2018-700699

特許第６２９６１７７号発明「インジウムリン基板、およびインジウムリン基板の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

【結　論】 特許第６２９６１７７号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項１ないし４について訂正することを認める。 特許第６２９６１７７号の請求項１，２及び４に係る特許を維持する。 特許第６２９６１７７号の請求項３に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

【理　由】 第１　手続の経緯 特許第６２９６１７７号（以下、その特許明細書を「本件明細書」という。）の請求項１ないし４に係る特許についての出願は，平成２７年（２０１５年）１２月７日（優先権主張　平成２７年２月９日）を国際出願日とする特許出願であって，平成３０年３月２日にその特許権の設定登録がされ，同年３月２０日に特許掲載公報が発行された。その後，本件特許に対して２件の特許異議の申立てがあり，特許異議の申立ての経緯は，次のとおりである。 平成３０年　８月２８日　　　特許異議申立人　特許業務法人藤央特許事 務所（以下、単に「特許異議申立人」とい う。）による請求項１及び２に係る特許に 対する特許異議の申立て（以下，その特許 異議の特許異議申立書を「特許異議申立書 １」という。） 平成３０年　９月１８日　　　特許異議申立人による請求項３及び４に係 る特許に対する特許異議の申立て（以下， その特許異議の特許異議申立書を「特許異 議申立書２」という。） 平成３０年１２月２６日付け　取消理由通知書 平成３１年　３月　４日付け　特許権者による意見書及び訂正請求書の提 出 平成３１年　４月　８日付け　特許異議申立人による意見書の提出（以下 ，その意見書を「意見書１」という。） 平成３１年　４月　９日付け　特許異議申立人による意見書の提出（以下 ，その意見書を「意見書２」という。） 第２　訂正の適否について １　訂正の内容 本件訂正の請求による訂正の内容は、次のとおりである。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項３を削除する。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項４に，「前記第２の主面の中心における表面粗さＲａ６、ならびに前記第２の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の平均値ｍ２は０．２ｎｍ以上３ｎｍ以下であり、」と記載されているのを，「前記第２の主面の中心における表面粗さＲａ６、ならびに前記第２の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の平均値ｍ２は０．４ｎｍより大きく３ｎｍ以下であり、」と訂正する。 （３）訂正事項３ 願書に添付した明細書の【発明の名称】に記載された「インジウムリン基板、インジウムリン基板の検査方法、およびインジウムリン基板の製造方法」を「インジウムリン基板、およびインジウムリン基板の製造方法」に訂正する。 ２　訂正の目的の適否，新規事項の有無，特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１）訂正事項１について 訂正事項１は，訂正前の特許請求の範囲の請求項３を削除するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり，新規事項の追加に該当せず，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。 （２）訂正事項２について 訂正事項２は，特許請求の範囲の請求項４に記載された「前記第２の主面の中心における表面粗さＲａ６、ならびに前記第２の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の平均値ｍ２は０．２ｎｍ以上３ｎｍ以下であり、」について，「平均値ｍ２は０．２ｎｍ以上３ｎｍ以下であり」から「平均値ｍ２は０．４ｎｍより大きく３ｎｍ以下であり」と変更するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり，本件明細書段落【００３５】に記載されているから，新規事項の追加に該当せず，「平均値ｍ２」の数値範囲を狭めるものであるから，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。 （３）訂正事項３について 訂正事項３は，上記訂正事項１に係る訂正に伴い，特許請求の範囲の記載と明細書の【発明の名称】の記載との整合を図るための訂正であるから，明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり，新規事項の追加に該当せず，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。 ３　小括 以上のとおりであるから，訂正事項１ないし３による訂正は，特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号又は第３号に掲げる事項を目的とするものであり，かつ，同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって，明細書，特許請求の範囲を，訂正請求書に添付された訂正明細書，訂正特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項１ないし４について訂正することを認める。 第３　訂正後の本件発明 本件訂正請求により訂正された（ただし，請求項３は削除された。）請求項１，２および４に係る発明（以下，それぞれ「本件発明１」，「本件発明２」および「本件発明４」という。）は，訂正特許請求の範囲の請求項１，２および４に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 「【請求項１】 第１の主面および第２の主面を含むインジウムリン基板であって、 前記第１の主面の中心における表面粗さＲａ１、ならびに前記第１の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ２、Ｒａ３、Ｒａ４およびＲａ５の平均値ｍ１は０．４ｎｍ以下であり、 前記表面粗さＲａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４およびＲａ５の標準偏差σ１は、前記平均値ｍ１の１０％以下であり、 前記第２の主面の中心における表面粗さＲａ６、ならびに前記第２の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の平均値ｍ２は０．４ｎｍより大きく３ｎｍ以下であり、 前記表面粗さＲａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の標準偏差σ２は、前記平均値ｍ２の１０％以下である、 インジウムリン基板。 【請求項２】 前記インジウムリン基板は、最大径が１５０ｍｍ以上である、 請求項１に記載のインジウムリン基板。 【請求項３】 （削除） 【請求項４】 第１の主面および第２の主面を含むインジウムリン基板の製造方法であって、 前記第１の主面の中心における表面粗さＲａ１、ならびに前記第１の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ２、Ｒａ３、Ｒａ４およびＲａ５の平均値ｍ１は０．４ｎｍ以下であり、 前記表面粗さＲａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４およびＲａ５の標準偏差σ１は、前記平均値ｍ１の１０％以下であり、 前記第２の主面の中心における表面粗さＲａ６、ならびに前記第２の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の平均値ｍ２は０．４ｎｍより大きく３ｎｍ以下であり、 前記表面粗さＲａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の標準偏差σ２は、前記平均値ｍ２の１０％以下であり、 第１の主面および第２の主面を含むインジウムリンウエハを準備する工程と、 前記インジウムリンウエハの第１の主面および第２の主面を第１の研磨布を用いて両面研磨する工程と、 両面研磨した前記インジウムリンウエハの第１の主面を第２の研磨布を用いて片面仕上げ研磨する工程と、 片面仕上げ研磨した前記インジウムリンウエハを洗浄する工程とを備る、 インジウムリン基板の製造方法。」 第４　取消理由の概要 訂正前の請求項１ないし４に係る特許に対して，当審が平成３０年１２月２６日に特許権者に通知した取消理由（以下，「取消理由」という。）の要旨は，次のとおりである。 （１）請求項１及び２並びに４に係る発明は，引用文献１に記載された発明に，引用文献２ないし８に記載された技術を組み合わせることにより，当業者が容易に発明をすることができたものである。 （２）請求項３に係る発明は，引用文献３に記載された発明に，引用文献１に記載された技術を組み合わせることにより，当業者が容易に発明をすることができたものである。 （３）よって，請求項１ないし４に係る特許は，特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり，取り消されるべきものである。 第５　引用文献，引用文献に記載された発明等 １　引用文献１について （１）引用文献１の記載 取消理由で通知した特開２００３－２１８０３３号公報（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審で付与した。以下同じ。） 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板上にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長方法に関し、特に、エピタキシャル層表面への不純物の汚染を有効に防止する技術に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、発光素子や受光素子等等の半導体素子の用途には、有機金属気相成長法（以下、ＭＯＶＰＥ法と称する）によりＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓ層またはＩｎＧａＡｓＰ層とＩｎＰ層を順次エピタキシャル成長させたウェハが広く用いられている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技術により、ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓ層とＩｎＰ層を順次成長させた場合、ＩｎＧａＡｓ層またはＩｎＧａＡｓＰ層を成長させた後のＩｎＰ層表面にクロスハッチと呼ばれる格子状欠陥が現れることがあった。そして、このクロスハッチは、半導体素子の素子特性を低下させる要因の一つとなるので好ましくない。本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので、ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓ層またはＩｎＧａＡｓＰ層と、ＩｎＰ層を順次エピタキシャル成長させる過程において、ＩｎＰ層表面にクロスハッチ等の欠陥が生じるのを効果的に防止できるエピタキシャル成長方法を提供することを目的とする。 【０００４】 【課題を解決するための手段】以下に本発明を完成するに至った経緯について簡単に説明する。まず、本発明者等は、ＩｎＰ層表面にクロスハッチが発生したエピタキシャルウェハについて調査した。その結果、Ｘ線回折測定によりＩｎＰピーク近傍にＡｓ汚染に伴うピークが観察されたことから、ＩｎＰ層中へのＡｓ汚染が発生していることが分かった。これより、ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓ層を成長させる際の原料ガスであるＡｓがＩｎＰ層を成長させる際に取り込まれてＩｎＰ層中にＡｓ汚染が発生し、その結果、ＩｎＰ層の格子定数がＡｓ汚染のないＩｎＰ層の格子定数とは異ってしまうためにＩｎＰ層表面にクロスハッチ状の欠陥が現れると考えた。 【０００５】また、Ｘ線回折測定の結果、基板周縁部にいくに従ってＡｓ汚染の程度は増加する傾向にあり、Ａｓ汚染の程度によって基板周縁部のみにクロスハッチが発生する場合と、基板全面にクロスハッチが発生する場合があることがわかった。さらに、基板周縁部には応力緩和によるスリップ状欠陥やマイクロクラックの発生もあわせて起こる場合もあった。 【０００６】そこで、本発明者等は、ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓ層とＩｎＰ層を順次エピタキシャル成長させた場合に、ＩｎＰ層にＡｓ汚染が発生するメカニズムについて検討した。そして、得られたエピタキシャルウェハについて調査を行った結果、基板裏面がひどく荒れていることに気付いた。このことから、基板裏面の周縁部は基板の反りや面取加工のために基板支持具（基板支持台）との間に空隙が生じてしまい、この空隙にＡｓが回り込むことが推測できた。具体的には、ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓ層を成長させる際に基板と基板支持具との間の空隙に原料ガスが回り込むと、基板裏面から揮発性元素であるＰが抜ける一方、原料ガスであるＡｓの析出がおこり、その後ＩｎＧａＡｓ層上にＩｎＰ層を成長させる際に前記析出したＡｓが再蒸発し、ＩｎＰ層に取り込まれてＡｓ汚染が発生すると考えた。 【０００７】以上の推論に基づいて検討した結果、本発明者等は半導体基板裏面へのガスの回り込みを抑制することにより、ＩｎＰ層中へのＡｓ汚染を防止できるという知見を得て本発明を完成するに至った。」 「【００１１】また、前記半導体基板と基板支持具との間に空隙が形成されなくする方法としては、前記基板支持具で前記半導体基板周縁部を挟持して、前記半導体基板と基板支持具との空隙を機械的になくす方法や、真空排気により前記半導体基板裏面と前記基板支持具との間の空隙を物理的になくす方法等が考えられる。さらに、半導体基板裏面の表面粗さや、基板支持具の半導体基板と接する面の表面粗さを小さくすることにより、密着性を良くするのも効果的である。」 「【００２１】以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づいて具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可能である。例えば、前記半導体基板と基板支持具との間に空隙が形成されなくする方法として、真空排気により前記半導体基板裏面と前記基板支持具との間の空隙を物理的になくすようにしてもよい。さらに、半導体基板裏面の表面粗さや、基板支持具の半導体基板と接する面の表面粗さを小さくすることにより、密着性を良くするのも効果的である。また、本発明は、上記実施形態で説明したＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ構造をしたエピタキシャル層を形成する場合に限らず、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰの構造をしたエピタキシャル層を形成する場合にも適用できる。 【００２２】 【発明の効果】本発明によれば、半導体基板を基板支持具により保持させ、有機金属気相成長法により、前記半導体基板上に元素Ａ，Ｂ，ＣまたはＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄからなる第１の化合物半導体層を形成する工程と、次いで、元素Ａ，Ｄからなる第２の化合物半導体層を形成するヘテロ接合形成工程と、を含むエピタキシャル成長方法において、裏面側の反りが２０μｍ以下である半導体ウェハを前記半導体基板として用いることにより、前記半導体基板の裏面と基板支持具との間の空隙を小さく、望ましくは空隙が形成されないようにしたので、基板裏面側に原料ガスが回り込むのを抑制でき、Ａｓ汚染によりエピタキシャルウェハにクロスハッチ等の欠陥が生じるのを防止できる。したがって、発光素子や受光素子等の半導体素子の用途に適したエピタキシャルウェハを製造することができるという効果を奏する。」 （２）引用発明 上記記載から，引用文献１には以下の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されている。 「ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させる過程において， ＩｎＰ基板裏面へのガスの回り込みを抑制し，ＩｎＰ層中へのＡｓ汚染を防止することを目的として， ＩｎＰ基板裏面の表面粗さを小さくし，ＩｎＰ基板と基板支持具との密着性を良くした， ＩｎＰ基板。」 ２　引用文献２ （１）引用文献２の記載 取消理由において引用した特開２００７－１０３４６３号公報（以下，「引用文献２」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、発光素子、電子素子、半導体センサなどの半導体デバイスの基板などに用いられるＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶の表面を化学機械的にポリシングするためのポリシングスラリー、かかるポリシングスラリーを用いたＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶の表面処理方法、およびかかる表面処理方法により得られるＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶基板に関する。 【背景技術】 【０００２】 ＧａＡｓ結晶、ＩｎＰ結晶などのＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）は、発光素子、電子素子、半導体センサなどの半導体デバイスの基板を形成するための材料として非常に有用なものである。 