2021-003672

特願２０１９－１１１６７４「半導体装置用基板およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔令和 １年 ９月１９日出願公開、特開２０１９－１６１２３８〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、平成２６年３月２０日に出願した特願２０１４－５９２１６号の一部を平成２９年１２月２７日に新たな特許出願とした特願２０１７－２５０４２２号について、さらにその一部を令和１年６月１７日に新たな特許出願としたものであって、令和２年４月２８日付け拒絶理由通知に対して同年７月１０日に手続補正がなされたが、同年１２月２２日付けで拒絶査定がなされた。これに対し、令和３年３月２２日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正がなされたものである。 第２ 令和３年３月２２日の手続補正についての補正却下の決定 ［補正却下の決定の結論］ 令和３年３月２２日の手続補正を却下する。 ［理由］ １ 本件補正について 令和３年３月２２日の手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲についてするもので、実質的に補正があった請求項１については、 本件補正前に、 「【請求項１】 母型基板上に、半導体素子搭載部及び／又は電極部となる金属部を備える半導体装置用基板であって、 前記金属部の表面に、凹部が設けられ、前記凹部の下側に所定厚さまで形成された金属部が設けられており、 前記金属部の上端に張出し部が形成され、前記張出し部には前記金属部の表面と平行な下面を有し、 前記金属部の厚み方向において、前記張出し部の下面が前記凹部の底面より高い位置に設けられていることを特徴とする半導体装置用基板。」 とあったところを、 本件補正により、 「【請求項１】 母型基板上に、半導体素子搭載部及び／又は電極部となる金属部を備える半導体装置用基板であって、 前記金属部の表面に、凹部が設けられ、前記凹部の下側に所定厚さまで形成された金属部が設けられており、 前記金属部の上端に張出し部が形成され、前記張出し部には前記金属部の表面と平行な下面を有し、 前記金属部の厚み方向において、前記張出し部の下面が前記凹部の底面より高い位置且つ前記張出し部の下面と前記凹部の底面とは重ならない位置に設けられていることを特徴とする半導体装置用基板。」 とするものである。なお、下線は補正箇所を示す。 請求項１に係る上記補正は、金属部の上端に形成された張出し部の下面の位置が、凹部の底面より高く、且つ「前記張出し部の下面と前記凹部の底面とは重ならない位置」であることを限定したものである。 よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そこで、特許請求の範囲の減縮を目的とする本件補正の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）否かについて以下検討する。 ２ 引用文献、引用発明 （１）特開２００９－５５０５５号公報 原査定の拒絶の理由に引用された特開２００９－５５０５５号公報（以下「引用文献１」という。）には、「半導体装置の製造方法」に関して、図面と共に以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。 ア 「【０００１】 本発明は半導体装置およびその製造方法に関し、小型・薄型化を図れ、かつ信頼性の高い樹脂封止型の半導体装置に関する。」 イ 「【００１５】 （第１実施例）図１乃至図3に本発明に係る半導体装置の構成および製造方法の第１実施例を示す。図１は、本発明に係るリードレス表面実装型の半導体装置を示しており、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は底面図である。同図において、Ｓは半導体素子Ｓであって、アイランド部２ａ上に接着されて搭載されている。Ｌは半導体素子Ｓ上に形成された電極であり、上記アイランド部２ａと独立して並設された対応する電極部２ｂ２ｂと金等の導電性のワイヤ３により結線され、電気的に接続されている。上記半導体素子Ｓの搭載部分は熱硬化性エポキシ樹脂等の樹脂層４にて封止されており、上記アイランド部２ａと電極部２ｂの各裏面が樹脂層４と同一平面で露出した樹脂封止体が構成されている。 【００１６】 ここで、図１（ａ）において、上記アイランド部２ａおよび電極部２ｂは、上端部周縁をそれぞれ庇状に張り出し形成して構成されており、樹脂封止体としての樹脂層４に対する喰い付き効果によって、アイランド部２ａ，電極部２ｂと樹脂層４との結着力が向上し、樹脂剥れやズレを効果的に防止できる構成となっている。また、アイランド部２ａおよび電極部２ｂは、それぞれ裏面側が金，スズ，ハンダ，パラジウム等の導電性に優れた実装用金属薄膜１１が０．