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特許第７４９２９５８号発明「マイクロヒーター、ガスセンサー、およびマイクロヒーターの製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７４９２９５８号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－６〕、〔７－１３〕について訂正することを認める。 特許第７４９２９５８号の請求項１、４～７及び１０～１３に係る特許を維持する。 特許第７４９２９５８号の請求項２、３、８及び９に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７４９２９５８号の請求項１～１３に係る特許についての出願は、２０２０年（令和２年）４月２８日（優先権主張 令和元年６月２７日）を国際出願日とする出願であって、令和６年５月２２日にその特許権の設定登録がされ、同年同月３０日に特許掲載公報が発行されたものである。 その特許についての本件特許異議の申立ての主な経緯は、次のとおりである。 令和６年１１月２９日 ：特許異議申立人上垣内俊彦（以下「申立人」という。）による請求項１～１３に係る特許に対する特許異議の申立て 令和７年 ２月１９日 ：申立人による手続補正書（方式）の提出 同年 ３月１１日付け：取消理由通知書 同年 ５月１３日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出 同年 ６月 ３日付け：取消理由通知書（決定の予告） 同年 ８月 ４日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出 同年 ９月１８日 ：申立人による意見書の提出 なお、令和７年５月１３日に提出された訂正請求書は、特許法第１２０条の５第７項の規定により取り下げられたものとみなすことから、同年８月４日に提出された訂正請求書を以下「本件訂正請求書」といい、それによる訂正を「本件訂正」又は単に「訂正」という。 また、令和７年２月１９日に提出された手続補正書（方式）によって補正された特許異議申立書を以下「申立書」という。 第２ 訂正の適否 １ 訂正の内容 本件訂正請求書による請求の趣旨は、特許請求の範囲を、本件訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－６〕、〔７－１３〕について訂正することを求めるものであり、その内容は以下のとおりである。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に「前記金属酸化物は、金属と酸素との化学量論比において前記酸素が欠乏している酸素欠乏領域を含むマイクロヒーター」と記載されているのを、「前記金属酸化物は、金属と酸素との化学量論比において前記酸素が欠乏している酸素欠乏領域を含み、前記金属は、チタンであり、前記金属酸化物は、金属と酸素との化学量論比が１：０．９～１．４であるマイクロヒーター」に訂正する（請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項４～６についても同様に訂正する。）。なお、下線は訂正箇所を示す（以下同様）。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２及び請求項３を削除する。 （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項４に「請求項１～３のいずれか１項に記載の」と記載されているのを「請求項１に記載の」に、請求項５に「請求項１～４のいずれか１項に記載の」と記載されているのを「請求項１又は４に記載の」に、それぞれ訂正する。 （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項７に「前記金属酸化物は、金属と酸素との化学量論比において前記酸素が欠乏している酸素欠乏領域を含むマイクロヒーター」と記載されているのを、「前記金属酸化物は、金属と酸素との化学量論比において前記酸素が欠乏している酸素欠乏領域を含み、前記金属は、チタンであり、前記金属酸化物は、金属と酸素との化学量論比が１：０．９～１．４であるマイクロヒーター」に訂正する（請求項７の記載を直接的又は間接的に引用する請求項１０～１３についても同様に訂正する。）。 （５）訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項８及び請求項９を削除する。 （６）訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項１０に「請求項７～９のいずれか１項に記載の」と記載されているのを「請求項７に記載の」に、請求項１１に「請求項７～１０のいずれか１項に記載の」と記載されているのを「請求項７又は１０に記載の」に、それぞれ訂正する。 ２ 訂正の目的の適否、特許請求の範囲の拡張・変更の存否、新規事項の有無 （１）訂正事項１及び４について 訂正事項１及び４は、「前記金属酸化物」の「金属」を「チタン」に、「酸素が欠乏している」「金属と酸素との化学量論比」を「１：０．９～１．４」に、それぞれ限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、そのような限定をする訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 そして、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本件特許明細書等」という。）の【００１９】に「［３］前記金属は、チタンであり、前記金属酸化物」、【００９２】に「上記の評価結果より、チタンと酸素との化学量論比が１：０．９～１．４である酸化チタン層の使用が好ましいことが分かった。」と記載されていることから、訂正事項１及び４は、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものである。 （２）訂正事項２及び５について 訂正事項２及び５は、請求項を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではなく、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものである。 （３）訂正事項３及び６について 訂正事項３は、訂正事項２で請求項２及び３が削除され、請求項２及び３が存在しないものとなったことにより、引用する請求項から請求項２及び３を削除する訂正であり、訂正事項６は、訂正事項５で請求項８及び９が削除され、請求項８及び９が存在しないものとなったことにより、引用する請求項から請求項８及び９を削除する訂正であるから、各々、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではなく、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものである。 ３ 一群の請求項について 訂正前の請求項２～６は請求項１を直接的又は間接的に引用するものであり、訂正前の請求項８～１３は請求項７を直接的又は間接的に引用するものであるから、請求項１～６、請求項７～１３は、それぞれ一群の請求項であり、上記訂正事項１～３は、前者の一群の請求項に請求されており、訂正事項４～６は、後者の一群の請求項に請求されているものである。 よって、本件訂正は、特許法第１２０条の５第４項に適合するものである。 ４ 訂正の適否についてのまとめ 以上のとおり、訂正事項１～６に係る訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。 よって、特許請求の範囲を、本件訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－６〕、〔７－１３〕について訂正することを認める。 第３ 本件発明及び本件明細書等 １ 本件発明について 本件訂正請求により訂正された請求項１、４～７及び１０～１３に係る発明（以下順に「本件発明○」といい、まとめて「本件発明」ともいう。