2015-005688

特願２００９－１９９３０２「光学的および電磁気学的効果補助層の制御手法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１１月１１日出願公開、特開２０１０－２５８４０１〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 １　手続の経緯 本願は、平成２１年８月３１日（優先権主張平成２１年３月３０日）の出願であって、平成２６年１２月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２７年３月２５日に拒絶査定不服審判が請求がされるととも手続補正書が提出された。その後当審において、平成２８年３月３０日付けで拒絶理由が通知され、同年６月１９日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。 ２　当審の拒絶理由 当審において平成２８年３月３０日付けで通知した拒絶の理由の概要は、以下のとおりである。 ・理由１（単一性） （省略） ・理由２（新規性） 本願の請求項１、４～６に係る発明は、本願の優先権主張の日前に日本国内または外国において頒布された刊行物である、「特開２００９－１６７１０号公報」（以下「引用例１」という。）に記載された発明であり、また、本願の優先権主張の日前に日本国内または外国において頒布された刊行物である、「特開平８－８４８８号公報」（以下「引用例２」という。）に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。 ・理由３（進歩性） 本願の請求項１、４～６に係る発明は、周知技術を勘案して、本願の優先権主張の日前に日本国内または外国において頒布された刊行物である引用例１に記載された発明に基づいて、本願の優先権主張の日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであり、また、周知技術を勘案して、本願の優先権主張の日前に日本国内または外国において頒布された刊行物である引用例２に記載された発明に基づいて、本願の優先権主張の日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 ・理由４（請求項の記載の明確性） （省略） ３　本願発明 本願の請求項１～５に係る発明は、平成２８年６月１９日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１～５に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 半導体又は金属の少なくともどちらか一方よりなる微粒子又は島状構造を平面内でランダムに配列させた平面構造が、 母材中に間隔を保って複数積層された構造体であって、 該母材が半導体であることを特徴とする構造体」 ４　引用例の記載と引用発明 （１）引用例１の記載 引用例１には、「レーザ発振素子」（発明の名称）に関して、図１～１１とともに、以下の事項が記載されている（下線は当審で付加した。以下同じ。）。 ア　「【技術分野】 【０００１】 本発明は、基板上に活性層を形成してなるレーザ発振素子に関する。」 イ　「【背景技術】 【０００２】 レーザ発振素子の活性層を構成する量子ドットのサイズ揺らぎと発光の半値幅についての関係は、量子ドットはそのサイズが変化すると、量子閉じ込めエネルギーが変化するため発光する波長（エネルギー）が変化する。そのため、サイズの揺らぎが大きい量子ドット群の発光特性は、幅広い波長（エネルギー）にわたって広がり、その半値幅は広い物となる。量子ドットの半導体レーザ等の応用のためには、なるべくサイズ揺らぎの少ない量子ドットを高密度に作製することが望まれている。 非特許文献１で示されているように従来のＧａＡｓ（１００）基板を用いたものでは、液滴の密度は最大でも３×１０１０／ｃｍ２であった。この特許文献１及び非特許文献１に示されているように、ＧａＡｓ（１００）基板を用いたものでは、液滴を結晶化する際の砒素分子線強度を低下させると、結晶化後のナノ構造の形状が変化し量子ドットの形成は不可能となる。 これに対し非特許文献１では、量子ドットを作製するために高強度の砒素分子線を液滴に照射して結晶化しているため、量子ドットのサイズの均一性が悪く、半値幅の狭い発光を得ることは不可能であった。」 