2016-700719

特許第５８６５４２２号発明「電子回路」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

【結　論】 特許第５８６５４２２号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１－４〕について訂正することを認める。 特許第５８６５４２２号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。

【理　由】 第１　手続の経緯 特許第５８６５４２２号の請求項１－４に係る特許について，手続の経緯は以下のとおりである。 平成２６年　４月１４日　出願（特願２０１４－０８２９９４号） （原出願日　平成２２年５月２７日，特願２０１０－１２１３７５号の分割） 平成２８年　１月　８日　特許権の設定の登録 平成２８年　８月１０日　特許異議の申立て・証拠方法（甲第１－９号証） 平成２８年１０月１２日　取消理由通知 平成２８年１２月１３日　意見書・証拠方法（乙第１，２号証）・訂正請求 平成２９年　２月　３日　特許異議申立人の意見書 平成２９年　２月１５日　取消理由通知（決定の予告） 平成２９年　４月２１日　意見書・証拠方法（乙第３－６号証，乙第６号証の２）・訂正請求（以下，「本件訂正請求」という。） 平成２９年　４月２８日　審尋 平成２９年　５月１０日　回答書 平成２９年　６月１５日　特許異議申立人の意見書・証拠方法（甲第１０－１２号証） 特許異議申立ては，請求項１－４に対して，特許異議申立人辰己雄一よりされた。 本件訂正請求がされたことにより，平成２８年１２月１３日付け訂正請求は，取り下げられたものとみなされる（特許法１２０条の５第７項）。 第２　本件訂正請求による訂正の適否 １　訂正の内容（下線部は訂正個所を示し，特許権者が付加した。） （１）訂正事項１ 特許権者は，特許請求の範囲の請求項１を以下の事項により特定されるとおりの請求項１として訂正することを請求する（訂正事項１）。 「【請求項１】 ＰＮ接合ダイオードを含むＭＯＳＦＥＴと， 前記ＭＯＳＦＥＴに並列に接続され，ショットキーバリアダイオードを含むユニポーラデバイスと， 前記ＭＯＳＦＥＴおよび前記ユニポーラデバイスに接続された出力線と， 前記ＰＮ接合ダイオードのアノードを前記ショットキーバリアダイオードのアノードに接続し，インダクタンスが寄生している第１のワイヤと， 前記ショットキーバリアダイオードのアノードを前記出力線に接続し，インダクタンスが寄生するとともにその寄生インダクタンスにより生じる逆起電力が前記ＭＯＳＦＥＴのＰＮ接合ダイオードの順方向立ち上がり電圧以上であるように構成された第２のワイヤとを含み， 前記第１のワイヤと前記第２のワイヤとが連続的に繋がっており，かつ平面視において両ワイヤのなす角度が鈍角であり， 前記ユニポーラデバイスと前記出力線との間のインダクタンスが，前記ＭＯＳＦＥＴと前記出力線との間のインダクタンスよりも小さい，電子回路。」 （２）訂正事項２ 特許権者は，特許請求の範囲の請求項２を以下の事項により特定されるとおりの請求項２として訂正することを請求する（訂正事項２）。 「【請求項２】 ＰＮ接合ダイオードを含むＭＯＳＦＥＴと， 前記ＭＯＳＦＥＴに並列に接続され，ショットキーバリアダイオードを含むユニポーラデバイスと， 前記ＭＯＳＦＥＴおよび前記ユニポーラデバイスに接続された出力線と， 前記ＰＮ接合ダイオードのカソードを前記ショットキーバリアダイオードのカソードに接続し，インダクタンスが寄生している第１のワイヤと， 前記ショットキーバリアダイオードのカソードを前記出力線に接続し，インダクタンスが寄生している第２のワイヤとを含み， 前記第１のワイヤと前記第２のワイヤとが連続的に繋がっており，かつ平面視において両ワイヤのなす角度が鈍角であり， 前記ユニポーラデバイスと前記出力線との間のインダクタンスが，前記ＭＯＳＦＥＴと前記出力線との間のインダクタンスよりも小さい，電子回路。」 （３）訂正事項３ 特許権者は，特許請求の範囲の請求項１及び２を，それぞれ訂正事項１及び２のとおり訂正し，その結果として請求項１及び２を引用する請求項３及び４も訂正することを請求する（訂正事項３）。 ２　訂正の目的の適否，新規事項の有無，一群の請求項及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１）訂正事項１について ア　訂正事項１のうち，「第２のワイヤ」について「するとともにその寄生インダクタンスにより生じる逆起電力が前記ＭＯＳＦＥＴのＰＮ接合ダイオードの順方向立ち上がり電圧以上であるように構成された」という技術的事項（以下，「本件事項」という。）