2018-700162

特許第６１８４９６２号発明「研磨用組成物及び基板の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

【結　論】 特許第６１８４９６２号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－９〕について訂正することを認める。 特許第６１８４９６２号の請求項１ないし９に係る特許を維持する。

【理　由】 第１　手続の経緯 特許第６１８４９６２号の請求項１～９に係る特許についての出願は、平成２５年８月１２日（優先権主張　平成２４年８月３１日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２９年８月４日にその特許権の設定登録がされ、平成３０年２月２３日に、その特許について、特許異議申立人三上早織により、特許異議の申立てがされ（以下、特許異議申立人を単に「申立人」ということもある。）、同年４月１６日付けで取消理由が通知され、同年６月１８日に意見書の提出及び訂正の請求があり、その訂正の請求に対して、同年８月３日に申立人から意見書が提出されたものである。 第２　訂正の適否についての判断 １．訂正の内容 本件訂正請求による訂正の内容は、次のとおりである。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１（以下、単に「請求項１」などという。）に 「重量平均分子量が１００００００以下であり、かつ重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布が５．０未満である水溶性高分子、砥粒としてコロイダルシリカ、及び塩基性化合物を含有し、 前記水溶性高分子は、セルロース誘導体、デンプン誘導体、ポリビニルアルコール、ポリビニルアルコール構造を有する重合体、オキシエチレン構造とオキシプロピレン構造とを含む共重合体、及び側鎖官能基に窒素原子を有する重合体から選ばれる少なくとも１種であり、 シリコン基板を最終研磨する用途に用いられることを特徴とする研磨用組成物。」 と記載されているのを、 「セルロース誘導体、ポリビニルアルコール、ポリビニルアルコール構造を有する重合体（但し、ポリビニルアルコールの場合を除く）、オキシエチレン構造とオキシプロピレン構造とを含む共重合体、及び側鎖官能基に窒素原子を有する重合体から選ばれる少なくとも１種である水溶性高分子、砥粒としてコロイダルシリカ、及び塩基性化合物を含有し、シリコン基板を最終研磨する用途に用いられる研磨用組成物であって、 前記セルロース誘導体は、重量平均分子量が１００００００以下であり、かつ重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布が５．０未満であり、 前記ポリビニルアルコール及びポリビニルアルコール構造を有する重合体（但し、ポリビニルアルコールの場合を除く）から選ばれる少なくとも一種は、重量平均分子量が１０００００以下であり、かつ重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布が３．０以下であり、 前記オキシエチレン構造とオキシプロピレン構造とを含む共重合体は、重量平均分子量が２５００００以下であり、かつ重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布が２．０以下であり、 前記側鎖官能基に窒素原子を有する重合体は、重量平均分子量が２０００００以下であり、かつ重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布が３．５以下であることを特徴とする研磨用組成物。」に訂正する（請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項２～９も同様に訂正する）。 （２）訂正事項２ 請求項２に 「前記水溶性高分子は、セルロース誘導体及びデンプン誘導体から選ばれる少なくとも一種を含む、請求項１に記載の研磨用組成物。」 と記載されているのを、 「前記水溶性高分子は、セルロース誘導体である、請求項１に記載の研磨用組成物。」に訂正する（請求項２の記載を直接的に引用する請求項９も同様に訂正する）。 （３）訂正事項３ 請求項３に 「前記水溶性高分子は、ポリビニルアルコール及びポリビニルアルコ－ル構造を有する重合体から選ばれる少なくとも一種を含む、請求項１に記載の研磨用組成物。」 と記載されているのを、 「前記水溶性高分子は、ポリビニルアルコール及びポリビニルアルコール構造を有する重合体（但し、ポリビニルアルコールの場合を除く）から選ばれる少なくとも一種を含む、請求項１に記載の研磨用組成物。」に訂正する（請求項３の記載を直接的又は間接的に引用する請求項４、９も同様に訂正する）。 （４）訂正事項４ 請求項４に 「前記ポリビニルアルコール及びポリビニルアルコール構造を有する重合体が、部分ケン化ポリビニルアルコールである、請求項３に記載の研磨用組成物。」 と記載されているのを、 「前記ポリビニルアルコール構造を有する重合体が、部分ケン化ポリビニルアルコールである、請求項３に記載の研磨用組成物。」に訂正する（請求項４の記載を直接的に引用する請求項９も同様に訂正する）。 （５）訂正事項５ 請求項５に 「前記水溶性高分子は、オキシエチレン構造とオキシプロピレン構造とを含む共重合体から選ばれる少なくとも一種を含む、請求項１に記載の研磨用組成物。」 と記載されているのを、 「前記水溶性高分子は、オキシエチレン構造とオキシプロピレン構造とを含む共重合体を含む、請求項１に記載の研磨用組成物。」に訂正する（請求項５の記載を直接的に引用する請求項９も同様に訂正する）。 （６）訂正事項６ 請求項８に、 「前記水溶性高分子は、セルロース誘導体、デンプン誘導体、ポリビニルアルコール及びポリビニルアルコール構造を有する重合体から選ばれる少なくとも一種と、オキシエチレン構造とオキシプロピレン構造とを含む共重合体及び側鎖官能基に窒素原子を有する重合体から選ばれる少なくとも一種とを含む、請求項１に記載の研磨用組成物。」 と記載されているのを、 「前記水溶性高分子は、セルロース誘導体、ポリビニルアルコール及びポリビニルアルコール構造を有する重合体（但し、ポリビニルアルコールの場合を除く）から選ばれる少なくとも一種と、オキシエチレン構造とオキシプロピレン構造とを含む共重合体及び側鎖官能基に窒素原子を有する重合体から選ばれる少なくとも一種とを含む、請求項１に記載の研磨用組成物。」に訂正する（請求項８の記載を直接的に引用する請求項９も同様に訂正する）。 （７）訂正事項７ 願書に添付した明細書の段落【０００６】に記載された 「上記の目的を達成するために、本発明の研磨用組成物は、重量平均分子量が１００００００以下であり、かつ重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布が５．０未満である水溶性高分子、砥粒としてコロイダルシリカ、及び塩基性化合物を含有し、前記水溶性高分子は、セルロース誘導体、デンプン誘導体、ポリビニルアルコール、ポリビニルアルコール構造を有する重合体、オキシエチレン構造とオキシプロピレン構造とを含む共重合体、及び側鎖官能基に窒素原子を有する重合体から選ばれる少なくとも１種であり、シリコン基板を最終研磨する用途に用いられることを特徴とする。」 と記載されているのを、 「上記の目的を達成するために、本発明の研磨用組成物は、セルロース誘導体、ポリビニルアルコール、ポリビニルアルコール構造を有する重合体（但し、ポリビニルアルコールの場合を除く）、オキシエチレン構造とオキシプロピレン構造とを含む共重合体、及び側鎖官能基に窒素原子を有する重合体から選ばれる少なくとも１種である水溶性高分子、砥粒としてコロイダルシリカ、及び塩基性化合物を含有し、シリコン基板を最終研磨する用途に用いられる研磨用組成物であって、 前記セルロース誘導体は、重量平均分子量が１００００００以下であり、かつ重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布が５．０未満であり、 前記ポリビニルアルコール及びポリビニルアルコール構造を有する重合体（但し、ポリビニルアルコールの場合を除く）から選ばれる少なくとも一種は、重量平均分子量が１０００００以下であり、かつ重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布が３．０以下であり、 前記オキシエチレン構造とオキシプロピレン構造とを含む共重合体は、重量平均分子量が２５００００以下であり、かつ重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布が２．０以下であり、 前記側鎖官能基に窒素原子を有する重合体は、重量平均分子量が２０００００以下であり、かつ重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布が３．５以下であることを特徴とする。」に訂正する。 （８）訂正事項８ 願書に添付した明細書の段落【０００７】に記載された 「前記ポリビニルアルコール及びポリビニルアルコール構造を有する重合体が、部分ケン化ポリビニルアルコールであることが好ましい。 前記側鎖官能基に窒素原子を有する重合体が、ポリ（Ｎ－アクリロイルモルホリン）、ポリ（Ｎ－イソプロピルアクリルアミド）、及びポリ（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリレート）から選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。」 と記載されているのを、 「前記ポリビニルアルコール構造を有する重合体が、部分ケン化ポリビニルアルコールであることが好ましい。 前記側鎖官能基に窒素原子を有する重合体が、ポリ（Ｎ－アクリロイルモルホリン）、ポリ（Ｎ－イソプロピルアクリルアミド）、及びポリ（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリレート）から選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。」に訂正する。 （９）訂正事項９ 願書に添付した明細書の段落【０００８】に記載された 「水溶性高分子は、セルロース誘導体、デンプン誘導体、ポリビニルアルコール及びポリビニルアルコール構造を有する重合体から選ばれる少なくとも一種と、オキシエチレン構造とオキシプロピレン構造とを含む共重合体及び側鎖官能基に窒素原子を有する重合体から選ばれる少なくとも一種とを含むことが好ましい。」 と記載されているのを、 「水溶性高分子は、セルロース誘導体、ポリビニルアルコール及びポリビニルアルコール構造を有する重合体（但し、ポリビニルアルコールの場合を除く）から選ばれる少なくとも一種と、オキシエチレン構造とオキシプロピレン構造とを含む共重合体及び側鎖官能基に窒素原子を有する重合体から選ばれる少なくとも一種とを含むことが好ましい。」に訂正する。 ２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否、及び、一群の請求項について （１）訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び、特許請求の範囲の拡張・変更の存否について ア　訂正事項１について 訂正事項１は、訂正前の請求項１において、 （ア）「水溶性高分子」について、択一的記載の要素である「デンプン誘導体」を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、また、 （イ）該「水溶性高分子」が「ポリビニルアルコール及びポリビニルアルコール構造を有する重合体から選ばれる少なくとも一種」の場合、「オキシエチレン構造とオキシプロピレン構造とを含む共重合体」の場合、及び、「側鎖官能基に窒素原子を有する重合体」の場合について、それぞれ重量平均分子量と重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布を、本件明細書の【００２５】～【００２７】、【００３０】～【００３２】等の記載に基いて、限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、さらに、 （ウ）「ポリビニルアルコール構造を有する重合体」について「ポリビニルアルコールの場合を除く」ことを規定するものであり、「ポリビニルアルコール」と「ポリビニルアルコール構造を有する重合体」との相違点を明確にするものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 そうすると、上記訂正事項１は、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であって、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号の「特許請求の範囲の減縮」及び同第３号の「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 また、訂正事項１に係る請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項２～９の訂正についても同様である。 イ　訂正事項２について 訂正事項２は、訂正前の請求項２において、「水溶性高分子」について、択一的記載の要素である「デンプン誘導体」を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であって、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号の「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 また、訂正事項２に係る請求項２の記載を引用する請求項９の訂正についても同様である。 ウ　訂正事項３について 訂正事項３は、訂正前の請求項３において、「ポリビニルアルコール構造を有する重合体」について「ポリビニルアルコールの場合を除く」ことを規定するものであり、「ポリビニルアルコール」と「ポリビニルアルコール構造を有する重合体」との相違点を明確にするものであって、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであるから、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号の「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 また、訂正事項３に係る請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項４、９の訂正についても同様である。 エ　訂正事項４について 訂正事項４は、訂正事項１及び３の「ポリビニルアルコール構造を有する重合体」について「ポリビニルアルコールの場合を除く」ことを規定する訂正に伴い、訂正前の請求項３を引用する訂正前の請求項４において、「部分ケン化ポリビニルアルコールである」ものが、「ポリビニルアルコール構造を有する重合体」であることを明確にするものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号の「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 また、訂正事項４に係る請求項３の記載を引用する請求項９の訂正についても同様である。 オ　訂正事項５について 訂正前の請求項５は、「前記水溶性高分子は、オキシエチレン構造とオキシプロピレン構造とを含む共重合体から選ばれる少なくとも一種を含む、請求項１に記載の研磨用組成物。」と記載されているところ、「水溶性高分子」は、「オキシエチレン構造とオキシプロピレン構造とを含む共重合体」しか記載されておらず、「選ばれる少なくとも一種」という記載は誤記であり、訂正事項５は、その誤記を削除するものであって、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号の「誤記の訂正」を目的とするものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 また、訂正事項５に係る請求項５の記載を引用する請求項９の訂正についても同様である。 カ　訂正事項６について 訂正事項６は、訂正前の請求項８において、 （ア）「水溶性高分子」について、択一的記載の要素である「デンプン誘導体」を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、また、 （イ）「ポリビニルアルコール構造を有する重合体」について「ポリビニルアルコールの場合を除く」ことを規定するものであって、「ポリビニルアルコール」と「ポリビニルアルコール構造を有する重合体」との相違点を明確にするものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 そうすると、上記訂正事項６は、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であって、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号の「特許請求の範囲の減縮」及び同第３号の「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 また、訂正事項６に係る請求項８の記載を引用する請求項９の訂正についても同様である。 