2018-700873

特許第６３２７２３２号発明「発光装置及び発光モジュールの製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

【結　論】 特許第６３２７２３２号の明細書、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付した訂正明細書、訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項［１～７］、１１について訂正することを認める。 特許第６３２７２３２号の請求項１～７、１１に係る特許を維持する。

【理　由】 第１　手続の経緯 特許第６３２７２３２号（以下「本件特許」という。請求項の数は１０である。）についての経緯は、次のとおりである。 平成２７年１０月３０日　　：出願 平成３０年　４月２７日　　：特許登録 平成３０年　５月２３日　　：特許掲載公報の発行 平成３０年１０月２６日　　：特許異議申立人中野圭二（以下、単に「申立人」という。）による請求項１～７に係る特許に対する特許異議の申立て 平成３１年　１月１６日付け：取消理由通知 平成３１年　３月２２日　　：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出 令和　元年　５月１６日　　：申立人による意見書の提出 令和　元年　５月３０日付け：取消理由通知（決定の予告） 令和　元年　８月　５日　　：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出 令和　元年１０月２４日　　：申立人による意見書の提出 なお、請求項８～１０に係る特許に対しては、特許異議の申立てがされていない。 第２　訂正の適否 １　訂正の内容 令和元年８月５日付け訂正請求書による訂正（以下「本件訂正」という。）は、本件特許の願書に添付した特許請求の範囲の請求項１～７及び明細書（以下、この明細書を「本件明細書」という。）を、次のとおり訂正しようとするものである（下線は、訂正箇所として、特許権者が付したものである。）。 なお、本件訂正は、一群の請求項である訂正後の請求項［１～７、１１］について請求されたものであるが、訂正後の請求項１１については、別の訂正単位とする求めがなされている。また、本件明細書に係る訂正は、一群の請求項である訂正後の請求項［１～７、１１］について請求されたものである。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に「基材と、前記基材の上面に配置された正負の配線層と、を有する配線基板と、」と記載されているのを、「平板状の基材と、前記基材の上面に配置された正負の配線層と、を有する配線基板と、」に訂正する（請求項１の記載を引用する請求項４～７も同様に訂正する。）。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項１に「前記配線層にフリップチップ実装される発光素子と、」と記載されているのを、「前記配線層にフリップチップ実装された一個の発光素子と、」に訂正する（請求項１の記載を引用する請求項４～７も同様に訂正する。）。 （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項１に「前記基材と前記配線層と前記発光素子とを被覆し、発光装置の外表面を形成する無機材料からなり、上面が平坦である保護膜と、」と記載されているのを、「前記基材と前記配線層と前記発光素子とを被覆し、前記配線基板の上面と前記発光素子の表面に沿って形成され、かつ発光装置の外表面を形成する無機材料からなり、上面が平坦である保護膜と、」に訂正する（請求項１の記載を引用する請求項４～７も同様に訂正する。）。 （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項１に「前記配線層の外縁は曲線であり、該曲線の曲率は略一定であり、」と記載されているのを、「前記配線層の外縁は曲線であり、該曲線の曲率は一定であり、」に訂正する（請求項１の記載を引用する請求項４～７も同様に訂正する。）。 （５）訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項１に「前記配線層が前記配線基板の外縁よりも内側であることを特徴とする発光装置。」と記載されているのを、「前記配線層が前記基材の外縁よりも内側であることを特徴とする発光装置。」に訂正する（請求項１の記載を引用する請求項４～７も同様に訂正する。）。 （６）訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項２に「前記配線層の平面形状が略円形である請求項１に記載の発光装置。」と記載されているのを、「平板状の基材と、前記基材の上面に配置された正負の配線層と、を有する配線基板と、 前記配線層にフリップチップ実装され、紫外線領域の波長の光を出射する一個の発光素子と、 前記基材と前記配線層と前記発光素子とを被覆し、前記配線基板の上面と前記発光素子の表面に沿って形成され、かつ発光装置の外表面を形成する無機材料からなり、上面が平坦であって前記配線層の外縁から０．０５ｍｍ～０．２５ｍｍ離間された保護膜と、を備え、 前記配線層の外縁は曲線であり、該曲線の曲率は一定であり、かつ前記配線層の平面形状が円形であり、 前記配線層が前記基材の外縁よりも内側である発光装置。」に訂正する（請求項２の記載を引用する請求項４～７も同様に訂正する。）。 （７）訂正事項７ 特許請求の範囲の請求項３に「前記発光素子の中心から前記配線層の前記外縁までの距離は略等しい請求項１又は２に記載の発光装置。」とあるうち、請求項２を引用するものについて、独立形式に改め、「平板状の基材と、前記基材の上面に配置された正負の配線層と、を有する配線基板と、 前記配線層にフリップチップ実装され、紫外線領域の波長の光を出射する一個の発光素子と、 前記基材と前記配線層と前記発光素子とを被覆し、前記配線基板の上面と前記発光素子の表面に沿って形成され、かつ発光装置の外表面を形成する無機材料からなり、上面が平坦である保護膜と、を備え、 前記配線層の外縁は曲線であり、該曲線の曲率は一定であり、かつ前記配線層の平面形状が突出部分のない円形であり、 前記配線層が前記基材の外縁よりも内側であり、 前記発光素子の中心から前記配線層の前記外縁までの距離は等しい発光装置。」に訂正する（請求項３の記載を引用する請求項４～７も同様に訂正する。）。 （８）訂正事項８ 特許請求の範囲の請求項４に「前記保護膜の厚みは、３０ｎｍ～２００ｎｍであり、前記発光素子と前記基板とを隙間なく被覆する請求項１～３のいずれか１項に記載の発光装置。」と記載されているのを、「前記保護膜の厚みは、３０ｎｍ～２００ｎｍであり、前記発光素子と前記配線基板とを隙間なく被覆する請求項１～３のいずれか１項に記載の発光装置。」に訂正する（請求項４の記載を引用する請求項５～７も同様に訂正する）。 （９）訂正事項９ 特許請求の範囲の請求項７に「前記発光素子は、紫外線領域の波長の光を出射する請求項１～６のいずれか１項に記載の発光装置。」と記載されているのを、「前記発光素子は、２００ｎｍ～４１０ｎｍの波長の光を出射する請求項１～６のいずれか１項に記載の発光装置。」に訂正する。 （１０）訂正事項１０ 特許請求の範囲の請求項３に「前記発光素子の中心から前記配線層の前記外縁までの距離は略等しい請求項１又は２に記載の発光装置。」とあるうち、請求項１を引用するものについて、独立形式に改め、「平板状の基材と、前記基材の上面に配置された正負の配線層と、を有する配線基板と、 前記配線層にフリップチップ実装され、紫外線領域の波長の光を出射する一個の発光素子と、 前記基材と前記配線層と前記発光素子とを被覆し、前記配線基板の上面と前記発光素子の表面に沿って形成され、かつ発光装置の外表面を形成する無機材料からなり、上面が平坦であって前記配線層の外縁から０．０５ｍｍ～０．２５ｍｍ以上離間された保護膜と、を備え、 前記配線層の外縁は曲線であり、該曲線の曲率は一定であり、 前記配線層が前記基材の外縁よりも内側であり、 前記発光素子の中心から前記配線層の前記外縁までの距離は略等しい発光装置。」と記載し、新たに請求項１１とする。 （１１）訂正事項１１ 願書に添付した明細書の段落【０００６】に「本発明の実施形態に係る発光装置は、基材と、前記基材の上面に配置された正負の配線層と、を有する配線基板と、前記配線層にフリップチップ実装される発光素子と、前記基材と前記配線層と前記発光素子とを被覆し、発光装置の外表面を形成する無機材料からなり、上面が平坦である保護膜と、を備え、前記配線層の外縁は曲線であり、該曲線の曲率が略一定であり、前記配線層が前記配線基板の外縁よりも内側である。」と記載されているのを、「本発明の実施形態に係る発光装置は、平板状の基材と、前記基材の上面に配置された正負の配線層と、を有する配線基板と、前記配線層にフリップチップ実装された一個の発光素子と、前記基材と前記配線層と前記発光素子とを被覆し、前記配線基板の上面と前記発光素子の表面に沿って形成され、かつ発光装置の外表面を形成する無機材料からなり、上面が平坦である保護膜と、を備え、前記配線層の外縁は曲線であり、該曲線の曲率が一定であり、前記配線層が前記基材の外縁よりも内側である。」に訂正する。 ２　各訂正事項の訂正要件の判断 （１）訂正事項１について ア　訂正の目的 訂正事項１は、請求項１に特定された「基材」を「平板状の」ものに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正である。 イ　新規事項追加の有無 本件明細書の【００１２】には、「配線基板１０は、平板状であり、基材１１と、少なくとも基材１１の上面に設けられた正負の配線層１２と、を有する。」と記載されている。 そうすると、「基材」が「平板状」であることは、本件明細書の記載からみて自明であるといえる。 したがって、訂正事項１は、新規事項を追加するものではない。 ウ　実質拡張変更の有無 上記ア及びイに照らして、訂正事項１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （２）訂正事項２について ア　訂正の目的 訂正事項２は、請求項１に特定された「前記配線層にフリップチップ実装される発光素子」の個数を「一個」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正である。 イ　新規事項追加の有無 本件特許の願書に添付した図面（以下「本件図面」という。）である図１、図２Ａ及び図２Ｂからは、発光素子の個数が一個であることが見て取れる。 そして、この発光素子がフリップチップ実装されていることは、本件明細書の【００１１】に記載されている。すなわち、当該【００１１】には、「・・・図１は、本発明の実施形態１に係る発光装置の概略斜視図である。図２Ａは、本発明の実施形態１に係る発光装置の概略平面図である。図２Ｂは、図２Ａと形状の異なる配線層を備える配線基板を用いた発光装置の概略平面図である。・・・図１に示されるように、実施形態１の発光装置１００は、配線基板１０上に、発光素子２０がフリップチップ実装されている。」との記載がある。 そうすると、「前記配線層にフリップチップ実装される発光素子」の個数が一個であることは、本件明細書及び本件図面に記載されていることである。 したがって、訂正事項２は、新規事項を追加するものではない。 ウ　実質拡張変更の有無 上記ア及びイに照らして、訂正事項２は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （３）訂正事項３について ア　訂正の目的 訂正事項３は、請求項１に特定された「保護膜」を、「前記配線基板の上面と前記発光素子の表面に沿って形成され」るものに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正である。 イ　新規事項追加の有無 本件明細書の【００２０】には、「・・・保護膜４０は、図３に示されるように、配線基板１０の上面と発光素子とを、孔や切れ目等の隙間なく被覆して」いるとの記載がある。また、本件図面の図３及び図４からは、保護膜４０が配線基板１０の上面と発光素子２０の表面（側面と上面）に沿って形成されていることが見て取れる。 よって、「保護膜」が「前記配線基板の上面と前記発光素子の表面に沿って形成され」るものであることは、本件明細書及び本件図面からみて自明であるといえる。 したがって、訂正事項３は、新規事項を追加するものではない。 ウ　実質拡張変更の有無 上記ア及びイに照らして、訂正事項３は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （４）訂正事項４について ア　訂正の目的 訂正事項４は、請求項１における「略一定」という明瞭でない記載を、「一定」という明瞭な記載にするものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正である。 イ　新規事項追加の有無 訂正事項４が新規事項を追加するものではないことは、明らかである。 