2020-700897

特許第６７００３７０号発明「多結晶シリコンの収容治具および多結晶シリコンの製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第６７００３７０号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１、〔２、３〕について訂正することを認める。 特許第６７００３７０号の請求項２、３に係る特許を維持する。 特許第６７００３７０号の請求項１に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第６７００３７０号の請求項１～３に係る特許についての出願は、平成２７年９月１７日を出願日とする特願２０１５－１８４０６５号の一部を、平成３０年１１月１９日に特願２０１８－２１６１７８号として新たな特許出願としたものであって、令和２年５月７日に特許権の設定登録がされ、同年５月２７日に特許掲載公報が発行された。本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和 ２年１１月２４日 ：特許異議申立人 丸林 敬子（以下、「特許 異議申立人」という。）による請求項１～３ に係る特許に対する特許異議の申立て 令和 ３年 ３月 ９日付け：取消理由通知 同年 ５月１７日 ：訂正請求書及び意見書の提出（特許権者） 同年 ６月 ７日 ：手続補正書（方式）の提出（特許権者） 同年 ７月２３日 ：意見書の提出（特許異議申立人） 同年 ９月２８日付け：取消理由通知（決定の予告） 同年１１月１２日 ：訂正請求書及び意見書の提出（特許権者） 同年１２月２２日 ：手続補正書（方式）の提出（特許権者） 第２ 訂正の適否 １ 訂正の内容 令和３年１１月１２日にされた訂正の請求（以下、「本件訂正請求」という。）による訂正の内容は、以下の訂正事項(1)～(3)からなる（下線部は、訂正箇所を示す）。 なお、同年５月１７日にされた訂正の請求（以下、「先の訂正請求」という。）は、本件訂正請求がされたため、特許法第１２０条の５第７項の規定により取り下げられたものとみなす。 (1) 訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１を削除する。 (2) 訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２に 「前記揮発有機成分の総濃度は、直鎖状テトラデカン（ｎ－Ｃ14Ｈ30）を標準物質として定量された値である、請求項１に記載の多結晶シリコンの収容治具。」 と記載されているのを、 「多結晶シリコン塊を収容するプラスチック製（ＰＶＤＦを除く）の治具であって、 前記収容治具は、 Ｈｅガス雰囲気下において、２５０℃以上の温度で加熱した際に揮発する有機成分の濃度をガスクロマトグラフィー質量分析（ＧＣ－ＭＳ）法で定量した際の揮発有機成分の総濃度が２００ｐｐｍｗ以下であるプラスチックから成り、 前記揮発有機成分の総濃度は、直鎖状テトラデカン（ｎ－Ｃ14Ｈ30）を標準物質として定量された値である、多結晶シリコンの収容治具。」に訂正する。 当該請求項２を引用する請求項３についても同様に訂正する。 (3) 訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項３に 「請求項１または２に記載の収容治具に多結晶シリコン塊を収容し、該多結晶シリコン塊を清浄化する工程を備えている、多結晶シリコンの製造方法。」 と記載されているのを、 「請求項２に記載の収容治具に多結晶シリコン塊を収容し、該多結晶シリコン塊を清浄化する工程を備えている、多結晶シリコンの製造方法。」 (4) 一群の請求項について 訂正前の請求項１の記載を、請求項２、３が引用する関係にあるから、訂正前の請求項１～３は一群の請求項であるところ、本件の訂正事項１～３に係る特許請求の範囲の訂正は、特許法第１２０条の５第４項の規定に従い、この一群の請求項〔１～３〕を訂正の単位として請求されたものである。 ただし、請求項２、３についての訂正が認められる場合に、訂正後の請求項２、３は、一群の請求項である請求項１とは別の訂正単位とすることが求められている。 ２ 訂正要件（訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否について）の判断 (1) 訂正事項１について 訂正事項１は、請求項を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであり、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内においてしたものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 (2) 訂正事項２について 訂正事項２は、設定登録時の請求項２が請求項１を引用していたところ、引用関係を解消して請求項２を書き下した上で、「多結晶シリコン塊を収容するプラスチック製の治具であって、」の記載を「多結晶シリコン塊を収容するプラスチック製（ＰＶＤＦを除く）の治具であって、」と訂正するものであって、「プラスチック製の治具」の特定事項において、治具の材質であるプラスチックがＰＶＤＦである場合を除くものである。 