2024-700886

特許第７４５０４２７号発明「基板支持器及びプラズマ処理装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７４５０４２７号の請求項１、２、４～９、１１に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７４５０４２７号の請求項１～１１に係る特許（以下、「本件特許」という。）についての出願は、令和２年３月２５日に出願され、令和６年３月７日にその特許権の設定登録がされ、同年同月１５日に特許掲載公報が発行され、その後、同年９月１３日に、請求項１、２、４～９、１１に係る特許について、特許異議申立人 石井 悠太（以下、「申立人」という。）により、甲第１～８号証を証拠方法として特許異議の申立てがなされたものである。 第２ 本件発明 本件特許の請求項１、２、４～９、１１の特許に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」等といい、まとめて「本件発明」ともいう。）は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１、２、４～９、１１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 その上に載置される基板を保持するように構成された第１の静電チャックを構成する第１の領域と、 前記第１の領域を囲むように設けられており、その上に載置されるエッジリングを保持するように構成された第２の静電チャックを構成する第２の領域と、 第１の電気バイアスを受けるために前記第１の領域内に設けられた第１の電極と、 第２の電気バイアスを受けるために少なくとも前記第２の領域内に設けられた第２の電極と、 導電性材料からなり、前記第１の静電チャック及び前記第２の静電チャックを含む静電チャックの下に設けられた下部電極と、 を備え、 前記第２の電極は、前記第１の領域内で前記第１の電極と対面するように、前記第１の電極の下方で延在している、 基板支持器。 【請求項２】 前記第１の静電チャック及び前記第２の静電チャックを含む前記静電チャックは、単一の誘電体部を含んでおり、 前記第１の電極及び前記第２の電極は、前記単一の誘電体部内に設けられている、 請求項１に記載の基板支持器。」 「【請求項４】 前記第２の電極の少なくとも一部が、前記第２の領域から前記第１の領域内に突き出している、請求項１～３の何れか一項に記載の基板支持器。 【請求項５】 前記第１の領域内で前記第１の電極よりも前記第１の領域の上面の近くで延在するチャック電極を更に備える、請求項１～４の何れか一項に記載の基板支持器。 【請求項６】 前記第２の電極は環形状を有する、請求項１～５の何れか一項に記載の基板支持器。 【請求項７】 チャンバと、 請求項１～６の何れか一項に記載の基板支持器であり、前記チャンバ内で基板及びエッジリングを支持するように構成された該基板支持器と、 を備えるプラズマ処理装置。 【請求項８】 前記第１の電気バイアスを発生するように構成されており、前記第１の電極に電気的に接続された第１のバイアス電源と、 前記第２の電気バイアスを発生するように構成されており、前記第２の電極に電気的に接続された第２のバイアス電源と、 を更に備える、請求項７に記載のプラズマ処理装置。 【請求項９】 前記第１の電気バイアス及び前記第２の電気バイアスの各々は、高周波電力である、請求項８に記載のプラズマ処理装置。」 「【請求項１１】 プラズマ生成用の高周波電力を発生するように構成されており、前記下部電極に電気的に接続された高周波電源を更に備える、請求項７～１０の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。」 第３ 申立理由の概要 申立人は、主たる証拠として次の甲第１号証、従たる証拠として次の甲第２号証～甲第８号証を提出し、請求項１、２、４～９、１１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、請求項１、２、４～９、１１に係る特許を取り消すべきものである旨を主張する。 ＜証拠一覧＞ １ 主たる証拠 甲第１号証：特開２０１１－０３５２６６号公報 ２ 従たる証拠 甲第２号証：米国特許出願公開第２０１９／０２６７２１８号明細書 甲第３号証：国際公開第２０１４／０７３５５４号 甲第４号証：特開２０１２－０８９６９４号公報 甲第５号証：特開２０１１－１１９６５４号公報 甲第６号証：特開２００５－０６４４６０号公報 甲第７号証：国際公開第２０１９／０８８２０４号 甲第８号証：特開２０１７－０５０５０９号公報 以下、上記「甲第１号証」～「甲第８号証」を、それぞれ「甲１」～「甲８」という。 第４ 甲号証の記載、甲号証に記載された発明 １ 甲１（特開２０１１－０３５２６６号公報） （１）甲１の記載 甲１には、次の記載がある。（下線は当審で付した。以下同じ。） 「【背景技術】 ・・・ 【０００４】 上記の容量結合型のプラズマエッチング装置では、単位体積当たりの励起エッチングガスに対する被エッチング面積が半導体ウエハの中心付近で大きく、周辺部で小さいため、半導体ウエハの中心付近でエッチング速度が遅く、周辺部でエッチング速度が速くなるようにエッチング処理速度が異なり、処理の面内均一性が低下する場合がある。このため、上部電極又は下部電極の少なくとも一方を同心状に複数に分割して構成し、これらの電極に印加する高周波電力を変更して面内における処理速度を均一化することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。」 「【発明が解決しようとする課題】 ・・・ 【０００７】 また、近年では、例えば、周波数が数十ＭＨｚ以上、例えば１００ＭＨｚのプラズマ生成用の第１の高周波電力と、この第１の高周波電力より周波数の低いイオン引き込み用の第２の高周波電力（周波数が例えば３ＭＨｚ～１３．５６ＭＨｚ程度）とを印加して、高密度のプラズマにより低ダメージのプラズマエッチングを実施することが行われている。そして、このような高い周波数の高周波電力を用いた技術では、半導体ウエハの周縁部でＤＣバイアス（Ｖｄｃ）の絶対値が低くなり、周縁部のエッチングレートが低下する傾向があるため、エッチング処理の面内均一性が低下するという問題がある。 【０００８】 本発明は、上記従来の事情に対処してなされたもので、装置の製造コストの増大を抑制することができるとともに、プラズマ処理状態の微細な制御を行うことができプラズマ処理の面内均一性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供しようとするものである。」 「【発明の効果】 【００１１】 本発明によれば、装置の製造コストの増大を抑制することができるとともに、プラズマ処理状態の微細な制御を行うことができプラズマ処理の面内均一性の向上を図ることができる。」 「【図面の簡単な説明】 【００１２】 【図１】本発明の一実施形態に係るプラズマエッチング装置の構成を模式的に示す図。 【図２】図１のプラズマエッチング装置の要部構成を拡大して模式的に示す図。 【図３】他の実施形態のプラズマエッチング装置の要部構成を拡大して模式的に示す図。」 「【発明を実施するための形態】 【００１３】 以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置としてのプラズマエッチング装置の断面概略構成を模式的に示す図である。 【００１４】 プラズマエッチング装置は、気密に構成され、電気的に接地電位とされた処理チャンバー１を有している。この処理チャンバー１は、円筒状とされ、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウム等から構成されている。処理チャンバー１内には、被処理基板である半導体ウエハＷを水平に支持する載置台２が設けられている。載置台２は例えばアルミニウム等で構成されており、絶縁板３を介して導体の支持台４に支持されている。また、載置台２の上方の外周には、例えば単結晶シリコンで形成されたフォーカスリング５が設けられている。さらに、載置台２及び支持台４の周囲を囲むように、例えば石英等からなる円筒状の内壁部材３ａが設けられている。 