2024-700343

特許第７３６２３７８号発明「キャリア及び半導体装置の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７３６２３７８号の請求項１～３に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７３６２３７８号の請求項１～３に係る特許（以下、「本件特許」という。）についての出願は、令和１年９月１２日に出願され、令和５年１０月６日にその特許権の設定登録がされ、令和５年１０月１７日に特許掲載公報が発行された。その後、その特許に対し、令和６年４月１５日に特許異議申立人 渡辺 陽子（以下、「申立人」という。）により、特許異議の申立てがされたものである。 第２ 本件発明 本件特許の請求項１～３に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」～「本件発明３」といい、まとめて「本件発明」ともいう。）は、その特許請求の範囲の請求項１～３に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 支持基板と、前記支持基板の上に設けられた剥離層と、前記剥離層の上に設けられた保護層と、を有し、前記支持基板は、中心を含む中央部と、前記中央部を囲む外周部と、を有し、前記剥離層は、前記中央部の上に設けられ、前記保護層は、前記剥離層の上に設けられた第１部分と、前記外周部の上に設けられ前記剥離層の外周端部を覆う第２部分と、を有するキャリアを準備する工程と、 前記第１部分の上に、半導体素子と前記半導体素子を覆う樹脂材とを有する樹脂プレートを形成する工程と、 前記剥離層の一部であって、前記樹脂プレートの外側に破断部を形成する工程と、 前記破断部を起点にして、前記支持基板と前記樹脂プレートとを分離する工程と、 を備えた、半導体装置の製造方法。 【請求項２】 前記分離する工程の後に行われ、前記樹脂プレートを切断して個片化する工程をさらに備えた、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 【請求項３】 前記破断部を形成する工程において、前記保護層から前記剥離層の途中まで延びる前記破断部を形成する、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。」 第３ 申立理由の概要 申立人は、証拠として甲第１号証～甲第８号証（以下、「甲１」～「甲８」という。）を提出し、以下の理由により、請求項１～３に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。 （１）申立理由１（甲１を主引用例とした新規性・進歩性） 本件発明１は、甲１に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである、又は、本件発明１～３は、甲１に記載された発明及び甲２、甲３、甲５及び甲８に記載された事項に基づいてその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 （２）申立理由２（甲４を主引用例とした新規性・進歩性） 本件発明１は、甲４に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである、又は、本件発明１～３は、甲４に記載された発明及び甲２、甲３、甲５～甲８に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 （３）申立理由３（新規事項） 令和５年５月２４日提出の手続補正書において、特許請求の範囲の請求項３を、「前記破断部を形成する工程において、前記保護層から前記剥離層の途中まで延びる前記破断部を形成する、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。」とする補正は、本件特許に係る願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「当初明細書等」という。）に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項の規定に違反してされたものである。 （４）申立理由４（サポート要件） 本件発明１～３は、本件特許に係る願書に添付した明細書（以下、「本件特許明細書」という。）の発明の詳細な説明に記載されたものではないから、請求項１～３に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 （５）申立理由５（明確性要件） 本件発明１～３は、明確でないから、請求項１～３に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 （６）申立理由６（実施可能要件） 本件特許明細書の発明の詳細な説明には、本件発明３について、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているとはいえないから、請求項３に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ［証拠方法］ 甲１：特開２０１７－２０８４５３号公報 甲２：特開２００６－２２２１６４号公報 甲３：特開２０１５－５６６６４号公報 甲４：特開２０１７－２２８７６５号公報 甲５：特開２０１９－１４９４７０号公報 甲６：特許第６４４７１３５号公報 甲７：特開平５－１４４９７４号公報 甲８：特開２００９－３０２４９７号公報 第４ 甲号証の記載、甲号証に記載された発明等 １ 甲１（特開２０１７－２０８４５３号公報） （１）甲１の記載 甲１には以下の記載がある（当審注：下線は当審が付与した。以下、同様である。）。 「【００１３】 〔実施形態１〕 図１は、本発明の一実施形態（実施形態１）に係る封止体の製造方法の各工程を説明する図である。実施形態１に係る封止体の製造方法は、分離層形成工程、分離層周縁部分除去工程、接着層形成工程、封止体形成工程、接着層除去工程、光照射工程、分離工程および除去工程をこの順に実施する。 【００１４】 （分離層形成工程） 図１の（ａ）に示すように、分離層形成工程では、光を透過する支持体１の一方の平面部１ａに、例えば、化学気相成長（ＣＶＤ）法等により、光を照射することで変質する分離層２を形成する。なお、「一方の平面部」とは、支持体１が有する平面部のうちの一つを指す。また、「平面部」は、実質的に平面と見なせる程度の微細な凹凸を有していてもよい。支持体１および分離層２の詳細ならびに分離層２の形成手順の詳細については後述する。 【００１５】 （分離層周縁部分除去工程） 図１の（ｂ）に示すように、分離層周縁部分除去工程では、例えば、ＥＢＲ（Edge Bead Removal）処理により、支持体１の周縁部分１ｂ全周に形成された分離層２を除去する。周縁部分１ｂは、平面部１ａの周縁部分である。これにより、図１の（ｂ）に示すように、平面部１ａ上には、分離層２が除去された周縁部分１ｂに囲まれた部分に、分離層２が形成されている状態となる。ＥＢＲ処理の詳細については後述する。 【００１６】 （接着層形成工程） 図１の（ｃ）に示すように、接着層形成工程では、支持体１における周縁部分１ｂ全周の分離層２を除去した側の面に、接着層３を形成する。接着層３は、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法により接着剤を塗布することによって形成することができる。これにより、分離層２を囲む周縁部分１ｂ、および、分離層２の上部に接着層３が形成されるため、分離層２が接着層３によって覆われている状態となる。これにより、分離層２を保護することができる。接着層３を形成するための接着剤の詳細については後述する。 【００１７】 （封止体形成工程） 図１の（ｄ）～（ｇ）に示すように、封止体形成工程では、接着層３上に、封止体７を形成する。本実施形態では、封止体形成工程では、配線層形成工程、実装工程、封止工程および薄化工程をこの順に行う。 【００１８】 図１の（ｄ）に示すように、配線層形成工程では、接着層３上に配線層４を形成する。 【００１９】 一実施形態において、配線層４の形成手順としては、まず、接着層３上に、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、感光性樹脂等の誘電体層を形成する。酸化シリコンからなる誘電体層は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法等により形成することができる。感光性樹脂からなる誘電体層は、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法により感光性樹脂を塗布することによって形成することができる。 【００２０】 続いて、誘電体層に、金属等の導電体によって配線を形成する。配線の形成手法としては、例えば、フォトリソグラフィー（レジストリソグラフィー）等のリソグラフィー処理、エッチング処理等の公知の半導体プロセス手法を用いることができる。 【００２１】 図１の（ｅ）に示すように、実装工程では、配線層４上に素子５を実装する。配線層４上への素子５の実装は、例えば、チップマウンター等を用いて行うことができる。 【００２２】 図１の（ｆ）に示すように、封止工程では、素子５を封止材６によって封止する。封止材６は、例えば、成形型を用いて射出成形してもよいし、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法により塗布してもよい。 【００２３】 図１の（ｇ）に示すように、薄化工程では、封止材６を薄化する。封止材６は、例えば、素子５と同等の厚さまで薄化してもよい。 【００２４】 以上により、支持体１上において、封止体７を首尾よく形成することができる。このとき、例えば、配線を形成するためのリソグラフィー処理、エッチング処理等において薬液が用いられ得る。分離層２には薬液耐性が不足していることが多いため、分離層２が薬液に触れると、分離層２が剥がれてしまうおそれがある。しかしながら、本実施形態によれば、分離層２が接着層３によって保護されているため、分離層２に薬液が接触することを避けることができる。また、接着層３によって分離層２を保護することにより、薬液以外からも分離層２を保護することができる。これにより、封止体形成工程中に、分離層２が剥がれることを防止することができる。さらに、接着層３によれば、例えば、配線層形成工程において、配線層４を構成するための酸化膜やメタル層等が、支持体１の端部付近に付着した場合であっても、接着層３を除去することで当該酸化膜やメタル層等を支持体１から容易に除去することが可能であり、特別な洗浄を必要とせず支持体１の再利用を可能とすることができる。 【００２５】 また、以上の工程によって得られた図１の（ｇ）に示す積層体８は、光を透過する支持体１と、光を照射することで変質する分離層２と、接着層３と、封止体７と、がこの順に積層されてなり、封止体７は、配線層４と、配線層４に実装された素子５と、素子５を封止する封止材６とを備えており、分離層２は、支持体１に接している部分以外が接着層３によって被覆されているものである。このような積層体８は、本発明に係る封止体の製造方法の過程においてのみ製造されるものであり、単離された封止体７を製造するために好適に利用することができる。 【００２６】 （接着層除去工程） 図１の（ｈ）に示すように、接着層除去工程では、例えば、ＥＢＲ処理により、支持体１の周縁部分１ｂ全周に形成された接着層３を除去する。ＥＢＲ処理の詳細については後述する。接着層３のうち、支持体１の周縁部分１ｂ全周に形成された部分は、分離層２を介さずに、支持体１と封止体７とを接着しているため、当該部分を除去しておくことにより、分離層２を変質させたときに、円滑に支持体１と封止体７とを分離することができる。 【００２７】 特に、支持体１上に形成されている分離層２の外周端部２ａよりも外側に形成された接着層３を除去しておくことにより、支持体１と封止体７とが、必ず分離層２を介して接着されている状態にすることができるため、分離層２を変質させたときに、より円滑に支持体１と封止体７とを分離することができる。 【００２８】 （光照射工程） 図１の（ｉ）に示すように、光照射工程では、支持体１を介して、分離層２に光Ｌを照射することで、分離層２を変質させる。照射する光Ｌの種類および波長は、支持体１の透過性および分離層２の材質に応じて適宜選択すればよく、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ－Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を用いることができる。これにより、分離層２を変質させて、支持体１と封止体７とを容易に分離可能な状態とすることができる。 【００２９】 また、レーザ光を照射する場合のレーザ光照射条件の一例としては、以下の条件を挙げることができるが、これに限定されない：レーザ光の平均出力値は、１．０Ｗ以上、５．０Ｗ以下であることが好ましく、３．０Ｗ以上、４．０Ｗ以下であることがより好ましい；レーザ光の繰り返し周波数は、２０ｋＨｚ以上、６０ｋＨｚ以下であることが好ましく、３０ｋＨｚ以上、５０ｋＨｚ以下であることがより好ましい；レーザ光の走査速度は、１００ｍｍ／ｓ以上、１００００ｍｍ／ｓ以下であることが好ましい。 【００３０】 （分離工程） 図１の（ｊ）に示すように、分離工程では、支持体１と封止体７とを分離する。