2019-800092

上記当事者間の特許第４８２４８２３号発明「アミノシラン、シリコン含有膜の形成用前駆体、シリコン含有膜の形成用組成物」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。 審判費用は、請求人の負担とする。

理 由 第１ 手続の経緯 本件無効審判に係る特許第４８２４８２３号（以下、「本件特許」という。）は、バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー（以下、「被請求人」という。）が保有するものであり、その請求項１～７に係る発明についての出願は、平成１８年５月１５日（パリ条約による優先権主張 ２００５年５月１６日 （ＵＳ）アメリカ合衆国）に、特許法第３６条の２第１項の規定により出願された外国語書面出願である特願２００６－１３５３１３号の一部を、平成２２年１月７日に、同法第４４条第１項及び同法第３６条の２第１項の規定により新たな外国語書面出願とした特願２０１０－２２４５号であって、その後の特許権設定登録までの手続きの経緯は、概略、以下のとおりである。 平成２２年 ２月 ８日 ：外国語書面の翻訳文及び手続補正書の提出 同年１１月 １日 ：手続補正書の提出 平成２３年 ７月 ８日 ：手続補正書の提出 同年 ９月１６日 ：特許権の設定登録 これに対して、ユーピー ケミカル カンパニー リミテッド（以下、「請求人」という。）から、令和１年１０月３１日付けで請求項１～７に係る発明の特許について、本件無効審判の請求がされたものであり、その後の手続きの経緯は、概略、以下のとおりである。 令和 １年１２月２７日付け：答弁指令 令和 ２年 ３月２７日 ：上申書（被請求人）の提出 同年 ３月３１日付け：通知書（上申書に基づく答弁書提出期間の 職権による延長） 同年 ４月２０日 ：審判事件答弁書の提出 同年 ６月１５日 ：手続補正書（方式）（被請求人）の提出 同年１０月１３日付け：通知書（口頭審尋における審尋事項） 同年１２月 ４日 ：上申書（請求人）の提出 同年１２月 ４日 ：陳述要領書（被請求人）の提出 同年１２月 ９日 ：上申書（請求人）の提出 同年１２月１８日 ：口頭審尋（テレビ会議システムによる） 令和 ３年 １月２９日 ：上申書（請求人）の提出 同年 １月２９日 ：上申書（被請求人）の提出 同年 ３月２３日付け：審決の予告 同年 ６月３０日 ：上申書（被請求人）の提出 同年 ８月２４日付け：審尋（請求人） 同年 ９月１０日 ：上申書（請求人）の提出 同年 ９月１４日付け：通知書（上申書に基づく回答書提出期間の 職権による延長） 同年１０月２０日 ：回答書（請求人）の提出 同年１０月２０日 ：上申書（請求人）の提出 同年１１月 １日 ：上申書（請求人）の提出 同年１１月１２日 ：上申書（請求人）の提出 同年１２月 １日 ：上申書（被請求人）の提出 同年１２月１０日 ：上申書（被請求人）の提出 令和 ４年 ２月 １日付け：審尋（請求人及び被請求人） 同年 ３月 ４日 ：回答書（被請求人）の提出 同年 ３月 ７日 ：回答書（請求人）の提出 第２ 本件発明 本件特許の請求項１～７に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」～「本件発明７」、まとめて「本件発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１～７に記載された事項により特定される次のとおりのものと認める。 「【請求項１】 以下の式により示されるアミノシラン。 【化１】 ［図：0001406977000001.jpg］ 【請求項２】 シリコン含有膜の形成に用いられ、以下の式により示される前駆体。 【化２】 ［図：0001406977000002.jpg］ 【請求項３】 前記シリコン含有膜の形成は、化学気相成長による請求項２記載の前駆体。 【請求項４】 前記化学気相成長は、原子層堆積である請求項３記載の前駆体。 【請求項５】 以下の式により示されるジイソプロピルアミノシランを含むシリコン含有膜形成用の組成物。 【化３】 ［図：0001406977000003.jpg］ 【請求項６】 前記シリコン含有膜の形成は、化学気相成長による請求項５記載の組成物。 【請求項７】 前記化学気相成長は、原子層堆積である請求項６記載の組成物。」 第３ 両当事者の主張及び証拠方法 １ 両当事者の主張の概要 （１）請求の趣旨 特許第４８２４８２３号の特許請求の範囲の請求項１～７に記載された発明についての特許を無効とする、審判費用は被請求人の負担とする、との審決を求める。 （２）答弁の趣旨 本件の審判の請求は成り立たない、審判費用は請求人の負担とする、との審決を求める。 ２ 証拠方法 両当事者から提出された証拠方法は、以下のとおりである（以下、甲第１号証を「甲１」、乙第１号証を「乙１」などと略して記載する。）。 （１）請求人から提出された書証 ア 審判請求書に添付して提出された書証 甲１：特開２０００－１９５８０１号公報 甲２：「日本工業規格 ドライプロセス表面処理用語 ＪＩＳ Ｈ ０２１ １」，財団法人日本規格協会，平成５年１月３１日，ｐ．１３～１６ 甲３：特開２００３－７７００号公報 甲４：特開平６－１３２２８４号公報 甲５：特開２００７－５１３６３号公報 甲６：特表２００４－５２９４９５号公報 甲７：株式会社ソシオネクスト所属 落水洋聡及び田中均による「陳述書」 ，令和１年９月１３日 甲８の１：東京大学名誉教授 越光男による「陳述書」，令和１年９月１９ 日 甲８の２：越光男の「履歴書」，２０１９年４月 甲９：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ，１９７９ 年，Ｖｏｌ．１２，Ｎｏ．１，ｐ．１２～１６ また、甲９については、その抄訳が提出されている。 イ 令和２年１２月４日提出の上申書（請求人）に添付して提出された書証 甲１０：ＳＴＮのＣＡＳ登録番号１４００８６５－０７－７のＲＥＧＩＳＴＲＹファイル，一般社団法人化学情報協会 甲１１：Ｐｉｅｔ－Ｊａｎ Ｓｉｎｎｅｍａ，Ｃａｒｂｏｎ－Ｂｒｉｄｇｅ ｄ Ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｙｌ Ａｍｉｄｏ Ｇｒｏｕｐ ４ Ｍｅｔａｌ Ｃｏｍｐｌｅｘｅｓ，オランダ国フローニンゲン 大学博士論文，１９９９年，ｐ．１１９～１５１ 甲１２：Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔ ｙ Ａ；Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ，Ｐｈｙｓｉｃａｌ，ａｎｄ Ｔｈｅ ｏｒｅｔｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１９６７年，ｐ．６５２ ～６５５ 甲１３：Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔ ｙ Ａ；Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ，Ｐｈｙｓｉｃａｌ，ａｎｄ Ｔｈｅ ｏｒｅｔｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１９６７年，ｐ．１９１ ８～１９２１ 甲１４：Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔ ｙ Ａ；Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ，Ｐｈｙｓｉｃａｌ，ａｎｄ Ｔｈｅ ｏｒｅｔｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１９６９年，ｐ．６３６ ～６３８ 甲１５：Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔ ｙ，Ｄａｌｔｏｎ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ，１９８９年，ｐ． ７７９～７８３ 甲１６：Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ，１９８７年，Ｖｏｌ．１５８，ｐ．３３９～３４６ 甲１７：Ｒｏｂｅｒｔ Ｊ．Ｏｕｅｌｌｅｔｔｅ著，「ウーレット有機化学 」，第１版，株式会社化学同人，２００２年１０月３０日，ｐ．２ ２２～２２３ 甲１８：株式会社ジェイアイテック所属 イ・ジュヨン作成の「実験報告書 」，２０２０年１１月１９日 甲１９：米国特許出願公開第２０１２／０２７７４５７号明細書 甲２０：米国特許出願公開第２０１５／０２４６９３７号明細書 甲２１：「化学辞典」，第１版，株式会社東京化学同人，１９９４年１０月 １日，ｐ．１６４～１６５，５５８～５６１，１２６２～１２６３ 甲２２：Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ，１９９８ 年，Ｖｏｌ．１９５，ｐ．５８～６２ 甲２３：特開平１１－１７２４３９号公報 甲２４：ビス（ジエチルアミノ）シランの安全データシート，Ｅｎｔｅｇｒ ｉｓ，Ｉｎｃ．，２０１９年１１月６日，ｐ．１，６ 甲２５：特開２００４－１８７４５号公報 甲２６：特公平７－１０９５４号公報 また、甲１２～１６、１８～２０、２２については、その抄訳が提出されている。 ウ 令和２年１２月９日提出の上申書（請求人）に添付して、甲１１の抄訳が提出された。 エ 令和３年１月２９日提出の上申書（請求人）に添付して提出された書証 甲２７：Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃ ａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，１９５４年９月２０日，Ｖｏｌ．７６，Ｎ ｏ．１８，ｐ．４６３１～４６３６ 甲２８：Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔ ｙ，１９６０年８月，ｐ．３４１５～３４１６ 甲２９：「化学大辞典 ９」，縮刷版 第３８刷，共立出版株式会社，２０ ０３年１０月１日，ｐ．４７６ 甲３０：ユーピーケミカル社技術研究所所属 キム・ジンシクによる「陳述 書」及び「実験報告書」，２０２１年１月２６日 甲３１：株式会社ジェイアイテク所属 イ・ジュヨン作成の「実験報告書」 ，２０２１年１月２１日 また、甲２７、２８、３０、３１については、その訳文又は抄訳が提出されている。 更に、令和２年１２月１８日の口頭審尋で請求人が使用した資料が提出されている。 オ 令和３年１０月２０日提出の回答書（請求人）に添付して提出された書証 甲３２：特許第５６５０５８９号公報 甲３３：特許第６６６２５７９号公報 甲３４：特許第６１００７３４号公報 甲３５：「３ＭＳＴＭ Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ」のカタログ， Ａｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ，Ｉｎｃ ．，２００６年 甲３６：Ａｎｄｒｅｗ Ｓｔｒｅｉｔｗｉｅｓｅｒ，Ｊｒ．ａｎｄ Ｃｌａ ｙｔｏｎ Ｈ．Ｈｅａｔｈｃｏｃｋ著，「Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏ ｎ ｔｏ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ」，第３版，Ｍａ ｃｍｉｌｌａｎ Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｃｏｍｐａｎｙ，１９８ ５年，ｐ．１６０、１６１、１６６～１６９ 甲３７：Ｊｏｈｎ ＭｃＭｕｒｒｙ著，「マクマリー有機化学（下）」，第 ６版，株式会社東京化学同人，２００５年３月２９日，ｐ．９４１ ～９４５ 甲３８：Ｊｏｈｎ ＭｃＭｕｒｒｙ著，「マクマリー有機化学（下）」，第 ７版，株式会社東京化学同人，２００９年３月２６日，ｐ．９０４ ～９０７ 甲３９：韓国化学研究院所属 チョン・テッグモによる「意見書」，２０２ １年１０月１５日 甲４０：Ｊ．Ｔ．Ｓｈａｒｐ，Ｉ．Ｇｏｓｎｅｙ ａｎｄ Ａ．Ｇ．Ｒｏｗ ｌｅｙ著，「Ｐｒａｃｔｉｃａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓ ｔｒｙ， Ａ ｓｔｕｄｅｎｔ ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ ｔｅｃ ｈｎｉｑｕｅｓ」，Ｃｈａｐｍａｎ ａｎｄ Ｈａｌｌ Ｌｔｄ． ，１９８９年，ｐ．２２～４１ 甲４１：Ａｌｄｒｉｃｈｉｍｉｃａ Ａｃｔａ，１９８６年，Ｖｏｌ．１９ ，Ｎｏ．２，ｐ．３１～４１ 甲４２：Ｐｒａｄｙｏｔ Ｐａｔｎａｉｋ著，「Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ」，ＭｃＧｒａｗ－Ｈｉ ｌｌ Ｃｏｍｐａｎｉｅｓ，Ｉｎｃ．，２００３年，ｐ．６２１～ ６２３ 甲４３：ニッケルカルボニルの安全データシート，２００６年３月１３日， 職場のあんぜんサイト，［検索日：２０２１年１０月３日］，イン ターネット＜ＵＲＬ：https://anzeninfo.mhlw.go.jp/anzen/gmsds /0049.html＞ 甲４４－１：ジイソプロピルアミンの国際化学物質安全性カード ＩＣＳＣ ０４４９，［検索日：２０２１年１０月３日］，インターネ ット＜ＵＲＬ：https://www.ilo.org/dyn/icsc/showcard.disp lay?p_lang=ja&p_card_id=0449&p_version=2＞ 甲４４－２：ウェイバックマシンに保存された甲４４－１に関連するウェブ 情報，［検索日：２０２１年１０月３日］，インターネット＜ ＵＲＬ：https://web.archive.org/web/20010502112312/https :/hazard.com/msds/mf/cards/file/0449.html＞ 甲４５：「化学大辞典 ３」，縮刷版 第３８刷，共立出版株式会社，２０ ０３年１０月１日，ｐ．２４４ 甲４６：Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， １９８５年，Ｖｏｌ．８９，Ｎｏ．５，ｐ．８１２～８１５ 甲４７：Ｄ．Ｆ．Ｓｈｒｉｖｅｒ ａｎｄ Ｍ．Ａ．