ウ　「【課題を解決するための手段】 【０００５】 発明１のレーザ発振素子は、その活性層は、２×１０１０／ｃｍ２～１×１０１１／ｃｍ２の密度、及び５Ｋにおける発光の半値幅５０ｍｅＶ以下でＧａＡｓ（３１１）Ａ基板上に量子ドットが形成してなることを特徴とする。 発明2は、発明1のレーザ発振素子の製造方法であって、前記量子ドットは、液滴エキタピシー法により所定の密度で形成することを特徴とする。」 エ　「【発明の効果】 【０００６】 発明2により、ＧａＡｓ（３１１）Ａ基板上に、３×１０９／ｃｍ２～１×１０１１／ｃｍ２の範囲で量子ドットの密度を制御する事に成功した。 また、発明1により、同基板を用いる事により、量子ドットの均一性に関しても、成長条件により広い範囲で制御可能となった。このような量子ドットをもつ半導体の半値幅は２３ｍｅＶ～１００ｍｅＶ超を実現した。 この結果、極めて安定してナローな波長でのレーザ発振が可能になった。」 オ　「【発明を実施するための最良の形態】 【０００７】 図10に示す形態は、光励起による発振を試みたものである。基板上部から、緑色の光を導入すると、活性層上下のクラッド層及び活性層で電子正孔対が形成される。それらは、エネルギーの一番低いGaAs量子ドットへと注入され、それらが再結合する事により量子ドットが発光する。発光した光は、クラッド層と活性層の屈折率の差により、活性層中に閉じ込められて、成長方向と垂直な方向に作製された共振器中に閉じ込められてレーザ発振する。本実施例では、共振器は劈開した端面により形成した。 図10に示す形態の製造手順は以下の通りである。 GaAs(311)A基板上に、400nmの厚さをもつGaAsバッファー層を成長させて表面を平坦化させたのち、1300nmのAlGaAsクラッド層（高Al組成）を成長させた。その後、活性層となる、AlGaAs層（低Al組成）を220nm成長させ、その中に液滴エピタキシー法（図１）により作製したGaAs量子ドットを２層埋め込んだ。続いて、1300nmの上部のAlGaAsクラッド層（高Al組成）を成長させ、最後に表面を保護するため20nmのGaAsを成長させた。」 カ「【実施例】 【０００９】 液滴エピタキシー法は、化合物半導体の量子ドットを作製する手法で、図１を参照して、ガリウム砒素量子ドットの作製を例として説明すると、基板上にガリウムのみを供給してガリウムの液体金属微粒子を作製し、続いて砒素を供給してその液滴をガリウム砒素に結晶化する事により、量子ドットを作製する。 図２に示すように、従来のＧａＡｓ（１００）基板上では、２００℃から３５０℃の範囲では、液滴の密度は基板温度と式１（ＧａＡｓ（１００）基板上の液滴密度のフィッティング曲線の式）の関係にあり、密度は最大でも２×１０１０／ｃｍ２程度であった。 …（略）… 【００１１】 これに対して、ＧａＡｓ（３１１）Ａ基板を用いることにより、上記の温度範囲の全域で密度が増加し、最大で１×１０１１／ｃｍ２という、高密度の液滴が形成可能となった。なお、図１の説明で述べたように、この液滴は結晶化する事により、一つの液滴が一つの量子ドットとなることから、この密度はそのまま形成される量子ドットの密度と考えることができる。 【００１２】 図３は、液滴を量子ドットへ結晶化する際の砒素分子線強度を変化させた際の結晶化後の構造の形状の顕微鏡像であるが、ＧａＡｓ（１００）基板上では、分子線強度の減少に伴い、形状が変化してしまうため、量子ドットの形成には２×１０－４Ｔｏｒｒの砒素分子線照射が必要である。それに対して、ＧａＡｓ（３１１）Ａ基板上では、砒素分子線強度を減少させても形状は保たれており、弱い砒素分子線照射に於いても量子ドット形成が可能である。 ＧａＡｓ（１００）基板上での、ドット構造は（００１２段）に示すように発光の半値幅が広いためレーザ発振を実現することは困難である。一方で、量子ドットとは異なる構造（1e-5及び2e-6 Torr）からはレーザ発振を実現したが、これらの構造の電子状態はドットとは異なり固有状態間のエネルギー差が小さいため、量子ドットレーザに於いて期待される優れた温度特性を実現する事は困難である。 【００１３】 ＧａＡｓ量子ドットをＡｌＧａＡｓ層によりサンドイッチした構造を例にして、図４にその発光特性を示す。 図５には、…（略）… 図６－８は本実施例において、ＧａＡｓ（３１１）Ａ基板上でも、砒素分子線強度を変えても量子ドットの形成が可能で、弱い強度の砒素を照射した際に均一性の高い量子ドットが形成されることを示している。それにより、半値幅５０ｍｅＶ以下の発光が観察される。 