【００１５】 載置台２には、第１の整合器１１ａを介して第１のＲＦ電源１０ａが接続され、また、第２の整合器１１ｂを介して第２のＲＦ電源１０ｂが接続されている。第１のＲＦ電源１０ａは、プラズマ形成用のものであり、この第１のＲＦ電源１０ａからは所定周波数（２７ＭＨｚ以上例えば１００ＭＨｚ）の高周波電力が載置台２に供給されるようになっている。また、第２のＲＦ電源１０ｂは、イオン引き込み用のものであり、この第２のＲＦ電源１０ｂからは第１のＲＦ電源１０ａより低い３ＭＨｚ～１３．５６ＭＨｚの所定周波数（例えば、１３．５６ＭＨｚ）の高周波電力が載置台２に供給されるようになっている。一方、載置台２の上方には、載置台２と対向するように、接地電位とされたシャワーヘッド１６が設けられており、これらの載置台２とシャワーヘッド１６は、下部電極と上部電極とからなる一対の電極として機能するようになっている。 【００１６】 載置台２の上面には、半導体ウエハＷを静電吸着するための静電チャック６が設けられている。この静電チャック６は絶縁体６ｂの間に静電チャック用電極６ａを介在させて構成されており、静電チャック用電極６ａには静電チャック用直流電源１２が接続されている。そして静電チャック用電極６ａに静電チャック用直流電源１２から直流電圧が印加されることにより、クーロン力によって半導体ウエハＷが吸着されるよう構成されている。 【００１７】 また、上記の載置台２の要部を拡大した図２にも示されるように、本実施形態では、上記の絶縁体６ｂの間の静電チャック用電極６ａの下側に位置するように、バイアス分布制御用電極７ａ，７ｂが載置台２（下部電極）と電気的に絶縁された状態で設けられている。これらのうちバイアス分布制御用電極７ａは、環状に形成されており、載置台２の周縁部に位置するように設けられている。一方、バイアス分布制御用電極７ｂは、円形に形成されており、載置台２の中心部に位置するように設けられている。これらのバイアス分布制御用電極７ａとバイアス分布制御用電極７ｂは、同心状に設けられている。なお、前述したように、ＤＣバイアス（Ｖｄｃ）は、載置台２の周縁部において不均一になり易い傾向にある。このような載置台２の周縁部におけるＤＣバイアス（Ｖｄｃ）の不均一さを解消するためには、少なくともバイアス分布制御用電極７ａが設けられていればよく、載置台２の中心部のバイアス分布制御用電極７ｂは、省略してもよい。 【００１８】 上記バイアス分布制御用電極７ａは、バイアス分布制御用電源８ａに電気的に接続されており、バイアス分布制御用電極７ｂは、バイアス分布制御用電源８ｂに電気的に接続されている。これらのバイアス分布制御用電源８ａ，８ｂからは、前述した第２のＲＦ電源１０ｂより低い周波数、例えば、周波数が１００ＫＨｚ～１ＭＨｚの交流又は矩形波の電圧が印加される。矩形波の電圧を印加する場合は、必要に応じてデューティー比を例えば１０～９０％程度の範囲で変更してもよい。上記のバイアス分布制御用電源８ａ，８ｂから印加される電圧は、例えば、１～５００Ｖ程度である。 【００１９】 上記のバイアス分布制御用電極７ａ，７ｂ及びバイアス分布制御用電源８ａ，８ｂは、下部電極としての載置台２のＤＣバイアス（Ｖｄｃ）の調整を行うためのものである。例えば、上記のように、第１のＲＦ電源１０ａとして１００ＭＨｚという高い周波数の高周波電力を用いたため、周縁部でＤＣバイアス（Ｖｄｃ）の絶対値が低くなる傾向がある場合、周縁部に設けられたバイアス分布制御用電極７ａによって周縁部のＤＣバイアス（Ｖｄｃ）の絶対値（負の電位）が大きくなるように調整する。これによって、エッチング処理の面内均一性を向上させることができる。 【００２０】 また、ＤＣバイアス（Ｖｄｃ）が均一であっても、前処理における成膜工程において膜厚に一定の傾向がある場合、例えば半導体ウエハＷの中央部で膜厚が厚くなる傾向がある場合等は、中央部でのエッチングレートが高くなるように、バイアス分布制御用電極７ａ，７ｂ及びバイアス分布制御用電源８ａ，８ｂによって、中央部のＤＣバイアス（Ｖｄｃ）の絶対値が高くなるように、バイアス分布を調整することもできる。すなわち、バイアス分布に一定の傾きが生じるように調整して、形成されるパターンの面内均一性を向上させることもできる。 ・・・ 【００３４】 このエッチング処理の際、ＤＣバイアス（Ｖｄｃ）が不均一になる等のバイアス分布制御の必要がある場合は、バイアス分布制御用電極７ａ，７ｂ及びバイアス分布制御用電源８ａ，８ｂによって、ＤＣバイアス（Ｖｄｃ）の分布が均一になるように制御する。これによって、エッチング処理におけるエッチングレートの面内均一性を向上させることができる。」 「【００３６】 次に、図３を参照して他の実施形態について説明する。なお、図３において、前述した図１，２に示した実施形態と対応する部分には同一の符号を付して重複した説明は省略する。図３示すように、この実施形態では、バイアス分布制御用電極７ａ，７ｂに静電チャック用直流電源１２が電気的に接続されており、バイアス分布制御用電極７ａ，７ｂが静電チャック用電極６ａを兼ねた構成となっている。このような構成とすることにより、別途静電チャック用電極を設ける必要がなくなり、装置の製造コストの低減を図ることができる。 【００３７】 また、フォーカスリング５の下側にもバイアス分布制御用電極７ｃが設けられており、このバイアス分布制御用電極７ｃは、バイアス分布制御用電源８ｃに電気的に接続されている。なお、バイアス分布制御用電源８ｃは、前述したバイアス分布制御用電源８ａ，８ｂと同様に構成されている。このような構成とすることにより、例えばフォーカスリング５の消耗による半導体ウエハＷの周縁部（エッジ部）のエッチング処理特性の変動をバイアス分布制御用電極７ｃに対するバイアス分布制御用電源８ｃからの電圧印加により緩和することができ、フォーカスリング５の使用寿命の長期化を図ることができる。」 「【図１】 ［図：0001418270000001.jpg］ 【図２】 ［図：0001418270000002.jpg］ 【図３】 ［図：0001418270000003.jpg］ 」 （２）甲１に記載された発明 ア 図１に示されるプラズマエッチング装置について （ア）段落００１３には、「以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置としてのプラズマエッチング装置の断面概略構成を模式的に示す図である。」と記載されているから、図１には、一実施形態のプラズマエッチング装置が示されており、段落００１３以降の段落００１４～００２０は、図１に示されるプラズマエッチング装置に関する説明であるといえる。 （イ）段落００１４には、「プラズマエッチング装置は、気密に構成され、電気的に接地電位とされた処理チャンバー１を有している。」と記載されているから、図１に示されるプラズマエッチング装置は、処理チャンバー１を備えているといえる。 （ウ）段落００１４には、「処理チャンバー１内には、被処理基板である半導体ウエハＷを水平に支持する載置台２が設けられている。載置台２は例えばアルミニウム等で構成されており、絶縁板３を介して導体の支持台４に支持されている。」と記載され、段落００１５には、「これらの載置台２とシャワーヘッド１６は、下部電極と上部電極とからなる一対の電極として機能するようになっている。」と記載されているから、図１に示されるプラズマエッチング装置は、被処理基板である半導体ウエハＷを水平に支持し、アルミニウム等で構成され、下部電極として機能する載置台２を備えているといえる。 （エ）段落００１４には、「載置台２の上方の外周には、例えば単結晶シリコンで形成されたフォーカスリング５が設けられている。」と記載されているから、図１に示されるプラズマエッチング装置は、載置台２の上方の外周に設けられ、単結晶シリコンで形成されたフォーカスリング５を備えているといえる。 （オ）段落００１５には、「載置台２には、第１の整合器１１ａを介して第１のＲＦ電源１０ａが接続され、また、第２の整合器１１ｂを介して第２のＲＦ電源１０ｂが接続されている。第１のＲＦ電源１０ａは、プラズマ形成用のものであり、この第１のＲＦ電源１０ａからは所定周波数（２７ＭＨｚ以上例えば１００ＭＨｚ）の高周波電力が載置台２に供給されるようになっている。