そうすると、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」及び第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内においてしたものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 (3) 訂正事項３について 訂正事項３は、訂正事項１による請求項の削除に伴い選択的引用請求項の一部を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内においてしたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 (4) 独立特許要件について 特許異議の申立ては、本件訂正前の全ての請求項１～３についてされたものであるから、訂正事項１～３に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 ３ むすび 以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 そして、特許権者から、上記１(4)のとおり、訂正後の請求項２、３については、一群の請求項の他の請求項とは別の訂正単位とする求めがあったことから、訂正後の請求項２、３についての訂正は、請求項１とは別の訂正単位として扱う。 したがって、本件特許の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１、〔２、３〕について訂正することを認める。 第３ 本件発明 本件訂正が認められることは前記第２に記載のとおりであるので、本件特許の請求項２、３に係る発明（以下、それぞれ「本件発明２」、「本件発明３」といい、まとめて「本件発明」ということがある。）は、その特許請求の範囲の請求項２、３に記載された次の事項によって特定されるとおりのものである。 「【請求項２】 多結晶シリコン塊を収容するプラスチック製（ＰＶＤＦを除く）の治具であって、 前記収容治具は、 Ｈｅガス雰囲気下において、２５０℃以上の温度で加熱した際に揮発する有機成分の濃度をガスクロマトグラフィー質量分析（ＧＣ－ＭＳ）法で定量した際の揮発有機成分の総濃度が２００ｐｐｍｗ以下であるプラスチックから成り、 前記揮発有機成分の総濃度は、直鎖状テトラデカン（ｎ－Ｃ14Ｈ30）を標準物質として定量された値である、多結晶シリコンの収容治具。 【請求項３】 請求項２に記載の収容治具に多結晶シリコン塊を収容し、該多結晶シリコン塊を清浄化する工程を備えている、多結晶シリコンの製造方法。」 第４ 特許異議の申立ての理由及び証拠方法について １ 申立ての理由 特許異議申立人は、証拠方法として甲第１号証～甲第５号証（以下、「甲１」～「甲５」という。）を提出し、本件特許は、以下の申立理由１、２により取り消すべきものである旨主張している。 (1) 申立理由１（特許法第２９条第１項第３号） 設定登録時の請求項１、３に係る発明は、甲３～５に記載された技術事項を踏まえると、甲１に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないから、その特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 (2) 申立理由２（特許法第２９条第２項） 設定登録時の請求項１～３に係る発明は、甲２～５に記載された技術事項を踏まえると、甲１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ２ 証拠方法 甲１：特開平７－２４２４９４号公報 甲２：特表２０１０－５２８９５５号公報 甲３：特開２０００―２６６８７号公報 甲４：プラスチックス 2月号、“特集／ふっ素樹脂－ＰＶＤＦの特性と用途 開発”，日本プラスチック工業連盟誌，昭和60年2月1日、第36巻、第 2号，p.49－62 甲５：“ソレフ（R)（当審注：原文は、丸囲みのＲである。） ＰＶＤＦ デザインおよび加工ガイド”，ソルベイスペシャルティポリマーズジ ャパン株式会社，2016年 第５ 取消理由について 令和３年９月２８日付けの取消理由通知（決定の予告）で通知した取消理 由の概要は、次のとおりである。 