2015-002005

特願２０１２－２２３２２８「改善されたカラークロストークを有するイメージセンサ」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　２月　７日出願公開、特開２０１３－　３０７９９〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、平成１９年４月１０日（パリ条約による優先権主張２００６年１０月１３日、大韓民国）に出願した特願２００７－１０３０１７号（以下「原出願」という。）の一部を平成２４年１０月５日に新たな特許出願としたものであって、同年１０月９日に上申書及び手続補正書が提出され、平成２５年１２月１０日付けで拒絶理由が通知され、平成２６年３月１２日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年１０月２４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２７年２月２日に拒絶査定を不服とする審判の請求がなされるとともに手続補正書が提出されたものである。 そして、平成２８年１月２７日付けで当審より拒絶理由が通知され、同年４月２２日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。 第２　本願発明に対する判断 １　本願発明 本願の請求項１ないし１６に係る発明は、平成２８年４月２２日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１６に記載される事項により特定されるとおりであって、そのうち、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりのものである。 「イメージセンサの製造方法であって、 ポテンシャル障壁のないエピタキシャル層を形成するステップであって、第１フォトダイオードに対応する第１領域と、第２フォトダイオードに対応する第２領域と、該エピタキシャル層の上面と、該エピタキシャル層と基板との接触面の間の厚さとを備える、エピタキシャル層を形成するステップと、 前記エピタキシャル層内にイオン注入を行って、前記第１領域内にポテンシャル障壁を形成するが、前記第２領域内に該ポテンシャル障壁を形成しないステップと を含んでなり、 前記ポテンシャル障壁は、前記第１領域の上部によって前記上面から離れており、 前記ポテンシャル障壁は、前記第１領域の下部によって前記接触面から離れており、 前記ポテンシャル障壁は、前記第１領域の前記下部において形成される前記第２フォトダイオードに対応する電子が前記第２領域へと集まるように形成されており、 前記ポテンシャル障壁は、ドリフト領域によって前記第１フォトダイオードから分離されており、 前記ポテンシャル障壁は、前記第２フォトダイオードに対応する電子をそのまま上方に拡散させるように形成されていることを特徴とする、イメージセンサの製造方法。」 ２　当審よりの拒絶理由通知の概要 平成２８年１月２７日付けで当審より通知した拒絶理由通知の概要は、次のとおりである。 「１．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。 ２．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 記 引　用　文　献　等　一　覧 １．特開２００４－１５２８１９号公報 ２．特表２００４－５１０３５５号公報 ・理由　　　：１、２ ・請求項　　：１ ・引用文献等：１ ・備考 ……（以下、省略）」 ３　引用例の記載事項と引用発明 （１）引用例の記載事項 原出願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、当審の拒絶理由通知で引用された刊行物である特開２００４－１５２８１９号公報（以下「引用例」という。）には、「固体撮像装置及びその製造方法」（発明の名称）に関して、図１～図２４とともに、以下の事項が記載されている（下線は、参考のため、当審において付したものであり、以下、同様である。）。 ア　従来の技術 ａ　「【０００６】 フォトダイオードによる画素の色配列が、ＲＧＢ色配列（Ｒｅｄ，Ｇｒｅｅｎ，Ｂｌｕｅ）である場合、例えば、第１の信号蓄積領域１７０３ａが赤色用フォトダイオード，第２の信号蓄積領域１７０３ｂが緑色用フォトダイオード，第３の信号蓄積領域１７０３ｃが青色用フォトダイオードである。入射光によって発生する光電荷密度は、Ｐ型ウェル１７０１を構成しているシリコン基板の電気的特性から、図１５に示すようになり、波長の長い光（赤色＞緑色＞青色）ほど、シリコン基板（Ｐ型ウェル）の深い位置で光を発生している。」 イ　発明が解決しようとする課題 ａ　「【０００７】 ……（中略）…… 【発明が解決しようとする課題】 上記した固体撮像装置では、画素サイズの縮小化に伴って、隣接するフォトダイオードの距離が短くなっているため、図１４の矢印に示すように、波長の長い光（赤色）を入射することによってシリコン基板の深い位置で発生した信号電荷が、隣接するフォトダイオードの信号蓄積領域内に入り込むことがある。このように、波長の長い赤色用フォトダイオードから、隣接する緑色用フォトダイオードや青色用フォトダイオードに信号電荷が入り込むことによって、混色を引き起こしたり、暗電流が増大するなどの問題があった。 【０００８】 なお、波長の長い色用フォトダイオードの信号蓄積領域下にも、一様にＰ＋型埋め込み層を設けると、特に、波長の長い色の信号蓄積領域において、光が発生しにくくなり、波長の長い色の感度の低下が生じる。 【０００９】 本発明は、上記した問題点を解決すべくなされたもので、波長の長い色用フォトダイオードから、隣接する他の色用フォトダイオードに信号電荷が入り込むことによって生じる、混色や暗電流を低減することが可能となる固体撮像装置を提供することを目的とする。」 ウ　発明の実施の形態 ａ　「【００１３】 【発明の実施の形態】 以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。 （第１の実施の形態） 図１に固体撮像装置の単位セルのうち、光電変換部であるフォトダイオードと読み出しトランジスタの周囲の領域の要部断面図を示し、図２に、固体撮像装置の単位セルの回路構成の例を示す。