2023-016271

特願２０２１－１９６９７５「炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための方法」拒絶査定不服審判事件〔令和 ４年 ２月１８日出願公開、特開２０２２－ ３１３１３〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０１６年（平成２８年） ２月 ４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理 ２０１５年 ２月 ６日 （ＵＳ）アメリカ合衆国 ２０１５年 ４月 ３日 （ＵＳ）アメリカ合衆国）を国際出願日とする特願２０１７－５４１２５７号の一部を、令和 元年 ９月 ５日に新たな特許出願（特願２０１９－１６１９２３号）とし、さらにその一部を、令和 ３年１２月 ３日に新たな特許出願としたものであって、その手続の経緯は以下のとおりである。 令和 ３年１２月２８日 上申書、手続補正書の提出 令和 ４年 ５月２３日 上申書、手続補正書（以下、この手続補正書でされた補正を「本件第１補正」という。）の提出 令和 ４年 ９月２９日付け 拒絶理由通知 令和 ５年 ２月 ２日 意見書、手続補正書（以下、この手続補正書でされた補正を「本件第２補正」という。）の提出 令和 ５年 ５月２５日付け 拒絶査定 令和 ５年 ９月２７日 審判請求書、手続補正書（以下、この手続補正書でされた補正を「本件第３補正」という。）の提出 令和 ６年 ４月 ２日 上申書の提出 第２ 原査定の拒絶の理由 令和５年５月２５日付け拒絶査定（以下、「原査定」という。）の拒絶の理由の概要は次のとおりである。 １．（新規事項）本件第１補正は、「工程ｄが、工程ｅの後に行われ」る構成を追加するものである点、及び、「工程ｄが、工程ｃの間に行われる」構成を追加するものである点で、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「当初明細書等」という。）に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。 第３ 当審の判断 １ 補正の内容（この項において、下線は補正箇所を示す。） （１）本件第１補正について ア 本件第１補正は、特許請求の範囲の記載を、次のとおり補正するものである。 「 【請求項１】 炭素ドープ窒化ケイ素膜及び炭素ドープ酸窒化ケイ素膜から選択される炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための方法であって、 ａ）基材を反応器中に設置する工程と、 ｂ）２５～７００℃の範囲の１つ又は複数の温度に前記反応器を加熱する工程と、 ｃ）１－クロロ－１，３－ジシラシクロブタン、１－ブロモ－１，３－ジシラシクロブタン、１－ヨード－１，３－ジシラシクロブタン、１，３－ジクロロ－１，３－ジシラシクロブタン、１，３－ジブロモ－１，３－ジシラシクロブタン、１，３－ジヨード－１，３－ジシラシクロブタン、１，１－ジクロロ－１，３－ジシラシクロブタン、１，１－ジブロモ－１，３－ジシラシクロブタン、１，１－ジヨード－１，３－ジシラシクロブタン、１，１，３，３－テトラクロロ－１，３－ジシラシクロブタン、１，１，３，３－テトラブロモ－１，３－ジシラシクロブタン、１，１，３，３－テトラヨード－１，３－ジシラシクロブタン、１，３－ジクロロ－１，３－ジメチル－１，３－ジシラシクロブタン、１，１，３，３，５，５－ヘキサクロロ－１，３，５－トリシラシクロヘキサン，１，１，３，３－テトラクロロ－１，３，５－トリシラシクロヘキサン、及び１，３，５－トリクロロ－１，３，５－トリシラシクロヘキサンからなる群より選択される少なくとも１種の環状ハローカルボシランを導入する工程と、 ｄ）前記少なくとも１種の環状ハローカルボシランをプラズマに暴露する工程と、 ｅ）前記少なくとも１種の環状ハローカルボシラン前駆体と反応して、炭素ドープ窒化ケイ素膜を形成するのに十分な条件下で、窒素源を導入する工程と、 ｆ）随意選択的に、前記炭素ドープ窒化ケイ素膜を酸素源にさらして、１００～１０００℃の範囲の１つ又は複数の温度で、前記炭素ドープ窒化ケイ素膜を前記炭素ドープ酸窒化ケイ素膜に変換する工程と、 を含む、方法。 