2020-700939

特許第６７０２８１３号発明「複合基板、電子装置および電子モジュール」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

【結　論】 特許第６７０２８１３号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。

【理　由】 １　手続の経緯 特許第６７０２８１３号の請求項１ないし４に係る特許についての出願は、平成２８年６月２７日に出願され、令和２年５月１１日にその特許権の設定登録がされ、令和２年６月３日に特許掲載公報が発行された。その後、その特許に対し、令和２年１２月２日に特許異議申立人茂木早苗は特許異議の申立てを行った。 ２　本件発明 特許第６７０２８１３号の請求項１ないし４の特許に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」ないし「本件発明４」という。）は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 上面および下面を有する絶縁基板と、 該絶縁基板の上面に接合された第１金属板と、 前記絶縁基板の下面に接合されており、前記第１金属板よりも厚い第２金属板とからなる積層体を備えており、 該積層体が、平面視において矩形状であり、平面視における中央部と外周部との間の中間部において上方向に湾曲した凸部を有しており、前記凸部の上端が、前記積層体の角部に近い部分において他の部分よりも上側に位置している複合基板。 【請求項２】 前記積層体の角部に近い部分における前記凸部の側面の勾配が、前記積層体の外周側において中央部側よりも大きい請求項１に記載の複合基板。 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の複合基板と、 前記第１金属板上に搭載された電子部品とを備える電子装置。 【請求項４】 請求項３に記載の電子装置と、 該電子装置が接合材を介して接合された外部部材とを備える電子モジュール。」 ３　申立理由の概要 特許異議申立人茂木早苗（以下、「異議申立人」という。）は、 甲第１号証：特開平９－２４６６７５号公報（以下「文献１」という。）、 甲第２号証：特開２００６－１９４９４号公報（以下「文献２」という。）、 甲第３号証：特開昭６１－２２５０４７号公報（以下「文献３」という。）、 甲第４号証：特開２０１４－２０９５３９号公報（以下「文献４」という。）、 甲第５号証：特開２０１５－２１６３４９号公報（以下「文献５」という。）、 及び 甲第６号証：特許第６３５９４５５号公報（以下「文献６」という。） を提出し、 （１）文献１を主たる証拠とし、文献４、文献５を従たる証拠として、請求項１、３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、請求項１、３に係る特許を取り消すべきものである。 （２）文献２を主たる証拠とし、文献４、文献５を従たる証拠として、請求項１ないし４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、請求項１ないし４に係る特許を取り消すべきものである。 （３）文献３を主たる証拠とし、文献１、文献２、文献４、文献５を従たる証拠として、請求項１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、請求項１に係る特許を取り消すべきものである。 （４）文献１、文献３、文献６を証拠として、請求項１ないし４の記載は明確でないから、請求項１ないし４に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号の要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 と主張している。 ４　文献の記載 （１）文献１について 文献１には、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与した。）。 「【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は、金属回路を有するセラミックス回路基板及びその製造方法に関するものである。」 「【０００２】 【従来の技術】近年、ロボットやモーター等の産業機器の高性能化に伴い、大電力・高能率インバーター等大電力モジュールの変遷が進んでおり、半導体素子から発生する熱も増加の一途をたどっている。この熱を効率よく放散させるため、大電力モジュール基板では従来より様々な方法が取られてきた。特に最近、良好な熱伝導を有するセラミックス基板が利用できるようになったため、基板上に銅板等の金属板を接合し、回路を形成後、そのままあるいはメッキ等の処理を施してから半導体素子を実装する構造も採用されつつある。」 「【０００７】本発明の目的は、上記に鑑み、ヒートショックやヒートサイクルに対する耐久性を更に改善した金属回路を有するセラミックス回路基板及びその製造方法を提供することにある。」 「【００１０】金属回路のパターン又は金属板とセラミックス基板とを接合する場合、全ての接合面が同じように接合するわけではなく、部分的に反応が早く始まるところと遅れるところがでてくる。その時、反応が早く始まったところと遅く始まったところとの間に引張や圧縮の応力がかかることとなり、それが接合時の残留応力となる。この引張又は圧縮の応力がかかった部分は、その応力の大小に応じて部分的に変形が生じうねりとなって残る。うねりが大きいということは、大きな残留応力の存在を意味し、うねりの状態を調べることによって残留応力の大小を知ることができる。」 「【００１２】本発明においては、うねり量は０であることが最も望ましいが、単位長さ１０ｍｍあたりの変形量がいかなる個所においても３０μｍ以下であれば、ヒートショックやヒートサイクルに対する耐久性に及ぼす残留応力の影響を無視することができる。また、うねりの最大値（頂点）を示す位置についても、ヒートショックやヒートサイクルに対する耐久性に関係しており、本発明においては、その位置は回路基板の中央付近であることが望ましい。具体的には、回路基板の長手（ｘ軸）方向の長さをＬ、それとの交差方向（ｙ軸）の長さをＷとし、回路基板の中央を原点とした座標を設定した場合 に、うねりの最大値を示す位置が、－Ｌ／４≦ｘ≦Ｌ／４、－Ｗ／４≦ｙ≦Ｗ／４の範囲にあることが必要である。