ウ　実質拡張変更の有無 上記ア及びイに照らして、訂正事項４は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （５）訂正事項５について ア　訂正の目的 訂正事項５は、請求項１における「前記配線層が前記配線基板の外縁よりも内側である」という明瞭でない記載を、「前記配線層が前記基材の外縁よりも内側である」という明瞭な記載にするものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正である。 イ　新規事項追加の有無 本件明細書の【００３４】には、「・・・基材と基材上の中央部に配置された配線層とを有する配線基板・・・」との記載がある。 そうすると、本件訂正前の「前記配線層が前記配線基板の外縁よりも内側である」という記載が、「前記配線層が前記基材の外縁よりも内側である」という意味であったことが明らかである。 よって、訂正事項５は、新規事項を追加するものではない。 ウ　実質拡張変更の有無 上記ア及びイに照らして、訂正事項５は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （６）訂正事項６について ア　訂正の目的 訂正事項６は、次の事項、すなわち、 (i)　請求項１の記載を引用する請求項２の記載を請求項１の記載を引用しないものとすること、 (ii)　請求項１に特定された「基材」を「平板状の」ものに限定すること、 (iii)　請求項１に特定された「発光素子」を「紫外線領域の波長の光を出射する」ものに限定すること、 (iv)　請求項１に特定された「前記配線層にフリップチップ実装される発光素子」の個数を「一個」に限定すること、 (v)　請求項１に特定された「保護膜」を、「前記配線基板の上面と前記発光素子の表面に沿って形成され」るものに限定すること、 (vi)　請求項１に特定された「保護膜」を、「前記配線層の外縁から０．０５ｍｍ～０．２５ｍｍ離間された」ものに限定すること、 (vii)　請求項１における「略一定」という明瞭でない記載を、「一定」という明瞭な記載にすること、 (viii)　請求項１における「前記配線層が前記配線基板の外縁よりも内側である」という明瞭でない記載を、「前記配線層が前記基材の外縁よりも内側である」という明瞭な記載にすること、 (ix)　請求項２における「略円形」という明瞭でない記載を、「円形」という明瞭な記載にすること、 を目的とするものである。 よって、訂正事項６は、特許請求の範囲の減縮、明瞭でない記載の釈明及び他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とする訂正である。 イ　新規事項追加の有無 （ア）上記ア(i)に係る訂正について 当該訂正は、いわゆる引用関係を解消するものにすぎないから、新規事項を追加するものではない。 （イ）上記ア(ii)、(iv)、(v)、(vii)及び(viii)に係る訂正について 当該各訂正は、上記（１）イ～（５）イと同様の理由で、新規事項を追加するものではない。 （ウ）上記ア(iii)に係る訂正について 本件明細書の【０００２】、【００２８】及び【００４５】には、発光素子が紫外線領域の波長の光を発することが記載されている。 よって、当該訂正は、新規事項を追加するものではない。 （エ）上記ア(vi)に係る訂正について 本件明細書の【００４５】には、「例えば、ノズル６０が、配線層１２の外縁から０．０５ｍｍ～０．２５ｍｍ離間した基材１１上の保護膜４０と接触するように、発光装置１００を吸着させることができる。」と記載されている。このように、本件明細書には、保護膜４０が、配線層１２の外縁から、少なくとも０．０５ｍｍ～０．２５ｍｍ離間した位置まで存在することが記載されているといえる。 よって、当該訂正は、新規事項を追加するものではない。 （オ）上記ア(ix)に係る訂正について 当該訂正が新規事項を追加するものではないことは、明らかである。 （カ）新規事項追加の有無についての小括 したがって、訂正事項６は、新規事項を追加するものではない。 ウ　実質拡張変更の有無 上記ア及びイに照らして、訂正事項６は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （７）訂正事項７について ア　訂正の目的 訂正事項７は、次の事項、すなわち、 (i)　請求項１又は請求項２の記載を引用する請求項３の記載を請求項１の記載を引用しないものとすること、 (ii)　請求項２が引用する請求項１に特定された「基材」を「平板状の」ものに限定すること、 (iii)　請求項２が引用する請求項１に特定された「発光素子」を「紫外線領域の波長の光を出射する」ものに限定すること、 (iv)　請求項２が引用する請求項１に特定された「前記配線層にフリップチップ実装される発光素子」の個数を「一個」に限定すること、 (v)　請求項２が引用する請求項１に特定された「保護膜」を、「前記配線基板の上面と前記発光素子の表面に沿って形成され」たものに限定すること、 (vi)　請求項２が引用する請求項１における「略一定」という明瞭でない記載を、「一定」という明瞭な記載にすること、 (vii)　請求項２における「平面形状が略円形である」「前記配線層」を「平面形状が突出部分のない円形であ」るものに限定するとともに、「略円形」という明瞭でない記載を「円形」という明瞭な記載にすること、 (viii)　請求項２が引用する請求項１における「前記配線層が前記配線基板の外縁よりも内側である」という明瞭でない記載を、「前記配線層が前記基材の外縁よりも内側である」という明瞭な記載にすること、 (ix)　請求項3における「略等しい」という明瞭でない記載を、「等しい」という明瞭な記載にすること、 を目的とするものである。 よって、訂正事項７は、特許請求の範囲の減縮、明瞭でない記載の釈明及び他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とする訂正である。 イ　新規事項追加の有無 （ア）上記ア(i)に係る訂正について 当該訂正は、いわゆる引用関係を解消するものにすぎないから、新規事項を追加するものではない。 （イ）上記ア(ii)～(vi)及び(viii)に係る訂正について 当該各訂正は、上記（１）イ～（５）イ及び上記（６）イ（ウ）と同様の理由で、新規事項を追加するものではない。 （ウ）上記ア(vii)に係る訂正について 本件明細書の【００１５】には、図２Ａについて、「平面形状が円形の配線層１２」との記載がある。そして、図２Ａからは、配線層に突出部分のないことが見て取れる。 よって、当該訂正は、新規事項を追加するものではない。 （エ）上記ア(ix)に係る訂正について 当該訂正が新規事項を追加するものではないことは、明らかである。 （オ）新規事項追加の有無についての小括 したがって、訂正事項７は、新規事項を追加するものではない。 ウ　実質拡張変更の有無 上記ア及びイに照らして、訂正事項７は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （８）訂正事項８について ア　訂正の目的 訂正事項８は、請求項４における「前記基板」という明瞭でない記載を、「前記配線基板」という明瞭な記載にするものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正である。 イ　新規事項追加の有無 訂正事項８が新規事項を追加するものではないことは、明らかである。 ウ　実質拡張変更の有無 上記ア及びイに照らして、訂正事項８は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （９）訂正事項９について ア　訂正の目的 訂正事項９は、「紫外線領域」を「２００ｎｍ～４１０ｎｍ」であることに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ　新規事項追加の有無 本件明細書の【００２８】には、「可視光に比べて紫外光（例えば発光波長２００ｎｍ～４１０ｎｍ）」との記載がある。 よって、訂正事項９は、新規事項を追加するものではない。 ウ　実質拡張変更の有無 上記ア及びイに照らして、訂正事項９は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （１０）訂正事項１０について ア　訂正の目的 訂正事項１０は、次の事項、すなわち、 (i)　請求項１又は請求項２の記載を引用する請求項３の記載を請求項２の記載を引用しないものとすること、 (ii)　請求項３が引用する請求項１に特定された「基材」を「平板状の」ものに限定すること、 (iii)　請求項３が引用する請求項１に特定された「発光素子」を「紫外線領域の波長の光を出射する」ものに限定すること、 (iv)　請求項３が引用する請求項１に特定された「前記配線層にフリップチップ実装される発光素子」の個数を「一個」に限定すること、 (v)　請求項３が引用する請求項１に特定された「保護膜」を、「前記配線基板の上面と前記発光素子の表面に沿って形成され」るものに限定すること、 (vi)　請求項３が引用する請求項１に特定された「保護膜」を、「前記配線層の外縁から０．０５ｍｍ～０．２５ｍｍ離間された」ものに限定すること、 (vii)　請求項３が引用する請求項１における「略一定」という明瞭でない記載を、「一定」という明瞭な記載にすること、 (viii)　請求項３が引用する請求項１における「前記配線層が前記配線基板の外縁よりも内側である」という明瞭でない記載を、「前記配線層が前記基材の外縁よりも内側である」という明瞭な記載にすること、 を目的とするものである。 よって、訂正事項１０は、特許請求の範囲の減縮、明瞭でない記載の釈明及び他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とする訂正である。 イ　新規事項追加の有無 （ア）上記ア(i)に係る訂正について 当該訂正は、いわゆる引用関係を解消するものにすぎないから、新規事項を追加するものではない。 （イ）上記ア(ii)～(viii)に係る訂正について 当該各訂正は、上記（１）イ～（５）イ並びに上記（６）イ（ウ）及び（エ）と同様の理由で、新規事項を追加するものではない。 （ウ）新規事項追加の有無についての小括 したがって、訂正事項１０は、新規事項を追加するものではない。 ウ　実質拡張変更の有無 上記ア及びイに照らして、訂正事項１０は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （１１）訂正事項１１について ア　訂正の目的 訂正事項１１は、訂正事項１～５に係る請求項１の訂正に伴い、明細書の記載を訂正後の請求項１の記載と整合させるためのものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正である。 イ　新規事項追加の有無 訂正事項１０は、上記アの目的をもつ訂正であるから、訂正事項１～５と同様の理由（上記（１）イ～（５）イ）で、新規事項を追加するものではない。 ウ　実質拡張変更の有無 上記ア及びイに照らして、訂正事項１０は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 ３　訂正の適否についての小括 以上のとおり、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号、第３号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 よって、明細書、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付した訂正明細書、訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項［１～７］、１１について訂正することを認める。 第３　本件訂正発明の認定 本件訂正は、上記第２のとおり認められたので、本件訂正後の請求項１～７及び１１に係る発明（以下「本件訂正発明１」～「本件訂正発明７」及び「本件訂正発明１１」といい、これらを総称して「本件訂正発明」という。）は、本件訂正後の請求項１～７及び１１に記載された事項により特定される、次のとおりのものと認められる。 ［本件訂正発明１］ 「平板状の基材と、前記基材の上面に配置された正負の配線層と、を有する配線基板と、 前記配線層にフリップチップ実装された一個の発光素子と、 前記基材と前記配線層と前記発光素子とを被覆し、前記配線基板の上面と前記発光素子の表面に沿って形成され、かつ発光装置の外表面を形成する無機材料からなり、上面が平坦である保護膜と、を備え、 前記配線層の外縁は曲線であり、該曲線の曲率は一定であり、 前記配線層が前記基材の外縁よりも内側であることを特徴とする発光装置。」 ［本件訂正発明２］ 「平板状の基材と、前記基材の上面に配置された正負の配線層と、を有する配線基板と、 前記配線層にフリップチップ実装され、紫外線領域の波長の光を出射する一個の発光素子と、 前記基材と前記配線層と前記発光素子とを被覆し、前記配線基板の上面と前記発光素子の表面に沿って形成され、かつ発光装置の外表面を形成する無機材料からなり、上面が平坦であって前記配線層の外縁から０．０５ｍｍ～０．２５ｍｍ離間された保護膜と、を備え、 前記配線層の外縁は曲線であり、該曲線の曲率は一定であり、かつ前記配線層の平面形状が円形であり、 前記配線層が前記基材の外縁よりも内側である 発光装置。」 ［本件訂正発明３］ 「平板状の基材と、前記基材の上面に配置された正負の配線層と、を有する配線基板と、 前記配線層にフリップチップ実装され、紫外線領域の波長の光を出射する一個の発光素子と、 前記基材と前記配線層と前記発光素子とを被覆し、前記配線基板の上面と前記発光素子の表面に沿って形成され、かつ発光装置の外表面を形成する無機材料からなり、上面が平坦である保護膜と、を備え、 前記配線層の外縁は曲線であり、該曲線の曲率は一定であり、かつ前記配線層の平面形状が突出部分のない円形であり、 前記配線層が前記基材の外縁よりも内側であり、 前記発光素子の中心から前記配線層の前記外縁までの距離は等しい発光装置。」 ［本件訂正発明４］ 「前記保護層の厚みは、３０ｎｍ～２００ｎｍであり、前記発光素子と前記配線基板とを隙間なく被覆する請求項１～３のいずれか１項に記載の発光装置。」 ［本件訂正発明５］ 「前記保護膜は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４のいずれかで形成されている請求項１～４のいずれか１項に記載の発光装置。」 ［本件訂正発明６］ 「前記保護膜は、前記無機材料が複数層積層されてなる請求項１～５のいずれか１項に記載の発光装置。」 ［本件訂正発明７］ 「前記発光素子は、２００ｎｍ～４１０ｎｍの波長の光を出射する請求項１～６のいずれか１項に記載の発光装置。」 ［本件訂正発明１１］ 「平板状の基材と、前記基材の上面に配置された正負の配線層と、を有する配線基板と、 前記配線層にフリップチップ実装され、紫外線領域の波長の光を出射する一個の発光素子と、 前記基材と前記配線層と前記発光素子とを被覆し、前記配線基板の上面と前記発光素子の表面に沿って形成され、かつ発光装置の外表面を形成する無機材料からなり、上面が平坦であって前記配線層の外縁から０．０５ｍｍ～０．２５ｍｍ以上離間された保護膜と、を備え、 前記配線層の外縁は曲線であり、該曲線の曲率は一定であり、 前記配線層が前記基材の外縁よりも内側であり、 前記発光素子の中心から前記配線層の前記外縁までの距離は略等しい発光装置。」 第４　取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由の概要 平成３１年３月２２日付け訂正請求書により訂正された請求項１～７に係る特許に対して、当審が令和元年５月３０日付けで特許権者に通知した取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由の要旨は、次のとおりである。 なお、以下、「甲第１号証」などは、「甲１」などと表記する。 １　請求項１～７に係る発明は、甲１に記載された発明及び甲２に記載された技術的事項並びに必要であれば周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、これらの発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ２　請求項１～７に係る発明は、甲２に記載された発明及び甲１に記載された技術的事項並びに必要であれば甲２に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、これらの発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 甲１：特開２００８－２８８５４３号公報 甲２：特表２０１３－５１４６４２号公報 第５　取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由に対する当審の判断 １　証拠に記載された事項の認定 （１）甲１について ア　本件特許に係る出願前に頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった甲１には、次の記載がある。 （ア）「【発明が解決しようとする課題】」、 「このように、特許文献３で、ガラス封止部の安定性が良好なガラスの組成が明らかにされた。さらに、本願出願人らは、固体素子デバイスの耐久性を向上させるべく、ガラス封止部の安定性に加えて耐候性についても鋭意検討を重ねていた。」（【０００８】）、 「本発明は、前記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ガラス封止部の安定性に加えて耐候性についても良好な固体素子デバイスを提供することにある。」（【０００９】） （イ）「【課題を解決するための手段】」、 「前記目的を達成するため、本発明では、固体素子と、前記固体素子をマウントするとともに電力の受供給を行う電力受供給部と、前記固体素子を封止し、Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｌｉ２Ｏ－Ｎａ２Ｏ－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５系のガラスからなるガラス封止部と、を備え、前記ガラスは、２１ｗｔ％～２３ｗｔ％のＢ２Ｏ３と、１１ｗｔ％～１３ｗｔ％のＳｉＯ２と、１ｗｔ％～１．５ｗｔ％のＬｉ２Ｏと、２ｗｔ％～２．５ｗｔ％のＮａ２Ｏと、を含む固体素子デバイスが提供される。」（【００１０】） （ウ）「（第１の実施形態）」、 「図１は、本発明の第１の実施形態に係る固体素子デバイスとしてのＬＥＤを示し、（ａ）はＬＥＤの縦断面図、（ｂ）はＬＥＤ素子の側面図である。」（【００３５】） 「ガラス封止部６は、Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｌｉ２Ｏ－Ｎａ２Ｏ－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５系の熱融着ガラスからなり、Ａｌ２Ｏ３基板３上に上面６Ａ及び側面６Ｂを有する矩形状に形成される。側面６Ｂは、ホットプレス加工によってＡｌ２Ｏ３基板３と接着された板ガラスが、Ａｌ２Ｏ３基板３とともにダイサー(dicer)でカットされることにより形成される。ここで、熱融着ガラスとは加熱により溶融状態又は軟化状態として成形したガラスであり、ゾルゲル法により成形されるガラスと異なる。ゾルゲルガラスでは成形時の体積変化が大きいのでクラックが生じやすくガラスによる厚膜を形成することが困難であるところ、熱融着ガラスはこの問題点を回避することができる。また、ゾルゲルガラスでは細孔を生じるので気密性を損なうことがあるが、熱融着ガラスはこの問題点を生じることもなく、ＬＥＤ素子２の封止を的確に行うことができる。」（【００４０】）、 「一般に、アルカリ酸化物は、ガラス作製時の溶解性を改善し、ガラスの軟化温度を低下させる効果が非常に大きい成分である。しかし、アルカリ酸化物は、相当量を超えて含有させた場合には、耐候性を著しく悪化させる成分でもある。アルカリ酸化物であるＮａ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ及びＫ２Ｏの中では、Ｌｉ２Ｏはガラスの軟化温度を低下させる効果が大きく、耐候性に及ぼす影響が最も小さい成分である。この中で、Ｋ２Ｏは耐候性の悪化が最も激しい。Ｎａ２Ｏは、Ｌｉ２ＯとＫ２Ｏの中間的な性質を有する。」（【００６９】）、 「ここで、Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｌｉ２Ｏ－Ｎａ２Ｏ－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５系の熱融着ガラスにおいて、Ｎａ２Ｏのみで熱物性を満足させようとした場合には、ガラスにおけるＮａ２Ｏの含有量が大きくなりすぎて、上記のように極めて良好な耐候性を達成することが不可能となる。そして、極めて良好な耐候性を得ようとする場合には、試料１５の様に、封着に適した熱物性のガラスが得られなくなる。ここで、封着に適したＴｇ、Ａｔ等の熱物性は、ガラス転移温度Ｔｇでいうと５００℃以下、好ましくは４９０℃以下であり、屈伏点Ａｔでいうと５４０℃以下、好ましくは５３０℃以下である。そこで、試料１０～試料１４のように、Ｎａ２Ｏのうち所定量をＬｉ２Ｏとすることにより、極めて良好な耐候性（表１においてＡ）を維持しつつ、封着用のガラスとしての良好な熱物性を満足させることが実現された。」（【００７０】） （エ）「また、ＵＶ硬化樹脂の硬化用光源として用いられてきた水銀ランプの代替として、発光ピーク波長が３７０ｎｍのＬＥＤ素子を用いたＬＥＤ光源用の封止材料に、Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｌｉ２Ｏ－Ｎａ２Ｏ－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５系の熱融着ガラスを用いてもよい。従来は、ＬＥＤ素子の封止材が劣化するので、発光素子をベアの状態でステム上にマウントしハーメチックシールを利用して気密性を確保していた。これにより、固体素子デバイスが大型となり製造コストが嵩んでいたが、Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｌｉ２Ｏ－Ｎａ２Ｏ－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５系の熱融着ガラスを用いて発光素子を封止することにより、発光素子からの光の取り出し効率を向上させて高出力化を図るとともに、固体素子デバイスを小型として製造コストを低減することができる。」（【００９５】） （オ）「（第２の実施形態）」、 「図５は、本発明の第２の実施形態に係る固体素子デバイスとしてのＬＥＤを示し、（ａ）はＬＥＤの平面図、（ｂ）はＬＥＤの縦断面図、（ｃ）はＬＥＤの底面図である。」（【０１０８】）、 「（ＬＥＤ１の構成） このＬＥＤ１は、図５（ａ）および（ｂ）に示すようにフリップチップ型の複数のＧａＮ系のＬＥＤ素子２と、平面視にて正方形状に形成され複数のＬＥＤ素子２をマウントする多層構造のＡｌ２Ｏ３基板３と、Ａｌ２Ｏ３基板３の表面および層内にタングステン（Ｗ）で構成される形成される回路パターン４と、を有している。尚、回路パターン４には、さらにＮｉ、Ａｕめっきが施される。また、ＬＥＤ１は、ＬＥＤ素子２と回路パターン４とを電気的に接続するＡｕスタッドバンプ５と、ＬＥＤ素子２を封止するとともにＡｌ２Ｏ３基板３と接着されるＢ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｌｉ２Ｏ－Ｎａ２Ｏ－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５系の熱融着ガラスからなるガラス封止部６と、Ａｌ２Ｏ３基板３の裏面の四隅において層内の中間層から露出した底面回路パターン１６Ａ、１６Ｃと、を有している。Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｌｉ２Ｏ－Ｎａ２Ｏ－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５系の熱融着ガラスは、第１の実施形態で説明したものと同様の組成を有する。また、本実施形態においては、ＬＥＤ１は、Ａｌ２Ｏ３基板３の裏面に、ＬＥＤ素子２にて生じた熱を外部へ放散し銅箔からなる放熱パターン１７とを有している。」（【０１０９】）、 「円形の外形を有するようＡｌ２Ｏ３基板３の表面にてパターン形成される回路パターン４に、縦横について３個×３個の配列で合計９個のＬＥＤ素子２（３４０μｍ角）が、Ａｕスタッドバンプ５を介して互いの縦横間の距離が６００μｍとなるように密集して実装されている。」（【０１１０】）、 「Ａｌ２Ｏ３基板３は、Ｗからなる層内配線を含む多層構造を有し、図５（ｂ）に示すように横方向の３個のＬＥＤ素子２を直列に接続して素子群を形成している。また、Ａｌ２Ｏ３基板３は、図５（ｃ）に示すようにＬＥＤ素子２の素子群のアノードを底面回路パターン１６Ａのひとつに接続するとともに、素子群のカソードを底面回路パターン１６Ｃに接続して構成されている。ここで、Ａｌ２Ｏ３基板３の裏面の四隅のうち３つにアノード用の底面回路パターン１６Ａが形成され、残りの１つにカソード用の底面回路パターン１６Ｃが形成されている。そして、アノード用の各底面回路パターン１６Ａには３つの素子群のアノードがそれぞれ別個に接続される。また、カソード用の底面回路パターン１６Ｃには、３つの素子群のカソードが全て接続されている。」（【０１１１】）、 「（第２の実施形態の効果） 上記した第２の実施形態によると、以下の効果が得られる。」（【０１１２】）、 「（１）複数個のＬＥＤ素子２をＬＥＤ素子２の幅の２倍以下の配列ピッチで密集させて実装する構成であっても、ＬＥＤ素子２およびガラス封止部６の熱膨張率αが同等であるので、クラックを生じることなく信頼性に優れるＬＥＤ１が得られる。また、ガラス封止部６とＡｌ２Ｏ３基板３についても同等の熱膨張率で形成されることにより、ガラス接着強度に優れる。」（【０１１３】）、 「（２）Ａｌ２Ｏ３基板３を用いることにより、発熱量の大なるＧａＮ系ＬＥＤ素子２を密集させて実装する構成としても安定した放熱性が得られる。また、容易に直並列回路をパターン形成することができ、電解めっきを施す際の配線引き回しも容易に形成できる。」