【請求項２】 工程ｄにおける前記プラズマが、窒素プラズマ、窒素及びヘリウム含有プラズマ、窒素及びアルゴン含有プラズマ、アンモニアプラズマ、アンモニア及びヘリウム含有プラズマ、アンモニア及びアルゴン含有プラズマ、ヘリウムプラズマ、アルゴンプラズマ、ネオンプラズマ、水素プラズマ、水素及びヘリウム含有プラズマ、水素及びアルゴン含有プラズマ、有機アミンプラズマ、有機ジアミンプラズマからなる群より選択される、請求項１に記載の方法。 【請求項３】 前記方法が、プラズマ促進原子層堆積法であり、それによって工程ｃ～ｅが反復して繰り返され、それによって層状に前記炭素ドープケイ素含有膜が形成される、請求項１記載の方法。 【請求項４】 工程ｄが、工程ｅの間に、または工程ｅの後に行われる、請求項１記載の方法。 【請求項５】 工程ｄが、工程ｅの間に行われ、前記プラズマが、アンモニアプラズマ、窒素プラズマ、窒素及びア不活性ガス含有プラズマ、アンモニア及び窒素含有プラズマ、窒素及び水素含有プラズマ、有機アミンプラズマ、ならびに有機ジアミンプラズマからなる群から選択される、請求項４記載の方法。 【請求項６】 工程ｄが、工程ｅの後に行われ、前記プラズマが、窒素プラズマ、窒素及びヘリウム含有プラズマ、窒素及びアルゴン含有プラズマ、アンモニアプラズマ、アンモニア及びヘリウム含有プラズマ、アンモニア及びアルゴン含有プラズマ、ヘリウムプラズマ、アルゴンプラズマ、ネオンプラズマ、水素プラズマ、水素及びヘリウム含有プラズマ、水素及びアルゴン含有プラズマ、有機アミンプラズマ、有機ジアミンプラズマからなる群から選択される、請求項４記載の方法。 【請求項７】 工程ｄが、工程ｃの間に行われる、請求項１記載の方法。 【請求項８】 前記プラズマが、工程ｆの間に選択される、請求項１記載の方法。 【請求項９】 前記プラズマが、水蒸気プラズマ、酸素プラズマ、ならびに水及び不活性ガスを含むプラズマからなる群から選択される、請求項８記載の方法。 【請求項１０】 前記炭素ドープケイ素含有膜が、ＸＰＳで測定した場合に、１０原子量％以上の炭素含有量を含む、請求項１に記載の方法。 【請求項１１】 前記炭素ドープケイ素含有膜が、希フッ酸で測定した場合に、０．１５Å／秒以下のウェットエッチ速度を含み、前記希フッ酸が１：９９の４９％ＨＦ及びＤＩ水の浴である、請求項１に記載の方法。」 イ 上記アによれば、本件第１補正後の請求項４に係る発明は、「ｄ）前記少なくとも１種の環状ハローカルボシランをプラズマに暴露する工程」と、「ｅ）前記少なくとも１種の環状ハローカルボシラン前駆体と反応して、炭素ドープ窒化ケイ素膜を形成するのに十分な条件下で、窒素源を導入する工程」とを含み、「工程ｄ」が「工程ｅ」の後に行われるという技術的事項（以下、「技術的事項１」という。）を有するものである。 （２）本件第２補正について ア 本件第２補正は、本件第１補正後の特許請求の範囲の記載を、次のとおり補正するものである。 「 【請求項１】 炭素ドープ窒化ケイ素膜及び炭素ドープ酸窒化ケイ素膜から選択される炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための方法であって、 ａ）基材を反応器中に設置する工程と、 ｂ）２５～７００℃の範囲の１つ又は複数の温度に前記反応器を加熱する工程と、 ｃ）１－クロロ－１，３－ジシラシクロブタン、１－ブロモ－１，３－ジシラシクロブタン、１－ヨード－１，３－ジシラシクロブタン、１，３－ジクロロ－１，３－ジシラシクロブタン、１，３－ジブロモ－１，３－ジシラシクロブタン、１，３－ジヨード－１，３－ジシラシクロブタン、１，１－ジクロロ－１，３－ジシラシクロブタン、１，１－ジブロモ－１，３－ジシラシクロブタン、１，１－ジヨード－１，３－ジシラシクロブタン、１，１，３，３－テトラクロロ－１，３－ジシラシクロブタン、１，１，３，３－テトラブロモ－１，３－ジシラシクロブタン、１，１，３，３－テトラヨード－１，３－ジシラシクロブタン、１，３－ジクロロ－１，３－ジメチル－１，３－ジシラシクロブタン、１，１，３，３，５，５－ヘキサクロロ－１，３，５－トリシラシクロヘキサン，１，１，３，３－テトラクロロ－１，３，５－トリシラシクロヘキサン、及び１，３，５－トリクロロ－１，３，５－トリシラシクロヘキサンからなる群より選択される少なくとも１種の環状ハローカルボシランを導入する工程と、 ｄ）前記少なくとも１種の環状ハローカルボシランをプラズマに暴露する工程と、 ｅ）前記少なくとも１種の環状ハローカルボシラン前駆体と反応して、炭素ドープ窒化ケイ素膜を形成するのに十分な条件下で、窒素源を導入する工程と、 ｆ）随意選択的に、前記炭素ドープ窒化ケイ素膜を酸素源にさらして、１００～１０００℃の範囲の１つ又は複数の温度で、前記炭素ドープ窒化ケイ素膜を前記炭素ドープ酸窒化ケイ素膜に変換する工程と、 を含み、 工程ｄが、工程ｅの後に行われ、前記プラズマが、窒素プラズマ、窒素及びヘリウム含有プラズマ、窒素及びアルゴン含有プラズマ、アンモニアプラズマ、アンモニア及びヘリウム含有プラズマ、アンモニア及びアルゴン含有プラズマ、ヘリウムプラズマ、アルゴンプラズマ、ネオンプラズマ、水素プラズマ、水素及びヘリウム含有プラズマ、水素及びアルゴン含有プラズマ、有機アミンプラズマ、有機ジアミンプラズマからなる群から選択される、 方法。 