2024-700648

特許第７４１５８１３号発明「銅張積層板および銅張積層板の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７４１５８１３号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７４１５８１３号（以下、「本件特許」という。）の請求項１～６に係る特許についての出願（特願２０２０－１０４１９３号。以下、「本願」という。）は、令和 ２年 ６月１７日の出願であって、令和 ６年 １月 ９日にその特許権の設定登録がされ、同年 １月１７日に特許掲載公報が発行されたものである。 その後、令和 ６年 ７月１０日に、その請求項１～６（全請求項）に係る特許について、特許異議申立人である小宮 邦彦（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがされた。 第２ 本件特許発明 本件特許の特許請求の範囲の請求項１～６に係る発明（以下、それぞれ「本件特許発明１」等といい、総称して「本件特許発明」ということがある。）は、本件特許の願書に添付した特許請求の範囲の請求項１～６に記載された事項によって特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 ベースフィルムと、 前記ベースフィルムの表面に直接または下地金属層を介して成膜された銅薄膜層と、 前記銅薄膜層の表面に成膜された銅めっき被膜と、を備え、 前記銅めっき被膜は、電解めっき初期の電流密度上昇期間における電流密度が、式（１）で求められる最低電流密度以上に設定された電解めっきにより成膜されたものである ことを特徴とする銅張積層板。 Ｊmin(ｄ)＝－３ｄ2＋７ｄ－０．２ ・・・（１） ここで、ｄは電解めっき中における前記銅薄膜層と前記銅めっき被膜とを合わせた厚さ［μｍ］、Ｊmin(ｄ)は厚さｄのときの最低電流密度［Ａ／ｄｍ2］である。 【請求項２】 前記最低電流密度は、式（２）で求められる ことを特徴とする請求項１記載の銅張積層板。 Ｊmin(ｄ)＝－３．５ｄ2＋８ｄ－０．２ ・・・（２） 【請求項３】 前記銅めっき被膜は、前記電流密度上昇期間における電流密度が、式（３）で求められる最高電流密度以下に設定された電解めっきにより成膜されたものである ことを特徴とする請求項１または２記載の銅張積層板。 Ｊmax(ｄ)＝－５．５ｄ2＋１１ｄ ・・・（３） ここで、Ｊmax(ｄ)は厚さｄのときの最高電流密度［Ａ／ｄｍ2］である。 【請求項４】 ベースフィルムと、前記ベースフィルムの表面に直接または下地金属層を介して成膜された銅薄膜層とを有する基材を用い、前記銅薄膜層の表面に銅めっき被膜を成膜して銅張積層板を得るにあたり、 電解めっき初期の電流密度上昇期間における電流密度を、式（１）で求められる最低電流密度以上に設定する ことを特徴とする銅張積層板の製造方法。 Ｊmin(ｄ)＝－３ｄ2＋７ｄ－０．２ ・・・（１） ここで、ｄは電解めっき中における前記銅薄膜層と前記銅めっき被膜とを合わせた厚さ［μｍ］、Ｊmin(ｄ)は厚さｄのときの最低電流密度［Ａ／ｄｍ2］である。 【請求項５】 前記最低電流密度は、式（２）で求められる ことを特徴とする請求項４記載の銅張積層板の製造方法。 Ｊmin(ｄ)＝－３．５ｄ2＋８ｄ－０．２ ・・・（２） 【請求項６】 前記電流密度上昇期間における電流密度を、式（３）で求められる最高電流密度以下に設定する ことを特徴とする請求項４または５記載の銅張積層板の製造方法。 Ｊmax(ｄ)＝－５．５ｄ2＋１１ｄ ・・・（３） ここで、Ｊmax(ｄ)は厚さｄのときの最高電流密度［Ａ／ｄｍ2］である。」 第３ 申立理由の概要 申立人は、証拠方法として、以下の２の甲第１号証～甲第３号証（以下、「甲１」～「甲３」という。）を提出し、以下の理由により、本件特許の請求項１～６に係る特許は取り消されるべきものである旨主張している。 １ 申立理由１（進歩性） （１）申立理由１－１（取消理由として不採用） 本件特許発明１～６は、甲１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、同発明に係る特許は、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。 （２）申立理由１－２（取消理由として不採用） 本件特許発明１～６は、甲２に記載された発明及び技術常識に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、同発明に係る特許は、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。 （３）申立理由１－３（取消理由として不採用） 本件特許発明１～６は、甲３に記載された発明及び甲２に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、同発明に係る特許は、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。 ２ 証拠方法 甲第１号証：韓国公開特許第１０－２０１７－００２８０４７号公報 甲第２号証：韓国公開特許第１０－２０１３－００２３５１９号公報 甲第３号証：韓国公開特許第１０－２０１４－００７２４０９号公報 第４ 当審の判断 以下に述べるとおり、当審は、上記第３の申立理由１によっては、本件特許の請求項１～６に係る特許を取り消すことはできないと判断する。 １ 申立理由１（進歩性） （１）申立理由１－１について ア 甲１の記載事項及び甲１に記載された発明 （ア）甲１の記載事項 本願の出願前に公知となった甲１には、「 ［図：0001417661000001.jpg］ 」（翻訳：軟性銅箔積層フィルム、その製造方法、及びそれを用いた軟性印刷回路基板の製造方法）（発明の名称）に関して、以下の記載がある。なお、翻訳文は、申立人によるものを必要に応じて当審で一部修正したものであり、以下同様である。 ａ 「 ［図：0001417661000002.jpg］ 」 （翻訳： 【請求項１】 非伝導性高分子基材（nonconductive polymer substrate）と、 前記非伝導性高分子基材上のタイコート層（tiecoat layer）と、 前記タイコート層上の銅層（copper layer）と、を含むが、 前記銅層は、０．０２個／ｃｍ２以下のピンホール（pinhole）を有し、 前記銅層の厚さが０．８μｍになるまで化学研磨剤溶液で前記銅層を研磨する場合、前記研磨された銅層は、０．２個／ｃｍ２以下のピンホールを有する、軟性銅箔積層フィルム。 【請求項２】 前記非伝導性高分子基材は、ポリイミドを含み、 前記タイコート層は、ニッケル、クロム、モリブデン、またはそれらのうち、２以上の混合物を含む、請求項１に記載の軟性銅箔積層フィルム。 【請求項３】 前記タイコート層は、ニッケル及びクロムを含み、 前記タイコート層内の前記クロムの含量は、５～２５重量％である、請求項２に記載の軟性銅箔積層フィルム。 【請求項４】 前記非伝導性高分子基材は、１０～４０μｍの厚さを有し、 前記タイコート層は、１５０～３００Åの厚さを有する、請求項１に記載の軟性銅箔積層フィルム。 