2016-700433

特許第５８１８９５９号「半導体デバイス」に関する特許異議の申立てについてされた平成２９年　１月３０日付け決定に対し，知的財産高等裁判所において請求項１及び３に係る部分の決定取消しの判決（平成２９年（行ケ）第１００６２号，平成３０年　３月２６日）があったので，さらに審理のうえ，次のとおり決定する。

【結　論】 特許第５８１８９５９号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１－５〕について訂正することを認める。 特許第５８１８９５９号の請求項１及び３に係る特許を維持する。 同請求項２，４及び５に係る特許について特許異議の申立てを却下する。

【理　由】 第１　手続の経緯 １　特許第５８１８９５９号（以下，「本件特許」という。）は，平成２２年５月２７日に出願した特願２０１０－１２１３７５号の一部を平成２５年１１月１５日に新たな特許出願とした特願２０１３－２３７０３５号の一部を平成２６年１０月３１日に新たな特許出願とした特願２０１４－２２３５８８号に係るものであって，平成２７年１０月９日に特許の設定登録がされた。 ２　その特許異議の申立ての期間内である平成２８年５月１６日に，その請求項１～１０に係る発明の特許に対し，辰己雄一（以下，「特許異議申立人」という。）により特許異議の申立てがなされた。 その後の手続は以下のとおりである。 平成２８年　５月１６日　　　特許異議申立書の提出 平成２８年　７月　８日　　　取消理由通知 平成２８年　９月　９日　　　意見書・訂正請求書の提出（特許権者） 平成２８年１０月２１日　　　意見書の提出（特許異議申立人） 平成２８年１１月　８日　　　取消理由通知（決定の予告） 平成２９年　１月１０日　　　意見書の提出（特許権者） ３　特許庁は，平成２９年１月３０日，「特許第５８１８９５９号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１－５〕，〔６－１０〕について訂正することを認める。特許第５８１８９５９号の請求項１，３に係る特許を取り消す。同請求項６ないし１０に係る特許を維持する。同請求項２，４及び５に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。」との決定（以下，「一次決定」という。）をし，その謄本が同年２月９日に特許権者に送達された。 一次決定のうち，訂正の請求がされた一群の請求項である請求項６－１０に係る部分（特許維持の部分）については，一次決定の謄本の送達により確定した（特許法第１２０条の７第１号）。 ４　特許権者は，平成２９年３月１０日，一次決定のうち，請求項１，３に係る特許を取り消すとの部分の決定を不服として知的財産高等裁判所に訴えを提起した（平成２９年（行ケ）第１００６２号）。 ５　知的財産高等裁判所は，平成３０年３月２６日，「１　特許庁が異議２０１６－７００４３３号事件について平成２９年１月３０日にした異議決定中，特許第５８１８９５９号の請求項１及び３に係る部分を取り消す。２　訴訟費用は被告の負担とする。」旨の判決（以下，「本件決定取消判決」という。）を言渡した。 その後，本件決定取消判決は確定した。 第２　一群の請求項のうち，本件決定取消判決により確定した請求項以外の請求項についての一次決定の取消について 本件決定取消判決の主文は 「１　特許庁が異議２０１６－７００４３３号事件について平成２９年１月３０日にした異議決定中，特許第５８１８９５９号の請求項１及び３に係る部分を取り消す。 ２　訴訟費用は被告の負担とする。」 というものであるところ，本件決定取消判決が確定したことにより，一次決定のうち請求項１及び３に係る部分についてはその取消しが確定した。そして，訂正の請求がされた一群の請求項である請求項１～５のうち（なお，請求項１～５が一群の請求項であることは下記「第３の２（１）」で述べるとおりである。），請求項１及び３に係る部分の取消しが確定したから，特許法第１８１条第２項の規定により，一群の請求項のうち，その他の請求項２，４及び５に係る部分について，一次決定を取り消すこととする。 以下，本件特許の請求項１～５に係る発明についての特許に対する本件特許異議の申立てについて判断することとする。 第３　訂正の請求について 特許権者は，特許法第１２０条の５第１項の規定により審判長が指定した期間内である平成２８年９月９日に訂正請求書を提出し，本件特許の特許請求の範囲を訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項１～５について訂正することを求めた（以下，「本件訂正」という。）。 １　訂正の内容 本件訂正による訂正の内容は以下のとおりである。 ・訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に 「ＰＮ接合ダイオードを含むＭＯＳＦＥＴと、 前記ＭＯＳＦＥＴに並列に接続され、前記ＰＮ接合ダイオードよりも動作電圧が低く、２つの端子を有するユニポーラデバイスと、 前記ＭＯＳＦＥＴおよび前記ユニポーラデバイスに接続された出力線と、 前記ＰＮ接合ダイオードのアノードを前記ユニポーラデバイスの一方の端子に接続する第１のワイヤと、 前記ユニポーラデバイスの前記一方の端子を前記出力線に接続する第２のワイヤとを含み、 前記第１のワイヤと前記第２のワイヤとが連続的に繋がっており、かつ両ワイヤのなす角度が鈍角である、半導体デバイス。」