【０００３】 かかる半導体デバイスの基板として用いられるＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶基板（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）は、ＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶の外周に形状形成加工を施した後に所定の厚さにスライスし、表面をグラインディング（研削、以下同じ）またはラッピングすることによって得られるが、かかるスライス、グラインディングまたはラッピングによって、ＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶の表面側領域に加工変質層（結晶表面の加工によって結晶の表面側領域に形成される結晶格子が乱れた層をいう、以下同じ）が形成され、またＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶の表面粗さが大きくなる。 【０００４】 このＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶基板の加工変質層の厚さが大きくなるほど、またその表面粗さが大きくなるほど基板表面の品質が低下し、このＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶表面上にエピタキシャル成長させるＩＩＩ－Ｖ族化合物結晶層の表面は凹凸が大きくなりまた結晶性が低下する。そのため、良質な半導体デバイスを形成することができない。 【０００５】 このため、ＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶からＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶基板を形成する方法として、ＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶を所定の厚さにスライスし、表面をグラインディングまたはラッピングした後に、さらに表面を化学的機械的にポリシングすることにより、ＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶の加工変質層を除去し、表面粗さを低減することが広く行なわれていた。」 「【発明が解決しようとする課題】 【０００８】 本発明は、高いポリシング速度で効率的にＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶に表面粗さの小さい結晶表面を形成することができるポリシングスラリー、かかるポリシングスラリーを用いたＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶の表面処理方法、およびかかる表面処理方法により得られるＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶基板を提供することを目的とする。」 「【００４１】 （実施形態３） 本発明にかかるＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶基板（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）は、実施形態２の表面処理方法により得られたものである。実施形態２の表面処理方法により、効率よく表面粗さの小さいＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶基板が得られる。ここで、表面粗さを示す指標としては、表面粗さＲｙと表面粗さＲａがある。表面粗さＲｙとは、粗さ曲面から、その平均面の方向に基準面積として１０μｍ角（１０μｍ×１０μｍ＝１００μｍ2、以下同じ）だけ抜き取り、この抜き取り部分の平均面から最も高い山頂までの高さと最も低い谷底までの深さとの和をいう。また、表面粗さＲａとは、粗さ曲面から、その平均面の方向に基準面積として１０μｍ角だけ抜き取り、この抜き取り部分の平均面から測定曲面までの偏差の絶対値を合計してそれを基準面積で平均した値をいう。ここで、表面粗さＲｙおよびＲａの測定は、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡、以下同じ）を用いて行なうことができる。」 「【００４４】 （実施例１） （Ａ－１）ＧａＡｓ結晶のラッピング ＶＢ（垂直ブリッジマン）法により成長させたＧａＡｓ結晶を、（１００）面に平行な面でスライスして、直径５０ｍｍ×厚さ０．５ｍｍのＧａＡｓ結晶基板を得た。このＧａＡｓ結晶基板の（１００）面を以下のようにしてラッピングした。ラッピング装置に配置された直径３００ｍｍの定盤上にラッピングパッドを配置し、Ａｌ2Ｏ3砥粒が分散されたラッピングスラリーをラッピングパッドに供給しながら、結晶ホルダに固定されたＧａＡｓ結晶基板の（１００）面を定盤に押し付けながら、定盤およびＧａＡｓ結晶基板を回転軸をずらして互いに回転させた。ここで、ラッピングパッドとしては、不織布パッド（ニッタ・ハース株式会社製Ｓｕｂａ８００）を用い、定盤としてはステンレス定盤を用いた。Ａｌ2Ｏ3砥粒は、砥粒径が１０μｍ、５μｍ、２μｍの３種類を準備し、ラッピングの進行とともに、砥粒径を段階的に小さくしていった。研磨圧力は４．９ｋＰａ（５０ｇ／ｃｍ2）～９８ｋＰａ（１０００ｇ／ｃｍ2）とし、ＧａＡｓ結晶基板および定盤の回転数はいずれも１０回／ｍｉｎ～２００回／ｍｉｎとした。かかるラッピングによりＧａＡｓ結晶基板の表面は鏡面となった。このラッピング後のＧａＡｓ結晶基板の表面粗さＲｙは８．４ｎｍ、表面粗さＲａは０．８６ｎｍであった。このラッピングにおける研磨時間は２０ｍｉｎとした。平均ラッピング速度は１．６μｍ／ｍｉｎであった。」 「【００５７】 （実施例８） （Ｂ－１）ＩｎＰ結晶のラッピング ＬＥＣ（液体封止引き上げ）法により成長させたＩｎＰ結晶を、（１００）面に平行な面でスライスして、直径５０ｍｍ×厚さ０．５ｍｍのＩｎＰ結晶基板を得た。このＩｎＰ結晶基板の（１００）面を、実施例１の（Ａ－１）と同様にして、ラッピングした。 【００５８】 （Ｂ－２）ＩｎＰ結晶の化学機械的ポリシング（ＣＭＰ） 上記ラッピング後のＩｎＰ結晶基板の（１００）面を、１次粒子の平均粒径ｄ1が９０ｎｍ、２次粒子の平均粒径ｄ2が２２０ｎｍ、ｄ2／ｄ1比が２．４のコロイダルシリカ（ＳｉＯ2）（扶桑化学工業株式会社製クォートロンＰＬ１０Ｈ）（ＳｉＯ2固形分２４質量％）を水に希釈して、ＳｉＯ2固形分を１０質量％とし、クエン酸および酸化剤であるトリクロロイソシアヌル酸（ＴＣＩＡ）を用いてポリシングスラリーのｐＨを４、ＯＲＰを１２００ｍＶに調整したポリシングスラリーを用いて、ポリシング圧力を２９．４ｋＰａ（３００ｇ／ｃｍ2）、ポリシングパッドおよびＩｎＰ結晶の回転数を５０回／ｍｉｎとした以外は、実施例１と同様にして、ＩｎＰ結晶基板のＣＭＰを行った。得られたＩｎＰ結晶基板の表面粗さＲｙおよびＲａを測定した。結果を表３にまとめた。 【００５９】 （実施例９～１１、比較例４～６） 上記（Ｂ－２）において、砥粒として表２に示す１次粒子の平均粒径ｄ1、２次粒子の平均粒子径ｄ2およびｄ2／ｄ1比を有するコロイダルシリカ砥粒を含むポリシングスラリーを用いた以外は、実施例８と同様にして、ＩｎＰ結晶基板のラッピング、ＣＭＰを行なった。得られたＩｎＰ結晶基板の表面粗さＲｙおよびＲａを測定した。結果を表３にまとめた。」 「【００６１】 【表３】 【００６２】 比較例４～６に示すように、会合していない球形のコロイダルシリカ砥粒を含むポリシングスラリーを用いてポリシングすると、砥粒の粒径を大きくするほど、ポリシング速度が高くなるが、表面粗さＲｙおよびＲａがいずれも大きくなり、ＩｎＰ結晶基板の表面品質が低下する。 【００６３】 これに対し、実施例８～１１に示すように、１次粒子（平均粒径ｄ1）が会合した２次粒子（平均粒径ｄ2）であり、ｄ2／ｄ1比が１．６以上１０以下、ｄ2が３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であるコロイダルシリカ砥粒を含み、ｐＨの値ｘとＯＲＰの値ｙ（ｍＶ）とが－５０ｘ＋１０００≦ｙ≦－５０ｘ＋１９００の関係を満たし、ｐＨが５以下のポリシングスラリーを用いて、ポリシング圧力が２９．４ｋＰａ（３００ｇ／ｃｍ2）、ポリシングパッドおよびＩｎＰ結晶の回転数が５０回／ｍｉｎの条件でＣＭＰを行なうことにより、高いポリシング速度で表面粗さＲｙおよびＲａが小さい表面を有するＩｎＰ結晶基板が得られた。 【００６４】 （実施例１２～１５） 表４に示すｐＨ、ＯＲＰを有するポリシングスラリーを用いて、表４に示すポリシング圧力ならびにポリシングパッドおよびＩｎＰ結晶の回転数の条件とした以外は、実施例８と同様にして、ＩｎＰ結晶基板のラッピング、ＣＭＰを行った。得られたＩｎＰ結晶基板の表面粗さＲｙおよびＲａを測定した。