（【０１１４】）、 「（３）層内の中間層から外部電気接続端子を取り出し、底面に放熱用金属パターンを設けることで、密実装された９個のＬＥＤ素子２を発光させることに基づいて生じる熱を放熱パターン１７からヒートシンク等へ速やかに熱伝導させることが可能になる。」（【０１１５】）、 「なお、第２の実施形態のＬＥＤ１についても、樹脂材料で透明樹脂を形成し、図４に示すような発光装置１００を形成することが可能である。」（【０１１６】） イ　上記アによれば、甲１に記載された第２の実施形態について、次の事実が認められる。 （ア）ＬＥＤ１は、フリップチップ型の９個のＧａＮ系のＬＥＤ素子２と、平面視にて正方形状に形成され９個のＬＥＤ素子２をマウントする多層構造のＡｌ２Ｏ３基板３と、Ａｌ２Ｏ３基板３の表面および層内にタングステン（Ｗ）で構成される回路パターン４と、を有している。（【０１０９】・【０１１０】） （イ）Ａｌ２Ｏ３基板３は、平板状である。（図５（ａ）・図５（ｂ）） （ウ）Ａｌ２Ｏ３基板３の表面にタングステン（Ｗ）で構成された回路パターン４は、円形の外形を有する一対の電極が、縦横について３個×３個の合計９個設けられてなり、しかも、横方向に３個並んだ一対の電極は、ＬＥＤ素子２が直列に接続した素子群を形成するように、相互に接続されている。当該回路パターン４は、Ａｌ２Ｏ３基板３の外縁よりも内側である。（【０１１０】・【０１１１】・図５（ａ）） （エ）Ａｌ２Ｏ３基板３を用いることにより、発熱量の大なるＧａＮ系ＬＥＤ素子２を密集させて実装する構成としても安定した放熱性が得られる。（【０１１４】） （オ）ＬＥＤ１は、９個のＬＥＤ素子２を封止するとともにＡｌ２Ｏ３基板３と接着されるＢ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＬｉＯ－Ｎａ２Ｏ－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５系の熱融着ガラスからなるガラス封止部６を備える。（【０１０９】・【０１１０】） （カ）ガラス封止部６は、９個のＬＥＤ素子２とＡｌ２Ｏ３基板３上の回路パターン４とＡｌ２Ｏ３基板３とを被覆しており、Ａｌ２Ｏ３基板３上に上面及び側面を有する矩形状に形成される。（図５（ｂ）・【００４０】・【０１１０】） ウ　上記イによれば、甲１には、次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。 「フリップチップ型の９個のＧａＮ系のＬＥＤ素子２と、平面視にて正方形状に形成され９個のＬＥＤ素子２をマウントする多層構造のＡｌ２Ｏ３基板３と、Ａｌ２Ｏ３基板３の表面および層内にタングステン（Ｗ）で構成される回路パターン４と、を有しているＬＥＤ１であって、 Ａｌ２Ｏ３基板３は、平板状であり、 Ａｌ２Ｏ３基板３の表面にタングステン（Ｗ）で構成された回路パターン４は、円形の外形を有する一対の電極が、縦横について３個×３個の合計９個設けられてなり、しかも、横方向に３個並んだ一対の電極は、ＬＥＤ素子２が直列に接続した素子群を形成するように、相互に接続されており、当該回路パターン４は、Ａｌ２Ｏ３基板３の外縁よりも内側であり、 Ａｌ２Ｏ３基板３を用いることにより、発熱量の大なるＧａＮ系ＬＥＤ素子２を密集させて実装する構成としても安定した放熱性が得られ、 ９個のＬＥＤ素子２を封止するとともにＡｌ２Ｏ３基板３と接着されるＢ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＬｉＯ－Ｎａ２Ｏ－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５系の熱融着ガラスからなるガラス封止部６を備え、 前記ガラス封止部６は、９個のＬＥＤ素子２とＡｌ２Ｏ３基板３上の回路パターン４とＡｌ２Ｏ３基板３とを被覆しており、Ａｌ２Ｏ３基板３上に上面及び側面を有する矩形状に形成される、 ＬＥＤ１。」 （２）甲２について ア　本件特許に係る出願前に頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった甲２には、次の記載がある。 （ア）「【特許請求の範囲】」、 「オプトエレクトロニクス素子において、 －　動作時に光を放射するかまたは受光するのに適した活性領域（３）を備えた少なくとも１つのオプトエレクトロニクス的に活性な無機半導体素子（１０）と、 －　少なくとも１つの表面領域（７）に、前記表面領域（７）を気密に覆う、原子間堆積によって被着したシーリング材料（６）とを有する、 ことを特徴とする、オプトエレクトロニクス素子。」（【請求項１】）、 「請求項１に記載の素子において、 －　前記半導体素子（１０）は少なくとも１つの電気コンタクト層（４）を有しており、 －　前記シーリング材料（６）は、前記コンタクト層（４）または該コンタクト層（４）の部分領域を除いて前記半導体素子（１０）の露出したすべての表面を完全に覆う、 ことを特徴とする素子。」（【請求項２】）、 「請求項１または２に記載の素子において、 －　前記半導体素子（１０）は、取り付け面（９）によって支持体（１１）に載置されている、 ことを特徴とする素子。」（【請求項３】）、 「請求項３に記載の素子において、 －　前記シーリング材料（６）は前記半導体素子（１０）の露出したすべての表面を覆う、 ことを特徴とする素子。」（【請求項４】）、 「請求項３または４に記載の素子において、 －　前記半導体素子（１０）は、少なくとも１つの電気コンタクト素子（２１）を介して前記支持体（１１）に電気接続されており、 －　前記シーリング材料（６）は当該電気コンタクト素子（２１）を覆っている ことを特徴とする素子。」（【請求項５】）、 「請求項３から５までのいずれか１項に記載の素子において、 －　前記シーリング材料（６）は、前記支持体（１１）の表面（１７）の少なくとも一部を覆っている、 ことを特徴とする素子。」（【請求項６】） （イ）「少なくとも１つの実施形態によれば、オプトエレクトロニクス素子は、例えば、動作時に光を放射するまたは受光するのに適した活性領域を備えた、少なくとも１つのオプトエレクトロニクス的に活性な無機半導体素子を有する。この半導体素子は、原子層堆積によってシーリング材料が被着された少なくとも１つの表面領域を有し、ここではこのシーリング材料により、上記の表面領域が気密に覆われる。」（【００１８】）、 「ここおよび以下において光とは、殊に紫外線から赤外線のスペクトル領域における電磁ビーム、すなわち例えば可視のスペクトル領域における電磁ビームのことであるが、これに限定するわけではない。」（【００１９】）、 「上記のオプトエレクトロニクス的に活性な無機半導体素子は、殊に動作時に光を放射し、このためにこの無機半導体素子は、発光ダイオード（ＬＥＤ）、端面放射型半導体レーザ、垂直放射型半導体レーザ（VCSEL）、レーザアレイまたはこれらの複数個またはその組み合わせを有することができるか、または上記の素子のうちの１つとすることが可能である。択一的または付加的に上記のオプトエレクトロニクス的に活性な無機半導体素子は、動作時に受光し、このためこの無機半導体素子は、フォトダイオード、太陽電池、太陽電池パネル、フォトトランジスタまたはその複数個またはその組み合わせを有することができるか、または上記の素子のうちの１つとすることが可能である。上記の半導体素子は、このために１つまたは複数の機能的な半導体積層体を有することができ、この半導体積層体は、材料群AlGaAs，InGaAlP，AlInGaNから、またはII－VI化合物半導体システムまたはその他の半導体材料から選択された２元、３元または４元のIII－Ｖ化合物半導体システムから選択される。上記の半導体積層体は、例えばpn接合部、ダブルヘテロ構造、単一量子井戸構造（ＳＱＷ構造）あるいは多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）などの少なくとも１つの光放射または受光性の活性領域ならびに例えば金属層などの電気コンタクト層を有することができる。上記のような半導体積層体および構造は、従来技術から公知であるため、ここではこれ以上に説明しない。」（【００２０】）、 「上記のシーリング材料が被着される表面領域には、例えば、半導体レーザとして実施された半導体素子におけるレーザ端面か、またはＬＥＤ、レーザダイオードまたはフォトダイオードの露出されたpn接合部を含めることができる。これらは、周囲環境の影響およびその他の経年変化作用に対して殊に影響を受け易い。 」（【００２１】）、 「上記のシーリング材料により、上記の表面領域は気密に覆われ、これによってシーリングかつカプセリングされる。このことが意味し得るのは、例えば湿気および／または酸素がこのカプセリング装置に浸入できないことである。殊に上記のシーリング材料により、半導体素子の表面領域上に気密のシーリング層を形成することができ、このシーリング層により、半導体素子が湿気および／または酸素から保護されて、周囲環境からの湿気および／または酸素がこの表面領域を介して半導体素子に浸入することができず、この半導体素子の機能および／または組成が損なわれたり、損傷されることがないのである。湿気および／または酸素からの保護の他に上記のシーリング材料により、別の周囲の影響および殊に別の原子または分子材料に対し、効果的なバリアによる保護も提供される。」（【００２２】）、 「さらに原子間堆積によって被着された気密のシーリング材料は、例えばＣＶＤ，スパッタリング、または蒸着などの方法によって被着された層に比べ、厚さおよび材料が同等の場合、機械的な安定度が高く、ひいては引っ掻きなどの機械的な影響に対する保護作用が高い。」（【００２３】）、 「原子間堆積法（"atomic layer deposition"，ＡＬＤ）では、気相で準備した少なくとも２つの出発材料または出発化合物（前駆物質"precursor"）の化学反応により、上記の半導体素子の表面または表面領域に上記のシーリング材料からなる層を形成することができる。従来のＣＶＤ法と比較すると、原子間堆積では上記の複数の出発材料は、周期的に相前後して反応チャンバに入れられる。ここではまず、気相の少なくとも２つの出発化合物のうちの第１出発化合物を、上記の半導体素子が準備される反応チャンバに供給する。第１出発材料は、少なくとも１つの表面領域において吸収される。この際に殊に有利になり得るのは、第１出発化合物の分子が、不規則にまた長範囲規則度なしに上記の表面領域に吸収され、ひいては少なくとも部分的に非晶質のカバーが形成される場合である。少なくとも１つの表面領域を第１出発化合物によって有利には完全にまたはほぼ完全に覆った後、上記の少なくとも２つの出発化合物の第２出発化合物を供給することができる。第２出発化合物は、上記の表面領域において吸収される第１出発材料と反応することができ、これによって上記のシーリング材料の最大１つの単一層または準単一層を形成することができる。その後、再び第１出発化合物を供給する。この第１出発化合物は、形成された上記の準単一層または単一層上に堆積させることができ、または場合によっては、いまなお露出したままの、少なくとも１つの表面領域の領域上に堆積させることができる第２出発化合物をさらに供給することにより、別の準単一層または単一層を作製することができる。上記の複数の出発化合物のガスを入れる間に、上記の反応チャンバを洗浄ガスによって、殊に例えばアルゴンなどの不活性ガスによって洗い流し、出発化合物をそれぞれ入れる前に、有利にも前の出発材料がもはや反応チャンバに残っていないようにすることができる。これにより、上記の複数の部分反応を互いにはっきり分けて、少なくとも１つの表面領域に制限することができる。したがって原子間堆積の重要な特徴は、自己制限的な部分反応特性である。このことが意味するのは、部分反応の出発化合物がそれ自体または配位子と、それ自体から反応しないことであり、これにより、部分反応の層成長速度は、任意に長い時間においても制限され、またガス量は、上記の少なくとも１つの表面領域において上記のシーリング材料の最大で１つの単一層に制限されるのである。方法パラメタおよび反応チャンバに応じて、ならびにシーリング材料ないしは出発化合物の材料に依存して、１サイクルは数ミリ秒から数秒間持続する。この場合、１サイクル当たり、約0.1ないし約３オングストロームの厚さの、シーリング材料からなる層を形成することができる。」（【００２４】）、 「上記のシーリング材料は、原子間堆積を用いて１ナノメートル以上、有利には５ナノメートル以上、殊に有利には１０ナノメートル以上かつ500ｎｍ以下の厚さで被着することができる。殊にこのシーリング材料は、200ナノメートル以下、殊に有利には100ナノメートル以下、殊に有利には50ナノメートル以下の厚さを有し得る。このことが意味し得るのは、シーリング材料が、１単一層以上、有利には１０単一層かつ5000単一層以下の層から形成されることである。シーリング材料を被着する層品質が高いことと厚さが大きいこととより、このような厚さは、その下にある少なくとも１つの半導体素子表面領域が湿気および／または酸素から有効に保護されることを保証するのに十分になり得る。シーリング材料の厚さが小さければ小さいほど、シーリング材料から層を作製するための時間的コストおよび材料コストが少なくなり、これによって高い経済性を得ることができる。