先の訂正請求により訂正された請求項１、３に係る発明は、甲４に記載された技術事項を踏まえると、甲１に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないから、その特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 第６ 当審の判断 １ 取消理由（決定の予告）についての判断 本件特許の請求項１は、上記第２に記載したとおり、本件訂正請求による訂正により削除された。また、本件特許の請求項３は、請求項１、２を引用するものであったところ、同訂正により、取消理由（決定の予告）を通知していない請求項２のみを引用するものとなった。 したがって、当該取消理由による理由はない。 ２ 取消理由に採用しなかった特許異議申立ての理由についての判断 上記１のとおり、本件特許の請求項１は削除されたため、当該請求項１を引用する請求項３についての新規性欠如の申立理由１は解消したから、ここでは、本件発明２、３に対する進歩性欠如の申立理由２（特許法第２９条第２項）について判断する。 (1) 各証拠の記載事項 ア 甲１の記載事項 甲１には、以下の事項が記載されている。 １ａ「【請求項１】 シリコン片が収容された容器底部の中心部から洗浄液を導入し、容器の中心部では供給された洗浄液によってシリコン片が上昇すると共に容器内壁側ではシリコン片が自重によって沈降する緩やかな対流を容器内に形成して洗浄することを特徴とするシリコン片の洗浄方法。」 １ｂ「【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は、シリコン片を半導体用原料として再利用できる純度に洗浄することができるシリコン片の洗浄方法に関する。半導体用の多結晶シリコン棒は単結晶シリコンの原料として用いられ、多結晶シリコン棒を小塊に破砕し、これを溶融して単結晶シリコンを引上げる。この多結晶シリコン棒の破砕に伴って生じるシリコン片は、破砕の際に汚染されているため半導体原料としては使用されず、大部分はそのまま廃棄されており、太陽電池用原料などとして再利用されるものはごく僅かである。本発明はこのような従来、廃棄処分されていた破砕シリコン片を半導体原料として再利用できる純度に洗浄する方法を提供するものである。」 １ｃ「【０００３】 【発明の解決課題】通常、半導体原料として用いられるシリコンの表面汚染を除去するには、塩酸や硝酸などの水溶液を洗浄液として用い、酸洗浄を行う。多結晶シリコン棒の破砕によって生じたシリコン片についても、この酸洗浄によって表面汚染を一応除去することができるが、洗浄効果が不十分であり、半導体用原料としての純度が得られない。すなわち、この種の洗浄は、一般に、シリコン片を収容した洗浄容器に洗浄液を供給し、シリコン片を洗浄液に浸漬した状態で攪拌することによって行われるが、洗浄効果を高める目的で攪拌速度を上げ、あるいは攪拌時間を長くしても洗浄効果はそれほど向上せず、不純物を十分に除去することができない問題がある。また雰囲気からの不純物の混入を防止するために、クリーンブース内で操作を行っても同様である。本発明は、従来の洗浄方法における上記問題を解決するものであって、多結晶シリコンの破砕シリコン片を半導体原料として使用できる純度に洗浄する方法を提供するものである。」 １ｄ「【０００６】 【具体的な説明】多結晶シリコン棒は単結晶シリコン引上げ原料として使用する場合、２０～１２０mmの小塊（ナゲット）に破砕する。この破砕の際に１０mm以下の小片状のシリコンが生じる。本発明の洗浄方法は主に多結晶シリコン棒を破砕する際に生じるこのシリコン片を対象とするが、破砕シリコン片に限らず端部が鋭利なシリコン片の洗浄について効果がある。上記シリコン片は洗浄容器に収容され、洗浄液が供給される。洗浄容器はその内部で洗浄液の緩やかな対流を形成するために筒状であって底部が漏斗状のものが好ましい。さらに洗浄容器はその底部に洗浄液の給液口を有し、上部に排液口を有するものが用いられる。洗浄液は、半導体原料用シリコンの洗浄に通常用いるものであれば良く、例えば酸洗浄には、塩酸、硝酸、弗酸と硝酸の混酸などの水溶液が用いられる。洗浄液の酸濃度は適宜定められる。また水洗浄には純水が用いられる。」 １ｅ「【００１１】シリコン片２０は洗浄容器１に収容され、給液口３を通じて洗浄液が供給される。洗浄液は所定の酸濃度になるように各タンク７、９、１１から塩酸または混酸が供給される。洗浄容器内部で、洗浄液は図示するように緩やかな対流を形成し、シリコン片２０はこの流れに従って容器中央部では上昇し、容器内壁側では自重によって沈降する。洗浄液の量が増加するのに伴い、洗浄液は容器頭部の排液口２から溢流し、管路８を通じて外部に排出され、あるいは塩酸タンクや混酸タンクに戻される。また洗浄後のシリコン片２０は洗浄水によってストッカー４に送り出され、脱水後、ストッカー４に収容した状態で乾燥設備に送られる。因みに、上記洗浄装置の材質は２フッ化テフロン(PVDF)などが好ましい。装置材料として常用される塩化ビニルは好ましくない。塩化ビニルは含有されている安定化剤の金属化合物が硝酸によって溶出し汚染源となる。」 