を付加することは，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり，特許明細書段落【００１３】の記載からみて，新規事項の追加に該当しない。 なお，同段落には，「バイポーラデバイスの動作電圧（たとえばＰＮ接合ダイオードの順方向立ち上がり電圧）は，２．０Ｖ程度であると考えられる。」と記載されており，一方，甲第５号証（段落【００１６】－【００１７】）に記載されているように，ＰＮ接合ダイオードの順方向立ち上がり電圧は必ずしも２．０Ｖではないが，仮にその数値が誤っていたとしても，本件事項自体は抽象的な技術的思想として，同段落の記載から当業者が読み取れると認められる。 イ　訂正事項１のうち，「両ワイヤのなす角度」について「平面視において」という限定を付加することは，明瞭でない記載の釈明を目的とし，特許図面の図２には平面図上において該構成が記載されていることから，新規事項の追加に該当しない。 ウ　よって，訂正事項１は，特許請求の範囲の減縮及び明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり，新規事項の追加に該当せず，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。 （２）訂正事項２について 訂正事項２は，明瞭でない記載の釈明を目的とし，前記（１）イと同じ理由で，新規事項の追加に該当せず，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。 （３）訂正事項３について 前記（１）及び（２）より，訂正事項３は，特許請求の範囲の減縮及び明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり，新規事項の追加に該当せず，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。 （４）訂正事項１ないし３は，一群の請求項ごとにされたものである。 ３　小括 したがって，本件訂正請求による訂正事項１ないし３は，特許法第１２０条の５第２項ただし書１号及び同３号に掲げる事項を目的とするものであり，かつ，同条第９項で準用する同法第１２６条第４項から第６項までの規定に適合するので，訂正後の請求項〔１－４〕について訂正を認める。 第３　特許異議の申立てについて １　本件特許発明 本件訂正請求により訂正された請求項１ないし４に係る発明（以下「本件特許発明１」ないし「本件特許発明４」という。）は，その特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 （１）本件特許発明１ 「ＰＮ接合ダイオードを含むＭＯＳＦＥＴと， 前記ＭＯＳＦＥＴに並列に接続され，ショットキーバリアダイオードを含むユニポーラデバイスと， 前記ＭＯＳＦＥＴおよび前記ユニポーラデバイスに接続された出力線と， 前記ＰＮ接合ダイオードのアノードを前記ショットキーバリアダイオードのアノードに接続し，インダクタンスが寄生している第１のワイヤと， 前記ショットキーバリアダイオードのアノードを前記出力線に接続し，インダクタンスが寄生するとともにその寄生インダクタンスにより生じる逆起電力が前記ＭＯＳＦＥＴのＰＮ接合ダイオードの順方向立ち上がり電圧以上であるように構成された第２のワイヤとを含み， 前記第１のワイヤと前記第２のワイヤとが連続的に繋がっており，かつ平面視において両ワイヤのなす角度が鈍角であり， 前記ユニポーラデバイスと前記出力線との間のインダクタンスが，前記ＭＯＳＦＥＴと前記出力線との間のインダクタンスよりも小さい，電子回路。」 （２）本件特許発明２ 「ＰＮ接合ダイオードを含むＭＯＳＦＥＴと， 前記ＭＯＳＦＥＴに並列に接続され，ショットキーバリアダイオードを含むユニポーラデバイスと， 前記ＭＯＳＦＥＴおよび前記ユニポーラデバイスに接続された出力線と， 前記ＰＮ接合ダイオードのカソードを前記ショットキーバリアダイオードのカソードに接続し，インダクタンスが寄生している第１のワイヤと， 前記ショットキーバリアダイオードのカソードを前記出力線に接続し，インダクタンスが寄生している第２のワイヤとを含み， 前記第１のワイヤと前記第２のワイヤとが連続的に繋がっており，かつ平面視において両ワイヤのなす角度が鈍角であり， 前記ユニポーラデバイスと前記出力線との間のインダクタンスが，前記ＭＯＳＦＥＴと前記出力線との間のインダクタンスよりも小さい，電子回路。」 （３）本件特許発明３ 「前記ＭＯＳＦＥＴが，ＳｉＣを主とする半導体材料で作成されたＳｉＣ半導体デバイスである，請求項１または２に記載の電子回路。」 （４）本件特許発明４ 「前記ユニポーラデバイスと前記出力線との間のインダクタンスにより生じる逆起電力が２．０Ｖ以上である，請求項１～３のいずれか一項に記載の電子回路。」 ２　取消理由の概要 平成２８年１２月１３日付け訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲の請求項１，３及び４について，平成２９年２月１５日付けで特許権者に通知した取消理由（決定の予告）の概要は，次のとおりである。 請求項１，３及び４に係る発明は，甲第１号証，甲第３号証，甲第４号証及び甲第６号証に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり，請求項１，３及び４に係る特許は，取り消されるべきものである。 ３　甲号証の記載 （１）甲第１号証の記載 ア　甲第１号証 甲第１号証（特開２０１０－０２７８１４号公報）には，図面とともに，次の記載がある。（下線は当審で付加した。以下同じ。） （ア）「【技術分野】 【０００１】 本発明は，生産性に優れたトランスファーモールドによる樹脂封止型の電力用半導体装置に関し，特に，小型で大電流化を実現するとともに，信頼性に優れたトランスファーモールドによる樹脂封止型の電力用半導体装置に関する。 【背景技術】 【０００２】 大電流，高電圧で動作するとともに，動作に伴う発熱を外部に効率良く逃がす電力用半導体装置として，放熱板となる金属板に絶縁層としてのセラミック板を介して配線パターンが形成された基板に電力用半導体素子を搭載し，シリコーンゲルを介して熱硬化性樹脂で注型された電力用半導体装置がある（例えば，特許文献１参照）。」 （イ）「【００１３】 実施の形態１． 図１は，本発明の実施の形態１に係る電力用半導体装置における回路基板上のトランスファーモールド樹脂を除いた状態の平面模式図である。 図２は，図１に示す電力用半導体装置において回路基板上にトランスファーモールド樹脂がある状態でのＡ－Ａ断面の模式図である。 図１と図２とに示すように，本実施の形態の電力用半導体装置１００は，金属放熱板１の一方の面に樹脂絶縁層２を設け，この樹脂絶縁層２における金属放熱板１が接合された面と対向する面に配線パターンを設けて形成した金属回路基板が用いられている。配線パターン上には，電力用半導体素子である，ＩＧＢＴ４とＩＧＢＴ４に逆並列に接続されたダイオード５とが搭載され，配線パターンとはんだ６等により電気的に接続されている。また，ＩＧＢＴ４とダイオード５との上面電極は，配線手段であるワイヤーボンド７により，対応する配線パターンと電気的に接続されている。 【００１４】 配線パターンには筒状外部端子連通部が，配線パターンに対して略垂直に接合されている。 具体的には，主回路であるＩＧＢＴ４のコレクタ電極とダイオード５のアノード電極とに電気的に接続された第１の配線パターン３ａには，第１の筒状外部端子連通部８ａが接合され，主回路であるＩＧＢＴ４のエミッタ電極とダイオード５のカソード電極とに電気的に接続された第２の配線パターン３ｂには，第２の筒状外部端子連通部８ｂが接続され，制御回路であるＩＧＢＴ４のゲート電極に電気的に接続された第３の配線パターン３ｃには，第３の筒状外部端子連通部８ｃが接合され，制御回路であるＩＧＢＴ４のエミッタ電極のみと電気的に接続された第４の配線パターン３ｄには，第４の筒状外部端子連通部８ｄが接合されている。」 （ウ）「【００２５】 そして，配線パターンとＩＧＢＴ４との間，ＩＧＢＴ４とダイオード５との間，ダイオード５と配線パターンとの間，の各間の導通が必要な箇所をアルミニウムのワイヤーボンド７で接続する。 次に，ワイヤーボンディングされた電力用半導体素子と筒状外部端子連通部とを搭載した金属回路基板は，金型にセットされ，トランスファーモールド法により，例えば，シリカ粉末が充填されたエポキシ樹脂系トランスファーモールド樹脂９で封止して，電力用半導体装置を完成する。」 （エ）「【００３２】 本実施の形態では，電力用半導体素子に，ＩＧＢＴ４とダイオード５が用いられているが，電力用半導体素子は，これに限定されるものではなく，例えば，ＭＯＳＦＥＴやショットキーダイオードでもよく，またＭＯＳＦＥＴの場合は，ダイオードが逆並列に接続されていなくても良い。また，電力用半導体素子の材料としては，一般的なシリコンのほかに，炭化珪素（ＳｉＣ）等のワイドバンドギャップ半導体でも良い。 