2025-000740

特願２０２４－ ２７２９６「太陽電池及びその製造方法、光起電力モジュール」拒絶査定不服審判事件〔令和７年６月２６日出願公開、特開２０２５－９６０９５〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、令和６年２月２７日（パリ条約による優先権主張２０２３年１２月１５日、中国（ＣＮ））の出願であって、その手続の経緯の概略は、次のとおりである。 令和６年 ６月 ３日付け：拒絶理由通知書 同年 ９月 ５日 ：意見書、手続補正書の提出 同月１２日付け：拒絶査定（以下「原査定」という。） （同月１９日 ：原査定の謄本の送達） 令和７年 １月２０日 ：審判請求書の提出 第２ 本願発明の認定 本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、令和６年９月５日に提出された手続補正書により補正された請求項１に記載された次に示す事項により特定されるとおりのものである。 「 【請求項１】 基板であって、前記基板が対向設置された第１表面及び第２表面を備え、前記第１表面が、間隔をあけて交互に設置された電極領域及び非電極領域と、前記電極領域と前記非電極領域の間に位置する遷移領域と、を含む基板と、 前記第１表面の前記電極領域のみに形成される第１誘電体層及び第１ドーピング導電層と、を含み、 前記第１ドーピング導電層が前記第１誘電体層の前記基板から遠い側の上側に位置し、 前記遷移領域が第１表面構造を備え、前記第１表面構造が間隔をあけて設置された複数の第１ピラミッド構造を含み、前記第１表面構造が複数の微細突起構造をさらに含み、前記微細突起構造の底部の一次元寸法が前記第１ピラミッド構造の底部の一次元寸法よりも小さく、 前記微細突起構造は、前記電極領域に向かって傾斜する角柱構造を含み、 前記角柱構造が前記第１ピラミッド構造の側面に位置し、及び／又は、前記角柱構造が前記遷移領域において前記電極領域に近い一部の領域に位置し、及び／又は、前記第１ピラミッド構造の側面から離れた方向に沿って、複数の前記角柱構造が順次配列されている、 ことを特徴とする太陽電池。」 第３ 原査定における拒絶の理由の概要 本願発明についての原査定の拒絶の理由の概要は、次のとおりである。 以下に示すとおり、本願は、発明の詳細な説明の記載が特許法３６条４項１号に規定する要件を満たしていない。 請求項１には「前記第１表面構造が間隔をあけて設置された複数の第１ピラミッド構造を含み、前記第１表面構造が複数の微細突起構造をさらに含み、前記微細突起構造の底部の一次元寸法が前記第１ピラミッド構造の底部の一次元寸法よりも小さく」と記載されている。 これに対し、発明の詳細な説明の記載から、「第１表面構造」が、レーザー工程によって形成されることは把握できる。 しかしながら、発明の詳細な説明には、レーザー工程の具体的な条件までは記載されていないから、請求項１で特定される前記「第１表面構造」をどのように形成することができるのかを理解できない。そして、出願時の技術常識を鑑みても、そのようなレーザー工程の具体的な条件が自明のものとはいえないから、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が明細書及び図面に記載された発明の実施についての説明と出願時の技術常識とに基づいて、本願発明を実施しようとした場合に、どのように実施するかを理解できない。 第４ 当合議体の判断 １ 実施可能要件の判断基準 本願明細書の発明の詳細な説明の記載が、特許法３６条４項１号に規定されるいわゆる実施可能要件に適合するか否かは、発明の詳細な説明に、当業者が、明細書及び図面に記載された発明の実施についての説明及び出願時の技術常識に基いて、過度の試行錯誤を要することなく、その発明を実施することができる程度に、発明の詳細な説明が明確かつ十分に記載されているか否かを検討して判断すべきものであり、物の発明について実施をすることができるとは、その物を作れ、かつ、その物を使用できることができることである。 以下、この観点に立って検討する。 ２ 本願の明細書等の記載について 本願の発明の詳細を含む明細書及び図面には、本願発明について、次の事項が記載されている。なお、合議体が実施可能要件の判断において特に考慮した記載に下線を付した。 「【０００１】 本発明の実施例は、光起電力の分野に関し、特に、太陽電池及びその製造方法、光起電力モジュールに関するものである。 …（中略）… 【発明の概要】 【発明が解決しようとする課題】 【０００５】 本開示の実施例には、少なくとも太陽電池の光電変換効率の向上に有利である太陽電池及びその製造方法、光起電力モジュールが提供される。 【課題を解決するための手段】 【０００６】 本開示のいくつかの実施例によれば、本開示の実施例の一態様では、太陽電池が提供され、この太陽電池は、基板と、電極領域に位置する第１誘電体層と、前記第１誘電体層の前記電極領域から離れた側に位置する第１ドーピング導電層とを含み、前記基板が対向設置された第１表面及び第２表面を備え、前記第１表面が、間隔をあけて交互に設置された前記電極領域及び非電極領域と、前記電極領域と前記非電極領域の間に位置する遷移領域と、を含み、前記遷移領域が第１表面構造を備え、前記第１表面構造が間隔をあけて設置された複数の第１ピラミッド構造を含み、前記第１表面構造が複数の微細突起構造をさらに含み、前記微細突起構造の底部の一次元寸法が前記第１ピラミッド構造の底部の一次元寸法よりも小さい。 【０００７】 いくつかの実施例では、前記微細突起構造は、前記電極領域に向かって傾斜する角柱構造、第２ピラミッド構造または三角形の板状構造の少なくとも１つを含む。 【０００８】 いくつかの実施例では、前記角柱構造が前記第１ピラミッド構造の側面に位置し、及び／又は、前記角柱構造が前記遷移領域において前記電極領域に近い一部の領域に位置し、及び／又は、前記第１ピラミッド構造の側面から離れた方向に沿って、複数の前記角柱構造が順次配列されている。 …（中略）… 【発明の効果】 【００２４】 本開示の実施例に提供された技術案は、少なくとも以下の利点を有する。 【００２５】 第１表面は、電極領域と、遷移領域と、非電極領域と、を含む。積層配置された第１誘電体層及び第１ドーピング導電層が電極領域に設置され、第１誘電体層及び第１ドーピング導電層が電極領域に対するパッシベーションコンタクト構造を構成し、これによって、第１誘電体層の電極領域に対する化学的パッシベーション作用と第１ドーピング導電層の電極領域に対するフィールドパッシベーション作用とによって、電極領域の深刻なキャリア再結合問題を改善し、この後に電極領域に形成された電極の基板におけるキャリアに対する収集効率を高めるのに寄与する。