少なくとも一部が形成され、被照射体を導入可能な内部空間を有する筐体を備える 紫外線照射モジュール用セル。 【請求項２】（削除） 【請求項３】 前記筐体の前記内表面の面積のうち、光源の中心位置から投影した場合の、相対立体角で３０％以上、９９％以下が、（１１０）方向の結晶子サイズが６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下という条件及び平均結晶化度が０．５１以上０．６１以下という条件を満たす前記ポリテトラフルオロエチレンで構成された 請求項１に記載の紫外線照射モジュール用セル。 【請求項４】 前記筐体の前記内表面の面積のうち、前記内部空間の中心位置から投影した場合の、相対立体角で３０％以上、９９％以下が、（１１０）方向の結晶子サイズが６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下という条件及び平均結晶化度が０．５１以上０．６１以下という条件を満たす前記ポリテトラフルオロエチレンで構成された 請求項１又は請求項３に記載の紫外線照射モジュール用セル。 【請求項５】 前記筐体の前記内表面の面積のうち、前記筐体の導入口から導出口を結ぶ直線の中点から投影した場合の、相対立体角で３０％以上、９９％以下が、（１１０）方向の結晶子サイズが６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下という条件及び平均結晶化度が０．５１以上０．６１以下という条件を満たす前記ポリテトラフルオロエチレンで構成された 請求項１、請求項３、請求項４の何れか一項に記載の紫外線照射モジュール用セル。 【請求項６】（削除） 【請求項７】（削除） 【請求項８】 請求項１、請求項３から請求項５の何れか一項に記載の紫外線照射モジュール用セルと、 前記筐体の前記内部空間に紫外線を照射可能な紫外線照射装置と、 を備える紫外線照射モジュール。 【請求項９】（削除） 【請求項１０】 前記被照射体は、流動性を有しており、液体状または粉体である 請求項８に記載の紫外線照射モジュール。」 第４ 取消理由通知に記載した取消理由について １ 本件訂正前の請求項１～１０に係る特許に対して、当審が令和３年３月３１日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。 （１）理由１（実施可能要件）本件特許の請求項１～１０に係る特許は、発明の詳細な説明の記載が下記の点で特許法第３６条第４項第１号に適合するものではないから、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、同法第１１３条第４号に該当し、取り消すべきものである。 記 ア 特許法第３６条第４項第１号について 特許法第３６条第４項第１号は、発明の詳細な説明のいわゆる実施可能要件を規定したものであって、物の発明では、その物を作り、かつ、その物を使用する具体的な記載が発明の詳細な説明にあるか、そのような記載が無い場合には、明細書及び図面の記載及び出願時の技術常識に基づき、当業者が過度の試行錯誤や複雑高度な実験等を行う必要なく、その物を作り、その物を使用することができる程度にその発明が記載されていなければならないと解される。 イ 判断 本件特許の発明の詳細な説明によれば、結晶子サイズのわずかな数値の差に基づいて、実施例と比較例が区別されている。例えば、平均結晶化度が０．５４である実施例４と比較例１を参照すると、実施例４の結晶子サイズは６０ｎｍであり、比較例１の結晶子サイズは５５ｎｍであり、実施例４と比較例１の結晶子サイズの差は５ｎｍであり、その差は１０％以下である。また、平均結晶化度が０．５１である実施例５と比較例２を参照すると、実施例５の結晶子サイズは２５０ｎｍであり、比較例２の結晶子サイズは２６０ｎｍであり、実施例５と比較例２の結晶子サイズの差は１０ｎｍであり、その差は４％以下である。 したがって、本件特許発明を実施するためには、ＰＴＦＥの結晶子サイズを少なくとも１０％以下または４％以下の精度で特定する必要があると解される。 