また，本実施の形態では，各電力用半導体素子間や電力用半導体素子と配線パターンとの間の接続，すなわち，配線手段にワイヤーボンド７を用いているが，この方法に限定されるものではない。 また，本実施の形態では，金属回路基板を用いているが，例えば，高熱伝導絶縁層であるセラミック板と，セラミック板の一方の面に設けられた銅箔の配線パターンと，セラミック板の他方の面に設けられた銅箔の金属放熱板からなるセラミック基板を用いても良い。」 （オ） イ　甲１発明 （ア）甲第１号証には「本実施の形態では，電力用半導体素子に，ＩＧＢＴ４とダイオード５が用いられているが，電力用半導体素子は，これに限定されるものではなく，例えば，ＭＯＳＦＥＴやショットキーダイオードでもよく，またＭＯＳＦＥＴの場合は，ダイオードが逆並列に接続されていなくても良い。」（前記ア（エ））と記載されており，スイッチング素子としてＩＧＢＴもＭＯＳＦＥＴも周知であること，及び還流ダイオードとしてダイオードもショットキーダイオードも周知である（下記（３）参照。）こと，に鑑みれば，前記記載は，ＩＧＢＴとダイオードのうちＩＧＢＴをＭＯＳＦＥＴに置き換えたものやダイオードをショットキーダイオードに置き換えたものを含む（そして，ＩＧＢＴをＭＯＳＦＥＴに置き換えた場合に，ダイオードが接続されていないものを含む）ものと解され，してみると，ＩＧＢＴとダイオードの双方をＭＯＳＦＥＴとショットキーダイオードに置き換えたものも含むものである（前記記載は実施形態を拡張することを意図するものであるから双方を置き換えたものを排除する理由はない。）から，ＭＯＳＦＥＴとショットキーダイオードを用いるものが記載されているに等しい。 （イ）また，図１には，ＩＧＢＴ４の上面電極とダイオード５の上面電極とを繋ぐワイヤーボンド７の部分と，ダイオード５の上面電極と第２の配線パターン３ｂとを繋ぐワイヤーボンド７の部分のなす角度が平面視において鈍角であることが記載されていると認められる。 （ウ）すると，前記アより，甲第１号証には次の発明（以下，「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。 「ＭＯＳＦＥＴと，ＭＯＳＦＥＴに並列に接続されたショットキーダイオードと，ＭＯＳＦＥＴおよびショットキーダイオードに接続された第２の配線パターンと，ＭＯＳＦＥＴの一の電極とショットキーダイオードの一方の電極と第２の配線パターンとを繋ぐワイヤーボンドとを含み，ＭＯＳＦＥＴの一の電極とショットキーダイオードの一方の電極とを繋ぐワイヤーボンドの部分と，ショットキーダイオードの一方の電極と第２の配線パターンとを繋ぐワイヤーボンドの部分のなす角度が平面視において鈍角である，電力用半導体装置。」 （２）甲３周知技術 ア　甲第３号証 甲第３号証（高川，「パワーＭＯＳＦＥＴの構造と応用分野」，トランジスタ技術，２００４年８月号，ｐ．１３９－１４０）には，その図２－１及び図２－２に，「パワーＭＯＳＦＥＴにおいて，ソース電極とゲート電極を上面に設けること。」が記載されていると認められる。 イ　甲３周知技術 前記アより，次の技術事項は周知技術（以下，「甲３周知技術」という。）と認められる。 「パワーＭＯＳＦＥＴにおいて，ソース電極とゲート電極を上面に設けること。」 （３）甲４及び６周知技術 ア　甲第４号証 甲第４号証（特開２００９－１８３１１５号公報）には，図面とともに次の記載がある。 （ア）「【０００３】 誘導負荷を駆動するインバータなどでは，スイッチング素子に対して並列にダイオードを接続している。このようなダイオードは還流ダイオードと呼ばれており，逆方向電流を流す働きをする。スイッチング素子としてSiC MOSFETを用いたインバータでは，SiC MOSFETに並列にSiCショットキーバリアダイオード(以下SiC SBD)を接続し，SiC SBDを還流ダイオードとして使用する構成が検討されている。」 （イ）「【００１９】 [背景技術]でも説明したとおり，SiC MOSFETをスイッチング素子として使用する場合は，図３に示すように，SiC MOSFET(130)に並列にSiC SBD(132)を接続して還流ダイオードとして使用する構成が検討されている。この構成によれば，SiC MOSFET(130)の寄生ダイオード(131)の立ち上がり電圧(約3V)とSiC SBD(132)の立ち上がり電圧(約1V)とが大きく違うため，リカバリ電流の少ないSiC SBD(132)にのみ逆方向電流を流す事ができ，寄生ダイオード(131)に逆方向電流が流れないようにできる。