Ｄｒｅｚｄｚｏｎ著， 「Ｔｈｅ Ｍａｎｉｐｕｌａｔｉｏｎ ｏｆ Ａｉｒ－ｓｅｎｓｉ ｔｉｖｅ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ Ｓｅｃｏｎｄ Ｅｄｉｔｉｏｎ」 ，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．，１９８６年， ｐ．７～１１、９９～１０３ 甲４８：特許第４７１８５１５号公報 また、甲３５、３６、３９～４２、４４－２、４６、４７については、その抄訳が提出されている。 カ 令和３年１０月２０日提出の上申書（請求人）に添付して、甲２７の抄訳が提出された。 キ 令和３年１１月１日提出の上申書（請求人）に添付して提出された書証 甲４９：東京大学大学院薬学系研究科教授 金井求による「意見書」，令和 ３年１０月２９日 ク 令和３年１１月１２日提出の上申書（請求人）に添付して提出された書証 甲５０：京都大学大学院工学研究科教授 中尾佳亮による「意見書」，令和 ３年１１月１０日 甲５１：Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，１９８８年，Ｖｏｌ．４４，Ｎｏ．１３ ，ｐ．３９９７～４００７ 甲５２：Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ，Ｓｕｌｆｕｒ，ａｎｄ Ｓｉｌｉｃｏｎ， １９９３年，Ｖｏｌ．７９，ｐ．６５～６８ 甲５３：Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１９９７年，Ｖｏｌ． ３６，Ｎｏ．９，ｐ．１７５８～１７６３ また、甲５１～５３については、その抄訳が提出されている。 ケ 令和４年３月７日提出の回答書（請求人）に添付して提出された書証 甲５４：Ｊｏｈｎ ＭｃＭｕｒｒｙ著，「マクマリー有機化学（上）」，第 ６版，株式会社東京化学同人，２００５年３月７日，ｐ．３５８～ ３７２ （２）被請求人から提出された書証 ア 審判事件答弁書に添付して提出された書証 乙１－１：ＣＡＳ Ｉｎｖｅｎｔｏｒｙ Ｅｘｐｅｒｔ Ｓｅｒｖｉｃｅ所 属 Ｊｅｎｎｉｆｅｒ Ｍｏｏｒｅ作成の「レター」，２００６ 年９月２７日 乙１－２：エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド 所属 Ｄｏｎｎａ Ｒｅｙｎｏｌｄｓ及びＥｕｇｅｎｅ Ｋａｒ ｗａｃｋｉが作成したＣＡＳ Ｉｎｖｅｎｔｏｒｙ Ｅｘｐｅｒ ｔ Ｓｅｒｖｉｃｅ宛の「ＦＡＸ」，２００６年９月２６日 乙２：知財高裁平成３０年４月１３日大合議判決（平成２８年（行ケ）第１ ０１８２号、同第１０１８４号） 乙３：知財高裁平成２２年８月１９日判決（平成２１年（行ケ）第１０１８ ０号） 乙４：知財高裁平成２０年４月２１日判決（平成１９年（行ケ）第１０１２ ０号） 乙５：「特許・実用新案審査基準」，第ＩＩＩ部第２章第３節３．１．１（ １） 乙６：特許出願 平１０－３６６８５４（公開２０００－１９５８０１）の 出願情報を示した、特許情報プラットフォームのウェブページ，独立 行政法人工業所有権情報・研修館，インターネット＜ＵＲＬ： https ://www.j-platpat.inpit.go.jp/h0000＞ 乙７：「特許・実用新案審査基準」，第ＩＩＩ部第２章第４節３．１．３（ １） 乙８：「化学大辞典」，第１版 第１刷，株式会社東京化学同人，１９８９ 年１０月２０日，ｐ．１６８ 乙９：「有機化学用語事典」，初版，株式会社朝倉書店，１９９０年９月２ ０日，ｐ．４４ 乙１０：廖 春栄著，「最新 全有機化合物名称のつけ方」，最新版，三共 出版株式会社，１９９９年３月１０日，ｐ．５９ 乙１１：「化学大辞典 ６」，縮刷版 第１刷，共立出版株式会社，１９６ ３年１２月１５日，ｐ．９４３ 乙１２：特願２０１０－００２２４５に対する「特許メモ」 乙１３：麻蒔 立男著，「薄膜作成の基礎」，第４版，日刊工業新聞社，２ ００５年７月２５日，ｐ．２４９～２５１ 乙１４：麻蒔 立男著，「今日からモノ知りシリーズ トコトンやさしい薄 膜の本」，初版，日刊工業新聞社，２００２年８月３１日，ｐ．１ １０～１１１ また、乙１－１、１－２については、令和２年６月１５日付け手続補正書（方式）により、その抄訳が提出されている。 イ 令和２年１２月４日提出の陳述要領書（被請求人）に添付して提出された書証 乙１５：西久保 靖彦著，「図解入門よくわかる最新半導体の基本と仕組み 」，第１版，株式会社秀和システム，２００３年３月６日，ｐ．１ ５６～１５７ 乙１６：応用物理，１９８５年，第５４巻，第１２号，ｐ．１２５０～１２ ６６ 乙１７：特開２００６－２６９５８０号公報 乙１８：草野 英二著，「はじめての薄膜作製技術」，初版，株式会社工業 調査会，２００６年３月２０日，ｐ．１３４，１３６～１３８，表 ５．１ 乙１９：特開２０００－７７４０３号公報 乙２０：特開２００３－７７００号公報 乙２１：ＡＬＤの原理を示したウェブページ，ＡＬＤ Ｊａｐａｎ，Ｉｎｃ ．，インターネット＜ＵＲＬ：https://aldjapan.com/%E5%8E%9F%E 7%90%86/＞ 乙２２：特開平１１－１７２４３９号公報 ウ 令和３年１月２９日提出の上申書（被請求人）に添付して提出された書証 乙２３：応用物理，２０００年，第６９巻，第８号，ｐ．９５６～９６４ 乙２４：原子層成長法プロセスを示したウェブページ，国立研究開発法人産 業技術総合研究所，インターネット＜ＵＲＬ：http://www.monozuk uri.org/mono/dbdmrc/pvdcvddb/outline/process/ale.html＞ 乙２５：応用物理，１９９４年，第６３巻，第７号，ｐ．６８２～６９１ 乙２６：令和２年１２月１８日の口頭審尋で被請求人が使用した資料 エ 令和３年６月３０日提出の上申書に添付して提出された書証 乙２７：東北大学教授 秩父重英による「鑑定書」，令和３年６月１４日 乙２８：Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ ｙｓｉｃｓ，１９８９年，Ｖｏｌ．２８，Ｎｏ．８，ｐ．１２９８ ～１３０６ 乙２９：Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌ ｓ，１９９２年，Ｖｏｌ．２１，Ｎｏ．３，ｐ．３０５～３１５ 乙３０：Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，１９９２年， Ｖｏｌ．６０，Ｎｏ．４，ｐ．４８９～４９１ 乙３１：特開平７－３２１０４１号公報 乙３２：Ｈｕｇｈ Ｏ．Ｐｉｅｒｓｏｎ著，「Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｃ ｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＣＶＤ） Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ，Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ａｎｄ Ａｐｐｌ ｉｃａｔｉｏｎｓ」，第２版，Ｎｏｙｅｓ Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏ ｎｓ，１９９９年，ｐ．７４、８７～８９、１１６～１１７ 乙３３：日本金属学会誌，１９９６年，第６０巻，第８号，ｐ．７５１～７ ５６ 乙３４：東亞合成研究年報，２００１年，第４号，ｐ．１９～２４ 乙３５：韓国公開特許第１０－２０１４－００９３９１５号公報 乙３６：Ｖｅｒｓｕｍ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社所属 Ｘｉｎｊｉａｎ Ｌｅ ｉによる「Ｄｅｃｌａｒａｔｉｏｎ」及び「Ｓｅａｒｃｈ Ｒｅｐ ｏｒｔ」，令和３年６月２３日 乙３７：Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ａｎｄ Ｎｕｃｌｅ ａｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１９５６年，Ｖｏｌ．２，ｐ．３２５ ～３２９ 乙３８：群馬大学大学院理工学府教授 久新荘一郎による「意見書」，令和 ３年６月１５日 乙３９：「化学大辞典 ４」，縮刷版 第３２刷，共立出版株式会社，１９ ８９年８月１５日，ｐ．７９、８０、８５、５０７ 乙４０：ジエチルアミンの安全データシート，太陽日酸株式会社，２０１５ 年１月１日 乙４１：モノクロロシランの製品安全データシート，ＲＥＣ Ｓｉｌｉｃｏ ｎ，２０１１年５月２４日 乙４２：安全工学，１９９４年，第３３巻，第６号，ｐ．３６９～３７５ また、乙２８～３０、３２、３５～３７については、その抄訳が提出されている。 オ 令和３年１２月１日提出の上申書に添付して提出された書証 乙４３：電子情報通信学会「知識の森」９群３編１章，２０１２年，ｐ．６ ３ 乙４４：麻蒔 立男著，「薄膜作成の基礎」，第４版，日刊工業新聞社，２ ００５年７月２５日，ｐ．９９ 乙４５－１：日立評論１９７４年４月号の掲載論文を示したウェブページ， ［検索日：２０２１年１１月２９日］，インターネット＜ＵＲ Ｌ：https://www.hitachihyoron.com/jp/archive/1970s/1974/ 04.html＞ 乙４５－２：日立評論，１９７４年，４月号，ｐ．２５～３０ 乙４６：知財高裁平成３０年４月１３日大合議判決（平成２８年（行ケ）第 １０１８２号、同第１０１８４号） 乙４７：Ｋ．Ｐ．Ｃ．Ｖｏｌｌｈａｒｄｔ，Ｎ．Ｅ．Ｓｃｈｏｒｅ著，「ボ ルハルト・ショアー現代有機化学（上）」，第４版，株式会社化学 同人，２００４年４月１日，ｐ．２５６ 乙４８：Ｊａｎｉｃｅ Ｇｏｒｚｙｎｓｋｉ Ｓｍｉｔｈ著，「スミス基礎 有機化学（上）」，第３版，株式会社化学同人，２０１２年１０月 １０日，ｐ．２３５～２４７ 乙４９：Ｐａｕｌａ Ｙ．Ｂｒｕｉｃｅ著，「ブルース有機化学概説」，第 ３版，２０１６年１２月２０日，ｐ．３１１～３１７ 乙５０：Ｒ．Ｔ．Ｍｏｒｒｉｓｏｎ，Ｒ．Ｎ．Ｂｏｙｄ著，「モリソン ボ イド有機化学（上）」，第６版，１９９４年３月１８日，ｐ．２３ ５、２４５ 乙５１：被請求人による甲３６の抄訳，令和３年１１月３０日 乙５２：群馬大学大学院理工学府教授 久新荘一郎による「意見書（２）」 ，令和３年１１月１７日 乙５３：被請求人による甲２７の抄訳，令和３年１１月３０日 乙５４－１：韓国国立中央図書館検索結果，［検索日：２０２１年１１月１ ５日］，インターネット＜ＵＲＬ：https://www.nl.go.kr/＞ 乙５４－２：韓国国立中央図書館書誌情報，［検索日：２０２１年１１月５ 日］，インターネット＜ＵＲＬ：https://www.nl.go.kr/＞ 乙５５：「化学大辞典 ２」，縮刷版 第３７刷，共立出版株式会社，２０ ０１年９月２０日，ｐ．７３８，７３９ 第４ 請求人が主張する無効理由（無効理由１～９） 請求人の請求の理由（無効理由）は、審判請求書並びに令和２年１２月４日、同年同月９日及び令和３年１月２９日提出の上申書、同年１０月２０日提出の上申書及び回答書、同年１１月１日及び同年同月１２日提出の上申書、及び、令和４年３月７日提出の回答書の記載からみて、概略、次のとおり整理することができる。 １ 無効理由１及び２（甲１に基づく新規性及び進歩性欠如） 本件発明１～６は、甲１に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものである（無効理由１）。 本件発明１～６は、甲１に記載された発明及び甲２に記載された技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件発明４及び７は、甲１、３及び６に記載された発明、並びに、甲２に記載された技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項により特許を受けることができないものである（無効理由２）。 よって、本件発明１～７に係る特許は、特許法第１２３条第１項第２号に該当し、無効にすべきものである。 ２ 無効理由３及び４（甲４に基づく新規性及び進歩性欠如） 本件発明１～６は、甲４に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものである（無効理由３）。 本件発明１～６は、甲４に記載された発明及び甲２に記載された技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件発明４及び７は、甲４及び３に記載された発明、並びに、甲２に記載された技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項により特許を受けることができないものである（無効理由４）。 よって、本件発明１～７に係る特許は、特許法第１２３条第１項第２号に該当し、無効にすべきものである。 ３ 無効理由５（実施可能要件違反） 本件発明２～７について、シリコン含有膜の形成の用途限定が付された物の発明であるところ、本件明細書の発明の詳細な説明には、シリコン含有膜に含まれる一つの下位概念である炭窒化ケイ素膜についての実施の形態が実施可能に記載されているのみであり、その他のシリコン含有膜が形成できることについては記載されていない。 してみれば、本件明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本件発明２～７を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものではないから、特許法第３６条第４項第１号に規定する実施可能要件を満たしていない。 よって、本件発明２～７に係る特許は、特許法第１２３条第１項第４号に該当し、無効にすべきものである。 ４ 無効理由６（サポート要件違反） 本件発明２～７について、シリコン含有膜の形成の用途限定が付された物の発明であるところ、本件明細書の発明の詳細な説明には、シリコン含有膜に含まれる一つの下位概念である炭窒化ケイ素膜についての実施の形態のみが当業者に認識可能に記載されているが、その他のシリコン含有膜が形成できることについて当業者が認識できる程度に記載されていない。 してみれば、本件発明２～７は、発明の詳細な説明に記載された範囲を超えるものであるから、本件特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定するサポート要件を満たしていない。 よって、本件発明２～７に係る特許は、特許法第１２３条第１項第４号に該当し、無効にすべきものである。 ５ 無効理由７（原文新規事項） 本件発明２及び５については、平成２３年７月８日の手続補正により、それぞれ「シリコン含有膜形成用に用いられ」及び「シリコン含有膜形成用の」と特定されたものであり、シリコン含有膜の形成の用途限定が付された物の発明であるところ、本件特許に係る出願の外国語書面（以下、「本件外国語書面」という。）は、ジイソプロピルアミノシラン前駆体による炭窒化ケイ素膜の形成について記載するものであるが、発明の実施の形態として炭窒化ケイ素膜以外のシリコン含有膜の形成にアミノシランを用いることは記載されていない。 してみれば、本件特許請求の範囲の請求項２の「シリコン含有膜の形成に用いられ」との記載及び請求項５の「シリコン含有膜形成用」との記載は、本件外国語書面のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項の導入に当たるものであるから、本件特許請求の範囲に記載した事項は、本件外国語書面に記載した事項の範囲を超えるものである。 よって、本件特許は、特許法第１２３条第１項第５号に該当し、無効にすべきものである。 ６ 無効理由８及び９（分割不適法、甲５に基づく新規性及び進歩性欠如） 本件発明２～７について、シリコン含有膜の形成の用途限定が付された物の発明であるところ、本件特許に係る出願のもとの出願（原出願）である特願２００６－１３５３１３号（特開２００７－５１３６３号公報、甲５）の外国語書面には、ジイソプロピルアミノシラン前駆体による炭窒化ケイ素膜の形成について記載されているが、発明の実施の形態として炭窒化ケイ素膜以外のシリコン含有膜の形成にアミノシランを用いることは記載されていない。 してみれば、本件特許請求の範囲の請求項２の「シリコン含有膜の形成に用いられ」との記載及び請求項５の「シリコン含有膜形成用」との記載は、原出願の外国語書面に記載した事項の範囲を超えるものであり、本件特許に係る出願は、分割の実体的要件を満たしておらず、平成２２年１月７日に出願されたものといえる。 そして、本件発明１～７は、当該出願日前に頒布された甲５に記載された発明であるので、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであり（無効理由８）、また、本件発明１～７は、甲５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項により特許を受けることができないものである（無効理由９）。 よって、本件発明１～７に係る特許は、特許法第１２３条第１項第２号に該当し、無効にすべきものである。 第５ 各無効理由についての当審の判断 １ 無効理由１及び２（甲１に基づく新規性及び進歩性欠如）について （１）書証に記載された事項 ア 甲１の記載事項 甲１には、以下の記載がある（当審注：「・・・」は、記載の省略を表し、下線は、当審で付した。以下、同様である。）。 （ア）「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に、シリコンドープの化合物半導体層を形成する半導体装置の製造方法に関する。 ・・・ 【０００８】 【課題を解決するための手段】上記目的は、シリコンがドープされた化合物 半導体層を形成する半導体装置の製造方法において、前記化合物半導体層にドープするためのシリコン原料として、ＳｉＨ4又はＳｉ2Ｈ6と、ＳｉＨ4又はＳｉ2Ｈ6の水素基の一部をアミノ基で置換した有機アミノシラン系の原料とを同時に使用することを特徴とする半導体装置の製造方法によって達成される。 【０００９】また、上記の半導体装置の製造方法において、前記有機アミノシラン系の原料としては、ＳｉＨ2［ＮＲ2］2、ＳｉＨ2［ＮＨＲ］［ＮＲ2］又はＳｉＨ3［ＮＲ2］（但し、Ｒはアルカン、アルケン、アルキン、アリル又はアリールを表し、ＮＲ2基は、ＮＨ2、ＮＨＲを含む。）のいずれかを適用することができる。また、上記の半導体装置の製造方法において、前記有機アミノシラン系の原料としては、Ｓｉ2Ｈ2［ＮＲ2］4、Ｓｉ2Ｈ3［ＮＲ2］3又はＳｉ2Ｈ4［ＮＲ2］2（但し、Ｒはアルカン、アルケン、アルキン、アリル又はアリールを表し、ＮＲ2基は、ＮＨ2、ＮＨＲを含む。）のいずれかを適用することができる。 【００１０】また、上記の半導体装置の製造方法において、前記化合物半導体層は、有機金属気相成長法により形成するようにしてもよい。また、上記の半導体装置の製造方法において、前記化合物半導体層は、前記化合物半導体層を成長するウェーハに対して前記シリコン原料をほぼ平行に流す成長炉により形成するようにしてもよい。」 （イ）「【００１４】 【発明の実施の形態】［本発明の原理］本発明による半導体装置の製造方法は、ＳｉＨ4やＳｉ2Ｈ6の水素基の一部をアミノ基で置換した原料（以下、有機アミノシラン系の原料と呼ぶ）と、ＳｉＨ4若しくはＳｉ2Ｈ6とをシリコンのドーピングガスとして同時に使用することに特徴がある。 【００１５】有機アミノシラン系の原料は、分解に要するエネルギーが小さいため、より低温で分解する。このため、横型炉やバレル型の炉において有機アミノシラン系の原料をＳｉドーパント原料として用いると、ウェーハ周辺部においてドーピング濃度が高くなりやすい傾向にある。一方、ＳｉＨ4やＳｉ2Ｈ6は分解温度が高いため、ウェーハ周辺部の濃度が低下しやすい傾向にある。したがって、このような特性を有する原料ガスを同時に使用し、これらの流量を適宜最適化することにより、両者の欠点を互いにうち消し合うことが可能となり、均一なＳｉドーピングをすることができる。」 （ウ）「【００２２】また、Ｒとしてアルカンを用いたＳｉＨ3［ＮＲ2］系の原料としては、ＳｉＨ3［ＮＨ2］で示されるアミノシラン、ＳｉＨ3［ＮＨ（ＣＨ3）2］で示されるジメチルアミノシラン、ＳｉＨ3［ＮＨ（Ｃ2Ｈ5）2］で示されるジエチルアミノシラン、ＳｉＨ3［ＮＨ（Ｃ3Ｈ7）2］で示されるジプロピルアミノシランやジイソプロピルアミノシラン、ＳｉＨ3［ＮＨ（Ｃ4Ｈ9）2］で示されるジブチルアミノシラン、ジイソブチルアミノシランやジターシャリブチルアミノシランなどを適用することができる。」 （エ）「【００２６】また、上記の原料ようにＲとしてアルカンを用いたもののほか、Ｒとしてアルケン、アルキン、アリル、アリールなどの有機基を用いた有機アミノシラン系の原料を適用することもできる。 ［第１実施形態］本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法について図１乃至図５を用いて説明する。・・・ ・・・ 【００３１】同様に、インジウム原料であるＴＭＩ（トリメチルインジウム）は、原料容器４８に封入されており、ＭＦＣ５０によって流量が制御された水素ガスによってバブリング、気化され、原料ガス供給配管１８に導入されるようになっている。また、ドーピングのためのシリコン原料であるＳｉＨ2［Ｎ（ｉ－Ｃ3Ｈ7）2］2（ビスジイソプロピルアミノシラン）は、原料容器５２に封入されており、ＭＦＣ５４によって流量制御された水素ガスによってバブリング、気化され、原料ガス供給配管１８に導入されるようになっている。」 イ 甲２の記載事項 甲２には、以下の記載がある。 （ア）化学蒸着法に関する用語「化学蒸着」の定義「気相化学反応によって、基板（２００１参照）上に膜を形成させること。化学気相成長ともいう。略称、ＣＶＤ。」（第１３頁番号４００１） （イ）化学蒸着法に関する用語「前駆体」の定義「化学反応（４００２参照）において、生成物のすぐ前段階に存在して、生成物と構造上密接な関係がある物質。」（第１３頁番号４０１０） （ウ）化学蒸着法に関する用語「原料ガス」の定義「膜形成時に使用される膜成分を含むガス。反応ガスともいう。」（第１３頁番号４０１１） （エ）化学蒸着法に関する用語「ＭＯＣＶＤ」の定義「有機金属化合物を原料ガス（４０１１参照）とするＣＶＤ（４００１参照）。有機金属気相成長ともいう。」（第１４頁番号４０２７） ウ 甲３の記載事項 甲３には、以下の記載がある。 （ア）「【請求項１】 チャンバ内に基板を設置する段階（ａ）と、 前記チャンバ内にＳｉおよびアミノシランを含む第１反応物質を導入する段階（ｂ）と、 前記第１反応物質の一部を前記基板上に化学吸着させ、前記第１反応物質の他の一部を前記基板上部に物理吸着させる段階（ｃ）と、 前記段階（ｃ）で前記基板上部に物理吸着された前記第１反応物質を前記チャンバから除去する段階（ｄ）と、 前記チャンバ内部に第２反応物質を導入する段階（ｅ）と、 前記段階（ｃ）で前記基板上に化学吸着された前記第１反応物質に、前記第２反応物質の一部を化学的に反応させ、前記基板上にシリコン含有固体物質を形成する段階（ｆ）と、 前記第２反応物質の反応しない部分を前記チャンバから除去する段階（ｇ）と、を含むことを特徴とするシリコンを含有する固体薄膜層を形成するための原子層積層方法。」 （イ）「【０００２】 【従来の技術】一般的に、Ｓｉ3Ｎ4およびＳｉＯ2薄膜は化学気相蒸着（ＣＶＤ）、減圧化学気相蒸着（ＬＰＣＶＤ）、プラズマ－励起化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）などのような積層方法を使用して形成される。」 （ウ）「【０００５】近年、Ｓｉ3Ｎ4およびＳｉＯ2薄膜を形成するためのＣＶＤによる方法として、原子層蒸着（ＡＬＤ；Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）が提案されている。ＡＬＤとは、原子の表面運動体系（ｓｕｒｆａｃｅ ｋｉｎｅｔｉｃ ｒｅｇｉｍｅ）による表面制御工程のことであり、特に、基板表面上に２次元的積層（ｔｗｏ－ｄｉｍｅｓｉｏｎａｌ ｌａｙｅｒ－ｂｙ－ｌａｙｅｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を形成する技術のことである。ジクロロシラン（ＤＣＳ）およびＮＨ3プラズマを使用するＡＬＤ積層方法で、Ｓｉ3Ｎ4薄膜を形成する例は、Ｇｏｔｏ等によって開示されている（Ｇｏｔｏ ｅｔ ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｓｕｒｆ．Ｓｃｉ．，１１２，７５～８１（１９９７）；Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６８（２３），３２５７～９（１９９６））。しかし、この方法で製造される薄膜は、不純物である塩素を０．５％程度含み、かつ酸素を許容できないほど多く含むという問題がある。さらに、ＳｉおよびＮがＳｉ：Ｎ＝４１：３７の成分比で結合するために、化学量論的なＳｉ3Ｎ4薄膜を形成できない。また、薄膜の成長速度が１サイクル（３００秒）あたり０．９１Åと遅く、工業生産に不利である。」 エ 甲６の記載事項 甲６には、以下の記載がある。 （ア）「【００１２】 化学気相堆積（ＣＶＤ）は、マイクロ電子デバイス構造体の高密度大規模製造に最適な薄膜堆積法であり、半導体製造業者はその使用に関する広範な専門知識を有する。有機金属ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ）、より特定的には原子層ＭＯＣＶＤ（ＡＬＣＶＤ）は、より低い堆積温度を可能にするとともに形成される層の化学量論および厚さのより厳密な制御を可能にするので、とくに有利な方法である。」 （イ）「【００９６】 本発明の誘電体薄膜を堆積させるために使用する特定のＣＶＤ法は、当業者に公知の多く方法のうちの１つであってよい。本発明の金属アミド源試薬化合物およびアミノシラン源試薬化合物を供給および堆積させるのにとくに好ましいＣＶＤ法としては、液体供給化学気相堆積（ＬＤＣＶＤ）および原子層化学気相堆積（ＡＬＣＶＤ）が挙げられる。」 オ 甲９の記載事項 甲９の第１４頁の表３（Ｔａｂｌｅ ３）には、ジイソプロピルアミノシランの構造式として、 「 ［図：0001406977000004.jpg］ 」 が、記載されている。 カ 甲１２の記載事項 甲１２には、日本語訳にして、以下の記載がある（日本語訳は請求人による。以下同じ。）。 （ア）「ジメチルアミノシランはＥｍｅｌｅｕｓ及びＭｉｌｌｅｒによってジメチルアミン及びクロロシランの反応から求められた・・・Ｓｕｊｉｓｈｉ及びＷｉｔｚは、ジメチルアミン及びブロモシランからアミノシランを８５％の収率で調整した。・・・Ｅｂｓｗｏｒｔｈ及びＳｈｅｐｐａｒｄは、ジメチルアミノシランのｎ．ｍ．ｒ．スペクトルを研究し・・・彼らは、ジメチルアミン及びヨードシランから彼らのサンプルを調製した・・・」（第６５２頁左欄１～１９行） （イ）「ジメチルアミン及びジエチルアミンは気相中でヨードシランと迅速に反応し、ほぼ定量的な収量で対応するジアルキルアミノシランを生成した。 ＳｉＨ3Ｉ＋２ＮＨＲ2→ＳｉＨ3ＮＲ2＋ＮＨ2Ｒ2Ｉ（Ｒ＝Ｍｅ，Ｅｔ）（１）」（第６５２頁左欄２０～２４行） （ウ）「ジメチルアミノシラン－調製。ヨードシラン（５２２．４ｍｇ，３．３１ｍｍｏｌ）は気相中でジメチルアミン（２８６．１ｍｇ，６．３７ｍｍｏｌ）と反応した。装置は説明されている。蒸気が混合されるとすぐに、白い固体が煙として生成された。室温にて１５分後、揮発性生成物をポンプで取り除いた；約４時間を要した。生成物（２３７．０ｍｇ，３．１６ｍｍｏｌ，９５％）は、－９６°に保持しながら、繰り返し分画することにより精製された。」（第６５４頁左欄下から１３～５行） （エ）「ジエチルアミノシラン－調製。ヨードシラン（２６０．６ｍｇ，１．６５ｍｍｏｌ）は気相中でジエチルアミン（２３９．０ｍｇ，３．２７ｍｍｏｌ）と反応した。１５分後、すべての揮発性生成物をポンプで取り除いた（＜１／２時間）。－７８°に保持しながら、フラクションにより、ジエチルアミノシラン（１６７．４ｍｇ，１．６３ｍｍｏｌ，９９％）を得た。」（第６５４頁右欄下から６～２行） キ 甲１６の記載事項 甲１６には、日本語訳にして、以下の記載がある。 「ジエチル（シリル）アミンのサンプルは、ジエチルアミンとクロロシランの気相中での反応により調製された。」（第３４０頁第１０～１１行） ク 甲１７の記載事項 甲１７には、以下の記載がある。 （ア）「ＳＮ２機構 ＳＮ２機構では，求核剤が基質を攻撃すると同時に，脱離基Ｌが脱離する．この反応は１段階で起こる協奏反応（concerted reaction）である．この反応の律速段階となっている遷移状態には，基質と求核剤の両者が関与している．すなわち，遷移状態には２個の分子が存在し，記号ＳＮ２の数字２が示すように，この反応は二分子（bimolecular）反応である．・・・ ＳＮ２機構によるハロアルカンの反応速度は，第一級＞第二級＞第三級の順に減少する．このような傾向がみられる理由は，大きな空間を占有するアルキル基が求核剤の接近を妨げて，反応速度を遅くするためである（図７．