2025-700218

特許第７５４０８１３号発明「接合方法、接合システム、照射装置および活性化処理装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７５４０８１３号の請求項１～４に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７５４０８１３号（以下、「本件特許」という。）の請求項１～２６に係る特許についての出願は、２０２４年（令和６年）１月５日（優先権主張 ２０２３年（令和５年）１月６日）を国際出願日とする出願であって、令和６年８月１９日にその特許権の設定登録がされ、同年８月２７日に特許掲載公報が発行された。その後、本件特許の請求項１～４に係る特許に対し、令和７年２月２０日に特許異議申立人 新井温（以下、「異議申立人」という。）は、特許異議の申立てを行った。 第２ 本件発明 本件特許の請求項１～４に係る発明（以下、「本件発明１」～「本件発明４」といい、併せて「本件発明」という。）は、特許請求の範囲の請求項１～４に記載された事項により特定される次のとおりのものである。なお、請求項１～４に記載された構成要件「Ａ」、「Ｂ」、・・・、「Ｇ」等の符号は、異議申立人が異議申立書で付与したものであり、本決定でも採用した。 「【請求項１】 Ａ：２つの被接合物同士を接合する接合方法であって、 Ｂ：前記２つの被接合物のうちの少なくとも一方の接合面を不飽和炭化水素ガスとオゾンガスとが存在する雰囲気に曝露するガス曝露工程と、 Ｃ：前記少なくとも一方の接合面に付着している水分を除去する水分除去工程と、 Ｄ：前記２つの被接合物同士を仮接合する仮接合工程と、を含む、 接合方法。 【請求項２】 Ｅ：前記水分除去工程において、前記２つの被接合物のうちの少なくとも一方を減圧雰囲気下に放置する、 請求項１に記載の接合方法。 【請求項３】 Ｆ：前記水分除去工程において、前記２つの被接合物のうちの少なくとも一方を加熱することにより前記少なくとも一方の接合面に付着した水分を除去する、 請求項１に記載の接合方法。 【請求項４】 Ｇ：前記ガス曝露工程の前に行われ、前記２つの被接合物のうちの少なくとも一方の接合面を活性化する活性化処理工程を更に含む、 請求項１から３のいずれか１項に記載の接合方法。」 第３ 申立理由の概要 １ 異議申立人の提出した証拠 異議申立人は、次の甲第１号証の１～３（以下、それぞれ、「甲１の１」～「甲１の３」という。）を主たる証拠として提出し、甲第２～６号証（以下、それぞれ、「甲２」～「甲６」という。）を従たる証拠として提出している。 甲第１号証の１（甲１の１）：Press Release, MEIDEN Quality connecting the next, 報道関係者各位 2022年3月3日(木) 株式会社明電舎,“世界初低温ダメージレス無接着剤接合技術を確立 独自の"OERプロセス技術“により低温での基板接合に成功", インターネット<URL:https://www.meidensha.co.jp/news/news_03/news_03_01/pdf/20220303.pdf> 甲第１号証の２（甲１の２）：MEIDEN Quality connecting the next 製品・サービス“世界初低温ダメージレス無接着剤接合技術を確立 独自の”OERプロセス技術”により低温での基板接合に成功”2022年03月03日，［online], 2025年1月22日検索，インターネット<https://www.meidensha.co.jp/news/news_03/news_03_01/1242931_10499.html> 甲第１号証の３（甲１の３）：明電ナノプロセス・イノベーション ニュースリリース2022年“世界初低温ダメージレス無接着剤接合技術を確立 独自の”OERプロセス技術“により低温での基板接合に成功”2022年03月03日，［online］, 2025年1月22日検索，インターネット <URL:https://www.meidensha.co.jp/npi/news/news_03/news_03_03/〉 甲第２号証（甲２）：特開２００９－２２６４１２号公報 甲第３号証（甲３）：特許第６０５２４７０号公報 甲第４号証（甲４）：須賀唯知“三次元集積化のための低温接合－表面活性化接合(SAB)" 表面科学Vol.35, N0.5, pp262-266, 2014 特集「LSIの配線技術と表面・界面の科学」 甲第５号証（甲５）：赫然(He Ran），藤野真久，山内朗，須賀唯知“Cu/Dielectric Hybrid Bonding by Using Combined Surface Activated Bonding Method" MES2016（第26回マイクロエレクトロニクスシンポジウム） 2016年9月 2C3-3 甲第６号証（甲６）：特開２０２４－７５９３号公報 ２ 特許異議の申立理由 異議申立人の主張する特許異議の申立ての理由は、以下のとおりである。 （１） 申立理由１（進歩性） 本件発明１、３は、甲１の１～３のいずれかに記載された発明及び甲２に記載された発明、又は、甲１の１～３のいずれかに記載された発明及び甲３に記載された発明に基いて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであり、本件発明２は、甲１の１～３のいずれかに記載された発明及び甲３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件発明４は、甲１の１～３のいずれかに記載された発明、甲２に記載された発明及び甲２、４、５に示される周知技術、又は、甲１の１～３のいずれかに記載された発明、甲３に記載された発明及び甲２、４、５に示される周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 （２） 申立理由２（拡大先願） 本件発明１、２は、甲６に記載された発明と同一であり、かつ、本件特許の発明者が甲６に記載された発明をした者と同一ではなく、また、本件特許の出願の時において、その出願人が甲６に係る出願の出願人と同一でもないから、本件特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものである。 第４ 異議申立人の提出した証拠の記載 １ 甲１の１について （１） 甲１の１の記載 甲１の１には、以下の記載がある（下線は当審において加筆した。以下同じ。）。 「１．低温ダメージレス無接着剤接合技術とは 近年、CPUなど高性能デバイスの製造では、接着剤などを使わないで基板を接合する「直接接合」という技術が用いられています。例えば３次元積層半導体の製造などに用いられるフュージョン接合では、（１）２枚の基板接合面に水酸基（OH基）を形成し、（２）接合面を密着させ、（３）加熱処理を行うことで、接合面の水酸基に脱水縮合反応を発生させて接合します。一方、この方法には、加熱処理の必要性から高温環境下（300～400℃）の作業となる点や基板表面に残留した水分子が脱水縮合反応を阻害するといった点が、課題として上げられてきました。 「低温ダメージレス無接着剤接合技術」は、明電NPI独自の「OERプロセス技術」により、水原料を用いずに効率良く水酸基を形成するとともに、加熱による回路へのダメージを最小限としながら基板を接合することができ、工程の時間短縮にも貢献できる技術です。 ＜OER（Ozone-Ethylene Radical generation technology）プロセス技術＞ 明電NPIのキーデバイスである「ピュアオゾンジェネレータ」（後述）から供給される高純度100％オゾンとエチレンガスを反応させることで、常温※3で高活性なOHラジカル※4を発生させるNPI独自の技術です（特許取得済み）。OERプロセス技術を用いて基板表面に水酸基（OH基）を形成することで、従来の課題を解決できることが期待されます。 ・・・ ２．実証成果の解説 図１に、２枚のシリコン基板接合面にOERプロセス技術で水酸基を形成し、接合面を密着させ、加熱処理（300℃）により接合したSi（シリコン）- Si（シリコン）接合基板外観、図２に引張試験を行った結果を示します。接合部以外の場所で破断しており、少なくとも基板の破断強度よりも強く接合していることが分かります。 図３に、Si-Si接合部の断面を示します。接合面にはSi自然酸化膜のラインが見えますが、ボイドが一切見られず完全に接合していることが分かります。」 （注：上記の丸括弧付き数字は、甲１の１においては、丸囲み数字である。） （２） 甲１の１発明 ア 上記（１）の「例えば３次元積層半導体の製造などに用いられるフュージョン接合では、（１）２枚の基板接合面に水酸基（OH基）を形成し、（２）接合面を密着させ、（３）加熱処理を行うことで、接合面の水酸基に脱水縮合反応を発生させて接合します。一方、この方法には、加熱処理の必要性から高温環境下（300～400℃）の作業となる点や基板表面に残留した水分子が脱水縮合反応を阻害するといった点が、課題として上げられてきました。」との記載によれば、甲１の１には、はじめに、２枚の基板接合面に水酸基（OH基）を形成し、次に、接合面を密着させ、最後に、加熱処理を行うことで、接合面の水酸基に脱水縮合反応を発生させて接合するという「方法」に関する発明が開示されているといえる。 