SiC SBDは，リカバリ電流とスイッチング損失を大幅に低減できる事が知られており，このようにSiC MOSFETによれば，Si MOSFETの場合と比べて，リカバリ電流抑制を簡単に実現できる。なお，Si MOSFETでは，並列に接続して還流ダイオードとして使用できるダイオードの立ち上がり電圧は，Si MOSFETの寄生ダイオードと同等であり，寄生ダイオードに逆方向電流が流れないようにする事はできない。」 （ウ） 図３には，寄生ダイオード１３１のアノードとSiC　SBD１３２のアノードを接続することが記載されていると認められる。 イ　甲第６号証 甲第６号証（特開２００８－０１７２３７号公報）には，図面とともに次の記載がある。 （ア）「【背景技術】 【０００２】 Ｓｉに代わるパワー半導体デバイスとして，ＳｉＣ半導体装置の開発が盛んである。このＳｉＣ半導体装置はＳｉ半導体装置に比較して，高温での動作が可能であること，低損失での動作が可能であることなどの利点があり，より小型の半導体装置を実現することができる。しかしながら，ＳｉＣ－ＦＥＴをスイッチング素子として例えばモータ等の負荷を駆動制御する電力変換器等に用いる場合，ＳｉＣ－ＦＥＴに内在するダイオード（ボディダイオード）を還流ダイオードとして用いると，ボディダイオードによるバイポーラ動作によりＳｉＣ半導体装置の結晶劣化が進行すると考えられている（例えば，非特許文献１）。ＳｉＣ半導体装置の結晶劣化が進行すると，ボディダイオードのＯＮ電圧が上昇し，さらにはＳｉＣ－ＦＥＴそのものが破壊する可能性がある。このような問題点に対して，還流ダイオードをＳｉＣ－ＦＥＴと逆並列に接続し，還流モード時にはボディダイオードを用いずに還流ダイオードに電流を流すことが示されている（例えば，特許文献１）。」 （イ）「【００１０】 実施の形態１． 以下，この発明の実施の形態１を図に基づいて説明する。 図１は，例えば交流電源を整流し，モータ負荷を駆動する電力変換器等に用いられるスイッチング素子としての半導体装置５０を備えた電子部品１００を示すブロック図である。 図において，半導体装置５０を構成するＳｉＣ－ＦＥＴ１にはボディダイオード２が内在し，ＳｉＣ－ＦＥＴ１と逆並列に還流ダイオードとしてＳｉＣ半導体のショットキバリアダイオード３（以下，ＳＢＤと称す）が接続されている。制御信号に従ってＳｉＣ－ＦＥＴ１を駆動する駆動回路４がＳｉＣ－ＦＥＴ１の制御端子に接続されている。ＳＢＤ３のアノードとカソード間電圧Ｖａｋを電圧検出手段２４が検知して駆動回路４にＯＮ信号を送る電圧検出回路５がＳＢＤ３と並列に接続される。ＳＢＤ３とボディダイオード２の電圧電流特性を図２に示す。電圧検出回路５は，ＳＢＤ３のＯＮ開始電圧ＶＳＢＤ＿ｔｈとボディダイオード２のＯＮ開始電圧ＶＢＤ＿ｔｈの間に位置するしきい電圧Ｖｔｈ（後述するＶｔｈ＿ｕｐに相当する）とＶａｋを比較し，Ｖａｋが大きければＯＮ信号を駆動回路４に送る。そのため，電圧検出回路５は電圧検出手段２４と，しきい電圧Ｖｔｈに設定された基準電圧源１２を有するヒステリシス付き比較器８からなる。ここで，ボディダイオード２を内在するＳｉＣ－ＦＥＴ１およびＳＢＤ３は同一基板上に形成されたＳｉＣ半導体装置５０を構成するものであり，駆動回路４，電圧検出回路５とを合わせてモジュール化することによって電子部品１００を構成している。」 （ウ） 図１には，ボディダイオード２のアノードとショットキバリアダイオード３のアノードを接続することが記載されていると認められる。 ウ　甲４及び６周知技術 前記ア及びイより，次の技術的事項は周知技術（以下，「甲４及び６周知技術」という。）と認められる。 「スイッチング素子としてのＭＯＳＦＥＴとショットキーバリアダイオードを並列に接続して還流ダイオードとして使用する場合に，ＭＯＳＦＥＴの寄生ダイオードのアノードとショットキーバリアダイオードのアノードを接続すること。」 （４）技術常識１ ア　甲第４号証 甲第４号証には，図面とともに次の記載がある。 （ア）「【００１６】 インバータ回路(120)は，６個のスイッチング素子(130)によって同期整流を行うように構成されている。上記スイッチング素子(130)は，ワイドバンドギャップ半導体を用いたユニポーラ素子(ここでは，SiC MOSFET)によって構成されている。インバータ回路(120)は，SiC MOSFET(130)の寄生ダイオード(131)を還流ダイオードとして使用し，同期整流を行う。なお，同期整流とは，図２に示すように，還流ダイオード(131)に逆方向電流が流れた際にSiC MOSFET(130)をオンにし，MOSFET側に逆方向電流を流す制御方法である。これにより逆方向電流が流れた際の導通損失を低減できる。」 （イ）「【００２０】 一方，SiC MOSFET(130)の寄生ダイオード(131)と同じ構造のSiC pnダイオードのリカバリ電流は小さく，Si pnダイオードよりもスイッチング損失が桁違いに小さくなるため，本実施形態ではリカバリ電流，スイッチング損失を大幅に低減できる。」 （ウ）図２には，SiC　MOSFET１３０のソース電極側が寄生ダイオード１３１のアノードとなることが記載されていると認められる。 イ　甲第６号証 甲第６号証には，図面とともに次の記載がある。 （ア）「【背景技術】 【０００２】 Ｓｉに代わるパワー半導体デバイスとして，ＳｉＣ半導体装置の開発が盛んである。このＳｉＣ半導体装置はＳｉ半導体装置に比較して，高温での動作が可能であること，低損失での動作が可能であることなどの利点があり，より小型の半導体装置を実現することができる。しかしながら，ＳｉＣ－ＦＥＴをスイッチング素子として例えばモータ等の負荷を駆動制御する電力変換器等に用いる場合，ＳｉＣ－ＦＥＴに内在するダイオード（ボディダイオード）を還流ダイオードとして用いると，ボディダイオードによるバイポーラ動作によりＳｉＣ半導体装置の結晶劣化が進行すると考えられている（例えば，非特許文献１）。ＳｉＣ半導体装置の結晶劣化が進行すると，ボディダイオードのＯＮ電圧が上昇し，さらにはＳｉＣ－ＦＥＴそのものが破壊する可能性がある。このような問題点に対して，還流ダイオードをＳｉＣ－ＦＥＴと逆並列に接続し，還流モード時にはボディダイオードを用いずに還流ダイオードに電流を流すことが示されている（例えば，特許文献１）。」 （イ）「【００１１】 ここで，ＳｉＣ－ＦＥＴ１のボディダイオード２のＯＮ開始電圧ＶＢＤ＿ｔｈに関して述べる。バイポーラ動作が結晶劣化の進行を進める原因と考えられることから，バイポーラ動作が開始する電流値に対応する電圧値をＶＢＤ＿ｔｈとするのが自然である。そもそもバイポーラ動作とは電子とホールが同時に電気伝導を荷っている状態である。パワーデバイスにおいてはバイポーラ動作で使用するときは，電子濃度ｎｅとホール濃度ｎｈがほぼ等しい状態である（例えば，非特許文献２）。 上記の電子濃度とホール濃度が等しいという条件と，ＰＮ接合ダイオードに関するショックレーモデル（例えば，非特許文献３）及び電荷制御モデル（例えば，非特許文献４）からＳｉＣ－ＦＥＴ１のボディダイオード２のＯＮ開始電圧ＶＢＤ＿ｔｈを以下の式で示すことが出来る。」 （ウ）図１には，SiC-FET１のソース電極側がボディダイオード２のアノードとなることが記載されていると認められる。 ウ　技術常識１ 前記ア及びイより，次の技術事項は技術常識（以下，「技術常識１」という。）と認められる。 「ＭＯＳＦＥＴはＰＮ接合ダイオードを寄生ダイオードとして含み，ＭＯＳＦＥＴのソース電極側が寄生ダイオードのアノードとなること。」 ４　特許請求の範囲の記載についての判断 （１）特許法３６条６項１号について ア　本件特許発明１の本件事項は，前記第２の２（１）アのとおり，特許明細書に記載されているに等しいから，本件特許発明１は，特許明細書に記載されているものである。 イ　本件特許発明１，２及び４の課題は「ＭＯＳＦＥＴに寄生しているＰＮ接合ダイオードに電流が流れるのを抑制する」というものであり（本件特許明細書段落０００２，０００７），ＭＯＳＦＥＴの材料がＳｉＣであることと直接の関係はないから，本件特許発明１，２及び４が，発明の詳細な説明において「発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲」を超えるものということはできない。 ウ　したがって，本件特許発明１，２及び４は特許法３６条６項１号の要件を満たす。 （２）特許法３６条６項２号について ア　本件事項について 本件事項を発明特定事項に含む本件特許発明１は次のとおり明確である。 第２のワイヤの寄生インダクタンスにより生じる逆起電力は，第２のワイヤを流れる電流変化量によって変動する。したがって，「寄生インダクタンスにより生じる逆起電力が前記ＭＯＳＦＥＴのＰＮ接合ダイオードの順方向立ち上がり電圧以上である」との電圧関係を常に満たすことは原理的に不可能であり，この電圧関係は少なくとも一瞬（通常はＭＯＳＦＥＴのオンオフの立ち上がり又は立ち下がり時）でも満たされればよいことは当業者に自明である。 そして，本件特許発明１の「電子回路」が，ＭＯＳＦＥＴを含むことは請求項１の記載から明らかであり，また，特許明細書段落【０００１】，【００２４】及び図１を参照して，本件特許発明１は電源及び負荷を含んだ電流の閉路である「電子回路」であるから，その「電子回路」を構成する負荷及びワイヤのインダクタンス，電源電圧並びにＭＯＳＦＥＴのスイッチング時間から第２のワイヤにおける寄生インダクタンスにより生じる逆起電力（の最大値）を一意に定めることができることも，当業者に自明のことである。 