ＧａＡｓ（３１１）Ａ基板上に高均一な量子ドットを図６、図７の様に高密度に形成することにより、レーザ発振に寄与できる量子ドットの数が増加し、レーザ発振を実現することができる。それにより、量子ドットレーザに於いて期待される優れた特性を発現することも期待される。実際に図６の量子ドットを用いてレーザ素子の試作を行い、図１０に示す構造を作製したところ、図１１に示すように室温に於いてレーザ発振を実現した。尚、図８に示す量子ドットは均一性に於いては優れているが、ドット密度が低いため（意図的に低くしている）、レーザ発振の実現は困難である。」 キ　図１は、液滴エピタキシー法の模式図であり、以下のとおりである。 ク　図３は、（１００）及び（３１１）Ａ基板上の液滴を異なる強度の砒素照射により結晶化した後のＧａＡｓナノ構造の形状を示す顕微鏡写真であり、以下のとおりである。 図３から、（３１１）Ａ基板で、照射した砒素の強度1e-5Torr及び2e-6Torrで、ＧａＡｓナノ構造がランダムに配列していることが見てとれる。 ケ　図６は、（３１１）Ａ基板上に形成した量子ドットの発光特性と顕微鏡像（砒素強度２×１０－６ｔｏｒｒ）であり、図７は、（３１１）Ａ基板上に形成した量子ドットの発光特性と顕微鏡像（砒素強度１×１０－５ｔｏｒｒ）であり、それぞれ、以下のとおりである。 図６、７から、量子ドットがランダムに配列していることが見てとれる。 コ　図１０は、結晶成長により作製した量子ドットレーザ素子の構造を示す模式図であり、以下のとおりである。 図１０から、２層のＧａＡｓ量子ドットは、それぞれ、２０ｎｍのＡｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ層、１００ｎｍのＡｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ層において、平面内に配列され、Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ層を介して積層されていることが見てとれる。 （２）引用発明１ ア　以上、図３、６、７、１０を参酌してまとめると、引用例１には、以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。 「GaAs(311)A基板上に、GaAsバッファー層を成長させて表面を平坦化させたのち、AlGaAsクラッド層（高Al組成）を成長させた後、活性層となる、AlGaAs層（低Al組成）を成長させ、その中に液滴エピタキシー法により作製したGaAs量子ドットを２層埋め込み、続いて、上部のAlGaAsクラッド層（高Al組成）を成長させて製造されるレーザ素子であって、 上記液滴エピタキシー法は、化合物半導体の量子ドットを作製する手法で、基板上にガリウムのみを供給してガリウムの液体金属微粒子を作製し、続いて砒素を分子線照射により供給してその液滴をガリウム砒素に結晶化する事により、GaAs量子ドットを作製し、 一つの液滴が一つの量子ドットとなり、 顕微鏡像において、量子ドットがランダムに配列しており、 量子ドットレーザ素子の構造模式図において、GaAs量子ドットは、AlGaAs層（低Al組成）において、平面内に配列され、当該AlGaAs層を介して積層されている、量子ドットレーザ素子。」 （３）引用例２の記載 引用例２には、「半導体多層基板および半導体多層膜の製造方法」（発明の名称）に関して、図１～１６とともに、以下の事項が記載されている。 ア　「【特許請求の範囲】 …（略）… 【請求項１６】平坦面を有する半導体基板と、前記半導体基板に形成され前記半導体基板と極性が異なる量子ドット状の半導体結晶を有する半導体多層基板。 …（略）… 【請求項１９】平坦面を有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層上に形成され前記半導体基板と極性が異なる量子ドット状の半導体結晶からなる活性層と、前記半導体結晶上に形成されたクラッド層を有する半導体レーザ。 【請求項２０】平坦面を有する半導体基板上にバッファ層を形成するバッファ層形成工程と、前記バッファ層上に前記半導体基板と極性が異なる量子ドット状の半導体結晶からなる活性層を形成する活性層形成工程と、前記活性層上にクラッド層を形成するクラッド層形成工程とを有する半導体レーザの製造方法。」 