なお、請求項２、３、８及び９については上記第２の１（２）及び（５）のとおり削除されている。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１、４～７及び１０～１３に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 「【請求項１】 第１絶縁層と、 前記第１絶縁層上の第１密着層と、 前記第１密着層上の配線層と、 前記配線層を覆う第２密着層と、 前記第１絶縁層上及び前記第２密着層上の第２絶縁層と、を備え、 前記配線層は、白金を含み、 前記第１密着層及び前記第２密着層は、それぞれ金属酸化物を含み、 前記金属酸化物は、金属と酸素との化学量論比において前記酸素が欠乏している酸素欠乏領域を含み、 前記金属は、チタンであり、 前記金属酸化物は、金属と酸素との化学量論比が１：０．９～１．４であるマイクロヒーター。」 「【請求項４】 前記酸素欠乏領域は、前記配線層と前記第１密着層との界面側から前記第１絶縁層側に向かうに連れて徐々に酸素の量が大きくなる領域と、前記配線層と前記第２密着層との界面側から前記第２絶縁層側に向かうに連れて徐々に酸素の量が大きくなる領域と、を有する請求項１に記載のマイクロヒーター。 【請求項５】 前記第２絶縁層上に、さらに温度センサーを備え、 前記配線層は、白金を含み、 前記第２絶縁層は、酸化物絶縁層と、前記酸化物絶縁層上の窒化物層を備え、 前記配線層は、一対の電極のそれぞれと接続する第１蛇腹構造を有し、 前記温度センサーは、第２蛇腹構造を有し、 前記第１蛇腹構造の直線部分と前記第２蛇腹構造の直線部分との間でなす角度は、４５°～１３５°であり、 前記温度センサーは、金属酸化物層と、前記金属酸化物層上の金属層と、を備える請求項１又は４に記載のマイクロヒーター。 【請求項６】 前記金属酸化物層中の金属酸化物は、金属と酸素との化学量論比において前記酸素が欠乏している酸素欠乏領域を含み、 前記金属酸化物層中の金属酸化物は、前記第１密着層及び前記第２密着層の金属酸化物と同一材料を含む請求項５に記載のマイクロヒーターを備えるガスセンサー。 【請求項７】 第１絶縁層を形成し、 前記第１絶縁層上に第１密着層を形成し、 前記第１密着層上に配線層を形成し、 前記配線層上に前記配線層の側面を覆う第２密着層を形成し、 前記第１絶縁層及び前記第２密着層上に第２絶縁層を形成し、 前記第１密着層及び前記第２密着層は、それぞれ金属酸化物を含み、 前記金属酸化物は、金属と酸素との化学量論比において前記酸素が欠乏している酸素欠乏領域を含み、 前記金属は、チタンであり、 前記金属酸化物は、金属と酸素との化学量論比が１：０．９～１．４であるマイクロヒーターの製造方法。」 「【請求項１０】 前記酸素欠乏領域は、前記配線層と前記第１密着層との界面側から前記第１絶縁層側に向かうに連れて徐々に酸素の量が大きくなる領域と、前記配線層と前記第２密着層との界面側から前記第２絶縁層側に向かうに連れて徐々に酸素の量が大きくなる領域と、を有する請求項７に記載のマイクロヒーターの製造方法。 【請求項１１】 前記第２絶縁層上に、さらに温度センサーを形成し、 前記温度センサーは、 前記第２絶縁層上に金属酸化物層を形成する工程と、 前記金属酸化物層上に金属層を形成する工程と、を備え、 前記第２絶縁層は、 前記第１絶縁層及び前記第２密着層上に酸化物絶縁層を形成する工程と、 前記酸化物絶縁層上に窒化物層を形成する工程と、備え、 前記配線層は、白金を含み、 前記配線層は、第１蛇腹構造を有するように形成され、 前記温度センサーは、第２蛇腹構造を有するように形成され、 前記第１蛇腹構造の直線部分と前記第２蛇腹構造の直線部分との間でなす角度は、４５°～１３５°である請求項７又は１０に記載のマイクロヒーターの製造方法。 【請求項１２】 前記金属酸化物層中の金属酸化物は、金属と酸素との化学量論比において前記酸素が欠乏している酸素欠乏領域を含む請求項１１に記載のマイクロヒーターの製造方法。 【請求項１３】 前記金属酸化物層中の金属酸化物は、前記第１密着層及び前記第２密着層の金属酸化物と同一材料を含む請求項１１に記載のマイクロヒーターの製造方法。」 ２ 本件明細書等 明細書及び図面には訂正がなかったことから、本件特許明細書を「本件明細書」（図面を含めて「本件明細書等」ともいう。）といい、その本件明細書等には以下の事項が記載されている。なお、下線は当審において付与したものである。 （本ア）「【発明が解決しようとする課題】 【０００６】 しかしながら、上記範囲の温度以上の高温領域（例えば、５００℃程度）で使用する場合、加熱によって窒化物と白金が反応してしまい、空隙が配線部に生じる。当該空隙は、加熱し続けられることで徐々に広がり、やがて配線部を断線させ、マイクロヒーターの動作不良を招くおそれがある。 【０００７】 上記断線を抑制するため、窒化物層のかわりに高温領域において白金と反応しない酸化物絶縁層を用いることも検討されてきたが、白金と酸化物との密着性が不十分であり、膜剥がれが生じやすく、酸化物絶縁層を密着層として機能させることは困難であった。 【０００８】 本実施形態は、配線部に生じる空隙を抑制し、かつ配線部との密着性を確保した密着層を備えるマイクロヒーターを提供する。また、他の実施形態は、当該マイクロヒーターを備えるガスセンサーを提供する。さらに、他の実施形態は、当該マイクロヒーターの製造方法を提供する。」 （本イ）「【００７９】 （実施例１） 本実施例では、前述のマイクロヒーターにおける断面ＴＥＭ観察を行った。 【００８０】 本実施例のマイクロヒーターは、第１実施形態で示したように、基板１０であるシリコン基板と、絶縁層１２と、窒化物層１４と、絶縁層１６と、ヒーター層１８と、絶縁層２０と、窒化物層２２と、を備える。さらに、窒化物層２２上に絶縁層２５を備える。 【００８１】 絶縁層１２は酸化シリコン層であり、窒化物層１４は窒化シリコン層であり、絶縁層１６は酸化シリコン層であり、絶縁層２０は酸化シリコン層であり、窒化物層２２は窒化シリコン層であり、絶縁層２５は酸化シリコン層である。これらの絶縁層はＣＶＤ法により形成した。 【００８２】 また、ヒーター層１８は、密着層１８ａと、配線層１８ｂと、密着層１８ｃとからなる構成であり、密着層１８ａはチタンと酸素との化学量論比が１：１．１である酸化チタン層であり、配線層１８ｂは白金層であり、密着層１８ｃはチタンと酸素との化学量論比が１：１．１である酸化チタン層である。密着層１８ａ、配線層１８ｂ、及び密着層１８ｃはスパッタリング法により形成した。」 「【００８４】 図１７（ａ）に示すように、配線層１８ｂに空隙の発生は確認できず、また、配線層１８ｂと密着層１８ａ又は密着層１８ｃとの界面において膜剥がれの発生は確認できなかった。 【００８５】 （実施例２） 本実施例では、実施例１のマイクロヒーターにおける密着層の材料の違いによる空隙及び膜剥がれの発生の有無を断面ＴＥＭ観察及び表面顕微鏡観察にて評価した。 【００８６】 断面ＴＥＭ観察の評価サンプルとして、密着層１８ａ及び密着層１８ｃがチタンと酸素との化学量論比が１：１．１である酸化チタン層（ＴｉＯ１．１）、チタンと酸素との化学量論比が１：２である（化学量論的組成である）酸化チタン層（ＴｉＯ２）、及びチタンと窒素との化学量論比が１：１である窒化チタン層（ＴｉＮ）の３種を用意した。なお、酸化チタン層（ＴｉＯ１．１）の酸素の割合は、酸化チタンの化学量論的組成であるときの酸素の５５％である。（以降、ＴｉＯ２に対するＴｉＯｘの酸素の割合を酸素割合ともいう）なお、窒化チタン層（ＴｉＮ）は、酸素が含まれていないもののサンプルとして用いた。用意したサンプルに７００℃の熱処理を行った。 【００８７】 また、表面顕微鏡写真の評価サンプルとして、密着層１８ａ及び密着層１８ｃが酸化チタン層（ＴｉＯ０．５：酸素割合２５％）、酸化チタン層（ＴｉＯ０．９：酸素割合４５％）、酸化チタン層（ＴｉＯ１．１：酸素割合５５％）、酸化チタン層（ＴｉＯ１．４：酸素割合７０％）、酸化チタン層（ＴｉＯ２：酸素割合１００％）、及び窒化チタン層（ＴｉＮ：酸素割合０％）の６種を用意した。用意したサンプルに８００℃の熱処理を行った。 