2019-700155

特許第６３８３５１０号発明「ＦｅＰｔ－Ｃ系スパッタリングターゲット」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

【結　論】 特許第６３８３５１０号の請求項１ないし１０に係る特許を維持する。

【理　由】 第１　手続の経緯 特許第６３８３５１０号の請求項１ないし１０に係る特許についての出願は、２０１７年（平成２９年）３月２日（優先権主張　平成２８年３月７日　日本国）を国際出願日とする出願であって、平成３０年８月１０日にその特許権の設定登録がされ、平成３０年８月２９日に特許掲載公報が発行されたものであり、その後、その全請求項に係る特許に対し、平成３１年２月２７日付けで特許業務法人藤央特許事務所（以下、「申立人」という。）により、甲第１～３号証（以下、それぞれ「甲１」～「甲３」という。）を証拠方法とする特許異議の申立てがされ、平成３１年４月２５日付けで取消理由が通知され、特許権者より、令和元年７月３日付けで意見書（以下、「意見書」という。）の提出がされ、令和元年７月１０日付けで申立人に対し審尋がされ、申立人より、令和元年８月２日付けで回答書（以下、「回答書」という。）の提出がされたものである。 （証拠方法） 甲１：国際公開２０１４／１７５３９２号 甲２：国際公開２０１４／１３２７４６号 甲３：特開２０１２－１０２３８７号公報 第２　本件特許発明 特許第６３８３５１０号の請求項１ないし１０に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」～「本件発明１０」といい、まとめて「本件発明」という。）は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。 「【請求項１】 Ｆｅ、ＰｔおよびＣを含有するＦｅＰｔ－Ｃ系スパッタリングターゲットであって、 Ｐｔを３３ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下含有して残部が実質的にＦｅからなるＦｅＰｔ系合金相中に、実質的にＣからなるＣ相が分散した構造を有し、 当該ＦｅＰｔ－Ｃ系スパッタリングターゲットの厚さ方向の断面を１２１μｍ×９７μｍの範囲の視野について１０００倍の倍率で１０箇所撮影して得た１０個の画像それぞれにおいて、Ｃ相の内接円の直径が大きい方から５番目までのその５つの直径の平均値をＣ相の大きさ指数ａとするとともに、直径が大きい方から５番目までのＣ相の内接円の中心からそのＣ相の界面までを結ぶ直線の最大長さＬを当該内接円の半径Ｒで除した値Ｌ／Ｒを、直径が大きい方から５番目までのＣ相それぞれについて求め、求めた５つの値の平均値をＣ相の非球形指数ｂとするとき、前記１０個の画像それぞれにおいて求めた前記Ｃ相の大きさ指数ａの平均値が４．０μｍ以上９．０μｍ以下であり、かつ、前記１０個の画像それぞれにおいて求めた前記Ｃ相の非球形指数ｂの平均値が３．０以上であることを特徴とするＦｅＰｔ－Ｃ系スパッタリングターゲット。 【請求項２】 Ｆｅ、ＰｔおよびＣを含有し、さらにＦｅ、Ｐｔ以外の１種以上の元素を含有するＦｅＰｔ－Ｃ系スパッタリングターゲットであって、 Ｐｔを３３ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％未満、Ｆｅ、Ｐｔ以外の前記１種以上の元素を０ｍｏｌ％よりも多く２０ｍｏｌ％以下含有し、かつ、Ｐｔと前記１種以上の元素の合計が６０ｍｏｌ％以下であり、残部が実質的にＦｅからなるＦｅＰｔ系合金相中に、実質的にＣからなるＣ相が分散した構造を有し、 当該ＦｅＰｔ－Ｃ系スパッタリングターゲットの厚さ方向の断面を１２１μｍ×９７μｍの範囲の視野について１０００倍の倍率で１０箇所撮影して得た１０個の画像それぞれにおいて、Ｃ相の内接円の直径が大きい方から５番目までのその５つの直径の平均値をＣ相の大きさ指数ａとするとともに、直径が大きい方から５番目までのＣ相の内接円の中心からそのＣ相の界面までを結ぶ直線の最大長さＬを当該内接円の半径Ｒで除した値Ｌ／Ｒを、直径が大きい方から５番目までのＣ相それぞれについて求め、求めた５つの値の平均値をＣ相の非球形指数ｂとするとき、前記１０個の画像それぞれにおいて求めた前記Ｃ相の大きさ指数ａの平均値が４．０μｍ以上９．０μｍ以下であり、かつ、前記１０個の画像それぞれにおいて求めた前記Ｃ相の非球形指数ｂの平均値が３．０以上であることを特徴とするＦｅＰｔ－Ｃ系スパッタリングターゲット。 【請求項３】 Ｆｅ、Ｐｔ以外の前記１種以上の元素は、Ｃｕ、Ａｇ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｖ、Ｂのうちの１種以上であることを特徴とする請求項２に記載のＦｅＰｔ－Ｃ系スパッタリングターゲット。 【請求項４】 前記Ｃ相に含まれるＣのターゲット全体に対する含有割合が１０ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下であることを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載のＦｅＰｔ－Ｃ系スパッタリングターゲット。 【請求項５】 Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃおよび酸化物を含有するＦｅＰｔ－Ｃ系スパッタリングターゲットであって、 Ｐｔを３３ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下含有して残部が実質的にＦｅからなるＦｅＰｔ系合金相中に、実質的にＣからなるＣ相および実質的に酸化物からなる酸化物相が分散した構造を有し、 当該ＦｅＰｔ－Ｃ系スパッタリングターゲットの厚さ方向の断面を１２１μｍ×９７μｍの範囲の視野について１０００倍の倍率で１０箇所撮影して得た１０個の画像それぞれにおいて、Ｃ相の内接円の直径が大きい方から５番目までのその５つの直径の平均値をＣ相の大きさ指数ａとするとともに、直径が大きい方から５番目までのＣ相の内接円の中心からそのＣ相の界面までを結ぶ直線の最大長さＬを当該内接円の半径Ｒで除した値Ｌ／Ｒを、直径が大きい方から５番目までのＣ相それぞれについて求め、求めた５つの値の平均値をＣ相の非球形指数ｂとするとき、前記１０個の画像それぞれにおいて求めた前記Ｃ相の大きさ指数ａの平均値が４．０μｍ以上９．