イ 上記（１）及び上記アによれば、甲１の１には、以下の発明（以下、「甲１の１発明」という。）が記載されている。 「２枚のシリコン基板接合面にOERプロセス技術で水酸基を形成し、接合面を密着させ、加熱処理（300℃）により接合する方法であって、 OERプロセス技術は、オゾンとエチレンガスを反応させることで、常温で高活性なOHラジカルを発生させる技術であり、 基板表面に残留した水分子が脱水縮合反応を阻害するという課題を解決し、水原料を用いずに効率良く水酸基を形成するとともに、加熱による回路へのダメージを最小限としながら基板を接合することができ、工程の時間短縮にも貢献できる方法。」 ２ 甲１の２について （１） 甲１の２の記載 「１．低温ダメージレス無接着剤接合技術とは 近年、CPUなど高性能デバイスの製造では、接着剤などを使わないで基板を接合する「直接接合」という技術が用いられています。例えば３次元積層半導体の製造などに用いられるフュージョン接合では、（１）２枚の基板接合面に水酸基（OH基）を形成し、（２）接合面を密着させ、（３）加熱処理を行うことで、接合面の水酸基に脱水縮合反応を発生させて接合します。一方、この方法には、加熱処理の必要性から高温環境下（300～400℃）の作業となる点や基板表面に残留した水分子が脱水縮合反応を阻害するといった点が、課題として上げられてきました。 「低温ダメージレス無接着剤接合技術」は、明電NPI独自の「OERプロセス技術」により、水原料を用いずに効率良く水酸基を形成するとともに、加熱による回路へのダメージを最小限としながら基板を接合することができ、工程の時間短縮にも貢献できる技術です。 ＜OER（Ozone-EthyleneRadical generation technology）プロセス技術＞ 明電NPIのキーデバイスである「ピュアオゾンジェネレータ」（後述）から供給される高純度100％オゾンとエチレンガスを反応させることで、常温※3で高活性なOHラジカル※4を発生させるNPI独自の技術です（特許取得済み）。OERプロセス技術を用いて基板表面に水酸基（OH基）を形成することで、従来の課題を解決できることが期待されます。 ・・・ ２．実証成果の解説 図１に、２枚のシリコン基板接合面にOERプロセス技術で水酸基を形成し、接合面を密着させ、加熱処理（300℃）により接合したSi（シリコン）-Si（シリコン）接合基板外観、図２に引張試験を行った結果を示します。接合部以外の場所で破断しており、少なくとも基板の破断強度よりも強く接合していることが分かります。 図３に、Si-Si接合部の断面を示します。接合面にはSi自然酸化膜のラインが見えますが、ボイドが一切見られず完全に接合していることが分かります。」 （注：上記の丸括弧付き数字は、甲１の２においては、丸囲み数字である。） （２） 甲１の２発明 上記（１）の記載は、上記１（１）の甲１の１の記載と同様であるから、甲１の２には、以下の発明（以下、「甲１の２発明」という。）が記載されている。 「２枚のシリコン基板接合面にOERプロセス技術で水酸基を形成し、接合面を密着させ、加熱処理（300℃）により接合する方法であって、 OERプロセス技術は、オゾンとエチレンガスを反応させることで、常温で高活性なOHラジカルを発生させる技術であり、 基板表面に残留した水分子が脱水縮合反応を阻害するという課題を解決し、水原料を用いずに効率良く水酸基を形成するとともに、加熱による回路へのダメージを最小限としながら基板を接合することができ、工程の時間短縮にも貢献できる方法。」 ３ 甲１の３について （１） 甲１の３の記載 「１．低温ダメージレス無接着剤接合技術とは 近年、CPUなど高性能デバイスの製造では、接着剤などを使わないで基板を接合する「直接接合」という技術が用いられています。例えば３次元積層半導体の製造などに用いられるフュージョン接合では、（１）２枚の基板接合面に水酸基（OH基）を形成し、（２）接合面を密着させ、（３）加熱処理を行うことで、接合面の水酸基に脱水縮合反応を発生させて接合します。一方、この方法には、加熱処理の必要性から高温環境下（300～400℃）の作業となる点や基板表面に残留した水分子が脱水縮合反応を阻害するといった点が、課題として上げられてきました。 「低温ダメージレス無接着剤接合技術」は、明電NPI独自の「OERプロセス技術」により、水原料を用いずに効率良く水酸基を形成するとともに、加熱による回路へのダメージを最小限としながら基板を接合することができ、工程の時間短縮にも貢献できる技術です。 ＜OER（Ozone-Ethylene Radical generation technology）プロセス技術＞ 明電NPIのキーデバイスである「ピュアオゾンジェネレータ」（後述）から供給される高純度100％オゾンとエチレンガスを反応させることで、常温※3で高活性なOHラジカル※4を発生させるNPI独自の技術です（特許取得済み）。OERプロセス技術を用いて基板表面に水酸基（OH基）を形成することで、従来の課題を解決できることが期待されます。 ・・・ ２．実証成果の解説 図１に、２枚のシリコン基板接合面にOERプロセス技術で水酸基を形成し、接合面を密着させ、加熱処理（300℃）により接合したSi（シリコン）- Si（シリコン）接合基板外観、図２に引張試験を行った結果を示します。接合部以外の場所で破断しており、少なくとも基板の破断強度よりも強く接合していることが分かります。 図３に、Si-Si接合部の断面を示します。接合面にはSi自然酸化膜のラインが見えますが、ボイドが一切見られず完全に接合していることが分かります。」 （注：上記の丸括弧付き数字は、甲１の３においては、丸囲み数字である。） （２） 甲１の３発明 上記（１）の記載は、上記１（１）の甲１の１の記載と同様であるから、甲１の３には、以下の発明（以下、「甲１の３発明」という。）が記載されている。 「２枚のシリコン基板接合面にOERプロセス技術で水酸基を形成し、接合面を密着させ、加熱処理（300℃）により接合する方法であって、 OERプロセス技術は、オゾンとエチレンガスを反応させることで、常温で高活性なOHラジカルを発生させる技術であり、 基板表面に残留した水分子が脱水縮合反応を阻害するという課題を解決し、水原料を用いずに効率良く水酸基を形成するとともに、加熱による回路へのダメージを最小限としながら基板を接合することができ、工程の時間短縮にも貢献できる方法。」 ４ 甲２について 甲２には、以下の記載がある。 「【特許請求の範囲】 【請求項１】 第１の板状部材と第２の板状部材との表面を、プラズマを照射することにより平滑化するとともに活性化させた後、前記第１の板状部材と前記第２の板状部材とを大気中で密着させて接合する接合方法において、 前記プラズマで平滑化及び活性化された前記第１の板状部材と前記第２の板状部材との表面に大気中で付着する水分の量を減少させて前記第１の板状部材と前記第２の板状部材との接合を行うことを特徴とする接合方法。 ・・・ 【請求項４】 前記プラズマは希ガスプラズマであって、前記第１の板状部材と前記第２の板状部材との表面を前記プラズマにより平滑化及び活性化した後、前記第１の板状部材と前記第２の板状部材を加熱して前記表面に大気中で付着した水分を除去することにより前記表面の水分量を減少させて該第１の板状部材と該第２の板状部材との接合を行うことを特徴とする請求項１に記載の接合方法。」 「【発明の詳細な説明】 【技術分野】 【０００１】 本発明は２枚の板状部材の表面をプラズマで平滑化するとともに活性化することにより接合する接合方法に関する。」 「【発明を実施するための最良の形態】 ・・・ 【００３７】 第３の接合方法では、図４に示すように、まずチャンバー３０内に設けられたテーブル２０Ａ、２０Ｂ上に第１の板状部材１０と第２の板状部材１１とを固定し、チャンバー３０内を減圧した後に発生源２２Ａ、２２Ｂより第１の板状部材１０と第２の板状部材１１との表面にアルゴン等による希ガスプラズマを照射する。プラズマの照射条件としては、例えば単位面積当たりの出力が０．０１Ｗ／ｃｍ２から１Ｗ／ｃｍ２、処理室のガス交換回数が１分当たり０．１％から１０％、圧力が５Ｐａから１３０Ｐａ、照射時間が板状部材の素材にもよるが５秒から１２０分の条件で行われる。これにより、第１の板状部材１０と第２の板状部材１１との表面が平滑化（例えば表面粗さが１００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以下、更に好ましくは１ｎｍ以下）されるとともに活性化される。 【００３８】 希ガスプラズマを照射した後は、チャンバー３０内を大気状態に戻し、不図示の加熱手段により第１の板状部材１０と第２の板状部材１１とを加熱（例えば２０℃から４００℃まで）し、第１の板状部材１０と第２の板状部材１１との表面の水分が１平方ミリメートル当たり２５０ｎｇ以下、好ましくは５０ｎｇ以下の範囲となるように除去する。加熱後はシリンダー２１Ａ、２１Ｂを移動させて、第１の板状部材１０と第２の板状部材１１との接合面全面を密着させて仮接合を行う。」 ５ 甲３について 甲３には、以下の記載がある。 「【背景技術】 ・・・ 【０００４】 フィルムの多層積層化及びフィルムの表面制御では、例えば、特許文献１のようなフィルムの表面改質が行われる。一般的に、表面改質は、バリア性向上、耐久性向上、濡れ性向上（接着性向上）等を目的とし、疎水性（撥水性）であるフィルム表面を親水性に改質する。