【００８８】 実施例１と同様にして得られた断面ＴＥＭ画像を図１７に示す。図１７（ａ）は密着層１８ａ及び密着層１８ｃが酸化チタン層（ＴｉＯ１．１）である断面であり、図１７（ｂ）は密着層１８ａ及び密着層１８ｃが酸化チタン層（ＴｉＯ２）である断面であり、図１７（ｃ）は密着層１８ａ及び密着層１８ｃが窒化チタン層（ＴｉＮ）である断面である。 【００８９】 図１７（ａ）に示すように、密着層１８ａ及び密着層１８ｃが酸化チタン層（ＴｉＯ１．１）である場合は配線層１８ｂに空隙の発生は確認できず、また、配線層１８ｂと密着層１８ａ又は密着層１８ｃとの界面において膜剥がれの発生は確認できなかった。一方、図１７（ｂ）に示すように、密着層１８ａ及び密着層１８ｃが酸化チタン層（ＴｉＯ２）である場合は、領域２６に膜剥がれが発生していることが確認できた。また、図１７（ｃ）に示すように、密着層１８ａ及び密着層１８ｃが窒化チタン層（ＴｉＮ）である場合は、領域２７に空隙が発生していることが確認できた。 【００９０】 また、得られた表面顕微鏡写真を図１８及び図１９に示す。図１８（ａ）は密着層１８ａ及び密着層１８ｃが酸化チタン層（ＴｉＯ０．９）である表面であり、図１８（ｂ）は密着層１８ａ及び密着層１８ｃが酸化チタン層（ＴｉＯ１．１）である表面であり、図１８（ｃ）は密着層１８ａ及び密着層１８ｃが酸化チタン層（ＴｉＯ１．４）である表面である。図１９（ａ）は密着層１８ａ及び密着層１８ｃが窒化チタン層（ＴｉＮ）である表面であり、図１９（ｂ）は密着層１８ａ及び密着層１８ｃが酸化チタン層（ＴｉＯ０．５）である表面であり、図１９（ｃ）は密着層１８ａ及び密着層１８ｃが酸化チタン層（ＴｉＯ２）である表面である。 【００９１】 図１８（ａ）～図１８（ｃ）に示すように、密着層１８ａ及び密着層１８ｃの材料が酸化チタン層（ＴｉＯ０．９）、酸化チタン層（ＴｉＯ１．１）、及び酸化チタン層（ＴｉＯ１．４）であるものは、空隙の発生は確認できず、また、配線層１８ｂと密着層１８ａ又は密着層１８ｃとの界面において膜剥がれの発生は確認できなかった。一方、図１９（ａ）～図１９（ｃ）に示すように、密着層１８ａ及び密着層１８ｃの材料が窒化チタン層（ＴｉＮ）、酸化チタン層（ＴｉＯ０．５）、及び酸化チタン層（ＴｉＯ２）であるものは、空隙又は膜剥がれ（図中の黒点や白点）が発生していることが確認できた。 【００９２】 上記の評価結果より、チタンと酸素との化学量論比が１：０．９～１．４である酸化チタン層の使用が好ましいことが分かった。」 （なお、上記図面の摘記は略す。） 第４ 取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由について １ 取消理由の概要 令和７年６月３日付け取消理由通知書（決定の予告）で通知した取消理由は、取り下げられたものとみなす訂正請求書により訂正された請求項に対するものであり、その概要は次のとおりである。 請求項１及び７に係る発明の発明特定事項である「金属酸化物は、金属と酸素との化学量論比において前記酸素が欠乏している酸素欠乏領域を含む」もののうち「チタンと酸素との化学量論比が１：０．９～１．４」については、本件発明の課題が解決できることを当業者が認識できる範囲であるものの、前記化学量論比以外の酸素欠乏領域及びチタン以外の金属については、本件発明の課題が解決できることを当業者が認識できるものではない。 請求項１を直接的又は間接的に引用する請求項２～６に係る発明、並びに請求項７を直接的又は間接的に引用する請求項８、９及び１１～１３に係る発明についても、「チタンと酸素との化学量論比が１：０．９～１．４」に限定されているものではないから、本件発明の課題が解決できることを当業者が認識できるものではない。 したがって、請求項１～９及び１１～１３に係る発明は、本件発明の課題が解決できることを当業者が認識できる範囲を超えるものであるから、発明の詳細な説明に記載したものとはいえず、請求項１～９及び１１～１３に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定にする要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。 ２ 取消理由に対する判断 上記第２の１に記載した訂正事項１及び４により、本件発明１及び７は、「金属酸化物は、金属と酸素との化学量論比において前記酸素が欠乏している酸素欠乏領域を含む」ものが「チタンと酸素との化学量論比が１：０．９～１．４」であるものに限定されたことから、本件発明１及び７、並びに、本件発明１を直接的又は間接的に引用する本件発明４～６及び本件発明７を直接的又は間接的に引用する本件発明１０～１３は、本件発明の課題が解決できることを当業者が認識できるものとなり、発明の詳細な説明に記載したものである。 したがって、本件発明１、４～７及び１０～１３に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定にする要件を満たしていない特許出願に対してされたものではないから、取消理由によって取り消すことはできない。 第５ 取消理由通知（決定の予告）において採用しなかった特許異議申立理由について 上記第４の１で記載した取消理由通知（決定の予告）において採用しなかった特許異議申立理由として、申立人は、特許された請求項に対して、概略、以下の申立理由を主張している。 なお、申立人が提示した甲第○号証は、以下「甲○」という。 １ 申立理由１（進歩性） 請求項１～１３に係る発明は、本件特許出願の優先日前に日本国内又は外国において頒布された甲１に記載された発明又は甲４に記載された発明、並びに甲２、甲３及び甲５に記載された事項に基いて、本件特許出願の優先日前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～１３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ＜甲号証一覧＞ 甲１：特開昭６１－１８８９０１号公報 甲２：特開２００２－１０７３２２号公報 甲３：和田充弘、他、「大気中熱処理後のPt/Ti/Si02薄膜におけるPt薄膜密着機構の検討」、日本金属学会誌、第74巻、第9号、２０１０年、pp.578-583 甲４：特開２０１５－１６９５５２号公報 甲５：特開２０１１－１３７６７９号公報 ２ 申立理由２（明確性） 請求項１～１３に係る発明は明確でないことから、請求項１～１３に係る特許は、その特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第２号に規定にする要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 なお、申立人の具体的な主張については、以下の第７の２の申立理由２において、記載することとする。 ３ 申立理由３（実施可能要件） 発明の詳細な説明の記載が、当業者が請求項１～１３に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでないことから、請求項１～１３に係る特許は、その発明の詳細な説明の記載が、特許法第３６条第４項第１号に規定にする要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 なお、申立人の具体的な主張については、以下の第７の３の申立理由３において、記載することとする。 ４ サポート要件に関する申立理由 申立書で記載しているサポート要件違反の主張内容（４６頁１１行～４７頁１５行）は、上記第４の１で記載した取消理由の指摘内容より、広い範囲をサポート範囲（本件発明の課題が解決できることを認識できる範囲）とするものであるから、取消理由通知（決定の予告）において採用しなかった申立理由とはならない。 なお、取消理由は上記第４の２で記載したとおり訂正により解消されていることから、サポート要件に関する申立理由も解消している。 第６ 甲号証の記載 １ 甲１について （１）記載事項 甲１には、以下の事項が記載されている。なお、下線は当審において付与したものである（以下同様）。 （甲１ア）「２．特許請求の範囲」 １．