【請求項５】 前記銅層は、 前記タイコート層上の銅シード層と、 前記銅シード層上の銅メッキ層と、を含み、 前記銅シード層は、５００～１，５００Åの厚さを有し、 前記銅メッキ層は、１～３μｍの厚さを有する、請求項４に記載の軟性銅箔積層フィルム。） ｂ 「 ［図：0001417661000003.jpg］ ［図：0001417661000004.jpg］ 」 （翻訳： 【請求項９】 非伝導性高分子基材を準備する段階と、 前記非伝導性高分子基材上にタイコート層を形成する段階と、 前記タイコート層上に銅層を形成する段階と、を含むが、 前記銅層形成段階は、 スパッタリング工程を通じて前記タイコート層上に銅シード層を形成する段階と、 メッキ工程を通じて前記銅シード層上に銅メッキ層を形成する段階と、を含み、 前記タイコート層及び前記銅シード層が形成されている前記非伝導性高分子基材を、１１～１５個のメッキ槽に順次に通過させることで、前記メッキ工程が行われ、 前記メッキ槽のうち、最初のメッキ槽において第１電流密度が加えられ、 ２番目メッキ槽ないしｎ番目メッキ槽においてそれぞれ加えられる電流密度それぞれは、直前メッキ槽において加えられる電流密度以上であり、ｎ＋１番目メッキ槽ないし最後のメッキ槽においてそれぞれ加えられる電流密度それぞれは、直前メッキ槽において加えられる電流密度以下であり（ここで、前記ｎは、７、８、９、１０、１１または１２）、 前記第１電流密度は、０．３Ａ／ｄｍ２であり、 前記ｎ番目メッキ槽において加えられる電流密度は、３Ａ／ｄｍ２であり、 前記最後のメッキ槽において加えられる電流密度は、前記第１電流密度より高い、軟性銅箔積層フィルムの製造方法。 【請求項１０】 前記タイコート層を形成する前に、前記非伝導性高分子基材をプラズマで処理する段階をさらに含む、請求項９に記載の軟性銅箔積層フィルムの製造方法。 【請求項１１】 前記タイコート層は、スパッタリング工程を通じて１５０～３００Åの厚さを有するように形成される、請求項９に記載の軟性銅箔積層フィルムの製造方法。 【請求項１２】 前記銅シード層は、５００～１，５００Åの厚さを有するように形成され、 前記銅メッキ層は、１～３μｍの厚さを有するように形成される、請求項９に記載の軟性銅箔積層フィルムの製造方法。） ｃ 「 ［図：0001417661000005.jpg］ 」 （翻訳： 【０００３】 携帯性が強調されながら、電子機器が小型化及び軽量化される傾向にある。電子機器が集積化、小型化及び軽量化されることにより、軟性印刷回路基板及びそのための原資材である軟性銅箔積層フィルム（ＦＣＣＬ）に対する需要が増加している。） ｄ 「 ［図：0001417661000006.jpg］ ［図：0001417661000007.jpg］ ［図：0001417661000008.jpg］ 」 （翻訳： 【００７５】 以下、実施例及び比較例を通じて本発明を具体的に説明する。但し、下記実施例は、本発明の理解のためのものであって、本発明の権利範囲がそれらの実施例に限定されるものではない。 【００７７】 ＊軟性銅箔積層フィルムの製造 【００７８】 実施例１～３及び比較例１～３ 【００７９】 ポリイミドフィルムを赤外線（ＩＲ）ヒータで乾燥させた後、プラズマ表面処理を遂行した。次いで、スパッタリング工程を通じて２００Å厚さのＮｉＣｒタイコート層を形成した。次いで、スパッタリング工程を通じて７００Å厚さの銅シード層を形成した。次いで、下記表１の互いに異なる条件下で電気メッキを実施して２μｍ厚さの銅メッキ層を形成することで、実施例１～３及び比較例１～３の軟性銅箔積層フィルムを完成した。 【００８１】 ［図：0001417661000009.jpg］ 【００８３】 上記実施例及び比較例によって製造された軟性銅箔積層フィルムの銅層の初期ピンホール数、及び化学的研磨後の銅層のピンホール数を下記方法によってそれぞれ測定し、その結果を表２に示した。 【００８５】 ＊初期ピンホール数 【００８６】 各軟性銅箔積層フィルムごとに１５６ｍｍ幅×３００ｍｍ長さのサンプル３個を確保した。次いで、暗室雰囲気で観察者とＬＥＤ光源との間に前記サンプルを置き、前記観察者が肉眼で観察可能なピンホールの個数を数えた。 【００８８】 ＊化学的研磨後ピンホール数 【００８９】 各軟性銅箔積層フィルムごとに１５６ｍｍ幅×３００ｍｍ長さのサンプル３個を確保した。次いで、銅層の厚さが約０．８μｍになるまで化学的研磨を遂行するために、常温（room temperature）で各サンプルを化学研磨剤溶液（プンウォン化学社のＭＦＥ－５０００原液を２０％希釈）に約９５秒間浸漬させた。次いで、暗室雰囲気で観察者とＬＥＤ光源との間に前記サンプルを置き、前記観察者が肉眼で観察することができるピンホールの個数を数えた。 【００９１】 ［図：0001417661000010.jpg］ 【００９３】 前記比較例１（電流密度範囲：０．５～２．０Ａ／ｄｍ２）及び比較例３（電流密度範囲：１．０～３．５Ａ／ｄｍ２）の場合、初期ピンホール数が１０個未満（０．０２個／ｃｍ２未満）であったにもかかわらず、化学的研磨を遂行したとき、ピンホール数が１００個を超過（０．２個／ｃｍ２超過）したことが分かる。 【００９４】 また、比較例２（電流密度範囲：０．５～２．５Ａ／ｄｍ２）の場合、化学的研磨後のピンホール数が１００個を超過（０．２個／ｃｍ２超過）しており、かつ、初期ピンホール数までも１０個を超過（０．０２個／ｃｍ２超過）した。 【００９５】 一方、前記実施例及び比較例の軟性銅箔積層フィルムに通常の工程（化学的研磨、感光線パターン形成、電解メッキ、アッシング、エッチング）を同一に適用し、同じ回路パターンを形成した後、ＡＥＩ（Automated Electrical Inspection）検査を通じて回路断線有無を確認する実験を実施した結果、実施例１～３の軟性銅箔積層フィルムを用いて形成された回路では断線が見出されておらず、一方、比較例１～３の全ての軟性銅箔積層フィルムで回路の断線が見出された。） （イ）甲１に記載された発明 特に上記（ア）ｄに摘記した実施例１の「軟性銅箔積層フィルム」に着目し、上記（ア）ａ、ｂに摘記した請求項１、９の記載に倣って整理すると、甲１には、次の発明が記載されていると認められる。なお、実施例１の「銅層」及び「研磨された銅層」のピンホール数は、上記（ア）ｄの【００９１】に記載の初期ピンホール数（平均６個）及び化学的研磨後のピンホール数（平均７５個）をそれぞれ同【００８６】及び【００８９】に記載のサンプル面積（１５６ｍｍ×３００ｍｍ（＝１５．６ｃｍ×３０．０ｃｍ））で除すると、「０．０１３個／ｃｍ２」及び「０．１６０個／ｃｍ２」（いずれも小数点以下第４位を四捨五入）と計算される。 「非伝導性高分子基材であるポリイミドフィルムを準備する段階と、 前記非伝導性高分子基材上にＮｉＣｒタイコート層を形成する段階と、 前記タイコート層上に銅層を形成する段階と、を含むが、 前記銅層形成段階は、 スパッタリング工程を通じて前記タイコート層上に７００Å厚さの銅シード層を形成する段階と、 メッキ工程を通じて前記銅シード層上に２μｍ厚さの銅メッキ層を形成する段階と、を含み、 前記タイコート層及び前記銅シード層が形成されている前記非伝導性高分子基材を、１１個のメッキ槽に順次に通過させることで、前記メッキ工程が行われ、 前記メッキ槽のうち、最初のメッキ槽において第１電流密度が加えられ、 ２番目メッキ槽ないし８番目メッキ槽においてそれぞれ加えられる電流密度それぞれは、直前メッキ槽において加えられる電流密度以上であり、９番目メッキ槽ないし最後のメッキ槽においてそれぞれ加えられる電流密度それぞれは、直前メッキ槽において加えられる電流密度以下であり、 前記第１電流密度は、０．