キ　訂正事項７について 訂正事項７は、訂正事項１の請求項１の訂正に伴って、対応する明細書の【０００６】の記載を訂正し、請求項１の記載との整合を図るものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号の「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 ク　訂正事項８について 訂正事項８は、訂正事項４の請求項４の訂正に伴って、対応する明細書の【０００７】の記載を訂正し、請求項４の記載との整合を図るものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号の「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 ケ　訂正事項９について 訂正事項９は、訂正事項６の請求項８の訂正に伴って、対応する明細書の【０００８】の記載を訂正し、請求項８の記載との整合を図るものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号の「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （２）一群の請求項について 訂正前の請求項１～５について、請求項２、３、５、６及び８が請求項１を引用し、請求項４が請求項３を引用し、請求項９が請求項１～８を引用することから、請求項１～９は一群の請求項をなし、訂正事項７～９は、該一群の請求項に関係する訂正であるから、本件訂正の請求は一群の請求項ごとにされたものである。 （３）まとめ 上記（１）、（２）より、訂正事項１～９は、特許法第１２０条の５第２項ただし書各号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項並びに第９項で準用する同法第１２６条第４項から第６項までの規定に適合するので、訂正後の請求項〔１－９〕について訂正することを認める。 第３　特許異議の申立てについて １．本件発明 本件特許の明細書の特許請求の範囲について、上記のとおり訂正が認められるから、本件特許の請求項１～９に係る発明（以下、項番に応じて、「本件発明１」などといい、まとめて「本件発明」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１～９に記載された次のとおりのものである。 「【請求項１】 セルロース誘導体、ポリビニルアルコール、ポリビニルアルコール構造を有する重合体（但し、ポリビニルアルコールの場合を除く）、オキシエチレン構造とオキシプロピレン構造とを含む共重合体、及び側鎖官能基に窒素原子を有する重合体から選ばれる少なくとも１種である水溶性高分子、砥粒としてコロイダルシリカ、及び塩基性化合物を含有し、シリコン基板を最終研磨する用途に用いられる研磨用組成物であって、 前記セルロース誘導体は、重量平均分子量が１００００００以下であり、かつ重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布が５．０未満であり、 前記ポリビニルアルコール及びポリビニルアルコール構造を有する重合体（但し、ポリビニルアルコールの場合を除く）から選ばれる少なくとも一種は、重量平均分子量が１０００００以下であり、かつ重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布が３．０以下であり、 前記オキシエチレン構造とオキシプロピレン構造とを含む共重合体は、重量平均分子量が２５００００以下であり、かつ重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布が２．０以下であり、 前記側鎖官能基に窒素原子を有する重合体は、重量平均分子量が２０００００以下であり、かつ重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布が３．５以下であることを特徴とする研磨用組成物。 【請求項２】 前記水溶性高分子は、セルロース誘導体である、請求項１に記載の研磨用組成物。 【請求項３】 前記水溶性高分子は、ポリビニルアルコール及びポリビニルアルコール構造を有する重合体（但し、ポリビニルアルコールの場合を除く）から選ばれる少なくとも一種を含む、請求項１に記載の研磨用組成物。 【請求項４】 前記ポリビニルアルコール構造を有する重合体が、部分ケン化ポリビニルアルコールである、請求項３に記載の研磨用組成物。 【請求項５】 前記水溶性高分子は、オキシエチレン構造とオキシプロピレン構造とを含む共重合体を含む、請求項１に記載の研磨用組成物。 【請求項６】 前記水溶性高分子は、側鎖官能基に窒素原子を有する重合体を含む、請求項１に記載の研磨用組成物。 【請求項７】 前記側鎖官能基に窒素原子を有する重合体が、ポリ（Ｎ－アクリロイルモルホリン）、ポリ（Ｎ－イソプロピルアクリルアミド）、及びポリ（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリレート）から選ばれる少なくとも一種である、請求項６に記載の研磨用組成物。 【請求項８】 前記水溶性高分子は、セルロース誘導体、ポリビニルアルコール及びポリビニルアルコール構造を有する重合体（但し、ポリビニルアルコールの場合を除く）から選ばれる少なくとも一種と、オキシエチレン構造とオキシプロピレン構造とを含む共重合体及び側鎖官能基に窒素原子を有する重合体から選ばれる少なくとも一種とを含む、請求項１に記載の研磨用組成物。 【請求項９】 請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて基板を研磨する研磨工程を含むことを特徴とする基板の製造方法。」 ２．取消理由の概要 訂正前の請求項１～９に係る特許に対して平成３０年４月１６日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。 （１）特許法第２９条第１項第３号について（同法第１１３条第２号） 請求項１～９に係る発明は、下記の引用例１～５に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができないものであり、請求項１～９に係る特許は、取り消されるべきものである。 （２）特許法第２９条第２項について（同法第１１３条第２号） 請求項１～９に係る発明は、下記の引用例１～５に記載された発明（さらには下記の引用例６～１０に記載された事項）に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、請求項１～９に係る特許は、取り消されるべきものである。 （３）特許法第３６条第６項第１号及び同項第２号について（同法第１１３条第４号） 請求項１～９の記載には不備があるから、本件特許は、特許法第３６条第６項第１号及び同項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 記 引用例１：特開２００４－１２８０７０号公報（甲第１号証。以下、「甲１」などという。） 引用例２：特開２００８－５３４１４号公報（甲２） 引用例３：特開平１１－１１６９４２号公報（甲３） 引用例４：特許第４７７２１５６号公報（甲４） 引用例５：特開２００８－５３４１５号公報（甲５） 引用例６：特開２００２－３３８６０９号公報（甲６） 引用例７：特開２００７－３０８６６５号公報（甲７） 引用例８：国際公開第２０１１／１５８７９５号（甲８） 引用例９：特開昭５３－２４３４０号公報（甲９） 引用例１０：特開２０００－２０４１１８号公報（甲１１） ３．判断 （１）特許法第２９条第１項第３号及び同条第２項について ア　引用例の記載 （ア）引用例１ 引用例１には、次の記載がある。 「【請求項１】 半導体ウエハの表面を精密研磨する際に使用される研磨用組成物であって、二酸化ケイ素、アルカリ化合物、水溶性高分子化合物及び水を含有し、前記二酸化ケイ素は、ＢＥＴ法で測定される比表面積から求められる平均一次粒子径が５～３０ｎｍであるとともにレーザー散乱法で測定される平均二次粒子径が５～１２０ｎｍであるコロイダルシリカ、あるいは前記平均一次粒子径が５～３０ｎｍであるとともに前記平均二次粒子径が５～２００ｎｍであるヒュームドシリカであることを特徴とする研磨用組成物。 【請求項２】 請求項１に記載の研磨用組成物を用いて半導体ウエハの表面を精密研磨することを特徴とする研磨方法。」 「【０００４】 【発明が解決しようとする課題】 ところで、ウエハ加工の過程で半導体ウエハの表面に生じるヘイズ（曇り）は、半導体デバイスの電気特性及び歩留まりに影響するだけでなく、ウエハ表面に付着したパーティクルをパーティクルカウンタで計測する際にその検出限界を低下させる要因にもなる。従来の研磨用組成物を用いて精密研磨して得られる半導体ウエハの表面のヘイズレベルは、半導体デバイスの高性能化及び高集積密度化に伴い半導体ウエハに要求される品質がますます厳しくなっている現在にあっては不十分なものとなりつつある。 【０００５】 本発明はこのような実情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半導体ウエハ表面のヘイズレベルを顕著に低減することができる研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法を提供することにある。」 「【００１５】 次に、水溶性高分子化合物について説明する。 水溶性高分子化合物としては、ヒドロキシエチルセルロース、ポリビニルアルコール又はポリエチレンオキサイドが好ましく、その中でもヒドロキシエチルセルロースがより好ましい。なお、本実施形態の研磨用組成物は、水溶性高分子化合物を一種類のみ含有するものであっても、二種類以上含有するものであってもよい。 【００１６】 ヒドロキシエチルセルロースの平均分子量は、３００，０００～３，０００，０００が好ましく、６００，０００～２，０００，０００がより好ましく、９００，０００～１，５００，０００が最も好ましい。ポリビニルアルコールの平均分子量は、１，０００～１，０００，０００が好ましく、５，０００～５００，０００がより好ましく、１０，０００～３００，０００が最も好ましい。ポリビニルアルコールは、平均分子量が上記範囲内であって、なおかつ、平均重合度が２００～３，０００、ケン化度が７０～１００％であることが好ましい。ポリエチレンオキサイドの平均分子量は、２０，０００～５０，０００，０００が好ましく、２０，０００～３０，０００，０００がより好ましく、２０，０００～１０，０００，０００が最も好ましい。」 「【００１９】 続いて、上記の研磨用組成物を用いて半導体ウエハの表面を精密研磨する工程（ポリッシュ工程）を含む半導体ウエハの製造プロセスについて説明する。 半導体ウエハの製造プロセスにおいてインゴットからポリッシュドウエハが作製されるまでのウエハ加工には、スライス工程、ベベル工程、ラップ工程、エッチ工程、エッヂポリッシュ工程及びポリッシュ工程が具備されている。前記ウエハ加工は、スライス工程でインゴットからウエハが切り出されるのに始まり、続くベベル工程ではウエハの縁部の面取りがなされる。続くラップ工程ではウエハ表面が粗研磨され、続くエッチ工程ではウエハの加工変質層が除去される。そして、続くエッヂポリッシュ工程では前記ベベル工程で面取りされた縁部を含むウエハ端面が研磨され、続くポリッシュ工程ではウエハ表面が精密研磨される。 【００２０】 上記の研磨用組成物は、この一連の工程のうちポリッシュ工程において使用されるものである。ポリッシュ工程では、ウエハの表面と研磨部材を接触させて、その接触部分に研磨用組成物を供給しながらウエハ表面と研磨部材を相対摺動させることにより、ウエハの表面を研磨する。」 「【００３２】 ・　本実施形態の研磨用組成物に含まれる水溶性高分子化合物の平均分子量を、ヒドロキシエチルセルロースなら３００，０００以上、ポリビニルアルコールなら１，０００以上、ポリエチレンオキサイドなら２０，０００以上とすれば、半導体ウエハ表面のヘイズレベルを顕著に低減する本実施形態の研磨用組成物の効果が、前記平均分子量が過小なことに起因して低下するのを防止することができる。また、前記平均分子量を、ヒドロキシエチルセルロースなら６００，０００以上、ポリビニルアルコールなら５，０００以上とすれば、上記の効果を一段と高めることができる。さらに、前記平均分子量を、ヒドロキシエチルセルロースなら９００，０００以上、ポリビニルアルコールなら１０，０００以上とすれば、上記の効果をさらに高めることができる。 【００３３】 ・　本実施形態の研磨用組成物に含まれる水溶性高分子化合物の平均分子量を、ヒドロキシエチルセルロースなら３，０００，０００以下、ポリビニルアルコールなら１，０００，０００以下、ポリエチレンオキサイドなら５０，０００，０００以下とすれば、該平均分子量が過大なことに起因して研磨用組成物の粘度が過度に増大するのを防止することができる。また、前記平均分子量を、ヒドロキシエチルセルロースなら２，０００，０００以下、ポリビニルアルコールなら５００，０００以下、ポリエチレンオキサイドなら３０，０００，０００以下とすれば、上記の効果を一段と高めることができる。さらに、前記平均分子量を、ヒドロキシエチルセルロースなら１，５００，０００以下、ポリビニルアルコールなら３００，０００以下、ポリエチレンオキサイドなら１０，０００，０００以下とすれば、上記の効果をさらに高めることができる。」 「【００３６】 【実施例】 次に、実施例及び比較例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。 表１に示す二酸化ケイ素、アルカリ化合物及び水溶性高分子化合物をイオン交換水に混合して実施例１～１５及び比較例１～７の研磨用組成物を調製し、各例の研磨用組成物を用いて下記の研磨条件で半導体ウエハの表面を精密研磨した。このときに、以下に示す「ヘイズ」、「スクラッチ」及び「ＨＦＴ（Ｈａｚｅ　Ｆｒｅｅ　Ｔｉｍｅ）」について評価した結果を表１に示す。」 「【００４０】 【表１】 なお、上記表１の「被研磨物」欄に示した「Ｐ＋＋」は抵抗率が０．０１Ω・ｃｍ未満のシリコンウエハ、「Ｐ＋」は抵抗率が０．０１Ω・ｃｍ以上０．１Ω・ｃｍ未満のシリコンウエハ、「Ｐ－」は抵抗率が０．１Ω・ｃｍ以上のシリコンウエハをそれぞれ表わす。「二酸化ケイ素」欄に示した「Ａ１」はＤSAが７ｎｍでＤN4が１５ｎｍのコロイダルシリカ、「Ａ２」はＤSAが１３ｎｍでＤN4が３２ｎｍのコロイダルシリカ、「Ａ３」はＤSAが２６ｎｍでＤN4が９０ｎｍのコロイダルシリカ、「Ａ４」はＤSAが１４ｎｍでＤN4が３５ｎｍのコロイダルシリカ、「Ａ５」はＤSAが３５ｎｍでＤN4が７０ｎｍのコロイダルシリカ、「Ａ６」はＤSAが９０ｎｍでＤN4が２００ｎｍのコロイダルシリカ、「Ｂ１」はＤSAが２０ｎｍでＤN4が１００ｎｍのヒュームドシリカ、「Ｂ２」はＤSAが４０ｎｍでＤN4が２５０ｎｍのヒュームドシリカを表わす。「アルカリ化合物」欄に示した「Ａ」はアンモニア（２９重量％水溶液）、「ＰＨＡ」は水酸化カリウム、「ＴＭＡＨ」は水酸化テトラメチルアンモニウム（２５重量％水溶液）、「ＰＩＺ」は無水ピペラジンの略である。「水溶性高分子化合物」欄に示した「ＨＥＣ」は平均分子量１，２００，０００のヒドロキシエチルセルロース、「ＰＶＡ」は平均分子量６２，０００、平均重合度１４００、ケン化度９５％のポリビニルアルコール、「ＰＥＯ」は平均分子量１５０，０００～４００，０００のポリエチレンオキサイドを表わす。」 （イ）引用例２ 引用例２には、次の記載がある。 「【請求項１】 研磨用組成物中のナトリウムイオン及び酢酸イオンのいずれか一方の濃度が１０ｐｐｂ以下であることを特徴とする研磨用組成物。 【請求項２】 研磨用組成物中のナトリウムイオン及び酢酸イオンの濃度がそれぞれ１０ｐｐｂ以下であることを特徴とする研磨用組成物。 【請求項３】 水溶性高分子とアルカリと砥粒とを含有する請求項１又は２に記載の研磨用組成物。 【請求項４】 請求項１～３のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて半導体ウエハの表面を研磨することを特徴とする研磨方法。」 「【０００８】 以下、本発明の一実施形態を説明する。 本実施形態の研磨用組成物は、所定量の水溶性高分子とアルカリと砥粒を水と混合することにより製造される。従って、本実施形態の研磨用組成物は、水溶性高分子、アルカリ、砥粒及び水から実質的になる。この研磨用組成物は、シリコンウエハ等の半導体ウエハを研磨する用途で使用されるものであり、特にウエハの仕上げ研磨で使用されるものである。」 「【００１１】 本実施形態の研磨用組成物に含まれる水溶性高分子は、研磨用組成物を用いて研磨した後のウエハ表面で観察される欠陥の一種であるヘイズを低減するという観点からすると、水溶性セルロース又はビニルポリマーであることが好ましい。水溶性セルロースの具体例としては、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルセルロースなどが挙げられる。ビニルポリマーの具体例としては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンなどが挙げられる。これらの水溶性高分子は、ウエハ表面に親水膜を形成し、この親水膜の作用によりヘイズを低減するものと推測される。 【００１２】 研磨用組成物に含まれる水溶性高分子がヒドロキシエチルセルロース又はポリビニルアルコールである場合、さらに言えばヒドロキシエチルセルロースである場合には、それ以外の水溶性高分子を用いた場合に比べて、研磨後のウエハ表面で観察されるヘイズがより大きく低減する。従って、研磨用組成物に含まれる水溶性高分子は、ヒドロキシエチルセルロース又はポリビニルアルコールであることが好ましく、より好ましくはヒドロキシエチルセルロースである。」 「【００１５】 研磨用組成物に含まれる水溶性高分子が水溶性セルロースである場合、使用される水溶性セルロースの平均分子量は３００，０００以上であることが好ましく、より好ましくは６００，０００以上、最も好ましくは９００，０００以上である。