２）．反応中心の炭素原子の周囲においてアルキル基が込み合っているような状態は，立体障害（steric hindrance）とよばれている．」（第２２２頁１６行～第２２３頁２行） （イ）「 ［図：0001406977000005.jpg］ 」（第２２３頁） ケ 甲２７の記載事項 甲２７には、日本語訳にして、以下の記載がある。 「ジメチルアミンヒドロブロミドによるシリルジメチルアミンの強い吸収の説明は、アミンとシリルブロミドの反応のメカニズムの仮定を必要とする。メチルアミンとシリルブロミドの反応を例にとると、第１のステップは、２つの分子間の配位化合物の形成であることが提案される。これに続いて、過剰のアミンによって臭化水素が取り除かれる。この反応スキームは、シリルハライドがアミンと固体化合物を形成するという事実、そして、過剰の臭化水素を使用することで第１のステップを逆にすることができるという事実と一致している。 ［図：0001406977000006.jpg］ 反応の第３ステップは、脂肪族アミンとシリルアミンの間のプロトンの競合を表す。シリルジメチルアミンは、十分に塩基性であり、その平衡をやや左に保つ。したがって、それはいくらかの困難を伴って固体から取り除かれる。」（第４６３３頁右欄３０行～４６３４頁左欄６行） コ 甲３０の記載事項 甲３０には、日本語訳にして、以下の記載がある。 （ア）「イ．装置： 以下の図２．に示されるように、器具を組み合わせて、気相反応用の装置を準備した。気相反応用装置は、ヨードシラン気体供給フラスコ（Ｉｏｄｏｓｉｌａｎｅ Ｇａｓ Ｓｕｐｐｌｙ Ｆｌａｓｋ）、アミン気体供給フラスコ（Ａｍｉｎｅ Ｇａｓ Ｓｕｐｐｌｙ Ｆｌａｓｋ）、反応用フラスコ（Ｒｘｎ．Ｆｌａｓｋ）、そしてヨードシラン気体供給フラスコと反応用フラスコとを連結するヨードシラン気体供給ライン（Ｉｏｄｏｓｉｌａｎｅ Ｇａｓ Ｓｕｐｐｌｙ Ｌｉｎｅ）と、アミン気体供給フラスコと反応用フラスコとを連結するアミン気体供給ライン（Ａｍｉｎｅ Ｇａｓ Ｓｕｐｐｌｙ Ｌｉｎｅ）とを備える。 また、反応用フラスコ（Ｒｘｎ．Ｆｌａｓｋ）には、還流用カラムが設置され、該還流用カラムの先にはＮ2排出用ラインが設置されており、Ｎ2ガスバブリング（Ｎ2 Ｇａｓ Ｂｕｂｂｌｉｎｇ）によりヨードシラン気体供給フラスコ（Ｉｏｄｏｓｉｌａｎｅ Ｇａｓ Ｓｕｐｐｌｙ Ｆｌａｓｋ）及びアミン気体供給フラスコ（Ａｍｉｎｅ Ｇａｓ Ｓｕｐｐｌｙ Ｆｌａｓｋ）に送られた窒素ガスをＮ2ガスベント（Ｎ2 ｇａｓ Ｖｅｎｔ）から排出できる。なお、還流用カラムは、反応物質の損失を防ぐため（Ｐｒｅｖｅｎｔ Ｌｏｓｓ ｏｆ Ｒｅａｃｔａｎｔｓ）、－１０℃にて冷却されている（－１０℃ Ｃｏｏｌｉｎｇ）。反応用フラスコ（Ｒｘｎ．Ｆｌａｓｋ）に供給する気化させたヨードシラン（Ｉｏｄｏｓｉｌａｎｅ）とジイソプロピルアミン（Ｄｉｉｓｏｐｒｏｐｙｌａｍｉｎｅ）は、反応用フラスコ（Ｒｘｎ．Ｆｌａｓｋ）の気相反応エリア（Ｇａｓ Ｐｈａｓｅ Ｒｘｎ． Ａｒｅａ）にて気相で反応させる。」（実験報告書第３頁３行～末行） （イ）「エ．実験： 図２．においてヨードシラン気体供給フラスコ（Ｉｏｄｏｓｉｌａｎｅ Ｇａｓ Ｓｕｐｐｌｙ Ｆｌａｓｋ）と表記した５００ミリリットル（ｍｌ）の丸底フラスコにヨードシラン（Ｉｏｄｏｓｉｌａｎｅ，ＩＳｉＨ3）４０ｇ（０．２５３５ｍｏｌ）を、アミン気体供給フラスコ（Ａｍｉｎｅ Ｇａｓ Ｓｕｐｐｌｙ Ｆｌａｓｋ）と表記した５００ミリリットル（ｍｌ）の丸底フラスコにジイソプロピルアミン（Ｄｉｉｓｏｐｒｏｐｙｌａｍｉｎｅ， ＤＩＰＡ）５１．２３ｇ（０．５０６３ｍｏｌ）をそれぞれ投入した。ヨードシラン気体供給フラスコ（Ｉｏｄｏｓｉｌａｎｅ Ｇａｓ Ｓｕｐｐｌｙ Ｆｌａｓｋ）を５０℃、アミン気体供給フラスコ（Ａｍｉｎｅ Ｇａｓ Ｓｕｐｐｌｙ Ｆｌａｓｋ）を９０℃で加熱し、Ｎ2ガスバブリング（Ｎ2 Ｇａｓ Ｂｕｂｂｌｉｎｇ）を通じて気化させたヨードシランとジイソプロピルアミンを、気相で図２．において反応用フラスコ（Ｒｘｎ．Ｆｌａｓｋ）と表記した５００ミリリットル（ｍｌ）の丸底フラスコに供給し、反応用フラスコ（Ｒｘｎ． Ｆｌａｓｋ）で３時間常温で気相反応を行った。反応終了後、反応中に生成された白色固体（おそらく、上記化学式１により表記される塩）を濾過プロセスによって除去した（図３）。 ・・・ また、反応中に生成された液状の揮発性生成物を減圧蒸留により除去し、無色の液状生成物を得た（１０ｇ）（図４）。 ・・・ ４．実験の結果 この得られた液状生成物の1Ｈ－ＮＭＲ分析を行い、上記化学式１により表記されるジイソプロピルアミノシラン（Ｄｉｉｓｏｐｒｏｐｙｌａｍｉｎｏｓｉｌａｎｅ， ＤＩＰＡＳ）［｛（（ＣＨ3）2ＨＣ）2Ｎ｝ＳｉＨ3］であることを確認した（収率：３０．１％）。1Ｈ－ＮＭＲ分析の結果を以下の図５に示す。なお、図５の結果からＤＩＰＡＳの純度が９９．４％であることを確認した。 ・・・ また、液状生成物のＧＣ分析を行い、純度が９９．８４％であることを確認した。ＧＣ－ＦＩＤ分析の結果を以下の図６に示す。」（実験報告書第５頁６行～第７頁末行） サ 甲３１の記載事項 甲３１には、日本語訳にして、以下の記載がある。 「２．実験方法 当社は２０２１年１月２１日、以下の方法により合成を行いました。 ア．反応用２５０ｍｌフラスコにｒｅｆｌｕｘ用カラムを設置した後、冷却水を流しながら、フラスコを窒素パージした。 イ．別の２５０ｍｌフラスコにＤＩＰＡ２３ｇ（０．２３ｍｏｌ）を投入して９０℃に加熱した。加熱によりＤＩＰＡ蒸気が生成し、これを反応用２５０ｍｌフラスコに投入した。（図１参照。） ウ．これとともに、ＤＩＰＡ蒸気と気相反応を行うため、反応用２５０ｍｌフラスコに気体のＭＣＳ５ｇ（０．０８ｍｏｌ）を０．１７ｇ／ｍｉｎで投入した。（図２参照。）この際、反応用２５０ｍｌフラスコの内部温度と圧力は常温、常圧を維持した。 エ．ＭＣＳの投入を完了した後、反応用２５０ｍｌフラスコを２時間撹拌した。（図３参照。） オ．生成物から固体を濾過して除去した後、８５℃で常圧精製を行い、過剰量のＤＩＰＡを除去し、液状物質を得た。 カ．上記オ．の結果として得られた液状物質を１００ｍｌフラスコに移送して９０～１００℃、５００～５５０ｔｏｒｒで蒸留精製を行った。（図４参照。） キ．上記カ．の結果として得られた液状物質（４．５ｇ）についてＮＭＲ分析によりＤＩＰＡＳであることを確認し、さらにＧＣ分析を実施して純度を測定した。 ・・・ ３．実験結果 ア．合成結果：ＤＩＰＡＳ ４．５ｇ合成完了 イ．収率：４５％ ウ．ＮＭＲ分析結果：積分値及びピーク形状、位置が一致することを確認 ・・・ エ．ＧＣ分析結果 Ａ．精製完了したＤＩＰＡＳ ＧＣデータ：９９．７１７７０％純度確認 ・・・ Ｂ．ＤＩＰＡを添加したＤＩＰＡＳ試料（ＤＩＰＡ Ｓｐｉｋｅ）との比較分析：主な不純物はＤＩＰＡであることを確認」（第１頁５行～第６頁末行） シ 乙３７の記載事項 乙３７には、日本語訳にして、以下の記載がある。 「ヨウ化シリルとヒドラジンとの反応。約５０ｍｌの容量の２つのバルブを、２リットルのフラスコで接続し、全体を真空系に取り付けた。一方のバルブには既知の重量のヨウ化シリルを入れ、もう一方のバルブにはヒドラジンを入れ、全体を密閉した。その後、２つの反応物を温め、２つの蒸気がフラスコ内で出会うようにした。時々メレンゲのような粘り気を有する白い固体がすぐに生成された。その後、揮発性の生成物を隔膜および磁気ブレーカーにより取り除き、真空系中で調べた。」 （２）甲１に記載された発明（甲１発明及び甲１’発明） ア 甲１の記載事項 上記（１）ア（ア）及び（ウ）より、甲１には、「有機金属気相成長法」による「シリコンがドープされた化合物半導体層」の形成に用いられる、「シリコン原料として」の「有機アミノシラン系の原料」が記載され、そして、「有機アミノシラン系の原料」として、「Ｒとしてアルカンを用いたＳｉＨ3［ＮＲ2］系の原料」、更にその一例として、「ＳｉＨ3［ＮＨ（Ｃ3Ｈ7）2］」で示される「ジイソプロピルアミノシラン」が記載されていることが分かる。 イ 甲１に記載される「ジイソプロピルアミノシラン」の構造式の誤記について （ア）ここで、甲１に記載される構造式「ＳｉＨ3［ＮＨ（Ｃ3Ｈ7）2］」は「ＳｉＨ3［Ｎ（Ｃ3Ｈ7）2］」の誤記であると解されるので、以下にその理由を述べる。 （イ）まず、甲１に記載された「ジイソプロピルアミノシラン」なる名称について、甲９におけるジイソプロピルアミノシランなる名称とその構造式の記載（上記（１）オ）や甲１２における類似物質のジメチルアミノシラン及びジエチルアミノシランなる名称とその反応式（上記（１）カ（イ））から、当該「ジイソプロピルアミノシラン」なる名称自体は、一般には本件発明１の上記【化１】の式のものを示しているものと理解できる。 一方、当該理解からすれば、甲１に記載された「ＳｉＨ3［ＮＨ（Ｃ3Ｈ7）2］」なる構造式は、「ジイソプロピルアミノシラン」なる名称が示す構造式ではないといえ、このことは、被請求人も「甲１に記載された「ＳｉＨ3［ＮＨ（Ｃ3Ｈ7）2］」は、ジイソプロピルアミノシランの化学式ではなく」（陳述要領書の第９頁１２～１３行）と述べているところである。 そうすると、甲１に記載された「ＳｉＨ3［ＮＨ（Ｃ3Ｈ7）2］で示されるジイソプロピルアミノシラン」との事項には技術的な誤りがあるといえる。 （ウ）そこで、更に検討を進めると、上記（１）ア（ウ）のとおり、甲１において、「ＳｉＨ3［ＮＨ（Ｃ3Ｈ7）2］」で示される「ジイソプロピルアミノシラン」は、「Ｒとしてアルカンを用いたＳｉＨ3［ＮＲ2］系の原料」の一例として列挙されているものであるから、窒素には２つのイソプロピル基が結合し、水素基は結合していないものを意図したものであることは明らかである。このことと、上記（イ）の検討内容及び窒素の結合数が３であるとの技術常識を併せ考慮すると、窒素に水素基が結合した当該「ＳｉＨ3［ＮＨ（Ｃ3Ｈ7）2］」なる構造式は、「ＳｉＨ3［Ｎ（Ｃ3Ｈ7）2］」の誤記であると解するのが合理的である。 （エ）これに関し、被請求人は、化学式と名称は、化合物を特定する記載としてその双方が参酌されるべきところ、これらの記載が齟齬しているということは、上記化合物の記載自体に信憑性がないことを意味する旨（審判事件答弁書第１１頁２０行～２２行）を主張するが、上記（ア）～（ウ）のとおり、当該齟齬は構造式の誤記によるものと解するのが妥当であるから、甲１の当該記載に信憑性がないとはいい難い。 したがって、被請求人の当該主張は採用できない。 （オ）よって、甲１には、構造式が「ＳｉＨ3［Ｎ（Ｃ3Ｈ7）2］」である「ジイソプロピルアミノシラン」が開示されていると認められる。 ウ ジイソプロピルアミノシランとの化学物質が記載されていることについて （ア）甲１には、構造式が「ＳｉＨ3［Ｎ（Ｃ3Ｈ7）2］」である「ジイソプロピルアミノシラン」が開示されていると認められることは、上記イ（オ）のとおりである。 他方、刊行物に化学物質が記載されているというためには、当該刊行物に当該物質の構成が開示されているだけでなく、その製造方法を理解しうる程度の記載があるか、そうでない場合は、当該刊行物に接した当業者が、本件特許の優先日当時の技術常識に基づいてその製造方法やその他の入手方法を見いだすことができることが必要であると解される。 （イ）そこで、甲１の記載を子細にみると、甲１には、ジイソプロピルアミノシランの製造方法を理解し得る程度の記載は見当たらない。ついては、甲１に接した当業者が、本件特許の優先日当時の技術常識に基づいて、ジイソプロピルアミノシランの製造方法やその他の入手方法を見いだすことができるか否かについて検討する。 （ウ）甲１２は１９６７年に英国のＣｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙが発行した化学誌Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙに掲載されたものであり、また、甲１６は１９８７年に蘭国のＥｌｓｅｖｉｅｒ Ｂ．Ｖ．が発行した化学誌Ｊｏｕｒａｎａｌ ｏｆ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅに掲載されたものである。 そして、上記（１）カ及びキに摘示した甲１２及び甲１６の記載事項によれば、ジメチルアミノシランやジエチルアミノシランが、ジメチルアミンやジエチルアミンと、ヨードシランやクロロシランの反応により製造できること、及び、当該反応は気相中、室温下で進行することについては、本件特許の優先日当時の技術常識であるといえる。 しかしながら、甲１は、甲１２や甲１６の記載事項を引用していないことから、当業者は、甲１に記載された事項に基づいて、甲１２や甲１６の記載事項に直ちに到達できるものではない。 また、仮に、甲１２や甲１６に記載の技術常識を参照したとしても、この技術常識は、ジメチルアミノシランやジエチルアミノシランに関するものであって、ジイソプロピルアミノシランを製造できることまでを教示するものではない。 もとより、甲１に接した当業者が、本件特許の優先日当時の上記技術常識に基づいて、ジイソプロピルアミノシランの製造方法やその他の入手方法を見いだすことができることについては、請求人が立証するべきものであるところ、請求人は、甲３０及び甲３１に記載されている実験装置の構成及び実験条件によれば、ジイソプロピルアミンと、ヨードシランやクロロシランの反応によりジイソプロピルアミノシランを製造できる旨を主張する（令和３年１月２９日提出の上申書第２２頁下から５行～第２３頁８行）。 ところが、甲３０及び甲３１に記載されている実験装置の構成及び実験条件によれば、ジイソプロピルアミンと、ヨードシランやクロロシランの反応によりジイソプロピルアミノシランを製造することができるとしても、この製造手法が甲１２及び甲１６に記載の技術常識とはかけ離れたものであっては意味が無いから、甲１２や甲１６の記載及び本件特許の優先日当時の技術常識から、甲３０及び甲３１に記載された実験装置の構成及び実験条件が、ジイソプロピルアミノシランの製造手段として、当業者による特別の思考を経ることなく導き出せる必要があると認められるので、以下、これについて検討する。 （エ）甲３０及び甲３１に記載の実験装置の構成及び実験条件について ａ 甲３０の実験について 甲１２の実験装置と甲３０の実験装置とを対比すると、上記（１）コ（ア）、（イ）によれば、甲３０の実験装置は、還流用カラム、Ｎ2排出用ライン、Ｎ2ガスバブリングのための装置、還流用カラムの冷却装置及びヨードシラン気体供給フラスコとアミン気体供給フラスコの加熱装置を有するのに対して、甲１２には、実験装置がこれらの装置を有することは記載されていない。 