また、第２のＲＦ電源１０ｂは、イオン引き込み用のものであり、この第２のＲＦ電源１０ｂからは第１のＲＦ電源１０ａより低い３ＭＨｚ～１３．５６ＭＨｚの所定周波数（例えば、１３．５６ＭＨｚ）の高周波電力が載置台２に供給されるようになっている。」と記載されているから、図１に示されるプラズマエッチング装置は、載置台２に接続され、所定周波数の高周波電力を供給するプラズマ形成用の第１のＲＦ電源１０ａと、載置台２に接続され、第１のＲＦ電源１０ａより低い周波数の高周波電力を供給するイオン引き込み用の第２のＲＦ電源１０ｂとを備えているといえる。 （カ）段落００１６には、「載置台２の上面には、半導体ウエハＷを静電吸着するための静電チャック６が設けられている。この静電チャック６は絶縁体６ｂの間に静電チャック用電極６ａを介在させて構成されており、静電チャック用電極６ａには静電チャック用直流電源１２が接続されている。そして静電チャック用電極６ａに静電チャック用直流電源１２から直流電圧が印加されることにより、クーロン力によって半導体ウエハＷが吸着されるよう構成されている。」と記載されているから、図１に示されるプラズマエッチング装置は、載置台２の上面に設けられ、半導体ウエハＷを静電吸着するための静電チャック６を有しており、静電チャック６は、絶縁体６ｂの間に静電チャック用電極６ａを介在させて構成されており、静電チャック用電極６ａに静電チャック用直流電源１２から直流電圧が印加されることにより、クーロン力によって半導体ウエハＷが吸着されるよう構成されているといえる。 ここで、図１から、フォーカスリング５は、静電チャック６の外側にあることが見て取れるから、上記（エ）の検討を参酌すると、図１に示されるプラズマエッチング装置は、載置台２の上方であって、静電チャック６の外周に設けられ、単結晶シリコンで形成されたフォーカスリング５を備えているといえる。 （キ）段落００１７には、「上記の絶縁体６ｂの間の静電チャック用電極６ａの下側に位置するように、バイアス分布制御用電極７ａ，７ｂが載置台２（下部電極）と電気的に絶縁された状態で設けられている。」と記載され、段落００１８には、「上記バイアス分布制御用電極７ａは、バイアス分布制御用電源８ａに電気的に接続されており、バイアス分布制御用電極７ｂは、バイアス分布制御用電源８ｂに電気的に接続されている。」と記載されているから、図１に示されるプラズマエッチング装置において、バイアス分布制御用電極７ａは、絶縁体６ｂの間に設けられ、バイアス分布制御用電源８ａに電気的に接続されているといえる。 （ク）段落００１８には、「これらのバイアス分布制御用電源８ａ，８ｂからは、前述した第２のＲＦ電源１０ｂより低い周波数、例えば、周波数が１００ＫＨｚ～１ＭＨｚの交流又は矩形波の電圧が印加される。」と記載され、段落００１９には、「バイアス分布制御用電源８ａ，８ｂは、下部電極としての載置台２のＤＣバイアス（Ｖｄｃ）の調整を行うためのものである。」と記載されているから、図１に示されるプラズマエッチング装置において、バイアス分布制御用電源８ａからは、第２のＲＦ電源１０ｂより低い１００ＫＨｚ～１ＭＨｚの周波数の交流又は矩形波の電圧が印加され、バイアス分布制御用電源８ａは、下部電極としての載置台２のＤＣバイアス（Ｖｄｃ）の調整を行うためのものであるといえる。 イ 図３に示されるプラズマエッチング装置について （ア）段落００３６には、「図３を参照して他の実施形態について説明する。なお、図３において、前述した図１，２に示した実施形態と対応する部分には同一の符号を付して重複した説明は省略する。」と記載されているから、次の段落００３７も、図３に示されるプラズマエッチング装置に関する説明であるといえ、また、図３に示されるプラズマエッチング装置は、上記ア（イ）～（ク）における図１に示されるプラズマエッチング装置における処理チャンバー１、載置台２、フォーカスリング５、第１のＲＦ電源１０ａ、第２のＲＦ電源１０ｂ、静電チャック６、静電チャック用電極６ａ、絶縁体６ｂ、静電チャック用直流電源１２、バイアス分布制御用電極７ａ、及び、バイアス分布制御用電源８ａを具備しているといえる。 （イ）段落００３６には、「図３示すように、この実施形態では、バイアス分布制御用電極７ａ，７ｂに静電チャック用直流電源１２が電気的に接続されており、バイアス分布制御用電極７ａ，７ｂが静電チャック用電極６ａを兼ねた構成となっている。」と記載されているから、図３に示されるプラズマエッチング装置において、バイアス分布制御用電極７ａは、静電チャック用直流電源１２に電気的に接続され、静電チャック用電極６ａを兼ねた構成となっているといえる。 そして、上記ア（カ）で検討したとおり、静電チャック６は、絶縁体６ｂの間に静電チャック用電極６ａを介在させて構成されており、静電チャック用電極６ａに静電チャック用直流電源１２から直流電圧が印加されることにより、クーロン力によって半導体ウエハＷが吸着されるよう構成されており、また、上記ア（キ）で検討したとおり、バイアス分布制御用電極７ａは、絶縁体６ｂの間に設けられ、バイアス分布制御用電源８ａに電気的に接続されている。 そうすると、図３に示されるプラズマエッチング装置において、静電チャック６は、絶縁体６ｂの間に、静電チャック用電極６ａを兼ねたバイアス分布制御用電極７ａを介在させて構成されており、静電チャック用電極６ａを兼ねたバイアス分布制御用電極７ａは、バイアス分布制御用電源８ａ及び静電チャック用直流電源１２に電気的に接続され、静電チャック６は、静電チャック用電極６ａを兼ねたバイアス分布制御用電極７ａに静電チャック用直流電源１２から直流電圧が印加されることにより、クーロン力によって半導体ウエハＷが吸着されるよう構成されているといえる。 （ウ）段落００３７には、「フォーカスリング５の下側にもバイアス分布制御用電極７ｃが設けられており、このバイアス分布制御用電極７ｃは、バイアス分布制御用電源８ｃに電気的に接続されている。なお、バイアス分布制御用電源８ｃは、前述したバイアス分布制御用電源８ａ，８ｂと同様に構成されている。」と記載されているから、図３に示されるプラズマエッチング装置においては、フォーカスリング５の下側に、バイアス分布制御用電極７ｃが設けられ、バイアス分布制御用電極７ｃは、バイアス分布制御用電源８ｃに電気的に接続されており、バイアス分布制御用電源８ｃは、バイアス分布制御用電源８ａと同様に構成されているといえる。 ここで、上記ア（キ）で検討したとおり、バイアス分布制御用電極７ａは、絶縁体６ｂの間に設けられている。 また、図３からは、バイアス分布制御用電極７ａ及びバイアス分布制御用電極７ｃは、いずれも同じハッチングがされている領域に設けられ、当該領域は、載置台２の上に設けられていること、及び、フォーカスリング５は、当該領域に載置されていることが見て取れる。 そうすると、バイアス分布制御用電極７ｃは、バイアス分布制御用電極７ａと同様に、絶縁体（以下、「第２の絶縁体」という。）間に介在され、第２の絶縁体は、載置台２の上に設けられ、フォーカスリング５は、第２の領域に載置されているといえる。 以上によれば、図３に示されるプラズマエッチング装置において、バイアス分布制御用電極７ｃは、載置台２の上に設けられた第２の絶縁体間に介在され、バイアス分布制御用電源８ａと同様に構成されているバイアス分布制御用電源８ｃに電気的に接続され、フォーカスリング５は、第２の絶縁体に載置されているといえる。 ウ 上記ア及びイから、甲１には、図３に示される他の実施形態のプラズマエッチング装置について、次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されていると認められる（当審注：括弧内は根拠となる上記ア及びイの項番である。）。 