これ以外のところにうねりの最大値を示す位置があると、そのうねり量がたとえ上記の値を満たしていても、回路基板全体の形状が不安定となり、ヒートショックやヒートサイクルに対する耐久性の更なる改善は望めなくなる。」 「【００１５】本発明において、うねり矯正は機械的な力を加えることよって行われ、その具体的な方法は、セラミックス基板と金属板及び／又は金属回路との接合体の上下面をローラーで挟みローラーを転がして矯正する方法、ショットブラスト等で表面に微粒を叩き付ける方法等がある。」 「【００２２】実施例１ 窒化アルミニウム粉末９６重量部、イットリア４重量部、オレイン酸２重量部を振動ミルにて予備混合した後、エチルセルロース８重量部、グリセリントリオレート３重量部及び水１２重量部を配合しミキサーで混合を行った。これを成型速度１．０／分、成型圧力５５～７０ｋｇ／ｃｍ２にて押出成型し、遠赤外線にて１２０℃、５分間乾燥を行った後、４８０℃で１０時間空気中にて脱脂を行い、１９２０℃で３０分間焼成を行った。得られた窒化アルミニウム焼結体は、表面をホーニング処理して清浄化した後、６０ｍｍ×３６ｍｍ×０．６５ ｍｍの窒化アルミニウム基板に加工した。」 「【００２４】次いで、表面には６０ｍｍ×３６ｍｍ×０．３ｍｍの厚みをもつ銅板を、また裏面には６０ｍｍ×３６ｍｍ×０．１５ｍｍの厚みを持つ銅板を接触配置してから、真空度１×１０－５Ｔｏｒｒ以下の真空下、温度８８０℃で３０分加熱した後、２℃／分の降温速度で冷却して接合体を製造した。 【００２５】得られた窒化アルミニウム基板と銅板との接合体の銅板上にＵＶ硬化タイプのエッチングレジストをスクリーン印刷で塗布後、塩化第２銅溶液を用いてエッチング処理を行って銅板不要部分を溶解除去し、さらにエッチングレジストを５％苛性ソーダ溶液で剥離し た。このエッチング処理後の接合体には、銅回路パターン間に残留不要ろう材や活性金属成分と窒化アルミニウム基板との反応物があるので、それを温度６０℃、１０％フッ化アンモニウム溶液に１０分間浸漬して除去した。」 「【００２６】これを更にショットブラストによる機械的矯正を行って本発明の金属回路を有するセラミックス回路基板を製造した。」 「【００３１】これら一連の処理を経て製作された回路基板について、うねりを測定し、更に放熱側から押した場合の３点曲げ強度を、スパン３０ｍｍ、クロスヘッドスピード０．５ｍｍ／分の条件で測定した。また、気中、－４０℃×３０分保持後、２５℃×１０分間放置、更に１２５℃×３０分保持後、２５℃×１０分間放置を１サイクルとして耐ヒートサイクル試験を行い、表面の銅回路又は裏面の銅板が剥離開始した回数を測定した。これらの結果を表１に示す。 【００３２】 【表１】 （注：回路基板の寸法は長さ６０ｍｍ×幅３６ｍｍであるので、うねりの最大値を示す本発明の位置（最大値座標）は、－１５≦ｘ≦１５、－９≦ｙ≦９の範囲である。）」 ア　段落【０００１】には、文献１に記載された技術が「金属回路を有するセラミックス回路基板」に関するものであることが記載されている。 イ　文献１では、段落【０００２】に記載された「基板上に銅板等の金属板を接合し、回路を形成後、そのままあるいはメッキ等の処理を施してから半導体素子を実装する構造」を「改善」（段落【０００７】）の対象としているから、文献１の「金属回路を有するセラミックス基板」も「半導体素子を実装する」ものと認められる。 ウ　段落【００１２】より、「うねり量は０であることが最も望ましく、うねりの最大値（頂点）を示す位置は回路基板の中央付近であることが望ましい。」との技術的事項を読み取ることができる。 エ　段落【００２２】、【００２４】より、「６０ｍｍ×３６ｍｍの窒化アルミニウム基板の表面に０．３ｍｍの厚みをもつ銅板を、また裏面に０．１５ｍｍの厚みを持つ銅板を接合」することが読み取れる。 オ　段落【００３２】【表１】（「注」含む）の実施例１より、「うねりの最大値を示す最大値座標（ｘ，ｙ）（ｍｍ）が（５，４）」であることを読み取ることができる。 よって、段落【００１２】(座標の定義)、【００２６】、【００３１】、段落【００３２】【表１】（「注」含む）より、「ショットブラストによる機械的なうねり矯正を行」って「製作された回路基板について、うねりを測定し」たところ、「長さ６０ｍｍ×幅３６ｍｍである」「回路基板の長手（ｘ軸）、それとの交差方向（ｙ軸）、回路基板の中央を原点とした座標で」、「うねりの最大値を示す最大値座標（ｘ，ｙ）（ｍｍ）が（５，４）」であった、との技術事項が読み取れる。 したがって、上記「ア」ないし「オ」より、文献１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。 「半導体素子を実装するセラミックス回路基板であって、 うねり量は０であることが最も望ましく、うねりの最大値（頂点）を示す位置は回路基板の中央付近であることが望ましく、 ６０ｍｍ×３６ｍｍの窒化アルミニウム基板の表面に０．３ｍｍの厚みをもつ銅板を、また裏面に０．１５ｍｍの厚みを持つ銅板を接合し、ショットブラストによる機械的なうねり矯正を行って製作された回路基板について、うねりを測定したところ、長さ６０ｍｍ×幅３６ｍｍである回路基板の長手（ｘ軸）、それとの交差方向（ｙ軸）、回路基板の中央を原点とした座標で、うねりの最大値を示す最大値座標（ｘ，ｙ）（ｍｍ）が（５，４）であった、 金属回路を有するセラミックス回路基板。」 （２）文献２について 文献２には、図面とともに次の事項が記載されている（下線は、当審で付与した。）。 「【０００１】 本発明は、窒化珪素配線基板、特にパワー半導体モジュールに使用され、窒化珪素基板の一方の面に導電性回路板となる金属回路板を接合し、他方の面に放熱用金属板を接合した窒化珪素配線基板およびこれを用いた半導体モジュールに関するものである。」 「【０００９】 そこで、本発明の目的は、窒化珪素配線基板に設けた貫通孔を用いてねじ止め等で締結　する構造において、貫通孔周囲のクラックや割れ発生を防止すると共に金属回路板等の接合時の反り量を低減し、放熱金属板と冷却用部材の接合強度、放熱効果を向上し、半導体モジュール稼動中の熱衝撃に強く、信頼性の高い窒化珪素配線基板並びに半導体モジュールを提供することを目的とする。」 「【００１６】 以下、本発明の具体的な実施例を説明する。ただし、これら実施例により本発明が限定されるものではない。 ［実施例１］ 図１は本発明の一実施例を示す窒化珪素配線基板１であり、図１（ａ）は上面図、図１（ｂ）は底面図、また、図１（ｃ）は側面図である。 