2025-700636

特許第７６０１０８５号発明「シリカガラス、シリカガラスを用いた高周波デバイス、およびシリカガラスの製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７６０１０８５号の請求項１～１１に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７６０１０８５号（以下、「本件特許」という。）の請求項１～１３に係る特許についての出願は、２０２１年（令和３年）２月１９日（優先権主張 令和２年２月２８日）を国際出願日とする出願であって、令和６年１２月９日にその特許権の設定登録がされ、同年同月１７日に特許掲載公報が発行された。 その後、その請求項１～１１に係る特許に対して、令和７年６月１７日に特許異議申立人麻生由紀子（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがされた。 第２ 本件特許発明 本件特許の請求項１～１１に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１～１１に記載された、次のとおりのものである（以下、各請求項に係る発明を、項番号に合わせて「本件発明１」などといい、まとめて「本件発明」という。）。 「【請求項１】 気泡数が１×１０７～１×１０１５個／ｃｍ３であり、密度が０．５～１．９５ｇ／ｃｍ３であり、２０ＧＨｚ～１１０ＧＨｚの周波数領域における誘電正接が１．０×１０－５～５．０×１０－４であるシリカガラス。 【請求項２】 前記密度が０．７～１．８ｇ／ｃｍ３である、請求項１に記載のシリカガラス。 【請求項３】 前記気泡を１×１０７～１×１０１３個／ｃｍ３含有する、請求項１又は２に記載のシリカガラス。 【請求項４】 前記気泡に含まれるガスの９０質量％以上がＨｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｎ２又はこれらの混合ガスである、請求項１～３のいずれか１項に記載のシリカガラス。 【請求項５】 ガラス表面に形成された開口部の長径の平均値が３０μｍ以下である、請求項１～４のいずれか１項に記載のシリカガラス。 【請求項６】 ガラス表面に形成された開口部の長径の平均値が１０μｍ以下である、請求項１～５のいずれか１項に記載のシリカガラス。 【請求項７】 ＯＨ基の含有量が１００質量ｐｐｍ以下である、請求項１～６のいずれか１項に記載のシリカガラス。 【請求項８】 Ｌｉ，Ｎａ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｋ，Ｃａ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｃｏ及びＺｎの各金属不純物の含有量がそれぞれ０．５質量ｐｐｍ以下である、請求項１～７のいずれか１項に記載のシリカガラス。 【請求項９】 ２０ＧＨｚ～１１０ＧＨｚの周波数領域における比誘電率が１．３～３．５である、請求項１～８のいずれか１項に記載のシリカガラス。 【請求項１０】 ２０ＧＨｚ～１１０ＧＨｚの周波数領域における比誘電率が１．５～３．５である、請求項１～８のいずれか１項に記載のシリカガラス。 【請求項１１】 ガラス表面の二乗平均平方根高さが１μｍ以下である、請求項１～１０のいずれか１項に記載のシリカガラス。」 第３ 特許異議の申立てについて １ 特許異議申立理由 申立人が主張する特許異議申立理由は、概略、以下のとおりである。 ここで、申立人が提出した証拠方法は、次のものである。 甲第１号証：特開平７－３３０３７６号公報 甲第２号証：国際公開第２０１９／１７１５７７号 甲第３号証：特開平１０－２０３８３９号公報 甲第４号証：特開平９－４０４３４号公報 以下、「甲第１号証」等を「甲１」等という。 （１）申立理由１（甲１を主たる証拠とした新規性・進歩性欠如） 請求項１～１１に係る発明は、甲１に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当する、又は、甲１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は、特許法第２９条第１項又は第２項の規定に違反してされたものである。 （２）申立理由２（甲２を主たる証拠とした新規性・進歩性欠如） 請求項１、３～１１に係る発明は、甲２に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当する、又は、甲２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は、特許法第２９条第１項又は第２項の規定に違反してされたものである。 （３）申立理由３（甲３を主たる証拠とした新規性・進歩性欠如） 請求項１～５、７～１１に係る発明は、甲３に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当する、又は、甲３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は、特許法第２９条第１項又は第２項の規定に違反してされたものである。 ２ 各甲号証について （１）甲１の記載事項 甲１には、以下の事項が記載されている（下線は当審で付した。以下同様。）。 ア 「【０００４】上記ガラス質発泡体を半導製造用部材として使用するには一層の高純度化が必要であるが、かかる高純度ガラス質発泡体の製造方法として、水酸基（ＯＨ基）含有量が１００ｐｐｍ以上の高純度の多孔質石英ガラス母材をアンモニアと反応させた後に、これを１，５００～１，７００℃の温度に加熱して溶融発泡させるものがある（特開平１－３０８８４６号公報参照）。 ・・・・ 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】 ・・・ 【０００６】すなわち、本発明は、気泡が独立気泡で、しかもその分布が均一で断熱性に優れ、かつ半導体汚染物質の放出がなく、過酷な高温条件下においても寸法安定性が高く、耐久性に優れた高純度シリカガラス質発泡体を工業的に有利に製造する方法を提供することを目的とする。」 イ 「【００１５】実施例１ 結晶粉Ａを内径２００ｍｍφ×高さ２００ｍｍの高純度カーボン容器に深さ２００ｍｍまで充填し、それを真空炉内に設置し、窒素をフローさせながら温度を室温から１，５００℃までは、２０℃／ｍｉｎの昇温速度で１，５００℃から１，７５０℃の温度までは、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で昇温し、１，７５０℃で６０分間保持し加熱溶融した。得られた不透明石英ガラスブロックからサンプルを切り出し、このサンプルについて、気泡密度、気泡体積、気泡断面積、比重を測定した。その結果、気泡密度は４７８，２００個／ｃｍ3、気泡体積は８．８％、比重は２．１１５ｇ／ｃｍ3であった。」 （２）甲２の記載事項 甲２には、以下の事項が記載されている。 ア 「技術分野 [0001] 本発明は、熱線遮断性、機械的強度、表面平滑性に優れる不透明石英ガラス及びその製造方法に関する。 更に詳しくは、半導体製造装置用部材、光学機器の部品等に好適に使用し得る不透明石英ガラス及びその製造法に関する。」 イ 「発明が解決しようとする課題 [0006] 本発明は、上記の課題を解決し、熱線遮蔽性、機械的強度、表面平滑性に優れる不透明石英ガラスを提供することである。」 ウ 「[0012] 以下に本発明の製造方法について説明する。 ・・・ [0013] ・・・ （６）造粒粉の溶融 次に、得られた造粒粉を酸水素炎にて溶融、あるいは真空雰囲気下にて溶融することで、本発明の不透明石英ガラスが得られる。酸水素炎を用いた溶融では、酸素と水素の反応により水が発生するため、不透明石英ガラスのＯＨ基濃度が１００～１０００ｐｐｍｍになり、真空雰囲気下で溶融したものよりも高い値となる。真空雰囲気下での溶融では、水が生じないため、ＯＨ基濃度が１０ｐｐｍ以下と酸水素炎で溶融したものよりも低い値となる。」 エ 「発明を実施するための形態 [0015] 以下に記載した実施例によって本発明を具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。 実施例１ シリカ原料粉末として、ヒュームドシリカ（Ｄ１０：２．５μｍ 、Ｄ５０：１０．１μｍ 、Ｄ９０：２８．１μｍ）を使用した。ヒュームドシリカを水に分散させてスラリーとし、濃度を６７ｗｔ％に調整した。次に、調整したスラリーをビーズミル粉砕機に投入し、平均粒径２．０ｍｍの窒化珪素ビーズを用いて、スラリー中のシリカ粉末に対する窒化珪素濃度が２５０ｐｐｍとなるまで湿式粉砕を行い、スラリー（Ａ）を調整した。一方、発泡剤を含まないシリカ原料粉末で固形物濃度が６７ｗｔ％のスラリーＢを調整した。その後、粉砕造粒用スラリーとして、スラリー（Ａ）をスラリー（Ｂ）でスラリー中のシリカ粉末に対する窒化珪素濃度が１ｐｐｍとなるよう希釈して調整した。粉砕造粒用スラリーを平均粒径２．０ｍｍのジルコニアビーズを用いて、ＢＥＴ比表面積が６．