０５～１μｍ程度の厚さで形成され、その上面にニッケル等の電鋳金属から成るリード層１２が一体に積層された二層構造からあらかじめ形成されており、さらには、本実施例の場合、リード層１２の上面に、金，銀等から成るワイヤ３との結線力向上のためのボンディング用金属膜１３が０．３～０．４μｍ厚程度形成されている。このボンディング用金属膜１３については必須の構成ではない。」 図１ ［図：0001380805000001.jpg］ ウ 「【００１７】 図２及び図３は上記半導体装置の製造方法を工程ごとに示しており、図２（ａ）はステンレスやアルミ，銅等の導電性の金属板、例えば本実施例の場合ＳＵＳ４３０により形成された基板１の両面に約５０μｍ厚のアルカリタイプの感光性フィルムレジストを熱圧着等の方法でラミネートする等して、感光性レジスト層５，５を密着させる工程であり、次いで図２（ｂ）のごとく基板１の一面側の感光性レジスト層５上に所定パターンのフィルムＦを配した状態で紫外線照射による両面露光を行った後現像処理を行い図２（ｃ）に示すような、基板１の一面側に所定のパターンニングを施したレジストパターン層６とのその裏面に硬化したレジスト層５を得る。 【００１８】 次いで、基板１の一面側のレジストパターン層６で覆われていない露出面に対し、必要に応じて化学エッチングによる表面酸化被膜除去や薬品による周知の化学処理等の表面活性化処理を行った後、図２（ｄ）に示すごとく基板１のレジストパターン層６６により規定された露出面に０．０５～1μｍ厚で金を成長させて、実装用金属薄膜１１を形成する。本実施例の場合、微細パターン部の金メッキ処理において、金メッキの成長不良や付着不良の発生を事前に防止する目的で、上記化学エッチング等の化学処理を行い、基板１上の不活性膜を除去する工程を付加しているが、基板１の材質、メッキする金属の選択によっては、この工程は省略可能である。 【００１９】 次いで、図２（ｅ）のごとく、ニッケルや銅，ニッケル－コバルト等の合金等から選択される電鋳金属、本実施例の場合はニッケルを上記金属薄膜１１上面に、一体に積層して電着することでリード層１２を形成し、上記金属薄膜１１とリード層１２の二層構造から成る、半導体搭載用のアイランド部２ａと、該アイランド部２ａに対して１以上の独立した電極部２ｂを、各々対として複数組を並列形成する。なお、本実施例においては、本工程で電着形成されるリード層１２をレジストパターン層６の厚みを越えて（例えば６０～８０μｍ厚で）形成することで、アイランド部２ａおよび電極部２ｂの上端部周縁に庇状の張り出しを形成するようにしている。」 図２ ［図：0001380805000002.jpg］ 」 図３ ［図：0001380805000003.jpg］ 」 エ 「【００２４】 次いで、図３（ｄ）のごとく、樹脂封止体から基板１を除去することにより、樹脂封止体の底面には複数組のアイランド部２ａと電極部２ｂの各裏面が露出するとともに、アイランド部２ａ、電極部２ｂの各裏面と樹脂層４の底面は略同一平面となっている。・・・（以下略）」 上記アないしウによれば、以下の事項が記載されている。 ・上記アによれば、引用文献１は、小型・薄型化を図れ、かつ信頼性の高い樹脂封止型の半導体装置に関するものである。 ・上記ウによれば、導電性の金属板により形成された基板１上に、実装用金属薄膜１１とリード層１２の二層構造からなるアイランド部２ａ、電極部２ｂを複数組並列形成するものである。 ・上記イによれば、アイランド部２ａおよび電極部２ｂは、それぞれ導電性に優れた実装用金属薄膜１１と電鋳金属から成るリード層１２が一体に積層された二層構造からなるものである。つまり、アイランド部２ａおよび電極部２ｂは、金属からなるものといえる。 ・上記イによれば、アイランド部２ａ上に半導体素子Ｓが搭載されているものである。 ・上記イ及びウによれば、アイランド部２ａおよび電極部２ｂの上端部周縁に庇状の張り出しを形成しているものである。 ・上記ウの段落【００１９】の「本工程で電着形成されるリード層１２をレジストパターン層６の厚みを越えて（例えば６０～８０ｍ厚で）形成することで、アイランド部２ａおよび電極部２ｂの上端部周縁に庇状の張り出しを形成するようにしている」との記載、図１ないし図３を参酌すると、上記張り出しは、アイランド部２ａおよび電極部２ｂの表面と平行な下面を有しているものと認められる。 上記摘示事項及び図面を総合勘案すると、引用文献１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。 「導電性の金属板により形成された基板１上に、半導体を搭載する金属からなるアイランド部２ａ、金属からなる電極部２ｂを複数並列に形成された半導体装置であって、 アイランド部２ａおよび電極部２ｂは、上端部周縁に庇状の張り出しを形成しており、 上記張り出しは、アイランド部２ａおよび電極部２ｂの表面と平行な下面を有している、 半導体装置。」 （２）特開２０１１－１４６５２４号公報 原査定の拒絶の理由に引用された特開２０１１－１４６５２４公報（以下「引用文献２」という。）