【請求項２】 前記方法が、プラズマ促進原子層堆積法であり、それによって工程ｃ～ｅが反復して繰り返され、それによって層状に前記炭素ドープケイ素含有膜が形成される、請求項１記載の方法。 【請求項３】 工程ｄが、工程ｃの間に行われる、請求項１記載の方法。 【請求項４】 プラズマが、酸素源として、工程ｆの間に選択される、請求項１記載の方法。 【請求項５】 前記酸素源が、水蒸気プラズマ、酸素プラズマ、ならびに水及び不活性ガスを含むプラズマからなる群から選択される、請求項４記載の方法。 【請求項６】 前記炭素ドープケイ素含有膜が、ＸＰＳで測定した場合に、１０原子量％以上の炭素含有量を含む、請求項１に記載の方法。 【請求項７】 前記炭素ドープケイ素含有膜が、希フッ酸で測定した場合に、０．１５Å／秒以下のウェットエッチ速度を含み、前記希フッ酸が１：９９の４９％ＨＦ及びＤＩ水の浴である、請求項１に記載の方法。」 イ 上記アによれば、本件第２補正後の請求項１に係る発明は、「ｄ）前記少なくとも１種の環状ハローカルボシランをプラズマに暴露する工程と、」「ｅ）前記少なくとも１種の環状ハローカルボシラン前駆体と反応して、炭素ドープ窒化ケイ素膜を形成するのに十分な条件下で、窒素源を導入する工程と」「を含み、」「工程ｄが、工程ｅの後に行われ」るものである。 したがって、本件第２補正後の請求項１に係る発明は、技術的事項１を有するものである。 （３）本件第３補正について 本件第３補正は、本件第２補正後の明細書の発明の名称の記載を、「炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための方法」と補正するものである。 そうすると、本件第３補正により、特許請求の範囲は補正されないから、本件第３補正後の請求項１に係る発明は、技術的事項１を有するものである。 ２ 当初明細書等の記載 当初明細書等には、以下の記載がある。（この項において、下線は、強調のため当審にて付した。） 「【００１６】 別の態様において、炭素ドープ酸化ケイ素膜及び炭素ドープ酸窒化ケイ素膜から選択される膜を、基材の少なくとも１つの表面上に堆積するための方法であって、 基材を反応器中に設置する工程と、 約２５～約７００℃の範囲の１つ又は複数の温度に反応器を加熱する工程と、 環状ハローカルボシラン化合物、環状ハローアミノカルボシラン化合物、及びそれらの組み合わせから選択される少なくとも１つの化合物を含む前駆体を反応器に導入する工程と、 窒素源を反応器中に導入し、前駆体の少なくとも一部と反応させて、炭素ドープ窒化ケイ素膜を形成する工程と、 炭素ドープ窒化ケイ素膜を膜に変換するのに十分な条件下で、約２５～１０００℃又は約１００～４００℃の範囲の１つ又は複数の温度において、炭素ドープ窒化ケイ素膜を酸素源で処理する工程と を含む方法が提供される。幾つかの実施形態において、炭素ドープ酸化ケイ素膜又は炭素ドープ酸窒化ケイ素膜は、ＸＰＳで測定した場合に約１０原子量パーセント（ａｔ．％）以上の炭素含有量と、希釈ＨＦ中で約０．２０Å／秒以下のエッチ速度とを有する。」 「【００４５】 本明細書で開示される堆積方法は、１つ又は複数のパージガスを含むことができる。未消費の反応剤及び／又は反応副産物をパージするために使用されるパージガスは、前駆体と反応しない不活性ガスである。例示のパージガスとしては、限定されないが、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン、水素（Ｈ２）、及びそれらの組み合わせが挙げられる。幾つかの実施形態において、Ａｒのようなパージガスは、約０．１～１０００秒間の間、約１０～約２０００ｓｃｃｍの範囲の流量で反応器中に供給され、それにより、反応器中に残っていることがある未反応の材料及び任意の副産物をパージする。」 