例えば、支持体１と封止体７とが互いに離れる方向に力を加えることにより、支持体１と、封止体７とを分離する。例えば、支持体１および封止体７の一方をステージに固定した状態で、他方をベローズパッド等の吸着パッドを備えた分離プレートにより吸着保持しつつ持ち上げることにより、支持体１と封止体７とを分離することができる。 【００３１】 （除去工程） 図１の（ｋ）に示すように、除去工程では、支持体１が分離された封止体７に残留している接着層３と分離層２とを除去する。例えば、有機溶剤を含んでいる洗浄液等によって接着層３及び分離層２の残渣を除去する洗浄工程を行なう。洗浄液としては、例えば、後述する接着剤の希釈溶剤や、アルカリ性を示す溶剤（特に、アミン系化合物）等を用いることができるが、これに限定されない。 【００３２】 以上により、単離された封止体７を得ることができる。」 「【００３５】 〔ＥＢＲ処理〕 一実施形態において、（Ａ）分離層周縁部分除去工程において、支持体１の周縁部分１ｂ全周に形成された分離層２を除去するためのＥＢＲ処理、および、（Ｂ）接着層除去工程において、支持体１の周縁部分１ｂ全周に形成された接着層３を除去するためのＥＢＲ処理は、例えば、（ｉ）溶剤によって溶解して除去する方法、（ｉｉ）カッター又はブレードなどを用いて物理的に切断して除去する方法、（ｉｉｉ）大気圧下でのアッシングにより除去する方法などが挙げられる。この中でも、強度及び実用性の観点から、溶剤によって除去する方法が好ましい。」 「【００４３】 〔封止体７〕 上述したように、封止体７は、配線層４と、配線層４に実装されている素子５と、素子５を封止している封止材６とを備えている。一実施形態において、封止体７は複数の素子５を備えており、このような封止体７をダイシングすることにより、複数の電子部品を得ることができる。 【００４４】 素子５は、半導体素子またはその他の素子であり、単層または複数層の構造を有し得る。なお、素子５が半導体素子である場合、封止体７をダイシングすることにより得られる電子部品は、半導体装置となる。 ・・・ 【００４６】 封止材６としては、例えば、エポキシ系の樹脂、シリコン系の樹脂等を用いることができる。一実施形態において、封止材６は、素子５毎に設けられているものではなく、配線層４に実装された複数の素子５の全てを一体的に封止しているものである。 ・・・ 【００４８】 支持体１の材料としては、例えば、ガラス、シリコン、アクリル系樹脂等を用いることができるが、これらに限定されない。支持体１の形状としては、例えば、円形の板状のものを用いることができるが、これに限定されない。」 「【図１】 ［図：0001413371000001.jpg］ 」 （２）甲１の上記図１（ｆ）から、素子５及び封止材６は、分離層２及び接着層４の上に形成されることが見て取れる。 （３）甲１に記載された発明 上記（１）及び（２）から、甲１には、以下の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されていると認められる（当審注：括弧内は根拠となる甲１の段落番号である。）。 「分離層形成工程、分離層周縁部分除去工程、接着層形成工程、封止体形成工程、接着層除去工程、光照射工程、分離工程および除去工程をこの順に実施する封止体の製造方法であり、（【００１３】） 分離層形成工程では、光を透過する支持体１の一方の平面部１ａに、光を照射することで変質する分離層２を形成し、ここで、支持体１の形状としては、例えば、円形の板状のものを用いることができ、（【００１４】、【００４８】） 分離層周縁部分除去工程では、支持体１の周縁部分１ｂ全周に形成された分離層２を除去し、ここで、周縁部分１ｂは、平面部１ａの周縁部分であり、（【００１５】） 接着層形成工程では、支持体１における周縁部分１ｂ全周の分離層２を除去した側の面に、接着層３を形成して、分離層２を囲む周縁部分１ｂ、および、分離層２の上部に接着層３を形成することで、分離層２が接着層３によって覆われている状態とし、これにより、分離層２を保護することができ、（【００１６】） 封止体形成工程は、接着層３上に封止体７を形成するものであって、配線層形成工程、実装工程、封止工程および薄化工程をこの順に行うものであり、（【００１７】） 配線層形成工程では、接着層３上に配線層４を形成し、（【００１８】） 実装工程では、配線層４上に、半導体素子またはその他の素子である素子５を実装し、（【００２１】、【００４４】） 封止工程では、素子５を、例えば、エポキシ系の樹脂、シリコン系の樹脂等を用いることができる封止材６によって封止し、（【００２２】、【００４６】） 薄化工程では、封止材６を薄化し、（【００２３】） 素子５及び封止材６は、分離層２及び接着層４の上に形成されており、（上記（２）） 封止体７は、配線層４と、配線層４に実装されている素子５と、素子５を封止している封止材６とを備えており、（【００４３】） 接着層除去工程では、例えば、ＥＢＲ処理により、支持体１の周縁部分１ｂ全周に形成された接着層３を除去し、ここで、接着層除去工程におけるＥＢＲ処理は、例えば、（ｉ）溶剤によって溶解して除去する方法、（ｉｉ）カッター又はブレードなどを用いて物理的に切断して除去する方法、（ｉｉｉ）大気圧下でのアッシングにより除去する方法などが挙げられるものであり、（【００２６】、【００３５】） 接着層除去工程において、接着層３のうち、支持体１の周縁部分１ｂ全周に形成された部分は、分離層２を介さずに、支持体１と封止体７とを接着しているため、当該部分を除去しておくことにより、分離層２を変質させたときに、円滑に支持体１と封止体７とを分離することができ、特に、支持体１上に形成されている分離層２の外周端部２ａよりも外側に形成された接着層３を除去しておくことにより、支持体１と封止体７とが、必ず分離層２を介して接着されている状態にすることができるため、分離層２を変質させたときに、より円滑に支持体１と封止体７とを分離することができ、（【００２６】、【００２７】） 光照射工程では、支持体１を介して、分離層２に光Ｌを照射することで、分離層２を変質させて、支持体１と封止体７とを容易に分離可能な状態にすることができ、（【００２８】） 分離工程では、支持体１と封止体７とを分離し、（【００３０】） 除去工程では、支持体１が分離された封止体７に残留している接着層３と分離層２とを除去し、（【００３１】） 以上により、単離された封止体７を得る、（【００３２】） 封止体の製造方法。」 ２ 甲２（特開２００６－２２２１６４号公報） （１）甲２の記載 甲２には以下の記載がある。 「【００２０】 絶縁層２３は、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の電気的絶縁性を有する樹脂材からなり、厚さ４０～１００μｍに形成される。一例として、厚さ８０μｍに形成する。 この絶縁層２３は、半導体装置１０の基材として機能し、また、半導体素子３０を封止する封止層として機能する。絶縁層２３は、配線２４が形成される一方の面２３ａと、その反対面となる他方の面２３ｂを有する。 半導体素子３０は、電子回路や電極３１が形成された能動面３０ａが絶縁層２３の一方の面２３ａ方向を向くよう、能働面３０ａと側面３０ｃの全周囲が絶縁層２３に被覆され、背面３０ｂが絶縁層２３の他方の面２３ｂ表面と略同一平面となるよう絶縁層２３に埋め込まれている。」 「【００２９】 この支持体４０の一方の面４０ａに、分離層としての金属層２１を形成する。 金属層２１には、シリコンとの密着性の低いクロムや銅を用い、スパッタや蒸着により、３００～５０００Åの厚さに形成する。 一例として、スパッタにより５００Åの厚さに形成する。 なお、金属層２１の強度確保のため、スパッタによる膜を形成後、さらにクロムや銅のめっきを施し、金属層２１の厚さを１～２μｍとしても良い。めっきを施す場合、一例として金属層２１全体の厚さを、 １μｍとする。 【００３０】 なお、支持体４０としては、シリコン基板の替わりに、ガラス基板（ガラスウェハ）を使用しても良い。ガラス基板を使用する場合も、金属層２１としては、シリコン基板の場合と同様に、クロムや銅を用いる。金属層２１の形成方法もシリコン基板の場合と同様である。 次いで、図５（ｂ）に示すように、金属層２１上に接着剤２２を層状に形成する。接着剤２２としてはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂を用い、これら樹脂を塗布したり、これら樹脂のフィルムを貼着して形成する。 ・・・ 【００３２】 次いで、図５（ｃ）に示すように、接着剤２２上に半導体素子３０を搭載し、加熱により接着剤２２を硬化して固定する。この半導体素子３０としては、図４に示した電極３１を有する構造のものを用いる。 次いで、図５（ｄ）に示すように、接着剤２２上面及び半導体素子３０を被覆するよう、絶縁層２３を形成する。絶縁層２３としては、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂を用い、これら樹脂を塗布したり、これら樹脂のフィルムを貼着して形成する。絶縁層２３は、少なくとも半導体素子２３の能働面３０ａが被覆される厚さに形成すれば良いが、好適には、電極３１を含め、半導体素子３０全体が絶縁層２３内に埋設されるように形成する。 【００３３】 この際、絶縁層２３に、支持体４０の側面４０ｃ、金属層２１の側面（端面）２１ｃ、接着剤２２の側面（端面）２２ｃを被覆する被覆部２３ｃを設けると好適である。元々、支持体４０と金属層２１には、相互の密着性が低いものを用いる。また、支持体４０と金属層２１との剥離は、相互の積層界面の周縁部分から発生する。 よって、製造工程中に何らかの外力が支持体４０の側面４０ｃ等に加わると、意図せぬ時点で支持体４０と金属層２１との剥離が生じる場合がある。 この為、少なくとも支持体４０の側面４０ｃと金属層２１の側面２１ｃとを絶縁層２３の被覆部２３ｃで被覆・保護すると、不意の剥離を防止でき好適である。また、被覆部２３ｃの存在による、支持体４０と金属層２１との密着性向上によっても不意の剥離を防止できる。 被覆部２３ｃは、支持体４０の側面４０ｃに廻りこむよう樹脂を塗布または樹脂フィルムを貼着することにより、絶縁層２３形成時に同時に形成できる。なお、被覆部２３ｃの形成は必須ではない。被覆部２３ｃを形成しなくとも、本実施形態の製造方法は実施可能である。 【００３４】 次いで、図６（ａ）に示すように、絶縁層２３の表面を研磨して、絶縁層２３の一方の面２３ａの表面に、半導体素子３０の電極３１の端面３１ａを露出させる。具体的には、絶縁層２３の一方の面２３ａと電極３１の端面３１ａが略同一平面となるよう形成する。 一例として、研磨により、絶縁層２３の厚さは、７０μｍとなる。このように、本実施形態では絶縁層２３に研磨を施し、絶縁層２３を薄型化するため、より半導体装置１０の小型化を図れる。なお、研磨の際は、電極端子３１の端面３１ａが絶縁層２３と共に削られても良い。 【００３５】 次いで、図６（ｂ）に示すように、絶縁層２３の一方の面２３ａ表面に、半導体素子３０の電極３１の端面３１ａに接続するよう、配線２４を形成する。 配線２４は、銅からなり、アディティブ法やセミアディティブ法等、各種方法により、配線幅２０～３０μｍに形成する。一例として、２０μｍに形成する。 なお、この配線２４は、半導体素子３０内蔵部周囲や直上の絶縁層２３の一方の面２３ａ上に、自由に引き回すことができる。 よって、任意の場所にパッド２４ａを位置させることができる。 これにより、例えば、パッド２４ａを格子状に設けることができ、外部接続端子としてのはんだバンプ２６を高密度に多数設けることができる。よって、半導体装置１０の多端子化と小型化及び外部接続端子位置の標準化に好適に対応できる。 【００３６】 次いで、図６（ｃ）に示すように、絶縁層２３の一方の面２３ａ上にソルダレジスト２５を形成する。 ソルダレジスト２５は、絶縁層２３の一方の面２３ａと配線２４を被覆するよう形成する。 ソルダレジスト２５は、例えば、感光性のエポキシアクリル系の樹脂からなり、厚さ２０～４０μｍに形成する。 一例として、厚さ３０μｍに形成する。 また、直径２５０μｍ程度の開口部２５ａを形成し配線２４のパッド２４ａを露出する。 なお、開口部２５ａ形成後、配線２４のパッド２４ａに、はんだバンプ２６との濡れ性向上のため、ニッケルめっきと金めっきをこの順に施し、ニッケル層と金層を形成する（図示せず）。これにより、半導体装置１０の中間体１１が得られる。 【００３７】 次いで、図７（ａ）に示すように、絶縁層２３の被覆部２３ｃを除去する。 具体的には、破線で示す分離線Ｃ－Ｃで、中間体１１の周縁部１１ａ（支持体４０、金属層２１、接着剤２２、絶縁層２３、ソルダレジスト２５の周縁部）を切断し、被覆部２３ｃを除去する。 これにより、図７（ｂ）に示すように、支持体４０、金属層２１、接着剤２２、絶縁層２３、ソルダレジスト２５に、外部に露出する新たな側面４０ｃ´、２１ｃ´２２ｃ´、２３ｃ´、２５ｃ´が形成される。 ・・・ 【００３９】 次いで、図７（ｃ）に示すように、中間体１１から支持体４０を除去する。具体的には、図中矢印で示す方向に、支持体４０の側面４０ｃ´に物理的な外力を加えることにより、分離層である金属層２１と支持体４０の界面から支持体４０を剥離し、分離・除去する。 支持体４０と金属層２１の材料には密着性の低い組み合わせを用いるため、ごく小さな力により簡単に剥離が行える。この際、カッター等を金属層２１と支持体４０の界面に差し込むと、剥離のきっかけができ、より容易に剥離が行える。