窒化珪素基板１１は、熱伝導率が８０Ｗ／ｍＫ以上のものを用いており、その一方の面（上面）の中央部には、半導体素子を搭載するための回路パターン１２が接合されており、この回路パターンは点線で示すように所定の回路板形状に加工されるが、ここでは単純に長方形状で示している。この回路パターン１２の外周部には非回路形成部分１５を挟んで回路パターン１２を囲む外枠パターン１３が接合されており、外枠パターン１３の外周部には銅板が接合されていない縁部１６がある。ここで回路パターン１２と外枠パターン１３は銅板からなり、本発明では両者を合わせて金属回路板と呼ぶ。一方、窒化珪素基板１１の他方の面（下面）には、これも銅板からなる放熱金属板１８が接合されており、放熱金属板１８の外周部には同じく縁部１９が設けられている。尚、金属回路板と放熱金属板ともに銅板に限るものではない。そして、外枠パターン１３上であって窒化珪素基板１１の四隅付近に外枠パターン１３と窒化珪素基板１１及び放熱金属板１８を貫通する貫通孔１４が設けられている。・・・（以下、省略）・・・」 【図１】 「【００１７】 さて、窒化珪素配線基板１の回路パターン１２、外枠パターン１３、放熱金属板１８および貫通孔１４の製造方法としては、・・・（省略）・・・。 ここで、窒化珪素基板１１の大きさは、幅４５ｍｍ、長さ６５ｍｍ、厚さ０．３ｍｍであり、銅回路パターン１２の大きさは、幅３３ｍｍ、長さ４８ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ、外枠パターン１３の大きさは、幅４３ｍｍ（Ｗ１＝４．０ｍｍ）ｍｍ、長さ６３ｍｍ（Ｗ２＝７．０ｍｍ）、厚さ０．５ｍｍ、非回路形成部１５の幅は１．５ｍｍ、縁部１６および１９の幅は１．０ｍｍ、放熱銅板の大きさは、幅４３ｍｍ、長さ６３ｍｍ、厚さ０．４ｍｍである。また、貫通孔の直径は６．０ｍｍとした。また、２０℃におけるヤング率が３１０ＧＰａの窒化珪素基板と、１３０ＧＰａの銅板がここでの窒化珪素配線基板の作製に用いられた。窒化珪素配線基板１のそりは表面粗さ計を用いて窒化珪素基板１１の対角線上１７で測定し、そのそりの大きさの最大値を対角線の長さで割った値をそり量とした。また、窒化珪素配線基板１を１０個作製し、実際にトルクレンチを用いて１５Ｎ・ｍで冷却部材へのボルトによるねじ止めを行い貫通孔１４周辺のクラック等の発生有無について調べた。」 「【００２５】 ［実施例５］ 図４に実施例５である窒化珪素配線基板４の上面図を示す。窒化珪素基板４１上には中央に半導体素子を搭載するための銅回路パターン４２が接合されている。その外周部の４辺には外枠銅パターン４３ａ～４３ｄが接合されており、外枠銅パターン４３ａと４３ｃの窒化珪素配線基板４の四隅付近に窒化珪素配線基板４を放熱フィン等の冷却部材に接合するための貫通孔４４が設けられている。銅回路パターン４２と外枠銅パターン４３ａ及　び４３ｃの間に直線状に設けられた非回路形成部４５ａ及び４５ｃが窒化珪素配線基板４の縁部４６まで繋がっている。また、窒化珪素配線基板４の底面は図１（ｂ）に示す実施例１と同様の放熱銅板１８を設けた構造とした。さらに、窒化珪素基板、銅回路パターン、放熱銅板、貫通孔の大きさも実施例１と同様とした。外枠銅パターン４３ａ～４３ｄの　面積の合計の窒化珪素基板の上面の全面積に対する割合は２８％とした。窒化珪素配線基板４の作製方法は実施例１と同様とし、同様にそり量とクラック等の有無を測定した。」 【図４】 「【００２７】 実施例５および実施例６では面積率２８％の外枠銅パターンを設けているため、そり量はそれぞれ６８μｍ／ｉｎｃｈおよび７０μｍ／ｉｎｃｈと共に低い値となった。また、貫通孔部に外枠銅パターンが形成されているため、クラック等の発生もなかった。一方、図６に実施例５のそりの形状６１および実施例６のそりの形状６２を示す。実施例５では６３ａおよび６３ｂの辺りに局所的に上に凸となる部分があるそりの形状６１となっている。この凸となる部分は銅回路パターン４２の端部に符合する。一方、実施例６では局所的な凹凸が目立たない比較的平坦なそりの形状６２となっている。そりの形状に局所的な凹凸がある場合、その場所に応力が集中するため、窒化珪素配線基板の信頼性が低下する。また、放熱フィン等の冷却用部材への接合する際に、局所的な凹凸がある部分で密着性が悪くなり、接合の信頼性もまた放熱性も低下する。面積率２０％以上の外枠銅パターンが形成されている場合でも、銅回路パターン４２と外枠銅パターン４３ａ及び４３ｃの間に直線状に設けられた非回路形成部４５ａ及び４５ｃが窒化珪素配線基板４の縁部４６まで繋がっている実施例５のような構造より、実施例６のように銅回路パターン５２と外枠銅パターン５３ａ～５３ｄの間に直線状に設けられたいずれの非回路形成部５５ａ～５５ｄも直線状に窒化珪素配線基板５の縁部５６までは繋がっていない構造とすることで、より好ましいそりの形状とすることができる。」 【図６】 ア　段落【０００１】より、文献２に記載された技術事項は、「半導体モジュールに使用される窒化珪素配線基板」に関するものであることがわかる。 イ　段落【００２５】には、実施例５について「窒化珪素配線基板４の底面は図１（ｂ）に示す実施例１と同様の放熱銅板１８を設けた構造とした。」、「窒化珪素基板、銅回路パターン、放熱銅板、貫通孔の大きさも実施例１と同様とした。」と記載されているから、段落【００２５】における「窒化珪素基板４１」の寸法・形状、「銅回路パターン４２」の厚さ、「外枠パターン４３」の厚さは、それぞれ、【００１７】（実施例１）に記載された「窒化珪素基板１１」の寸法・形状、「銅回路パターン１２」の厚さ、「外枠パターン１３」の厚さと同じであると認められる。 よって、段落【００１７】、【００２５】より、実施例５について、「窒化珪素基板４１上には中央に半導体素子を搭載するための銅回路パターン４２が接合され、その外周部の４辺には外枠銅パターン４３ａ～４３ｄが接合され」、「窒化珪素配線基板４の底面は放熱銅板１８を設け」、「窒化珪素基板４１の大きさは、幅４５ｍｍ、長さ６５ｍｍであり、銅回路パターン４２の厚さ０．５ｍｍ、外枠パターン４３の厚さ０．５ｍｍ、放熱銅板の厚さ０．４ｍｍであり、窒化珪素配線基板４のそりは窒化珪素基板４１の対角線上１７で測定し」た（窒化珪素配線基板の符号は「４」で統一した。）、との技術事項を読み取ることができる。 ウ　図６に示された「そりの形状６１」をみると、「６３ａ」および「６３ｂ」は、窒化珪素基板４１の中心から対角線上１７に沿って両端の角部方向にやや離れた位置に対応することが見て取れるから、図６及び段落【００２７】より「そりの形状６１は、窒化珪素基板４１の中心から対角線上１７に沿って両端の角部方向にやや離れた位置の辺りに局所的に上に凸となる部分がある」との技術事項を読み取ることができる。 