「処理チャンバー１と、（ア（イ）、イ（ア）） 被処理基板である半導体ウエハＷを水平に支持し、アルミニウム等で構成され、下部電極として機能する載置台２と、（ア（ウ）、イ（ア）） 載置台２に接続され、所定周波数の高周波電力を供給するプラズマ形成用の第１のＲＦ電源１０ａと、載置台２に接続され、第１のＲＦ電源１０ａより低い周波数の高周波電力を供給するイオン引き込み用の第２のＲＦ電源１０ｂと、（ア（オ）、イ（ア）） 載置台２の上面に設けられ、半導体ウエハＷを静電吸着するための静電チャック６と、（ア（カ）、イ（ア）） 載置台２の上方であって、静電チャック６の外周に設けられ、単結晶シリコンで形成されたフォーカスリング５と、（ア（カ）、イ（ア）） を備え、 静電チャック６は、絶縁体６ｂの間に、静電チャック用電極６ａを兼ねたバイアス分布制御用電極７ａを介在させて構成されており、静電チャック用電極６ａを兼ねたバイアス分布制御用電極７ａは、バイアス分布制御用電源８ａ及び静電チャック用直流電源１２に電気的に接続され、静電チャック６は、静電チャック用電極６ａを兼ねたバイアス分布制御用電極７ａに静電チャック用直流電源１２から直流電圧が印加されることにより、クーロン力によって半導体ウエハＷが吸着されるよう構成され、（イ（イ）） バイアス分布制御用電源８ａからは、第２のＲＦ電源１０ｂより低い１００ＫＨｚ～１ＭＨｚの周波数の交流又は矩形波の電圧が印加され、バイアス分布制御用電源８ａは、下部電極としての載置台２のＤＣバイアス（Ｖｄｃ）の調整を行うためのものであり、（ア（ク）、イ（ア）） バイアス分布制御用電極７ｃは、載置台２の上に設けられた第２の絶縁体間に介在され、バイアス分布制御用電源８ａと同様に構成されているバイアス分布制御用電源８ｃに電気的に接続され、（イ（ウ）） フォーカスリング５は、第２の絶縁体に載置されている、（イ（ウ）） プラズマエッチング装置。」 ２ 甲２（米国特許出願公開第２０１９／０２６７２１８号明細書） 甲２には、次の記載がある。 なお、当審対訳を、対応する公表公報である特表２０２１－５１５３９２号公報を参考に作成し、括弧内に付した。 「[0035] Referring now also to FIG. 2, which shows a portion 200 of an ESC including a top plate 202, an intermediate layer 204, and a baseplate (or bottom plate) 206. The top plate 202 is bonded to the baseplate 206 via the intermediate layer 204. As shown, the baseplate 206 may have a protective coating (or uppermost layer) 208. As described above, the plates 202, 206 may be formed of ceramic and the protective coating 208 may be formed of AlN, yttria (Y2O3), zecornia (ZrO2). ・・・」 （「［００３５］ 次に図２を同様に参照すると、トッププレート２０２、中間層２０４、およびベースプレート（または、ボトムプレート）２０６を含むＥＳＣの部分２００が示されている。トッププレート２０２は、中間層２０４を介してベースプレート２０６に結合されている。図のように、ベースプレート２０６は、保護被膜（または、最上層）２０８を有してよい。上述のように、プレート２０２およびプレート２０６は、セラミックで形成されてよく、保護被膜２０８は、ＡＩＮ、イットリア（Ｙ２Ｏ３）、ジルコニア（ＺｒＯ２）で形成されてよい。 ・・・」） 「[0037] The baseplate 206 includes radio frequency (RF) electrodes 212. The RF electrodes 212 may receive power from terminals 214, which may be connected to the bias RF matching network 129. ・・・」 （「[００３７] ベースプレート２０６は、無線周波数（ＲＦ）電極２１２を含む。ＲＦ電極２１２は、バイアスＲＦ整合ネットワーク１２９に接続されうる端子２１４から電力を受信してよい。 ・・・」） 「［0038］ The RF electrodes 212 and other RF electrodes disclosed herein, which may be disposed in a top plate, a baseplate and/or an edge ring, may be independently controlled (i.e. receive power independent of each other) or controlled in groups (i.e. two or more RF electrodes receiving power during a same period of time and from a same power source). When independently controlled, the RF electrodes may be activated and deactivated at different times and receive different voltages and current levels. When not powered independently, the RF electrodes that are in a same group may be activated at the same time, deactivated at the same time, and receive the same voltage and current levels. Groups of RF electrodes may be controlled independently. The stated pattern and control of the RF electrodes provides increased control over temperatures across top surfaces of an ESC and thus temperatures of a substrate during processing of the substrate, and provide increased control over RF power and voltage across the top surfaces of the ESC and substrate, therefore providing increased control of an etching and/or deposition process.」 （「［００３８］ トッププレート、ベースプレート、および／またはエッジリングに配置されうるＲＦ電極２１２および本明細書に開示の他のＲＦ電極は、独立して制御されてよい（すなわち、互いから独立して電力を受信する）、または集団で制御されてよい（すなわち、２つ以上のＲＦ電極が同期間中に同じ電源から電力を受信する）。ＲＦ電極は、独立して制御されるときは、異なる回数で起動および停止されてよく、また異なる電圧および電流レベルを受信してよい。ＲＦ電極が独立して給電されないときは、同じ集団内のＲＦ電極は、同時に起動され、同時に停止され、同じ電圧および電流レベルを受信してよい。ＲＦ電極の集団は、独立して制御されてよい。ＲＦ電極の規定パターンおよび制御は、基板処理中のＥＳＣの上面全体の温度、およびそれにより基板の温度に対する制御を高め、ＥＳＣおよび基板の上面にわたるＲＦ電力および電圧に対する制御を高めることで、エッチングプロセスおよび／または堆積プロセスの制御を高める。」） 「[0039] One or more of the RF electrodes 212 (212a) may be disposed in a portion 218 that protrudes upward from a base layer 219 of the baseplate 206. The baseplate 206 may include the protective coating 208 and the base layer 219. The baseplate 206 may have one or more flat top surfaces and include one or more steps. In the example shown, the baseplate 206 has a single step down from the portion 218 to the base layer 219. The portion 218 has an uppermost (or top) surface 221 and the base layer 219 has an uppermost (or top) surface 223 at a flange 225. ・・・」 （「［００３９］ １つ以上のＲＦ電極２１２（２１２ａ）は、ベースプレート２０６のベース層２１９から上向きに突出する部分２１８に配置されてよい。