３Ａ／ｄｍ２であり、 前記８番目メッキ槽において加えられる電流密度は、３．０Ａ／ｄｍ２であり、 前記最後のメッキ槽において加えられる電流密度は、前記第１電流密度より高い、軟性銅箔積層フィルムの製造方法によって製造された、 非伝導性高分子基材と、 前記非伝導性高分子基材上のタイコート層と、 前記タイコート層上の銅層と、を含むが、 前記銅層は、０．０１３個／ｃｍ２のピンホールを有し、 前記銅層の厚さが０．８μｍになるまで化学研磨剤溶液で前記銅層を研磨する場合、前記研磨された銅層は、０．１６０個／ｃｍ２のピンホールを有する、軟性銅箔積層フィルム。」（以下、「甲１発明」という。） 「非伝導性高分子基材であるポリイミドフィルムを準備する段階と、 前記非伝導性高分子基材上にＮｉＣｒタイコート層を形成する段階と、 前記タイコート層上に銅層を形成する段階と、を含むが、 前記銅層形成段階は、 スパッタリング工程を通じて前記タイコート層上に７００Å厚さの銅シード層を形成する段階と、 メッキ工程を通じて前記銅シード層上に２μｍ厚さの銅メッキ層を形成する段階と、を含み、 前記タイコート層及び前記銅シード層が形成されている前記非伝導性高分子基材を、１１個のメッキ槽に順次に通過させることで、前記メッキ工程が行われ、 前記メッキ槽のうち、最初のメッキ槽において第１電流密度が加えられ、 ２番目メッキ槽ないし８番目メッキ槽においてそれぞれ加えられる電流密度それぞれは、直前メッキ槽において加えられる電流密度以上であり、９番目メッキ槽ないし最後のメッキ槽においてそれぞれ加えられる電流密度それぞれは、直前メッキ槽において加えられる電流密度以下であり、 前記第１電流密度は、０．３Ａ／ｄｍ２であり、 前記８番目メッキ槽において加えられる電流密度は、３．０Ａ／ｄｍ２であり、 前記最後のメッキ槽において加えられる電流密度は、前記第１電流密度より高い、軟性銅箔積層フィルムの製造方法。」（以下、「甲１製法発明」という。） イ 本件特許発明４について （ア）対比 本件特許発明４と甲１製法発明とを対比する。 ａ 甲１製法発明における「非伝導性高分子基材であるポリイミドフィルム」は、本件特許発明４における「ベースフィルム」に相当する。 ｂ 甲１製法発明における「ＮｉＣｒタイコート層」は、本件特許発明４における「下地金属層」に相当する。 ｃ 甲１製法発明における、「非伝導性高分子基材上に」「形成」される「タイコート層上に」「スパッタリング工程を通じて」「形成」される「７００Å厚さの銅シード層」は、本件特許発明４における、「ベースフィルムの表面に」「下地金属層を介して成膜された銅薄膜層」に相当する。 ｄ 甲１製法発明における、「銅シード層が形成されている前記非伝導性高分子基材」は、本件特許発明４における、「ベースフィルムと、」「銅薄膜層とを有する基材」に相当する。 ｅ 甲１製法発明における、「メッキ工程を通じて前記銅シード層上に２μｍ厚さの銅メッキ層を形成する」ことは、本件特許発明４における、「銅薄膜層の表面に銅めっき被膜を成膜」することに相当する。 ｆ 甲１製法発明における「軟性銅箔積層フィルム」について、上記ア（ア）ｃの摘記事項には「軟性銅箔積層フィルム（ＦＣＣＬ）」と記載されており、「ＦＣＣＬ」とは「Flexible Copper Clad Laminate」の略称であって、「ＦＣＣＬ」が「銅張積層板」に包含されるものであることは技術常識であるから、甲１製法発明における「軟性銅箔積層フィルム」及び「軟性銅箔積層フィルムの製造方法」は、本件特許発明４における「銅張積層板」及び「銅張積層板の製造方法」に相当する。 ｇ 甲１製法発明では、「１１個のメッキ槽」「のうち、最初のメッキ槽において第１電流密度が加えられ、」「２番目メッキ槽ないし８番目メッキ槽においてそれぞれ加えられる電流密度それぞれは、直前メッキ槽において加えられる電流密度以上であり、９番目メッキ槽ないし最後のメッキ槽においてそれぞれ加えられる電流密度それぞれは、直前メッキ槽において加えられる電流密度以下であ」るから、甲１製法発明における、「前記タイコート層及び前記銅シード層が形成されている前記非伝導性高分子基材を、」１番目メッキ槽から８番目メッキ槽までの「メッキ槽に順次に通過させる」期間は、本件特許発明４における「電解めっき初期の電流密度上昇期間」に相当する。 ｈ そうすると、本件特許発明４と甲１製法発明とは、 「ベースフィルムと、前記ベースフィルムの表面に直接または下地金属層を介して成膜された銅薄膜層とを有する基材を用い、前記銅薄膜層の表面に銅めっき被膜を成膜して銅張積層板を得るにあたり、電解めっき初期の電流密度上昇期間を備える銅張積層板の製造方法。」 である点で一致し、次の点で相違する。 ＜相違点１－１＞ 「電解めっき初期の電流密度上昇期間における電流密度」について、本件特許発明４では、「ｄは電解めっき中における前記銅薄膜層と前記銅めっき被膜とを合わせた厚さ［μｍ］、Ｊmin(ｄ)は厚さｄのときの最低電流密度［Ａ／ｄｍ2］である」場合に、「Ｊmin(ｄ)＝－３ｄ2＋７ｄ－０．２」で表される「式（１）で求められる最低電流密度以上に設定する」のに対し、甲１製法発明では、「メッキ槽のうち、最初のメッキ槽において第１電流密度が加えられ、２番目メッキ槽ないし８番目メッキ槽においてそれぞれ加えられる電流密度それぞれは、直前メッキ槽において加えられる電流密度以上であり、」「前記第１電流密度は、０．３Ａ／ｄｍ２であり、前記８番目メッキ槽において加えられる電流密度は、３．０Ａ／ｄｍ２であり」、最初のメッキ槽における第１電流密度（０．３Ａ／ｄｍ２）は上記「式（１）」の条件を満たす（ｄは銅シード層の厚さの０．０７［μｍ］（＝７００［Å］）であり、Ｊmin(０．０７)＝－３×（０．０７）2＋７×０．０７－０．２≒０．２７５［Ａ／ｄｍ2］）ものの、「２番目メッキ槽ないし８番目メッキ槽においてそれぞれ加えられる電流密度それぞれ」が上記「式（１）」の条件を満たすのか不明である点。 （イ）相違点についての判断 ａ 上記相違点１－１について検討する上で、本件特許発明４の「電解めっき初期の電流密度上昇期間における電流密度を、式（１）で求められる最低電流密度以上に設定する」とは、本願の願書に添付した明細書（以下、「本件明細書」という。）の【００３７】、【００４８】、【００５２】の記載からすると、上記電流密度上昇期間における電流密度を、「常に」、式（１）で求められる最低電流密度Ｊmin(ｄ)以上になるよう設定することであると解するのが相当である。なお、この点は、以下の（２）イ（イ）ａ、（３）イ（イ）ａでも同様である。 そして、この点を踏まえて検討すると、上記ア（ア）ｄの摘記事項（特に【００８１】の表１）には、甲１製法発明の認定の基礎となった実施例１について、各メッキ槽における電流密度は記載されているが、各メッキ槽におけるメッキ後の銅メッキ層の厚さは記載されていない。 また、本件明細書の【００４２】には、 「銅めっき被膜２０の厚さは電解めっきの進行にともない増加する。電解めっき中の銅めっき被膜２０の厚さＤは電流密度とめっき時間とから求められる。具体的には、式（４）に示すように、電流密度Ｊ［Ａ／ｄｍ2］、めっき時間Ｔ［分］、および係数ｋを乗じて厚さＤ［μｍ］が求められる。ここで、係数ｋは銅めっき液などの条件に依存する値であり、試験により定められる。 Ｄ＝ｋ×Ｊ×Ｔ ・・・（４）」 と記載されているが、甲１に記載の実施例１において、各メッキ槽におけるメッキ時間は不明であるから、計算によって上記「各メッキ槽におけるメッキ後の銅メッキ層の厚さ」を求めることもできない。 