イ 甲２の記載事項 ２ａ「【請求項１】 充填装置を用いて多結晶シリコンを、懸吊された成形済みのバッグに充填し、前記充填されたバッグを引き続き密閉する、多結晶シリコンを包装する方法において、前記バッグは１０～１０００μｍの壁厚を有する高純度プラスチックからなることを特徴とする、多結晶シリコンを包装する方法。」 ２ｂ「【００２０】 低汚染の材料とは、本発明の範囲内で、ポリシリコンとの接触後に前記ポリシリコンの表面を高くても次の程度に汚染する材料であると解釈される：金属は表２に記載された数値よりも１０倍、有利に５倍、特に有利に１倍以下；ドーパント値のホウ素、リン、ヒ素、アンチモンは１０ｐｐｔａよりも低く、有利に２ｐｐｔａよりも低く；炭素は３００ｐｐｔｗよりも低い。 【００２１】 この汚染は、「材料との接触後のＳｉ破砕物の汚染」引く「材料との接触前のＳｉ破砕物の汚染」の差により算出される。高純度プラスチックとは、有利にポリエチレン（ＰＥ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）又はポリプロピレン（ＰＰ）である。 【００２２】 高純度とは、有利に、プラスチックがバルク内で及び表面上に、帯電防止剤、例えばＳｉＯ2、又は離型剤、例えば長鎖有機化合物（例えばエルカミド）の添加物を含有しないことであると解釈される。」 ウ 甲３の記載事項 ３ａ「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、熱安定性（特に初期着色性）に対して安定性良好なポリ塩化ビニル樹脂系組成物に関するものであり、詳しくは配合組成中にＺｎ，Ｃｄ，Ｂａ，Ｓｎ等の重金属を含有しないポリ塩化ビニル樹脂用安定化剤及びポリ塩化ビニル樹脂系組成物に関する。 【０００２】 【従来の技術】ポリ塩化ビニル樹脂は、熱・光に対して不安定な樹脂であり、特に成形加工の際に主として脱塩化水素に起因した熱分解等によって着色劣化を起こしやすい。この成形加工時の熱等による劣化要因の除去または低減化のために安定剤の添加が必用とされている。 【０００３】従来、鉛系，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃａ等の複合金属石けん系，有機錫系等の安定剤が用いられてきており、さらに、エポキシ化合物、有機亜リン酸エステル化合物、β－ジケトン化合物、多価アルコール化合物、含窒素化合物等が併用して用いられてきた。」 ３ｂ「【０００５】例えば半導体製造設備（洗浄設備、エッチング装置等）関係では、その工程中で種々の処理をしなければならず、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｚｎなどの重金属化合物を安定剤として含むポリ塩化ビニル樹脂は、工程中でこれら金属が溶出して電子部品等に悪影響を及ぼすことになる。このため、半導体製造設備用の樹脂組成物中には重金属が含まれていないことが望まれている。」 エ 甲４の記載事項 甲４は、フッ素樹脂の中でも特に成形性に優れたフッ化ビニリデン樹脂製品である「カイナー“ＫＹＮＡＲ・ＰＶＤＦ＝ポリビニリデンフルオライト」や「Ｓｏｌｅｆ（ソーレフ）」などについて解説されたものであり、超純水による抽出試験によって金属及び非金属イオンはほとんど検出されないことや、後者については、安定剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤を含んでいないため、過酸化水素などの薬液に耐性があり、薬液や超純水を汚染しないことなどが記載されている。 オ 甲５の記載事項 甲５は、本件特許の出願後に公知となった文献ではあるが、甲４に記載のフッ化ビニリデン製品である「Ｓｏｌｅｆ」の物性について明らかにするために提出されたものであり、同文献には、高純度のグレードのものは、純度１００％のポリマーからなり、また、ソレフＰＶＤＦの溶出試験では、溶出した物質の濃度が検出限界未満であったことなどが記載されている。 (2) 甲１に記載された発明 記載事項１ａ～１ｅから、甲１には、次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。 「シリコン片を洗浄する容器であって、前記洗浄容器の材質は２フッ化テフロン（ＰＶＤＦ）からなる、シリコン片の洗浄容器。」 (3) 対比・判断 ア 本件発明２について （ア）本件発明２と甲１発明との対比 甲１発明の「シリコン片」は、本件発明２の「多結晶シリコン塊」に相当する。 甲１発明の「２フッ化テフロン（ＰＶＤＦ）」は、プラスチックの一種である。 そして、甲１発明の「容器」及び「洗浄容器」は、それぞれ本件発明１の 「治具」及び「収容治具」に相当する。 以上のことから、本件発明２と甲１発明とは、 「多結晶シリコン塊を収容するプラスチック製の治具。」 である点で一致し、以下の点で相違している。 （イ）相違点 本件発明２に係るプラスチック製の収容治具は、「ＰＶＤＦを除く」ものであって、さらに「Ｈｅガス雰囲気下において、２５０℃以上の温度で加熱した際に揮発する有機成分の濃度をガスクロマトグラフィー質量分析（ＧＣ－ＭＳ）法で定量した際の揮発有機成分の総濃度が２００ｐｐｍｗ以下であるプラスチックから成り、前記揮発有機成分の総濃度は、直鎖状テトラデカン（ｎ－Ｃ14Ｈ30）を標準物質として定量された値である」ことが特定されているのに対して、 甲１発明は、収容容器が２フッ化テフロン（ＰＶＤＦ）であり、揮発有機成分の総濃度は明らかでない点。 （ウ）相違点についての判断 上記のとおり、本件発明２に係るプラスチック製の収容治具は、その材質として「ＰＶＤＦを除く」ものであるから、本件発明２は、収容容器が２フッ化テフロン（ＰＶＤＦ）であることを規定する甲１発明を含まない。また、甲１の記載事項１ｅによれば、安定化剤の金属化合物が硝酸によって溶出し汚染源となることから、洗浄容器の材質として、２フッ化テフロン（ＰＶＤＦ）などが好ましいとされているところ、この安定化剤の金属化合物の溶出に関する記載のみをもって、２フッ化テフロン（ＰＶＤＦ）と同等の洗浄容器として好適なプラスチックとして、上記相違点に係る本件発明２の、加熱した際の揮発有機成分の総濃度による規定を充足する「プラスチック」が想定されているとまでは言い難い。 そうすると、上記相違点は、本件発明２と甲１発明との実質的な相違点であるし、また、当該相違点に係る、本件発明２の上記「プラスチック」を用いることが、甲１において示唆されているともいえない。 次に、記載事項２ａ、２ｂによると、甲２は、多結晶シリコンを包装するための高純度プラスチックからなるバッグについて記載するものであるが、当該高純度プラスチックについて、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート及びポリプロピレンが例示されているにすぎず、上記相違点に係る本件発明２の特定事項を示唆するものではない。 記載事項３ａ、３ｂによると、甲３は、半導体製造設備などに用いるポリ塩化ビニル樹脂は、Ｚｎなどの重金属化合物を含有すると金属が溶出すると電子部品等に悪影響を及ぼすことが記載され、さらに、甲４、甲５は、ＰＶＤＦ製品についてその物性などが記載されているものであるが、いずれも、上記相違点に係る本件発明２の特定事項を何ら示唆するものではない。 したがって、本件発明２は、甲１に記載された発明及び甲２～５に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 イ 本件発明３について 本件発明３は、本件発明２を引用するものであって、本件発明２に係る多結晶シリコンの収容治具を用いる多結晶シリコンの製造方法の発明であるから、本件発明２の発明特定事項をすべて備えたものである。 そうすると、本件発明３は、甲１に記載された発明及び甲２～５に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。 (4）小括 以上のとおりであるから、申立理由２は、理由がない。 ３ 特許異議申立人の意見について 特許異議申立人は、令和３年７月２３日付けの意見書において、本件発明２について、以下のように主張する。 甲１には、洗浄装置の材質は２フッ化テフロン（ＰＶＤＦ）などが好ましいと記載されているだけであり、他の材料の使用を阻害するものではなく、不純物の含有量が２フッ化テフロン（ＰＶＤＦ）と同程度であれば、洗浄装置の材質として使用することを容易に理解できる。そして、例えば、上記意見書に添付した参考資料１（三井化学株式会社、「ＡＵＲＵＭ」カタログ、２０１２年８月１０日）には、半導体製造装置用途の高純度ポリイミド樹脂（ＡＵＲＵＭ）や非熱可塑性ＰＩ（ポリイミド樹脂）は、アウトガス量が少ないことが示されているから、甲１発明の２フッ化テフロン（ＰＶＤＦ）から高純度ポリイミド樹脂（ＡＵＲＵＭ）や、同様にアウトガス量の少ない樹脂に変更することは、当業者にとって容易である。 そこで、上記主張について検討すると、上記２(3) ア（ウ）で検討したとおり、甲１発明の洗浄容器の材料として、単に汚染源とならない程度の記載のみをもって、本件発明で特定した「プラスチック」を想定しているとはいえず、また、上記参考資料１に記載の樹脂は、単に半導体製造用途と記載されているのみであり、本件発明のような多結晶シリコンの収容治具の用途を示唆しているとはいえない。 よって、申立人の主張は採用できない。 第７ むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載された特許異議申立理由によっては、本件特許の請求項２、３に係る特許を取消すことはできない。 また、他にこれらの特許を取り消すべき理由を発見しない。 そして、請求項１は本件訂正により削除されたので、請求項１に係る特許異議の申立ては、申立ての対象が存在しないものとなったから、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。