したがって、文献２には、実施例５に着目して、次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。 「半導体モジュールに使用される窒化珪素配線基板４であって、 窒化珪素基板４１上には中央に半導体素子を搭載するための銅回路パターン４２が接合され、その外周部の４辺には外枠銅パターン４３ａ～４３ｄが接合され、窒化珪素配線基板４の底面は放熱銅板１８を設け、窒化珪素基板４１の大きさは、幅４５ｍｍ、長さ６５ｍｍであり、銅回路パターン４２の厚さ０．５ｍｍ、外枠パターン４３の厚さ０．５ｍｍ、放熱銅板の厚さ０．４ｍｍであり、窒化珪素配線基板４のそりは窒化珪素基板４１の対角線上１７で測定し、 そりの形状６１は、窒化珪素基板４１の中心から対角線上１７に沿って両端の角部方向にやや離れた位置の辺りに局所的に上に凸となる部分がある、 窒化珪素配線基板。」 （３）文献３について 文献３には、図面とともに、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与した。）。 ア「［発明の技術分野］ 本発明は歩留を向上させたセラミックス回路基板の製造方法に関する。」（第１頁左下欄第２０行－同頁右上欄第２行） イ「［発明の技術的背景とその問題点］ 近年、セラミックス回路基板の製造方法として、セラミックス基板の所定位置に回路を構成する銅板を接触配置させ、酸素を含むガス雰囲気中で銅の融点１０８３℃以下、銅－酸素の共晶温度で１０６５℃以上に加熱、あるいは酸素を含有する銅板を使用して非酸化性雰囲気中で同様に加熱させることにより両者を直接接合させる方法が検討されている。 この方法は非常に簡便であるという利点があるが、セラミックス基板と銅板との接合面にセラミックス基板あるいは銅板から発生したガスが密閉されて銅板の一部に微小なふくれが生じ、接合が不充分な箇所が発生することがあった。このようなふくれはふくれの高さが３０μｍ以下であれば半導体シリコンチップの搭載が可能で、基板の特性上も問題ないが、ふくれの高さが３０μｍ以上に大きくなるとふくれの上部が凸状を呈しているため半導体シリコンチップの搭載が困難になり、製品の歩留りが低くなるという問題があった。また、搭載できても密着が良くないので熱伝導性が悪くなるということも問題となっていた。」（第１頁右上欄第３行－第２頁左上欄第４行） ウ「［発明の目的］ 本発明はこのような問題を解消するためなされたもので、セラミックス回路基板の銅板の一部にみられていたふくれの高さが３０μｍ以上のふくれの上部を平坦化し、あるいはくぼみをもたせて半導体シリコンチップの搭載を可能ならしめ、製品の歩留りを向上させたセラミックス回路基板の製造方法を提供することを目的とする。 ［発明の概要］ すなわち本発明方法はセラミックス基板に銅板を接触配置し、１０６５～１０８３℃に加熱して両者を直接接合させたのち、銅板に加圧処理を施すことを特徴としている。」（第２頁左上欄第５－１７行） エ「本発明においてはセラミックス基板の所定位置に銅板を配置し、この状態で非酸化性雰囲気あるいは無酸素銅を使用した場合は酸化性雰囲気中で１０６５～１０８３℃、好ましくは１０７０～１０７５℃に加熱する。加熱時間は２～３０分間が適切である。このようにして加熱したのち自然冷却して、あるいは熱いうちに１００ｋｇ／ｃｍ２以上に加圧する。加圧は、第２図の拡大断面図に示すように、セラミックス基板１に接合した銅板２にみられる凸状のふくれ３を低くし、第１図（ａ）に示すような上部が平坦なふくれ４、より好ましくは第１図（ｂ）に示すような中央部にくぼみを有するやや凹状のふくれ５にして半導体シリコンチップの搭載を可能にするためである。なおふくれを凹状にすると、半導体シリコンチップを搭載したとき半導体シリコンチップのすわりが安定し、またふくれの中心部がセラミックス基板と密着しやすくなり熱伝導性が向上し、好ましい効果を奏する。」（第２頁右上欄第９行－第２頁左下欄第７行） オ「実施例１ 純度的９６％のアルミナからなる、厚さ０．６３５ｍｍ面積２５ｃｍ２のセラミックス基板の両面に、タフピッチ電解銅からなる厚さ０．３ｍｍ、面積２２ｃｍ２の銅板を配置し、窒素雰囲気中で、１０７５℃×１０分間の条件にて加熱し、自然冷却してセラミックス回路基板を得た。 このセラミックス回路基板の銅板には直径約５ｍｍ、高さ４５μｍのふくれ２個と直径約３ｍｍ、高さ３５μｍのふくれ１個が生じていた。このセラミックス回路基板はふくれ部分に半導体シリコンチップを搭載することができなかったが、等方加圧装置内に入れ、８００℃、５００ｋｇ／ｃｍ２の条件で等方的に窒素ガスで加圧したところ、ふくれの高さはすべて１０μｍ以下となり、ふくれ上部が凹状化したので、半田を使用してふくれ部分に半導体シリコンチップを搭載したところ、うまく固定された。また基板放熱特性も向上した。」（第２頁右下欄第６行－第３頁左上欄第３行） 上記「ア」ないし「オ」より、文献３には、次の発明（以下、「引用発明３」という。）が記載されているものと認められる。 「セラミックス基板の両面に、厚さ０．３ｍｍ、面積２２ｃｍ２の銅板を配置し（「オ」より）、加熱させることにより両者を直接接合させると、セラミックス基板と銅板との接合面にセラミックス基板あるいは銅板から発生したガスが密閉されて銅板の一部に微小なふくれが生じ、接合が不充分な箇所が発生する（「イ」より）ので、ふくれの上部を平坦化し、あるいはくぼみをもたせて半導体シリコンチップの搭載を可能ならしめたセラミックス回路基板（「ウ」より）。」 （４）文献４について 文献４には、図面とともに、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与した。）。 「【００２４】 パワーモジュール用基板１０は、絶縁基板１１と、この絶縁基板１１の一方の面（図１において上面）に配設された回路層１２と、絶縁基板１１の他方の面（図１において下面）に配設された金属層１３とを備えている。」 「【００３２】 ここで、図１に示すように、回路層１２の厚さｔ１と、金属層１３の第２アルミニウム層１３Ａの厚さｔ２との関係が、ｔ１＜ｔ２とされている。 本実施形態では、回路層１２の厚さｔ１が０．１０ｍｍ≦ｔ１≦３．６ｍｍの範囲内に設定され、金属層１３の第２アルミニウム層１３Ａの厚さｔ２が、０．１５ｍｍ≦ｔ２≦５．４ｍｍの範囲内に設定されており、回路層１２の厚さｔ１と、金属層１３の第２アルミニウム層１３Ａの厚さｔ２との関係がｔ２／ｔ１≧１．