つまり、フィルム材質表面の分子構造を何らかの手段で壊して、親水性のあるＯＨ基やＯ基等を付加することでフィルム表面が改質される。」 「【発明を実施するための形態】 ・・・ 【００３２】 改質処理温度は、低温が好ましい。ただし、改質処理の効果をあげるため、樹脂が変形、変質しない範囲で樹脂を加熱してもよい。例えば、樹脂は、ガラス転位温度以下に加熱して改質処理に供される。 ・・・ 【００３９】 ［実施例］ この実施例では、樹脂６の一例として、有機フィルム（ポリイミドフィルム）の改質を放電を伴わないガス反応により行った。ポリイミドフィルムは、フレキシブル配線基板等に用いられる材料である。実施例では、不飽和炭化水素供給装置３から１００体積％のエチレンガスを供給し、オゾン発生装置４から１００体積％のオゾンを供給した。 【００４０】 まず、試料ステージ７上にポリイミドフィルムを載置した。そして、真空ポンプ５により、チャンバ２内部を数Ｐａ以下に真空排気した。」 ６ 甲４について 甲４の２６５ページ右欄には、以下の記載がある。 「 7．表面活性化接合の拡張 金属に対する親水化接合は，前節で触れたように酸化表面を前提にした接合であるため，十分な平滑化処理をしない限り，常温での強度は大きくならない。さらに樹脂とのハイブリットボンディングでは，Cu表面ないしはSn表面の酸化膜が，最後まで，安定な接合を妨げる要因となる。これをアルゴンなどの不活性ガスのイオンビーム照射により除去し，その上で改めて水の吸着を行わせれば，常温ないしは150℃程度の低温でもかなりの強度が得られることがわかってきた27)。」 ７ 甲５について 甲５には、以下の記載がある（なお、翻訳文は、異議申立人が提出したものを採用した。）。 「Recently、we proposed a combined surface activated bonding (SAB) technique to improve the Si02-Si02 bonding strength achieved in vacuum.[15][16] The combined SAB method involves a combination of surface irradiation using a Si-containing Ar beam surface irradiation and prebonding attach-detach process prior to bonding in vacuum conditions. The Si atoms are added in the Ar beam to increase the number of reactive Si sites on Si02 surface, while the prebonding attach-detach process is used to enhance the OH adsorption and to reduce excess H2O prior to bonding.」（２９９ページ右欄第１５行～第２５行） （翻訳文：最近、真空中で達成されたSi0、-Si0、接合強度を向上させる複合表面活性化接合(SAB)技術を提案した[15][16]。複合SAB法は、Si含有Arビーム表面照射を用いた表面照射と真空条件での接合に先立つ前結合アタッチ－デタッチプロセスの組合せを含む。Si原子をArビーム中に添加して、SiO、表面上の反応性Siサイトの数を増加させ、一方、結合前の付着－脱着プロセスを用いて、OH吸着を強化し、結合前の過剰HOを低減する。） 「 ［図：0001423543000001.jpg］ 」 （翻訳文： ［図：0001423543000002.jpg］ ） 「3 Results and Discussions 3.1 Si02-Si02 and Si02-SiNx Bonding Bonding strength was measured to show the benefit of using the Si-containing Ar beam instead of the conventional Ar beam.」（３００ページ右欄第６行～第９行） （翻訳文：3結果と考察 3.1 Si0、-Si0、およびSi0、-SiN接合 従来のArビームの代わりにSi含有Arビームを用いる利点を示すために、接合強度を測定した。） 「 ［図：0001423543000003.jpg］ 」 （翻訳文： ［図：0001423543000004.jpg］ ） ８ 甲６について （１） 甲６の記載 甲６には、以下の記載がある。 