この点について、本件特許明細書の段落００２７によれば、結晶子サイズ（Ｄ）は、Ｘ線小角・広角散乱（ＳＡＸＳ＆ＷＡＸＳ（ＸＲＤ））の測定結果から下記式（２）に基づいて算出されると記載されており、 ［図：0001384050000001.jpg］ Ｋ：シェラー定数（結晶子の形状等に依存する定数） β：ピークの半価幅（半価全幅：ＦＷＨＭ）（ｒａｄ） ｂ：入射ビームの広がりの半価幅（半価全幅：ＦＷＨＭ）（ｒａｄ） λ：Ｘ線波長０．１５４ｎｍ 上記式（２）には「Ｋ：シェラー定数」が示されているが、シェラー定数の具体的な数値は発明の詳細な説明に記載されておらず、シェラー定数の具体的な数値が分からなければ、結晶子サイズを特定することは不可能であることは明らかである。 ここで、甲第１号証（井田隆、「シェラーの式 Scherrer's equation の使われ方にみられる混乱について」、２００７年１１月２０日公開、２００７年１１月２１日改訂、「http://www.crl.nitech.ac.jp/~ida/research/memo/ConfusedScherrer.pdf」）によると、ピークを「半値全幅」で評価する場合、結晶子の形状等に応じて、シェラー定数が以下の数値になりうることが記載されている。 （ｉ） 球形結晶粒の体積加重平均直径とする場合 Ｋ＝０.８４８８２ （ｉｉ） 球形結晶粒の面積加重平均直径とする場合 Ｋ＝０．４７７４６ （ｉｉｉ） 体積加重平均厚さとする場合 Ｋ＝０．６３６６１ （ｉｖ） 面積加重平均厚さとする場合 Ｋ＝０．３１８３０ （ｖ） Scherrerの定数を用いる場合 Ｋ＝０．９４ （ｖｉ） Braggの定数を用いる場合 Ｋ＝０．８９ （ｖｉｉ） 球形結晶粒の回折線幅の厳密解 Ｋ＝１．１０６６５ すなわち、甲第１号証によると、Ｋの最小値は０．３１８３０であり、Ｋの最大値は１．１０６６５であり、最小値と最大値の差は約３．５倍であるから、シェラー定数の具体的な数値を開示しない発明の詳細な説明の記載に基づいた場合、本件特許発明に係る「結晶子サイズ」の数値を相対的に評価できたとしても、採用する定数Ｋの値によって計算値には大きな差異が生じ、その絶対値を１０％以下または４％以下の精度で特定することは不可能であるといえる。 また、ＰＴＦＥは、直鎖状のポリマーであり、長い紐が折りたたまれることで微結晶（結晶子）を形成するが、このときに結晶子がどのような形状となるかは分からず、球状、楕円球状、シート状などになることが考えられる。発明の詳細な説明には、結晶子がどのような形状であるか記載されていないため、結晶子の形状に基づいてシェラー定数を推定することもできない。 以上より、本件特許の発明の詳細な説明には、本件特許発明に係る「結晶子サイズ」の数値を具体的に特定するための方法が記載されていない。 したがって、本件特許の発明の詳細な説明は、当業者が本件特許発明を実施できる程度に明確かつ十分に記載したものではない。 （２）理由２（サポート要件）本件特許の請求項１～１０に係る特許は、特許請求の範囲の記載が下記の点で特許法第３６条第６項第１号に適合するものではないから、本件特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない出願に対してなされたものであり、同法第１１３条第４号に該当し、取り消すべきものである。 記 ア 検討手法 特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件（いわゆるサポート要件）に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らして当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものである。 以下、上記観点に沿って検討する。 イ 本件発明が解決しようとする課題 本件発明が解決しようとする課題は、本件特許の明細書の発明の詳細な説明の【０００７】及び【００２１】の記載からみて、「拡散反射性物質であるＰＴＦＥで実質的な多重反射を利用し、被照射体の殺菌効率を向上させることができる紫外線照射モジュール用セル及び紫外線照射モジュールを提供すること」であると認められる。 