そうすると、甲１２の実験装置と甲３０の実験装置とは、少なくとも、還流用カラム、Ｎ2排出用ライン、Ｎ2ガスバブリングのための装置、還流用カラムの冷却装置及びヨードシラン気体供給フラスコとアミン気体供給フラスコの加熱装置の有無において異なっている。そして、仮に、還流用カラム、Ｎ2排出用ライン、Ｎ2ガスバブリングのための装置、還流用カラムの冷却装置及びヨードシラン気体供給フラスコとアミン気体供給フラスコの加熱装置のそれぞれが、本件特許の優先日当時に一般的に用いられていた装置であるとしても、これらを全て甲１２に示された構成に組み合わせて、ジイソプロピルアミノシランの気相反応に適合した実験装置とすることをうかがわせる証拠はないから、甲１２の記載及び本件特許の優先日当時の技術常識から、ジイソプロピルアミノシランの製造手段として、当業者による特別の思考を経ることなく甲３０の実験装置の構成及び実験条件を導き出せるものではない。 更に、甲１６にはそもそも具体的な実験装置や実験条件が記載されておらず、ジエチル（シリル）アミンのサンプルは、ジエチルアミンとクロロシランの気相中での反応により調製されたことが記載されているに過ぎないから、甲１６の記載及び本件特許の優先日当時の技術常識から、ジイソプロピルアミノシランの製造手段として、当業者による特別の思考を経ることなく甲３０の実験装置の構成及び実験条件を導き出せるものではない。 そうすると、甲１に接した当業者が、甲１２や甲１６の記載及び本件特許の優先日当時の技術常識から、ジイソプロピルアミノシランの製造手段として、当業者による特別の思考を経ることなく甲３０の実験装置の構成及び実験条件を導き出せるものではない。 ｂ 甲３１の実験について 甲３１の実験装置においては、反応用フラスコの内部温度は常温、常圧を維持したものであり（上記（１）サ）、沸点が８４℃のジイソプロピルアミンは常温、常圧では液相となるから、甲３１の実験装置において、ジイソプロピルアミンが気相反応していると直ちにいえるものではないので、甲３１が、反応が気相反応である甲１２の記載（上記（１）カ（イ））に従った実験であるということはできないし、仮に、甲３１においてジイソプロピルアミンが気相反応しているのであれば、その反応温度は常圧で沸点（８４℃）以上の高温とせざるを得ないから、その場合でも、反応温度が室温である甲１２の記載（上記（１）カ（ウ））に従った実験であるということもできない。 更に、甲３１が甲１２の記載に従った実験とはいえないことからみれば、甲１２の記載及び本件特許の優先日当時の技術常識から、ジイソプロピルアミノシランの製造手段として、当業者による特別の思考を経ることなく甲３１に記載された実験装置の構成及び実験条件を導き出せるものでもない。 また、甲１６にはそもそも具体的な実験装置や実験条件が記載されておらず、ジエチル（シリル）アミンのサンプルは、ジエチルアミンとクロロシランの気相中での反応により調製されたことが記載されているに過ぎないから、甲１６の記載及び本件特許の優先日当時の技術常識から、ジイソプロピルアミノシランの製造手段として、当業者による特別の思考を経ることなく甲３１の実験装置の構成及び実験条件を導き出せるものではない。 そうすると、甲１に接した当業者が、甲１２や甲１６の記載及び本件特許の優先日当時の技術常識から、ジイソプロピルアミノシランの製造手段として、当業者による特別の思考を経ることなく甲３１の実験装置の構成及び実験条件を導き出せるものではない。 ｃ 請求人の主張について （ａ）請求人は、令和３年１０月２０日提出の回答書において、（ｉ）甲１２に記載される反応では、ジアルキルアミンは求核試薬に相当し、反応基質ではないので、甲１７の図７２に示されている事項が、求核試薬としてのジアルキルアミンにおけるアルキル基の嵩高さによる反応性への影響について説明するものではないことは、当業者には当然に理解される旨、（ｉｉ）甲１２に記載されている式１の反応は、ＳＮ２反応で進行するわけでなく、ジイソプロピルアミンは、ジエチルアミンと炭素数が近接する類似のジアルキルアミンであることに変わりはないので、ジイソプロピルアミンを用いても、立体的かさ高さが多少増すことにより、反応速度や収率の問題が発生するだけで、反応の可否の問題が発生するわけではない旨、（ｉｉｉ）イソプロピルアミンは、ジメチルアミン及びジエチルアミンと比べて同等以上の塩基性度（共役酸のｐＫａ）を有することは、有機化学の分野の当業者には技術常識であるので、ジアルキルアミンの塩基性度（共役酸のｐＫａ）の観点からは、ジイソプロピルアミンを用いても甲２７で示されている反応機構による合成反応は、ジメチルアミン、ジエチルアミンと同様に進むことが期待されるため、当業者であれば、甲２７で示される反応機構と同様に進行すると理解できる甲１２の式１の合成反応が、ジイソプロピルアミンを用いても、気相中、室温で、ジメチルアミンやジエチルアミンと同様に行うことができると考えるのが自然である旨、（ｉｖ）甲１では、ＳｉＨ４の２つの水素基がジイソプロピルアミノ基で置換された有機アミノシラン系の原料（ＳｉＨ2［Ｎ（ｉ－Ｃ3Ｈ7）2］2）が実際に使用されているのであるから、当業者は、ＳｉＨ４の１つの水素基をジイソプロピルアミノ基で置換する際にジイソプロピルアミンの立体的なかさ高さが問題になるなどとは考え得ない旨、（ｖ）チョン・テッグモ博士の意見書（甲３９）の２－４では、モノハロトリヒドロシランの立体障害が極めて小さいため、ジアルキルアミンのアルキル基の立体効果が化学反応に及ぼす影響は小さいことが予想されることも説明されている旨、（ｖｉ）本件明細書において、甲１２に記載の方法でＤＩＰＡＳを合成することができると明示していたにも拘らず、その合成が不可能であると被請求人が主張することには矛盾がある旨（第１３頁下から２行～第２２頁下から３行）、（ｖｉｉ）甲３０の実験で用いた装置は、本件特許の優先日当時の技術常識に基づく一般的な装置であることから、甲３０の実験は、甲１２及び甲１６の記載に従った実験である旨（第３６頁４行～第３９頁１１行）を主張する。 ところが、上記ａ、ｂによれば、甲１２の反応機構、甲２７で示されている反応機構及び甲３９の記載事項に関わらず、甲１２の記載及び本件特許の優先日当時の技術常識から、ジイソプロピルアミノシランの製造手段として、当業者による特別の思考を経ることなく甲３０及び甲３１に記載された実験装置の構成及び実験条件が導き出せるものではないことに変わりはないし、本件明細書の段落【００４１】～【００４３】に、甲１２に記載の方法でジイソプロピルアミノシランを合成できることが記載されているとしても、このことが、甲１に接した当業者において、甲１２に記載の技術常識からジイソプロピルアミノシランの製造方法を見いだすことができないことと矛盾するわけではない。 また、甲１２や甲１６の記載及び本件特許の優先日当時の技術常識から、ジイソプロピルアミノシランの製造手段として、当業者による特別の思考を経ることなく甲３０の実験装置の構成及び実験条件を導き出せるものではないことは、上記ａのとおりであるので、甲３０の実験で用いた装置が、本件特許の優先日当時の技術常識に基づく一般的な装置であるとはいえないから、甲３０の実験が、甲１２及び甲１６の記載に従った実験であるともいえない。 したがって、請求人の上記主張はいずれも採用できない。 （ｂ）請求人は、令和３年１０月２０日提出の回答書において、（ｉ）甲１６に「ジエチル（シリル）アミンのサンプルは、ジエチルアミンとクロロシランの気相中での反応により調製された。」とのみ記載されているということは、ここに記載されるジエチル（シリル）アミンの調製が、原料としてジエチルアミン、クロロシランを用いた気相反応であることを特定するだけで、同時代の関連分野における研究者によって反復再現できることから、実験の詳細が省略されているものと理解するのが妥当である旨、（ｉｉ）本件特許の優先日当時には空気に敏感な物質を取り扱う技術は確立されていたのであるから、甲１６に具体的な装置や実験条件が一切記載されていなくとも、当業者は、ジイソプロピルアミンとクロロシランとを気相中室温下で反応させてジイソプロピルアミノシランを製造できることを理解できる旨、（ｉｉｉ）甲３１において、ジイソプロピルアミン（ＤＩＰＡ）の蒸気は液化せずに反応用フラスコに投入されたことが事実であり、ＤＩＰＡが投入されたフラスコと反応用フラスコを連結するチューブが室温にさらされていたとしても、ＤＩＰＡ蒸気を反応用フラスコに投入することができ、これは日常生活からも明らかなことであり、例えば、ケトルで水を沸かしている際にケトルの注ぎ口は室温にさらされているが、それでも注ぎ口から水蒸気が出ているから、チューブを加熱しなくてもＤＩＰＡ蒸気を反応用フラスコに投入することが可能である旨、（ｉｖ）仮にジイソプロピルアミンがビニール管中で液化しているのであれば、液体のジイソプロピルアミンは反応用フラスコに投入できず、ジイソプロピルアミノシランの合成を行うことはできなかったはずである旨、（ｖ）甲３１における反応用フラスコの内部温度は常温であったことが事実であり、甲３１の実験では、反応用フラスコ自体は加熱されておらず、ＭＣＳガスもゆっくりと反応用フラスコに投入され（０．１７ｇ／ｍｉｎ）、反応熱による影響も小さいため、ＤＩＰＡ蒸気が反応用フラスコに導入されても、反応用フラスコの内部温度を常温に維持したまま反応を行うことは可能であり、甲３１の実験が甲１６や甲１２の実験に従わないということはできない旨、（ｖｉ）甲３１の実験が低収率であっても、甲１６や甲１２の実験に従わないということはできない旨（第４２頁２行～第４６頁３行）を主張する。 ところが、上記（ｉ）、（ｉｉ）については、仮に、ジエチル（シリル）アミンの調製が、原料としてジエチルアミン、クロロシランを用いた気相反応であることを特定するだけで、同時代の関連分野における研究者によって反復再現でき、本件特許の優先日当時には空気に敏感な物質を取り扱う技術が確立されているとしても、甲１６には、ジイソプロピルアミノシランの製造については記載も示唆もされていないのであるから、当業者は、甲１６の記載から、ジイソプロピルアミンとクロロシランとを気相中室温下で反応させてジイソプロピルアミノシランを製造できることを理解できるものではない。 また、上記（ｉｉｉ）～（ｖ）の主張は、ジイソプロピルアミン（ＤＩＰＡ）の蒸気が液化せずに反応用フラスコに投入されたこと、及び、反応用フラスコの内部温度を常温に維持したまま反応を行うことが可能であることをいうにとどまり、沸点が８４℃であって、常温、常圧では液相となるジイソプロピルアミンが、甲３１の実験装置において、常温、常圧で気相反応することをいうものではないから、甲３１の実験が甲１２の実験に従うものとはいえない。 また、そもそも具体的な実験装置や実験条件が記載されておらず、ジエチル（シリル）アミンのサンプルは、ジエチルアミンとクロロシランの気相中での反応により調製されたことが記載されているに過ぎない甲１６の記載及び本件特許の優先日当時の技術常識から、ジイソプロピルアミノシランの製造手段として、当業者による特別の思考を経ることなく甲３１の実験装置の構成及び実験条件を導き出せるものではないことは、上記ｂのとおりであり、甲１６が、ジエチルアミンとクロロシランの気相反応によりジエチルアミノシランを製造できることが本件特許の優先日当時の技術常識であったことを示す文献であるとしても、甲３１の実験装置の構成及び実験条件が、甲１６に従ったものとはいえない。 してみれば、甲３１の実験は、その収率の多少に関わらず、甲１２及び甲１６の記載に従った実験であるとはいえないから、上記（ｖｉ）の主張も当を得ておらず、請求人の上記主張はいずれも採用できない。 （ｃ）更に、請求人のそのほかの主張について検討しても、甲１２や甲１６の記載及び本件特許の優先日当時の技術常識から、ジイソプロピルアミノシランの製造手段として、当業者による特別の思考を経ることなく甲３０及び甲３１に記載された実験装置の構成及び実験条件が導き出せるものではないことに変わりはないので、請求人の主張はいずれも採用できない。 ｄ 小括 よって、甲１２や甲１６の記載及び本件特許の優先日当時の技術常識から、ジイソプロピルアミノシランの製造手段として、当業者による特別の思考を経ることなく甲３０及び甲３１に記載された実験装置の構成及び実験条件が導き出せるものではない。 （オ）上記（イ）によれば、甲１には、ジイソプロピルアミノシランの製造方法を理解し得る程度の記載はないし、上記（ウ）及び（エ）によれば、甲１に接した当業者が、本件特許の優先日当時の技術常識に基づいて、ジイソプロピルアミノシランの製造方法やその他の入手方法を見いだすことができたということもできない。 そうである以上、上記（ア）の判断手法に照らせば、甲１には、「ＳｉＨ3［Ｎ（Ｃ3Ｈ7）2］」で示される「ジイソプロピルアミノシラン」という化学物質が記載されていると認めることはできない。 エ 甲１に記載された発明 上記イによれば、甲１に記載される「ＳｉＨ3［ＮＨ（Ｃ3Ｈ7）2］」は「ＳｉＨ3［Ｎ（Ｃ3Ｈ7）2］」の誤記であると認められるものの、甲１に、「ＳｉＨ3［Ｎ（Ｃ3Ｈ7）2］」で示される「ジイソプロピルアミノシラン」という化学物質が記載されていると認めることはできないことは、上記ウ（オ）のとおりである。 一方、ＳｉＨ3［ＮＲ2］系の有機アミノシランは、甲１２や甲１６に記載の技術常識から、その一例であるジメチルアミノシランやジエチルアミノシランの製造方法を見いだすことができたといえるから、甲１には、 「Ｒとしてアルカンを用いたＳｉＨ3［ＮＲ2］系の有機アミノシラン。」 の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。 また、甲１には、 「有機金属気相成長法によるシリコンがドープされた化合物半導体層の形成に用いられる、シリコン原料としてのＲとしてアルカンを用いたＳｉＨ3［ＮＲ2］系の有機アミノシラン。」 の発明（以下、「甲１’発明」という。）が記載されていると認められる。 （３）本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲１発明とを対比すると、両者は「アミノシラン」である点で一致し、次の点で相違する。 （相違点１）本件発明１は、上記【化１】の式で示されるアミノシランであるのに対し、甲１発明は、Ｒとしてアルカンを用いたＳｉＨ3［ＮＲ2］系の有機アミノシランである点。 イ 相違点１について （ア）まず、相違点１について実質的なものであるか検討すると、甲１発明は、Ｒとしてアルカンを用いたＳｉＨ3［ＮＲ2］系の有機アミノシランは、上記【化１】の式で示されるアミノシランを含むものであるが、上記（２）ウで判断したとおり、甲１には、「ＳｉＨ3［Ｎ（Ｃ3Ｈ7）2］」で示される「ジイソプロピルアミノシラン」という化学物質の発明が記載されているとは認められないから、相違点１は実質的なものであるので、本件発明１が甲１発明であるとはいえない。 （イ）次に、上記相違点１の容易想到性について検討すると、上記相違点１が容易想到であるというためには、本件特許の優先日当時に、当業者がジイソプロピルアミノシランを容易に製造することができたことを立証する必要があると認められる。 （ウ）ところが、本件特許の優先日当時に、当業者がジイソプロピルアミノシランを容易に製造することができたことを示す証拠はない。 すなわち、甲１には、本件特許の優先日当時に、当業者がジイソプロピルアミノシランを容易に製造することができたことが記載も示唆もされるものではないし、そのほかに、このことを示す証拠もない。 （エ）請求人は、令和２年１２月４日提出の上申書において、甲１には、シリコンがドープされた化合物半導体を形成する半導体装置の製造方法において使用される有機アミノシラン系の原料の具体例として、ビスジイソプロピルアミノシラン（ＳｉＨ2［Ｎ（ｉ－Ｃ3Ｈ7）2］2）も記載されており（上記（１）ア（エ））、ビスジイソプロピルアミノシランが入手できたのであれば、当業者であれば、ジイソプロピルアミノシランについても同様に入手できることを容易に理解できるから、甲１発明においてジイソプロピルアミノシランを用いるにあたり、ビスジイソプロピルアミノシランと同様の方法でジイソプロピルアミノシランを入手することは当業者が容易に想到し得たものであることを主張する（第１７頁６行～第１９頁下から７行）。 ところが、ビスジイソプロピルアミノシランとジイソプロピルアミノシランの構造式はそれぞれ以下のとおりである。 ［図：0001406977000007.jpg］ そして、ビスジイソプロピルアミノシランとジイソプロピルアミノシランとは、シラン（ＳｉＨ4）に置換するジイソプロピルアミノ基の数が異なり、仮に、本件特許の優先日当時にビスジイソプロピルアミノシランを製造することができたとしても、それと同様の方法でジイソプロピルアミノシランを製造できると直ちにいえるものではないし、ほかに、本件特許の優先日当時に、当業者がジイソプロピルアミノシランを容易に製造することができたことを示す証拠もないことは、上記（ウ）のとおりであるので、請求人の上記主張は採用できない。 （オ）請求人は、本件発明の進歩性の有無についての意見を求められた令和４年２月１日付けの審尋に対する、令和４年３月７日提出の回答書において、（ｉ）甲１に記載の半導体装置の製造方法によれば、シリコンのドーピングガスとして、有機アミノシラン系の原料と、ＳｉＨ4若しくはＳｉ2Ｈ6とを流量を適宜最適化して同時に使用することによって、分解温度が高いＳｉ2Ｈ6やＳｉＨ4を単独で使用した場合にウェーハ周辺部の温度が低下しやすい欠点やフェニルシラン等の分解温度の低い原料を単独で使用した場合にウェーハ周辺部の濃度が高くなりやすい欠点を改善し、Ｓｉドーピングの面内均一性を向上しうることを理解することができる旨（第７頁下から９行～第８頁１３行）、（ｉｉ）当業者は、ジイソプロピルアミノシランは甲１に記載の半導体装置の製造方法に用いる有機アミノシラン系の原料として認識することができる旨（第８頁１４行～下から２行）、（ｉｉｉ）甲１の実施例で使用されたビスジイソプロピルアミノシランと同様にアミノ基に結合したイソプロピル基を有するジイソプロピルアミノシランを優先的に選択する動機づけも認められる旨（第８頁最終行～第９頁１４行）、（ｉｖ）当業者は、ジイソプロピルアミノシランと類似のジアルキルアミノシランである、ジメチルアミノシラン及びジエチルアミノシランの製造方法に関する技術常識に基づけば、ジイソプロピルアミンとクロロシラン又はヨードシランとの反応により、ジイソプロピルアミノシランを製造する方法を見出すことができ、かかる製造方法によってジイソプロピルアミノシランを入手できたことも明らかであり、甲４９の６頁１～１８行及び甲５０の８頁１～１９行でも述べられているとおり、ジメチルアミンやジエチルアミンに代えてジイソプロピルアミンを用いたことでクロロシラン又はヨードシランとの反応において反応速度や収量に影響があったとしても、温度や圧力等の反応条件を適宜調節することによって反応速度や収量を改善することができ、このことは、有機合成又は有機ケイ素化合物の合成についての通常の知識を有するものであれば，当然に理解できることである旨（第９頁１５行～最終行）、（ｖ）当業者は、甲１の記載全体（とりわけ、甲１の段落【００２２】における「ジイソプロピルアミノシラン」という記載）及び本件特許の優先日当時の技術常識に基づき、本件発明１のジイソプロピルアミノシランを容易に想到することができ、また、これを入手することもできる旨（第１０頁１行～第１０頁４行）、（ｖｉ）本件発明１に基づく顕著な効果は認められない旨（第１０頁５行～１５行）を主張する。 （カ）ところが、甲１には、「ＳｉＨ3［Ｎ（Ｃ3Ｈ7）2］」で示される「ジイソプロピルアミノシラン」という化学物質の発明が記載されているとは認められないことは、上記（２）ウで判断したとおりであり、仮に、本件特許の優先日当時にビスジイソプロピルアミノシランを製造することができたとしても、それと同様の方法でジイソプロピルアミノシランを製造できると直ちにいえるものではないことは、上記（エ）のとおりである。 また、請求人は、本件特許の優先日当時に、ジイソプロピルアミンとクロロシラン又はヨードシランとの反応により、ジイソプロピルアミノシランを製造する方法を見出すことができ、かかる製造方法によってジイソプロピルアミノシランを入手できたことを示す証拠を何ら提出していない。 そして、「甲４９の６頁１～１８行及び甲５０の８頁１～１９行」の記載は、当業者が、合成条件等調整することによって、甲１２の反応により、イソプロピルアミノシラン合成できるというものであるが、当該合成条件を含めて、請求人は、本件特許の優先日当時に、ジイソプロピルアミンとクロロシランまたはヨードシランとの反応により、ジイソプロピルアミノシランを製造する方法を見いだすことができ、かかる製造方法によってジイソプロピルアミノシランを入手できたことを示す証拠を何ら提出していないし、また、甲１に接した当業者が、甲１２や甲１６の記載及び本件特許の優先日当時の技術常識に基づいて、ジイソプロピルアミノシランの製造方法やその他の入手方法を見いだすことができたということはできないことは、上記（２）ウ（オ）のとおりである。 そうすると、本件特許の優先日当時に、当業者がジイソプロピルアミノシランを容易に製造することができたことを示す証拠は何ら挙げられていないから、上記（オ）の主張に関わらず、本件特許の優先日当時に、当業者がジイソプロピルアミノシランを容易に製造することができたものとはいえない。 そして、このことを上記（イ）の判断手法に照らせば、甲１発明において、相違点１に係る本件発明１の構成を採用することは当業者が容易に想到し得たものであるとはいえない。 ウ 以上のとおりであるから、本件発明１は、甲１に記載された発明ではなく、甲１に記載された発明及び甲２に記載された技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （４）本件発明２～７について ア 対比 本件発明２～７と甲１’発明とを対比すると、両者は少なくとも次の相違点を有するものといえる。 （相違点１’）本件発明２～７は、上記【化２】又は【化３】の式で示される前駆体又は組成物であるのに対し、甲１’発明は、Ｒとしてアルカンを用いたＳｉＨ3［ＮＲ2］系の有機アミノシランである点。 イ 相違点１’についての検討 相違点１’については、相違点１と同様であるから、上記（３）イの相違点１の検討と同様、相違点１’は実質的なものである。 また、甲３及び甲６にも、化合物半導体膜にシリコンをドープするためのシリコン原料として、「ジイソプロピルアミノシラン」という化学物質を用いることは記載されていないから（上記（１）ウ、エ）、上記（３）イの相違点１の検討と同様、甲１に記載された発明及び甲２、３、６の記載事項から、当該相違点１’に係る本件発明２～７の構成を有するものとすることは、当業者が容易に想到し得るものではない。 ウ 以上のとおりであるから、本件発明２～６は、甲１に記載された発明でなく、本件発明２～６は、甲１に記載された発明及び甲２に記載された技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではなく、本件発明４及び７は、甲１、３及び６に記載された発明及び甲２に記載された技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （５）小括 以上のとおり、本件発明１～７が甲１に記載された発明に対して新規性及び進歩性が欠如しているとはいえないので、無効理由１及び２には理由がない。 ２ 無効理由３及び４（甲４に基づく新規性及び進歩性欠如）について （１）書証に記載された事項 ア 甲４の記載事項 甲４には、以下の記載がある。 （ア）「【請求項１】一般式（Ｒ1Ｒ2Ｎ）nＳｉＨ4-n（ただし、上式において、Ｒ1、Ｒ2がＨ－、ＣＨ3－、Ｃ2Ｈ5－、Ｃ3Ｈ7－、Ｃ4Ｈ9－のいずれかであり、そのうち少なくとも一つがＨ－でない。ｎは１～４の整数である）で表される有機シラン化合物を原料ガスとして化学気相成長法により窒化珪素膜を形成することを特徴とする半導体装置の保護膜形成方法。 【請求項２】有機シラン化合物を２種類以上組み合わせて用いる請求項１に記載の半導体装置の保護膜形成方法。 【請求項３】有機シラン化合物が、 トリスジメチルアミノシラン（（ＣＨ3）2Ｎ）3ＳｉＨ、 ビスジメチルアミノシラン（（ＣＨ3）2Ｎ）2ＳｉＨ2、 メチルアミノシラン（（ＣＨ3）2Ｎ）ＳｉＨ3、 トリスジエチルアミノシラン（（Ｃ2Ｈ5）2Ｎ）3ＳｉＨ、 ビスジエチルアミノシラン（（Ｃ2Ｈ5）2Ｎ）2ＳｉＨ2、 ジエチルアミノシラン（（Ｃ2Ｈ5）2Ｎ）ＳｉＨ3、 トリスジプロピルアミノシラン（（Ｃ3Ｈ7）2Ｎ）3ＳｉＨ、 ビスジプロピルアミノシラン（（Ｃ3Ｈ7）2Ｎ）2ＳｉＨ2、 ジプロピルアミノシラン（（Ｃ3Ｈ7）2Ｎ）ＳｉＨ3、 トリスジイソブチルアミノシラン（（Ｃ4Ｈ9）2Ｎ）3ＳｉＨ、 ビスジイソブチルアミノシラン（（Ｃ4Ｈ9）2Ｎ）2ＳｉＨ2、 ジイソブチルアミノシラン（（Ｃ4Ｈ9）2Ｎ）ＳｉＨ3である請求項１または２に記載の半導体装置の保護膜形成方法。」 （イ）「【００１４】上記有機シラン化合物としては、有機シラン化合物が、トリスジメチルアミノシラン（（ＣＨ3）2Ｎ）3ＳｉＨ、ビスジメチルアミノシラン（（ＣＨ3）2Ｎ）2ＳｉＨ2、ジメチルアミノシラン（（ＣＨ3）2Ｎ）ＳｉＨ3、トリスジエチルアミノシラン（（Ｃ2Ｈ5）2Ｎ）3ＳｉＨ、ビスジエチルアミノシラン（（Ｃ2Ｈ5）2Ｎ）2ＳｉＨ2、ジエチルアミノシラン（（Ｃ2Ｈ5）2Ｎ）ＳｉＨ3、トリスジプロピルアミノシラン（（Ｃ3Ｈ7）2Ｎ）3ＳｉＨ、ビスジプロピルアミノシラン（（Ｃ3Ｈ7）2Ｎ）2ＳｉＨ2、ジプロピルアミノシラン（（Ｃ3Ｈ7）2Ｎ）ＳｉＨ3、トリスジイソブチルアミノシラン（（Ｃ4Ｈ9）2Ｎ）3ＳｉＨ、ビスジイソブチルアミノシラン（（Ｃ4Ｈ9）2Ｎ）2ＳｉＨ2、ジイソブチルアミノシラン（（Ｃ4Ｈ9）2Ｎ）ＳｉＨ3を用いるのが好ましい。」 （ウ）「【００１７】 【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。 （実施例１）本実施例においては、図１に示す装置を用いて成膜を行った。原料ガスとしてはトリスジメチルアミノシラン（（ＣＨ3）2Ｎ）3ＳｉＨを用いた。・・・ 【００１８】（実施例２）本実施例においても、実施例１と同様に図１に示す装置を用いて成膜を行った。原料ガスとしてはビスジエチルアミノシラン（（Ｃ2Ｈ5）2Ｎ）2ＳｉＨ2を用いた。・・・ 【００１９】（実施例３）本実施例においても、実施例１と同様に図１に示す装置を用いて成膜を行った。原料ガスとしてはジメチルアミノシラン（（Ｃ2Ｈ5）2Ｎ）ＳｉＨ3とトリスジメチルアミノシラン（（ＣＨ3）2Ｎ）3ＳｉＨを種々の比率で混合したものを用いた。・・・」 （２）甲４に記載された発明（甲４発明及び甲４’発明） ア 甲４の記載事項 上記（１）ア（ア）及び（イ）より、甲４には、「化学気相成長法により窒化珪素膜を形成する」ために用いられる「原料ガス」としての「有機シラン化合物」である、「ジプロピルアミノシラン（（Ｃ3Ｈ7）2Ｎ）ＳｉＨ3」が記載されている。 しかしながら、甲４には、「ジプロピルアミノシラン（（Ｃ3Ｈ7）2Ｎ）ＳｉＨ3」が有する２つのプロピル基の構造に関して、何らの記載も示唆もないから、甲４に記載された「ジプロピルアミノシラン（（Ｃ3Ｈ7）2Ｎ）ＳｉＨ3」が、「ジノルマルプロピルアミノシラン」及び「ジイソプロピルアミノシラン」のいずれを示しているのか明らかでない。 加えて、甲４に記載された「ジプロピルアミノシラン（（Ｃ3Ｈ7）2Ｎ）ＳｉＨ3」が、「ジイソプロピルアミノシラン」であると仮定しても、甲４には、「ジイソプロピルアミノシラン」の製造方法については開示されておらず、上記１（２）ウで検討したのと同様の理由により、甲４に接した当業者が、本件特許の優先日当時の技術常識に基づいて、「ジイソプロピルアミノシラン」の製造方法やその他の入手方法を見いだすことができないから、甲４には、「ジイソプロピルアミノシラン」という化学物質が記載されていると認めることはできない。 イ 甲４に記載された発明 上記アのとおり、甲４には、「ジイソプロピルアミノシラン」としての「ジプロピルアミノシラン（（Ｃ3Ｈ7）2Ｎ）ＳｉＨ3」という化学物質が記載されているとは認めることはできないものの、その実施例には、「一般式（Ｒ1Ｒ2Ｎ）nＳｉＨ4-n（ただし、上式において、Ｒ1、Ｒ2がＨ－、ＣＨ3－、Ｃ2Ｈ5－、Ｃ3Ｈ7－、Ｃ4Ｈ9－のいずれかであり、そのうち少なくとも一つがＨ－でない。ｎは１～４の整数である）で表される有機シラン化合物」（上記（１）ア（ア））として、「トリスジメチルアミノシラン（（ＣＨ3）2Ｎ）3ＳｉＨ」、「ビスジエチルアミノシラン（（Ｃ2Ｈ5）2Ｎ）2ＳｉＨ2」、「ジメチルアミノシラン（（Ｃ2Ｈ5）2Ｎ）ＳｉＨ3」、「トリスジメチルアミノシラン（（ＣＨ3）2Ｎ）3ＳｉＨ」が具体的に記載されている（上記（１）ア（ウ））ことから、甲４には、 「一般式（Ｒ1Ｒ2Ｎ）nＳｉＨ4-n（ただし、上式において、Ｒ1、Ｒ2がＨ－、ＣＨ3－、Ｃ2Ｈ5－、Ｃ3Ｈ7－、Ｃ4Ｈ9－のいずれかであり、そのうち少なくとも一つがＨ－でない。ｎは１～４の整数である）で表される有機シラン化合物。」 の発明（以下、「甲４発明」という。）が記載されていると認められる。 