基板、該基板上に形成された第１の絶縁膜、該第１の絶縁膜上に形成された白金パターン、および該白金パターン上に形成された第２の絶縁膜を具備する流量センサ用膜式抵抗において、前記各第１、第２の絶縁膜と前記白金パターンとの間に二酸化チタン（TiO2）層を形成したことを特徴とする流量センサ用膜式抵抗。」 （甲１イ）「このような要求を満たす金属として白金が発熱材料として常用されている。その１つとして、従来の白金を用いた腹式抵抗においては、セラミック、シリコン等の基板上に白金を蒸着、スパッタリング等により成膜しているが、白金は安定な金属であるために、白金と下地の絶縁物質、および白金とその上に形成されるパッシベーション膜との接着強度が弱く、はがれ易いという問題がある。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明の目的は、白金を用いた強固な流量センサ用膜式抵抗を提供することにあり、その手段は、白金と下地の絶縁物質との間、および白金とその上のパッシベーション膜との間に二酸化チタン（TiO2）層を挿入したことにある。 〔作 用〕 TiO2層は、耐水性、加工性に優れており、白金との接着強度が強く、しかも、その熱膨張率は白金の熱膨張率とほぼ一致しているので、膜式抵抗の強固さが向上する。 〔実施例〕 初めに、TiO2について説明する。 絶縁膜として耐水性、加工性（エッチング）に優れているものとしては、SiO2、Si3N4、TiO2、Al2O3等が上げられる。なお、Al2O3よりTiO2の方が加工性に優れている。また、Pt、Auに対する接着強度について、SiO2、Si3N4は0.1×107N/m2であり、TiO2は0.9×107N/m2、Al2O3は1.1×107N/m2であり、従って、TiO2、Al2O3の接着強度はSiO2、Si3N4の接着強度の約１０倍である。なお、Auは後述のごとく膜式抵抗の配線部の材料として用いられる。 さらに、熱膨張率からみると、 Au：14.2×10-6/deg Pt：8.9×10-6/deg TiO2：8.2×10-6/deg Al2O3：6.2×10-6/degであり、内燃機関の吸入空気量センサの場合、吸入空気の温度は-40℃～120℃と広く、従ってPt、Auの熱膨張率に近いものとして、TiO2が優れている。 以上のことを考慮すると、腹式抵抗の材料Ptと第１、第２の絶縁膜との間に挿入すべき材料としてTiO2が優れていることが分かる。」（２頁左上欄８行～左下欄１４行） （甲１ウ）「第１図を参照してさらに詳細に説明すると、シリコン単結晶基板１を熱酸化して第１の絶縁膜（下地の絶縁物質）としての二酸化シリコン（SiO2）層を形成し、その上に、本発明に係るTiO2層３を形成しである。また、TiO2パタ一ン層３上には、上述のPtパターン層４が形成され、さらに配線部の抵抗を低減するために、配線部のPtパターン層４は金（Au）パターン層５により２層化されている。さらに、Auパターン層５により２層化された部分を含むPtパターン層４には第２の絶縁膜（パッシベーション膜）としてのSiO2層７をＣＶＤにより形成してある。なお、第２の絶縁膜はシリコンナイトライド（Si3N4）でもよい。 このように、第１の絶縁膜としてのSiO2層２とPtパターン層４との間には、Ptパターン層４との接着強度が大きいTiO2パターン層３が設けられ、また、Ptパターン層４と第２の絶縁膜としてのSiO2層７との間にも、Ptパターン層４との接着強度が大きいTiO2パターン層５が設けられている。」 （甲１エ）第１図として、以下の図面が記載されている。 「 ［図：0001433068000001.jpg］ 」 （２）甲１発明について 甲１発明を、（甲１ア）の記載に基づいて認定すると、以下のとおりである。 「基板、該基板上に形成された第１の絶縁膜、該第１の絶縁膜上に形成された白金パターン、および該白金パターン上に形成された第２の絶縁膜を具備する流量センサ用膜式抵抗において、前記各第１、第２の絶縁膜と前記白金パターンとの間に二酸化チタン（TiO2）層を形成した流量センサ用膜式抵抗。」（以下「甲１発明」という。） ２ 甲２について 甲２には、以下の事項が記載されている。 （甲２ア）「【０００３】ＭＩＳ構造のガスセンサにおいて使用される感応膜は、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ等の金属膜であるが、通常、これらの金属膜は半導体の表面に形成される絶縁膜上に直接形成される。絶縁膜としては酸化膜及び有機膜等が用いられるが、これらの絶縁膜の表面にＰｄ、Ｐｔ、Ｉｒ等からなる金属膜を形成した場合は、十分に密着せず、絶縁膜と金属膜とが部分的に剥離することがある。このように剥離を生じた場合は、初期特性がばらついたり、使用における経時とともにセンサ特性が徐々に低下する。 【０００４】ガスセンサではなく、薄膜回路基板の分野では、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ等の薄膜を酸化膜、有機膜等の絶縁膜の表面に形成する場合、それらを十分に密着させるため、絶縁膜とＰｄ、Ｐｔ、Ｉｒ等の薄膜との間に、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ、Ｎｂ又はＭｏ等からなる金属層が形成される。これによって絶縁膜とＰｄ、Ｐｔ、Ｉｒ等の薄膜とを十分に密着させることができる。しかし、ＭＩＳ構造のガスセンサの場合は、感応膜を形成する金属が半導体上の絶縁性の皮膜に接していないとガス検知能が発現されない。そのため、感応膜と絶縁膜との間に、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ、Ｎｂ、Ｍｏ等からなる金属層を形成した場合は、ガス検知素子として機能しない。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の従来の問題を解決するものであり、ＭＩＳ構造のガスセンサに用いられるガス感応性積層体であって、絶縁膜と感応膜とが十分に密着し、剥離することがなく、使用時、優れたガス検知能が維持されるガス感応性積層体及びその製造方法、並びにこのガス感応性積層体をガス検出素子として用いたガスセンサを提供することを目的とする。 【０００６】 【課題を解決するための手段】第１発明のガス感応性積層体は、半導体と、該半導体の表面に形成された絶縁膜と、該絶縁膜の表面に形成された金属からなる感応膜と、を有するガス感応性積層体において、上記絶縁膜と上記感応膜との間に酸化物からなる中間層が積層されていることを特徴とする。 【０００７】上記「半導体」としては、シリコン、ＴｉＯ2等の酸化物半導体、ＣｄＳ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＳｉＣ等の各種の半導体が挙げられる。上記「絶縁膜」は、各種金属の酸化物及びＳｉＯ2等より形成することができ、高分子重合体からなる有機絶縁膜とすることもできる。また、半導体としてシリコンを用いた場合は、この半導体を熱酸化させることにより、その全表面にＳｉＯ2からなる絶縁膜を形成することができる。これらの絶縁膜の厚さは、通常、２～２００ｎｍとすることができる。上記「感応膜」は、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ等の白金族金属などにより形成することができる。 【０００８】酸化物からなる上記「中間層」は、絶縁膜の表面に形成され、この中間層の表面に感応膜が形成される。絶縁膜と中間層及び中間層と感応膜の各々の界面は十分に密着し、中間層を設けない場合のように経時とともに絶縁膜と感応膜とが剥離することがなく、優れたセンサ特性が維持される。中間層を形成する酸化物は特に限定されないが、第２発明のように、酸化チタン、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化ニオブ及び酸化モリブデンのうちの少なくとも１種であることが好ましい。また、中間層は、酸化チタン、酸化タンタル、酸化クロム又は酸化タングステンにより形成することが特に好ましい。中間層の厚さは特定されないが、１～２０ｎｍ程度とすることができる。」 （甲２イ）「【００１８】その後、シリコンウェハの研磨面上に形成されたＳｉＯ2膜の表面のうち周縁部を除く部分に、フォトリソグラフィ法により、表１の中間層と感応膜と連続的に形成した。