ウ 検討・判断 （ア）結晶子サイズおよび平均結晶化度の数値範囲 本件特許の発明の詳細な説明によれば、筐体の内表面に設けられた拡散反射性物質であるＰＴＦＥで、光源からの紫外光放射の実質的な多重反射を利用することで、殺菌効率を向上させるには、以下の二つの条件ａ，ｂの両者を同時に充足する必要があるといえる（発明の詳細な説明には、条件ａ又は条件ｂのいずれか一方のみで、殺菌効率が向上するメカニズムについては記載されていないし、そのようなことは実施例においても確認されているとはいえない。） ａ）（１１０）方向の結晶子サイズが６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下である ｂ）平均結晶化度が０．５１以上０．６１以下である これに対し、本件特許発明１は「（１１０）方向の結晶子サイズが６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下である」と特定しており、条件ａのみを特定し、条件ｂを特定していない。 ここで、本件特許発明１は、殺菌効率に劣る比較例３，４を含むため、拡散反射性物質であるＰＴＦＥで実質的な多重反射を利用しておらず、殺菌効率を向上できないもの、つまり、本件特許発明に係る課題を解決できないものを含む。 そして、発明の詳細な説明に、条件ａのみを満たすことで、拡散反射性物質であるＰＴＦＥで実質的な多重反射を利用して、殺菌効率を向上させることを示す作用機序は記載されておらず、また、そのことが出願時の技術常識でもない。 したがって、本件特許発明１は、発明の詳細に記載したものではない。 また、本件特許発明１を直接又は間接的に引用する本件特許発明２～１０も発明の詳細な説明に記載したものではない 本件特許発明３～５は「（１１０）方向の結晶子サイズが６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下という条件又は平均結晶化度が０．５１以上０．６１以下という条件のうちの少なくとも一方の条件を満たす」と特定しており、条件ａまたはｂとしている。 ここで、本件特許発明３～５は、全ての比較例１～４を含むことから、拡散反射性物質であるＰＴＦＥで実質的な多重反射を利用しておらず、殺菌効率を向上できないものを含む。つまり、本件特許発明に係る課題を解決できないものを含む。 そして、発明の詳細な説明に、条件ａまたはｂを満たすことで、拡散反射性物質であるＰＴＦＥで実質的な多重反射を利用して、殺菌効率を向上させることを示す作用機序は記載されておらず、また、そのことが出願時の技術常識でもない。 したがって、本件特許発明３～５は、発明の詳細な説明に記載したものではない。 また、本件特許発明３～５を直接又は間接的に引用する本件特許発明６～１０も発明の詳細な説明に記載したものではない （イ）ＰＴＦＥの紫外線反射率 本件特許発明２は「前記筐体の前記内表面の前記少なくとも一部は、波長が２６５ｎｍの紫外線に対して９４％以上の反射率を有する」と特定している。請求項２が引用する請求項１には「（１１０） 方向の結晶子サイズが６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であるポリテトラフルオロエチレンで内表面の少なくとも一部が形成され」と特定していることから、本件特許発明２は「ＰＴＦＥの紫外線反射率が９４％以上である」ことを特定している。 本件明細書の段落００１５によれば、ＰＴＦＥの紫外線反射率が高いことで、殺菌効率を向上させることが可能とされており、紫外線反射率について以下の記載がある。 「【００３２】 また、筐体の内表面の少なくとも一部は、波長２６５ｎｍの紫外線に対して９４％以上の反射率を有していてもよい。これにより、筐体の内部空間の紫外線量（密度）を高めることができ、被照射体の殺菌効率を向上させることが可能となる。 【００３３】 （反射率の測定方法） 筐体の内部空間における紫外線の反射率は、可視・紫外分光法（ＵＶ－Ｖｉｓ）により測定することができる。本実施形態では、例えば島津製作所社製のＵＶ－２４５０を用いて可視・紫外分光法により反射率を測定した。