また、甲４には、 「化学気相成長法により窒化珪素膜を形成するために用いられる原料ガスとしての、一般式（Ｒ1Ｒ2Ｎ）nＳｉＨ4-n（ただし、上式において、Ｒ1、Ｒ2がＨ－、ＣＨ3－、Ｃ2Ｈ5－、Ｃ3Ｈ7－、Ｃ4Ｈ9－のいずれかであり、そのうち少なくとも一つがＨ－でない。ｎは１～４の整数である）で表される有機シラン化合物。」 の発明（以下、「甲４’発明」という。）が記載されていると認められる。 （３）本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲４発明とを対比すると、両者は「アミノシラン」である点で一致し、次の点で相違する。 （相違点２）本件発明１は、上記【化１】の式で表されるアミノシランであるのに対し、甲４発明は、一般式（Ｒ1Ｒ2Ｎ）nＳｉＨ4-n（ただし、上式において、Ｒ1、Ｒ2がＨ－、ＣＨ3－、Ｃ2Ｈ5－、Ｃ3Ｈ7－、Ｃ4Ｈ9－のいずれかであり、そのうち少なくとも一つがＨ－でない。ｎは１～４の整数である）で表される有機シラン化合物である点。 イ 相違点２について （ア）まず、相違点２について実質的なものであるかを検討すると、甲４発明の「一般式（Ｒ1Ｒ2Ｎ）nＳｉＨ4-n（ただし、上式において、Ｒ1、Ｒ2がＨ－、ＣＨ3－、Ｃ2Ｈ5－、Ｃ3Ｈ7－、Ｃ4Ｈ9－のいずれかであり、そのうち少なくとも一つがＨ－でない。ｎは１～４の整数である）で表される有機シラン化合物」は、上記【化１】の式で示されるアミノシランを含むものであるが、上記（２）アで検討したとおり、甲４発明の「Ｃ3Ｈ7－」が「ノルマルプロピル基」及び「イソプロピル基」のいずれを示しているのかが明らかでないことに加えて、甲４には、「ジイソプロピルアミノシラン」という化学物質が記載されているとは認められないから、相違点２は実質的なものであるので、本件発明１が甲４発明であるとはいえない。 （イ）次に、上記相違点２の容易想到性について検討すると、上記１（３）イ（ウ）で検討したのと同様の理由により、本件特許の優先日当時に、当業者がイソプロピルアミノシランを容易に製造することができたことを示す証拠もないから、甲４発明において、相違点２に係る本件発明１の構成を採用することは当業者が容易に想到し得たものであるとはいえない。 （ウ）請求人は令和２年１２月４日提出の上申書において、「甲４には、特定の有機シラン化合物を原料ガスとして化学気相成長法により窒化珪素膜を形成することを特徴とする半導体装置の保護膜形成方法に関する発明が記載されている（【請求項１】、【０００９】）。また、甲４では・・・プラズマＳｉＮ膜の問題点が、成膜に関与する活性種をある程度決定、制御することにより、解決できることが判り（【０００８】）・・・本研究者らは、熱ＣＶＤ法を低温化できるガスについて、研究を深めた結果、今回新しい有機系ガスを発見するに至った（【０００８】）ことが記載されている。 そして、甲４では、低温で成膜可能であり、しかも膜質を制御できる原料ガスは本発明に表示されたガスだけであることを教示する（【０００８】）とともに、甲４に記載された発明に原料ガスとして使用される有機シラン化合物の具体例として、ジプロピルアミノシランの他、ジメチルアミノシラン、ジエチルアミノシラン、ビスジエチルアミノシラン等も記載されている（【請求項３】）。・・・そうすると、当業者であれば、実施例で具体的に使用されるシラン化合物に代えて、ジイソプロピルアミノシランを原料ガスとして使用した場合であっても、同様に、低温で成膜可能であり、膜質も制御できることを容易に理解することができる。」（第２４頁９行～第２５頁９行）と主張する。 しかしながら、「低温で成膜可能であり、しかも膜質を制御できる原料ガスは本発明にて表示されたガスだけである」（【０００８】）」とする甲４において、上記（ア）での検討のとおり、甲４には、「ジイソプロピルアミノシラン」という化学物質が記載されていると認められない以上、「実施例で具体的に使用されるシラン化合物に代えて、ジイソプロピルアミノシランを原料ガスとして使用」することを、当業者が容易に想到し得、また、「ジイソプロピルアミノシラン」の使用により、低温で成膜可能であり、膜質も制御できることを、容易に理解できるものとはいえない。 ウ 以上のとおりであるから、本件発明１は、甲４に記載された発明ではなく、甲４に記載された発明及び甲２に記載された技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （４）本件発明２～７について ア 対比 本件発明２～７と甲４’発明とを対比すると、両者は少なくとも次の相違点を有するものといえる。 （相違点２’）本件発明２～７は、上記【化２】又は【化３】の式で示される前駆体又は組成物であるのに対し、甲４’発明は、一般式（Ｒ1Ｒ2Ｎ）nＳｉＨ4-n（ただし、上式において、Ｒ1、Ｒ2がＨ－、ＣＨ3－、Ｃ2Ｈ5－、Ｃ3Ｈ7－、Ｃ4Ｈ9－のいずれかであり、そのうち少なくとも一つがＨ－でない。ｎは１～４の整数である）で表される有機シラン化合物の原料ガスである点。 イ 相違点２’についての検討 相違点２’については、相違点２と同様であるから、上記（３）イの相違点２の検討と同様、相違点２’は実質的なものである。 また、甲３にも、パッシベーション膜を化学気相成長するための原料ガスとして「ジイソプロピルアミノシラン」という化学物質を用いることは記載されていないから（上記１（１）ウ）、上記（３）イの相違点２の検討と同様、甲４に記載された発明及び甲２、３の記載事項から、当該相違点２’に係る本件発明２～７の構成を有するものとすることは、当業者が容易に想到し得るものではない。 ウ 以上のとおりであるから、本件発明２～６は、甲４に記載された発明でなく、本件発明２～６は、甲４に記載された発明及び甲２に記載された技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではなく、本件発明４及び７は、甲４及び３に記載された発明及び甲２に記載された技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （５）小括 以上のとおり、本件発明１～７が甲４に記載された発明に対して新規性及び進歩性が欠如しているとはいえないので、無効理由３及び４には理由がない。 ３ 無効理由５（実施可能要件違反）について （１）書証に記載された事項 ア 乙１９の記載事項 乙１９には、以下の記載がある。 （ア）「【００４５】 【実施例】［例１］この方法は、２５０ｍＴｏｒｒ（３３Ｐａ）の反応器圧力でのビス（ｔｅｒｔ－ブチルアミノ）シランと酸素との反応を伴う。この前駆物質と酸素を加熱した反応器（５５０～６２５℃）へ扉のところで導入する。これらの反応物は、排気したチャンバーへウエーハの全面をおおうように流す。ケイ素源に対する酸素の比を１．６：１～２：１の範囲に保つ。二酸化ケイ素の連続膜をシリコンウエーハの表面に成長させる。これらの膜は集積回路の製造に適している。典型的な実験は１５０ｍｍの高温壁ＬＰＣＶＤ水平管反応器で行ったが、装置の構成は重要ではない。この方法は、石英の反応器に７５～１００枚のシリコンウエーハを入れ、系を排気し、ウエーハを成長を行わせる所望の温度にすることを必要とする。この反応に必要とされるエネルギーは単純な抵抗加熱により供給することができる。とは言え、単純な抵抗加熱は、装置がそれほど高価でなく、そしてプラズマ反応器にしばしばつきものの放射による膜の損傷を回避するので、有利なものである。」 （イ）「【００４７】［例２］この方法は、６００℃及び５００ｍＴｏｒｒ（６７Ｐａ）の反応器圧力での、ビス（ｔｅｒｔ－ブチルアミノ）シランとＮ2Ｏ及びＮＨ3との反応を伴う。これらの前駆物質と反応物を、例１におけるように、加熱した反応器へ導入する。６０ｓｃｃｍのＢＴＢＡＳを種々の量のＮ2Ｏ及びＮＨ3とともに使用して、膜の特性を窒化ケイ素から種々の酸窒化ケイ素に至るまで変えることができた。これは図２に正規化したＦＴＩＲスペクトルでもって示される。ここでの百分率はＮ2Ｏ＋ＮＨ3の混合物（合計の体積流量２００ｓｃｃｍ）中のＮ2Ｏのものである。平均の成長速度は２０から２９オングストローム（２．０から２．９ｎｍ）／ｍｉｎまで変化し、より速い速度はＮ2Ｏの割合がより高いところで得られた。図３に、反応物を変えることの大きな効果を示す。温度と圧力は、これらの成長の間６００℃と５００ｍＴｏｒｒ（６７Ｐａ）に維持した。このとき、膜の屈折率はほぼ２．０（窒化ケイ素）から１．４６（酸化ケイ素）まで変化した。これは、固定した温度と圧力において単一の反応器でもって、酸化物、窒化物、そして酸窒化物の誘電体積重体を成長させることができることを示している。」 イ 乙２０の記載事項 乙２０には、以下の記載がある。 （ア）「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は原子層蒸着方法を利用し、反応物質としてトリスジメチルアミノシラン｛ＨＳｉ［Ｎ（ＣＨ3）2］3：以下、“ＴＤＭＡＳ”と言う。｝を使用して、Ｓｉ3Ｎ4およびＳｉＯ2薄膜を形成する方法に関する。」 （イ）「【００４７】・・・チャンバを２６６．６Ｐａ（２Ｔｏｒｒ）程度の圧力に保持し、基板を５５０℃程度で加熱する。Ａｒキャリアガスを使用して、５００ｓｃｃｍのＴＤＭＡＳストリーム（ｓｔｒｅａｍ）２をチャンバ内に１５秒間導入させる。・・・ 【００４８】・・・続けて、図３に示すように、チャンバ３に活性ＮＨ3を含むＡｒを２０００ｓｃｃｍ程度のストリーム６で３０秒間導入させる。そして、活性ＮＨ3を含むＡｒを導入する間、チャンバの圧力は６６．６５Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ）に減少させた状態で、基板を加熱する温度は５５０℃程度で維持させる。これにより、活性ＮＨ3の部分が基板上に化学吸着されたＴＤＭＡＳと反応して、Ｓｉ3Ｎ4層を形成する（図４）。・・・」 （ウ）「【００５６】ＴＤＭＡＳを使用してＳｉＯ2層を形成するためのＡＬＤ工程 前記問題点を改善するために、Ｈ2Ｏ、Ｈ2Ｏ2、活性Ｏ2（例えば、Ｏ3、Ｏ2リモートプラズマ）と共にＴＤＭＡＳを使用して、ＡＬＤ工程を実施することができる。 【００５７】ＴＤＭＡＳを使用したシリケートＡＬＤ工程 ＡＬＤ工程をＳｉＯ2より大きな誘電常数を有する誘電体物質であるシリケート形成に適用する場合、ＡＬＤ工程は、シリケート層を形成するために、メタルオキサイド（金属酸化物）およびＴＤＭＡＳを用いることによって実施できる。」 ウ 乙１３、１４及び１８の記載事項 乙１３、１４及び１８には、化学気相成長において、反応ガス等の選択に応じて、成膜される膜の組成が異なることが、本件特許の優先日当時の技術常識であることを示す以下の記載がある。 （ア）「 ［図：0001406977000008.jpg］ 」（乙１３の第２５０頁） （イ）「 ［図：0001406977000009.jpg］ 」（乙１４の第１１１頁） （ウ）「 ［図：0001406977000010.jpg］ 」（乙１８の第１３３頁） （２）実施可能要件について ア 本件発明の詳細な説明の記載が、特許法第３６条第４項第１号所定の実施可能要件に適合するか否かは、当業者が、本件明細書及び図面に記載された発明の実施についての説明と本件特許の優先日当時の技術常識とに基づいて、請求項に係る発明をどのように実施するのかを理解できるか否かを検討して判断するのが相当である。 そして、本件発明２～７は、シリコン含有膜形成の用途限定が付された物の発明であるところ、本件発明２～７について実施をすることができるとは、その物を製造でき、かつ、その物を使用できることといえる。 イ そこで、本件明細書の発明の詳細な説明を見ると、【００５１】には、ジイソプロピルアミノシランの合成方法が実施可能に記載されている。 一方、【００６２】～【００７３】には、ジイソプロピルアミノシランを化学気相成長の前駆体として使用して、シリコン含有膜に含まれる一つの下位概念である炭窒化ケイ素膜の成膜が実施可能に記載されているものの、炭窒化ケイ素以外のシリコン含有膜の形成についての明示的な記載は見当たらないので、以下、ジイソプロピルアミノシランが炭窒化ケイ素以外のシリコン含有膜の形成に使用できることを、当業者が、本件明細書及び図面に記載された発明の実施についての説明と本件特許の優先日当時の技術常識とに基づいて、理解できるか否かを検討する。 ウ 化学気相成長において、反応ガス等の選択に応じて、成膜される膜の組成が異なることは、本件特許の優先日当時の技術常識（乙１３、１４及び１８（上記（１）ウ））であるといえ、このことは、例えば、乙１９における、アルキルアミノシランであるビス（ｔｅｒｔ－ブチルアミノ）シランに対し、反応ガスとして酸素ガスを用いて化学気相成長を行うことで二酸化ケイ素膜を成膜すること、及び、反応ガスとしてＮ2ＯやＮＨ3を用いて化学気相成長を行うことで窒化ケイ素膜や酸窒化ケイ素膜を成膜することの記載（上記（１）ア）や、乙２０における、アルキルアミノシランであるトリスジメチルアミノシランに対し、反応ガスとして活性ＮＨ3を用いて原子層堆積を行うことで窒化ケイ素を成膜すること、及び、反応ガスとしてＨ2Ｏ、Ｈ2Ｏ2、活性Ｏ2を用いて原子層堆積を行うことで二酸化ケイ素を成膜することの記載（上記（１）イ）のとおり、アルキルアミノシランの使用においても例外ではない。 そうすると、当該技術常識に照らせば、本件明細書の発明の詳細な説明の記載から、アルキルアミノシランであるジイソプロピルアミノシランの前駆体についても、反応ガス等の選択に応じて、炭窒化ケイ素とは異なる種々のシリコン含有膜を成膜でき、例えば、反応ガスとして酸素を含有する上記酸素ガスやＮ2Ｏ、Ｈ2Ｏ、Ｈ2Ｏ2、活性Ｏ2等を用いることで、酸素を含有するケイ素含有膜を成膜できることを、当業者は理解するものといえるのであって、ジイソプロピルアミノシランの前駆体が反応ガス等の条件によらず炭窒化ケイ素膜の成膜しか実施できないと当業者が解するものとはいい難い。 エ なお、上記乙１９及び２０に対し、令和３年１月２９日提出の上申書（請求人）において請求人は、「乙１９～２０、乙２２のいずれにも、ＤＩＰＡＳを前駆体として用いてシリコン含有膜を形成した例が記載されていないことは勿論のこと、前駆体として、本件明細書の【００１８】に記載されている式Ａで表されるジアルキルアミノシランを用いてシリコン含有膜を形成した例は何ら示されていない。」（第８頁第１５～１８行）と主張する。 しかしながら、このことは、化学気相成長において、反応ガス等の選択に応じて、成膜される膜の組成が異なるという上記ウの技術常識を揺るがすものではないし、上記ウに例示した、アルキルアミノシランとの反応ガスとして酸素を含有する上記酸素ガスやＮ2Ｏ、Ｈ2Ｏ、Ｈ2Ｏ2、活性Ｏ2等を用いることで、酸素を含有するケイ素含有膜を成膜できる等の当業者の理解を妨げるものでもなく、ジイソプロピルアミノシランがこれら技術常識や当業者の理解が及ばない例外的なものであることを示すものでもない。 