０μｍ以下であり、かつ、前記１０個の画像それぞれにおいて求めた前記Ｃ相の非球形指数ｂの平均値が３．０以上であることを特徴とするＦｅＰｔ－Ｃ系スパッタリングターゲット。 【請求項６】 Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃおよび酸化物を含有し、さらにＦｅ、Ｐｔ以外の１種以上の元素を含有するＦｅＰｔ－Ｃ系スパッタリングターゲットであって、 Ｐｔを３３ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％未満、Ｆｅ、Ｐｔ以外の前記１種以上の元素を０ｍｏｌ％よりも多く２０ｍｏｌ％以下含有し、かつ、Ｐｔと前記１種以上の元素の合計が６０ｍｏｌ％以下であり、残部が実質的にＦｅからなるＦｅＰｔ系合金相中に、実質的にＣからなるＣ相および実質的に酸化物からなる酸化物相が分散した構造を有し、 当該ＦｅＰｔ－Ｃ系スパッタリングターゲットの厚さ方向の断面を１２１μｍ×９７μｍの範囲の視野について１０００倍の倍率で１０箇所撮影して得た１０個の画像それぞれにおいて、Ｃ相の内接円の直径が大きい方から５番目までのその５つの直径の平均値をＣ相の大きさ指数ａとするとともに、直径が大きい方から５番目までのＣ相の内接円の中心からそのＣ相の界面までを結ぶ直線の最大長さＬを当該内接円の半径Ｒで除した値Ｌ／Ｒを、直径が大きい方から５番目までのＣ相それぞれについて求め、求めた５つの値の平均値をＣ相の非球形指数ｂとするとき、前記１０個の画像それぞれにおいて求めた前記Ｃ相の大きさ指数ａの平均値が４．０μｍ以上９．０μｍ以下であり、かつ、前記１０個の画像それぞれにおいて求めた前記Ｃ相の非球形指数ｂの平均値が３．０以上であることを特徴とするＦｅＰｔ－Ｃ系スパッタリングターゲット。 【請求項７】 Ｆｅ、Ｐｔ以外の前記１種以上の元素は、Ｃｕ、Ａｇ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｖ、Ｂのうちの１種以上であることを特徴とする請求項６に記載のＦｅＰｔ－Ｃ系スパッタリングターゲット。 【請求項８】 前記Ｃ相に含まれるＣおよび前記酸化物相に含まれる酸化物の合計のターゲット全体に対する含有割合が１０ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下であって、かつ、前記Ｃ相に含まれるＣのターゲット全体に対する含有割合が５ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ以下、前記酸化物相に含まれる酸化物の合計のターゲット全体に対する含有割合が１ｍｏｌ％以上２５ｍｏｌ％以下であることを特徴とする請求項５～７のいずれかに記載のＦｅＰｔ－Ｃ系スパッタリングターゲット。 【請求項９】 前記酸化物は、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ｔｉ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、Ｃｒ2Ｏ3、ＣｏＯ、Ｃｏ3Ｏ4、Ｂ2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3、Ｆｅ3Ｏ4、ＣｕＯ、Ｃｕ2Ｏ、Ｙ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、ＭｏＯ3、ＣｅＯ2、Ｓｍ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3、ＷＯ2、ＷＯ3、ＨｆＯ2、ＮｉＯ2のうちの少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項５～８のいずれかに記載のＦｅＰｔ－Ｃ系スパッタリングターゲット。 【請求項１０】 相対密度が９０％以上であることを特徴とする請求項１～９のいずれかに記載のＦｅＰｔ－Ｃ系スパッタリングターゲット。」 第３　取消理由について １．取消理由の概要 当審の通知した取消理由の概要は以下のとおりである。 取消理由：本件発明１、４、１０は、本件特許に係る国際出願（ＰＣＴ／ＪＰ２０１７／００８３４４）の国際段階手続における２０１７年１１月１日付け答弁書（以下、「答弁書」という。）の記載からみて、甲１に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないから、本件発明１、４、１０に係る特許は取り消すべきものである。 ２．取消理由についての判断 （１）甲１の記載事項及び引用発明 甲１には、以下の事項が記載されている。 （ア）「［０００９］　本発明は、高価な同時スパッタ装置を用いることなく、熱アシスト磁気記録メディアの磁性薄膜の作製を可能にする、Ｃ粒子が分散したＦｅ－Ｐｔ系スパッタリングターゲット及びその製造に用いる炭素原料を提供することであり、さらには、スパッタリング時に発生するパーティクル量を低減したスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。」 （イ）「［００１５］　本発明では、Ｃの含有量は、スパッタリングターゲット組成中、好ましくは５ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下である。Ｃ粒子のターゲット組成中における含有量が、５ｍｏｌ％未満であると、良好な磁気特性が得られない場合があり、６０ｍｏｌ％を超えると、Ｃ粒子を焼結体中に分散させることが難しくなりＣ粒子同士が凝集して、パーティクルの発生が多くなる場合がある。 ［００１６］　また、本発明では、Ｐｔの含有量は、Ｆｅ－Ｐｔ合金組成中、好ましくは５ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下である。Ｆｅ－Ｐｔ合金中におけるＰｔの含有量が、５ｍｏｌ％未満であると、良好な磁気特性が得られない場合があり、６０ｍｏｌ％を超えても、同様に良好な磁気特性が得られない場合がある。」 （ウ）「［００２３］　本発明のスパッタリングターゲットは、粉末焼結法によって作製する。…（略）… ［００２６］　原料として用いるＣ粉末の粒度分布とターゲット中の炭素粒子の平均粒子面積とは相関関係がある…（略）… ［００２８］　次に、上記の粉末を所望の組成となるように秤量し、Ｃ粉末を除く原料粉末をボールミル等の公知の手法を用いて粉砕を兼ねて混合する。