シーリング材料からなる層が厚ければ厚いほど、それだけ例えば機械的な損傷に対してこのシーリング材料の抵抗力を大きくすることができ、またシーリング材料の気密のカプセリング特性の耐性をそれだけ強くすることができる。」（【００２５】）、 「上で説明したように被着されかつ少なくとも１つの表面領域を覆うシーリング材料は、このように形成されるシーリング層の層厚が、反応サイクルの数だけに依存し、これにより、層厚を正確かつ簡単に制御することができるという利点を有する。さらに、有利にも上記の出発化合物を反応チャンバに供給する各ガス流の均一性にはわずかな要求しか課せられないため、シーリング材料は、殊に有利にも均一かつ一様に、殊に大きな面積上にも被着することができる。上記の出発化合物を別個に添加およびドーピングすることにより、上記の気相において反応を阻止することができるため、例えば蒸着またはＣＶＤなどの方法では使用できない高反応性の出発化合物も使用することができる。上で説明した順序および安定したドーピングにより、各反応ステップには完成までに十分な時間が残っているため、有利にも比較的プロセス温度が低い場合であっても上記のシーリング材料から高純度の層を作製することができる。さらに第１出発化合物の吸収およびこれに続く第２出発化合物との化学反応は、上記のガスが到達できる表面全体で行われるため、この表面は、幾何学的な状態、また場合によって存在する粒子、例えばいわゆるピンホールなどの開口部、および孔には実質的に依存せずに、連続して行われる反応サイクルによって次第に覆われて密閉される。」（【００２６】）、 「さらに上記のシーリング材料は、スパッタリング、蒸着またはＣＶＤによって作製される層と比べ、上記の少なくとも１つの表面領域上に欠陥なしに作製することができる。このことが意味するのは、例えば、湿気および／または酸素および／または別の原子または分子材料が、シーリング材料を通って少なくとも１つの表面領域に移動し得るいわゆるピンホールまたはマイクロチャネルがシーリング材料にないことである。」（【００２７】）、 「上記のシーリング材料は有利には電気的に絶縁性であり、光学的に透過であり、かつ例えばアルミニウム、シリコン、チタン、ジルコン、タンタルおよびハフニウムから選択された１つまたは複数との酸化物、窒化物または酸窒化物を有し得る。例えばシーリング材料は、Al2O3，SiO2，Si3N4，TiO2，ZrO2，Ta2O5，HfO2，Y2O3の材料のうちの１つまたは複数の材料を有し得る。出発化合物としては、例えば上記の材料の水素化物または有機金属化合物が適しており、ならびに酸素ないしは窒素に対する出発化合物としての例えばアンモニウム、笑気ガスまたは水が適している。」（【００２８】）、 「上記のシーリング材料によって半導体素子の可能な限りに効果的なカプセリングを得るために有利であり得るのは、シーリング材料が覆う少なくとも１つの表面領域に上記の半導体素子の１つまたは複数の表面、裏面および／または側面が含まれる場合である。」（【００２９】）、 「さらに上記の半導体素子は、半導体素子を電気的に接続するのに適した少なくとも１つの電気コンタクト層を有することができる。この電気コンタクト層は、例えば１つまたは複数の金属層を含むか、またはこのような金属層とすることができる。ここで上記の少なくとも１つの表面領域は、上記のコンタクト層またはこのコンタクト層の部分領域を除いて半導体素子の露出したすべての表面を含むことができる。言い換えると上記のシーリング材料は、コンタクト層またはこのコンタクト層の部分領域を除いて半導体素子の露出したすべての表面を完全に覆うことができるのである。これにより、半導体素子の露出した表面のカプセリングおよびシーリングを達成することでき、ここで上記の電気コンタクト層は、シーリング材料を被着した後でも電気的に接触接続可能である。」（【００３０】）、 「ここおよび以下で露出した表面とは、オプトエレクトロニクス素子を完成した後、例えば酸素および湿気などの周囲の原子または分子材料がこの表面に到達し得るという形態で、周囲と接触接続し得る表面および表面領域のことである。したがって酸素透過性および／または水透過性のプラスチック層などの気密でない層によって覆われている表面または表面領域も、ここでは上記の用語の下では露出していることになる。殊に、オプトエレクトロニクス素子が支持体を有しており、かつ表面または表面領域が、支持体への半導体素子の取り付けのために使用され、したがって取り付け面を構成している場合、表面または表面領域はここで使用している意味で露出していないのである。」（【００３１】）、 「殊に上記の半導体素子は取り付け面によって支持体に載置することができる。この支持体は、例えばヒートシンク、プリント基板、導体フレーム、ケーシング体またはこれらの組み合わせを有するかそのようなものとすることが可能である。上記の半導体素子は、取り付け面により、例えばハンダ付け、陽極ボンディングまたは接着によって上記の支持体に機械的に取り付けることができる。付加的には半導体素子、上記の取り付け面を介して上記に支持体に電気的に接続することも可能である。この場合にこの取り付け面は、付加的に電気コンタクト層として構成することができる。」（【００３２】）、 「支持体に載置される半導体素子では、シーリング材料によって気密に覆われる少なくとも１つの表面領域は、半導体素子の露出したすべての表面、殊に取り付け面以外のすべての表面を含むことができるため、シーリング材料は、半導体素子の露出したすべての表面を覆うのである。この実施形態では半導体素子は、上記の取り付け面を除いて全面がシーリング材料によって包囲されるため、この半導体素子の効果的なカプセリングが可能になる。」（【００３３】）、 「さらに上記の半導体素子は付加的に、電気コンタクト素子を介して上記の支持体に接続することができる。このために半導体素子は、上記の取り付け面とは異なる表面に電気コンタクト層を有しており、この電気コンタクト層に電気コンタクト素子が接続される。この電気コンタクト素子は、例えばボンディングワイヤまたは金属層とすることができる。さらに殊に有利には半導体素子の電気コンタクト層と共に上記のシーリング材料により、この電気コンタクト素子を覆うことができる。」（【００３４】）、 「さらに上記のシーリング材料は、上記の支持体の表面の少なくとも一部を覆うことができる。殊に上記のシーリング材料は、支持体の表面とつながって、半導体素子の少なくとも１つの表面領域に延在することができるため、シーリング材料は、半導体素子と支持体との間の取り付け領域も覆うことができる。」（【００３５】）、 「さらに上記の支持体は、電気的な接続領域を有することができ、この接続領域により、例えば制御回路または電流供給部にオプトエレクトロニクス素子を接続することができる。シーリング材料は、支持体の接続領域を除いて支持体および半導体素子の露出したすべての表面を覆うことができるため、この支持体は半導体素子と共に、この支持体の接続領域を除いたすべての表面においてシーリング材料によって気密に覆われるのである。」（【００３６】） （ウ）「殊に後者は、有害なガスなどの損傷を与える影響から保護しなければならない。それは、半導体積層体２の個々の層および殊に活性領域３が露出しているからである。したがって図１Ｂに示した後続の方法ステップにおいて、上記の一般的な説明部分で説明した原子間堆積によって表面領域７にシーリング材料６を被着する。このシーリング材料には図示の実施例において、電気絶縁性の光学的に透明な酸化物または窒化物、例えばチタン酸化物、シリコン酸化物または窒化ケイ素が含まれ、または一般的の説明部分で挙げた別の材料も含まれる。シーリング材料６は、500nm以下の厚さで、また有利には10nmないし100nmの厚さで被着される。原子間堆積を用いたこの被着により、シーリング材料６が表面領域７を気密にカバーするため、殊にトレンチ９２によって露出した半導体積層体２の側面は、引っ掻きに強くまた気密にシーリングかつカプセリングされる。さらにシーリング材料６により、後に得られる半導体素子１０において側面およびチップエッジを介する漏れ電流を回避することができる。この漏れ電流は、このようにしなければ、動作に対する安定性のリスクになり得るものである。受光式の半導体素子１０として実施される半導体素子１０に対しては、この半導体素子は、漏れ電流によって暗電流故障にもなり得る。」（【００６６】） （エ）「図９には別の実施例による半導体素子１０を有するオプトエレクトロニクス素子６００が示されている。」（【００８８】）、 「オプトエレクトロニクス素子６００は、支持体１１を有しており、この支持体は、その上に取り付けられる半導体素子１０用のヒートシンクとして構成されており、また半導体素子１０の電気的な接触接続のための電気接続層１５，１６を有する。半導体素子１０は、取り付け面９により、電気接続層１５上に取り付けられており、取り付け面９は、半導体素子１０を電気接続するための（図示しない）電気コンタクト層も構成している。この取り付け面とは反対側の面において、半導体素子１０は、導電層として構成された電気コンタクト素子２１により、支持体の接続層１６に電気的に接続されている。これに加え、電気コンタクト素子２１と半導体素子１０との間に電気絶縁層１８が複数の領域に配置されており、これによって電気コンタクト素子１は、半導体素子１０の側面において電気コンタクト素子２１から電気的に絶縁されている。」（【００８９】）、 「半導体素子１０は、半導体素子１０の露出したすべての表面および電気コンタクト素子２１を含む表面領域７上で、原子間堆積法によって被着されたシーリング材料６によってカバーされて気密にシーリングされる。さらに上記の支持体の表面領域１７もシーリング材料６によって覆われている。これによって半導体素子１０の全面的なカプセリングが得られる。」（【００９０】）、 「従来技術において公知のケーシングに比べ、シーリング材料６により、カプセル化されたオプトエレクトロニクス素子６００の極めてコンパクトなサイズが得られる。有利であるのは、これがまさに、図示の層状の電気コンタクト層２１を用いた電気コンタクトとの組み合わせにおいて行われることである。それは、半導体チップと電気給電部との間でふつう使用されるボンディングワイヤの形態の電気接続部は、公知のケーシングを省略する際には構造高さに大きく影響することになるからである。さらにボンディングワイヤとして実施される電気コンタクト素子２１に比べて、図示したケーシングのない構造形態において、例えばボンディングワイヤが破損することによってオプトエレクトロニクス素子６００が損傷してしまう危険性も低減される。」（【００９１】） （オ）「図１０には別の実施例による半導体素子１０を有するオプトエレクトロニクス素子７００が示されており、この素子は、上の実施例とは異なり、電気コンタクト素子２１としてボンディングワイヤを有する。ここでは露出したすべての表面ないしは表面領域７における半導体素子１０全体ならびにボンディングワイヤ２１がシーリング材料６によって覆われている。さらに電気接続層１５を有する支持体も、接続領域２２を除いてすべての表面１７がシーリング材料６に覆われているため、オプトエレクトロニクス素子７００の包括的なシーリングが得られる。接触接続のために電気端子層１５，１６にアクセス可能な電気接続領域２２により、オプトエレクトロニクス素子７００を外部の電流供給部および／または制御電子装置に電気接続することができる。」（【００９２】）、 「さらにオプトエレクトロニクス素子７００は、透明なケーシング材料２０を有しており、このケーシング材料により、半導体素子１０および支持体１１の一部が包囲される。ケーシング材料２０は、気密性でないプラスチックを有する。」（【００９３】）、 「これに対して気密のプラスチックケーシングまたは金属ケーシングにオプトエレクトロニクス素子を従来のようにカプセリングすることは、上で示した実施例に比べると極めて繁雑である。それは、周囲環境とのすべての境界面は、高々気密性についての要求を満たさなければならず、これは比較的繁雑な手法および材料でしか実現できないからである。上記のケーシングによって気密のシーリングも形成しなければならないのがふつうでないとしても、上記のケーシングそれ自体は、殊に、例えば扱いやすさ、熱放出および／または光学特性などの別の要求を満たすため、多くの場合に格段に簡単に実施することができる。シーリング材料６と組み合わせることにより、格段に簡単なケーシングを使用することができ、ここでは気密なシーリングが保証されるが、カプセリングのためにコストのかかる公知の方法および材料を同時に回避することができる。」（【００９４】） （カ）「図１１には別の実施例によるオプトエレクトロニクス素子８００が示されており、このオプトエレクトロニクス素子は、ヒートシンク、導体フレーム、ボードまたは分割基板として実施された支持体１１上に多数の半導体素子１０を有する。図示の実施例において半導体素子１０はＬＥＤとして構成されているため、オプトエレクトロニクス素子８００は発光高出力モジュールである。半導体素子１０は、露出した各表面において支持体１１と関連して一緒にシーリング材料６によって覆われている。このことは図１１に略示したとおりである。」（【００９５】）、 「電気接続路１５，１６だけが、図示した領域において電気接続領域として構成されているため、シーリング材料６がない。」