2020-012552

特願２０１６－１５４３６４「半導体装置用基板およびその製造方法、半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年　２月　８日出願公開、特開２０１８－　２２８２１、請求項の数（６）〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、平成２８年８月５日の出願であって、その手続きの経緯は以下のとおりである。 令和　２年　３月１９日付け：拒絶理由通知 令和　２年　５月１２日　　：意見書、手続補正書の提出 令和　２年　６月　４日付け：拒絶査定 令和　２年　９月　８日　　：審判請求書、手続補正書の提出 第２　原査定の概要 原査定（令和２年６月４日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。 本願の請求項１ないし６に係る発明は、下記の引用文献１及び２に記載された発明に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 引用文献等一覧 １．韓国公開特許第１０－２０１０－００３３２４７号公報 ２．国際公開第２０１３／１６１９０６号 第３　本願発明 本願の請求項１ないし６に係る発明（以下、「本願発明１」ないし「本願発明６」という。）は、令和２年９月８日の手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定される、以下のとおりの発明である。 「【請求項１】 装置底面に露出するリード（３）またはダイパッド（４）となる金属部が母型（２０）上に形成された半導体装置用基板であって、 前記母型（２０）は最表層となる第１基材（２０ａ）を含む複数の基材が積層形成されたものであり、 前記第１基材（２０ａ）は、接着性を有する樹脂を介して第２基材（２０ｂ）上に接合され、 前記第１基材（２０ａ）と前記第２基材（２０ｂ）は、突弧面あるいは凹弧面どうしが対向する状態で接合され、前記第１基材（２０ａ）から前記第２基材（２０ｂ）を剥離除去可能な状態であることを特徴とする半導体装置用基板。 【請求項２】 前記第１基材（２０ａ）は、前記第２基材（２０ｂ）より薄く形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用基板。 【請求項３】 前記第１基材（２０ａ）の厚さは１０～３０μｍ、前記第２基材（２０ｂ）の厚さは１００～５００μｍに形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置用基板。 【請求項４】 装置底面に露出するリード（３）またはダイパッド（４）となる金属部が母型（２０）上に形成された半導体装置用基板の製造方法であって、 最表層となる第１基材（２０ａ）を含み、第２基材（２０ｂ）上に接着性を有する樹脂を介して前記第１基材（２０ａ）を接合して前記母型（２０）を形成する工程と、 前記母型（２０）の前記第１基材（２０ａ）表面に、前記金属部を形成するためのレジストパターン層（２５）を形成する工程と、 前記レジストパターン層（２５）から露出する前記第１基材（２０ａ）表面に、前記金属部を形成する工程と、 前記レジストパターン層（２５）を除去する工程とを有し、 前記母型（２０）を形成する工程において、前記第１基材（２０ａ）と前記第２基材（２０ｂ）は、突弧面あるいは凹弧面どうしが対向する状態で接合され、前記第１基材（２０ａ）から前記第２基材（２０ｂ）を剥離除去可能な状態であることを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。 【請求項５】 半導体素子（２）と、該半導体素子（２）と接続されるリード（３）または該半導体素子（２）が載置されるダイパッド（４）となる金属部とが樹脂により封止され、底面に前記金属部が露出する半導体装置の製造方法であって、 最表層となる第１基材（２０ａ）を含み、第２基材（２０ｂ）上に接着性を有する樹脂を介して前記第１基材（２０ａ）を接合して母型（２０）を形成する工程と、 前記母型（２０）の前記第１基材（２０ａ）表面に、前記金属部を形成するためのレジストパターン層（２５）を形成する工程と、 前記レジストパターン層（２５）から露出する前記第１基材（２０ａ）表面に、前記金属部を形成する工程と、 前記レジストパターン層（２５）を除去する工程と、 前記金属部上に、前記半導体素子（２）を搭載するとともに、前記半導体素子（２）と前記金属部とを電気的に接続する工程と、 前記半導体素子（２）及び前記金属部を樹脂で封止して樹脂封止体（７）を形成する工程と、 前記樹脂封止体（７）から前記母型（２０）を除去する工程とを有し、 