イ　「【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は異なる格子定数または極性を有する複数の半導体結晶を同一基板上に成長する半導体結晶構造およびその製造方法、さらにこの半導体結晶構造を用いた半導体レーザ、発光ダイオード等の発光素子、受光素子、光導波路素子、電子素子およびその製造方法に関するものである。」 ウ　「【００７９】（実施例１２）以下に、本発明の量子ドットを利用した半導体多結晶膜及び半導体レーザについて説明する。 【００８０】図１４は本発明第１２の実施例における半導体多結晶膜の構造図を示すものである。 【００８１】図１４において、１４１は＜００１＞方向の表面を有するＳｉ基板、１４２は厚み３μmのＳｉ結晶薄膜、１４３は厚み高さ２ｎｍのＧａＡｓドット、１４４は１００ｎｍのＳｉ結晶薄膜である。 【００８２】本実施例では、Ｓｉ基板１４１表面にはステップの無い（００１）面を持つ。ステップが無いために結晶は結晶平面にランダムに結晶成長し、均一なＧａＡｓ結晶の核生成が実現される。また、ＳｉとＧａＡｓとの極性が異なるためにＧａＡｓは３次元成長を生じてドット状の成長が実現される。 【００８３】結晶成長はＭＢＥで７５０度にて行っており、成長温度が比較的高いために基板表面での原子の移動速度が大きくなり、均一なドット１４３の形成が実現される。また、上記した均一な量子ドット１４３の形成により、量子井戸を形成した場合に対して５０倍のＰＬ発光強度が得られる。一方、結晶成長温度が高いほどドットの数は減少するが一つのドットの大きさは大きくなり、ドットとドットは融合してはならず、かつドットの間は５ｎｍ以上離れている必要があるために成長温度は７５０度と比較的高くする必要があった。 【００８４】また、Ｓｉ結晶薄膜１４２は基板に存在するステップを抑制するために３μm程度積層される。基板内に転位が存在している場合その影響を受けてＧａＡｓが均一に成長できないという問題がある。本実施例では基板前面に結晶が成長するが、結晶間のスペースが大きいために特に基板のそり等の問題は発生しない。 【００８５】（実施例１３）図１５は本発明第１３の実施例における半導体レーザの構造図を示すものである。 【００８６】図１５において、１５１は表面にステップの無い（００１）ｎ－Ｓｉエピ基板、１５２は厚み１０ｎｍのＳｉバッファ層、１５３は厚み２ｎｍのエピタキシャル成長したＧａＡｓドット結晶、１５４は厚み１０ｎｍのＳｉ単結晶薄膜、１５５はＧａＡｓ結晶薄膜１５３とＳｉ単結晶薄膜１５４より成るペア数１０の多重量子ドット層、１５６はｐ－Ｓｉ層、１５７は絶縁膜、１５８はｐ側電極、１５９はｎ側電極である。 【００８７】本実施例は、第１２の実施例に示した量子ドットを半導体レーザに適応したものであり、ＭＢＥ法を用いてＧａＡｓドットとＳｉ薄膜を成長した。半導体レーザとしての利得を得るためには１層のＧａＡｓドットでは不十分であり、従ってＧａＡｓドット１５３を１０層積層することで半導体レーザを実現する。 【００８８】（実施例１４）図１６は本発明第１４の実施例における半導体レーザの製造方法造図を示すものである。 【００８９】図１６において、表面にステップの無い（００１）ｎ－Ｓｉエピ基板１６１、厚み１０ｎｍのＳｉバッファ層１６２を成長するＳｉ結晶成長工程（ａ）と、厚み２ｎｍのエピタキシャル成長したＧａＡｓドット結晶１６３と、厚み１０ｎｍのＳｉ単結晶薄膜１６４を交互に成長してえられるペア数１０の多重量子ドット層１６５とｐ－Ｓｉクラッド層１６６を成長する活性層成長工程（ｂ）と、絶縁膜１６７をマスクとしてエッチイングにより幅２μm、長さ３００μmのストライプ状に薄膜結晶をエッチングして活性領域を形成するストライプ工程（ｃ）と、膜厚１μｍのｎ－Ｓｉ単結晶薄膜１６８を選択成長した後に基板両面に電極１６９を蒸着する選択成長工程（ｄ）より半導体レーザ構造を得る。 【００９０】本実施例は、第１３の実施例に示した量子ドット半導体レーザを実現する製造方法であり、ＭＢＥ法を用いてＧａＡｓドット１６３とＳｉ薄膜を成長している。ＧａＡｓドット１６３を成長した後、Ｓｉ結晶１６４を１０ｎｍ成長することで平坦面が得られるが、これはＧａＡｓドット１６３の高さが２ｎｍ程度と低いことと、Ｓｉ結晶がＧａＡｓドット１６３上に成長しにくいためにＧａＡｓドットが平坦に埋め込まれたためである。」 エ　「【００９３】【発明の効果】以上のように本発明は、（１）半導体基板上に微小な凹凸を形成することで、（２）半導体基板の傾斜方向に長細い結晶成長領域を形成することで、格子定数または極性の異なる結晶に対して結晶性良い成長を実現する。 