「【特許請求の範囲】 【請求項１】 チャンバ内に収容した被接合基体の被接合面に水酸基を形成する水酸基形成工程と、 前記水酸基を形成した２個の前記被接合基体を被接合面にて重ね合わせて積層する積層工程と、 前記積層した状態の各被接合基体を加熱することにより、当該各被接合基体を被接合面にて接合する接合工程と、 を有し、 前記水酸基形成工程は、前記チャンバ内に収容した被接合基体の被接合面に対し、不飽和炭化水素ガスおよびオゾン濃度５０体積％超のオゾンガスをそれぞれ供給することにより、当該不飽和炭化水素ガスおよび当該オゾンガスの両者のラジカル反応により発生するＯＨラジカルを当該被接合面に曝露して、当該被接合面に対して水酸基を形成し、 前記接合工程は、前記加熱によって前記水酸基を脱水縮合反応させることを特徴とする基体の接合方法。」 「【発明を実施するための形態】 ・・・ 【００２８】 すなわち、本実施形態の基体の接合方法は、水酸基形成工程において、被接合基体の被接合面に対し、不飽和炭化水素ガスおよびオゾン濃度５０体積％超のオゾンガスをそれぞれ供給することにより、当該不飽和炭化水素ガスおよび当該オゾンガスの両者のラジカル反応により発生するＯＨラジカルを当該被接合面に曝露して、当該被接合面に対して水酸基（水酸基による分子層）を形成するものである。 ・・・ 【００４４】 次に、積層工程Ｓ２では、前記水酸基形成工程Ｓ１により水酸基を形成した２個の被接合基体１ａ，１ｂを、被接合面１０にて重ね合わせて積層（仮接合）する。この積層状態にした被接合基体１ａ，１ｂは、被接合面１０にて互いに圧接（例えば１ＭＰａ以上で圧接）し、十分密着させておくことが好ましい。 ・・・ 【００４６】 ＜水酸基形成工程Ｓ１で適用可能なチャンバの一例＞ 水酸基形成工程Ｓ１では、例えばチャンバ内に被接合基体１を収容して当該チャンバ内を減圧状態にし、当該チャンバ内に不飽和炭化水素ガスおよびオゾンガスをそれぞれ供給することにより、当該被接合基体１の被接合面１０に水酸基を形成することが挙げられる。このチャンバは、前記のように被接合基体１を収容した状態で不飽和炭化水素ガスおよびオゾンガスを供給でき、当該被接合面１０に水酸基を形成できるものであれば良く、種々の態様が適用可能である。 【００４７】 一例として、図４に示すチャンバ２（図４ではチャンバ２Ａ、後述の図５，図６ではチャンバ２Ｂ，２Ｃ；以下、適宜纏めて単にチャンバ２と称する）では、当該チャンバ２内に不飽和炭化水素ガスを供給する不飽和炭化水素ガス供給部３と、当該チャンバ２内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給部４と、当該チャンバ２内のガスを吸気して当該チャンバ２外に排出するガス排出部５と、を備えたものとなっている。ガス排出部５においては、単にチャンバ２内のガスを吸気して当該チャンバ２外に排出するだけでなく、当該チャンバ２内を減圧状態（例えばチャンバ２内が真空環境下となるような状態）に維持することが可能な態様が挙げられる。」 （２） 甲６発明 上記（１）によれば、甲６には、以下の発明（以下、「甲６発明」という。）が記載されている。 「チャンバ内に収容した被接合基体の被接合面に水酸基を形成する水酸基形成工程と、 前記水酸基を形成した２個の前記被接合基体を被接合面にて重ね合わせて積層する積層工程と、 を有し、 水酸基形成工程は、チャンバ内に被接合基体を収容して当該チャンバ内を減圧状態にし、当該チャンバ内に不飽和炭化水素ガスおよびオゾンガスをそれぞれ供給することにより、当該被接合基体の被接合面に水酸基を形成する、 基体の接合方法。」 第５ 当審の判断 １ 申立理由１（進歩性）について （１） 甲１の１を主引例とする検討 ア 本件発明１ （ア） 甲１の１発明との対比 ａ 構成要件Ａについて 甲１の１発明の「２枚のシリコン基板接合面にOERプロセス技術で水酸基を形成し、接合面を密着させ、加熱処理（300℃）により接合する方法」は、被接合物である２枚のシリコン基板を接合する方法であるから、本件発明１の「２つの被接合物同士を接合する接合方法」に相当する。 ｂ 構成要件Ｂについて 甲１の１発明の「２枚のシリコン基板接合面にOERプロセス技術で水酸基を形成」する工程において、「OERプロセス技術」は、「オゾンとエチレンガスを反応させることで、常温で高活性なOHラジカルを発生させる技術」である。 そして、「エチレン」は、２重結合を有する炭化水素であるから、「エチレンガス」は、「不飽和炭化水素ガス」であるといえ、「オゾンとエチレンガスを反応させることで常温で高活性なOHラジカルを発生させる」ことは、「不飽和炭化水素ガスとオゾンガスとが存在する雰囲気に曝露するガス曝露」することである。 