前記母型（２０）を形成する工程において、前記第１基材（２０ａ）と前記第２基材（２０ｂ）は、突弧面あるいは凹弧面どうしが対向する状態で接合され、前記第１基材（２０ａ）から前記第２基材（２０ｂ）を剥離除去可能な状態であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 【請求項６】 前記母型（２０）を除去する工程において、前記第１基材（２０ａ）から前記第２基材（２０ｂ）を剥離除去したのち、前記樹脂封止体（７）から前記第１基材（２０ａ）を剥離除去することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。」 第４　引用文献、引用発明等 １　引用文献１について （１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には、図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審で付与した。以下同様。） 「 」 「 」 「 」 図３ 当審訳を、以下に記載する。 「［００２３］　さらに、本発明による半導体パッケージの製造方法における前記第４段階は、複層構造のキャリア層において接着層、金属支持層を分離し、バックエッチングによってキャリア金属層を除去する段階からなることを特徴とする、多列リードレスフレームを利用した半導体パッケージの製造方法を提供することができる。 （中略） ［００２５］　本発明は、上述した多列リードレスフレームの製造方法による製造工程により製造された多列リードレスフレームであって、リードフレーム用のキャリア層と、前記キャリア層の上部に多数のＩ／Ｏパッドまたはダイパッドを形成するためのパターン金属層が形成された、多列リードレスフレームを提供することができる。 （中略） ［００２８］　本発明は、上述した多列リードレスフレームを利用した半導体パッケージの製造方法によって製造された半導体パッケージを提供することが可能であり、このような半導体パッケージは、キャリア金属層、接着層、金属支持層の複層構造で形成されるキャリア層と、前記キャリア層の上部に形成されるパターン金属層、前記パターン金属層上に半導体チップが実装され、モールディングがなされていることを特徴とする。」 「［００３４］　具体的にパターンを形成する上記第１段階は、キャリア金属層（３０）、接着層（２０）、金属支持層（１０）から構成された複層構造で形成された３層構造の原素材（以下、キャリア層）を設け（Ｓ１）、前記キャリア層を構成するキャリア金属層（３０）の上部面に液状またはフィルム状の感光性フォトレジスト（４０）を塗布し（Ｓ２）、以降、マスク（５０）を利用して露光と現像工程によってダイパッドまたはＩ／Ｏパッドを形成するパターンを形成する。もちろん、工程によっては、半導体チップが実装されるパッド部位は、生成してもよいし（Ｓ４ａ参照）、省略してもよい（Ｓ４ｂ参照）。」 「［００３７］　特にその後アッセンブリ工程により半導体チップ（７０）を実装及びワイア／フリップチップボンディング（８０）によってチップを実装した後（Ｓ４）、パッケージをエポキシなどでモールディング（９０）する段階（Ｓ５）によって、外部の熱、湿気及び衝撃からチップを保護することを可能にする工程を遂行して、半導体パッケージの製造が可能になるようにする。 ［００３８］　特にＳ５段階の遂行の後に、物理的、化学的、機械的な方法によって、上述した離型処理された接着層（２０）から各層を分離する段階（Ｓ６）が遂行される。代表的な方法では、加熱、冷却、紫外線を利用した方法があり、これと類似の方法の組み合わせを用いることもできる。 ［００３９］　最後に、下部のアルカリエッチングによって、残存するキャリア金属層（３０）の材料部分を除去して半導体パッケージを完成することが可能になる（Ｓ７）。」 （２）上記記載より、引用文献１には「３層構造のキャリア層」に関して、次の技術的事項が記載されている。 ・キャリア金属層（３０）、接着層（２０）、金属支持層（１０）の順に積層された３層構造のキャリア層（［００３４］、図３）。 ・キャリア金属層（３０）の上部面にダイパッドまたはＩ／Ｏパッドを形成するパターンを形成すること（［００３４］）。上記パターンは、パターン金属層であること（［００２３］）。 ・半導体チップ（７０）をパターン金属層上に実装した後、モールディング（９０）すること（［００２８］、［００３７］）。 ・モールディング（９０）した後に、接着層（２０）から各層を分離するが（［００３８］）、当該分離は、キャリア金属層（３０）より、接着層（２０）、金属支持層（１０）を分離すること（［００２３］、図３）。 ・残存するキャリア金属層（３０）を除去して半導体パッケージを完成することが可能になる（［００３９］）。 （３）したがって、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 「キャリア金属層（３０）、接着層（２０）、金属支持層（１０）の順に積層された３層構造のキャリア層であって、 キャリア金属層（３０）の上部面にダイパッドまたはＩ／Ｏパッドを形成するパターン金属層を形成し、 半導体チップ（７０）をパターン金属層上に実装した後にモールディング（９０）し、 キャリア金属層（３０）より、接着層（２０）、金属支持層（１０）を分離し、 残存するキャリア金属層（３０）を除去して半導体パッケージを完成することが可能になる、 ３層構造のキャリア層。」 ２　引用文献２について 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には、図面とともに次の事項が記載されている。 「［０００４］ 特許文献１に例示されたような複合基板を用いて半導体素子などを製造する場合、複合基板を構成する少なくとも一方の基板（第一基板）の接合面は鏡面研磨されていることが望ましい場合が多い。一方、コスト面からは、第一基板の片面のみが鏡面研磨されていることが好ましい。この場合、図１３（Ａ）に示す接合前の状態において、鏡面研磨されていない面が粗面研磨された面１１０ＲＰからなる第一基板１１０Ａ（１１０）は、鏡面研磨された面１１０ＭＰが凹面を成すように反ってしまう。したがって、第一基板１１０Ａの鏡面研磨された面１１０ＭＰを接合面として、第一基板１１０Ａと他の基板（第二基板１２０）とを接合すると、複合基板１００Ａ（１００）の接合界面１０２に空洞Ｖが生じやすくなる（図１３（Ｂ））。従って、接合界面１０２にこのような空洞Ｖが生じた場合、複合基板１００Ａを用いて製造される半導体素子などの最終製品の品質低下や歩留まり低下を招く原因となる。」 「［０００６］ 本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、接合界面における空洞（基板の表面形状に起因する空洞）の発生を抑制することができる複合基板の製造方法、これを用いた半導体素子の製造方法、当該複合基板の製造方法を用いて製造された複合基板および半導体素子を提供することを課題とする。」 「［００２９］ （複合基板の製造方法および複合基板） 本実施形態の複合基板の製造方法では、少なくとも一方の面が鏡面である第一素板を、鏡面が凸面を成すように反った状態へと、変形させることで第一基板を作製する第一素板変形工程と、該第一素板変形工程を経た後に、第一基板の凸面と、第二基板の一方の面とを接合する接合工程と、を少なくとも経て、第一基板と、該第一基板に対して接合された第二基板とを含む複合基板を製造する。ここで、第二基板としては、その両面が略平坦面からなる基板、および、第一基板と接合される側の面が凸面を成すように反った基板、から選択されるいずれか１種の基板が用いられる。」 上記段落［００２９］より、引用文献２には、次の技術的事項が記載されている。 「第一基板の凸面と、第一基板と接合される側の面が凸面を成すように反った第二基板を接合する複合基板の製造方法。」 第５　対比、判断 １　本願発明１について （１）対比 本願発明１と引用発明とを対比すると、次のことがいえる。 ア　引用発明の「ダイパッドまたはＩ／Ｏパッドを形成するパターン金属層」は、本願発明１の「リード（３）またはダイパッド（４）となる金属部」に相当する。 そして、引用発明の「パターン金属層」が形成される「キャリア金属層（３０）、接着層（２０）、金属支持層（１０）の順に積層された３層構造のキャリア層」は、本願発明１の「金属部」が形成される「母型（２０）」に相当する。 また、引用発明は「半導体チップ（７０）をパターン金属層上に実装した後にモールディング（９０）し、キャリア金属層（３０）より、接着層（２０）、金属支持層（１０）を分離し、残存するキャリア金属層（３０）を除去して半導体パッケージを完成する」ので、「キャリア金属層（３０）の上部面に」「形成し」た「ダイパッドまたはＩ／Ｏパッド」は「半導体パッケージ」の底面に露出する。 そうすると、引用発明の「キャリア金属層（３０）の上部面にダイパッドまたはＩ／Ｏパッドを形成するパターン金属層」が「形成」された「キャリア金属層（３０）、接着層（２０）、金属支持層（１０）の順に積層された３層構造のキャリア層」は、本願発明１の「装置底面に露出するリード（３）またはダイパッド（４）となる金属部が母型（２０）上に形成された半導体装置用基板」に相当する。 