なお、甲１に記載の実施例１は７００Å（＝０．０７μｍ）厚さの銅シード層上に２μｍ厚さの銅メッキ層を形成するものであるが、仮に８番目メッキ槽におけるメッキが終わる（１１個のメッキ槽で計１８Ａ／ｄｍ２の電流密度が加えられる中、８番目メッキ槽までに計１１．６Ａ／ｄｍ２の電流密度が加えられる）までに、銅シード層と銅メッキ層の合計厚さが０．７μｍまで達したとすると、ｄ＝０．７［μｍ］、Ｊmin(０．７)＝－３×（０．７）2＋７×０．７－０．２＝３．２３［Ａ／ｄｍ2］となり、８番目メッキ槽において３．０Ａ／ｄｍ２の電流密度が加えられても、上記（ア）ｈの相違点１－１に係る上記「式（１）」の条件を満たすことはできないから、甲１製法発明が上記相違点１－１に係る発明特定事項を備えるものである蓋然性は低いといえる。 したがって、上記相違点１－１は、実質的な相違点であるといえる。 ｂ 次に、上記相違点１－１の容易想到性について検討すると、甲１製法発明では、「メッキ槽のうち、最初のメッキ槽において第１電流密度が加えられ、２番目メッキ槽ないし８番目メッキ槽においてそれぞれ加えられる電流密度それぞれは、直前メッキ槽において加えられる電流密度以上であ」るものの、銅シード層と銅メッキ層の合計厚さに応じて電流密度を制御することは、甲１に記載も示唆もされておらず、動機付けられるとはいえないため、甲１製法発明において、上記相違点１－１に係る発明特定事項を備えようとすることは、当業者が容易に想到し得たこととはいえない。 （ウ）小括 よって、本件特許発明４は、甲１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ウ 本件特許発明５、６について 本件特許発明５、６は、本件特許発明４の発明特定事項を全て備えるものであるから、上記イ（イ）で検討したのと同様の理由により、甲１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 エ 本件特許発明１について （ア）対比 本件特許発明１と甲１発明とを対比する。 ａ 甲１発明における「非伝導性高分子基材であるポリイミドフィルム」は、本件特許発明１における「ベースフィルム」に相当する。 ｂ 甲１発明における「ＮｉＣｒタイコート層」は、本件特許発明１における「下地金属層」に相当する。 ｃ 甲１発明における、「非伝導性高分子基材上に」「形成」される「タイコート層上に」「スパッタリング工程を通じて」「形成」される「７００Å厚さの銅シード層」は、本件特許発明１における、「ベースフィルムの表面に」「下地金属層を介して成膜された銅薄膜層」に相当する。 ｄ 甲１発明における、「前記銅シード層上に」「形成」される「２μｍ厚さの銅メッキ層」は、本件特許発明１における、「銅薄膜層の表面に成膜された銅めっき被膜」相当する。 ｅ 甲１発明における「軟性銅箔積層フィルム」は、本件特許発明１における「銅張積層板」に相当する。 ｆ 甲１発明では、「１１個のメッキ槽」「のうち、最初のメッキ槽において第１電流密度が加えられ、」「２番目メッキ槽ないし８番目メッキ槽においてそれぞれ加えられる電流密度それぞれは、直前メッキ槽において加えられる電流密度以上であり、９番目メッキ槽ないし最後のメッキ槽においてそれぞれ加えられる電流密度それぞれは、直前メッキ槽において加えられる電流密度以下であ」るから、甲１発明における「メッキ」が電解メッキであることは技術常識に照らして明らかであるし、甲１発明における、「前記タイコート層及び前記銅シード層が形成されている前記非伝導性高分子基材を、」１番目メッキ槽から８番目メッキ槽までの「メッキ槽に順次に通過させる」期間は、本件特許発明１における「電解めっき初期の電流密度上昇期間」に相当する。 ｇ 甲１発明は、各メッキ槽において電流密度を加えているから、甲１発明の「銅層形成段階は、スパッタリング工程を通じて前記タイコート層上に７００Å厚さの銅シード層を形成する段階と、メッキ工程を通じて前記銅シード層上に２μｍ厚さの銅メッキ層を形成する段階と、を含」むことは、本件特許発明１の「前記銅めっき被膜は、」「電解めっきにより成膜されたものである」ことに相当する。 ｈ そうすると、本件特許発明１と甲１発明とは、 「ベースフィルムと、前記ベースフィルムの表面に直接または下地金属層を介して成膜された銅薄膜層と、前記銅薄膜層の表面に成膜された銅めっき被膜と、を備え、前記銅めっき被膜は、電解めっきにより成膜されたものである銅張積層板。」 である点で一致し、次の点で相違する。 ＜相違点１－２＞ 「銅めっき被膜」を「電解めっきにより成膜」する際の「電解めっき初期の電流密度上昇期間における電流密度」について、本件特許発明１では、「ｄは電解めっき中における前記銅薄膜層と前記銅めっき被膜とを合わせた厚さ［μｍ］、Ｊmin(ｄ)は厚さｄのときの最低電流密度［Ａ／ｄｍ2］である」場合に、「Ｊmin(ｄ)＝－３ｄ2＋７ｄ－０．２」で表される「式（１）で求められる最低電流密度以上に設定」するのに対し、甲１発明では、「メッキ槽のうち、最初のメッキ槽において第１電流密度が加えられ、２番目メッキ槽ないし８番目メッキ槽においてそれぞれ加えられる電流密度それぞれは、直前メッキ槽において加えられる電流密度以上であり、」「前記第１電流密度は、０．３Ａ／ｄｍ２であり、前記８番目メッキ槽において加えられる電流密度は、３．０Ａ／ｄｍ２であり」、最初のメッキ槽における第１電流密度（０．３Ａ／ｄｍ２）は上記「式（１）」の条件を満たす（ｄは銅シード層の厚さの０．０７［μｍ］（＝７００［Å］）であり、Ｊmin(０．０７)＝－３×（０．０７）2＋７×０．０７－０．２≒０．２７５［Ａ／ｄｍ2］）ものの、「２番目メッキ槽ないし８番目メッキ槽においてそれぞれ加えられる電流密度それぞれ」が上記「式（１）」の条件を満たすのか不明である点。 （イ）相違点についての判断 上記相違点１－２について検討すると、上記相違点１－２は、上記イ（ア）ｈに示した相違点１－１と実質的に同じであるから、上記イ（イ）で検討したのと同様の理由により、甲１発明において、上記相違点１－２に係る発明特定事項を備えようとすることは、当業者が容易に想到し得たこととはいえない。 （ウ）小括 よって、本件特許発明１は、甲１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 オ 本件特許発明２、３について 本件特許発明２、３は、本件特許発明１の発明特定事項を全て備えるものであるから、上記エ（イ）で検討したのと同様の理由により、甲１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 カ 申立理由１－１についてのまとめ 以上のとおりであるから、申立理由１－１によっては、本件特許の請求項１～６に係る特許を取り消すことはできない。 （２）申立理由１－２について ア 甲２の記載事項及び甲２に記載された発明 （ア）甲２の記載事項 本願の出願前に公知となった甲２には、「 ［図：0001417661000011.jpg］ 」（翻訳：メッキ粒子サイズ及びエッチング性を用いたセミアディティブ用の軟性銅箔積層フィルム及びその製造方法）（発明の名称）に関して、以下の記載がある。 