2014-025786

特願２０１２－５２０６７２「直交磁化配向方向を伴う基準層を有する磁気スタック」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　１月２０日国際公開、ＷＯ２０１１／００８６１５、平成２４年１２月２０日国内公表、特表２０１２－５３３１８９〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 １　手続の経緯 本願は、平成２２年７月８日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００９年７月１３日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年２月１７日に特許法１８４条の４第１項の規定による翻訳文が提出され、平成２５年２月２５日付けで審査請求がなされ、平成２６年２月１８日付けで拒絶理由の通知がなされ、同年６月２０日付けで意見書及び手続補正書の提出がなされ、同年８月１２日付けで拒絶査定がなされた。これに対して同年１２月１７日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに手続補正書の提出がなされ、当審において平成２７年１２月２２日付けで拒絶理由が通知され、平成２８年５月６日付けで意見書及び手続補正書の提出がなされたものである。 ２　平成２８年５月６日付け手続補正について （１）補正の内容 平成２８年５月６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、特許請求の範囲は、 「【請求項１】 磁気セルであって、 自由磁化配向方向を有する強磁性自由層と、 前記自由磁化配向方向に平行または逆平行の第１の基準磁化配向方向を有する第１の強磁性固定基準層とを備え、前記第１の強磁性固定基準層は、第１の阻止温度を有する第１の合成反強磁性素子を含み、前記磁気セルは、さらに、 前記強磁性自由層と前記第１の強磁性固定基準層との間にある第１の酸化物バリヤ層と、 前記第１の基準磁化配向方向に直交する第２の基準磁化配向方向を有する第２の強磁性固定基準層とを備え、前記第２の強磁性固定基準層は、前記第１の阻止温度よりも低い第２の阻止温度を有する第２の合成反強磁性素子を含み、 前記強磁性自由層は、前記第１の強磁性固定基準層と前記第２の強磁性固定基準層との間にあり、 前記第１および第２の合成反強磁性素子はいずれも、反強磁性的に結合されるとともに非磁気的でかつ電気的に導通するスペーサ層によって分離される２つの強磁性層を含む、磁気セル。 【請求項２】 前記強磁性自由層、前記第１の強磁性固定基準層、および前記第２の強磁性固定基準層は、面内磁気異方性を有する、請求項１に記載の磁気セル。 【請求項３】 前記強磁性自由層と前記第２の強磁性固定基準層との間に第２の酸化物バリヤ層をさらに備える、請求項１に記載の磁気セル。 【請求項４】 前記強磁性自由層は、前記磁気セルを流れる電流によって誘導されるスピントルクトランスファによって、高抵抗データ状態と低抵抗データ状態との間を切換える、請求項１に記載の磁気セル。 【請求項５】 前記自由磁化配向方向は、前記第２の基準磁化配向方向に直交する、請求項１に記載の磁気セル。 【請求項６】 スピントルクトランスファ磁気セルであって、 前記磁気セルを流れる電流によって誘導されるスピントルクトランスファによって、高抵抗データ状態と低抵抗データ状態との間を切換える、面内自由磁化配向方向を有する強磁性自由層と、 前記自由磁化配向方向に平行または逆平行の第１の基準磁化配向方向を有する第１の強磁性固定基準層とを備え、前記第１の強磁性固定基準層は、第１の阻止温度を有する第１の合成反強磁性素子を含み、前記スピントルクトランスファ磁気セルは、さらに、 前記強磁性自由層と前記第１の強磁性固定基準層との間にある第１の酸化物バリヤ層と、 前記自由磁化配向方向に直交する、面内の第２の基準磁化配向方向を有する第２の強磁性固定基準層とを備え、前記第２の強磁性固定基準層は、前記第１の阻止温度よりも低い第２の阻止温度を有する第２の合成反強磁性素子を含み、 前記強磁性自由層と前記第２の強磁性固定基準層との間の第２の酸化物バリヤ層とを備え、 前記第１および第２の合成反強磁性素子はいずれも、反強磁性的に結合されるとともに非磁気的でかつ電気的に導通するスペーサ層によって分離される２つの強磁性層を含む、スピントルクトランスファ磁気セル。 