支持体４０の除去を容易に行えることにより、本実施形態の半導体装置１０は薄型化が可能となる。」 「【００６３】 次いで、図２３（ｃ）に示すように、支持体４０と接着剤２２の接着部分である、支持体４０と接着剤２２の周縁部４０ｄ、２２ａを除去する。具体的には、破線で示す分離線Ｃ－Ｃで、中間体１１の周縁部１１ａ（支持体４０、フィルム体１１１、接着剤２２、絶縁層２３、ソルダレジスト２５の周縁部）を切断し除去する。これにより、支持体４０と接着剤２２の接着部分が除去される。 なお、切断は、少なくともフィルム体１１１、接着剤２２、絶縁層２３、ソルダレジスト２５の周縁部に施せば良い。支持体４０の切断は必須では無い。」 「【図７】 ［図：0001413371000002.jpg］ 」 「【図２３】 ［図：0001413371000003.jpg］ 」 ３ 甲３（特開２０１５－５６６６４号公報） （１）甲３の記載 甲３には以下の記載がある。 「【００３７】 図２に示すように、本実施形態に係る表示パネルの製造方法では、まず、支持基板５００を準備し、かかる支持基板５００上に離型層１０を形成する（Ｓ１００）。 ・・・ 【００４６】 次に、図３に示すように、離型層１０の上に薄膜基板１００を配設させる。 この際、薄膜基板１００は、離型層１０及び支持基板５００と接触するように形成することが好ましい。このように、離型層１０及び支持基板５００と接触するように薄膜基板１００を形成することで、支持基板５００と薄膜基板１００との接着力が、離型層１０と薄膜基板１００との接着力よりも強くなり、工程中に薄膜基板が分離しないようにすることができる。 ・・・ 【００５４】 次の図４に示すように、薄膜基板１００上に複数の画素１２０を形成する。 画素１２０は、図８のように薄膜基板１００上に形成されており、行列をなしてアレイ（ａｒｒａｙ）状に複数配置される。 ・・・ 【００５７】 画素１２０は、第１信号線１２１及び第２信号線１７１から信号の伝達を受けて映像を表示するための薄膜トランジスタ及び有機発光素子を含む。」 「【０１２６】 再び、図１及び図４に示すように、画素上に封止部材１３０を形成する。図４では、説明の便宜上、画素１２０を含む有機発光表示パネルを一つの層に概略化して示した。 【０１２７】 封止部材１３０は、複数の層からなり、無機膜及び有機膜の少なくともいずれか一つを含んでもよく、交互に繰り返し積層されてもよい。無機膜は、アルミニウム酸化物又はシリコーン酸化物を含んでもよく、有機膜は、エポキシ系高分子、アクリレート系高分子、ウレタンアクリレート系高分子などを含んでもよい。 ・・・ 【０１２９】 封止部材１３０は、画素１２０を覆って有機発光素子が外部に露出しないようにする。 画素１２０を含む有機発光基板と薄膜基板１００との間には、バリア膜（図示せず）が位置してもよい。バリア膜は、外部から水分や酸素のような不要な成分が画素１２０に流入することを遮断する。バリア膜は、有機膜及び無機膜の少なくともいずれか一つを含んでもよく、交互に繰り返し積層されたものであってもよい。 【０１３０】 以後、図５に示すように、レーザ又はホイールスクライビング（ｗｈｅｅｌ ｓｃｒｉｂｉｎｇ）工程を利用して、封止部材及び薄膜基板を切断した後、支持基板５００から薄膜基板１００を含む表示パネル３００を分離する。一方、図８のように、薄膜基板上に複数の離型層を形成する場合、複数の表示パネルに分離される。」 「【図５】 ［図：0001413371000004.jpg］ 」 ４ 甲４（特開２０１７－２２８７６５号公報） （１）甲４の記載 甲４には以下の記載がある。 「【００２７】 （配線基板形成用基板の構成） まず、図１により、本実施の形態による配線基板形成用基板の概略について説明する。 図１は、本実施の形態による配線基板形成用基板を示す断面図である。 【００２８】 図１に示す配線基板形成用基板１０は、後述する配線基板２０（図２参照）を形成するためのものである。この配線基板形成用基板１０は、支持基材１１と、支持基材１１上に積層された密着層１２と、密着層１２上に積層された遮蔽層（保護層）１３とを備えている。 【００２９】 このうち支持基材１１は、配線基板形成用基板１０の全体を支持するものであり、平坦な板状の部材からなる。支持基材１１の材質は、密着層１２をレーザー光によって構造改質する場合には、レーザー光が透過可能な材料を用い、例えば、石英ガラス、アルミノホウ珪酸系ガラス、ソーダ石灰ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等のガラス類の他、サファイアや窒化ガリウム、更にはポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル、ポリプロピレン等の樹脂、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。支持基材１１の厚みは、材質の強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、２００μｍ以上１０ｍｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。 ・・・ 【００４３】 本実施の形態において、図１に示すように、密着層１２の周縁部１２ｅは、支持基材１１の周縁部１１ｅよりも内側に引っ込んでいる。すなわち、密着層１２の平面形状は、全周にわたって支持基材１１の平面形状よりも小さくなっている。密着層１２の周縁部１２ｅが支持基材１１の周縁部１１ｅよりもオフセットしている距離ｄは、例えば１０μｍ以上１０ｍｍ以下としても良い。遮蔽層１３は、密着層１２の表面１２ａから、密着層１２の側面１２ｂを介して、密着層１２に覆われていない支持基材１１の表面１１ａまで、連続的に延びている。したがって、遮蔽層１３は、密着層１２の表面１２ａだけでなく密着層１２の側面１２ｂも覆っている。これにより、遮蔽層１３上に再配線層３０を形成する工程において、密着層１２が、その側面１２ｂから有機溶剤や酸性又はアルカリ性溶液などが浸入することによってダメージを受けるおそれがなく、密着層１２が有機溶剤等の侵食によって剥がれる等の不具合を防止することができる。 【００４４】 （配線基板の構成） 次に、図２により、本実施の形態による配線基板の概略について説明する。図２は、本実施の形態による配線基板を示す断面図である。 【００４５】 図２に示す配線基板２０は、上述した配線基板形成用基板１０と、配線基板形成用基板１０上に形成された再配線層３０とを備えている。 【００４６】 このうち配線基板形成用基板１０は、図１に示す構成と略同様であるので、ここでは詳細な説明を省略する。 【００４７】 再配線層３０は、遮蔽層１３上に形成されたパターン構造体３１と、パターン構造体３１に埋設された配線層３２とを有している。また、パターン構造体３１内であって、遮蔽層１３上には接続導体層３７が形成されている。この接続導体層３７は、配線層３２と同一材料から構成され、配線層３２に接続されている。 【００４８】 パターン構造体３１は、ノボラック系エポキシフェノール系樹脂からなる硬化性樹脂を含み、この硬化性樹脂は、一般に主剤、構造中にアンチモンを含むような光酸発生剤またはフェノールやフェノール系エステル、シアネート系エステルの硬化剤、開始剤、架橋剤などにより構成される（具体的には、日本化薬株式会社製 ＳＵ－８シリーズなどが挙げられる）。また、硬化性樹脂には、必要に応じてレベリング剤や離型剤や密着剤が含有されていても良い。本実施の形態で使用する硬化性樹脂には特に制限はなく、公知の硬化性樹脂からパターン構造体３１の用途、要求される特性、物性等に応じて適宜選択することができる。パターン構造体３１の厚みは、例えば、３μｍ以上５０μｍ以下程度が好ましい。図２において、パターン構造体３１は、密着層１２の側面１２ｂには設けられていないが、これに限らず、パターン構造体３１が密着層１２の側面１２ｂを覆っていても良い。」 「【００５１】 （配線基板形成用基板の製造方法） 次に、図３（ａ）－（ｄ）により、本実施の形態による配線基板形成用基板の製造方法について説明する。図３（ａ）－（ｄ）は、本実施の形態による配線基板形成用基板の製造方法を示す断面図である。 【００５２】 まず、図３（ａ）に示すように、平坦な板状の部材からなる支持基材１１を準備する。この支持基材１１としては、例えば、石英ガラス、アルミノホウ珪酸系ガラス、ソーダ石灰ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等のガラス類の他、サファイアや窒化ガリウム、更にはポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル、ポリプロピレン等の樹脂、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。 【００５３】 次に、図３（ｂ）に示すように、支持基材１１上に第１密着層１２Ａを直接積層して形成する。第１密着層１２Ａの材料としては、改質されることにより密着力が低下または消失するものが用いられる。例えば、第１密着層１２Ａの材料は、エキシマレーザーなどの特定波長（例えば波長３０８ｎｍ）を吸収するような特性を有するアモルファスシリコンや剥離材料などの材料を用いることができる。 【００５４】 次に、図３（ｃ）に示すように、第１密着層１２Ａ上に第２密着層１２Ｂを直接積層して形成する。第２密着層１２Ｂの材料としては、第１密着層１２Ａの改質後も密着力が保持するものが用いられる。例えば、第２密着層１２Ｂの材料は、シリコーン系接着剤であっても良い。例えば、第２密着層１２Ｂの材料は、アクリル系有機溶剤に溶解する接着剤であっても良く、専用の溶解除去液によって除去が可能なものなどが用いられる。 【００５５】 このようにして、支持基材１１上に、第１密着層１２Ａと第２密着層１２Ｂとからなる密着層１２が形成される。なお、第１密着層１２Ａ及び第２密着層１２Ｂを形成する際、第１密着層１２Ａ及び第２密着層１２Ｂは、その周縁部１２ｅが支持基材１１の周縁部１１ｅよりも内側に引っ込むように形成されることが好ましい（図１参照）。 ・・・ 【００５７】 続いて、図３（ｄ）に示すように、第２密着層１２Ｂ上に遮蔽層１３を積層する。遮蔽層１３は、後工程で配線基板形成用基板１０上に形成される再配線層３０を保護するためのものである。遮蔽層１３の材料としては、レーザー光の反射性や密着層１２側からのガスの遮蔽性が良好なものが用いられる。具体的には、遮蔽層１３の材料は、例えばクロム、モリブデン、チタン、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、パラジウム、タングステン、ベリリウム、ロジウム、ルテニウムのいずれか又はこれらのうち少なくとも１つを含む合金等の金属材料であっても良い。遮蔽層１３は、密着層１２上にスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の手法により形成される。このため、薄膜状の遮蔽層１３を均一かつ平坦に形成することができる。なお、遮蔽層１３を形成する際、遮蔽層１３は、密着層１２の表面１２ａに加えて、密着層１２の側面１２ｂも覆うように設けられることが好ましい（図１参照）。 【００５８】 このようにして、図１に示す配線基板形成用基板１０が得られる。 【００５９】 （配線基板の製造方法） 次に、図４（ａ）－（ｂ）により、本実施の形態による配線基板の製造方法について説明する。図４（ａ）－（ｂ）は、本実施の形態による配線基板の製造方法を示す断面図である。 【００６０】 まず、例えば図３（ａ）－（ｄ）に示す方法により、配線基板形成用基板１０を作製する（図４（ａ））。 【００６１】 次に、配線基板形成用基板１０上に再配線層３０を形成する（図４（ｂ））。再配線層３０は、遮蔽層１３上に形成されたパターン構造体３１と、パターン構造体３１に埋設された配線層３２とを有している。この場合、再配線層３０は、配線基板形成用基板１０上に形成された２層構造からなる多層配線構造体３６を含んでいる。再配線層３０は、例えばインプリント法によって形成される。このようにして、配線基板形成用基板１０と、配線基板形成用基板１０上に形成された多層配線構造体３６を含む再配線層３０とを備えた配線基板２０が得られる。」 「【００７９】 （半導体装置の製造方法） 次に、図９（ａ）－（ｄ）により、本実施の形態による半導体装置の製造方法について説明する。図９（ａ）－（ｄ）は、本実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図である。 【００８０】 まず、例えば図３乃至図８に示す方法により、配線基板形成用基板１０と、配線基板形成用基板１０上に形成された再配線層３０とを備えた配線基板２０を作製する。 【００８１】 次に、図９（ａ）に示すように、配線基板２０の再配線層３０上に半導体素子７１を設け、その後、半導体素子７１を封止樹脂７２によって封止する。半導体素子７１としては、従来一般に用いられている各種半導体素子を使用することが可能であり、特に限定されないが、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等を用いることができる。半導体素子７１は、１個に限らず、複数個設けても良い。また、封止樹脂７２としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等にフェノールなどの硬化剤を加えた熱硬化性樹脂、あるいはＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。