ａ 「 ［図：0001417661000012.jpg］ 」 （翻訳： 【請求項１】 ポリイミド（ＰＩ）フィルムをプラズマ処理して表面洗浄及び表面粗さを向上させる段階と、 プラズマ処理後、物理気相蒸着法（ＰＶＤ）であるスパッタリング（sputtering）法を用いて導電層役のタイ（Tie）層Ｎｉ－Ｃｒと電極（Seed）層の銅（Ｃｕ）を蒸着する段階と、 硫酸銅水溶液に電解メッキ法を用いて銅（Ｃｕ）層をメッキする段階と、を含み、前記電解メッキ時にメッキ液の濃度及び添加剤の濃度を保持させた後、メッキ電流密度（ＡＳＤ）を０．２～４ＡＳＤに変更して銅を電流密度によって複数段階にわたって電気メッキすることを特徴とするメッキ粒子サイズ及びエッチング性を用いたセミアディティブ用の軟性銅箔積層フィルムの製造方法。 【請求項２】 前記メッキの仕上げ部分の印加電流密度を０．３～０．８ＡＳＤとして、低くメッキすることを特徴とする請求項１に記載のメッキ粒子サイズ及びエッチング性を用いたセミアディティブ用の軟性銅箔積層フィルムの製造方法。 【請求項３】 前記電解銅メッキのメッキ液は、硫酸ベース（base）メッキ液であり、塩素とレベラ（leveller）と光沢剤（brightener）、補正剤（carrier）、緩和剤（stressreducer）のうち１種以上を含み、銅の濃度は、１５～４０ｇ／Ｌであることを特徴とする請求項１に記載のメッキ粒子サイズ及びエッチング性を用いたセミアディティブ用の軟性銅箔積層フィルムの製造方法。 【請求項４】 前記光沢剤（brightener）は、５～３５ｍｌ／Ｌ、レベラ（leveller）は、０．８～３．０ｍｌ／Ｌ、補正剤と緩和剤は、２～５ｍｌ／Ｌ濃度を含むことを特徴とする請求項１に記載のメッキ粒子サイズ及びエッチング性を用いたセミアディティブ用の軟性銅箔積層フィルムの製造方法。 【請求項５】 前記メッキ液の温度は、２２～３５℃としてメッキすることを特徴とする請求項１に記載のメッキ粒子サイズ及びエッチング性を用いたセミアディティブ用の軟性銅箔積層フィルムの製造方法。 【請求項６】 前記方法は、総銅メッキの厚さを０．５～３．０μｍにすることを特徴とする請求項１に記載のメッキ粒子サイズ及びエッチング性を用いたセミアディティブ用の軟性銅箔積層フィルムの製造方法。 【請求項７】 請求項１～６のうちいずれか１項によって製造されたものであることを特徴とするセミアディティブ用の軟性銅箔積層フィルム。） ｂ 「 ［図：0001417661000013.jpg］ 」 （翻訳： 【００２５】 前記のようなセミアディティブ用の軟性銅箔積層フィルムを製造する方法において定電流方式を用いた銅の電解メッキ工程でメッキの最後部分の電流密度を徐々に上昇させつつ、メッキを終えれば、粒子が微細になり、電流密度を徐々に上昇させつつ、メッキの最中に最後部分に電流密度を０．３～０．８ＡＳＤに減少させれば、エッチング速度が中間程度とエッチング性に優れたメッキ粒子サイズが得られる。） （イ）甲２に記載された発明 上記（ア）ａに摘記した請求項１、２、７の記載に基づくと、甲２には、次の発明が記載されていると認められる。 「ポリイミド（ＰＩ）フィルムをプラズマ処理して表面洗浄及び表面粗さを向上させる段階と、 プラズマ処理後、物理気相蒸着法（ＰＶＤ）であるスパッタリング（sputtering）法を用いて導電層役のタイ（Tie）層Ｎｉ－Ｃｒと電極（Seed）層の銅（Ｃｕ）を蒸着する段階と、 硫酸銅水溶液に電解メッキ法を用いて銅（Ｃｕ）層をメッキする段階と、を含み、前記電解メッキ時にメッキ液の濃度及び添加剤の濃度を保持させた後、メッキ電流密度（ＡＳＤ）を０．２～４ＡＳＤに変更して銅を電流密度によって複数段階にわたって電気メッキし、前記メッキの仕上げ部分の印加電流密度を０．３～０．８ＡＳＤとして、低くメッキする、メッキ粒子サイズ及びエッチング性を用いたセミアディティブ用の軟性銅箔積層フィルムの製造方法によって製造されたものであるセミアディティブ用の軟性銅箔積層フィルム。」（以下、「甲２発明」という。） 「ポリイミド（ＰＩ）フィルムをプラズマ処理して表面洗浄及び表面粗さを向上させる段階と、 プラズマ処理後、物理気相蒸着法（ＰＶＤ）であるスパッタリング（sputtering）法を用いて導電層役のタイ（Tie）層Ｎｉ－Ｃｒと電極（Seed）層の銅（Ｃｕ）を蒸着する段階と、 硫酸銅水溶液に電解メッキ法を用いて銅（Ｃｕ）層をメッキする段階と、を含み、前記電解メッキ時にメッキ液の濃度及び添加剤の濃度を保持させた後、メッキ電流密度（ＡＳＤ）を０．２～４ＡＳＤに変更して銅を電流密度によって複数段階にわたって電気メッキし、前記メッキの仕上げ部分の印加電流密度を０．３～０．８ＡＳＤとして、低くメッキする、メッキ粒子サイズ及びエッチング性を用いたセミアディティブ用の軟性銅箔積層フィルムの製造方法。」（以下、「甲２製法発明」という。） イ 本件特許発明４について （ア）対比 本件特許発明４と甲２製法発明とを対比する。 ａ 甲２製法発明における「ポリイミド（ＰＩ）フィルム」は、本件特許発明４における「ベースフィルム」に相当する。 ｂ 甲２製法発明における、「ポリイミド（ＰＩ）フィルムを」「プラズマ処理後、物理気相蒸着法（ＰＶＤ）であるスパッタリング（sputtering）法を用いて」「蒸着」される「導電層役の」「タイ（Tie）層Ｎｉ－Ｃｒ」及び「電極（Seed）層の銅（Ｃｕ）」は、それぞれ本件特許発明４における、「下地金属層」及び「ベースフィルムの表面に」「下地金属層を介して成膜された銅薄膜層」に相当する。 ｃ 甲２製法発明における、「ポリイミド（ＰＩ）フィルムを」「プラズマ処理後、物理気相蒸着法（ＰＶＤ）であるスパッタリング（sputtering）法を用いて」「電極（Seed）層の銅（Ｃｕ）」が「蒸着」されたものは、本件特許発明４における、「ベースフィルムと、」「銅薄膜層とを有する基材」に相当する。 ｄ 甲２製法発明における、「プラズマ処理後、物理気相蒸着法（ＰＶＤ）であるスパッタリング（sputtering）法を用いて導電層役のタイ（Tie）層Ｎｉ－Ｃｒと電極（Seed）層の銅（Ｃｕ）を蒸着する段階」の後に「硫酸銅水溶液に電解メッキ法を用いて銅（Ｃｕ）層をメッキする」ことと、本件特許発明４における、「銅薄膜層の表面に銅めっき被膜を成膜」するにあたり、「電解めっき初期の電流密度上昇期間における電流密度を、式（１）で求められる最低電流密度以上に設定する」こととは、「銅薄膜層の表面に銅めっき被膜を成膜」するにあたり、「電解めっき」を行うことで共通する。 ｅ 甲２製法発明における「メッキ粒子サイズ及びエッチング性を用いたセミアディティブ用の軟性銅箔積層フィルム」及び「メッキ粒子サイズ及びエッチング性を用いたセミアディティブ用の軟性銅箔積層フィルムの製造方法」は、本件特許発明４における「銅張積層板」及び「銅張積層板の製造方法」に相当する。 ｆ そうすると、本件特許発明４と甲２製法発明とは、 「ベースフィルムと、前記ベースフィルムの表面に直接または下地金属層を介して成膜された銅薄膜層とを有する基材を用い、前記銅薄膜層の表面に銅めっき被膜を成膜して銅張積層板を得るにあたり、電解めっきを行う銅張積層板の製造方法。」 である点で一致し、次の点で相違する。 ＜相違点２－１＞ 本件特許発明４は、「電解めっき初期の電流密度上昇期間における電流密度を、」「ｄは電解めっき中における前記銅薄膜層と前記銅めっき被膜とを合わせた厚さ［μｍ］、Ｊmin(ｄ)は厚さｄのときの最低電流密度［Ａ／ｄｍ2］である」場合に、「Ｊmin(ｄ)＝－３ｄ2＋７ｄ－０．２」で表される「式（１）で求められる最低電流密度以上に設定する」のに対し、甲２製法発明は、「硫酸銅水溶液に電解メッキ法を用いて銅（Ｃｕ）層をメッキする段階」において、「メッキ電流密度（ＡＳＤ）を０．