５とされている。」 【図１】 よって、文献４には、次の技術（以下、「文献４に記載された技術」という。）が記載されているものと認められる。 「絶縁基板１１と、この絶縁基板１１の上面に配設された回路層１２と、絶縁基板１１の下面に配設された金属層１３とを備え（【００２４】）、回路層１２の厚さｔ１と、金属層１３の厚さｔ２との関係が、ｔ１＜ｔ２とされている（【００３２】）、パワーモジュール用基板１０（【００２４】）。」 （５）文献５について 文献５には、図面とともに、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与した。）。 「【００５４】 実施の形態８． 本発明の実施の形態８に係る半導体装置の製造方法を説明する。まず、絶縁基板を形成する。図１９は、絶縁基板４００の断面図である。基板４０２の上面に金属パターン４０４を形成し、基板４０２の下面に金属パターン４０４よりも厚い金属膜４０６を形成する。図１９には、金属膜４０６の厚さＴ２が、金属パターン４０４の厚さＴ１より大きいことが示されている。金属パターン４０４と金属膜４０６は、高温で形成され、常温に戻ると縮む。金属膜４０６は、金属パターン４０４よりも厚いので、金属パターン４０４よりも大きな圧縮応力を基板４０２に及ぼす。その結果、絶縁基板４００は、図２０に示すように上に凸に反る。図２０に示す絶縁基板４００を形成する工程を準備工程と称する。」 【図１９】 【図２０】 したがって、文献５には、次の技術（以下、「文献５に記載された技術」という。）が記載されているものと認められる。 「基板４０２の上面に金属パターン４０４を形成し、基板４０２の下面に金属パターン４０４よりも厚い金属膜４０６を形成した絶縁基板４００（【００５４】）。」 ５　進歩性についての当審の判断 （１）文献１を主引用例とした場合 ア　本件発明１について （ア）対比 本件発明１と引用発明１とを対比する。 ａ　引用発明１における「窒化アルミニウム基板」は「表面」と「裏面」を有しているから、本件発明１における「上面および下面を有する絶縁基板」に相当する。 ｂ　引用発明１における「窒化アルミニウム基板の表面」に「接合」された「銅板」が、本件発明１における「該絶縁基板の上面に接合された第１金属板」に相当する。 ｃ　引用発明１における「窒化アルミニウム基板」の「裏面」に「接合」された「銅板」が、本件発明１における「前記絶縁基板の下面に接合され」た「第２金属板」に相当する。 ｄ　引用発明１における「窒化アルミニウム基板の表面に０．３ｍｍの厚みをもつ銅板を、また裏面に０．１５ｍｍの厚みを持つ銅板を接合し」た「金属回路を有するセラミックス回路基板」と、本件発明１における「上面および下面を有する絶縁基板と、該絶縁基板の上面に接合された第１金属板と、前記絶縁基板の下面に接合されており、前記第１金属板よりも厚い第２金属板とからなる積層体」とは、「上面および下面を有する絶縁基板と、該絶縁基板の上面に接合された第１金属板と、前記絶縁基板の下面に接合された第２金属板とからなる積層体」の点で一致する。 しかしながら、本件発明１では、「前記第１金属板」よりも「第２金属板」が「厚い」のに対し、引用発明１では、「表面」に「接合」された「銅板」（第１金属板）よりも「裏面」に「接合」された「銅板」（第２金属板）が薄い点で相違する。 ｅ　引用発明１における「金属回路を有するセラミックス回路基板」が「長さ６０ｍｍ×幅３６ｍｍ」であることが、本件発明１における「該積層体が、平面視において矩形状であ」ることに相当する。 ｆ　本件発明１では、積層体が「平面視における中央部と外周部との間の中間部において上方向に湾曲した凸部を有しており、前記凸部の上端が、前記積層体の角部に近い部分において他の部分よりも上側に位置している」のに対し、引用発明１では「うねりの最大値（頂点）を示す位置は回路基板の中央付近であることが望ましく」、「うねりを測定したところ、長さ６０ｍｍ×幅３６ｍｍである回路基板の長手（ｘ軸）、それとの交差方向（ｙ軸）、回路基板の中央を原点とした座標で、うねりの最大値を示す最大値座標（ｘ，ｙ）（ｍｍ）が（５，４）であった、」ことが示されているにすぎず、金属回路を有するセラミックス回路基板（本件発明１における「積層体」に相当する。）の全体の湾曲形状が特定されていない点で相違する。 ｇ　引用発明１における「金属回路を有するセラミックス回路基板」は、「窒化アルミニウム基板の表面に０．３ｍｍの厚みをもつ銅板を、また裏面に０．１５ｍｍの厚みを持つ銅板を接合し」ている点で「複合」しているから、基板としては、本願発明１における「複合基板」に相当する。 上記「ａ」ないし「ｇ」より、本件発明１と引用発明１とは、次の一致点、相違点を有しているものと認められる。 （一致点） 「上面および下面を有する絶縁基板と、 該絶縁基板の上面に接合された第１金属板と、 前記絶縁基板の下面に接合された第２金属板とからなる積層体を備えており、 該積層体が、平面視において矩形状である複合基板。」 （相違点１） 本件発明１では、「前記第１金属板」よりも「第２金属板」が「厚い」のに対し、引用発明１では、「表面」に「接合」された「銅板」（第１金属板）よりも「裏面」に「接合」された「銅板」（第２金属板）が薄い点。 （相違点２） 本件発明１では、積層体全体の湾曲形状が「平面視における中央部と外周部との間の中間部において上方向に湾曲した凸部を有しており、前記凸部の上端が、前記積層体の角部に近い部分において他の部分よりも上側に位置している」のに対し、引用発明１では、回路基板（本件発明１における「積層体」に相当する。）の全体の湾曲形状が特定されていない点。 （イ）判断 事案に鑑み、まず相違点２について検討する。 引用発明１では「うねり量は０であることが最も望ましい」のであって、うねり量を低減するため「ショットブラストによる機械的なうねり矯正を行って」「回路基板」を「製作」しているのである。 したがって、引用発明１において、回路基板（積層体）を積極的に湾曲させ、回路基板（積層体）全体の湾曲形状が「平面視における中央部と外周部との間の中間部において上方向に湾曲した凸部を有しており、前記凸部の上端が、前記回路基板（積層体）の角部に近い部分において他の部分よりも上側に位置している」ようにすることは、当業者に動機付けられないことである。 また、回路基板（積層体）全体の湾曲形状を上記相違点２に係る本件発明１のようにすることは、文献４、文献５に記載も示唆もされていない。 （ウ）まとめ よって、本件発明１は、相違点１について検討するまでもなく、文献１に記載された発明及び文献４、文献５に記載された技術に基いて当業者が容易になし得たものではない。 イ　本件発明３について 本件発明３に係る「電子装置」は、本件発明１と同じく「平面視における中央部と外周部との間の中間部において上方向に湾曲した凸部を有しており、前記凸部の上端が、前記積層体の角部に近い部分において他の部分よりも上側に位置している」「積層体」を備えた発明であるから、上記「ア」「（イ）」「（ウ）」に示した理由と同様の理由により、文献１に記載された発明及び文献４、５に記載された技術に基いて当業者が容易になし得たものではない。 ウ　まとめ 以上のとおり、本件発明１、３は、文献１に記載された発明及び文献４、５に記載された技術に基いて当業者が容易になし得たものではない。 （２）文献２を主引用例とした場合 ア　本件発明１について （ア）対比 本件発明１と引用発明２とを対比する。 ａ　引用発明２における「窒化珪素基板」は「窒化珪素基板４１上」の面と「底面」とを有するから、本件発明１における「上面および下面を有する絶縁基板」に相当する。 ｂ　引用発明２における「窒化珪素基板４１上」に「接合され」た、「『銅回路パターン４２』と『その外周部の４辺』の『外枠銅パターン４３ａ～４３ｄ』」（以下、「金属回路板」という。）が、本件発明１における「該絶縁基板の上面に接合された第１金属板」に相当する。 ｃ　引用発明２では、「銅回路パターン４２の厚さ０．５ｍｍ、外枠パターン４３の厚さ０．５ｍｍ、放熱銅板の厚さ０．４ｍｍであ」る。よって、引用発明２における「窒化珪素配線基板４の底面」に設けられた「放熱銅板１８」は、その厚みが「金属回路板」より薄いから、本件発明１における「前記絶縁基板の下面に接合されており、前記第１金属板よりも厚い第２金属板」とは、「前記絶縁基板の下面に接合されている第２金属板」の点で一致する。 しかしながら、本件発明１では、「第２金属板」が「第１金属板」よりも「厚い」のに対し、引用発明２では、「放熱銅板１８」は「金属回路板」より薄い点で相違する。 ｄ　引用発明２における「窒化珪素配線基板」は、「窒化珪素基板４１上」に「接合された」「金属回路板」と、「窒化珪素配線基板４の底面」に設けられた「放熱銅板１８」とを有しているから、積層体であることは明らかであって、本件発明１における「絶縁基板と、該絶縁基板の上面に接合された第１金属板と、前記絶縁基板の下面に接合され」た「第２金属板とからなる積層体」に相当する。 ｅ　引用発明２における「窒化珪素基板４１の大きさは、幅４５ｍｍ、長さ６５ｍｍであ」る。よって、引用文献２の図４を見るまでもなく、引用発明２における「窒化珪素配線基板」は「幅４５ｍｍ、長さ６５ｍｍ」の矩形状の平面視形状を有していることは明らかであって、本件発明１における「該積層体が、平面視において矩形状であ」ることに相当する。 ｆ　本件発明１では、積層体が「平面視における中央部と外周部との間の中間部において上方向に湾曲した凸部を有しており、前記凸部の上端が、前記積層体の角部に近い部分において他の部分よりも上側に位置している」のに対し、引用発明２における「窒化珪素配線基板４１」では、「窒化珪素配線基板４のそりは窒化珪素基板４１の対角線上１７で測定し、そりの形状６１は、窒化珪素基板４１の中心から対角線上１７に沿って両端の角部方向にやや離れた位置の辺りに局所的に上に凸となる部分がある」ものの、「窒化珪素配線基板４」の全体のそりの形状がどのようなものであるか、不明である点で相違する。 ｇ　引用発明２における「窒化珪素配線基板」が、本件発明１における「複合基板」に相当する。 上記「ａ」ないし「ｇ」より、本件発明１と引用発明２とは、次の一致点、相違点を有するものと認められる。 （一致点） 「上面および下面を有する絶縁基板と、 該絶縁基板の上面に接合された第１金属板と、 前記絶縁基板の下面に接合されている第２金属板とからなる積層体を備えており、 該積層体が、平面視において矩形状である、 複合基板。」 （相違点３） 本件発明１では、「第２金属板」が「第１金属板」よりも「厚い」のに対し、引用発明２では、「放熱銅板１８」は「金属回路板」より薄い点。 （相違点４） 本件発明１では、積層体全体の湾曲形状が「平面視における中央部と外周部との間の中間部において上方向に湾曲した凸部を有しており、前記凸部の上端が、前記積層体の角部に近い部分において他の部分よりも上側に位置している」のに対し、引用発明２では、「窒化珪素配線基板４」の全体のそりの形状がどのようなものであるか、不明である点。 （イ）判断 事案に鑑み、まず相違点４について検討する。 引用発明２は「金属回路板等の接合時の反り量を低減」することを目的とし（文献２の段落【０００９】参照。）、「そりの形状に局所的な凹凸がある場合」は「冷却用部材への接合する際に」「密着性が悪くなり、接合の信頼性もまた放熱性も低下する」（文献２の段落【００２７】参照。）との認識が示されている発明である。 よって、引用発明２において、窒化珪素配線基板（積層体）を積極的に湾曲させ、窒化珪素配線基板（積層体）全体の湾曲形状が「平面視における中央部と外周部との間の中間部において上方向に湾曲した凸部を有しており、前記凸部の上端が、前記窒化珪素配線基板（積層体）の角部に近い部分において他の部分よりも上側に位置している」ようにすることは、当業者に動機付けられないことである。 また、配線基板（積層体）全体の湾曲形状を上記相違点４に係る本件発明１のようにすることは、文献４、文献５に記載も示唆もされていない。 （ウ）まとめ よって、本件発明１は、相違点３について検討するまでもなく、文献２に記載された発明及び文献４、文献５に記載された技術に基いて当業者が容易になし得たものではない。 イ　本件発明２ないし４について 本件発明２に係る「複合基板」、本件発明３に係る「電子装置」、及び本件発明４に係る「電子モジュール」は、本件発明１と同じく「平面視における中央部と外周部との間の中間部において上方向に湾曲した凸部を有しており、前記凸部の上端が、前記積層体の角部に近い部分において他の部分よりも上側に位置している」「積層体」を備えた発明であるから、上記「ア」「（イ）」「（ウ）」に示した理由と同様の理由により、文献２に記載された発明及び文献４、５に記載された技術に基いて当業者が容易になし得たものではない。 ウ　まとめ 以上のとおり、本件発明１ないし４は、文献２に記載された発明及び文献４、５に記載された技術に基いて当業者が容易になし得たものではない。 （３）文献３を主引用例とした場合 ア　本件発明１について （ア）対比 本件発明１と引用発明３とを対比する。 