そうすると、甲１の１発明の当該工程は、本件発明１の「前記２つの被接合物のうちの少なくとも一方の接合面を不飽和炭化水素ガスとオゾンガスとが存在する雰囲気に曝露するガス曝露工程」に相当する。 ｃ 構成要件Ｄについて 甲１の１発明の「接合面を密着させ」る工程は、本件発明１の「前記２つの被接合物同士を仮接合する仮接合工程」に相当する。 以上によれば、本件発明１と甲１発明は、以下の一致点、相違点を有する。 ［一致点］ Ａ：２つの被接合物同士を接合する接合方法であって、 Ｂ：前記２つの被接合物のうちの少なくとも一方の接合面を不飽和炭化水素ガスとオゾンガスとが存在する雰囲気に曝露するガス曝露工程と、 Ｄ：前記２つの被接合物同士を仮接合する仮接合工程と、を含む、 接合方法。 ［相違点］ 本件発明１は、「前記少なくとも一方の接合面に付着している水分を除去する水分除去工程」との構成（構成要件Ｃ）を含んでいるのに対し、甲１の１発明は、構成要件Ｃを含んでいない点（以下、相違点１という）。 （イ） 進歩性についての判断 上記第４の１（２）のとおり、甲１の１発明は、「２枚のシリコン基板接合面にOERプロセス技術で水酸基を形成し、接合面を密着させ、加熱処理（300℃）により接合する」ことにより、「基板表面に残留した水分子が脱水縮合反応を阻害するという課題を解決し、水原料を用いずに効率良く水酸基を形成するとともに、加熱による回路へのダメージを最小限としながら基板を接合することができ、工程の時間短縮にも貢献できる」ものであり、「OERプロセス技術」によって、すでに「基板表面に残留した水分子が脱水縮合反応を阻害するという課題」が解決されているから、「２枚のシリコン基板接合面にOERプロセス技術で水酸基を形成」する工程（構成要件Ｂ）や、「接合面を密着させ」る工程（構成要件Ｄ）とは異なる工程として、上記構成要件Ｃの「前記少なくとも一方の接合面に付着している水分を除去する水分除去工程」を含むように構成する動機付けはない。 したがって、異議申立人の主張する甲２及び甲３の記載の如何に関わらず、また、甲４及び甲５の記載を含めて検討しても、甲１の１発明において、相違点１の構成を含むように構成することは、当業者であっても容易に想到し得るものではない。 よって、本件発明１は、甲１の１発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないし、甲２～甲５に記載された事項を含めて検討しても、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （ウ） 異議申立人の主張について 異議申立人は、異議申立書の第１８ページ第５行～第２０ページ第４行において、甲１に記載された発明に甲２や甲３に記載された水分除去工程を適用することで、本件発明１に想到することができる旨主張する。 しかしながら、上記（イ）のとおり、甲１発明において、構成要件Ｃの水分除去工程を含むように構成する動機付けはない。 したがって、異議申立人の主張は採用できない。 イ 本件発明２～４ 上記第２のとおり、本件発明２～４は、本件発明１の全ての構成を有するものであり、いずれも上記相違点１に係る本件発明１の構成を有している。 そうすると、本件発明２～４と甲１発明を対比すると、少なくとも、上記相違点１の構成で相違するから、本件発明１と同様の理由により、本件発明２～４は、甲１の１発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないし、甲２～甲５に記載された事項を含めて検討しても、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （２） 甲１の２、甲１の３を主引例とする検討 上記第４の２（２）のとおり、甲１の２には、甲１の２発明が記載されているところ、甲１の２発明は、甲１の１発明と同じである。 したがって、上記（１）と同様に、本件発明１～４は、甲１の２発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないし、甲２～甲５に記載された事項を含めて検討しても、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 また、上記第４の２（３）のとおり、甲１の３には、甲１の３発明が記載されているところ、甲１の３発明は、甲１の１発明と同じである。 したがって、上記（１）と同様に、本件発明１～４は、甲１の３発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないし、甲２～甲５に記載された事項を含めて検討しても、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （３） 小括 したがって、異議申立人の主張する申立理由１（進歩性）は理由がない。 ２ 申立理由２（拡大先願）について （１） 本件発明１ ア 本件発明１と甲６発明との対比 （ア） 構成要件Ａについて 甲６発明の「基体の接合方法」は、「前記水酸基を形成した２個の前記被接合基体を被接合面にて重ね合わせて積層する積層工程」を有するものであるから、本件発明１の「２つの被接合物同士を接合する接合方法」に相当する。 （イ） 構成要件Ｂについて 甲６発明の「チャンバ内に収容した被接合基体の被接合面に水酸基を形成する水酸基形成工程」は、「チャンバ内に被接合基体を収容して当該チャンバ内を減圧状態にし、当該チャンバ内に不飽和炭化水素ガスおよびオゾンガスをそれぞれ供給することにより、当該被接合基体の被接合面に水酸基を形成する」ものである。 そして、「被接合基体の被接合面に水酸基を形成する」工程において、「被接合基体の被接合面」が、チャンバ内に供給された「不飽和炭化水素ガスおよびオゾンガス」が存在する雰囲気に曝露されていることは、明らかである。 そうすると、甲６発明の当該工程は、本件発明１の「前記２つの被接合物のうちの少なくとも一方の接合面を不飽和炭化水素ガスとオゾンガスとが存在する雰囲気に曝露するガス曝露工程」に相当する。 （ウ） 構成要件Ｄについて 甲６発明の「前記水酸基を形成した２個の前記被接合基体を被接合面にて重ね合わせて積層する積層工程」は、本件発明１の「前記２つの被接合物同士を仮接合する仮接合工程」に相当する。 以上によれば、本件発明１と甲６発明は、以下の一致点、相違点を有する。 ［一致点］ Ａ：２つの被接合物同士を接合する接合方法であって、 Ｂ：前記２つの被接合物のうちの少なくとも一方の接合面を不飽和炭化水素ガスとオゾンガスとが存在する雰囲気に曝露するガス曝露工程と、 Ｄ：前記２つの被接合物同士を仮接合する仮接合工程と、を含む、 接合方法。 ［相違点］ 本件発明１は、「前記少なくとも一方の接合面に付着している水分を除去する水分除去工程」との構成（構成要件Ｃ）を含んでいるのに対し、甲６発明は、構成要件Ｃを含んでいない点（以下、相違点２という）。 イ 申立理由２（拡大先願）についての判断 上記アのとおり、本件発明１と甲６発明とは、上記相違点２を有する。 そして、本件発明１の「水分除去工程」は、他の「ガス暴露工程」や「仮接合工程」とは異なる別の工程として特定されており、一つの工程が複数の工程を兼ねているとはいえないから、相違点２は実質的な相違点である。 よって、本件発明１は、甲６発明と同一であるとはいえない。 ウ 異議申立人の主張について 異議申立人は、異議申立書の第２３ページ第５行～第２２行において、甲６に記載された「水酸基形成工程」は、チャンバ内に被接合基体１を収容して当該チャンバ内を減圧状態（例えばチャンバ内が真空環境下となるような状態）に維持した後、当該チャンバ内に不飽和炭化水素ガスおよびエチレンガスをそれぞれ供給しているところ、減圧により真空度を上げれば水分が除去されることは当業者にとって自明であるから、甲６に記載された「水酸基形成工程」は、本件発明１の「水分除去工程」と同じである旨主張する。 しかしながら、上記イのとおり、本件発明１の「水分除去工程」は、「ガス暴露工程」（甲６発明の「水酸基形成工程」）とは異なる別の工程として特定されている。 そうすると、仮に異議申立人が主張するように、甲６に記載された「水酸基形成工程」において、被接合基体１の水分が除去されていたとしても、本件発明１の「ガス暴露工程」で水分が除去されているといえるだけであって、それとは異なる別の工程で水分が除去されているわけではないから、甲６発明は、本件発明１の「水分除去工程」と同じ工程を含んでいるとはいえない。 したがって、異議申立人の主張は採用できない。 （２） 本件発明２ 上記第２のとおり、本件発明２は、本件発明１の全ての構成を有するものであり、いずれも上記相違点２に係る本件発明１の構成を有している。 そうすると、本件発明２と甲６発明を対比すると、少なくとも、上記相違点２の構成で相違するから、本件発明１と同様の理由により、本件発明２は、甲６発明と同一であるとはいえない。 （３） 小括 したがって、異議申立人の主張する特許異議の申立理由２（拡大先願）は理由がない。 第６ むすび 以上の次第であるから、特許異議の申立ての理由及び異議申立人の提出した証拠によっては、本件特許の請求項１～４に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件特許の請求項１～４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。