イ　引用発明の「３層構造のキャリア層」は、「キャリア金属層（３０）、接着層（２０）、金属支持層（１０）の順に積層された」ものであるから、「金属支持層（１０）」に積層された「キャリア金属層（３０）」は「３層構造のキャリア層」の最表層であるといえる。 したがって、引用発明の「キャリア金属層（３０）、接着層（２０）、金属支持層（１０）の順に積層された３層構造のキャリア層」は、本願発明１の「最表層となる第１基材（２０ａ）を含む複数の基材が積層形成された」「前記母型（２０）」に相当する。 ウ　引用発明の「３層構造のキャリア層」は、「キャリア金属層（３０）、接着層（２０）、金属支持層（１０）の順に積層された」ものであるから、引用発明の「キャリア金属層（３０）」、「接着層（２０）」、「金属支持層（１０）」は、それぞれ、本願発明１の「最表層となる第１基材（２０ａ）」、「接着性を有する樹脂」、「第２基材（２０ｂ）」に対応し、引用発明の「３層構造のキャリア層」と本願発明１とは、「前記第１基材（２０ａ）は、接着性を有する層を介して第２基材（２０ｂ）上に接合され」た「前記母型（２０）」である点で共通する。 但し、接着性を有する層が、本願発明１は「接着性を有する樹脂」であるのに対して、引用発明はそのような特定がない点で相違する。 エ　引用発明は「キャリア金属層（３０）より、接着層（２０）、金属支持層（１０）を分離し、残存するキャリア金属層（３０）を除去して半導体パッケージを完成する」のであるから、「キャリア金属層（３０）」と「金属支持層（１０）」は分離可能である。 そうすると、引用発明の「キャリア金属層（３０）、接着層（２０）、金属支持層（１０）の順に積層された３層構造のキャリア層」と本願発明１の「母型（２０）」とは、「前記第１基材（２０ａ）と前記第２基材（２０ｂ）は接合され、前記第１基材（２０ａ）から前記第２基材（２０ｂ）を剥離除去可能な状態である」点で共通する。 但し、第１基材（２０ａ）と第２基材（２０ｂ）が、本願発明１は「突弧面あるいは凹弧面どうしが対向する状態で接合され」るのに対して、引用発明はそのような特定がない点で相違する。 したがって、本願発明１と引用発明との間には、次の一致点及び相違点があるといえる。 （一致点） 「装置底面に露出するリードまたはダイパッドとなる金属部が母型上に形成された半導体装置用基板であって、 前記母型は最表層となる第１基材を含む複数の基材が積層形成されたものであり、 前記第１基材は、接着性を有する層を介して第２基材上に接合され、 前記第１基材と前記第２基材は接合され、前記第１基材から前記第２基材を剥離除去可能な状態である半導体装置用基板。」 （相違点１） 接着性を有する層が、本願発明１は「接着性を有する樹脂」であるのに対して、引用発明はそのような特定がない点。 （相違点２） 第１基材と第２基材が、本願発明１は「突弧面あるいは凹弧面どうしが対向する状態で接合され」るのに対して、引用発明はそのような特定がない点。 （２）相違点についての判断 事案に鑑み、まず、相違点２について検討する。 引用文献２には、第一基板の凸面と、第一基板と接合される側の面が凸面を成すように反った第二基板を接合する複合基板の製造方法が記載されている（上記「第４　２」）。 しかしながら、引用文献２に「したがって、第一基板１１０Ａの鏡面研磨された面１１０ＭＰを接合面として、第一基板１１０Ａと他の基板（第二基板１２０）とを接合すると、複合基板１００Ａ（１００）の接合界面１０２に空洞Ｖが生じやすくなる（図１３（Ｂ））。従って、接合界面１０２にこのような空洞Ｖが生じた場合、複合基板１００Ａを用いて製造される半導体素子などの最終製品の品質低下や歩留まり低下を招く原因となる。」（段落［０００４］）及び「本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、接合界面における空洞（基板の表面形状に起因する空洞）の発生を抑制することができる複合基板の製造方法、これを用いた半導体素子の製造方法、当該複合基板の製造方法を用いて製造された複合基板および半導体素子をを提供することを課題とする。」（段落［０００６］）と記載されているように、引用文献２記載の上記複合基板の製造方法は、最終製品の品質低下や歩留まり低下を招く原因となる接合界面における空洞の発生を防止するためのものであり、接合した状態で使用する複合基板において接合界面の品質を上げるためのものであるといえる。 したがって、引用文献２記載の上記複合基板の製造方法は、接合後に第一基板と第二基板を分離することは想定しておらず、また、分離のための技術を開示するものでもない。 そうすると、引用発明の「半導体チップ（７０）を実装した後、接着層（２０）、金属支持層（１０）を分離」する「キャリア金属層（３０）、接着層（２０）、金属支持層（１０）の順に積層された３層構造のキャリア層」に、引用文献２記載の上記製造方法を適用することの動機はない。 