単位セルは、光電変換部である信号を蓄積するフォトダイオードと、信号走査回路部である信号を読み出す読み出しトランジスタ，信号を増幅する増幅トランジスタ，信号を読み出すラインを選択する垂直選択トランジスタ，フォトダイオードの信号電 荷をリセットするリセットトランジスタなどから構成されている。 ……（中略）…… 【００１５】 また、図１に示すように、半導体基板（図示しない）上に形成されたＰ型ウェル２０１に、素子分離領域２０８が形成されている。また、Ｐ型ウェル２０１内に、信号蓄積領域２０３が形成され、Ｐ型ウェル２０１の表面領域に、信号蓄積領域２０３と離間して、Ｎ型ドレイン領域２０７が形成されている。信号蓄積領域２０３の下には、Ｐ型バリア領域２０４が形成されている。また、信号蓄積領域２０３上のＰ型ウェル２０１の表面領域には、Ｐ型シールド領域２０２が形成されている。Ｐ型シールド領域２０２は、素子分離領域２０８と接続されている。さらに、Ｐ型ウェル２０１上に、ゲート絶縁膜２０６を介して読み出しゲート電極２０５が形成されている。Ｐ型ウェル２０１は、シリコン基板によって形成されており、Ｐ型ウェル２０１及び信号蓄積領域２０３によって光電変換部であるフォトダイオードが構成されている。 【００１６】 信号蓄積領域２０３に蓄積された信号は、読み出しゲート電極２０５によって、Ｎ型ドレイン領域２０７から読み出すことができる。Ｐ型シールド領域２０２は、素子分離領域２０８と接続して接地されており、Ｐ型ウェル２０１の表面の結晶欠陥等の乱れによって生じるリーク電流を低減することができる。 【００１７】 ここで、このフォトダイオードは、波長の長い色用フォトダイオードに隣接した、波長の長い色用フォトダイオード以外のフォトダイオードであり、例えば、青色用フォトダイオードである。フォトダイオードの信号蓄積領域２０３の下には、Ｐ型バリア領域２０４が形成されている。入射光によって発生する光電荷密度は、シリコン基板（Ｐウェル）の電気的特性から、波長の長い光（赤色＞緑色＞青色）ほど、シリコン基板（Ｐ型ウェル）の深い位置で光を発生する。 【００１８】 Ｐ型ウェル２０１の不純物濃度は、例えば、約１×１０１６～１×１０１４ｃｍ－３，Ｐ型バリア領域２０４の不純物濃度は、比較的高濃度であり、Ｐ型ウェル２０１よりも１桁ほど高く、例えば、約１×１０１７～１×１０１５ｃｍ－３ ，信号蓄積領域２０３の不純物濃度は、例えば、約１×１０１７～１×１０１５ｃｍ－３ ，Ｐ型シールド領域２０２の不純物濃度は、信号蓄積領域２０３の不純物濃度よりも高い不純物濃度であり、例えば、約１×１０１９～１×１０１６ｃｍ－３である。 【００１９】 図１に示したフォトダイオードは、波長の長い色用フォトダイオードに隣接した、波長の長い色用フォトダイオード以外のフォトダイオードである。波長の長い色用フォトダイオード以外のフォトダイオードである信号蓄積領域２０３の下に、Ｐ型バリア領域２０４を形成することによって、矢印に示すように、波長の長い色用フォトダイオードの信号蓄積領域から、隣接したフォトダイオードの信号蓄積領域へ信号電荷が入り込むことを抑止することができ、混色や暗電流を低減することができる。」 ｂ　「【００２１】 次に、図１に示した固体撮像装置の製造方法の一例について説明する。図３（ａ）に示すように、Ｐ型ウェル３０１に素子分離領域３０２を形成する。続いて、波長の長い色用以外のフォトダイオードの、Ｎ型の信号蓄積領域を形成する予定の領域の少なくとも一部上に開口部を有するレジストパターン３０３ａを形成し、Ｐ型ウェル３０１上にＰ型不純物をイオン注入することによって、Ｐ型ウェル３０１に、Ｐ型バリア領域３０３を形成する。 【００２２】 図３（ｂ）に示すように、続いて、Ｎ型不純物をイオン注入することによって、Ｐ型ウェル３０１に形成されたＰ型バリア領域３０３上に、Ｎ型の信号蓄積領域３０４を形成し、フォトダイオードを構成する。また、レジストパターン３０３ａを除去し、Ｐ型ウェル３０１上にゲート絶縁膜３０５を介して、読み出しゲート電極３０６を形成する。 【００２３】 次に、図３（ｃ）に示すように、信号蓄積領域３０４が形成されている読み出しゲート電極３０６の片側の、Ｐ型ウェル３０１の一部が露出するようなレジストパターン３０７ａを形成する。続いて、Ｐ型不純物をイオン注入することによって、Ｐ型ウェル３０１の表面領域に、Ｐ型シールド領域３０７を形成する。Ｐ型シールド領域３０７は、素子分離領域３０２に接続されるなどして、接地されている。」 ｃ　「【００２６】 図４に、隣接した３つのフォトダイオードの信号蓄積領域のみを簡略化して示す。半導体基板（図示しない）上に形成されたＰ型ウェル５０１に、素子分離領域５０８が形成されている。また、Ｐ型ウェル５０１内に、第１の信号蓄積領域５０３ａ，第２の信号蓄積領域５０３ｂ，第３の信号蓄積領域５０３ｃが離間して形成されている。第２及び第３の信号蓄積領域５０３ｂ，５０３ｃの下には、それぞれ第１及び第２のＰ型バリア領域５０４ａ，５０４ｂが形成されている。第１乃至第３の信号蓄積領域５０３ａ，５０３ｂ，５０３ｃは、異なる分光特性を有するフォトダイオードである。 【００２７】 図５（ａ）及び図５（ｂ）に、ＲＧＢ（Ｒｅｄ，Ｇｒｅｅｎ，Ｂｌｕｅ）画素の色配列の例を示す。図４は、図５（ａ）のＡ－Ａにおける断面図であり、隣接した３つのフォトダイオードの信号蓄積領域を簡略化して示した図である。図４に示した第１の信号蓄積領域５０３ａは赤色用フォトダイオード，第２の信号蓄積領域５０３ｂは緑色用フォトダイオード，第３の信号蓄積領域５０３ｃは青色用フォトダイオードである。 【００２８】 赤色用フォトダイオード以外の信号蓄積領域、すなわち、第２及び第３の信号蓄積領域５０３ｂ，５０３ｃの下には、第１及び第２のＰ型バリア領域５０４ａ，５０４ｂが形成さ れている。赤色用フォトダイオードの信号蓄積領域、すなわち、第１の信号蓄積領域５０３ａの下には、Ｐ型バリア領域は、形成されておらず、Ｐ型バリア領域は、選択的に形成されている。 【００２９】 このように、波長の長い色用フォトダイオード以外のフォトダイオードの、信号蓄積領域５０３ｂ，５０３ｃの下にのみ、Ｐ型バリア領域を形成することによって、矢印に示すように、波長の長い色用フォトダイオードの信号蓄積領域から、隣接したフォトダイオードの信号蓄積領域へ信号電荷が入り込むことを抑止することができ、混色や暗電流を低減することができる。