また、同上申書（請求人）において請求人は、乙１８の第１３５頁１３～１６行における「ＣＶＤ法において膜質を決める要因は、どのような原料ガスの組合せを使うか、どれくらいの流量を流すか、さらにはどれくらいの圧力とするか、そしてどのくらいのエネルギーで原料ガスを分解し、薄膜を完成させるかという点にある。」なる記載事項や、乙１９の【００３２】における「驚くべきことに、ジクロロシランとＮ2Ｏを使用しての酸化物の生成と対照的に、二酸化ケイ素はこれらの低い温度ではＢＴＢＡＳにＮＯ又はＮ2Ｏを加えることでは生成されない。」なる記載事項から、「原料ガスが異なれば、同じ温度条件でも異なる堆積物の膜が生成されることが教示されている。」と主張する（第８頁１９行～第９頁９行）。 しかしながら、これら記載事項は、所望の膜の化学気相成長において原料ガスに応じた好適な温度や圧力があるという本件特許の優先日当時の技術常識を示しているに過ぎず、また、本件明細書に実施例として記載されている、ジイソプロピルアミノシラン前駆体を用いた炭窒化膜成膜における温度や圧力等の反応条件を基にすれば、他のシリコン含有膜、例えば上記酸素を含有するシリコン含有膜を成膜する際の温度や圧力等の反応条件を調整することが、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤や複雑高度な実験等を要するものであるとまではいえない。 したがって、これら主張は採用できない。 オ 更に、令和２年１２月４日提出の上申書（請求人）において請求人は、本件明細書の【００７３】の記載を踏まえて、「本件明細書の上記記載は、本件明細書に記載のアミノシランにより炭窒化ケイ素膜が生成するメカニズムについて説明しているが、これらの記載から、ジイソプロピルアミノシランから炭窒化ケイ素膜を形成する際には、ケイ素中心におけるアンモニアアミノ基転移反応が起こること、エチル、イソプロピル、ブチルなどの配位子がβ－水素化物の脱離により揮発性副生成物になり、後に残された炭素がケイ素と結合すること、を経てなされることが理解できる。また、メチル基を有するアミノシラン前駆体（例えば、ジメチルアミノシラン）は、窒素原子からのβ－水素を有しないので、メチル基は窒素と結合したままであり、成長する膜中に組み込まれるため、炭素がケイ素と結合してＳｉ－Ｃ結合を生成することができない。」と述べ、「ジイソプロピルアミノシランは窒素原子からのβ－水素を有するものであるところ、どのようにすればジメチルアミノシランのようにβ－水素化物の脱離を起こさずに、その結果Ｓｉ－Ｃ結合を有さない膜、つまり、窒化ケイ素膜（即ち、炭素を含まないシリコン含有膜）を形成させることができるのかについては本件明細書には何ら記載されておらず、当業者であっても本件明細書の記載から理解することができない。」（第３８頁３行～２３行）と主張する。 しかしながら、上記ウのとおり、化学気相成長において、反応ガス等の選択に応じて、成膜される膜の組成が異なることが、本件特許の優先日当時の技術常識であるように、ジイソプロピルアミノシランに対して、どのような反応ガスを用いた場合においても、β－水素化物の脱離が優先して生じ、膜中にＳｉ－Ｃ結合が形成されるものとはいい難く、このことは、乙１９において、β－水素化物の脱離が生じるとされているブチル基（本件明細書の【００７３】参照。）を有するビス（ｔｅｒｔ－ブチルアミノ）シランを前駆体として用いて形成された膜が、二酸化ケイ素膜や窒化ケイ素膜、酸窒化ケイ素膜であることにも裏付けられている。 また、上記ウのとおり、例えば反応ガスとして酸素を含有する酸素ガスやＮ2Ｏ、Ｈ2Ｏ、Ｈ2Ｏ2、活性Ｏ2等を用いることで、酸素を含有するケイ素含有膜を成膜できることを、当業者は理解するものといえる。 そうすると、当該本件明細書の【００７３】に記載されたβ－水素化物の脱離の一事をもって、ジイソプロピルアミノシランの前駆体が反応ガス等の条件によらず炭窒化ケイ素膜の成膜しか実施できないと当業者が解するものとはいい難い。 したがって、当該主張も採用できない。 カ 以上のとおりであるから、本件明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本件発明２～７を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものである。 （３）小括 以上のとおり、本件明細書の発明の詳細な説明の記載は、特許法第３６条第４項第１号所定の実施可能要件に適合しないものとはいえないので、無効理由５には理由がない。 ４ 無効理由６（サポート要件違反）について （１）請求項２～７の記載が、特許法第３６条第６項第１号所定のサポート要件に適合するか否かは、請求項２～７の記載と本件明細書の発明の詳細な説明の記載とを比較し、請求項２～７に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識し得る範囲のものであるか否か、また、発明の詳細な説明に記載や示唆がなくとも当業者が本件特許の優先日当時の技術常識に照らして当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断するのが相当である。 （２）まず、本件発明の課題について、明細書の【００１６】の記載によれば、ＣＶＤにこれまで用いられている幾つかの前駆体とは対照的に、室温及び室圧において液体であり、好都合な取扱いを可能にするアミノシランに関するものであると理解できる。 そして、当該課題に対し、【００２３】、【００２８】及び【００５１】の記載から、ジイソプロピルアミノシランが室温及び室圧において液体であること、及び、【００６２】～【００７３】の記載から、ジイソプロピルアミノシランがシリコン含有膜に含まれる一つの下位概念である炭窒化ケイ素膜の化学気相成長による成膜に用いられる前駆体であることを当業者は認識するものといえる。 そうすると、炭窒化膜の成膜用途に用いられるジイソプロピルアミノシランは、当業者が当該課題を解決できると認識できる範囲内のものであると直ちにいえるものの、炭窒化ケイ素以外のシリコン含有膜の成膜用途に用いられるジイソプロピルアミノシランについては、当業者が当該課題を解決できると認識できる範囲内のものであることが本件明細書に明示されているとはいえないので、以下、炭窒化ケイ素以外のシリコン含有膜の成膜用途に用いられるジイソプロピルアミノシランが、本件明細書の発明の詳細な説明の記載及び本件特許の優先日当時の技術常識により、当業者が当該課題を解決できると認識し得る範囲のものであるか否かを検討する。 （３）上記３（２）ウと同様、本件特許の優先日当時の技術常識に照らせば、本件明細書の発明の詳細な説明の記載から、ジイソプロピルアミノシランの前駆体について、反応ガス等の選択に応じて、炭窒化ケイ素とは異なる種々のシリコン含有膜を成膜でき、例えば、反応ガスとして酸素を含有する酸素ガスやＮ2Ｏ、Ｈ2Ｏ、Ｈ2Ｏ2、活性Ｏ2等を用いることで、酸素を含有するケイ素含有膜を成膜できることを、当業者は認識し得るものといえるのであって、ジイソプロピルアミノシランの前駆体が反応ガス等の条件によらず炭窒化ケイ素膜の成膜にしか使用できないと当業者が解するものとはいい難い。 そして、ジイソプロピルアミノシランの前駆体が、炭窒化ケイ素とは異なる種々のシリコン含有膜の成膜に使用される場合であっても、室温及び室圧において液体であり、好都合な取扱いを可能にするアミノシランという上記課題を解決するものであることを、当業者は当然認識し得るものといえる。 そうすると、炭窒化ケイ素以外のシリコン含有膜の成膜用途に用いられるジイソプロピルアミノシランについても、当業者が当該課題を解決できると認識できる範囲内のものであるということができる。 なお、請求人による主張については、上記３（２）エ及びオと同様、採用できない。 （４）したがって、本件特許の請求項２～７に記載された発明は、当業者が本件特許の優先日当時の技術常識に照らして発明の詳細な説明の記載により当該発明の課題を解決できると認識し得る範囲のものであるといえる。 （５）小括 以上のとおり、本件特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定するサポート要件に適合しないものとはいえないので、無効理由６には理由がない。 ５ 無効理由７（原文新規事項）について （１）本件外国語書面の特許請求の範囲には、概略以下のとおり記載されており、 「1. A process for forming silicon carbo-nitride films on a substrate through chemical vapor deposition of a silicon carbo-nitride film forming precursor which comprises: using a precursor selected from the group consisting of an aminosilane represented by the formulas:・・・ 15. In a process for forming a silicon carbo-nitride film wherein such film is formed by the chemical vapor deposition of a silane precursor, the improvement for forming films having the general compositional structure SixCyNz which comprises: employing an aminosilane as the silane precursor which is represented by the formula:・・・」 当該記載は、「silicon carbo-nitride film」、訳すれば、「炭窒化ケイ素膜」の形成について特定されているものであると認められる。 これに対し、本件発明２及び５については、平成２３年７月８日の手続補正により、それぞれ「シリコン含有膜形成用に用いられ」、「シリコン含有膜形成用の」として、炭窒化ケイ素膜より広い概念のシリコン含有膜について特定されることとなったものである。 （２）上記本件発明２及び５についてなされた上記補正が、原文新規事項を追加する補正であるか否かは、当該補正が本件外国語書面に記載した事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものであるか否かを検討して判断するのが相当であり、ここで、本件外国語書面に記載した事項とは、当業者によって、本件外国語書面の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項である。 （３）まず、本件外国語書面は、ジイソプロピルアミノシラン前駆体による炭窒化ケイ素膜の形成について記載するものであるが、発明の実施の形態として炭窒化ケイ素膜以外のシリコン含有膜の形成にアミノシランを用いることの明示的な記載はされていない。 この場合、補正された事項が本件外国語書面から自明な事項であれば、当該補正は、新たな技術的事項を導入するものではないといえるので、次に、本件外国語書面の記載に接した当業者であれば、本件特許の優先日当時の技術常識に照らして、当該補正事項が本件外国語書面に記載されているのと同然であると理解する事項であるか否かを検討する。 （４）上記３（２）ウと同様、本件特許の優先日当時の技術常識に照らせば、本件外国語書面の記載から、ジイソプロピルアミノシランの前駆体について、反応ガス等の選択に応じて、炭窒化ケイ素とは異なる種々のシリコン含有膜を成膜でき、例えば、反応ガスとして酸素を含有する酸素ガスやＮ2Ｏ、Ｈ2Ｏ、Ｈ2Ｏ2、活性Ｏ2等を用いることで、酸素を含有するケイ素含有膜を成膜できることを、当業者は理解するものといえる。 そうすると、当該補正事項は本件外国語書面から自明な事項であるといえるので、当該補正は、新たな技術的事項を導入するものとはいえない。 （５）小括 以上のとおりであるから、本件特許の請求項２及び５に記載した事項は、本件外国語書面に記載した事項の範囲内のものであるので、無効理由７には理由がない。 ６ 無効理由８及び９（分割不適法、甲５に基づく新規性及び進歩性欠如）について （１）本件特許は、特許法第３６条の２第１項（外国語書面出願）及び同法第４４条第１項（分割出願）の規定による出願に対してされたものであり、特願２００６－１３５３１３を原出願とするものである。 そして、上記「第４」６のとおり、無効理由８及び９は概略、本件特許請求の範囲の請求項２の「シリコン含有膜の形成に用いられ」との記載及び請求項５の「シリコン含有膜形成用」との記載が、原出願の外国語書面に記載した事項の範囲を超えるものであり、本件特許は、分割の実体的要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるという分割不適法に基づくものであるので、以下、本件発明２及び５の当該記載事項に着目して、本件特許が、分割の実体的要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるか否かを検討する。 （２）原出願の外国語書面には、本件外国語書面に記載した事項と実質同様の事項が記載されており、また、上記５（５）のとおり、本件特許の請求項２及び５に記載した事項は、本件外国語書面に記載した事項の範囲内のものであるので、本件特許の請求項２及び５に記載した事項は、原出願の外国語書面に記載した事項の範囲内のものであるといえる。 （３）そうすると、本件特許出願は分割の実体的要件を満たすものであり、その新規性及び進歩性の判断基準日は、原出願の優先日となるので、甲５は本件特許の優先日前に頒布された刊行物とはいえない。 （４）小括 以上のとおり、本件発明１～７は、甲５に対して新規性及び進歩性が欠如しているとはいえないので、無効理由８及び９には理由がない。 第６ むすび 以上のとおりであるから、本件特許１～７は、請求人が主張する無効理由及び提出した証拠方法によっては、無効とすることはできない。 本件審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項において準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。 よって、結論のとおり審決する。