試験片はφ５０×２ｍｍ厚みとした。」 しかしながら、本件特許の発明の詳細な説明には、実施例１～５および比較例１～４に示される ＰＴＦＥについて、紫外線反射率の具体的な数値について何ら示されていない。段落００３２では、筐体の内表面の少なくとも一部の紫外線反射率が９４％以上であってもよい旨を記載するのみであり、本件特許発明にて特定されるＰＴＦＥがそのような紫外線反射率を実際に有するかは不明である。また、本件特許発明では、結晶子サイズおよび平均結晶化度が所定の数値範囲となるＰＴＦＥを特定しており、そのようなＰＴＦＥがどのような紫外線反射率を有するかは周知とも言えない。 したがって、本件特許発明２は、発明の詳細な説明に記載したものではない。 また、本件特許発明２を直接又は間接的に引用する本件特許発明３～１０も発明の詳細な説明に記載したものではない。 （ウ）ＰＴＦＥの密度 本件特許発明７は「前記ポリテトラフルオロエチレンの密度は、２１６０ｋｇ／ｍ3以上２１８０ｋｇ／ｍ3以下である」と特定し、本件明細書には、ＰＴＦＥの密度について以下の記載がある。 「【００３０】 また、ＰＴＦＥの密度は、２１６０ｋｇ／ｍ３以上２１８０ｋｇ／ｍ３以下であってもよい。 【００３１】 （密度の測定方法） 筐体に用いられるＰＴＦＥの密度は、ＪＩＳ Ｋ ７１１２準拠 Ａ法（水中置換）により測定することができ、試験片は１８×１８×２ｍｍ厚みとした。」 しかしながら、本件特許の発明の詳細な説明には、実施例１～５および比較例１～４に示されるＰＴＦＥの密度の具体的な数値について何ら示されていない。段落００３０では、本件特許発明７にて特定される密度の数値をそのまま記載するのみであり、本件特許発明にて特定されるＰＴＦＥがそのような密度を実際に有するかは不明である。また、本件特許発明では、結晶子サイズおよび平均結晶化度が所定の数値範囲となるＰＴＦＥを特定しており、そのようなＰＴＦＥがどのような密度を有するかは周知とも言えない。 したがって、本件特許発明７は、発明の詳細な説明に記載したものではない。 また、本件特許発明７を直接又は間接的に引用する本件特許発明８～１０も発明の詳細な説明に記載したものではない （エ）ＬＥＤ光源 本件特許発明９は「前記紫外線照射装置の光源はＬＥＤであり、前記ＬＥＤの発光波長が１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下である」ことを特定し、明細書の段落００３４にはＬＥＤについて以下の記載がある。 「【００３４】 ＜紫外線照射装置＞ 本発明の一実施形態における紫外線照射モジュールの紫外線照射装置は、筐体の内部空間に紫外線を照射可能であれば特に限定されない。紫外線照射装置としては、紫外線ランプや紫外線ＬＥＤなど、紫外線を照射可能な装置又は素子を用いることが可能である。紫外線の波長は１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下であれば特に制限されないが、バクテリア等の殺菌効率の観点から、ピーク波長が２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下であってもよい。ピーク波長が２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の紫外線照射装置としては、発光層に窒化物半導体層（例えば、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮ等）を用いたものが好ましい。また、紫外線照射装置は発熱するため、必要に応じて放熱機構を設ける必要がある。放熱機構には、空冷式又は水冷式を用いたもの等が挙げられるがこれに制限されない。放熱機構として、例えば熱伝導の高いアルミニウム板を用いた放熱フィンや空冷ファンを用いることが可能である。」 上記より、発明の詳細な説明には、紫外線光源となるＬＥＤとして「ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮ等の窒化物半導体層」を用いるものが記載され、発光層にＡｌＮを用いた場合、ＡｌＮのバンドギャップが６．