【請求項７】 スピントルクトランスファ磁気セルであって、 前記磁気セルを流れる電流によって誘導されるスピントルクトランスファによって、高抵抗データ状態と低抵抗データ状態との間を切換える、面内自由磁化配向方向を有する強磁性自由層と、 前記自由磁化配向方向に平行または逆平行の第１の基準磁化配向方向を有する第１の強磁性固定基準層とを備え、前記第１の強磁性固定基準層は、第１の阻止温度を有する第１の合成反強磁性素子を含み、前記スピントルクトランスファ磁気セルは、さらに、 前記強磁性自由層と前記第１の強磁性固定基準層との間にある第１の酸化物バリヤ層と、 前記第１の基準磁化配向方向に直交する、面内の第２の基準磁化配向方向を有する第２の強磁性固定基準層とを備え、前記第２の強磁性固定基準層は、前記第１の阻止温度よりも低い第２の阻止温度を有する第２の合成反強磁性素子を含み、 前記強磁性自由層と前記第２の強磁性固定基準層との間の第２の酸化物バリヤ層とを備え、 前記第１および第２の合成反強磁性素子はいずれも、反強磁性的に結合されるとともに非磁気的でかつ電気的に導通するスペーサ層によって分離される２つの強磁性層を含む、スピントルクトランスファ磁気セル。」 から、 「【請求項１】 磁気セルであって、 自由磁化配向方向を有する強磁性自由層と、 前記自由磁化配向方向に平行または逆平行の第１の基準磁化配向方向を有する第１の強磁性固定基準層とを備え、前記第１の強磁性固定基準層は、第１の合成反強磁性素子を含み、前記磁気セルは、さらに、 前記強磁性自由層と前記第１の強磁性固定基準層との間にある第１の酸化物バリヤ層と、 前記第１の基準磁化配向方向に直交する第２の基準磁化配向方向を有する第２の強磁性固定基準層とを備え、前記第２の強磁性固定基準層は、第２の合成反強磁性素子を含み、 前記強磁性自由層は、前記第１の強磁性固定基準層と前記第２の強磁性固定基準層との間にあり、 前記第１および第２の合成反強磁性素子はいずれも、反強磁性的に結合されるとともに非磁気的でかつ電気的に導通するスペーサ層によって分離される２つの強磁性層を含み、 前記第１の強磁性固定基準層は、その磁化配向が、後に形成される前記第２の強磁性固定基準層よりも高い温度で設定される、磁気セル。 【請求項２】 前記強磁性自由層、前記第１の強磁性固定基準層、および前記第２の強磁性固定基準層は、面内磁気異方性を有する、請求項１に記載の磁気セル。 【請求項３】 前記強磁性自由層と前記第２の強磁性固定基準層との間に第２の酸化物バリヤ層をさらに備える、請求項１に記載の磁気セル。 【請求項４】 前記強磁性自由層は、前記磁気セルを流れる電流によって誘導されるスピントルクトランスファによって、高抵抗データ状態と低抵抗データ状態との間を切換える、請求項１に記載の磁気セル。 【請求項５】 前記自由磁化配向方向は、前記第２の基準磁化配向方向に直交する、請求項１に記載の磁気セル。 【請求項６】 スピントルクトランスファ磁気セルであって、 前記磁気セルを流れる電流によって誘導されるスピントルクトランスファによって、高抵抗データ状態と低抵抗データ状態との間を切換える、面内自由磁化配向方向を有する強磁性自由層と、 前記自由磁化配向方向に平行または逆平行の第１の基準磁化配向方向を有する第１の強磁性固定基準層とを備え、前記第１の強磁性固定基準層は、第１の合成反強磁性素子を含み、前記スピントルクトランスファ磁気セルは、さらに、 前記強磁性自由層と前記第１の強磁性固定基準層との間にある第１の酸化物バリヤ層と、 前記自由磁化配向方向に直交する、面内の第２の基準磁化配向方向を有する第２の強磁性固定基準層とを備え、前記第２の強磁性固定基準層は、第２の合成反強磁性素子を含み、 前記強磁性自由層と前記第２の強磁性固定基準層との間の第２の酸化物バリヤ層とを備え、 前記第１および第２の合成反強磁性素子はいずれも、反強磁性的に結合されるとともに非磁気的でかつ電気的に導通するスペーサ層によって分離される２つの強磁性層を含み、 前記第１の強磁性固定基準層は、その磁化配向が、後に形成される前記第２の強磁性固定基準層よりも高い温度で設定される、スピントルクトランスファ磁気セル。 【請求項７】 スピントルクトランスファ磁気セルであって、 前記磁気セルを流れる電流によって誘導されるスピントルクトランスファによって、高抵抗データ状態と低抵抗データ状態との間を切換える、面内自由磁化配向方向を有する強磁性自由層と、 前記自由磁化配向方向に平行または逆平行の第１の基準磁化配向方向を有する第１の強磁性固定基準層とを備え、前記第１の強磁性固定基準層は、第１の合成反強磁性素子を含み、前記スピントルクトランスファ磁気セルは、さらに、 前記強磁性自由層と前記第１の強磁性固定基準層との間にある第１の酸化物バリヤ層と、 前記第１の基準磁化配向方向に直交する、面内の第２の基準磁化配向方向を有する第２の強磁性固定基準層とを備え、前記第２の強磁性固定基準層は、第２の合成反強磁性素子を含み、 前記強磁性自由層と前記第２の強磁性固定基準層との間の第２の酸化物バリヤ層とを備え、 前記第１および第２の合成反強磁性素子はいずれも、反強磁性的に結合されるとともに非磁気的でかつ電気的に導通するスペーサ層によって分離される２つの強磁性層を含み、 前記第１の強磁性固定基準層は、その磁化配向が、後に形成される前記第２の強磁性固定基準層よりも高い温度で設定される、スピントルクトランスファ磁気セル。」 