結果を表４にまとめた。」 「【００６６】 【表４】 【００６７】 実施例１２～１４に示すように、１次粒子（平均粒径ｄ1）が会合して２次粒子（平均粒径ｄ2）となり、比ｄ2／ｄ1が１．６以上１０以下で、ｄ2が３０ｎｍ以上３００ｎｍ以上のコロイダルシリカ砥粒を含み、ｐＨの値ｘとＯＲＰの値ｙ（ｍＶ）とが－５０ｘ＋１０００≦ｙ≦－５０ｘ＋１９００の関係を満たし、ｐＨが５以下のポリシングスラリーを用いてＣＭＰを行なうことにより、高いポリシング速度で表面粗さＲｙおよびＲａが小さいＩｎＰ結晶基板が得られた。さらに、実施例１２、１３に示すように、ｐＨ調整剤としてジカルボン酸またはその塩であるリンゴ酸またはリンゴ酸ナトリウムを含むポリシングスラリーを用いることにより、ＩｎＰ結晶基板のポリシング速度はさらに高くなった。」 （２）引用文献２記載事項 上記記載から，引用文献２には以下の事項（以下，「引用文献２記載事項１」および「引用文献２記載事項２」という。）が記載されている。 引用文献２記載事項１ 「ＩｎＰ結晶基板の結晶表面上にエピタキシャル成長させるＩＩＩ－Ｖ族化合物結晶層の結晶性が低下しないために， ＩｎＰ結晶を、（１００）面に平行な面でスライスし，このＩｎＰ結晶基板の（１００）面をラッピングし，化学機械的ポリシング（ＣＭＰ）を行ったＩｎＰ結晶基板について， ＩｎＰ結晶基板の粗さ曲面から、その平均面の方向に基準面積として１０μｍ角だけ抜き取り、この抜き取り部分の平均面から測定曲面までの偏差の絶対値を合計してそれを基準面積で平均した値である表面粗さＲａを０．１４ｎｍから０．３２ｎｍとすること。」 引用文献２記載事項２ 「ＩｎＰ結晶基板をラッピングする際に，ラッピングパッドとして不織布パッド（ニッタ・ハース株式会社製Ｓｕｂａ８００）を用いること。」 ３　引用文献３ （１）引用文献３の記載 取消理由において引用した特開２０１４－１５７９７９号公報（以下，「引用文献３」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。 「【０００１】 本発明は、ＩＩＩ族窒化物複合基板およびその製造方法、積層ＩＩＩ族窒化物複合基板、ならびにＩＩＩ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法に関する。」 「【００１９】 ［実施形態１：ＩＩＩ族窒化物複合基板］ 図１を参照して、本発明の一実施形態であるＩＩＩ族窒化物複合基板１は、支持基板１１と、厚さが５０ｎｍ以上１０μｍ未満のＩＩＩ族窒化物膜１３と、が貼り合わされた直径が７５ｍｍ以上のＩＩＩ族窒化物複合基板１であって、支持基板１１側の主面１１ｎの二乗平均平方根粗さの平均値ｍSが０．３ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、支持基板１１側の主面１１ｎの二乗平均平方根粗さの平均値ｍSに対する二乗平均平方根粗さの標準偏差ｓSの比ｓS／ｍSが０．００５以上０．４以下である。 【００２０】 本実施形態のＩＩＩ族窒化物複合基板１は、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを製造するためのＩＩＩ族窒化物層の成長の際に主面上における温度の分布（すなわちバラツキ）が小さいため、結晶品質の高いＩＩＩ族窒化物層を成長させることができ、このため高い歩留で高品質のＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを製造することができる。以下に、より詳しく説明する。 【００２１】 図１および３を参照して、本実施形態のＩＩＩ族窒化物複合基板１は、支持基板１１上にＩＩＩ族窒化物膜１３が貼り合わされた構造を有しており、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを製造する際に、昇温装置を備えるサセプタ（図示せず）の主面にＩＩＩ族窒化物複合基板１の裏面側に相当する支持基板１１側の主面１１ｎが対向するように配置して、ＩＩＩ族窒化物複合基板１の表（おもて）面側に相当するＩＩＩ族窒化物膜１３側の主面１３ｍ上に少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物層２０を成長させる。 【００２２】 本実施形態のＩＩＩ族窒化物複合基板１は、その直径が７５ｍｍ以上であり、その支持基板１１上に貼り合わされたＩＩＩ族窒化物膜１３の厚さが５０ｎｍ以上１０μｍ未満であり、支持基板１１側の主面１１ｎの二乗平均平方根粗さの平均値ｍSが０．３ｎｍ以上２０ｎｍ以下で、支持基板１１側の主面１１ｎの二乗平均平方根粗さの平均値ｍSに対する二乗平均平方根粗さの標準偏差ｓSの比ｓS／ｍSが０．００５以上０．４以下であることから、昇温されたサセプタの主面から大口径のＩＩＩ族窒化物複合基板１の裏面側である二乗平均平方根粗さの平均および分布が小さな支持基板１１側の主面１１ｎの全体に均一に熱が伝わるため、大口径のＩＩＩ族窒化物複合基板１の全体が均一に加熱される。これにより、大口径のＩＩＩ族窒化物複合基板１の表面側であるＩＩＩ族窒化物膜１３側の主面１３ｍ上における温度の分布が小さく均一になることから、大口径のＩＩＩ族窒化物複合基板１のＩＩＩ族窒化物膜１３側の主面１３ｍ上に結晶品質が高く均一な大口径のＩＩＩ族窒化物層２０を成長させることができるため、特性の高いＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを歩留よく製造できる。」 「【００２７】 （支持基板側の二乗平均平方根粗さ） 図１および２を参照して、本実施形態のＩＩＩ族窒化物複合基板１は、支持基板１１側の主面１１ｎの二乗平均平方根粗さの平均値ｍSが０．３ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、支持基板１１側の主面１１ｎの二乗平均平方根粗さの平均値ｍSに対する二乗平均平方根粗さの標準偏差ｓSの比ｓS／ｍSが０．００５以上０．４以下である。 【００２８】 ＩＩＩ族窒化物複合基板１の裏面側である支持基板１１側の主面１１ｎについて、ＩＩＩ族窒化物複合基板１のＩＩＩ族窒化物膜１３側の主面１３ｍ上に結晶品質が高く均一なＩＩＩ族窒化物層を成長させる観点から、その二乗平均平方根粗さの平均値ｍSは、２０ｎｍ以下が必要であり、１０ｎｍ以下が好ましく、５ｎｍ以下がより好ましく、その二乗平均平方根粗さの平均値ｍSに対するその二乗平均平方根粗さの標準偏差ｓSの比ｓS／ｍSは、０．４以下が必要であり、０．３以下が好ましく、０．２以下がより好ましい。 【００２９】 また、ＩＩＩ族窒化物複合基板１の裏面側である支持基板１１側の主面１１ｎについて、かかる主面１１ｎの表面処理コストを抑制する観点から、その二乗平均平方根粗さの平均値ｍSは、０．３ｎｍ以上が必要であり、０．５ｎｍ以上が好ましく、１ｎｍ以上がより好ましく、その二乗平均平方根粗さの平均値ｍSに対するその二乗平均平方根粗さの標準偏差ｓSの比ｓS／ｍSは、０．００５以上が必要であり、０．０１以上が好ましく、０．０５以上がより好ましい。 【００３０】 ここで、図２を参照して、ＩＩＩ族窒化物複合基板１の支持基板１１側の主面１１ｎの二乗平均平方根粗さの平均値ｍSおよび標準偏差ｓSは、それぞれ、支持基板１１の主面１１ｎ上の１３点の測定点Ｐにおいて測定した二乗平均平方根粗さから算出した平均値および標準偏差である。図２に示す支持基板１１の主面１１ｎ上の１３点の測定点Ｐは、支持基板１１の直径の大小にかかわらず、１つの中心点ＰCと、その中心点ＰCから互いに直角な４方向上でかつ外縁から５ｍｍ内側にある４つの外側点ＰOと、１つの中心点ＰCと４つの外側点ＰOとの中間に位置する４つの点および４つの外側点ＰOの互いの中間に位置する４つの点をあわせた８つの中間点ＰMとで構成される。ここでいう標準偏差とは、不偏分散の正の平方根を意味する。 【００３１】 また、図２に示す支持基板１１の主面１１ｎ上の１３点の測定点Ｐにおいて測定した二乗平均平方根粗さとは、その測定点Ｐを中心とする８５μｍ×８５μｍ角の大きさの測定領域内の各点から標準平面を算出し、基準平面からの各点までの距離の二乗の平均の正の平方根の値をいい、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）、光干渉式粗さ計、レーザ顕微鏡、触針式粗さ計などにより測定される。」 【図１】 【図２】 （２）引用文献３記載事項 上記記載から，引用文献３には以下の事項（以下，「引用文献３記載事項」という。）が記載されている。 「昇温装置を備えるサセプタの主面にＩＩＩ族窒化物複合基板１の裏面側に相当する支持基板１１側の主面１１ｎが対向するように配置し，ＩＩＩ族窒化物複合基板１の表（おもて）面側に相当するＩＩＩ族窒化物膜１３側の主面１３ｍ上に少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物層２０を成長させる際に， 支持基板１１の主面１１ｎについて，支持基板１１の主面１１ｎ上の１つの中心点ＰCと，その中心点ＰCから互いに直角な４方向上でかつ外縁から５ｍｍ内側にある４つの外側点ＰOと，１つの中心点ＰCと４つの外側点ＰOとの中間に位置する４つの点および４つの外側点ＰOの互いの中間に位置する４つの点をあわせた８つの中間点ＰMとで構成される１３点の測定点Ｐの二乗平均平方根粗さの平均値ｍSを０．