こうして得られた混合粉末に先に秤量したＣ粉末を添加した後、分級して粒径の小さい粉末を分離除去する。 次に混合粉末をホットプレスで成型、焼結する。ホットプレス以外にも、プラズマ放電焼結法、熱間静水圧焼結法を使用することもできる。焼結時の温度は、スパッタリングターゲットの組成にもよるが、多くの場合、８００～１４００℃の温度範囲とする。 ［００２９］　次に、ホットプレスから取り出した焼結体に等方熱間加圧加工を施す。等方熱間加圧加工は焼結体の密度向上に有効である。等方熱間加圧加工時の保持温度は焼結体の組成にもよるが、多くの場合、８００～１４００℃の温度範囲である。また、加圧力は１００ＭＰａ以上に設定する。このようにして得られた焼結体を旋盤で所望の形状に加工することにより、発明のスパッタリングターゲットは作製できる。」 （エ）「［００３２］（実施例１） 原料粉末として、平均粒径１００μｍのＦｅ－Ｐｔ合金粉末と気流分級法により小径の粒子を分離した表１の粒度分布を備えるＣ粉末（薄片化黒鉛）を用意した。なお表１に示されるメジアン径、粒度分布等は、粒度分布計（型番：ＬＡ－９２０　ＨＯＲＩＢＡ社製）によって測定した。そして、これらの粉末を以下の組成で、合計重量が２６００ｇとなるように秤量した。 組成式：６０（５０Ｆｅ－５０Ｐｔ）－４０Ｃ（ｍｏｌ％） …（略）… ［００３４］　次に、Ｆｅ－Ｐｔ合金粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量５リットルのボールミルポットに封入し、４時間回転させて粉砕した。そして、ボールミルポットから取り出したＦｅ－Ｐｔ合金粉末に上記で秤量したＣ粉末を混合した。その後、１５０μｍ目の篩を５回通して混合した。 ［００３５］　次に、この混合粉末をカーボン製の型に充填し、ホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００℃／時間、保持温度１２００℃、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。 ［００３６］　次に、ホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工（ＨＩＰ）を施した。熱間等方加熱加工の条件は、昇温速度３００℃／時間、保持温度１３５０℃、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、１３５０℃保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。 ［００３７］　次に、得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨して、その組織をレーザー顕微鏡で観察した。そしてターゲットのスパッタ面に対する垂直断面及び水平断面上の任意に選んだ３箇所で、５５０μｍ×７００μｍの視野サイズで組織画像を撮影した。その結果を図１（垂直断面）及び図２（水平断面）に示す。そして、撮影した画像を画像処理ソフトで２値化し、Ｃ粒子に相当する部分（組織画像の黒っぽいところ）の個数と面積及び周囲長を求めた。 ［００３８］　表２に示すように、Ｃ粒子１個当たりの平均粒子面積は、スパッタ面に対する垂直断面及び水平断面において、それぞれ６５．１μｍ２、９０．０μｍ２であった。また、Ｃ粒子１個当たりの粒子の周囲長さの平均値は、スパッタ面に対する垂直断面及び水平断面において、それぞれ３８．９μｍ、３１．５μｍであった。」 （オ）「［００４１］（実施例２） 原料粉末として、平均粒径１００μｍのＦｅ－Ｐｔ合金粉末と気流分級法により小径の粒子を分離した表１の粒度分布を備えるＣ粉末（薄片化黒鉛）を用意した。なお表１に示されるメジアン径、粒度分布等は、実施例１と同様の方法を用いて測定した。そして、これらの粉末を以下の組成で、合計重量が２６００ｇとなるように秤量した。 組成式：６０（５０Ｆｅ－５０Ｐｔ）－４０Ｃ（ｍｏｌ％） ［００４２］　次に、Ｆｅ－Ｐｔ合金粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量５リットルのボールミルポットに封入し、４時間回転させて粉砕した。そして、ボールミルポットから取り出したＦｅ－Ｐｔ合金粉末に上記で秤量したＣ粉末を混合した。その後、１５０μｍ目の篩を５回通して混合した。 ［００４３］　次に、この混合粉末をカーボン製の型に充填し、ホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００℃／時間、保持温度１２００℃、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。 ［００４４］　次に、ホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工（ＨＩＰ）を施した。熱間等方加熱加工の条件は、昇温速度３００℃／時間、保持温度１３５０℃、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、１３５０℃保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。 ［００４５］　次に、得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨して、その組織をレーザー顕微鏡で観察した。そしてターゲットのスパッタ面に対する垂直断面及び水平断面上の任意に選んだ３箇所で、５５０μｍ×７００μｍの視野サイズで組織画像を撮影した。その結果を図３（垂直断面）及び図４（水平断面）に示す。そして、撮影した画像を画像処理ソフトで２値化し、Ｃ粒子に相当する部分（組織画像の黒っぽいところ）の個数と面積及び周囲長を求めた。 ［００４６］ 表２に示すように、Ｃ粒子１個当たりの平均粒子面積は、スパッタ面に対する垂直断面及び水平断面において、それぞれ１０２．３μｍ２、１９９．５μｍ２であった。また、Ｃ粒子１個当たりの粒子の周囲長さの平均値は、スパッタ面に対する垂直断面及び水平断面において、それぞれ４８．０μｍ、５０．７μｍであった。」 （カ）「［００４８］（比較例１） 原料粉末として、平均粒径１００μｍのＦｅ－Ｐｔ合金粉末と表１の粒度分布を備えるＣ粉末（薄片化黒鉛）を用意した。なお、比較例１では、分級を行わなかった。そして、これらの粉末を以下の組成で、合計重量が２６００ｇとなるように秤量した。 