０ｍ２／ｇになるまで湿式粉砕を行った。 次に、上記の方法で作製した粉砕造粒用スラリーを噴霧乾燥して、造粒粉を得た。得られた造粒粉は平均径８０μｍであり、含水率が１ｗｔ％であった。得られた造粒粉を酸水素炎で溶融し、コラム状の不透明石英ガラスインゴットを製造した。 [0016] 実施例２ 窒化珪素の添加量を５ｐｐｍとしたこと以外は実施例１に準じてコラム状の不透明石英ガラスインゴットを製造した。 得られた不透明石英ガラスの気泡は目視観察により均一に分散しており、美観上も優れていた。 [0017] 実施例３ 窒化珪素の添加量を０．３ｐｐｍとしたこと以外は実施例１に準じてコラム状の不透明石英ガラスインゴットを製造した。 得られたコラム状の不透明石英ガラスインゴットの気泡は目視観察により均一に分散しており、美観上も優れていた。 [0018] 実施例４ 実施例１と同様にシリカ原料粉末としてヒュームドシリカを水に分散させ、その濃度を５０％に調整した。次に調整したスラリーをビーズミル粉砕機に投入し、平均粒径０．３ｍｍの窒化珪素ビーズを用いて、スラリー中の窒化珪素濃度が１ｐｐｍとなるまで湿式粉砕を行った。その後、窒化珪素ビーズを除去し、発泡剤を添加したスラリーを平均粒径０．３ｍｍのジルコニアビーズを用いて、ＢＥＴ比表面積が３．０ｍ２／ｇになるまで湿式粉砕を行った。次に、上記方法で作製したスラリー乾燥噴霧して造粒粉を得た。得られた造粒粉は平均４０μｍで含水率が１ｗｔ％であった。得られた造粒粉を酸水素炎で溶融し、コラム状の不透明石英ガラスインゴットを製造した。 得られたコラム状の不透明石英ガラスインゴットの気泡は目視観察により均一に分散しており、美観上も優れていた。 [0019] 実施例５ 実施例１と同様のシリカ原料粉末としてヒュームドシリカを水に分散させ、その濃度を７０％に調整した。次に調整したスラリーをビーズミル粉砕機に投入し、平均粒径１．０ｍｍの窒化珪素ビーズを用いて、スラリー中の窒化珪素濃度が１ｐｐｍとなるまで湿式粉砕を行った。その後、窒化珪素ビーズを除去し、発泡剤を添加したスラリーを平均粒径１．０ｍｍのジルコニアビーズを用いて、ＢＥＴ比表面積が８．０ｍ２／ｇになるまで湿式粉砕を行った。次に、上記方法で作製したスラリー乾燥噴霧して造粒粉を得た。得られた造粒粉は平均１５０μｍで含水率が１ｗｔ％であった。得られた造粒粉を酸水素炎で溶融し、コラム状の不透明石英ガラスインゴットを製造した。 得られたコラム状の不透明石英ガラスインゴットの気泡は目視観察により均一に分散しており、美観上も優れていた。 [0020] 実施例６ シリカ原料粉末として、ヒュームドシリカ（Ｄ１０：２．５μｍ 、Ｄ５０：１０．１μｍ 、Ｄ９０：２８．１μｍ）を使用した。ヒュームドシリカを水に分散させスラリーとし、濃度を６７ｗｔ％に調整した。次に、調整したスラリーをビーズミル粉砕機に投入し、平均粒径２．０ｍｍの窒化珪素ビーズを用いて、スラリー中のシリカ粉末に対する窒化珪素濃度が２５０ｐｐｍとなるまで湿式粉砕を行い、スラリー（Ａ）を調整した。一方、発泡剤を含まないシリカ原料粉末で固形物濃度が６７ｗｔ％のスラリーＢを調整した。その後、粉砕造粒用スラリーとして、スラリー（Ａ）をスラリー（Ｂ）でスラリー中のシリカ粉末に対する窒化珪素濃度が１ｐｐｍとなるよう希釈して調整した。粉砕造粒用スラリーを平均粒径２．０ｍｍのジルコニアビーズを用いて、ＢＥＴ比表面積が６．０ｍ２／ｇになるまで湿式粉砕を行った。次に、上記の方法で作製した粉砕造粒用スラリーを噴霧乾燥して、造粒粉を得た。得られた造粒粉は平均径８０μｍであり、含水率が１ｗｔ％であった。得られた造粒粉を酸水素炎で溶融し、スラブ状の不透明石英ガラスインゴットを製造した。 得られたスラブ状の不透明石英ガラスインゴットの気泡は目視観察により均一に分散しており、美観上も優れていた。 [0021] 実施例７ 窒化珪素の添加量を５ｐｐｍとしたこと以外は実施例１に準じてスラブ状の不透明石英ガラスインゴットを製造した。 得られたスラブ状の不透明石英ガラスインゴットの気泡は目視観察により均一に分散しており、美観上も優れていた。 [0022] 実施例８ 窒化珪素の添加量を０．３ｐｐｍとしたこと以外は実施例１に準じてスラブ状の不透明石英ガラスインゴットを製造した。 得られたスラブ状の不透明石英ガラスの気泡は目視観察により均一に分散しており、美観上も優れていた。 [0023] 実施例９ 実施例１と同様にシリカ原料粉末としてヒュームドシリカを水に分散させ、その濃度を５０％に調整した。次に調整したスラリーをビーズミル粉砕機に投入し、平均粒径０．