２ｅＶであることから、２０５ｎｍの発光波長を得ることができると認められる。 しかしながら、発明の詳細な説明には、発光波長が１０ｎｍ以上２００ｎｍ未満となるＬＥＤの具体例について何ら記載されておらず、例示される窒化物半導体を用いたＬＥＤでは、２００ｎｍ未満の発光波長を得ることができるか不明であって、本件特許の出願時において、発光波長が２００ｎｍ末満のＬＥＤが周知であるとも言えない。 したがって、本件特許発明９は、発明の詳細な説明に記載したものではない。 また、本件特許発明９を引用する本件特許発明１０も発明の詳細な説明に記載したものではない。 ２ 本件訂正前の請求項１～１０に係る特許に対して、当審が令和３年１１月１７日付けで特許権者に通知した取消理由（決定の予告）の要旨は、上記１（２）と同じである。 第５ 前記第４における実施可能要件についての判断 本件明細書の段落［００２７］に記載のように、本件特許発明のＰＴＦＥの結晶子サイズ（Ｄ）はＸ線小角・広角散乱（ＳＡＸＳ＆ＷＡＸＳ（ＸＲＤ））の測定結果を基に、以下の式（２）に基づいて算出している。 【式（２）】 ［図：0001384050000002.jpg］ Ｋ：シェラー定数（結晶子の形状等に依存する定数） β：ピークの半価幅（半価全幅：ＦＷＨＭ）（ｒａｄ） ｂ：入射ビームの広がりの半価幅（半価全幅：ＦＷＨＭ）（ｒａｄ） λ：Ｘ線波長０．１５４ｎｍ 上述の定義のとおり、シェラー定数（Ｋ）は、結晶子の形状等に依存する定数である。 ＰＴＦＥの結晶子の形状は、球形状ではなく板状（ラメラ）であることが知られている（乙第1号証の1：「Ｆｒｉｃｔｉｏｎ ａｎｄ ｗｅａｒ ｏｆ ＰＴＦＥ － ａ ｒｅｖｉｅｗ」，『Ｗｅａｒ, １５８ （１９９２）』,Ｓ. Ｋ. Ｂｉｓｗａｓ, Ｋａｌｙａｎｉ Ｖｉｊａｙａｎ, ｐ．１９３,ｐ．１９６、乙第１号証の２:「高分子単結晶の歴史－分子鎖折りたたみ構造発見の旅－」，奥居徳昌，『ＳＥＮ‘Ｉ ＧＡＫＫＡＩＳＨＩ（繊維と工業）』，Ｖｏｌ．６３，Ｎｏ．１２（２００７），ｐ．３９０, p.３９３）。つまり、本件特許発明における結晶子サイズの測定対象は、結晶粒子ではなく、積層薄膜のような２次元構造である。このため、上記式（２）の算出時において、上記「（ｉ）球形結晶粒の体積加重平均直径とする場合」、「（ｉｉ）球形結晶 粒の面積加重平均直径とする場合」、「（ｉｉｉ）体積加重平均厚さとする場合」、及び「（ｖｉｉ）球形結晶粒の回折線幅の厳密解の場合」のシェラー定数を用いないことは、当業者であれば容易に想到できる。 また、乙第２号証（「結晶構造解析特論」，「第６章 微小な結晶からの回折」，井田隆，名古屋工業大学大学院，２０２０年５月２８日更新，（http://takashiida.floppy.jp/public/education/CrystalStructureAnalysis/6/6.pdf),p.15,２０２１年５月２６日印刷）の記載によれば、「体積あたりの表面積」で性能を決めるような場合において、シェラー定数として「面積加重平均」に関する値が用いられる。本件特許発明では、結晶子サイズの測定に用いるＸ線の回折に基づいて、殺菌に用いる紫外線の反射率（殺荷効果）を見積もっていることから、本件特許発明における結晶子サイズの算出において、上記「（ｉｉ）球形結晶粒の面積荷重平均直径とする場合」、上記「（ｉｖ）面積加重平均厚さとする場合」のシェラー定数を用いないことは、当業者であれば容易に想到できる。 このように、本件特許発明において、上記（ｉ）～（ｉｖ）、および上記（ｖｉｉ）のシェラー定数を用いないことは当業者であれば容易に想到できる。 すなわち、上記（ｉ）～（ｖｉｉ）において本件特許発明に適用可能なシェラー定数は、（ｖ）Ｓｃｈｅｒｒｅｒの定数を用いる場合のシェラー定数（Ｋ＝０．９４）と、（ｖｉ）Ｂｒａｇｇの定数を用いる場合のシェラー定数（Ｋ＝０．８９）とに限定される。 したがって、本件明細書の発明の詳細な説明には、結晶子がどのような形状であるかが明示されていないものの、結晶子の形状に基づいてシェラー定数を推定することは、当業者であれば容易に行うことができる。 