組成式：６０（５０Ｆｅ－５０Ｐｔ）－４０Ｃ（ｍｏｌ％） ［００４９］　次に、Ｆｅ－Ｐｔ合金粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量５リットルのボールミルポットに封入し、４時間回転させて粉砕した。そして、ボールミルポットから取り出したＦｅ－Ｐｔ合金粉末に上記で秤量したＣ粉末を混合した。その後、１５０μｍ目の篩を５回通して混合した。 ［００５０］　次に、この混合粉末をカーボン製の型に充填し、ホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００℃／時間、保持温度１２００℃、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。 ［００５１］　次に、ホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工（ＨＩＰ）を施した。熱間等方加熱加工の条件は、昇温速度３００℃／時間、保持温度１３５０℃、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、１３５０℃保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。 ［００５２］　次に、得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨して、その組織をレーザー顕微鏡で観察した。そしてターゲットのスパッタ面に対する垂直断面及び水平断面上の任意に選んだ３箇所で、５５０μｍ×７００μｍの視野サイズで組織画像を撮影した。その結果を図５（垂直断面）及び図６（水平断面）に示す。そして、撮影した画像を画像処理ソフトで２値化し、Ｃ粒子に相当する部分（組織画像の黒っぽいところ）の個数と面積及び周囲長を求めた。 ［００５３］　表２に示すように、Ｃ粒子１個当たりの平均粒子面積は、スパッタ面に対する垂直断面及び水平断面において、それぞれ４６．３μｍ２、２３２．８μｍ２であった。また、Ｃ粒子１個当たりの粒子の周囲長さの平均値は、スパッタ面に対する垂直断面及び水平断面において、それぞれ３１．３μｍ、５８．６μｍであった。」 （キ）「［００３３］［表１］ 」 （ク）「［００３９］［表２］ 」 （ケ）図面の簡単な説明及び図１、図３、図５ 「図面の簡単な説明 ［００１３］［図１］実施例１のスパッタリングターゲットのスパッタ面に対して垂直断面の組織画像である。 …（略）… ［図３］実施例２のスパッタリングターゲットのスパッタ面に対して垂直断面の組織画像である。 …（略）… ［図５］比較例１のスパッタリングターゲットのスパッタ面に対して垂直断面の組織画像である。」 「［図１］ 」 「［図３］ 」 「［図５］ 」 上記（ア）、（イ）、（カ）、（ク）より、甲１には比較例１として次の発明が記載されているものと認められる。 「Ｃ粒子が分散したＦｅ－Ｐｔ系スパッタリングターゲットであって、 ＦｅＰｔ系合金相は、Ｐｔを５０ｍｏｌ％、Ｆｅを５０ｍｏｌ％含有してなるものであり、 Ｃの含有量は、スパッタリングターゲット全体に対し、４０ｍｏｌ％であり、 ターゲットのスパッタ面に対する垂直断面上の任意に選んだ３箇所で、５５０μｍ×７００μｍの視野サイズで組織画像を撮影した画像を画像処理ソフトで２値化したときのＣ粒子に相当する部分（組織画像の黒っぽいところ）について、Ｃ粒子１個当たりの平均粒子面積は４６．３μｍ２、Ｃ粒子１個当たりの粒子の周囲長さの平均値は３１．３μｍであるスパッタリングターゲット。」（以下、「引用発明」という。） また、甲１には、引用発明に加え、上記（ア）、（イ）、（エ）、（ク）より、実施例１に係る発明（以下、「甲１実施例１発明」という。）及び上記（ア）、（イ）、（オ）、（ク）より、実施例２に係る発明（以下、「甲１実施例２発明」という。）が、以下のとおり記載されていると認められる。 甲１実施例１発明： 「Ｃ粒子が分散したＦｅ－Ｐｔ系スパッタリングターゲットであって、 ＦｅＰｔ系合金相は、Ｐｔを５０ｍｏｌ％、Ｆｅを５０ｍｏｌ％含有してなるものであり、 Ｃの含有量は、スパッタリングターゲット全体に対し、４０ｍｏｌ％であり、 ターゲットのスパッタ面に対する垂直断面上の任意に選んだ３箇所で、５５０μｍ×７００μｍの視野サイズで組織画像を撮影した画像を画像処理ソフトで２値化したときのＣ粒子に相当する部分（組織画像の黒っぽいところ）について、Ｃ粒子１個当たりの平均粒子面積は６５．１μｍ２、Ｃ粒子１個当たりの粒子の周囲長さの平均値は３８．９μｍであるスパッタリングターゲット。」 甲１実施例２発明： 「Ｃ粒子が分散したＦｅ－Ｐｔ系スパッタリングターゲットであって、 ＦｅＰｔ系合金相は、Ｐｔを５０ｍｏｌ％、Ｆｅを５０ｍｏｌ％含有してなるものであり、 Ｃの含有量は、スパッタリングターゲット全体に対し、４０ｍｏｌ％であり、 ターゲットのスパッタ面に対する垂直断面上の任意に選んだ３箇所で、５５０μｍ×７００μｍの視野サイズで組織画像を撮影した画像を画像処理ソフトで２値化したときのＣ粒子に相当する部分（組織画像の黒っぽいところ）について、Ｃ粒子１個当たりの平均粒子面積は１０２．３μｍ２、Ｃ粒子１個当たりの粒子の周囲長さの平均値は４８．０μｍであるスパッタリングターゲット。」 （２）本件発明１と引用発明との対比 本件発明１と引用発明とを対比すると、引用発明のターゲットのスパッタ面に対する垂直断面は、本件発明１のスパッタリングターゲットの厚さ方向の断面に相当し、引用発明のＣ粒子に相当する部分は、本件発明１のＣ相に概ね相当するから、両者は、 「Ｆｅ、ＰｔおよびＣを含有するＦｅＰｔ－Ｃ系スパッタリングターゲットであって、 Ｐｔを３３ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下含有して残部が実質的にＦｅからなるＦｅＰｔ系合金相中に、実質的にＣからなるＣ相が分散した構造を有し、 当該ＦｅＰｔ－Ｃ系スパッタリングターゲットの厚さ方向の断面を撮影した画像におけるＣ相の大きさに係る数値が特定されたもの」である点で一致し、以下の点で相違している。 