すると，このＭＯＳＦＥＴの構成により定まる「ＰＮ接合ダイオードの順方向立ち上がり電圧」と前記「第２のワイヤにおける寄生インダクタンスにより生じる逆起電力」との電圧関係も当業者にとって明確といえる。 イ　「両ワイヤのなす角度」について 本件訂正請求による訂正後の請求項１及び請求項２に記載された「両ワイヤのなす角度」は「平面視において両ワイヤのなす角度」となりその意味は明確になった。 ウ　したがって，本件訂正請求による訂正後の請求項１ないし４の記載は，発明が明確であり，特許法３６条６項２号の要件を満たすものである。 ５　決定の予告に記載した取消理由についての判断 （１）本件特許発明１について ア　本件特許発明１と甲１発明とを対比すると，甲１発明は「インダクタンスが寄生するとともにその寄生インダクタンスにより生じる逆起電力が前記ＭＯＳＦＥＴのＰＮ接合ダイオードの順方向立ち上がり電圧以上であるように構成された第２のワイヤ」という発明特定事項を有していない。そして，前記発明特定事項については，その技術的思想である本件事項からして，いずれの甲号証にも記載も示唆もない。 したがって，本件特許発明１は，甲１発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。 イ　特許異議申立人は本件特許発明１は用途限定を含む発明であり，用途限定は物を特定するための意味を有さない旨主張するが，本件特許発明１の本件事項は，前記４（２）アのとおり「電子回路」の構成から定まるものであるから，本件特許発明１が用途限定を含む発明であると認めることはできない。 （２）本件特許発明３及び４について 本件特許発明３及び４についても，前記（１）と同様であるから，甲１発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ６　その他の特許異議申立理由について （１）特許法２９条１項３号について ア　本件特許発明１について 本件特許発明１と甲１発明とを対比すると，少なくとも，甲１発明は「インダクタンスが寄生するとともにその寄生インダクタンスにより生じる逆起電力が前記ＭＯＳＦＥＴのＰＮ接合ダイオードの順方向立ち上がり電圧以上であるように構成された第２のワイヤ」という発明特定事項を有していない点で相違する。 したがって，本件特許発明１は甲１発明でない。 イ　本件特許発明３について 本件特許発明３と甲１発明とを対比すると，少なくとも，甲１発明においては「前記ＰＮ接合ダイオードの一の電極」及び「前記ショットキーバリアダイオードの一方の電極」がアノードかカソードか不明である点で相違する。 したがって，本件特許発明３は甲１発明でない。 （２）特許法２９条２項について ア　本件特許発明２について 本件特許発明２と甲１発明とは，甲１発明においては「ＭＯＳＦＥＴの一の電極とショットキーダイオードの一方の電極とを繋ぐワイヤーボンドの部分」がＭＯＳＦＥＴのどの電極と繋ぐのか不明である点で相違する。 甲１発明においてＭＯＳＦＥＴを用いて電力用半導体装置を構成する際に主回路であるＭＯＳＦＥＴのソース電極と，ドレイン電極のうちどちらかをショットキーダイオードの一方の電極と第２の配線パターンとをワイヤーボンドで繋がなければならないところ，制御回路ともワイヤーボンドで繋ぐ甲第１号証の図１に開示された結線状態から見て，ＭＯＳＦＥＴの制御電極であるゲート電極と同じ面にある電極をワイヤーボンドで繋ぐことが示唆されている。 逆に，ＭＯＳＦＥＴの制御電極であるゲート電極と反対の面にある電極をワイヤーボンドで繋ぐと，ゲート電極及びゲート電極と同じ面にある電極が下側の配線パターンと接することになり，下面全体を配線パターンにはんだ付けして放熱する（前記第３の３（１）ア（ア）及び（イ））という甲１発明の目的に反することになるから，甲１発明においてゲート電極と反対の面にある電極をワイヤーボンドで繋ぐことには阻害要因があるというべきである。 したがって，甲３周知技術及び技術常識１より，ゲート電極と反対の面にあるドレイン電極すなわち寄生ダイオードであるＰＮ接合ダイオードのカソードをワイヤーボンドで繋ぐことは当業者が容易に想到しうることではない。 また，甲第２号証ないし甲第６号証に，甲１発明においてＭＯＳＦＥＴのドレイン電極をワイヤーボンドで繋ぐことについて記載や示唆はない。 