また、このとき波長の長い色用フォトダイオードの信号蓄積領域の下には、Ｐ型バリア領域が形成されていないため、感度の低下は生じない。Ｐ型バリア領域は、波長の長い色用フォトダイオード以外の信号蓄積領域のうち、少なくとも１つ以上の色のフォトダイオードの信号蓄積領域の下に形成されていれば、効果を得ることができる。」 ｄ　「【００３０】 また、Ｐ型バリア領域は、信号蓄積領域の直下に形成するのではなく、間に信号蓄積領域から広がる空乏層を設けて、信号蓄積領域の下方に形成してもよい。」 ｅ　図１には、Ｐ型シールド領域２０２、信号蓄積領域２０３及びＰ型バリア領域２０４のスタックが設けられた領域に隣接するＰ型ウェル２０１の深い部分からの信号電荷の流れを示す矢印が、前記Ｐ型バリア領域２０４で止まっていることが、図示されている。 また、図４には、図面左端の第１の信号蓄積領域５０３ａの下方部分のＰ型ウェル５０１からの信号電荷の流れを示す矢印が、前記第１の信号蓄積領域５０３ａの隣に位置する、第１のＰ型バリア領域５０４ａ及び第２のＰ型バリア領域５０４ｂで止まっていることが、図示されている。 ｆ　図３には、Ｐ型バリア領域３０３はｐ型ウェル３０１内に設けられていること、したがって、Ｐ型バリア領域３０３の下面とｐ型ウェル３０１の下面とは間隔をおいて離れていることが図示されている。 エ　発明の効果 ａ　「【００６０】 【発明の効果】 以上詳述したように、本発明によれば、隣接するフォトダイオードから信号電荷が入り込むことによって生じる、混色や暗電流を低減することができる。」 （２）引用発明 以上の記載事項から、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 「固体撮像装置の製造方法であって、 半導体基板上に、隣接して複数のフォトダイオードが形成されるＰ型ウェルを形成するステップと、 前記Ｐ型ウェル上にＰ型不純物をイオン注入することによって、前記Ｐ型ウェルに、前記Ｐ型ウェルより不純物濃度が１桁ほど高いＰ型バリア領域を形成するステップと、 Ｎ型不純物をイオン注入することによって、前記Ｐ型ウェルに形成された前記Ｐ型バリア領域上に、Ｎ型の信号蓄積領域を形成して、前記Ｐ型ウェル及び前記信号蓄積領域によって光電変換部である前記フォトダイオードを構成するステップと、 Ｐ型不純物をイオン注入することによって、前記Ｐ型ウェルの表面領域に、前記Ｐ型ウェルの表面の結晶欠陥等の乱れによって生じるリーク電流を低減するＰ型シールド領域を形成するステップと、 を含んでなり、 前記Ｐ型バリア領域は、前記信号蓄積領域の直下に形成するのではなく、間に前記信号蓄積領域から広がる空乏層を設けて、前記信号蓄積領域の下方に形成し、 前記Ｐ型バリア領域の下面と前記ｐ型ウェルの下面とは間隔をおいて離れており、 波長の長い色用フォトダイオード以外のフォトダイオードの信号蓄積領域の下にのみ前記Ｐ型バリア領域を形成することによって、前記波長の長い色用フォトダイオードの前記信号蓄積領域から、隣接する他の色用フォトダイオードの前記信号蓄積領域に信号電荷が入り込むことを抑止して、混色や暗電流を低減することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。」 ４　対比 （１）本願発明と引用発明との対比 本願発明と、引用発明とを対比する。 ア　引用発明の「固体撮像装置」は、本願発明の「イメージセンサ」に相当する。 イ　引用発明の「Ｐ型ウェル」は、「半導体基板上」に「形成」されるから、前記「半導体基板」と前記「Ｐ型ウェル」の界面を下面とし、当該下面から、前記「Ｐ型ウェル」の「表面」までの厚さを備えると認められる。 また、引用発明の「Ｐ型ウェル」には「隣接」する「複数のフォトダイオード」、すなわち、「波長の長い色用フォトダイオード」と、それ「以外」の「隣接する他の色用フォトダイオード」とが形成されるから、前記「Ｐ型ウェル」は、前記各「フォトダイオード」を形成する領域を有するものと認められる。したがって、引用発明の「Ｐ型ウェル」は、「隣接して複数のフォトダイオード」を形成する領域を有する半導体層といえるものである。したがって、引用発明の「Ｐ型ウェル」と、本願発明の「エピタキシャル層」とは、半導体「層」である点で共通する。 ここで、引用発明の「Ｐ型バリア領域」は、「Ｐ型ウェルより不純物濃度が１桁ほど高」く、「前記波長の長い色用フォトダイオードから、隣接する他の色用フォトダイオードに信号電荷が入り込むことを抑止」するから、前記「Ｐ型ウェル」内に存在する「信号電荷」にとっては「バリア」、すなわち、ポテンシャル障壁として機能すると認められる。したがって、引用発明の前記「Ｐ型バリア領域」は本願発明の「ポテンシャル障壁」に相当する。 そうすると、引用発明の「Ｐ型バリア領域を形成するステップ」を実行する前の「Ｐ型ウェル」と、本願発明の「ポテンシャル障壁のないエピタキシャル層」とは、「ポテンシャル障壁のない」半導体「層」である点で共通する。 以上から、引用発明の「半導体基板上に、隣接して複数のフォトダイオードが形成されるＰ型ウェルを形成するステップ」と、本願発明の「ポテンシャル障壁のないエピタキシャル層を形成するステップであって、第１フォトダイオードに対応する第１領域と、第２フォトダイオードに対応する第２領域と、該エピタキシャル層の上面と、該エピタキシャル層と基板との接触面の間の厚さとを備える、エピタキシャル層を形成するステップ」とは、「ポテンシャル障壁のない」半導体「層を形成するステップであって、第１フォトダイオードに対応する第１領域と、第２フォトダイオードに対応する第２領域と、該」半導体「層の上面と、該」半導体「層と基板との接触面の間の厚さとを備える」、半導体「層を形成するステップ」である点で共通する。 ウ　引用発明の「Ｐ型バリア領域」は、「波長の長い色用フォトダイオード以外のフォトダイオードの信号蓄積領域の下にのみ」形成するものである。すなわち、「Ｐ型ウェル」における前記「波長の長い色用フォトダイオード」を形成する領域には、前記「Ｐ型バリア領域」は形成しない。 したがって、引用発明における「波長の長い色用フォトダイオード以外のフォトダイオード」を形成する領域は本願発明の「ポテンシャル障壁を形成」する「第１領域」に対応し、前記「波長の長い色用フォトダイオード」を「形成」する領域は本願発明の「ポテンシャル障壁を形成」しない「第２領域」に対応する。 