ａ　引用発明３における「セラミックス基板」は、「両面」を有するから、本件発明１における「上面および下面を有する絶縁基板」に相当する。 ｂ　引用発明３における「セラミックス基板の両面」に「接合」された「銅板」と、本件発明１における「該絶縁基板の上面に接合された第１金属板」及び「前記絶縁基板の下面に接合されており、前記第１金属板よりも厚い第２金属板」とは、「該絶縁基板の上面に接合された第１金属板」及び「前記絶縁基板の下面に接合された第２金属板」の点で共通する。 しかしながら、本件発明１における「第２金属板」は「第１金属板」よりも「厚い」のに対し、引用発明３における「セラミックス基板の両面」に「接合」された「銅板」は等しい厚さである点で相違する。 ｃ　引用発明３における「セラミックス回路基板」は、「セラミックス基板の両面に」「銅板」を「接合」しているから、積層体であって、本件発明１における「上面および下面を有する絶縁基板と、該絶縁基板の上面に接合された第１金属板と、前記絶縁基板の下面に接合され」た「第２金属板とからなる積層体」に相当する。 ｄ　本件発明１では「該積層体が、平面視において矩形状であ」るのに対し、引用発明３における「セラミックス回路基板」は「積層体」（上記「ｃ」参照。）であるものの、平面視における形状が不明である点で相違する。 ｅ　本件発明１では、積層体が、「該積層体が、平面視において矩形状であり、平面視における中央部と外周部との間の中間部において上方向に湾曲した凸部を有しており、前記凸部の上端が、前記積層体の角部に近い部分において他の部分よりも上側に位置している」のに対し、引用発明３の「セラミックス回路基板」では、「銅板」に「ふくれが生じ」ているものの、「セラミックス回路基板」が湾曲することは示されていない点で相違する。 ｆ　引用発明３における、「両面」に「銅板」が「接合」された「セラミックス回路基板」が、本件発明１における「複合基板」に相当する。 上記「ａ」ないし「ｆ」より、本件発明１と引用発明３とは、次の一致点、相違点を有しているものと認められる。 （一致点） 「上面および下面を有する絶縁基板と、 該絶縁基板の上面に接合された第１金属板と、 前記絶縁基板の下面に接合された第２金属板とからなる積層体を備えている、 複合基板。」 （相違点５） 本件発明１における「第２金属板」は「第１金属板」よりも「厚い」のに対し、引用発明３における「セラミックス基板の両面」に「接合」された「銅板」は等しい厚さである点。 （相違点６） 本件発明１では、積層体全体における湾曲形状が、「該積層体が、平面視において矩形状であり、平面視における中央部と外周部との間の中間部において上方向に湾曲した凸部を有しており、前記凸部の上端が、前記積層体の角部に近い部分において他の部分よりも上側に位置している」のに対し、引用発明３では「セラミックス回路基板」の平面視における形状が不明であるだけでなく、「セラミックス回路基板」が湾曲することも示されていない点。 （相違点７） 本件発明１では「該積層体が、平面視において矩形状であ」るのに対し、引用発明３における「積層体」は、平面視における形状が不明である点。 （イ）判断 事案に鑑みて、まず、相違点６について検討する。 引用発明３は、「セラミックス基板と銅板との接合面にセラミックス基板あるいは銅板から発生したガスが密閉されて銅板の一部に微小なふくれが生じ、接合が不充分な箇所が発生するので、ふくれの上部を平坦化し、あるいはくぼみをもたせて半導体シリコンチップの搭載を可能ならしめた」ものである。 したがって、「セラミックス回路基板」全体の変形に基づく問題点は何ら認識されていないのであるから、「セラミックス回路基板」の「うねり」や「そり」に基づく問題点を解決課題とする文献１、文献２に記載された発明を適用する余地はない。 また、引用発明１、引用発明２に、本件発明１の積層体全体における上記湾曲形状が記載されていないことは、上記「（１）」「ア」「（ア）」、「（２）」「ア」「（ア）」に記載したとおりであるから、仮に引用発明１、引用発明２を引用発明３に適用したとしても、相違点６に係る本件発明１の構成とはならない。 さらに、文献４、文献５にも、本件発明１の積層体全体における上記湾曲形状は記載も示唆もされていない。 （ウ）まとめ よって、相違点５及び７について検討するまでもなく、本件発明１は、文献３に記載された発明及び文献１、文献２、文献４、文献５から当業者が容易になし得たものではない。 （４）進歩性についてのまとめ 以上のとおり、文献１を主たる証拠とし、文献４、文献５を従たる証拠としても、請求項１、３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものとはいえない。 また、文献２を主たる証拠とし、文献４、文献５を従たる証拠としても、請求項１ないし４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものとはいえない。 さらに、文献３を主たる証拠とし、文献１、文献２、文献４、文献５を従たる証拠としても、請求項１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものとはいえない。 ６　進歩性（特許法第２９条第２項）についての異議申立人の主張について （１）異議申立人は、文献１には「１－Ｄ）該積層体が、・・・平面視における中央部と外周部との間の中間部において上方向に湾曲した凸部を有しており、前記凸部の上端が、前記接合部の角部に近い部分において他の部分よりも上方に位置している」事項が記載されていることを前提として、請求項１、３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、請求項１、３に係る特許を取り消すべきものであると主張している。 しかしながら、異議申立人の主張の根拠は、文献１の段落【００３２】の「表１」に「回路基板の寸法」が「長さ６０ｍｍ×幅３６ｍｍ」である場合に、「うねり」が最大となる位置が（５ｍｍ，４ｍｍ）であって、回路基板の中心（０ｍｍ，０ｍｍ）から外れている点にあるが、「うねり」が最大となる１点の位置データのみから、引用発明１における基板全体の湾曲形状が、「平面視における中央部と外周部との間の中間部において上方向に湾曲した凸部を有しており、前記凸部の上端が、前記積層体の角部に近い部分において他の部分よりも上側に位置している」ことを導き出すことはできない。 よって、異議申立人の主張は、前提が誤っており、採用できない。 （２）異議申立人は、文献２には「該積層体が、・・・平面視における中央部と外周部との間の中間部において上方向に湾曲した凸部を有しており、前記凸部の上端が、前記積層体の角部に近い部分において他の部分よりも上方に位置している」事項が記載されていることを前提として、請求項１ないし４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、請求項１ないし４に係る特許を取り消すべきものであると主張している。 しかしながら、文献２において「窒化珪素配線基板４のそりは窒化珪素基板４１の対角線上１７で測定し」ているにすぎず、該対角線上のデータだけでは、窒化珪素配線基板４全体が、いったいどのように反っているのか特定することはできない。また、文献２の窒化珪素配線基板４において、「窒化珪素基板４１の中心から対角線上１７に沿って両端の角部方向にやや離れた位置の辺りに局所的に上に凸となる部分がある」ことが測定されたとしても、この測定結果のみから配線基板全体が「平面視における中央部と外周部との間の中間部において上方向に湾曲した凸部を有しており、前記凸部の上端が、前記積層体の角部に近い部分において他の部分よりも上側に位置している」と結論付けることもできない。 よって、異議申立人の主張は、前提が誤っており、採用できない。 ７　明確性要件（特許法第３６条第６項第２号）について （１）異議申立人は、本件発明１には「平面視における中央部と外周部との間の中間部」と記載されているが、本件特許発明１の記載からは、「中央部」、「外周部」、「中間部」が、それぞれ積層体のどこであるのか、明確でない、と主張している。 しかしながら、本件発明１は、積層体全体における湾曲の形状に関して、「上方向に湾曲した凸部」が、「平面視における中央部と外周部との間の中間部」にあることを特定した発明であるから、「中央部」、「外周部」、「中間部」がそれぞれ具体的に積層体のどこであるかは、本件発明１の特定とは無関係な事項である。 よって、異議申立人の主張は採用できない。 （２）異議申立人は、本件発明１には、「前記積層体の角部に近い部分において他の部分よりも上側に位置している」と記載されているが、「前記積層体の角部に近い部分」は、どの程度をもって「近い」とされているのか明確でなく、また、「近い」とは、絶対的に近いことを意味するのか、相対的に近い（「角部」から「近い部分」までの距離と「角部」から「他の部分」までの距離を比較して近い）ことを意味するのか、複数の解釈が採り得るため、明確で無いと主張している。 しかしながら、請求項１では、「上方向に湾曲した凸部」が「中間部」にあることを前提として、「前記凸部の上端が、前記積層体の角部に近い部分において他の部分よりも上側に位置している」と記載されているのであるから、「近い」の「程度」や、「近い」の定義が絶対的なものか相対的なものかといったことは、本件発明１の特定に必要のない事項である。 したがって、異議申立人の主張は採用できない。 （３）異議申立人は、「積層体が、・・・上方向に湾曲した凸部を有し・・・」との記載について、甲３発明のように、積層体の厚み方向の一部のみが湾曲して凸部を構成しても良いのか、積層体の厚み方向の全体が湾曲して凸部を構成するのか、明確で無いと主張している。 しかしながら、特許請求の範囲の記載が明確であるか否かと、特定の形態が本件特許の技術的範囲に含まれるか否かとは次元の異なる問題であるから、異議申立人が提示するような仮想事例についてまで、逐一、特許請求の範囲に含まれるか否かを記載しなければならないものではない。 よって、異議申立人の主張は採用できない。 （４）異議申立人は、「本件特許発明１に記載された『凸部』は、どの程度の凸部であるのか、明確でない。例えば、甲１発明に記載されたように、一般的に、接合体には、反応タイミングの差によりうねりが生じる。また、甲６号証に記載されたように、一般的に、半導体基板には、うねりが存在する。しかし、これらのうねりでは、例えば本件特許の段落【００２８】に記載されたような、実装時に積層体全体を平坦にするような変形を生じさせる効果が得られないことは明らかである」と主張している。 ここで、甲６号証には、次の記載がある（下線は、当審で付与した。）。 「【００２３】 本発明の半導体回路基板は、導体部の半導体素子搭載部の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．３μｍ以下であり、十点平均粗さＲｚｊｉｓで２．５μｍ以下であり、最大高さＲｚで２．０μｍ以下であり、かつ算術平均うねりＷａが０．５μｍ以下、であることを特徴とするものである。」 「【００２５】 導体部の半導体素子搭載部の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．３μｍ以下であり、十点平均粗さＲｚｊｉｓで２．５μｍ以下であり、最大高さＲｚで２．０μｍ以下であり、かつ算術平均うねりＷａが０．５μｍ以下であるということは、導体部の半導体素子搭載部の平坦性が非常に優れていることを意味する。」 よって、甲第６号証には「半導体回路基板は、導体部の半導体素子搭載部の表面の粗さ、最大高さ、うねりが小さく、平坦性が非常に優れている」ことが記載されている。 そこで検討すると、本件発明１は「凸部」の有る領域と「凸部の上端」の位置とを特定したことに特徴を有する発明であるから、「凸部」の高さの程度は本件発明１の前記特徴とは無関係である。 また、甲第１号証、甲第６号証の記載は、回路基板の表面の粗さ、最大高さ、うねりが小さく、平坦性が非常に優れていることが望ましいこと示しているにすぎないから、上記本件発明１の前記特徴についての記載が不明確であるとする根拠にはならない。 よって、異議申立人の主張は採用できない。 （５）以上のとおり、本件における特許を受けようとする発明（本件発明１ないし本件発明４）は明確であって、特許法第３６条第６項第２号の規定を満たすものである。 よって、請求項１ないし４に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号の要件を満たしていない特許出願に対してされたものではない。 ８　むすび したがって、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１ないし４に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に請求項１ないし４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。