したがって，本件特許発明２は，甲１発明及び甲第２号証ないし甲第６号証に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。 イ　本件特許発明３及び４について 本件特許発明３及び４についても，本件特許発明２を引用した部分において，前記アと同様であるから，本件特許発明３及び４は，甲１発明及び甲第２号証ないし甲第６号証に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。 （３）特許法３９条２項について ア　甲９発明 甲第９号証に記載された特許第５６４６０３４号の請求項１に係る発明（以下，「甲９発明」という。）は，次のとおりである。 「ＳｉＣを半導体材料として用いたＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴと，ショットキーバリアダイオードと，前記ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴおよび前記ショットキーバリアダイオードが接合されたダイパッドと，前記ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴおよび前記ショットキーバリアダイオードが接続された外部端子とを含み，前記ダイパッド，前記ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴおよび前記ショットキーバリアダイオードが樹脂封止された半導体装置であって， 前記ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴのドレインが前記ダイパッドに接合され， 前記ショットキーバリアダイオードのカソードが前記ダイパッドに接合され， 前記ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴのソースから前記ショットキーバリアダイオードのアノードを経由して前記外部端子までステッチボンディングされた接続金属部材を含み， 前記接続金属部材における前記ショットキーバリアダイオードから前記外部端子までのインダクタンスが，前記接続金属部材における前記ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴから前記外部端子までのインダクタンスよりも小さいことを特徴とする，半導体装置。」 イ　本件特許発明１と甲９発明との対比 本件特許発明１と甲９発明とは少なくとも次の点で相違する。 （ア）　相違点１ 本件特許発明１は「ダイパッド」についての限定がないのに対し，甲９発明は「前記ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴおよび前記ショットキーバリアダイオードが接合されたダイパッド」を含み，「前記ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴのドレインが前記ダイパッドに接合され，前記ショットキーバリアダイオードのカソードが前記ダイパッドに接合され」る点。 （イ）　相違点２ 本件特許発明１は「樹脂封止」についての限定がないのに対し，甲９発明は「前記ダイパッド，前記ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴおよび前記ショットキーバリアダイオードが樹脂封止された」点。 （ウ）　相違点３ 本件特許発明１は「平面視において両ワイヤのなす角度が鈍角である」のに対し，甲９発明は接続金属部材の角度について限定がない点。 （エ）　相違点４ 本件特許発明１は「その寄生インダクタンスにより生じる逆起電力が前記ＭＯＳＦＥＴのＰＮ接合ダイオードの順方向立ち上がり電圧以上であるように構成された第２のワイヤ」を含むのに対し，甲９発明の「接続金属部材」はその寄生インダクタンスにより生じる逆起電力についての限定がない点。 （３）小括 したがって，本件特許発明１と甲９発明とは同一であるとはいえない。 （４）本件特許発明２ないし４について 本件特許発明２ないし４についても，甲９発明とは少なくとも相違点１ないし３で相違するから，甲９発明と同一であるとはいえない。 第４　むすび 以上のとおりであるから，取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては，請求項１ないし４に係る特許を取り消すことはできない。 また，他に請求項１ないし４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって，結論のとおり決定する。