一方、研磨用組成物に含まれる水溶性高分子がビニルポリマーである場合には、使用されるビニルポリマーの平均分子量は１，０００以上であることが好ましく、より好ましくは５，０００以上、最も好ましくは１０，０００以上である。水溶性高分子の平均分子量が大きくなるにつれて、ヘイズの低減に有効な親水膜がウエハ表面に形成されやすくなるために、研磨後のウエハ表面で観察されるヘイズはより大きく低減される。この点において、研磨用組成物に含まれる水溶性セルロースの平均分子量が３００，０００以上、さらに言えば６００，０００以上、もっと言えば９００，０００以上であれば、研磨後のウエハ表面で観察されるヘイズを大きく低減することができる。また、研磨用組成物に含まれるビニルポリマーの平均分子量が１，０００以上、さらに言えば５，０００以上、もっと言えば１０，０００以上であれば、同じく研磨後のウエハ表面で観察されるヘイズを大きく低減することができる。 【００１６】 研磨用組成物に含まれる水溶性高分子が水溶性セルロースである場合、使用される水溶性セルロースの平均分子量はまた３，０００，０００以下であることが好ましく、より好ましくは２，０００，０００以下、最も好ましくは１，５００，０００以下である。一方、研磨用組成物に含まれる水溶性高分子がビニルポリマーである場合には、使用されるビニルポリマーの平均分子量はまた１，０００，０００以下であることが好ましく、より好ましくは５００，０００以下、最も好ましくは３００，０００以下である。水溶性高分子の平均分子量が小さくなるにつれて、親水膜によるウエハの研磨速度の低下はより強く抑制される。この点において、研磨用組成物に含まれる水溶性セルロースの平均分子量が３，０００，０００以下、さらに言えば２，０００，０００以下、もっと言えば１，５００，０００以下であれば、親水膜による研磨速度の低下を強く抑制することができる。また、研磨用組成物に含まれるビニルポリマーの平均分子量が１，０００，０００以下、さらに言えば５００，０００以下、もっと言えば３００，０００以下であれば、同じく親水膜による研磨速度の低下を強く抑制することができる。 【００１７】 研磨用組成物に含まれる水溶性高分子がポリビニルアルコールである場合、使用されるポリビニルアルコールのケン化度は７５％以上であることが好ましく、より好ましくは９５％以上である。ケン化度が高くなるにつれて、親水膜によるウエハの研磨速度の低下はより強く抑制される。この点において、研磨用組成物に含まれるポリビニルアルコールのケン化度が７５％以上、さらに言えば９５％以上であれば、親水膜による研磨速度の低下を強く抑制することができる。 【００１８】 本実施形態の研磨用組成物に含まれるアルカリは、例えば、アンモニア及びアミンのいずれであってもよい。これらのアルカリは、ウエハを化学的に研磨する作用を有し、研磨用組成物によるウエハの研磨速度を向上させる働きをする。」 「【００２２】 本実施形態の研磨用組成物に含まれる砥粒は、例えば、焼成粉砕シリカやフュームドシリカ、コロイダルシリカのようなシリカであってもよい。これらの砥粒は、ウエハを機械的に研磨する作用を有し、研磨用組成物によるウエハの研磨速度を向上させる働きをする。」 「【００３３】 表１の“水溶性高分子”欄中、ＨＥＣ＊１は陽イオン交換処理及び陰イオン交換処理したヒドロキシエチルセルロースを表し、ＨＥＣ＊２は陽イオン交換処理したヒドロキシエチルセルロースを表し、ＨＥＣ＊３は陰イオン交換処理したヒドロキシエチルセルロースを表し、ＨＥＣ＊４は陽イオン交換処理及び陰イオン交換処理していないヒドロキシエチルセルロースを表し、ＰＶＡ＊１は陽イオン交換処理及び陰イオン交換処理したポリビニルアルコールを表し、ＰＶＡ＊２は陽イオン交換処理及び陰イオン交換処理していないポリビニルアルコールす。」 （ウ）引用例３ 引用例３には、次の記載がある。 「【請求項１】下記の（ａ）～（ｅ）を含んでなることを特徴とするシリコン半導体ウェーハの研磨用組成物。 （ａ）二酸化ケイ素、（ｂ）水、（ｃ）水溶性高分子化合物、（ｄ）塩基性化合物、および（ｅ）アルコール性水酸基を１～１０個有する化合物。 【請求項２】二酸化ケイ素が、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、および沈澱法シリカからなる群から選ばれるものの少なくとも１種類である、請求項１に記載の研磨用組成物。 【請求項３】塩基性化合物が、含窒素塩基性化合物から選ばれる化合物の少なくとも１種類である、請求項１～２のいずれか１項に記載の研磨用組成物。 【請求項４】含窒素塩基性化合物が、アンモニア、水酸化アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ピペラジン・六水和物、無水ピペラジン、１－（２－アミノエチル）ピペラジン、Ｎ－メチルピペラジン、ジエチレントリアミン、および水酸化テトラメチルアンモニウムからなる群より選ばれる化合物の少なくとも１種類である、請求項３に記載の研磨用組成物 【請求項５】塩基性化合物が、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の、水酸化物、炭酸塩、および炭酸水素塩からなる群から選ばれる化合物の少なくとも１種類である、請求項１～２のいずれか１項に記載の研磨用組成物。 【請求項６】塩基性化合物が、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウムおよび炭酸水素ナトリウムからなる群から選ばれる化合物の少なくとも１種類である、請求項５に記載の研磨用組成物 【請求項７】水溶性高分子化合物が、セルロース誘導体およびポリビニルアルコールからなる群から選ばれる化合物の少なくとも１種類である、請求項１～６のいずれか１項に記載の研磨用組成物。」 「【００１２】 【発明が解決しようとする課題】本発明は前記の課題を解決するためになされたもので、シリコン半導体ウェーハの鏡面研磨において、Ｈａｚｅレベルおよび表面粗さ改善特性を低下させることなく、ウェーハ表面に付着するパーティクルを低減させることができると同時に、優れた研磨表面を形成させることが可能な研磨用組成物を提供することを目的とするものである。」 「【００１６】 【発明の具体的説明】 ＜研磨材＞本発明の研磨用組成物の成分の中で主研磨材として用いるのに適当な研磨材は、二酸化ケイ素であり、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、沈澱法シリカ、およびその他の、製造法や性状の異なるものが多種存在する。これらのうち、本発明の研磨用組成物に用いる二酸化ケイ素はコロイダルシリカ、フュームドシリカ、または沈澱法シリカであることが好ましい。」 「【００２５】用いる水溶性高分子化合物は、本発明の効果を損なわないものであれば特に限定されないが、一般に、分子量が１００，０００以上、好ましくは１，０００，０００以上、の水溶性基を有する高分子化合物である。ここでいう水溶性基としては、例えば水酸基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、スルホン酸基、およびその他が挙げられる。このような水溶性高分子化合物は、具体的には、セルロース誘導体およびポリビニルアルコールの少なくとも１種類であることが好ましい。また、セルロース誘導体は、カルボキシメチルセルロ－ス、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシエチルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、メチルセルロース、エチルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロース、およびカルボキシメチルエチルセルロースからなる群より選ばれる化合物の少なくとも１種類であることが好ましい。一方、ポリビニルアルコールは、平均重合度が２００～３，０００、けん化度７０～１００％、の水溶性高分子化合物であることが好ましい。これらの水溶性高分子化合物は任意の割合で併用することもできる。」 「【００５５】 【発明の効果】本発明の研磨用組成物は、シリコン半導体ウェーハの鏡面研磨において、Ｈａｚｅレベルおよび表面粗さ改善特性を低下させることなく、ウェーハ表面に付着するパーティクルを低減させることができることは、［発明の概要］の項に前記したとおりである。」 （エ）引用例４ 引用例４には、次の記載がある。 「【請求項１】 下記一般式（１）で表される構成単位（ａ１）、下記一般式（２）で表される構成単位（ａ２）、及び下記一般式（３）で表される構成単位（ａ３）を有し、構成単位（ａ３）の合計が高分子化合物の構成単位中０．００１～１．５モル％である高分子化合物、研磨材及び水系媒体を含有するシリコンウエハ用研磨液組成物。 【化１】 〔式中、Ｒは炭素数１～３のアルキル基であり、Ｘは分子中にカチオン基を有し且つビニルアルコール低級脂肪酸エステルと共重合可能な不飽和化合物に由来する構成単位である。〕 【請求項２】 前記高分子化合物の構成単位中、構成単位（ａ１）、構成単位（ａ２）及び構成単位（ａ３）の合計が５０～１００モル％である請求項１に記載のシリコンウエハ用研磨液組成物。 【請求項３】 構成単位（ａ３）が下記一般式（３－１）で表される化合物及び下記一般式（３－２）で表される化合物から選ばれる化合物に由来するものである請求項１又は２に記載のシリコンウエハ用研磨液組成物。 【化２】 〔式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１～３のアルキル基である。Ｘ１、Ｙは、それぞれ独立して、炭素数１～１２のアルキレン基、－ＣＯＯＲ１２－、－ＣＯＮＨＲ１２－、－ＯＣＯＲ１２－、および－Ｒ１３－ＯＣＯ－Ｒ１２－から選ばれる基である。ここで、Ｒ１２、Ｒ１３は、それぞれ独立して、炭素数１～５のアルキレン基である。Ｒ４は水素原子、炭素数１～３のアルキル基、炭素数１～３のヒドロキシアルキル基、又はＲ１Ｒ２Ｃ＝Ｃ（Ｒ３）－Ｘ１－である。Ｒ５は水素原子、炭素数１～３のアルキル基、又は炭素数１～３のヒドロキシアルキル基であり、Ｒ６は水素原子、炭素数１～３のアルキル基、炭素数１～３のヒドロキシアルキル基、又はベンジル基であり、Ｚ－は陰イオンを示す。Ｒ１０は水素原子、炭素数１～３のアルキル基、炭素数１～３のヒドロキシアルキル基、又はＲ７Ｒ８Ｃ＝Ｃ（Ｒ９）－Ｙ－である。Ｒ１１は水素原子、炭素数１～３のアルキル基、又は炭素数１～３のヒドロキシアルキル基である。〕 【請求項４】 ポリビニルピロリドン、ポリ（Ｎ－アシルアルキレンイミン）及びヒドロキシエチルセルロースから選ばれる少なくとも１種をさらに含有する、請求項１～３のいずれか１項に記載のシリコンウエハ用研磨液組成物。 【請求項５】 非イオン性界面活性剤をさらに含有する、請求項１～４のいずれか１項に記載のシリコンウエハ用研磨液組成物。 【請求項６】 前記研磨材の平均一次粒子径が、５～５０ｎｍである、請求項１～５のいずれか１項に記載のシリコンウエハ用研磨液組成物。 【請求項７】 前記研磨材がコロイダルシリカである、請求項１～６のいずれか１項に記載のシリコンウエハ用研磨液組成物。 【請求項８】 請求項１～７のいずれか１項に記載のシリコンウエハ用研磨液組成物を用いてシリコンウエハを研磨する工程を含む、半導体基板の製造方法。 【請求項９】 請求項１～７のいずれか１項に記載のシリコンウエハ用研磨液組成物を用いてシリコンウエハを研磨する工程を含む、シリコンウエハの研磨方法。」 「【背景技術】 【０００２】 半導体基板の製造に用いられるシリコンウエハの研磨に用いられる研磨液組成物として、シリカ粒子を含有する研磨液組成物が知られている。この種の研磨液組成物においては、シリカ粒子の凝集に起因するシリコンウエハの表面欠陥（ＬＰＤ：Ｌｉｇｈｔ　ｐｏｉｎｔ　ｄｅｆｅｃｔｓ）の発生や、凝集物を除去するために研磨液組成物をろ過する場合のフィルター目詰まりが問題となっている（例えば、特許文献１および特許文献２等参照）。また、研磨速度を向上させる目的で、窒素含有基を含む水溶性高分子化合物を含む研磨液組成物が知られている（特許文献３参照）。」 「【０００７】 特許文献４では、研磨速度の向上及び研磨対象物の表面の濡れ性向上のために、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）を含む研磨液組成物が提案されている。しかし、ＨＥＣを用いるとシリカ粒子の凝集物を生じやすく、研磨液組成物をろ過しても直ちにフィルター目詰まりを起こすため、研磨直前に研磨液組成物をろ過できないという問題がある。」 「【００４８】 （水溶性高分子化合物） 本発明の研磨液組成物は、研磨速度向上の観点から、さらに上記カチオン基を有する高分子化合物以外の水溶性高分子化合物を含有することが好ましい。ここで水溶性高分子化合物とは、重量平均分子量が１０，０００以上、好ましくは１００，０００以上の水溶性基を有する高分子化合物であって、本発明で使用される上記カチオン基を有する高分子化合物以外のものをいう。上記水溶性基としては、例えば水酸基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、スルホン酸基等が挙げられる。このような水溶性高分子化合物としては、ポリビニルピロリドン、ポリ（Ｎ－アシルアルキレンイミン）、セルロース誘導体、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキサイド等が例示できる。ポリ（Ｎ－アシルアルキレンイミン）としては、ポリ（Ｎ－アセチルエチレンイミン）、ポリ（Ｎ－プロピオニルエチレンイミン）、ポリ（Ｎ－カプロイルエチレンイミン）、ポリ（Ｎ－ベンゾイルエチレンイミン）、ポリ（Ｎ－ノナデゾイルエチレンイミン）、ポリ（Ｎ－アセチルプロピレンイミン）、ポリ（Ｎ－ブチオニルエチレンイミン）等があげられる。セルロース誘導体としては、カルボキシメチルセルロ－ス、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシエチルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、メチルセルロース、エチルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロース、およびカルボキシメチルエチルセルロース等が挙げられる。これらの水溶性高分子化合物は任意の割合で２種以上を混合して用いてもよい。 【００４９】 本発明の研磨液組成物に含まれる水溶性高分子化合物としては、研磨速度の向上、シリコンウエハの表面の濡れ性向上、及び研磨された面へのパーティクル付着低減の観点から、ポリビニルピロリドン、ポリ（Ｎ－アシルアルキレンイミン）及びヒドロキシエチルセルロースから選ばれる少なくとも１種が好ましく、ポリビニルピロリドン及びポリ（Ｎ－アシルアルキレンイミン）から選ばれる少なくとも１種がより好ましい。 【００５０】 ポリビニルピロリドンの粘度平均分子量としては、研磨速度の向上、シリコンウエハの表面の濡れ性向上、及び研磨された面へのパーティクル付着低減の観点から、１万～３００万が好ましく、４万～２００万がより好ましく、１０万～１５０万がさらに好ましく、３０万～１５０万がさらにより好ましく、４０万～１５０万がよりいっそう好ましい。ここで粘度平均分子量Ｍｖは、以下の式から計算される値である。固有粘度ηは、ポリビニルピロリドンの濃度に対して（ηｒｅｌ－１）をプロットして得られる切片の値と、ポリビニルピロリドンの濃度に対して（Ｌｎηｒｅｌ）をプロットして得られる切片の値との平均値である。ηｒｅｌは、３０℃における動粘度であり、ＪＩＳ　Ｚ　８８０３の方法に従い、キャノンフェンスケの細管式動粘度計（粘度計番号７５番）を用いて測定される値である。 ［η］＝ＫＭｖa η：固有粘度 Ｍｖ：粘度平均分子量 Ｋ＝１．４×１０-4 ａ＝０．７ 【００５１】 ポリ（Ｎ－アシルアルキレンイミン）の重量平均分子量（ポリスチレン換算）としては、研磨速度の向上、シリコンウエハの表面の濡れ性向上、及び研磨された面へのパーティクル付着低減の観点から、１万～４００万が好ましく、１万～２００万がより好ましく、１万～１５０万がさらに好ましく、１万～１００万がさらにより好ましく、５万～１００万がよりいっそう好ましく、１０万～１００万がさらに好ましい。尚、ポリ（Ｎ－アシルアルキレンイミン）の重量平均分子量の測定方法は、標準物質がポリスチレンであること以外は、カチオン基を有する高分子化合物の重量平均分子量の測定方法と同じである。 【００５２】 ヒドロキシエチルセルロースの重量平均分子量（ポリエチレングリコール換算）としては、研磨速度の向上、シリコンウエハの表面の濡れ性向上、及び研磨された面へのパーティクル付着低減の観点から、３００，０００～４，０００，０００が好ましく、６００，０００～３，０００，０００がより好ましく、９００，０００～２，５００，０００がさらに好ましい。尚、ヒドロキシエチルセルロースの重量平均分子量の測定方法は、標準物質がポリエチレングリコールであること以外は、カチオン基を有する高分子化合物の重量平均分子量の測定方法と同じである。 【００５３】 本実施形態の研磨液組成物における水溶性高分子化合物の含有量は、研磨速度の向上の観点から、好ましくは０．０００１重量％（１重量ｐｐｍ）以上、より好ましくは０．０００５重量％（５重量ｐｐｍ）以上、さらに好ましくは０．００１重量％（１０重量ｐｐｍ）以上であり、さらにより好ましくは０．００２重量％（２０重量ｐｐｍ）以上である。また、シリコンウエハの表面の濡れ性向上の観点から、好ましくは５重量％（５００００重量ｐｐｍ）以下、より好ましくは１重量％（１００００重量ｐｐｍ）以下、さらに好ましくは０．５重量％（５０００重量ｐｐｍ）以下、さらにより好ましくは０．１重量％（１０００重量ｐｐｍ）以下であり、よりいっそう好ましくは０．