金属であるＴｉ、Ｔａ及びＰｄは、Ａｒ雰囲気のスパッタリング法により形成した。また、金属酸化物であるＴｉＯは、Ａｒ／Ｏ2＝３／１雰囲気のスパッタリング法により形成した（図２）。」 （甲２ウ）「【００２１】上記のようにして試作したセンサ素子を使用し、Ａｒ中、流量１０リットル／分で水素感度を測定した。そして、この水素感度の経時変化等により絶縁膜と感応膜との密着性を評価した。その結果、Ｐｄからなる感応膜のみで中間層がない実験例１では、当初の水素感度は十分であったが、剥離のため経時とともに感度が低下し、密着性に劣ることが分かった。更に、Ｔｉ層を形成し、これを熱処理せず、金属層のままとした実験例３では、Ｔｉが金属のまま存在しているため、水素感度がなかった。また、ＴｉＯからなる中間層を有する実験例２、並びにＴｉ層及びＴａ層が熱処理により酸化され、それぞれＴｉＯ層、ＴａＯ層となった実験例４、５では、水素感度は当初より十分であるとともに、経時による低下もなく、密着性に優れていた。」 （甲２エ）表１として、以下の表が記載されている。 「【表１】 ［図：0001433068000002.jpg］ 」 ３ 甲３について 甲３には、以下の事項が記載されている。 （甲３ア）「１．諸言 近年の電子材料に用いられている配線材料は，低電流損失や高周波数応答性に対応する電気的な特性が求められている．これらを実現するひとつの手段として，配線材料の結晶組織を制御することが有効で，その対処法としては熱処理を用いることが一般的である．なかでも，配線材料のみならず温度センサーとしても用いられているPtについては，成膜手法や熱処理による物性変化や特性変化について多くの報告がなされている． この様な研究が行われている中，半澤らはAr-O2混合ガスを用いてPt薄膜を成膜し，さらに大気中にて熱処理を実施することで，センサー感度の向上とTi密着層の維持，およびPt薄膜の低表面粗さを同時に実現した． ・・・ 本研究では，Ti密着層が酸化反応によりTiO2となった際の，Pt/TiO2/SiO2各界面について各種評価を行い，Pt薄膜の密着機構について考察した．」（５７８頁左欄１行～右欄７行） （甲３イ）「３．結果および考察 ・・・ 3.1 剥離面評価 成膜直後および各条件にて熱処理を行った薄膜試料のSAICAS法による薄膜密着強度測定結果をTable1に示す．成膜直後の薄膜では，120N/mの密着強度を有し，900℃,0hでは240N/mと密着強度が増加するものの，熱処理温度と時間が増加する1000℃,4hでは逆に49N/mと低下することがわかった． ［図：0001433068000003.jpg］ ・・・ このことから，成膜直後のPt/Ti薄膜には，大きな引張応力が作用していると推定される．これに対して，900℃,0hで熱処理を行った試料については，薄膜内の応力が緩和されたために，一時的に密着強度が上昇したと推定される．」（５７９頁左欄下から４行～最下行） （甲３ウ） 「これに対して，Pt薄膜とTiO2粒子界面近傍においてEELS線分析を実施した際の各EELSスペクトルをFig.6およびFig.7に示す．TiO2粒子内部では先程と同様にTiL2,3エッヂおよびＯＫエッヂがTiO2を示す特徴的な形状を示しているのに対して，Pt薄膜との界面近傍では，TiL2,3エッヂが金属的である．またこの界面においてＯＫエッヂの強度は極めて低いことから，成膜時に形成されたTi-Pt金属結合が熱処理後も存続し，Ptとの合金層を形成している可能性を示唆している．いずれにしても，界面近傍のTiは，TiO2よりも還元された状態にあることがわかった．このため，一般的には密着強度が低いPtとTiO2の接合界面においても，TiとPtが化学的な結合を有しているため，ある程度の密着強度が発現していることが明らかとなった．」 ４ 甲４について 甲４には、以下の事項が記載されている。 （甲４ア）「【０００２】 湿度等の雰囲気状態を検出する検出装置として、熱伝導原理を利用したマイクロブリッジ構造を有する検出装置が広く用いられている。」 （甲４イ）「【００１５】 図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１実施形態に係る検出装置１００ａは、空洞が形成された空洞部１０２ａと空洞が形成されていない非空洞部１０２ｂとを有する基板１０１と、空洞部１０２ａ上に架橋支持又は片持支持された薄膜層としての下部絶縁層１０３と、下部絶縁層１０３上に第１接着層１０４を介して形成された発熱体パターン１０５と、非空洞部１０２ｂ上に下部絶縁層１０３及び第１接着層１０４を介して形成された抵抗体パターン１０６ａ、１０６ｂとを有する。 【００１６】 また、発熱体パターン１０５及び抵抗体パターン１０６ａ、１０６ｂ上には、第２接着層１０７及び上部絶縁層１０８が形成されている。」 （甲４ウ）図１（ｂ）として、以下の図面が記載されている。 「 ［図：0001433068000004.jpg］ 」 （甲４エ）「【００３２】 次に、検出装置１００ａの作製方法の一例について説明する。 【００３３】 図２に、第１実施形態に係る検出装置１００ａの作製方法の一例のフローチャートを示す。以下、図２を参照しながら、各々のステップについて説明する。 【００３４】 （Ｓ１）例えばシリコン基板からなる基板１０１上に、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）等の下部絶縁層１０３を、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、スパッタ法等により形成する。 【００３５】 （Ｓ２）下部絶縁層１０３上に、例えば五酸化二タンタル（Ｔａ２Ｏ５）等の絶縁物である第１接着層１０４を、ＣＶＤ法、スパッタ法等により形成する。 【００３６】 （Ｓ３）第１接着層１０４上に発熱体パターン１０５及び抵抗体パターン１０６ａ、１０６ｂ、端子Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを形成するための抵抗体膜を、蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタ法等とエッチング法により形成する。抵抗体膜としては、例えば白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、ニッケルクロム（ＮｉＣｒ）、タングステン（Ｗ）等が挙げられる。中でも、Ｐｔは他の金属に比べて抵抗値の温度係数が大きく、広い温度範囲でその温度係数の直線性が高く、また、物性が安定しているため、発熱体パターン１０５と温度検出抵抗体（本実施形態では、抵抗体パターン１０６ａ、１０６ｂ）の両方の機能を合わせ持つ最適な材料である。 【００３７】 （Ｓ４）抵抗体膜上に、例えばＴａ２Ｏ５等の絶縁物である第２接着層１０７を、ＣＶＤ法、スパッタ法等により形成する。 【００３８】 （Ｓ５）第１接着層１０４、抵抗体膜及び第２接着層１０７を、例えばフォトリソグラフィにより所望の形状に加工する。すなわち、発熱体パターン１０５、抵抗体パターン１０６ａ、１０６ｂ、端子Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを形成する。 【００３９】 （Ｓ６）電極間の絶縁性を保つため、第２接着層１０７上にＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４等の上部絶縁層１０８をＣＶＤ法、スパッタ法等により形成する。 【００４０】 （Ｓ７）上部絶縁層１０８を、例えばフォトリソグラフィにより所望の形状に加工する。 【００４１】 （Ｓ８）水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、水酸化カリウム（ＫＯＨ）等のエッチング液を用いて基板１０１を異方性エッチングすることにより、空洞部１０２ａを形成する。 【００４２】 以上に説明した（Ｓ１）～（Ｓ８）の方法により、第１実施形態に係る検出装置１００ａが得られる。」 ５ 甲５について 甲５には、以下の事項が記載されている。 「【００５１】 図７は、本発明の第二実施例を示す熱式ガスセンサ１ｂのセンサエレメントの平面図である。