一方、電極領域のみに第１誘電体層と第１ドーピング導電層を形成することで、第１誘電体層及び第１ドーピング導電層が第１表面１１０に照射された入射光に対する非電極領域と遷移領域の吸収を下げることを防止し、即ち電極領域の深刻なキャリア再結合問題を改善するとともに、第１表面の入射光に対する高吸収率を確保するのに寄与する。 【００２６】 さらに、遷移領域は、第１ピラミッド構造及び微細突起構造を含む第１表面構造を備えることによって、異なる角度で遷移領域に入射した入射光が、少なくとも１回の反射によって第１ピラミッド構造及び／又は微細突起構造を介して遷移領域に吸収される確率が高くなり、かつ、少なくとも１回の反射によって第１ピラミッド構造及び／又は微細突起構造を介して非電極領域に反射されて非電極領域に吸収される確率が高くなり、第１表面の入射光に対する吸収率を高めるのに寄与する。また、微細突起構造の底部の一次元寸法が第１ピラミッド構造の底部の一次元寸法よりも小さいことによって、電極領域が第１表面構造を介して非電極領域により滑らかに遷移するようになることに有利である。 【００２７】 したがって、電極領域の深刻なキャリア再結合問題を改善し、かつ第１表面の入射光に対する吸収率を高めることで、太陽電池の光電変換効率を向上させている。 …（中略）… 【発明を実施するための形態】 …（中略）… 【００３０】 分析によると、現在、太陽電池の光電変換効率が低い原因は、基板の表面で一般的に拡散工程を使って基板の一部をエミッタに変換し、エミッタには基板と異なる種類のドーピング元素が含まれているため、エミッタとドーピング元素が拡散されていない基板とがＰＮ接合を形成し、基板表面の電極領域でのキャリアの再結合が大きすぎるようになって、太陽電池の開放電圧と光電変換効率に影響しやすいおそれがあることであることがわかった。 【００３１】 本願の実施例は、太陽電池及びその製造方法、光起電力モジュールを提供し、太陽電池では、電極領域に積層配置された第１誘電体層と第１ドーピング導電層を設置し、第１誘電体層と第１ドーピング導電層の電極領域に対するパッシベーション作用によって電極領域の深刻なキャリア再結合問題を改善し、この後に電極領域に形成される電極の基板におけるキャリアに対する収集効率を高める。一方、電極領域のみに第１誘電体層と第１ドーピング導電層を形成することで、第１誘電体層と第１ドーピング導電層が第１表面に照射された入射光に対する非電極領域と過渡領域の吸収を低減することを防止し、また、過渡領域には第１表面構造を有していることで、異なる角度で過渡領域に入射した入射光が第１ピラミッド構造及び／又は微細突起構造を介して過渡領域に吸収される確率が高くなり、かつ、第１ピラミッド構造及び／又は微細突起構造を介して非電極領域に反射されて非電極領域に吸収される確率が高くなり、第１表面の入射光に対する吸収率を高めるのに寄与する。したがって、電極領域の深刻なキャリア再結合問題を改善し、かつ第１表面の入射光に対する吸収率を高めることで、太陽電池の光電変換効率を高めることができる。 【００３２】 以下、本開示の各実施例について図面を結合して詳細に説明する。しかしながら、当業者は理解できるが、読者に本願をよりよく理解させるために、本開示の実施例において多数の技術的細部が提案されているが、これらの技術的細部及び以下の各実施例に基づく種々の変更や修正がなくても、本開示の実施例が保護を要求している技術案を実現することができる。 …（中略）… 【００３４】 図１～図４に示すように、太陽電池は、基板１００と、電極領域１０１に位置する第１誘電体層１０４と、第１誘電体層１０４の電極領域１０１から離れた側に位置する第１ドーピング導電層１０５とを含み、基板１００が対向設置された第１表面１１０及び第２表面１２０を備え、第１表面１１０が、間隔をあけて交互に設置された電極領域１０１及び非電極領域１０３と、電極領域１０１と非電極領域１０３の間に位置する遷移領域１０２と、を含み、遷移領域１０２が第１表面構造１１２を備え、第１表面構造１１２が間隔をあけて設置された複数の第１ピラミッド構造１２２を含み、第１表面構造１１２が複数の微細突起構造１３２をさらに含み、微細突起構造１３２の底部の一次元寸法Ｌ１が第１ピラミッド構造１２２の底部の一次元寸法Ｌ２よりも小さい。 【００３５】 なお、図１は、本願の一実施例で提供された太陽電池の局所断面構造を示す図であり、図２は、本願の一実施例で提供された太陽電池の局所立体電子顕微鏡模式図であり、図３は、図２の枠Ｉ箇所の拡大電子顕微鏡写真であり、図４は、本願の一実施例で提供された太陽電池における第１ピラミッド構造と微細突起構造の立体構造を示す図である。また、電極領域１０１、遷移領域１０２、非電極領域１０３、第１誘電体層１０４、第１ドーピング導電層１０５の大まかな位置を示すために、図１には、基板１００、第１誘電体層１０４及び第１ドーピング導電層１０５の表面形態の特徴が示されていない。」 「【図１】 ［図：0001438853000001.jpg］ 【図２】 ［図：0001438853000002.jpg］ 【図３】 ［図：0001438853000003.jpg］ 【図４】 ［図：0001438853000004.jpg］ 」 「【００３６】 図１に示すように、第１表面１１０は、複数の電極領域１０１と、複数の遷移領域１０２と、複数の非電極領域１０３と、を含む。積層配置された第１誘電体層１０４及び第１ドーピング導電層１０５が電極領域１０１に設置され、第１誘電体層１０４及び第１ドーピング導電層１０５が電極領域１０１に対するパッシベーションコンタクト構造を構成し、これによって、第１誘電体層１０４の電極領域１０１に対する化学的パッシベーション作用と第１ドーピング導電層１０５の電極領域１０１に対するフィールドパッシベーション作用とによって、電極領域１０１の深刻なキャリア再結合問題を改善し、この後に電極領域１０１に形成された電極の基板１００におけるキャリアに対する収集効率を高めるのに寄与する。一方、電極領域１０１のみに第１誘電体層１０４と第１ドーピング導電層１０５を形成することで、第１誘電体層１０４及び第１ドーピング導電層１０５が第１表面１１０に照射された入射光に対する非電極領域１０３と遷移領域１０２の吸収を下げることを防止し、即ち電極領域１０１の深刻なキャリア再結合問題を改善するとともに、第１表面１１０の入射光に対する高吸収率を確保するのに寄与する。 