（【００９６】）、 「ここで示したオプトエレクトロニクス素子のようなオプトエレクトロニクス素子において、殊に半導体素子１０が極めて密に並んで、例えばアレイ構成で配置されている場合にあっても原子間堆積によって被着したシーリング材料６により、殊に大きな利点が得られる。ここでは原子間堆積により、コスト的に有利であり、面積が大きく、光学的に透過性であり、かつ気密なシーリングないしはカプセリングの被着が可能であり、場合によって存在し得る半導体素子１０間の狭いギャップも高い信頼性かつ均一にシーリングされる。ここでシーリング材料６は、有利には半導体素子１０の光学的な機能に影響を及ぼさない光学的に透過性の材料を有することができる。」（【００９７】）、 「択一的には半導体素子１０は、少なくとも部分的にまたはすべてをレーザダイオードおよび／またはフォトダイオードとして構成することができる。さらにここでは、分割基板への半導体素子１０およびそれらの電気接続路の取り付けの枠内において原子間堆積を用いたシーリング材料の被着を実行することも可能である。」（【００９８】）、 「この場合、引き続いて、シーリングを必要としない光学的な構成部材などの付加的なコンポーネントの取り付けを行うことができる。」（【００９９】） イ　上記アによれば、甲２の請求項６に記載された発明であって、請求項１，３及び４に従属する発明について、次の事実が認められる。 （ア）請求項６に記載された発明であって、請求項１，３及び４に従属する発明は、次のとおりである。 「オプトエレクトロニクス素子において、 －　動作時に光を放射するかまたは受光するのに適した活性領域（３）を備えた少なくとも１つのオプトエレクトロニクス的に活性な無機半導体素子（１０）と、 －　少なくとも１つの表面領域（７）に、前記表面領域（７）を気密に覆う、原子間堆積によって被着したシーリング材料（６）とを有する、 オプトエレクトロニクス素子であって、 前記半導体素子（１０）は、取り付け面（９）によって支持体（１１）に載置されており、 前記シーリング材料（６）は前記半導体素子（１０）の露出したすべての表面を覆い、 前記シーリング材料（６）は、前記支持体（１１）の表面（１７）の少なくとも一部を覆っている、 オプトエレクトロニクス素子。」 そして、上記の「オプトエレクトロニクス素子」の発明を、「支持体（１１）」を構成として含めた「発光装置」の発明として整理すると、次のとおりである。 「オプトエレクトロニクス素子と支持体（１１）とを備える発光装置において、 前記オプトエレクトロニクス素子は、 －　動作時に光を放射するかまたは受光するのに適した活性領域（３）を備えた少なくとも１つのオプトエレクトロニクス的に活性な無機半導体素子（１０）と、 －　少なくとも１つの表面領域（７）に、前記表面領域（７）を気密に覆う、原子間堆積によって被着したシーリング材料（６）とを有する、 オプトエレクトロニクス素子であって、 前記半導体素子（１０）は、取り付け面（９）によって支持体（１１）に載置されており、 前記シーリング材料（６）は前記半導体素子（１０）の露出したすべての表面を覆い、 前記シーリング材料（６）は、前記支持体（１１）の表面（１７）の少なくとも一部を覆っている、 オプトエレクトロニクス素子である、 発光装置。」 （イ）シーリング材料は、原子間堆積によって被着された気密のものである。このようなシーリング材料は、例えばＣＶＤ，スパッタリング、または蒸着などの方法によって被着された層に比べ、厚さおよび材料が同等の場合、機械的な安定度が高く、ひいては引っ掻きなどの機械的な影響に対する保護作用が高い。（【００２３】） （ウ）シーリング材料は、原子間堆積を用いて１ナノメートル以上、有利には５ナノメートル以上、殊に有利には１０ナノメートル以上かつ500ｎｍ以下の厚さで被着することができる。シーリング層の層厚は、反応サイクルの数だけに依存し、これにより、層厚を正確かつ簡単に制御することができる。（【００２５】・【００２６】） （エ）シーリング材料は、スパッタリング、蒸着またはＣＶＤによって作製される層と比べ、少なくとも１つの表面領域上に欠陥なしに作製することができる。（【００２７】） （オ）シーリング材料は、アルミニウム、シリコンから選択された１つまたは複数との酸化物、窒化物を有し得るものである。（【００２８】） （カ）シーリング材料は、半導体素子の表面及び側面を覆うことができる。さらに、シーリング材料は、電気接続層を有する支持体の表面を、電気接続層を含めて、覆うことができる。（【００２９】・【００３３】・【００３５】・【００８９】・【００９０】・【００９２】・図９・図１０） （キ）半導体素子は、動作時に、紫外線から赤外線のスペクトル領域に属する電磁ビームを放射する。（【００１８】・【００１９】） ウ　上記イによれば、甲２には、次の発明（以下「甲２発明」という。）が記載されていると認められる。 「オプトエレクトロニクス素子と支持体（１１）とを備える発光装置において、 前記オプトエレクトロニクス素子は、 －　動作時に光を放射するかまたは受光するのに適した活性領域（３）を備えた少なくとも１つのオプトエレクトロニクス的に活性な無機半導体素子（１０）と、 －　少なくとも１つの表面領域（７）に、前記表面領域（７）を気密に覆う、原子間堆積によって被着したシーリング材料（６）とを有する、 オプトエレクトロニクス素子であって、 前記半導体素子（１０）は、取り付け面（９）によって支持体（１１）に載置されており、 前記シーリング材料（６）は前記半導体素子（１０）の露出したすべての表面を覆い、 前記シーリング材料（６）は、前記支持体（１１）の表面（１７）の少なくとも一部を覆っており、 シーリング材料は、アルミニウム、シリコンから選択された１つまたは複数との酸化物、窒化物を有し得るものであり、 シーリング材料は、原子間堆積を用いて１ナノメートル以上、有利には５ナノメートル以上、殊に有利には１０ナノメートル以上かつ500ｎｍ以下の厚さで被着することができ、シーリング層の層厚は、反応サイクルの数だけに依存し、これにより、層厚を正確かつ簡単に制御することができ、 原子間堆積によって被着された気密のシーリング材料は、例えばＣＶＤ，スパッタリング、または蒸着などの方法によって被着された層に比べ、厚さおよび材料が同等の場合、機械的な安定度が高く、ひいては引っ掻きなどの機械的な影響に対する保護作用が高く、 シーリング材料は、半導体素子の表面及び側面を覆うことができ、さらに、シーリング材料は、電気接続層を有する支持体の表面を、電気接続層を含めて、覆うことができ、 シーリング材料は、スパッタリング、蒸着またはＣＶＤによって作製される層と比べ、上記の少なくとも１つの表面領域上に欠陥なしに作製することができる、 オプトエレクトロニクス素子である、 発光装置。」 ２　甲１発明を主引用発明とする進歩性欠如について （１）本件訂正発明１について ア　対比 （ア）本件訂正発明１の「平板状の基材と、前記基材の上面に配置された正負の配線層と、を有する配線基板と、」との特定事項について ａ　甲１発明の「平板状」の「Ａｌ２Ｏ３基板３」は、本件訂正発明１の「平板状の基材」に相当する。 ｂ　甲１発明の「Ａｌ２Ｏ３基板３の表面にタングステン（Ｗ）で構成される回路パターン４」は、上記ａにも照らせば、本件訂正発明１の「前記基材の上面に配置された」「配線層」に相当する。そして、甲１発明の「配線層」は、「一対の電極が、縦横について３個×３個の合計９個設けられてなり、しかも、横方向に３個並んだ一対の電極は、ＬＥＤ素子２が直列に接続した素子群を形成するように、相互に接続されて」いるから、本件訂正発明１でいう「正負の配線層」であるといえる。 ｃ　甲１発明の「Ａｌ２Ｏ３基板３」とその「表面にタングステン（Ｗ）で構成される回路パターン４」は、上記ａ及びｂにも照らせば、本件訂正発明１の「配線基板」に相当する。 ｄ　よって、甲１発明は、本件訂正発明１の「平板状の基材と、前記基材の上面に配置された正負の配線層と、を有する配線基板と、」との特定事項を備える。 （イ）本件訂正発明１の「前記配線層にフリップチップ実装された一個の発光素子と、」との特定事項について ａ　甲１発明の「ＬＥＤ素子２」は、本件訂正発明１の「発光素子」に相当する。 ｂ　甲１発明の「発光素子」は、「フリップチップ型」であるから、上記（ア）にも照らせば、本件訂正発明１でいう「前記配線層にフリップチップ実装された」ものといえる。 ｃ　よって、甲１発明は、本件訂正発明１の「前記配線層にフリップチップ実装され」た「発光素子と、」との特定事項を備える。 しかし、甲１発明は、ＬＥＤ素子２を「９個」備えるから、本件訂正発明１の「一個の」との特定事項を備えない。 （ウ）本件訂正発明１の「前記基材と前記配線層と前記発光素子とを被覆し、前記配線基板の上面と前記発光素子の表面に沿って形成され、かつ発光装置の外表面を形成する無機材料からなり、上面が平坦である保護膜と、を備え、」との特定事項について ａ　甲１発明の「９個のＬＥＤ素子２を封止するとともにＡｌ２Ｏ３基板３と接着されるＢ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＬｉＯ－Ｎａ２Ｏ－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５系の熱融着ガラスからなるガラス封止部６」であって、「９個のＬＥＤ素子２とＡｌ２Ｏ３基板３上の回路パターン４とＡｌ２Ｏ３基板３とを被覆しており、Ａｌ２Ｏ３基板３上に上面及び側面を有する矩形状に形成される」「ガラス封止部６」は、本件訂正発明１の「前記基材と前記配線層と前記発光素子とを被覆し、前記配線基板の上面と前記発光素子の表面に沿って形成され、かつ発光装置の外表面を形成する無機材料からなり、上面が平坦である保護膜」とは、上記（ア）及び（イ）にも照らせば、「前記基材と前記配線層と前記発光素子とを被覆し、」「光装置の外表面を形成する無機材料からなり、上面が平坦である保護」部材である点で一致する。 ｂ　しかし、甲１発明の保護部材は、本件訂正発明１でいう「前記配線基板の上面と前記発光素子の表面に沿って形成され」る「膜」ではなく、「Ａｌ２Ｏ３基板３上に上面及び側面を有する矩形状に形成される」「Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＬｉＯ－Ｎａ２Ｏ－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５系の熱融着ガラスからなる」ものである。 ｃ　上記ｂの認定に対し、申立人は、令和元年１０月２４日付け意見書及び同年５月１６日付け意見書において、本件訂正発明１が「保護膜」について「前記配線基板の上面と前記発光素子の表面に沿って形成され」ると特定するのみでは、当該保護膜は、甲１の図１、図３及び図５等に記載された構成と差異がない旨主張する。 しかしながら、甲１発明（図５に係るものである。）の「ガラス封止部６」は、以下のとおり、「前記配線基板の上面と前記発光素子の表面に沿って形成され」る保護「膜」とはいえないというべきである。 まず、本件訂正発明１の「前記配線基板の上面と前記発光素子の表面に沿って形成され」る「保護膜」との特定事項において、「『沿』う」の字義は、「線条的なもの、または線条的に移動するものに、近い距離を保って離れずにいる意。」（広辞苑）であるとともに、「膜」の字義は、「物の表面を覆う薄い物」（広辞苑）である。そうすると、ある保護手段が、「前記配線基板の上面と前記発光素子の表面に沿って形成され」る「膜」であるというためには、「発光素子の表面」を線条的なものと評価した上で、その線条的なものから、その保護手段の外縁が、近い距離を保って離れずにいることが必要であると解するのが相当である。そして、このような理解は、本件図面の図３から看取できる保護膜４０の形状にも沿う。 これを甲１発明についてみる。甲１発明における（本件訂正発明１でいう）「発光素子の表面」は、各ＬＥＤ素子２の上面及び側面であると解される。そうすると、「線条的なもの」とは、この上面と側面とに対応するものであるところ、これは、具体的には、甲１の図５（ｂ）のような断面図により看取される、鉛直方向の線分と水平方向の線分（との結合体）に該当する。 その上で、これらの線分とガラス封止部６の外縁との関係をみると、ガラス封止部６の外縁は、鉛直方向の線分と水平方向の線分から、近い距離を保っているとはいえない。すなわち、甲１発明における、(i)鉛直方向の線分とガラス封止部６の外縁との関係と(ii)水平方向の線分とガラス封止部６の外縁との関係をみると、両者は、その状況を異にしていると言わざるを得ないから、これをもって、これらの線分とガラス封止部６の外縁とが、近い距離を保っていると評価することは困難である。 よって、甲１発明のガラス封止部６は、「前記配線基板の上面と前記発光素子の表面に沿って形成され」る保護「膜」とはいえない。そして、甲１の図１及び図３についても同様の議論が成り立つ。 したがって、申立人の主張は成り立たない。 （エ）本件訂正発明１の「前記配線層の外縁は曲線であり、該曲線の曲率は一定であり、」との特定事項について 甲１発明は、「Ａｌ２Ｏ３基板３の表面にタングステン（Ｗ）で構成された回路パターン４は、円形の外形を有する一対の電極が、縦横について３個×３個の合計９個設けられてなり、しかも、横方向に３個並んだ一対の電極は、ＬＥＤ素子２が直列に接続した素子群を形成するように、相互に接続されて」いるから、「一対の電極」同士を相互に接続する部分が存在する。