には、図面と共に以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。 「【０００６】 本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、リードフレームのうち半導体素子を載置する部分のみを選択的に薄くすることにより、リードフレームのハンドリング性を損なうことなく半導体装置の厚みを薄くすることが可能なリードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。」 「【００２０】 リードフレームの構成 まず、図１および図２により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図１（ａ）は、本実施の形態によるリードフレームを示す平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＡＡ’線に沿った断面図であり、図２は、ダイパッドの載置凹部を示す部分拡大断面図である。図３は、本実施の形態によるリードフレームの変形例を示す断面図である。 【００２１】 図１（ａ）（ｂ）に示すように、リードフレーム１０は、半導体素子２１（後述）を搭載するために用いられるものである。このようなリードフレーム１０は、ダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に空間１３を介して設けられたリード部１２とを備えている。 【００２２】 ダイパッド１１およびリード部１２は、１枚の金属基板をエッチング加工することにより形成されたものである。ダイパッド１１およびリード部１２の材料としては、例えば銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）等を挙げることができる。このダイパッド１１およびリード部１２の厚みは、半導体装置の構成にもよるが、０．０５ｍｍ～０．５ｍｍとすることが好ましい。」 「【００２３】 ダイパッド１１の表面（図１（ｂ）の上面）には、後述する半導体素子２１を載置する載置面１１ａが形成されている。他方、ダイパッド１１の裏面（図１（ｂ）の下面）には、図示しない外部の電極に接続される第１アウターリード部２７が形成されている。」 「【００２５】 本実施の形態において、ダイパッド１１の載置面１１ａには、半導体素子２１を収容する載置凹部１４が形成されている。この載置凹部１４は、深さが相対的に浅い第１凹部１５と、第１凹部１５中央に位置するとともに、深さが相対的に深い第２凹部１６とからなっている。このうち第１凹部１５は、後述するようにエッチングにより形成されたものであり、第２凹部１６は、プレスにより形成されたものである。」 図１ 「 ［図：0001380805000004.jpg］ 」 図２ 「 ［図：0001380805000005.jpg］ 」 上記段落の記載、図１及び図２によれば、引用文献２には、以下の技術事項が記載されている。 「半導体装置の厚みを薄くするために、金属からなるダイパッド１１の半導体素子２１を載置する載置面１１ａに半導体素子２１を収容する載置凹部１４を形成する」こと。 ３ 本願補正発明と引用発明との対比 （１）本願補正発明の「母型基板」は、本願明細書の段落【００３３】及び【００３４】によれば、導電性の金属板で形成され、製造工程で分離除去されるものである。そうすると、引用発明の「導電性の金属板により形成された基板１」も、分離除去されるものであるから（上記「２（１）エ」を参照。）、本願補正発明の「母型基板」に相当する。 そして、引用発明の「半導体を搭載する金属からなるアイランド部２ａ」及び「金属からなる電極部２ｂ」は、本願補正発明の「半導体素子搭載部」及び「電極部」に相当する。 よって、引用発明の「導電性の金属板により形成された基板１上に、半導体を搭載するアイランド部２ａ、電極部２ｂを複数並列に形成された」ことは、本願補正発明の「母型基板上に、半導体素子搭載部及び／又は電極部となる金属部を備える」ことに相当する。 （２）引用発明の「半導体装置」は、上記（１）のとおり母型基板、半導体素子搭載部及び／又は電極部となる金属部に相当する構成を備えているから、本願補正発明の「半導体装置用基板」に相当する構成を含んでいるといえる。 （３）本願補正発明は「前記金属部の表面に、凹部が設けられ、前記凹部の下側に所定厚さまで形成された金属部が設けられて」いるのに対し、引用発明にはその旨の特定はされていない。 （４）引用発明の「アイランド部２ａおよび電極部２ｂは、上端部周縁に庇状の張り出しを形成」することは、本願補正発明の「前記金属部の上端に張出し部が形成され」ることに相当する。 （５）引用発明の「上記張り出しは、アイランド部２ａおよび電極部２ｂの表面と平行な下面を有している」ことは、本願補正発明の「張出し部には前記金属部の表面と平行な下面を有し」に相当する。 （６）本願補正発明は「金属部の厚み方向において、前記張出し部の下面が前記凹部の底面より高い位置且つ前記張出し部の下面と前記凹部の底面とは重ならない位置に設けられている」のに対し、引用発明にはその旨の特定はされていない。 上記（１）ないし（６）によれば、本願補正発明と引用発明とは、以下の点で一致ないし相違する。 ＜一致点＞ 「母型基板上に、半導体素子搭載部及び／又は電極部となる金属部を備える半導体装置用基板であって、 前記金属部の上端に張出し部が形成され、前記張出し部には前記金属部の表面と平行な下面を有している半導体装置用基板。」 ＜相違点１＞ 本願補正発明は「金属部の表面に、凹部が設けられ、前記凹部の下側に所定厚さまで形成された金属部が設けられて」いるのに対し、引用発明にはその旨の特定はされていない点。 ＜相違点２＞ 本願補正発明は「前記金属部の厚み方向において、前記張出し部の下面が前記凹部の底面より高い位置且つ前記張出し部の下面と前記凹部の底面とは重ならない位置に設けられている」のに対し、引用発明にはその旨の特定はされていない点。 ４ 判断 （１）相違点１について 半導体装置の厚みを薄くするために、半導体素子を載置する金属からなる部分の載置面に凹部を設けることは、引用文献２に記載されているように周知の技術事項である。 そして、引用発明も小型・薄型化を図る半導体装置に関するところ（上記「２（１）ア」を参照）、引用発明の半導体を搭載するアイランド部２ａの載置面に凹部を設けることを制限する特段の理由も見当たらないから、引用発明のアイランド部２ａの載置面、即ち、表面に引用文献２に記載された周知の技術事項を採用することは当業者が容易になし得たことである。 ここで、引用文献１（アイランド部の裏面について、上記「２（１）エ」を参照）も引用文献２（ダイパッドの裏面について、段落【００２３】を参照）も、半導体を搭載する部分の裏面を電気接続に使用しているものと認められる。そして、半導体を搭載する部分の強度を実用に耐え得る程度に確保するために、半導体を搭載した面から裏面まである程度の距離（厚み）を確保するよう設計することは当然のことである。そうすると、引用発明のアイランド部２ａの表面に引用文献２に記載された周知の技術事項を採用したものは、本願補正発明の「前記凹部の下側に所定厚さまで形成された金属部が設けられて」いる構成を備えているものである。 よって、引用発明及び引用文献２に記載された技術事項に基づいて、相違点１に係る構成をなすことは当業者が容易になし得たことである。 （２）相違点２について 上記（１）で説示したとおり、引用発明において、アイランド部２ａの表面に半導体素子を載置するための凹部を設けるように構成することは当業者が容易になし得たことである。そして、アイランド部２ａの表面に凹部を設ける際、厚み方向において、庇状の張り出しが有する下面と、凹部の底面の高さの相対関係を具体的にどのようにするかは、半導体装置に要求される高さ、半導体素子自体の厚み、アイランド部２ａの機械的強度、加工のし易さ等の所定の条件に応じて当業者が適宜設定し得る事項に過ぎず、庇状の張り出しが有する下面の位置を、凹部の底面より高い位置且つ凹部の底面と重ならない位置とすることに格別の困難性は認められない。 この点について、審判請求人は、審判請求書にて以下のように主張している（下線は当審で付与した）。 「本願発明の半導体装置用基板は、半導体素子搭載部及び／又は電極部となる金属部の表面に凹部が設けられており、該凹部の下側には所定厚さまで形成された金属部が設けられ、金属部の上端には張出し部が形成されているものです。そして、本願発明の半導体装置用基板では、金属部の厚み方向において、張出し部の下面が凹部の底面より高く且つ張出し部の下面と凹部の底面とは重ならない位置関係となっており、凹部と張出し部下方の空間とは重ならない構成であるのに対して、引用文献３のリードフレームは、リードフレームの厚み方向において、ダイパッド表面に形成された載置凹部とリード部表面に形成されたアンカー溝のともに、それぞれの下方に形成された空間（腐蝕部分）と重なる構成となっているため、本願発明と引用文献３に記載の発明とでは、凹部の下側における強度が異なります。このように、本願発明の半導体装置用基板によれば、凹部の下側に所定厚さまで形成された金属部が設けられていることにより、凹部の下側に金属部（半導体素子搭載部）が必要な強度を維持する厚さを確保することができます（段落００３７）。加えて、凹部による金属部表面と封止材との接触面積の拡大と、張出し部による封止材との食い付き効果により、金属部と封止材との結着力を向上でき、信頼性に優れた半導体装置を得ることができます（００６６、００８６参照）。したがって、本願発明は、引用文献２および３に記載の発明から当業者が容易に想到できるものではなく、進歩性の特許要件を満たすものであると思料いたします。」 なお、主張の中で指摘されている引用文献２、引用文献３は、それぞれ当審決における引用文献１、引用文献２である。 そこで、上記主張について検討する。 