以上から、引用発明の「前記Ｐ型ウェル上にＰ型不純物をイオン注入することによって、前記Ｐ型ウェルに、前記Ｐ型ウェルより不純物濃度が１桁ほど高いＰ型バリア領域」を「波長の長い色用フォトダイオード以外のフォトダイオードの信号蓄積領域の下にのみ」形成するステップと、本願発明の「前記エピタキシャル層内にイオン注入を行って、前記第１領域内にポテンシャル障壁を形成するが、前記第２領域内に該ポテンシャル障壁を形成しないステップ」とは、半導体「層内にイオン注入を行って、前記第１領域内にポテンシャル障壁を形成するが、前記第２領域内に該ポテンシャル障壁を形成しないステップ」である点で共通する。 エ　引用発明の「波長の長い色用フォトダイオード以外のフォトダイオード」を「形成」する領域においては、前記「Ｐ型バリア領域」の上方には、少なくとも、「前記信号蓄積領域から広がる空乏層」と「Ｎ型の信号蓄積層」に加え、「前記Ｐ型ウェルの表面領域」に形成される「Ｐ型シールド領域」が設けられる。 この、引用発明において、「波長の長い色用フォトダイオード以外のフォトダイオード」を形成する領域の「Ｐ型バリア領域」の上方に、少なくとも、「前記信号蓄積領域から広がる空乏層」と「Ｎ型の信号蓄積層」に加え「前記Ｐ型ウェルの表面領域」に形成される「Ｐ型シールド領域」が設けられることは、本願発明において、「前記ポテンシャル障壁は、前記第１領域の上部によって前記上面から離れて」いることに相当する。 オ　引用発明において、「前記Ｐ型バリア領域の下面」と「半導体基板上」に形成される「前記ｐ型ウェルの下面とは間隔をおいて離れて」いることは、本願発明において、「前記ポテンシャル障壁は、前記第１領域の下部によって前記接触面から離れて」いることに相当する。 （２）一致点と相違点 以上のとおりであるから、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致するとともに、以下の点で相違する。 ＜一致点＞ 「イメージセンサの製造方法であって、 ポテンシャル障壁のない半導体層を形成するステップであって、第１フォトダイオードに対応する第１領域と、第２フォトダイオードに対応する第２領域と、該半導体層の上面と、該半導体層と基板との接触面の間の厚さとを備える、半導体層を形成するステップと、 前記半導体層内にイオン注入を行って、前記第１領域内にポテンシャル障壁を形成するが、前記第２領域内に該ポテンシャル障壁を形成しないステップと を含んでなり、 前記ポテンシャル障壁は、前記第１領域の上部によって前記上面から離れており、 前記ポテンシャル障壁は、前記第１領域の下部によって前記接触面から離れていることを特徴とする、イメージセンサの製造方法。」 ＜相違点１＞ 一致点に係る「ポテンシャル障壁のない半導体層を形成するステップ」において、当該「半導体層」として、本願発明は「エピタキシャル層」を形成するのに対して、引用発明は「Ｐ型ウェル」を形成する点。 ＜相違点２＞ 本願発明の「前記ポテンシャル障壁は、前記第１領域の前記下部において形成される前記第２フォトダイオードに対応する電子が前記第２領域へと集まるように形成されて」いるのに対して、引用発明は「波長の長い色用フォトダイオード以外のフォトダイオードの信号蓄積領域の下にのみ前記Ｐ型バリア領域を形成することによって、前記波長の長い色用フォトダイオードの前記信号蓄積領域から、隣接する他の色用フォトダイオードの前記信号蓄積領域に信号電荷が入り込むことを抑止して、混色や暗電流を低減する」点。 ＜相違点３＞ 本願発明の「前記ポテンシャル障壁は、ドリフト領域によって前記第１フォトダイオードから分離されて」いるのに対して、引用発明の「前記Ｐ型バリア領域は、前記信号蓄積領域の直下に形成するのではなく、間に前記信号蓄積領域から広がる空乏層を設けて、前記信号蓄積領域の下方に形成」される点。 ＜相違点４＞ 本願発明の「前記ポテンシャル障壁は、前記第２フォトダイオードに対応する電子をそのまま上方に拡散させるように形成されて」いるのに対して、引用発明の「前記Ｐ型バリア領域」は、そのような特定を有していない点。 ５　当審の判断 （１）相違点１について ア　引用例には、段落【００１５】に「半導体基板（図示しない）上に形成されたＰ型ウェル２０１」と、段落【００２６】に「半導体基板（図示しない）上に形成されたＰ型ウェル５０１」と記載される一方で、段落【００１５】には「Ｐ型ウェル２０１は、シリコン基板によって形成されており」と、段落【００１７】には「シリコン基板（Ｐ型ウェル）」と記載されている。 後者の記載から、引用例においては、「シリコン基板」と「Ｐ型ウェル」を同一視しているものである。 そうすると、「シリコン基板」は一般に結晶性であることを踏まえると、引用例においては、半導体基板上のフォトダイオードを形成するための結晶性の層であるＰ型シリコン基板をＰ型ウェルと呼んでいると認められる。 したがって、引用発明における「半導体基板上」のフォトダイオードを形成するための結晶性の層である「Ｐ型ウェル」を形成する方法と、半導体基板上のフォトダイオードを形成するための結晶性の層であるＰ型のエピタキシャル層を形成する方法との間に、実質的な差異があるとは認められない。 よって、相違点１は実質的な相違点ではない。 イ　また、仮に実質的に相違するとしても、固体撮像装置の技術分野において、半導体基板上の、フォトダイオードを形成する半導体層を、Ｐ型のエピタキシャル層とすることは、以下に挙げる周知例１～３に記載されるように周知技術である。 したがって、引用発明において、「隣接して複数のフォトダイオード」を「形成」する半導体層として、「Ｐ型ウェル」に代えてＰ型のエピタキシャル層を用いることで、相違点１に係る構成とすることは、当業者であれば適宜なし得たものと認められる。 （ア）周知例１の記載事項 原出願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原審の拒絶理由通知で引用された刊行物である特開２００６－２１０９１９号公報（以下「周知例１」という。）には、「光の波長に応じて異なる厚さの埋没バリヤ層を具備するイメージセンサ及びその形成方法」（発明の名称）に関して、図１～８とともに、以下の事項が記載されている。 