３ｍｍの窒化珪素ビーズを用いて、スラリー中の窒化珪素濃度が１ｐｐｍとなるまで湿式粉砕を行った。その後、窒化珪素ビーズを除去し、発泡剤を添加したスラリーを平均粒径０．３ｍｍのジルコニアビーズを用いて、ＢＥＴ比表面積が３．０ｍ２／ｇになるまで湿式粉砕を行った。次に、上記方法で作製したスラリーを乾燥噴霧して造粒粉を得た。得られた造粒粉は平均４０μｍで含水率が１ｗｔ％であった。得られた造粒粉を酸水素炎で溶融し、スラブ状の不透明石英ガラスインゴットを製造した。 得られた不透明石英ガラスの気泡は目視観察により均一に分散しており、美観上も優れていた。 [0024] 実施例１０ 実施例１と同様のシリカ原料粉末としてヒュームドシリカを水に分散させ、その濃度を７０％に調整した。次に調整したスラリーをビーズミル粉砕機に投入し、平均粒径１．０ｍｍの窒化珪素ビーズを用いて、スラリー中の窒化珪素濃度が１ｐｐｍとなるまで湿式粉砕を行った。その後、窒化珪素ビーズを除去し、発泡剤を添加したスラリーを平均粒径１．０ｍｍのジルコニアビーズを用いて、ＢＥＴ比表面積が８．０ｍ２／ｇになるまで湿式粉砕を行った。次に、上記方法で作製したスラリー乾燥噴霧して造粒粉を得た。得られた造粒粉は平均１５０μｍで含水率が１ｗｔ％であった。得られた造粒粉を酸水素炎で溶融し、スラブ状の不透明石英ガラスインゴットを製造した。 得られたスラブ状の不透明石英ガラスインゴットの気泡は目視観察により均一に分散しており、美観上も優れていた。 ・・・ [0028] 実施例及び比較例の製造条件を表１に、また、得られた不透明石英ガラスインゴットの特性（平均気泡径、密度、反射率、白度、曲げ強度、及び焼仕上げ面の表面粗さＲａ）を表２に示す。 ・・・ [0031][表２] ［図：0001428024000001.jpg］ 」 （３）甲３の記載事項 甲３には、以下の事項が記載されている。 ア 「【０００３】 【発明が解決しようとする課題】 ・・・ 【０００４】本発明の目的は、微細な気泡を多く含有する新規な不透明石英ガラス及びその製造方法を提供することにある。」 イ 「【００１３】 【実施例】 ・・・ 【００１８】実施例１～３ シリカ原料として、平均粒径５μｍの非晶質シリカ粉末（日東化学工業製）、窒化ケイ素原料としてイミド法粉末（宇部興産、Ｅ－１０）を用いた。まず、窒化ケイ素粉末を水に入れ超音波分散と攪拌操作を行った後、そこにシリカ粉末を添加し、さらに攪拌し６７重量％のスラリ－を調整した。この方法で窒化ケイ素がシリカ粉末に対して５０，３００，１０００ｐｐｍと異なる種類のスラリ－を準備した。窒化ケイ素を添加した各々スラリ－を多孔質性樹脂型に鋳込み成形し、１５０ｍｍ×５０ｍｍ×１５ｍｍ（厚さ）の成形体を得た。この成形体を大気中、１０００℃に１０時間保持して仮焼体を得た。この仮焼体をカ－ボン平板上に載せて電気炉に入れ真空中で１０００℃まで３００℃／Ｈｒで昇温して１時間保持した後、炉内に窒素ガスを大気圧まで導入し窒素ガス雰囲気で１８００℃まで３００℃／Ｈｒで昇温して１０分間保持し不透明石英ガラスを得た。 【００１９】比較例１ 実施例１同様の非晶質シリカ粉末を水に分散させ６７重量％のスラリ－を調整した。このスラリ－を実施例１同様の多孔質樹脂型で鋳込み成形し、成形体を得た。この成形体を同様に仮焼し、同様に１０００℃で窒素雰囲気を大気圧として、１８００℃で１０分間保持して不透明石英ガラスを得た。 【００２０】実施例４ 実施例１同様の手法で窒化ケイ素３００ｐｐｍになる様スラリ－を調整し、同様の成形体を得た。この成形体を同様に仮焼し、同様に１０００℃で窒素雰囲気を５Ｋｇｆ／ｃｍ2として１８００℃で１０分間保持して不透明石英ガラスを得た。 【００２１】実施例５～７ 実施例１同様の手法で窒化ケイ素を添加した各々スラリ－を調整し、同様の成形体を得た。この成形体を同様に仮焼した。得られた仮焼体を同様に真空中で１６５０℃まで３００℃／Ｈｒで昇温して窒素ガスを大気圧まで導入した。この窒素雰囲気で１８００℃まで３００℃／Ｈｒで昇温し１０分間保持して不透明石英ガラスを得た。 【００２２】比較例２ 比較例１同様の手法で成形体を得た。得られた成形体を実施例５同様に仮焼し、同様に１６５０℃で窒素雰囲気を大気圧にして１０分間保持して透明石英ガラスを得た。 【００２３】実施例１～７及び比較例１～２で得られた不透明石英ガラスについて、かさ密度、平均気泡径、気泡数を測定した結果を以下の表１に示す。 【００２４】 【表１】 ［図：0001428024000002.jpg］ 」 （４）甲４の記載事項 甲４には、以下の事項が記載されている。 