まず、本願補正発明において凹部の下側の金属部の厚さについて、張り出し部の下面との相対関係において凹部の底面よりも高いことは規定されてはいるものの、所定厚さとだけ記載され、具体的な厚さがどの程度のものであるかについては規定されていないことから、凹部の下側に金属部が必要な強度を維持するという効果は、本願補正発明の記載に基づく効果の主張とはいえない。そして十分な強度が特定できる程度の厚さを有するものであったとしても、そもそも凹部を形成するに際して、強度を考慮して厚みを決定することは当業者が当然に考慮する程度の事項に過ぎないことから、当該効果が引用文献２に記載された技術を採用した引用発明に対して格別のものとは認められない。 次に、引用文献１の段落【００１６】には、アイランド部２ａおよび電極部２ｂの上端部周縁を庇状に張り出し形成して構成することによって、樹脂封止体としての樹脂層４に対する喰い付き効果が得られることが記載されている。また、半導体素子を搭載する部分に凹部を形成すれば、凹部の側面の面積分接触面積が増えることは当然のことであって、接触面積が増えることでアイランド部２ａと封止樹脂との密着性も向上することは容易に予測し得ることであり、例えば、特開２００１－１３５７６７号公報の段落【００２７】の記載からも明らかである。よって、凹部による金属部表面と封止材との接触面積の拡大や、張出し部による封止材との食い付き効果についても、引用文献２に記載された技術を採用した引用発明に対して格別のものとも認められない。 したがって、上記請求人の主張は採用できない。 （３）まとめ したがって、本願補正発明は、引用発明、引用文献２に記載された技術事項から当業者が容易になし得たものである。 そして、本願補正発明の作用効果も、引用文献１、２から当業者が予測できる範囲のものである。 ５ むすび 以上のとおり、本件補正の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 第３ 本願発明について １ 本願発明 令和３年３月２２日の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし２に係る発明は、令和２年７月１０日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２に記載されたとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりである。 「【請求項１】 母型基板上に、半導体素子搭載部及び／又は電極部となる金属部を備える半導体装置用基板であって、 前記金属部の表面に、凹部が設けられ、前記凹部の下側に所定厚さまで形成された金属部が設けられており、 前記金属部の上端に張出し部が形成され、前記張出し部には前記金属部の表面と平行な下面を有し、 前記金属部の厚み方向において、前記張出し部の下面が前記凹部の底面より高い位置に設けられていることを特徴とする半導体装置用基板。」 ２ 原査定の概要 令和２年１２月２２日付け拒絶査定のうち、請求項１に係る発明についての理由は、以下のとおりある。 この出願の請求項１に係る発明は、その出願前（本願の公開基準日前）に日本国内において頒布された下記の引用文献２、引用文献３に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をできたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 ・引用文献２ 特開２００９－５５０５５号公報 ・引用文献３ 特開２０１１－１４６５２４号公報 なお、上記引用文献２は、本審決における引用文献１と同一のものであるから、以下「引用文献１」という。同様に、上記引用文献３は、本審決における引用文献２と同一のものであるから、以下「引用文献２」という。 ３ 引用文献 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１の記載事項、引用発明、引用文献２の記載事項は、上記「第２［理由］２」に記載したとおりである。 ４ 対比・判断 本願発明は、上記「第２［理由］」で検討した本願補正発明から、張出し部の下面の位置について、「且つ前記張出し部の下面と前記凹部の底面とは重ならない位置」という事項を削除したものである。 そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２［理由］３及び４」に記載したとおり、引用文献１に記載された発明および引用文献２に記載された技術事項から当業者が容易になし得たものであるところ、上記事項を省いた本願発明も同様の理由により、引用文献１に記載された発明および引用文献２に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 ５ むすび 以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。