ａ　「【００３１】 図３を参照すると、緑色光を実現するための画素である緑色領域Ｇ、赤色を実現するための画素である赤色領域Ｒ及び青色を実現するための画素である青色領域Ｂを具備するＰ型半導体基板１上にＰ型エピタキシャル層３が位置する。前記各々の領域は素子分離膜７によって区別される。本実施形態で前記緑色領域Ｇ、前記赤色領域Ｒ及び前記青色領域Ｂの位置は本発明の要旨を容易に説明するために配置したものであり、任意に交換することができる。例えば３×３の配列で前記赤色領域Ｒは中心に位置して、前記グリーン領域Ｒは前記赤色領域Ｒを基準で左右及び上下に位置することができる。そして前記青色領域Ｂは前記赤色領域Ｒの対角線方向に位置することができる。 【００３２】 前記エピタキシャル層３の上部にＰ型の第１不純物注入領域１９とＮ型の第２不純物注入領域１７が位置して、光電変換部であるフォトダイオードをなす。また、前記Ｎ型の第２不純物注入領域１７と前記Ｐ型エピタキシャル層３も光電変換部をなすことができる。……（以下、省略）」 （イ）周知例２の記載事項 原出願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００３－２８９１３７号公報（以下「周知例２」という。）には、「イメージセンサ及びその製造方法」（発明の名称）に関して、図１～１７とともに、以下の事項が記載されている。 ａ　「【０００７】図１は、従来の技術に係るＣＭＯＳイメージセンサを示す断面図であって、フォトダイオード、トランスファートランジスタ及びフローティング拡散領域のみを示している。図１を参照すると、ｐ＋基板１１にエピタキシャル成長されたｐ－エピタキシャル層１２が形成され、ｐ－エピタキシャル層１２に素子間隔離のためのフィールド酸化膜１４が形成され、フィールド酸化膜１４の下部には、ｎ－チャネルフィールドストップ層（ｎ－ｃｈａｎｎｅｌ ｆｉｅｌｄ ｓｔｏｐ ｌａｙｅｒ）のためのフィールドストップ層１３が形成される。 【０００８】ここで、フィールドストップ層１３は、フィールド酸化膜１４が形成されるｐ－エピタキシャル層１２に傾斜なしにイオン注入するため、フィールド酸化膜１４下のみに位置する。したがって、フォトダイオードをなすｎ－－拡散層１６は、フィールド酸化膜１４のエッジと境界をなすだけであって、フィールドストップ層１３はｎ－－拡散層１６の面積に影響を及ぼさない。そして、ｐ－エピタキシャル層１２上にスペーサ１７が両側壁に形成されたトランスファートランジスタのゲート電極Ｔｘ１５が形成され、ゲート電極１５の一側エッジに揃えられ（ａｌｉｇｎｅｄ）つつｐ－エピタキシャル層１２内部に深いｎ－－拡散層１６が形成され、深いｎ－－拡散層１６上部とｐ－エピタキシャル層１２表面下部にゲート電極の一側に形成されたスペーサ１７に揃えられつつ浅いｐＯ－拡散層１８が形成される。 【０００９】結局、深いｎ－－拡散層１６と浅いｐＯ－拡散層１８とからなるフォトダイオードＰＤが形成され、ゲート電極１５の他側に形成されたスペーサ１７に揃えられつつｐ－エピタキシャル層１２内にフローティング拡散領域（ＦＤ）１９が形成される。一方、ｎ－－拡散層１６を形成するためのイオン注入マスクＭＫ１は、一側面がトランスファートランジスタのゲート電極の中央に揃えられ、他側面が活性領域に侵入しないフィールド酸化膜上に整列される（図２参照）。 ……（中略）…… 【００１１】一方、図１に示すように、フォトダイオードをなすｎ－－拡散層１６の形成の際イオン注入マスクＭＫ１が実質的に形成されるｎ－－拡散層１６より広い線幅を有するので、ｎ－－拡散層１６は、トランスファートランジスタのゲート電極Ｔｘと重なった部分を除外した全活性領域に形成されてフィールド酸化膜（ＦＯＸ）と接することになる。上述した従来技術では、フォトダイオードのｎ－－拡散層１６とｐ－領域（ｐＯ－拡散層、ｐ－エピタキシャル層）との間に逆バイアスがかかると、ｎ－－拡散層１６とｐ領域の不純物濃度が適切に調節された時、ｎ－－拡散層１６が完全空乏されながらｎ－－拡散層１６下部に存在するｐ－エピタキシャル層１２と、ｎ－－拡散層１６上部に存在するｐＯ－拡散層１８に空乏領域が拡張されるが、ドーパント濃度が相対的に低いｐ－エピタキシャル層１２により多くの空乏層拡張がおきる。 【００１２】このようなフォトダイオードＰＤを有するイメージセンサでは、フォトダイオードＰＤに格納された電子（ｅ）をフォトダイオードＰＤから取り出して電気的出力信号（電圧または電流）を得ることになるが、最大出力信号は、フォトダイオードＰＤから取り出すことができる電子の数と直接的に比例するため、出力信号を増加させるためには、光によりフォトダイオード（ＰＤ）内で生成及び格納される電子の数を増加させなければならない。上述したように、フォトダイオードＰＤの空乏層で発生された電子が電気的信号（電圧または電流）に変換されるが、表面から深い所まで幅広く空乏層が形成できるように、表面層（ｐＯ－拡散層）のドーパント濃度が下部層（ｎ－－拡散層及びｐ－エピタキシャル層）のドーパント濃度より非常に高くなるようにイオン注入をするようになる。」 ｂ　「【００２４】一方、フォトダイオードＰＤは、ゲート電極Ｔｘの一側面とフィールドストップ層２５に揃えられて形成されたｎ－－拡散層２９と、ゲート電極２７の一側面から所定距離を置いてフィールドストップ層２５に揃えられてｎ－－拡散層２９内に形成されたｐＯ－拡散層３１とからなる。一方、ゲート電極２７の他側にはｎ＋－拡散層３３が形成される。 ……（中略）…… 【００２６】図４に示すように、高濃度ｐ型不純物がドーピングされたｐ＋－半導体基板２１上にｐ－エピタキシャル層２２を成長させた後、ｐ－エピタキシャル層２２上にパッド酸化膜２３とパッド窒化膜２４を形成する。……（以下、省略）」 （ウ）周知例３の記載事項 原出願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００－２２８５１３号公報（以下「周知例３」という。）には、「カラ―イメ―ジセンサ及びその製造方法」（発明の名称）に関して、図１～８とともに、以下の事項が記載されている。 ａ　「【０００６】図２は、図１に示すフォトダイオードＰＤの断面図である。 【０００７】図２に示すように、図１に示すピクセルユニットのフォトダイオードは、Ｐ＋シリコン基板２１、Ｐ－エピタキシャル層２２、フィールド酸化膜２３、Ｎ－拡散領域２４及びＰＯ拡散領域２５を備える。