「【００１４】 【実施例】本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 【００１５】実施例１ 表１に示す純度を有し、平均粒径１μｍの非晶質シリカ粉末５００ｇを純水５００ｇに分散させスラリーとした。このスラリーを十分脱泡した後、泡を巻き込まないようにφ１５０ｍｍ×１０ｍｍの空間を有するエポキシ系樹脂製の多孔質鋳込み型内に流し込む。ここで、脱泡が不十分であるとガラス中に大きな気泡ができてしまう。できた成形体は、十分乾燥させた後、電気炉内で１１００～１６００℃の温度範囲内を６０℃／ｈの昇温速度で昇温させた。本実施例のガラスは透明ガラスにするため１６００℃までは真空雰囲気（２×１０-3ｔｏｒｒ）中で焼結させ、その後１．２ｋｇ／ｃｍ2の圧力まで窒素ガスを導入し１８００℃で１５分間加熱し溶融させた。ここで、１１００℃まで及び１６００℃以上の温度範囲では３００℃／ｈで昇温した。焼成用セッタとしてはカーボンを用いた。 【００１６】 【表１】 ［図：0001428024000003.jpg］ 【００１７】得られたガラスは、表２に示す純度を有し、含有ＯＨ基濃度は２ｐｐｍであった。また、ガラス中には５０μｍ以上の気泡は存在せず、５０μｍよりも小さい気泡も非常に少なく透明度の高いガラスを得ることができた。 【００１８】 【表２】 ［図：0001428024000004.jpg］ 」 ３ 当審の判断 （１）申立理由１（甲１を主たる証拠とした新規性・進歩性欠如）について ア 甲１に記載された発明 上記２（１）イによれば、実施例１に着目すると、甲１には、以下の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されているといえる。 「気泡密度が４７８，２００個／ｃｍ3、比重が２．１１５ｇ／ｃｍ3である不透明石英ガラス体。」 イ 本件発明１について （ア）本件発明１と甲１発明の対比 本件発明１と甲１発明を対比すると、甲１発明の「不透明石英ガラス体」は、本件発明１の「シリカガラス」に相当する。 そうすると、本件発明１と甲１発明とは、「シリカガラス」である点で一致し、以下の点で相違している。 （相違点１） 本件発明１では、気泡数が１×１０７～１×１０１５個／ｃｍ３であるのに対して、甲１発明では、気泡密度が４７８，２００個／ｃｍ3である点。 （相違点２） 本件発明１では、密度が０．５～１．９５ｇ／ｃｍ３であるのに対して、甲１発明では、比重が２．１１５ｇ／ｃｍ３である点。 （相違点３） 本件発明１では、２０ＧＨｚ～１１０ＧＨｚの周波数領域における誘電正接（以下、「誘電正接１」という）が１．０×１０－５～５．０×１０－４であるのに対して、甲１発明では、誘電正接１は特定されていない点。 （イ）相違点の検討 事案に鑑み、まず、相違点３について検討する。 甲１には、誘電正接１は記載されていないし、その値が１．０×１０－５～５．０×１０－４であることを示すような記載や示唆もないため、相違点３は実質的な相違点である。 次に、相違点３の容易想到性について検討する。 上記２（１）アによれば、甲１発明は、半導体製造用部材として使用されるものであり、「気泡が独立気泡で、しかもその分布が均一で断熱性に優れ、かつ半導体汚染物質の放出がなく、過酷な高温条件下においても寸法安定性が高く、耐久性に優れた高純度シリカガラス質発泡体を工業的に有利に製造する方法を提供すること」を課題とするものである。 そうすると、甲１発明の課題の「気泡が独立気泡で、しかもその分布が均一で断熱性に優れ、かつ半導体汚染物質の放出がなく、過酷な高温条件下においても寸法安定性が高く、耐久性に優れた高純度シリカガラス質発泡体を工業的に有利に製造する方法」は、誘電正接１と関連するようなものとはいえないし、また、半導体製造用部材という技術分野において誘電正接１を調節することが周知の課題であるともいえない。 してみれば、甲１発明において、誘電正接１を調節する動機付けがあるとはいえず、誘電正接１を１．０×１０－５～５．０×１０－４とすることもない。 したがって、本件発明１は、甲１発明に基づいて、当業者が容易に発明し得たものとはいえない。 （ウ）申立人の主張について ａ 申立人は、誘電正接１について、特許異議申立書（１７～２０頁）において、以下の主張をしている。 本件特許公報の段落【００１６】には、シリカガラスはＯＨ基含有量が好ましくは１００ｐｐｍ以下であること、より好ましくは５０ｐｐｍ以下であること、ＯＨ基の含有量が小さいほど誘電正接が低減されることが記載されている。