したがって、上記相違点２に係る構成は、引用発明及び引用文献２に記載された技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 よって、他の相違点について判断するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても引用発明及び引用文献２に記載された技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ２　本願発明２及び３について 本願発明２及び３は、本願発明１の発明特定事項を全て含む発明であるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても引用発明及び引用文献２に記載された技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ３　本願発明４について （１）対比 本願発明４は本願発明１に対応する製造方法の発明であり、本願発明１の基板を製造するために当然備えるべき工程により構成された発明であるから、本願発明１と引用発明との対比（上記「１　（１）」）を踏まえると、本願発明４と引用発明との間には、少なくとも次の相違点があるといえる。 （相違点３） 本願発明４は、「第２基材（２０ｂ）上に接着性を有する樹脂を介して前記第１基材（２０ａ）を接合して」いるのに対して、引用発明は、そのような特定がない点。 （相違点４） 本願発明４は、「第１基材（２０ａ）と第２基材（２０ｂ）」が、「突弧面あるいは凹弧面どうしが対向する状態で接合され」るのに対して、引用発明はそのような特定がない点。 （２）相違点についての判断 相違点４は上記相違点２と同様の相違点であり、上記相違点２について検討したように（上記「１　（２）」）、上記相違点４に係る構成は、引用発明及び引用文献２に記載された技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 よって、他の相違点について判断するまでもなく、本願発明４は、当業者であっても引用発明及び引用文献２に記載された技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ４　本願発明５について （１）対比 本願発明５は、本願発明４の製造方法を用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法の発明であり、本願発明１の基板を製造するために当然備えるべき工程を含む発明であるから、本願発明１と引用発明との対比（上記「１　（１）」）を踏まえると、本願発明５と引用発明との間には、少なくとも次の相違点があるといえる。 （相違点５） 本願発明５は、「第２基材（２０ｂ）上に接着性を有する樹脂を介して前記第１基材（２０ａ）を接合して」いるのに対して、引用発明は、そのような特定がない点。 （相違点６） 本願発明５は、「第１基材（２０ａ）と第２基材（２０ｂ）」が、「突弧面あるいは凹弧面どうしが対向する状態で接合され」るのに対して、引用発明はそのような特定がない点。 （２）相違点についての判断 相違点６は上記相違点２と同様の相違点であり、上記相違点２について検討したように（上記「１　（２）」）、上記相違点６に係る構成は、引用発明及び引用文献２に記載された技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 よって、他の相違点について判断するまでもなく、本願発明５は、当業者であっても引用発明及び引用文献２に記載された技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ５　本願発明６について 本願発明６は、本願発明５の発明特定事項を全て含む発明であるから、本願発明５と同じ理由により、当業者であっても引用発明及び引用文献２に記載された技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 第６　原査定について 本願発明１ないし６は「前記第１基材（２０ａ）と前記第２基材（２０ｂ）は、突弧面あるいは凹弧面どうしが対向する状態で接合され」という事項（前記「第５　１（２）」で検討した相違点２に係る構成）を有するものであり、当業者であっても、拒絶査定において引用された引用文献１及び２に基づいて、容易に発明できたものとはいえない。したがって、原査定の理由を維持することはできない。 第７　むすび 以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。