相違点１： Ｃ相について、本件発明１では、「スパッタリングターゲットの厚さ方向の断面を１２１μｍ×９７μｍの範囲の視野について１０００倍の倍率で１０箇所撮影して得た１０個の画像それぞれにおいて、Ｃ相の内接円の直径が大きい方から５番目までのその５つの直径の平均値をＣ相の大きさ指数ａとするとともに、直径が大きい方から５番目までのＣ相の内接円の中心からそのＣ相の界面までを結ぶ直線の最大長さＬを当該内接円の半径Ｒで除した値Ｌ／Ｒを、直径が大きい方から５番目までのＣ相それぞれについて求め、求めた５つの値の平均値をＣ相の非球形指数ｂとするとき、前記１０個の画像それぞれにおいて求めた前記Ｃ相の大きさ指数ａの平均値が４．０μｍ以上９．０μｍ以下であり、かつ、前記１０個の画像それぞれにおいて求めた前記Ｃ相の非球形指数ｂの平均値が３．０以上である」のに対し、引用発明では、Ｃ相に相当するＣ粒子に相当する部分が、「ターゲットのスパッタ面に対する垂直断面上の任意に選んだ３箇所で、５５０μｍ×７００μｍの視野サイズで組織画像を撮影した画像を画像処理ソフトで２値化したときの組織画像の黒っぽいところ」であり、「Ｃ粒子１個当たりの平均粒子面積は４６．３μｍ２、Ｃ粒子１個当たりの粒子の周囲長さの平均値は３１．３μｍである」点。 （３）相違点１についての判断 相違点１について以下検討する。 ア．意見書で特許権者が主張する引用発明のＣ相に係る数値 意見書では、甲１の図５（上記（ケ）のものよりも鮮明な対応する特許第５８７６１５５号公報に記載の図５）に記載のターゲットの垂直断面の写真に基づき、直径が大きい方から５番目までの５つの内接円を以下の参考図３に示されるように選び実際に測定した数値から引用発明のＣ相の大きさ指数ａ及び非球形指数ｂを求め、引用発明のＣ相の大きさ指数ａは１２．１μｍ、非球形指数ｂは６．１であるから、本件発明１の「Ｃ相の大きさ指数ａの平均値が４．０μｍ以上９．０μｍ以下」であり、かつ、「Ｃ相の非球形指数ｂの平均値が３．０以上」であるものとは実質的に相違する旨の特許権者による主張がなされている。 イ．回答書で申立人が主張する引用発明のＣ相に係る数値 回答書では、甲１の図５の写真に基づき、上記ア．に記載した特許権者が選んだものと同じ５つの内接円を以下の図１に実線の円で示されるように選びそれらを実際に測定した数値から引用発明のＣ相の大きさ指数ａ及び非球形指数ｂを求め、引用発明のＣ相の大きさ指数ａは６．１４μｍ、非球形指数ｂは７．０であるから、本件発明１の「Ｃ相の大きさ指数ａの平均値が４．０μｍ以上９．０μｍ以下」であり、かつ、「Ｃ相の非球形指数ｂの平均値が３．０以上」である本件発明１と一致する旨の申立人による主張がなされている。 ウ．両者の主張についての検討 両者の主張は、引用発明のＣ相の大きさ指数ａ及び非球形指数ｂについて、同じ甲１の図５を対象としているにもかかわらず実際に測定した数値内容に相違がある。 そこでさらに検討するに、特許権者は、本件特許に係る国際出願の答弁書において、甲１実施例１発明および甲１実施例２発明に関し、甲１の図１及び図３に記載のターゲットの垂直断面の写真に基づき、本件発明１で特定するＣ相の大きさ指数ａ及び非球形指数ｂを求め、図１に基づくＣ相の大きさ指数ａは１２．４μｍ、非球形指数ｂは３．０であり、図３に基づくＣ相の大きさ指数ａは１６．０μｍ、非球形指数ｂは３．１である旨の主張をしていたものである。そして、意見書では、同じ手順に従って上記した引用発明のＣ相の大きさ指数ａが１２．１μｍ、非球形指数ｂが６．１という数値が得られたとして、「引用発明は、分級していないために粒径の小さな粒子を多く含み、平均粒子面積は小さくなるが、粒度分布は広く、粒径の大きな粒子も含まれているから、引用発明の平均粒子面積が実施例１発明及び実施例２発明より小さいからといって、大きい方から５番目までのＣ相の大きさ指数が小さくなるとは限らない。・・・略・・・甲１の図３（実施例２発明）と図５（引用発明）を比較すると、大きい方から５番目までの黒っぽい領域の寸法に大きな差がない」と取消理由通知に対して反論しており、その主張内容は、甲１の上記（オ）～（ケ）に照らして合理的なものであると認められる。 これに対し、申立人による回答書では、甲１実施例１発明および甲１実施例２発明との相対的な関係について言及はないが、引用発明のＣ相の大きさ指数ａ及び非球形指数ｂを求める手順については、「[図１]は【図５】の黒っぽいところの大きい方から５つを抽出し、内接円を書き加え、内接円の中心から界面に向かって伸ばした最大長さの直線を赤で書き加えた図であり、前記の測定結果は、［図１］に基づいて算出したものである。」と記載されており、各Ｃ相の内接円の直径と、Ｃ相の界面までを結ぶ直線の最大長さＬを当該内接円の半径Ｒで除した値Ｌ／Ｒについて、表１に以下のように具体的に記載されていて、その手順と結果に特に不合理な点は見当たらない。 エ．本件発明のＣ相に係る数値の測定法との比較と考察 Ｃ相に係る数値について、本件発明１では、「スパッタリングターゲットの厚さ方向の断面を１２１μｍ×９７μｍの範囲の視野について１０００倍の倍率で１０箇所撮影して得た１０個の画像それぞれにおいて、Ｃ相の内接円の直径が大きい方から５番目までのその５つの直径の平均値をＣ相の大きさ指数ａとするとともに、直径が大きい方から５番目までのＣ相の内接円の中心からそのＣ相の界面までを結ぶ直線の最大長さＬを当該内接円の半径Ｒで除した値Ｌ／Ｒを、直径が大きい方から５番目までのＣ相それぞれについて求め、求めた５つの値の平均値をＣ相の非球形指数ｂとする」と定義されていて、さらに本件特許明細書【００１３】～【００１４】において、実施例１において記載した手順によって得られる１０個の２値化処理画像から算出される旨説明され、同じく【０１０９】～【０１２６】の実施例で具体的に採用されている測定法では、１２１μｍ×９７μｍの範囲の１０枚の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真中の縮尺目盛りは１０μｍであってＣ相の大きさ及び形状の評価を行いやすくするための２値化処理がなされてＣ相の界面を判別しやすくしており、本件図面の図３に２値化処理画像として「Ｃ相の内接円」が示されている。 これに対し、上記ア．、イ．において引用発明についてＣ相に係る数値の測定に用いた画像は、上記（カ）［００５２］記載の比較例１のスパッタリングターゲットに係る図５であって、垂直断面上で「５５０μｍ×７００μｍの視野サイズで組織画像を撮影した」１個の画像だけであり、それ自体２値化処理されたものではなく、その右下の５０μｍのスケールからしてせいぜい１００倍程度の倍率と見積もられるものである。 そうすると、上記ウ．で検討したように一見して不合理な点が見当たらないのに、上記ア．