「【００４７】 前駆体、窒素含有源、還元剤、他の前駆体又はそれらの組み合わせのうち少なくとも１つにエネルギーが与えることで、反応を誘発し、基材上に膜又はコーティングを形成する。そのようなエネルギーは、限定されないが、熱、プラズマ、パルス化プラズマ、ヘリコンプラズマ、高密度プラズマ、誘導結合プラズマ、Ｘ線、電子ビーム、光子、リモートプラズマ法、及びそれらの組み合わせにより提供することができる。」 「【００５０】 この又は他の実施形態において、本明細書で説明される方法の工程は、様々な順序で行うことができ、連続して又は同時に（例えば、別の工程の少なくとも一部の間に）行うことができ、及びそれらに任意の組み合わせであることができることが理解される。前駆体及び窒素含有源のガスを供給する連続工程を、それらを提供する時間の間隔を変化させ、得られるケイ素含有膜の化学量論的組成を変化させることにより行うことができる。」 「【００５７】 本明細書で説明される方法のまた別の更なる実施形態において、ケイ素含有膜は、有機アミンを含む窒素源と共に熱ＡＬＤプロセスを使用して堆積される。この実施形態において、方法は、 表面特徴を含む１つ又は複数の基材を反応器中に設置する工程と、 周辺温度～約７００℃の範囲の１つ又は複数の温度に反応器を加熱し、任意選択で、１００ｔｏｒｒ以下の圧力で反応器を維持する工程と、 環状ハローカルボシラン、環状ハローアミノカルボシラン、及び環状アミノカルボシランからなる群より選択される少なくとも１つの環状カルボシランを反応器に導入する工程と、 窒素源を反応器中に提供して、前駆体と反応させて、炭窒化ケイ素堆積膜を形成する工程とを含み、 任意選択で、堆積膜を後堆積アニールする工程と、 任意選択で、約周辺温度～１０００℃、又は約１００～４００℃の範囲の１つ又は複数の温度で、炭素ドープ窒化ケイ素膜を酸素源で後堆積処理して、炭素ドープ窒化ケイ素膜を炭素ドープ酸化ケイ素膜に変換する工程であって、酸素源が、水蒸気、水プラズマ、含酸素水、含酸素水蒸気、酸素、酸素プラズマ、酸素／ヘリウムプラズマ、酸素／アルゴンプラズマ、窒素酸化物プラズマ、二酸化炭素プラズマ、過酸化水素、有機過酸化物、亜酸化窒素、オゾン、オゾン水、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される工程と、 任意選択で、炭素ドープ酸化ケイ素膜がＵＶ光源にさらされる工程とを含む。」 「【００５８】 本明細書で説明される方法のまた別の実施形態において、炭素ドープ酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭素ドープ酸窒化ケイ素膜、炭素ドープ窒化ケイ素、又は炭化ケイ素膜は、プラズマＡＬＤプロセスを使用して堆積される。この実施形態において、方法は、 ・・・（中略）・・・ 環状ハローカルボシラン、環状ハローアミノカルボシラン、及び環状アミノカルボシランからなる群より選択される少なくとも１つの環状カルボシランを反応器中に導入する工程と、 プラズマ源を反応器中に提供し、前駆体と反応させて、炭窒化ケイ素膜を形成する工程であって、プラズマ源が、窒素プラズマ、窒素及びヘリウム含有プラズマ、窒素及びアルゴン含有プラズマ、アンモニアプラズマ、アンモニア及びヘリウム含有プラズマ、アンモニア及びアルゴン含有プラズマ、ヘリウムプラズマ、アルゴンプラズマ、ネオンプラズマ、水素プラズマ、水素及びヘリウム含有プラズマ、水素及びアルゴン含有プラズマ、有機アミンプラズマ、有機ジアミンプラズマ、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される工程とを含み、 任意選択で、約４００～１０００℃の範囲の１つ又は複数の温度で、堆積膜を後堆積熱アニールする工程と、 任意選択で、約周辺温度～約１０００℃又は約１００℃～約４００℃の範囲の１つ又は複数の温度で、炭素ドープ窒化ケイ素膜を酸素源で後堆積処理して、炭素ドープ窒化ケイ素膜を炭素ドープ酸化ケイ素膜に変換する工程であって、酸素源が、水蒸気、水プラズマ、含酸素水、含酸素水蒸気、酸素、酸素プラズマ、酸素／ヘリウムプラズマ、酸素／アルゴンプラズマ、窒素酸化物プラズマ、二酸化炭素プラズマ、過酸化水素、有機過酸化物、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１つである工程と、 任意選択で、被処理膜をＵＶ光源で後堆積照射する工程と、 任意選択で、希ガス又は水素含有プラズマで被処理膜を後堆積処理して、膜の特性のうち少なくとも１つを改善する工程とを含む。」 