とあるのを， 「ＳｉＣを主とする半導体材料で作成され，ＰＮ接合ダイオードを含むＳｉＣＭＯＳＦＥＴと， 前記ＳｉＣＭＯＳＦＥＴに並列に接続され，前記ＰＮ接合ダイオードよりも動作電圧が低く，２つの端子を有するショットキーバリアダイオードと， 前記ＳｉＣＭＯＳＦＥＴおよび前記ショットキーバリアダイオードに接続された出力線と， 前記ＰＮ接合ダイオードのアノードを前記ショットキーバリアダイオードのアノードに接続する第１のワイヤと， 前記ショットキーバリアダイオードの前記アノードを前記出力線に接続する第２のワイヤとを含み， 前記第１のワイヤと前記第２のワイヤとが連続的に繋がっており，かつ平面視において両ワイヤのなす角度が鈍角である，半導体デバイス。」 と訂正する。 ・訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２を削除する。 ・訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項３に 「前記ユニポーラデバイスと前記出力線との間のインダクタンスにより生じる逆起電力が２．０Ｖ以上である、請求項１または２に記載の半導体デバイス。」とあるのを， 「前記ショットキーバリアダイオードと前記出力線との間のインダクタンスにより生じる逆起電力が２．０Ｖ以上である，請求項１に記載の半導体デバイス。」 と訂正する。 ・訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項４を削除する。 ・訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項５を削除する。 ２　訂正の適否 （１）訂正事項１ないし５について 訂正事項１ないし５は，特許請求の範囲の減縮及び明瞭でない記載の釈明を目的とし，新規事項の追加に該当せず，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。 また，訂正前の請求項１～５については，請求項２～５が請求項１を直接又は間接的に引用するものであるから，請求項２～５は，訂正事項１によって訂正される請求項１に連動して訂正されるものであって，当該請求項１～５は特許法施行規則第４５条の４に規定する関係を有する一群の請求項であるといえ，本件訂正は一群の請求項である請求項１～５について請求されているから，特許法第１２０条の５第４項の規定に適合する。 ３　小括 以上のとおりであるから，本件訂正による訂正事項１ないし５は，特許法第１２０条の５第２項第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり，かつ，同条第４項，及び，同条第９項において準用する同法第１２６条第４項から第６項までの規定に適合するので，訂正後の請求項１ないし５について訂正を認める。 第４　特許異議の申立てについて １　本件訂正により訂正された訂正後の請求項１及び３に係る発明（以下，請求項１に記載された発明を「本件発明１」，請求項３に記載された発明を「本件発明３」といい，本件発明１及び本件発明３を併せて「本件発明」という。また，その明細書を，図面を含めて「本件明細書」という。）は，その訂正特許請求の範囲の請求項１及び３に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 本件発明１ 「ＳｉＣを主とする半導体材料で作成され，ＰＮ接合ダイオードを含むＳｉＣＭＯＳＦＥＴと， 前記ＳｉＣＭＯＳＦＥＴに並列に接続され，前記ＰＮ接合ダイオードよりも動作電圧が低く，２つの端子を有するショットキーバリアダイオードと， 前記ＳｉＣＭＯＳＦＥＴおよび前記ショットキーバリアダイオードに接続された出力線と， 前記ＰＮ接合ダイオードのアノードを前記ショットキーバリアダイオードのアノードに接続する第１のワイヤと， 前記ショットキーバリアダイオードの前記アノードを前記出力線に接続する第２のワイヤとを含み， 前記第１のワイヤと前記第２のワイヤとが連続的に繋がっており，かつ平面視において両ワイヤのなす角度が鈍角である，半導体デバイス。」 本件発明３ 「前記ショットキーバリアダイオードと前記出力線との間のインダクタンスにより生じる逆起電力が２．０Ｖ以上である，請求項１に記載の半導体デバイス。」 ２　取消理由の概要 訂正後の請求項１及び３に係る特許に対して平成２８年１１月８日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は，次のとおりである。 （１）請求項１及び３に係る発明は，甲第１号証に記載された発明及び甲第４号証に記載された発明並びに周知技術に基づき，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり，請求項１及び３に係る特許は取り消されるべきものである。 ３　甲号証の記載 （１）甲第１号証 ア　甲第１号証（特開２０１０－０２７８１４号公報）には，図面とともに，次の記載がある。（下線は，当審で付与した。以下同じ。） 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、生産性に優れたトランスファーモールドによる樹脂封止型の電力用半導体装置に関し、特に、小型で大電流化を実現するとともに、信頼性に優れたトランスファーモールドによる樹脂封止型の電力用半導体装置に関する。 