【００３７】 さらに、図３に示すように、第１表面構造１１２は、交雑して設置された複数の第１ピラミッド構造１２２を備え、離散的な第１ピラミッド構造１２２に加えて、第１表面構造１１２は、微細突起構造１３２をさらに備える。これにより、異なる角度で遷移領域１０２に入射した入射光が、少なくとも１回の反射によって第１ピラミッド構造１２２及び／又は微細突起構造１３２を介して遷移領域１０２に吸収される確率が高くなり、かつ、少なくとも１回の反射によって第１ピラミッド構造１２２及び／又は微細突起構造１３２を介して非電極領域１０３に反射されて非電極領域１０３に吸収される確率が高くなり、第１表面１１０の入射光に対する吸収率を高めるのに寄与する。また、微細突起構造１３２の底部の一次元寸法が第１ピラミッド構造１２２の底部の一次元寸法よりも小さいことによって、電極領域１０１が第１表面構造１１２を介して非電極領域１０３により滑らかに遷移するようになることに有利である。 【００３８】 したがって、電極領域１０１の深刻なキャリア再結合問題を改善し、かつ第１表面１１０の入射光に対する吸収率を高めることで、太陽電池の光電変換効率を向上させている。 【００３９】 いくつかの実施例では、電極領域１０１とは、基板１００の厚さ方向に沿って、基板１００内の電極に正対する領域または電極の基板１００への正投影が位置する領域を指す。また、遷移領域１０２と非電極領域１０３とは、基板１００内の電極に正対していない領域または電極以外の領域の基板１００への正投影が位置する領域を指し、且つ、遷移領域１０２が電極領域１０１と非電極領域１０３の間に位置している。実際の応用において、電極領域１０１の基板１００への正投影の面積は、電極の基板１００への正投影の面積以上であってもよく、電極と基板１００との接触する領域が全部電極領域１０１であることを確保するのに寄与する。 【００４０】 なお、上述した電極は、いずれも後述する基板１００の第１表面１１０に正対する電極である。上述した電極領域１０１と非電極領域１０３の定義は、後述する非ＩＢＣセルを対象とする場合、太陽電池の２つの異なる極性の電極は、それぞれ基板１００の対向する２つの側面に位置し、上述した電極は、第１表面１１０に位置する電極であり、太陽電池がＩＢＣセルである場合または２つの異なる極性の導電性電極が基板１００の同じ側に位置する場合、１つの電極領域１０１は、２種類の極性の電極のいずれかに正対する領域を指す。 【００４１】 以下、図面を参照しながら、本願の実施例をより詳細に説明する。 【００４２】 いくつかの実施例では、図３及び図４に示すように、微細突起構造１３２は、電極領域１０１に向かって傾斜する角柱構造１４２、第２ピラミッド構造１５２または三角形の板状構造の少なくとも１つを含む。 【００４３】 なお、図３では、微細突起構造１３２が電極領域１０１に向かって傾斜する角柱構造１４２、第２ピラミッド構造１５２及び三角形の板状構造の三者を含んだことを例としているが、実際の応用において、同じ遷移領域１０２の第１表面構造１１２にとって、微細突起構造１３２は、第２ピラミッド構造１５２、三角形の板状構造１６２または電極領域１０１に向かって傾斜する角柱構造１４２のうちの１つのみを含んでもよい。また、微細突起構造１３２は、電極領域１０１に向かって傾斜する角柱構造１４２、第２ピラミッド構造１５２または三角形の板状構造１６２のうちの１つであることに加えて、不規則な粒子状構造であってもよい。 【００４４】 図４～図６に示すように、微細突起構造１３２の底部の一次元寸法Ｌ１は、第１ピラミッド構造１２２２の底部の一次元寸法Ｌ２よりも小さい。ここで、図５は、本願の一実施例で提供された微細突起構造１３２の底部の上面視構造を示す図であり、図６は、本願の一実施例で提供された微細突起構造１３２の底部の別の上面視構造を示す図である。また、第１ピラミッド構造１２２、角柱構造１４２、第１ピラミッド構造１２２第２ピラミッド構造１５２、及び三角形の板状構造１６２の特徴をはっきりと示すために、図４における第１ピラミッド構造１２２、角柱構造１４２、第１ピラミッド構造１２２第２ピラミッド構造１５２及び三角形の板状構造１６２は、いずれも透視図法を採用している。」 「【図４】（再掲） ［図：0001438853000005.jpg］ 【図５】 ［図：0001438853000006.jpg］ 【図６】 ［図：0001438853000007.jpg］ 【００４５】 なお、図５に示すように、微細突起構造１３２の底部の一次元寸法Ｌ３は、微細突起構造１３２の底部の基板１００への正投影パターンの長さ、幅または対角線の長さのいずれかを含む。また、図５では、微細突起構造１３２の底部の基板１００への正投影パターンが規則的な四角形であることを例としており、この場合、微細突起構造１３２の底部の一次元寸法Ｌ１は、規則的な四角形の長さ、幅または対角線の長さのうちのいずれかである。 【００４６】 実際の応用において、微細突起構造１３２の底部の基板１００への正投影パターンは、不規則な多角形であってもよい。この場合、微細突起構造１３２の底部の基板１００への正投影パターンの長さ、幅または対角線の長さは、絶対的なものではなく、微細突起構造１３２の底部を表すために人為的に定義された一次元寸法Ｌ１である。例えば、図６に示すように、微細突起構造１３２の底部の基板１００への正投影パターンは、不規則な四角形であり、この場合、微細突起構造１３２の底部の基板１００への正投影パターンの長さＬ１１は、不規則な四角形の最も長い辺の長さとして定義されることができ、微細突起構造１３２の底部の基板１００への正投影パターンの幅Ｌ１２は、不規則な四角形の最も短い辺の長さとして定義されることができ、微細突起構造１３２の底部の基板１００への正投影パターンの対角線の長さＬ１３は、不規則な四角形の最も長い対角線の長さとして定義されることができるが、以上は、例示的な説明であり、具体的には実際のニーズに応じて柔軟に定義できることが理解できる。 【００４７】 また、微細突起構造１３２の底部の基板１００への正投影パターンは、不規則な四角形のほか、他の不規則な多角形、円形または円形に類似する不規則な形状であってもよく、この場合、微細突起構造１３２の底部の一次元寸法Ｌ１は、微細突起構造１３２の底部の中の異なる特定面積の領域を複数選び、この特定面積の領域が実際のニーズに応じて柔軟に定義し、そして、異なる特定面積の領域の長さ、幅、対角線または直径の平均値を求めることができる。 