フォトダイオードＰＤは、Ｐ－エピタキシャル層２２、Ｎ－拡散領域２４及びＰＯ拡散領域２５が積層されて構成されるＰＮＰ接合構造を有する。」 ｂ　「【００２５】或いは上記目的を達成するために、本発明は、光学的イメージを電気的信号に変換するためのカラーイメージセンサの製造方法において、基板上にＰ型半導体層を形成する第１段階と、レッド、グリーン及びブルーフォトダイオードの領域を画定するために上記Ｐ型半導体層にフィールド酸化膜を形成する第２段階と、上記レッド、グリーン及びブルーフォトダイオードのために互いに相異なマスクパターンを持つイオン注入マスクを提供する第３段階と、上記Ｐ型半導体層にＮ型拡散領域を形成するために上記イオン注入マスクを利用して上記Ｐ型半導体層に不純物イオンを注入する第４段階と、上記レッド、グリーン及びブルーフォトダイオードに該当する互いに相異な第１、第２及び第３空乏領域を形成するために得られた構造体に熱的処理を遂行する第５段階とを包含している。」 ｃ　「【００３２】図６に示すように、本実施形態のカラーイメージセンサは、レッド、グリーン及びブルーピクセルユニットが光の多様な成分に対する光感度を改善させるために互いに異なる空乏領域構造を有している。 【００３３】レッドピクセルユニット７１０のフォトダイオードは、光のレッド成分を受光して、このレッド成分から光電荷を生成する。レッドピクセルユニット７１０のフォトダイオードは、Ｐ－エピタキシャル層７０１の表面近くに設けられた空乏領域７０２を有する。 ……（中略）…… 【００３６】レッド、グリーン及びブルーピクセルユニット７１０、７２０及び７３０の各々は、低濃度のＰ－エピタキシャル層７０１、Ｐ－エピタキシャル層７０１において形成されたＮ－拡散領域、及びＰ－エピタキシャル層７０１の表面とＮ－拡散領域との間に形成されたＰＯ拡散領域を有する。」 （２）相違点２について ア　本願明細書の段落【００２１】の「Ｐ型ドープ層２１２が電子に対して小さなポテンシャル障壁を形成し、電子の横拡散を防止することにより、赤色光発生電子２１６も上方に誘導される。さらに、Ｐ型ドープ層２１２の下の赤色光発生電子２１４も、ポテンシャル障壁を克服することができず、Ｐ型ドープ層２１２の周辺に拡散して赤色のフォトダイオードのポテンシャル井戸に到達しなければならない」という記載によれば、本願発明の「前記ポテンシャル障壁」が「前記第１領域の前記下部において形成される前記第２フォトダイオードに対応する電子が前記第２領域へと集まるよう」にできるのは、本願発明が「前記第１領域内にポテンシャル障壁を形成するが、前記第２領域内に該ポテンシャル障壁を形成しない」という構成を備えているからであると認められる。 一方、引用発明も、「波長の長い色用フォトダイオード以外のフォトダイオードの信号蓄積領域の下にのみ前記Ｐ型バリア領域を形成する」という、上記構成と同じ構成を備えている。 したがって、引用発明の前記「波長の長い色用フォトダイオード以外のフォトダイオードの信号蓄積領域の下」にのみ形成される「前記Ｐ型バリア領域」も、「波長の長い色用フォトダイオード以外のフォトダイオード」が形成される領域の下部において形成される「波長の長い色用フォトダイオード」に対応する「信号電荷」を、当該「波長の長い色用フォトダイオード」が形成される領域に集めるものと認められる。 よって、相違点２に係る構成は、引用例に記載されているに等しい事項であると認められる。 イ　引用発明は「波長の長い色用フォトダイオード以外のフォトダイオードの信号蓄積領域の下にのみ前記Ｐ型バリア領域を形成することによって、前記波長の長い色用フォトダイオードの前記信号蓄積領域から、隣接する他の色用フォトダイオードの前記信号蓄積領域に信号電荷が入り込むことを抑止」するものである。 さて、引用例には、段落【０００７】に、「波長の長い光（赤色）を入射することによってシリコン基板の深い位置で発生した信号電荷が、隣接するフォトダイオードの信号蓄積領域内に入り込むことがある。」と記載されている。 ここで、前記「波長の長い色」の光は「波長の長い色用フォトダイオード」に対して入射される光であると認められる。そして、前記「波長の長い色」の光を入射することで「Ｐ型ウェル」の深い位置で発生した信号電荷には、前記「波長の長い色用フォトダイオード」が形成される領域における深い位置で発生した信号電荷の他に、たとえば入射光の散乱により、「隣接する他の色用フォトダイオード」が形成される領域における深い位置で発生した信号電荷も存在することは、当業者の技術常識である。 そうすると、引用発明の「波長の長い色用フォトダイオード以外のフォトダイオードの信号蓄積領域の下にのみ」形成される「Ｐ型バリア層」は、「前記波長の長い色用フォトダイオードの前記信号蓄積領域から、隣接する他の色用フォトダイオードの前記信号蓄積領域に信号電荷が入り込むことを抑止」するだけでなく、前記「隣接する他の色用フォトダイオード」が形成される領域における深い位置で発生した「波長の長い色」の光に基づく信号電荷が、当該「隣接する他の色用フォトダイオードの前記信号蓄積領域」に「入り込む」ことも「抑止」するものと認められる。 そして、それぞれ「抑止」されて前記「隣接する他の色用フォトダイオード」方向への行き場を失った信号電荷は、当然に、「波長の長い色用フォトダイオード」が形成される領域における「Ｎ型の信号蓄積領域」に蓄積されると認められる。 よって、引用例の記載を参酌しても、相違点２に係る構成は、引用例に記載されているに等しい事項であると認められる。 ウ　なお、仮に相違点２において引用発明が本願発明と実質的に相違するとしても、「隣接する他の色用フォトダイオード」が形成される領域における深い位置で発生した「波長の長い色」の光に基づく信号電荷を、本来受光検出すべき「波長の長い色用フォトダイオード」が形成される領域における「Ｎ型の信号蓄積領域」で蓄積できるようにすることは、前記「波長の長い色用フォトダイオード」の感度を高めるために、当業者であれば適宜なし得たものと認められる。 エ　以上から、相違点２は実質的な相違点ではない。 また、仮にそうでないとしても、引用発明を相違点２に係る構成とすることは、当業者であれば適宜なし得たものと認められる。 （３）相違点３について ア　引用例の段落【００３０】には「Ｐ型バリア領域は、信号蓄積領域の直下に形成するのではなく、間に信号蓄積領域から広がる空乏層を設けて、信号蓄積領域の下方に形成してもよい。」