３ｎｍ以上２０ｎｍ以下とし，二乗平均平方根粗さの平均値ｍSに対する二乗平均平方根粗さの標準偏差ｓSの比ｓS／ｍSを０．００５以上０．４以下とすることにより， 昇温されたサセプタの主面からＩＩＩ族窒化物複合基板１の裏面側である二乗平均平方根粗さの平均および分布が小さな支持基板１１側の主面１１ｎの全体に均一に熱が伝わるようにし，ＩＩＩ族窒化物複合基板１の全体が均一に加熱され，これにより，ＩＩＩ族窒化物複合基板１の表面側であるＩＩＩ族窒化物膜１３側の主面１３ｍ上における温度の分布が小さく均一になり，ＩＩＩ族窒化物複合基板１のＩＩＩ族窒化物膜１３側の主面１３ｍ上に結晶品質が高く均一なＩＩＩ族窒化物層２０を成長させることができること。」 ４　引用文献４ （１）引用文献４の記載 取消理由において引用した特許第５３７０３９３号公報（以下，「引用文献４」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。 「【特許請求の範囲】 ・・・　中　略　・・・ 【請求項７】 ３００ｃｍ-2以上１０００ｃｍ-2未満の転位密度と１×１０3Ωｃｍ以上の比抵抗と１００ｍｍ以上で２００ｍｍ以下の直径を有し、鉄がドープされていることを特徴とする半絶縁性リン化インジウム基板。 【請求項８】 鉄が１×１０15ｃｍ-3以上添加されていることを特徴とする請求項７に記載の半絶縁性リン化インジウム基板。 【請求項９】 １５０ｍｍ以上の直径を有することを特徴とする請求項７または８に記載の半絶縁性リン化インジウム基板。」 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザダイオード（ＬＤ）などの光電子分野やトランジスタなどの電子分野に利用されるＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＰ、ＩｎＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＳｂなどのＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体単結晶、またはＣｄＴｅやＺｎＳｅなどのＩＩ－ＶＩ族化合物半導体単結晶の基板に関するものである。」 「【００４７】 本発明では、融液を過冷却状態にしてリン化インジウム結晶を育成することにより、平均転位密度が１０００ｃｍ-2未満、さらに良好なものでは５００ｃｍ-2未満、最も良好なものでは３００ｃｍ-2未満の低転位密度で比抵抗が１×１０3Ωｃｍ以上の鉄ドープ半絶縁性リン化インジウム基板を得ることができる。さらに、低転位密度化が困難な直径１５０ｍｍ以上さらには直径２００ｍｍ以上の大口径基板においても、平均転位密度が１０００ｃｍ-2未満、さらに良好なものでは５００ｃｍ-2未満、最も良好なものでは３００ｃｍ-2未満の低転位密度で比抵抗が１×１０3Ωｃｍ以上の鉄ドープ半絶縁性リン化インジウム基板を得ることができる。」 （２）上記記載から，引用文献４は以下の事項（以下，「引用文献４記載事項」という。）が記載されている。 「半絶縁性リン化インジウム基板の直径を，１５０ｍｍ以上とすること。」 ５　引用文献５ （１）引用文献５の記載 取消理由において引用した特開昭６３－７６４１３号公報（以下，「引用文献５」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。 「産業上の利用分野 本発明は，半導体ウエハ及びその製造方法に関するものであり，特には裏面に裏面識別用のエッチビット等のエッチングパターンを具備する両面鏡面研磨加工した半導体ウエハ及びその製造方法に関する。本発明は，Ｓｉ，Ｇｅのような単体半導体，ＧａＡｓ，ＩｎＰ，ＧａＰのようなＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体，ＺｎＳｅ，ＣｄＴａのようなＩＩ－Ｖ族化合物半導体を含めて半導体全般を対象とし，特に液相エピタキシャル成長用基板として使用される矩形ウェハの製造に有用である。」（第１頁右下欄１４行乃至第２頁左上欄４行） 「本発明に従えば，半導体ウエハは，従来から実施されてきた単結晶インゴット製造工程，スライス工程，エツチング工程，ラッピング工程及びエツチング工程を経由した後、一次画面研磨により表裏両面を鏡面加工し，平行度及び平坦度を共に５μｍ以下，好ましくは１～３μｍとし，続いて表裏識別を目的とするエツチングを行い，次いで表面を最終仕上げする二次片面研磨が行われ，そして洗浄・乾燥が実施される。矩形ウエハの製造の為には，この後矩形へき開工程が行われる。これら工程を７０－として示すと次の通りとなる： ラッピング工程 ↓ エツチング工程（ラッピングによる加工変質層の除去） ↓ 一次研磨工程（両面研磨）） ↓ エツチング工程（表裏識別パターンの形成） ↓ 二次研磨工程（片面研磨） ↓ （矩形へき開工程） ↓ 半導体ウエハ」（第３頁左下欄１０行乃至右下欄１５行） （２）上記記載から，引用文献５は以下の事項（以下，「引用文献５記載事項」という。）が記載されている。 「ＩｎＰ等からなる半導体ウエハを製造する際に，スライス工程を経た半導体ウエハに，ラッピング工程，エッチング工程，一次研磨工程（両面研磨），エッチング工程（表裏識別パターンの形成），二次研磨（片面研磨）を順に行うこと。」 ６　引用文献６ （１）引用文献６の記載 取消理由において引用した特開２００７－２３４９５２号公報（以下，「引用文献６」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。 「【技術分野】 【０００１】 本発明は化合物半導体基板の表面処理方法、化合物半導体の製造方法、化合物半導体基板、および半導体ウエハに関し、より特定的には、表面の不純物濃度を低減できる化合物半導体基板の表面処理方法、化合物半導体の製造方法、化合物半導体基板、および半導体ウエハに関する。」 「【００９４】 [実施例４] 本発明の化合物半導体基板の表面処理方法の効果を確認するべく、以下のような試料を準備して、試料表面の不純物（シリコン）濃度を測定した。 【００９５】 （実施例４における試料の作製） 実施例３における試料は、基本的には実施例２と同様である。具体的には、基板準備工程（Ｓ１０）では、引き上げ法で合成した６インチＩｎＰ単結晶基板をＧＣ砥粒を用いてワイヤーソースライスした。その後、基板の外周を面取りし、外周の方位を示す目印として、Ｖ型の切り欠きであるＶノッチを加工した。この基板を平面研削機にて両面を研削したのち、コロイダルアルミナに酸化剤を添加した研磨剤を用いて両面研磨した。その後、片面を臭素－メタノール溶液にて研磨して水洗した。」 （２）上記記載から，引用文献６は以下の事項（以下，「引用文献６記載事項」という。）が記載されている。 「ＩｎＰ単結晶基板をＧＣ砥粒を用いてワイヤーソースライスし， 基板の外周を面取りし，外周の方位を示す目印とし， 基板を平面研削機にて両面を研削したのち，コロイダルアルミナに酸化剤を添加した研磨剤を用いて両面研磨し， 片面を臭素－メタノール溶液にて研磨して水洗すること。」 ７　引用文献７ （１）引用文献７の記載 取消理由において引用した特開２００１－１０２３３７号公報（以下，「引用文献７」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は半導体結晶ウエハの研磨方法及び半導体結晶ウエハに関するものである。」 「【０００５】一般に、化合物半導体結晶ウエハは次のような手順で製造されている。 【０００６】　化合物半導体結晶インゴットの製造 まず、化合物半導体結晶インゴットを結晶成長装置等により製造する。 【０００７】　化合物半導体結晶インゴットのスライス 次に、その化合物半導体結晶インゴットをスライス装置によりスライスして化合物半導体結晶ウエハとする。 【０００８】　化合物半導体結晶ウエハのラッピング研磨 次に、その化合物半導体結晶ウエハを＃８００～３０００クラスの粗さのアルミナ砥粒系研磨剤を用いてラッピング研磨する。 【０００９】このラッピング研磨ではソーマークを除去するように研磨し、その平坦性を高める。 【００１０】　メカノケミカル研磨 次に、ラッピング研磨した化合物半導体結晶ウエハはメカノケミカル研磨を行い、鏡面とする。 【００１１】このメカノケミカル研磨の研磨液としては次亜塩素酸系水溶液、次亜塩素酸水溶液と砥粒との混合液等を用いる。ここにおいて砥粒としてはシリカ、アルミナ、ジルコニア等が用いられる。 【００１２】また、研磨布としては表面に多孔質層を有する布が用いられる。 【００１３】さて、研磨布メーカより購入したままの研磨布はそのまま鏡面研磨に供せられない。これは化合物半導体結晶ウエハを研磨布メーカより購入したままの研磨布を用いて鏡面研磨したときには、得られる鏡面研磨化合物半導体結晶ウエハの高度な平坦度が出ないからである。 【００１４】そこで研磨布メーカより購入した研磨布は、必ずドレッシングを行ってから鏡面研磨へ供せられるようになっている。 