【背景技術】 【０００２】 大電流、高電圧で動作するとともに、動作に伴う発熱を外部に効率良く逃がす電力用半導体装置として、放熱板となる金属板に絶縁層としてのセラミック板を介して配線パターンが形成された基板に電力用半導体素子を搭載し、シリコーンゲルを介して熱硬化性樹脂で注型された電力用半導体装置がある（例えば、特許文献１参照）。」 「【発明を実施するための最良の形態】 【００１３】 実施の形態１． 図１は、本発明の実施の形態１に係る電力用半導体装置における回路基板上のトランスファーモールド樹脂を除いた状態の平面模式図である。 図２は、図１に示す電力用半導体装置において回路基板上にトランスファーモールド樹脂がある状態でのＡ－Ａ断面の模式図である。 図１と図２とに示すように、本実施の形態の電力用半導体装置１００は、金属放熱板１の一方の面に樹脂絶縁層２を設け、この樹脂絶縁層２における金属放熱板１が接合された面と対向する面に配線パターンを設けて形成した金属回路基板が用いられている。配線パターン上には、電力用半導体素子である、ＩＧＢＴ４とＩＧＢＴ４に逆並列に接続されたダイオード５とが搭載され、配線パターンとはんだ６等により電気的に接続されている。また、ＩＧＢＴ４とダイオード５との上面電極は、配線手段であるワイヤーボンド７により、対応する配線パターンと電気的に接続されている。 【００１４】 配線パターンには筒状外部端子連通部が、配線パターンに対して略垂直に接合されている。 具体的には、主回路であるＩＧＢＴ４のコレクタ電極とダイオード５のアノード電極とに電気的に接続された第１の配線パターン３ａには、第１の筒状外部端子連通部８ａが接合され、主回路であるＩＧＢＴ４のエミッタ電極とダイオード５のカソード電極とに電気的に接続された第２の配線パターン３ｂには、第２の筒状外部端子連通部８ｂが接続され、制御回路であるＩＧＢＴ４のゲート電極に電気的に接続された第３の配線パターン３ｃには、第３の筒状外部端子連通部８ｃが接合され、制御回路であるＩＧＢＴ４のエミッタ電極のみと電気的に接続された第４の配線パターン３ｄには、第４の筒状外部端子連通部８ｄが接合されている。」 「【００２４】 次に、配線パターン上の所定の場所に設けられた素子搭載部に電力用半導体素子であるＩＧＢＴ４およびダイオード５を、そして、配線パターン上の所定の場所に設けられる筒状外部端子連通部接合部に筒状外部端子連通部を、各々はんだ６を用いて接合する。具体的には、ＩＧＢＴ４とダイオード５と第１の筒状外部端子連通部８ａとは第１の配線パターン３ａに、第２の筒状外部端子連通部８ｂは第２の配線パターン３ｂに、各々接合する。そして、制御回路につながる第３の筒状外部端子連通部８ｃと第４の筒状外部端子連通部８ｄとは、各々第３の配線パターン３ｃと第４の配線パターン３ｄとに接合する。 【００２５】 そして、配線パターンとＩＧＢＴ４との間、ＩＧＢＴ４とダイオード５との間、ダイオード５と配線パターンとの間、の各間の導通が必要な箇所をアルミニウムのワイヤーボンド７で接続する。 次に、ワイヤーボンディングされた電力用半導体素子と筒状外部端子連通部とを搭載した金属回路基板は、金型にセットされ、トランスファーモールド法により、例えば、シリカ粉末が充填されたエポキシ樹脂系トランスファーモールド樹脂９で封止して、電力用半導体装置を完成する。」 「【００３２】 本実施の形態では、電力用半導体素子に、ＩＧＢＴ４とダイオード５が用いられているが、電力用半導体素子は、これに限定されるものではなく、例えば、ＭＯＳＦＥＴやショットキーダイオードでもよく、またＭＯＳＦＥＴの場合は、ダイオードが逆並列に接続されていなくても良い。また、電力用半導体素子の材料としては、一般的なシリコンのほかに、炭化珪素（ＳｉＣ）等のワイドバンドギャップ半導体でも良い。 また、本実施の形態では、各電力用半導体素子間や電力用半導体素子と配線パターンとの間の接続、すなわち、配線手段にワイヤーボンド７を用いているが、この方法に限定されるものではない。 また、本実施の形態では、金属回路基板を用いているが、例えば、高熱伝導絶縁層であるセラミック板と、セラミック板の一方の面に設けられた銅箔の配線パターンと、セラミック板の他方の面に設けられた銅箔の金属放熱板からなるセラミック基板を用いても良い。」 【図１】及び【図２】には，ＩＧＢＴ４の上面電極及びダイオード５の上面電極が，ワイヤーボンド７を介して，第２の配線パターン３ｂに電気的に接続されていることが記載されていると認められる。 【図１】には，ＩＧＢＴ４の上面電極とダイオード５の上面電極とを繋ぐワイヤーボンド７の部分と，ダイオード５の上面電極と第２の配線パターン３ｂとを繋ぐワイヤーボンド７の部分のなす角度が平面視において鈍角であることが記載されていると認められる。 イ　甲第１号証発明について （ア）上記「ＭＯＳＦＥＴの場合は、ダイオードが逆並列に接続されていなくても良い。」（段落【００３２】）との記載から，ＭＯＳＦＥＴとダイオードが逆並列に接続されている構成が排除されると読むことはできず，甲第１号証にはかかる構成を排除するとの記載や示唆はない。よって，甲第１号証において，ＭＯＳＦＥＴとダイオードが逆並列に接続されている構成も許容されると解される。 そして，ＩＧＢＴとＳｉＣＭＯＳＦＥＴとは，スイッチングを行う三端子素子である点で共通しており，ダイオードとショットキーバリアダイオードは二端子素子である点で共通していることに照らせば，段落【００３２】には，ＩＧＢＴとダイオードを用いた電力用半導体素子の他に，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴを用いたもの，ショットキーバリアダイオードを用いたもの，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴとショットキーバリアダイオードとを用いたものなどの形態についても，記載されていると認められる。 （イ）もっとも，甲第１号証には，ＩＧＢＴ４とダイオード５との組合せに換えて，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴとショットキーバリアダイオードとの組合せとする際に，ＩＧＢＴのどの電極とＳｉＣＭＯＳＦＥＴのどの電極とを対応付け，ダイオードのどの電極とショットキーバリアダイオードのどの電極とを対応付けて置換するかについては明記されていない。 しかし，甲第１号証におけるＩＧＢＴ４及びダイオード５の組合せは，「ＩＧＢＴ４のコレクタ電極とダイオード５のアノード電極とに電気的に接続された第１の配線パターン３ａ」がＩＧＢＴ４とダイオード５の下面にあり，「ＩＧＢＴ４のエミッタ電極とダイオード５のカソード電極とに電気的に接続された第２の配線パターン３ｂ」が，ＩＧＢＴ４とダイオード５の上面をつなぐワイヤーボンド７と接続していることから（段落【００１３】，【００１４】，【図１】，【図２】），ＩＧＢＴの上面に配置される電極がゲート電極とエミッタ電極で，下面に配置される電極がコレクタ電極であり，上面に配置されるダイオードの電極がカソード電極で，下面に配置される電極がアノード電極であると認められる。 また，ＩＧＢＴ４とダイオード５は逆並列に接続され（段落【００１４】），ダイオードに流れる順電流の向きは，下面に配置されたアノード電極から上面に配置されたカソード電極への向きであることから，ＩＧＢＴ４に流れる電流の方向は，上面に配置されたエミッタ電極から下面に配置されたコレクタ電極の向きであると認められる。このように，エミッタ電極からコレクタ電極に向かって電流が流れるＩＧＢＴは，ｐチャネル型のＩＧＢＴであるから，甲第１号証のＩＧＢＴ４は，ｐチャネル型のＩＧＢＴであると解される。 甲第１号証では，ＩＧＢＴ４の上面のエミッタ電極とダイオード５のカソード電極とに電気的に接続された第２の配線パターン３ｂから，ワイヤーボンド７を介して，ＩＧＢＴ４の下面のコレクタ電極とダイオード５のアノード電極とに電気的に接続された第１の配線パターン３ａに流れる電流を，制御回路であるＩＧＢＴ４のゲート電極に電気的に接続された第３の配線パターン３ｃに入力された信号に基づいてスイッチングする動作が行われる（段落【００１４】，【００２４】，【００２５】）。そして，ＩＧＢＴ４とダイオード５との組合せを，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴとショットキーバリアダイオードとの組合せに置き換える場合に，動作を異ならせる理由はないから，ＩＧＢＴ４については，上面にゲート電極とソース電極が配置され，下面にドレイン電極が配置されるｐチャネル型のＳｉＣＭＯＳＦＥＴで置き換え，ダイオード５については，上面にカソード電極が配置され，下面にアノード電極が配置されるショットキーバリアダイオードで置き換えるようにすると考えられる。 ｐチャネル型のＳｉＣＭＯＳＦＥＴにおける電流の流れる向きは，ソース電極からドレイン電極への向きであるから，このＳｉＣＭＯＳＦＥＴに寄生するｐｎ接合ダイオードとＳｉＣＭＯＳＦＥＴとの接続は，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴのソース電極とｐｎ接合ダイオードのカソード電極とが接続され，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴのドレイン電極とｐｎ接合ダイオードのアノード電極とが接続されることになる。 したがって，このような置換えが行われる場合，第１のワイヤが接続されるｐｎ接合ダイオードの一の電極及びショットキーバリアダイオードの一方の電極はいずれもカソード電極となると解される。 （ウ）以上によれば，甲第１号証には，以下の発明（以下，「甲第１号証発明」という。）が記載されていると認められる。 「ＳｉＣを半導体材料とするＳｉＣＭＯＳＦＥＴと， ＳｉＣＭＯＳＦＥＴに並列に接続された２つの電極を有するＳｉＣショットキーダイオードと， ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ及びＳｉＣショットキーダイオードに接続された第２の配線パターンと， ＳｉＣＭＯＳＦＥＴのソース電極とＳｉＣショットキーダイオードのカソード電極と第２の配線パターンとを繋ぐワイヤーボンドとを含み， ＳｉＣＭＯＳＦＥＴのソース電極とＳｉＣショットキーダイオードのカソード電極とを繋ぐワイヤーボンドの部分と，ＳｉＣショットキーダイオードのカソード電極と第２の配線パターンとを繋ぐワイヤーボンドの部分のなす角度が平面視において鈍角である， 電力用半導体装置。」 （２）甲第３号証 ア　甲第３号証（高川，「パワーＭＯＳＦＥＴの構造と応用分野」，トランジスタ技術，２００４年８月号，ｐ．１３９－１４０）には，その図２－１及び図２－２に，「パワーＭＯＳＦＥＴにおいて，ソース電極とゲート電極を上面に設けること。」が記載されていると認められる。 イ　甲第３号証周知技術 前記アより，次の技術事項は周知技術と認められる。 「パワーＭＯＳＦＥＴにおいて，ソース電極とゲート電極を上面に設けること。」 （３）甲第４号証 ア　甲第４号証（特開２００９－１８３１１５号公報）には，図面とともに次の記載がある。 