【００４８】 なお、図４に示すように、第１ピラミッド構造１２２の底部の基板１００への正投影パターンは、一般的に規則的な四角形であり、この場合、第１ピラミッド構造１２２の底部の一次元寸法Ｌ２は、規則的な四角形の長さ、幅または対角線の長さのいずれかである。実際の応用において、第１ピラミッド構造１２２の底部の基板１００への正投影パターンは、不規則な四角形であってもよく、このとき、微細突起構造１３２の底部の基板１００への正投影パターンが不規則な四角形である場合の一次元寸法Ｌ１の定義と類似しているため、ここで繰り返して説明する必要がない。 【００４９】 また、異なる第１ピラミッド構造１２２の底部の一次元寸法Ｌ２は、異なってもよいし、同じであってもよいが、第１ピラミッド構造１２２の底部の一次元寸法Ｌ２は、ある数値範囲内にある。異なる微細突起構造１３２の底部の一次元寸法Ｌ１は、異なってもよいし、同じであってもよいが、微細突起構造１３２の底部の一次元寸法Ｌ１もある数値範囲内にある。微細突起構造１３２の底部の一次元寸法Ｌ１が第１ピラミッド構造１２２の底部の一次元寸法Ｌ２よりも小さいことは、遷移領域１０２における複数の微細突起構造１３２の底部の一次元寸法Ｌ１の平均値が遷移領域１０２における複数の第１ピラミッド構造１２２の底部の一次元寸法Ｌ２の平均値よりも小さいことを指す。 【００５０】 以下、角柱構造１４２の具体的な特徴について詳しく説明する。 【００５１】 いくつかの実施例では、図３に示すように、角柱構造１４２が第１ピラミッド構造１２２の側面に位置する。角柱構造１４２の第１ピラミッド構造１２２の側面における配列は、以下の２つの状況を含む。いくつかの状況では、１つの角柱構造１４２が１つの第１ピラミッド構造１２２の側面に位置する。他のいくつかの状況では、１つの第１ピラミッド構造１２２の同じ側面には、複数の角柱構造１４２が付着されており、且つ各角柱構造１４２がいずれも当該側面に接触して接続される。 【００５２】 他のいくつかの実施例では、図３に示すように、一部の角柱構造１４２が遷移領域１０２において電極領域１０１に近い一部の領域に位置する。例えば、角柱構造１４２が第１ピラミッド構造１２２と電極領域１０１との間に位置する。 【００５３】 他のいくつかの実施例では、第１ピラミッド構造１２２の側面から離れた方向に沿って、複数の角柱構造１４２が順次配列されている。例えば、複数の角柱構造１４２のうち、第１ピラミッド構造１２２の側面に最も近い角柱構造１４２のみが第１ピラミッド構造１２２の側面に接触して接続されている。 【００５４】 なお、同じ遷移領域１０２が備えた複数の角柱構造１４２は少なくとも上述した３種類の実施例における少なくとも１種類の角柱構造１４２であり、即ち、同じ遷移領域１０２が備えた複数の角柱構造１４２は、それぞれ上述した３種類の実施例における角柱構造１４２の特徴を有してもよく、または上述した任意の２種類の実施例における角柱構造１４２の特徴を有してもよく、または上述した任意の１種類の実施例における角柱構造１４２の特徴を有してもよい。 【００５５】 以下、第２ピラミッド構造１５２の具体的な特徴について詳しく説明する。 【００５６】 いくつかの実施例では、図７に示すように、図７は、本願の一実施例で提供された第２ピラミッド構造１５２及び第１ピラミッド構造１２２の１つの配列例であり、第２ピラミッド構造１５２の底部が第１ピラミッド構造１２２の底部に接触して接続されている。場合によって、同じ第１ピラミッド構造１２２の底部の周りに複数の第２ピラミッド構造１５２が取り囲まれることができ、各第２ピラミッド構造１５２の底部がいずれもこの第１ピラミッド構造１２２の底部に接触して接続されている。」 「【図７】 ［図：0001438853000008.jpg］ 」 「【００５７】 他のいくつかの実施例では、図８に示すように、図８は、本願の一実施例で提供された第２ピラミッド構造１５２と第１ピラミッド構造１２２の別の配列例であり、少なくとも１つの第２ピラミッド構造１５２が隣接する２つの第１ピラミッド構造１２２の間隔に位置している。言い換えれば、第２ピラミッド構造１５２の底部は、第１ピラミッド構造１２２の底部に接触して接続されていない。」 「【図８】 ［図：0001438853000009.jpg］ 」 「【００５８】 なお、同じ遷移領域１０２が備える第２ピラミッド構造１５２は、上述した２種類の実施例における少なくとも１種類の第２ピラミッド構造１５２であり、即ち、同じ遷移領域１０２が備える複数の第２ピラミッド構造１５２は、それぞれ上述した２種類の実施例における第２ピラミッド構造１５２の特徴を有してもよいし、上述したいずれか１種類の実施例における第２ピラミッド構造１５２の特徴を有してもよい。 【００５９】 以下、三角形の板状構造１６２の具体的な特徴について詳しく説明する。 【００６０】 いくつかの実施例では、図３に示すように、三角形の板状構造１６２は第１ピラミッド構造１２２の側面に位置している。三角形の板状構造１６２が第１ピラミッド構造１２２の側面に配列された状況は、１つの三角形の板状構造１６２が第１ピラミッド構造１２２の側面に位置する場合と、１つの第１ピラミッド構造１２２の同じ側面に複数の三角形の板状構造１６２が付着され、且つ各三角形の板状構造１６２がいずれもこの側面に接触して接続される場合と、を含む。 【００６１】 他のいくつかの実施例では、図３に示すように、第１ピラミッド構造１２２の側面から離れた方向に沿って、複数の三角形の板状構造１６２が順次配列されている。例えば、複数の三角形の板状構造１６２のうち、第１ピラミッド構造１２２の側面に最も近い三角形の板状構造１６２のみが第１ピラミッド構造１２２の側面に接触して接続されている。 【００６２】 なお、同じ遷移領域１０２が備える三角形の板状構造１６２は、上述した２種類の実施例における少なくとも１種類の三角形の板状構造１６２であり、即ち、同じ遷移領域１０２が備える複数の三角形の板状構造１６２は、それぞれ上述した２種類の実施例における三角形の板状構造１６２の特徴を有してもよいし、上述したいずれか１種類の実施例における三角形の板状構造１６２の特徴を有してもよい。 【００６３】 いくつかの実施例では、図３に示すように、第１ピラミッド構造１２２が遷移領域１０２において非電極領域１０３に近い一部の領域に位置している。言い換えれば、遷移領域１０２の非電極領域１０３に近い一部の領域には、より典型的な第１ピラミッド構造１２２がある。 