に補正された。（なお、下線は請求人が付与した。） （２）補正事項 ア　補正事項１ 補正前の請求項１、６、７に記載された「前記第１の強磁性固定基準層は、第１の阻止温度を有する第１の合成反強磁性素子を含み」を、補正後の請求項１、６、７に記載された「前記第１の強磁性固定基準層は、第１の合成反強磁性素子を含み」とすること。 イ　補正事項２ 補正前の請求項１、６、７に記載された「前記第２の強磁性固定基準層は、前記第１の阻止温度よりも低い第２の阻止温度を有する第２の合成反強磁性素子を含み」を、補正後の請求項１、６、７に記載された「前記第２の強磁性固定基準層は、第２の合成反強磁性素子を含み」とすること。 ウ　補正事項３ 補正前の請求項１、６、７に記載された「前記第１および第２の合成反強磁性素子はいずれも、反強磁性的に結合されるとともに非磁気的でかつ電気的に導通するスペーサ層によって分離される２つの強磁性層を含む」を、補正後の請求項１、６、７に記載された「前記第１および第２の合成反強磁性素子はいずれも、反強磁性的に結合されるとともに非磁気的でかつ電気的に導通するスペーサ層によって分離される２つの強磁性層を含み、前記第１の強磁性固定基準層は、その磁化配向が、後に形成される前記第２の強磁性固定基準層よりも高い温度で設定される」とすること。 （３）補正の適否について 本願明細書の段落【００３０】には、「多くの実施の形態においては、第１の反強磁性基準（ピニング）層ＡＦＭ１は、第２の反強磁性基準（ピニング）層ＡＦＭ２とは異なる材料組成を有する。第１の反強磁性基準（ピニング）層ＡＦＭ１は、第２の反強磁性基準（ピニング）層ＡＦＭ２よりも高い阻止温度を有し得る。したがって、第１の強磁性固定基準層または素子１４は、その磁化配向を、後に形成される第２の強磁性固定基準層または素子１３よりも高い温度に設定し得る。そして、第２の強磁性固定基準層または素子１３は、その磁化配向を、前に形成された第１の強磁性固定基準層または素子１４よりも低い温度に設定し得る。」ことが記載され、本願図面の図４には、「第１の反強磁性基準（ピニング）層ＡＦＭ１」が「第１の強磁性固定基準素子１４」に含まれ、「第２の反強磁性基準（ピニング）層ＡＦＭ２」が「第２の強磁性固定基準素子１３」に含まれる構造が記載されている。 そして、平成２７年１２月２２日付けの拒絶理由通知では、 「『阻止温度』については本願明細書の段落３０に、『第１の反強磁性基準（ピニング）層ＡＦＭ１は、第２の反強磁性基準（ピニング）層ＡＦＭ２よりも高い阻止温度を有し得る』ことは記載されているものの、『第１の合成反強磁性素子』と『第２の合成反強磁性素子』の阻止温度については記載されておらず」、「発明の詳細な説明の記載と対応していないので、請求項１～７に係る発明は明確でない」として、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない拒絶理由が指摘された。 これに対して、補正事項１及び２では、「第１の合成反強磁性素子」と「第２の合成反強磁性素子」の阻止温度の特定を削除し、補正事項３では、温度による磁化配向について「前記第１の強磁性固定基準層は、その磁化配向が、後に形成される前記第２の強磁性固定基準層よりも高い温度で設定され」ることが明りょうとなった。 そうすると、補正事項１－３は、いずれも特許法第１７条の２第５項第４号に掲げる、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当するものであり、特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。 また、補正事項１－３による補正は、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。また、本願の願書に最初に添付した明細書を「当初明細書」という。）に記載されているものと認められるから、補正事項１－３は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではなく、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。 