「【００６０】 本明細書で説明される方法のまた別の更なる実施形態において、炭素ドープ酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭素ドープ酸窒化ケイ素、又は炭素ドープ窒化ケイ素膜は、熱ＡＬＤプロセス及び不活性プラズマを使用して堆積されて、膜の特性を改善する。この実施形態において、方法は、 表面特徴を含む１つ又は複数の基材を反応器中に設置する工程と、 ２５～約７００℃の範囲の１つ又は複数の温度に反応器を加熱し、任意選択で、１００ｔｏｒｒ以下の圧力で反応器を維持する工程と、 環状ハローカルボシラン、環状ハローアミノカルボシラン、及び環状アミノカルボシランからなる群より選択される少なくとも１つの環状カルボシランを反応器に導入する工程と、 窒素源を反応器中に提供して、表面と反応させて炭窒化ケイ素膜を形成する工程と、 不活性プラズマ及び水素プラズマから選択されるプラズマを提供する工程であって、不活性プラズマが、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン及びそれらの組み合わせから選択される少なくとも１つを含む工程とを含み、 任意選択で、膜を後堆積アニールする工程と、 任意選択で、約周辺温度～１０００℃又は約１００～４００℃の範囲の１つ又は複数の温度で、炭素ドープ窒化ケイ素膜を酸素源で後堆積処理して、炭素ドープ窒化ケイ素膜を炭素ドープ酸化ケイ素膜に変換する工程と、 任意選択で、被処理膜をＵＶ光源で後堆積照射する工程と、 希ガス又は水素含有プラズマで被処理膜を後堆積処理して、膜の特性のうち少なくとも１つを改善する工程とを含む。」 「【００６１】 本明細書で説明される方法のまた別の更なる実施形態において、炭素ドープ酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭素ドープ酸窒化ケイ素、又は炭素ドープ窒化ケイ素膜は、熱ＡＬＤプロセスを使用して堆積される。この実施形態において、方法は、 表面特徴を含む１つ又は複数の基材を設置する工程と、 ２５～約７００℃の範囲の１つ又は複数の温度に反応器を加熱し、任意選択で、１００ｔｏｒｒ以下の圧力で反応器を維持する工程と、 環状ハローカルボシラン、環状ハローアミノカルボシラン、及び環状アミノカルボシランからなる群より選択される少なくとも１つの環状カルボシランを反応器に導入する工程と、 窒素源を反応器中に提供して、表面と反応させて炭窒化ケイ素膜を形成する工程と、 酸素源を提供して、炭窒化ケイ素を炭素ドープ酸窒化ケイ素に変換する工程であって、酸素源が、水蒸気、酸素、亜酸化窒素、エチレングリコール、オゾン、酸素プラズマ、亜酸化窒素プラズマ、二酸化炭素（ＣＯ２）、一酸化炭素（ＣＯ）、ＣＯ２プラズマ、ＣＯプラズマ、Ｏ２プラズマ、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１つを含む工程とを含み、 任意選択で、真空（＜７６０Ｔｏｒｒ）又は不活性環境において、約４００～約１０００℃の範囲の１つ又は複数の温度で、堆積膜を後堆積アニールする工程と、 任意選択で、約２５～１０００℃又は約１００～４００℃の範囲の１つ又は複数の温度で、炭素ドープ窒化ケイ素膜を酸素源で後堆積処理して、炭素ドープ窒化ケイ素膜を炭素ドープ酸化ケイ素膜に変換する工程と、 任意選択で、被処理膜をＵＶ光源で後堆積照射する工程と、 希ガス又は水素含有プラズマで被処理膜を後堆積処理して、膜の特性のうち少なくとも１つを改善する工程とを含む。」 「【０１０４】 例１８：炭素ドープケイ素含有膜のＡＬＤ堆積の間のプラズマ高密度化処理 ３００℃の基材温度において、ＡＬＤサイクル毎に、環状ハローカルボシラン前駆体１，１，３，３－テトラクロロジシラシクロブタンと、アンモニアと、不活性プラズマ高密度化工程とを使用してケイ素含有膜を堆積し、間欠的な膜処理が、得られた膜の幾つかの特性、例えば、密度を改善することができることを示した。堆積工程を以下の表ＸＶＩに示した。 【０１０５】 【表１６】 ［図：0001419864000001.jpg］ 」 ３ 新規事項の追加の有無について 上記１によれば、本件第１補正後の請求項４に係る発明は技術的事項１を有するものであり、その後にされた本件第２補正及び本件第３補正の後の請求項１に係る発明も技術的事項１を有するものである。 