、イ．の測定結果の齟齬が生じたのは、引用発明について上記ア．、イ．で採用された測定法では、画像から内接円の直径を求めるに際してＣ相の界面が不鮮明となっていて客観的な数値が正確に求まらず、しかも画像１０個の平均ではなく１個のみから得たものであった等の理由により、求められたＣ相に係る数値が安定したものとはならなかったという事情が窺える。 オ．まとめ 以上のように、甲１の図５の組織画像に示された比較例１のスパッタリングターゲットについて、Ｃ相に係る大きさ指数ａは、上記ア．の主張に係る数値１２．１μｍ、上記イ．の主張に係る数値６．１４μｍの何れであるとも認定できないから、引用発明について、「Ｃ相の大きさ指数ａの平均値が４．０μｍ以上９．０μｍ以下」である点が、甲１に開示されていると認めることはできない。 よって、本件発明１は甲１に記載された発明ではない。 （４）本件発明４、１０について 本件発明４、１０は、何れも本件発明１の発明特定事項をすべて含むものであるから、引用発明との対比において、少なくとも上記相違点１を有する発明である。 よって、本件発明１と同様に、本件発明４、１０も甲１に記載された発明ではない。 （５）まとめ 以上のとおり、取消理由は理由がない。 第４　特許異議申立理由について １．特許異議申立理由の概要 申立人の主張する特許異議申立理由の概要は以下のとおりである。 （１）申立理由１ 本件発明１～９は、甲１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものである。 （２）申立理由２ 本件発明１、４、１０は、甲３に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものである。 （３）申立理由３ 本件発明１～１０は、甲１～３に記載された発明及び周知技術に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。 （４）申立理由４ 本件発明を特定する「Ｃ相の非球形指数ｂの平均値が３．０以上」について、本件特許明細書の発明の詳細な説明には、非球形指数ｂの平均値が１０以上の実施例が記載されておらず、本件発明１～１０を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されていないから、特許法第３６条第４項第１号に規定の要件を満たしていない。 ２．当審の判断 （１）申立理由１について 本件発明１、４が甲１に記載された発明ではないことは、上記第３に記載したとおりである。 本件発明２、５、６については、何れも、本件発明１と同じ以下の点の発明特定事項を含むものである。 「スパッタリングターゲットの厚さ方向の断面を１２１μｍ×９７μｍの範囲の視野について１０００倍の倍率で１０箇所撮影して得た１０個の画像それぞれにおいて、Ｃ相の内接円の直径が大きい方から５番目までのその５つの直径の平均値をＣ相の大きさ指数ａとするとともに、直径が大きい方から５番目までのＣ相の内接円の中心からそのＣ相の界面までを結ぶ直線の最大長さＬを当該内接円の半径Ｒで除した値Ｌ／Ｒを、直径が大きい方から５番目までのＣ相それぞれについて求め、求めた５つの値の平均値をＣ相の非球形指数ｂとするとき、前記１０個の画像それぞれにおいて求めた前記Ｃ相の大きさ指数ａの平均値が４．０μｍ以上９．０μｍ以下であり、かつ、前記１０個の画像それぞれにおいて求めた前記Ｃ相の非球形指数ｂの平均値が３．０以上である」点。 また、本件発明３、７～９については、何れも本件発明２、５、６の何れかの発明特定事項をすべて含むものであるから、何れも、上記の点の発明特定事項を含むものである。 そして、上記の点が甲１に記載されているとはいえないことは、上記第３で検討したとおりであるから、本件発明２、３、５～９も甲１に記載された発明ではない。 よって、申立理由１は理由がない。 （２）申立理由２について ア．甲３の記載事項及び甲３に記載された発明 甲３には、以下の事項が記載されている。 （サ）「【請求項１】 ＦｅＰｔ合金相中にＣ相が分散している組織を有した焼結体からなることを特徴とする磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット。 【請求項２】 請求項１に記載の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、 ＦｅＰｔの規則相と純Ｃ相との二相から成る組織を有していることを特徴とする磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット。 【請求項３】 請求項１または２に記載の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、 前記純Ｃ相が、主としてグラファイトで構成されており、Ｘ線回折においてＦｅＰｔ規則相のピークおよびグラファイト相のピークのみが観察されることを特徴とする磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット。」 （シ）「【発明が解決しようとする課題】 【０００５】 上記従来の技術には、以下の課題が残されている。 すなわち、従来、ＦｅＰｔ－Ｃ膜を得るために、ＦｅＰｔのスパッタリングターゲットとＣのスパッタリングターゲットとによるコスパッタを行っているため、二種類のスパッタリングターゲットを用意する必要があると共に、ＣのスパッタリングターゲットからＣ粉のパーティクルが発生して異常放電の原因になってしまう不都合があった。 【０００６】 本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、スパッタリング時にパーティクルの発生を抑制して異常放電を防止可能であり、安定してＦｅＰｔ－Ｃ膜を得ることができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供することを目的とする。」 （ス）「【発明を実施するための形態】 【００１３】 以下、本発明に係る磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法の一実施形態を説明する。 【００１４】 本実施形態の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットは、ＦｅＰｔ合金相中にＣ（炭素）相が分散している組織を有した焼結体からなる。