そして、その相互に接続する部分も、本件訂正発明１でいう「前記配線層」に相当するけれども、その「外縁」が「曲線」であるとはいえない。 よって、甲１発明は、本件訂正発明１の「前記配線層の外縁は曲線であり、該曲線の曲率は一定であり、」との特定事項を備えない。 （オ）本件訂正発明１の「前記配線層が前記基材の外縁よりも内側である」との特定事項について 甲１発明は、「Ａｌ２Ｏ３基板３の表面にタングステン（Ｗ）で構成される回路パターン４」「は、Ａｌ２Ｏ３基板３の外縁よりも内側であ」る。よって、上記（ア）にも照らせば、甲１発明は、本件訂正発明１の「前記配線層が前記基材の外縁よりも内側である」との特定事項を備える。 （カ）本件訂正発明１の「発光装置」について 甲１発明の「ＬＥＤ１」は、「ＬＥＤ素子２」と「Ａｌ２Ｏ３基板３」と「回路パターン４」を含むから、本件訂正発明１の「発光装置」に相当する。 イ　一致点及び相違点の認定 上記アによれば、本件訂正発明１と甲１発明とは、 「平板状の基材と、前記基材の上面に配置された正負の配線層と、を有する配線基板と、 前記配線層にフリップチップ実装された発光素子と、 前記基材と前記配線層と前記発光素子とを被覆し、発光装置の外表面を形成する無機材料からなり、上面が平坦である保護部材と、を備え、 前記配線層が前記基材の外縁よりも内側である発光装置。」である点で一致し、次の点で相違する。 ［相違点１］ 「前記配線層にフリップチップ実装された発光素子」が、本件訂正発明１は「一個」であるのに対し、甲１発明は「９個」である点。 ［相違点２］ 本件訂正発明１は、「前記配線層の外縁は曲線であり、該曲線の曲率は一定であ」るのに対し、甲１発明はそうなっていない点。 ［相違点３］ 前記基材と前記配線層と前記発光素子とを被覆し、発光装置の外表面を形成する無機材料からなり、上面が平坦である保護部材について、本件訂正発明１は、「前記配線基板の上面と前記発光素子の表面に沿って形成され」る「膜」であるのに対し、甲１発明は「Ａｌ２Ｏ３基板３上に上面及び側面を有する矩形状に形成される」「Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＬｉＯ－Ｎａ２Ｏ－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５系の熱融着ガラスからなる」部材である点。 ウ　相違点３の判断 事案にかんがみ、相違点３から判断する。 「前記基材と前記配線層と前記発光素子とを被覆し、発光装置の外表面を形成する無機材料からなり、上面が平坦である保護部材」について、甲１発明は、「Ａｌ２Ｏ３基板３上に上面及び側面を有する矩形状に形成される」「Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＬｉＯ－Ｎａ２Ｏ－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５系の熱融着ガラスからなる」部材を用いるものであるところ、この部材を、甲２発明における「表面領域（７）を気密に覆う、原子間堆積によって被着したシーリング材料（６）」に置換することは、以下のとおり、当業者が容易に想到し得たものではない。 すなわち、甲１発明の技術的意義は、ガラス封止部の安定性に加えて耐候性についても良好な固体素子デバイスを提供するという目的を達成するために、Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｌｉ２Ｏ－Ｎａ２Ｏ－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５系のガラスからなるガラス封止部において、Ｎａ２Ｏのうち所定量をＬｉ２Ｏとすることにより、極めて良好な耐候性を得るようにしたものと認められる（甲１の【０００９】・【００１０】・【００６９】・【００７０】）。そうすると、甲１発明において、封止部として「Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＬｉＯ－Ｎａ２Ｏ－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５系」のガラスを用いることは、甲１発明の前提というべきである。 これに対し、甲２発明は、「表面領域（７）を気密に覆う、原子間堆積によって被着したシーリング材料（６）」を用いるものであるから、甲２発明は、甲１発明の前提、すなわち、「Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＬｉＯ－Ｎａ２Ｏ－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５系」のガラスを用いること、を備えないものである。 よって、甲１発明に接した当業者が、甲２発明に接するとは言い難い上、それを措くとしても、かかる当業者が、甲１発明の「Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＬｉＯ－Ｎａ２Ｏ－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５系の熱融着ガラス」からなる部材として、甲２発明の「表面領域（７）を気密に覆う、原子間堆積によって被着したシーリング材料（６）」を採用する動機があるとは言い難い。 したがって、相違点３は、当業者が容易に想到し得たものではない。 エ　相違点１の判断 相違点１は、発光素子の個数に関するものであるところ、甲１発明のＬＥＤ素子２の個数を９個から１個にすることができれば、相違点１の構成に至る。しかしながら、以下のとおり、そのようにすることが容易とはいえない。 まず、甲１発明がＬＥＤ素子２を９個備えている技術的な理由についてみる。 甲１の【０１１３】は、複数個のＬＥＤ素子２をＬＥＤ素子２の幅の２倍以下の配列ピッチで密集させて実装する構成であっても、ＬＥＤ素子２およびガラス封止部６の熱膨張率αが同等であるので、クラックを生じることなく信頼性に優れるＬＥＤ１が得られると記載する。さらに、同【０１１４】は、Ａｌ２Ｏ３基板３を用いることにより、発熱量の大なるＧａＮ系ＬＥＤ素子２を密集させて実装する構成としても安定した放熱性が得られると記載する。 そうすると、甲１発明がＬＥＤ素子２を９個備えているのは、ＬＥＤ素子２を複数個密集させて実装する構成であっても、クラックを生じることなく信頼性に優れるとともに、安定した放熱性を得ることを明らかにするためであるといえる。 このように、甲１発明がＬＥＤ素子２を９個備えていることには、一定の技術的な理由が存在するのであるから、甲１発明においてＬＥＤ素子２を１個にすることは、特段の動機がない限り、容易とは言い難い。しかるところ、甲１の記載や甲２の記載をみても、そのような動機を見いだせない。 したがって、相違点１は、当業者が容易に想到し得たものではない。 オ　申立人の主張について 申立人は、令和元年１０月２４日付け意見書（１頁下から４行～２頁２行）において、特表２０１５－５００５７０号公報の図６には、本件訂正発明１の「一個の発光素子」に該当する１個のＬＥＤチップを備えるデバイスが開示されているから、相違点１は格別ではない旨主張する。 （ア）そこで検討するに、同公報の図６は、申立人が主張するとおり、１個のＬＥＤチップ６８を備えるデバイスを開示する。 しかしながら、甲１発明から出発した当業者が相違点１に係る構成に至るためには、上記エで説示したとおり、甲１発明がＬＥＤを９個備える技術的な理由（ＬＥＤ素子２を複数個密集させて実装する構成であっても、クラックを生じることなく信頼性に優れるとともに、安定した放熱性を得ることを明らかにすること）を克服することが必要である。しかるところ、同公報は、ＬＥＤチップが１個あることを示しているにすぎないから、上記技術的な理由を克服するに足りない。 よって、甲１発明から出発した当業者が、同公報に記載された発明を採用して、相違点１に係る構成に至ることはない。 （イ）上記（ア）でした判断の妥当性は、以下のとおり、同公報に記載された発明の技術的意義を踏まえれば、さらに明らかである。 すなわち、同公報に記載された発明の技術的意義は、次のとおりである。 従来の発光体デバイスには、抽出される光の量を向上させるためにレンズが利用されているが、従来のレンズは、サブマウントの縁部に近い又は近接する場所まで延びていないため、デバイスのサブマウントの角部において光抽出が十分に改善されないという課題があった。そこで、発光体デバイスのサブマウントの角部からの光抽出を向上させるために、レンズ３０が、サブマウントの１つ以上の角部と面一に、又は略面一になるように、延びるようにする。（【０００１】・【００２７】） このような同公報に記載された発明の技術的意義に照らすと、当該発明は、レンズを備えることを前提とするものということができる。 他方で、甲１発明は、レンズを備えるものとはいえない。そうすると、甲１発明から出発した当業者がレンズを備えた技術に係る同公報記載の技術的事項をあえて採用するためには、積極的な動機が必要であるというべきところ、そのようなものを見いだせない。 よって、同公報に記載された発明の技術的意義に照らせば、甲１発明から出発した当業者が同公報に記載された発明を採用して相違点１に係る構成に至ることはないのが、さらに明らかである。 （ウ）したがって、申立人の主張は採用できない。 オ　本件訂正発明１についての小括 上記ウ及びエでした判断は、甲１及び甲２に記載されたその余の技術的事項を踏まえても左右されない。 よって、相違点２について判断するまでもなく、本件訂正発明１は、甲１に記載された発明及び甲２に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）本件訂正発明２～７及び１１について 本件訂正発明２～７及び１１は、本件訂正発明１同様に、相違点１に係る構成及び相違点３に係る構成を備えるものである。 そうすると、本件訂正発明２～７及び１１は、上記（１）と同様の理由で、甲１に記載された発明及び甲２に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）甲１発明を主引用発明とする進歩性欠如の小括 このように、本件訂正発明１～７及び１１は、甲１に記載された発明及び甲２に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ３　甲２発明を主引用発明とする進歩性欠如について （１）本件訂正発明１について ア　対比 （ア）本件訂正発明１の「平板状の基材と、前記基材の上面に配置された正負の配線層と、を有する配線基板と、」との特定事項について ａ　甲２発明の「支持体（１１）」は、本件訂正発明１の「基材」に相当する。また、この「支持体（１１）」が「平板状」であることは、明らかである。 ｂ　甲２発明の「支持体の表面」に設けられた「電気接続層」が、本件訂正発明１でいう「前記基材の上面に配置された正負の配線層」に相当することは、明らかである。 ｃ　甲２発明の「電気接続層を有する支持体」は、上記ａ及びｂにも照らせば、本件訂正発明１の「配線基板」に相当する。 ｄ　よって、甲２発明は、本件訂正発明１の上記特定事項を備える。 （イ）本件訂正発明１の「前記配線層にフリップチップ実装された一個の発光素子と、」との特定事項について ａ　甲２発明の「無機半導体素子」は、本件訂正発明１の「発光素子」に相当する。そして、甲２発明の「無機半導体素子」は、「少なくとも１つ」であるから、甲２発明は、本件訂正発明１でいう「一個の発光素子」を備える場合を、明らかに含んでいる。 ｂ　甲２発明の「取り付け面（９）によって支持体（１１）に載置され」た「半導体素子（１０）」は、上記（ア）にも照らせば、本件訂正発明１の「前記配線層にフリップチップ実装される発光素子」とは、「前記配線層に」「実装された一個の発光素子」である点で一致する。 ｃ　よって、甲２発明は、本件訂正発明１の「前記配線層に」「実装された一個の発光素子と、」との特定事項を備えるが、その実装は「フリップチップ」ではない。 （ウ）本件訂正発明１の「前記基材と前記配線層と前記発光素子とを被覆し、前記配線基板の上面と前記発光素子の表面に沿って形成され、かつ発光装置の外表面を形成する無機材料からなり、上面が平坦である保護膜と、を備え、」との特定事項について ａ　甲２発明の「原子間堆積によって被着された気密のシーリング材料」であって、「１ナノメートル以上、有利には５ナノメートル以上、殊に有利には１０ナノメートル以上かつ500ｎｍ以下の厚さで被着することができ」る「シーリング材料」は、本件訂正発明１の「保護膜」に相当する。 ｂ　甲２発明の「シーリング材料」は、「半導体素子の表面及び側面を覆うことができ、さらに、シーリング材料は、電気接続層を有する支持体の表面を、電気接続層を含めて、覆うことができ」るものであるとともに、「シーリング層の層厚は、反応サイクルの数だけに依存し、これにより、層厚を正確かつ簡単に制御することができ」るものであるから、本件訂正発明１でいう「前記基材と前記配線層と前記発光素子とを被覆し、前記配線基板の上面と前記発光素子の表面に沿って形成され」るものといえる。 