封止樹脂７２の線膨張係数を半導体素子７１に近付ける目的で粒子フィラー（ＳｉＯ２等）等を添加しても良い。また、封止樹脂７２の成型充填性を良化させる目的で小径フィラーの添加が適しており、平均粒子径がφ０．１μｍ～φ５０μｍ好ましくはφ１０μｍ以下のものを選択すると良い（具体的には、長瀬ケムテックス株式会社製 圧縮成型用液状材料 Ｔ６９３／Ｒ４０００ｓｅｒｉｅｓなど）。 【００８２】 続いて、図９（ｂ）に示すように、支持基材１１及び密着層１２を再配線層３０及び遮蔽層１３から剥離する。このとき、支持基材１１側からエキシマレーザー（波長２４８ｎｍまたは３０８ｎｍ）やＹＡＧレーザー等のレーザー光Ｌを照射することにより、レーザー光Ｌが透明な支持基材１１を透過して密着層１２に到達する。上述したように、密着層１２のうち第１密着層１２Ａは、改質されることにより密着力が低下又は消失する。このため、レーザー光Ｌによって改質されることにより、第１密着層１２Ａの密着力が低下又は消失し、第１密着層１２Ａは、第２密着層１２Ｂ、再配線層３０及び遮蔽層１３から剥離する。これに対して、第２密着層１２Ｂは密着力を保持し、遮蔽層１３を介して再配線層３０に接着されている。なお、第１密着層１２Ａを改質するとは、レーザー光Ｌの照射や加熱等の外的エネルギーを付与することにより、第１密着層１２Ａが機械的に破壊される場合や、第１密着層１２Ａに分子構造の変化が生じる場合を含む。具体的には、第１密着層１２Ａが光や熱によって硬化して寸法が縮むことにより、第１密着層１２Ａの密着力が低下したり、あるいは第１密着層１２Ａの表面の官能基が破壊されることにより、第１密着層１２Ａの密着力が低下したりする場合を含む。 【００８３】 一方、密着層１２の面のうち支持基材１１の反対側の面には、遮蔽層１３が設けられている。このため、密着層１２を透過したレーザー光Ｌは、遮蔽層１３によって反射されて、支持基材１１側に戻される。したがって、レーザー光Ｌが再配線層３０まで達することがなく、密着層１２を透過したレーザー光Ｌが再配線層３０に悪影響を及ぼすことはない。なお、遮蔽層１３は、再配線層３０に密着した状態を維持する。 【００８４】 なお、上記において、レーザー光Ｌによって密着層１２を改質しているが、これに限られるものではない。例えば、ホットプレート又は焼成炉等の加熱装置を用いて密着層１２を加熱することにより改質し、支持基材１１及び密着層１２を再配線層３０及び遮蔽層１３から剥離しても良い。この場合、遮蔽層１３が、加熱時に密着層１２側から生じたガスを遮蔽するので、再配線層３０の配線層３２等に成分溶出・熱拡散等の不具合が生じることが防止される。 【００８５】 次いで、図９（ｃ）に示すように、遮蔽層１３上の密着層１２Ａの残渣及び１２Ｂを溶解除去液によって除去し、その後例えばフラッシュエッチング等の選択エッチング法により、再配線層３０から遮蔽層１３を除去する。 【００８６】 次に、図９（ｄ）に示すように、再配線層３０から露出する配線層３２上にニッケル層７３、金層７４を順次設けるとともに、このニッケル層７３、金層７４を露出するようにソルダーレジスト７５を配設する。その後、各金層７４上にそれぞれはんだボール７６を設けることにより、半導体装置７０が得られる。 【００８７】 以上説明したように、本実施の形態によれば、配線基板形成用基板１０は、支持基材１１と、支持基材１１上に積層された密着層１２と、密着層１２上に積層された遮蔽層１３を有している。これにより、半導体装置７０の製造工程において、密着層１２をレーザー光によって加熱する際、レーザー光から再配線層３０を保護することができる。あるいは、半導体装置７０の製造工程において、密着層１２を加熱した際、密着層１２側からのガスを遮蔽し、再配線層３０を保護することができる。」 「【図２】 ［図：0001413371000005.jpg］ 」 （２）甲４の上記図２から、再配線層３０は、遮蔽層１３のうち、密着層１２の表面１２ａ上に形成された部分の上に形成されていることがみてとれる。 （３）甲４に記載された発明 上記（１）～（２）から、甲４には、以下の発明（以下、「甲４発明」という。）が記載されていると認められる（当審注：括弧内は根拠となる甲４の段落番号である。）。 「支持基材１１を準備し、ここで、支持基材１１は、配線基板形成用基板１０の全体を支持する平坦な板状の部材からなり、（【００２９】、【００５２】） 支持基材１１上に第１密着層１２Ａを直接積層して形成し、第１密着層１２Ａ上に第２密着層１２Ｂを直接積層して形成して、第１密着層１２Ａと第２密着層１２Ｂとからなる密着層１２を形成し、ここで、密着層１２の周縁部１２ｅは、支持基材１１の周縁部１１ｅよりも内側に引っ込んでいる、すなわち、密着層１２の平面形状は、全周にわたって支持基材１１の平面形状よりも小さくなっており、（【００４３】、【００５３】～【００５５】） さらに、第２密着層１２Ｂ上に遮蔽層１３を積層し、ここで、遮蔽層１３は、密着層１２の表面１２ａから、密着層１２の側面１２ｂを介して、密着層１２に覆われていない支持基材１１の表面１１ａまで、連続的に延びており、（【００４３】、【００５７】） 支持基材１１と、支持基材１１上に積層された密着層１２と、密着層１２上に積層された遮蔽層（保護層）１３とを備えた配線基板形成用基板１０を得て、（【００２８】、【００５８】） 配線基板形成用基板１０上に再配線層３０を形成し、ここで、再配線層３０は、遮蔽層１３上に形成されたパターン構造体３１と、パターン構造体３１に埋設された配線層３２とを有し、遮蔽層１３のうち、密着層１２の表面１２ａ上に形成された部分の上に形成されており、（【００６１】、上記（２）） 再配線層３０上に半導体素子７１を設け、その後、半導体素子７１を封止樹脂７２によって封止し、（【００８１】） 支持基材１１及び密着層１２を再配線層３０及び遮蔽層１３から剥離し、このとき、支持基材１１側からレーザー光Ｌを照射することにより、レーザー光Ｌが透明な支持基材１１を透過して密着層１２に到達させて、密着層１２のうち第１密着層１２Ａは、改質されることにより密着力が低下又は消失し、第１密着層１２Ａは、第２密着層１２Ｂ、再配線層３０及び遮蔽層１３から剥離し、ここで、第１密着層１２Ａを改質するとは、レーザー光Ｌの照射や加熱等の外的エネルギーを付与することにより、第１密着層１２Ａが機械的に破壊される場合や、第１密着層１２Ａに分子構造の変化が生じる場合を含み、具体的には、第１密着層１２Ａが光や熱によって硬化して寸法が縮むことにより、第１密着層１２Ａの密着力が低下したり、あるいは第１密着層１２Ａの表面の官能基が破壊されることにより、第１密着層１２Ａの密着力が低下したりする場合を含み、（【００８２】） 遮蔽層１３上の密着層１２Ａの残渣及び１２Ｂを溶解除去液によって除去し、その後、再配線層３０から遮蔽層１３を除去し、（【００８５】） 再配線層３０から露出する配線層３２上にニッケル層７３、金層７４を順次設けるとともに、このニッケル層７３、金層７４を露出するようにソルダーレジスト７５を配設し、その後、各金層７４上にそれぞれはんだボール７６を設けることにより、半導体装置７０を得る、（【００８６】） 半導体装置の製造方法。」 ５ 甲５（特開２０１９－１４９４７０号公報） （１）甲５の記載 甲５には以下の記載がある。 「【００２０】 支持板３の第１面３ａ側には、剥離層（仮接着層）５を介して基板（封止基板）７が設けられている。剥離層５は、例えば、金属膜や絶縁体膜等を重ねることによって第１面３ａの概ね全体に設けられ、支持板３と基板７とを接着する機能を持つ。また、剥離層５は、接着剤として機能する樹脂膜等によって構成されることもある。」 「【００２２】 基板７は、例えば、パッケージパネルやパッケージウェーハ等とも呼ばれ、剥離層５に接する配線層（ＲＤＬ）（不図示）と、配線層に接合された複数のデバイスチップ９と、各デバイスチップを封止する封止材（モールド樹脂層）１１とを含む。この基板７は、平面視で支持板３と概ね同じ大きさ、形状に構成される。基板７の厚みは、例えば、１．５ｍｍ以下、代表的には、０．６ｍｍである。」 「【００２９】 第１保持工程では、図１（Ｂ）に示すように、例えば、基板７の第１面７ａをチャックテーブル４の保持面８ａに接触させる。そして、バルブ１０を開いて、吸引源１２の負圧 を保持面８ａに作用させる。これにより、複合基板１の基板７側がチャックテーブル４に吸引、保持される。すなわち、支持板３の第２面３ｂ側は露出した状態となる。 【００３０】 第１保持工程の後には、剥離層５の端部に流体を吹き付け、基板７を支持板３から剥離する際の起点（きっかけ）となる起点領域を形成する起点領域形成工程を行う。図２（Ａ）は、起点領域形成工程について示す一部断面側面図である。なお、図２（Ａ）でも、一部の構成要素を機能ブロックで示している。 【００３１】 起点領域形成工程は、引き続き剥離装置２を用いて行われる。図２（Ａ）に示すように、チャックテーブル４の上方には、流体を噴射するためのノズル１４が配置されている。このノズル１４は、例えば、移動機構（不図示）によって支持されており、保持面８ａに対して概ね垂直な方向と、保持面８ａに対して概ね平行な方向とに移動する。 【００３２】 起点領域形成工程では、例えば、複合基板１を保持したチャックテーブル４を回転させて、ノズル１４の噴射口を剥離層５の端部（すなわち、支持板３や基板７の端部）へと向ける。また、チャックテーブル４とノズル１４とを相対的に移動させて、複合基板１とノズル１４との距離を調整する。 【００３３】 その後、ノズル１４の噴射口から剥離層５の端部へと向けて流体を噴射しながら、このノズル１４が剥離層５の端部に沿って移動するようにチャックテーブル４とノズル１４とを相対的に移動させる。これにより、剥離の際の起点となる起点領域を剥離層５の端部に沿って形成できる。 【００３４】 この起点領域は、複合基板１の全周（すなわち、剥離層５の端部の全体）に形成されることが望ましい。これにより、基板７を支持板３から適切に剥離できるようになる。ただし、基板７を支持板３から適切に剥離できる範囲内で、起点領域を剥離層５の端部の一部にのみ形成しても良い。 【００３５】 ノズル１４から噴射する流体としては、例えば、空気等の気体や、水等の液体、気体と液体とを混合した混合流体等が用いられる。特に、空気と水とを混合した二流体を流体として用いる場合には、適切な起点領域を形成し易くなる。チャックテーブル４とノズル１４との距離は、剥離層５の材質、ノズル１４から噴射する流体の種類、流体を噴射する圧力等の条件に応じて、起点領域を適切に形成できる範囲内で調整される。」 「【００４１】 剥離工程では、図３に示すように、例えば、吸着パッド１６が保持面８ａに対して概ね垂直且つチャックテーブル４から離れる方向に移動するように、移動機構で吸着パッド１６に力を加える。上述のように、チャックテーブル４には、複合基板１の基板７が吸引、保持されており、吸引パッド１６には、複合基板１の支持板３が吸引、保持されている。また、剥離層５の端部には、剥離の際の起点となる起点領域が形成されている。 【００４２】 そのため、保持面８ａに概ね垂直且つチャックテーブル４から離れる方向の力を吸着パッド１６に加えると、剥離層５は、上述した起点領域を起点として、支持板３側に密着した第１部分５ａと、基板７側に密着した第２部分５ｂとに分離される。そして、吸着パッド１６は、保持面８ａに概ね垂直且つチャックテーブル４から離れる方向に移動し、基板７が支持板３から剥離される。 【００４３】 以上のように、本実施形態に係る剥離方法では、剥離層５の端部に流体を吹き付け、基板（封止基板）７を支持板３から剥離する際の起点となる起点領域を形成するので、この起点領域を起点として、基板７を支持板３から容易に剥離できる。すなわち、この剥離の際に基板７や支持板３が損傷する可能性を低く抑えられる。」 「【００４７】 また、例えば、上記実施形態で使用される支持板３の端部の第１面３ａ側には、剥離層５を構成する金属膜や樹脂膜の一部が被覆していることも考えられる。その場合には、剥離層５の端部に起点領域が形成され難く、基板７を支持板３から容易に剥離できない可能性が高くなる。 【００４８】 そこで、このような場合には、起点領域形成工程の前に、支持板３の端部の第１面３ａ側を覆う金属膜や樹脂膜を除去する除去工程を行うと良い。図４（Ａ）は、除去工程が行われる前の支持板の端部の様子を拡大して示す断面図であり、図４（Ｂ）は、除去工程について示す一部断面側面図である。 【００４９】 図４（Ａ）に示すように、変形例に係る剥離方法で使用される支持板３の端部の第１面３ａ側は、剥離層５を構成する金属膜又は樹脂膜の一部５ａによって被覆されている。そこで、この変形例では、金属膜又は樹脂膜の一部５ａを除去し、後の起点領域形成工程において、剥離層５の端部に起点領域を形成し易くする。 【００５０】 具体的には、図４（Ｂ）に示すように、剥離装置２に設けられている切削ユニット１８を用いて、この金属膜又は樹脂膜の一部５ａを除去する。切削ユニット１８は、例えば、チャックテーブル４の保持面８ａに対して概ね平行な回転軸となるスピンドル２０を備えている。スピンドル２０の一端側には、結合材に砥粒が分散されてなる環状の切削ブレード２２が装着されている。 【００５１】 スピンドル２０の他端側には、モータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、スピンドル２０の一端側に装着された切削ブレード２２は、回転駆動源から伝わる力によって回転する。