また、図１１には、例１～１３によって、ＯＨ基濃度１００ｐｐｍ以下のシリカガラスの３５ＧＨｚの誘電正接が１．５～３．０×１０－４の範囲にあり、ＯＨ基濃度が増加すると、誘電正接も増加する傾向が見られることが示されている。そして図１０からは、周波数が増加すると誘電正接が増加すること、ＯＨ基濃度が比較的高い例１３のシリカガラスは周波数の増加に伴う誘電正接の増加率が他の例より明らかに大きいことが見て取れるから、ＯＨ基濃度の低減は、幅広い周波数領域で低誘電正接を維持するのに有利であることが示されている。 これらの記載から、シリカガラスにおいてＯＨ基濃度が１００ｐｐｍ以下であれば、２０ＧＨｚ～１１０ＧＨｚの誘電正接は、「２０ＧＨｚ～１１０ＧＨｚの誘電正接が１．０×１０－５～５．０×１０－４」を満たすはずである。 他方で、甲１の段落【０００８】には「前記不透明石英ガラス体は不活性雰囲気中で高温に加熱されて製造されるところからガラス中に水酸基が完全に除去されたガラス体である」と記載されている。 してみれば、甲１には、不透明石英ガラスにおいて、ＯＨ基濃度が１０ｐｐｍ以下の範囲が記載されているため、甲１発明の不透明石英ガラスは、「２０ＧＨｚ～１１０ＧＨｚの誘電正接が１．０×１０－５～５．０×１０－４」を満たすはずである。 ｂ 申立人の上記主張について検討する。 まず、申立人は、シリカガラスにおいてＯＨ基濃度が１００ｐｐｍ以下であれば２０ＧＨｚ～１１０ＧＨｚの誘電正接が１．０×１０－５～５．０×１０－４を満たすこと（以下、「前提事項」という。）を示す本件優先日前に公知となった技術的証拠を提示しておらず、上記ａの主張のように、本件特許公報に開示されている技術内容に基づいて「前提事項」を主張することは、本件特許公報を見た上での事後分析的なものであり、いわゆる後知恵に基づく議論といわざるを得ないことから、受け入れることはできない。 さらに、本件の発明の詳細な説明の【００１６】、図１０、図１１に記載されているのは、本件の発明の詳細な説明に記載された、特定の合成原料を選定し、特定の方法でシリカガラス多孔質体を形成し、特定の脱水処理を行い、特定の加熱焼成を行い、特定の発泡処理を行った、特定のシリカガラスにおけるＯＨ基濃度と誘電正接１の関係である。そうすると、そのような特定の原料を用い、特定の処理を行ったシリカガラスと誘電正接１についての関係が、原料や処理方法の異なる甲１に記載された不透明石英ガラス体においても成立するとはいえない。したがって、仮に、甲１発明のＯＨ基濃度が１０ｐｐｍ以下であったとしても、その３５ＧＨｚにおける誘電正接がどのような値となるかは不明であるし、２０ＧＨｚ～１１０ＧＨｚの誘電正接がどのような値となるかも不明である。 よって、甲１に、水酸基が完全に除去された不透明石英ガラス体が記載されているからといって、甲１発明の不透明石英ガラス体が、２０ＧＨｚ～１１０ＧＨｚの誘電正接が１．０×１０－５～５．０×１０－４を満たすとはいえない。 したがって、申立人の上記主張は採用できない。 （エ）上記（ア）～（ウ）では、実施例１に着目した甲１発明を主たる引用発明として対比判断を行ったが、仮に、甲１の実施例２に基づいて甲１記載の発明を認定しても、本件発明１とは、少なくとも上記相違点３で相違し、上記（イ）～（ウ）に記載されたのと同様の理由で、本件発明１がその発明と同一であるとも、その発明から容易想到であるともいえない。 （オ）小括 以上のとおりであるから、相違点１、２について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１に記載された発明ではないし、甲１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明することができたものともいえない。 ウ 本件発明２～１１について 本件発明２～１１は、本件発明１の全ての特定事項を含むものであるから、前記イで検討したのと同様の理由により、甲１に記載された発明ではないし、甲１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明することができたものともいえない。 エ 申立理由１についての結論 以上のとおりであるから、申立理由１に理由はない。 （２）申立理由２（甲２を主たる証拠とした新規性・進歩性欠如）について ア 甲２に記載された発明 上記２（２）エによれば、[0015]の実施例１に着目すると、甲２には、「造粒粉を酸水素炎で溶融して不透明石英ガラスインゴットを製造」することが記載されており、[表２][0031]には、その密度が２．１９ｇ／ｃｍ3であったことが記載されている。 