０５重量％以下（５００重量ｐｐｍ）である。よって、水溶性高分子化合物の含有量は、好ましくは０．０００１～５重量％（１～５００００重量ｐｐｍ）、より好ましくは０．０００５～１重量％（５～１００００重量ｐｐｍ）、さらに好ましくは０．００１～０．５重量％（１０～５０００重量ｐｐｍ）、さらにより好ましくは０．００１～０．１重量％（１０～１０００重量ｐｐｍ）であり、よりいっそう好ましくは０．００２～０．０５重量％（２０～５００重量ｐｐｍ）である。 【００５４】 （塩基性化合物） 本発明の研磨液組成物は、研磨速度向上の観点から、塩基性化合物を含有することが好ましい。塩基性化合物としては、含窒素塩基性化合物、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の、水酸化物、炭酸塩、および炭酸水素塩等が挙げられる。含窒素塩基性化合物としては、アンモニア、水酸化アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ一メチルエタノールアミン、Ｎ－メチル－Ｎ，Ｎ一ジエタノ－ルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジブチルエタノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）エタノ－ルアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、およびトリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ピペラジン・六水和物、無水ピペラジン、１－（２－アミノエチル）ピペラジン、Ｎ－メチルピペラジン、ジエチレントリアミン、および水酸化テトラメチルアンモニウムが挙げられ；アルカリ金属又はアルカリ土類金属の、水酸化物、炭酸塩、および炭酸水素塩としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウムおよび炭酸水素ナトリウムが挙げられる。これらの塩基性化合物は２種以上を混合して用いてもよい。本発明の研磨液組成物に含まれ得る塩基性化合物としては、研磨速度向上の観点から、含窒素塩基性化合物が好ましく、アンモニア、メチルアミンがより好ましい。」 「【００８４】 （１）研磨液組成物の調製 研磨材（コロイダルシリカ）、カチオン基を有する高分子化合物、２８％アンモニア水（キシダ化学（株）試薬特級）、イオン交換水、および必要に応じてその他の高分子化合物又は非イオン性界面活性剤を攪拌混合して、研磨液組成物の濃縮液（ｐＨ１０．０～１１．０（２５℃））を得た。各濃縮液中のアンモニアの含有量は０．４重量％である。下記実施例１～４３で使用したカチオン基を有する高分子化合物１～１１の重合度及び組成は下記表１に示している。」 「【００８７】 （注）表１中の高分子化合物１０～１１において、各高分子化合物の全構成単位中の、構成単位（ａ１）、構成単位（ａ２）および構成単位（ａ３）の合計は１００モル％である。ＲはＣＨ３であり、構成単位（ａ２）の供給源である単量体化合物は酢酸ビニルである。構成単位（ａ３）は、上記一般式（３－１）で表される化合物に由来するものであり、Ｚ－はＣｌ－、Ｘ１は－ＣＯＮＨＲ１２－、Ｒ１２は－（ＣＨ２）３、Ｒ１は－Ｈ、Ｒ２は－Ｈ、Ｒ３は－ＣＨ３、Ｒ４はＨ、Ｒ５はＨ、Ｒ６はＨである。ここで、－ＣＯＮＨＲ１２－のＣＯ側が、Ｒ３が結合した炭素に結合している。 【００８８】 表１中の高分子化合物１～９において、各高分子化合物の全構成単位中の、構成単位（ａ１）、構成単位（ａ２）および構成単位（ａ３）の合計は１００モル％である。ＲはＣＨ３であり、構成単位（ａ２）の供給源である単量体化合物は酢酸ビニルである。構成単位（ａ３）は、上記一般式（３－１）で表される化合物に由来するものであり、Ｚ－はＣｌ－、Ｘ１は－ＣＨ２－、Ｒ１は－Ｈ、Ｒ２は－Ｈ、Ｒ３は－Ｈである。Ｒ４はＲ１Ｒ２Ｃ＝Ｃ（Ｒ３）―Ｘ１―、Ｒ５はＨ、Ｒ６はＨである。 【００８９】 表１に記載の（ａ３）のモル％は下記のカチオン化変性率測定方法により測定した窒素量および塩素濃度を用いて算出した。」 「【００９２】 （２）研磨方法 得られた研磨液組成物を用いて、下記の研磨条件で下記シリコンウエハを１５分間研磨した。 【００９３】 ＜シリコンウエハ＞ ８インチシリコン片面鏡面ウエハ（二段研磨終了後のもの、厚さ０．７ｍｍ）を４ｃｍ×４ｃｍに切断して使用。」 「【０１０１】 【表２】 【０１０２】 【表３】 【０１０３】 （注）表２および表３中の高分子化合物（１）の欄に記載された高分子化合物１～１１の各々は、本発明におけるカチオン基を有する高分子化合物の例であり、高分子化合物（２）は、カチオン基を有する高分子化合物以外の水溶性高分子化合物の例である。表２および表３中の研磨材及び成分＊１～＊９の詳細は下記のとおりである。 シリカ１：平均一次粒子径：２６ｎｍ、平均二次粒子径：５８ｎｍ、会合度：２．２ シリカ２：平均一次粒子径：３８ｎｍ、平均二次粒子径：７８ｎｍ、会合度：２．１ 成分＊１：完全鹸化ポリビニルアルコール、クラレ社製、ＰＶＡ－１２４ 成分＊２：カチオン性ポリビニルアルコール、クラレ社製、ＣＭ－３１８ 成分＊３：ポリエチレンイミン、日本触媒社製、ＳＰ－００６ 成分＊４：ＨＥＣ、住友精化社製、ＣＦ－Ｖ、重量平均分子量１６０万 成分＊５：ポリ（Ｎ－プロピオニルエチレンイミン）、花王社製、重量平均分子量７７万 成分＊６：ポリビニルピロリドン、和光純薬社製、Ｋ９０、粘度平均分子量５９万 成分＊７：ポリオキシエチレンアルキルエーテル（花王社製、エマルゲン３１４０Ｓ－９０、HLB=１９） 成分＊８：ポリオキシエチレンアルキルエーテル（花王社製、エマルゲン３５０、HLB=１８） 成分＊９：ポリオキシエチレンアルキルエーテル（花王社製、エマルゲン４０９ＰＶ、HLB=１４）」 （オ）引用例５ 引用例５には、次の記載がある。 「【請求項１】 ポリビニルピロリドン及びポリＮ－ビニルホルムアミドから選ばれる少なくとも一種類の水溶性高分子と、 アルカリと を含有することを特徴とする研磨用組成物。 【請求項２】 前記水溶性高分子の重量平均分子量が６，０００～４，０００，０００である請求項１に記載の研磨用組成物。 【請求項３】 キレート剤をさらに含有する請求項１又は２に記載の研磨用組成物。 【請求項４】 請求項１～３のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて半導体ウエハの表面を研磨することを特徴とする研磨方法。」 「【０００２】 従来、シリコンウエハ等の半導体ウエハの研磨は予備研磨と仕上げ研磨の少なくとも二段階に分けて行われる。そのうち予備研磨は、更なる高品位化及び効率化を目的としてさらに二段階以上に分けて行われることがある。仕上げ研磨で使用可能な研磨用組成物として、例えば特許文献１に記載の研磨用組成物が知られている。特許文献１の研磨用組成物は、水、コロイダルシリカ、ポリアクリルアミドやシゾフィランのような水溶性高分子、及び塩化カリウムのような水溶性塩類を含有している。」 「【０００４】 本発明の目的は、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物表面における研磨加工に起因するＬＰＤの数を低減することが可能な研磨用組成物及びその研磨用組成物を用いた研磨方法を提供することにある。」 「【００１４】 研磨用組成物に含まれる水溶性高分子の重量平均分子量は６，０００以上であることが好ましい。水溶性高分子の重量平均分子量が大きくなるにつれて、欠陥の発生を抑制するのに十分な親水膜がウエハ表面に形成されやすくなるために、研磨加工に起因するＬＰＤの数はより大きく低減する。この点において、研磨用組成物中の水溶性高分子の重量平均分子量が６，０００以上であれば、研磨加工に起因するＬＰＤの数を大きく低減することができる。 【００１５】 研磨用組成物に含まれる水溶性高分子の重量平均分子量はまた、４，０００，０００以下であることが好ましく、より好ましくは３，０００，０００以下である。水溶性高分子の重量平均分子量が小さくなるにつれて、親水膜によるウエハの研磨速度の低下はより強く抑制される。この点において、研磨用組成物中の水溶性高分子の重量平均分子量が４，０００，０００以下、さらに言えば３，０００，０００以下であれば、親水膜による研磨速度の低下を強く抑制することができる。 【００１６】 本実施形態の研磨用組成物に含まれるアルカリは、例えば、アルカリ金属水酸化物、アンモニア、アミン、第４級アンモニウム塩のいずれであってもよい。これらのアルカリは、ウエハを化学的に研磨する作用を有し、研磨用組成物によるウエハの研磨速度を向上させる働きをする。」 「【００２０】 本実施形態の研磨用組成物に含まれる砥粒は、例えば、コロイダルシリカ及びフュームドシリカのいずれであってもよい。これらの砥粒は、ウエハを機械的に研磨する作用を有し、研磨用組成物によるウエハの研磨速度を向上させる働きをする。 【００２１】 研磨用組成物に含まれる砥粒がコロイダルシリカである場合には、その他の砥粒を用いた場合に比べて、研磨用組成物の安定性が向上し、その結果、研磨後のウエハの表面のスクラッチが低減する。従って、研磨用組成物に含まれる砥粒はコロイダルシリカであることが好ましい。」 「【００２６】 本実施形態によれば以下の利点が得られる。 ・　本実施形態の研磨用組成物は、ポリビニルピロリドン及びポリＮ－ビニルホルムアミドから選ばれる少なくとも一種類の水溶性高分子を含有しており、この水溶性高分子によりウエハ表面に形成される親水膜は、研磨加工に起因するＬＰＤの数を低減する働きをする。そのため、本実施形態の研磨用組成物によれば、研磨用組成物を用いて研磨した後のウエハ表面における研磨加工に起因するＬＰＤの数を低減することができる。」 「【００３０】 水溶性高分子、アルカリ、砥粒及びキレート剤を適宜に水と混合することにより実施例１～５３及び比較例１～２６の研磨用組成物を調製した。各研磨用組成物中の水溶性高分子、アルカリ、砥粒及びキレート剤の詳細は表１に示すとおりである。 【００３１】 表１及び表２の“水溶性高分子”欄中、ＰＶＰ＊１は重量平均分子量が１０，０００であるポリビニルピロリドンを表し、ＰＶＰ＊２は重量平均分子量が３，５００，０００であるポリビニルピロリドンを表し、ＰＶＰ＊３は重量平均分子量が１，６００，０００であるポリビニルピロリドンを表し、ＰＶＰ＊４は重量平均分子量が６７，０００であるポリビニルピロリドンを表し、ＰＮＶＦは重量平均分子量が１００，０００であるポリＮ－ビニルホルムアミドを表し、ＰＶＡは重量平均分子量が６２，０００であるケン化度９５％のポリビニルアルコールを表し、ＰＶＭＥは重量平均分子量が１０，０００であるポリビニルメチルエーテルを表し、ＰＥＧは重量平均分子量が２６，０００であるポリエチレングリコールを表し、ＰＥＯは重量平均分子量が２００，０００であるポリエチレンオキサイドを表し、ＰＰＰは重量平均分子量が９，０００であるポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロック共重合体を表し、ＰＥＩは重量平均分子量が１０，０００であるポリエチレンイミンを表し、ＰＡＡは重量平均分子量が２５，０００であるポリアクリル酸を表し、ＰＡＡ－ＮＨ４は重量平均分子量が２０，０００であるポリアクリル酸アンモニウムを表し、ＰＡＡ－Ｎａは重量平均分子量が２０，０００であるポリアクリル酸ナトリウムを表し、ＰＡＡＭは重量平均分子量が１，０００，０００であるポリアクリルアミドを表し、ＰＳＳ－Ｎａは重量平均分子量が１００，０００であるポリスチレンスルホン酸ナトリウムを表し、ＨＥＣは重量平均分子量が１，０００，０００であるヒドロキシエチルセルロースを表し、ＣＭＣ－Ｎａ＊１は重量平均分子量が１０，０００であるカルボキシメチルセルロースナトリウムを表し、ＣＭＣ－Ｎａ＊２は重量平均分子量が３３０，０００であるカルボキシメチルセルロースナトリウムを表し、ＣＭＣ－Ｎａ＊３は重量平均分子量が９０，０００であるカルボキシメチルセルロースナトリウムを表し、ＣＭＣ－Ｎａ＊４は重量平均分子量が２０，０００であるカルボキシメチルセルロースナトリウムを表す。 【００３２】 表１及び表２の“アルカリ”欄中、ＴＭＡＨは水酸化テトラメチルアンモニウムを表し、ＫＯＨは水酸化カリウムを表し、ＮａＯＨは水酸化ナトリウムを表し、ＮＨ３はアンモニアを表し、ＰＩＺは無水ピペラジンを表し、ＩＭＺはイミダゾールを表す。 【００３３】 表１及び表２の“砥粒”欄中、ＣＳ＊１は平均一次粒子径が３５ｎｍであるコロイダルシリカを表し、ＣＳ＊２は平均一次粒子径が２００ｎｍであるコロイダルシリカを表し、ＣＳ＊３は平均一次粒子径が１５０ｎｍであるコロイダルシリカを表し、ＣＳ＊４は平均一次粒子径が１００ｎｍであるコロイダルシリカを表し、ＣＳ＊５は平均一次粒子径が５５ｎｍであるコロイダルシリカを表し、ＣＳ＊６は平均一次粒子径が１５ｎｍであるコロイダルシリカを表し、ＣＳ＊７は平均一次粒子径が１０ｎｍであるコロイダルシリカを表し、ＣＳ＊８は平均一次粒子径が５ｎｍであるコロイダルシリカを表す。」 「【００３９】 【表１】 【００４０】 【表２】 」 （カ）引用例６ 引用例６には、次の記載がある。 「【特許請求の範囲】 【請求項１】　酢酸ビニル系重合体を製造するに当たり、反応缶中で酢酸ビニル系モノマーを重合した後重合禁止剤を添加して該重合を停止させる際に、反応液中にアルコールを導入することを特徴とする酢酸ビニル系重合体の製造方法。」 「【０００５】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の方法において、重合禁止剤を添加するだけでは後重合を充分に抑制することができず、分子量分布のよりシャープな重合体を得ることは容易ではなかった。又、重合禁止剤の種類や添加条件等により、得られる重合体に着色が生じることがあり、十分な配慮が必要であった。 【０００６】 【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は上記の現況に鑑みて鋭意研究を重ねた結果、酢酸ビニル系重合体を製造するに当たり、反応缶中で酢酸ビニル系モノマーを重合した後重合禁止剤を添加して該重合を停止させる際に、反応液中にアルコールを導入することにより、後重合の禁止効果が大きく、分子量分布がよりシャープな酢酸ビニル系重合体が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。」 「【００２６】 【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。尚、実施例中、「部」、「％」とあるのは、特に断りのない限り重量基準である。 【００２７】実施例１ コンデンサー及び撹拌機を備えた反応缶に、酢酸ビニルモノマー７０００ｋｇ及びメタノール３０００ｋｇを仕込んだ後、撹拌しながら加熱して１時間還流させた後、重合触媒としてアセチルパーオキシド１．５％メタノール溶液１８０ｋｇを添加し、還流下で６時間重合を行った。その後、冷却し還流がおさまったところで、重合禁止剤としてハイドロキノン０．１％メタノール溶液１００ｋｇを反応缶の上部より添加すると同時に、メタノール３８００ｋｇを反応缶の下部より導入し、撹拌し、均一な溶液（酢酸ビニルの重合率９０％、固形分濃度４４．８％）を得た。 【００２８】得られた溶液を蒸留し未反応モノマーを取り除き、固形分濃度４５％に調整した。かかる酢酸ビニル系重合体溶液中のポリ酢酸ビニルの分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ、Ｍｗ：重量平均分子量，Ｍｎ：数平均分子量）をＧＰＣで測定したところ、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．３であった。 【００２９】更に、該酢酸ビニル系重合体溶液（固形分４５％）２０００ｋｇに水酸化ナトリウムの２％メタノール溶液８３ｋｇを加えて４０℃でケン化し、１０５℃で乾燥して、ケン化度９９．１モル％、重合度１１００、４％水溶液とした場合の粘度１３．５ｍＰａ・ｓ（２０℃）のポリビニルアルコールを得た。又、得られたポリビニルアルコールの分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ、Ｍｗ：重量平均分子量、Ｍｎ：数平均分子量）を、再酢化して、ＧＰＣで測定したところ、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．１であった。 【００３０】実施例２ コンデンサー及び撹拌機を備えた反応缶に、酢酸ビニルモノマー８０００ｋｇ及びメタノール２０００ｋｇを仕込んだ後、撹拌しながら加熱して１時間還流させた後、重合触媒としてアセチルパーオキシド１．５％メタノール溶液８７ｋｇを添加し、還流下で６時間重合を行った。その後、冷却し還流がおさまったところで、重合禁止剤としてハイドロキノン０．１％メタノール溶液８０ｋｇを反応缶の上部より添加すると同時に、メタノール５２００ｋｇを反応缶の下部より導入し、撹拌し、均一な溶液（酢酸ビニルの重合率８０％、固形分濃度４１．７％）を得た。 【００３１】得られた溶液を蒸留し未反応モノマーを取り除き、固形分濃度４５％に調整した。かかる酢酸ビニル系重合体溶液中のポリ酢酸ビニルの分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ、Ｍｗ：重量平均分子量，Ｍｎ：数平均分子量）をＧＰＣで測定したところ、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．３であった。 【００３２】更に、該酢酸ビニル系重合体溶液（固形分４５％）２０００ｋｇに水酸化ナトリウムの２％メタノール溶液５６ｋｇを加えて３５℃でケン化し、１０５℃で乾燥して、ケン化度８７モル％、重合度１４００、４％水溶液とした場合の粘度２２ｍＰａ・ｓ（２０℃）のポリビニルアルコールを得た。