【００１５】従来、この研磨布メーカより購入した研磨布のドレッシングは純水を流しながらナイロンブラシ、ダイヤモンドペレット等で擦ることにより行われていた。 【００１６】このドレッシング効果は次のように説明される。 【００１７】化合物半導体結晶ウエハを研磨布を介して研磨するときには、その用いる研磨布の全面に研磨液が浸透し、それにより化合物半導体結晶ウエハの表面を均一に研磨し、その結果化合物半導体結晶ウエハの平坦度を高めることができる。つまり前述した研磨布の表面多数の細孔のどれにも研磨液が均一に入れば、研磨する化合物半導体結晶ウエハを均一に研磨でき、それによって化合物半導体結晶ウエハの平坦度を高めることができるのである。」 「【００２９】また、化合物半導体としては、III－Ｖ族あるいはII－VI族の化合物半導体を用いることができる。III－Ｖ族化合物半導体としては、例えば、ＧａＡｓ、半絶縁性ＧａＡｓ、ＩｎＰ等がある。」 （２）上記記載から，引用文献７は以下の事項（以下，「引用文献７記載事項」という。）が記載されている。 「ラッピング研磨したＩｎＰ等の化合物半導体結晶ウエハに，メカノケミカル研磨を行う際に，研磨布として多孔質層を有する布を用いること。」 ８　引用文献８ （１）引用文献８の記載 取消理由において引用した特開２００３－２５７８９９号公報（以下，「引用文献８」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。 「【０００１】 【発明の属する技術分野】この発明は、傷のより少ない半導体ミラーウエハーを製造する方法に関する。ここでは半導体ウエハーというのはＧａＡｓウエハー、ＩｎＰウエハー、Ｓｉウエハーなど単体のバルク単結晶が得られる半導体のウエハーを意味する。バルク半導体単結晶は引き上げ法（Czochralski）やボート法（Bridgman）などで成長させる。軸方向が所望の方位になるように結晶成長させる。成長方位は種結晶によって与えることができる。」 「【００１２】最終仕上げ面はデバイス作製面となるので無傷で凹凸がなく平滑であることが必要である。ここでは簡単に平坦平滑性ということにする。最終仕上げ面でない裏面はそれほど平坦平滑性が要求されない。最終仕上げ面でない面というと煩鎖であるから、ここでは「非仕上げ面」と呼ぶ。「最終仕上げ面」は単に「仕上げ面」ということもある。」 「【００３０】図８は研削後のウエハーを示す。表面裏面の凹凸を誇張して示す。研削によって殆ど傷はなくなっている。あっても非仕上げ面にわずかな小さい傷Ｓがあるだけである。 【００３１】次の研磨によってウエハーの両面を平坦平滑に研磨する。一次研磨は硬質の研磨布で、二次研磨は軟質の研磨布で行う。一次研磨は１～２μｍ／分の程度である。二次研磨は０．１μｍ～０．２μｍ／分である。図９は研磨後のウエハーの断面を示す。表面（最終仕上げ面）Ｍには全く傷もなく面粗度は小さい。裏面Ｋも面粗度は小さいが、たまに傷Ｓが残ることがある。しかし、それは非仕上げ面Ｋであるから差し支えないことである。」 （２）上記記載から，引用文献８は以下の事項（以下，「引用文献８記載事項１」及び「引用文献８記載事項２」という。）が記載されている。 引用文献８記載事項１ 「傷のより少ないＩｎＰウエハーを得る際に，研削後のウエハーの両面を平坦平滑に研磨するために，硬質の研磨布を用いて一次研磨を行い，暗室の研磨布を用いて二次研磨を行うこと。」 引用文献８記載事項２ 「ＩｎＰウエハーのデバイス作製面となる最終仕上げ面は無傷で凹凸がなく平滑であることが必要であり，最終仕上げ面でない裏面はそれほど平坦平滑性が要求されないこと。」 ９　甲第１号証 （１）甲第１号証の記載 異議申立書１及び２において引用された特許第３４５６２５４号公報（以下，「甲第１号証」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。 「【０００１】 【産業上の利用分野】ＩｎＰ結晶を基板としたヘテロ接合ホール素子、特にＧａＩｎＡｓとのヘテロ接合からなるＧａＩｎＡｓヘテロ接合ホール素子に関する。」 「【０００５】また、基板として使用されるＩｎＰ結晶の表面、即ち緩衝層や感磁層を堆積する側の結晶表面は、平坦性に優れた成長層を得るために、平坦に精密研磨されている。一方ＩｎＰ基板結晶の裏面側は、通常は表面側程平滑には研磨を施されてはいない。一般的には研磨粉によるラッピング後、エッチング処理する程度の加工に留まっている。一般に両面研磨と称して表裏面共に鏡面状の加工を施す場合もあるが、この場合にあっても加工時の基板結晶のハンドリングの関係で表裏面共に同一の粗度とすることはない。両面研磨の場合は、粗さの少ない側の面を表面として利用し、エピタキシャル層を堆積させている。」 （２）上記記載から，甲第１号証には以下の発明が記載されている。 「ＩｎＰ基板結晶の緩衝層や感磁層を堆積する側の結晶表面は、平坦性に優れた成長層を得るために、平坦に精密研磨され， ＩｎＰ基板結晶の裏面側は、表面側程平滑には研磨を施されてはいない， ＩｎＰ基板結晶。」 １０　甲第７号証 異議申立書１及び２において引用された特願２０１３－２６７２４８号（特開２０１５－１２６００３号公報）（以下，「甲第７号証」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、化合物半導体ウェハの製造方法に関する。」 「【００１０】 したがって、本発明は、能動層の表面に異常が発生しにくい化合物半導体ウェハを製造することができる化合物半導体ウェハの製造方法を提供することを目的とする。 【課題を解決するための手段】 【００１１】 本発明は、上記目的を達成するために、下記の［１］～［５］を提供する。 ［１］化合物半導体から形成されたインゴットからウェハを切り出す工程と、 前記ウェハにラップ処理を施す工程と、 前記ラップ処理が施された前記ウェハを、エキポシ樹脂を含む材料から形成されたキャリアの開口部内に配置して前記ウェハの両面に化学的機械研磨を施す第１の研磨工程と、 前記第１の研磨工程で前記ウェハの前記キャリアと接触する面に付着した付着物をエッチングにより取り除く工程と、 前記付着物を取り除く工程の後、前記ウェハの片面又は両面に化学的機械研磨を施す第２の研磨工程と、 を含む化合物半導体ウェハの製造方法。 ［２］前記付着物を取り除く工程は、前記ウェハをエッチング槽の中で周方向に回転させながら前記ウェハをエッチングする、 前記［１］に記載の化合物半導体ウェハの製造方法。 ［３］前記付着物を取り除く工程は、アンモニア水、過酸化水素水及び水を混合させたエッチャントを用いる、 ［１］又は［２］に記載の化合物半導体ウェハの製造方法。 ［４］前記付着物を取り除く工程は、硫酸、過酸化水素水及び水を混合させたエッチャントを用いる、 前記［１］又は［２］に記載の化合物半導体ウェハの製造方法。 ［５］前記化合物半導体は、ＧａＡｓである、 前記［１］から［４］のいずれかに記載の化合物半導体ウェハの製造方法。 【発明の効果】 【００１２】 本発明によれば、能動層の表面に異常が発生しにくい化合物半導体ウェハを製造することができる。」 「【００１６】 まず、図１に示すインゴットを作製する工程（Ｓ１）において、化合物半導体の一例であるＧａＡｓ単結晶から形成されたインゴットを引き上げ法、ボート法等により作製する。」 「【００１９】 次に、第１の研磨工程（Ｓ４）において、ウェハの両面を研磨する。図２は、第１の研磨工程で用いる両面研磨機の要部を示す斜視図である。図３は、第１の研磨工程で用いるキャリアを示す平面図である。図４は、第１の研磨工程後、エッチング工程前のウェハの周面を拡大した写真である。図５は、ウェハを両面研磨するときのウェハとキャリアとの関係を示す模式図である。」 「【００２２】 キャリア１０は、エキポシ樹脂を含む材料、例えばガラス繊維、アラミド繊維又はテトロン繊維により補強されたエキポシ樹脂を用いることができる。両面研磨機１によりウェハ２０を研磨布で挟んだ状態でキャリア１０をウェハ２０の周方向に自転及び公転させることにより、ウェハ２０がキャリア１０の回転に伴って回転してウェハ２０の両面が研磨される。研磨されたウェハは、両面が中心線平均粗さ（Ｒａ）が２～３ｎｍの範囲の鏡面になる。なお、符号１２、符号１３は、それぞれ孔、アウタギアである。」 「【００２６】 次に、第２の研磨工程（Ｓ６）において、片面研磨機を用いてウェハの片面を研磨する。この工程は、研磨液として次亜塩素酸水溶液、研磨布としてスウェード系研磨布を用いたメカノケミカル研磨により行う。研磨されたウェハは、表面が中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．２～０．４ｎｍの範囲の鏡面になる。なお、第２の研磨工程において、ウェハの両面を研磨してもよい。」 「【００２８】 （実施の形態の効果） 本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。 （１）ウェハの両面を研磨した後にウェハをエッチングすることにより、両面研磨したときウェハの周面に付着した付着物を除去することができる。これにより、完成した化合物半導体ウェハに能動層を形成するとき、付着物が能動層の成長を阻害することを少なくすることができる。 （２）ウェハをエッチング槽内で周方向に回転させながらエッチングすることにより、ウェハの表面を均一にエッチングすることができる。これにより、ウェハの周面に付着した付着物を除去するとともに、ウェハ主面の変形を抑制することができる。 （３）両面研磨した後のウェハにアンモニア水又は硫酸と、過酸化水素水と、超純水とを混合させたエッチャントを用いたエッチングを施し、ウェハごと削り取ることにより、ウェハの周面に付着した付着物を除去することができる。」 「【００４３】 ［他の実施の形態］ なお、本発明の実施の形態及び実施例は、上記実施の形態及び実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲内で種々に変形、実施が可能である。例えば、本発明は、ＧａＡｓの他、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ等の化合物半導体に適用することができる。」 （２）上記記載から，甲第７号証には以下の発明が記載されている。 「両面を研磨することにより，一方の面を中心線平均粗さ（Ｒａ）が２～３ｎｍの範囲の鏡面とし， さらに，片面研磨をすることにより，他方の面を中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．２～０．４ｎｍの範囲の鏡面とした， ＩｎＰウェハ。」 第６　当審の判断 １　取消理由について （１）本件発明１について ア　本件発明１と引用発明とを対比する。 （ア）引用発明の「ＩｎＰ基板」，「ＩｎＰ基板」の「ＩｎＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させる」面，「ＩｎＰ基板裏面」は，それぞれ，本件発明１「インジウムリン基板」，「第１の主面」，「第２の主面」に相当する。 （イ）そうすると，本件発明１と引用発明とは以下の点で一致し，又相違する。 ［一致点］ 「第１の主面および第２の主面を含むインジウムリン基板。」 ［相違点１］ 本件発明１が，「前記第１の主面の中心における表面粗さＲａ１、ならびに前記第１の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ２、Ｒａ３、Ｒａ４およびＲａ５の平均値ｍ１は０．４ｎｍ以下」であるのに対して，引用発明は，「ＩｎＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させる」面の表面粗さについて具体的に記載されていない点。 ［相違点２］ 本件発明１が，「前記表面粗さＲａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４およびＲａ５の標準偏差σ１は、前記平均値ｍ１の１０％以下」であるのに対して，引用発明は，「ＩｎＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させる」面の表面粗さと標準偏差の関係について具体的に記載されていない点。 [相違点３] 本件発明１が，「前記第２の主面の中心における表面粗さＲａ６、ならびに前記第２の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の平均値ｍ２は０．４ｎｍより大きく３ｎｍ以下」であるのに対して，引用発明は，「ＩｎＰ基板裏面」の表面粗さについて具体的に記載されていない点。 ［相違点４］ 本件発明１が，「前記表面粗さＲａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の標準偏差σ２は、前記平均値ｍ２の１０％以下」であるのに対して，引用発明は，「ＩｎＰ基板裏面」の表面粗さと標準偏差の関係について具体的に記載されていない点。 イ　相違点についての当審判断 （ア）［相違点３］及び［相違点４］について 引用発明は，ＩｎＰ基板裏面へのガスの回り込みを抑制し，ＩｎＰ層中へのＡｓ汚染を防止することを目的として，ＩｎＰ基板裏面の表面粗さを小さくし，ＩｎＰ基板と基板支持具との密着性を良くするものであるが，取消理由で通知した各引用文献には，ＩｎＰ層中へのＡｓ汚染を防止することを目的として，ＩｎＰ基板裏面の表面粗さを小さくし，ＩｎＰ基板と基板支持具との密着性を良くするために，ＩｎＰ基板裏面の表面粗さや，表面粗さと標準偏差の関係について具体的に記載したものはない。 なお，引用文献３記載事項にあるように，引用文献３には，基板の裏面の表面粗さ，表面粗さと標準偏差の関係を，それぞれ，平均値ｍSを０．３ｎｍ以上２０ｎｍ以下とし，二乗平均平方根粗さの平均値ｍSに対する二乗平均平方根粗さの標準偏差ｓSの比ｓS／ｍSを０．００５以上０．４以下とすることが記載されているものの，この構成は，「昇温されたサセプタの主面からＩＩＩ族窒化物複合基板１の裏面側である二乗平均平方根粗さの平均および分布が小さな支持基板１１側の主面１１ｎの全体に均一に熱が伝わるようにし，ＩＩＩ族窒化物複合基板１の全体が均一に加熱され，これにより，ＩＩＩ族窒化物複合基板１の表面側であるＩＩＩ族窒化物膜１３側の主面１３ｍ上における温度の分布が小さく均一になり，ＩＩＩ族窒化物複合基板１のＩＩＩ族窒化物膜１３側の主面１３ｍ上に結晶品質が高く均一なＩＩＩ族窒化物層２０を成長させること」を目的としており，ＩｎＰ基板裏面へのガスの回り込みを抑制することを目的とはしていない。 そして，本件特許の優先権主張日前に，ＩｎＰ基板裏面へのガスの回り込みを抑制することに対して，ＩｎＰ基板裏面の表面粗さや，表面粗さと標準偏差の関係についてどのような範囲にすることが適切であるかについては明らかになっていないのだから，ＩｎＰ基板裏面へのガスの回り込みを抑制する引用発明に対して，ＩｎＰ基板裏面へのガスの回り込みを抑制できるかが明らかとなっていない引用文献３記載事項の表面粗さや，表面粗さと標準偏差の関係を採用することには，動機付けがない。 加えて，引用発明はＩｎＰ基板を対象としており，支持基板１１とＩＩＩ族窒化物膜１３を貼り合わせたＩＩＩ族窒化物複合基板１を対象とする引用文献３記載事項を適用することにも，動機づけがあるとはいえない。 そうすると，引用発明及び引用文献２ないし８に記載された事項から，当業者が［相違点３］及び［相違点４］に記載された構成を容易になし得たとはいえない。 （イ）特許異議申立人の主張について 特許異議申立人は，意見書１及び２において，［相違点３］及び［相違点４］について，基板表面の粗さの平均値に対する標準偏差の比がｓS／ｍSを０．００５以上０．４以下の範囲内において，熱伝導性が向上することは公知であり，表面加工性と熱伝導性に関する公知技術に基づいて，本件発明１における表面粗さと表面粗さと標準偏差との関係を［相違点３］及び［相違点４］の関係とすることに格別の創作性を有するものであるとはいえない旨主張している。 しかしながら，上記（ア）で述べたように，引用発明のＩｎＰ基板裏面の表面粗さを小さくすることは，ＩｎＰ基板裏面へのガスの回り込みを抑制することを目的としており，引用文献３記載事項の「昇温されたサセプタの主面からＩＩＩ族窒化物複合基板１の裏面側である二乗平均平方根粗さの平均および分布が小さな支持基板１１側の主面１１ｎの全体に均一に熱が伝わるようにし，ＩＩＩ族窒化物複合基板１の全体が均一に加熱され，これにより，ＩＩＩ族窒化物複合基板１の表面側であるＩＩＩ族窒化物膜１３側の主面１３ｍ上における温度の分布が小さく均一になり，ＩＩＩ族窒化物複合基板１のＩＩＩ族窒化物膜１３側の主面１３ｍ上に結晶品質が高く均一なＩＩＩ族窒化物層２０を成長させることができること」を目的とした引用文献３記載事項を適用することには，動機づけがない。 そうすると，特許異議申立人の上記主張を採用することはできない。 ウ　本件発明１についてのまとめ そうすると，他の相違点について検討するまでもなく，本件発明１は，引用発明及び引用文献２ないし８に記載された事項から，当業者が容易に発明をすることができたものではない。 したがって，取消理由により，請求項１に係る特許を取り消すことはできない。 （２）本件発明２について 本件発明２は，本件発明１に対して，さらに，「前記インジウムリン基板は、最大径が１５０ｍｍ以上である」という技術的事項を追加したものである。よって，上記（１）に示した理由と同様の理由により，本件発明２は，引用発明及び引用文献２ないし８に記載された事項から，当業者が容易に発明をすることができたものではない。 したがって，取消理由により，請求項２に係る特許を取り消すことはできない。 （３）本件発明４について 本件発明４は，本件発明１の技術的事項を全て備える「インジウムリン基板」の製造方法であって，「第１の主面および第２の主面を含むインジウムリンウエハを準備する工程と、前記インジウムリンウエハの第１の主面および第２の主面を第１の研磨布を用いて両面研磨する工程と、両面研磨した前記インジウムリンウエハの第１の主面を第２の研磨布を用いて片面仕上げ研磨する工程と、片面仕上げ研磨した前記インジウムリンウエハを洗浄する工程とを備える」「インジウムリン基板の製造方法」である。 