さらに、補正事項１－３は、発明の特別な技術的特徴を変更するものではないと認められるから、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすものといえる。 以上検討したとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項、第４項、及び、第５項に規定する要件を満たす。 ３　本願発明 本願の請求項１に係る発明は、平成２８年５月６日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである（以下「本願発明」という。）。 「磁気セルであって、 自由磁化配向方向を有する強磁性自由層と、 前記自由磁化配向方向に平行または逆平行の第１の基準磁化配向方向を有する第１の強磁性固定基準層とを備え、前記第１の強磁性固定基準層は、第１の合成反強磁性素子を含み、前記磁気セルは、さらに、 前記強磁性自由層と前記第１の強磁性固定基準層との間にある第１の酸化物バリヤ層と、 前記第１の基準磁化配向方向に直交する第２の基準磁化配向方向を有する第２の強磁性固定基準層とを備え、前記第２の強磁性固定基準層は、第２の合成反強磁性素子を含み、 前記強磁性自由層は、前記第１の強磁性固定基準層と前記第２の強磁性固定基準層との間にあり、 前記第１および第２の合成反強磁性素子はいずれも、反強磁性的に結合されるとともに非磁気的でかつ電気的に導通するスペーサ層によって分離される２つの強磁性層を含み、 前記第１の強磁性固定基準層は、その磁化配向が、後に形成される前記第２の強磁性固定基準層よりも高い温度で設定される、磁気セル。」 ４　引用文献 平成２７年１２月２２日付けの拒絶理由通知において引用された、本願の優先権主張の日（以下「本願優先日」という。）前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２００８－２８３６２号公報（以下、「引用文献」という。）には、下記の事項が記載されている。 Ａ　「【００２５】 ここで、フリー層１３の容易磁化方向は膜面に対して垂直であるので、磁化配列が平行となるピン層１１との間では中間層１２を介して磁気抵抗効果が発現するが、磁化配列が垂直となるピン層１５との間では中間層１４を介した磁気抵抗効果は発現しない。これは、大きなメリットであり、デュアルピン層構造（すなわち、フリー層の両側にそれぞれ中間層を介して２つのピン層が配置される構造）を有する磁気抵抗効果素子で問題であった２つ目のピン層による読み出し出力の劣化を回避することが可能となる。 【００２６】 すなわち、本実施形態のＭＴＪ素子１０においては、２つのピン層（ピン層１１とピン層１５）の磁化の方向が直交している。このため、中間層１２及び中間層１４の両方で同じ材料、例えば、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）、ＡｌＯｘ（酸化アルミニウム）などの絶縁体を用いた場合、２つのピン層によって高いスピン注入効率が得られると同時に、磁気抵抗効果が一方の中間層のみで発現するという効果を有している。」 Ｂ　「【０１０４】 （第３の実施形態） 第３の実施形態は、フリー層及び２つのピン層のそれぞれに面内磁化膜を用いて、ＭＴＪ素子１０を構成するようにしている。図１０は、本発明の第３の実施形態に係るＭＴＪ素子１０の構成を示す斜視図である。図１０は、本実施形態のＭＴＪ素子１０の基本構成を示している。 【０１０５】 ＭＴＪ素子１０は、第１のピン層１１、第１の中間層１２、フリー層１３、第２の中間層１４、第２のピン層１５が順に積層された積層構造を有している。なお、この基本構成は、積層順序が逆転していても構わない。 【０１０６】 ピン層１１、フリー層１３、ピン層１５の容易磁化方向は、膜面に対して平行である。すなわち、全ての磁性層として面内磁化膜を用いることが可能となり、ＭＴＪ素子１０を容易に形成することができる。 【０１０７】 また、ピン層１１とフリー層１３とは容易磁化方向が平行であり、ピン層１１とピン層１５とは容易磁化方向が互いに直交している。従って、磁化配列が平行となるフリー層１３とピン層１１との間では中間層１２を介して磁気抵抗効果が発現するが、磁化配列が垂直となるフリー層１３とピン層１５との間では中間層１４を介した磁気抵抗効果は発現しない。 【０１０８】 図１１は、ＭＴＪ素子１０の具体例を示す斜視図である。図１０に示した基本構成の最上層及び最下層にそれぞれ、キャップ層１７及び下地層１６が設けられている。ピン層１１は、ピン層１１Ｃ／中間層１１Ｂ／ピン層１１Ａの積層構造を有している。すなわち、ピン層１１は、ＳＡＦ構造を有している。ピン層１１Ａ及びピン層１１Ｃの容易磁化方向は、膜面に対して平行である。