そして、この焼結体は、ＦｅＰｔの規則相と純Ｃ相との二相から成る組織を有している。また、純Ｃ相は、主としてグラファイトで構成されている。 このスパッタリングターゲットは、一般式：（ＦｅｘＰｔ（１００－ｘ））１００－ｙ（Ｃ）ｙ、ここで　３０≦ｘ≦７０、５≦ｙ≦７０（単位：ａｔ％）で表される組成を有する焼結体からなるターゲットである。すなわち、Ｃの含有量が、５～７０ａｔ％に設定される。Ｆｅが上記の組成範囲から外れると、高い異方性磁界を持つＦｅＰｔ規則相が磁気記録膜に十分に形成されない可能性がある。また、Ｃが５ａｔ％未満では、磁気記録膜の微細組織化が不十分となるおそれがあり、７０ａｔ％を超えると、ターゲットの密度が不足してパーティクルが発生しやすくなる可能性がある。 【００１５】 この磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法は、ＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、アセチレンガスの熱分解により生成されたカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 上記ＦｅＰｔ合金粉は、Ｆｅ：８０～９５ａｔ％を含有するＦｅＰｔ合金粉であり、平均粒径が１０～３０μｍのものを用いることが好ましい。また上記Ｐｔ粉は、平均粒径が１～５μｍのものを用い、さらに前記カーボンブラック粉は、平均粒径が０.０２～０.１０μｍのものを用いるとよい。」 （セ）「【実施例】 【００２２】 次に、本発明に係る磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを、上記実施形態に基づき作製した実施例により、実際に評価した結果を図１～図６を参照して説明する。 【００２３】 まず、ＦｅＰｔ合金アトマイズ粉は、純度３Ｎの電解鉄と純度３ＮのＰｔ粉とを原料として、Ｆｅの濃度が９３ａｔ％となるようにガスアトマイズ装置内で溶解し、Ａｒガスにてガスアトマイズし、ＦｅＰｔ合金アトマイズ粉を作成し回収する。回収した粉末を篩分し、平均粒径１６μｍのＦｅＰｔ合金アトマイズ粉を得る。 【００２４】 次に、ホットプレスによる焼結方法について述べる。篩分したＦｅＰｔ合金アトマイズ粉とＰｔ粉とカーボンブラック粉であるアセチレンブラック粉とを目標ターゲット組成となるように秤量し、これらをボールミル混合用の容器に混合用の粉砕媒体となる５ｍｍφのジルコニアボール等と共に投入し、容器内をＡｒガスで置換した後蓋を閉め、さらにこの容器を１６時間回転させ、原料を混合して混合粉末とする。この混合粉末を黒鉛モールドに充填した状態でホットプレス装置に装入し、到達真空圧力が１×１０－３Ｔｏｒｒ（１３３×１０－３Ｐａ）の真空雰囲気中で加圧力：３５０ｋｇｆ／ｃｍ２、保持温度：１４００℃、保持時間：３時間の条件にて焼結し、本発明ターゲットの焼結体を得た。 【００２５】 その後、焼結体を機械加工し、分析用の直径：５０ｍｍ、厚さ：２ｍｍの試料とスパッタ用の直径：１５２ｍｍ、厚さ：６ｍｍのターゲットとを作成した。さらに、スパッタ用のターゲットをＩｎはんだにて無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングし、スパッタリングターゲットとした。 【００２６】 このように作製したターゲットの組成は、（Ｆｅ５０Ｐｔ５０）６０．５Ｃ３９．５であり、Ｃが３０vol.％（体積％）含まれている。 分析用のターゲットの密度をアルキメデス法にて測定した結果、密度比が９８.９％であり、高い密度が得られている。また、このターゲットについてＰＴＦを測定した結果、７１.４％（７ｍｍ厚換算）であり、充分なＰＴＦが得られている。 【００２７】 同様に作成した組成が（Ｆｅ５０Ｐｔ５０）４９．６Ｃ５０．４であり、Ｃが４０vol.％（体積％）含まれているターゲットは、密度比が９４.７％であり、高い密度が得られている。また、このターゲットについてＰＴＦを測定した結果、７４.８％（７ｍｍ厚換算）であり、充分なＰＴＦが得られている。 同様に作成した組成が（Ｆｅ５０Ｐｔ５０）３９．６Ｃ６０．４であり、Ｃが５０vol.％（体積％）含まれているターゲットは、密度比が９３.２％であり、高い密度が得られている。また、このターゲットについてＰＴＦを測定した結果、８２.０％（７ｍｍ厚換算）であり、充分なＰＴＦが得られている。 ・・・ 【００３３】 このターゲットの組織観察は、断面（被スパッタ面に対し垂直な面）を研磨して鏡面とした後、高分解能のＦＥ－ＥＰＭＡ（フィールドエミッション型電子線プローブマイクロアナライザ、日本電子製ＪＸＡ－８５００Ｆ、以下ＥＰＭＡ）にて、二次電子像および反射電子像（ＣＯＭＰＯ像）、および各元素の組成分布を示す元素分布像を用いて実施した。上記二次電子像およびＣＯＭＰＯ像を図４に、元素分布像を図５および図６に示す。 なお、ＥＰＭＡによる元素分布像は、本来カラー像であるが、白黒像に変換して記載しているため、濃淡の淡い部分（比較的白い部分）が所定元素の濃度が高い部分となっている。 これらの画像から、ＦｅＰｔ合金相中に微細なＣ相が均一に分散していることがわかる。」 （ソ）「図４の二次電子（ＳＥＩ）像 」 上記（サ）～（ス）より、甲３には、スパッタリング時にパーティクルの発生を抑制して異常放電を防止可能であり、安定してＦｅＰｔ－Ｃ膜を得ることを課題として、ＦｅＰｔ合金相中にＣ相が分散している組織を有した焼結体からなる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットに関し、一般式：（ＦｅｘＰｔ（１００－ｘ））１００－ｙ（Ｃ）ｙ、ここで　３０≦ｘ≦７０、５≦ｙ≦７０（単位：ａｔ％）で表される組成を有する焼結体からなるスパッタリングターゲットについて記載されており、上記（セ）、（ソ）より、図４の組織を有し、Ｃが３０ｖｏｌ．％（体積％）含まれた実施例のスパッタリングターゲットとして、 「（Ｆｅ５０Ｐｔ５０）６０．５（Ｃ）３９．５で表される組成を有し、ＦｅＰｔ合金相中に微細なＣ相が均一に分散している組織を有した焼結体からなる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット」の発明（以下、「甲３発明」という。）が記載されていると認められる。 イ．