以下では、技術的事項１が、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たに導入される技術的事項であるか否かについて検討する。 （１）技術的事項１について ア 上記２の段落００１６に、「環状ハローカルボシラン化合物」「から選択される少なくとも１つの化合物を含む前駆体を反応器に導入する工程」との記載があり、「環状ハローカルボシラン化合物」は「前駆体」として導入されるから、技術的事項１の「環状ハローカルボシラン前駆体」は環状ハローカルボシランである。 イ また、技術的事項１において、「工程ｅ」は、「前記少なくとも１種の環状ハローカルボシラン前駆体と反応して、炭素ドープ窒化ケイ素膜を形成するのに十分な条件下で、窒素源を導入する」ものであるから、「工程ｅ」が行われることにより、少なくとも１種の環状ハローカルボシランと、導入される窒素源とが反応して、炭素ドープ窒化ケイ素膜が形成されると認められる。 ウ 上記ア及びイによれば、技術的事項１において「工程ｄ」が「工程ｅ」の後に行われることにより、先ず、「工程ｅ」において、少なくとも１種の環状ハローカルボシランと、導入される窒素源とが反応して、炭素ドープ窒化ケイ素膜が形成され、その後、「工程ｄ」において、窒素源と反応することなく残った環状ハローカルボシランがプラズマに暴露されるといえる。 （２）当初明細書等の記載から導かれる技術的事項について ア（ア）当初明細書等には、窒素源を導入する工程の後、プラズマに暴露する工程を行うことに関して、上記２の段落００５７に「方法は」「環状ハローカルボシラン」「からなる群より選択される少なくとも１つの環状カルボシランを反応器に導入する工程と、窒素源を反応器中に提供して、前駆体と反応させて、炭窒化ケイ素堆積膜を形成する工程とを含み、」「炭素ドープ窒化ケイ素膜を酸素源で後堆積処理して、炭素ドープ窒化ケイ素膜を炭素ドープ酸化ケイ素膜に変換する工程であって、酸素源が」「水プラズマ、」「酸素プラズマ、酸素／ヘリウムプラズマ、酸素／アルゴンプラズマ、窒素酸化物プラズマ、二酸化炭素プラズマ」「からなる群より選択される工程と」「を含む。」との記載があり、段落００５８に「方法は」「環状ハローカルボシラン」「からなる群より選択される少なくとも１つの環状カルボシランを反応器中に導入する工程と、プラズマ源を反応器中に提供し、前駆体と反応させて、炭窒化ケイ素膜を形成する工程であって、プラズマ源が、窒素プラズマ、窒素及びヘリウム含有プラズマ、窒素及びアルゴン含有プラズマ、アンモニアプラズマ、アンモニア及びヘリウム含有プラズマ、アンモニア及びアルゴン含有プラズマ、」「有機アミンプラズマ、有機ジアミンプラズマ」「からなる群より選択される工程とを含み、」「炭素ドープ窒化ケイ素膜を酸素源で後堆積処理して、炭素ドープ窒化ケイ素膜を炭素ドープ酸化ケイ素膜に変換する工程であって、酸素源が」「水プラズマ、」「酸素プラズマ、酸素／ヘリウムプラズマ、酸素／アルゴンプラズマ、窒素酸化物プラズマ、二酸化炭素プラズマ」「からなる群より選択される少なくとも１つである工程と」「を含む。」との記載があり、段落００６１に「方法は」「環状ハローカルボシラン」「からなる群より選択される少なくとも１つの環状カルボシランを反応器に導入する工程と、窒素源を反応器中に提供して、表面と反応させて炭窒化ケイ素膜を形成する工程と、酸素源を提供して、炭窒化ケイ素を炭素ドープ酸窒化ケイ素に変換する工程であって、酸素源が」「酸素プラズマ、亜酸化窒素プラズマ、」「ＣＯ２プラズマ、ＣＯプラズマ、Ｏ２プラズマ、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１つを含む工程とを含み」との記載があるから、環状ハローカルボシランと、窒素源とを反応させて、炭窒化ケイ素堆積膜又は炭窒化ケイ素膜すなわち炭素ドープ窒化ケイ素膜を形成する工程と、炭素ドープ窒化ケイ素膜を、プラズマを含む酸素源で後堆積処理して、炭素ドープ酸化ケイ素膜に変換する工程とを含む方法（以下、「方法１」という。）が記載されているといえる。 そして、上記（１）ウを踏まえると、方法１の、環状ハローカルボシランと窒素源とを反応させて、炭素ドープ窒化ケイ素膜を形成する工程は、技術的事項１の「工程ｅ」に対応するが、方法１の、炭素ドープ窒化ケイ素膜を、プラズマを含む酸素源で後堆積処理して、炭素ドープ酸化ケイ素膜に変換する工程は、環状ハローカルボシランをプラズマに暴露するものではないから、技術的事項１の「工程ｄ」に対応するものではない。 （イ）また、同様に、上記２の段落００６０に「方法は」「環状ハローカルボシラン」「からなる群より選択される少なくとも１つの環状カルボシランを反応器に導入する工程と、窒素源を反応器中に提供して、表面と反応させて炭窒化ケイ素膜を形成する工程と、不活性プラズマ及び水素プラズマから選択されるプラズマを提供する工程であって、不活性プラズマが、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン及びそれらの組み合わせから選択される少なくとも１つを含む工程とを含み」との記載があるから、環状ハローカルボシランと、窒素源とを反応させて、炭窒化ケイ素膜を形成する工程と、不活性プラズマ又は水素プラズマを提供する工程とを含む方法（以下、「方法２」という。）が記載されているといえる。 そして、上記（１）ウを踏まえると、方法２の、環状ハローカルボシランと、窒素源とを反応させて、炭窒化ケイ素膜を形成する工程は、技術的事項１の「工程ｅ」に対応するが、方法２の、不活性プラズマ又は水素プラズマを提供する工程は、炭窒化ケイ素膜を形成する工程の後に行われ、環状ハローカルボシランをプラズマに暴露するものではないから、技術的事項１の「工程ｄ」に対応するものではない。 （ウ）さらに、同様に、上記２の段落０１０４に「環状ハローカルボシラン前駆体１，１，３，３－テトラクロロジシラシクロブタンと、アンモニアと、不活性プラズマ高密度化工程とを使用してケイ素含有膜を堆積し」との記載があり、段落０１０５の表ＸＶＩには、「環状カルボシラン前駆体を反応器に流す」工程３、「環状カルボシラン前駆体をパージする」工程４、「ＮＨ３を反応器に流す」工程５、「ＮＨ３をパージする」工程６、「Ａｒプラズマを使用して現場でのプラズマ高密度化を行う」工程７を含む堆積工程の記載があるから、環状ハローカルボシラン前駆体１，１，３，３－テトラクロロジシラシクロブタンを流した後、アンモニアを流し、アンモニアをパージした後、Ａｒプラズマを使用してプラズマ高密度化を行うこと（以下、「方法３」という。）が記載されているといえる。 そして、上記１（ウ）を踏まえると、方法３の、環状ハローカルボシラン前駆体１，１，３，３－テトラクロロジシラシクロブタンを流した後、アンモニアを流すことは、技術的事項１の「工程ｅ」に対応するが、方法３の、Ａｒプラズマを使用してプラズマ高密度化を行うことは、アンモニアを流し、アンモニアをパージした後に行われるものであり、アンモニアは環状ハローカルボシラン前駆体１，１，３，３－テトラクロロジシラシクロブタンがすべて反応するのに十分な程度に供給されると認められ、アンモニアをパージした後に、環状ハローカルボシラン前駆体１，１，３，３－テトラクロロジシラシクロブタンが残っているとは認めらないから、Ａｒプラズマを使用してプラズマ高密度化を行うことは、環状ハローカルボシラン前駆体１，１，３，３－テトラクロロジシラシクロブタンをプラズマに暴露するものではない点で、技術的事項１の「工程ｄ」に対応するものではない。 （エ）加えて、当初明細書等には、他に、窒素源を導入する工程の後、プラズマに暴露する工程を行うことに関する記載は無い。 イ そして、当初明細書等には、上記２の段落００４５に「本明細書で開示される堆積方法は、１つ又は複数のパージガスを含むことができる。未消費の反応剤及び／又は反応副産物をパージするために使用されるパージガスは、前駆体と反応しない不活性ガスである。」「反応器中に残っていることがある未反応の材料及び任意の副産物をパージする。」との記載があり、未消費の反応剤及び反応副産物は、パージすなわち除去されるから、技術的事項１の「工程ｅ」の後に行われる「工程ｄ」において、未消費の反応剤である、窒素源と反応しなかった環状ハローカルボシランが残ることが、当初明細書等の記載において想定されていたとはいえない。 ウ 次に、当初明細書等には、上記２の段落００４７に「前駆体」「にエネルギーが与えることで、反応を誘発し、基材上に膜又はコーティングを形成する。そのようなエネルギーは」「プラズマ、パルス化プラズマ、ヘリコンプラズマ、高密度プラズマ、誘導結合プラズマ、」「リモートプラズマ法、及びそれらの組み合わせにより提供することができる。」