【００６４】 なお、上述したように、各実施例によって遷移領域１０２の第１表面構造１１２を説明しており、即ち、第１表面構造１１２の構成には多様性がある。場合によって、同じ遷移領域１０２には、第１ピラミッド構造１２２に加えて、複数の微細突起構造１３２をさらに備え、また、異なる遷移領域１０２における複数の微細突起構造１３２の具体的な特徴が異なり、例えば、隣接する２つの遷移領域１０２のうちの一方は、電極領域１０１に向かって傾斜する角柱構造１４２及び第２ピラミッド構造１５２を備え、他方が第２ピラミッド構造１５２及び三角形の板状構造１６２を備える。」 「【０１４２】 上記のように、積層配置された第１誘電体層１０４と第１ドーピング導電層１０５を電極領域１０１に設置し、第１誘電体層１０４と第１ドーピング導電層１０５の電極領域１０１に対するパッシベーション作用によって、電極領域１０１の深刻なキャリア再結合問題を改善し、この後に電極領域１０１に形成される電極の基板１００におけるキャリアに対する収集効率を向上させる。一方、電極領域１０１のみに第１誘電体層１０４と第１ドーピング導電層１０５を形成することで、第１誘電体層１０４と第１ドーピング導電層１０５が第１表面１１０に照射された入射光に対する非電極領域１０３と遷移領域１０２の吸収を低下させることを防止する。また、第１表面構造１１２が複数の第１ピラミッド構造１２２と微細突起構造１３２を備えることによって、異なる角度で遷移領域１０２に入射した入射光は、少なくとも１回の反射によって第１ピラミッド構造１２２及び／又は微細突起構造１３２を介して遷移領域１０２に吸収される確率が高くなり、かつ少なくとも１回の反射によって第１ピラミッド構造１２２及び／又は微細突起構造１３２を介して非電極領域１０３に反射されて非電極領域１０３に吸収される確率が高くなり、第１表面１１０の入射光に対する吸収率を高めるのに寄与する。これにより、電極領域１０１の深刻なキャリア再結合問題を改善し、第１表面１１０の入射光に対する吸収率を向上させることで、太陽電池の光電変換効率を高めることができる。 【０１４３】 本願の別の実施例は、上述した実施例で提供された太陽電池を製造するための太陽電池の製造方法をさらに提供する。以下、図面を参照しながら、本願の別の実施例で提供された太陽電池の製造方法について詳しく説明する。なお、上述した実施例と同じ部分または対応する部分について、ここでは説明を割愛する。 【０１４４】 図１６～図２１は、本願の別の実施例で提供された太陽電池の製造方法における各ステップに対応する局所断面構造を示す図である。 【０１４５】 図１６～図２１に示すように、太陽電池の製造方法は、少なくとも、以下のステップを含む。 【０１４６】 ステップＳ１１：図１６に示すように、初期基板１３０を提供し、初期基板１３０が対向設置された初期第１表面１４０及び初期第２表面１５０を備え、初期第１表面１４０が間隔をあけて交互に設置された初期電極領域１７１及び初期非電極領域１７３と、初期電極領域１７１と初期非電極領域１７３の間に位置する初期遷移領域１７２と、を含む。」 「【図１６】 ［図：0001438853000010.jpg］ 」 「【０１４７】 いくつかの実施例では、この後の初期第１誘電体層を形成する前に、初期第１表面１４０に対して第１エッチング工程を行って、初期第１表面１４０に第１テクスチャ構造を持たせることをさらに含んでもよく、即ち初期電極領域１７１、初期遷移領域１７２及び初期非電極領域１７３の表面が、いずれも類似したテクスチャ構造を備え、このテクスチャ構造がピラミッド構造であってもよい。第１エッチング工程は、化学エッチングを含んでもよく、例えば、水酸化カリウムと過酸化水素の混合溶液で初期基板１３０の表面を洗浄し、具体的には水酸化カリウムと過酸化水素の濃度比を制御することで形態が所望に適合する初期第１表面１４０を形成することができる。他のいくつかの実施例では、レーザーエッチング、機械法、プラズマエッチングなどの方法でテクスチャ形成処理を行ってもよい。 【０１４８】 ステップＳ１２：初期第１表面１４０を覆う初期第１誘電体層を形成する。ステップＳ１３：初期第１誘電体層の初期基板１３０から離れた側の表面を覆う初期第１ドーピング導電層を形成する。ステップＳ１４：レーザー工程で初期遷移領域１７２と初期非電極領域１７３に位置する初期第１誘電体層と初期第１ドーピング導電層を除去して、第１表面１１０を備える基板１００を形成する。 【０１４９】 なお、異なるタイプの電池を形成するために、ステップＳ１２～ステップＳ１４は、ある程度異なっており、以下、これらについてそれぞれ詳しく説明する。 【０１５０】 ここで、図１６、図１～図４に示すように、レーザー工程により処理された後の初期電極領域１７１、初期遷移領域１７２及び初期非電極領域１７３は、それぞれ電極領域１０１、遷移領域１０２及び非電極領域１０３であり、遷移領域１０２が第１表面構造１１２を備え、第１表面構造１１２が間隔をあけて設置された複数の第１ピラミッド構造１２２を含み、第１表面構造１１２が複数の微細突起構造１３２をさらに含み、微細突起構造１３２の底部の一次元寸法Ｌ１が第１ピラミッド構造１２２の底部の一次元寸法Ｌ２よりも小さく、電極領域１０１に位置する残りの初期第１誘電体層が第１誘電体層１０４である、電極領域１０１に位置する残りの初期第１ドーピング導電層が第１ドーピング導電層１０５である。」 「【図１６】（再掲） ［図：0001438853000011.jpg］ 【図１】（再掲） ［図：0001438853000012.jpg］ 【図２】（再掲） ［図：0001438853000013.jpg］ 【図３】（再掲） ［図：0001438853000014.jpg］ 【図４】（再掲） ［図：0001438853000015.jpg］ 」 「【０１５１】 以下、両面ＴＯＰＣＯＮセルを形成することを例として、ステップＳ１２～ステップＳ１４について詳しく説明する。 【０１５２】 ステップＳ１２では、図１７に示すように、初期第１表面１４０を覆う初期第１誘電体層１５４を形成する。 【０１５３】 いくつかの実施例では、図１７に示すように、初期第１誘電体層１５４を形成するステップにおいて、さらに、初期第２表面１５０を覆う第２誘電体層１１４を形成することを含んでもよい。これにより、同一工程ステップで初期第１誘電体層１５４と第２誘電体層１１４を形成することで、工程プロセスを省くことができるだけでなく、初期第１誘電体層１５４と第２誘電体層１１４を別々に形成することに比べて、コーディング除去回数を減らすことができる。」 