又、得られたポリビニルアルコールの分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ、Ｍｗ：重量平均分子量、Ｍｎ：数平均分子量）を、再酢化して、ＧＰＣで測定したところ、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．１であった。 【００３３】実施例３ コンデンサー及び撹拌機を備えた反応缶に、酢酸ビニルモノマー６０００ｋｇ及びメタノール７５０ｋｇを仕込んだ後、撹拌しながら加熱して１時間還流させた後、重合触媒としてアセチルパーオキシド１．５％メタノール溶液１６ｋｇを添加し、還流下で６時間重合を行った。その後、冷却し還流がおさまったところで、重合禁止剤としてハイドロキノン０．１％メタノール溶液８０ｋｇを反応缶の上部より添加すると同時に、メタノール４９７０ｋｇを反応缶の下部より導入し、撹拌し、均一な溶液（酢酸ビニルの重合率６５％、固形分濃度３３％）を得た。 【００３４】得られた溶液を蒸留し未反応モノマーを取り除き、固形分濃度３２％に調整した。かかる酢酸ビニル系重合体溶液中のポリ酢酸ビニルの分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ、Ｍｗ：重量平均分子量、Ｍｎ：数平均分子量）をＧＰＣで測定したところ、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．２であった。 【００３５】更に、該酢酸ビニル系重合体溶液（固形分４５％）２０００ｋｇに水酸化ナトリウムの２％メタノール溶液２８ｋｇを加えて４０℃でケン化し、１０５℃で乾燥して、ケン化度８７モル％、重合度２２００、４％水溶液とした場合の粘度５２ｍＰａ・ｓ（２０℃）のポリビニルアルコールを得た。又、得られたポリビニルアルコールの分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ、Ｍｗ：重量平均分子量，Ｍｎ：数平均分子量）を、再酢化して、ＧＰＣで測定したところ、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．１であった。 【００３６】比較例１ 実施例１において、重合終了後に重合禁止剤とメタノールを共に反応缶の上部より投入した以外は同様に行った（酢酸ビニルの重合率９３％、固形分濃度４６．２％）。 【００３７】得られた溶液を蒸留し未反応モノマーを取り除き、固形分濃度４５％に調整した。かかる酢酸ビニル系重合体溶液中のポリ酢酸ビニルの分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ、Ｍｗ：重量平均分子量、Ｍｎ：数平均分子量）をＧＰＣで測定したところ、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．６であった。 【００３８】更に、該酢酸ビニル系重合体溶液（固形分４５％）２０００ｋｇに水酸化ナトリウムの２％メタノール溶液８３ｋｇを加えて４０℃でケン化し、１０５℃で乾燥して、ケン化度９９．２モル％、重合度１０５０、４％水溶液とした場合の粘度１２．２ｍＰａ・ｓ（２０℃）のポリビニルアルコールを得た。又、得られたポリビニルアルコールの分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ、Ｍｗ：重量平均分子量，Ｍｎ：数平均分子量）を、再酢化して、ＧＰＣで測定したところ、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．５であった。」 （キ）引用例７ 引用例７には、次の記載がある。 「【請求項１】 ビニルエステル系単量体を重合させることによりポリビニルエステルを製造する方法であって、可視光または紫外光照射下、 （Ａ）遷移金属錯体； （Ｂ）有機ヨウ素化物；および （Ｃ）ルイス塩基； からなるリビングラジカル重合開始剤系の存在下で、ビニルエステル系単量体（Ｄ）を重合させ、ポリビニルエステルを得る、前記方法。 【請求項２】 請求項１に記載の方法によって得られたポリビニルエステルを鹸化する、ポリビニルアルコールを製造する方法。 【請求項３】 得られる重合体の重量平均分子量Ｍｗと数平均分子量Ｍｎとの比Ｍｗ／Ｍｎが１．０５～１．９０の範囲内にある、請求項１または２に記載の方法。」 「【背景技術】 【０００２】 ラジカル重合を用いたビニル系重合体の製造は、ポリ酢酸ビニル等の各種重合体の製造方法として、古くから工業的規模で実施されている。従来の製造方法による場合、一連のラジカル重合反応における生長ラジカルは、再結合、不均化等の停止反応や連鎖移動等の副反応により不活性化してしまうため、得られるビニル系重合体はその分子量分布が広く、また、重合体の分子量制御、重合体の分子末端の制御、ブロックポリマーの合成等は困難であった。」 「【発明が解決しようとする課題】 【００１２】 本発明の目的は、従来の技術的課題を解決し、ポリビニルエステルの一次構造を精密に制御しながら、すなわち、その分子量および分子量分布を精密に制御しながら工業的に容易にポリビニルエステルおよびポリビニルアルコールを製造する方法を提供することにある。」 「【００３５】 本発明の製造方法により得られるポリビニルエステルの分子量は、小さすぎると重合体としての機能が発現しにくく、大きすぎると取扱いが困難になるので、５００～５０００００（数平均分子量）が好ましく、１０００～２０００００（数平均分子量）がより好ましい。ここで、ポリビニルエステルの分子量の調整は、上記リビングラジカル重合開始剤系に含有される成分（Ｂ）の有機ヨウ素化物の濃度を調整することにより行うことができる。具体的には、有機ヨウ素化物の濃度を増大させることにより、ポリビニルエステルの分子量を小さくすることができ、逆に、有機ヨウ素化物の濃度を低下させることにより、ポリビニルエステルの分子量を大きくすることができる。」 「【００４８】 実施例１ 溶媒を用いずに、（ペンタカルボニルマンガン）ダイマー（Aldrich社製）が２４ｍｍｏｌ／ｌ、ヨード酢酸エチル（Aldrich社製）が４８ｍｍｏｌ／ｌ、トリ（ｎ－ブチル）アミン（和光純薬工業（株）製）が２４ｍｍｏｌ／ｌ、酢酸ビニルモノマー（和光純薬工業（株）製）が９．６ｍｏｌ／ｌ、ｎ－オクタン（内部標準；和光純薬工業（株）製）が０．３１ｍｏｌ／ｌになるように均一に混合して重合反応液を調製し、その重合反応溶液を０．６ｍｌずつ３本の試験管に分注・溶封し、可視光照射下、４０℃に加温して重合を開始させた。それぞれ２０分、４０分および８０分間反応させた後、重合溶液を－７８℃に冷却して重合を停止させた。 【００４９】 得られた反応液中の酢酸ビニルモノマーを、ｎ－オクタンを内部標準としてガスクロマトグラフィーにより分析したところ、酢酸ビニルの重合率は、それぞれ２６％、６６％および９１％であった。また、得られた反応溶液をアニソールで希釈した後、ｎ－へキサン中に投入して重合体を沈殿させ、ｎ－へキサンで数回洗浄した後、室温で減圧乾燥することによりポリ酢酸ビニルを得た。得られたポリ酢酸ビニルの分子量および分子量分布をゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーにより測定したところ、Ｍｎはそれぞれ、６７００、１３１００および１６９００、Ｍｗ／Ｍｎはそれぞれ１．２２、１．６８および１．８２であった。 【００５０】 実施例２ 可視光照射下、溶媒に１，３－ビス（ヘキサフルオロ－２－ヒドロキシイソプロピル）ベンゼンを用い、（ペンタカルボニルマンガン）ダイマーが１３ｍｍｏｌ／ｌ、ヨード酢酸エチルが２６ｍｍｏｌ／ｌ、トリ（ｎ－ブチル）アミンが１３ｍｍｏｌ／ｌ、酢酸ビニルモノマーが５．１ｍｏｌ／ｌ、ｎ－オクタンが０．１５ｍｏｌ／ｌになるように均一に混合して重合反応液を調製し、その重合反応溶液を０．６ｍｌずつ３本の試験管に分注・溶封し、４０℃に加温して重合を開始させた。それぞれ２０分、４０分および１００分間反応させた後、重合溶液を－７８℃に冷却して重合を停止させた。 【００５１】 得られた反応液中の酢酸ビニルモノマーを、ｎ－オクタンを内部標準としてガスクロマトグラフィーにより分析したところ、酢酸ビニルの重合率は、それぞれ５７％、７１％および８７％であった。また、得られた反応溶液をアニソールで希釈した後、ｎ－へキサン中に投入して重合体を沈殿させ、ｎ－へキサンで数回洗浄した後、室温で減圧乾燥することによりポリ酢酸ビニルを得た。得られたポリ酢酸ビニルの分子量および分子量分布をゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーにより測定したところ、Ｍｎはそれぞれ１４５００、１７２００および２１６００、Ｍｗ／Ｍｎはそれぞれ１．６６、１．７５および１．７９であった。 【００５２】 実施例３ 溶媒を用いずに、（ペンタカルボニルマンガン）ダイマー（Aldrich社製）が１２ｍｍｏｌ／ｌ、ヨード酢酸エチル（Aldrich社製）が４８ｍｍｏｌ／ｌ、トリ（ｎ－ブチル）アミン（和光純薬工業（株）製）が１２ｍｍｏｌ／ｌ、酢酸ビニルモノマー（和光純薬工業社製）が９．７ｍｏｌ／ｌ、ｎ－オクタン（内部標準；和光純薬工業（株）製）が０．３１ｍｏｌ／ｌになるように均一に混合して重合反応液を調製し、その重合反応溶液を０．６ｍｌずつ３本の試験管に分注・溶封し、可視光照射下、４０℃に加温して重合を開始させた。それぞれ２０分、４０分および１００分間反応させた後、重合溶液を－７８℃に冷却して重合を停止させた。 【００５３】 得られた反応液中の酢酸ビニルモノマーを、ｎ－オクタンを内部標準としてガスクロマトグラフィーにより分析したところ、酢酸ビニルの重合率はそれぞれ、２８％、５７％および９２％であった。また、得られた反応溶液をアニソールで希釈した後、ｎ－へキサン中に投入して重合体を沈殿させ、ｎ－へキサンで数回洗浄した後、室温で減圧乾燥することによりポリ酢酸ビニルを得た。得られたポリ酢酸ビニルの分子量および分子量分布をゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーにより測定したところ、Ｍｎはそれぞれ、５８００、９８００および１６５００、Ｍｗ／Ｍｎはそれぞれ１．２９、１．３５および１．７５であった。 【００５４】 比較例１ 溶媒を用いずに、（ペンタカルボニルマンガン）ダイマーが２４ｍｍｏｌ／ｌ、ヨード酢酸エチル（Aldrich社製）が４８ｍｍｏｌ／ｌ、トリ（ｎ－ブチル）アミンが２４ｍｍｏｌ／ｌ、酢酸ビニルモノマーが９．６ｍｏｌ／ｌ、ｎ－オクタンが０．３１ｍｏｌ／ｌになるように均一に混合して重合反応液を調製し、その重合反応溶液を０．６ｍｌずつ２本の試験管に分注・溶封し、遮光下、４０℃に加温して重合を開始させた。それぞれ２４時間および９６時間反応させた後、重合溶液を－７８℃に冷却して重合を停止させた。得られた反応液中の酢酸ビニルモノマーを、ｎ－オクタンを内部標準としてガスクロマトグラフィーにより分析したところ、酢酸ビニルの重合率は、それぞれ３％および５％であった。 【００５５】 比較例２ 溶媒を用いずに、ヨード酢酸エチル（Aldrich社製）が４８ｍｍｏｌ／ｌ、トリ（ｎ－ブチル）アミンが２４ｍｍｏｌ／ｌ、酢酸ビニルモノマーが９．６ｍｏｌ／ｌ、ｎ－オクタンが０．３１ｍｏｌ／ｌになるように均一に混合して、試験管に移した後に溶封し、可視光照射下、４０℃に加温した。９６時間後、溶液を－７８℃に冷却し、得られた反応液中の酢酸ビニルモノマーを、ｎ－オクタンを内部標準としてガスクロマトグラフィーにより分析したところ、重合は全く進行していなかった。 【００５６】 比較例３ 溶媒を用いずに、（ペンタカルボニルマンガン）ダイマーが２４ｍｍｏｌ／ｌ、トリ（ｎ－ブチル）アミンが２４ｍｍｏｌ／ｌ、酢酸ビニルモノマーが９．６ｍｏｌ／ｌ、ｎ－オクタンが０．３１ｍｏｌ／ｌになるように均一に混合して、試験管に移した後に溶封し、可視光照射下、４０℃に加温した。９６時間後、溶液を－７８℃に冷却し、得られた反応液中の酢酸ビニルモノマーを、ｎ－オクタンを内部標準としてガスクロマトグラフィーにより分析したところ、重合は全く進行していなかった。 【００５７】 比較例４ 溶媒を用いずに、（ペンタカルボニルマンガン）ダイマーが２４ｍｍｏｌ／ｌ、ヨード酢酸エチル（Aldrich社製）が４８ｍｍｏｌ／ｌ、酢酸ビニルモノマーが９．６ｍｏｌ／ｌ、ｎ－オクタンが０．３１ｍｏｌ／ｌになるように均一に混合して重合反応液を調製し、その重合反応溶液を０．６ｍｌずつ２本の試験管に分注・溶封し、可視光照射下、４０℃に加温して重合を開始させた。それぞれ１００分および２００分間反応させた後、重合溶液を－７８℃に冷却して重合を停止させた。得られた反応液中の酢酸ビニルモノマーを、ｎ－オクタンを内部標準としてガスクロマトグラフィーにより分析したところ、酢酸ビニルの重合率は、それぞれ７０％および９３％であった。また、得られた反応溶液をアニソールで希釈した後、ｎ－ヘキサン中に投入して重合体を沈殿させ、ｎ－ヘキサンで数回洗浄した後、室温で減圧乾燥することによりポリ酢酸ビニルを得た。得られたポリ酢酸ビニルの分子量および分子量分布をゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーにより測定したところ、Ｍｎはそれぞれ１０９００および１５７００、Ｍｗ／Ｍｎはそれぞれ２．１６および１．９５であった。 【００５８】 実施例１～３と比較例１～４との比較から分かるように、光を遮断した比較例１の場合は重合が非常に遅くなり、リビングラジカル重合開始剤系のうち、成分（Ａ）の遷移金属錯体を欠いている比較例２の場合には、全く重合反応が起こらなかった。また、リビングラジカル重合開始剤系のうち、成分（Ｂ）の有機ヨウ素化物を欠いている比較例３の場合にも、全く重合反応が起こらなかった。リビングラジカル重合開始剤系のうち、成分（Ｃ）のルイス塩基を欠いている比較例４の場合には、重合速度が遅く、分子量分布も広くなった。」 （ク）引用例８ 引用例８には、次の記載がある。 「[請求項１] セルロース系バイオマスを原料とした加水分解性セルロースの製造に用いられるポリビニルアルコール系重合体であって、 平均重合度が２００以上５，０００以下、 ケン化度が７０モル％以上９９．９モル％以下、 分子量分布が２．２以上であることを特徴とするポリビニルアルコール系重合体。」 「[0028]　本発明のＰＶＡ系重合体は、セルロース系バイオマスを原料とした加水分解性セルロースの製造に用いられるものである。具体的には、後に詳述するように、ＰＶＡ系重合体の水溶液と、セルロース系バイオマスとを混合して混合物とし、この混合物を練り混ぜることなどにより剪断力を付加し、セルロース系バイオマスを分子レベル（準結晶構造レベル）で細かく分断するために用いることができる。この際、当該ＰＶＡ系重合体の水溶液を用いることで上記混合物の粘性を好適な状態に保つことができる。その結果、当該ＰＶＡ系重合体によれば、混合物の混練等の際、粘り気のある水溶液によってセルロースポリマー鎖を容易に引き剥がし、また、準結晶構造を有するポリマー鎖の内部に水及びポリビニルアルコール系重合体が効率的に進入することでポリマー鎖間の水素結合を弱めていくことができる。さらには、このように引き裂かれたポリマー鎖間にポリビニルアルコール系重合体が進入することで、この構造の再結晶化を防ぐことができる。なお、このように分子レベルで分断されたセルロースは、加水分解酵素等によって容易に分解される。 [0029]　当該ＰＶＡ系重合体の平均重合度は、２００以上５，０００以下であり、６００以上４，０００以下が好ましく、１，０００以上３，７００以下がより好ましく、１，８００以上３，５００以下がさらに好ましく、２，０００以上３，０００以下が特に好ましい。当該ＰＶＡ系重合体の平均重合度を上記範囲とすることで、このＰＶＡ系重合体を水溶液として用い、セルロース系バイオマスと混合した際に、好適な粘性で効率よく、かつ均一に混ぜ合わせることができ、その結果、セルロースポリマー鎖を効率的に分断し、加水分解を容易に行うことができる状態とすることができる。また、このように平均重合度の高いＰＶＡ系重合体を用いることで、少ない量のホウ酸等でゲル化させることができる。 [0030]　当該ＰＶＡ系重合体の平均重合度が２００未満の場合は、分子量が小さすぎるため、ある程度濃度を調整しても十分な粘性を水溶液に付与することができず、混練の際にセルロースポリマー鎖同士を物理的に引き離す力が弱くなる。逆に、この平均重合度が５，０００を超えると粘性が高すぎて分断工程における作業性やハンドリング性が低下すると共に、分子量が大きすぎることでセルロースポリマー鎖間に進入し難くなり、水素結合を弱める作用が低下するおそれがある。」 「[0033]　当該ＰＶＡ系重合体の分子量分布の下限は２．２であり、２．２５が好ましい。一方、この分子量分布の上限は、特に限定されないが、５が好ましく、４がより好ましく、３．５がさらに好ましく、３が特に好ましい。当該ＰＶＡ系重合体の分子量分布を上記範囲とすることで、このＰＶＡ系重合体を水溶液として用い、セルロース系バイオマスと混合した際に、好適な粘性で効率よく、かつ均一に混ぜ合わせることができると共に、様々なサイズを有するセルロースの準結晶構造の隙間に効果的に進入することができ、その結果、セルロースポリマー鎖を効果的に分断し、加水分解を容易に行うことができる状態とすることができる。 [0034]　当該ＰＶＡ系重合体の分子量分布が上記下限未満の場合は、分子量のバラツキが小さく様々なサイズの準結晶構造の隙間に対応して進入することができず、水素結合を弱める機能が十分に発揮されないおそれがある。逆に、ＰＶＡ系重合体の分子量分布が上記上限を超える場合も、分子量のバラツキが大きすぎるため、準結晶構造の隙間に対応せず、進入できないＰＶＡ系重合体の割合が高まり、セルロースポリマー鎖間の水素結合を弱める機能が十分に発揮されないおそれがある。」 