そして，上記（１）で示したように，本件発明１が引用発明及び引用文献２ないし８に記載された事項から，当業者が容易に発明をすることができたものではないと同様の理由により，本件発明４は，引用発明及び引用文献２ないし８に記載された事項から，当業者が容易に発明をすることができたものではない。 したがって，取消理由により，請求項４に係る特許を取り消すことはできない。 ２　取消理由において採用しなかった特許異議申立理由について （１）特許法第２９条の２について ア　本件発明１について 特許異議申立人は，特許異議申立書１において，本件発明１について，甲第７号証（特願２０１３－２６７２４８号（特開２０１５－１２６００３号公報））に記載された発明と同一である旨主張している。 しかしながら，甲第７号証には，本件発明１の「前記表面粗さＲａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の標準偏差σ２は、前記平均値ｍ２の１０％以下である」ことは，記載されておらす，又自明の事項であるともいえないから，本件発明１が甲第７号証に記載された発明と同一であるとはいえない。 イ　本件発明４について 特許異議申立人は，特許異議申立書２において，本件発明４について，甲第７号証に記載された発明と同一である旨主張している。 しかしながら，甲第７号証には，本件発明４の「前記表面粗さＲａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の標準偏差σ２は、前記平均値ｍ２の１０％以下である」ことは，記載されておらす，又自明の事項であるともいえないから，本件発明４が甲第７号証に記載された発明と同一であるとはいえない。 （２）特許法第２９条第２項について ア　本件発明１について 特許異議申立人は，特許異議申立書１において，本件発明１について，甲第１号証（特許第３４５６２５４号公報）に記載された発明及び引用文献２（特開２００７－１０３４６３号公報），引用文献１（特開２００３－２１８０３３号公報），引用文献７（特開２００１－１０２３３７号公報）に記載された事項から容易想到である旨主張している。 また，特許異議申立人は，特許異議申立書１において，本件発明１について，引用文献８（特開２００３－２５７８９９号公報）に記載された発明及び引用文献２，引用文献１，引用文献７に記載された事項から容易想到である旨主張している。 しかしながら，甲第１号証並びに引用文献１，２，７，８には，「第１の主面および第２の主面を含むインジウムリン基板」において，「前記第２の主面の中心における表面粗さＲａ６、ならびに前記第２の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の平均値ｍ２は０．４ｎｍより大きく３ｎｍ以下であり、前記表面粗さＲａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の標準偏差σ２は、前記平均値ｍ２の１０％以下である」ことは記載されておらず，又「上記のインジウムリン基板は、第２の主面の表面粗さの平均値が小さく、第２の主面の全面にわたって表面粗さのばらつきが小さいため、基板の第１の主面上にエピタキシャル膜を形成する工程において、基板を支持するサセプタと基板の第２の主面との接触状態が局所的に変わることを抑制できる。このため、当該接触状態の変化に伴って基板の温度分布が偏るといった問題の発生を抑制でき、結果的に膜質の優れたエピタキシャル膜を形成できる。」（本件明細書【００１７】）点についても記載も示唆もされていない。 そうすると，甲第１号証に記載された発明及び引用文献８に記載された発明において，「前記第２の主面の中心における表面粗さＲａ６、ならびに前記第２の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の平均値ｍ２は０．４ｎｍより大きく３ｎｍ以下であり、前記表面粗さＲａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の標準偏差σ２は、前記平均値ｍ２の１０％以下」とすることが容易であるとはいえない。 してみると，本件発明１は，甲第１号証に記載された発明及び引用文献１，２，７に記載された事項に基づいて当業者が容易になし得たものでなく，引用文献８に記載された発明及び引用文献１，２，７に記載された事項に基づいて当業者が容易になし得たものでない。 イ　本件発明２について 特許異議申立人は，特許異議申立書１において，本件発明２について，甲第１号証に記載された発明及び引用文献２，引用文献１，引用文献７，引用文献４（特許第５３７０３９３号公報）に記載された事項から容易想到である旨主張し，また，本件発明２について，引用文献８に記載された発明及び引用文献２，引用文献１，引用文献７，引用文献４に記載された事項から容易想到である旨主張している。 しかしながら，引用文献４には，甲第１号証並びに引用文献１，２，７，８と同様に，「前記第２の主面の中心における表面粗さＲａ６、ならびに前記第２の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の平均値ｍ２は０．４ｎｍより大きく３ｎｍ以下であり、前記表面粗さＲａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の標準偏差σ２は、前記平均値ｍ２の１０％以下である」ことは記載されておらず，又「上記のインジウムリン基板は、第２の主面の表面粗さの平均値が小さく、第２の主面の全面にわたって表面粗さのばらつきが小さいため、基板の第１の主面上にエピタキシャル膜を形成する工程において、基板を支持するサセプタと基板の第２の主面との接触状態が局所的に変わることを抑制できる。このため、当該接触状態の変化に伴って基板の温度分布が偏るといった問題の発生を抑制でき、結果的に膜質の優れたエピタキシャル膜を形成できる。」（本件明細書【００１７】）点についても記載も示唆もされていない。 そすると，上記アと同様の理由により，本件発明２は，甲第１号証及び引用文献１，２，４，７に記載された事項に基づいて当業者が容易になし得たものでなく，引用文献８に記載された発明及び引用文献１，２，４，７に記載された事項に基づいて当業者が容易になし得たものでない。 ウ　本件発明４について 特許異議申立人は，特許異議申立書２において，本件発明４について，甲第１号証に記載された発明及び引用文献２，引用文献１，引用文献７に記載された事項から容易想到である旨主張している。 また，特許異議申立人は，特許異議申立書２において，本件発明４について，引用文献８に記載された発明及び引用文献２，引用文献１，引用文献７に記載された事項から容易想到である旨主張している。 しかしながら，甲第１号証並びに引用文献１，２，７，８には，「第１の主面および第２の主面を含むインジウムリン基板」において，「前記第２の主面の中心における表面粗さＲａ６、ならびに前記第２の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の平均値ｍ２は０．４ｎｍより大きく３ｎｍ以下であり、前記表面粗さＲａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の標準偏差σ２は、前記平均値ｍ２の１０％以下である」ことは記載されておらず，又「上記のインジウムリン基板は、第２の主面の表面粗さの平均値が小さく、第２の主面の全面にわたって表面粗さのばらつきが小さいため、基板の第１の主面上にエピタキシャル膜を形成する工程において、基板を支持するサセプタと基板の第２の主面との接触状態が局所的に変わることを抑制できる。このため、当該接触状態の変化に伴って基板の温度分布が偏るといった問題の発生を抑制でき、結果的に膜質の優れたエピタキシャル膜を形成できる。」（本件明細書【００１７】）点についても記載も示唆もされていない。 そうすると，甲第１号証に記載された発明及び引用文献８に記載された発明において，「前記第２の主面の中心における表面粗さＲａ６、ならびに前記第２の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の平均値ｍ２は０．４ｎｍより大きく３ｎｍ以下であり、前記表面粗さＲａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の標準偏差σ２は、前記平均値ｍ２の１０％以下」とすることが容易であるとはいえない。 してみると，本件発明４は，甲第１号証に記載された発明及び引用文献１，２，７に記載された事項に基づいて当業者が容易になし得たものでなく，引用文献８に記載された発明及び引用文献１，２，７に記載された事項に基づいて当業者が容易になし得たものでない。 第７　むすび したがって，取消理由通知書に記載した取消理由又は特許異議申立書１及び２に記載された特許異議の申立の理由によっては，請求項１，２及び４に係る特許を取り消すことはできない。 また，他に請求項１，２及び４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 請求項３に係る特許は，上記のとおり訂正により，削除されたため，請求項３に対して，特許異議申立人による特許異議の申立については，対象となる請求項が存在しない。 よって，結論の通り決定する。