また、ピン層１１Ａとピン層１１Ｃとの磁化の方向は互い に反平行に設定され、ピン層１１Ａとピン層１１Ｃとは中間層１１Ｂを挟んで反強磁性結合している。 【０１０９】 さらに、ピン層１１Ａの下（ピン層１１Ａと下地層１６との間）には、ピン層１１Ａと接するように、反強磁性層１９が設けられている。ピン層１１Ａは、反強磁性層１９と交換結合することで、膜面に対して平行に磁化の方向が固着されている。この構造を用いることで、ピン層１１Ａの磁化固着力が増強され、外部磁場に対する耐性及び熱的な安定性が向上する。 【０１１０】 また、ピン層１５は、フリー層１３と明確な保持力差を設ける必要がある。このため、ピン層１５としては、面内磁化型硬質磁性層を用いることが好ましい。 【０１１１】 面内磁化型硬質磁性層の材料としては、Ｃｏ－Ｐｔ合金、或いはＣｏ－Ｐｔ－Ｘ合金（Ｘは、Ｃｒ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｂ、Ｓｉ、Ｒｕから選ばれる少なくとも１つ以上の元素）があげられる。また、面内磁化型硬質磁性層を用いた硬質磁性層／中間層／硬質磁性層の構成を有するＳＡＦ構造も形成可能である。この場合、中間層にはＲｕ或いはＯｓが用いられる。 【０１１２】 図１２は、ピン層１５の他の構成を示す斜視図である。ピン層１５上（ピン層１５とキャップ層１７との間）には、ピン層１５と接するように、反強磁性層１８が設けられている。ピン層１５は、反強磁性層１８と交換結合することで、膜面に対して平行に磁化の方向が固着されている。 【０１１３】 図１３は、ピン層１５の他の構成を示す斜視図である。ピン層１５は、ピン層１５Ｃ／中間層１５Ｂ／ピン層１５Ａの積層構造を有している。すなわち、ピン層１５は、ＳＡＦ構造を有している。ピン層１５Ａ及びピン層１５Ｃの容易磁化方向は、膜面に対して平行である。また、ピン層１５Ａとピン層１５Ｃとの磁化の方向は互いに反平行に設定され、ピン層１５Ａとピン層１５Ｃとは中間層１５Ｂを挟んで反強磁性結合している。 【０１１４】 図１２および図１３に示した反強磁性層１９及び反強磁性層１８は、強磁性層との結合の臨界温度すなわちブロッキング温度に差をつけることで、アニールシーケンスによりピン層１１とピン層１５との容易磁化方向を直交化することが可能となる。より具体的には、反強磁性層１９にはＰｔＭｎやＮｉＭｎなどの高いブロッキング温度を有する材料を用い、反強磁性層１８にはＦｅＭｎやＩｒＭｎなどの比較的低いブロッキング温度を有するものを用いることが好ましい。 【０１１５】 また、フリー層１３は、強磁性層／中間層／強磁性層の積層構造、すなわち、ＳＡＦ構造を有していても構わない。ＳＡＦ構造において、強磁性層同士の磁化の方向は互いに反平行に設定され、中間層を挟んで反強磁性結合している。 【０１１６】 このようにしてＭＴＪ素子１０を構成した場合でも、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、上記第１の実施形態で示したように、フリー層１３及びピン層１１に界面層を挿入してもよい。また、ＭＴＪ素子１０を構成する各層の材料については、上記第１及び第２の実施形態で示した材料を用いることができる。」 Ｃ　図１３には、ＭＴＪ素子が、下から、下地層１６、反強磁性層１９、ピン層１１Ａ、中間層１１Ｂ、ピン層１１Ｃ、第１の中間層１２、フリー層１３、第２の中間層１４、ピン層１５Ａ、中間層１５Ｂ、ピン層１５Ｃ、反強磁性層１８、キャップ層１７の順に各層が積層された構成であり、このうち、ピン層１１Ａ、中間層１１Ｂ及びピン層１１Ｃはピン層１１を形成し、ピン層１５Ａ、中間層１５Ｂ及びピン層１５Ｃはピン層１５を形成したものであることが記載されている。 Ｄ　ここで、上記引用文献の記載事項について検討する。 （Ａ）図１３に記載された「ＭＴＪ素子１０」のＳＡＦ構造について 上記Ｂから、「第３の実施形態」として、図１０に「ＭＴＪ素子１０」の基本構成が記載され、図１１から図１３には、該基本構成を基にした具体例が記載されている。そして、図１１に記載されたピン層１１のピン層１１Ｃ／中間層１１Ｂ／ピン層１１Ａからなる積層構造はＳＡＦ構造であることが段落【０１０８】記載されているので、図１３に記載された「ＭＴＪ素子１０」では、ピン層１５Ｃ／中間層１５Ｂ／ピン層１５Ａを積層したピン層１５だけでなく、ピン層１１Ｃ／中間層１１Ｂ／ピン層１１Ａを積層したピン層１１もＳＡＦ構造であると認められる。 （Ｂ）図１３に記載された「ＭＴＪ素子１０」の交換結合について 上記Ｂから、図１１に記載されたピン層１１Ａと下地層１６との間でピン層１１Ａと接するように設けられた「反強磁性層１９」は、ピン層１１Ａと交換結合することが段落【０１０９】に記載され、図１２に記載されたピン層１５とキャップ層１７との間でピン層１５と接するように設けられた「反強磁性層１８」は、ピン層１５と交換結合することが段落【０１１２】に記載されていることから、図１３に記載された「ＭＴＪ素子１０」において、ピン層１１Ａと下地層１６との間でピン層１１Ａと接するように設けられた「反強磁性層１９」はピン層１１Ａと交換結合し、ピン層１５Ｃとキャップ層１７との間でピン層１５Ｃと接するように設けられた「反強磁性層１８」は、ピン層１５Ｃと交換結合していると認められる。 （Ｃ）図１３に記載された「ＭＴＪ素子１０」のアニールシーケンスについて 上記Ｂから、「反強磁性層１９」には高いブロッキング温度を有する材料が用いられ、「反強磁性層１８」には比較的低いブロッキング温度を有する材料が用いられることが記載されている。 Ｅ　よって、上記Ａ乃至Ｄ及び図１３の記載から、引用文献には、下記の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 「第１のピン層１１、第１の中間層１２、フリー層１３、第２の中間層１４、第２のピン層１５が順に積層された積層構造を有し、前記第１のピン層１１と前記フリー層１３とは容易磁化方向が平行であり、前記第１のピン層１１と前記第２のピン層１５とは容易磁化方向が互いに直交しているＭＴＪ素子であって、 最上層及び最下層にキャップ層１７及び下地層１６が設けられ、 前記第１のピン層１１は、ピン層１１Ｃ／中間層１１Ｂ／ピン層１１Ａを積層したＳＡＦ構造であり、 前記第２のピン層１５は、ピン層１５Ｃ／中間層１５Ｂ／ピン層１５Ａを積層したＳＡＦ構造であり、 前記ピン層１１Ａと前記下地層１６との間で前記ピン層１１Ａと交換結合する反強磁性層１９が設けられ、 前記ピン層１５Ｃと前記キャップ層１７との間で前記ピン層１５Ｃと交換結合する反強磁性層１８が設けられ、 前記反強磁性層１９は高いブロッキング温度を有する材料が用いられ、前記反強磁性層１８は比較的低いブロッキング温度を有する材料が用いられるＭＴＪ素子。」 ５　対比 （１）本願発明と引用発明との対応関係について ア　強磁性自由層について 引用発明の「フリー層１３」は、磁化方向が容易磁化方向に向くものであるから、本願発明の「自由磁化配向方向を有する強磁性自由層」に相当する。 イ　第１の強磁性固定基準層について ＭＴＪ素子では、フリー層の磁化方向をピン層の固定された磁化方向に対して平行または反平行（逆平行）に設定することで情報が記憶されるものであるところ、引用発明の「第１のピン層１１」は、「前記フリー層１３とは容易磁化方向が平行」であり、「ピン層１１Ｃ／中間層１１Ｂ／ピン層１１Ａを積層したＳＡＦ構造」である。そして、該「ＳＡＦ構造」は、「ＳＡＦ構造において、強磁性層同士の磁化の方向は互いに反平行に設定され、中間層を挟んで反強磁性結合している。」ものであることが引用文献の段落【０１１５】に記載されているので、引用発明の「第１のピン層１１」は、合成反強磁性素子を含んでいるといえる。 よって、引用発明の「第１のピン層１１」は、下記の相違点２を除いて、本願発明の「第１の合成反強磁性素子を含」み、「前記自由磁化配向方向に平行または逆平行の第１の基準磁化配向方向を有する第１の強磁性固定基準層」に相当する。 ウ　第１の酸化物バリヤ層について ＭＴＪ素子では、ピン層とフリー層の間にバリヤ層を配置してトンネル磁気抵抗効果を発現させるものである。そして、引用発明では、「第１のピン層１１」と「フリー層１３」の間に「第１の中間層１２」が設けられているので、本願発明と引用発明は、「前記強磁性自由層と前記第１の強磁性固定基準層との間にあるバリヤ層」を備えている点で共通している。 エ　第２の強磁性固定基準層について 引用発明の「第２のピン層１５」は、「前記第１のピン層１１と前記第２のピン層１５とは容易磁化方向が互いに直交し」、「ピン層１５Ｃ／中間層１５Ｂ／ピン層１５Ａを積層したＳＡＦ構造」である。 よって、上記イの「ＳＡＦ構造」の事項を踏まえると、引用発明の「第２のピン層１５」は、本願発明の「第２の合成反強磁性素子を含」み、「前記第１の基準磁化配向方向に直交する第２の基準磁化配向方向を有する第２の強磁性固定基準層」に相当する。 オ　強磁性自由層の配置について 引用発明では、「第１のピン層１１、第１の中間層１２、フリー層１３、第２の中間層１４、第２のピン層１５が順に積層された積層構造」を有していることから、「第１の中間層１２」は、「第１のピン層１１」と「フリー層１３」の間に配置された構成となっているので、引用発明も「前記強磁性自由層は、前記第１の強磁性固定基準層と前記第２の強磁性固定基準層との間」にある構成になっている。 