「[0075]　［調製例１］（ＰＶＡ８） ５０質量部のＰＶＡ－２１７（株式会社クラレ製）と５０質量部のＰＶＡ－２０５（株式会社クラレ製）とを混合してＰＶＡ８を得た。このＰＶＡ８の平均重合度は１，０９０、ケン化度は８８．２モル％、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．８５であった。 [0076]　［比較合成例１～３］（ＰＶＡ９～１１） 重合条件及びケン化条件を変えた以外はＰＶＡ１と同様にしてＰＶＡ９～１１を得た。これらの平均重合度、ケン化度及び分子量分布は以下の表１に示す。 [0077]　また、株式会社クラレ製のＰＶＡ系重合体であるＰＶＡ－２１７及びＰＶＡ－２０５についての平均重合度、ケン化度及び分子量分布を併せて以下の表１に示す。 [0078][表１] 」 （ケ）引用例９ 引用例９には、次の記載がある。 「実施例１ ＰＶＡ２１７（（株）クラレ製ＰＶＡで重合度１７５０，鹸化度８８モル％）」（３頁左上欄１１～１３行） 「実施例５ ＰＶＡ２０５（（株）クラレ製ＰＶＡで重合度５５０，鹸化度８８モル％）」（４頁左下欄１２～１４行） （コ）引用例１０ 引用例１０には、次の記載がある。 「【請求項１】　水性媒体中ラジカル形成化合物としてジメチル－２，２’－アゾビスイソブチレートの存在下で、ラジカルにより開始される溶液重合によりビニルピロリドンモノマーからポリビニルピロリドンを製造する方法において、原料のビニルピロリドンモノマー中の塩基性不純物を吸着剤で除去したビニルピロリドンモノマーを使用することを特徴とするポリビニルピロリドンの製造方法。」 「【０００６】 【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようとする課題は、ラジカル形成剤として分解生成物も安全なジメチル－２，２’－アゾビスイソブチレートを使用し、高分子量で分子量分布の狭い、電子材料や化粧品等にも使用できる不純物の少ないポリビニルピロリドンの製造方法を提供することである。」 「【００３０】 【表１】 【００３１】表１に示した結果から明らかなように、吸着剤で処理したビニルピロリドンモノマーを使用してジメチル－２，２’－アゾビスイソブチレートの存在下で重合させることにより、残存モノマーが低く、高分子量で、分子量分布がシャープなポリビニルピロリドンを得ることがでた。」 イ　引用発明の認定 （ア）引用例１に記載された発明（引用発明１） 引用例１には、その請求項１の記載からみて、二酸化ケイ素がコロイダルシリカである場合に着目すれば、 「半導体ウエハの表面を精密研磨する際に使用される研磨用組成物であって、二酸化ケイ素、アルカリ化合物、水溶性高分子化合物及び水を含有し、前記二酸化ケイ素は、ＢＥＴ法で測定される比表面積から求められる平均一次粒子径が５～３０ｎｍであるとともにレーザー散乱法で測定される平均二次粒子径が５～１２０ｎｍであるコロイダルシリカである研磨用組成物。」（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。 （イ）引用例２に記載された発明（引用発明２） 引用例２には、【０００８】から、半導体ウエハの仕上げ研磨で使用される、研磨用組成物について、【００２２】の砥粒がコロイダルシリカであるものに着目すると、請求項１を引用する請求項３の記載からみて、 「研磨用組成物中のナトリウムイオン及び酢酸イオンのいずれか一方の濃度が１０ｐｐｂ以下であって、水溶性高分子とアルカリとコロイダルシリカである砥粒とを含有する半導体ウエハの仕上げ研磨で使用される研磨用組成物。」（以下、「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。 （ウ）引用例３に記載された発明（引用発明３） 引用例３には、その請求項１を引用する請求項２のうち、「二酸化ケイ素が、コロイダルシリカ」であるものに着目し、【００１２】から、該請求項２の「シリコン半導体ウェーハの研磨用組成物」は、シリコン半導体ウェーハを鏡面研磨する用途に用いられるものであるといえ、さらに、【００１６】の「二酸化ケイ素」が「研磨材」であるという記載を参照すると、引用例３には、 「下記の（ａ）～（ｅ）を含んでなる、シリコン半導体ウェーハを鏡面研磨する用途に用いられるシリコン半導体ウェーハの研磨用組成物。 （ａ）コロイダルシリカである二酸化ケイ素である研磨材、（ｂ）水、（ｃ）水溶性高分子化合物、（ｄ）塩基性化合物、および（ｅ）アルコール性水酸基を１～１０個有する化合物。」（以下、「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。 （エ）引用例４に記載された発明（引用発明４） 引用例４において、請求項１を引用する請求項７の記載と、【００５４】の「本発明の研磨液組成物は、研磨速度向上の観点から、塩基性化合物を含有することが好ましい。」及び【００９２】～【００９３】の「（２）研磨方法・・・得られた研磨液組成物を用いて、下記の研磨条件で下記シリコンウエハを１５分間研磨した。・・・ ＜シリコンウエハ＞・・・８インチシリコン片面鏡面ウエハ（二段研磨終了後のもの、厚さ０．７ｍｍ）を４ｃｍ×４ｃｍに切断して使用。」という記載から、引用例４には、 「下記一般式（１）で表される構成単位（ａ１）、下記一般式（２）で表される構成単位（ａ２）、及び下記一般式（３）で表される構成単位（ａ３）を有し、構成単位（ａ３）の合計が高分子化合物の構成単位中０．００１～１．５モル％である高分子化合物（【００３０】から、以下、単に、「カチオン基を有する高分子化合物」という。）、コロイダルシリカである研磨材、塩基性化合物及び水系媒体を含有する、二段研磨終了後のシリコンウエハを研磨するシリコンウエハ用研磨液組成物。 【化１】 〔式中、Ｒは炭素数１～３のアルキル基であり、Ｘは分子中にカチオン基を有し且つビニルアルコール低級脂肪酸エステルと共重合可能な不飽和化合物に由来する構成単位である。〕」（以下、「引用発明４」という。）が記載されていると認められる。 （オ）引用例５に記載された発明（引用発明５） 引用例５には、請求項４の「請求項１～３のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて半導体ウエハの表面を研磨する」という記載からみて、請求項１の「研磨用組成物」は、半導体ウエハの表面を研磨する用途に用いられるものであるといえる。 また、【０００４】から、該研磨用組成物は、「研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物表面における研磨加工に起因するＬＰＤの数を低減することが可能な」ものといえる。 そして、【００２０】の「本実施形態の研磨用組成物に含まれる砥粒は、例えば、コロイダルシリカ及びフュームドシリカのいずれであってもよい。」という記載からみて、請求項１の「研磨用組成物」には、コロイダルシリカの砥粒が含まれるといえる。 そうすると、引用例５には、 「ポリビニルピロリドン及びポリＮ－ビニルホルムアミドから選ばれる少なくとも一種類の水溶性高分子と、 アルカリと、 コロイダルシリカの砥粒と、 を含有する半導体ウエハの表面を研磨する用途に用いられる、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物表面における研磨加工に起因するＬＰＤの数を低減することが可能な研磨用組成物。」（以下、「引用発明５」という。）が記載されていると認められる。 ウ　本件発明と引用発明との対比・判断 （ア）本件請求項１に係る発明（以下、「本件発明１」などという。）について ａ　引用発明１を主引用発明とした場合 本件発明１と引用発明１とを対比する。 本件発明１の「セルロース誘導体、ポリビニルアルコール、ポリビニルアルコール構造を有する重合体（但し、ポリビニルアルコールの場合を除く）、オキシエチレン構造とオキシプロピレン構造とを含む共重合体、及び側鎖官能基に窒素原子を有する重合体から選ばれる少なくとも１種である水溶性高分子」と引用発明１の「水溶性高分子」とは、「水溶性高分子」である点で共通する。 また、引用例１には、「半導体ウエハの製造プロセスにおいてインゴットからポリッシュドウエハが作製されるまでのウエハ加工には、スライス工程、ベベル工程、ラップ工程、エッチ工程、エッヂポリッシュ工程及びポリッシュ工程が具備されている。・・・続くポリッシュ工程ではウエハ表面が精密研磨される。」（【００１９】）、「上記の研磨用組成物は、この一連の工程のうちポリッシュ工程において使用されるものである。」（【００２０】）と記載されていることから、引用発明１の「半導体ウエハの表面を精密研磨する際に使用される研磨用組成物」は、半導体ウエハの表面を最終研磨する際に使用される研磨用組成物といえることから、本件発明１の「シリコン基板を最終研磨する用途に用いられる研磨用組成物」に相当する。 そして、引用発明１の「アルカリ化合物」は、本件発明１の「塩基性化合物」に相当し、引用発明１の「ＢＥＴ法で測定される比表面積から求められる平均一次粒子径が５～３０ｎｍであるとともにレーザー散乱法で測定される平均二次粒子径が５～１２０ｎｍであるコロイダルシリカである」「二酸化ケイ素」は、本件発明１の「砥粒としてコロイダルシリカ」に相当する。 そうすると、本件発明１と引用発明１とは、 「水溶性高分子、砥粒としてコロイダルシリカ、及び塩基性化合物を含有する、 シリコン基板を最終研磨する用途に用いられる研磨用組成物。」である点で一致し、次の点で相違する。 （相違点１－１） 水溶性高分子について、本件発明１は、「セルロース誘導体、ポリビニルアルコール、ポリビニルアルコール構造を有する重合体（但し、ポリビニルアルコールの場合を除く）、オキシエチレン構造とオキシプロピレン構造とを含む共重合体、及び側鎖官能基に窒素原子を有する重合体から選ばれる少なくとも１種であ」って、「前記セルロース誘導体は、重量平均分子量が１００００００以下であり、かつ重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布が５．０未満であり、前記ポリビニルアルコール及びポリビニルアルコール構造を有する重合体（但し、ポリビニルアルコールの場合を除く）から選ばれる少なくとも一種は、重量平均分子量が１０００００以下であり、かつ重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布が３．０以下であり、前記オキシエチレン構造とオキシプロピレン構造とを含む共重合体は、重量平均分子量が２５００００以下であり、かつ重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布が２．０以下であり、前記側鎖官能基に窒素原子を有する重合体は、重量平均分子量が２０００００以下であり、かつ重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布が３．５以下であること」（以下、この重量平均分子量及び分子量分布についての規定を、「本件発明の水溶性高分子の重量平均分子量及び分子量分布」ということもある。また、「重量平均分子量（Ｍｗ）」は、単に、「重量平均分子量」又は「Ｍｗ」、「数平均分子量（Ｍｎ）」は、単に、「数平均分子量」又は「Ｍｎ」、「重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布」は、単に、「分子量分布」ということがある。）であるのに対し、引用発明１はこのような規定はされていない点。 ここで、上記相違点１－１について検討する。 引用例１には、引用発明１の「水溶性高分子化合物」について、「ヒドロキシエチルセルロース、ポリビニルアルコール又はポリエチレンオキサイドが好ましく、その中でもヒドロキシエチルセルロースがより好ましい。」（【００１５】）と記載されている。 また、引用例１には、「本実施形態の研磨用組成物に含まれる水溶性高分子化合物の平均分子量を、ヒドロキシエチルセルロースなら３００，０００以上、ポリビニルアルコールなら１，０００以上、ポリエチレンオキサイドなら２０，０００以上とすれば、半導体ウエハ表面のヘイズレベルを顕著に低減する本実施形態の研磨用組成物の効果が、前記平均分子量が過小なことに起因して低下するのを防止することができる。」（【００３０】）、「本実施形態の研磨用組成物に含まれる水溶性高分子化合物の平均分子量を、ヒドロキシエチルセルロースなら３，０００，０００以下、ポリビニルアルコールなら１，０００，０００以下、ポリエチレンオキサイドなら５０，０００，０００以下とすれば、該平均分子量が過大なことに起因して研磨用組成物の粘度が過度に増大するのを防止することができる。」（【００３３】）等の記載があり、「水溶性高分子化合物」の「平均分子量」についての記載は認められるものの、その分子量分布についての記載は見当たらない。 そして、引用例１に記載された上記「ヒドロキシエチルセルロース」及び「ポリビニルアルコール」が、本件発明１の「セルロース誘導体」及び「ポリビニルアルコール」にそれぞれ相当し、引用発明１の「平均分子量」と、本件発明１の「重量平均分子量」との関係は判然としないものの、仮に、本件発明１の「セルロース誘導体」及び「ポリビニルアルコール」と、引用例１の上記「ヒドロキシエチルセルロース」及び「ポリビニルアルコール」とに「重量平均分子量」について重複するものがあるとしても、引用例１の記載からは、引用例１の「ヒドロキシエチルセルロース」及び「ポリビニルアルコール」の分子量分布は不明というほかない。 一方、引用例６の比較例１、引用例７の比較例４、引用例８の実施例７等に、「本件発明の水溶性高分子の重量平均分子量及び分子量分布」を有する「ポリビニルアルコール」が示されているとしても、いずれの「ポリビニルアルコール」も、引用発明１のような半導体ウエハの表面を精密研磨の際の研磨用組成物において用いられるものではなく、引用例１の上記「ポリビニルアルコール」と、上記引用例６の比較例１、引用例７の比較例４、引用例８の実施例７等に記載された「ポリビニルアルコール」との関連は見出すことができない。 そうすると、引用例６～８に基いて、引用例１の上記「ポリビニルアルコール」の分子量分布が、「本件発明の水溶性高分子の重量平均分子量及び分子量分布」に係る分子量分布のものであるということはできない。 また、引用例１の上記「ポリビニルアルコール」の分子量分布が、「本件発明の水溶性高分子の重量平均分子量及び分子量分布」に係る分子量分布のものであるという技術常識も見当たらない。 そうすると、上記相違点１－１は、実質的な相違点であり、本件発明１は、引用発明１と同一であるということはできない。 そして、引用例６の比較例１、引用例７の比較例４、引用例８の実施例７等に開示された、「本件発明の重量平均分子量及び分子量分布」を有する「ポリビニルアルコール」が、本件の出願前に公知だからといって、引用発明１の「水溶性高分子化合物」や引用例１に記載された上記「ヒドロキシエチルセルロース」及び「ポリビニルアルコール」について、「本件発明の水溶性高分子の重量平均分子量及び分子量分布」のものとする、動機付けは見当たらない。 そして、本件発明１は、上記相違点１－１に係る発明特定事項を備えることで、本件明細書の【０００４】、【００１２】、【００１６】等に記載されるように、シリコン基板の最終研磨後の表面のＬＰＤ（Light Point Defect）と呼ばれる表面欠陥を低減することが容易になるという、引用発明１からは当業者が予測し得ない格別顕著な作用効果を奏するものであるから、本件発明１を引用発明１に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである、ということはできない。 ｂ　引用発明２を主引用発明とした場合 本件発明１と引用発明２とを対比する。 本件発明１の「セルロース誘導体、ポリビニルアルコール、ポリビニルアルコール構造を有する重合体（但し、ポリビニルアルコールの場合を除く）、オキシエチレン構造とオキシプロピレン構造とを含む共重合体、及び側鎖官能基に窒素原子を有する重合体から選ばれる少なくとも１種である水溶性高分子」と引用発明２の「水溶性高分子」とは、「水溶性高分子」である点で共通する。 また、引用発明２の「半導体ウエハの仕上げ研磨で使用される研磨用組成物」は、半導体ウエハの表面を最終研磨する際に使用される研磨用組成物といえることから、本件発明１の「シリコン基板を最終研磨する用途に用いられる研磨用組成物」に相当する。 そして、引用発明２の「アルカリ」は、本件発明１の「塩基性化合物」に相当し、引用発明２の「コロイダルシリカである砥粒」は、本件発明１の「砥粒としてコロイダルシリカ」に相当する。 そうすると、本件発明１と引用発明２とは、 「水溶性高分子、砥粒としてコロイダルシリカ、及び塩基性化合物を含有する、 シリコン基板を最終研磨する用途に用いられる研磨用組成物。」である点で一致し、次の点で相違する。 （相違点２－１） 水溶性高分子について、本件発明１は、「セルロース誘導体、ポリビニルアルコール、ポリビニルアルコール構造を有する重合体（但し、ポリビニルアルコールの場合を除く）、オキシエチレン構造とオキシプロピレン構造とを含む共重合体、及び側鎖官能基に窒素原子を有する重合体から選ばれる少なくとも１種であ」って、上記「本件発明の水溶性高分子の重量平均分子量及び分子量分布」であるのに対し、引用発明２の「水溶性高分子」は、このような規定はされていない点。 ここで、相違点２－１について検討する。 引用例２には、「本実施形態の研磨用組成物に含まれる水溶性高分子は、・・・、水溶性セルロース又はビニルポリマーであることが好ましい。水溶性セルロースの具体例としては、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルセルロースなどが挙げられる。ビニルポリマーの具体例としては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンなどが挙げられる。」