「【図１７】 ［図：0001438853000016.jpg］ 」 「【０１５４】 場合によって、先に初期第１表面１４０に初期第１誘電体層１５４を形成すると、まず初期第２表面１５０に保護層を形成し、初期第１誘電体層１５４の形成ステップが初期第２表面１５０に影響しないようにする必要がある。また、初期第１誘電体層１５４を形成する工程ステップでは、初期基板１３０の側面にもコーディングを形成してしまい、初期第１誘電体層１５４形成後、初期基板１３０の側面に１回目のコーディング除去処理を行う必要がある。１回目のコーディング除去処理を行った後、初期第２表面１５０に第２誘電体層１１４を形成する。第２誘電体層１１４の形成ステップが初期第１表面１４０に影響しないようにするために、まず初期第１表面１４０に保護層を形成する必要があり、且つ第２誘電体層１１４形成ステップでは初期基板１３０の側面にコーディングを形成するため、第２誘電体層１１４の形成後、２回目のコーディング除去処理を行う必要がある。 【０１５５】 場合によって、コーディング除去ステップでは、初期基板１３０の側面に形成されたコーディングを湿式化学法で洗浄する必要がある。言い換えれば、コーディング除去ステップは、コーディングを除去するだけでなく、湿式化学法を採用するため、初期基板１３０にダメージを与えることがある。本願の一実施例では、初期第１誘電体層１５４と第２誘電体層１１４を同時に形成することで、初期第１表面１４０と初期第２表面１５０にそれぞれ保護層を形成するステップを省くことができる一方、初期第１誘電体層１５４と第２誘電体層１１４を形成した後、１回のコーディング除去ステップを行うだけでよく、工程ステップを大幅に簡略化し、工程効率を高めることができる。また、初期第１表面１４０と初期第２表面１５０に保護層を形成する必要がないため、後に保護層を除去する必要がなく、保護層除去ステップに起因する初期基板１３０への工程ダメージを回避し、初期基板１３０の良好な性能を保つことができる。 【０１５６】 ステップＳ１３では、図１７に示すように、初期第１誘電体層１５４の初期基板１３０から離れた側の表面を覆う初期第１ドーピング導電層１５５を形成する。 …（中略）… 【０１６８】 ステップＳ１４では、図１７と図１に示すように、レーザー工程で初期遷移領域１７２と初期非電極領域１７３における初期第１誘電体層１５４と初期第１ドーピング導電層１５５を除去して、第１表面１１０を備えた基板１００を形成する。 【０１６９】 いくつかの実施例では、初期第１表面１４０は、第１テクスチャ構造を備え、レーザー工程で初期遷移領域１７２と初期非電極領域１７３に位置する初期第１誘電体層１５４と初期第１ドーピング導電層１５５を除去するステップにおいて、図１７、図９及び図３に示すように、初期電極領域１７１に位置する第１ドーピング導電層１０５が第２表面構造１２５を備え、初期遷移領域１７２に位置する第１テクスチャ構造が第１表面構造１１２に変換され、初期非電極領域１７３に位置する第１テクスチャ構造が第３表面構造１１３に変換され、ここで、第２表面構造１２５が複数の第３ピラミッド構造１３５を含み、第３表面構造１１３が複数の第４ピラミッド構造１２３を含み、第１ピラミッド構造１２２の底部の一次元寸法が第３ピラミッド構造１３５の底部の一次元寸法よりも大きく、第３ピラミッド構造１３５の底部の一次元寸法が第４ピラミッド構造１２３の底部の一次元寸法よりも大きい。 【０１７０】 なお、レーザー工程の工程パラメータを調整することで、第１表面構造１１２を微調整することができる。」 「【図１７】（再掲） ［図：0001438853000017.jpg］ 【図１】（再掲） ［図：0001438853000018.jpg］ 」 「【０１７１】 以下、ＨＪＴセルを形成することを例として、ステップＳ１２～ステップＳ１４について、詳しく説明する。 …（中略）… 【０１７５】 なお、本願の別の実施例では、真性半導体層２１４と初期第１誘電体層２５４の優先順位について限定しない。また、図１８における初期基板２３０、初期第１表面２４０、初期第２表面２５０、初期電極領域２７１、初期遷移領域２７２、初期非電極領域２７３、初期第１誘電体層２５４及び初期第１ドーピング導電層２５５は、いずれも上述した実施例での対応する構成と類似しているため、ここでは説明を割愛する。 【０１７６】 以下、ＩＢＣセルを形成することを例として、ステップＳ１２～ステップＳ１４について詳しく説明する。 …（中略）… 【０１８４】 図２１と図１２に示すように、レーザー工程を採用するステップは、第２レーザー工程で初期正電極領域３５１、初期遷移領域３７２及び初期非電極領域３７３に位置する初期第２サブ誘電体層３４４と初期第２サブドーピング導電層３４５を除去し、初期負電極領域３６１に位置する残りの初期第２サブ誘電体層３４４を第２サブ誘電体層３２４とし、初期負電極領域３６１に位置する残りの初期第２サブドーピング導電層３４５を第２サブドーピング導電層３２５とする。」 「【図２１】 ［図：0001438853000019.jpg］ 【図１２】 ［図：0001438853000020.jpg］ 」 「【０１８５】 図２１と図１２に示すように、第１マスク層３０８を除去する。 【０１８６】 なお、ＩＢＣセルを形成するステップでは、初期第１誘電体層３５４と初期初期第１ドーピング導電層３５５を形成するステップは、上述した実施例の両面ＴＯＰＣＯＮセルとＨＪＴセルにおける初期第１誘電体層１５４、２５４と初期第１ドーピング導電層１５５、２５５を形成するステップと異なる。ＩＢＣセルを形成するステップにおいて、初期第１誘電体層３５４を形成するステップは、２つの別々のサブステップ、即ち、初期第１サブ誘電体層３３４を形成するステップと初期第２サブ誘電体層３４４を形成するステップを含み、初期初期第１ドーピング導電層３５５を形成するステップは、２つの別々のサブステップ、即ち、初期第１サブドーピング導電層３３５を形成するステップと初期第２サブドーピング導電層３４５を形成するステップを含む。第１レーザー工程と第２レーザー工程を行った初期正電極領域３５１と初期負電極領域３６１は、それぞれ正電極領域３１１と負電極領域３２１になり、電極領域３０１が正電極領域３１１または負電極領域３２１であり、第１レーザー工程と第２レーザー工程を行った初期遷移領域３７２と初期非電極領域３７３は、それぞれ遷移領域３０２と非電極領域３０３になる。 