図１の第１の実施例と異なるのは発熱体３の近傍に温度センサ２３を配置し、また、発熱体４の近傍に温度センサ２４を配置している点である。温度センサ２３，２４は発熱体３，４に沿って空洞部５内に延設され、温度センサ２３は主として発熱体３の温度を検出し、温度センサ２４は主として発熱体４の温度を検出する。温度センサ２３，２４は外部回路との接続のために基板２上に形成された電極７ｅ，７ｆ，７ｇ，７ｈと電気的に接続される。 【００５２】 温度センサ２３，２４は発熱体３，４と同様に形成され、高温において安定な材料（高い融点を有する材料）である白金（Ｐｔ），タンタル（Ｔａ），モリブデン（Ｍｏ），シリコン（Ｓｉ）等が選定される。」 第７ 申立理由に対する判断 １ 申立理由１（進歩性）について （１）本件発明１について ア 甲１を主引用例とした場合 （ア）対比 ａ 甲１発明の「第１の絶縁膜」及び「第２の絶縁膜」は、本件発明１の「第１絶縁層」及び「第２絶縁層」に相当し、甲１発明の「白金パターン」は、（甲１ウ）によれば「配線部のPtパターン層」のことであるから、本件発明１の「白金を含」む「配線層」に相当する。 また、甲１発明の「前記各第１」「絶縁膜と前記白金パターンとの間に」「形成」した「二酸化チタン（TiO2）層」及び「第２の絶縁膜と前記白金パターンとの間に」「形成」した「二酸化チタン（TiO2）層」は、（甲１ウ）によれば「二酸化チタン（TiO2）層」は「Ptパターン層４との接着強度が大きい」（すなわちPtパターン層４に密着する）ものであるから、本件発明１の「金属は、チタンであ」る「それぞれ金属酸化物を含」む「第１密着層」及び「第２密着層」に相当する。 ｂ 甲１発明の「第２の絶縁膜と前記白金パターンとの間に」「形成」した「二酸化チタン（TiO2）層」は、（甲１エ）の図１によれば白金パターン（４）の上側面を覆うように二酸化チタン（TiO2）層（６）が形成されているといえる。そうすると、甲１発明の「第１の絶縁膜、該第１の絶縁膜上に形成された白金パターン、および該白金パターン上に形成された第２の絶縁膜を具備」し、「前記各第１、第２の絶縁膜と前記白金パターンとの間に二酸化チタン（TiO2）層を形成した」との積層構造は、本件発明１の「第１絶縁層と、前記第１絶縁層上の第１密着層と、前記第１密着層上の配線層と、前記配線層を覆う第２密着層と、前記第１絶縁層上及び前記第２密着層上の第２絶縁層と、を備え」る積層構造を満たすものである。 ｃ 甲１発明の「膜式抵抗」は、（甲１イ）によれば「発熱材料」で構成されるものであるから、本件発明１の「マイクロヒーター」とは、「発熱体」という点で共通する。 ｄ 一致点・相違点 そうすると、本件発明１と甲１発明とは、 （一致点） 「第１絶縁層と、 前記第１絶縁層上の第１密着層と、 前記第１密着層上の配線層と、 前記配線層を覆う第２密着層と、 前記第１絶縁層上及び前記第２密着層上の第２絶縁層と、を備え、 前記配線層は、白金を含み、 前記第１密着層及び前記第２密着層は、それぞれ金属酸化物を含み、 前記金属は、チタンである、発熱体。」 （相違点１） 金属酸化物が、本件発明１では、「金属と酸素との化学量論比において前記酸素が欠乏している酸素欠乏領域を含み」「金属と酸素との化学量論比が１：０．９～１．４である」のに対し、甲１発明では、「TiO2」そのものである点。 （相違点２） 発熱体が、本件発明１では、「マイクロヒーター」であるのに対し、甲１発明では、「膜式抵抗」である点。 （イ）相違点１の判断 ａ まず、甲1発明における「前記各第１、第２の絶縁膜と前記白金パターンとの間に二酸化チタン（TiO2）層を形成」することの技術的意義について検討する。 （甲１ウ）には、「〔作 用〕TiO2層は、耐水性、加工性に優れており、白金との接着強度が強く、しかも、その熱膨張率は白金の熱膨張率とほぼ一致しているので、膜式抵抗の強固さが向上する。」と記載され、「Al2O3よりTiO2の方が加工性に優れて」おり、「TiO2は0.9×107N/m2」で「TiO2、Al2O3の接着強度はSiO2、Si3N4の接着強度の約１０倍であ」り、「TiO2：8.2×10-6/deg」であることにより、「Pt、Auの熱膨張率に近いものとして、TiO2が優れている」と記載されているとおり、「TiO2」そのもの以外の材料について全く想定されておらず、「TiO2」以外の化学量論比とすることの動機付けについて示唆する記載は一切ない。 また、「TiO2」を「金属と酸素との化学量論比において酸素が欠乏している酸素欠乏領域を含」む「チタンと酸素との化学量論比を１：０．９～１．４」（すなわちＴｉＯ0.9～1.4）としてしまっては、もやは「TiO2」そのものではないのであるから、熱膨張率の値も変化し、上記〔作 用〕で記載した「熱膨張率は白金の熱膨張率とほぼ一致している」とはいえず、上記その余の特性についても「TiO2」そのものと同等に発揮するものともいえない。 そうすると、甲１発明において、「TiO2」を「金属と酸素との化学量論比において前記酸素が欠乏している酸素欠乏領域を含み」「金属と酸素との化学量論比が１：０．９～１．４である」ものにすることには阻害要因があるといえる。 ｂ さらに、その他の甲号証についても検討するに、上記第５の２～５で記載したように、絶縁膜（絶縁層）と白金パターン（配線層）との間に「金属と酸素との化学量論比において酸素が欠乏している酸素欠乏領域を含」む金属酸化物を形成することにより、両者の密着性を向上させるという技術思想を開示したものはないから、甲１発明にいかに甲２～５に記載の技術を組み合わせても、上記相違点１に係る構成に当業者が容易に想到し得たこととすることはできない。 （ウ）申立人の主張について ａ 申立人は、令和７年９月１８日提出の意見書において、上記（相違点）に係る技術事項は甲２及び甲３に記載されていることから、「本件特許発明１は、甲第１号証及び甲第２号証、又は甲第１号証ないし甲第３号証に記載の発明に基づき当業者が容易に想到し得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」（６頁５～７行）とし、甲２及び３について、具体的に以下のように主張している。 （ａ）甲２ 「甲第２号証の【０００６】ないし【０００８】には、絶縁膜と、Ｐｔ等の白金族金属により形成される感応膜との間に酸化物からなる中間層を形成することによって、絶縁膜と感応膜との密着性が向上することが記載されている。また、甲第２号証の【００２１】及び表１には、中間層としてＴｉＯを用いた実験例２及び４において、優れた密着性が得られたことが記載されている。そうすると、甲第１号証に記載の発明において、ＳｉＯ２層２及びＰｔ層４の密着性、並びにＳｉＯ２層７及びＰｔ層４の密着性を向上させるために、ＴｉＯ２層３及びＴｉＯ２層６に含まれる金属酸化物として、甲第２号証に記載のＴｉＯを採用してみることは、当業者が容易になし得たことである。そして、ＴｉＯからなる金属酸化物は、金属と酸素との化学量論比において酸素が欠乏している酸素欠乏領域を含むものである。」（５頁１～１１行） （ｂ）甲３ 「甲第３号証には、ＰｔとＴｉＯ２とは密着性が悪いことが一般的に知られているにもかかわらず、実装プロセスでは実用可能な密着強度を有していることが記載されている（甲第３号証の第５８０頁右欄第２１行～第５８１頁左欄第６行）。また、そのような密着強度が発現される理由として、Ｐｔ薄膜とＴｉＯ２粒子との界面近傍において、ＴｉはＴｉＯ２よりも還元された状態にあることが指摘されている（甲第３号証の第５８１頁右欄第２６行～第５８２頁左欄第６行）。また、甲第３号証では、金属Ｔｉ膜に対して、（１）熱処理なし、（２）大気中９００℃、０ｈでの熱処理(９００℃まで昇温した直後に加熱を停止）、及び（３）大気中１０００℃、４ｈの熱処理、の３条件で処理した際の密着性の違いを検討しており、（２）大気中９００℃、０ｈの熱処理が最も密着性が良いことが示されている（甲第３号証のＴａｂｌｅ１）。このことから、Ｔｉ膜を酸化させ過ぎない、程良い酸化状態がＰｔ／Ｔｉの密着性の向上に寄与することが直接的に記載されているといえる。」（５頁１２～２４行） ｂ 申立人の主張に対する当審の判断 （ａ）甲２について （i）まず、上記（イ）ｂで述べたとおり、甲２には、絶縁層と配線層との間に「金属と酸素との化学量論比において酸素が欠乏している酸素欠乏領域を含」む金属酸化物を形成することにより、両者の密着性を向上させるという技術思想は一切記載されていない。 