また、本件特許発明に適用し得るシェラー定数（Ｋ）の最小値（０．８９）と最大値（０．９４）との差は ０．０５にすぎない。さらに上記（ｖｉ）のシェラー定数（Ｋ＝０．８９）における上記差の値「０．０５」の割合は約６％にすぎず、上記（ｖ）のシェラー定数（Ｋ＝０．９４）における上記差の値「０．０５」の割合は約５％にすぎない。 したがって、採用する定数Ｋの値（Ｋ＝０．８９又はＫ＝０．９４）によって計算値に大きな差異が生じることはなく、本件特許発明に係る「結晶子サイズ」の数値を相対的に評価することができる。 ここで、令和３年６月４日提出の特許権者の意見書の「（４－２－２）本件特許発明で用いたシェラー定数について」において、「本件特許発明では、シェラー定数（Ｋ）として「０．９」を用いた。つまり、本件の特許請求の範囲および本件明細書における「（１１０）方向の結晶子サイズ」は、シェラー定数（Ｋ＝０．９を用いて、上記式（２）により算出した値である。」と記載されている。 この「Ｋ＝０．９」という値は、上記（ｖｉ）のシェラー定数（Ｋ＝０．８９）と、上記（ｖ）のシェラー定数（Ｋ＝０．９４）との間に位置する値であって、上記（ｖ）,（ｖｉ）のシェラー定数における小数点第二位を四捨五入して得られる値である。 ここで、本件特許発明で用いたシェラー定数（Ｋ＝０．９）について、例えば乙第３号証（「粉末Ｘ線解析の実際（第２版）」，中井泉・泉富士夫 編著，２００９年０７月１０日，表紙，奥付，ｐ．８２には、「Ｋの値はＫ＝０．８９，０．９，０．９４という値が、いずれも同じくらいの頻度で用いられている」という記載がある。 また、乙第４号証（「ポリパラフェニレンテレフタルアミドの結晶化度，微結晶サイズが水分収着特性に及ぼす影響」，福田光完，鳥居隆司，『繊維機械学会誌』，（論文集）Ｖｏｌ．５１，Ｎｏ．１（１９９８），ｐ．８９（Ｔ１），ｐ．９１（Ｔ３），ｐ．９２（Ｔ４）)、乙第５号証（「黒鉛-銅-樹脂複合材の熱処理に伴う銅結晶子サイズと機械的特性の相関」，平田宙史，山田能生，大上三千男，河村洋明，『福井大学工学部研究報告』，第５４巻第１号，２００６年３月３１日，表紙，ｐ．２７，ｐ．２８）及び乙第６号証等（「回折Ｘ線幅を用いた結晶子サイズの異なる二酸化チタン粉体混合物の評価」，宮内宏哉，北垣寛，中村知彦，中西貞博，河合潤，『Ｘ線分析の進歩』，第４１集，２０１０，（Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｘ－Ｒａｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ， Ｊａｐａｎ， ４１ （２０１０）），表紙，ｐ．７５，ｐ．７７）においても、シェラー定数として「Ｋ＝０．９」を用いることが記載されている。 以上のことから、当業者の経験的な値として、シェラー定数として「Ｋ＝０．９」を用いることは、上記（ｖ）のシェラー定数（Ｋ＝０．９４）、上記（ｖｉ）のシェラー定数（Ｋ＝０．８９）を用いる場合と同様に、一般的なものであるといえる。 また、本件特許発明をより厳格に考えるなら、当業者が容易に理解できるシェラー定数の全ての値、すなわち上記３種類のシェラー定数のいずれを用いても、上記式（２）によって算出される結晶子サイズが、請求項１に係る特許発明において規定した「６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下」の範囲内となると解すればよい。 確かに、上記３種類のシェラー定数のうち「Ｋ＝０．９」を用いることは本件特許の発明の詳細な説明において明示されてはいなかったが、それは特許発明を取り消す理由となる程に重要ではないといえる。 ここで、本件特許発明に用いたシェラー定数（Ｋ＝０．９）と同様の頻度で用いられる上記（ｖ），（ｖｉ）のシェラー定数を適用して算出した結晶子サイズについて検証する。 まず、上記（ｖ）のシェラー定数（Ｋ＝０．９４）を適用した場合における、結晶子サイズの下限値を以下のとおり算出する。 本件の特許請求の範囲に記載のように、本件特許発明における結晶子サイズは「６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下」である。