ｃ　甲２発明の「シーリング材料」は、「アルミニウム、シリコンから選択された１つまたは複数との酸化物、窒化物を有し得るものであ」るから、本件訂正発明１でいう「無機材料」であるといえる。 ｄ　甲２発明の「シーリング材料」が、本件訂正発明１でいう「発光装置の外表面を形成」していることは、明らかである。 ｅ　甲２発明の「シーリング材料」は、「半導体素子の表面及び側面を覆うことができ」るものであり、「層厚を正確かつ簡単に制御することができ」るものであるから、本件訂正発明１でいう「上面が平坦である」ものといえる。 ｆ　よって、甲２発明は、本件訂正発明１の上記特定事項を備える。 （エ）本件訂正発明１の「前記配線層の外縁は曲線であり、該曲線の曲率は一定であり、前記配線層が前記基材の外縁よりも内側である」との特定事項について 甲２発明は、上記特定事項を備えない。 （オ）本件訂正発明１の「発光装置」との特定事項について 甲２発明の「オプトエレクトロニクス素子と支持体（１１）とを備える発光装置」は、本件訂正発明１の「発光装置」に相当する。 イ　一致点及び相違点の認定 上記アによれば、本件訂正発明１と甲２発明とは、 「平板状の基材と、前記基材の上面に配置された配線層と、を有する配線基板と、 前記配線層に実装された一個の発光素子と、 前記基材と前記配線層と前記発光素子とを被覆し、前記配線基板の上面と前記発光素子の表面に沿って形成され、かつ発光装置の外表面を形成する無機材料からなり、上面が平坦である保護膜と、を備えた、 発光装置。」である点で一致し、次の点で相違する。 ［相違点４］「配線基板」について、本件訂正発明１は、「前記基材の上面に配置された正負の配線層」を有し、「前記配線層の外縁は曲線であり、該曲線の曲率は一定であり」、「前記配線層が前記基材の外縁よりも内側である」のに対し、甲２発明は、そのように特定されていない点。 ［相違点５］「配線層」への「発光素子」の「実装」について、本件訂正発明１は、「フリップチップ実装」であるのに対し、甲２発明は、そのように特定されていない点。 ウ　相違点４及び５の判断 相違点４及び５をまとめて判断する。 甲２発明は、発光装置に係る発明であるところ、シーリング材料を原子間堆積によって形成するところが課題解決手段であると解されるから、支持体や電気接続層に係る構造については、任意であると解される。よって、当業者であれば、かかる構造について公知の構造を適宜採用できるということができる。 他方、甲１発明は、ＬＥＤ素子２を９個備えるものであるから、少なくともその点で、相違点４に係る構成を開示しない。さらに、甲１発明は、上記２（１）ウ（相違点３の判断）のとおり、封止部として「Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＬｉＯ－Ｎａ２Ｏ－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５系」のガラスを用いることが前提となっており、この点で、甲２発明とは異なる。 以上を総合的に勘案すると、当業者が、甲２発明において甲１発明を採用して、相違点４及び５の構成に至ることは、困難であるというべきである。 エ　本件訂正発明１についての小括 上記ウでした判断は、甲１及び甲２に記載されたその余の技術的事項を踏まえても、左右されない。 したがって、本件訂正発明１は、甲２に記載された発明及び甲１に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）本件訂正発明２～７及び１１について 本件訂正発明２～７及び１１は、本件訂正発明１同様に、相違点４に係る構成及び相違点５に係る構成を備えるものである。 そうすると、本件訂正発明２～７及び１１は、上記（１）と同様の理由で、甲２に記載された発明及び甲１に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）甲２発明を主引用発明とする進歩性欠如の小括 このように、本件訂正発明１～７及び１１は、甲２に記載された発明及び甲１に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ４　取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由対する当審の判断についての小括 以上のとおりであるから、本件訂正発明１～７及び１１に係る特許は、取消理由（決定の予告）によっては、取り消すことができない。 第６　取消理由通知書で採用しなかった特許異議申立理由に対する当審の判断 １　甲１に記載された発明に基づく新規性欠如についての特許異議申立理由 申立人は、本件訂正前の請求項１～３，５及び７に係る発明が、甲１に記載された発明である旨主張する（特許異議申立書９頁下から９行～１０頁末行）。 しかしながら、上記第５の２（１）ア（ウ）のとおり、甲１に記載された発明は、本件訂正発明でいう「前記配線基板の上面と前記発光素子の表面に沿って形成され」る保護「膜」を備えない。 よって、本件訂正発明は、いずれも、甲１に記載された発明ではない。 申立人のかかる申立理由は、成り立たない。 ２　明確性要件違反についての特許異議申立理由 （１）申立人は、本件訂正前の請求項１の「前記配線層が前記配線基板の外縁よりも内側である」との記載が明確でない旨主張する（特許異議申立書１３頁下から１２行～末行）。 しかしながら、本件訂正により、請求項１の当該記載は「前記配線層が前記基材の外縁よりも内側である」と訂正されたのであり、当該記載は明確である。そして、このことは、請求項２～７及び１１についても同様である。 申立人のかかる申立理由は、成り立たない。 （２）申立人は、本件訂正前の請求項１の「該曲線の曲率は略一定であり」との記載が明確でない旨主張する（特許異議申立書１４頁１行～１７行）。 しかしながら、本件訂正により、請求項１の当該記載は「該曲線の曲率は一定であり」と訂正されたのであり、当該記載は明確である。そして、このことは、請求項２～７及び１１についても同様である。 申立人のかかる申立理由は、成り立たない。 （３）申立人は、本件訂正前の請求項２の「略円形」との記載が明確でない旨主張する（特許異議申立書１４頁１８行～下から７行）。 しかしながら、本件訂正により、請求項２の当該記載は「円形」と訂正されたのであり、当該記載は明確である。そして、このことは、請求項２～４についても同様である。 申立人のかかる申立理由は、成り立たない。 （４）申立人は、本件訂正前の請求項４の「前記基板」との記載が明確でない旨主張する（特許異議申立書１４頁下から６行～１５頁３行）。 しかしながら、本件訂正により、請求項４の当該記載は「前記配線基板」と訂正されたのであり、当該記載は明確である。 申立人のかかる申立理由は、成り立たない。 （５）申立人は、本件訂正発明１～７及び１１の「発光装置の外表面」との記載が明確でない旨主張する（令和元年５月１６日付け申立人意見書７頁（３－２））。 しかしながら、「発光装置の外表面」とは、その文言のとおりに解すれば足り、特段不明確であるとはいえない。 申立人のかかる申立理由は、成り立たない。 （６）申立人は、本件訂正発明１～７及び１１の「前記配線基板の上面と前記発光素子の表面に沿って形成され」る保護膜との記載が明確でない旨主張する（令和元年１０月２４日付け申立人意見書２頁１８行～末行）。具体的には、申立人は、本件訂正後の明細書【００２０】に記載されている作用効果に鑑みれば、本件訂正発明１の保護膜は、発光素子の配線基板側の開口部も全て被覆されている必要があると考えられる一方、保護膜が、発光素子の奥行き方向（例えば、発光素子の対角における中心部分）まで形成されているものか否かが明確でない旨主張する。 しかしながら、本件訂正発明１～７及び１１の「前記配線基板の上面と前記発光素子の表面に沿って形成され」る保護膜との記載は、その文言のとおりに解すれば足り、特段不明確であるとはいえない。 この点、申立人の主張は、本件訂正発明１の保護膜が、発光素子の配線基板側の開口部も全て被覆されている必要があると解することを前提とするけれども、この前提が失当である。すなわち、本件訂正後の明細書【００３０】は、保護膜について、「保護膜４０は、発光素子が配線基板に実装された後に、原子堆積法（以下、「ＡＬＤ」（Atomic Layer Deposition）と記載することがある）、スパッタ、ＣＶＤ等によって形成することができる。」と記載する。この記載からすれば、本件訂正発明１の保護膜が発光素子の配線基板側の開口部にも全て被覆されている必要はないと解される。よって、申立人の主張は、その前提が失当である。 申立人のかかる申立理由は、成り立たない。 （７）申立人は、本件訂正発明２、４～７及び１１の「配線層の外縁から０．０５ｍｍ～０．２５ｍｍ離間された保護膜」の記載が明確でない旨主張する（令和元年１０月２４日付け申立人意見書３頁１０行～２１行）。 しかしながら、本件訂正後の明細書の【００４５】の「例えば、ノズル６０が、配線層１２の外縁から０．０５ｍｍ～０．２５ｍｍ離間した基材１１上の保護膜４０と接触するように、発光装置１００を吸着させることができる。」との記載にも照らせば、「配線層の外縁から０．０５ｍｍ～０．２５ｍｍ離間された保護膜」とは、保護膜が、配線層の外縁から、少なくとも０．０５ｍｍ～０．２５ｍｍ離間した位置まで存在することを特定していると解される。よって、当該記載が、特段不明確であるとはいえない。 申立人は、「配線層の外縁から０．０５ｍｍ～０．２５ｍｍ離間された保護膜」の記載では、配線層が保護膜で被覆されていない構成が含まれるのか含まれないのか特定することができない旨も主張する。しかしながら、当該記載は、上記のとおり解されるのであり、この理解によれば、当該記載は、保護膜のうち、配線層の外縁よりも外側に存在している保護膜を対象とした特定であって、配線層上に保護膜があるか否かとは無関係であるといえる。よって、申立人が主張する理由によって、当該記載が不明確になるということはない。 申立人のかかる申立理由は、成り立たない。 （８）申立人は、本件訂正発明１１の「略等しい」の記載が明確でない旨主張する（令和元年１０月２４日付け申立人意見書３頁下から３行～４頁１行）。 しかしながら、本件訂正後の明細書の【００１９】には、「・・・発光素子２０は、発光素子２０の中心から配線層の外縁１２Ｓまでの距離が略等しくなるように配置されている。なお、“発光素子２０の中心から配線層の外縁１２Ｓまでの距離が略等しい”とは、０．０５ｍｍ～０．２５ｍｍ程度の距離の差があるものも含む。 以上のように、配線層１２の平面形状を、略円形とすることで、発光素子２０の中心から配線層の外縁１２Ｓまでの距離を略等しくすることができ、発光素子２０の熱を配線基板１０の外側方向へ均等に拡散させることができる。・・・」と記載されている。 よって、「略等しい」との記載が、明確でないとまではいえない。 申立人のかかる申立理由は、成り立たない。 ３　実施可能要件違反についての特許異議申立理由 申立人は、上記２（６）の特許異議申立理由に関連して、仮に、「前記配線基板の上面と前記発光素子の表面に沿って形成され、」との事項に、保護膜が発光素子の奥行方向まで成膜されている構成が含まれるとした場合、かかる構成は、スパッタ等の周知の方法では成膜できないから、実施可能要件違反である旨主張する（令和元年１０月２４日付け申立人意見書３頁１行～５行）。 しかしながら、上記２（６）で判断したとおり、本件訂正発明の保護膜が発光素子の配線基板側の開口部にも全て被覆されている必要はないと解される。 そして、本件訂正後の明細書の記載は、本件訂正発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであると認められる。 申立人のかかる申立理由は、成り立たない。 ４　サポート要件違反についての特許異議申立理由 申立人は、本件訂正発明２，４～７及び１１の「配線層の外縁から０．０５ｍｍ～０．２５ｍｍ離間された保護膜」との事項が、本件訂正後の明細書に記載されていない旨主張する。 しかしながら、当該事項は、本件訂正後の明細書の【００４５】の「例えば、ノズル６０が、配線層１２の外縁から０．０５ｍｍ～０．２５ｍｍ離間した基材１１上の保護膜４０と接触するように、発光装置１００を吸着させることができる。」に記載されている。 本件訂正発明２、４～７及び１１のその余の記載も、本件訂正後の明細書に記載されていると認められる。 よって、本件訂正発明２、４～７及び１１の記載は、サポート要件を満たしている。 申立人のかかる申立理由は、成り立たない。 ５　取消理由通知書で採用しなかった特許異議申立理由に対する当審の判断の小括 以上のとおりであるから、本件訂正発明１～７及び１１に係る特許は、取消理由通知書で採用しなかった特許異議申立理由によっては、取り消すことができない。 第７　むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由並びに特許異議申立書及び申立人が提出した意見書に記載した特許異議申立理由によっては、本件訂正発明１～７及び１１に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件訂正発明１～７及び１１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。