ベースプレート２０６は、保護被膜２０８およびベース層２１９を含んでよい。ベースプレート２０６は、１つ以上の平坦な上面を有してよく、１つ以上の段差を含んでよい。図の例では、ベースプレート２０６は、部分２１８からベース層２１９に下がる１つの段差を有する。部分２１８は、最上（または、上）面２２１を有し、ベース層２１９は、フランジ２２５において最上（または、上）面２２３を有する。 ・・・」） 「[0040] One or more of the RF electrodes 212 (212b) may be disposed near an outer periphery of the base layer 219, as shown. The electrode 212b may be disposed below an edge ring centered on the portion 218 and in the base layer 219. The portion 218 may be shaped (e.g., conical-shaped or a variant of conical-shaped) to center other chamber components (e.g., a second edge ring) on the baseplate 206 and minimize gaps between the other chamber components and the portion 218. An example of the second edge ring is shown in FIG. 7.」 （「［００４０］ １つ以上のＲＦ電極２１２（２１２ｂ）は、図のように、ベース層２１９の外周付近に配置されてよい。電極２１２ｂは、ベース層２１９において部分２１８に中心を置くエッジリングの下方に配置されてよい。部分２１８は、ベースプレート２０６の上で他のチャンバ部品（例えば、第２エッジリング）の中心を置くように成形（例えば、円錐形または円錐形の変形）されてよく、他のチャンバ部品と部分２１８との間のギャップを最小にしてよい。第２エッジリングの例は、図７に示されている。」） 「[0041] One or more of the RF electrodes 212 (212c) may be disposed in the base layer 219, not in the portion 218 and extend radially from a point radially inward of an outer periphery of the portion 218 to a point radially inward of an outer periphery of the base layer 219. ・・・」 （「［００４１］ １つ以上のＲＦ電極２１２（２１２ｃ）は、部分２１８ではないベース層２１９に配置されてよく、部分２１８の外周の径方向内側の点からベース層２１９の外周の径方向内側の点まで延びてよい。 ・・・」） 「 ［図：0001418270000004.jpg］ 」 ３ 甲３（国際公開第２０１４／０７３５５４号） 甲３には、次の記載がある。 「課題を解決するための手段 [0006]本発明のサセプタは、 ウエハ載置面を備えたセラミックス基体と、 前記セラミックス基体に埋設された円形状の第１ＲＦ電極と、 前記セラミックス基体のうち前記第１ＲＦ電極とは異なる深さに埋設され、前記第１ＲＦ電極よりも径が大きい円形状の第２ＲＦ電極と、 を備えたサセプタであって、 前記セラミックス基体を平面視したときに前記第２ＲＦ電極のうち前記第１ＲＦ電極と重なり合う部分には、開口面積が９．４２～２５．１３ｍｍ2の複数の孔が分散して設けられ、前記孔同士の間の電極幅が３～７ｍｍとなっている ものである。 [0007] このサセプタをプラズマを用いる半導体製造装置に設置することで、特に、サセプタ中心部でのプラズマ特性を均質化することができるため、ウエハ中心部に均質な処理を施すことができる。そのため、従来のように成膜時に２つのＲＦ電極の重なっている部分が膜に転写されて膜厚にバラツキが生じることがない。また、各ＲＦ電極に印加する電流の周波数やパワーを変化させることで、ウエハ中心部とウエハ外周部の膜厚やエッチング深さのバラツキを抑制することができるし、意図的に片方の膜厚を薄くしたり片方のエッチング深さを深くしたりすることもできる。」 「[0013] サセプタ１０は、半導体等を製造する装置の部品として用いられるものであり、例えば静電チャックやセラミックヒータなどが挙げられる。このサセプタ１０は、表面がウエハ載置面２０ａである円盤状のセラミックス基体２０に、ウエハ載置面２０ａに近い側から順に第１ＲＦ電極３１、第２ＲＦ電極３２及びヒータ電極３３を埋設したものである。また、サセプタ１０は、ウエハ載置面２０ａとは反対側の面（裏面）に筒状のシャフト４０が接合されている。 ・・・ [0015] 第１ＲＦ電極３１は、ＭｏメッシュやＷメッシュなどに代表される円形状の金属メッシュである。第１ＲＦ電極３１には、第１端子３６を介して第１給電棒３８が接続されている。第１給電棒３８は、第２ＲＦ電極３２を非接触な状態で貫通し、シャフト４０の内部を通過して図示しない第１高周波電源に接続されている。 [0016] 第２ＲＦ電極３２は、セラミックス基体２０のうち第１ＲＦ電極３１とは異なる深さに埋設されている。この第２ＲＦ電極３２は、ＭｏメッシュやＷメッシュなどに代表される円形状の金属メッシュであり、第１ＲＦ電極３１よりも径が大きい。また、第２ＲＦ電極３２は、図２に示すように、円形状の中心部３２ａとリング状の外周部３２ｂとを分ける仮想境界３２ｃを有している。中心部３２ａは、セラミックス基体２０を平面視したときに第１ＲＦ電極３１と重なり合う部分である。この中心部３２ａには、開口面積が９．４２～２５．１３ｍｍ2の複数の孔３２ｄが分散して設けられている。第１ＲＦ電極３１の直径と第２ＲＦ電極３２の中心部３２ａの直径とは同じであることが好ましいが、両者の直径の差を±１０ｍｍとしてもよい。複数の孔３２ｄは、開口形状がすべて六角形であり、規則的に並んでいる。また、孔３２ｄ同士の間の電極幅ｗは、３～７ｍｍである。第２ＲＦ電極３２には、第２端子３７を介して第２給電棒３９が接続されている。第２給電棒３９は、シャフト４０の内部を通過して図示しない第２高周波電源に接続されている。 ・・・ [0020] 次に、シャフト付きサセプタの使用例について説明する。図３は、シャフト付きサセプタを設置したプラズマ励起化学蒸着装置５０の概略説明図である。プラズマ励起化学蒸着装置５０のチャンバ５２の内部に、ウエハ載置面２０ａにウエハＷが載置されたシャフト付きサセプタを設置する。具体的には、シャフト４０の端部をチャンバ５２の床面に気密になるように設置する。これにより、シャフト４０の内部は、チャンバ５２の内部と遮断された状態となる。チャンバ５２の天井には、サセプタ１０に対向する位置に対向電極５４が設けられている。そして、サセプタ１０に載置されたウエハＷが所定の温度になるようにヒータ電極３３に電力を供給する。また、チャンバ５２のガス排出口５２ａに繋いだ真空ポンプにより、チャンバ５２の内部を所定の真空度になるまで減圧する。その後、チャンバ５２のガス導入口５２ｂから所望の膜を作製するための原料ガスを導入し、チャンバ５２の内部圧力が所定の圧力となるように調整する。そして、第１ＲＦ電極３１と対向電極５４との間及び第２ＲＦ電極３２と対向電極５４との間に、それぞれ異なる高周波電力を供給する。すると、対向電極５４とサセプタ１０との間にプラズマが発生し、ウエハＷの表面に所望の薄膜が生成する。 ・・・ [0022] 以上説明した本実施形態のサセプタ１０によれば、プラズマ励起化学蒸着装置５０に設置することで、特に、サセプタ中心部でのプラズマ特性を均質化することができるため、ウエハ中心部に均質な処理を施すことができる。そのため、従来のように成膜時に２つのＲＦ電極の重なっている部分が膜に転写されて膜厚にバラツキが生じることがない。また、各ＲＦ電極３１，３２に印加する電流の周波数やパワーを変化させることで、ウエハ中心部とウエハ外周部の膜厚やエッチング深さのバラツキを抑制することができるし、意図的に片方の膜厚を薄くしたり片方のエッチング深さを深くしたりすることもできる。」 「[0026] 上述した実施形態において、図７に示すように、セラミックス基体２０のうちウエハ載置面２０ａの外周にフォーカスリング（図示せず）を載せることができるように段差２０ｂを形成してもよい。フォーカスリングは、その表面がウエハ載置面２０ａと同じ高さになるように設計されている。こうしたフォーカスリングを段差２０ｂに載置することにより、セラミックス基体２０の段差面はプラズマが直接接触することがないためプラズマから保護される。また、フォーカスリングは、使用に伴ってプラズマにより劣化するが、劣化した場合には新しいものに交換すればよい。こうしたサセプタでは、フォーカスリングの誘電率がセラミックス基体２０の誘電率と異なったり、セラミックス基体２０が段差２０ｂを有していたりすることにより、単一の高周波電力を一つのＲＦ電極に印加した場合にはウエハの外周部と中央部とでプラズマ特性に差が生じやすい。そのため、ウエハ全体で均一な膜厚あるいは均一なエッチング深さが得られないことが多い。しかし、図７のサセプタでは、第１ＲＦ電極３１と第２ＲＦ電極３２に異なる高周波電力を与えることで、均一な膜厚や均一なエッチング深さを得ることができる。」 「[図2] ［図：0001418270000005.jpg］ [図3] ［図：0001418270000006.jpg］ 」 「[図7] ［図：0001418270000007.jpg］ 」 ４ 甲４（特開２０１２－０８９６９４号公報） 甲４には、次の記載がある。 「【００１７】 以下、図１を参照しながら、本発明のウエハ保持体の一具体例について説明する。本発明の一具体例のウエハ保持体１００は、ウエハ搭載面１ａを有する略円板状のセラミックス材からなるセラミックス基体１を有している。セラミックス材の例としては、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、アルミナなどを挙げることができるが、この中では、良好な熱伝導性を有しているという点において窒化アルミニウムが好ましく、高い剛性を有しているという点において窒化ケイ素又はアルミナが好ましい。 【００１８】 セラミックス基体１の厚みは高速昇降温させるためには薄い方が好ましいが、薄くなりすぎると剛性が低くなるという問題が生じる。これらを考慮すると、セラミックス基体１の厚みは５～２５ｍｍが好ましく、１０～２０ｍｍがより好ましい。このセラミックス基体１の内部には、プラズマ生成の役割を担う円形状ＲＦ電極２及びこれより大きな外径を有する円環状ＲＦ電極３がウエハ搭載面１ａからの深さが互いに異なるように埋設されている。 ・・・ 【００２１】 なお、図２に示す具体例では、ウエハ搭載面１ａから見て円形状ＲＦ電極２と円環状ＲＦ電極３とが重複していないが、これに限定するものではなく、円環状ＲＦ電極３の内径を円形状ＲＦ電極２の外径より小さくしてこれら両電極を部分的に重複させてもかまわない。」 「【図１】 ［図：0001418270000008.jpg］ 【図２】 ［図：0001418270000009.jpg］ 」 ５ 甲５（特開２０１１－１１９６５４号公報） 甲５には、次の記載がある。 「【００５４】 この第２の実施形態に係る静電チャック３０ａ（図４）は、第１の実施形態に係る静電チャック３０（図２）の構成と比べて、静電チャック用基板１０ａの内部（絶縁層部分）に埋め込まれるＲＦ電極層１４，１５の配置の態様において相違している。他の構成については、第１の実施形態の場合と同じであるのでその説明は省略する。 【００５５】 この第２の実施形態では、同様に基板１０ａの吸着面１０Ｓから０．５ｍｍの位置に吸着用電極層１１が円形状に形成されており、さらに基板１０ａ内の外周部近傍において吸着用電極層１１から０．５ｍｍの位置に、周波数ＲＦ２の高周波電力が給電されるＲＦ電極層（ＲＦ２）１５が円形のリング状に形成されている（図４（ｂ）参照）。さらに基板１０ａ内の中心部近傍においてＲＦ電極層（ＲＦ２）１５から０．３～０．５ｍｍの位置に、周波数ＲＦ１の高周波電力が給電されるＲＦ電極層（ＲＦ１）１４が円形状に形成されている。すなわち、各ＲＦ電極層１４，１５は、図４（ａ）に示すように同一平面上にはなく、それぞれ異なる層に分割されて配置されている。 ・・・ 【００５８】 この第２の実施形態に係る静電チャック３０ａの構成によれば、上述した第１の実施形態で得られた効果に加えて、さらに以下の利点が得られる。すなわち、ＲＦ電極層１４，１５は、平面視したときに第１の実施形態（図２（ｂ））のような「隙間部分」ができないように部分的に重なり合うように配置されているので、ウエハＷ上でのエッチング等の加工処理状態のばらつきを実質的に無くすことができる。」 「【図４】 ［図：0001418270000010.jpg］ 」 ６ 甲６（特開２００５－０６４４６０号公報） 甲６には、次の記載がある。 「【００７１】 ウエハＷにドライエッチング処理を施す際には、高周波電源２１により高周波電力をサセプタ１１に供給してプラズマを生成し、直流電源２６から電極板２５ｃに高電圧を印加して静電吸着力によって中心部２５ａにウエハＷを吸着させ、直流電源２８から電極板２５ｄに高電圧を印加して静電吸着力によって外周部２５ｂにフォーカスリング３０を吸着させる。・・・」 「【図２】 ［図：0001418270000011.jpg］ 」 ７ 甲７（国際公開第２０１９／０８８２０４号） 甲７には、次の記載がある。 「[0033] 静電チャック２０のＦ／Ｒ載置面２８ａには、円環状のフォーカスリング５０が載置される。フォーカスリング５０は、Ｆ／Ｒ吸着用電極３８に電圧が印加されることによりジョンソン・ラーベック力によってＦ／Ｒ載置面２８ａに静電吸着される。フォーカスリング５０は、冷却板７０の冷媒通路７２へ供給する冷媒の温度を調整することによって制御できる。このとき、フォーカスリング５０とＦ／Ｒ載置面２８ａの凹部２９ｃとの間に熱伝導を良好にするためにＨｅガスを供給する。フォーカスリング５０の温度制御は、図示しない温度検出センサによってフォーカスリング５０の温度を検出し、その温度が目標温度となるようにフィードバックすることにより実行される。」 「［図4］ ［図：0001418270000012.jpg］ 」 ８ 甲８（特開２０１７－０５０５０９号公報） 甲８には、次の記載がある。 「【００１７】 載置台１２には、静電電極板２１ａ及び静電電極板２１ｂを内部に有する静電チャック２２が配置されている。静電チャック２２は絶縁体であってもよいし、アルミニウム等の金属にセラミック等が溶射されていてもよい。静電電極板２１ａには、直流電源２３ａが接続され、静電電極板２１ｂには、直流電源２３ｂが接続されている。 載置台１２にウェハＷを載置するとき、ウェハＷは静電チャック２２上に置かれる。静電チャック２２は、載置台１２に設けられ、ウェハＷを静電吸着する静電吸着機構の一例である。静電吸着機構は、基板用の静電吸着機構とフォーカスリング用の静電吸着機構とを有する。静電電極板２１ａ及び直流電源２３ａは、基板用の静電吸着機構の一例であり、静電電極板２１ｂ及び直流電源２３ｂは、フォーカスリング用の静電吸着機構の一例である。」 「【図１】 ［図：0001418270000013.jpg］ 」 第５ 当審の判断 １ 本件発明１について （１）対比 本件発明１と甲１発明とを対比する。 ア 甲１発明の「半導体ウエハＷ」は、「被処理基板」であり、また、甲１発明の「静電チャック６」は、「半導体ウエハＷを静電吸着する」ものであるから、その上に「被処理基板である半導体ウエハＷ」を保持するように構成されるものである。 