そうすると、甲２には、以下の発明が記載されているといえる（以下、「甲２発明」という。）。 「密度が２．１９ｇ／ｃｍ3であり、造粒粉を酸水素炎で溶融して製造された不透明石英ガラスインゴット。」 イ 本件発明１について （ア）本件発明１と甲２発明の対比 本件発明１と甲２発明を対比すると、甲２発明の「不透明石英ガラスインゴット」は、本件発明１の「シリカガラス」に相当する。 そうすると、本件発明１と甲２発明とは、「シリカガラス」である点で一致し、以下の点で相違している。 （相違点４） 本件発明１では、気泡数が１×１０７～１×１０１５個／ｃｍ３であるのに対して、甲２発明では、気泡数が特定されていない点。 （相違点５） 本件発明１では、密度が０．５～１．９５ｇ／ｃｍ３であるのに対して、甲２発明では、比重が２．１９ｇ／ｃｍ3である点。 （相違点６） 本件発明１では、誘電正接１が１．０×１０－５～５．０×１０－４であるのに対して、甲２発明では、誘電正接１は特定されていない点。 （イ）相違点の検討 事案に鑑み、まず、相違点６について検討する。 甲２には、誘電正接１は記載されていないし、その値が１．０×１０－５～５．０×１０－４であることを示すような記載や示唆もないため、相違点６は実質的な相違点である。 次に、相違点６の容易想到性について検討する。 上記２（２）アによれば、甲２発明は、半導体製造装置用部材、光学機器の部品等に好適に使用し得るものであり、「熱線遮蔽性、機械的強度、表面平滑性に優れる不透明石英ガラスを提供すること」を課題とするものである。 しかし、甲２発明の課題である「熱線遮蔽性、機械的強度、表面平滑性」は、誘電正接１と関連するようなものとはいえないし、また、半導体製造装置用部材、光学機器の部品において、誘電正接１を調節することが周知の課題であるともいえない。 してみれば、甲２発明において誘電正接１を調節する動機付けがあるとはいえず、誘電正接１を１．０×１０－５～５．０×１０－４とすることもない。 したがって、本件発明１は、甲２発明ではないし、甲２発明に基づいて、当業者が容易に発明し得たものでもない。 （ウ）申立人の主張について ａ 申立人は、誘電正接１について、特許異議申立書（３３～３４頁）において、以下の主張をしている。 甲２には、不透明石英ガラスの製造方法が記載されており、その【００１３】の「（６）造粒粉の溶融」には、造粒粉を真空雰囲気下で溶融すると、水が生じないため、ＯＨ基濃度が１０ｐｐｍ以下となることが記載されており、甲２にはＯＨ基濃度が１０ｐｐｍ以下であることが記載されている。 そうすると、甲２にはＯＨ基濃度が１０ｐｐｍ以下の範囲が記載されているのであるから、甲２発明の不透明石英ガラスの２０ＧＨｚ～１１０ＧＨｚの誘電正接は１．０×１０－５～５．０×１０－４を満たすはずである。 ｂ しかしながら、甲２発明は、酸水素炎で溶融して製造されたものであり、ＯＨ基濃度が１０ｐｐｍ以下のものとはいえない。仮に、甲２発明が、ＯＨ基濃度が１０ｐｐｍ以下である不透明石英ガラスの発明であったとしても、上記（１）イ（ウ）ｂで記載したとおり、不透明石英ガラスにおいて、ＯＨ基濃度が１０ｐｐｍ以下であれば、２０ＧＨｚ～１１０ＧＨｚの誘電正接が、１．０×１０－５～５．０×１０－４を満たすとはいえないため、申立人の上記主張は、採用できない。 （エ）上記（ア）～（ウ）では、実施例１に着目した甲２発明を主たる引用発明として対比判断を行ったが、仮に、甲２の実施例２～１０のそれぞれに基づいて甲２記載の発明を認定しても、本件発明１とは、少なくとも上記相違点６で相違し、上記（イ）～（ウ）と同様の理由で、本件発明１がそれらの発明と同一であるとも、それらの発明から容易想到であるともいえない。 （オ）小括 以上のとおりであるから、相違点４、５について検討するまでもなく、本件発明１は、甲２に記載された発明ではないし、甲２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。 ウ 本件発明３～１１について 本件発明３～１１は、本件発明１の全ての特定事項を含むものであるから、前記イで検討したのと同様の理由により、甲２に記載された発明ではないし、また、甲２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明することができたものともいえない。 エ 申立理由２についての結論 以上のとおりであるから、申立理由２に理由はない。 （３）申立理由３（甲３を主たる証拠とした新規性・進歩性欠如）について ア 甲３に記載された発明 上記２（３）イによれば、実施例６に着目すると、甲３には、以下の発明が記載されているといえる（以下、「甲３発明」という。）