【００９４】また、（３）平坦な半導体基板を用いることで均一な量子ドットの形成を実現する。さらに、これらの結晶を半導体発光素子、受光素子、光導波路素子、電子素子に応用することで素子特性の飛躍的向上を実現できる。とくに、化合物半導体よりなるこれらの素子をＳｉ基板状に形成することで、歩留まりの向上、強度の向上、低下価格化、高集積化、高速化が実現できる。」 （４）引用発明２ ア　以上、図１５、１６を参酌してまとめると、引用例２には、第１３の実施例として、以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。 「平坦な面を有する、表面にステップの無い（００１）ｎ－Ｓｉエピ基板１５１と、 その上に成長したＳｉバッファ層１５２と、 その上にエピタキシャル成長した厚み２ｎｍのＧａＡｓドット結晶１５３と厚み１０ｎｍのＳｉ単結晶薄膜１５４を交互に成長してえられるペア数１０の多重量子ドット層１５５と、 その上に成長したｐ－Ｓｉクラッド層１５６と、 絶縁膜１５７と、ｐ側電極１５８と、ｎ側電極１５９とを有する半導体レーザであって、 ＭＢＥ法を用いてＧａＡｓドット１５３とＳｉ薄膜が成長され、 ＧａＡｓドット１５３の高さが２ｎｍ程度と低いことと、Ｓｉ結晶がＧａＡｓドット１５３上に成長しにくいためにＧａＡｓドット１５３が平坦に埋め込まれたため、ＧａＡｓドット１５３を成長した後、Ｓｉ結晶１５４を１０ｎｍ成長することで平坦面が得られた、半導体レーザ。」 ５　対比・判断 （１）本願発明と引用発明１との対比 本願発明と引用発明１とを対比する。 ア　引用発明１の「GaAs量子ドット」、「AlGaAs層（低Al組成）」、及び「量子ドットレーザ素子」は、それぞれ、本願発明の「半導体よりなる微粒子」、「母材」、「構造体」に相当する。 イ　引用発明１では、「GaAs(311)A基板上に、…（略）…、活性層となる、AlGaAs層（低Al組成）を成長させ、その中に液滴エピタキシー法により作製したGaAs量子ドットを２層埋め込み、…（略）…を成長させて製造されるレーザ素子であって」、「量子ドットレーザ素子の構造模式図において、GaAs量子ドットは、AlGaAs層（低Al組成）において、平面内に配列され、当該AlGaAs層を介して積層されている」ものであるから、本願発明と引用発明とは、「半導体よりなる微粒子」を配列させた構造が、「母材中に間隔を保って複数積層された構造体であって、該母材が半導体である」点で一致する。 ウ　したがって、本願発明と引用発明１との一致点及び相違点は次のとおりである。 ＜一致点＞ 「半導体よりなる微粒子をランダムに配列させた構造が、 母材中に間隔を保って複数積層された構造体であって、 該母材が半導体である構造体」 ＜相違点１＞ 微粒子を配列させた構造について、本願発明では、微粒子を「平面内」でランダムに配列させた「平面構造」であるのに対し、引用発明１では、「顕微鏡像において、量子ドットがランダムに配列しており、量子ドットレーザの構造模式図において、GaAs量子ドットは、AlGaAs層（低Al組成）において、平面内に配列され」ているものの、本願発明のような特定はなされていない点。 （２）本願発明と引用発明１との相違点についての当審の判断 以下、上記相違点１について検討する。 ア　一般に、半導体レーザ素子において、レーザ発振を実現するために、活性層の結晶性を良好とすべく、活性層の直下の層の表面を平坦なものとすることは普通に知られた慣用手段であるものと認められる。 イ　また、引用発明１では、「GaAsバッファー層を成長させて表面を平坦化させたのち、AlGaAsクラッド層（高Al組成）を成長させた後、活性層となる、AlGaAs層（低Al組成）を成長させ、その中に液滴エピタキシー法により作製したGaAs量子ドットを２層埋め込み」、「製造されるレーザ素子」である。 ウ　したがって、上記アで指摘した上記普通に知られた慣用手段、並びに上記イのように、引用発明１は、「GaAsバッファー層」の「表面を平坦化させたのち」、クラッド層、活性層を成長させたものであること、及び引用例１の図１（上記「４（１）」のキを参照。）を勘案すると、引用例１には、GaAs量子ドットの直下のAlGaAs層（低Al組成）の表面が、平坦なものが示唆されているものと認められ、引用発明１は、本願発明の「微粒子を『平面内』でランダムに配列させた『平面構造』」という構成を実質的に備えているといえる。 よって、相違点１は実質的なものではない。 