２～４ＡＳＤに変更して銅を電流密度によって複数段階にわたって電気メッキし、前記メッキの仕上げ部分の印加電流密度を０．３～０．８ＡＳＤ」とするものの、上記の発明特定事項を備えるものであるのか不明である点。 （イ）相違点についての判断 ａ 甲２製法発明は、「硫酸銅水溶液に電解メッキ法を用いて銅（Ｃｕ）層をメッキする段階」において、「メッキ電流密度（ＡＳＤ）を０．２～４ＡＳＤに変更して銅を電流密度によって複数段階にわたって電気メッキし、前記メッキの仕上げ部分の印加電流密度を０．３～０．８ＡＳＤとして、低くメッキする」ものである。 ここで、上記ア（ア）ｂの摘記事項には、「前記のようなセミアディティブ用の軟性銅箔積層フィルムを製造する方法において」「電流密度を徐々に上昇させつつ、メッキの最中に最後部分に電流密度を０．３～０．８ＡＳＤに減少させれば、エッチング速度が中間程度とエッチング性に優れたメッキ粒子サイズが得られる。」と記載されており、甲２製法発明における上記「複数段階」のうち、「仕上げ部分（最後部分）」より前の部分では「電流密度」が「徐々に上昇」していると解されるから、当該「仕上げ部分」より前の部分は上記相違点２－１に係る「電解めっき初期の電流密度上昇期間」に相当すると解することができる。 しかしながら、甲２製法発明は、「メッキ電流密度（ＡＳＤ）を０．２～４ＡＳＤに変更して銅を電流密度によって複数段階にわたって電気メッキ」するものであるものの、上記「仕上げ部分」より前の部分を通してのメッキ電流密度（ＡＳＤ）並びに電極（Seed）層及び銅メッキ層の合計厚さの履歴は不明であるから、甲２製法発明が上記相違点２－１に係る上記「式（１）」の条件を満たすものであるかは不明というほかない。 したがって、上記相違点２－１は、実質的な相違点であるといえる。 ｂ 次に、上記相違点２－１の容易想到性について検討すると、電極（Seed）層及び銅メッキ層の合計厚さに応じて電流密度を制御することは、甲２に記載も示唆もされておらず、動機付けられるとはいえないため、仮に申立人が特許異議申立書の１７ページの第８～１２行で主張するような、上記「電極（Seed）層」、すなわち銅薄膜層の一般的な厚さは５０～４００ｎｍであるとの技術常識が存在し、かつ、上記「銅メッキ層」の厚さが、上記ア（ア）ａに摘記した請求項６に記載される「０．５～３．０μｍ」であったとしても、甲２製法発明において、上記相違点２－１に係る発明特定事項を備えようとすることは、当業者が容易に想到し得たこととはいえない。 （ウ）小括 よって、本件特許発明４は、甲２に記載された発明及び技術常識に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ウ 本件特許発明５、６について 本件特許発明５、６は、本件特許発明４の発明特定事項を全て備えるものであるから、上記イ（イ）で検討したのと同様の理由により、甲２に記載された発明及び技術常識に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 エ 本件特許発明１について （ア）対比 本件特許発明１と甲２発明とを対比する。 ａ 甲２発明における「ポリイミド（ＰＩ）フィルム」は、本件特許発明１における「ベースフィルム」に相当する。 ｂ 甲２発明における、「ポリイミド（ＰＩ）フィルムを」「プラズマ処理後、物理気相蒸着法（ＰＶＤ）であるスパッタリング（sputtering）法を用いて」「蒸着」される「導電層役の」「タイ（Tie）層Ｎｉ－Ｃｒ」及び「電極（Seed）層の銅（Ｃｕ）」は、それぞれ本件特許発明１における、「下地金属層」及び「ベースフィルムの表面に」「下地金属層を介して成膜された銅薄膜層」に相当する。 ｃ 甲２発明における、「プラズマ処理後、物理気相蒸着法（ＰＶＤ）であるスパッタリング（sputtering）法を用いて導電層役のタイ（Tie）層Ｎｉ－Ｃｒと電極（Seed）層の銅（Ｃｕ）を蒸着する段階」の後に「硫酸銅水溶液に電解メッキ法を用いて銅（Ｃｕ）層をメッキする段階」「を含」むことと、本件特許発明１における、「銅薄膜層の表面に成膜された銅めっき被膜」「を備え、前記銅めっき被膜は、電解めっき初期の電流密度上昇期間における電流密度が、式（１）で求められる最低電流密度以上に設定された電解めっきにより成膜されたものである」こととは、「銅薄膜層の表面に成膜された銅めっき被膜」「を備え、前記銅めっき被膜は、電解めっき」により成膜されたものであることで共通する。 ｄ 甲２発明における「メッキ粒子サイズ及びエッチング性を用いたセミアディティブ用の軟性銅箔積層フィルム」は、本件特許発明１における「銅張積層板」に相当する。 ｅ そうすると、本件特許発明１と甲２発明とは、 「ベースフィルムと、前記ベースフィルムの表面に直接または下地金属層を介して成膜された銅薄膜層と、前記銅薄膜層の表面に成膜された銅めっき被膜と、を備え、前記銅めっき被膜は、電解めっきにより成膜されたものである銅張積層板。」 である点で一致し、次の点で相違する。 ＜相違点２－２＞ 本件特許発明１における「銅めっき被膜」は、「電解めっき初期の電流密度上昇期間における電流密度が、」「ｄは電解めっき中における前記銅薄膜層と前記銅めっき被膜とを合わせた厚さ［μｍ］、Ｊmin(ｄ)は厚さｄのときの最低電流密度［Ａ／ｄｍ2］である」場合に、「Ｊmin(ｄ)＝－３ｄ2＋７ｄ－０．２」で表される「式（１）で求められる最低電流密度以上に設定された電解めっきにより成膜されたものである」のに対し、甲２発明は、「硫酸銅水溶液に電解メッキ法を用いて銅（Ｃｕ）層をメッキする段階」において、「メッキ電流密度（ＡＳＤ）を０．２～４ＡＳＤに変更して銅を電流密度によって複数段階にわたって電気メッキし、前記メッキの仕上げ部分の印加電流密度を０．３～０．８ＡＳＤ」とするものの、上記の発明特定事項を備えるものであるのか不明である点。 （イ）相違点についての判断 上記相違点２－２について検討すると、上記相違点２－２は、上記イ（ア）ｆに示した相違点２－１と実質的に同じであるから、上記イ（イ）で検討したのと同様の理由により、甲２発明において、上記相違点２－２に係る発明特定事項を備えようとすることは、当業者が容易に想到し得たこととはいえない。 （ウ）小括 よって、本件特許発明１は、甲２に記載された発明及び技術常識に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 オ 本件特許発明２、３について 本件特許発明２、３は、本件特許発明１の発明特定事項を全て備えるものであるから、上記エ（イ）で検討したのと同様の理由により、甲２に記載された発明及び技術常識に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 カ 申立理由１－２についてのまとめ 以上のとおりであるから、申立理由１－２によっては、本件特許の請求項１～６に係る特許を取り消すことはできない。 （３）申立理由１－３について ア 甲３の記載事項及び甲３に記載された発明 （ア）甲３の記載事項 本願の出願前に公知となった甲３には、「 ［図：0001417661000014.jpg］ 」（翻訳：セミアディティブ用の軟性銅薄膜積層フィルム及びその製造方法）（発明の名称）に関して、以下の記載がある。 