この切削ユニット１８は、例えば、移動機構（不図示）によって支持されており、保持面８ａに対して概ね垂直な方向と、保持面８ａに対して概ね平行な方向とに移動する。 【００５２】 除去工程では、まず、複合基板１を保持したチャックテーブル４を回転させて、支持板３の端部を含む外周縁を、切削ブレード２２の回転軸（スピンドル２０）に対して平面視で垂直にする。そして、チャックテーブル４と切削ユニット１８とを相対的に移動させて、上述した支持板３の端部を含む外周縁の延長線上方に切削ブレード２２を位置付ける。また、切削ブレード２２の下端を、支持板３の第１面３ａより低い位置に位置付ける。 【００５３】 その後、切削ブレード２２を回転させながら、支持板３の端部を含む外周縁と平行な方向にチャックテーブル４を移動させる。これにより、支持板３の端部の第１面３ａ側を被覆する金属膜又は樹脂膜の一部５ａに切削ブレード２２を切り込ませ、この金属膜又は樹脂膜の一部５ａを除去できる。 【００５４】 その結果、剥離層５の端部には、剥離層５の適切な積層構造等が露出して、後の起点領域形成工程において剥離層５の端部に起点領域を形成し易くなる。このような動作を繰り返し、支持板３の端部の第１面３ａ側を被覆する金属膜又は樹脂膜の一部５ａが全て除去されると、除去工程は終了する。」 ６ 甲６（特許第６４４７１３５号公報） （１）甲６の記載 甲６には以下の記載がある。 「【００６７】 本発明において、無機基板側、ないし、高分子フィルム側、さらには両方にパターン化処理が成された場合、パターン化処理により高分子フィルムと無機基板との接着力が低くなる領域（易剥離部と呼ぶ）に電子デバイスを形成し、次いで、その領域の外周部に切り込みを入れ、高分子フィルムの電子デバイスが形成されたエリアを無機基板から剥離する事によりフレキシブル電子デバイスを得ることが出来る。該方法により、高分子フィルムと無機基板の剥離がより容易になる。」 ７ 甲７（特開平５－１４４９７４号公報） （１）甲７の記載 甲７には以下の記載がある。 「【００２８】次に図５に示すように、図１（ａ）～図２（ｇ）の工程で形成したアルミニウム平板１上のポリイミド多層配線層の接続用金属バンプ１１を有するポリイミド層と、図３（ａ）～図４（ｆ）の工程で形成したセラミック基板１３上の金属バンプ２１を有するポリイミド多層配線層を位置合わせを行った後重ね合わせ、加圧およびポリイミド樹脂のガラス転移点を越える温度まで加熱を行い、互いのポリイミド膜を接着し固定する。この時、形成した金属バンプ１１，２１どうしで接合し、ふたつの積層構造体が電気的に接続する。加圧及び加熱方法は次の通りである。加圧・加熱はオートクレーブ型真空プレス装置を使用し、加圧気体は窒素ガスを使用し、加圧は基板温度２５０℃までは３ｋｇ／ｃｍ2、基板温度２５０℃から３５０℃までは１４ｋｇ／ｃｍ2で行う。この時、基板はプラテン上に置かれポリイミドフィルムを用いて密封して、内部を真空状態にする。 【００２９】次に図６および図７に示すように、上記接着済み基板をダイシングソー２５を用いて、パターンエリアの広さにアルミの平板１をカットする。 【００３０】次に図８に示すように、アルミの平板１上の低熱膨張率ポリイミド層２とその上のポリイミド層３の密着がないことを利用して、アルミの平板１を剥離する。」 ８ 甲８については、本件発明３の「前記剥離層の途中まで延びる前記破断部を形成する」ことが周知技術であることを立証するために提出された証拠であるから、摘記を省略する。 第５ 申立理由１（甲１を主引用例とした新規性・進歩性）について １ 本件発明１について （１）対比 本件発明１と甲１発明とを対比する。 ア 甲１発明の「支持体１」は、「例えば、円形の板状のもの」であって、基板であるといえるから、本件発明１の「支持基板」に相当する。 また、甲１発明の「支持体１」は、「平面部１ａ」を有し、「周縁部分１ｂ」は、「平面部１ａの周縁部分」であるから、平面部１ａの周縁部分１ｂは、「支持体１」の外周部といえる。 そして、「支持体１」の「平面部１ａ」のうち、「周縁部分１ｂ」の内側の部分は、中央部といえ、上記のとおり、「支持体１」は、「例えば、円形の板状のもの」であるから、中心を有し、上記中央部が当該中心を含むことは明らかである。 さらに、甲１発明において、「分離層周縁部分除去工程では、支持体１の周縁部分１ｂ全周に形成された分離層２を除去し」ているから、周縁部分１ｂは、支持体１の平面部１ａの全周に形成されるものであり、上記中央部を囲むものであるといえる。 そうすると、甲１発明の「支持体１」と、本件発明１の「支持基板」とは、「中心を含む中央部と、前記中央部を囲む外周部と」を有する点で共通する。 イ 甲１発明の「分離層２」は、「分離層２を変質させたときに、より円滑に支持体１と封止体７とを分離することができる」ものであり、ここで、分離することは剥離することといえるから、甲１発明の「分離層２」は、本件発明１の「剥離層」に相当する。 また、甲１発明の「分離層２」は、「支持体１の一方の平面部１ａに」「形成」されるものであり、上記アの検討を参酌すると、支持体１の上に設けられ、かつ、支持体１の上記中央部の上に設けられているといえる。 そうすると、甲１発明の「分離層２」と本件発明１の「剥離層」とは、「前記支持基板の上に設けられ」、かつ、「前記中央部の上に設けられ」ている点で共通する。 ウ 甲１発明の「接着層３」は、「支持体１における周縁部分１ｂ全周の分離層２を除去した側の面」であって、「分離層２を囲む周縁部分１ｂ、および、分離層２の上部に」「形成」されるものであるから、分離層２の上に設けられた第１部分と、周縁部分１ｂの上に設けられ分離層２の外周端部を覆う第２部分と、を有しているといえる。 また、甲１発明の「接着層３」は、「分離層２を保護することができる」ものであるから保護層といえる。 そうすると、甲１発明の「接着層３」は、本件発明１の「前記剥離層の上に設けられ」、「前記剥離層の上に設けられた第１部分と、前記外周部の上に設けられ前記剥離層の外周端部を覆う第２部分と、を有する」「保護層」に相当する。 エ 甲１発明において、「分離層形成工程」、「分離層周縁部分除去工程」及び「接着層形成工程」によって得られた支持体１、分離層２及び接着層３の集合体は、上記ア～ウの検討を参酌すると、本件発明１の「キャリア」と同様の構成を有しているといえる。 そして、甲１発明において、「分離層形成工程」、「分離層周縁部分除去工程」、「接着層形成工程」によって、支持体１、分離層２及び接着層３の集合体を形成することは、当該集合体を準備することといえる。 そうすると、甲１発明において、「分離層形成工程」、「分離層周縁部分除去工程」及び「接着層形成工程」によって、支持体１、分離層２及び接着層３の集合体を形成することは、本件発明１の「キャリアを準備する工程」に相当する。 オ （ア）甲１発明では、「封止体形成工程」において、「配線層形成工程では、接着層３上に配線層４を形成し、実装工程では、配線層４上に、半導体素子またはその他の素子である素子５を実装し、封止工程では、素子５を、例えば、エポキシ系の樹脂、シリコン系の樹脂等を用いることができる封止材６によって封止し」ており、ここで、「封止材６によって封止」するとは、封止材６によって覆うことであるといえるから、甲１発明は、接着層３上に、半導体素子またはその他の素子である素子５と、素子５を覆う封止材６を形成する工程を備えているといえる。 （イ）甲１発明では、「素子５及び封止材６は、分離層２及び接着層４の上に形成されており」、また、上記イで検討したとおり、甲１発明の「分離層２」は、支持体１の上記中央部の上に設けられているから、甲１発明において、素子５と封止材６は、支持体１の上記中央部の上に形成されているといえる。 （ウ）上記（ア）及び（イ）の検討によれば、甲１発明は、支持体１の中央部の上に、半導体素子またはその他の素子である素子５と、素子５を覆う封止材６を形成する工程を備えているといえる。 そうすると、甲１発明の「半導体素子またはその他の素子である素子５」、「素子５」を「封止」する「例えば、エポキシ系の樹脂、シリコン系の樹脂等を用いることができる封止材６」は、本件発明１の「半導体素子」、「前記半導体素子を覆う樹脂材」にそれぞれ相当し、また、甲１発明の「素子５」と「封止材６」とを合わせたものは、本件発明１の「半導体素子と前記半導体素子を覆う樹脂材とを有する樹脂プレート」に相当する。 以上によれば、甲１発明と本件発明１とは、「前記第１部分の上に、半導体素子と前記半導体素子を覆う樹脂材とを有する樹脂プレートを形成する工程」を備えている点で共通する。 カ 甲１発明の「分離工程」において「支持体１」と「分離」される「封止体７」は、「配線層４と、配線層４に実装されている素子５と、素子５を封止している封止材６とを備えて」いるものであり、上記オで検討したとおり、素子５と封止材６とを合わせたものは、本件発明１の「樹脂プレート」に相当するから、甲１発明の「分離工程」と本件発明１の「分離する工程」とは、「前記支持基板と前記樹脂プレートとを分離する」点で共通する。 キ 甲１発明の「単離された封止体７」は、「配線層４と、配線層４に実装されている素子５と、素子５を封止している封止材６とを備えて」おり、ここで、素子５は、「半導体素子またはその他の素子」であるから、甲１発明の「単離された封止体７を得る、封止体の製造方法」は半導体装置の製造方法といえる。 したがって、甲１発明の「封止体の製造方法」は、本件発明１の「半導体装置の製造方法」に相当する。 ク 上記ア～キの検討によれば、本件発明１と甲１発明とは、以下の一致点及び相違点１を有する。 ［一致点］ 「支持基板と、前記支持基板の上に設けられた剥離層と、前記剥離層の上に設けられた保護層と、を有し、前記支持基板は、中心を含む中央部と、前記中央部を囲む外周部と、を有し、前記剥離層は、前記中央部の上に設けられ、前記保護層は、前記剥離層の上に設けられた第１部分と、前記外周部の上に設けられ前記剥離層の外周端部を覆う第２部分と、を有するキャリアを準備する工程と、 前記第１部分の上に、半導体素子と前記半導体素子を覆う樹脂材とを有する樹脂プレートを形成する工程と、 前記支持基板と前記樹脂プレートとを分離する工程と、 を備えた、半導体装置の製造方法。」 ［相違点１］ 本件発明１は、「前記剥離層の一部であって、前記樹脂プレートの外側に破断部を形成する工程」を備え、「前記破断部を起点にして」分離する工程がなされるのに対し、甲１発明は、そのような構成を備えていない点。 （２）相違点１についての判断 ア 本件発明１における「前記樹脂プレートの外側」の解釈について （ア）本件特許明細書、本件特許に係る願書に添付した図面には以下の記載がある。 「【００１０】 図１（ａ）及び図１（ｂ）に表したように、実施形態に係るキャリア１００は、支持基板１０と、支持基板１０の上に設けられた密着層２０と、剥離層３０と、中間層４０と、保護層５０と、を備えている。各層は、支持基板１０側から密着層２０、剥離層３０、中間層４０、保護層５０、の順に積層されている。 【００１１】 なお、本願明細書では、各層の積層方向をＺ方向とする。Ｚ方向は、上下方向である。また、Ｚ方向と直交する方向をＸ方向、Ｚ方向及びＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。」 「【００５９】 次に、図６（ｃ）に表したように、剥離層３０の一部であって、樹脂プレート１６０の外側に破断部３５を形成する。樹脂プレート１６０の外側とは、Ｚ方向において、樹脂プレート１６０と重ならない位置である。破断部３５は、例えば、ナイフ等の治具Ｊを用いて、剥離層３０のうち樹脂プレート１６０の外側に位置する部分を破断することで形成される。破断部３５は、樹脂プレート１６０を囲むように一周に形成されてもよいし、樹脂プレート１６０の外側の１箇所または２箇所以上に形成されてもよい。」 「【図１】 ［図：0001413371000006.jpg］ 」 （イ）本件発明１の「前記剥離層の一部であって、前記樹脂プレートの外側に破断部を形成する工程」における「前記樹脂プレートの外側」とは、上記（ア）の【００５９】によれば、「Ｚ方向において、樹脂プレート１６０と重ならない位置」であり、当該記載における「Ｚ方向」は、上記（ア）の【００１０】、【００１１】、【図１】によれば、「支持基板１０側から密着層２０、剥離層３０、中間層４０、保護層５０、の順に積層され」た「各層」の積層方向であるから、本件発明１の「前記剥離層の一部であ」る「破断部」が形成される「前記樹脂プレートの外側」とは、支持基板１０側から密着層２０、剥離層３０、中間層４０、保護層５０、の順に積層された各層の積層方向において樹脂プレート１６０と重ならない位置、すなわち、本件発明１において、支持基板側から剥離層、保護層の順に積層された各層の積層方向において樹脂プレートと重ならない位置、と解釈される。 イ 判断 （ア）甲１発明は、「接着層除去工程」において、「例えば、ＥＢＲ処理により、支持体１の周縁部分１ｂ全周に形成された接着層３を除去」することで、「支持体１と封止体７とが、必ず分離層２を介して接着されている状態にすることができるため、分離層２を変質させたときに、より円滑に支持体１と封止体７とを分離することができる」ものである。 ここで、甲１発明における「ＥＢＲ処理」は、「例えば、（ｉ）溶剤によって溶解して除去する方法、（ｉｉ）カッター又はブレードなどを用いて物理的に切断して除去する方法、（ｉｉｉ）大気圧下でのアッシングにより除去する方法などが挙げられるもの」であるところ、接着層除去工程に用いられるＥＢＲ処理として、前記（ｉ）～（ｉｉｉ）いずれの方法が採用される場合であっても、除去されるのは接着層３であって、分離層２ではない。 