と、「Ｐ型バリア領域」と「信号蓄積領域」の「間」に前記「信号蓄積領域から広がる空乏層」を設けることが記載されている。 したがって、引用発明において、「空乏層」は、「Ｐ型バリア領域」や「信号蓄積領域」とは別の領域に形成されるものと解される。 イ　さて、審判請求人は、平成２８年４月２２日に提出した意見書において、 「新請求項１の「前記ポテンシャル障壁は、ドリフト領域によって前記第１フォトダイオードから分離されて」いる旨の補正事項は、例えば、本願の出願当初の図？の記載と、段落［００２１］の「ピンドフォトダイオードで全ての電荷が空乏化すると、空乏領域２１１がシリコンバルク内の深さＸｄ１で形成される。高エネルギーのボロンイオン注入により形成されたＰ型ドープ層２１２は、ポテンシャル障壁として機能する。この層は、空乏領域２１１の下の深さＸｇで『青色』及び『緑色』のフォトダイオードの下にのみ位置し、ここで、ほとんどの緑色及び青色の光子は、既に電子２１５に転換されている。この電子２１５は、空乏領域２１１のエッジから、短距離においては上方に移動し、Ｎ型ドープ層２１０に位置するフォトダイオードのポテンシャル井戸内に速やかに拡散する」旨の記載等に接した当業者にとって自明なものです。」 と主張している。（審決注：前記主張における「本願の出願当初の図？」の記載は、「本願の出願当初の図２」の誤記と認められる。） したがって、審判請求人は、本願発明の「ドリフト領域」は、内部を「電子２１５」が「移動」する「空乏領域２１１」を指し、『青色』及び『緑色』のフォトダイオードの下にのみ位置する「Ｐ型ドープ層２１２」は、前記「空乏領域２１１」によって、『青色』及び『緑色』のフォトダイオードから分離されていることが「本願の出願当初の図２」に記載されている、と主張していると認められる。 ウ　ここで、第２の５（１）イ（イ）で摘記したように、周知例２の段落【００１１】～【００１２】に、従来の技術として「ｎ－－拡散層１６下部に存在するｐ－エピタキシャル層１２」に形成される「フォトダイオードＰＤの空乏層で発生された電子が電気的信号（電圧または電流）に変換される」と記載されるように、フォトダイオードの「空乏層」に照射された光によって電子が励起され、この電子が「空乏層」内を移動することによって、照射された光が電気的信号に変換されることは、当業者の技術常識である。 エ　そうすると、引用発明のように、「Ｐ型バリア領域」が「間に前記信号蓄積領域から広がる空乏層を設けて、前記信号蓄積領域の下方に形成」するとき、審判請求人が主張するとおり、前記「空乏層」が内部で励起された「信号電荷」の移動経路である「ドリフト領域」となることは、当業者が直ちに察知できたものと認められ、このとき、前記「Ｐ型バリア領域」は、「信号電荷」の移動経路となる前記「空乏層」によって、「波長の長い色用フォトダイオード以外のフォトダイオード」から分離されると認められる。 したがって、相違点３は、実質的な相違点ではない。 オ　なお、上述のとおり、引用発明において、「空乏層」は、「Ｐ型バリア領域」や「Ｎ型の信号蓄積領域」とは別の領域に設けられるものと解される。 そして、引用発明と同様に、半導体基板上に、表面から順に、Ｐ型領域、Ｎ型領域、Ｐ型領域の各半導体領域が形成され、少なくとも最下層のＰ型領域とＮ型領域とがフォトダイオードを構成する固体撮像素子において、光で励起される電子が生成・移動する空乏層を前記最下層のＰ型領域に形成することは、以下に示すように、前記周知例１～３に記載され、周知技術である。 したがって、仮に相違点３が実質的な相違点であるとしても、引用発明において、「Ｐ型バリア領域」と「Ｎ型の信号蓄積領域」との間にＰ型領域を設け、前記Ｐ型領域に、前記「Ｎ型の信号蓄積領域」から広がる「空乏層」を形成することで、前記「Ｐ型バリア領域」を、前記「空乏層」が形成される前記Ｐ型領域によって、「波長の長い色用フォトダイオード以外のフォトダイオード」から分離することは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。 （ア）周知例１の記載事項 周知例１には、第２の５（１）イ（ア）で摘記した事項に加え、以下の事項が記載されている。 ａ　「【００３２】 前記エピタキシャル層３の上部にＰ型の第１不純物注入領域１９とＮ型の第２不純物注入領域１７が位置して、光電変換部であるフォトダイオードをなす。また、前記Ｎ型の第２不純物注入領域１７と前記Ｐ型エピタキシャル層３も光電変換部をなすことができる。前記第２不純物注入領域１７の下部の前記エピタキシャル層３内に第１埋没バリヤ層５が位置する。前記第１埋没バリヤ層５はＰ型の不純物がドーピングされてなることができる。前記第１埋没バリヤ層５にドーピングされた不純物の濃度は前記エピタキシャル層３にドーピングされた不純物の濃度より高い。前記緑色領域Ｇと前記青色領域Ｂで前記第１埋没バリヤ層５上に第２埋没バリヤ層１１が位置する。前記青色領域Ｂで前記第２埋没バリヤ層１１上に第３埋没バリヤ層１５が位置することができる。前記第２埋没バリヤ層１１と前記第３埋没バリヤ層１５はＰ型の不純物でドーピングされてなることができ、前記第１埋没バリヤ層５にドーピングされた不純物の濃度と同一の濃度でドーピングされることができる。前記各々の領域で前記埋没バリヤ層の上部は前記第２不純物注入領域１７と離隔される。すなわち、前記緑色領域Ｇで前記第２埋没バリヤ層１１は前記第２不純物注入領域１７と離隔される。前記赤色領域Ｒで前記第１埋没バリヤ層５は前記第２不純物注入領域１７と離隔される。前記青色領域Ｂで前記第３埋没バリヤ層１５は前記第２不純物注入領域１７と離隔される。 【００３３】 これによって、各々の領域から入射される波長の長さに適するようにフォトダイオードの空乏領域を調節することができ、イメージセンサの感度を改善することができる。すなわち、青色の波長が最も短くて、赤色の波長が最も長い。したがって、前記青色領域Ｂでは青色光が前記第２不純物注入領域１７の上部側に到逹するので、空乏領域の幅（深度）が大きくなくても感度が低下しない。一方、前記赤色領域Ｒでは赤色光が前記第２不純物注入領域１７の下部側に到逹するので、大きな幅（深度）の空乏領域を要求する。 【００３４】 これと同時に、クロス－トーク現象を防止することができる。