「【００１９】 [背景技術]でも説明したとおり，SiC MOSFETをスイッチング素子として使用する場合は，図３に示すように，SiC MOSFET(130)に並列にSiC SBD(132)を接続して還流ダイオードとして使用する構成が検討されている。この構成によれば，SiC MOSFET(130)の寄生ダイオード(131)の立ち上がり電圧(約3V)とSiC SBD(132)の立ち上がり電圧(約1V)とが大きく違うため，リカバリ電流の少ないSiC SBD(132)にのみ逆方向電流を流す事ができ，寄生ダイオード(131)に逆方向電流が流れないようにできる。SiC SBDは，リカバリ電流とスイッチング損失を大幅に低減できる事が知られており，このようにSiC MOSFETによれば，Si MOSFETの場合と比べて，リカバリ電流抑制を簡単に実現できる。なお，Si MOSFETでは，並列に接続して還流ダイオードとして使用できるダイオードの立ち上がり電圧は，Si MOSFETの寄生ダイオードと同等であり，寄生ダイオードに逆方向電流が流れないようにする事はできない。」 【図３】には，SiC　MOSFET１３０のソースとSiC　SBD１３２のアノードを接続することが記載されていると認められる。 イ　前記アより，甲第４号証には次の発明（以下，「甲第４号証発明」という。）が記載されていると認められる。 「ＳｉＣＭＯＳＦＥＴとＳｉＣショットキーバリアダイオードを並列に接続して還流ダイオードとして使用する場合に，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴのソースとＳｉＣショットキーバリアダイオードのアノードを接続すること。」 （４）技術常識１ ア　甲第４号証には，図面とともに次の記載がある。 「【００１６】 インバータ回路(120)は，６個のスイッチング素子(130)によって同期整流を行うように構成されている。上記スイッチング素子(130)は，ワイドバンドギャップ半導体を用いたユニポーラ素子(ここでは，SiC MOSFET)によって構成されている。インバータ回路(120)は，SiC MOSFET(130)の寄生ダイオード(131)を還流ダイオードとして使用し，同期整流を行う。なお，同期整流とは，図２に示すように，還流ダイオード(131)に逆方向電流が流れた際にSiC MOSFET(130)をオンにし，MOSFET側に逆方向電流を流す制御方法である。これにより逆方向電流が流れた際の導通損失を低減できる。」 「【００２０】 一方，SiC MOSFET(130)の寄生ダイオード(131)と同じ構造のSiC pnダイオードのリカバリ電流は小さく，Si pnダイオードよりもスイッチング損失が桁違いに小さくなるため，本実施形態ではリカバリ電流，スイッチング損失を大幅に低減できる。」 【図２】には，SiC　MOSFET１３０のソース電極側が寄生ダイオード１３１のアノードとなることが記載されていると認められる。 イ　甲第６号証（特開２００８－０１７２３７号公報）には，図面とともに次の記載がある。 「【背景技術】 【０００２】 Ｓｉに代わるパワー半導体デバイスとして，ＳｉＣ半導体装置の開発が盛んである。このＳｉＣ半導体装置はＳｉ半導体装置に比較して，高温での動作が可能であること，低損失での動作が可能であることなどの利点があり，より小型の半導体装置を実現することができる。しかしながら，ＳｉＣ－ＦＥＴをスイッチング素子として例えばモータ等の負荷を駆動制御する電力変換器等に用いる場合，ＳｉＣ－ＦＥＴに内在するダイオード（ボディダイオード）を還流ダイオードとして用いると，ボディダイオードによるバイポーラ動作によりＳｉＣ半導体装置の結晶劣化が進行すると考えられている（例えば，非特許文献１）。ＳｉＣ半導体装置の結晶劣化が進行すると，ボディダイオードのＯＮ電圧が上昇し，さらにはＳｉＣ－ＦＥＴそのものが破壊する可能性がある。このような問題点に対して，還流ダイオードをＳｉＣ－ＦＥＴと逆並列に接続し，還流モード時にはボディダイオードを用いずに還流ダイオードに電流を流すことが示されている（例えば，特許文献１）。」 「【００１１】 ここで，ＳｉＣ－ＦＥＴ１のボディダイオード２のＯＮ開始電圧ＶＢＤ＿ｔｈに関して述べる。バイポーラ動作が結晶劣化の進行を進める原因と考えられることから，バイポーラ動作が開始する電流値に対応する電圧値をＶＢＤ＿ｔｈとするのが自然である。そもそもバイポーラ動作とは電子とホールが同時に電気伝導を荷っている状態である。パワーデバイスにおいてはバイポーラ動作で使用するときは，電子濃度ｎｅとホール濃度ｎｈがほぼ等しい状態である（例えば，非特許文献２）。 上記の電子濃度とホール濃度が等しいという条件と，ＰＮ接合ダイオードに関するショックレーモデル（例えば，非特許文献３）及び電荷制御モデル（例えば，非特許文献４）からＳｉＣ－ＦＥＴ１のボディダイオード２のＯＮ開始電圧ＶＢＤ＿ｔｈを以下の式で示すことが出来る。」 【図１】には，SiC-FET１のソース電極側がボディダイオード２のアノードとなることが記載されていると認められる。 ウ　技術常識１ 前記ア及びイより，次の技術事項は技術常識（以下，「技術常識１」という。）と認められる。 「ＳｉＣＭＯＳＦＥＴはＰＮ接合ダイオードを寄生ダイオードとして含み，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴのソース電極側が寄生ダイオードのアノードとなること。」 （５）技術常識２ ア　甲第４号証には，図面とともに次の記載がある。 （ア）「【０００３】 誘導負荷を駆動するインバータなどでは，スイッチング素子に対して並列にダイオードを接続している。このようなダイオードは還流ダイオードと呼ばれており，逆方向電流を流す働きをする。スイッチング素子としてSiC MOSFETを用いたインバータでは，SiC MOSFETに並列にSiCショットキーバリアダイオード(以下SiC SBD)を接続し，SiC SBDを還流ダイオードとして使用する構成が検討されている。」 「【００２３】 (スイッチング素子選定条件) 本実施形態のインバータ回路(120)では同期整流によりSiC MOSFET(130)が通電し，従来の構成(SiC MOSFET(130)に並列にSiC SBD(132)を接続して還流ダイオードとして使用する構成，図３参照)ではSiC SBD(132)が通電する。ここで，SiC MOSFET(130)，SiC MOSFET(130)の寄生ダイオード(131)，SiC SBD(132)の電圧‐電流特性の概略を図４に示す。SiC MOSFET(130)は定抵抗特性を示す。SiC SBD(132)の立ち上がり電圧は約１Ｖ，SiC MOSFET(130)の寄生ダイオード(131)の立ち上がり電圧は約３Ｖである。なお，立ち上がり電圧は物性値により決まっており任意に設定できない。」 イ　甲第６号証には，図面とともに次の記載がある。 「【０００４】 前記特許文献１に示されたＳｉＣ半導体装置は，還流ダイオードにＳｉＣのショットキバリアダイオード（ＳＢＤ）を用いている。ＳＢＤはＯＮ開始電圧がボディダイオードに比較して低いため，還流電流としてのＳＢＤの通電電流値が小さいときはボディダイオードに還流電流の流れることは無い。」 ウ　技術常識２ 前記ア及びイより，次の技術事項は技術常識（以下，「技術常識２」という。）と認められる。 「ＳｉＣショットキーバリアダイオードのＯＮ開始電圧は，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴの寄生ダイオードのＯＮ開始電圧よりも低いこと。」 ４　判断 （１）取消理由通知に記載した取消理由について ア　本件発明１と甲第１号証発明との対比 （ア）甲第１号証発明の「ＳｉＣを半導体材料とするＳｉＣＭＯＳＦＥＴ」は，技術常識１より，ｐｎ接合ダイオードを含むものであり，これは，本件発明１の「ＳｉＣを主とする半導体材料で作成され，ＰＮ接合ダイオードを含むＳｉＣＭＯＳＦＥＴ」に相当すると認められる。 （イ）甲第１号証発明の「ＳｉＣＭＯＳＦＥＴに並列に接続された２つの電極を有するＳｉＣショットキーダイオード」は，技術常識２より，その動作電圧が寄生ダイオードの動作電圧よりも低いから，本件発明１の「前記ＳｉＣＭＯＳＦＥＴに並列に接続され，前記ＰＮ接合ダイオードよりも動作電圧が低く，２つの端子を有するショットキーバリアダイオード」に相当すると認められる。 （ウ）甲第１号証発明の「ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ及びＳｉＣショットキーダイオードに接続された第２の配線パターン」は，本件発明１の「前記ＳｉＣＭＯＳＦＥＴおよび前記ショットキーバリアダイオードに接続された出力線」に相当すると認められる。 （エ）甲第１号証発明の「ＳｉＣＭＯＳＦＥＴのソース電極とＳｉＣショットキーダイオードのカソード電極とを繋ぐワイヤーボンドの部分」と，本件発明１の「前記ＰＮ接合ダイオードのアノードを前記ショットキーバリアダイオードのアノードに接続する第１のワイヤ」とは，前記（ア）より，「前記ＰＮ接合ダイオードの一の電極を前記ショットキーバリアダイオードの一方の電極に接続する第１のワイヤ」である点で共通する。 （オ）甲第１号証発明の「ＳｉＣショットキーダイオードのカソード電極と第２の配線パターンとを繋ぐワイヤーボンドの部分」と，本件発明１の「前記ショットキーバリアダイオードの前記アノードを前記出力線に接続する第２のワイヤ」とは，「前記ショットキーバリアダイオードの前記一方の電極を前記出力線に接続する第２のワイヤ」である点で共通する。 （カ）甲第１号証発明の「ＳｉＣＭＯＳＦＥＴのソース電極とＳｉＣショットキーダイオードのカソード電極とを繋ぐワイヤーボンドの部分と，ＳｉＣショットキーダイオードのカソード電極と第２の配線パターンとを繋ぐワイヤーボンドの部分のなす角度が平面視において鈍角である」は，前記（エ）及び（オ）より，本件発明１の「前記第１のワイヤと前記第２のワイヤとが連続的に繋がっており，かつ平面視において両ワイヤのなす角度が鈍角である」に相当すると認められる。 （キ）甲第１号証発明の「電力用半導体装置」は，下記相違点を除いて，本件発明１の「半導体デバイス」に相当すると認められる。 （ク）してみると，本件発明１と甲第１号証発明とは，次の点で一致し，また，相違する。 ［一致点］ 「ＳｉＣを主とする半導体材料で作成され，ＰＮ接合ダイオードを含むＳｉＣＭＯＳＦＥＴと， 前記ＳｉＣＭＯＳＦＥＴに並列に接続され，前記ＰＮ接合ダイオードよりも動作電圧が低く，２つの端子を有するショットキーバリアダイオードと， 前記ＳｉＣＭＯＳＦＥＴおよび前記ショットキーバリアダイオードに接続された出力線と， 前記ＰＮ接合ダイオードの一の電極を前記ショットキーバリアダイオードの一方の電極に接続する第１のワイヤと， 前記ショットキーバリアダイオードの前記一方の電極を前記出力線に接続する第２のワイヤとを含み， 前記第１のワイヤと前記第２のワイヤとが連続的に繋がっており，かつ平面視において両ワイヤのなす角度が鈍角である，半導体デバイス。」 ［相違点］ 本件発明１においては，「前記ＰＮ接合ダイオードの一の電極」がアノードであり，かつ「前記ショットキーバリアダイオードの一方の電極」がアノードであるのに対し，甲第１号証発明においては「前記ＰＮ接合ダイオードの一の電極」及び「前記ショットキーバリアダイオードの一方の電極」がカソードである点。 イ　相違点についての判断 （ア）甲第１号証発明では，第１のワイヤが接続されるｐｎ接合ダイオードの一の電極及びショットキーバリアダイオードの一方の電極は，いずれもカソード電極となる。 そして，甲第１号証には，ＩＧＢＴ４とダイオード５との組合せを，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴとショットキーバリアダイオードとの組合せに置き換える場合，置換えの前後で動作を異ならせる旨の記載や示唆はない。 また，甲第２号証ないし甲第８号証にも，甲第１号証発明において，ＩＧＢＴ４とダイオード５との組合せを，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴとショットキーバリアダイオードの組合せに置き換えた場合，置き換えの前後で動作を異ならせる旨の記載や示唆はない。 さらに，甲第１号証発明は，「トランスファーモールド樹脂で封止した電力用半導体装置は，主端子に大電流を流すことができるブスバーの外部配線が，ねじ止めやはんだ付けで固定されるため，電力用半導体装置の組み立て時において，主端子部におおきな応力が働く。この応力により，主端子の外側面とトランスファーモールド樹脂との接着面に隙間が発生したり，トランスファーモールド樹脂本体に微細なクラックが発生する等の不具合を主端子部に生じ，電力用半導体装置の歩留まりが低くなり生産性が低下するとともに，信頼性も低下する」（段落【０００７】）ことを課題とし，「トランスファーモールド樹脂により封止された電力用半導体装置であって，主回路に接続される主端子に大電流を流すことのできる外部配線を接続しても，外部配線の接続により主端子部に発生する不良を低減でき，歩留まりが高く生産性に優れるとともに，信頼性の高い電力用半導体装置を提供すること」（段落【０００８】）を目的とする発明であって，この目的を達成することと，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴの型や並列接続するショットキーバリアダイオードの接続方向を変更することは，無関係である。 したがって，当業者が，甲第１号証発明において，上記目的を達成するために，「前記ＰＮ接合ダイオードの一の電極」及び「前記ショットキーバリアダイオードの一方の電極」をカソード電極からアノード電極に変更する動機付けがあるとはいえないから，［相違点］に係る本件発明１の構成を当業者が容易に想到できたものであるとは認められない。 （イ）さらに，本件発明は，ＭＯＳＦＥＴに寄生しているｐｎ接合ダイオードに電流が流れると，ＭＯＳＦＥＴの結晶欠陥が拡大してデバイス特性が劣化し，特に，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴでは，寄生ｐｎ接合ダイオードに電流が流れると，オン抵抗が増大するという課題があったが，ショットキーバリアダイオードを並列接続してもｐｎ接合ダイオードに流れてしまう現象が生じていることから（段落【０００２】～【０００４】，【０００６】），本件発明１の構成を採用し，第２のワイヤに寄生するインダクタンスによって，ｐｎ接合ダイオードの順方向立ち上がり電圧以上の逆起電力が発生しても，ｐｎ接合ダイオードに電流が流れないようにする（段落【００１４】）との作用効果を奏するものである。 しかし，甲第１号証発明の課題及び目的は，前記（ア）のとおりであり，甲第１号証には，ダイオード５やワイヤーボンド７にインダクタンスが寄生することについての記載や示唆はないことから，甲第１号証に接した当業者が，甲第１号証発明に本件発明の作用効果が期待されることを予想できたとはいえない。 （ウ）以上によれば，本件発明１を当業者が容易に想到できたとは認められない。 ウ　本件発明３と甲第１号証発明との対比 本件発明３と甲第１号証発明とは，前記「ア」と同様下記の点で一致し，また，相違する。 ［一致点］ 「ＳｉＣを主とする半導体材料で作成され，ＰＮ接合ダイオードを含むＳｉＣＭＯＳＦＥＴと， 前記ＳｉＣＭＯＳＦＥＴに並列に接続され，前記ＰＮ接合ダイオードよりも動作電圧が低く，２つの端子を有するショットキーバリアダイオードと， 前記ＳｉＣＭＯＳＦＥＴおよび前記ショットキーバリアダイオードに接続された出力線と， 前記ＰＮ接合ダイオードの一の電極を前記ショットキーバリアダイオードの一方の電極に接続する第１のワイヤと， 前記ショットキーバリアダイオードの前記一方の電極を前記出力線に接続する第２のワイヤとを含み， 前記第１のワイヤと前記第２のワイヤとが連続的に繋がっており，かつ平面視において両ワイヤのなす角度が鈍角である，半導体デバイス。」 ［相違点１］ 本件発明３においては，「前記ＰＮ接合ダイオードの一の電極」がアノードであり，かつ「前記ショットキーバリアダイオードの一方の電極」がアノードであるのに対し，甲第１号証発明においては「前記ＰＮ接合ダイオードの一の電極」及び「前記ショットキーバリアダイオードの一方の電極」がカソードである点。 ［相違点２］ 本件発明３においては「前記ショットキーバリアダイオードと前記出力線との間のインダクタンスにより生じる逆起電力が２．