「 ［図：0001417661000015.jpg］ 」 （翻訳： 【請求項１】 ポリイミドフィルムと金属及びポリイミドフィルムとの接着力を確保するためにポリイミドフィルムを真空状態でプラズマ処理して表面化学的活性、表面クリーニング（Cleaning）、粗さを向上させる段階と、 前記プラズマ処理されたポリイミドフィルム上に物理気相蒸着法（ＰＶＤ）であるスパッタリング（sputtering）方式を用いて非導電性ポリイミドフィルム表面に導電層の役割をするタイ（Tie）層（Ｎｉ－Ｃｒ合金）を蒸着し、その上にシード（Seed）層（Ｃｕ）を蒸着する段階で構成され、 前記導電層が蒸着されたポリイミドフィルムに添加剤及び補正剤の濃度を一定量に保持したメッキ液を用いてメッキする段階を含み、 前記スパッタリング法で蒸着されるシード層は、その厚さが５００Å～１５００Åになるようにすることを特徴とするセミアディティブ用の軟性銅薄膜積層フィルムの製造方法。 【請求項２】 前記ポリイミドフィルムは、厚さが２４μｍ～３９μｍであることを特徴とする請求項１に記載のセミアディティブ用の軟性銅薄膜積層フィルムの製造方法。 【請求項３】 前記タイ層の組成比は、Ｎｉの含量が８０～９５％であり、その厚さは、２００Å～４５０Åにして製造することを特徴とする請求項１に記載のセミアディティブ用の軟性銅薄膜積層フィルムの製造方法。 【請求項４】 前記メッキは、電流密度を最小０．１Ａ／ｍ２から最大５．１Ａ／ｍ２の間の電流密度を使用して電解メッキを厚さ０．１５μｍ～４．９μｍに遂行することを特徴とする請求項１に記載のセミアディティブ用の軟性銅薄膜積層フィルムの製造方法。 【請求項５】 ポリイミドフィルムと金属及びポリイミドフィルムとの接着力を確保するためにポリイミドフィルムを真空状態でプラズマ処理して表面化学的活性、表面クリーニング（Cleaning）、粗さを向上させる段階；及び前記プラズマ処理されたポリイミドフィルム上に物理気相蒸着法（ＰＶＤ）であるスパッタリング（sputtering）方式を用いて非導電性ポリイミドフィルム表面に導電層の役割をするタイ（Tie）層（Ｎｉ－Ｃｒ合金）を蒸着し、その上にシード（Seed）層（Ｃｕ）を５００Å～１５００Åの厚さに蒸着する段階によって製造されたものであることを特徴とするピンホール発生最小化が可能なセミアディティブ用の軟性銅薄膜積層フィルム。） （イ）甲３に記載された発明 上記（ア）に摘記した請求項１、４の記載に基づくと、甲３には、次の発明が記載されていると認められる。 「ポリイミドフィルムと金属及びポリイミドフィルムとの接着力を確保するためにポリイミドフィルムを真空状態でプラズマ処理して表面化学的活性、表面クリーニング（Cleaning）、粗さを向上させる段階と、 前記プラズマ処理されたポリイミドフィルム上に物理気相蒸着法（ＰＶＤ）であるスパッタリング（sputtering）方式を用いて非導電性ポリイミドフィルム表面に導電層の役割をするタイ（Tie）層（Ｎｉ－Ｃｒ合金）を蒸着し、その上にシード（Seed）層（Ｃｕ）を蒸着する段階で構成され、 前記導電層が蒸着されたポリイミドフィルムに添加剤及び補正剤の濃度を一定量に保持したメッキ液を用いてメッキする段階を含み、 前記スパッタリング法で蒸着されるシード層は、その厚さが５００Å～１５００Åになるようにし、 前記メッキは、電流密度を最小０．１Ａ／ｍ２から最大５．１Ａ／ｍ２の間の電流密度を使用して電解メッキを厚さ０．１５μｍ～４．９μｍに遂行する、セミアディティブ用の軟性銅薄膜積層フィルムの製造方法によって製造されたものである、セミアディティブ用の軟性銅薄膜積層フィルム。」（以下、「甲３発明」という。） 「ポリイミドフィルムと金属及びポリイミドフィルムとの接着力を確保するためにポリイミドフィルムを真空状態でプラズマ処理して表面化学的活性、表面クリーニング（Cleaning）、粗さを向上させる段階と、 前記プラズマ処理されたポリイミドフィルム上に物理気相蒸着法（ＰＶＤ）であるスパッタリング（sputtering）方式を用いて非導電性ポリイミドフィルム表面に導電層の役割をするタイ（Tie）層（Ｎｉ－Ｃｒ合金）を蒸着し、その上にシード（Seed）層（Ｃｕ）を蒸着する段階で構成され、 前記導電層が蒸着されたポリイミドフィルムに添加剤及び補正剤の濃度を一定量に保持したメッキ液を用いてメッキする段階を含み、 前記スパッタリング法で蒸着されるシード層は、その厚さが５００Å～１５００Åになるようにし、 前記メッキは、電流密度を最小０．１Ａ／ｍ２から最大５．１Ａ／ｍ２の間の電流密度を使用して電解メッキを厚さ０．１５μｍ～４．９μｍに遂行する、セミアディティブ用の軟性銅薄膜積層フィルムの製造方法。」（以下、「甲３製法発明」という。） イ 本件特許発明４について （ア）対比 本件特許発明４と甲３製法発明とを対比する。 ａ 甲３製法発明における「ポリイミドフィルム」は、本件特許発明４における「ベースフィルム」に相当する。 ｂ 甲３製法発明における、「プラズマ処理されたポリイミドフィルム上に物理気相蒸着法（ＰＶＤ）であるスパッタリング（sputtering）方式を用いて非導電性ポリイミドフィルム表面に」「蒸着」される「導電層の役割をするタイ（Tie）層（Ｎｉ－Ｃｒ合金）」及び「その上に」「蒸着」される「厚さが５００Å～１５００Å」の「シード（Seed）層（Ｃｕ）」は、それぞれ本件特許発明４における、「下地金属層」及び「ベースフィルムの表面に」「下地金属層を介して成膜された銅薄膜層」に相当する。 ｃ 甲３製法発明における、「プラズマ処理されたポリイミドフィルム上に物理気相蒸着法（ＰＶＤ）であるスパッタリング（sputtering）方式を用いて非導電性ポリイミドフィルム表面に導電層の役割をするタイ（Tie）層（Ｎｉ－Ｃｒ合金）を蒸着し、その上に」「厚さが５００Å～１５００Å」の「シード（Seed）層（Ｃｕ）を蒸着」したものは、本件特許発明４における、「ベースフィルムと、」「銅薄膜層とを有する基材」に相当する。 ｄ 甲３製法発明における、「プラズマ処理されたポリイミドフィルム上に物理気相蒸着法（ＰＶＤ）であるスパッタリング（sputtering）方式を用いて非導電性ポリイミドフィルム表面に導電層の役割をするタイ（Tie）層（Ｎｉ－Ｃｒ合金）を蒸着し、その上にシード（Seed）層（Ｃｕ）を蒸着する段階」の後に「導電層が蒸着されたポリイミドフィルムに添加剤及び補正剤の濃度を一定量に保持したメッキ液を用いてメッキ」し、「前記メッキは、電流密度を最小０．１Ａ／ｍ２から最大５．１Ａ／ｍ２の間の電流密度を使用して電解メッキを厚さ０．１５μｍ～４．９μｍに遂行する」ことと、本件特許発明４における、「銅薄膜層の表面に銅めっき被膜を成膜」するにあたり、「電解めっき初期の電流密度上昇期間における電流密度を、式（１）で求められる最低電流密度以上に設定する」することとは、「銅薄膜層の表面に金属めっき被膜を成膜」するにあたり、「電解めっき」を行うことで共通する。 ここで、甲３製法発明が「セミアディティブ用の軟性銅薄膜積層フィルムの製造方法」であることを踏まえると、甲３製法発明における「メッキ」が「銅メッキ」であることは、技術常識に照らして明らかである。 ｅ 甲３製法発明における「セミアディティブ用の軟性銅薄膜積層フィルム」及び「セミアディティブ用の軟性銅薄膜積層フィルムの製造方法」は、本件特許発明４における「銅張積層板」及び「銅張積層板の製造方法」に相当する。 ｆ そうすると、本件特許発明４と甲３製法発明とは、 「ベースフィルムと、前記ベースフィルムの表面に直接または下地金属層を介して成膜された銅薄膜層とを有する基材を用い、前記銅薄膜層の表面に銅めっき被膜を成膜して銅張積層板を得るにあたり、電解めっきを行う銅張積層板の製造方法。」 