（【００１１】）と記載されるように、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）等が例示されている。 また、水溶性高分子の平均分子量の上限について、「研磨用組成物に含まれるビニルポリマーの平均分子量が１，０００，０００以下、さらに言えば５００，０００以下、もっと言えば３００，０００以下であれば、同じく親水膜による研磨速度の低下を強く抑制することができる。」（【００１６】）と記載され、ポリビニルアルコールの平均分子量が１，０００，０００以下であることが記載されている。 そうすると、引用例２には、引用発明２の「水溶性高分子化合物」の「平均分子量」についての記載は認められるものの、その分子量分布についての記載は見当たらない。 そして、引用例２の上記「ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）」が、本件発明１の「ポリビニルアルコール」に相当し、引用発明２の「平均分子量」と、本件発明１の「重量平均分子量」との関係は判然としないものの、仮に、本件発明１の「ポリビニルアルコール」と、引用例２の上記「ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）」とに「重量平均分子量」について重複するものがあるとしても、引用例２の記載からは、引用例２の「ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）」の分子量分布は不明というほかない。 一方、引用例６の比較例１、引用例７の比較例４、引用例８の実施例７等に、「本件発明の水溶性高分子の重量平均分子量及び分子量分布」を有する「ポリビニルアルコール」が示されているとしても、上記ａで述べたように、引用例２の上記「ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）」と、上記引用例６の比較例１、引用例７の比較例４、引用例８の実施例７等に記載された「ポリビニルアルコール」との関連は見出すことができない。 そうすると、引用例２の上記「ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）」の分子量分布が、「本件発明の水溶性高分子の重量平均分子量及び分子量分布」に係る分子量分布のものであるということはできない。 また、引用例２の上記「ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）」の分子量分布が、「本件発明の水溶性高分子の重量平均分子量及び分子量分布」に係る分子量分布のものであるという技術常識も見当たらない。 そうすると、上記相違点２－１は、実質的な相違点であり、本件発明１は、引用発明２と同一であるということはできない。 また、引用発明２の「水溶性高分子」や引用例２に記載された上記「ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）」について、「本件発明の水溶性高分子の重量平均分子量及び分子量分布」のものとする、動機付けは見当たらない。 そして、上記ａで述べたように、本件発明１は、上記相違点２－１に係る発明特定事項を備えることで、本件明細書の【０００４】、【００１２】、【００１６】等に記載されるように、シリコン基板の最終研磨後の表面のＬＰＤ（Light Point Defect）と呼ばれる表面欠陥を低減することが容易になるという、引用発明２からは当業者が予測し得ない格別顕著な作用効果を奏するものであるから、本件発明１を引用発明２に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである、ということはできない。 ｃ　引用発明３を主引用発明とした場合 本件発明１と引用発明３とを対比する。 本件発明１の「セルロース誘導体、ポリビニルアルコール、ポリビニルアルコール構造を有する重合体（但し、ポリビニルアルコールの場合を除く）、オキシエチレン構造とオキシプロピレン構造とを含む共重合体、及び側鎖官能基に窒素原子を有する重合体から選ばれる少なくとも１種である水溶性高分子」と引用発明３の「（ｃ）水溶性高分子化合物」とは、「水溶性高分子」である点で共通する。 また、引用発明３の「シリコン半導体ウェーハを鏡面研磨する用途に用いられるシリコン半導体ウェーハの研磨用組成物」は、鏡面研磨が最終研磨であって、半導体ウエハの表面を最終研磨する際に使用される研磨用組成物といえるものであり、本件発明１の「シリコン基板を最終研磨する用途に用いられる研磨用組成物」に相当する。 そして、引用発明３の「（ｄ）塩基性化合物」は、本件発明１の「塩基性化合物」に相当し、引用発明３の「（ａ）コロイダルシリカである二酸化ケイ素である研磨材」は、本件発明１の「砥粒としてコロイダルシリカ」に相当する。 そうすると、本件発明１と引用発明３とは、 「水溶性高分子、砥粒としてコロイダルシリカ、及び塩基性化合物を含有する、 シリコン基板を最終研磨する用途に用いられる研磨用組成物。」である点で一致し、次の点で相違する。 （相違点３－１） 水溶性高分子について、本件発明１は、「セルロース誘導体、ポリビニルアルコール、ポリビニルアルコール構造を有する重合体（但し、ポリビニルアルコールの場合を除く）、オキシエチレン構造とオキシプロピレン構造とを含む共重合体、及び側鎖官能基に窒素原子を有する重合体から選ばれる少なくとも１種であ」って、上記「本件発明の水溶性高分子の重量平均分子量及び分子量分布」であるのに対し、引用発明３の「（ｃ）水溶性高分子化合物」は、このような規定はされていない点。 ここで、相違点３－１について検討する。 引用例３には、「このような水溶性高分子化合物は、具体的には、セルロース誘導体およびポリビニルアルコールの少なくとも１種類であることが好ましい。また、セルロース誘導体は、カルボキシメチルセルロ－ス、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシエチルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、メチルセルロース、エチルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロース、およびカルボキシメチルエチルセルロースからなる群より選ばれる化合物の少なくとも１種類であることが好ましい。」（【００２５】）と記載されるように、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）等が例示されている。 また、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）の平均分子量について、「ポリビニルアルコールは、平均重合度が２００～３，０００、けん化度７０～１００％、の水溶性高分子化合物であることが好ましい。」（【００２５】）と記載され、ビニルアルコール単位の分子量４４に、平均重合度を乗算し、平均分子量は、８８００～１３２０００程度と計算できる。 そうすると、引用例３には、引用発明３の「（ｃ）水溶性高分子化合物」の「平均分子量」についての記載は認められるものの、その分子量分布についての記載は見当たらない。 そして、引用例３の上記「ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）」が、本件発明１の「ポリビニルアルコール」に相当し、引用発明３の「平均分子量」と、本件発明１の「重量平均分子量」との関係は判然としないものの、仮に、本件発明１の「ポリビニルアルコール」と、引用例３の上記「ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）」とに「重量平均分子量」について重複するものがあるとしても、引用例３の記載からは、引用例３の「ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）」の分子量分布は不明というほかない。 一方、引用例６の比較例１、引用例７の比較例４、引用例８の実施例７等に、「本件発明の水溶性高分子の重量平均分子量及び分子量分布」を有する「ポリビニルアルコール」が示されているとしても、上記ａで述べたように、引用例３の上記「ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）」と、上記引用例６の比較例１、引用例７の比較例４、引用例８の実施例７等に記載された「ポリビニルアルコール」との関連は見出すことができない。 そうすると、引用例３の上記「ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）」の分子量分布が、「本件発明の水溶性高分子の重量平均分子量及び分子量分布」に係る分子量分布のものであるということはできない。 また、引用例３の上記「ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）」の分子量分布が、「本件発明の水溶性高分子の重量平均分子量及び分子量分布」に係る分子量分布のものであるという技術常識も見当たらない。 そうすると、上記相違点３－１は、実質的な相違点であり、本件発明１は、引用発明３と同一であるということはできない。 また、引用発明３の「（ｃ）水溶性高分子化合物」や引用例３に記載された上記「ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）」について、「本件発明の水溶性高分子の重量平均分子量及び分子量分布」のものとする、動機付けは見当たらない。 そして、上記ａで述べたように、本件発明１は、上記相違点３－１に係る発明特定事項を備えることで、本件明細書の【０００４】、【００１２】、【００１６】等に記載されるように、シリコン基板の最終研磨後の表面のＬＰＤ（Light Point Defect）と呼ばれる表面欠陥を低減することが容易になるという、引用発明３からは当業者が予測し得ない格別顕著な作用効果を奏するものであるから、本件発明１を引用発明３に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである、ということはできない。 ｄ　引用発明４を主引用発明とした場合 本件発明１と引用発明４とを対比する。 本件発明１の「セルロース誘導体、ポリビニルアルコール、ポリビニルアルコール構造を有する重合体（但し、ポリビニルアルコールの場合を除く）、オキシエチレン構造とオキシプロピレン構造とを含む共重合体、及び側鎖官能基に窒素原子を有する重合体から選ばれる少なくとも１種である水溶性高分子」と引用発明４の「カチオン基を有する高分子化合物」とは、引用発明４の「カチオン基を有する高分子化合物」が水溶性であることは明らかであるから、「水溶性高分子」である点で共通する。 また、引用発明４の「二段研磨終了後のシリコンウエハを研磨するシリコンウエハ用研磨液組成物」は、二段研磨終了後の研磨が最終研磨であって、半導体ウエハの表面を最終研磨する際に使用される研磨用組成物といえるものであり、本件発明１の「シリコン基板を最終研磨する用途に用いられる研磨用組成物」に相当する。 そして、引用発明４の「塩基性化合物」は、本件発明１の「塩基性化合物」に相当し、引用発明４の「コロイダルシリカである研磨材」は、本件発明１の「砥粒としてコロイダルシリカ」に相当する。 そうすると、本件発明１と引用発明４とは、 「水溶性高分子、砥粒としてコロイダルシリカ、及び塩基性化合物を含有する、 シリコン基板を最終研磨する用途に用いられる研磨用組成物。」である点で一致し、次の点で相違する。 （相違点４－１） 水溶性高分子について、本件発明１は、「セルロース誘導体、ポリビニルアルコール、ポリビニルアルコール構造を有する重合体（但し、ポリビニルアルコールの場合を除く）、オキシエチレン構造とオキシプロピレン構造とを含む共重合体、及び側鎖官能基に窒素原子を有する重合体から選ばれる少なくとも１種であ」って、上記「本件発明の水溶性高分子の重量平均分子量及び分子量分布」であるのに対し、引用発明４の「カチオン基を有する高分子化合物」は、このような規定はされていない点。 ここで、相違点４－１について検討する。 引用例４には、「カチオン基を有する高分子化合物」の具体例として、「カチオン性ポリビニルアルコール」（【０１０２】～【０１０３】）が示されるように、ポリビニルアルコールが例示されている。また、【００４８】には、研磨液組成物に、「カチオン基を有する高分子化合物」の水溶性高分子化合物を含有されることが記載され、ヒドロキシエチルセルロース等が例示されている。 また、「カチオン基を有する高分子化合物」の重量平均分子量について、「１０，０００～１，０００，０００」（【００３０】）であることが記載されている。 そうすると、引用例４には、引用発明４の「カチオン基を有する高分子化合物」の「重量平均分子量」についての記載は認められるものの、その分子量分布についての記載は見当たらない。 そして、仮に、本件発明１の「ポリビニルアルコール」と、引用例４の上記「ポリビニルアルコール」とに「重量平均分子量」について重複するものがあるとしても、引用例４の記載からは、引用例４の「ポリビニルアルコール」の分子量分布は不明というほかない。 一方、引用例６の比較例１、引用例７の比較例４、引用例８の実施例７等に、「本件発明の水溶性高分子の重量平均分子量及び分子量分布」を有する「ポリビニルアルコール」が示されているとしても、上記ａで述べたように、引用例４の上記「ポリビニルアルコール」と、上記引用例６の比較例１、引用例７の比較例４、引用例８の実施例７等に記載された「ポリビニルアルコール」との関連は見出すことができない。 そうすると、引用例４の上記「ポリビニルアルコール」の分子量分布は、「本件発明の水溶性高分子の重量平均分子量及び分子量分布」に係る分子量分布であるということはできない。 また、引用例４の上記「ポリビニルアルコール」の分子量分布は、「本件発明の水溶性高分子の重量平均分子量及び分子量分布」に係る分子量分布のものであるという技術常識も見当たらない。 そうすると、上記相違点４－１は、実質的な相違点であり、本件発明１は、引用発明４と同一であるということはできない。 また、引用発明４の「カチオン基を有する高分子化合物」や引用例４に記載された上記「ポリビニルアルコール」について、「本件発明の水溶性高分子の重量平均分子量及び分子量分布」に係る分子量分布のものとする、動機付けは見当たらない。 そして、上記ａで述べたように、本件発明１は、上記相違点４－１に係る発明特定事項を備えることで、本件明細書の【０００４】、【００１２】、【００１６】等に記載されるように、シリコン基板の最終研磨後の表面のＬＰＤ（Light Point Defect）と呼ばれる表面欠陥を低減することが容易になるという、引用発明４からは当業者が予測し得ない格別顕著な作用効果を奏するものであるから、本件発明１を引用発明４に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである、ということはできない。 ｅ　引用発明５を主引用発明とした場合 本件発明１と引用発明５とを対比する。 本件発明１の「セルロース誘導体、ポリビニルアルコール、ポリビニルアルコール構造を有する重合体（但し、ポリビニルアルコールの場合を除く）、オキシエチレン構造とオキシプロピレン構造とを含む共重合体、及び側鎖官能基に窒素原子を有する重合体から選ばれる少なくとも１種である水溶性高分子」と、引用発明５の「ポリビニルピロリドン及びポリＮ－ビニルホルムアミドから選ばれる少なくとも一種類の水溶性高分子」とは、「水溶性高分子」であって、「側鎖官能基に窒素原子を有する重合体」である点で共通する。 また、引用発明５の「半導体ウエハの表面を研磨する用途に用いられる、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物表面における研磨加工に起因するＬＰＤの数を低減することが可能な研磨用組成物」は、ＬＰＤの数を低減するものであるから、半導体ウエハの表面を最終研磨する際に使用される研磨用組成物といえるものであり、しかも、【０００２】に記載されるように、半導体ウエハには、シリコンウエハが含まれることから、本件発明１の「シリコン基板を最終研磨する用途に用いられる研磨用組成物」に相当する。 そして、引用発明５の「アルカリ」は、本件発明１の「塩基性化合物」に相当し、引用発明５の「コロイダルシリカの砥粒」は、本件発明１の「砥粒としてコロイダルシリカ」に相当する。 そうすると、本件発明１と引用発明５とは、 「水溶性高分子、砥粒としてコロイダルシリカ、及び塩基性化合物を含有し、 前記水溶性高分子は、側鎖官能基に窒素原子を有する重合体であり、 シリコン基板を最終研磨する用途に用いられる研磨用組成物。」である点で一致し、次の点で相違する。 （相違点５－１） 「側鎖官能基に窒素原子を有する重合体である水溶性高分子」について、本件発明１は、「重量平均分子量が２０００００以下であり、かつ重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布が３．５以下である」るのに対し、引用発明５の「ポリビニルピロリドン及びポリＮ－ビニルホルムアミドから選ばれる少なくとも一種類の水溶性高分子」について、このような規定はされていない点。 ここで、相違点５－１について検討する。 引用例５の【００３１】には、「ＰＶＰ＊１は重量平均分子量が１０，０００であるポリビニルピロリドンを表し」と記載され、ポリビニルピロリドンの重量平均分子量が２０００００以下のものが示されている。 しかしながら、引用例５には、引用発明５の「ポリビニルピロリドン及びポリＮ－ビニルホルムアミドから選ばれる少なくとも一種類の水溶性高分子」の分子量分布についての記載は見当たらない。 