そうすると、甲１発明は、その上に「被処理基板である半導体ウエハＷ」を保持するように構成する「静電チャック６」を構成する領域を備えているといえる。 したがって、甲１発明の「被処理基板である半導体ウエハＷ」、「静電チャック６」は、本件発明１の「基板」、「第１の静電チャック」にそれぞれ相当し、本件発明１と甲１発明とは、「その上に載置される基板を保持するように構成された第１の静電チャックを構成する第１の領域」を備えている点で共通する。 イ プラズマ処理装置において、エッジリングはフォーカスリングともいうことは、技術常識（例えば、特開２０２０－００４７１０号公報の段落００２１を参照）であるから、甲１発明の「フォーカスリング５」は、本件発明１の「エッジリング」に相当する。 そして、甲１発明において、「フォーカスリング５」は、「載置台２の上方であって、静電チャック６の外周に設けられ」、「第２の絶縁体に載置されている」から、「第２の絶縁体」は、「静電チャック６」の外周に設けられ、すなわち、「静電チャック６」を構成する領域を囲むように設けられ、その上に載置される「フォーカスリング５」を保持するように構成された領域であるといえる。 したがって、本件発明１と甲１発明とは、「前記第１の領域を囲むように設けられており、その上に載置されるエッジリングを保持するように構成された」「第２の領域」を備えている点で共通する。 ウ 甲１発明の「静電チャック用電極６ａを兼ねたバイアス分布制御用電極７ａ」は、「静電チャック６」を構成するものであって、「バイアス分布制御用電源８ａ及び静電チャック用直流電源１２に電気的に接続され」、「バイアス分布制御用電源８ａからは、第２のＲＦ電源１０ｂより低い１００ＫＨｚ～１ＭＨｚの周波数の交流又は矩形波の電圧が印加され、バイアス分布制御用電源８ａは、下部電極としての載置台２のＤＣバイアス（Ｖｄｃ）の調整を行うためのもの」であり、ここで、「バイアス分布制御用電源８ａ」から「印加され」る「第２のＲＦ電源１０ｂより低い１００ＫＨｚ～１ＭＨｚの周波数の交流又は矩形波の電圧」が電気バイアスであることは明らかであるから、「静電チャック用電極６ａを兼ねたバイアス分布制御用電極７ａ」は、電気バイアスを受けるために「静電チャック６」の領域内に設けられているといえる。 したがって、本件発明１と甲１発明とは、「第１の電気バイアスを受けるために前記第１の領域内に設けられた第１の電極」を備えている点で共通する。 エ 甲１発明において、「バイアス分布制御用電極７ｃ」は、「載置台２の上に設けられた第２の絶縁体間に介在され、バイアス分布制御用電源８ａと同様に構成されているバイアス分布制御用電源８ｃに電気的に接続され」、「バイアス分布制御用電源８ａからは、第２のＲＦ電源１０ｂより低い１００ＫＨｚ～１ＭＨｚの周波数の交流又は矩形波の電圧が印加され、バイアス分布制御用電源８ａは、下部電極としての載置台２のＤＣバイアス（Ｖｄｃ）の調整を行うためのもの」であり、ここで、「バイアス分布制御用電源８ａ」から「印加され」る「第２のＲＦ電源１０ｂより低い１００ＫＨｚ～１ＭＨｚの周波数の交流又は矩形波の電圧」が電気バイアスであることは明らかであるから、「バイアス分布制御用電極７ｃ」は、電気バイアスを受けるために「第２の絶縁体」の領域に設けられているといえる。 したがって、本件発明１と甲１発明とは、「第２の電気バイアスを受けるために少なくとも前記第２の領域内に設けられた第２の電極」を備えている点で共通する。 オ 甲１発明の「載置台２」は、「アルミニウム等で構成され、下部電極として機能」するものであるところ、アルミニウムは導電性材料であるから、導電性材料からなる「下部電極」であるといえる。 そして、甲１発明は、「静電チャック６」を含む静電チャックを備えているといえ、また、甲１発明において、「静電チャック６」は、「載置台２の上面に設けられ」るから、「載置台２」は、「静電チャック６」を含む静電チャックの下に設けられるといえる。 以上から、甲１発明の「アルミニウム等で構成され、下部電極として機能する載置台２」は、導電性材料からなり、「静電チャック６」を含む静電チャックの下に設けられた「下部電極」であるといえる。 したがって、本件発明１と甲１発明とは、「導電性材料からなり、前記第１の静電チャック」「を含む静電チャックの下に設けられた下部電極」を備えている点で共通する。 カ 甲１発明は「被処理基板」を支持する「載置台２」を備えるから、基板支持器であるといえる。そして、上記ア～オの検討を参酌すると、本件発明１と甲１発明とは、「第１の領域」と、「第２の領域」と、「第１の電極」と、「第２の電極」と、「下部電極」とを備える「基板支持器」である点で共通する。 キ 以上によれば、本件発明１と甲１発明とは、次の点で一致し、相違する。 ＜一致点＞ 「その上に載置される基板を保持するように構成された第１の静電チャックを構成する第１の領域と、 前記第１の領域を囲むように設けられており、その上に載置されるエッジリングを保持するように構成された第２の領域と、 第１の電気バイアスを受けるために前記第１の領域内に設けられた第１の電極と、 第２の電気バイアスを受けるために少なくとも前記第２の領域内に設けられた第２の電極と、 導電性材料からなり、前記第１の静電チャックを含む静電チャックの下に設けられた下部電極と、 を備える、 基板支持器。」 ＜相違点＞ ＜相違点１＞ 「第２の領域」について、本件発明１は、「エッジリングを保持するように構成された第２の静電チャックを構成する」のに対し、甲１発明は、そのような構成を備えていない点。 ＜相違点２＞ 「静電チャック」について、本件発明１は、「前記第２の静電チャックを含む」のに対し、甲１発明は、そのような構成を備えていない点。 ＜相違点３＞ 「第２の電極」について、本件発明１は、「前記第１の領域内で前記第１の電極と対面するように、前記第１の電極の下方で延在している」のに対し、甲１発明は、そのような構成を備えていない点。 （２）相違点についての判断 ア 事案に鑑み、相違点３から検討する。 （ア）上記第４の２によれば、甲２（段落００３５、００３７～００４１及びＦＩＧ．２）には、トッププレート２０２、中間層２０４及びベースプレート２０６を含むＥＳＣ（段落００３５）において、ベースプレート２０６は、無線周波数（ＲＦ）電極２１２を含むこと（段落００３７）、１つ以上のＲＦ電極２１２（２１２ａ）は、ベース層２１９から上向きに突出する部分２１８に配置されてよく、ベースプレート２０６は、部分２１８からベース層２１９に下がる１つの段差を有すること（段落００３９）、１つ以上のＲＦ電極２１２（２１２ｃ）は、部分２１８ではないベース層２１９に配置されてよく、部分２１８の外周の径方向内側の点からベース層２１９の外周の径方向内側の点まで延びてよいこと（段落００４１）が記載されており、ＦＩＧ．２からは、ＲＦ電極２１２ｃとＲＦ電極２１２ａとが対面していることが見て取れる。 しかしながら、甲２には、１つ以上のＲＦ電極２１２（２１２ｃ）は、部分２１８ではないベース層２１９に配置されてよく、部分２１８の外周の径方向内側の点からベース層２１９の外周の径方向内側の点まで延びてよいこと、及び、ＲＦ電極２１２ｃとＲＦ電極２１２ａとが対面していることについての技術的意味は何ら示されていない。 したがって、甲１発明の「バイアス分布制御用電極７ｃ」において、甲２に記載のＲＦ電極２１２ｃの構成を適用する動機付けはない。 （イ）上記第４の３によれば、甲３（段落0006、0007、0013、0015、0016、0020、0022、0026及び図2、図3、図7）には、プラズマを用いる半導体製造装置において（段落0007）、サセプタ１０は、セラミックス基体２０に埋設された円形状の第１ＲＦ電極３１と、円形状の第２ＲＦ電極３２とを備えること（段落0006、0013）、第１ＲＦ電極３１には第１高周波電源が接続されること（段落0015）、第２ＲＦ電極３２には第２高周波電源が接続されること（段落0016）、第２ＲＦ電極３２は、セラミックス基体２０を平面視したときに第１ＲＦ電極３１と重なり合う部分である円形状の中心部３２ａを有すること（段落0016、図2）、第１ＲＦ電極３１と対向電極５４との間及び第２ＲＦ電極３２と対向電極５４との間に、それぞれ異なる高周波電力を供給することにより、チャンバ５２の天井に設けられた対向電極５４とサセプタ１０との間にプラズマが発生すること（段落0020、図3）、セラミックス基体のうちウエハ載置面２０ａの外周にフォーカスリングを載せることができるように段差２０ｂが形成してもよいこと（段落0026、図7）ことが記載されている。 