すなわち、波長が長い赤色光が前記赤色領域Ｒで前記第２不純物注入領域１７を逸脱して前記エピタキシャル層３に入射するようになって電子－正孔対が生成される場合、電子の移動を前記エピタキシャル層３より高濃度でドーピングされた前記埋没バリヤ層５、１１、１５が遮断する。すなわち、前記埋没バリヤ層５、１１、１５内で移動する電子が正孔と再結合して隣り合う画素へのクロス－トーク現象を防止することができる。」 （イ）周知例２の記載事項 周知例２には、第２の５（１）イ（ア）で摘記した事項に加え、以下の事項が記載されている。 ａ　「【００１２】このようなフォトダイオードＰＤを有するイメージセンサでは、フォトダイオードＰＤに格納された電子（ｅ）をフォトダイオードＰＤから取り出して電気的出力信号（電圧または電流）を得ることになるが、最大出力信号は、フォトダイオードＰＤから取り出すことができる電子の数と直接的に比例するため、出力信号を増加させるためには、光によりフォトダイオード（ＰＤ）内で生成及び格納される電子の数を増加させなければならない。上述したように、フォトダイオードＰＤの空乏層で発生された電子が電気的信号（電圧または電流）に変換されるが、表面から深い所まで幅広く空乏層が形成できるように、表面層（ｐｏ－拡散層）のドーパント濃度が下部層（ｎ－－拡散層及びｐ－エピタキシャル層）のドーパント濃度より非常に高くなるようにイオン注入をするようになる。」 ｂ　「【００２６】図４に示すように、高濃度ｐ型不純物がドーピングされたｐ＋－半導体基板２１上にｐ－エピタキシャル層２２を成長させた後、ｐ－エピタキシャル層２２上にパッド酸化膜２３とパッド窒化膜２４を形成する。ここで、ｐ－エピタキシャル層２２を成長させる理由は、低濃度ｐ－エピタキシャル層２２が存在するので、フォトダイオードＰＤの空乏層の深さを増加させることができるため、優れた光感度特性が得られ、フォトダイオードＰＤの空乏層が到達しないｐ＋－半導体基板２１の深い所で発生し得る光電荷等の不規則な移動による単位画素間クロストーク現象を高濃度のｐ＋－半導体基板２１の存在により光電荷を再結合させることによって防止できるためである。」 （ウ）周知例３の記載事項 周知例３には、以下の事項が記載されている。 ｂ　「【００３２】図６に示すように、本実施形態のカラーイメージセンサは、レッド、グリーン及びブルーピクセルユニットが光の多様な成分に対する光感度を改善させるために互いに異なる空乏領域構造を有している。 【００３３】レッドピクセルユニット７１０のフォトダイオードは、光のレッド成分を受光して、このレッド成分から光電荷を生成する。レッドピクセルユニット７１０のフォトダイオードは、Ｐ－エピタキシャル層７０１の表面近くに設けられた空乏領域７０２を有する。 【００３４】グリーンピクセルユニット７２０のフォトダイオードは、光のグリーン成分を受光して、グリーン成分から光電荷を生成する。光のグリーン成分はレッド成分に比べより短い波長を有するため、グリーンピクセルユニット７２０のフォトダイオードは、レッドピクセルユニット７１０のフォトダイオードよりＰ－エピタキシャル層７０１の表面により近接した状態で設けられた空乏領域７０３を有する。 【００３５】ブルーピクセルユニット７３０のフォトダイオードは、光のブルー成分を受光して、ブルー成分から光電荷を生成する。光のブルー成分はグリーン成分に比べより短い波長を有するため、ブルーピクセルユニット７３０のフォトダイオードは、グリーンピクセルユニット７２０のフォトダイオードよりＰ－エピタキシャル層７０１の表面にさらに近接した状態で設けられた空乏領域７０４を有する。 【００３６】レッド、グリーン及びブルーピクセルユニット７１０、７２０及び７３０の各々は、低濃度のＰ－エピタキシャル層７０１、Ｐ－エピタキシャル層７０１において形成されたＮ－拡散領域、及びＰ－エピタキシャル層７０１の表面とＮ－拡散領域との間に形成されたＰＯ拡散領域を有する。」 （４）相違点４について ア　引用発明の「波長の長い色用フォトダイオード」の「Ｎ型の信号蓄積領域」の下には、「前記Ｐ型バリア領域」は「形成」されない。 したがって、前記「波長の長い色用フォトダイオード」が形成される領域においては、前記「Ｎ型の信号蓄積領域」の下方で生成された「信号電荷」の上方への移動を「抑止」する「Ｐ型バリア領域」は存在しない。 よって、引用発明の「Ｐ型バリア領域」が、前記「波長の長い色用フォトダイオード」が形成される領域で生成された「信号電荷」を、そのまま上方へ移動させるように形成されていることは、引用例に記載されているに等しい事項であると認められるから、相違点４は実質的な相違点ではない。 イ　また、仮にそうでないとしても、引用発明において、「波長の長い色用フォトダイオード」が形成される領域の下方で生成された「信号電荷」が、そのまま上方の「前記波長の長い色用フォトダイオードの前記信号蓄積領域」に「入り込む」ように、「波長の長い色用フォトダイオード以外のフォトダイオードの信号蓄積領域の下にのみ前記Ｐ型バリア領域を形成する」ことは、当業者であれば当然になし得たものと認められる。 （５）小括 以上のとおり、相違点１～相違点４は、いずれも、実質的な相違点ではないから、本願発明は、引用例に記載された発明である。 また、仮に引用発明が相違点１～相違点４において本願発明と実質的に相違するとしても、相違点１～相違点４に係る構成は、周知例１～３に見られる周知技術を勘案すれば、引用発明から当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。 そして、本願発明の効果も、引用発明、周知例１～３に見られる周知技術から、当業者が予期し得たものである。 したがって、本願発明は、引用発明及び周知例１～３に見られる周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。 第３　結言 以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。 また、仮にそうでないとしても、本願発明は、引用例の記載された発明及び周知例１～３に見られる周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。 したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。