【０１８７】 上記のように、本願の別の実施例では、全面に初期第１誘電体層１５４と初期第１ドーピング導電層１５５を形成してから、レーザー工程で処理することにより、第１表面構造１１２を備えた遷移領域１０２を形成し、かつ積層配置された第１誘電体層１０４と第１ドーピング導電層１０５を電極領域１０１のみに形成する。これにより、第１誘電体層１０４と第１ドーピング導電層１０５の電極領域１０１に対するパッシベーション作用によって電極領域１０１の深刻なキャリア再結合問題を改善する。一方、第１誘電体層１０４と第１ドーピング導電層１０５が第１表面１１０に照射された入射光に対する非電極領域１０３と遷移領域１０２の吸収を低下させることを防止する。また、第１表面構造１１２は、第１表面１１０の入射光に対する吸収率を高めるのに寄与する。 …（後略）…」 ３ 本願発明の実施可能要件の検討 （１） 本願発明の構成について 本願発明は、前記第２で認定したとおりのものであり、「前記第１表面構造が間隔をあけて設置された複数の第１ピラミッド構造を含み、前記第１表面構造が複数の微細突起構造をさらに含み、前記微細突起構造の底部の一次元寸法が前記第１ピラミッド構造の底部の一次元寸法よりも小さく、前記微細突起構造は、前記電極領域に向かって傾斜する角柱構造を含み、前記角柱構造が前記第１ピラミッド構造の側面に位置し、及び／又は、前記角柱構造が前記遷移領域において前記電極領域に近い一部の領域に位置し、及び／又は、前記第１ピラミッド構造の側面から離れた方向に沿って、複数の前記角柱構造が順次配列されている」こと（以下「本件第１表面構造」という）を特定するものである。 そして、前記１の判断基準によれば、本願が実施可能要件を満たしているというためには、当業者が、本件第１表面構造を備える太陽電池を、明細書及び図面に記載された発明の実施についての説明と技術常識に基づいて、過度の試行錯誤を要することなく作ることができるように、発明の詳細な説明が記載されている必要がある。 （２） 発明の詳細な説明における太陽電池の製造方法の記載について 本件第１表面構造を備える太陽電池の製造方法、特に、本件第１表面構造の形成に関して、発明の詳細な説明には、特に両面ＴＯＰＣＯＮセルを形成する場合に、次のア～エの記載がある。なお、発明の詳細な説明において関連する段落番号を括弧内に示した。 ア ステップＳ１１として、初期第１誘電体層を形成する前に、初期第１表面１４０に対して第１エッチング工程を行って、初期第１表面１４０に第１テクスチャ構造を持たせ、初期電極領域１７１、初期遷移領域１７２及び初期非電極領域１７３の表面が、いずれも類似したテクスチャ構造を備え、このテクスチャ構造がピラミッド構造であってもよいこと。第１エッチング工程は、化学エッチングを含んでもよく、例えば、水酸化カリウムと過酸化水素の混合溶液で初期基板１３０の表面を洗浄し、具体的には水酸化カリウムと過酸化水素の濃度比を制御することで形態が所望に適合する初期第１表面１４０を形成することができること。レーザーエッチング、機械法、プラズマエッチングなどの方法でテクスチャ形成処理を行ってもよいこと。（【０１４７】） イ ステップＳ１２として、初期第１表面１４０を覆う初期第１誘電体層を形成すること。（【０１４８】、【０１５２】） ウ ステップＳ１３として、初期第１誘電体層の初期基板１３０から離れた側の表面を覆う初期第１ドーピング導電層を形成すること。（【０１４８】、【０１５６】） エ ステップＳ１４として、レーザー工程で初期遷移領域１７２に位置する初期第１誘電体層と初期第１ドーピング導電層を除去して、第１表面１１０を備える基板１００を形成すること。初期第１表面１４０は、第１テクスチャ構造を備え、レーザー工程で初期遷移領域１７２に位置する初期第１誘電体層１５４と初期第１ドーピング導電層１５５を除去するステップにおいて、初期遷移領域１７２に位置する第１テクスチャ構造が第１表面構造１１２に変換されること。（【０１４８】、【０１６９】） オ レーザー工程の工程パラメータを調整することで、第１表面構造１１２を微調整することができること。（【０１７０】） また、本願の発明の詳細な説明には、ＨＪＴセル及びＩＢＣセルを形成する場合も、両面ＴＯＰＣＯＮセルを形成する場合と同様の方法により、本件第１表面構造を形成することが開示されているものと認められる（【０１７１】～【０１８７】）。 （３） 実施可能要件についての検討 ア 前記（２）によれば、発明の詳細な説明には、本件第１表面構造は、第１エッチング工程などにより形成したピラミッド構造である第１テクスチャ構造上に初期第１誘電体層及び初期第１ドーピング導電層を形成し、レーザー工程で初期遷移領域に位置する初期第１誘電体層と初期第１ドーピング導電層を除去するステップにおいて、第１テクスチャ構造が本件第１表面構造に変換されることにより形成され、レーザー工程の工程パラメータを調整することで、第１表面構造を微調整すること（以下「本件レーザー工程」という。）が開示されているにとどまる。そこで以下、当業者が、本件レーザー工程により、本件第１表面構造を形成することができるか否かについて検討する。 イ 当業者が本件レーザー工程により本件第１表面構造を形成することができるというためには、本件レーザー工程において、第１テクスチャ構造上に初期第１誘電体層及び初期第１ドーピング導電層を形成した初期遷移領域に対してどのようなレーザーをどのように照射することにより、本件第１表面構造を形成することができるのかを、明細書及び図面の記載並びに技術常識に基づいて当業者が理解できる必要がある。 ここで、前記（２）オにも見られるように、本件第１表面構造のような特定の微細構造を形成するためには、レーザー工程の工程パラメータとして特定の工程パラメータが必要であること、すなわち、レーザー工程の工程パラメータにより、作成される微細構造は異なり得ることが技術常識である。このことは、後記エで説示する本願の発明の詳細な説明の記載からも首肯できる。そして、そのようなレーザー工程の工程パラメータとしては、レーザーの発振種別（パルスレーザー／ＣＷ発振レーザー等）、発振波長又は発振周波数、エネルギー密度や強度、集光径やビームプロファイル、（パルスレーザーの場合）パルス幅や繰り返し周波数等の多岐にわたるパラメータを決定する必要があり、レーザーの使用条件についても、走査速度や走査パターン、入射方向や入射角等を決定する必要がある。そして、これらの工程パラメータを適切に決定しなければ、本件第１表面構造を作成することができないといえる。 