。 「かさ密度が１．６３ｇ／ｃｍ３であり、気泡数が１．２×１０７個／ｃｍ３の不透明石英ガラス。」 イ 本件発明１について （ア）本件発明１と甲３発明の対比 本件発明１と甲３発明を対比すると、甲３発明の「かさ密度が１．６３ｇ／ｃｍ３」、「気泡数が１．２×１０７個／ｃｍ３」、「不透明石英ガラス」は、それぞれ、本件発明１の「密度が０．５～１．９５ｇ／ｃｍ３」、「気泡数が１×１０７～１×１０１５個／ｃｍ３」、「シリカガラス」に相当する。 そうすると、本件発明１と甲３発明とは、 「気泡数が１×１０７～１×１０１５個／ｃｍ３であり、密度が０．５～１．９５ｇ／ｃｍ３であるシリカガラス。」である点で一致し、以下の点で相違している。 （相違点７） 本件発明１では、誘電正接１が１．０×１０－５～５．０×１０－４であるのに対して、甲３発明では、誘電正接１は特定されていない点。 （イ）相違点の検討 相違点７について検討する。 甲３には、誘電正接１は記載されていないし、その値が１．０×１０－５～５．０×１０－４であることを示すような記載や示唆もないため、相違点７は実質的な相違点である。 次に、相違点７の容易想到性について検討する。 上記２（３）アによれば、甲３発明は、微細な気泡を多く含有する新規な不透明石英ガラス及びその製造方法を提供することを目的とするものであるといえる。 そうすると、甲３発明の課題は、誘電正接１と関連するようなものとはいえないため、甲３発明において誘電正接１を調節する動機付けがあるとはいえず、誘電正接１を１．０×１０－５～５．０×１０－４とすることもない。 したがって、本件発明１は、甲３発明に基づいて、当業者が容易に発明し得たものとはいえない。 （ウ）申立人の主張について ａ 申立人は、誘電正接１について、特許異議申立書（４３～４７頁）において、以下の主張をしている。 甲１の場合において説明したように、シリカガラスにおいてＯＨ基濃度が１００ｐｐｍ以下であれば、その２０ＧＨｚ～１１０ＧＨｚの誘電正接は１．０×１０－５～５．０×１０－４を満たすはずである。 そして、甲４の記載を参照すると、甲３の実施例５～７と甲４の実施例１における石英ガラスの製造方法は類似しているところ、甲４の【００１７】には、「得られたガラスは、・・・含有ＯＨ基濃度は２ｐｐｍであった」と記載されているため、甲３の実施例６においても含有ＯＨ基濃度は２ｐｐｍ程度であるか、大きくは変化しない範囲である蓋然性が高い。したがって、甲３発明は、シリカガラスにおいてＯＨ基濃度として１００ｐｐｍ以下であるから、本件発明１の誘電正接の範囲を満たすはずである。 ｂ しかし、仮に、申立人が主張するように、甲３の実施例５～７と甲４の実施例１の製造方法が類似することからみて、甲３発明のＯＨ基濃度が２ｐｐｍ程度であると推定できたとしても、上記（１）イ（ウ）ｂに記載したとおり、甲３発明の、２０ＧＨｚ～１１０ＧＨｚの誘電正接は、１．０×１０－５～５．０×１０－４を満たすとはいえないため、申立人の上記主張は採用できない。 （エ）上記（ア）～（ウ）では、実施例６に着目した甲３発明を主たる引用発明として対比判断を行ったが、仮に、甲３の実施例１～５、７のそれぞれに基づいて甲３記載の発明を認定しても、本件発明１とは、少なくとも上記相違点７で相違し、上記（イ）～（ウ）と同様の理由で、本件発明１がそれらの発明と同一であるとも、それらの発明から容易想到であるともいえない。 （オ）小括 以上のとおりであるから、本件発明１は、甲３に記載された発明ではないし、甲３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明することができたものともいえない。 ウ 本件発明２～５、７～１１について 本件発明２～５、７～１１は、本件発明１の全ての特定事項を含むものであるから、前記イで検討したのと同様の理由により、甲３に記載された発明であるといえないし、また、甲３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明することができたものともいえない。 エ 申立理由３についての結論 以上のとおりであるから、申立理由３に理由はない。 第４ むすび 以上のとおりであるから、請求項１～１１に係る特許は、特許異議申立書に記載された特許異議申立理由によっては、取り消すことができない。 また、他に請求項１～１１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。