本件発明１と甲３発明との対比 本件発明１と甲３発明とを対比すると、両者は、 「Ｆｅ、ＰｔおよびＣを含有するＦｅＰｔ－Ｃ系スパッタリングターゲットであって、 Ｐｔを３３ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下含有して残部が実質的にＦｅからなるＦｅＰｔ系合金相中に、実質的にＣからなるＣ相が分散した構造を有し」たものである点で一致し、以下の点で相違している。 相違点２： Ｃ相について、本件発明１では、「スパッタリングターゲットの厚さ方向の断面を１２１μｍ×９７μｍの範囲の視野について１０００倍の倍率で１０箇所撮影して得た１０個の画像それぞれにおいて、Ｃ相の内接円の直径が大きい方から５番目までのその５つの直径の平均値をＣ相の大きさ指数ａとするとともに、直径が大きい方から５番目までのＣ相の内接円の中心からそのＣ相の界面までを結ぶ直線の最大長さＬを当該内接円の半径Ｒで除した値Ｌ／Ｒを、直径が大きい方から５番目までのＣ相それぞれについて求め、求めた５つの値の平均値をＣ相の非球形指数ｂとするとき、前記１０個の画像それぞれにおいて求めた前記Ｃ相の大きさ指数ａの平均値が４．０μｍ以上９．０μｍ以下であり、かつ、前記１０個の画像それぞれにおいて求めた前記Ｃ相の非球形指数ｂの平均値が３．０以上である」のに対し、甲３発明では、ターゲットの厚み方向の二次電子像（図４）からは、Ｃ相の大きさ指数ａ、非球形指数ｂが不明である点。 ウ．相違点２についての検討 申立人は、本件発明１と甲３発明との対比を製造条件において行い、出発原料、ＦｅＰｔとＣとの混合、焼結条件において両者が類似している旨主張しているので、この主張について検討する。 まず、出発原料について、本件発明１及び甲３発明の何れも非球形Ｃ粉末を使用していると申立人により整理されているところ、さらに検討する。本件発明１のものは、本件特許明細書の【００８９】によれば、「Ｃ粒子の平均粒径が８μｍ以上６０μｍ以下」のものを用い、「得られるターゲット中のＣ相の大きさおよび形状が適切なものとなり、後述する実施例で実証しているように、スパッタリング時に発生するパーティクル数が少なくなる。」と記載されており、同じく【０１８１】【表１】によれば、実施例１～４の平均粒径１２．１７～５１．０１（μｍ）のものにおいては、Ｃ相の大きさ指数ａの平均値が４．０μｍ以上９．０μｍ以下であり、かつ、非球形指数ｂの平均値が３．０以上を満たし、２時間経過時のパーティクル発生数は１７～８０（個）となっているのに対し、比較例４【０１７０】～【０１７９】で平均粒径０．０３μｍのカーボンブラックを用いた場合には、Ｃ相の大きさ指数ａの平均値が０．８μｍであり、非球形指数ｂの平均値が３．５であって、２時間経過時のパーティクル発生数は４８０７（個）となってしまっている。他方、甲３発明の出発原料は、上記（セ）の【００２４】に記載されているようにカーボンブラック粉が用いられており、上記（ス）の【００１５】には、「０．０２～０．１０μｍのものを用いるとよい」と記載されている。 してみれば、出発原料の観点で、甲３発明は本件発明１の比較例に相当するものとしかいえないので、他の製造条件について検討するまでもなく、本件発明１と甲３発明の製造条件が類似しているとはいえない。 以上のことから、申立人の主張は採用できず、また、他に相違点２を実質的なものではないというべき理由も見当たらない。 よって、本件発明１は甲３に記載された発明ではなく、本件発明４、１０も同様に甲３に記載された発明ではないから、申立理由２は理由がない。 （３）申立理由３について 上記第３で検討した相違点１、上記（２）で検討した相違点２に関し、甲１又は甲３には、引用発明又は甲３発明においてこれら相違点を解消するための記載も示唆も見当たらない。また、申立人が周知技術として提示した甲２に記載された事項として、ＦｅＰｔ系合金相に含ませることが可能な金属元素が「Ｃｕ、Ａｇ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｖ、Ｂのうちの１種以上」として挙げられているが、この周知技術を参酌しても相違点１又は２が解消できるとはいえない。 よって、本件発明１～１０は、甲１～３に記載された発明及び周知技術に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないから、申立理由３は理由がない。 （４）申立理由４について 非球形指数ｂの技術的な意味については、「直径が大きい方から５番目までのＣ相の内接円の中心からそのＣ相の界面までを結ぶ直線の最大長さＬを当該内接円の半径Ｒで除した値Ｌ／Ｒ」の平均値であることからして、本件特許明細書の【００８０】に「Ｃ相の非球形指数ｂの平均値が３．０以上であるので、ターゲット中のＣ相は球形と比べて細長い形状になっており、単位体積当たりの表面積が球形よりも大きくなっている。」と記載されていることからも、Ｃ相が球からどれだけ変形して偏平となっているかの目安となるものであって、大まかに、非球形指数ｂの数値が大きくなるほど細長くなっていくものであるといえる。 本件特許明細書には、非球形指数ｂの平均値について、実施例１～４において４．５～６．０のものが示されており、【００７９】には「なお、通常得られるターゲットにおいては、前記Ｃ相の非球形指数ｂの前記平均値は通常１０．０以下であり、１５．０以下となる場合がほとんどであり、最大でも２０．０である。」と記載されていることから、非球形指数ｂの平均値が１０を超えることは稀であるとはいえるものの、当業者であれば、一般的に技術常識を参酌してＣ相をより偏平に構成することを試みることはできるといえる。そうすると、非球形指数ｂを１０以上とした実施例がないからといって、１０以上とすることができないとまではいえない。 よって、本件特許明細書の発明の詳細な説明が本件発明１～１０を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されていないとまではいえないから、申立理由４は理由がない。 （５）小括 以上のとおりであるから、申立理由１～４は何れも理由がない。 第５　むすび 以上のとおりであるから、取消理由及び特許異議申立理由の何れによっても、本件請求項１ないし１０に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件請求項１ないし１０に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。