そうすると、甲１発明は、相違点１に係る本件発明１の構成である「前記剥離層の一部であって、前記樹脂プレートの外側に破断部を形成する工程」及び「前記破断部を起点にして」分離する工程を備えていない。 したがって、相違点１は実質的な相違点である。 （イ）ａ 甲２（以下、括弧内は根拠となる甲２の段落番号である。）には、支持体４０の一方の面４０ａに、金属層２１、接着剤２２、半導体素子３０、半導体素子３０を被覆する樹脂材からなる絶縁層２３、ソルダレジスト２５をそれぞれ形成して中間体１１を得て（【００２０】、【００２９】～【００３２】、【００３６】）、分離線Ｃ－Ｃで、中間体１１の周縁部１１ａ（支持体４０、金属層２１、接着剤２２、絶縁層２３、ソルダレジスト２５の周縁部）を切断し、支持体４０、金属層２１、接着剤２２、絶縁層２３、ソルダレジスト２５に、外部に露出する新たな側面４０ｃ´、２１ｃ´２２ｃ´、２３ｃ´、２５ｃ´を形成し（【００３７】）、支持体４０の側面４０ｃ´に物理的な外力を加えることにより、分離層である金属層２１と支持体４０の界面から支持体４０を剥離すること（【００３９】）、が記載されているが、分離線Ｃ－Ｃでの切断により、半導体素子３０を被覆する樹脂材からなる絶縁層２３は切断されるから、上記アの「前記樹脂プレートの外側」の解釈に照らせば、相違点１に係る「前記剥離層の一部であって、前記樹脂プレートの外側に破断部を形成する工程」は甲２に記載されていないといえる。 ｂ 甲３（以下、括弧内は根拠となる甲３の段落番号である。）には、支持基板５００上に、離型層１０、薄膜基板１００、薄膜トランジスタを含む画素１２０、アルミニウム酸化物又はシリコーン酸化物を含んでもよい無機膜及びエポキシ系高分子、アクリレート系高分子、ウレタンアクリレート系高分子などを含んでもよい有機膜の少なくともいずれか一つを含んでもよく、画素１２０を覆って露出しないようにする封止部材１３０、をそれぞれ形成し（【００３７】、【００４６】、【００５４】、【００５７】、【０１２６】）、レーザ又はホイールスクライビング（ｗｈｅｅｌ ｓｃｒｉｂｉｎｇ）工程を利用して、封止部材１３０及び薄膜基板１００を切断した後、支持基板５００から薄膜基板１００を含む表示パネル３００を分離すること（【０１３０】）、が記載されているが、レーザ又はホイールスクライビング工程では、画素１２０を覆って露出しないようにする封止部材１３０が切断されるから、上記アの「前記樹脂プレートの外側」の解釈に照らせば、相違点１に係る「前記剥離層の一部であって、前記樹脂プレートの外側に破断部を形成する工程」は、甲３に記載されていないといえる。 ｃ 上記ａ～ｂの検討によれば、甲２、甲３のいずれにも、相違点１に係る本件発明１の構成は記載されていない。 ｄ そうすると、甲１発明に、甲２又は甲３に記載された事項を適用しても、相違点１に係る本件発明１の構成は得られない。 （３）申立人の主張について ア 申立人は、特許異議申立書（１８頁１３行～１８頁２２行）において、「イ．他方で、甲１には、接着層３の周縁部分１ｂを除去することで、分離層２の一部であって封止体７の外側に破断部を形成する工程、及び当該破断部を起点にして、支持体１と封止体７とを分離する工程が記載されている（段落２６、３０、図１（ｈ）～（ｊ））。上記の接着層３の除去工程では例えばカッター又はブレードが用られるが（段落３５）、接着層３が残らないように除去される必要があるから、接着層３の除去時に分離層２の一部も除去され破断部が形成される。そして、当該破断部が分離の起点となる。よって、甲１における「接着層３を除去」（段落２６）は、本件第１発明における「破断部を形成」を満たす。」と主張しているが、甲１の【００２６】及び【００３５】には、接着層除去工程において、接着層３を除去すること、そして、【００３０】には、支持体１と封止体７とを分離すること、がそれぞれ記載されているが、分離層２の一部を除去することは記載されておらず、甲１の接着層除去工程は、分離の起点となる、分離層２に形成された破断部を形成するものとはいえないから、申立人の上記主張は採用することができない。 イ 申立人は、特許異議申立書（２０頁１行～２１頁１２頁行）において、 「ア．甲３（特開２０１５－５６６６４号公報）は、支持基板上に離型層、薄膜基板、画素及び封止部材をこの順に形成する表示パネルの製造方法に関する文献である。なお、画素は、半導体を含む（段落９０）。当該文献には「図５に示すように、レーザ又はホイールスクライビング（ｗｈｅｅｌ ｓｃｒｉｂｉｎｇ）工程を利用して、封止部材及び薄膜基板を切断し」（段落１３０）と記載されている。つまり、本件の図６（ｃ）と同様の「破断部を形成」することが開示されている。」、 「イ．また、甲２（特開２００６－２２２１６４号公報）には、支持体４０に分離層として載置されたフィルム体１１１を接着剤２２で被覆して支持体４０に接着し、「破線で示す分離線Ｃ－Ｃで、中間体１１の周縁部１１ａ（支持体４０、フィルム体１１１、接着剤２２、絶縁層２３、ソルダレジスト２５の周縁部）を切断し除去する」と記載されている（段落６３、図２３（ｃ））。つまり、「接着剤２２」の一部が切断除去されるとともに、分離層（フィルム体１１１）の端縁より内側に破断部が形成されている。」、 「ウ．なお、甲１には、「支持体１と封止体７」が「分離層２を介して接着されている状態にすること」で「より円滑に支持体１と封止体７とを分離することができる」と記載されている（段落２７）。甲１において「分離層２」の一部まで除去すれば確実に「支持体１と封止体７」が「分離層２を介して接着されている状態にすること」ができるため、甲２の記載を組み合わせて「分離層２」の一部まで除去する動機付けがある。」、「以上より、甲１に甲２（及び甲３）を組み合わせることにより、当業者は本件第１発明に容易に想到することができる。」と主張しているが、上記（２）イ（イ）で検討したとおり、甲２、甲３のいずれにも、相違点１に係る本件発明１の構成は記載されておらず、甲１発明に、甲２又は甲３に記載された事項を適用しても、相違点１に係る本件発明１の構成は得られない。 したがって、申立人の上記主張は採用することができない。 （４）小括 以上から、本件発明１は、甲１発明ではない。 また、本件発明１は、甲１発明、甲２及び甲３に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ２ 本件発明２～３について 本件発明２～３は、いずれも本件発明１の全ての構成を有するものであるから、甲５及び甲８の記載を参照しても上記１で検討したのと同様の理由により、本件発明２～３は、甲１発明、甲２、甲３、甲５及び甲８に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ３ まとめ 以上のとおりであるから、請求項１に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものではなく、請求項１～３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。 したがって、申立理由１は理由がない。 第６ 申立理由２（甲４を主引用例とした新規性・進歩性）について １ 本件発明１について （１）対比 本件発明１と甲４発明とを対比する。 ア 甲４発明の「支持基材１１」は、「配線基板形成用基板１０の全体を支持する平坦な板状の部材からな」るものであって、基板であるといえるから、本件発明１の「支持基板」に相当する。 イ 甲４発明の「密着層１２に覆われていない支持基材１１の表面１１ａ」は、「密着層１２の周縁部１２ｅは、支持基材１１の周縁部１１ｅよりも内側に引っ込んでいる」ことで形成されるものである。また、「密着層１２の周縁部１２ｅは、支持基材１１の周縁部１１ｅよりも内側に引っ込んでいる」ことで、「密着層１２の平面形状は、全周にわたって支持基材１１の平面形状よりも小さくなって」いることからすると、「密着層１２に覆われていない支持基材１１の表面１１ａ」は、支持基材１１の外周部といえる。 そして、「密着層１２に覆われていない支持基材１１の表面１１ａ」が全周にわたって囲む、支持基材１１の内側の部分は中央部といえる。ここで、「支持基材１１」が中心を有し、中央部が当該中心を含むことは明らかである。 そうすると、甲４発明の「支持基材１１」と本件発明１の「支持基板」とは「中心を含む中央部」、「前記中央部を囲む外周部」を有する点で共通する。 ウ 甲４発明では、「支持基材１１及び密着層１２を再配線層３０及び遮蔽層１３から剥離」するにあたって、「支持基材１１側からレーザー光Ｌを照射することにより、レーザー光Ｌが透明な支持基材１１を透過して密着層１２に到達させて、密着層１２のうち第１密着層１２Ａは、改質されることにより密着力が低下又は消失」することで、甲４発明の「第１密着層１２Ａ」は、「第２密着層１２Ｂ、再配線層３０及び遮蔽層１３から剥離」されることとなるから、甲４発明の「第１密着層１２Ａ」は、改質されることにより密着力が低下又は消失して剥離層として機能するものといえる点で、本件発明１の「剥離層」に相当する。 また、甲４発明の「密着層１２」は、「支持基材１１上に積層され」るものであり、上記イの検討を参酌すると、支持基材１１の上に設けられ、かつ、支持基材１１の上記中央部の上に設けられたものといえる。さらに、甲４発明の密着層１２は、「第１密着層１２Ａと第２密着層１２Ｂとからな」るものであるから、甲４発明の密着層１２を構成する「第１密着層１２Ａ」は、支持基材１１の上に設けられ、かつ、支持基材１１の中央部の上に設けられるものといえる。 そうすると、甲４発明の「第１密着層１２Ａ」と本件発明１の「剥離層」とは、「前記支持基板の上に設けられ」、かつ、「前記中央部の上に設けられ」ているという点で共通する。 エ 甲４発明の「遮蔽層１３」は、「密着層１２上に積層された遮蔽層（保護層）１３」であり、また、「密着層１２の表面１２ａから、密着層１２の側面１２ｂを介して、密着層１２に覆われていない支持基材１１の表面１１ａまで、連続的に延びて」いるものであるから、「遮蔽層１３」は、「密着層１２」の上に設けられた第１部分と、「支持基材１１」の上記外周部の上に設けられ「密着層１２」の外周端部を覆う第２部分と、を有しているといえる。 そして、上記ウで検討したとおり、甲４発明の「第１密着層１２Ａ」は、本件発明１の「剥離層」に相当する。 そうすると、甲４発明の「遮蔽層１３」は、本件発明１の「保護層」に相当し、両者は、「前記剥離層の上に設けられた第１部分と、前記外周部の上に設けられ前記剥離層の外周端部を覆う第２部分」とを有する点で共通する。 オ 甲４発明の「支持基材１１と、支持基材１１上に積層された密着層１２と、密着層１２上に積層された遮蔽層（保護層）１３とを備えた配線基板形成用基板１０を得」て形成される支持基材１１、密着層１２及び遮蔽層１３の集合体は、上記ア～エの検討を参酌すると、本件発明１の「キャリア」と同様の構成を有しているといえる。 そして、甲４発明において、「支持基材１１と、支持基材１１上に積層された密着層１２と、密着層１２上に積層された遮蔽層（保護層）１３とを備えた配線基板形成用基板１０を得」て、支持基材１１、密着層１２及び遮蔽層１３の集合体を形成することは、当該集合体を準備することといえるから、甲４発明において、配線基板形成用基板１０を得て、支持基材１１、密着層１２及び遮蔽層１３の集合体を形成することは、本件発明１の「キャリアを準備する工程」に相当する。 カ 甲４発明では、「再配線層３０は、遮蔽層１３のうち、密着層１２の表面１２ａ上に形成された部分の上に形成されて」おり、「再配線層３０上に半導体素子７１を設け、その後、半導体素子７１を封止樹脂７２によって封止」しているから、半導体素子７１及び封止樹脂７２は、遮蔽層１３のうち、密着層１２の表面１２ａ上に形成された部分の上に形成されるものといえる。 また、甲４発明において、「封止樹脂７２によって封止」することは、封止樹脂７２によって覆うことであるといえるから、甲４発明は、遮蔽層１３のうち、密着層１２の表面１２ａ上に形成された部分の上に、半導体素子７１と、半導体素子７１を覆う封止樹脂７２を形成する工程を備えているといえる。 そうすると、甲４発明の「半導体素子７１」、「半導体素子７１」を「封止」する「封止樹脂７２」は、本件発明１の「半導体素子」、「前記半導体素子を覆う樹脂材」にそれぞれ相当し、また、甲４発明の「半導体素子７１」と「封止樹脂７２」とを合わせたものは、本件発明１の「半導体素子と前記半導体素子を覆う樹脂材とを有する樹脂プレート」に相当する。 以上によれば、甲４発明と本件発明１とは、「前記第１部分の上に、半導体素子と前記半導体素子を覆う樹脂材とを有する樹脂プレートを形成する工程」を備えている点で共通する。 キ 甲４発明では、「再配線層３０上に半導体素子７１を設け、その後、半導体素子７１を封止樹脂７２によって封止し、支持基材１１及び密着層１２を再配線層３０及び遮蔽層１３から剥離」しており、ここで、「剥離」することは、分離することであるといえるから、甲４発明は、「支持基材１１」と、半導体素子７１及び封止樹脂７２とを分離する工程を備えているといえ、上記カで検討したとおり、半導体素子７１と封止樹脂７２とを合わせたものは、本件発明１の「樹脂プレート」に相当するから、甲４発明と本件発明１とは、「前記支持基板と前記樹脂プレートとを分離する工程」を備えている点で共通する。 ク 上記ア～キの検討によれば、本件発明１と甲４発明とは、以下の一致点及び相違点２を有する。 ［一致点］ 「支持基板と、前記支持基板の上に設けられた剥離層と、前記剥離層の上に設けられた保護層と、を有し、前記支持基板は、中心を含む中央部と、前記中央部を囲む外周部と、を有し、前記剥離層は、前記中央部の上に設けられ、前記保護層は、前記剥離層の上に設けられた第１部分と、前記外周部の上に設けられ前記剥離層の外周端部を覆う第２部分と、を有するキャリアを準備する工程と、 前記第１部分の上に、半導体素子と前記半導体素子を覆う樹脂材とを有する樹脂プレートを形成する工程と、 前記支持基板と前記樹脂プレートとを分離する工程と、 を備えた、半導体装置の製造方法。」 ［相違点２］ 本件発明１は、「前記剥離層の一部であって、前記樹脂プレートの外側に破断部を形成する工程」を備え、「前記破断部を起点にして」分離する工程がなされるのに対し、甲４発明は、そのような構成を備えていない点。 （２）相違点２についての判断 ア 本件発明１における「破断部」の解釈について （ア）本件特許明細書には以下の記載がある。 「【００２０】 剥離層３０は、半導体装置を製造する際の剥離工程において剥離する。剥離層３０は、例えば、炭素を主成分とする。剥離層３０は、例えば、８０原子％以上の炭素原子を含む。剥離層３０は、例えば、アモルファスカーボンからなる。剥離層３０にこのような材料を用いることで、剥離層３０にナイフ等で剥離のきっかけ（破断部）を形成して機械的に剥離する方法で剥離工程を行うことができる。機械的に剥離する方法であれば、高価なレーザ装置などを使用しないため、剥離層３０にレーザ光を照射して材料改質して剥離する方法と比べて、安価に剥離工程を行うことができる。」 （イ）上記（ア）の【００２０】によれば、本件発明１の「破断部」とは、剥離のきっかけであって、ナイフ等により形成されて機械的に剥離する方法で用いられるものであり、当該機械的に剥離する方法は、レーザ装置などを使用して、剥離層３０にレーザ光を照射して材料改質して剥離する方法を含まないから、本件発明１の「破断部」は、レーザ光の照射により材料改質されて形成されるものを含まないと解釈される。 イ 本件発明１における「前記樹脂プレートの外側」の解釈について 本件発明１の「前記樹脂プレートの外側」は、上記第５の１（２）アで検討したとおり、支持基板側から剥離層、保護層の順に積層された各層の積層方向において樹脂プレートと重ならない位置、である。 ウ 判断 （ア）甲４発明は、「支持基材１１側からレーザー光Ｌを照射することにより、レーザー光Ｌが透明な支持基材１１を透過して密着層１２に到達させて、密着層１２のうち第１密着層１２Ａは、改質されることにより密着力が低下又は消失」して、「第１密着層１２Ａは、第２密着層１２Ｂ、再配線層３０及び遮蔽層１３から剥離」がなされることとなるものであり、甲４発明において、レーザー光Ｌの照射により改質されて密着力が低下又は消失した第１密着層１２Ａは、レーザ光の照射により材料改質されて形成されるものといえるから、甲４発明におけるレーザー光Ｌの照射により改質されて密着力が低下又は消失した第１密着層１２Ａは、上記アの「破断部」の解釈に照らせば、本件発明１の「破断部」には相当しないものである。 したがって、相違点２は実質的な相違点である。 （イ）ａ 甲２（以下、括弧内は根拠となる甲２の段落番号である。）には、支持体４０の一方の面４０ａに、金属層２１、接着剤２２、半導体素子３０、半導体素子３０を被覆する樹脂材からなる絶縁層２３、ソルダレジスト２５をそれぞれ形成して中間体１１を得て（【００２０】、【００２９】～【００３２】、【００３６】）、分離線Ｃ－Ｃで、中間体１１の周縁部１１ａ（支持体４０、金属層２１、接着剤２２、絶縁層２３、ソルダレジスト２５の周縁部）を切断し、支持体４０、金属層２１、接着剤２２、絶縁層２３、ソルダレジスト２５に、外部に露出する新たな側面４０ｃ´、２１ｃ´２２ｃ´、２３ｃ´、２５ｃ´を形成し（【００３７】）、支持体４０の側面４０ｃ´に物理的な外力を加えることにより、分離層である金属層２１と支持体４０の界面から支持体４０を剥離すること（【００３９】）、が記載されているが、分離線Ｃ－Ｃでの切断により、半導体素子３０を被覆する樹脂材からなる絶縁層２３は切断されるから、上記イの「前記樹脂プレートの外側」の解釈に照らせば、相違点２に係る「前記剥離層の一部であって、前記樹脂プレートの外側に破断部を形成する工程」は甲２に記載されていないといえる。 ｂ 甲３（以下、括弧内は根拠となる甲３の段落番号である。）には、支持基板５００上に、離型層１０、薄膜基板１００、薄膜トランジスタを含む画素１２０、アルミニウム酸化物又はシリコーン酸化物を含んでもよい無機膜及びエポキシ系高分子、アクリレート系高分子、ウレタンアクリレート系高分子などを含んでもよい有機膜の少なくともいずれか一つを含んでもよく、画素１２０を覆って露出しないようにする封止部材１３０、をそれぞれ形成し（【００３７】、【００４６】、【００５４】、【００５７】、【０１２６】）、レーザ又はホイールスクライビング（ｗｈｅｅｌ ｓｃｒｉｂｉｎｇ）工程を利用して、封止部材１３０及び薄膜基板１００を切断した後、支持基板５００から薄膜基板１００を含む表示パネル３００を分離すること（【０１３０】）、が記載されているが、レーザ又はホイールスクライビング工程では、画素１２０を覆って露出しないようにする封止部材１３０が切断されるから、上記イの「前記樹脂プレートの外側」の解釈に照らせば、相違点２に係る「前記剥離層の一部であって、前記樹脂プレートの外側に破断部を形成する工程」は、甲３に記載されていないといえる。 ｃ （ａ）甲５（以下、括弧内は根拠となる甲５の段落番号である。）には、支持板３の第１面３ａ側に剥離層５を介して基板７が設けられており（【００２０】）、ここで、基板７は、剥離層５に接する配線層と、配線層に接合された複数のデバイスチップ９と、各デバイスチップを封止する封止材（モールド樹脂層）１１とを含むものであり（【００２２】）、支持板３の端部の第１面３ａ側に、剥離層５を構成する金属膜又は樹脂膜の一部５ａが被覆している場合には（【００４７】、【００４９】）、切削ブレード２２を切り込ませ、この金属膜又は樹脂膜の一部５ａを除去して（【００５３】）、剥離層５の端部に、剥離層５の適切な積層構造等を露出させ、後の起点領域形成工程において剥離層５の端部に起点領域を形成し易くし（【００５４】）、剥離層５の端部に流体を吹き付け、基板７を支持板３から剥離する際の起点（きっかけ）となる起点領域を形成する起点領域形成工程として（【００３０】）、ノズル１４の噴射口から剥離層５の端部へと向けて流体を噴射しながら、このノズル１４が剥離層５の端部に沿って移動するようにチャックテーブル４とノズル１４とを相対的に移動させ、剥離の際の起点となる起点領域を剥離層５の端部に沿って形成し（【００３３】）、当該起点領域を起点として、基板７を支持板３から剥離すること（【００４３】）、が記載されている。 （ｂ）上記（ａ）における甲５の記載について、支持板３の端部の第１面３ａ側に、剥離層５を構成する金属膜又は樹脂膜の一部５ａが被覆している場合に、切削ブレード２２を切り込ませ、この金属膜又は樹脂膜の一部５ａを除去する工程は、後の起点領域形成工程において剥離層５の端部に起点領域を形成し易くするための工程であって、基板７を支持板３から剥離する際の起点（きっかけ）となる起点領域を形成する起点領域形成工程ではないから、除去される金属膜又は樹脂膜の一部５ａは、剥離の起点としての破断部であるとはいえない。 （ｃ）上記（ａ）における甲５の記載について、基板７を支持板３から剥離する際の起点（きっかけ）となる起点領域を形成する起点領域形成工程は、支持板３の端部の第１面３ａ側に、剥離層５を構成する金属膜又は樹脂膜の一部５ａが被覆している場合に、切削ブレード２２を切り込ませ、この金属膜又は樹脂膜の一部５ａを除去する工程の後に行われるものであるから、起点領域形成工程が行われる時点では、金属膜又は樹脂膜の一部５ａが除去されているため、剥離層５の端部に流体を吹き付けて形成される起点領域は、基板７上の剥離層５に設けられるといえる。また、支持板３の端部の第１面３ａ側に、剥離層５を構成する金属膜又は樹脂膜の一部５ａが被覆しておらず、切削ブレード２２を切り込ませない場合であっても同様に、剥離層５の端部に流体を吹き付けて形成される起点領域は、基板７上の剥離層５に設けられるといえる。 ここで、基板７は、上記（ａ）に記載されるとおり、配線層に接合された複数のデバイスチップ９と、各デバイスチップを封止する封止材（モールド樹脂層）１１とを含むものであり、デバイスチップは半導体素子、各デバイスチップを封止する封止材（モールド樹脂層）１１は半導体素子を覆う樹脂材といえる点で、相違点２に係る樹脂プレートに相当するといえる。 しかしながら、剥離層５の端部に流体を吹き付けて形成される起点領域は、相違点２に係る樹脂プレートに相当する基板７上の剥離層５に設けられるものであり、基板７の外側の剥離層５に設けられるものではないから、上記イの「前記樹脂プレートの外側」の解釈に照らせば、相違点２に係る「前記樹脂プレートの外側」の「破断部」であるとはいえない。 （ｄ） 上記（ａ）～（ｃ）の検討によれば、相違点２に係る本件発明１の構成は、甲５に記載されていないといえる。 ｄ 甲６（以下、括弧内は根拠となる甲６の段落番号である。）には、パターン化処理により高分子フィルムと無機基板との接着力が低くなる領域に電子デバイスを形成し、その領域の外周部に切り込みを入れ、高分子フィルムの電子デバイスが形成されたエリアを無機基板から剥離する事によりフレキシブル電子デバイスを得ること（【００６７】）、が記載されているが、電子デバイスを覆う樹脂材は記載されていないため、相違点２に係る樹脂プレート、すなわち、半導体素子と前記半導体素子を覆う樹脂材とを有する樹脂プレートは記載されていないから、相違点２に係る本件発明１の構成は、甲６には記載されていないといえる。 ｅ 甲７（以下、括弧内は根拠となる甲７の段落番号である。）には、アルミニウム平板１上のポリイミド多層配線層の接続用金属バンプ１１を有するポリイミド層と、セラミック基板１３上の金属バンプ２１を有するポリイミド多層配線層を位置合わせを行った後重ね合わせ、加圧およびポリイミド樹脂のガラス転移点を越える温度まで加熱を行い、互いのポリイミド膜を接着し固定し（【００２８】）、上記接着済み基板をダイシングソー２５を用いて、パターンエリアの広さにアルミの平板１をカットし（【００２９】）、アルミの平板１を剥離すること（【００３０】）、について記載されているが、相違点２に係る樹脂プレート、すなわち、半導体素子と前記半導体素子を覆う樹脂材とを有する樹脂プレートは記載されていないから、相違点２に係る本件発明１の構成は、甲７には記載されていないといえる。 ｆ 甲８は、本件発明３の「前記剥離層の途中まで延びる前記破断部を形成する」ことが周知技術であることを立証するために提出された証拠であり、相違点２に係る本件発明１の構成は、甲８には記載されていない。 ｇ 上記ａ～ｆの検討によれば、甲２、甲３、甲５～甲８のいずれにも、相違点２に係る本件発明１の構成は記載されてない。 ｈ そうすると、甲４発明に、甲２、甲３、甲５～甲８に記載された事項を適用しても、相違点２に係る本件発明１の構成は得られない。 （３）申立人の主張について ア 申立人は、特許異議申立書（３２頁１２行～３３頁２行）において、「他方で、甲４には、密着層１２の一部である第１密着層１２Ａにレーザー光を照射したうえで機械的に破壊する工程、及び支持基材１１と樹脂プレートを分離する工程が記載されている（請求項１４、１５、段落８２、図９（ｂ））。なお、図９では、上述の通り、遮蔽層３の外周部が省略されている。甲４の、特に変形例１（図１０）では、第１密着層１２Ａが樹脂プレートより外側に広く形成されており、樹脂プレートの外側の第１密着層１２Ａに破壊部（破断部に相当）が形成され分離の起点となる。」、「よって、甲４には、構成要件Ｃ及びＤが記載されている。」と主張しているが、上記（２）ウ（ア）で検討したとおり、甲４発明において、レーザー光の照射により改質されて密着力が低下又は消失した第１密着層１２Ａは、本件発明１の「破断部」には相当しないから、申立人の上記主張は採用することができない。 イ 申立人は、特許異議申立書（３５頁８行～１１行）において、「以上のように、仮に、構成要件Ｄにおける破断部を起点にして分離することが甲４に記載されていないと認定したとしても、当該構成は従来周知であり、本件第１発明は、甲４及び周知技術に基づいて当業者が容易に想到しえた発明である。」と主張しているが、申立人の上記主張は、「破断部を起点にして分離すること」が本件発明１と甲４発明との相違点であることを前提とするものである。 しかし、本件発明１と甲４発明との相違点は、上記（１）クで示した相違点２のとおりであるから、申立人の上記主張は前提において誤っている。 そして、上記（２）ウで検討したとおり、本件発明１と甲４発明とは、実質的な相違点である相違点２を有しており、相違点２に係る本件発明１の構成は、甲２、甲３、甲５～甲８のいずれにも記載されておらず、甲４発明に、甲２、甲３、甲５～甲８に記載された事項を適用しても、相違点２に係る本件発明１の構成は得られない。 したがって、申立人の上記主張は採用することができない。 （４）小括 以上から、本件発明１は、甲４発明ではない。 