である点で一致し、次の点で相違する。 ＜相違点３－１＞ 本件特許発明４は、「電解めっき初期の電流密度上昇期間における電流密度を、」「ｄは電解めっき中における前記銅薄膜層と前記銅めっき被膜とを合わせた厚さ［μｍ］、Ｊmin(ｄ)は厚さｄのときの最低電流密度［Ａ／ｄｍ2］である」場合に、「Ｊmin(ｄ)＝－３ｄ2＋７ｄ－０．２」で表される「式（１）で求められる最低電流密度以上に設定する」のに対し、甲３製法発明は、「最小０．１Ａ／ｍ２から最大５．１Ａ／ｍ２の間の電流密度を使用して電解メッキを」「遂行する」ものの、上記の発明特定事項を備えるものであるのか不明である点。 （イ）相違点についての判断 ａ 甲３製法発明において、「前記スパッタリング法で蒸着されるシード層は、その厚さが５００Å～１５００Åになるようにし、前記メッキは、電流密度を最小０．１Ａ／ｍ２から最大５．１Ａ／ｍ２の間の電流密度を使用して電解メッキを厚さ０．１５μｍ～４．９μｍに遂行」しているが、上記相違点３－１に係る「電解めっき初期の電流密度上昇期間」が甲３製法発明に存在するのか不明であるし、仮に存在するとしても、当該「電解めっき初期の電流密度上昇期間」を通しての電流密度並びにシード層及び電解メッキの合計厚さの履歴は不明であるから、甲３製法発明が上記相違点３－１に係る上記「式（１）」の条件を満たすものであるかは不明というほかない。 したがって、上記相違点３－１は、実質的な相違点であるといえる。 ｂ 次に、上記相違点３－１の容易想到性について検討すると、シード層及び電解メッキの合計厚さに応じて電流密度を制御することは、甲３に記載も示唆もされておらず、動機付けられるとはいえないため、甲３製法発明において、上記相違点３－１に係る発明特定事項を備えようとすることは、当業者が容易に想到し得たこととはいえない。 ｃ また、上記（２）イ（イ）ｂで検討したとおり、甲２製法発明において、電極（Seed）層及び銅メッキの合計厚さに応じて電流密度を制御することは、甲２に記載も示唆もされていないから、甲２に記載された事項を参酌しても、上記ｂの判断に変わりはない。 （ウ）小括 よって、本件特許発明４は、甲３に記載された発明及び甲２に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ウ 本件特許発明５、６について 本件特許発明５、６は、本件特許発明４の発明特定事項を全て備えるものであるから、上記イ（イ）で検討したのと同様の理由により、甲３に記載された発明及び甲２に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 エ 本件特許発明１について （ア）対比 本件特許発明１と甲３発明とを対比する。 ａ 甲３発明における「ポリイミドフィルム」は、本件特許発明１における「ベースフィルム」に相当する。 ｂ 甲３発明における、「プラズマ処理されたポリイミドフィルム上に物理気相蒸着法（ＰＶＤ）であるスパッタリング（sputtering）方式を用いて非導電性ポリイミドフィルム表面に」「蒸着」される「導電層の役割をするタイ（Tie）層（Ｎｉ－Ｃｒ合金）」及び「その上に」「蒸着」される「厚さが５００Å～１５００Å」の「シード（Seed）層（Ｃｕ）」は、それぞれ本件特許発明１における、「下地金属層」及び「ベースフィルムの表面に」「下地金属層を介して成膜された銅薄膜層」に相当する。 ｃ 甲３発明における、「プラズマ処理されたポリイミドフィルム上に物理気相蒸着法（ＰＶＤ）であるスパッタリング（sputtering）方式を用いて非導電性ポリイミドフィルム表面に導電層の役割をするタイ（Tie）層（Ｎｉ－Ｃｒ合金）を蒸着し、その上にシード（Seed）層（Ｃｕ）を蒸着する段階」の後の「導電層が蒸着されたポリイミドフィルムに添加剤及び補正剤の濃度を一定量に保持したメッキ液を用いてメッキする段階を含み、」「前記メッキは、電流密度を最小０．１Ａ／ｍ２から最大５．１Ａ／ｍ２の間の電流密度を使用して電解メッキを厚さ０．１５μｍ～４．９μｍに遂行する」ことと、本件特許発明１における、「銅薄膜層の表面に成膜された銅めっき被膜」「を備え、前記銅めっき被膜は、電解めっき初期の電流密度上昇期間における電流密度が、式（１）で求められる最低電流密度以上に設定された電解めっきにより成膜されたものである」こととは、「銅薄膜層の表面に成膜された金属めっき被膜」「を備え、前記銅めっき被膜は、」「電解めっきにより成膜されたものである」ことで共通する。 ここで、甲３発明が「セミアディティブ用の軟性銅薄膜積層フィルム」であることを踏まえると、甲３発明における「電解メッキ」が「電解銅メッキ」であることは、技術常識に照らして明らかである。 ｄ 甲３発明における「セミアディティブ用の軟性銅薄膜積層フィルム」は、本件特許発明１における「銅張積層板」に相当する。 ｅ そうすると、本件特許発明１と甲３発明とは、 「ベースフィルムと、前記ベースフィルムの表面に直接または下地金属層を介して成膜された銅薄膜層と、前記銅薄膜層の表面に成膜された銅めっき被膜と、を備え、前記銅めっき被膜は、電解めっきにより成膜されたものである銅張積層板。」 である点で一致し、次の点で相違する。 ＜相違点３－２＞ 本件特許発明１における「銅めっき被膜」は、「電解めっき初期の電流密度上昇期間における電流密度が、」「ｄは電解めっき中における前記銅薄膜層と前記銅めっき被膜とを合わせた厚さ［μｍ］、Ｊmin(ｄ)は厚さｄのときの最低電流密度［Ａ／ｄｍ2］である」場合に、「Ｊmin(ｄ)＝－３ｄ2＋７ｄ－０．２」で表される「式（１）で求められる最低電流密度以上に設定された電解めっきにより成膜されたものである」のに対し、甲３発明は、「最小０．１Ａ／ｍ２から最大５．１Ａ／ｍ２の間の電流密度を使用して電解メッキを」「遂行する」ものの、上記の発明特定事項を備えるものであるのか不明である点。 （イ）相違点についての判断 上記相違点３－２について検討すると、上記相違点３－２は、上記イ（ア）ｆに示した相違点３－１と実質的に同じであるから、上記イ（イ）で検討したのと同様の理由により、甲２に記載された事項を参酌しても、甲３発明において、上記相違点３－２に係る発明特定事項を備えようとすることは、当業者が容易に想到し得たこととはいえない。 （ウ）小括 よって、本件特許発明１は、甲３に記載された発明及び甲２に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 オ 本件特許発明２、３について 本件特許発明２、３は、本件特許発明１の発明特定事項を全て備えるものであるから、上記エ（イ）で検討したのと同様の理由により、甲３に記載された発明及び甲２に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 カ 申立理由１－３についてのまとめ 以上のとおりであるから、申立理由１－３によっては、本件特許の請求項１～６に係る特許を取り消すことはできない。 （４）小括 上記（１）カ、（２）カ、（３）カのとおりであるから、申立理由１によっては、本件特許の請求項１～６に係る特許を取り消すことはできない。 第５ むすび 以上のとおり、申立人による特許異議の申立ての理由によっては、本件特許の請求項１～６に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件特許の請求項１～６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。