甲２で開示されている技術は、絶縁膜と感応膜との間に酸化物からなる中間層を積層させることであり、（甲２ア）の【０００３】には「感応膜」がＰｔ等の金属膜からなることが、また、同【０００８】には「酸化物」の例示の一つとして「酸化チタン」が記載されている。 そして、（甲２ウ）には、その酸化チタンの表記として「ＴｉＯからなる中間層を有する実験例２、並びにＴｉ層及びＴａ層が熱処理により酸化され、それぞれＴｉＯ層、ＴａＯ層となった実験例４、５」と記載され、（甲２エ）の表１には中間層として「ＴｉＯ」と記載されている。 （ii）そこで「ＴｉＯ」の表記について検討するに、（甲２ウ）に「Ｔｉ層及びＴａ層が熱処理により酸化され、それぞれＴｉＯ層、ＴａＯ層」と記載されているが、酸化タンタルは、(IV)(二酸化タンタル)ＴａＯ２と酸化タンタル(V)(五酸化二タンタル)Ｔａ２Ｏ５があり、もっとも安定で普通に存在するものはＴａ２Ｏ５であり、上記「ＴａＯ」は一般には存在しないものであることを考慮すると、甲２における「ＴａＯ」とは、単に「酸化タンタル」（普通に存在するＴａ２Ｏ５）を意味しているにすぎず、ＴａとＯの化学量論比を表したものとはいえない。 そうすると、「ＴｉＯ」についても、同様にＴｉとＯの化学量論比を表したものではなく、単に「酸化チタン」を意味しているにすぎないと解するのが相当である。この点、化学量論比がＴｉ：Ｏ＝１：１のものは特殊な条件のもとでしか製造されず、「Ｔｉ」を熱処理により酸化したものが「ＴｉＯ２」ではなく「ＴｉＯ」となるとはいえない。さらに、（甲２イ）を参照するに、甲２における「ＴｉＯ」が通常のスパッタリングで製造されることも記載されており、スパッタリングで製造される酸化チタンはＴｉＯ２である（例えば、長田康彦他、「スパッタ法で作製した酸化チタン薄膜の微細構造における熱処理効果と水素検出特性」、Journal of the Vacuum Society of Japan、Vol.53、No.5、２０１０年、pp.353-356、等参照）ことを踏まえても、甲２における「ＴｉＯ」は、ＴｉとＯの化学量論比を表したものではなく、単に「酸化チタン」（ＴｉＯ２）を意味していると解さざるをえない。 したがって、甲２に「ＴｉＯ」との表記があるものの、これはＴｉとＯの化学量論比を表したものとはいえないことから、申立人の「ＴｉＯからなる金属酸化物は、金属と酸素との化学量論比において酸素が欠乏している酸素欠乏領域を含むものである」との主張は、甲２の記載の字面に基づいたものであり、甲２に記載された事項の技術常識に基づく正当な理解を踏まえたものとはいえない。 （ｂ）甲３について （i）まず、甲３は、ＳｉＯ２（絶縁）とＰｔ（配線）との間に金属Ｔｉ密着層を設ける技術において、熱処理を施すと、ＴｉがＴｉＯ２となり密着性が低下することについて考察したものであり、ＳｉＯ２（絶縁）とＰｔ（配線）との間に、「金属と酸素との化学量論比において酸素が欠乏している酸素欠乏領域を含」む金属酸化物を形成することにより、両者の密着性を向上させるという技術思想は一切記載されていない。 （ii）申立人は、「そのような密着強度が発現される理由として、Ｐｔ薄膜とＴｉＯ２粒子との界面近傍において、ＴｉはＴｉＯ２よりも還元された状態にあることが指摘されている（甲第３号証の第５８１頁右欄第２６行～第５８２頁左欄第６行）」と主張しているが、Ｔｉ（金属）はＴｉＯ２（酸化物）よりも還元された状態にあり、その指摘箇所のすぐ後に「このため，一般的には密着強度が低いPtとTiO2の接合界面においても，TiとPtが化学的な結合を有しているため，ある程度の密着強度が発現していることが明らかとなった．」と記載されており、化学量論比において酸素が欠乏している酸化チタンとＰｔとによって密着強度が発現しているとは記載されていない。 さらに、申立人は、上記（甲３イ）で記載の「Table１」において「900℃,0h」の時に最も密着性がよいことが示されていることをもってして、「Ｔｉ膜を酸化させ過ぎない、程良い酸化状態がＰｔ／Ｔｉの密着性の向上に寄与することが直接的に記載されているといえる」と主張しているが、同（甲３イ）に「これらの観察結果よりPt薄膜の密着強度は，900℃,0hについてTiの密着層が減少するものの，Pt/Ti薄膜内の引張応力が緩和するので密着強度は上昇する」と記載されているとおり、応力緩和による密着強度の上昇であるから、申立人の主張は甲３の記載に基づかず、恣意的な技術的解釈である。 （ｃ）小括 したがって、甲２及び甲３ともに、上記ｂで述べたように、絶縁膜（絶縁層）と白金パターン（配線層）との間に「金属と酸素との化学量論比において酸素が欠乏している酸素欠乏領域を含」む金属酸化物を形成することにより、両者の密着性を向上させるという技術思想が開示されておらず、金属（チタン）酸化物が、上記相違点に係る「金属と酸素との化学量論比において前記酸素が欠乏している酸素欠乏領域を含み」「金属と酸素との化学量論比が１：０．９～１．４である」ことは何ら記載されていないことに変わりはない。 そうすると、申立人の「本件特許発明１は、甲第１号証及び甲第２号証、又は甲第１号証ないし甲第３号証に記載の発明に基づき当業者が容易に想到し得たものである」との主張は受け入れられるものではない。 （エ）まとめ 以上のことから、本件発明１は、相違点２について検討するまでもなく、 甲１発明、並びに甲２～甲５に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 イ 甲４を主引例とした場合 甲４は、（甲４ア）に記載されているとおり、熱伝導原理を利用したマイクロブリッジ構造を有する湿度等の雰囲気状態を検出する検出装置に関する発明であり、上記（甲４ウ）で摘記したように、下部絶縁層１０３上に、例えば五酸化二タンタル（Ｔａ２Ｏ５）等の絶縁物である第１接着層１０４を形成し、第１接着層１０４上に、例えば白金（Ｐｔ）等の抵抗体膜を形成し、その抵抗体膜上に、例えばＴａ２Ｏ５等の絶縁物である第２接着層１０７を形成し、第２接着層１０７上に上部絶縁層１０８を形成すること（以下「甲４発明」という。）が記載されているものの、その（Ｔａ２Ｏ５）を「金属（Ｔａ）と酸素との化学量論比において酸素が欠乏している酸素欠乏領域を含」む酸化物を形成することにより、接着性（密着性）を向上させることは一切記載されていない。 そして、甲１～甲３及び甲５にも、絶縁物（絶縁層）と抵抗体膜（配線層）との間に「金属と酸素との化学量論比において酸素が欠乏している酸素欠乏領域を含」む金属酸化物を形成することにより、両者の密着性を向上させるという技術思想を開示したものはないから、甲４発明にいかに甲１～３及び甲５に記載の技術を組み合わせても、上記相違点１を当業者が容易になし得たこととすることはできない。 よって、本件発明１は、甲４発明、並びに甲１～甲３及び甲５に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ウ 小括 よって、本件発明１は、甲１発明又は甲４発明、及び甲１～甲５に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）本件発明７について 本件発明７は、本件発明１の「マイクロヒーター」の発明を、そのカテゴリーを変えて「マイクロヒーターの製造方法」の発明としたものであるが、本件発明１と同様に「前記第１密着層及び前記第２密着層は、それぞれ金属酸化物を含み、前記金属酸化物は、金属と酸素との化学量論比において前記酸素が欠乏している酸素欠乏領域を含み、前記金属は、チタンであり、前記金属酸化物は、金属と酸素との化学量論比が１：０．９～１．４である」ことを発明特定事項として有するものである。 そうすると、本件発明７は、主引例である甲１発明、甲４発明を製造方法の発明（以下「甲１発明’」、「甲４発明’」という。）