エ　以上のとおりであるから、本願発明の構成はすべて引用例１に示されているものであって、本願発明は引用発明１と同一ということとなり、引用例１に記載された発明である。 オ　次に、仮に相違点１が実質的なものであった場合について、念のため、以下で検討する。 量子ドットを有する構造体において、量子ドットの下地層を平坦な平面をもつものとすることは周知技術であり、例えば、以下の周知例Ａ、引用例２（周知例として提示。上記「４（３）」の摘記事項ウの段落【００７９】～【００９０】、図１４～１６等を参照。）に記載されている。 （ア）周知例Ａ：特開平３－１１６８２２号公報 ａ　「（ａ）基板について 量子井戸箱の形成のための基板（１）としては、平坦な表面を持つ化合物半導体を準備する。」（第２ページ右上欄第２～５行） ｂ　「（ｂ）液相微細球 次いでこの基板（１）には、化合物半導体、たとえばＸＹの元素成分のうちのＸが液相微細球（２）として生成される。 基板（１）は、元素成分Ｘが触ける温度に保持し、超高真空中において、元素成分Ｘの分子線を照射することにより液相微細球（２）を生成することができる。基板（１）の化合物半導体ＡＢの表面には、微細な体積、たとえば1000nm３　程度の点状微細球（２）融体が均一に作成される。 （ｃ）結晶成長 この微細球（２）の融体には、化合物半導体ＸＹのもう一方の元素成分Ｙが固溶される。 上記と同様に基板（１）の化合物半導体ＡＢを加熱した状態で、たとえば超高真空中で元素成分Ｙの分子線を照射することができる。 液相微細球（２）は、化合物半導体ＸＹとして基板（１）の化合物半導体ＡＢと方位のそろったエピタキシャル結晶成長する。化合物半導体ＸＹのエピタキシャル結晶（３）が形成される。 （ｄ）埋め込み この状態において、化合物半導体、たとえばＣＤの薄膜をエピタキシャル成長させることにより、化合物半導体ＸＹを埋め込む。 基板（１）の化合物半導体ＡＢ、化合物半導体ＸＹの微細エピタキシャル結晶（３）の上に化合物半導体ＣＤの埋め込み層（４）が形成される。電子のとじこめがなされ、量子井戸箱が完成する。」（第２ページ左下欄第１行～右下欄第１２行） また、上記アのとおり、一般に、半導体レーザ素子において、レーザ発振を実現するために、活性層の結晶性を良好とすべく、活性層の直下の層の表面を平坦なものとすることは普通に知られた慣用手段であるものと認められる。 カ　したがって、引用発明１において、上記慣用手段及び周知技術に基づき、「AlGaAsクラッド層（高Al組成）」の表面、並びにその上の成長させた活性層の１層目及び２層目の「AlGaAs層（低Al組成）」の表面のいずれもを平坦なものとすることは、当業者であれば適宜なし得たことである。 キ　次に、引用発明１は、「上記液滴エピタキシー法は、化合物半導体の量子ドットを作製する手法で、基板上にガリウムのみを供給してガリウムの液体金属微粒子を作製し、続いて砒素を分子線照射により供給してその液滴をガリウム砒素に結晶化する事により、GaAs量子ドットを作製し、一つの液滴が一つの量子ドットとな」るものである。 そうすると、図１、１０も参酌すると、引用発明１において、活性層の１層目及び２層目の「AlGaAs層（低Al組成）」の表面を平坦なものとするならば、GaAs量子ドットを配列させた構造が、「平面内」に配列させた「平面構造」となることは明らかである。 したがって、引用発明１において、上記慣用手段及び周知技術に基づき、相違点１に係る本願発明の構成を採用することは、当業者であれば容易になし得たことである。 ク　よって、仮に相違点１が実質的なものであったとしても、本願発明は、引用発明１並びに慣用手段及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 ケ　以上のとおりであるから、本願発明の構成はすべて引用例１に示されているものであって、本願発明は引用発明１と同一ということとなり、引用例１に記載された発明である。 よって、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。 又は、仮に相違点１が実質的なものであったとしても、本願発明は、引用発明１並びに慣用手段及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 よって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 （３）本願発明と引用発明２との対比 本願発明と引用発明２とを対比する。 