以上の記載によれば、甲３に記載の円形状の第２ＲＦ電極３２は、セラミックス基体２０を平面視したときに第１ＲＦ電極３１と重なり合う部分を有するものの、対向電極５４とサセプタ１０との間にプラズマを発生させるための電極である。 ここで、甲１発明である「プラズマエッチング装置」と、甲３に記載のプラズマを用いる半導体製造装置とは、プラズマ処理装置という共通の技術分野に属するものである。 しかしながら、甲１発明において、「バイアス分布制御用電極７ｃ」は、「載置台２の上に設けられた第２の絶縁体間に介在され、バイアス分布制御用電源８ａと同様に構成されているバイアス分布制御用電源８ｃに電気的に接続され」、「バイアス分布制御用電源８ａからは、第２のＲＦ電源１０ｂより低い１００ＫＨｚ～１ＭＨｚの周波数の交流又は矩形波の電圧が印加され、バイアス分布制御用電源８ａは、下部電極としての載置台２のＤＣバイアス（Ｖｄｃ）の調整を行うためのもの」であるから、「バイアス分布制御用電極７ｃ」は、「下部電極としての載置台２のＤＣバイアス（Ｖｄｃ）の調整を行うため」の電極である。 以上の記載によれば、甲１発明の「バイアス分布制御用電極７ｃ」は、「下部電極としての載置台２のＤＣバイアス（Ｖｄｃ）の調整を行うため」の電極であるのに対し、甲３に記載の円形状の第２ＲＦ電極３２は、対向電極５４とサセプタ１０との間にプラズマを発生させるための電極であるから、甲１発明の「バイアス分布制御用電極７ｃ」と甲３に記載の円形状の第２ＲＦ電極３２との間に、作用、機能の共通性を見いだせない。 したがって、甲１発明の「バイアス分布制御用電極７ｃ」において、甲３に記載の円形状の第２ＲＦ電極３２を適用する動機付けはない。 （ウ）上記第４の４によれば、甲４（段落００１７、００１８、００２１及び図１、図２）には、ウエハ保持体１００が有しているセラミックス基体１の内部には、プラズマ生成の役割を担う円形状ＲＦ電極２及び円環状ＲＦ電極３が埋設され（段落００１７、００１８）、ウエハ搭載面１ａから見て両電極を部分的に重複させてもかまわないこと（段落００２１）が記載されている。 ここで、本件発明１において、「第２の電極」は、「第２の領域内に設けられた」ものであり、「第２の領域」の上には、「エッジリング」が「載置される」ものであるから、相違点３に係る本件発明１の「第２の電極」は、「エッジリング」が「その上に載置される」「第２の領域内に設けられた第２の電極」である。 しかしながら、甲４には、ウエハ保持体１００のセラミックス基体１がフォーカスリングを載置することについては記載されていないから、本件発明１の「エッジリング」が「その上に載置される」「第２の領域内に設けられた第２の電極」に対応する構成は記載されていない。 したがって、甲４には、相違点３に係る本件発明１の「第２の電極」について記載されているとはいえない。 （エ）上記第４の５によれば、甲５（段落００５４、００５５、００５８及び図４）には、静電チャック基板１０ａ内の外周部近傍にＲＦ電極層１５が円形のリング状に形成され、中心部近傍にＲＦ電極層１４が円形状に形成され（段落００５４、００５５）、ＲＦ電極層１４、１５は、平面視したときに、隙間部分ができないように部分的に重なり合うように配置されること（段落００５８）が記載されている。 ここで、上記（ウ）で検討したとおり、相違点３に係る本件発明１の「第２の電極」は、「エッジリング」が「その上に載置される」「第２の領域内に設けられた第２の電極」である。 しかしながら、甲５には、静電チャック３０ａの基板１０ａがフォーカスリングを載置することについては記載されていないから、本件発明１の「エッジリング」が「その上に載置される」「第２の領域内に設けられた第２の電極」に対応する構成は記載されていない。 したがって、甲５には、相違点３に係る本件発明１の「第２の電極」について記載されているとはいえない。 （オ）上記第４の６～８によれば、甲６（段落００７１及び図２）、甲７（段落0033及び図4）、甲８（段落００１７及び図１）には、フォーカスリングを保持するように構成された静電チャックが記載されているものの、相違点３に係る本件発明１の構成は記載も示唆もされていない。 （カ）本件特許に係る願書に添付した明細書の段落００１０には、「上記実施形態の基板支持器では、第１の電極と第２の電極は、第１の領域内で互いに対面しているので、第１の領域内で容量的に結合されている。したがって、第１の電極には、第２の電気バイアスの一部が与えられ、第２の電極には、第１の電気バイアスの一部が与えられる。故に、第１の電気バイアスと第２の電気バイアスとの間の位相差に起因する第１の電極と第２の電極の電位差が緩和されて、当該位相差に起因する基板とエッジリングの電位差が緩和される。その結果、第１の電気バイアスと第２の電気バイアスとの間の位相差がプラズマ処理に及ぼす影響が緩和される。」と記載されている。 上記の記載から、相違点３に係る本件発明１の構成は、互いに対面している第１の電極と第２の電極が容量的に結合されて、第１の電極には第２の電気バイアスの一部が与えられ、第２の電極には第１の電気バイアスの一部が与えられることにより、第１の電気バイアスと第２の電気バイアスとの間の位相差に起因する、基板とエッジリングの電位差を緩和するという効果を奏するものである。 そして、相違点３に係る本件発明１の構成により、第１の電気バイアスと第２の電気バイアスとの間の位相差に起因する、基板とエッジリングの電位差が緩和されるという効果が得られることは、甲１～甲８に記載も示唆もされておらず、当業者にとって予測し得ない顕著な効果である。 （キ）以上のことから、甲１発明において、「バイアス分布制御用電極７ｃ」を、「バイアス分布制御用電極７ａ」と対面するように、「バイアス分布制御用電極７ａ」の下方で延在するようにすること、すなわち、相違点３に係る本件発明１の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものとはいえない。 イ したがって、上記相違点１、２について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明及び甲２～甲８に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明できたものではない。 ２ 本件発明２、４～６について 本件発明２、４～６は、本件発明１を減縮した発明であり、いずれも上記相違点３に係る本件発明１の構成を有しているから、本件発明１と同様の理由により、本件発明２、４～６は、甲１発明及び甲２～甲８に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明できたものではない。 ３ 本件発明７～９、１１について 本件発明７～９、１１は、本件発明１の「基板支持器」を備えた「プラズマ処理装置」の発明であり、いずれも上記相違点３に係る本件発明１の構成を有しているから、本件発明１と同様の理由により、本件発明７～９、１１は、甲１発明及び甲２～甲８に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明できたものではない。 ４ まとめ 以上のとおり、本件発明１、２、４～９、１１は、甲１発明及び甲２～甲８に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明できたものではないから、請求項１、２、４～９、１１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものとはいえない。 したがって、特許異議申立理由には理由がない。 第６ むすび 以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１、２、４～９、１１に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に請求項１、２、４～９、１１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。