つまり、本件特許発明における「（１１０）方向の結晶子サイズ」の下限値は「６０ｎｍ」である。 まず、以下の式（２－１）を用いて、上記式（２）で算出した結晶子サイズから形状因子（結晶子サイズの形状に依存するシェラー定数（Ｋ）)を除去する。 【式（２－１）】 ［図：0001384050000003.jpg］ 本件特許発明では上記のとおりシェラー定数（Ｋ）として「０．９」を用いていることから、「Ｄ＝６０」、「Ｋ＝０．９」として上記式（２－１）で求められる算出値（Ｄ１）は「６６．６７」となる。 上記式（２－１）で求められる算出値（Ｄ１＝６６．６７）に対し、上記（ｖ）のシェラー定数（Ｋ＝０．９４）を係数として結晶子サイズの算出を行うと、（１１０）方向の結晶子サイズ（Ｄ）は「６２．７」となる（Ｄ＝０．９４×６６．６７＝６２．７）。 つまり、上記（ｖ）のシェラー定数（Ｋ＝０．９４）を用いて結晶子サイズ（Ｄ）を算出した場合、下限値は「６２．７」となる。 次に、上記 （ｖｉ）のシェラー定数（Ｋ＝０．８９）を適用した場合における、結晶子サイズの上限値を以下のとお り導出する。 上述のように、本件特許発明における「（１１０）方向の結晶子サイズ」の上限値は「２５０ｎｍ」である。 「Ｄ＝２５０」、「Ｋ＝０．９」とした場合、上記式（２－１）で求められる算出値（Ｄ１）は「２７７．７８」となる。 上記式（２－１）で求められる算出値（Ｄ１＝２７７．７８）に対し、上記（ｖｉ）のシェラー定数（Ｋ＝０．８９）を係数として結晶子サイズの算出を行うと、結晶子サイズ（Ｄ）は「２４７．２」となる（Ｄ＝０．８９×２７７．７８）。 つまり、上記（ｖｉ）のシェラー定数（Ｋ＝０．８９）を用いて結晶子サイズ（Ｄ）を算出した場合、上限値は「２４７．２」となる。 このように、上記 （ｖ），（ｖｉ）のシェラー定数を適用して算出した結晶子サイズは、「６２．７ｎｍ以上２４７．２ｎｍ以下」となる。すなわち、上記（ｖ），（ｖｉ）のシェラー定数を適用して結晶子サイズ（Ｄ）を算出した場合であっても、本件特許発明における「（１１０）方向の結晶子サイズ」である「６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下」の範囲内となる。 また、上記（ｖ），（ｖｉ）のシェラー定数を適用して算出した結晶子サイズの下限値である「６２．７ｎｍ」と、本件特許発明における結晶子サイズの下限値「６０ｎｍ」との差は約４％である。また、上記（ｖ），（ｖｉ）のシェラー定数を適用して算出した結晶子サイズの上限値である「２４７．２ｎｍ」と、本件特許発明における結晶子サイズの上限値「２５０ｎｍ」との差は約１％である。 したがって、採用するシェラー定数Ｋの値（Ｋ＝０．８９、Ｋ＝０．９、Ｋ＝０．９４）によって計算値に大きな差異が生じることはない。 このように、当業者であれば、本件特許の発明の詳細な説明に基づいて、本件特許発明に係る「結晶子サイズ」の数値を大きな差異なく特定することは可能である。 上述のように、上記（ｖ），（ｖｉ）のシェラー定数を適用して算出した結晶子サイズ範囲（６２．７ｎｍ以上２４７．２ｎｍ以下」）と、本件特許発明における結晶子サイズの範囲（「６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下」）とは上述のようにわずかな差があるものの、ほぼ同等である。 また、上記（ｖ），（ｖｉ）のシェラー定数（０．９４，０．８９）によって算出した結晶子サイズの範囲（「６２．７ｎｍ以上２４７．２ｎｍ以下」）に含まれる値は、シェラー定数「Ｋ＝０．９」によって算出した本件特許発明における結晶子サイズの範囲（「６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下」）に含まれる。 つまり、本件特許発明は、上記の３種類のシェラー定数（０．８９，０．９，０．９４）のいずれによって結晶子サイズを算出した場合も、算出された値が「６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下」の範囲内であるということを限定している発明と解すればよいのであって、これによって当業者が予期せぬ不利益を受けることはない。