と認定したとしても、本件発明１と同様に、甲１発明’又は甲４発明’、及び甲１～甲５に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）その他の発明について 本件発明４～６は、本件発明１を直接的又は間接的に引用する発明であり、本件発明１０～１３は、本件発明７を直接的又は間接的に引用する発明であるから、本件発明１及び７と同様に、甲１発明（甲１発明’）又は甲４発明（甲４発明’）、及び甲１～甲５に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （４）まとめ したがって、本件発明１、４～７及び１０～１３は、甲１に記載された発明又は甲４に記載された発明、及び甲１～甲５に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではないから、申立理由１によって、本件発明１、４～７及び１０～１３に係る特許を取り消すことはできない。 ２ 申立理由２（明確性）について （１）申立人は、申立理由２として、おおむね以下の点を主張している。 ア 本件特許の請求項１及び７には、「前記金属酸化物は、金属と酸素との化学量論比において前記酸素が欠乏している酸素欠乏領域を含む」なる記載があるが、「酸素が欠乏している」及び「酸素欠乏領域」は、本分野において通常用いられる「酸素欠損」とは異なる表現であることから、「酸素欠損」という意味に加えて、「特定の組成と比較して、酸素が欠乏している」という状態をも含む、広い意味を有するものと考えられる。しかしながら、当該請求項及び本件特許明細書には、いかなる状態と比較して酸素が欠乏している場合に、酸素欠乏領域と判断するのかが記載されていない。例えば、金属酸化物がＴｉＯである場合、それが四価のチタンの酸化物である二酸化チタン（IV）において酸素が欠乏している状態であると考えるのか、それとも二価のチタンの酸化物である酸化チタン（II）であり酸素は欠乏していないと考えるのか、明確ではない。 イ 「酸素欠損」は、結晶構造において本来酸素が位置すべき位置に酸素が存在しないことをいうところ、金属酸化物が結晶構造を有することは本件特許の請求項１及び７には規定されていないし、本件特許明細書にも何らの記載もない。 ウ 本件特許明細書には、金属酸化物が酸素欠損を有するか否かを判定するための分析方法に関する記載がないし、実施例で製造された酸化チタン層が酸素欠損を有するか否かに関する記載もない。 エ 本件特許の請求項２及び８には、「金属酸化物の化学量論的組成」なる記載がある。しかしながら、「金属酸化物の化学量諭的組成」がいかなる組成を表しているのかが当該請求項及び本件特許明細書には記載されていないため、当業者は、本件特許の請求項２及び８に係る発明を明確に理解することができない。 （２）申立人の主張に対する当審の判断 アについて 本件明細書の【００８６】に「チタンと酸素との化学量論比が１：２である（化学量論的組成である）酸化チタン層（ＴｉＯ２）」と記載されているとおり、本件明細書等において、もっとも安定で普通に存在する「化学量論的組成」であるＴｉＯ２と比較して、化学量論比において酸素が欠乏している場合（すなわち、上記（本イ）の実施例で記載されているとおり、ＴｉＯｘの「ｘ」が２より小さい場合）が、本件発明１及び７の「金属と酸素との化学量論比において前記酸素が欠乏している酸素欠乏領域を含む」状態であると一義的に解されるものである。 また、本件明細書等において一義的に解される「酸素欠乏」との用語が、本件明細書等において用いられていない「酸素欠損」と異なる表現であることをもってして、本件明細書等における「酸素欠乏」との用語が不明確であるとはいえない。 イについて まず、上記アで述べたとおり、本件明細書等において「酸素欠損」という用語は用いられていないことから、当該用語について検討する必要はない。また、金属酸化物が結晶構造を有することは自明であるし、金属酸化物が結晶構造を有することが本件発明１及び７において規定されていないことが本件発明１及び７を不明確とするものでもない。 ウについて 上記イで述べたとおり、本件明細書等において「酸素欠損」という用語は用いられていないことから、当該用語について検討する必要はなく、「酸素欠乏」している状態の分析方法自体が本件明細書等に記載されていないことをもってして本件発明が不明確であるとはいえない。なお、「酸素欠乏」している状態は、例えば、電子エネルギー損失分光法（Electron Energy Loss Spectroscopy（EELS）入射電子が試料物質との相互作用によりエネルギーを失った非弾性散乱電子を分光することで、試料の元素組成や化学結合状態を解析する手法）によって分析できることは、当業者において明らかである。 エについて 上記アで述べたとおり、本件明細書の【００８６】に「チタンと酸素との化学量論比が１：２である（化学量論的組成である）酸化チタン層（ＴｉＯ２）」と記載されていることから、「いかなる組成を表しているのか」「本件特許明細書には記載されていない」との主張は失当である。なお、本件特許の請求項２及び８については、本件訂正により削除されており、存在しない。 オ まとめ したがって、本件明細書等を考慮し、当業者の出願時における技術常識を基礎として、特許請求の範囲の記載が、第三者に不測の不利益を及ぼすほどに不明確であるとはいえないことから、申立理由２によって、本件発明１、４～７及び１０～１３に係る特許を取り消すことはできない。 ３ 申立理由３（実施可能要件） （１）申立人は、申立理由３として、おおむね以下の点を主張している。 ア 本件特許の請求項４及び１０には、「前記酸素欠乏領域は、前記配線層と前記第1密着層との界面側から前記第1絶縁層側に向かうに連れて徐々に酸素の量が大きくなる領域と、前記配線層と前記第2密着層との界面側から前記第2絶縁層側に向かうに連れて徐々に酸素の量が大きくなる領域と、を有する」なる記載がある。しかしながら、本件特許明細書には、かかる酸素欠乏領域を有する第１密着層及び第２密着層を形成するための具体的な方法に関する記載がない。 イ 上記申立理由２の（１）で記載した点において、本件特許の請求項１～１３に係る発明は不明確であることから、発明の詳細な説明の記載が、当業者が本件特許の請求項１～１３に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものではない。 （２）申立人の主張に対する当審の判断 アについて 本件明細書の【００５１】に「本実施形態において、密着層１８ａ及び密着層１８ｃ１の材料としてスパッタリング法により形成される酸素欠乏領域を有する酸化チタン、具体的には、チタンと酸素との化学量論比が１：１．１程度である酸化チタンを用い、配線層１８ｂの材料としてスパッタリング法により形成される白金を用いる。」と記載されており、例えば、スパッタリングにおいて、ＲＦ出力とスパッタレートの関係をもとに出力比を変化させて傾斜組成薄膜の組成比を制御できることはスパッタリングを扱う当業者において周知技術であるから、本件明細書等において具体的な方法に関する記載がないからといって、実施をするにあたって過度の試行錯誤を要するとまではいえない。 イについて 上記申立理由２の（２）で述べたとおり、本件発明１、４～７及び１０～１３は不明確とはいえないことから、申立人の上記（１）イの主張は受け入れられない。 ウ まとめ したがって、発明の詳細な説明の記載が、当業者が本件発明１、４～７及び１０～１３を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものではないとはいえないことから、申立理由３によって、本件発明１、４～７及び１０～１３に係る特許を取り消すことはできない。 第８ むすび 以上のとおり、本件発明１、４～７及び１０～１３に係る特許は、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載された申立理由によっては、取り消すことはできない。さらに、他に本件発明件発明１、４～７及び１０～１３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 また、請求項２、３、８及び９に係る特許は、訂正により削除された。これにより、申立人による特許異議の申立てについて、請求項２、３、８及び９に係る申立ては、申立ての対象が存在しないものとなったため、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。