との記載があり、プラズマにより前駆体にエネルギーを与える目的は、反応を誘発し、基材上に膜又はコーティングを形成するためであるから、技術的事項１の「工程ｅ」で、環状ハローカルボシランと窒素源とが反応して、炭素ドープ窒化ケイ素膜が形成された後に、技術的事項１の「工程ｄ」で、窒素源と反応することなく残った環状ハローカルボシランをプラズマに暴露してエネルギーを与えることは、膜又はコーティングを形成することに寄与しないから、プラズマにより前駆体にエネルギーを与える目的と合致しない。 エ 上記ア～ウによれば、技術的事項１の「工程ｄ」が「工程ｅ」の後に行われることは、当初明細書等に記載された事項ではなく、当初明細書等の記載において想定されていた事項でもなく、プラズマにより前駆体にエネルギーを与える目的とも合致しない。一方、本件第１補正後の請求項４に係る発明は、技術的事項１を有するものであるから、本件第１補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものである。 （３）請求人の主張について ア 請求人は、令和５年２月２日提出の意見書において、本願明細書の段落００５０には、「この又は他の実施形態において、本明細書で説明される方法の工程は、様々な順序で行うことができ、連続して又は同時に（例えば、別の工程の少なくとも一部の間に）行うことができ、及びそれらに任意の組み合わせであることができることが理解される」と明記されているから、工程ｄが工程ｅの後に行われる態様は、段落００５０の記載から自明である旨主張し（以下、「主張１」という。）、また、令和５年９月２７日提出の審判請求書において、本願明細書の段落００６０には、「環状ハローカルボシラン、環状ハローアミノカルボシラン、及び環状アミノカルボシランからなる群より選択される少なくとも１つの環状カルボシランを反応器に導入する工程と、窒素源を反応器中に提供して、表面と反応させて炭窒化ケイ素膜を形成する工程と、不活性プラズマ及び水素プラズマから選択されるプラズマを提供する工程であって、不活性プラズマが、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン及びそれらの組み合わせから選択される少なくとも１つを含む工程とを含み、」と記載され、本願請求項１における窒素源を導入する工程（ｅ）の後にプラズマを導入する工程（ｄ）が行われることが、明示的に記載されている旨主張している（以下、「主張２」という。）。 イ 主張１について検討する。上記（２）イにおいて検討したとおり、「工程ｅ」の後に環状ハローカルボシランが残ることが想定されているとはいえず、また、上記（２）ウにおいて検討したとおり、「工程ｅ」の後にプラズマを提供することは、プラズマにより前駆体にエネルギーを与える目的と合致しないから、「工程ｄ」を「工程ｅ」の後で行うことが、段落００５０に記載された「様々な順序」に含まれるとは認められない。よって、主張１を採用することはできない。 主張２について検討する。上記（２）アにおいて検討したとおり、段落００６０の「不活性プラズマ及び水素プラズマから選択されるプラズマを提供する工程」において、「環状ハローカルボシラン」がプラズマに暴露される記載はなく、また、上記（２）イ及びウによれば、段落００６０において「窒素源を反応器中に提供して、表面と反応させて炭窒化ケイ素膜を形成する工程」の後に「環状ハローカルボシラン」を反応器に残すことが想定されているとはいえず、また、「プラズマを提供する」ことは、プラズマにより前駆体にエネルギーを与える目的と合致しない。したがって、段落００６０の「不活性プラズマ及び水素プラズマから選択されるプラズマを提供する工程」は、環状ハローカルボシランをプラズマに暴露するものではない点で、技術的事項１の「工程ｄ」に対応するものではないから、主張２を採用することはできない。 （４）小括 したがって、技術的事項１を追加する補正を含む本件第１補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内でしたものではなく、特許法第１７条の２第３項の規定を満たさないものである。そして、本件第２補正及び本件第３補正の後の請求項１に係る発明も、技術的事項１を有するから、本願は、上記規定を満たさない補正がされたものである。 第４ むすび 以上のとおり、本件第１補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしておらず、その点は、その後になされた本件第２補正及び本件第３補正によっても解消していないから、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。