つまり、上記の３種類のシェラー定数のいずれによって結晶子サイズを算出した場合も、算出された値が「６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下」の範囲内であれば、本件特許発明に係る課題を解決できないもの、つまり比較例に相当するものを含まない結晶子サイズを特定することができる。 したがって、本願請求項１、３～５、８～１０に係る発明は、当業者が、本件明細書及び図面に記載された説明と、出願時の技術常識とに基づいて実施することができる程度に発明の詳細な説明に記載されており、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしているものと考える。 第６ 前記第４におけるサポート要件についての判断 （１）結晶子サイズおよび平均結晶化度の数値範囲 本件特許発明１は「（１１０）方向の結晶子サイズが６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であり、且つ平均結晶化度が０．５１以上０．６１以下であるポリテトラフルオロエチレンで内表面の少なくとも一部が形成され」という構成を有している。 また、本件特許発明３～５に係る発明は、本件特許発明１を引用している。 つまり、本件特許発明１および本件特許発明３～５に係る発明は、ポリテトラフルオロエチレンが、以下の二つの条件ａ，ｂの両者を同時に充足する構成となっている。 ａ）（１１０）方向の結晶子サイズが６０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下である ｂ）平均結晶化度が０．５１以上０．６１以下である これにより、本件特許発明１及び本件特許発明３～５は、本件明細書に記載された比較例１～４は含まないものであり、「拡散反射性物質であるＰＴＦＥで実質的な多重反射を利用しておらず、殺菌効率を向上できないもの、つまり、本件特許発明に係る課題を解決できないもの」を含まないものとなった。 したがって、本件特許発明１及び本件特許発明３～５は、発明の詳細に記載したものではないとはいえない。 また、本件特許発明１及び本件特許発明３～５を直接的又は間接的に引用する本件特許発明８、１０も発明の詳細な説明に記載したものではないとはいえない。 （２）ＰＴＦＥの紫外線反射率 本件訂正により請求項２は削除されたので、上記第４ １（２）ウ（イ）及び第４ ２の取消理由は解消した。 （３）ＰＴＦＥの密度 本件訂正により請求項７は削除されたので、上記第４ １（２）ウ（ウ）及び第４ ２の取消理由は解消した。 （４）ＬＥＤ光源 本件訂正により請求項９は削除されたので、上記第４ １（２）ウ（エ）及び第４ ２の取消理由は解消した。 第７ 取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について 取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由はない。 第８ むすび 以上のとおりであるから、令和３年３月３１日付けの取消理由通知に記載した取消理由、令和３年１１月１７日付けの取消理由通知に記載した取消理由（決定の予告）及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１、３～５、８、１０に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件請求項１、３～５、８、１０に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 訂正前の請求項２、６、７、９は本件訂正により削除されたため、請求項２、６、７、９についての特許異議の申立ては、不適法なものであり、その補正をすることができないから、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下すべきものである。 よって、結論のとおり決定する。