そして、仮に、本件発明１の「側鎖官能基に窒素原子を有する重合体である水溶性高分子」と、引用例５の上記「ポリビニルピロリドン」とに「重量平均分子量」について重複するものがあるとしても、引用例５の記載からは、引用例５の「ポリビニルピロリドン」の分子量分布は不明というほかない。 そうすると、引用例５の上記「ポリビニルピロリドン」の分子量分布は、「本件発明の水溶性高分子の重量平均分子量及び分子量分布」に係る分子量分布であるということはできない。 また、引用例５の上記「ポリビニルピロリドン」の分子量分布は、「本件発明の水溶性高分子の重量平均分子量及び分子量分布」に係る分子量分布のものであるという技術常識も見当たらない。 そうすると、上記相違点５－１は、実質的な相違点であり、本件発明１は、引用発明５と同一であるということはできない。 また、引用発明５の「側鎖官能基に窒素原子を有する重合体である水溶性高分子」や引用例５に記載された上記「ポリビニルピロリドン」について、「本件発明の水溶性高分子の重量平均分子量及び分子量分布」に係る分子量分布のものとする、動機付けは見当たらない。 そして、上記ａで述べたように、本件発明１は、上記相違点５－１に係る発明特定事項を備えることで、本件明細書の【０００４】、【００１２】、【００１６】等に記載されるように、シリコン基板の最終研磨後の表面のＬＰＤ（Light Point Defect）と呼ばれる表面欠陥を低減することが容易になるという、引用発明５からは当業者が予測し得ない格別顕著な作用効果を奏するものであるから、本件発明１を引用発明５に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである、ということはできない。 （イ）本件発明２～９について 本件発明２～９は、本件発明１を直接的又は間接的に引用し、さらに限定するものであるから、本件発明１と同様な理由から、本件発明２～９は、引用発明１～５に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである、ということはできない。 エ　申立人の主張について 申立人は、平成３０年８月３日付けの意見書において、甲１２（特開２００１－２１４１５５号公報）を引用し、「本件発明のような研磨用組成物において、小さい重量平均分子量や分子量分布のものを使用するのが好ましいことは周知」である旨主張している。 そこで、甲１２の記載を検討する（下線は、当審が付与した。）。 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、フォトマスク、各種メモリーハードディスク用基板等の電子機器部品を含む電子機器材料の表面の研磨に使用される研磨剤組成物に関し、特に半導体産業等におけるディバイスウェハーの表面平坦化加工に好適で、高精度の仕上げ面を得られ、ピッチングの発生が少なく、効率的に研磨を行なうことができる研磨剤組成物に関するものである。」 「【０００３】 【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体製造における配線層形成などの高精度面を得るための研磨において、研磨速度が速く、研磨均一性が良好で、ピッチを形成しない研磨能力に優れた研磨剤組成物を提供することを目的としてなされたものである。 【０００４】 【課題を解決するための手段】本発明者らは、カルボキシル基を有する重合体を含有する研磨剤組成物が、高精度面を必要とする電子機器材料の表面の研磨において、研磨速度が速く、研磨均一性が良好で、ピッチを形成しない化学的機械的研磨を可能にすることを見出して本発明を完成したのである。すなわち、本発明はカルボキシル基を有する重合体、特にアクリル酸を必須構成単量体とするカルボキシル基を有する重合体を含有することを特徴とする電子機器材料用研磨剤組成物に関するものである。」 「【０００６】本発明にとり好ましい重合体は、不飽和カルボン酸の重合体であり、具体的にはポリアクリル酸、ポリマレイン酸、ポリフマル酸、ポリメタクリル酸、ポリイタコン酸、ポリクロトン酸、アクリル酸／マレイン酸コポリマー、アクリル酸／メタクリル酸コポリマー、アクリル酸／フマル酸コポリマー、マレイン酸／フマル酸コポリマー等が挙げられる。本発明にとりさらに好ましい重合体はアクリル酸を必須構成単量体とするものであり、特に好ましいものはポリアクリル酸である。上記の様なポリ不飽和カルボン酸は不飽和カルボン酸の単独重合体であるのが好ましいが、本発明の効果を損なわない範囲で、その他の重合性単量体、例えば、上記不飽和カルボン酸エステルやスチレン等のビニル単量体が共重合されているものも使用され得る。ビニル単量体の具体例としては、(メタ)アクリルアミド等のアミド、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、パーフロロアルキルエチル(メタ)アクリレート等のアルキル(メタ)アクリレート、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート等の（ヒドロキシ）アルキル(メタ)アクリレート、ポリエチレンオキサイド付加(メタ)アクリレート等のノニオン基付加(メタ)アクリレート、スチレン、メチルスチレン、α-メチルスチレン等の香族ビニル単量体、2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、スチレンスルホン酸ソーダ等のスルホン酸系単量体等が挙げられ、これらは２種以上を併用することも可能である。これらの重合体は常法のラジカル重合、アニオン重合、リビングラジカル重合などで得られるものであり、それらの重合体は、その平均分子量が、ＧＰＣによる重量平均分子量で３００,０００以下であることが好ましく、より好ましくは５０,０００以下、さらに好ましくは１０,０００以下、特に好ましくは５００～５,０００の範囲にあることである。これらの分子量は研磨剤組成物の組成や被研磨物質により最適値が変化するが、低い方が研磨剤粒子を均一に分散する効果がより良好になり、研磨の効率が向上する傾向にある。また、分子量分布の幅は、重量平均分子量（ＭＷ）と数平均分子量（ＭＮ）の比から推測されるものであり、その比が小さいほど研磨粒子を均一に分散する効果が良好になり、研磨の効率が向上する傾向にあり、本発明における重合体のＧＰＣにより得られる重量平均分子量／数平均分子量の比は小さいほど研磨剤粒子を均一に分散する効果が良好になり、その比が２.０以下で研磨の効率がより向上するので好ましく、より好ましくは１.８以下で、特に好ましくは１.７以下のものである。なお、ＧＰＣの測定には東ソー社製ＨＬＣ８０２０システム、使用カラムはＧ４０００ＰＷｘｌ＋Ｇ３０００ＰＷｘｌ＋Ｇ２５００ＰＷｘｌ（東ソー社製）、溶離液は０.１ＭＮａＣｌ＋リン酸バッファー（pＨ７）、検量線はポリアクリル酸Ｎa（創和科学）を用いた。」 「【０００９】 【作用】本発明の研磨剤組成物が電子機器材料の表面の研磨において、研磨速度が速く、研磨均一性が良好で、ピッチを形成しないという理由は明らかでないが、カルボキシル基含有重合体のカルボキシル基により、ピッチ等の腐食を抑制し、研磨剤組成物への溶解性を良好にしているものと思われる。」 「【００１７】以上の試験結果より、比較例に示された不飽和カルボン酸ポリマーが添加されないものや不飽和カルボン酸ポリマーの代りにカルボン酸を添加した研磨剤に比べ、実施例で示される本発明による研磨剤が、平均研磨速度が大きく、且つピットが無いことが判る。 【００１８】 【発明の効果】本発明の研磨剤組成物は、研磨加工において、ピットの発生を少なく、研磨速度の向上による効率的な研磨を行える研磨剤を可能とするものであり、半導体産業等におけるディバイスウェハーの表面平坦化加工などで高精度の仕上げ面を得ることを可能とし、研磨速度が高いことによる、研磨加工時間の短縮、研磨剤消費量の低減、装置の運転コストダウンによる加工コストメリットが得られるという優れた効果を奏するものである。」 これらの記載において、一般に、「デバイスウェハー」に関し、「ピッチ」というのは配線等の間隔を意味し、「ピット」というのは、腐食孔を意味することが技術常識であるところ、【０００９】の「ピッチを形成しない」、「ピッチ等の腐食を抑制し」という記載における「ピッチ」は、間隔という意味ではなく、腐食孔である「ピット」を意味するというべきであり、これは、【００１８】に「ピットの発生を少なく」という記載からも明らかである。 そうすると、該「ピッチ」は腐食孔である「ピット」を誤記したものと認められる。 そうすると、甲１２には、 「半導体産業等におけるディバイスウェハーの表面平坦化加工に用いられる研磨材組成物であって（【０００１】）、 研磨速度が速く、研磨均一性が良好で、ピットを形成しない研磨能力に優れたものであり（【０００３】、【００１８】）、 カルボキシル基を有する重合体を含有し（【０００４】）、 該重合体のＧＰＣによる重量平均分子量は３００,０００以下であり、 該重合体の分子量分布（重量平均分子量（ＭＷ）と数平均分子量（ＭＮ）の比）の幅の好ましい値は、２.０以下である（【０００６】）研磨材組成物」が記載されていると認められる。 また、甲１２には、該重合体の平均分子量は、低い方が研磨剤粒子を均一に分散する効果がより良好になり、研磨の効率が向上する傾向があること、また、該重合体の分子量分布の幅は、小さいほど研磨粒子を均一に分散する効果が良好になり、研磨の効率が向上する傾向があること（【０００６】）が記載されていると認められる。 これに対し、本件発明１は、上述したように、「シリコン基板の最終研磨後の表面のＬＰＤ（Light Point Defect）と呼ばれる表面欠陥を低減することが容易になる」という作用効果を奏するものであるところ、「ＬＰＤ（Light Point Defect）と呼ばれる表面欠陥」について、本件明細書には、次の記載がある（下線は、当審が付与した。）。 「【０００４】 研磨用組成物を用いて研磨された基板の表面には、ＬＰＤ（Light Point Defect）と呼ばれる表面欠陥が生じることがある。本発明は、研磨用組成物に含有される水溶性高分子の重量平均分子量、及び、重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布が、ＬＰＤの低減レベルと相関があることを見出したことに基づくものである。」 「【０１２０】 ＜ＬＰＤの測定＞ ＬＰＤは、ウエハ検査装置（商品名：Ｓｕｒｆｓｃａｎ　ＳＰ２、ケーエルエー・テンコール社製）を用いて、研磨後のシリコン基板の表面に存在する０．０３７μｍ以上の大きさのパーティクルの個数をカウントすることにより測定した。表１の“ＬＰＤ”欄において、“Ａ”はパーティクルの個数が１００個未満、“Ｂ”は１００個以上１５０個未満、“Ｃ”は１５０個以上２００個未満、“Ｄ”は２００個以上３００個未満、“Ｅ”は３００個以上であったことを表す。」 そうすると、上述した本件発明１の「シリコン基板の最終研磨後の表面のＬＰＤ（Light Point Defect）と呼ばれる表面欠陥を低減する」という作用効果は、研磨用組成物を用いて研磨された基板の表面のパーティクルの数で示される表面欠陥を低減することであって、甲１２における「ピットを形成しない」という作用効果とは異質のものというべきである。 したがって、引用発明１に係る「研磨用組成物」に含有される「水溶性高分子化合物」、引用発明２に係る「研磨用組成物」に含有される「水溶性高分子」、引用発明３に係る「研磨用組成物」に含有される「（ｃ）水溶性高分子」、引用発明４に係る「研磨液組成物」に含有される「カチオン基を有する高分子化合物」、及び、引用発明５に係る「研磨用組成物」に含有される「水溶性高分子」に対し、仮に、甲１２に記載された、重合体に関する平均分子量と分子量分布に関する知見が適用できたとしても、引用発明１～５に該知見を適用したものは、研磨の効率が向上し、研磨速度が速く、研磨均一性が良好で、ピットを形成しない研磨能力に優れたものとなる程度のことがいえるだけで、本件発明１の上述した「シリコン基板の最終研磨後の表面のＬＰＤ（Light Point Defect）と呼ばれる表面欠陥を低減する」という作用効果を当然に奏するものとなる、とまではいえないことから、本件発明の上記作用効果は、当業者に予測不能な顕著なものというべきである。 よって、甲１２を参酌したとしても、本件発明１を引用発明１～５に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである、ということはできず、申立人の上記主張は採用できない。 （２）特許法第３６条第６項第１号及び同項第２号について ア　特許法第３６条第６項第１号について 特許法第３６条第６項第１号に関する取消理由通知の概要は、本件発明が、本件発明の課題を解決できることを認識できない、というものである。 本件発明の課題は、「研磨後の表面のＬＰＤを低減することの容易な研磨用組成物及び基板の製造方法を提供すること」（本件明細書【０００５】）であると認められるところ、本件発明は、「研磨用組成物に含有される水溶性高分子の重量平均分子量、及び、重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布が、ＬＰＤの低減レベルと相関があることを見出」し（同【０００４】）、「水溶性高分子は、研磨面の濡れ性を高める働きをする」ものであり、「分子量分布が小さい水溶性高分子を用いることで、ＬＰＤの低減が容易とな」り、「使用される水溶性高分子の分子量分布が大きくなるにつれて、研磨された面の濡れ性が高ま」り（同【００１６】）、「水溶性高分子の重量平均分子量が小さくなるにつれて、研磨用組成物の安定性はより向上」し、「研磨面の濡れ性は、水溶性高分子の重量平均分子量が大きくなるにつれて高まる」（同【００２８】）という知見に基づき、水溶性高分子の種類に応じて、重量平均分子量及び分子量分布の上限を定めることでなされたものということができる。 そして、本件明細書【０１２２】の【表１】には、「研磨用組成物に含有される水溶性高分子の重量平均分子量、及び、重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布」について、本件発明に含まれる「研磨材組成物」について、ＬＰＤが低減されることが確認されている。 そうすると、本件発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できる範囲のものであるということができ、本件請求項の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない、とすることはできない。 （申立人の意見について） 申立人は、平成３０年８月３日付けの意見書において、「訂正後の本件発明においても、規定された重量平均分子量及び分子量分布の少なくとも全領域において、課題を解決できるとは考えられません。」（１２頁下から２行～末行）と主張している。 しかしながら、上述したように、本件発明は、「使用される水溶性高分子の分子量分布が大きくなるにつれて、研磨された面の濡れ性が高ま」り、「水溶性高分子の重量平均分子量が小さくなるにつれて、研磨用組成物の安定性はより向上」し、「研磨面の濡れ性は、水溶性高分子の重量平均分子量が大きくなるにつれて高まる」という知見に基づくものであって、水溶性高分子の重量平均分子量や分子量分布によって、研磨後の表面のＬＰＤを低減する度合いが急激に変化するものとはいえないことから、「訂正後の本件発明においても、規定された重量平均分子量及び分子量分布の少なくとも全領域において、課題を解決できる」蓋然性が高いというべきである。 したがって、申立人の上記主張は理由がない。 イ　特許法第３６条第６項第２号について 特許法第３６条第６項第２号に関する取消理由通知の概要は、請求項１における「ポリビニルアルコール」と「ポリビニルアルコール構造を有する重合体」との相違が明らかではなく、また、請求項５の「選ばれる少なくとも一種」という記載は明確ではない、というものである。 しかしながら、請求項１に係る訂正（訂正事項１）によって、「ポリビニルアルコール構造を有する重合体」は「ポリビニルアルコール構造を有する重合体（但し、ポリビニルアルコールの場合を除く）」と訂正され、「ポリビニルアルコール」と「ポリビニルアルコール構造を有する重合体」との相違が明確となった。 また、請求項５に係る訂正（訂正事項５）によって、請求項５において、「選ばれる少なくとも一種」という語句が削除され、請求項５の記載は明確となった。 以上のことから、本件請求項の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない、とすることはできない。 （申立人の意見について） 申立人は、平成３０年８月３日付けの意見書において、「訂正により、『ポリビニルアルコール構造を有する重合体』は、ＰＶＡでないことが規定されましたが、明細書に当該重合体としてどのようなものが含まれるのか記載がないことに変わりはなく、依然として、記載事項『ポリビニルアルコール構造を有する重合体』は不明確です。」と主張している（１３頁１９～２２行）。 しかしながら、「ポリビニルアルコール構造を有する重合体」には、例えば、請求項４に記載されるように、「部分ケン化ポリビニルアルコール」が含まれ、当該記載が不明確とはいえない。 したがって、申立人の上記主張は理由がない。 第４　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について 取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由はない。 第５　むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１～９に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件請求項１～９に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。