カ　合成反強磁性素子について 上記イ及びエから、引用発明の「第１のピン層１１」である「ピン層１１Ｃ／中間層１１Ｂ／ピン層１１Ａを積層したＳＡＦ構造」、及び引用発明の「第２のピン層１５」である「ピン層１５Ｃ／中間層１５Ｂ／ピン層１５Ａを積層したＳＡＦ構造」は、ともに、「強磁性層同士の磁化の方向は互いに反平行に設定され、中間層を挟んで反強磁性結合している。」ものと認められる。 また、ＭＴＪ素子では、書き込み電流を流してフリー層の磁化方向の反転が行われるので、引用発明の「第１のピン層１１」の「中間層１１Ｂ」及び「第２のピン層１５」の「中間層１５Ｂ」は、電気的に導通するものであり、かつ、２つのピン層の間に配置されているので、スペーサ層と呼び得るものでもある。 よって、本願発明と引用発明は、「前記第１および第２の合成反強磁性素子はいずれも、反強磁性的に結合されるとともに電気的に導通するスペーサ層によって分離される２つの強磁性層を含」む点で共通している。 キ　強磁性固定基準層の磁化方向の設定について 引用発明の「ピン層１１Ａ」は「反強磁性層１９」と交換結合しており、「ピン層１５Ｃ」は「反強磁性層１８」と交換結合しているので、「ピン層１１」の磁化の方向は「反強磁性層１９」の磁化の方向によって決定され、「ピン層１５」の磁化の方向は「反強磁性層１８」の磁化の方向によって決定されるものであると認められる。 そして、引用発明では、「前記反強磁性層１９は高いブロッキング温度を有する材料が用いられ、前記反強磁性層１８は比較的低いブロッキング温度を有する材料が用いられ」、また、引用文献の段落【０１１４】には、「図１２および図１３に示した反強磁性層１９及び反強磁性層１８は、強磁性層との結合の臨界温度すなわちブロッキング温度に差をつけることで、アニールシーケンスによりピン層１１とピン層１５との容易磁化方向を直交化することが可能となる。」ことが記載されている。 そうすると、引用発明を製造するアニールシーケンスでは、先に反強磁性層１８の磁化方向の設定を行い、後に反強磁性層１９の磁化方向の設定を行った場合、反強磁性層１８のブロッキング温度が反強磁性層１９のブロッキング温度よりも低いため、先に設定した反強磁性層１８の磁化方向が反強磁性層１９の磁化方向の設定時に変更されてしまうので、「反強磁性層１８」の磁化方向の設定は、「反強磁性層１９」の磁化方向の設定後であって、反強磁性層１９の磁化方向の設定時のアニール温度よりも低い温度で実施されることになる。そして、「ピン層１１」の磁化の方向は「反強磁性層１９」の磁化の方向によって決定され、「ピン層１５」の磁化の方向は「反強磁性層１８」の磁化の方向によって決定されることを踏まえると、「ピン層１１」の磁化方向を設定する温度は、「ピン層１５」の磁化方向を設定する温度よりも高いものと認められる。 よって、本願発明と引用発明は、「前記第１の強磁性固定基準層は、その磁化配向が、前記第２の強磁性固定基準層よりも高い温度で設定される」点で共通している。 ク　磁気セルについて 引用発明の「ＭＴＪ素子」も、「強磁性自由層」、「第１の強磁性固定基準層」、「第２の強磁性固定基準層」に相当する層を含み、かつ、「前記強磁性自由層は、前記第１の強磁性固定基準層と前記第２の強磁性固定基準層との間に」ある構成になっていることから、引用発明の「ＭＴＪ素子」は、下記の相違点１～３を除いて、本願発明の「磁気セル」に相当している。 （２）本願発明と引用発明の一致点について 上記の対応関係から、本願発明と引用発明は、 「磁気セルであって、 自由磁化配向方向を有する強磁性自由層と、 前記自由磁化配向方向に平行または逆平行の第１の基準磁化配向方向を有する第１の強磁性固定基準層とを備え、前記第１の強磁性固定基準層は、第１の合成反強磁性素子を含み、前記磁気セルは、さらに、 前記強磁性自由層と前記第１の強磁性固定基準層との間にあるバリヤ層と、 前記第１の基準磁化配向方向に直交する第２の基準磁化配向方向を有する第２の強磁性固定基準層とを備え、前記第２の強磁性固定基準層は、第２の合成反強磁性素子を含み、 前記強磁性自由層は、前記第１の強磁性固定基準層と前記第２の強磁性固定基準層との間にあり、 前記第１および第２の合成反強磁性素子はいずれも、反強磁性的に結合されるとともに電気的に導通するスペーサ層によって分離される２つの強磁性層を含み、 前記第１の強磁性固定基準層は、その磁化配向が、前記第２の強磁性固定基準層よりも高い温度で設定される、磁気セル。」 の点で一致している。 （３）本願発明と引用発明の相違点について 本願発明と引用発明とは、下記の点で相違する。 （相違点１） 本願発明の「前記強磁性自由層と前記第１の強磁性固定基準層との間にあるバリヤ層」は、「第１の酸化物バリヤ層」であるのに対し、引用発明の「第１の中間層１２」は酸化物であるか定かではない点。 （相違点２） 本願発明の「スペーサ層」は「非磁気的でかつ電気的に導通する」ものであるのに対し、引用発明の「中間層１１Ｂ」及び「中間層１５Ｂ」が非磁気的なものであるか定かではない点。 （相違点３） 本願発明の「第２の強磁性固定基準層」は「後に形成される」ものであるのに対し、引用発明の「第２のピン層１５」は「後に形成される」ものであるか定かではない点。 ６　当審の判断 （１）相違点１について ＭＴＪ素子において、ピン層とフリー層の間で磁気抵抗効果を発現する材料としてＭｇＯ等の酸化物をバリヤ層として用いることは、引用文献を示すまでもなく周知技術であるところ、上記４Ａのとおり引用文献の段落【００２６】には、「第１の実施形態」の「中間層１２」の材料として、「例えば、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）、ＡｌＯｘ（酸化アルミニウム）などの絶縁体」を用いることが記載されていることから、引用発明の「第１の中間層１２」も「ＭｇＯ（酸化マグネシウム）、ＡｌＯｘ（酸化アルミニウム）などの絶縁体」により構成されているものと認められる。 そうすると、引用文献の上記の記載から、引用発明における「第１の中間層１２」は、実質的に本願発明の「第１の酸化物バリヤ層」と認められる。 また、仮にそうでないとしても、引用発明における「第１の中間層１２」をＭｇＯ（酸化マグネシウム）等の酸化物で構成すること，すなわち本願発明の「第１の酸化物バリヤ層」とすることは、引用文献の上記の記載に接した当業者が普通に行い得るものといえる。 以上から、相違点１は、本願発明と引用発明との実質的な相違点であるとはいえず、仮にそうでないとしても、引用文献の記載から、当業者が普通に行い得るものである。 （２）相違点２について 引用文献には、「第３の実施形態」の図１３に記載された「中間層１１Ｂ」及び「中間層１５Ｂ」を構成する材料が記載されていないが、ＳＡＦ構造の中間層として非磁性層であるＲｕ（ルテニウム）が用いられることは、引用文献を示すまでもなく周知技術であるところ、引用文献の段落【０１１１】には、ＳＡＦ構造の中間層として「Ｒｕ或いはＯｓ」が用いられることが記載されていることから、引用発明の「中間層１１Ｂ」及び「中間層１５Ｂ」も「非磁性層であるＲｕ（ルテニウム）」により構成されているものと認められる。 そうすると、引用文献の上記の記載から、引用発明における「中間層１１Ｂ」及び「中間層１５Ｂ」は、実質的に本願発明の「非磁気的でかつ電気的に導通するスペーサ層」と認められる。 また、仮にそうでないとしても、引用発明における「中間層１１Ｂ」及び「中間層１５Ｂ」を「非磁性層であるＲｕ（ルテニウム）」で構成すること、すなわち本願発明の「非磁気的でかつ電気的に導通するスペーサ層」とすることは、引用文献の上記の記載に接した当業者が普通に行い得るものといえる。 以上から、相違点２は、本願発明と引用発明との実質的な相違点であるとはいえず、仮にそうでないとしても、引用文献の記載から、当業者が普通に行い得るものである。 （３）相違点３について 引用発明では、最下層に「下地層１６」が設けられている。そして、ＭＴＪ素子における「下地層」は、その上に形成される層の結晶配向性或いは結晶性を制御するために設けられるものであることを踏まえると、引用発明では、最下層の下地層１６、反強磁性層１９、第１のピン層１１、第１の中間層１２、フリー層１３、第２の中間層１４、第２のピン層１５、キャップ層１７の順に形成されているものと認められる。 そうすると、引用発明の「第２のピン層１５」は、「第１のピン層１１」の後に形成されたものと認められることから、相違点３は、本願発明と引用発明との実質的な相違点であるとはいえない。 （４）本願発明の作用効果について 本願発明の作用効果も、引用発明、引用文献の記載及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。 ７　まとめ 以上のとおり、本願発明は、引用発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであり、また、そうでないとしても、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。 ８　むすび したがって、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、又は同法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないから、その余の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。