また、本件発明１は、甲４発明及び甲２、甲３、甲５～甲８に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ２ 本件発明２～３について 本件発明２～３は、いずれも本件発明１の全ての構成を有するものであるから、上記１で検討したのと同様の理由により、本件発明２～３は、甲４発明及び甲２、甲３、甲５～甲８に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ３ まとめ 以上のとおりであるから、請求項１に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものではなく、請求項１～３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。 したがって、申立理由２は理由がない。 第７ 申立理由３（新規事項）について １ 令和５年５月２４日提出の手続補正書による補正は、特許請求の範囲の請求項３の記載を、「前記破断部を形成する工程において、前記保護層から前記剥離層の途中まで延びる前記破断部を形成する、請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。」とする補正（以下、「本件補正」という。）を含むものである。 ２ 請求項３の「破断部」について、当初明細書等には以下の記載がある。 「【００２６】 保護層５０は、最上層に設けられる。保護層５０は、少なくとも剥離層３０の上に設けられる。この例では、保護層５０は、中間層４０の上に設けられている。保護層５０は、中間層４０の上面の全域及び支持基板１０の外周部１０ｂの上面の全域を覆っている。保護層５０は、支持基板１０の中央部１０ａ及び外周部１０ｂの上に設けられる。換言すれば、中央部１０ａ及び外周部１０ｂは、Ｚ方向において保護層５０と重なる。Ｚ方向から見たときの保護層５０の直径は、例えば、Ｚ方向から見たときの支持基板１０の直径と同じである。」 「【００５９】 次に、図６（ｃ）に表したように、剥離層３０の一部であって、樹脂プレート１６０の外側に破断部３５を形成する。樹脂プレート１６０の外側とは、Ｚ方向において、樹脂プレート１６０と重ならない位置である。破断部３５は、例えば、ナイフ等の治具Ｊを用いて、剥離層３０のうち樹脂プレート１６０の外側に位置する部分を破断することで形成される。破断部３５は、樹脂プレート１６０を囲むように一周に形成されてもよいし、樹脂プレート１６０の外側の１箇所または２箇所以上に形成されてもよい。 【００６０】 次に、図６（ｄ）に表したように、破断部３５を起点にして、支持基板１０と樹脂プレート１６０とを分離する。換言すれば、破断部３５を起点にして、支持基板１０を樹脂プレート１６０から剥離する。分離（剥離）の界面は、剥離層３０と中間層４０との間であってもよいし、剥離層３０と密着層２０との間であってもよいし、剥離層３０の内部であってもよい。この例では、分離（剥離）の界面は、剥離層３０の内部である。分離（剥離）は、例えば、樹脂プレート１６０を、ダイシングテープを介してステージ上に固定した状態で、剥離層３０の破断部３５に近い位置で支持基板１０を真空吸着し、真空吸着する位置を徐々に破断部３５から遠ざけることで行うことができる。」 「【図６】 ［図：0001413371000007.jpg］ 」 ３（１）上記２の【００２６】の記載によれば、保護層５０は剥離層３０の上に設けられるものである。 また、同【００５９】の記載によれば、破断部３５は、例えば、ナイフ等の治具Ｊを用いて、剥離層３０のうち樹脂プレート１６０の外側に位置する部分を破断することで形成されるものであり、同【図６】（ｃ）から、ナイフ等の治具Ｊは、保護層４０を突き抜けていることが見て取れる。 そうすると、例えば、ナイフ等の治具Ｊを用いて、剥離層３０のうち樹脂プレート１６０の外側に位置する部分を破断する工程においては、保護層５０から剥離層３０まで延びる破断部３５が形成されるものと解される。 （２）上記２の【００６０】の記載によれば、破断部３５を起点にして、支持基板１０と樹脂プレート１６０とを分離する際の、分離（剥離）の界面は、剥離層３０と中間層４０との間であってもよいし、剥離層３０と密着層２０との間であってもよいし、剥離層３０の内部であってもよく、図６（ｄ）から、分離（剥離）の界面は、剥離層３０の内部であることが見て取れる。 （３）上記（１）及び（２）の検討によれば、破断部３５を起点にして、支持基板１０と樹脂プレート１６０とを分離する際の、分離（剥離）の界面が、剥離層３０の内部となるためには、破断部３５が、剥離層３０の途中まで伸びていれば足りることは、当業者であれば認識し得るものである。 そうすると、破断部３５を形成する工程において、保護層５０から剥離層３０の途中まで延びる破断部３５を形成することは、当初明細書等の記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。 したがって、本件補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものである。 ４ 申立人は、特許異議申立書（３７頁６行～１４行）において、「イ．本件出願人は、令和５年５月２４日付け意見書において、「この発明特定事項は、本件の図６（ｃ）、図６（ｄ）などに基づきます。図６（ｃ）及び図６（ｄ）には、保護層５０から剥離層３０の途中まで延びる破断部３５を形成することが明示されています。」と述べているが、図６（ｃ）、図６（ｄ）には上記発明特定事項の記載はなく、また、これらの図は模式図にすぎず、これらの図から上記発明特定事項が明示されているとは到底考えられない。ウ．特に本件の図６（ｃ）を参照するとナイフ等の治具Ｊは明らかに剥離層３０、さらには密着層２０を貫通して支持基板１０まで到達している（図６（ｄ）は剥離面が剥離層３０内に形成されることを示すのみ）」と主張している。 確かに、図６（ｃ）から、ナイフ等の治具Ｊは、剥離層３０及び密着層２０を貫通して支持基板２０まで到達していることが見て取れる。 しかし、申立人も主張するとおり、図６（ｃ）は、模式図にすぎないから、図６（ｃ）のみの記載から、本件補正の適否を判断することは適切ではない。 そして、本件補正が、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであることは、上記３（３）で検討したとおりである。 したがって、申立人の主張は、採用することができない。 ５ 以上のとおりであるから、令和５年５月２４日提出の手続補正書による補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであり、特許法第１７条の２第３項の規定に違反してされたものでない。 したがって、申立理由３は、理由がない。 第８ 申立理由４（サポート要件）について １ 申立人は、特許異議申立書（３８頁６行～９行）において、「本件第１発明は「剥離層の一部であって、樹脂プレートの外側に破断部を形成する工程」と特定しているが、剥離層の外周端部と樹脂プレートの外周端部との関係が特定されていないため、樹脂プレートの外周端部が剥離層の外周端部より外側にあって破断部を形成しえない態様を包含している」と主張している。 しかし、本件発明１の「前記樹脂プレートの外側」の解釈は、上記第５の１（２）アのとおり、支持基板側から剥離層、保護層の順に積層された各層の積層方向において樹脂プレートと重ならない位置であるから、本件発明１において、「剥離層の外周端部」は、「樹脂プレートの外周端部」よりも外側にあり、すなわち、「樹脂プレートの外周端部」は「剥離層の外周端部」より外側になく、申立人が主張する「樹脂プレートの外周端部が剥離層の外周端部より外側にあって破断部を形成しえない態様」は、本件発明１には包含されない。 したがって、申立人の上記主張は、採用することができない。 ２（１）申立人は、特許異議申立書（３８頁１８行～２７行）において、「発明の詳細な説明には、「キャリア」が「密着層」及び「中間層」を有しない実施形態が開示されていない。また、「密着層２０は、例えば、支持基板１０と剥離層３０との間の密着性を向上させる。（段落１６）」、「中間層４０は、例えば、剥離層３０と保護層５０との間の密着性を向上させる。また、中間層４０は、例えば、剥離層３０の酸化や吸湿などの変質及び剥離層３０の汚染を抑制する。（段落２３）」と記載されているように、「密着層」及び「中間層」を有しない場合、キャリア全体の密着性や剥離層の状態に支障をきたすものと読み取れる。してみると、「密着層」及び「中間層」を有しない場合、「半導体装置の製造時の剥離工程の前には支持基板の剥離を抑制（段落５）」という本件の課題を解決できることを当業者が認識できる範囲を超えているといえる。」と主張している。 （２）一方、本件特許明細書の発明の詳細な説明には以下の記載がある。 「【００１０】 図１（ａ）及び図１（ｂ）に表したように、実施形態に係るキャリア１００は、支持基板１０と、支持基板１０の上に設けられた密着層２０と、剥離層３０と、中間層４０と、保護層５０と、を備えている。各層は、支持基板１０側から密着層２０、剥離層３０、中間層４０、保護層５０、の順に積層されている。」 「【００１８】 密着層２０の厚さは、１μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下であり、例えば０．３μｍほどである。密着層２０を２層以上形成する場合、各層の厚さが上記の厚さであることが好ましい。密着層２０は、必要に応じて設けられ、省略可能である。」 「【００２５】 中間層４０の厚さは、１μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以下であり、例えば０．３μｍほどである。中間層４０を２層以上形成する場合、各層の厚さが上記の厚さであることが好ましい。中間層４０は、必要に応じて設けられ、省略可能である。」 （３）上記（２）の【００１０】、【００１８】、【００２５】の記載からすると、密着層２０及び中間層４０は、それぞれ必要に応じて設けられ、省略可能であって、本件発明の課題を解決するための手段であるとはいえない。 したがって、上記アの申立人の主張は、採用することができない。 ３ 申立人は、特許異議申立書（３９頁５行）において、「本件第３発明は、発明の詳細な説明及び図面に記載されたものでない。」と主張している。 しかし、上記第７の３で検討したとおり、請求項３についての本件補正は、当初明細書等の【００２６】、【００６０】の記載から、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであることからすると、請求項３の「前記破断部を形成する工程において、前記保護層から前記剥離層の途中まで延びる前記破断部を形成する」との構成は、当初明細書等に記載されているといえる。 そして、当初明細書等の【００２６】、【００６０】の記載と、本件特許明細書の発明の詳細な説明の【００２６】、【００６０】の記載は同一であるから、請求項３の「前記破断部を形成する工程において、前記保護層から前記剥離層の途中まで延びる前記破断部を形成する」との構成は、本件特許明細書の発明の詳細な説明にも記載されているといえる。 ４ 以上のとおりであるから、申立理由４は、理由がない。 第９ 申立理由５（明確性要件）について 申立人は、特許異議申立書（３９頁６行～１０行）において、「本件第１発明は「剥離層の一部であって、樹脂プレートの外側に破断部を形成する工程」と特定しているが、「樹脂プレートの外側」と「剥離層の外周端部」との位置関係が不明確である。そのため、剥離層の外周端部より樹脂プレートの外周端部が外側にある場合、破断部をどのように形成するのか不明瞭である。」と主張している。 しかし、上記第８の１で検討したとおり、本件発明１において、「剥離層の外周端部」は、「樹脂プレートの外周端部」よりも外側にあり、すなわち、「樹脂プレートの外周端部」は「剥離層の外周端部」より外側にないから、両者の位置関係は明確である。 したがって、申立人の主張は、採用することができない。 よって、申立理由５は、理由がない。 第１０ 申立理由６（実施可能要件）について １ 申立人は、特許異議申立書（３９頁１３行～２４行）において、「本件発明の詳細な説明は、本件第３発明で特定された「前記破断部を形成する工程において、前記保護層から前記剥離層の途中まで延びる前記破断部を形成する、」をいかなる手段で実施可能であるのか、当業者が技術常識を参酌しても理解できる程度に記載されていない。本件発明の詳細な説明には「剥離層３０の厚さは、１０００ｎｍ以下であり、好ましくは１００ｎｍ以下であり、より好ましくは１０ｎｍ以下であり、例えば数ｎｍである。（段落２１）」、「破断部３５は、例えば、ナイフ等の治具Ｊを用いて、剥離層３０のうち樹脂プレート１６０の外側に位置する部分を破断することで形成される。（段落５９）」と記載されている。しかし、ナイフ等の治具によって、厚さ１０００ｎｍ以下の剥離層の途中まで破断部を形成することは至難の業である。よって、どのように実施すれば剥離層の途中まで延びる破断部を形成できるのか理解できない。」と主張している。 ２ しかし、本件発明３では、剥離層の厚さは特定されておらず、その厚さは、剥離層の途中まで延びる破断部が形成される厚さであることは明らかであり、剥離層の厚さが１０００ｎｍ以下であることを前提とする上記１の上記申立人の主張は、採用できない。 したがって、申立理由６は、理由がない。 第１１ むすび 以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１～３に係る特許を取り消すことはできない。また、他に請求項１～３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。