０Ｖ以上である」のに対し，甲第１号証発明においては前記逆起電力の値が不明である点。 エ　相違点についての判断 上記［相違点１］は，上記「イ」で検討した［相違点］と同じであるから，［相違点１］に係る構成が容易に想到できるとはいえない。 そして，［相違点１］に係る構成が容易に想到できない以上，［相違点２］について検討するまでもなく，本件発明３を当業者が容易に想到できたとは認められない。 ５　その他の特許異議申立ての理由について （１）特許請求の範囲の記載不備について 本件訂正により請求項１に記載された「両ワイヤのなす角度」は「平面視において両ワイヤのなす角度」となりその意味は明確になった。 したがって，特許請求の範囲の記載不備は解消した。 （２）特許法２９条１項３号について 本件発明１と甲第１号証発明とを対比すると，前記「４（１）（ク）［相違点］」の点で相違する。 したがって，本件発明１は甲第１号証発明でない。 （３）特許法３６条６項１号について 本件発明１及び３の課題は「ＭＯＳＦＥＴに寄生しているＰＮ接合ダイオードに電流が流れるのを抑制する」というものであり（本件明細書段落【０００２】，【０００７】），ＭＯＳＦＥＴの材料がＳｉＣであることと直接の関係はないから，本件発明１及び３が，発明の詳細な説明において「発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲」を超えるものということはできない。 （４）特許法３９条２項について ア　甲第９号証発明 甲第９号証に記載された特許第５６４６０３４号の請求項１に係る発明（以下，「甲第９号証発明」という。）は，次のとおりである。 「ＳｉＣを半導体材料として用いたＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴと，ショットキーバリアダイオードと，前記ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴおよび前記ショットキーバリアダイオードが接合されたダイパッドと，前記ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴおよび前記ショットキーバリアダイオードが接続された外部端子とを含み，前記ダイパッド，前記ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴおよび前記ショットキーバリアダイオードが樹脂封止された半導体装置であって， 前記ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴのドレインが前記ダイパッドに接合され， 前記ショットキーバリアダイオードのカソードが前記ダイパッドに接合され， 前記ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴのソースから前記ショットキーバリアダイオードのアノードを経由して前記外部端子までステッチボンディングされた接続金属部材を含み， 前記接続金属部材における前記ショットキーバリアダイオードから前記外部端子までのインダクタンスが，前記接続金属部材における前記ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴから前記外部端子までのインダクタンスよりも小さいことを特徴とする，半導体装置。」 イ　本件発明１と甲第９号証発明との対比 本件発明１と甲第９号証発明とは次の点で相違する。 （ア）相違点１ 本件発明１は「ダイパッド」についての限定がないのに対し，甲第９号証発明は「前記ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴおよび前記ショットキーバリアダイオードが接合されたダイパッド」を含み，「前記ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴのドレインが前記ダイパッドに接合され，前記ショットキーバリアダイオードのカソードが前記ダイパッドに接合され」る点。 （イ）相違点２ 本件発明１は「樹脂封止」についての限定がないのに対し，甲第９号証発明は「前記ダイパッド，前記ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴおよび前記ショットキーバリアダイオードが樹脂封止された」点。 （ウ）相違点３ 本件発明１は「平面視において両ワイヤのなす角度が鈍角である」のに対し，甲第９号証発明は接続金属部材の角度について限定がない点。 ウ　小括 したがって，本件発明１と甲第９号証発明とは同一であるとはいえない。 エ　本件発明３について 本件発明３についても，甲第９号証発明とは少なくとも上記相違点１ないし３で相違するから，甲第９号証発明と同一であるとはいえない。 第５　むすび 以上のとおりであるから，取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては，本件特許の請求項１及び３に係る特許を取り消すことはできない。さらに，他に本件特許の請求項１及び３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 また，本件特許の請求項２，４及び５に係る特許は，本件訂正により，削除されたため，本件特許の請求項２，４及び５に対して，特許異議申立人がした特許異議の申立てについては，対象となる請求項が存在しない。 よって，結論のとおり決定する。