ア　引用発明２の「ＧａＡｓドット結晶１５３」、「Ｓｉ単結晶薄膜１５４」、及び「半導体レーザ」は、それぞれ本願発明の「半導体よりなる微粒子」、「母材」、「構造体」に相当する。 イ　引用発明２は、「エピタキシャル成長した厚み２ｎｍのＧａＡｓドット結晶１５３と厚み１０ｎｍのＳｉ単結晶薄膜１５４を交互に成長してえられるペア数１０の多重量子ドット層１５５」を有するものであるから、本願発明と引用発明とは、「半導体よりなる微粒子」を配列させた構造が、「母材中に間隔を保って複数積層された構造体であって、該母材が半導体である」点で一致する。 ウ　したがって、本願発明と引用発明２との一致点及び相違点は次のとおりである。 ＜一致点＞ 「半導体よりなる微粒子を配列させた構造が、 母材中に間隔を保って複数積層された構造体であって、 該母材が半導体である構造体」 ＜相違点２＞ 微粒子を配列させた構造について、本願発明では、「微粒子を平面内でランダムに配列させた平面構造」であるのに対し、引用発明２では、「エピタキシャル成長した厚み２ｎｍのＧａＡｓドット結晶１５３」について、本願発明のような特定はなされていない点。 （４）本願発明と引用発明２との相違点についての当審の判断 以下、上記相違点２について検討する。 ア　引用発明２は、「ＭＢＥ法を用いてＧａＡｓドット１５３とＳｉ薄膜が成長され、ＧａＡｓドット１５３の高さが２ｎｍ程度と低いことと、Ｓｉ結晶がＧａＡｓドット１５３上に成長しにくいためにＧａＡｓドット１５３が平坦に埋め込まれたため、ＧａＡｓドット１５３を成長した後、Ｓｉ結晶１５４を１０ｎｍ成長することで平坦面が得られた」、「半導体レーザ」である。 イ　また、上記「４（３）」の摘記事項ウの段落【００８２】には、「Ｓｉ基板１４１表面にはステップの無い（００１）面を持つ。ステップが無いために結晶は結晶平面にランダムに結晶成長し、均一なＧａＡｓ結晶の核生成が実現される。」、段落【００８３】には、「結晶成長はＭＢＥで７５０度にて行っており、成長温度が比較的高いために基板表面での原子の移動速度が大きくなり、均一なドット１４３の形成が実現される。…（略）…ドットとドットは融合してはならず、かつドットの間は５ｎｍ以上離れている必要がある」と記載されている。 また、引用例２において、量子ドットを利用した半導体レーザについての記載箇所の段落【００７９】～【００９０】（上記「４（３）」の摘記事項ウを参照。）には、ＧａＡｓドットが整列して配列するように特段の制御を行うことは記載されていない。 ウ　上記アのように、引用発明２において、「Ｓｉ結晶１５４」は「平坦面が得られた」ものであること、上記イで指摘した事項を勘案すると、引用発明２においても、ＧａＡｓドット１５３の成長の際に、基板表面での原子の移動速度は大きくなり、均一なドット１５３の形成が実現されるものと認められる。 そうすると、上記ア、イのとおり、引用発明２は、ＧａＡｓドット１５３は、下地のＳｉ結晶が「平坦面が得られた」ものであり、且つＭＢＥ法を用いた、その成長の際に、「原子の移動速度は大きく」なるものであり、また、引用例２には、ＧａＡｓドットが整列して配列するように特段の制御を行うことは記載されていないから、引用発明２において、「ＧａＡｓドット結晶１５３」が、「ＧａＡｓドットを平面内でランダムに配列させた平面構造」をなすことは明らかである。 エ　したがって、引用発明２において、相違点２に係る本願発明の構成を採用することは、当業者であれば容易になし得たことである。 よって、本願発明は、引用発明２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 ７　むすび 以上のとおり、本願発明の構成はすべて引用例１に示されているものであって、本願発明は引用発明１と同一ということとなり、引用例１に記載された発明である。 よって、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。 又は、本願発明は、引用発明１並びに慣用手段及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、また、引用発明２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 したがって、本願は、他の請求項２～５に係る発明について検討するまでもなく、当審で通知した上記拒絶の理由の「理由２」又は「理由３」によって拒絶をすべきものである。 よって、結論のとおり審決する。