ウ しかしながら、発明の詳細な説明には、本件レーザー工程の詳細については、レーザー工程の工程パラメータを調整することで、第１表面構造を微調整することができる旨が記載されているにとどまり、調整すべき工程パラメータとしてどのようなパラメータをどのような指針で決定するのかについては何らの開示もなされていない。 また、本件第１表面構造のうち、第１ピラミッド構造については、本件レーザー工程からも理解されるように、エッチング工程などにより形成した第１テクスチャ構造に起因するものであり、このようにエッチング工程によりピラミッド構造であるテクスチャ構造を形成することは、本願の出願時の技術常識であると認められる。しかしながら、本件第１表面構造のうち、角柱構造については、特に第１ピラミッド構造に対して特定の配置であることを特定するものであり、このような構造が本願出願時に一般的な構造とはいいがたい。さらに、これをレーザー工程で作成することも一般的であるとはいいがたく、発明の詳細な説明には、レーザー工程によるどのような機序、作用に基づいて特定配置の角柱構造が形成されるのかについての説明もなされていない。そうすると、本件第１表面構造のうち、特に特定配置の角柱構造を形成するためのレーザー工程の工程パラメータが、当業者にとって技術常識であることや、当業者が過度の試行錯誤を伴うことなく決定できる程度のものと認めることはできない。 エ 前記イのレーザー工程の工程パラメータにより、作成される微細構造は異なり得ることに関して、本願の発明の詳細な説明の【００４３】によれば、本件レーザー工程により形成される「微細突起構造」には、角柱構造１４２、第２ピラミッド構造１５３及び三角形の板状構造（以下「三つの構造」という。）が含まれ、それら三つの構造については、【００６４】に例示されるように、いずれかの構造のみが形成される得ることが記載されている。しかしながら、レーザー工程における各パラメータのうち、どのようなパラメータのどのような値を選択すれば、これら三つの構造のいずれが形成されるのか、具体的な条件についての記載はなく、また、その指針についても記載されていない。このことからも、本件第１表面構造のうち、微細突起構造である角柱構造を形成するためのレーザー工程の工程パラメータが、当業者にとって技術常識であることや、当業者が過度の試行錯誤を伴うことなく決定できる程度のものと認めることはできない。 オ 前記ア～エを踏まえると、本件レーザー工程において、第１テクスチャ構造上に初期第１誘電体層及び初期第１ドーピング導電層を形成した初期遷移領域に対してどのようなレーザーをどのように照射することにより、本件第１表面構造を形成することができるのかを、明細書及び図面の記載並びに技術常識に基づいて当業者が理解できるとはいえないから、本願の発明の詳細な説明は、当業者が本件レーザー工程により本件第１表面構造を形成することができる程度に明確かつ十分に記載されているということはできない。 （４） 請求人の主張について ア 請求人の主張の内容 請求人の主張は次のとおりである。 「第１表面構造」の形成は、当業者が明細書の記載に基づいて、複数回の実験によって実現できる本分野の通常の技術である。 本加工過程で利用される装置は市販されている紫外ピコ秒レーザーであり、加工過程では、以下のレーザーパラメータを利用してアレイ式走査を行うことができる。 ・１００μｍ辺長の方形光スポットで、光スポット内エネルギー分布は、トップハットスポットと類似しており、１３Ｗのレーザーの出力パワーで、８００ｋＨＺの周波数で、１０ｐｓのパルス幅で、３ｍ／ｓの走査速度。 これらのパラメータは、いずれも当業者が複数回の実験によって得ることができる。 明細書の記載により、サンプルの表面に対しレーザー作用処理によって表面膜層に膜層の破損をもたらし、次に、サンプルに対してアルカリエッチング洗浄を行い、レーザー作用の領域における表面膜層をエッチング洗浄し、表面膜層の下にあるベースを２～３μｍの深さにエッチングすると、レーザーとエッチングの総合的な作用の下で、レーザー処理のエッジに遷移領域が形成され、遷移領域には複数のピラミッド形貌が形成される。レーザースポットの複数の回折スポットとピラミッド面からの複数回の乱反射により、ピラミッド表面の光エネルギー分布について、局所的に強化されたり局所的に弱化されたりした領域が形成され、光エネルギーが強い領域に形成されたエッチングピラミッドが小さくなり、光エネルギーが弱い領域に形成されたエッチングピラミッドが大きくなる。 「レーザー工程」は本分野の通常の技術であり、当業者であれば、レーザー工程中のパラメータ制御によって、第１表面構造の複数の第１ピラミッド構造と複数の微細突起構造の寸法、形状を容易に調整することができ、例えば、レーザーエネルギー密度を調整して寸法を変更することができる。 イ 請求人の主張の検討 請求人が主張する、レーザー工程とアルカリエッチングの総合的な作用の下で、レーザー処理のエッジに遷移領域が形成され、遷移領域には複数のピラミッド形貌が形成されることや、レーザースポットの複数の回折スポットとピラミッド面からの複数回の乱反射により、ピラミッド表面の光エネルギー分布について、局所的に強化されたり局所的に弱化されたりした領域が形成され、光エネルギーが強い領域に形成されたエッチングピラミッドが小さくなり、光エネルギーが弱い領域に形成されたエッチングピラミッドが大きくなるとの微細突起構造が形成される機序は、本願の発明の詳細な説明には記載されておらず、特に、レーザー作用の領域にアルカリエッチングを行うこと、すなわち、第１ステップＳ１４において、レーザー工程の次にアルカリエッチングを行うことについてすら記載されていないし、このような微細突起構造が形成される機序が、本願出願時の技術常識であるとも認められない。さらに、請求人の主張するレーザーパラメータについても、発明の詳細な説明には記載も示唆もされていないものであり、当該レーザーパラメータが本願出願時の技術常識であるともいえない。 そして、発明の詳細な説明の記載不足を事後的に補うことにより、当業者が本件第１表面構造を形成できる程度に、発明の詳細な説明が明確かつ十分に記載されたものであると主張したとしても、拒絶理由は解消されないから、請求人の主張は、前記（３）の結論を左右するものではない。 したがって、請求人の主張は採用することができない。 第５ むすび 以上のとおりであるから、本願は、発明の詳細な説明の記載が特許法３６条４項１号に規定する要件を満たしていない。 したがって、本願は、同法４９条４号に該当するから、拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。